KR20230008096A - 수지 조성물 및 전자 부품 - Google Patents

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켄 우치다
히로카즈 츠루미
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교세라 가부시키가이샤
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Abstract

수지 조성물의 성형체가 전자파 흡수체이며, 상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 허부(ε'') 및 25℃에 있어서의 체적 저항률(ρv)이 하기식(1)을 충족하고, 상기 허부(ε'')가 1.25보다 큰 수지 조성물.
20<(log ρv)×ε''<600 (1)

Description

수지 조성물 및 전자 부품
본 개시는 전자파 흡수 기능을 갖는 수지 조성물 및 전자 부품에 관한 것이다.
최근, 전자기기는 더욱 고속 동작성이 요구되고, 메모리 및 CPU(Central Processing Unit), PMIC(Poｗer Management Integrated Circuit), Bluetooth(등록상표) 모듈 등의 IC(Integrated Circuit)의 동작 주파수는 급속하게 상승하고 있고, 고주파수의 전자파 노이즈가 이들의 IC로부터 방출되고 있다. 정보 통신 분야에 있어서의 대량 전송, 고속 전송에 대한 요구는 날마다 엄격해지고, 그 요구에 응하기 위해서는 동작 주파수, 캐리어 주파수 모두, 고주파화하지 않을 수 없다.
한편, 통신 기기의 전송 신뢰성을 확보하기 위해서는 전자파 장해를 방지할 필요가 있다. 예를 들면, 전자파 노이즈를 억제하는 방법으로서, 금속제의 실드층을 구비한 전자파 실드재가 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1로서, Fe, Ni, Co 및 V로부터 선택한 금속 또는 이들 금속의 2종 이상으로 이루어지는 합금의 분말 등의 연자성 금속 분말을 고무 또는 플라스틱의 매트릭스 중에 분산시킨 것을 시트 형상으로 성형해서 이루어지는 전자파 실드재가 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 2로서, 탄화 규소분말을 매트릭스 수지 중에 분산시켜 이루어지는 전파 흡수 재료에 의해 형성된 전파 흡수층을 금속체의 표면에 적층한 시트 형상의 전파 흡수체가 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 3으로서, 카본 재료를 포함하는 매트릭스로 이루어지는 유전체층과, 상기 유전체층의 일방의 면에 적층된 분할 도전막층과, 상기 유전체층의 타방의 면에 적층된 전자파 반사층을 갖는 5∼7GHz의 주파수 대역에 있어서의 전자파 흡수 시트가 제안되어 있다.
일본특허공개 2001-68889호 공보 일본특허공개 2005-57093호 공보 일본특허공개 2012-209515호 공보
본 개시는, 이러한 지견에 기초해서 완성된 것이다.
즉, 본 개시는 이하에 관한 것이다.
[1] 본 개시의 수지 조성물은, 상기 수지 조성물의 성형체가 전자파 흡수체이고, 상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 허부(ε'') 및 25℃에 있어서의 체적 저항률(ρv)이 하기 식(1)을 충족하고, 상기 허부(ε'')가 1.25보다 큰 수지 조성물이다.
20<(log ρv)×ε''＜600 (1)
[2] 본 개시의 전자 부품은, 상기 [1]에 기재된 수지 조성물의 성형체를 구비한다.
도 1은 본 개시의 일실시형태의 전자 부품을 나타내는 단면도이다.
전자파 흡수체 중 자성체를 사용하는 것은 5GHz 이상, 100GHz 이하의 GHz 오더의 고주파 대역에서는 복소 투자율이 저하하고, 전자파 노이즈 억제 효과가 충분한 것은 아니다. 또한, 금속에 의한 반사를 이용하는 것은, 소위 자가 중독이 회피되지 않는다.
본 개시의 수지 조성물은 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능이 우수한 성형체를 얻을 수 있다.
이하, 본 개시에 대해서, 일실시형태를 참조하면서 상세하게 설명한다.
본 개시의 수지 조성물은 상기 수지 조성물의 성형체가 전자파 흡수체이고, 상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 허부(ε'') 및 25℃에 있어서의 체적 저항률(ρv)이 하기 식(1)을 충족한다. 또한, 상기 허부(ε'')는 1.25보다 크다.
20<(log ρv)×ε''＜600 (1)
성형체의 유전 손에 의해 고주파의 전자파를 흡수시키는 경우, 상기 성형체의 복소 유전율 중 허부(ε'')를 크게 할 필요가 있다. 한편, 상기 ε''은 교류에 있어서의 저항 성분에 상당하고, 상기 ε''이 큰 재료는, 일반적으로 직류에 있어서의 저항이 작아진다. 상기 성형체에는 전기 절연 성능도 요구되기 때문에, 상기 성형체의 직류에 있어서의 저항을 크게 할 필요가 있다. 본 발명자는, 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 허부(ε'') 및 25℃에 있어서의 체적 저항률(ρv)이 상기 식(1)을 충족함으로써, 상기 성형체의 직류 저항을 크게 함과 아울러, 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능을 높일 수 있는 것을 발견했다.
상기 성형체의 복소 유전율의 허부(ε'')와 체적 저항률(ρv)의 대수의 곱은 20보다 크다. 상기 ε''과 ρv의 대수의 곱이 20보다 크면 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능 또는 전기 절연성이 충분하게 된다. 이러한 관점으로부터, 용도에 따라서는 상기 ε''과 ρv의 대수의 곱은, 30 이상이어도 되고, 40 이상이어도 되고, 45 이상이어도 된다. 상기 ε''과 ρv의 대수의 곱의 상한은 특별히 형성하지 않지만, ε'' 과 ρv의 상한값에서 결정된다. 상기 ε''과 ρv의 대수의 곱의 상한은 600보다 작아도 된다. 상기 ε''과 ρv의 대수의 곱이 600 이상이면 신호 손실이 증대할 우려가 있다. 이러한 관점으로부터, 상기 ε''과 ρv의 대수의 곱은 300 이하이어도 되고, 100 이하이어도 되고, 80 이하이어도 된다.
상기 ε''은 1.25보다 크다. 상기 ε''이 1.25 이하이면 성형체의 고주파 대역에서의 전자파 흡수능이 저하할 우려가 있다. 이러한 관점으로부터, 상기 ε''은 3 이상이어도 되고, 4 이상이어도 되고, 5 이상이어도 되고, 6 이상이어도 된다. 한편, 상기 ε''의 상한은 40 미만이어도 되고, 35 이하이어도 된다.
상기 성형체는 신호 손실을 저감하는 관점으로부터, 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 실부(ε')가 40 미만이어도 되고, 30 미만이어도 되고, 25 미만이어도 된다. 상기 ε'의 하한은 특별히 설정하지 않지만, 1.25보다 커도 된다.
또한, 상기 ε' 및 ε''은, 도파관법에 의해 측정할 수 있고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
또한, 상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 유전정접(tanδ)은 전자파 신호 손실을 저감하는 관점으로부터 0.1 이상 0.8 이하이어도 되고, 0.2 이상 0.75 이하이어도 된다.
상기 성형체의 25℃에 있어서의 체적 저항률(ρv)은 전기 절연 성능의 관점으로부터, 1.0×106Ωcm 이상이어도 되고, 1.0×107Ωcm 이상이어도 된다. 상한은 특별히 형성하지 않지만, 1.0×1016Ωcm 이하이어도 된다.
또한, 상기 ρv는 JIS K-6911:2006에 준해서 측정할 수 있고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
상기 성형체는 경량화가 요구되는 휴대폰 기기 및 차량 탑재에의 적용을 고려하면 저비중이어도 된다. 상기 성형체의 비중은 1.2 이상 3.2 이하이어도 되고, 1.5 이상 3.0 이하이어도 된다.
또한, 상기 성형체의 비중은 경화한 재료를 공기 중 및 수중의 질량 및 부력을, 천칭을 이용하여 측정함으로써 구할 수 있다. 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
통신용 전자 부품에는 큰 발열을 수반하는 경우도 있고, 일반적으로 방열 시트 등을 병용한 방열 기구가 필요로 된다. 특히, 금후의 고주파 대역에서의 대응에 있어서는, 보다 한층의 방열성이 필요로 된다. 성형체의 열전도율을 높게 해서 전자파 흡수재에 방열성을 부여할 수 있으면 방열 시트 등 다른 기구를 병용할 필요가 없고, 전자 부품의 소형화 및 경량화에 더해, 조립 공수의 삭감도 가능하기 때문에 매우 유용하다. 이러한 관점으로부터, 상기 성형체의 열전도율은 0.5W/m·K 이상 6.0W/m·K 이하이어도 되고, 0.6W/m·K 이상 5.0W/m·K 이하이어도 된다.
또한, 상기 성형체의 열전도율은 열류 에너지를 열선으로 부여했을 때의 온도 구배를 열전도율이 기지의 시료와 비교해서 구하는 열선법, 균질한 물질에 레이저 등으로 순간적으로 고에너지를 부여하고, 그 때 측정되는 열확산율 및 비열을 바탕으로 열전도율을 산출하는 레이저 플래시법 등에 의해 구할 수 있다. 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
통신용 전자 부품은 소형 및 경량화가 진행되고, 전자파 흡수재에는 박형이 필요로 된다. 예를 들면, 모듈 타입의 전자 부품의 패키지는 비대칭 박형이며 면적이 큰 것도 있다. FOWLP(Fan Out Wafer Level Package)로 대표되는 바와 같은 대판(大判) 기재 상의 전자 부품을 편면 일괄 밀봉하고나서 개편화하는 패키징 프로세스에서는, 휘어짐을 저감시킬 필요가 있다.
열팽창 계수가 낮은 인서트에 성형체의 열팽창을 가능한 한 가깝게 하는, 즉 성형체의 저열팽창화가 유용하다. 이러한 관점으로부터, 상기 성형체의 열팽창률(α1: 상온(25℃)부터 유리 전이 온도까지의 사이의 열팽창 계수)는 1ppm/deg. 이상이어도 되고, 3ppm/deg. 이상이어도 된다. 또한, 상기 성형체의 열팽창률은 40ppm/deg. 이하이어도 되고, 35ppm/deg. 이하이어도 된다. 상기 성형체를 밀봉재로서 사용하는 경우, 상기 성형체의 열팽창률은 18ppm/deg. 이하이어도 되고, 15ppm/deg. 이하이어도 된다.
또한, 상기 성형체의 열팽창 계수는 열기계 분석(Thermal Mechanical Analysis:TMA)에 의한 측정으로 얻어지는 TMA 차트에 있어서, 25∼60℃의 접선의 경사로부터 구할 수 있고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 개시의 수지 조성물은, 얻어지는 성형체가 상기 식(1)을 충족하면 특별히 제한되지 않지만, (A)열경화성 수지 및 열가소성 수지에서 선택되는 적어도 1종인 수지와, (B) 무기 충전재((C) 성분을 제외한다)와, (C) 탄소 재료를 포함해도 된다.
[(A) 수지]
상기 (A) 성분의 수지는 열경화성 수지 및 열가소성 수지에서 선택되는 적어도 1종이다. 열경화성 수지로서는, 예를 들면 에폭시 수지, 페놀 수지, 이미드 수지 등이 열거된다. 열가소성 수지로서는, 예를 들면 폴리아미드, 폴리카보네이트 등이 열거된다. 상기 (A) 성분의 수지는, 정밀 부품 성형에 있어서의 점도의 관점으로부터, 열경화성 수지이어도 되고, 전기 절연성, 내열성의 관점으로부터, 에폭시 수지이어도 되고, 이미드 수지이어도 된다.
상기 (A) 성분의 수지는, 1종을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.
상기 (A) 성분의 수지는 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 허부(ε'')가 높아도 된다. 상기 (A) 성분의 수지의 ε''이 높으면 상기 성형체는 상기 식(1)을 충족하기 쉬워진다. 또한, 상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 ε''을 1.25보다 크게 할 수 있다. 상기 (A) 성분의 수지의 ε''은 0.04 이상 2.0 이하이어도 되고, 0.05 이상 2.0 이하이어도 되고, 0.1 이상 1.0 이하이어도 된다. 또한, 상기 (A) 성분의 수지는 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 실부(ε')가 낮아도 된다. 상기 (A) 성분의 수지의 ε'이 낮으면 상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 ε'을 40 미만으로 할 수 있다. 상기 (A) 성분의 수지의 ε'은 2.0 이상 5.0 이하이어도 된다.
또한, 상기 (A) 성분의 수지의 ε' 및 ε''은, 경화제와 아울러 시험편판의 성형 후, 도파관법에 의해 측정한 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값이다.
상기 에폭시 수지는 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖고, 전자 부품에서 일반적으로 사용되고 있는 것이면, 분자 구조, 분자량 등은 특별히 제한되지 않는다.
상기 에폭시 수지는 예를 들면, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 유도체 등의 지방족계 에폭시 수지, 비페닐형, 비페닐아랄킬형, 나프틸형 및 비스페놀형 등의 방향족계 에폭시 수지 등이 열거된다.이들의 에폭시 수지는 1종만으로 사용해도 되고, 2종 이상 혼합해서 사용해도 된다. 성상도 특별히 제한은 없고 상온(25℃)에서 액상, 고형 중 어느 것이어도 상관없다. 예를 들면, 상기 에폭시 수지는 액상 비스페놀형 에폭시 수지이어도 되고, 구체적으로는, 비스페놀 A형 및 비스페놀 F형이 열거된다. 액상 비스페놀형 에폭시 수지는, 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지이어도 된다. 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지는 시판품으로서 입수할 수 있고, 예를 들면 에포믹(등록상표) R140(Mitsui Chemicals, Inc. 제품) 등이 열거된다.
또한, 본 개시에 있어서, 액상 비스페놀형 에폭시 수지란, 25℃에 있어서 액상을 나타내는 비스페놀형 에폭시 수지를 의미한다.
상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 열기계적 성질의 관점으로부터 140 이상이어도 된다. 또한, 전자파 흡수능의 관점으로부터는 200 이상이어도 되고, 250 이상이어도 된다. 상기 에폭시 당량의 상한치로서는 열기계적 성질의 관점으로부터, 400 이하이어도 되고, 380 이하이어도 된다.
상기 에폭시 수지는 (R1O)m으로 나타내어지는 폴리옥시알킬렌 구조 및 (R2O)n으로 나타내어지는 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 에폭시 수지이어도 된다. 본 개시의 수지 조성물이 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 에폭시 수지를 포함함으로써, 얻어지는 성형체가 상기 식(1)을 충족하기 쉬워진다.
여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 이상의 알킬렌기를 나타낸다. m+n은, 1 이상 50 이하이어도 되고, 1 이상 20 이하이어도 된다. 또한, m은 0 이상 49 이하이어도 되고, 0 이상 19 이하이어도 된다. n은 1 이상 50 이하이어도 되고, 1 이상 20 이하이어도 된다.
R1 및 R2로 나타내어지는 알킬렌기로서는 예를 들면, 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기가 열거되고, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 헥사메틸렌기 등이 열거된다. 상기 알킬렌기는 전자파 흡수능의 관점으로부터, 메틸렌기이어도 되고, 에틸렌기이어도 된다.
m개의 R1O기에 있어서, 복수의 R1은 서로 동일한 알킬렌기이어도 되고, 탄소수가 다른 알킬렌기이어도 된다. 또한, n개의 R2O기에 있어서, 복수의 R2는 서로 동일한 알킬렌기이어도 되고, 탄소수가 다른 알킬렌기이어도 된다.
상기 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 에폭시 수지로서는, 예를 들면 비스페놀 A골격을 갖는 액상 에폭시 수지, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르 등이 열거된다. 비스페놀 A 골격을 갖는 액상 에폭시 수지의 시판품으로서는, 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 리카 레진 BEO-60E(New Japan Chemical co., ltd. 제품)이 열거되고, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르의 시판품으로서는, 하기 일반식(2)으로 나타내어지는 화합물을 주성분으로 하는 에포라이트 400E(KYOEISHA CHEMICAL Co., LTD 제품)가 열거된다.
Figure pct00001
Figure pct00002
상기 이미드 수지로서는, 예를 들면, 비스알릴나디이미드가 열거된다. 비스알릴나디이미드는 시판품으로서 입수할 수 있고, 예를 들면 BANI-M(Maruzen Petrochemical CO, LTD. 제품), BANI-X(Maruzen Petrochemical CO, LTD. 제품) 등이 열거된다.
상기 (A) 성분의 수지의 함유량은, 본 개시의 수지 조성물 전량에 대하여, 6질량% 이상 40질량% 이하이어도 되고, 10질량% 이상 40질량% 이하이어도 되고, 20질량% 이상 38 질량% 이하이어도 되고, 25질량% 이상 30질량% 이하이어도 된다. 상기 (A) 성분의 수지의 함유량이 10질량% 이상이면 적합한 열기계적 특성을 가질 수 있고, 40질량% 이하이면 적당한 유동성을 유지할 수 있다.
상기 (A) 성분의 수지가 열경화성 수지를 포함하는 경우, 본 개시의 수지 조성물은, 또한 경화제 및 경화 촉진제를 함유해도 좋다.
상기 경화제로서는, 예를 들면 지방족 아민, 방향족 아민, 디시안디아미드, 디히드라지드 화합물, 산무수물, 페놀 수지 등이 열거된다. 이들은 1종을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다. 상기 경화 촉진제로서는, 디쿠밀퍼옥시드, 디부틸퍼옥사이드 등의 유기 과산화물; 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물 등이 열거된다. 이들은 1종을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.
본 개시의 수지 조성물이 경화제를 함유하는 경우, 그 함유량은 상기 수지 조성물 전량에 대하여, 1.0질량% 이상 20.0질량% 이하이어도 되고, 2.0질량% 이상 18.0질량% 이하이어도 되고, 3.0질량% 이상 15.0질량% 이하이어도 된다. 또한, 본 개시의 수지 조성물이 경화 촉진제를 함유하는 경우, 그 함유량은 상기 수지 조성물 전량에 대하여, 0.1질량% 이상 10.0질량% 이하이어도 되고, 0.2질량% 이상 8.0질량% 이하이어도 되고, 0.5질량% 이상 6.0질량% 이하이어도 된다.
[(B) 무기 충전재]
상기 (B) 성분의 무기 충전재(후술하는 (C) 성분을 제외한다)는 전자 부품에서 사용되는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 유전율이 높고, 유전정접이 높은 무기 충전재이어도 되고, 예를 들면 실리카, 알루미나, 산화 티탄, 티탄산 바륨, 질화 규소, 질화 알루미늄, 탄화 규소 등이 열거된다. 이들은 1종을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다. 상기 (B)성분은 얻어지는 성형체의 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능을 향상시키는 관점으로부터, 실리카, 알루미나 및 탄화 규소에서 선택되는 적어도 1종이어도 되고, 탄화 규소이어도 된다.
상기 (B) 성분의 무기 충전재는 고저항이며, 또한 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 허부(ε'')가 높아도 된다. 상기 (B) 성분의 무기 충전재의 ε''이 높으면 상기 성형체는 상기 식(1)을 충족시키기 쉬워진다. 또한, 상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 ε''을 1.25보다 크게 할 수 있다. 상기 (B) 성분의 무기 충전재의 ε''은 0.1 이상 30.0 이하이어도 되고, 1.0 이상 30.0 이하이어도 되고, 1.5 이상 20.0 이하이어도 되고, 2.0 이상 20.0 이하이어도 된다.
또한, 상기 (B) 성분의 무기 충전재의 ε''은, 시험편판의 소성 후, 도파관법에 의해 측정한 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값이다.
상기 (B) 성분의 무기 충전재의 형상은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 분말 형상, 구 형상, 섬유 형상이 열거된다. 상기 (B) 성분의 무기 충전재의 형상 분말 형상이어도 되고, 구 형상이어도 된다.
상기 (B) 성분의 무기 충전재의 평균 입경으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 0.1㎛ 이상 100㎛ 이하이어도 되고, 0.2㎛ 이상 75㎛ 이하이어도 되고, 0.2㎛이상 50㎛ 이하이어도 된다. 또한, (B) 성분의 무기 충전재의 최대 입경은, 박육 성형 재료로의 적용을 고려하면 150㎛ 이하이어도 되고, 100㎛ 이하이어도 된다. 상기 (B) 성분의 무기 충전재의 평균 입경이 0.1㎛ 이상이면 적당한 유동성을 유지할 수 있고, 100㎛ 이하이면 미충전 등의 성형 문제를 저감할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서, 평균 입경이란 체적 평균 입자 지름이며, (B) 성분의 무기 충전재의 평균 입경은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정한, 입자의 장경의 평균값으로서 산출할 수 있다.
상기 (B) 성분의 무기 충전재 중에 탄화 규소를 포함하는 경우, 탄화 규소의 함유량은 얻어지는 성형체의 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능을 향상시키는 관점으로부터, 전 무기 충전재에 대하여 10질량% 이상이어도 되고, 50질량% 이상이어도 되고, 70질량% 이상이어도 되고, 100질량%이어도 된다.
상기 (B) 성분의 무기 충전재의 함유량은, 본 개시의 수지 조성물 전량에 대하여, 30질량% 이상 92질량% 이하이어도 되고, 35질량% 이상 90질량% 이하이어도 되고, 40질량% 이상 88질량% 이하이어도 된다. 상기 (B) 성분의 무기 충전재의 함유량이 30질량% 이상이면 얻어지는 성형체의 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능을 향상시킬 수 있고, 92질량% 이하이면 적당한 유동성을 얻을 수 있다.
[(C) 탄소 재료]
상기 (C) 성분의 탄소 재료는, 전자 부품에서 사용되는 것이면 특별히 제한되지 않고, 얻어지는 성형체의 유전율 및 손실 유전율을 높게 할 수 있는 탄소 재료이면 된다. 이것에 의해 얻어지는 성형체의 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능을 우수한 것으로 할 수 있다. 또한, 상기 성형체가 상기 식(1)을 충족하기 쉬워진다. 상기 (C) 성분의 탄소 재료로서는, 예를 들면, 카본 블랙, 카본 나노튜브, 풀러렌, 그래파이트, 그래핀 및 이들의 유도체 등이 열거된다. 이들은 1종을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다. 상기 (C) 성분의 탄소 재료는, 카본 블랙, 카본 나노튜브 및 그래핀에서 선택되는 적어도 1종이어도 되고, 카본 나노튜브 및 그래핀에서 선택되는 적어도 1종이어도 된다.
상기 카본 나노튜브의 평균 섬유 길이는 분산성을 유지하는 관점으로부터, 100㎛ 이하이어도 되고, 50㎛ 이하이어도 된다. 상기 평균 섬유 길이의 하한값은, 전자파 흡수 성능의 관점으로부터 0.005㎛이어도 되고, 0.010㎛이어도 되고, 0.10㎛이어도 된다.
상기 카본 나노튜브의 평균 섬유 지름은 절연성의 관점으로부터, 1nm 이상 30nm 이하이어도 되고, 5nm 이상 25nm 이하이어도 된다.
상기 카본 나노튜브는 전자파 흡수능의 관점으로부터, 애스펙트비(섬유 지름에 대한 섬유 길이의 비)가 500 이상 10000 이하이어도 되고, 1000 이상 5000 이하이어도 된다.
또한, 카본 나노튜브의 평균 섬유 길이 및 평균 섬유 지름은 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 카본 나노튜브의 샘플을 무작위로 100개 선택하고, 각 샘플의 섬유 길이 및 섬유 지름을 측정하고, 각각 수평균을 산출함으로써 구할 수 있다. 또한, 카본 나노튜브의 애스펙트비는, 상기에서 산출한 평균 섬유 길이 및 평균 섬유 지름의 값으로부터 계산에 의해 구할 수 있다.
상기 카본 나노튜브는 화학 기상 성장(CVD) 및 아크 방전법 등에 의해 제조할 수 있다.
상기 카본 나노튜브는 단층 구조 및 다층 구조 중 어느 하나이어도 되고, 가격 및 입수의 용이함의 관점으로부터, 다층 구조이어도 된다.
상기 카본 블랙으로서는 퍼니스 블랙, 채널 브랙, 써멀 블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙 등이 열거된다.
상기 카본 블랙의 평균 입경은 특별히 제한되지 않지만, 1nm 이상 80nm 이하이어도 되고, 5nm 이상 60nm 이하이어도 된다.
또한, 카본 블랙의 평균 입경은, 무작위로 100개의 입자를 선출하고, 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 입자의 직경을 측정하고, 그 평균값을 산출함으로써 구할 수 있다.
상기 그래핀은 매트릭스 수지에 고분산 가능한 것이면 어떠한 것이어도 되고, 유기기가 포함되는 산화 그래핀이어도 된다.
상기 그래핀의 비표면적은 10m2/g 이상 3000m2/g 이하이어도 되고, 20m2/g 이상 1500m2/g 이하이어도 되고, 20m2/g 이상 500m2/g 이하이어도 된다.
상기 비표면적은 질소 흡착에 의한 BET 1점법에 의해 측정한 값이다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「그래핀」이란 「10층 이하의 sp2 결합 탄소 원자의 시트 형상 물질」을 의미한다.
상기 그래핀은 통상, 물 및 특정한 극성 용매에 대한 분산성을 나타낸다. 상기 그래핀은, 용매 중에 이미 고분산된 것으로서, 후술하는 분산 조제를 병용해도 된다. 상기 용매로서는 물;아세톤, 메틸이소부틸케톤, 이소프로필알콜, 테트라히드로푸란 등의 유기 용매가 열거된다.
분산액 중의 그래핀의 농도는 특별하게 한정되지 않지만, 0.01질량% 이상 10질량% 이하이어도 되고, 0.1질량% 이상 5질량% 이하이어도 된다.
풀러렌, 그래파이트 및 이들 유도체의 평균 입경은 특별히 제한되지 않지만, 1nm 이상 10000nm 이하이어도 되고, 10nm 이상 1000nm 이하이어도 된다. 상기 평균 입경은 무작위로 100개의 입자를 선출하고, 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 입자의 직경을 측정하고, 그 평균값을 산출함으로써 구할 수 있다.
상기 (C) 성분의 탄소 재료가 카본 나노튜브를 포함하는 경우, 그 함유량은 수지 조성물 전량에 대하여 3.0질량% 이하이어도 되고, 1.0질량% 이하이어도 된다. 카본 나노튜브의 함유량이 3.0질량% 이하이면 수지 조성물의 전기 절연성을 유지할 수 있다.
상기 (C) 성분의 탄소 재료의 함유량은 본 개시의 수지 조성물 전량에 대하여, 0.1질량% 이상 20질량% 이하이어도 되고, 0.2질량% 이상 15질량% 이하이어도 되고, 0.3질량% 이상 10질량% 이하이어도 된다. 상기 (C) 성분의 탄소 재료의 함유량이 0.1질량% 이상이면 얻어지는 성형체의 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능을 향상시킬 수 있고, 20질량% 이하이면 전기 절연성을 유지할 수 있다.
[(D) 분산 조제]
본 개시의 수지 조성물은, 또한 (D) 분산 조제를 포함해도 된다. (D) 성분의 분산 조제는 매트릭스 수지에 미립자를 안정적으로 고분산시키기 위한 재료이면 어떠한 것이어도 되고, 일반적으로는 1분자 중에 다른 반응성의 관능기를 아울러 지니는 계면활성제, 및 커플링제가 사용된다. 상기 (D) 성분의 분산 조제로서는, 카르복실산염 등의 음이온계 계면활성제, 4급 암모늄염 등의 양이온계 계면활성제 등의 계면활성제; 아민계 관능기와 술피드계 관능기를 지닌 커플링제, 셀룰로오스나노파이버 등이 열거된다. 상기 (D) 성분의 분산 조제는, 아민계 관능기와 술피드계 관능기를 지니는 커플링제이어도 되고, 셀룰로오스나노파이버이어도 된다.
상기 셀룰로오스나노파이버는 양 극성의 극미소 고체이며 계면활성적인 작용으로 필러의 분산성을 향상시킨다. 셀룰로오스나노파이버는, 물 및 열경화성 수지 올리고머 등의 액체 중에 이미 고분산된 것이어도 된다.
상기 셀룰로오스나노파이버의 평균 섬유 길이는 작업성 및 유동성의 관점으로부터, 1㎛ 이상 100㎛ 이하이어도 되고, 5㎛ 이상 50㎛ 이하이어도 된다.
상기 셀룰로오스나노파이버의 평균 섬유 지름은, 응집체도 포함되고, 1nm 이상 1000nm 이하이어도 되고, 4nm 이상 500nm 이하이어도 된다. 상기 평균 섬유 지름이 상기 범위에 있음으로써 상기 (C) 성분의 분산성을 올려 유전율을 저하시킬 수 있다.
또한, 셀룰로오스나노파이버의 평균 섬유 길이 및 평균 섬유 지름은 주사형전자 현미경(SEM)을 이용하여, 상술의 카본 나노튜브의 평균 섬유 길이 및 평균 섬유 지름과 동일한 조작에 의해 측정할 수 있다.
상기 아민계 관능기와 술피드계 관능기를 지니는 커플링제의 시판품으로서는, SUMILINK(등록 상표) 100(SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 제품) 등이 열거된다. 상기 셀룰로오스나노파이버의 시판품으로서는 ELLEX-S(Daio Paper Corporation 제품) 등이 열거된다.
본 개시의 수지 조성물에 상기 (D) 성분의 분산 조제가 포함되는 경우, 그 함유량은 분산성 및 열기계적 특성 유지의 관점으로부터, 상기 수지 조성물 전량에 대하여, 0.1질량% 이상 30질량% 이하이어도 되고, 0.2질량% 이상 10질량% 이하이어도 되고, 0.3질량% 이상 5질량% 이하이어도 된다.
[(E) 자성체]
본 개시의 수지 조성물은 (E) 자성체를 포함해도 되지만, 포함하지 않아도 된다.
(E) 성분의 자성체는, 일반적으로 전자파 저감용에 사용되는 자성 재료로 이루어지는 자성체이면 특별히 제한되지 않는다. 자성 재료로서는, 아모르포스 자성 금속 합금류, Ni-Fe계 합금류, 순철, 연강, 규소강(Fe-Si 합금류), Fe-Al 합금류, Fe-Si-Al 합금류, Co-Fe계 합금류, 카르보닐 철 등의 연자성 재료 및 페라이트가 열거된다. 이들은 1종을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.
아모르포스 자성 금속 합금류로서, 구체적으로는 Fe-B-Si계, Fe-B-Si-C계, Fe-B-Si-Cr계, Fe-Co-B-Si계, Fe-Ni-Mo-B계, Co-Fe-Ni-Mo-B-Si계, Co-Fe-Ni-B-Si계 등의 합금이 열거된다. 또한, Ni-Fe계 합금류로서는 36-퍼멀로이, 45-퍼멀로이, μ-메탈, 78-퍼멀로이, Cr-퍼멀로이, Mo-퍼멀로이, 슈퍼멀로이 등이 열거된다.
페라이트로서, 구체적으로는, Mn-Zn계 페라이트, Ni-Zn계 페라이트, Cu-Zn계 페라이트, Cu-Zn-Mg 페라이트, Mn-Mg-Al 페라이트, Y형 육방정 페라이트, Z형 육방정 페라이트, M형 육방정 페라이트 등이 열거된다.
(E) 성분의 자성체를 구성하는 자성 재료로서는 규소 강, Fe-Si-Al 합금류, Ni-Fe계 합금류이어도 되고, 노이즈 흡수하는 주파수의 관점으로부터 규소 강이어도 된다.
본 개시의 수지 조성물이 반도체용 밀봉재로서 사용되는 경우, 반도체용 밀봉재를 제조하는 과정에서, 금속 이물 제거가 행해진다. 금속 이물 제거가 자석을 이용하여 행해지는 경우, (E) 성분의 자성체는 이물로 간주되고, 제거되어 수율이 나빠진다. 이러한 관점으로부터, 본 개시의 수지 조성물에 상기 (E) 성분의 자성체가 포함되는 경우, 그 함유량은 상기 수지 조성물 전량에 대하여, 1질량% 이하이어도 되고, 0.5질량% 이하이어도 되고, 0질량%이어도 된다. 또한, (E) 성분의 자성체는 비중이 크기 때문에, 얻어지는 성형체의 경량화의 관점으로부터도 (E) 성분의 자성체의 함유량은 상기 값 이하이어도 된다.
본 개시의 수지 조성물에는, 이상의 각 성분의 외, 본 개시의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 이 종류의 조성물에 일반적으로 배합되는 합성 왁스, 천연 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산의 에스테르 등의 이형제; 코발트블루 등의 착색제;실리콘 오일, 실리콘 고무 등의 개질제; 하이드로탈사이트류; 이온 포착제; 대전 제어제 등의 첨가제를 필요에 따라서 배합할 수 있다. 이들의 각 첨가제는 모두 1종을 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합해서 사용해도 된다.
본 개시의 수지 조성물에 있어서의 이들의 각 첨가제의 함유량은, 상기 수지 조성물의 전량에 대하여, 각 첨가제에 대해서, 및 첨가제의 합계량으로서, 0.05질량% 이상 5.0질량% 이하로 할 수 있고, 0.2질량% 이상 3.0질량% 이하이어도 된다.
본 개시의 수지 조성물 중, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분의 합계 함유량은 70질량% 이상이어도 되고, 80질량% 이상이어도 된다.
본 개시의 수지 조성물은 상기 (A)∼(C) 성분, 필요에 따라서 배합되는 (D)분산 조제, 경화제, 경화 촉진제 및 각종 첨가제를 믹서 등에 의해 충분 균일하게 혼합한 후, 디스퍼스, 니더, 3개 롤밀, 2축 가열 롤, 2축 가열 압출 혼련 장치 등에 의해 혼련 처리를 행함으로써 얻어진다. 혼련 처리는 가열해서 행해도 된다. 그 때의 온도는, 70℃ 이상 150℃ 이하이어도 되고, 75℃ 이상 120℃ 이하이어도 된다.
본 개시의 수지 조성물은 예를 들면 상기 혼련 처리 후, 냉각 고화시키고, 커팅밀, 볼밀, 사이클론밀, 해머밀, 진동밀, 커터밀, 그라인더밀, 스피드밀 등에 의해 적당한 크기로 분쇄해서 사용해도 된다.
또한, 상기 혼련 처리 후에 얻어지는 혼합물을, 성형기로 50℃ 이상 100℃ 이하의 온도, 압력 0.5MPa 이상 1.5MPa 이하의 조건에서 프레스해서 시트 형상으로 성형해도 된다.
본 개시의 수지 조성물은 전자파 흡수재, 전자파 흡수 시트, 반도체 밀봉재, 밀봉 시트, 전선의 피복재 등으로서 사용할 수 있다.
본 개시의 일실시형태로서, 전자파 흡수재를 반도체 밀봉재로서 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판 상에 고정된 반도체 소자를, 본 개시의 수지 조성물로 밀봉함으로써, 수지 밀봉형의 전자 부품을 얻을 수 있다.
또한, 전자 부품을 얻기 위해서는, 공지의 성형 방법이 특별하게 한정되지 않고 사용된다. 가장 일반적인 성형 방법으로서는 저압 트랜스퍼 성형이 있지만, 사출 성형, 주형 성형, 압축 성형 등에 의한 성형도 가능하다.
예를 들면, 트랜스퍼 성형법의 경우, 트랜스퍼 성형기에 의해 성형 금형 내에서 온도 150℃ 이상 200℃ 이하, 시간 20초 이상 200초 이하로 가열 처리를 행하고, 성형 금형으로부터 성형품을 인출하고, 경화를 완료시키기 위한 가열 처리를, 온도 150℃ 이상 200℃ 이하, 2시간 이상 12시간 이하로 행해도 된다.
또한, 압축 성형법의 경우, 우선, 성형형의 상형에 반도체 소자를 실장한 기판을 공급함과 아울러, 하형의 캐비티 내에 본 개시의 수지 조성물을 공급한다. 이어서, 상하 양 형을 소요의 체결압력으로 체결함으로써, 하형 캐비티 내에서 가열 용융된 수지 조성물에 반도체 소자를 실장한 기판을 침지한다. 그 후, 하형 캐비티 내의 가열 용융된 수지 조성물을 캐비티 저면 부재로 압압하고, 감압 하, 소요의 압력을 가하고, 압축 성형한다. 성형 조건은 온도 120℃ 이상 200℃ 이하, 압력 2MPa 이상 20MPa 이하이어도 된다.
도 1은 이렇게 하여 얻어진 본 개시의 전자 부품(10)의 일예를 나타낸 것이며, 동 프레임 등의 리드 프레임(1)과 반도체 소자(2) 사이에, 접착제층(3)이 개재되어도 된다. 또한, 반도체 소자(2) 상의 전극(4)과 리드 프레임(1)의 리드부(5)가 본딩 와이어(6)에 의해 접속되어 있고, 또한, 이들이 본 개시의 수지 조성물의 성형체(밀봉재)(7)에 의해 전자파 흡수되고 있다.
또한, 본 개시의 수지 조성물에 의해 밀봉되는 반도체 소자의 종류는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 스마트 디바이스용의 반도체 소자이어도 된다. 또한, 압축 성형을 사용한 경우, 성형 후의 전자 부품의 두께가 0.2mm 이상 1.5mm 이하가 되도록 한 것이어도 된다.
이와 같이, 본 개시의 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자의 전자파 흡수함으로써, 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능이 우수한 전자 부품을 얻을 수 있다.
본 개시의 수지 조성물의 성형체에 있어서의 전자파 흡수 성능은, -3dB 이하이어도 되고, -5dB 이하이어도 되고, -10dB 이하이어도 된다.
상기 전자파 흡수 성능은, 압축 성형된 두께 0.5mm의 성형체를 고주파 발진 디바이스와 수신용 안테나 사이에 설치하고, 측정 주파수 10GHz의 전자파를 발생시켰을 때의 전자파 강도를 성형체가 있는 경우와 없는 경우에서 측정하고, 그 비(성형체에서 전자파 흡수했을 때의 전자파 강도/성형체가 없을 때의 전자파 강도)를 dB단위로 나타낸 값이다.
또한, 전자파 강도는 「전자정보통신 학회 논문지 B Vol.J97-B No.3 pp.279-285」에 준해서 측정할 수 있다.
실시예
다음에 실시예에 의해, 본 개시를 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 이들 예에 의해 하등 한정되지 않는다.
(실시예 1∼22,및 비교예 1∼6)
표 1-1, 표 1-2 및 표 2에 기재된 종류 및 배합량의 각 성분을 헨셀 믹서에 투입하고, 혼합한 후, 110℃에 가열된 2축 롤 혼련 장치에 투입하고, 균일해질 때까지 가열 혼련 작업을 행했다. 다음에 얻어진 가열 혼련물을 냉간 롤에 투입하고, 시트 형상으로 잡아 늘린 후에 분쇄하고, 전자파 흡수재용의 성형 재료인 수지 조성물을 얻었다.
상기 수지 조성물의 조제에 사용한 표 1-1, 표 1-2 및 표 2에 기재된 각 성분의 상세는 이하와 같다.
[(A) 수지]
·에폭시 수지 1: 에포믹(등록상표) R140; 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지; Mitsui Chemicals, Inc. 제품, 에폭시 당량: 189, ε''(25℃, 10GHz)=0.04, ε'(25℃, 10GHz)=2.5
·에폭시 수지 2: 리카 레진 BEO-60E; 비스페놀 A 골격을 갖는 액상 에폭시 수지(비스페놀 A 비스(트리에틸렌글리콜글리시딜에테르)에테르를 주성분으로 한다)(상기 일반식(1)으로 나타내어지는 화합물); New Japan Chemical co., ltd. 제품, 에폭시 당량: 365, ε''(25℃, 10GHz)=0.20, ε'(25℃, 10GHz)=3.0
·에폭시 수지 3: 에포라이트 400E; 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르(상기 일반식(2)으로 나타내어지는 화합물을 주성분으로 한다); KYOEISHA CHEMICAL Co., LTD 제품, 에폭시 당량: 277, ε''(25℃, 10GHz)=0.20, ε'(25℃, 10GHz)=3.0
·이미드 수지 1: BANI-M; 비스알릴나디이미드; Maruzen Petrochemical CO, LTD. 제품, ε''(25℃, 10GHz)=0.07, ε'(25℃, 10GHz)=2.5
[(B) 무기 충전재]
·실리카: FB105FC; Denka Company Limited 제품, 평균 입경: 20㎛, 최대 입경: 50㎛, ε''(25℃, 10GHz)=0.001
·탄화 규소(SiC): 다이아시크; YAKUSHIMA DENKO Co., LTD. 제품, 평균 입경: 5㎛, 최대 입경: 10㎛, ε''(25℃, 10GHz)=2.0
·알루미나: DAW07; Denka Company Limited 제품, 평균 입경: 8㎛, 최대 입경: 50㎛, ε''(25℃, 10GHz)=0.1
또한, 상기 (A) 수지의 ε'' 및 ε', 및 (B) 무기 충전재의 ε''은 이하의 방법에 의해 측정했다.
상기 (A) 수지는 각 수지에 대하여 경화제 1이 당량이 되도록 가하고, 형에 넣고, 각각 두께 1.0mm의 판에 압축 성형(온도; 175℃, 압력; 10MPa)했다.
상기 (B) 무기 충전재는 각각 형에 넣고, 소결 후의 두께가 1.0mm의 판이 되도록 소성(온도; 1500℃, 10시간)했다.
얻어진 판을 이용하여, 네트워크 어날라이저(Agilent PNA E8363B)과 방형 도파관(WRJ-10)에 의해, 온도 25℃에서 주파수 8.20GHz 이상 12.40GHz 이하의 범위에서 측정하고, 10GHz에 있어서의 각각의 값을 구했다.
[(C) 탄소 재료]
·카본 나노튜브(CNT): LUCAN; LG 제품, 평균 섬유 길이: 30㎛, 평균 섬유 지름: 0.02㎛, 애스펙트비: 1500
·카본 블랙(CB): CB30; Mitsubishi Chemical Corporation 제품, 평균 입경: 50nm
·그래핀: 그래핀·나노플레이트렛 H: XG-Science 제품, 비표면적(BET법): 30m2/g
[(D) 분산 조제]
·셀룰로오스나노파이버: ELLEX-S; Daio Paper Corporation 제품, 평균 섬유지름: 20∼200nm
·커플링제: SUMILINK(등록 상표) 100; 티오황산 S-(3-아미노프로필); SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 제품
[(E) 자성체]
·Fe-Si-Cr 분말: NIPPON ATOMIZED METAL POWDERS, inc. 제품, 비중: 7.6, 평균 입경: 11㎛
[경화제]
·경화제 1: MEH 7500; 트리페닐메탄형 페놀 수지; Meiwa Plastic Industries, Ltd. 제품
[경화 촉진제]
·경화 촉진제 1: 큐어졸 C11Z; 이미다졸 화합물; SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION 제품
·경화 촉진제 2: 퍼쿠밀 D; 유기 과산화물; NOF CORPORATION 제품
(평가)
실시예 1∼22 및 비교예 1∼6에서 얻어진 수지 조성물의 각각에 대해서, 두께 0.5mm 또는 1.0mm의 성형체를 압축 성형(온도; 175℃, 압력; 10MPa)했다. 이하의 방법에 의해, 복소 유전율, 체적 저항률, 열전도율 및 전자파 흡수 성능을 측정했다. 평가 결과를 표 1-1, 표 1-2 및 표 2에 나타낸다.
(1) 복소 유전율(실부:ε', 허부:ε'') 및 유전정접(tanδ)
유전 특성은, 두께 1.0mm의 성형체를 이용하여, 네트워크 어날라이저(Agilent PNA E8363B)와 방형 도파관(WRJ-10)에 의해, 온도 25℃에서, 주파수 8.20GHz 이상 12.40GHz 이하의 범위에서 측정을 행하고, 10GHz에 있어서의 각각의 값을 구했다.
(2) 체적 저항률(ρv)
두께 1.0mm의 성형체를 사용하여, JIS K-6911:2006에 준해서 150℃에 있어서의 체적 저항률을 측정했다.
(3) (log ρv)×ε''
상기 (1)에서 측정한 ε'', 및 상기 (2)에서 측정한 ρv로부터, ε''과 ρv의 대수의 곱을 산출했다.
(4) 열전도율
두께 1.0mm의 성형체의 일방의 면에, 레이저 광을 조사하고, 강도를 주기적으로 변조시킨 열류 에너지를 부여하고, 온도 센서를 이용하여 상기 성형체의 타방의 면에 있어서의 온도 응답의 위상차를 검출하고, 열확산율 및 비열을 구하고, 열전도율을 산출했다.
(5) 비중
두께 2.0mm, 직경 5mm의 원반 형상의 성형체를 압축 성형(온도; 180℃, 압력; 5MPa)에 의해 얻어졌다. 상기 성형체를 사용하고, JIS Z 8807:2012 고체의 밀도 및 비중의 측정 방법의 액중 칭량법에 근거하고, 성형체를 공기 중 및 수중의 질량 및 부력을, 천칭을 이용하여 측정함으로써 비중을 구했다.
(6) 열팽창 계수(α1)
TMA법에 의해, 열분석 장치(Seiko Instruments Inc. 제품, 상품명: SSC/5200)을 사용하고, 승온 속도 5℃/분으로서 실온(25℃)부터 300℃까지 승온시키고, 얻어진 TMA 차트로부터, 25∼60℃의 가장 직선에 가까운 부분의 경사를 선팽창 계수 α1로 했다.
(7) 전자파 흡수 성능
두께 0.5mm의 성형체를 고주파 발진 디바이스와 수신용 안테나 사이에 설치하고, 주파수 10GHz의 전자파를 발생시켰을 때의 전자파 강도를 상기 성형체가 있는 경우와 없는 경우로 측정하고, 그 비(성형체에서 전자파 흡수했을 때의 전자파 강도/성형체가 없을 때의 전자파 강도)를 dB 단위로 전자파 흡수능으로 했다.
또한, 전자파 강도는 「전자정보 통신 학회 논문지 B Vol.J97-B No.3 pp.279-285」에 준해서 측정했다.
(표 1-1)
Figure pct00003
(표 1-2)
Figure pct00004
(표 2)
Figure pct00005
상기 식(1)을 충족하고, 상기 허부(ε'')가 1.25보다 큰 수지 조성물의 성형체는 고주파 대역에서의 전자파 흡수 성능이 우수한 것이 확인된다.
10 전자 부품
1 리드프레임
2 반도체 소자
3 접착제층
4 전극
5 리드부
6 본딩 와이어
7 수지 조성물의 성형체(밀봉재)

Claims (9)

  1. 수지 조성물의 성형체가 전자파 흡수체이고,
    상기 성형체의 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 허부(ε'') 및 25℃에 있어서의 체적 저항률(ρv)이 하기 식(1)을 충족하고, 상기 허부(ε'')가 1.25보다 큰 수지 조성물.
    20<(log ρv)×ε''＜600 (1)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 성형체는 25℃, 10GHz에 있어서의 복소 유전율의 실부(ε')가 40 미만인 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 성형체의 열팽창 계수가 1∼40ppm/deg.인 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (A) 열경화성 수지 및 열가소성 수지로부터 선택되는 적어도 1종인 수지와, (B) 무기 충전재((C) 성분을 제외한다)와, (C) 탄소 재료를 포함하는 수지 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 (A) 성분이 에폭시 수지인 수지 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지가 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 수지 조성물.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (B) 성분이 탄화 규소인 수지 조성물.
  8. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (C) 성분이 카본 나노튜브 및 그래핀으로부터 선택되는 적어도 1종인 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 성형체를 구비하는 전자 부품.
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