KR20230013084A - 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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KR20230013084A
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스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
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Abstract

성분 (A): 알칼리 가용성 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물로서, 성분 (A)가, 성분 (a1): 바이페닐아랄킬형 페놀 수지를 포함하며, 이하의 조건 1로 측정되는, 감광성 수지 조성물의 경화막의 인장 신장률이, 10% 이상 200% 이하인, 감광성 수지 조성물이 제공된다: (조건 1) (i) 감광성 수지 조성물을 200℃, 180분의 조건에서 경화하여 경화막을 형성하고, 경화막으로부터, 6.5mmХ20mmХ10μm 두께의 시료를 제작한다. (ii) JIS K7161에 근거하여, 23℃, 시험 속도 5mm/min의 조건에서 시료의 인장 시험을 실시하여 인장 신장률을 구한다.

Description

감광성 수지 조성물
본 발명은, 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
지금까지, 감광성 수지 조성물의 분야에서는, 저온에서 경화한 경우에서도, 무르지 않고, 내열성이 풍부한 경화막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 얻고자 하여, 다양한 기술이 개발되고 있다. 이 종류의 기술로서는, 특허문헌 1에 기재된 기술을 들 수 있다.
특허문헌 1에는, 특정 구조를 갖는 폴리아마이드에 대하여, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 포함하는 수지 조성물을 도포하고, 200℃ 이하에서 경화한 막은, 높은 파단 신장률을 나타낸다고 기재되어 있다(단락 0008).
일본 공개특허공보 2007-213032호
본 발명자가 특허문헌 1에 기재된 기술에 대하여 검토한 결과, 저온에서의 경화성이 우수한 막을 얻는다는 점에서 여전히 개선의 여지가 있는 것이 명확해졌다.
본 발명은, 저온에서의 경화성이 우수한 수지막을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면,
성분 (A): 알칼리 가용성 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물로서,
상기 성분 (A)가, 성분 (a1): 바이페닐아랄킬형 페놀 수지를 포함하고,
이하의 조건 1로 측정되는, 당해 감광성 수지 조성물의 경화막의 인장 신장률이, 10% 이상 200% 이하인, 감광성 수지 조성물이 제공된다.
(조건 1)
(i) 당해 감광성 수지 조성물을 200℃, 180분의 조건에서 경화하여 상기 경화막을 형성하고, 상기 경화막으로부터, 6.5mmХ20mmХ10μm 두께의 시료를 제작한다.
(ii) JIS K7161에 근거하여, 23℃, 시험 속도 5mm/min의 조건에서 상기 시료의 인장 시험을 실시하여 상기 인장 신장률을 구한다.
또, 본 발명에 의하면, 예를 들면 상기 본 발명에 있어서의 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 수지막, 및, 상기 수지막을 구비하는 전자 장치를 제공할 수도 있다.
본 발명에 의하면, 저온에서의 경화성이 우수한 수지막을 제공할 수 있다.
도 1은 실시형태에 있어서의 전자 장치의 구성예를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 각 성분의 구체예를 들어 설명한다. 이하의 실시형태에 있어서, 조성물은, 각 성분을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 수치 범위의 "x~y"는 "x 이상 y 이하"를 나타내고, 하한값 x 및 상한값 y를 모두 포함한다. 또, 이하의 도면에 있어서, 동일한 구성 요소에는 공통의 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또, 도면은 개략도이며, 실제의 치수 비율과는 일치하고 있지 않다.
(감광성 수지 조성물)
본 실시형태에 있어서, 감광성 수지 조성물은, 성분 (A): 알칼리 가용성 수지를 포함하고, 성분 (A)는, 성분 (a1): 바이페닐아랄킬형 페놀 수지를 포함한다. 그리고, 이하의 조건 1로 측정되는, 감광성 수지 조성물의 경화막의 인장 신장률이, 10% 이상 200% 이하이다.
(조건 1)
(i) 당해 감광성 수지 조성물을 200℃, 180분의 조건에서 경화하여 경화막을 형성하고, 경화막으로부터, 6.5mmХ20mmХ10μm 두께의 시료를 제작한다.
(ii) JIS K7161에 근거하여, 23℃, 시험 속도 5mm/min의 조건에서 시료의 인장 시험을 실시하여 인장 신장률을 구한다.
본 발명자는, 감광성 수지 조성물의 저온 경화성을 향상시키기 위하여 검토를 행했다. 그 결과, 감광성 수지 조성물이 특정 성분을 포함하는 구성으로 함과 함께, 감광성 수지 조성물의 경화막의 인장 신장률이 특정 범위에 있는 구성으로 함으로써, 상술한 과제가 해결되는 것을 알아냈다.
경화막의 인장 신장률은, 취성(脆性) 파괴를 억제하는 관점에서, 10% 이상이며, 바람직하게는 20% 이상, 보다 바람직하게는 30% 이상, 더 바람직하게는 40% 이상이다.
또, 경화막을 보다 안정적으로 얻는 관점에서, 경화막의 인장 신장률은, 200% 이하이며, 바람직하게는 150% 이하, 보다 바람직하게는 125% 이하, 더 바람직하게는 100% 이하, 보다 더 바람직하게는 90% 이하이다.
본 실시형태에 있어서, 감광성 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)는, 내열성 향상의 관점에서, 바람직하게는 150℃ 이상이며, 보다 바람직하게는 180℃ 이상, 더 바람직하게는 200℃ 이상, 보다 더 바람직하게는 210℃ 이상이다.
또, 취성 악화를 억제하는 관점에서, 감광성 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 260℃ 이하이며, 보다 바람직하게는 240℃ 이하, 더 바람직하게는 230℃ 이하이다.
여기에서, 감광성 수지 조성물의 경화물의 Tg는, 소정의 시험편(폭 3mmХ길이 10mmХ두께 0.005~0.015mm)에 대하여, 열기계 분석 장치(TMA)를 이용하여, 개시 온도 30℃, 측정 온도 범위 30~440℃, 승온 속도 10℃/min의 조건하에서 측정을 행한 결과로부터 산출된다.
감광성 수지 조성물의 경화물의 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 이하의 조건 2에서 측정되는 경화막의 막강도는, 바람직하게는 70MPa 이상이며, 보다 바람직하게는 90MPa 이상, 더 바람직하게는 100MPa 이상, 보다 더 바람직하게는 105MPa 이상이다.
또, 취성 파괴를 억제하는 관점에서, 경화막의 상기 막강도는, 바람직하게는 150MPa 이하이며, 보다 바람직하게는 140MPa 이하, 더 바람직하게는 130MPa 이하, 보다 더 바람직하게는 120MPa 이하이다.
(조건 2)
장치: 인장·압축 시험기
온도: 상온(25℃)
인장 속도: 5mm/min
시험편 사이즈: 6.5mmХ20mmХ10μm 두께
또, 감광성 수지 조성물의 경화물의 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 50~100℃의 온도 영역에 있어서의 경화막의 선팽창 계수는, 바람직하게는 25ppm/℃ 이상이며, 보다 바람직하게는 30ppm/℃ 이상, 더 바람직하게는 35ppm/℃ 이상이고, 또, 바람직하게는 40ppm/℃ 이하이다.
여기에서, 50~100℃의 온도 영역에 있어서의 경화막의 선팽창 계수는, 구체적으로는, 200℃, 180분의 조건에서 얻어진 경화막의 시험편(폭 3mmХ길이 10mmХ두께 10mm)에 대하여, 열기계 분석 장치(TMA)를 이용하여, 개시 온도 30℃, 측정 온도 범위 30~440℃, 승온 속도 10℃/min의 조건하에서 측정을 행한 결과로부터 산출된다.
다음으로, 각 성분에 대하여 더 구체적으로 설명한다.
(성분 (A))
성분 (A)는, 알칼리 가용성 수지이며, 성분 (a1): 바이페닐아랄킬형 페놀 수지를 포함한다.
성분 (a1)은, 저온에서의 경화성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 하기 일반식 (2)로 나타난다.
Figure pct00001
상기 일반식 (2) 중, n은, 저온에서의 경화성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 6 이상이며, 보다 바람직하게는 10 이상, 더 바람직하게는 12 이상, 보다 더 바람직하게는 14 이상이다.
또, 용제 용해성의 관점에서, n은, 바람직하게는 72 이하이며, 보다 바람직하게는 54 이하, 더 바람직하게는 36 이하이다.
성분 (a1)의 중량 평균 분자량은, 저온에서의 경화성을 향상시키는 관점에서, 예를 들면 500 이상이어도 되고, 바람직하게는 2000 이상이며, 보다 바람직하게는 3000 이상, 더 바람직하게는 4000 이상이다.
또, 성분 (a1)의 중량 평균 분자량은, 예를 들면 50000 이하여도 되고, 용제 용해성의 관점에서, 바람직하게는 20000 이하이며, 보다 바람직하게는 15000 이하, 더 바람직하게는 10000 이하, 보다 더 바람직하게는 8000 이하이다.
여기에서, 성분 (a1)의 중량 평균 분자량은, 구체적으로는, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의하여 측정하고, 폴리스타이렌 표준 물질을 이용하여 작성한 검량선을 기초로 계산된다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (a1)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 저온 경화 시의 인성(靭性) 향상의 관점에서, 바람직하게는 5질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 10질량부 이상, 더 바람직하게는 15질량부 이상이다.
또, 열기계 특성 악화의 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (a1)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 바람직하게는 70질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 60질량부 이하, 더 바람직하게는 50질량부 이하, 보다 더 바람직하게는 40질량부 이하이다.
또, 성분 (A)는, 성분 (a1) 이외의 것을 포함해도 된다. 이러한 수지의 구체예로서, 성분 (a1) 이외의 페놀 수지, 하이드록시스타이렌 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리벤즈옥사졸 수지, 폴리이미드 수지, 환상 올레핀 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함한다.
성분 (A)는, 저온에서의 경화성 및 경화막의 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 성분 (a2): 성분 (a1) 이외의 페놀 수지를 더 포함한다.
성분 (a2)로서, 구체적으로는, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 노볼락 수지, 페놀-바이페닐 노볼락 수지, 알릴화 노볼락형 페놀 수지, 자일릴렌 노볼락형 페놀 수지 등의 노볼락형 페놀 수지; 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 크레졸 노볼락 수지 등의 페놀 화합물과 알데하이드 화합물의 반응물; 페놀아랄킬 수지 등의 페놀 화합물과 다이메탄올 화합물의 반응물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함한다. 성분 (a2)는 바람직하게는 노볼락형 페놀 수지이다.
또, 성분 (a2)는, 저온에서의 경화성 및 경화막의 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는, 하기 일반식 (4)로 나타나는 구조 단위를 갖는다.
Figure pct00002
(상기 일반식 (4) 중, R41, 및 R42는, 각각 독립적으로, 수산기, 할로젠 원자, 카복실기, 탄소수 1~20의 포화 또는 불포화의 알킬기, 탄소수 1~20의 알킬에터기, 탄소수 3~20의 포화 또는 불포화의 지환식기, 또는 탄소수 6~20의 방향족 구조를 갖는 유기기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1가의 치환기이며, 이들은 에스터 결합, 에터 결합, 아마이드 결합, 카보닐 결합을 개재하여 결합하고 있어도 되고, r, 및 s는, 각각 독립적으로, 0~3의 정수이며, Y4, 및 Z4는, 각각 독립적으로, 단결합, 또는 불포화 결합을 갖고 있어도 되는 탄소수 1~10의 지방족기, 탄소수 3~20의 지환식기, 및 탄소수 6~20의 방향족 구조를 갖는 유기기로 이루어지는 군으로부터 선택되고, Z4는, 2개의 벤젠환 중 어느 일방에 결합한다.)
일반식 (4)로 나타나는 구조 단위를 갖는 페놀 수지는, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2018-155938호에 기재된 방법을 이용하여 얻을 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (a2)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 저온 경화 시의 경화성 향상의 관점에서, 바람직하게는 5질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 10질량부 이상, 더 바람직하게는 15질량부 이상이다.
또, 인성 악화의 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (a2)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 바람직하게는 70질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 60질량부 이하, 더 바람직하게는 50질량부 이하, 보다 더 바람직하게는 40질량부 이하이다.
또, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (A)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 저온에서의 경화성 및 경화막의 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 30질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 45질량부 이상, 더 바람직하게는 50질량부 이상이며, 또, 예를 들면 55질량부 이상이어도 된다.
또, 내약성이나 감광성을 향상시키는 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (A)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 바람직하게는 95질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 90질량부 이하, 더 바람직하게는 85질량부 이하, 보다 더 바람직하게는 70질량부 이하이다.
(성분 (B))
감광성 수지 조성물은, 경화막의 신뢰성 및 내약성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 성분 (B): 가교제를 더 포함한다.
성분 (B)는, 구체적으로는 성분 (A)와 열에 의하여 반응 가능한 기를 갖는 화합물이며, 예를 들면, 1,2-벤젠다이메탄올, 1,3-벤젠다이메탄올, 1,4-벤젠다이메탄올(파라자일렌글라이콜), 1,3,5-벤젠트라이메탄올, 4,4-바이페닐다이메탄올, 2,6-피리딘다이메탄올, 2,6-비스(하이드록시메틸)-p-크레졸, 4,4'-메틸렌비스(2,6-다이알콕시메틸페놀) 등의 메틸올기를 갖는 화합물; 플로로글루사이드 등의 페놀류; 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠, 1,3-비스(메톡시메틸)벤젠, 4,4'-비스(메톡시메틸)바이페닐, 3,4'-비스(메톡시메틸)바이페닐, 3,3'-비스(메톡시메틸)바이페닐, 2,6-나프탈렌다이카복실산 메틸, 4,4'-메틸렌비스(2,6-다이메톡시메틸페놀) 등의 알콕시메틸기를 갖는 화합물; 헥사메틸올멜라민, 헥사뷰탄올멜라민 등으로 대표되는 메틸올멜라민 화합물; 헥사메톡시멜라민 등의 알콕시멜라민 화합물; 테트라메톡시메틸글라이콜우릴 등의 알콕시메틸글라이콜우릴 화합물; 메틸올벤조구아나민 화합물, 다이메틸올에틸렌유레아 등의 메틸올유레아 화합물; 알킬화 요소 수지; 다이사이아노아닐린, 다이사이아노페놀, 사이아노페닐설폰산 등의 사이아노 화합물; 1,4-페닐렌다이아이소사이아네이트, 3,3'-다이메틸다이페닐메테인-4,4'-다이아이소사이아네이트 등의 아이소사이아네이트 화합물; 에틸렌글라이콜다이글리시딜에터, 비스페놀 A 다이글리시딜에터, 아이소사이아누르산 트라이글리시딜, 페녹시형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 페놀 노볼락 수지형 에폭시 수지 등의 에폭시기 함유 화합물; N,N'-1,3-페닐렌다이말레이미드, N,N'-메틸렌다이말레이미드 등의 말레이미드 화합물 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 수지막의 내약품성을 향상시키는 관점에서, 성분 (B)는, 바람직하게는, 성분 (b1): 2관능성의 에폭시 수지를 포함하고, 보다 바람직하게는 2관능의 페녹시형 에폭시 수지를 포함한다. 동일한 관점에서, 성분 (B)가 성분 (b1) 및 알킬화 요소 수지를 포함하는 것도 바람직하다. 페녹시형 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 페녹시 수지, 비스페놀 F형 페녹시 수지, 비스페놀 S형 페녹시 수지, 비스페놀아세토페논형 페녹시 수지, 노볼락형 페녹시 수지, 바이페닐형 페녹시 수지, 플루오렌형 페녹시 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 페녹시 수지, 노보넨형 페녹시 수지, 나프탈렌형 페녹시 수지, 안트라센형 페녹시 수지, 아다만테인형 페녹시 수지, 터펜형 페녹시 수지, 및 트라이메틸사이클로헥세인형 페녹시 수지 등을 이용할 수 있다. 또, 페녹시형 에폭시 수지의 시판품의 구체예로서, 수지 JER-1256, YX-7105(이상, 미쓰비시 케미컬사제), LX-01(오사카 소다사제)을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (b1)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 저온 경화 시의 인성 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.1질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 1질량부 이상, 더 바람직하게는 3질량부 이상이다.
또, 저온 경화 시의 열기계 특성을 유지하는 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (b1)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 바람직하게는 60질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 50질량부 이하, 더 바람직하게는 40질량부 이하이다.
또, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (B)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 저온 경화 시의 인성 및 내약성 향상의 관점에서, 바람직하게는 0.1질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 1질량부 이상, 더 바람직하게는 3질량부 이상이다.
또, 경화막의 내약성을 높이는 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (B)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 바람직하게는 60질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 50질량부 이하, 더 바람직하게는 40질량부 이하이다.
(성분 (C))
감광성 수지 조성물은, 경화막을 안정적으로 형성하는 관점에서, 바람직하게는 성분 (C): 산발생제를 더 포함한다. 성분 (C)는, 구체적으로는, 열에너지 또는 광에너지를 흡수함으로써 산을 발생하는 화합물이다.
저온에서의 경화성 및 내약성을 향상시키는 관점에서, 성분 (C)는, 바람직하게는 성분 (c1): 설포늄 화합물 또는 그 염을 포함한다.
성분 (c1)은, 구체적으로는, 양이온부로서 설포늄 이온을 갖는 설포늄염이다. 이때, 성분 (c1)의 음이온부는, 구체적으로는, 붕화물 이온, 안티모니 이온, 인 이온 또는 트라이플루오로메테인설폰산 이온 등의 설폰산 이온이며, 저온에서의 반응 속도를 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 붕화물 이온 또는 안티모니 이온이고, 보다 바람직하게는 붕화물 이온이다. 이들 음이온은 치환기를 가져도 된다.
성분 (c1)은, 바람직하게는 하기 일반식 (1)로 나타나는 설포늄염을 포함한다.
Figure pct00003
상기 일반식 (1) 중, R1은 수소 원자 또는 1가의 유기기이며, 저온에서의 반응성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 수소 원자 또는 아실기이고, 보다 바람직하게는 아실기이며, 더 바람직하게는 CH3C(=O)-기이다.
R2는 1가의 유기기이며, 저온에서의 반응성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 쇄상 혹은 분기쇄를 갖는 탄화 수소기 또는 치환기를 가져도 되는 벤질기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기로 치환되어도 되는 벤질기 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기이고, 더 바람직하게는 메틸기 또는 방향환부가 메틸기로 치환되어도 되는 벤질기이다.
R3은 1가의 유기기이며, 저온에서의 반응성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 쇄상 혹은 분기쇄를 갖는 탄화 수소기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기이고, 보다 바람직하게는 메틸기이다.
성분 (c1) 외의 바람직한 예로서, 트라이페닐설포늄트라이플루오로메테인설포네이트 등의 트라이페닐설포늄염을 들 수 있다.
또, 성분 (c1)은, 다이(트라이플루오로메테인설폰)이미드(4,8-다이-n-뷰톡시-1-나프틸)다이뷰틸설포늄 등의 광산발생제여도 된다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (c1)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 저온에서의 경화성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 0.005질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 0.01질량부 이상, 더 바람직하게는 0.02질량부 이상이다.
또, 신뢰성 저하를 억제하는 관점에서, 감광성 수지 조성물 중의 성분 (C)의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전고형분을 100질량부로 했을 때, 바람직하게는 5질량% 이하이며, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더 바람직하게는 3질량% 이하이고, 또, 예를 들면 0.5질량부 이하, 예를 들면 0.2질량부 이하, 또는 예를 들면 0.1질량부 이하인 것도 바람직하다.
(성분 (D))
감광성 수지 조성물은, 감광성 수지 조성물의 경화막의 기판에 대한 밀착성을 높이는 관점에서, 바람직하게는 성분 (D): 실레인 커플링제를 더 포함한다. 실레인 커플링제로서는, 예를 들면 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인 등의 에폭시실레인; p-스타이릴트라이메톡시실레인 등의 스타이릴실레인; 3-메타크릴옥시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인; 3-메타크릴옥시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이에톡시실레인, 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인 등의 (메트)아크릴실레인; N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸다이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트라이에톡시실레인, 3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이에톡시실레인, N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인 등의 아미노실레인; 3-머캅토프로필메틸다이메톡시실레인, 3-머캅토프로필트라이메톡시실레인 등의 머캅토실레인; 비스(트라이에톡시프로필)테트라설파이드 등의 설파이드계 실레인; 3-아이소사이아네이트프로필트라이에톡시실레인 등의 아이소사이아네이트실레인을 들 수 있다. 동일한 관점에서, 성분 (D)는, 바람직하게는 에폭시실레인 및 (메트)아크릴실레인으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, 보다 바람직하게는 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인 및 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인 중 적어도 하나이다. 또, 성분 (D)의 구체예로서, 아미노기, 아마이드기 및 유레아기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 기를 갖는 규소 화합물과 산 이무수물 또는 산무수물을 반응시킴으로써 얻어지는 규소 화합물도 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (D)의 함유량은, 밀착성과, 감광성 수지 조성물의 보존성을 양립시키는 관점에서, 성분 (A) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 1질량부 이상이고, 또, 바람직하게는 30질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 20질량부 이하, 더 바람직하게는 10질량부 이하, 보다 더 바람직하게는 5질량부 이하이다.
감광성 수지 조성물은, 상술한 성분 이외의 성분을 포함해도 된다. 이와 같은 성분으로서, 예를 들면 성분 (D) 이외의 밀착 조제(助劑), 계면활성제, 산화 방지제, 용해 촉진제, 필러, 증감제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.
성분 (D) 이외의 밀착 조제로서, 감광성 수지 조성물의 경화막의 금속에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 구체적으로는, 트라이아졸 화합물 및 이미드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물을 들 수 있다. 이로써, 추가로 질소 원자에서 유래하는 고립 전자쌍의 수를 늘릴 수 있다.
이 중, 트라이아졸 화합물로서는, 구체적으로는, 머캅토트라이아졸, 4-아미노-1,2,4-트라이아졸, 4H-1,2,4-트라이아졸-3-아민, 4-아미노-3,5-다이-2-피리딜-4H-1,2,4-트라이아졸, 3-아미노-5-메틸-4H-1,2,4-트라이아졸, 4-메틸-4H-1,2,4-트라이아졸-3-아민, 3,4-다이아미노-4H-1,2,4-트라이아졸, 3,5-다이아미노-4H-1,2,4-트라이아졸, 1,2,4-트라이아졸-3,4,5-트라이아민, 3-피리딜-4H-1,2,4-트라이아졸, 4H-1,2,4-트라이아졸-3-카복사마이드, 3,5-다이아미노-4-메틸-1,2,4-트라이아졸, 3-피리딜-4-메틸-1,2,4-트라이아졸, 4-메틸-1,2,4-트라이아졸-3-카복사마이드 등의 1,2,4-트라이아졸로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 밀착 조제의 함유량은, 밀착성을 더 높이는 관점에서, 성분 (A) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 0.1질량부 이상, 더 바람직하게는 1질량부 이상이고, 또, 바람직하게는 10질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 5질량부 이하이다.
계면활성제로서, 구체적으로는, 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터 등의 폴리옥시에틸렌알킬에터류; 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터 등의 폴리옥시에틸렌아릴에터류; 폴리옥시에틸렌다이라우레이트, 폴리옥시에틸렌다이스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌다이알킬에스터류 등의 비이온계 계면활성제; 에프톱 EF301, 에프톱 EF303, 에프톱 EF352(신아키타 가세이사제), 메가팍 F171, 메가팍 F172, 메가팍 F173, 메가팍 F177, 메가팍 F444, 메가팍 F470, 메가팍 F471, 메가팍 F475, 메가팍 F482, 메가팍 F477(DIC사제), 플루오라드 FC-430, 플루오라드 FC-431, 노벡 FC4430, 노벡 FC4432(쓰리엠 재팬사제), 서프론 S-381, 서프론 S-382, 서프론 S-383, 서프론 S-393, 서프론 SC-101, 서프론 SC-102, 서프론 SC-103, 서프론 SC-104, 서프론 SC-105, 서프론 SC-106(AGC 세이미 케미컬사제) 등의 명칭으로 시판되고 있는 불소계 계면활성제; 오가노실록세인 공중합체 KP341(신에쓰 가가쿠 고교사제); (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로 No. 57, 95(교에이샤 가가쿠사제)를 들 수 있다.
이들 중에서도, 퍼플루오로알킬기를 갖는 불소계 계면활성제를 이용하는 것이 바람직하다. 퍼플루오로알킬기를 갖는 불소계 계면활성제로서는, 상기 구체예 중, 메가팍 F171, 메가팍 F173, 메가팍 F444, 메가팍 F470, 메가팍 F471, 메가팍 F475, 메가팍 F482, 메가팍 F477(DIC사제), 서프론 S-381, 서프론 S-383, 서프론 S-393(AGC 세이미 케미컬사제), 노벡 FC4430 및 노벡 FC4432(쓰리엠 재팬사제)로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 이용하는 것이 바람직하다.
또, 계면활성제로서는, 실리콘계 계면활성제(예를 들면 폴리에터 변성 다이메틸실록세인 등)도 바람직하게 이용할 수 있다. 실리콘계 계면활성제로서 구체적으로는, 도레이 다우코닝사의 SH 시리즈, SD 시리즈 및 ST 시리즈, 빅케미·재팬사의 BYK 시리즈, 신에쓰 가가쿠 고교 주식회사의 KP 시리즈, 니치유 주식회사의 디스폼(등록 상표) 시리즈, 도시바 실리콘사의 TSF 시리즈 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 계면활성제의 함유량은, 도포성이나 도막의 균일성 등을 향상시키는 관점에서, 감광성 수지 조성물의 전체(용매를 포함한다)에 대하여 예를 들면 0.001질량%(10ppm) 이상이며, 또, 바람직하게는 1질량%(10000ppm) 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5질량%(5000ppm) 이하, 더 바람직하게는 0.1질량%(1000ppm) 이하이다.
(감광성 수지 조성물의 조제)
감광성 수지 조성물은, 상술한 각 성분과, 필요에 따라 그 외의 성분을 유기 용제에 혼합하여 용해함으로써 조제된다.
또, 본 실시형태에 있어서, 감광성 수지 조성물은, 예를 들면 상술한 성분 및 필요에 따라 그 외의 성분을 유기 용제에 용해하고, 바니시상으로 하여 사용된다.
또, 감광성 수지 조성물은, 성분 (a1) 및 성분 (a1) 이외의 성분 (A) 및 적절히 그 외의 성분을 사전에 반응시켜 사전 반응 수지로 한 후, 적절히 또 다른 성분을 더하여, 이용할 수도 있다.
유기 용제로서는, 예를 들면, N-메틸-2-피롤리돈, γ-뷰티로락톤, N,N-다이메틸아세트아마이드, 다이메틸설폭사이드, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이에틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 다이프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 뷰틸, 메틸-1,3-뷰틸렌글라이콜아세테이트, 1,3-뷰틸렌글라이콜-3-모노메틸에터, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸 및 메틸-3-메톡시프로피오네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 용제를 들 수 있다.
(수지막)
본 실시형태에 있어서의 감광성 수지 조성물을 경화함으로써 수지막이 얻어진다. 또, 본 실시형태에 있어서의 수지막은, 감광성 수지 조성물의 건조막 또는 경화막이다. 즉, 수지막은, 감광성 수지 조성물을 건조 또는 경화시켜 이루어지며, 바람직하게는 감광성 수지 조성물을 경화시켜 이루어진다.
이 수지막은, 예를 들면 영구막, 레지스트 등의 전자 장치용의 수지막을 형성하기 위하여 이용된다. 이들 중에서도, 저온에서 수지막이 얻어지는 관점, 우수한 가공성을 갖는 관점, 및, 신뢰성이 우수한 수지막이 얻어지는 관점에서, 영구막을 형성하는 용도에 이용되는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 의하면, 예를 들면, 감광성 수지 조성물을 이용하여 얻어지는 수지막에 대하여, 전자 장치 등을 제작하기 위하여 유용한 수지막으로 하는 데 있어서 요구되는, 가공성 또는 신뢰성이 우수한 막을 얻는 것도 가능해진다.
상기 영구막은, 감광성 수지 조성물에 대하여 프리베이크, 노광 및 현상을 행하여, 원하는 형상으로 패터닝한 후, 포스트베이크함으로써 경화시키는 것에 의하여 얻어진 수지막으로 구성된다. 영구막은, 버퍼 코트막 등의 전자 장치의 보호막, 재배선용 절연막 등의 층간막, 댐재(dam material) 등에 이용할 수 있다.
또, 감광성 수지 조성물은, 바람직하게는 버퍼 코트막 또는 배선용 절연막에 이용된다.
레지스트는, 예를 들면, 감광성 수지 조성물을 스핀 코트, 롤 코트, 플로 코트, 딥 코트, 스프레이 코트, 닥터 코트 등의 방법으로, 레지스트에 있어서 마스크되는 대상에 도공하고, 감광성 수지 조성물로부터 용매를 제거함으로써 얻어진 수지막으로 구성된다.
도 1은, 본 실시형태에 있어서의 수지막을 갖는 전자 장치의 구성예를 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타낸 전자 장치(100)는, 상기 수지막을 구비하는 전자 장치로 할 수 있다. 구체적으로는, 전자 장치(100) 중, 패시베이션막(32), 절연층(42) 및 절연층(44)으로 이루어지는 군 중 하나 이상을, 수지막으로 할 수 있다. 여기에서, 수지막은, 상술한 영구막인 것이 바람직하다.
전자 장치(100)는, 예를 들면 반도체 칩이다. 이 경우, 예를 들면 전자 장치(100)를, 범프(52)를 개재하여 배선 기판 상에 탑재함으로써 반도체 패키지가 얻어진다. 전자 장치(100)는, 트랜지스터 등의 반도체 소자가 마련된 반도체 기판과, 반도체 기판 상에 마련된 다층 배선층(도시하지 않는다.)을 구비하고 있다. 다층 배선층 중 최상층에는, 층간 절연막(30)과, 층간 절연막(30) 상에 마련된 최상층 배선(34)이 마련되어 있다. 최상층 배선(34)은, 예를 들면, 알루미늄(Al)에 의하여 구성된다. 또, 층간 절연막(30) 상 및 최상층 배선(34) 상에는, 패시베이션막(32)이 마련되어 있다. 패시베이션막(32)의 일부에는, 최상층 배선(34)이 노출되는 개구가 마련되어 있다.
패시베이션막(32) 상에는, 재배선층(40)이 마련되어 있다. 재배선층(40)은, 패시베이션막(32) 상에 마련된 절연층(42)과, 절연층(42) 상에 마련된 재배선(46)과, 절연층(42) 상 및 재배선(46) 상에 마련된 절연층(44)을 갖는다. 절연층(42)에는, 최상층 배선(34)에 접속하는 개구가 형성되어 있다. 재배선(46)은, 절연층(42) 상 및 절연층(42)에 마련된 개구 내에 형성되며, 최상층 배선(34)에 접속되어 있다. 절연층(44)에는, 재배선(46)에 접속하는 개구가 마련되어 있다.
절연층(44)에 마련된 개구 내에는, 예를 들면 UBM(Under Bump Metallurgy)층(50)을 개재하여 범프(52)가 형성된다. 전자 장치(100)는, 예를 들면 범프(52)를 개재하여 배선 기판 등에 접속된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
실시예
이하, 실시예를 참조하여 실시형태를 상세하게 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예의 기재에 결코 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1~5, 비교예 1~5)
표 1에 기재된 배합으로 감광성 수지 조성물을 조제했다. 구체적으로는, 먼저, 표 1에 따라 배합된 각 성분을, 질소 분위기하에서 교반 혼합 후, 구멍 직경 0.2μm의 폴리에틸렌제 필터로 여과함으로써, 바니시상의 감광성 수지 조성물을 얻었다.
표 1에 기재된 각 성분의 상세를 이하에 나타낸다. 또, 표 1에 있어서, 각 성분의 함유량은 액티브양이다.
((A) 알칼리 가용성 수지)
(a2) 알칼리 가용성 수지 1: 노볼락형 페놀 수지, 후술하는 제조예 1에서 얻어진 페놀 수지
(a2) 알칼리 가용성 수지 2: 크레졸형 페놀 수지, PR-56001, 스미토모 베이클라이트사제
(a2) 알칼리 가용성 수지 3: 알릴형 페놀 수지, MEH-8000H, 메이와 가세이사제
(a2) 알칼리 가용성 수지 4: 자일록형 페놀 수지, MEH-7800SS, 메이와 가세이사제
(a1) 알칼리 가용성 수지 5: 바이페닐아랄킬형 페놀 수지 1, 중량 평균 분자량 600, MEH-7851SS, 메이와 가세이사제
(a1) 알칼리 가용성 수지 6: 바이페닐아랄킬형 페놀 수지 2, 중량 평균 분자량 4000, GPH-103, 닛폰 가야쿠사제
(a1) 알칼리 가용성 수지 7: 후술하는 제조예 2에서 얻어진 사전 반응 수지
((B) 가교제)
(b1) 가교제 1: 페녹시형 에폭시 수지, YX-7105, 미쓰비시 케미컬사제
(b1) 가교제 2: 비스페놀 A형 에폭시 수지, LX-01, 오사카 소다사제
가교제 3: 알킬화 요소 수지, 니칼락 MX-270, 산와 케미컬사제
(감광제)
감광제 1: DS-427, 다이토 케믹스사제
(용매)
용매 1(수지 중에 포함되는 것): γ-뷰티로락톤
(밀착 조제)
(D) 밀착 조제 1: 실레인 커플링제(3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인), KBM-403, 신에쓰 가가쿠 고교사제
밀착 조제 2: 머캅토트라이아졸
밀착 조제 3: 실레인 커플링제(3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인), KBM-503, 신에쓰 가가쿠 고교사제
((C) 산발생제)
(c1) 산발생제 1: 설포늄염 1(4-아세톡시페닐다이메틸설포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트), SI-B5, 산신 가가쿠 고교사제
(c1) 산발생제 2: 설포늄염 2(4-아세톡시페닐메틸벤질설포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트), SI-B3A, 산신 가가쿠 고교사제
(c1) 산발생제 3: 설포늄염 3(다이(트라이플루오로메테인설폰)이미드(4,8-다이-n-뷰톡시-1-나프틸)다이뷰틸설포늄), ZK-1232, DSP 고쿄 푸드 & 케미컬사제
(계면활성제)
계면활성제 1: 불소계 계면활성제, FC4430, 쓰리엠 재팬사제
(제조예 1) 알칼리 가용성 수지 1의 제조
온도계, 교반기, 원료 투입구 및 건조 질소 가스 도입관을 구비한 4구의 유리제 둥근 바닥 플라스크에, 건조 질소 기류하, m-크레졸 64.9g(0.60몰), p-크레졸 43.3g(0.40몰), 30질량% 폼알데하이드 수용액 65.1g(폼알데하이드 0.65몰), 및 옥살산 이수화물 0.63g(0.005몰)을 투입한 후, 유욕(油浴) 중에 침지하여, 반응액을 환류시키면서 100℃에서 4시간 중축합 반응을 행했다. 이어서, 유욕의 온도를 200℃까지 3시간 동안 승온한 후에, 플라스크 내의 압력을 50mmHg 이하까지 감압하고, 수분 및 휘발분을 제거했다. 그 후, 수지를 실온까지 냉각하여, 중량 평균 분자량 3200의 노볼락형 페놀 수지인 페놀 수지(알칼리 가용성 수지 1)를 얻었다.
(제조예 2) 알칼리 가용성 수지 7의 제조
알칼리 가용성 수지 1 50질량부, 알칼리 가용성 수지 6 50질량부, 가교제 1 30질량부, 촉매로서 테트라페닐포스핀 0.4질량부, 용매 1 45질량부 투입하고, 150℃가 될 때까지 가열하여 2시간 플라스크에서 교반했다. 상온까지 냉각 후에 플라스크로부터 생성물을 취출하여, 사전 반응 수지(알칼리 가용성 수지 7)를 얻었다.
이하, 감광성 수지 조성물의 특성 측정 방법을 나타낸다.
(신장률)
각 예에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 200℃, 180분의 조건에서 경화하여 경화막을 형성했다. 얻어진 경화막으로부터, 6.5mmХ20mmХ10μm 두께의 시료를 제작했다.
시료의 인장 시험을, JIS K7161에 근거하여, 오리엔테크사제 인장 시험기(텐실론 RTA-100), 23℃, 시험 속도 5mm/min의 조건에서 실시했다. 1개의 시료에 대하여 8회 측정을 행하고, 그 평균값(표 1 중 "ave.")을 인장 신장률(%)로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(Tg, 선팽창 계수(CTE))
각 예에서 얻어진 감광성 수지 조성물의 경화막을 200℃, 180분의 조건에서 제작하고, 얻어진 경화막으로부터 폭 3mmХ길이 10mmХ두께 10mm의 시험편을 얻었다.
각 예의 시험편에 대하여, 열기계 분석 장치(TMA, 세이코 인스트루먼츠 주식회사(Seiko Instruments Inc)제, SS6000)를 이용하여, 개시 온도 30℃, 측정 온도 범위 30~440℃, 승온 속도 10℃/min의 조건하에서 측정을 행하고, 측정 결과로부터, Tg(℃) 및 50~100℃의 온도 영역의 선팽창 계수(ppm/℃)를 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(인장 강도)
각 예에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 200℃, 180분의 조건에서 경화하여 경화막을 형성하고, 얻어진 경화막으로부터, 6.5mmХ20mmХ10μm 두께의 시험편을 제작했다. 얻어진 시험편의 인장 강도(MPa)를 이하의 조건에서 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
장치: 오리엔테크사제 인장 시험기(텐실론 RTC-1210A)
온도: 상온(25℃)
인장 속도: 5mm/min
(가공성 평가)
실시예 1~4 및 비교예 1~5의 각각에 대하여, 얻어진 바니시상 감광성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼로 도포하고, 100℃/4분의 조건하에서 열처리를 실시함으로써, 막두께 약 7.0μm의 수지막을 얻었다. 이 수지막에 i선 스테퍼(니콘사제·NSR-4425i)를 이용하여 최적량으로 노광을 행하고, 현상액으로서 2.38%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액을 이용하여, 프리베이크 후의 막두께와 현상 후의 막두께의 차가 0.3μm가 되도록 현상 시간을 조절하여 2회 퍼들 현상을 행함으로써 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 10초간 린스했다. 수지막에 형성된 패턴의 개구부에 대하여, 광학 현미경의 배율 200배로 관찰하여, 100μm□의 개구부에서 잔사 발생의 유무를 확인했다.
○: 잔사의 크기가 5μm 미만
×: 잔사의 크기가 5μm 이상
평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(저온 경화성)
저온 경화성의 척도로서, 각 예에서 얻어진 조성물을 이용하여 얻어진 경화막의 필름 파단성을 평가했다.
각 예에서 얻어진 감광성 수지 조성물을, 6인치 실리콘 웨이퍼에 경화 후의 두께가 10μm가 되도록 도포하고, 100℃/4분으로 프리베이크를 행했다. 다음으로, 클린 오븐에서 산소 농도를 2000ppm 이하로 제어하여, 200℃, 180분으로 경화를 행했다.
얻어진 경화막으로부터 폭 3mmХ길이 10mmХ두께 10mm의 시험편을 얻었다. 시험편을 절반으로 접어, 그 외관을 관찰하고, 이하의 기준에서 평가했다.
○: 파단 없음
×: 일부 파단 있음 또는 완전 파단
평가 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00004
표 1로부터, 각 실시예에서 얻어진 조성물은, 우수한 가공성을 가짐과 함께, 저온에서의 경화성이 우수했다.
이 출원은, 2020년 5월 29일에 출원된 일본출원 특원 2020-094819호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 여기에 원용한다.
30 층간 절연막
32 패시베이션막
34 최상층 배선
40 재배선층
42, 44 절연층
46 재배선
50 UBM층
52 범프
100 전자 장치

Claims (9)

  1. 성분 (A): 알칼리 가용성 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물로서,
    상기 성분 (A)가, 성분 (a1): 바이페닐아랄킬형 페놀 수지를 포함하고,
    이하의 조건 1로 측정되는, 당해 감광성 수지 조성물의 경화막의 인장 신장률이, 10% 이상 200% 이하인, 감광성 수지 조성물.
    (조건 1)
    (i) 당해 감광성 수지 조성물을 200℃, 180분의 조건에서 경화하여 상기 경화막을 형성하고, 상기 경화막으로부터, 6.5mmХ20mmХ10μm 두께의 시료를 제작한다.
    (ii) JIS K7161에 근거하여, 23℃, 시험 속도 5mm/min의 조건에서 상기 시료의 인장 시험을 실시하여 상기 인장 신장률을 구한다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 성분 (a1)의 중량 평균 분자량이, 2000 이상 50000 이하인, 감광성 수지 조성물.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    성분 (B): 가교제를 더 포함하고,
    상기 성분 (B)가, 성분 (b1): 2관능성의 에폭시 수지를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    성분 (C): 산발생제를 더 포함하고,
    상기 성분 (C)가, 성분 (c1): 설포늄 화합물 또는 그 염을 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (A)가, 성분 (a2): 상기 성분 (a1) 이외의 페놀 수지를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    성분 (D): 실레인 커플링제를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    당해 감광성 수지 조성물의 경화물의 유리 전이 온도가 150℃ 이상 260℃ 이하인, 감광성 수지 조성물.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    이하의 조건 2에서 측정되는 상기 경화막의 막강도가 70MPa 이상 150MPa 이하인, 감광성 수지 조성물.
    (조건 2)
    장치: 인장·압축 시험기
    온도: 상온
    인장 속도: 5mm/min
    시험편 사이즈: 6.5mmХ20mmХ10μm 두께
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    버퍼 코트막 또는 배선용 절연막에 이용되는, 감광성 수지 조성물.
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