KR20220154122A - 황화리튬의 제조 방법 - Google Patents

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후미타케 기쿠치
간지 구바
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미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
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Abstract

황화리튬의 제조 방법은, 120 ℃ 까지 5 ％ 이상 25 ％ 이하 중량이 감소하는 특성을 갖는 황산리튬을 주성분으로 하는 원료와, 환원제를 노에 투입하는 준비 공정 (스텝 S12) 과, 노에 있어서, 원료와 환원제를 가열하여 승온하는 승온 공정 (스텝 S14) 을 포함한다.

Description

황화리튬의 제조 방법
본 발명은, 황화리튬의 제조 방법에 관한 것이다.
리튬 전지의 고체 전해질로서 황화리튬이 알려져 있다. 특허문헌 1 에는, 수산화리튬을 비프로톤성 유기 용매 중에서 황화수소와 반응시켜 수황화리튬으로 하고, 추가로 반응을 진행시켜 황화리튬을 제조하는 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 2 에는, 유기 용제를 사용하지 않는 황화리튬의 제조 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 2 에서는, 금속 리튬과 황 증기 또는 황화수소를 반응시켜 금속 리튬 상에 황화리튬을 생성시킨다. 그리고, 미반응의 금속 리튬을 고온으로 하여 용융화하여, 이미 생성되어 있는 황화리튬에 확산, 침투시킨 후, 냉각시킨다. 그리고, 다시 금속 리튬과 황 증기 또는 황화수소를 반응시켜 황화리튬을 생성시킨다. 이와 같은 사이클을 반복하여 금속 리튬을 100 ％ 반응시킨다.
특허문헌 3 에는, 탄산리튬을 황화수소로 반응시켜 황화리튬을 제조하는 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 4 에는, 황화수소를 사용하지 않는 황화리튬의 제조 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 4 에서는, 황산리튬과 탄소 분말을 각각 미립자로 조정하여 혼합함으로써, 반응 면적을 증가시켜 미반응 원료를 저감시킨다.
일본 공개특허공보 2006-151725호 일본 공개특허공보 평9-110404호 일본 공개특허공보 2012-221819호 일본 공개특허공보 2013-227180호
특허문헌 1 에 기재된 기술에서는, 유기 용제를 사용하기 때문에 비용이 증가한다. 특허문헌 2 에 기재된 기술에서는, 반응의 사이클을 반복하여 실시할 필요가 있어 비용이 증가한다. 특허문헌 3 에 기재된 기술에서는, 유독한 황화수소 가스를 사용하므로, 관리가 어렵고, 안전을 확보하는 것이 어려워질 우려가 있다. 특허문헌 4 에 기재된 기술에서는, 미립자로 조정하여 혼합해야 하기 때문에, 공정이 증가한다. 또, 로터리 킬른과 같은 설비로 제조하는 경우, 미립자가 설비의 내부에서 비산하여, 회수량이 저감될 우려가 있다. 이와 같이, 리튬 전지에 사용되는, 이온 전도도가 높은 황화리튬의 제조 방법에는 개선의 여지가 있다.
본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것으로서, 이온 전도도가 높은 황화리튬의 보다 적절한 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 황화리튬의 제조 방법은, 120 ℃ 까지 5 ％ 이상 25 ％ 이하 중량이 감소하는 특성을 갖는 황산리튬을 주성분으로 하는 원료와, 환원제를 노에 투입하는 준비 공정과, 상기 노에 있어서, 상기 원료와 상기 환원제를 가열하여 승온하는 승온 공정을 포함한다.
본 발명에 관련된 황화리튬의 제조 방법은, 이온 전도도가 높은 황화리튬을 보다 적절히 제조할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1 은, 황화리튬의 제조 방법의 공정을 나타내는 플로 차트이다.
도 2 는, 로터리 킬른을 포함하는 제조 장치의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3 은, 본 실시형태에서 승온시킨 경우의 황산리튬 원료의 SEM 사진이다.
도 4 는, 실시예의 시험 결과를 나타내는 그래프이고, X 선 회석 측정의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 5 는, 실시예의 시험 결과를 나타내는 그래프이고, 교류 임피던스 측정을 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 하기의 발명을 실시하기 위한 형태 (이하, 실시형태라고 한다) 에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 하기 실시형태에 있어서의 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것, 이른바 균등한 범위인 것이 포함된다. 또한, 하기 실시형태에서 개시한 구성 요소는 적절히 조합 (調合) 하는 것이 가능하다.
도 1, 도 2 를 사용하여, 황화리튬의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 1 은, 황화리튬의 제조 방법의 공정을 나타내는 플로 차트이다. 도 2 는, 로터리 킬른을 포함하는 제조 장치의 일례를 나타내는 모식도이다.
본 실시형태의 황화리튬의 제조 방법은, 120 ℃ 까지 5 ％ 이상 25 ％ 이하 중량이 감소하는 특성을 갖는 황산리튬을 주성분으로 하는, 원료로서의 황산리튬과, 환원제를 1 개의 노에 넣어 승온하여, 황화리튬을 제조한다.
120 ℃ 까지 5 ％ 이상 25 ％ 이하 중량이 감소하는 특성을 갖는 황산리튬을 주성분으로 하는 원료란, 황산리튬 N 수화물 (N = 0 ∼ 1) 중에서 5 ％ 이상 25 ％ 이하 중량 감소가 일어나는 수화 상태의 황산리튬의 혼합물이다. 이와 같은 황산리튬 N 수화물이면, 승온시의 체적 변화에 의해 황산리튬 표면에 미세한 균열이 발생함으로써 표면적이 증가하여 미반응 잔류물이 감소한다. 5 ％ 미만의 중량 감소로는 원료 전체에 균열을 넣는 데에 충분하지 않다. 또, 25 ％ 이상의 중량 감소의 경우에는, 수분량이 많아 입자끼리가 결합해 버려 환원제와 혼합하기 어려워진다. 또, 균열이 형성하는 데에 필요한 수분 이상을 휘발시키지 않으면 안되어 효율적이지 않다.
황산리튬은, 평균 입경이 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 15 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 본 실시형태의 황화리튬의 제조 방법의 원료인 황산리튬은, 미립자상일 필요가 없다. 이 때문에, 예를 들어, 로터리 킬른 (11) 과 같은 설비를 사용하여 제조하는 경우에 있어서도, 분말상의 황산리튬이 로터리 킬른 (11) 의 킬른 본체 (노) (12) 의 내부에 있어서 비산하여, 회수가 곤란해질 가능성이 저감된다.
환원제는, 예를 들어 활성탄과 같이 탄소를 주성분으로 하는 재료이면 되고, 한정되지 않는다. 본 실시형태에서는, 환원제가 활성탄인 경우에 대해 설명한다. 활성탄은, 평균 입경이 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 황화리튬의 제조 방법은, 황산리튬과 환원제를 노에 투입하는 준비 공정 (스텝 S12) 과, 노를 승온하는 승온 공정 (스텝 S14) 과, 노를 냉각시키는 냉각 공정 (스텝 S16) 을 포함한다.
[준비 공정]
준비 공정은, 황산리튬과 환원제를 소정의 몰비로 노에 투입한다. 또, 준비 공정에서는, 황산리튬과 환원제를 소정의 몰비로 혼합한다. 황산리튬의 환원제인 활성탄에 대한 몰비는, 예를 들어, C/Li2SO4 비로 2 이상 4 이하인 것이 바람직하다.
[승온 공정]
승온 공정은, 노에 있어서, 황산리튬과 환원제를 가열하여 승온한다. 승온 공정에 있어서, 황산리튬은, 탈수됨과 함께, 환원제에 의해 환원된다. 승온 공정에서는, 예를 들어, 이슬점 ―60 ℃ 의 불활성 분위기 하에서, 700 ℃ 이상 950 ℃ 이하, 바람직하게는, 800 ℃ 이상 850 ℃ 이하의 온도 범위로 승온한다. 불활성 가스의 종류로는, 아르곤 또는 질소로 한다. 700 ℃ 이하의 온도 범위에서는, 황산리튬과 환원제의 반응 속도가 느려, 생산성이 낮다. 950 ℃ 이상의 온도 범위에서는, 황화리튬의 융점 이상이므로, 황화리튬이 용해된다. 850 ℃ 이상의 온도 범위에서는, 원료인 황산리튬의 융점 이상이므로, 미반응인 채 잔류하고 있는 황산리튬이 용해된다. 800 ℃ 이상 850 ℃ 이하의 온도 범위에서는, 황산리튬이 융해되지 않아, 입자 형상을 유지한 황화리튬이 얻어진다. 800 ℃ 이상 850 ℃ 이하의 온도 범위는, 반응 속도가 높고, 생산성이 높다.
승온 공정은, 가열을 개시하고 나서 10 ℃/min 이상의 승온 속도로 승온하여, 원하는 온도 범위에 도달하는 것이 바람직하다. 승온 공정은, 원하는 온도 범위에서의 가열 시간이 5 분 이상 90 분 이하인 것이 바람직하다. 가열 시간을 상기의 범위로 하는 것이 바람직한 것은, 장시간 고온에서 유지하고 있으면 점차 입 성장이 일어나, 반응성의 저하가 일어나기 때문이다.
도 3 은, 본 실시형태에서 승온한 경우의 황산리튬 원료의 SEM 사진이다. 승온 공정에 있어서, 본 실시형태의 조건에 의해 황산리튬의 입자는 큰 체적 변화에 의해, 도 3 에 나타내는 바와 같이 미세한 균열 (크랙) 이 들어가, 반응 면적이 넓어진다. 이로써, 미반응인 채 잔류하는 황산리튬이 저감된다. 황산리튬의 입자에 미세한 균열이 들어가기 때문에, 황산리튬을 미세한 분말상으로 조합하는 것을 필요로 하지 않는다.
[냉각 공정]
냉각 공정은, 승온 공정 후, 노를 200 ℃ 이하까지 냉각시킨다. 냉각 공정은, 승온한 노를 자연 냉각시킨다.
냉각 공정 후, 노로부터 황화리튬을 취출한다.
준비 공정과 승온 공정과 냉각 공정은, 예를 들어, 로터리 킬른 (11) 을 갖는 제조 장치 (10) 를 사용하여 실시해도 된다.
[제조 장치]
제조 장치 (10) 는, 원료로서의 황산리튬과, 환원제로서의 활성탄을 1 개의 노에 넣어 승온하여, 황화리튬을 제조하는 장치이다. 제조 장치 (10) 는, 로터리 킬른 (11) 과, 재료 투입 장치 (18) 와, 배출관 (24) 을 포함한다.
로터리 킬른 (11) 은, 킬른 본체 (12) 와, 히터 (14) 와, 구동부 (16) 를 포함한다. 킬른 본체 (12) 는, 통상 부재이다. 킬른 본체 (12) 는, 통형상의 중심축이, 재료 투입 장치 (18) 측의 단부가, 타방의 단부보다 연직 방향 상측이 되도록, 수평 방향에 대해 기울기를 가지고 배치되는 것이 바람직하다. 히터 (14) 는, 킬른 본체 (12) 를 가열한다.
구동부 (16) 는, 킬른 본체 (12) 를 통형상의 중심축을 회전축으로 하여 회전시킨다. 구동부 (16) 는, 구동원 (30) 과, 전달 기구 (32) 를 포함한다. 구동원 (30) 은, 모터 등의 회전력을 발생시킨다. 전달 기구 (32) 는, 구동원 (30) 의 회전력을 킬른 본체 (12) 에 전달한다.
재료 투입 장치 (18) 는, 로터리 킬른 (11) 에 황산리튬과 활성탄을 투입한다. 재료 투입 장치 (18) 는, 재료 저류부 (21) 와, 공급관 (22) 을 포함한다. 재료 저류부 (21) 는, 황산리튬과 활성탄을 저류한다. 공급관 (22) 은, 재료 저류부 (21) 와 킬른 본체 (12) 를 접속한다. 공급관 (22) 은, 킬른 본체 (12) 에 있어서, 황산리튬과 활성탄의 반송 경로의 상류측에 접속되어 있다. 공급관 (22) 은, 재료 저류부 (21) 로부터 킬른 본체 (12) 에 황산리튬과 활성탄을 공급한다.
배출관 (24) 은, 킬른 본체 (12) 의 공급관 (22) 이 접속되어 있는 단부와는 반대측의 단부에 접속되어 있다. 배출관 (24) 은, 킬른 본체 (12) 에 있어서, 황산리튬과 활성탄의 반송 경로의 하류측에 접속되어 있다. 배출관 (24) 은, 킬른 본체 (12) 를 통과하여 제조된 황화리튬이 배출된다.
이와 같이 구성된 제조 장치 (10) 에서는, 먼저, 재료 투입 장치 (18) 로부터, 소정의 몰비의 황산리튬과 활성탄을, 로터리 킬른 (11) 의 킬른 본체 (12) 에 투입한다. 킬른 본체 (12) 에 투입된, 황산리튬과 환원제는 혼합되어 있다. 그리고, 승온 공정에 있어서, 킬른 본체 (12) 가, 히터 (14) 에 의해 가열되면서, 구동부 (16) 에 의해 회전축 둘레로 회전된다. 킬른 본체 (12) 에 공급된 황산리튬과 활성탄은, 킬른 본체 (12) 의 회전에 의해, 반송 경로를 따라, 공급관 (22) 으로부터 배출관 (24) 을 향하여 이동한다. 반송 경로를 이동하는 황산리튬과 활성탄은, 히터 (14) 에 의해 원하는 온도까지 가열된다. 황산리튬과 활성탄이 미립자상은 아니기 때문에, 반송 경로에 있어서의 비산이 억제된다. 그리고, 냉각 공정에 있어서, 히터 (14) 를 정지시켜, 킬른 본체 (12) 와 황화리튬을 냉각시킨다. 그리고, 제조된 황화리튬을 배출관 (24) 으로부터 배출하여, 회수한다.
[본 실시형태의 효과]
본 실시형태에 의하면, 황산리튬과 환원제를 1 개의 노에 넣어 승온하여, 황화리튬을 제조할 수 있다. 본 실시형태에서는, 원료로서 사용하는 황산리튬을 미립자에 조합하는 것을 필요로하지 않기 때문에, 공정의 증가를 억제할 수 있다. 로터리 킬른 (11) 을 갖는 제조 장치 (10) 에서 제조하는 경우, 반송 경로에 있어서의 비산을 억제하여, 회수량이 저감되는 것을 억제할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태는, 로터리 킬른 (11) 을 갖는 제조 장치 (10) 를 사용한 황화리튬의 제조에 적합한 방법을 제공할 수 있다.
본 실시형태에서는, 제조 공정에 있어서, 유독한 황화수소 가스를 사용하지 않는다. 본 실시형태에 의하면, 제조 공정의 관리를 용이하게 할 수 있어, 안전을 확보할 수 있다.
본 실시형태는, 제조 공정에 있어서, 황산리튬과 환원제를 사용하고, 유기 용제를 사용하지 않기 때문에, 비용을 억제할 수 있다.
본 실시형태는, 제조 공정을 반복하여 실시할 필요가 없기 때문에, 제조에 필요로 하는 시간을 단축하여, 비용을 억제할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 의하면, 황화리튬을 보다 적절히 제조할 수 있다.
[실시예]
다음으로, 구체적인 실시예를 사용하여, 황화리튬의 제조 방법에 대해 설명한다. 준비 공정에 있어서, 원료인 황산리튬 일수화물 0.84 g 과, 환원제인 활성탄 0.19 g 을, 불활성 분위기 하에서 칭량하여 유발로 혼합하였다. 여기서 사용하는 황산리튬 일수화물의 120 ℃ 까지의 승온시의 중량 감소는, 대략 15 ％ 정도이다. 황산리튬 일수화물과 활성탄의 혼합물을, 산화알루미늄으로 형성된 도가니에 투입하였다.
준비 공정 후, 승온 공정에 있어서, 황산리튬 일수화물과 활성탄의 혼합물이 투입된 도가니를, 소형의 머플로에 넣고, 10 분간 동안 850 ℃ 까지 승온하였다. 850 ℃ 의 상태를 30 분 유지하였다.
승온 공정의 종료 후, 냉각 공정에 있어서, 머플로의 내부를 자연 냉각시켜, 시료를 회수하였다.
제조한 시료는, 마노 유발로 분쇄한 후, Burker 사 제조의 D8ADVANCE 장치를 사용하여 분말 X 선 회석 측정을 실시하여, 미반응 잔류물을 평가하였다. 또, 분쇄한 시료는, 도전율 측정용 셀에 0.3 g 충전한 후, 실온 25 ℃ 에 있어서, 360 Mpa 의 압력을 인가한 상태에서, 1 Hz 이상 7 ㎒ 이하의 측정 범위에 있어서, 교류 임피던스 측정을 실시하였다.
실시예에서는, 원료로서, 황산리튬 일수화물을 사용하였다. 실시예에서는, 환원제로서, 활성탄을 사용하였다. 실시예에서는, 활성탄소의 탄소와 산소의 몰비 (C/O2) 는, 1.2 로 하였다. 실시예에서는, 승온 공정의 온도는 850 ℃ 로 하였다. 실시예 1 내지 실시예 3 에서는, 원료의 평균 입경을 변화시켰다.
원료인 황산리튬 일수화물의 평균 입경이 80 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 범위를「대」, 30 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 범위를「중」, 15 ㎛ 이하의 범위를「소」로 하였다.
비교예에서는, 원료로서, 황산리튬 일수화물 대신에 황산리튬 무수물을 사용하였다. 비교예에서는, 실시예와 동일한 환원제를 사용하였다. 비교예 1 내지 비교예 5 에서는, 원료의 평균 입경과, 온도를 변화시켰다.
[실시예 1]
실시예 1 에서는, 황산리튬 일수화물의 평균 입경을「대」로 하였다. 실시예 1 에서 제조한 시료의 교류 임피던스 측정의 측정 결과를 도 5 에 나타낸다.
[실시예 2]
실시예 2 에서는, 황산리튬 일수화물의 평균 입경을「중」으로 하였다. 실시예 2 에서 제조한 시료의 분말 X 선 회석 측정의 측정 결과를 도 4 에 나타낸다. 실시예 2 에서 제조한 시료의 교류 임피던스 측정의 측정 결과를 도 5 에 나타낸다.
[실시예 3]
실시예 3 에서는, 황산리튬 일수화물의 평균 입경을「중」으로 하였다. 실시예 3 에서 제조한 시료의 교류 임피던스 측정의 측정 결과를 도 5 에 나타낸다.
[비교예 1]
비교예 1 에서는, 황산리튬 무수물의 평균 입경을「대」로 하였다. 비교예 1 에서는, 승온 공정에서의 온도는 850 ℃ 로 하였다. 비교예에서 사용하는 황산리튬 무수물의 120 ℃ 까지 승온시의 중량 감소는, 대략 5 ％ 미만이다.
[비교예 2]
비교예 2 에서는, 황산리튬 무수물의 평균 입경을「중」으로 하였다. 비교예 2 에서는, 승온 공정에서의 온도는 850 ℃ 로 하였다. 비교예 2 에서 제조한 시료의 분말 X 선 회석 측정의 측정 결과를 도 4 에 나타낸다. 비교예 2 에서 제조한 시료의 교류 임피던스 측정의 측정 결과를 도 5 에 나타낸다.
[비교예 3]
비교예 3 에서는, 황산리튬 무수물의 평균 입경을「소」로 하였다. 비교예 3 에서는, 승온 공정에서의 온도는 850 ℃ 로 하였다. 비교예 3 에서 제조한 시료의 교류 임피던스 측정의 측정 결과를 도 5 에 나타낸다.
[비교예 4]
비교예 4 에서는, 황산리튬 무수물의 평균 입경을「소」로 하였다. 비교예 4 에서는, 승온 공정에서의 온도는 750 ℃ 로 하였다.
[비교예 5]
비교예 5 에서는, 황산리튬 무수물의 평균 입경을「소」로 하였다. 비교예 5 에서는, 승온 공정에서의 온도는 900 ℃ 로 하였다.
상기 실시예 1, 실시예 2, 실시예 3, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3, 비교예 4, 비교예 5 의 측정 결과를 하기 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
도 4 는, 실시예의 시험 결과를 나타내는 그래프이고, X 선 회석 측정의 측정 결과를 나타내는 그래프이다. 표 1 로부터, 실시예 1 내지 실시예 3 에서는, 미반응 잔류물이 보이지 않았다. 실시예 1 은, 미반응 잔류물이 회색의 분말상으로 되어 있다. 실시예 2, 실시예 3 은, 미반응 잔류물이 백색의 분말상으로 되어 있다. 도 4 로부터, 실시예 2 에서는, 황화리튬의 피크만 나타나고, 원료인 황산리튬의 피크가 나타나 있지 않은 것을 알 수 있다. 실시예 1, 실시예 3 도, 동일한 X 선 회석 측정의 측정 결과가 얻어진다. 비교예 1 에서는, 미반응 잔류물의 탄소가 있어, 흑색의 분말이 되어 있다. 비교예 2 에서는, 미반응 잔류물의 탄소가 약간 있어, 회색의 분말이 되어 있다. 비교예 3 에서는, 미반응 잔류물이 보이지 않아, 백색의 분말이 되어 있다. 비교예 4 에서는, 미반응 잔류물의 탄소가 있어, 흑색의 분말이 되어 있다. 비교예 5 에서는, 미반응 잔류물이 보이지 않지만, 시료가 용융되어 괴상이 되어 있다. 이것들에 의해, 실시예는, 비교예보다, 미반응 잔류물을 저감시킬 수 있다. 실시예에 있어서는, 황산리튬 일수화물의 평균 입경이 작을수록, 미반응 잔류물을 저감시킬 수 있다. 비교예 3 은 실시예와 동등한 결과이지만 원료의 미세화 공정이 필요하다. 본 시험으로부터, 원료로서 황산리튬 일수화물을 사용한 경우, 미반응 잔류물을 저감시켜, 황화리튬을 보다 적절히 제조할 수 있는 것을 확인하였다.
도 5 는, 실시예의 시험 결과를 나타내는 그래프이고, 교류 임피던스 측정을 나타내는 그래프이다. 도 5 및 표 1 로부터, 실시예 1 내지 실시예 3 에서는, 교류 임피던스가 작다. 비교예 2, 비교예 3 에서는, 탄소가 약간 있거나, 또는 남아 있지 않기 때문에, 교류 임피던스를 측정할 수 있지만, 실시예 1 내지 실시예 3 에 비해 뒤떨어져 있다. 비교예 1, 비교예 4 에서는, 탄소가 남아 있기 때문에 단락되어, 교류 임피던스의 측정이 불가능하다. 비교예 5 는, 용융한 시료가 도가니에 부착되어 있어, 소량으로의 처리로는 회수할 수 없다. 이것들에 의해 실시예는, 비교예보다, 이온 도전율을 높게 할 수 있다. 실시예에 있어서는, 황산리튬 일수화물의 평균 입경이 작을수록, 이온 도전율을 높게 할 수 있다. 본 시험으로부터, 원료로서 황산리튬 일수화물을 사용한 경우, 이온 도전율이 높은 황화리튬을 보다 적절히 제조할 수 있는 것을 확인하였다.
이상으로부터, 황화리튬의 제조 방법에 있어서, 황산리튬 일수화물의 평균 입경이「중」또는「소」의 범위에 포함되는 황산리튬 일수화물을 사용함으로써, 미반응 잔류물이 적고, 이온 전도율이 높은 황산리튬이 얻어진다. 이상으로부터, 상기 서술한 조건에서 제조를 실시함으로써, 원하는 이온 도전율을 갖는 황산리튬을 적절히 제조할 수 있는 것을 알 수 있다.
10 : 제조 장치
11 : 로터리 킬른
12 : 킬른 본체 (노)
14 : 히터
16 : 구동부
18 : 재료 투입 장치
21 : 재료 저류부
22 : 공급관

Claims (4)

120 ℃ 까지 5 ％ 이상 25 ％ 이하 중량이 감소하는 특성을 갖는 황산리튬을 주성분으로 하는 원료와, 환원제를 노에 투입하는 준비 공정과,
상기 노에 있어서, 상기 원료와 상기 환원제를 가열하여 승온하는 승온 공정을 포함하는 황화리튬의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 승온 공정에서는, 혼합된 상기 원료와 상기 환원제를 승온하는, 황화리튬의 제조 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 승온 공정에서는, 이슬점 ―60 ℃ 의 불활성 분위기 하에서, 700 ℃ 이상 950 ℃ 이하, 바람직하게는, 800 ℃ 이상 850 ℃ 이하로 가열하는, 황화리튬의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 승온 공정은, 승온 속도가 10 ℃/분 이상인, 황화리튬의 제조 방법.
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