KR102438092B1 - 절연 시트, 적층체, 및 기판 - Google Patents

절연 시트, 적층체, 및 기판 Download PDF

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Abstract

수지 조성물층(14, 24, 34)을 포함하며, 주파수 1MHz에 있어서의 한쪽 면측(14X, 24X, 34X)의 비유전율이 다른쪽 면측(14Y, 24Y, 34Y)의 비유전율보다 높고, 상기 한쪽 면측에 회로 패턴이 형성되는 절연 시트, 금속 베이스판(16, 26, 36) 상에 상기 절연 시트와, 금속판(12, 22, 32)을 순차적으로 포함하고, 상기 금속판에는 회로 패턴이 형성되는 적층체(10, 20, 30), 및, 금속 베이스판 상에 상기 절연 시트와, 금속판을 순차적으로 포함하며, 상기 금속판이 회로 패턴을 가지는 기판이다.

Description

절연 시트, 적층체, 및 기판
본 발명은 절연 시트, 적층체, 및 기판에 관한 것이다.
전자 기기 및 통신 기기 등에서는, 절연층을 가지는 프린트 배선판이 이용되고 있다. 이 절연층은, 무기 재료가 충전된 수지 시트(절연 시트)를 이용하여 형성되어 있는 경우가 많다. 또, 최근의 전자 기기 및 통신 기기 등의 소형화 및 고성능화에 수반하여, 전자 부품의 실장 밀도가 높아지고 있으며, 전자 부품으로부터 발생하는 열을 방산시킬 필요성이 높아지고 있다. 즉, 절연 시트에는, 절연성과 함께 열전도율이 높은 것이 강하게 요구되고 있다.
종래, 수지 시트의 절연성 및 열전도성을 향상시키기 위해, 사용하는 무기 재료나 그 양 및 그 형상이나 입경 등에 대해서 다양한 검토가 이루어져 왔다.
예를 들면, 특허 문헌 1에서는, 열전도성을 유지한 채로 절연 특성이 우수한 절연 시트를 얻기 위해, 입경이 상이한 2개의 무기 충전재를 절연 시트에 함유시키는 것을 개시하고 있다.
일본국 특허공개 2012-15557호 공보
그러나, 열전도성과 절연성을 높은 수준으로 양립시키는 것은 아직도 곤란하다. 이것은, 양 물성이 본질적으로 트레이드 오프의 관계에 있기 때문이다. 또, 열전도성과 절연성을 보다 높은 수준으로 하기 위해서는, 사용하는 무기 재료나 그 양 및 그 형상이나 입경 등의 조합에도 한계가 있어, 설계 범위에 큰 제한이 있었다.
또, 회로 기판에 사용하는 경우에는, 절연 시트와 회로 패턴이 형성되는 금속판 사이에서 양호한 밀착성이 요구되고 있다.
이상으로부터, 본 발명은, 양호한 열전도성을 가지면서, 높은 절연성도 가지며, 금속판을 적층했을 때에 당해 금속판과 양호한 밀착성을 발휘할 수 있는 절연 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 본 발명자들은 하기 본 발명에 이르러, 당해 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 즉, 본 발명은 하기와 같다.
[1] 수지 조성물층을 포함하며, 주파수 1MHz에 있어서의 한쪽 면측의 비유전율이 다른쪽 면측의 비유전율보다 높고, 상기 한쪽 면측에 회로 패턴이 형성되는 절연 시트.
[2] 상기 한쪽 면으로부터 두께 방향 10%에 있어서의 비유전율이 3.5~9이며, 상기 다른쪽 면으로부터 두께 방향 10%에 있어서의 비유전율이 3~8.5인 [1]에 기재된 절연 시트.
[3] 상기 수지 조성물층이 적어도 2층이며, 주파수 1MHz에 있어서의 상기 한쪽 면을 포함하는 제1의 수지 조성물층의 비유전율이 상기 다른쪽 면을 포함하는 제2의 수지 조성물층의 비유전율보다 높은 [1] 또는 [2]에 기재된 절연 시트.
[4] 또한, 제3의 수지 조성물층을 상기 제2의 수지 조성물층의 상기 다른쪽 면측에 가지는 [3]에 기재된 절연 시트.
[5] 상기 제1의 수지 조성물층의 두께가 상기 제2의 수지 조성물층의 두께보다 작은 [3] 또는 [4]에 기재된 절연 시트.
[6] 상기 제3의 수지 조성물층의 두께가 상기 제2의 수지 조성물층의 두께보다 작은 [4] 또는 [5]에 기재된 절연 시트.
[7] 상기 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층, 및 상기 제3의 수지 조성물층 중 적어도 어느 하나가, 에폭시 수지 및 무기 충전재를 포함하는 [3]~[6] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[8] 상기 무기 충전재가, 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지는 판상 무기 입자를 포함하는 [7]에 기재된 절연 시트.
[9] 상기 무기 충전재가, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 및 무기 입자 B를 포함하고, 상기 판상 무기 입자, 상기 무기 입자 A, 및 상기 무기 입자 B 중 어느 하나 이상이, 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지는 [7] 또는 [8]에 기재된 절연 시트.
[10] 상기 무기 입자 A의 종횡비가 2 이하인 [9]에 기재된 절연 시트.
[11] 상기 무기 충전재에 있어서의 상기 판상 무기 입자의 함유량이 1~100체적%인 [8]~ [10] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[12] 상기 판상 무기 입자가 질화붕소인 [8]~ [11] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[13] 상기 판상 무기 입자가 응집 입자인 [8]~[12] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[14] 상기 무기 입자 B의 20% 압축 시에 있어서의 압축 강도가 상기 판상 무기 입자보다 큰 [9]~[13] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[15] 상기 무기 입자 B가 질화붕소인 [9]~[14] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[16] 상기 제1의 수지 조성물층이 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고, 상기 제2의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자를 포함하는 [9]~[15] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[17] 상기 제1의 수지 조성물층이 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고, 상기 제2의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자를 포함하고, 상기 제3의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자, 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하는, [9]~[15] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[18] 상기 제1의 수지 조성물층이 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고, 상기 제2의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자, 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고, 상기 제3의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자를 포함하는, [9]~[15] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[19] 상기 한쪽 면측의 비유전율과 상기 다른쪽 면측의 비유전율의 차가 0.5 이상인 [1]~[18] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트.
[20] 금속 베이스판 상에, [1]~[19] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트와, 금속판을 순차적으로 포함하고, 상기 금속판에는 회로 패턴이 형성되는 적층체.
[21] 금속 베이스판 상에, [1]~[19] 중 어느 하나에 기재된 절연 시트와, 금속판을 순차적으로 포함하고, 상기 금속판이 회로 패턴을 가지는 기판.
본 발명에 의하면, 양호한 열전도성을 가지면서, 높은 절연성도 가지며, 금속판을 적층했을 때에 당해 금속판과 양호한 밀착성을 발휘할 수 있는 절연 시트를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 적층체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 적층체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 적층체를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[절연 시트]
본 발명의 절연 시트는, 수지 조성물층을 포함하며, 주파수 1MHz에 있어서의 한쪽 면측의 비유전율이 다른쪽 면측의 비유전율보다 높고, 한쪽 면측에 회로 패턴이 형성된다. 이것에 의해, 회로 패턴이 형성되는 금속판과 금속 베이스재의 절연성을 담보하는 구성 부재가 된다.
수지 조성물층은, 1층으로 구성되어 있어도 되고, 2층 이상으로 구성되어 있어도 된다. 또, 절연 시트는, 수지 조성물층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
여기서, 수지 조성물층이 1층으로 구성되어 있는 경우, 당해 수지 조성물층에 회로 패턴이 형성되는 금속판이 설치되는 면이, 「한쪽 면측」에 있어서의 「한쪽 면」이 된다. 이 경우, 절연 시트의 한쪽 면은, 수지 조성물층의 한쪽 면과 동의이다. 그리고, 회로 패턴이 형성되는 금속판이 설치되지 않는 면이 「다른쪽 면측」에 있어서의 「다른쪽 면」이 된다. 이 경우, 절연 시트의 다른쪽 면은, 수지 조성물층의 다른쪽 면과 동의이다.
또, 수지 조성물층이 n층(n은 2 이상의 정수)으로 구성되어 있는 경우, 1층째의 수지 조성물층(제1의 수지 조성물층)에서 회로 패턴이 형성되는 금속판이 설치되는 면이, 「한쪽 면측」에 있어서의 「한쪽 면」이 된다. 이 경우, 절연 시트의 한쪽 면은, 수지 조성물층의 한쪽 면(제1의 수지 조성물층에서 회로 패턴이 형성되는 금속판이 설치되는 면)과 동의이다. 그리고, n층째의 수지 조성물층에 있어서의 두께 방향 외측의 면이, 「다른쪽 면측」에 있어서의 「다른쪽 면」이 된다. 이 경우, 절연 시트의 다른쪽 면은, n층의 수지 조성물층의 다른쪽 면(n층째의 수지 조성물층에 있어서의 두께 방향 외측의 면)과 동의이다.
어느 경우도 다른쪽 면측에는 금속 베이스판이 설치되게 된다.
수지 조성물층이 3층 이상으로 구성되어 있는 경우, 제1의 수지 조성물층의 비유전율이, 2층째부터 n층째의 수지 조성물층의 비유전율보다 크면, 2층째부터 n층째의 수지 조성물층의 비유전율의 대소는 특별히 한정되지 않는다.
예를 들면, 3층 구성의 경우, 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층, 제3의 수지 조성물층의 비유전율을 각각 ε1, ε2, ε3으로 하면, ε1＞ε2＞ε3, ε1＞ε2＜ε3(단 ε1＞ε3), ε1＞ε2=ε3으로 할 수 있지만, 보다 양호한 절연성을 얻는 관점에서, ε1＞ε2＞ε3이 바람직하다.
또한, 이하 「비유전율」이라는 경우는, 주파수 1MHz에 있어서의 비유전율을 말한다.
본 발명의 절연 시트를 이용한 회로 기판에 고전압을 인가한 경우, 회로 패턴과 절연 시트의 단부에 전계가 집중함으로써 파괴 현상이 일어난다. 본 발명자들은, 절연 시트의 유전율이 높은 경우에 전계 집중이 일어나기 쉬워, 단부로부터 파괴가 되기 쉬운 것을 발견했다. 그래서, 회로 패턴측에 있는 절연 시트의 한쪽 면의 유전율이 높아도, 회로 패턴이 형성되어 있지 않은 측에 있는 절연 시트의 다른쪽 면의 유전율을 낮게 함으로써, 전계 집중이 완화되어, 그에 수반하여 절연 시트의 절연성을 큰 폭으로 향상시킬 수 있는 것을 발견했다.
한쪽 면측의 비유전율을 다른쪽 면측의 비유전율보다 높게 하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 비유전율이 높은 시트와 비유전율이 낮은 시트를 적층하는 방법, 비유전율이 낮은 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물의 도막을 형성한 후, 비유전율이 높은 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물의 도막을 형성하여 경화 처리하는 방법, 유전율이 상이한 2종류의 수지를, 시린지에서 압출 속도를 변화시키면서 혼합하여 구배를 부여하는 방법 등을 들 수 있다.
또, 동일한 비유전율의 무기 충전재여도 그 함유량에 따라서는 전체의 비유전율을 변화시킬 수 있으므로, 당해 무기 충전재의 함유량이 작은 수지 조성물의 도막을 형성한 후, 무기 충전재의 함유량이 큰 수지 조성물의 도막을 형성하여 경화 처리하는 방법 등도 채용할 수 있다. 이 경우의 수지 조성물층은 1층 구성이 된다.
전계 집중을 더 완화하는 관점에서, 한쪽 면으로부터 두께 방향 10%에 있어서의 비유전율은 3.5~9인 것이 바람직하고, 4~9인 것이 보다 바람직하다. 또, 다른쪽 면으로부터 두께 방향 10%에 있어서의 비유전율은 3~8.5인 것이 바람직하고, 3~8인 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 단면 관찰에 의해, 어떠한 필러를 사용하고 있는지에 따라 두께 방향 10%의 유전율을 추측할 수 있다.
또, 전계 집중의 완화라는 관점에서, 한쪽 면측의 비유전율과 다른쪽 면측의 비유전율의 차는, 0.5 이상인 것이 바람직하고, 2 이상인 것이 보다 바람직하고, 4 이상인 것이 보다 더 바람직하다.
또한, 비유전율은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.
또, 본 발명의 절연 시트는, 수지 조성물층을 포함하며, 주파수 1MHz에 있어서의 한쪽 면측의 비유전율이 다른쪽 면측의 비유전율보다 높게 함으로써, 금속판을 적층했을 때에 당해 금속판과 절연 시트 사이에서 양호한 밀착성, 즉, 큰 필 강도를 얻을 수 있다.
특히 후술하는 바와 같이, 수지 조성물층 중의 무기 충전재의 물성이나 종류 등을 적당히 설정함으로써, 보다 확실히 양호한 밀착성을 얻을 수 있기 쉬워진다. 예를 들면, 압축 강도가 높은 필러를 이용하거나, 수지와의 친화성이 높은 관능기가 표면에 많은 필러를 이용하는 것 등을 들 수 있다.
금속판과 절연 시트의 밀착성(필 강도)은, 후술하는 실시예에 기재된 방법으로 측정하는 것이 가능하고, 6N/cm 이상인 것이 바람직하다.
이하, 절연 시트가 수지 조성물층을 포함하는 양태를 예로 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 당해 양태에 한정되는 것은 아니다.
(수지 조성물층)
수지 조성물층에는, 수지와 무기 충전재가 포함된다.
수지 조성물층에 포함되는 수지로서는, 열가소성 수지 및 열경화성 수지 등, 특별히 한정되지 않는다. 열가소성 수지로서는 스티렌 수지, 페녹시 수지, 프탈레이트 수지, 열가소성 우레탄 수지, 폴리아미드 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 케톤 수지 및 노르보르넨 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지로서는 아미노 수지, 페놀 수지, 열경화성 우레탄 수지, 에폭시 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 및 아미노알키드 수지 등을 들 수 있다. 아미노 수지로서는, 요소 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수지 조성물층이 2층 이상인 경우, 이들 층에 포함되는 수지는 동일해도 상이해도 된다.
상기 수지 중에서, 내열성을 고려하면 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지는, 에폭시 화합물과 열경화제를 반응시켜 얻을 수 있다.
에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 S형 에폭시 화합물, 페놀노볼락형 에폭시 화합물, 비페닐형 에폭시 화합물, 비페닐노볼락형 에폭시 화합물, 비페놀형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물, 플루오렌형 에폭시 화합물, 페놀아랄킬형 에폭시 화합물, 나프톨아랄킬형 에폭시 화합물, 디시클로펜타디엔형 에폭시 화합물, 안트라센형 에폭시 화합물, 아다만탄 골격을 가지는 에폭시 화합물, 트리시클로데칸 골격을 가지는 에폭시 화합물, 나프틸렌에테르형 에폭시 화합물, 및 트리아진핵을 골격에 가지는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
상기 에폭시 화합물은, 비스페놀 A형 에폭시 화합물인 것이 바람직하다.
열경화제로서는, 상기 에폭시 화합물의 에폭시기와 반응 가능한 관능기를 가지고 있으면 특별히 한정되지 않으며, 시아네이트에스테르 화합물(시아네이트에스테르 경화제), 페놀 화합물(페놀 열경화제), 아민 화합물(아민 열경화제), 티올 화합물(티올 열경화제), 이미다졸 화합물, 포스핀 화합물, 산무수물, 활성 에스테르 화합물 및 디시안디아미드 등을 들 수 있다.
시아네이트에스테르 화합물로서는, 노볼락형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀형 시아네이트에스테르 수지, 및 이들이 일부 3량화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 상기 노볼락형 시아네이트에스테르 수지로서는, 페놀노볼락형 시아네이트에스테르 수지 및 알킬페놀형 시아네이트에스테르 수지 등을 들 수 있다. 상기 비스페놀형 시아네이트에스테르 수지로서는, 비스페놀 A형 시아네이트에스테르 수지, 비스페놀 E형 시아네이트에스테르 수지 및 테트라메틸비스페놀 F형 시아네이트에스테르 수지 등을 들 수 있다.
시아네이트에스테르 화합물의 시판품으로서는, 페놀노볼락형 시아네이트에스테르 수지(론더 재팬 사제 「PT-30」 및 「PT-60」), 및 비스페놀형 시아네이트에스테르 수지가 3량화된 프리폴리머(론더 재팬 사제 「BA-230S」, 「BA-3000S」, 「BTP-1000S」 및 「BTP-6020S」) 등을 들 수 있다.
페놀 화합물로서는, 노볼락형 페놀, 비페놀형 페놀, 나프탈렌형 페놀, 디시클로펜타디엔형 페놀, 아랄킬형 페놀 및 디시클로펜타디엔형 페놀 등을 들 수 있다.
페놀 화합물의 시판품으로서는, 노볼락형 페놀(DIC 사제 「TD-2091」), 비페닐노볼락형 페놀(메이와 화성 사제 「MEHC-7851」), 아랄킬형 페놀 화합물(메이와 화성 사제 「MEH-7800」), 및 아미노트리아진 골격을 가지는 페놀(DIC 사제 「LA1356」 및 「LA3018-50P」) 등을 들 수 있다.
에폭시 화합물과 반응시키기 위한 열경화제의 배합량은 적절히 선택되지만, 에폭시 화합물 100질량부에 대해, 바람직하게는 1질량부 이상이며, 바람직하게는 50질량부 이하, 보다 바람직하게는 30질량부 이하이다.
에폭시 화합물과 열경화제를 반응시켜 얻어지는 에폭시 수지는, 접착성과 절연성을 한층 효과적으로 높이는 관점에서, 수지 조성물층 중 5체적% 이상 함유되어 있는 것이 바람직하고, 10체적% 이상 함유되어 있는 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하 함유되어 있는 것이 바람직하고, 70체적% 이하 함유되어 있는 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층에 함유되는 무기 충전재는 열전도성을 가지는 것이 바람직하다.
여기서, 무기 충전재로서는, 판상 무기 입자를 포함하는 것이 바람직하고, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 및 무기 입자 B를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 적어도 판상 무기 입자를 포함함으로써, 긴 축의 방향이 두께 방향에 평행한 판상 무기 입자와 긴 축의 방향이 두께 방향에 수직인 판상 무기 입자가 균형 있게 혼재하게 되어, 열전도성과 함께 절연성을 높게 할 수 있다.
무기 충전재는, 적어도 1종이 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 판상 무기 입자 만을 포함하는 경우는, 당해 판상 무기 입자는 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지며, 또, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 및 무기 입자 B의 3종류를 포함하는 경우는, 이들 어느 1종 이상이, 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가진다.
상기와 같이, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 및 무기 입자 B 중 어느 1종 이상이 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지는 것이 바람직하고, 모든 것이 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물층의 열전도성을 높일 수 있다. 열전도율은, 15W/(m·K) 이상인 것이 보다 바람직하고, 20W/m·K(m·K) 이상인 것이 더 바람직하다. 열전도율의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 열전도율이 300W/(m·K) 정도인 무기 충전재는 널리 알려져 있으며, 또 열전도율 200W/(m·K) 정도의 무기 충전재에 대해서는 용이하게 입수할 수 있다.
또한, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 및 무기 입자 B는, 적어도 조성, 형상, 및 압축 강도 중 어느 하나 이상이 다르다. 예를 들면, 판상 무기 입자 및 무기 입자 B가 질화붕소인 경우는, 그 형상으로서 20% 압축 시에 있어서의 압축 강도가 다르면 되고, 또는, 일차 입자의 평균 장경이 다르면 된다.
판상 무기 입자로서는, 질화붕소인 것이 바람직하고, 육방정 질화붕소, 입방정 질화붕소, 붕소 화합물과 암모니아의 환원 질화법에 의해 제작된 질화붕소, 붕소 화합물과 멜라민 등의 함질소 화합물로 제작된 질화붕소, 및, 붕수소 나트륨과 염화암모늄으로 제작된 질화붕소 등을 들 수 있다. 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 질화붕소는, 육방정 질화붕소인 것이 바람직하다.
절연성과 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 판상 무기 입자는 응집 입자인 것이 바람직하고, 판상의 질화붕소 응집 입자인 것이 보다 바람직하다. 질화붕소 응집 입자란, 질화붕소의 일차 입자를 응집시킨 이차 입자이다.
상기 질화붕소 응집 입자의 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 분무 건조 방법 및 유동층 조립 방법 등을 들 수 있다. 질화붕소 응집 입자의 제조 방법은, 분무 건조(스프레이 드라이라고도 불린다) 방법인 것이 바람직하다. 분무 건조 방법은, 스프레이 방식에 의해, 이류체 노즐 방식, 디스크 방식(로터리 방식이라고도 불린다), 및 초음파 노즐 방식 등으로 분류할 수 있으며, 이들 중 어느 방식으로도 적용할 수 있다. 전체 세공 용적을 보다 한층 용이하게 제어할 수 있는 관점에서, 초음파 노즐 방식이 바람직하다.
질화붕소 응집 입자는, 질화붕소의 일차 입자를 재료로 하여 제조되는 것이 바람직하다. 질화붕소 응집 입자의 재료가 되는 질화붕소로서는 특별히 한정되지 않으며, 육방정 질화붕소, 입방정 질화붕소, 붕소 화합물과 암모니아의 환원 질화법에 의해 제작된 질화붕소, 붕소 화합물과 멜라민 등의 함질소 화합물로 제작된 질화붕소, 및, 붕수소 나트륨과 염화암모늄으로 제작된 질화붕소 등을 들 수 있다. 질화붕소 응집 입자의 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 질화붕소 응집 입자의 재료가 되는 질화붕소는, 육방정 질화붕소인 것이 바람직하다.
또, 질화붕소 응집 입자의 제조 방법으로서는, 반드시 조립 공정은 필요하지 않다. 질화붕소의 결정의 성장에 수반하여, 질화붕소의 일차 입자가 자연스럽게 집결함으로써 형성된 질화붕소 응집 입자여도 된다. 또, 질화붕소 응집 입자의 입자경을 맞추기 위해, 분쇄한 질화붕소 응집 입자여도 된다.
판상 무기 입자의 20%의 압축 시에 있어서의 압축 강도는, 0.8N/mm2 이상인 것이 바람직하고, 1.0N/mm2 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 2.5N/mm2 이하인 것이 바람직하고, 2.0N/mm2 이하인 것이 보다 바람직하다. 상위 범위임으로써, 프레스 시에 용이하게 해쇄시킬 수 있어 형상이 변형됨으로써 필러 계면에 존재하는 공기를 압출할 수 있어, 절연성을 더 높일 수 있다.
본 발명에 있어서 압축 강도는, 이하와 같이 하여 측정할 수 있다.
우선, 미소 압축 시험기를 이용하여, 다이아몬드제의 각기둥을 압축 부재로 하고, 그 압축 부재의 평활 단면을 무기 충전재를 향하여 강하시켜, 무기 충전재를 압축한다. 측정 결과로서 압축 하중치와 압축 변위의 관계가 얻어지지만, 압축 하중치를 무기 충전재의 입자경을 이용하여 산출한 평균 단면적을 이용하여 단위 면적당 압축 하중치를 산출하고, 이것을 압축 강도로 한다. 또, 압축 변위와 무기 충전재의 입자경으로부터, 압축율을 산출하고, 압축 강도와 압축율의 관계를 얻는다. 측정하는 무기 충전재는 현미경을 이용하여 관찰하고, 입자경±10%의 입자경을 가지는 무기 충전재를 선출하여 측정한다. 또, 각각의 압축율에 있어서의 압축 강도는, 20회의 측정 결과를 평균한 평균 압축 강도로서 산출한다. 상기 미소 압축 시험기로서, 예를 들면, 피셔·인스트루먼츠 사제 「미소 압축 시험기 HM2000」등이 이용된다. 또, 압축율은(압축율=압축 변위÷평균 입자경×100)으로 산출할 수 있다.
판상 무기 입자의 종횡비는 3 이상인 것이 바람직하고, 4 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 6 이하인 것이 보다 바람직하다. 3 이상임으로써, 응집 질화붕소의 일차 입자의 장경이 길어져, 열전도성을 유지할 수 있다.
또, 판상 무기 입자의 일차 입자에 있어서, 그 장경의 평균인 평균 장경은, 열전도율을 적절하게 높인다는 관점에서, 2.5μm 이상인 것이 바람직하고, 5μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 30.0μm 이하인 것이 바람직하고, 20μm 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 평균 장경은, 이미 기술한 종횡비의 측정에 있어서 구해지는 장경 100개의 평균을 말한다.
본 발명에 있어서, 종횡비는, 장경/단경을 의미한다. 본 명세서에 있어서, 종횡비는 평균 종횡비이며, 구체적으로는, 임의로 선택된 50개의 입자를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 각 입자의 장경/단경의 평균치를 산출함으로써 구해진다.
절연성과 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 판상 무기 입자의 평균 입자경은, 5μm 이상인 것이 바람직하고, 20μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 100μm 이하인 것이 바람직하고, 80μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서 평균 입자경은, 체적 기준에서의 입자경을 평균한 평균 입자경인 것이 바람직하다. 평균 입자경은, 호리바 제작소 사제 「레이저 회절식 입도 분포 측정 장치」를 이용하여 측정할 수 있다. 평균 입자경의 산출 방법에 대해서는, 누적 체적이 50%일 때의 무기 충전재의 입자경(d50)을 평균 입자경으로서 채용하는 것이 바람직하다.
무기 입자 A로서는, 알루미나, 합성 마그네사이트, 실리카, 질화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 산화아연, 산화마그네슘, 탈크, 마이카, 및 하이드로탈사이트 등을 들 수 있다. 이들로부터 원하는 비유전율에 의해 선택하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 높은 비유전율이 필요한 경우는 알루미나나 질화알루미늄을 선택하는 것이 바람직하고, 중간 정도의 비유전율이 필요한 경우는 산화마그네슘을 선택하는 것이 바람직하다. 낮은 비유전율이 필요한 경우는, 이미 기술한 질화붕소를 선택하는 것이 바람직하다.
또한, 무기 입자 A 중에서 열전도성의 관점에서는, 알루미나(특히, 구상 알루미나, 파쇄 알루미나) 및 구상의 질화알루미늄인 것이 바람직하고, 구상 알루미나가 보다 바람직하다.
특히 열전도율을 높여 밀착성(필 강도)을 보다 높게 하기 위해서는, 수지와의 친화성이 높은 관능기가 표면에 많이 존재하는 무기 입자 A를 이용하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 알루미나(특히, 구상 알루미나, 파쇄 알루미나) 및 구상의 질화알루미늄, 산화마그네슘, 질화규소가 보다 바람직하고, 구상 알루미나가 더 바람직하다.
무기 입자 A의 종횡비는 2 이하인 것이 바람직하고, 1.9 이하인 것이 보다 바람직하고, 또, 0.1 이상인 것이 바람직하다. 종횡비가 2 이하임으로써, 도공 시에 회전하기 쉬워져 무기 입자 B, 판상 무기 입자 사이의 간극에 들어갈 수 있다.
절연성과 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 무기 입자 A의 평균 입자경은, 0.1μm 이상인 것이 바람직하고, 0.3μm 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 50μm 이하인 것이 바람직하고, 40μm 이하인 것이 보다 바람직하고, 20μm 이하인 것이 더 바람직하고, 18μm 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
무기 입자 B로서는, 질화붕소인 것이 바람직하고, 육방정 질화붕소, 입방정 질화붕소, 붕소 화합물과 암모니아의 환원 질화법에 의해 제작된 질화붕소, 붕소 화합물과 멜라민 등의 함질소 화합물로 제작된 질화붕소, 및, 붕수소 나트륨과 염화암모늄으로 제작된 질화붕소 등을 들 수 있다. 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 질화붕소는, 육방정 질화붕소인 것이 바람직하다.
절연성과 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 무기 입자 B는, 질화붕소 응집 입자인 것이 바람직하다. 당해 질화붕소 응집 입자에 대해서는, 판상 무기 입자와 동일하다.
무기 입자 B의 종횡비는 3 이상인 것이 바람직하고, 4 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 10 이하인 것이 바람직하다. 3 이상임으로써, 응집 질화붕소의 일차 입자의 장경이 길어져, 열전도성을 유지할 수 있다.
또, 무기 입자 B의 일차 입자의 평균 장경은, 충전성을 향상시키고, 적절하게 열전도율을 향상시킨다는 관점에서, 0.5μm 이상인 것이 바람직하고, 0.8μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 15μm 이하인 것이 바람직하고, 13μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
무기 입자 B의 20%의 압축 시에 있어서의 압축 강도는, 프레스 시에 해쇄하지 않고 형상을 유지할 수 있어, 열전도성을 유지할 수 있는 관점에서, 2N/mm2 이상인 것이 바람직하고, 2.5N/mm2 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 15N/mm2 이하인 것이 바람직하고, 13N/mm2 이하인 것이 보다 바람직하다.
절연성과 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 무기 입자 B의 평균 입자경은, 20μm 이상인 것이 바람직하고, 30μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 90μm 이하인 것이 바람직하고, 70μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
무기 충전재에 있어서의 판상 무기 입자의 함유량은, 효율적으로 열전도율을 높이는 관점에서, 1체적% 이상인 것이 바람직하고, 3체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 100체적% 이하인 것이 바람직하고, 90체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 무기 충전재에 있어서의 무기 입자 A의 함유량은 1체적% 이상인 것이 바람직하고, 3체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 50체적% 이하인 것이 바람직하고, 45체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 무기 충전재에 있어서의 무기 입자 B의 함유량은 1체적% 이상인 것이 바람직하고, 3체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 90체적% 이하인 것이 바람직하고, 85체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 수지 조성물층에 있어서의 무기 충전재의 함유량은, 20체적% 이상인 것이 바람직하고, 30체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 90체적% 이하인 것이 바람직하고, 80체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
무기 입자 B의 20% 압축 시에 있어서의 압축 강도는 판상 무기 입자보다 크고, 1.5N/mm2 이상 큰 것이 바람직하다.
수지 조성물층은, 상술한 성분 외에, 분산제, 킬레이트제, 산화방지제 등의 다른 성분을 포함하고 있어도 된다.
또, 수지 조성물층은 예를 들면 에폭시 수지를 사용하는 경우, 이미 기술한 무기 충전재, 에폭시 화합물, 열경화제 등을 포함하는 수지 조성물을 반경화 혹은 경화시켜 형성된다. 이 수지 조성물은, 그 점도를 조정하는 관점에서, 용제를 함유할 수 있다. 용제로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 톨루엔이나 메틸에틸케톤 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
본 발명의 절연 시트의 수지 조성물층은 1층의 구성이어도, 제1의 수지 조성물층 및 제2의 수지 조성물층과 같이, 수지 조성물층이 적어도 2층으로 이루어지는 구성이어도 된다. 이 경우, 주파수 1MHz에 있어서의 한쪽 면을 포함하는 제1의 수지 조성물층의 비유전율이 다른쪽 면을 포함하는 제2의 수지 조성물층의 비유전율보다 높아져 있다.
또한, 제3의 수지 조성물층을 제2의 수지 조성물층의 다른쪽 면측에 가지는, 적어도 3층으로 이루어지는 구성이어도 된다.
어느 구성이어도, 제1의 수지 조성물, 제2의 수지 조성물층, 및 제3의 수지 조성물층 중 적어도 어느 하나가, 에폭시 수지 및 무기 충전재를 포함하는 것이 바람직하다.
도 1은, 수지 조성물층이 1층(단층)인 절연 시트를 이용한 적층체(10)의 예로, 금속판(12)과 금속 베이스판(16) 사이에 1층의 수지 조성물층(14)으로 이루어지는 절연 시트가 설치되어 있다.
이 경우, 수지 조성물층(14)의 두께는, 30μm 이상인 것이 바람직하고, 50μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 300μm 이하인 것이 바람직하고, 280μm인 것이 보다 바람직하다.
또한, 당해 절연 시트의 경우, 그 한쪽 면측이 수지 조성물층(14)의 상면(14X)측이 되고, 다른쪽 면측이 수지 조성물층(14)의 하면(14Y)측이 된다.
또, 도 2는, 수지 조성물층이 2층인 절연 시트를 이용한 적층체(20)의 예로, 금속판(22)과 금속 베이스판(26) 사이에 금속 베이스판(26)측으로부터 수지 조성물층(24A)(제2의 수지 조성물층) 및 수지 조성물층(24B)(제1의 수지 조성물층)을 이 순서로 가지는 수지 조성물층(24)으로 이루어지는 절연 시트가 설치되어 있다. 수지 조성물층을 적어도 2층의 구성으로 함으로써, 상하층에서 비유전율을 변화시킬 수 있다.
또, 상기 양태의 경우, 제1의 수지 조성물층의 두께가 제2의 수지 조성물층의 두께보다 작은 것이 바람직하고, 제1층의 두께가 제2층의 두께에 대해 2/5 이하인 것이 바람직하고, 1/3 이하인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 전계 집중을 더 완화시켜 절연성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 당해 절연 시트의 경우, 그 한쪽 면측이 수지 조성물층(24B)의 상면(24X)측(금속판(22)측)이 되고, 다른쪽 면측이 수지 조성물층(24A)의 하면(24Y)측(금속 베이스판(26)측)이 된다.
또, 도 3은, 수지 조성물층이 3층인 절연 시트를 이용한 적층체(30)의 예이다. 즉, 금속판(32)과 금속 베이스판(36) 사이에 금속 베이스판(36)측으로부터 수지 조성물층(34A)(제3의 수지 조성물층), 수지 조성물층(34B)(제2의 수지 조성물층), 및 수지 조성물층(34C)(제1의 수지 조성물층)을 이 순서로 가지는 수지 조성물층(34)으로 이루어지는 절연 시트가 설치되어 있다. 수지 조성물층을 적어도 3층의 구성으로 함으로써, 상층, 중간층, 하층에서 비유전율을 단계적으로 저하시켜, 서서히 한쪽 면측으로부터 다른쪽 면측을 향하여 비유전율을 낮출 수 있다. 그 결과, 보다 높은 절연성을 나타낼 수 있다.
또한, 당해 절연 시트의 경우, 그 한쪽 면측이 수지 조성물층(34C)의 상면(34X)측(금속판(32)측)이 되고, 다른쪽 면측이 수지 조성물층(34A)의 하면(34Y)측(금속 베이스판(36)측)이 된다.
여기서, 수지 조성물층이 2층의 구성으로 되어 있는 경우, 수지 조성물층(24A)이 판상 무기 입자를 포함하고, 수지 조성물층(24B)이 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 포함하고 있어도 되거나, 또는, 수지 조성물층(24A)이 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 포함하고, 수지 조성물층(24B)이 판상 무기 입자를 포함하고 있어도 된다.
바람직하게는, 수지 조성물층(24A)에 판상 무기 입자를 함유하는 구성을 들 수 있으며, 보다 바람직하게는, 수지 조성물층(24A)에 판상 무기 입자를 함유시키고, 수지 조성물층(24B)에 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 함유시킨 구성을 들 수 있다.
그리고, 판상 무기 입자 및 무기 입자 B를 질화붕소 응집 입자로 하고, 무기 입자 A를 알루미나 입자로 하고, 판상 무기 입자의 20% 압축 강도를 무기 입자 B의 20% 압축 강도보다 낮게 하면, 열전도율 및 절연성을 보다 양호하게 하면서, 금속판(22)과 수지 조성물층(24B)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
수지 조성물층(24A)에 판상 무기 입자를 함유시키고, 수지 조성물층(24B)에 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 함유시킨 구성의 경우, 수지 조성물층(24A) 중의 판상 무기 입자의 함유량은, 3체적% 이상인 것이 바람직하고, 5체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 90체적% 이하인 것이 바람직하고, 85체적%인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 5체적% 이상인 것이 바람직하고, 10체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 60체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 수지 조성물층(24B) 중의 무기 입자 A의 함유량은, 1체적% 이상인 것이 바람직하고, 3체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 60체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자 B의 함유량은, 1체적% 이상인 것이 바람직하고, 3체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 90체적% 이하인 것이 바람직하고, 85체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 5체적% 이상인 것이 바람직하고, 10체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 60체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 수지 조성물층이 2층의 구성으로 되어 있는 경우에도, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 무기 입자 B를 포함하는 무기 충전재의 각 층에 있어서의 합계 함유량, 에폭시 수지의 각 층에 있어서의 합계 함유량은, 수지 조성물층이 1층인 경우와 동일하다.
수지 조성물층이 2층의 구성으로 되어 있는 경우의 금속 베이스판측에 있는 수지 조성물층(24A)의 두께는 20μm 이상인 것이 바람직하고, 50μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 170μm 이하인 것이 바람직하고, 150μm 이하인 것이 보다 바람직하다. 금속판측에 있는 수지 조성물층(24B)의 두께는 10μm 이상인 것이 바람직하고, 20μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 150μm 이하인 것이 바람직하고, 130μm 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 수지 조성물층(24B)의 두께는, 금속 베이스판측에 있는 수지 조성물층(24A)의 두께보다 작은 것이 바람직하다.
또한, 수지 조성물층이 2층 이상의 구성으로 되어 있는 경우의 각각의 층의 두께의 합계는, 수지 조성물층이 1층인 경우와 동일하며, 30μm 이상인 것이 바람직하고, 50μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 320μm 이하인 것이 바람직하고, 280μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층이 2층의 구성인 경우는, 예를 들면, 금속 베이스판 상에 제2의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물(예를 들면 비유전율이 낮은 무기 충전재를 함유)을 도포하고, 필요에 따라 반경화시킨 후, 또한 그 위에, 제1의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물(예를 들면 비유전율이 높은 무기 충전재를 함유)을 도포하여, 필요에 따라 반경화시킨다. 그 후, 금속판을 붙이고, 프레스 처리를 행하여 제조할 수 있다. 또, 제1의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물로 이루어지는 시트와 제2의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물로 이루어지는 시트의 적층 시트의 양면을 금속 베이스판과 금속판 사이에 각각 끼우고, 프레스 처리를 행하여 제조할 수도 있다.
또, 수지 조성물층이 3층의 구성으로 되어 있는 경우, 수지 조성물층(34A, 34B, 34C)에 배합되는 판상 무기 입자, 무기 입자 A 및 무기 입자 B는 원하는 비유전율을 얻는 관점에서 적절히 선택할 수 있다.
3층 구성의 제1예로서, 수지 조성물층(34A)(제3의 수지 조성물층)이 판상 무기 입자, 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 포함하고, 수지 조성물층(34B)(제2의 수지 조성물층)이 판상 무기 입자를 포함하고, 수지 조성물층(34C)(제1의 수지 조성물층)이 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 포함하는 구성을 들 수 있다.
또, 3층 구성의 제2예로서, 수지 조성물층(34A)(제3의 수지 조성물층)이 판상 무기 입자를 포함하고, 수지 조성물층(34B)(제2의 수지 조성물층)이 판상 무기 입자, 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 포함하고, 수지 조성물층(34C)(제1의 수지 조성물층)이 무기 입자 A 및 무기 입자 B를 포함하는 구성을 들 수 있다.
상기 3층 구성의 제1예 및 제2예 중, 바람직하게는 제1예이다.
수지 조성물층이 3층의 구성으로 되어 있는 경우도, 판상 무기 입자 및 무기 입자 B를 질화붕소 응집 입자로 하고, 무기 입자 A를 알루미나 입자로 하고, 판상 무기 입자의 20% 압축 강도를 무기 입자 B의 20% 압축 강도보다 낮게 하면, 열전도율 및 절연성을 보다 양호하게 하면서, 금속판(32)과 수지 조성물층(34B)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
3층 구성의 제1예의 경우, 수지 조성물층(34A)(제3의 수지 조성물층) 중의 판상 무기 입자의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 15체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적%인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자 A의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 70체적% 이하인 것이 바람직하고, 60체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자 B의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 70체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층(34B)(제2의 수지 조성물층) 중의 판상 무기 입자의 함유량은, 20체적% 이상인 것이 바람직하고, 30체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 85체적% 이하인 것이 바람직하고, 75체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 50체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층(34C)(제1의 수지 조성물층) 중의 무기 입자 A의 함유량은, 5체적% 이상인 것이 바람직하고, 10체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자 B의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 15체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 70체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 70체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
3층 구성의 제2예의 경우, 수지 조성물층(34A)(제3의 수지 조성물층) 중의 판상 무기 입자의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 85체적% 이하인 것이 바람직하고, 75체적%인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 70체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층(34B)(제2의 수지 조성물층) 중의 판상 무기 입자의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자 A의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자 B의 함유량은, 5체적% 이상인 것이 바람직하고, 15체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 50체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층(34C)(제1의 수지 조성물층) 중의 무기 입자 A의 함유량은, 5체적% 이상인 것이 바람직하고, 10체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 60체적%인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자 B의 함유량은, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 80체적% 이하인 것이 바람직하고, 70체적% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 에폭시 수지는, 10체적% 이상인 것이 바람직하고, 20체적% 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 70체적% 이하인 것이 바람직하고, 50체적% 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 수지 조성물층이 3층의 구성으로 되어 있는 경우에도, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 무기 입자 B를 포함하는 무기 충전재의 각 층에 있어서의 합계 함유량, 에폭시 수지의 각 층에 있어서의 합계 함유량은, 수지 조성물층이 1층인 경우와 동일하다.
수지 조성물층이 3층의 구성으로 되어 있는 경우의 수지 조성물층(34C)의 두께는 10μm 이상인 것이 바람직하고, 20μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 100μm 이하인 것이 바람직하고, 60μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층(34B)의 두께는 20μm 이상인 것이 바람직하고, 30μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 170μm 이하인 것이 바람직하고, 160μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층(34A)의 두께는 10μm 이상인 것이 바람직하고, 20μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 100μm 이하인 것이 바람직하고, 60μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 절연성의 관점에서, 수지 조성물(34A)(제3의 수지 조성물층)의 두께는 수지 조성물층(34B)(제2의 수지 조성물층)의 두께보다 작은 것이 바람직하고, 제3의 수지 조성물층이 제2의 수지 조성물층의 두께에 대해 2/5 이하인 것이 바람직하고, 1/3 이하인 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해 전계 집중을 더 완화시켜 절연성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 수지 조성물층이 3층 이상의 구성이 되어 있는 경우의 각각의 층의 두께의 합계는, 수지 조성물층이 1층인 경우와 동일하며, 30μm 이상인 것이 바람직하고, 50μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 또, 320μm 이하인 것이 바람직하고, 280μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
수지 조성물층이 3층의 구성인 경우는, 예를 들면, 금속 베이스판 상에 제3의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물(예를 들면 비유전율이 낮다)을 도포하고, 필요에 따라 반경화시킨 후, 또한 그 위에, 제2의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물(예를 들면 비유전율이 중간 정도)을 도포하여, 필요에 따라 반경화시킨다. 그 후, 제2의 수지 조성물층 상에 제1의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물(예를 들면 비유전율이 높다)을 도포하여, 필요에 따라 반경화시킨다. 그리고, 금속판을 붙이고, 프레스 처리를 행하여 제조할 수 있다. 또, 제1의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물로 이루어지는 시트와, 제2의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물로 이루어지는 시트와, 제3의 수지 조성물층이 되는 수지 조성물로 이루어지는 시트의 적층 시트의 양면을 금속 베이스판과 금속판 사이에 각각 끼우고, 프레스 처리를 행하여 제조할 수도 있다.
이상과 같은 본 발명의 절연 시트는, 그 금속판 및 금속 베이스판으로 협지되어 적층판이 되고, 그 금속판을 에칭 등의 수법에 의해 회로 형성함으로써, 절연 회로 기판으로서 이용할 수 있다.
[적층체 및 기판]
본 발명의 적층체는, 금속 베이스판 상에 본 발명의 절연 시트와 금속판을 순차적으로 포함한다. 그리고, 금속판에는 회로 패턴이 형성된다. 이들을 적층하는 수법으로서는 공지의 수법을 적용할 수 있다. 본 발명의 적층체의 예로서는, 도 1~도 3에 기재된 적층체를 들 수 있지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
또, 본 발명의 기판은, 금속 베이스판 상에 본 발명의 절연 시트와 금속판을 순차적으로 포함하고, 금속판이 회로 패턴을 가진다. 즉, 본 발명의 기판은, 본 발명의 적층체의 금속판에 회로 패턴이 형성된 기판이라고도 할 수 있다. 회로 패턴의 형성에는, 에칭 등의 수법을 적용할 수 있다.
금속 베이스판 및 금속판은 각각 열전도체로서의 기능을 발휘하기 때문에, 그 열전도율은, 바람직하게는 10W/(m·K) 이상인 것이 바람직하다. 이들에 이용하는 재료로서는, 알루미늄, 구리, 금, 은, 및 그래파이트 시트 등을 들 수 있다. 열전도성을 보다 한층 효과적으로 높이는 관점에서는, 알루미늄, 구리, 또는 금인 것이 바람직하고, 알루미늄 또는 구리인 것이 보다 바람직하다.
금속 베이스판의 두께는, 0.1~5mm인 것이 바람직하고, 금속판의 두께는, 10~2000μm인 것이 바람직하고, 10~900μm인 것이 보다 바람직하다. 또한, 금속판으로서는, 구리판과 같은 판이나 구리박과 같은 박인 경우도 포함한다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
·수지 조성물의 제작
(1) 수지 조성물 A：
무기 입자 B로서의 응집 질화붕소 입자 38.3체적%, 알루미나 입자 24.9체적%, 에폭시 화합물 33.2체적%, 경화제 2.0체적%, 분산제 1.6체적%가 되도록 이들을 혼합하여, 수지 조성물 A를 얻었다. 상기 재료의 상세는 하기와 같다.
·무기 입자 B로서의 응집 질화붕소 입자： UHP-G1H, 쇼와 전공 사제, 20% 압축 강도 4.2N/mm2
알루미나 입자： AS50, 쇼와 전공 사제, 종횡비 2
에폭시 화합물：YD127, 신닛테츠 스미킨 사제
경화제： 2P4MZ, 시코쿠 화성 사제
분산제： KBM403, 신에츠 실리콘 사제
(2) 수지 조성물 B：
판상 무기 입자인 응집 질화붕소 입자 67.5체적%, 에폭시 화합물 29.3체적%, 경화제 2.0체적%, 분산제 1.2체적%가 되도록 이들을 혼합하여, 수지 조성물 B를 얻었다. 상기 재료의 상세는 하기와 같다.
판상 무기 입자인 응집 질화붕소 입자： HP-40, 미즈시마 합금철 사제, 20% 압축 강도 1.7N/mm2
에폭시 화합물：YD127, 신닛테츠 스미킨 사제
경화제： 2P4MZ, 시코쿠 화성 사제
분산제： KBM403, 신에츠 실리콘 사제
·절연 시트의 제작
수지 조성물 A를 이형 PET 시트(두께 40μm) 상에 도포했다. 또, 수지 조성물 B를 이형 PET 시트(두께 40μm) 상에 도포했다. 이들 시트의 수지 조성물층의 두께의 비를 표 1에 나타낸다. 이들을 50℃의 오븐 내에서 10분간 건조시켜 가경화시켰다. 다음에, 가경화한 상기 시트를 이형 PET 시트가 외측이 되도록 적층하고 나서 이형 PET 시트를 벗기고, 그 양면을 구리박(두께 35μm)과 알루미늄판(두께 1.0mm) 사이에 각각 끼워, 온도 110℃에서 30분 가열하여 가경화시켜, 경화 전 시트를 얻었다. 또한, 구리박측에는 수지 조성물 A를 포함하는 층(제1의 수지 조성물층)이 형성되고, 알루미늄판측에는 수지 조성물 B를 포함하는 층(제2의 수지 조성물층)이 형성되어 있다. 얻어진 경화 전 시트를, 온도 195℃, 압력을 8MPa의 조건으로 60분간 진공 프레스함으로써, 제1의 수지 조성물층 및 제2의 수지 조성물층으로 이루어지는 절연 시트의 제1의 수지 조성물층에 구리박이 적층되고, 제2의 수지 조성물층에 알루미늄판이 적층된 적층체를 얻었다. 또한, 제1의 수지 조성물층과 제2의 수지 조성물층으로 이루어지는 수지 조성물층의 두께(절연 시트의 두께)는 150μm였다.
[실시예 2, 3]
제1의 수지 조성물층과 제2의 수지 조성물층의 두께 비율(제2의 수지 조성물층/제1의 수지 조성물층)을 하기의 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 절연 시트를 얻었다.
[실시예 4]
·수지 조성물의 제작
수지 조성물 C：
판상 무기 입자인 응집 질화붕소 입자 33.8체적%, 알루미나 입자 24.9체적%, 무기 입자 B로서의 응집 질화붕소 입자 19.1체적%, 에폭시 화합물 29.3체적%, 경화제 2.0체적%, 분산제 1.2체적%가 되도록 이들을 혼합하여, 수지 조성물 C를 얻었다. 상기 재료의 상세는 하기와 같다.
판상 무기 입자인 응집 질화붕소 입자： HP-40, 미즈시마 합금철 사제, 20% 압축 강도 1.7N/mm2
무기 입자 B로서의 응집 질화붕소 입자： UHP-G1H, 쇼와 전공 사제, 20% 압축 강도 4.2N/mm2
알루미나 입자： AS50, 쇼와 전공 사제, 종횡비 2
에폭시 화합물：YD127, 신닛테츠 스미킨 사제
경화제： 2P4MZ, 시코쿠 화성 사제
분산제： KBM403, 신에츠 실리콘 사제
·절연 시트의 제작
수지 조성물 A를 이형 PET 시트(두께 40μm) 상에 도포했다. 또, 수지 조성물 B를 이형 PET 시트(두께 40μm) 상에 도포했다. 또한, 수지 조성물 C를 이형 PET 시트(두께 40μm) 상에 도포했다. 이들 시트의 수지 조성물층의 두께의 비를 표 1에 나타낸다. 이들을 50℃의 오븐 내에서 10분간 건조시켜 가경화시켰다.
다음에, 가경화한 상기 시트 중, 수지 조성물 A를 도포한 이형 PET 시트와, 수지 조성물 B를 도포한 이형 PET 시트와 각각의 이형 PET 시트가 외측이 되도록 적층하고, 수지 조성물 B를 도포한 이형 PET 시트를 벗겼다. 그 후, 이형 PET 시트가 벗겨져 표면에 노출된 수지 조성물 B의 면에 수지 조성물 C를 도포한 이형 PET 시트를 당해 이형 PET 시트가 외측이 되도록 적층했다. 양면에 설치된 이형 PET 시트를 각각 벗긴 후, 그 양면을 구리박(두께 40μm)과 알루미늄판(두께 1.0mm) 사이에 각각 끼워, 온도 110℃에서 30분 가열하여 가경화시켜, 경화 전 시트를 얻었다.
또한, 구리박측에는 수지 조성물 A를 포함하는 층(제1의 수지 조성물층)이 형성되고, 알루미늄판측에는 수지 조성물 C를 포함하는 층(제3의 수지 조성물층)이 형성되어 있다. 얻어진 경화 전 시트를, 온도 195℃, 압력을 8MPa의 조건으로 60분간 진공 프레스함으로써, 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층 및 제3의 수지 조성물층으로 이루어지는 절연 시트의 제1의 수지 조성물층에 구리박이 적층되고, 제3의 수지 조성물층에 알루미늄판이 적층된 적층체를 얻었다. 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층 및 제3의 수지 조성물층으로 이루어지는 수지 조성물층의 두께(절연 시트의 두께)는 200μm였다.
[실시예 5]
·절연 시트의 제작
구리박측에는 수지 조성물 A를 포함하는 층(제1의 수지 조성물층)이 형성되고, 알루미늄판측에는 수지 조성물 B를 포함하는 층(제3의 수지 조성물층)이 형성되고, 이들 사이에 수지 조성물 C를 포함하는 층(제2의 수지 조성물층)이 형성되도록 하고, 두께의 비를 표 1에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 경화 전 시트를 얻었다. 얻어진 경화 전 시트를, 온도 195℃, 압력을 8MPa의 조건으로 60분간 진공 프레스함으로써, 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층 및 제3의 수지 조성물층으로 이루어지는 절연 시트의 제1의 수지 조성물층에 구리박이 적층되고, 제3의 수지 조성물층에 알루미늄판이 적층된 적층체를 얻었다. 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층 및 제3의 수지 조성물층으로 이루어지는 수지 조성물층의 두께(절연 시트의 두께)는 200μm였다.
[비교예 1]
수지 조성물층을 제2의 수지 조성물층 만으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 절연 시트를 얻었다. 또한, 수지 조성물층의 전체 두께(절연 시트의 두께)는 실시예 1과 동일하다.
[비교예 2]
수지 조성물층을 제1의 수지 조성물층 만으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 절연 시트를 얻었다. 또한, 수지 조성물층의 전체 두께(절연 시트의 두께)는 실시예 1과 동일하다.
[비교예 3]
수지 조성물 C를 2장의 이형 PET 시트(두께 40μm) 상에 각각 도포했다. 이들 시트의 수지 조성물층의 두께의 비를 표 2에 나타낸다. 이들을 50℃의 오븐 내에서 10분간 건조시켜 가경화시켰다.
다음에, 가경화한 상기 시트를 이형 PET 시트가 외측이 되도록 적층하고 나서 이형 PET 시트를 벗기고, 그 양면을 구리박(두께 40μm)과 알루미늄판(두께 1.0mm) 사이에 각각 끼워, 온도 110℃에서 30분 가열하여 가경화시켜, 경화 전 시트를 얻었다. 얻어진 경화 전 시트를, 온도 195℃, 압력을 8MPa의 조건으로 60분간 진공 프레스함으로써, 제1의 수지 조성물층 및 제2의 수지 조성물층으로 이루어지는 절연 시트의 제1의 수지 조성물층에 구리박이 적층되고, 제2의 수지 조성물층에 알루미늄판이 적층된 적층체를 얻었다. 또한, 제1의 수지 조성물층 및 제2의 수지 조성물층은 동일한 조성이다. 또, 수지 조성물층의 전체 두께(절연 시트의 두께)는 실시예 1과 동일하다.
[비교예 4]
구리박측에 수지 조성물 B를 포함하는 층(제1의 수지 조성물층)을 형성하고, 알루미늄판측에는 수지 조성물 A를 포함하는 층(제2의 수지 조성물층)을 형성한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 절연 시트를 얻었다.
또한, 수지 조성물층의 전체 두께(절연 시트의 두께)는 실시예 1과 동일하다.
[비교예 5, 6]
제1의 수지 조성물층과 제2의 수지 조성물층의 두께 비율(제2의 수지 조성물층/제1의 수지 조성물층)을 하기의 표 3에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 비교예 4와 동일하게 하여, 절연 시트를 얻었다.
또한, 수지 조성물층의 전체 두께(절연 시트의 두께)는 실시예 1과 동일하다.
[비교예 7]
·절연 시트의 제작
구리박측에는 수지 조성물 B를 포함하는 층(제1의 수지 조성물층)이 형성되고, 알루미늄판측에는 수지 조성물 C를 포함하는 층(제3의 수지 조성물층)이 형성되고, 이들 사이에 수지 조성물 A를 포함하는 층(제2의 수지 조성물층)이 형성되도록 하고, 두께의 비를 표 1에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 경화 전 시트를 얻었다. 얻어진 경화 전 시트를, 온도 195℃, 압력을 8MPa의 조건으로 60분간 진공 프레스함으로써, 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층 및 제3의 수지 조성물층으로 이루어지는 절연 시트의 제1의 수지 조성물층에 구리박이 적층되고, 제3의 수지 조성물층에 알루미늄판이 적층된 적층체를 얻었다. 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층 및 제3의 수지 조성물층으로 이루어지는 수지 조성물층의 두께(절연 시트의 두께)는 200μm였다.
(비유전율 측정)
각 예의 「절연 시트의 제작」에서 가경화한 시트의 양면에 있는 이형 PET 시트를 벗기고, 그 양면을 구리박(두께 40μm)과 알루미늄판(두께 1.0mm) 사이에 각각 끼워, 온도 110℃에서 30분 가열하여 가경화시켜, 경화 전 시트를 얻었다. 얻어진 경화 전 시트를, 온도 195℃, 압력을 8MPa의 조건으로 60분간 진공 프레스함으로써, 샘플 시트를 얻었다. 얻어진 샘플 시트를 40mm×40mm로 커트 하여, φ20mm의 패턴을 에칭으로 가공했다. 에칭 깊이는, 두께 방향 10%로 했다. 그 후, 비유전율을 이와사키 통신 주식회사제 LCR(임피던스) 해석 장치 PSM3750로 공기 중 실온(25℃)에서, 주파수 100mHz에서 10MHz까지를 로그 스케일로 분할하여 33점, 1사이클 측정하여, 얻어지는 파형을 판독함으로써, 주파수 1MHz의 비유전율을 구했다.
(열전도율의 측정)
실시예 및 비교예의 각 절연 시트를 1cm2로 커트한 후에, 양면에 카본 블랙을 스프레이한 측정 샘플을 이용하여, 레이저 플래시법에 의해 열전도율의 측정을 행했다. 결과를 하기 표 1~3에 나타낸다.
[열전도율 판정 기준]
A： 10W 이상
B： 8W 이상~10W 미만
C： 8W 미만
(절연 파괴 전압 측정)
실시예 및 비교예의 각 절연 시트를 90mm×50mm로 커트하고, 그 위에 φ20mm의 패턴을 에칭으로 가공한 후, 내전압 시험기(EXTECH Electronics 사제 「MODEL7473」)를 이용하여, 테스트 샘플 사이에 0.5kV/min의 속도로 전압이 상승하도록, 교류 전압을 인가했다. 테스트 샘플이 파괴된 전압을 절연 파괴 전압(BDV)으로 하여, 결과를 하기 표 1~3에 나타낸다. 절연성은 이하의 기준으로 판정했다. 또한, 측정하는 수지 조성물층(절연층)의 두께는 150μm로 했다.
[절연성의 판정 기준]
AA： 절연 파괴 전압이 10kV 이상
A： 절연 파괴 전압이 8kV 이상, 10kV 미만
B： 절연 파괴 전압이 6kV 이상, 8kV 미만
C： 절연 파괴 전압이 6kV 미만
(90° 필 강도(밀착성))
실시예 및 비교예에서 얻어진 적층체를 50mm×120mm의 크기로 잘라내어, 테스트 샘플을 얻었다. 얻어진 테스트 샘플의 중앙 폭 10mm의 구리박 만을 남기고 벗겨, 중앙 폭 10mm의 구리박에 대해 JIS C6481에 준거하여, 35μm 구리박의 필 강도를 측정했다. 상기 필 강도 측정 장치로서는, 오리엔테크 사제 「텐시론 만능 시험기」를 이용했다. 필 강도는 이하의 기준으로 판정했다. 결과를 하기 표 1~3에 나타낸다.
[필 강도의 판정 기준]
A： 필 강도가 6N/cm 이상
C： 필 강도가 6N/cm 미만
Figure 112020093297286-pct00001
Figure 112020093297286-pct00002
Figure 112020093297286-pct00003
10 적층체 12 금속판
14 수지 조성물층 14X 상면
14Y 하면 16 금속 베이스판

Claims (21)

  1. 수지 조성물층을 포함하며, 주파수 1MHz에 있어서의 한쪽 면측의 비유전율이 다른쪽 면측의 비유전율보다 높고,
    상기 수지 조성물층이 적어도 2층이며,
    주파수 1MHz에 있어서의 상기 한쪽 면을 포함하는 제1의 수지 조성물층의 비유전율이 상기 다른쪽 면을 포함하는 제2의 수지 조성물층의 비유전율보다 높고,
    상기 수지 조성물층이 무기 충전재를 포함하며, 상기 무기 충전재가, 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지는 판상 무기 입자를 포함하는 절연 시트로서,
    상기 무기 충전재가, 판상 무기 입자, 무기 입자 A, 및 무기 입자 B를 포함하고,
    상기 판상 무기 입자, 상기 무기 입자 A, 및 상기 무기 입자 B 중 어느 하나 이상이, 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지고,
    상기 제1의 수지 조성물층이 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고,
    상기 제2의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자를 포함하고,
    상기 한쪽 면은, 회로 패턴이 형성되는 금속판이 설치되는 절연 시트의 한쪽 표면이고, 상기 다른쪽 면은, 상기 한쪽 면에 대향하는 면으로서, 절연 시트의 두께 방향의 외측을 향하는 다른쪽 표면인, 절연 시트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 한쪽 면으로부터 두께 방향 10%에 있어서의 비유전율이 3.5~9이며, 상기 다른쪽 면으로부터 두께 방향 10%에 있어서의 비유전율이 3~8.5인, 절연 시트.
  3. 청구항 1에 있어서,
    또한, 제3의 수지 조성물층을 상기 제2의 수지 조성물층의 상기 다른쪽 면측에 가지는, 절연 시트.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1의 수지 조성물층의 두께가 상기 제2의 수지 조성물층의 두께보다 작은, 절연 시트.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제3의 수지 조성물층의 두께가 상기 제2의 수지 조성물층의 두께보다 작은, 절연 시트.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1의 수지 조성물층, 제2의 수지 조성물층, 및 상기 제3의 수지 조성물층 중 적어도 어느 하나가, 에폭시 수지 및 무기 충전재를 포함하는, 절연 시트.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 무기 충전재가, 10W/(m·K) 이상의 열전도율을 가지는 판상 무기 입자를 포함하는, 절연 시트.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 무기 입자 A의 종횡비가 2 이하인, 절연 시트.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 무기 충전재에 있어서의 상기 판상 무기 입자의 함유량이 1~100체적%인, 절연 시트.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 판상 무기 입자가 질화 붕소인, 절연 시트.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 판상 무기 입자가 응집 입자인, 절연 시트.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 무기 입자 B의 20% 압축 시에 있어서의 압축 강도가 상기 판상 무기 입자보다 큰, 절연 시트.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 무기 입자 B가 질화 붕소인, 절연 시트.
  14. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1의 수지 조성물층이 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고,
    상기 제2의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자를 포함하고,
    상기 제3의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자, 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하는, 절연 시트.
  15. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1의 수지 조성물층이 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고,
    상기 제2의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자, 상기 무기 입자 A 및 상기 무기 입자 B를 포함하고,
    상기 제3의 수지 조성물층이 상기 판상 무기 입자를 포함하는, 절연 시트.
  16. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 한쪽 면측의 비유전율과 상기 다른쪽 면측의 비유전율의 차가 0.5 이상인, 절연 시트.
  17. 금속 베이스판 상에, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 절연 시트와, 금속판을 순차적으로 포함하고, 상기 금속판에는 회로 패턴이 형성되는, 적층체.
  18. 금속 베이스판 상에, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 절연 시트와, 금속판을 순차적으로 포함하고, 상기 금속판이 회로 패턴을 가지는, 기판.
  19. 삭제
  20. 삭제
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