KR20220154049A - 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판 표면에 있어서의 선폭 분포를 용이하게 조정한다. 본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 방법은, 기판에 대하여 현상 처리를 실시하는 것을 포함한다. 이 현상 처리는, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하도록 기판의 표면에 대하여 현상액을 공급하는 것과, 기판의 표면에 있어서의 현상을 진행시키도록, 현상액의 액막을 기판의 표면 상에 유지하는 것과, 기판의 표면 상에 현상액의 액막을 유지하고 있는 동안에, 기판의 표면의 주연 영역보다 내측에 위치하는 내부 영역에 대하여 가스를 공급하는 제 1 처리와, 주연 영역과 내부 영역과의 사이에서 현상의 정도를 조정하도록, 주연 영역에 대하여 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액을 공급하는 제 2 처리를 실행하는 것을 포함한다. 기판 처리 방법은, 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 제 2 처리를 개시하고, 또한, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 종료한다.

Description

기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 기판 유지 수단과, 현상액 공급 수단과, 린스액 공급 수단을 구비하는 기판의 현상 처리 장치가 개시되어 있다. 이 현상 처리 장치의 린스액 공급 수단은, 수평 방향으로 이동하면서 슬릿 형상 토출구로부터 기판 상에 린스액을 토출하여 현상액에 의한 현상 반응을 정지시키고 있다.
일본특허공개공보 2003-257849호
본 개시는, 기판 표면에 있어서의 선폭 분포를 용이하게 조정하는 것이 가능한 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치를 제공한다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 방법은, 기판에 대하여 현상 처리를 실시하는 것을 포함한다. 이 현상 처리는, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하도록 기판의 표면에 대하여 현상액을 공급하는 것과, 기판의 표면에 있어서의 현상을 진행시키도록, 현상액의 액막을 기판의 표면 상에 유지하는 것과, 기판의 표면 상에 현상액의 액막을 유지하고 있는 동안에, 기판의 표면의 주연 영역보다 내측에 위치하는 내부 영역에 대하여 가스를 공급하는 제 1 처리와, 주연 영역과 내부 영역과의 사이에서 현상의 정도를 조정하도록, 주연 영역에 대하여 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액을 공급하는 제 2 처리를 실행하는 것을 포함한다. 기판 처리 방법은, 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 제 2 처리를 개시하고, 또한, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 종료한다.
본 개시에 따르면, 기판 표면에 있어서의 선폭 분포를 용이하게 조정하는 것이 가능한 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치가 제공된다.
도 1은 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 2는 도포 현상 장치의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3은 현상 유닛의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 현상액을 토출하는 노즐의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 5는 제어 장치의 기능 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 6은 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 7은 현상 처리의 처리 레시피의 일례를 나타내는 도이다.
도 8은 파라미터의 설정 방법의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 9는 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 10의 (a)는 현상액의 액막을 형성할 시의 동작의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 10의 (b)는 현상액의 액막이 형성된 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는 가스를 공급할 시의 동작의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 12의 (a) 및 도 12의 (b)는 조정액을 공급할 시의 동작의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는 린스 처리에서의 동작의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 14는 회귀식을 생성하기 위하여 계측된 실측 데이터의 일례를 나타내는 표이다.
도 15의 (a)는 워크의 표면에 설정된 계측 위치의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 15의 (b)는 회귀식의 일례를 설명하기 위한 그래프이다.
도 16의 (a)는 다항식 회귀에 의한 회귀식의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 16의 (b)는 릿지 회귀에 의한 회귀식의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 17은 회귀식을 이용한 파라미터의 산출 방법의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 18의 (a)는 선폭 분포를 예측할 시의 설정 화상의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 18의 (b)는 예측 결과를 나타내는 화상의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 19는 조건 설정 후의 기판 처리 방법의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 20의 (a)는 제 1 실험예에 따른 선폭 분포의 계측 결과의 일례를 나타내는 그래프이다. 도 20의 (b)는 제 2 실험예에 따른 선폭 분포의 일례를 나타내는 그래프이다.
먼저 실시 형태의 개요에 대하여 설명한다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 방법은, 기판에 대하여 현상 처리를 실시하는 것을 포함한다. 이 현상 처리는, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하도록 기판의 표면에 대하여 현상액을 공급하는 것과, 기판의 표면에 있어서의 현상을 진행시키도록, 현상액의 액막을 기판의 표면 상에 유지하는 것과, 기판의 표면 상에 현상액의 액막을 유지하고 있는 동안에, 기판의 표면의 주연 영역보다 내측에 위치하는 내부 영역에 대하여 가스를 공급하는 제 1 처리와, 주연 영역과 내부 영역과의 사이에서 현상의 정도를 조정하도록, 주연 영역에 대하여 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액을 공급하는 제 2 처리를 실행하는 것을 포함한다. 기판 처리 방법은, 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 제 2 처리를 개시하고, 또한, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 종료한다.
가스의 공급에 의해 현상액의 액막의 온도를 저하시켜 현상을 촉진시킬 수 있고, 가스 공급 후에 있어서의 조정액의 공급에 의해 현상의 진행을 억제할 수 있다. 이 때문에, 상기 기판 처리 방법에서는, 가스 및 조정액의 공급에 의해, 내부 영역과 주연 영역과의 사이에서 현상의 정도를 조정할 수 있다. 현상의 정도에 따라 현상 후의 선폭이 변화하므로, 상기 기판 처리 방법에서는, 기판 면내에 있어서의 선폭 분포를 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
상기 기판 처리 방법은, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 개시해도 된다. 현상액의 액막을 기판의 표면 상에 유지하는 것은, 제 1 처리의 종료 시점부터 제 2 처리의 개시 시점까지의 사이에, 기판의 표면에 있어서의 현상액의 액막의 유지를 계속하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 내부 영역에 가스를 공급하는 기간과 주연 영역에 조정액을 공급하는 기간이 서로 겹치지 않는다. 이 때문에, 제 1 처리 및 제 2 처리에서의 일방으로부터 타방으로의 영향을 억제할 수 있어, 선폭 분포를 보다 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
상기 기판 처리 방법은, 기판에 대하여 현상 처리를 실시하는 것 전에, 제 1 처리의 조건에 관한 제 1 파라미터와 제 2 처리의 조건에 관한 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것을 더 포함해도 된다. 현상 처리에 있어서 제 1 처리와 제 2 처리를 실행하는 것은, 조절된 제 1 파라미터에 따라 제 1 처리를 실행하는 것과, 조절된 제 2 파라미터에 따라 제 2 처리를 실행하는 것을 포함해도 된다. 제 1 처리에서의 가스의 공급은 내부 영역에 있어서의 선폭에 영향을 미치고, 제 2 처리에서의 조정액의 공급은 주연 영역에 있어서의 선폭에 영향을 미친다. 이 때문에, 제 1 처리 및 제 2 처리 각각의 조건에 관한 파라미터의 조절에 의해, 현상 후의 선폭 분포가 변화한다. 따라서, 상기 방법에서는, 파라미터의 조절에 의해 선폭 분포를 목표로 하는 분포에 용이하게 근접하는 것이 가능해진다.
상기 기판 처리 방법은, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것 전에, 현상 후의 기판의 표면에 있어서의 선폭 분포를 예측하기 위한 추정 정보를 생성하는 것을 더 포함해도 된다. 추정 정보를 생성하는 것은, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 중 적어도 일방이 상이한 복수의 테스트 조건을 나타내는 정보를 취득하는 것과, 복수의 테스트 조건에 포함되는 테스트 조건마다, 현상 처리에 대응하는 테스트 현상 처리를 테스트용 기판에 대하여 실시하는 것과, 테스트 조건마다, 현상 후의 테스트용 기판의 표면에 있어서의 선폭 분포의 실측 데이터를 취득하는 것과, 실측 데이터에 기초하여, 테스트용 기판의 표면에 있어서의 복수의 위치 각각에 대하여, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터와 선폭과의 관계를 나타내는 회귀식을 생성하는 것을 포함해도 된다. 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것은, 현상 후의 기판의 표면에 있어서의 선폭 분포가 정해진 조건을 충족하도록, 상기 회귀식에 기초하여, 현상 처리를 실행할 시의 제 1 파라미터의 설정값과 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 추정 정보를 이용하여, 제 1 처리 및 제 2 처리 각각의 조건의 변화에 따른 선폭 분포에 대한 영향을 정량적으로 평가할 수 있다. 따라서, 오퍼레이터 등에 의한 시행 착오 또는 경험 등에 기초하지 않고, 선폭 분포가 정해진 조건을 충족하도록 처리 조건을 조절하는 것이 가능해진다.
회귀식에 기초하여 제 1 파라미터의 설정값과 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 것은, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각을 복수 단계로 변화시켰을 시의 변화시키는 단계의 조합마다, 회귀식에 기초하여 현상 후의 선폭 분포의 예측 데이터를 산출하는 것과, 예측 데이터에 있어서, 선폭 분포의 균일성이 가장 높아지는 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 조합의 값 각각을, 제 1 파라미터의 설정값 및 제 2 파라미터의 설정값으로서 취득하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각이 산출된 설정값으로 설정된 다음 현상 처리가 행해짐으로써, 면내 균일성이 향상된 선폭 분포를 얻을 수 있다. 따라서, 상기 방법은, 기판 면내에 있어서의 선폭 분포의 균일성을 용이하게 향상시키는 것이 가능해진다.
회귀식을 생성하는 것은, 실측 데이터와, 당해 실측 데이터가 얻어진 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각의 값에 기초하여 릿지 회귀 분석을 행함으로써, 회귀식을 생성하는 것을 포함해도 된다. 릿지 회귀 분석을 행함으로써, 실측 데이터의 수가 적어도 과학습을 완화할 수 있다. 따라서, 상기 방법은, 예측 정밀도의 향상과 처리 조건의 조절의 단축화의 양립을 도모하는 것이 가능해진다.
현상 처리는, 현상액의 액막을 유지하는 것 후에, 기판의 표면에 대하여 린스액을 공급하는 것을 더 포함해도 된다. 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것은, 현상액의 공급의 개시 시점부터, 린스액의 공급의 개시 시점까지의 시간을 정하는 조건을 변화시키지 않고, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 현상 처리의 실행 시간을 변화시키지 않고, 선폭 분포의 조정을 행할 수 있다. 이 때문에, 스루풋을 변화시키지 않고, 선폭 분포를 조정하는 것이 가능해진다.
제 1 파라미터는, 제 1 처리의 실행 시간이어도 된다. 제 1 처리의 실행 시간과 내부 영역에서의 선폭과의 사이에 강한 상관 관계가 있는 것이 발견되었다. 이 때문에, 상기 방법에서는, 제 1 처리의 실행 시간을 조절함으로써, 선폭 분포를 보다 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
제 2 파라미터는, 현상 처리에 있어서의 제 2 처리의 개시 타이밍이어도 된다. 제 2 처리의 개시 타이밍과 주연 영역에서의 선폭과의 사이에 강한 상관 관계가 있는 것이 발견되었다. 이 때문에, 상기 방법에서는, 제 2 처리의 개시 타이밍을 조절함으로써, 선폭 분포를 보다 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
본 개시의 일측면에 따른 기억 매체는, 상기의 어느 하나의 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, i선에 의해 노광된 상태의 레지스트막이 표면에 형성된 기판을 유지하는 유지부와, 유지부에 유지된 기판의 표면에 대하여 현상액을 공급하는 현상액 공급부와, 유지부에 유지된 기판의 표면의 주연 영역에 대하여, 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액을 공급하는 조정액 공급부와, 유지부에 유지된 기판의 표면의 주연 영역보다 내측에 위치하는 내부 영역에 대하여 가스를 공급하는 가스 공급부를 가지는 현상 유닛과, 기판에 대하여 현상 처리를 실시하도록 현상 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비한다. 현상 처리는, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하도록, 현상액 공급부에 의해 기판의 표면에 대하여 현상액을 공급하는 것과, 기판의 표면에 있어서의 현상을 진행시키도록, 유지부에 의해 현상액의 액막을 기판의 표면 상에 유지하는 것과, 유지부에 의해 기판의 표면 상에 현상액의 액막을 유지하고 있는 동안에, 가스 공급부에 의해 내부 영역에 대하여 가스를 공급하는 제 1 처리와, 주연 영역과 내부 영역과의 사이에서 현상의 정도를 조정하도록, 조정액 공급부에 의해 주연 영역에 대하여 조정액을 공급하는 제 2 처리를 실행하는 것을 포함한다. 제어 유닛은, 현상 처리에 있어서, 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 제 2 처리를 개시하고, 또한, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 종료한다. 이 기판 처리 장치에서는, 상술한 기판 처리 방법과 마찬가지로, 기판 면내에 있어서의 선폭 분포를 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
이하, 도면을 참조하여 일실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
[기판 처리 시스템]
도 1에 나타나는 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치)은, 워크(W)에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상인 워크(W)는, 예를 들면 기판, 혹은 정해진 처리가 실시됨으로써 막 또는 회로 등이 형성된 상태의 기판이다. 당해 기판은, 일례로서, 실리콘 웨이퍼이다. 워크(W)(기판)는 원형이어도 된다. 워크(W)는 글라스 기판, 마스크 기판 또는 FPD(Flat Panel Display) 등이어도 된다. 워크(W)의 가장자리에 베벨(면취)이 존재하는 경우, 본 개시에 있어서의 워크(W)의 '표면'에는, 워크(W)의 표면측에서 봤을 때의 베벨 부분도 포함된다. 감광성 피막은, 예를 들면 레지스트막이다.
도 1 및 도 2에 나타나는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은 도포 현상 장치(2)와, 노광 장치(3)와, 제어 장치(100)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 워크(W)(기판)에 형성된 레지스트막(감광성 피막)을 노광하는 장치이다. 구체적으로, 노광 장치(3)는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 에너지선은, 예를 들면, 전리 방사선 또는 비전리 방사선이다.
전리 방사선은, 원자 또는 분자를 전리시키는데 충분한 에너지를 가지는 방사선이다. 전리 방사선은 극단 자외선(EUV : Extreme Ultraviolet), 전자선, 이온 빔, X선, α선, β선, γ선, 중립자선, 양자선 등이어도 된다. 비전리 방사선은, 원자 또는 분자를 전리시키는데 충분한 에너지를 가지지 않는 방사선이다. 비전리 방사선은 g선, i선, KrF 엑시머 레이져, ArF 엑시머 레이져, F2 엑시머 레이져 등이어도 된다. 이하에서는, 노광용의 에너지선으로서 i선이 이용되는 경우를 예시한다.
도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 워크(W)의 표면에 레지스트(약액)를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상을 행한다. 현상이 행해지기 전의 레지스트막은, i선에 의해 노광되어 있다. 즉, 현상이 행해지기 전의 레지스트막의 노광 대상 부분에는, 노광 장치(3)에 의해 선택적으로 i선이 조사되어 있다. 도포 현상 장치(2)는 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)을 구비한다.
캐리어 블록(4)은, 도포 현상 장치(2) 내로의 워크(W)의 도입 및 도포 현상 장치(2) 내로부터의 워크(W)의 도출을 행한다. 캐리어 블록(4)은, 예를 들면, 워크(W)용의 복수의 캐리어(C)를 지지 가능하며, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A1)를 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예를 들면 원형의 복수 매의 워크(W)를 수용한다. 반송 장치(A1)는, 캐리어(C)로부터 워크(W)를 취출하여 처리 블록(5)에 건네고, 처리 블록(5)으로부터 워크(W)를 수취하여 캐리어(C) 내로 되돌린다. 처리 블록(5)은 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 가진다.
처리 모듈(11)은 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(11)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 액 처리 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 처리액을 워크(W) 상에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(12)은 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(12)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 액 처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액을 하층막 상에 도포한다. 액 처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액으로서, i선의 노광에 의해 패턴의 형성이 가능한 약액을 하층막 상에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(13)은 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(13)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 액 처리 유닛(U1)은, 상층막 형성용의 처리액을 레지스트막 상에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(14)은 현상 유닛(U3)과, 열 처리 유닛(U4)과, 계측 유닛(U5)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(14)은, 현상 유닛(U3) 및 열 처리 유닛(U4)에 의해, 노광 처리가 실시된 레지스트막의 현상 및 현상에 수반하는 열 처리를 행한다. 현상 유닛(U3)은, 현상액을 이용한 액 처리를 워크(W)에 대하여 실시하는 유닛이다. 현상 유닛(U3)은, 노광이 끝난 워크(W)의 표면 상에 현상액을 공급함으로써, 워크(W)의 표면 상에 현상액의 액막(퍼들)을 형성한다.
현상 유닛(U3)은, 워크(W)의 표면 상에 현상액의 액막을 유지함(예를 들면 정지 현상함)으로써, 레지스트막의 현상을 행한다. 현상액의 액막을 유지하고 있는 동안에서는, 배기 등에 수반하는 기류의 영향에 의해, 워크(W)의 주연 부분부터의 방열이 촉진되기 쉽다. 그 결과, 현상을 실행하고 있는 동안에 있어서, 워크(W)의 표면 내에 있어서 온도차가 생길 수 있다. 이 경우, 워크(W)의 표면 내에 있어서 현상의 진행에 차가 생길 수 있다. 특히 i선용의 레지스트막이 이용되는 경우, 다른 약액에 의해 형성되는 레지스트막에서는 현상액의 액막을 형성하고 나서 수 초 정도에서 현상의 정도가 정해지는데 대하여, 현상액의 액막이 유지되고 있는 동안은 대략 일정한 비율로 현상이 계속 진행되는 경향이 있다.
이상으로부터, i선용의 레지스트막이 이용되는 경우에는, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서 온도차에 기인한 현상의 정도의 차가 나타나기 쉽다. 구체적으로, 주연 영역에서는 온도가 낮아지기 때문에 현상이 보다 진행되어, 주연 영역에서의 레지스트 패턴의 선폭이 가늘어질 수 있다. 이에 대하여, 기판 처리 시스템(1)에서는, 워크(W)의 표면 내에 있어서 현상의 정도의 조정이 행해진다. 워크(W)의 표면 내에 있어서 현상의 정도를 조정하는 방법에 대해서는 후술한다.
현상 유닛(U3)은, 현상액에 의한 현상을 행한 후, 워크(W)의 표면 상의 현상액을 린스액에 의해 씻어낸다. 열 처리 유닛(U4)은, 현상에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리의 구체예로서는, 현상 전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 및 현상 후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 들 수 있다. 계측 유닛(U5)은, 현상이 행해진 워크(W)의 표면에 있어서의 레지스트 패턴의 선폭을 계측한다. 계측 유닛(U5)은, 어떠한 형식으로 레지스트 패턴의 선폭을 계측해도 된다. 계측 유닛(U5)은, 예를 들면, 워크(W)의 표면 전체에 점재하는 복수의 계측 위치 각각에 있어서 선폭을 계측할 수 있도록 구성되어 있다. 계측 유닛(U5)은, 현상 후의 워크(W)의 표면을 촬상함으로써 얻어지는 화상에 기초하여, 선폭을 계측해도 된다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암을 포함하는 반송 장치(A7)가 마련되어 있다. 반송 장치(A7)는, 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 워크(W)를 승강시킨다. 처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다.
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 워크(W)의 전달을 행한다. 인터페이스 블록(6)은, 예를 들면, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A8)를 내장하고 있고, 노광 장치(3)에 접속된다. 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)에 배치된 워크(W)를 노광 장치(3)에 건넨다. 반송 장치(A8)는, 노광 장치(3)로부터 워크(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.
제어 장치(100)(제어 유닛)는, 도포 현상 장치(2)를 부분적 및 전체적으로 제어하도록 구성되어 있다. 제어 장치(100)는, 예를 들면 이하의 순서로 도포 현상 처리를 실행하도록 도포 현상 장치(2)를 제어한다. 먼저 제어 장치(100)는, 캐리어(C) 내의 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 반송하도록 반송 장치(A1)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(11)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(11) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 하층막이 형성된 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(12)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(12) 내의 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 표면에 대하여 레지스트막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(13)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(13) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 이 워크(W)의 레지스트막 상에 상층막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U11)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 노광 장치(3)로 보내도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, i선을 이용한 노광 처리가 실시된 워크(W)를 노광 장치(3)로부터 받아, 선반 유닛(U11)에 있어서의 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A8)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 처리 모듈(14) 내의 각 유닛으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)의 레지스트막의 현상을 행하도록 현상 유닛(U3) 및 열 처리 유닛(U4)을 제어한다. 레지스트막의 현상이 행해짐으로써, 워크(W)의 표면에는, 레지스트 패턴이 형성된다.
이 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 캐리어(C) 내로 되돌리도록 반송 장치(A7) 및 반송 장치(A1)를 제어한다. 이상에 의해 1 매의 워크(W)에 대한 도포 현상 처리가 완료된다. 제어 장치(100)는, 후속의 복수의 워크(W)의 각각에 대해서도, 상술과 마찬가지로 도포 현상 처리를 도포 현상 장치(2)에 실행시킨다.
제어 장치(100)에는, 입출력 디바이스(102)가 접속되어 있어도 된다. 입출력 디바이스(102)는, 오퍼레이터 등의 유저로부터의 지시를 나타내는 입력 정보를 제어 장치(100)에 입력하고, 또한 제어 장치(100)로부터의 정보를 유저에게 출력하기 위한 장치이다. 입출력 디바이스(102)는 입력 디바이스로서, 키보드, 조작 패널 또는 마우스를 포함하고 있어도 되며, 출력 디바이스로서, 모니터(예를 들면 액정 디스플레이)를 포함하고 있어도 된다. 입출력 디바이스(102)는, 입력 디바이스 및 출력 디바이스가 일체화된 터치 패널이어도 된다. 제어 장치(100) 및 입출력 디바이스(102)가 일체화되어 있어도 된다.
기판 처리 장치의 구체적인 구성은, 이상에 예시한 기판 처리 시스템(1)의 구성에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치는, 레지스트막이 형성된 상태의 기판에 대하여 현상을 실시하는 현상 유닛, 및 이를 제어 가능한 제어 장치를 구비하고 있으면 어떠한 것이어도 된다.
(현상 유닛)
이어서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 처리 모듈(14)의 현상 유닛(U3)에 대하여 상세하게 설명한다. 현상 유닛(U3)은, 예를 들면, 도 3에 나타나는 바와 같이, 하우징(H)과, 회전 유지부(20)와, 현상액 공급부(30)와, 조정액 공급부(40)와, 가스 공급부(50)와, 커버 부재(70)와, 블로어(B)를 가진다. 하우징(H)은 회전 유지부(20), 현상액 공급부(30), 조정액 공급부(40), 가스 공급부(50), 커버 부재(70) 및 블로어(B)를 수용한다.
회전 유지부(20)(유지부)는, 워크(W)를 유지하여 회전시킨다. 회전 유지부(20)는, 워크(W)를 회전시키지 않는 상태로 유지하는 것과, 워크(W)를 회전시키면서 유지하는 것이 가능하다. 회전 유지부(20)는 예를 들면, 회전 구동부(22)와, 샤프트(24)와, 유지부(26)를 포함한다. 회전 구동부(22)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 동작하고, 샤프트(24)를 회전시킨다. 회전 구동부(22)는, 예를 들면 전동 모터 등의 동력원을 포함한다.
유지부(26)는, 샤프트(24)의 선단부에 마련되어 있다. 유지부(26) 상에는 워크(W)가 배치된다. 유지부(26)는, 예를 들면 흡착 등에 의해 워크(W)를 대략 수평으로 유지한다. 회전 유지부(20)는, 워크(W)의 자세가 대략 수평인 상태로, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 수직인 중심축(회전축) 둘레로 워크(W)를 회전시킨다. 유지부(26)는, 상기 회전축이 워크(W)의 중심(CP)(도 4의 (b) 참조)에 대략 일치하도록, 워크(W)를 유지해도 된다.
현상액 공급부(30)는, 회전 유지부(20)(유지부(26))에 유지된 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 정해진 약액을 공급한다. 현상액 공급부(30)에 의해 공급되는 약액은, 현상액(L1)이다. 현상액(L1)은, 워크(W)의 표면(Wa)에 형성되어 있는 레지스트막(이하, '레지스트막(R)'이라 함)에 대하여 현상을 실시하기 위한 약액이다. 본 개시에 있어서, 액체 또는 기체 등의 유체(예를 들면, 현상액(L1))를 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 공급하는 것은, 그 표면(Wa)에 형성되어 있는 레지스트막(R) 또는 액막 등의 막에 대하여 당해 유체를 접촉시키는 것에 상당한다.
현상액 공급부(30)는, 예를 들면, 송액부(32)와, 구동부(34)와, 현상 노즐(36)을 포함한다. 송액부(32)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 현상액(L1)을, 펌프 등(도시하지 않음)에 의해 현상 노즐(36)로 보낸다. 구동부(34)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여, 적어도 워크(W)의 표면(Wa)을 따른 방향(수평 방향)에 있어서 현상 노즐(36)을 이동시킨다.
현상 노즐(36)은, 송액부(32)로부터 공급되는 현상액(L1)을, 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 토출한다. 현상 노즐(36)은, 워크(W)의 표면(Wa)을 따라 일방향으로 연장되는 영역(이하, '토출 영역(DA)'이라 함)에 현상액(L1)을 토출 가능해도 된다. 현상 노즐(36)은, 예를 들면, 도 4의 (a)에 나타나는 바와 같이, 복수의 토출구(36a)를 포함한다. 복수의 토출구(36a)는, 수평인 일방향을 따라 배열되어 있다. 복수의 토출구(36a) 각각으로부터 토출된 현상액(L1)이, 워크(W)의 표면(Wa)에 달했을 시에는, 복수의 토출구(36a) 각각으로부터의 현상액(L1)의 부착 영역이 일방향으로 배열된다. 이 일방향으로 배열되는 복수의 부착 영역에 의해, 도 4의 (b)에 나타나는 바와 같이 현상 노즐(36)에 의한 상기 토출 영역(DA)이 형성된다.
현상 노즐(36)은, 복수의 토출구(36a)가 배열되는 방향에 있어서, 상기 토출 영역(DA)이 워크(W)의 중심(CP)과 겹쳐지도록 배치되어 있다. 현상 노즐(36)의 긴 방향의 중앙의 위치가, 복수의 토출구(36a)가 배열되는 방향에 있어서 중심(CP)에 대략 일치하고 있어도 된다. 혹은, 현상 노즐(36)의 긴 방향의 중앙의 위치가, 복수의 토출구(36a)가 배열되는 방향에 있어서 중심(CP)에 대하여 어긋나 있어도 된다. 현상 노즐(36)의 긴 방향의 길이는, 워크(W)의 직경보다 짧아도 된다. 토출 영역(DA)의 연장 방향의 길이는, 현상 노즐(36)의 긴 방향의 길이에 대략 일치하고 있어도 된다.
구동부(34)는, 현상 노즐(36)에 의한 토출 영역(DA)에 교차하는 방향(이하, '이동 방향'이라 함)을 따라, 현상 노즐(36)을 이동시켜도 된다. 일례에서는, 구동부(34)는, 토출 영역(DA)이 워크(W)의 표면(Wa)의 주연(Wb)(단부)과 중심(CP)을 포함하는 중앙 영역과의 사이에서 이동하도록, 현상 노즐(36)을 상기 이동 방향을 따라 이동시킨다. 현상 노즐(36)은, 연직 하방 또는 기울기 하방을 향해 현상액(L1)을 토출해도 된다. 도 4의 (b)에는, 현상 노즐(36)로부터의 현상액(L1)의 토출 방향이 기울기 하방인 경우가 예시되어 있다.
도 3으로 돌아와, 조정액 공급부(40)는, 회전 유지부(20)(유지부(26))에 유지된 워크(W)의 표면(Wa)의 주연 영역에 대하여 정해진 액을 공급한다. 조정액 공급부(40)에 의해 공급되는 액은, 조정액(L2)이다. 조정액(L2)은, 현상액(L1)에 의한 레지스트막(R)의 현상의 진행을 억제하기 위한 액이다. 현상액(L1)에 조정액(L2)이 추가된 경우에는, 조정액(L2)이 추가되지 않는 경우에 비해, 현상액(L1)에 의한 현상의 진행이 저하된다(저해된다).
조정액 공급부(40)에 의해 공급되는 조정액(L2)은, 레지스트막(R)의 현상을 진행시키지 않는 액이면, 어느 종류여도 된다. 조정액(L2)의 구체예로서는, 물(예를 들면, 순수)을 들 수 있다. 조정액(L2)의 종류가 물인 경우, 조정액(L2)은, 워크(W)의 표면(Wa) 상의 현상액(L1)을 씻어내기 위한 린스액으로서도 이용되어도 된다. 이 경우, 조정액 공급부(40)는, 현상액(L1)이 공급된 상태의 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 린스액을 공급하는 기능을 가진다.
워크(W)의 표면(Wa)의 주연 영역은, 표면(Wa)의 주연(Wb)과 그 근방을 포함하는 영역이다. 워크(W)가 원형인 경우, 주연 영역은, 예를 들면, 주연(Wb)과, 주연(Wb)으로부터 워크(W)의 반경의 1/5 ~ 1/15 정도 내측에 위치하는 원과의 사이의 환상(環狀)의 영역이다. 이 경우, 주연 영역의 내경은, 워크(W)의 반경의 4/5 ~ 14/15 정도이다. 이하에서는, 주연 영역을 '주연 영역(Wc)'이라 표기하고, 표면(Wa)에 있어서의 주연 영역(Wc) 이외의 영역이며, 주연 영역(Wc)보다 내측에 위치하는 영역을 '내부 영역(Wd)'이라 표기한다(도 4의 (b) 참조).
조정액 공급부(40)는, 예를 들면, 송액부(42A, 42B)와, 구동부(44)와, 조정 노즐(46)을 가진다. 송액부(42A, 42B)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 조정액(L2)을, 펌프 등(도시하지 않음)에 의해, 조정 노즐(46)로 보낸다. 조정액(L2)이 표면(Wa)의 주연 영역(Wc)에 대하여 공급되는 경우에는, 송액부(42A)에 의해 조정액(L2)이 조정 노즐(46)로 공급된다. 조정액(L2)이 린스액으로서 이용되는 경우에는, 송액부(42B)에 의해 조정액(L2)이 조정 노즐(46)로 공급된다.
송액부(42A)에 의해 보내지는 조정액(L2)의 유량(단위 시간당 유량)은, 송액부(42B)에 의해 보내지는 조정액(L2)의 유량(단위 시간당 유량)보다 작아도 된다. 구동부(44)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여, 조정 노즐(46)을 적어도 워크(W)의 표면(Wa)을 따른 방향(수평 방향)에 있어서 이동시킨다. 조정 노즐(46)은, 예를 들면, 구동부(44)에 의해, 주연 영역(Wc)에 현상액(L1)을 공급 가능한 위치와, 표면(Wa)의 중심(CP)을 포함하는 중앙 영역에 현상액(L1)을 공급 가능한 위치와의 사이에서 이동 가능하다.
조정 노즐(46)은, 송액부(42A) 또는 송액부(42B)로부터 공급된 조정액(L2)을, 유지부(26) 상의 워크(W)의 표면(Wa)을 향해 토출한다. 조정 노즐(46)은, 단일의 토출구를 포함해도 된다. 조정 노즐(46)로부터 토출된 조정액(L2)은, 표면(Wa)과 겹치는 1 개소에서 표면(Wa)에 부착된다. 일례에서는, 조정 노즐(46)은, 워크(W)의 표면(Wa)의 상방에 배치된 다음, 연직 하방 또는 기울기 하방을 향해 조정액(L2)을 토출한다.
가스 공급부(50)는, 워크(W)의 표면(Wa)의 내부 영역(Wd)에 대하여, 정해진 가스를 공급한다. 가스 공급부(50)에 의해 공급되는 가스(이하, '가스(G)'라 함)는, 불활성 가스여도 되며, 일례에서는 질소 가스이다. 가스(G)는, 현상액(L1)의 액막을 국소적으로 냉각하는 냉각용의 가스이다. 가스 공급부(50)는, 현상액(L1)의 액막이 형성된 상태의 워크(W)의 표면(Wa)(보다 상세하게는, 현상액(L1)의 직하(直下)에 존재하는 막 : 상술한 예에서는 상층막)이 노출되지 않을 정도의 유량으로 표면(Wa)에 대하여 가스(G)를 공급한다.
가스 공급부(50)는, 예를 들면, 가스 송출부(52)와 가스 노즐(56)을 가진다. 가스 송출부(52)는, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 가스(G)를, 펌프 등(도시하지 않음)에 의해, 가스 노즐(56)로 보낸다. 가스 노즐(56)은, 워크(W)의 상방에 배치되고, 가스 노즐(56)로부터 멀어짐에 따라, 각종 방향으로(방사 형상으로) 확산되도록 가스를 분사해도 된다. 가스 노즐(56)에는, 예를 들면, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 각각 상이한 각도로 연장되는 방향으로 연장되는 복수의 분출구가 형성되어 있다. 가스 노즐(56)은, 조정 노즐(46)에 대하여 접속(고정)되어 있어도 된다. 이 경우, 구동부(44)는, 조정 노즐(46)과 가스 노즐(56)을 모두 표면(Wa)을 따라 이동시킨다.
커버 부재(70)는, 회전 유지부(20)의 주위에 마련되어 있다. 커버 부재(70)는, 예를 들면, 컵 본체(72)와, 배액구(74)와, 배기구(76)를 포함한다. 컵 본체(72)는, 워크(W)에 대한 액 처리를 위하여 워크(W)에 공급된 현상액(L1) 및 조정액(L2)을 받는 집액 용기로서 기능한다. 배액구(74)는, 컵 본체(72)의 저부에 마련되어 있고, 컵 본체(72)에 의해 모인 배액을 현상 유닛(U3)의 외부로 배출한다. 배기구(76)는, 컵 본체(72)의 저부에 마련되어 있다.
현상 유닛(U3)은 배기부(V1, V2)를 가진다. 배기부(V1)는, 하우징(H)의 하부에 마련되고, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 동작함으로써, 하우징(H) 내의 기체를 배출한다. 배기부(V1)는, 예를 들면, 개방도에 따라 배기량이 조절 가능한 댐퍼여도 된다. 배기부(V1)에 의해 하우징(H)으로부터의 배기량을 조절함으로써, 하우징(H) 내의 온도, 압력 및 습도 등을 제어할 수 있다. 배기부(V1)는, 워크(W)에 대한 액 처리의 동안, 하우징(H) 내를 상시 배기하도록 제어되어도 된다.
배기부(V2)는, 배기구(76)에 마련되어 있고, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여 동작함으로써, 컵 본체(72) 내의 기체를 배출한다. 워크(W)의 주위를 흐른 하강류(다운 플로우)는, 배기구(76) 및 배기부(V2)를 통하여, 현상 유닛(U3)의 하우징(H)의 외부로 배출된다. 배기부(V2)는, 예를 들면, 개방도에 따라 배기량이 조절 가능한 댐퍼여도 된다. 배기부(V2)에 의해 컵 본체(72)로부터의 배기량을 조절함으로써, 컵 본체(72) 내의 온도, 압력 및 습도 등을 제어할 수 있다.
블로어(B)는, 현상 유닛(U3)의 하우징(H) 내에 있어서, 회전 유지부(20) 및 커버 부재(70)의 상방에 배치되어 있다. 블로어(B)는, 제어 장치(100)로부터의 동작 지시에 기초하여, 커버 부재(70)를 향하는 하강류를 형성한다. 블로어(B)는, 워크(W)에 대한 액 처리의 동안, 하강류를 상시 형성하도록 제어되어도 된다.
(제어 장치)
제어 장치(100)는, 워크(W)에 대하여 현상 처리가 실시되도록 현상 유닛(U3)을 제어한다. 현상 처리는, 워크(W)의 표면(Wa)에 현상액(L1)의 액막을 형성하도록 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 현상액(L1)을 공급하는 것과, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 현상을 진행시키도록, 현상액(L1)의 액막을 워크(W)의 표면(Wa) 상에 유지하는 것을 포함한다. 또한, 현상 처리는, 워크(W)의 표면(Wa) 상에 현상액(L1)의 액막을 유지하고 있는 동안에, 이하의 제 1 처리와 제 2 처리를 실행하는 것을 포함한다.
제 1 처리는, 워크(W)의 표면(Wa)의 주연 영역(Wc)보다 내측에 위치하는 내부 영역(Wd)에 대하여 가스(G)를 공급하는 처리이다. 제 2 처리는, 주연 영역(Wc)과 내부 영역(Wd)과의 사이에서 현상의 정도(현상 레벨)를 조정하도록, 주연 영역(Wc)에 대하여 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액(L2)을 공급하는 처리이다. 제어 장치(100)는, 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 제 2 처리를 개시하고, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 종료한다. 제어 장치(100)는, 제 1 처리의 실행 중에 제 2 처리를 개시해도 되며, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 개시해도 된다.
제어 장치(100)는, 기능 상의 구성(이하, '기능 모듈'이라 함)으로서, 예를 들면, 도 5에 나타나는 바와 같이, 조건 기억부(112)와, 동작 지시부(114)와, 입력 정보 취득부(118)와, 조건 산출부(120)와, 조건 변경부(132)를 가진다. 이들 기능 모듈이 실행하는 처리는, 제어 장치(100)가 실행하는 처리에 상당한다.
조건 기억부(112)는, 워크(W)에 대한 현상 처리에서의 처리 조건을 기억하는 기능 모듈이다. 조건 기억부(112)가 기억하는 처리 조건에는, 상기 제 1 처리에서의 처리 조건, 및 상기 제 2 처리에서의 처리 조건이 포함된다. 동작 지시부(114)는, 조건 기억부(112)가 기억하는 처리 조건에 따라 워크(W)에 대하여 현상 처리를 실시하도록, 현상 유닛(U3)을 제어하는 기능 모듈이다. 입력 정보 취득부(118)는, 유저로부터의 지시를 나타내는 입력 정보를 입출력 디바이스(102)로부터 취득하는 기능 모듈이다. 입력 정보 취득부(118)는, 유저가 지시를 입력하기 위한 인터페이스 화상을 입출력 디바이스(102)의 모니터에 표시시켜도 된다.
조건 산출부(120)는, 현상 처리에 있어서의 처리 조건을 조절하기 위하여, 처리 조건을 정하는 몇 개의 파라미터의 값을 산출하는 기능 모듈이다. 조건 산출부(120)는, 처리 조건에 포함되는 조절 대상의 파라미터를 조절하기 위하여 실행되는 테스트용의 현상 처리의 실행 결과에 기초하여, 조절 대상의 파라미터의 값을 산출한다. 조절 대상의 파라미터에는, 가스(G)의 공급을 포함하는 제 1 처리의 조건에 관한 파라미터(이하, ‘제 1 파라미터'라 함)와, 조정액(L2)의 공급을 포함하는 제 2 처리의 조건에 관한 파라미터(이하, ‘제 2 파라미터'라 함)가 포함된다. 제 1 파라미터는 제 1 처리에서의 처리 조건의 일부를 규정하고, 제 2 파라미터는 제 2 처리에서의 처리 조건의 일부를 규정한다. 조건 산출부(120)는 데이터 취득부(122)와, 회귀식 생성부(124)와, 설정값 산출부(128)를 가진다.
데이터 취득부(122)는, 테스트용의 현상 처리의 실행 결과로서, 표면(Wa)에 형성된 레지스트 패턴의 선폭 분포의 계측 결과를 계측 유닛(U5)으로부터 취득하는 기능 모듈이다. 선폭 분포는, 표면(Wa)에 설정된 복수의 계측 위치에 따른 선폭을 나타내는 분포이다. 회귀식 생성부(124)는, 데이터 취득부(122)가 취득한 결과에 기초하여, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각의 설정값을 산출하기 위한 회귀식을 생성하는 기능 모듈이다. 설정값 산출부(128)는, 회귀식 생성부(124)에 의해 생성된 회귀식을 이용하여, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 기능 모듈이다.
조건 변경부(132)는, 조건 기억부(112)에 기억되어 있는 처리 조건을, 조건 산출부(120)에 의해 산출된 조건에 기초하여 변경(갱신)하는 기능 모듈이다. 조건 변경부(132)에 의해 처리 조건이 변경된 경우, 동작 지시부(114)는, 그 변경된 처리 조건에 따라 현상 유닛(U3)을 제어한다. 구체적으로, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터가 상기 설정값으로 설정된 다음, 동작 지시부(114)는, 그들의 설정값에 따라, 현상 처리에 포함되는 제 1 처리 및 제 2 처리를 실행한다.
제어 장치(100)는, 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 제어 장치(100)는, 예를 들면, 도 6에 나타나는 회로(150)를 가진다. 회로(150)는, 하나 또는 복수의 프로세서(152)와, 메모리(154)와, 스토리지(156)와, 입출력 포트(158)와, 타이머(162)를 가진다. 스토리지(156)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 가진다. 기억 매체는, 후술하는 기판 처리 방법을 제어 장치(100)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광 디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다.
메모리(154)는, 스토리지(156)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(152)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다. 프로세서(152)는, 메모리(154)와 협동하여 상기 프로그램을 실행함으로써, 상술한 각 기능 모듈을 구성한다. 입출력 포트(158)는, 프로세서(152)로부터의 지령에 따라, 회전 유지부(20), 현상액 공급부(30), 조정액 공급부(40), 가스 공급부(50), 계측 유닛(U5) 및 입출력 디바이스(102) 등과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다.
제어 장치(100)가 복수의 제어용 컴퓨터로 구성되는 경우, 각 기능 모듈이 각각, 개별의 제어용 컴퓨터에 의해 실현되어 있어도 된다. 제어 장치(100)는, 조건 기억부(112) 및 동작 지시부(114)를 포함하는 제어용 컴퓨터와, 조건 산출부(120)를 포함하는 제어용 컴퓨터로 구성되어도 된다. 혹은, 이들의 각 기능 모듈이 각각, 2 개 이상의 제어용 컴퓨터의 조합에 의해 실현되어 있어도 된다. 이들의 경우, 복수의 제어용 컴퓨터는, 서로 통신 가능하게 접속된 상태로, 기판 처리 방법을 연계하여 실행해도 된다.
제어 장치(100)의 하드웨어 구성은, 반드시 프로그램에 의해 각 기능 모듈을 구성하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 제어 장치(100)의 각 기능 모듈은, 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
[기판 처리 방법]
이어서, 도 7 ~ 도 19를 참조하여, 기판 처리 방법의 일례로서, 제어 장치(100)가 실행하는 일련의 처리에 대하여 설명한다. 제어 장치(100)가 실행하는 일련의 처리에는, 현상 유닛(U3)에 의해 워크(W)에 대하여 현상 처리를 실시하는 단계(이하, '생산 단계'라 함)에서의 일련의 처리와, 현상 처리의 처리 조건을 조절하기 위한 단계(이하, '준비 단계'라 함)에서의 일련의 처리가 포함된다. 생산 단계에서는, 준비 단계에서의 조절 결과가 처리 조건에 반영된 다음 생산용의 워크(W)에 대하여, 현상 처리가 실행된다.
준비 단계에서는, 현상 처리의 처리 조건을 조절하기 위한 테스트용의 현상 처리가 행해진다. 구체적으로, 복수의 테스트용의 워크(W)에 대하여 복수 회의 테스트용의 현상 처리가 각각 실행된다. 테스트용의 워크(W)(테스트용 기판)는, 생산 단계에서 처리가 실시되는 워크(W)와 동종의 워크이다. 테스트용의 현상 처리(테스트 현상 처리)에서는, 조정 대상의 파라미터를 제외하고 생산 단계와 동일한 처리 조건으로, 테스트용의 워크(W)에 대하여 현상 처리가 행해진다. 복수 회의 테스트용의 현상 처리 각각에서는, 조절 대상 파라미터가, 유저에 의해 지정되고, 대응하는 테스트값으로 설정된다. 또한, 테스트용의 워크(W)에 대한 현상 처리를 실행하기 전에, 당해 테스트용의 워크(W)에는, 생산 단계와 동일한 조건으로 레지스트막의 형성과 현상 전의 가열 처리가 행해진다.
조절 대상 파라미터는, 가스(G)의 공급을 포함하는 제 1 처리의 조건에 관한 제 1 파라미터와, 조정액(L2)의 공급을 포함하는 제 2 처리의 조건에 관한 제 2 파라미터를 포함한다. 즉, 준비 단계에 있어서, 제 1 파라미터와 제 2 파라미터가 조절되어, 생산 단계에 있어서 조절된 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터에 따라 현상 처리가 행해진다. 이하에서는, 제 1 파라미터가 제 1 처리의 실행 시간이며, 또한, 제 2 파라미터가 현상 처리에 있어서의 제 2 처리의 개시 타이밍인 경우를 예시한다.
도 7에는, 현상 유닛(U3)에 있어서 현상을 실행할 시의 처리 조건(처리 스케줄)을 정한 처리 레시피가 예시되어 있다. 본 개시에 있어서, 현상 처리에 포함되는 복수의 처리 각각을 '단위 처리'라 표기한다. 이 처리 레시피에서는, 현상 유닛(U3)에 있어서 실행되는 각 단위 처리의 순서와 실행 시간이 정해져 있다. 일례에서는, 제어 장치(100)의 동작 지시부(114)는, 상위 컨트롤러로부터의 지시에 따라 No.1의 단위 처리를 개시하고, 이후, 처리 레시피에 따라 각 단위 처리를 차례로 실행한다. 도 7에 나타나는 처리 레시피에 있어서, 제 1 파라미터(제 1 처리의 실행 시간 : X1)는, No.3의 단위 처리에서의 실행 시간(t3)에 상당한다. 또한, 제 2 파라미터(제 2 처리의 개시 타이밍 : X2)는, No.1의 단위 처리의 개시 시점부터 No.5의 단위 처리의 개시 시점까지 시간에 상당한다.
<준비 단계>
도 8은 상기 준비 단계에 있어서, 제어 장치(100)가 실행하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 제어 장치(100)는, 가장 먼저 단계(S11)를 실행한다. 단계(S11)에서는, 예를 들면, 입력 정보 취득부(118)가, 복수의 테스트용의 워크(W) 각각에 대하여, 테스트용의 현상 처리를 실행할 시의 테스트 조건을 나타내는 유저 지시를 취득한다. 입력 정보 취득부(118)는, 복수 회의 테스트용의 현상 처리에 대한 복수의 테스트 조건을 나타내는 정보를 취득한다. 각 테스트 조건에서는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 테스트값이 정해져 있다.
단계(S11)에서는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 중 적어도 일방이 상이하도록 복수의 테스트 조건이, 유저에 의해 설정된다. 즉, 복수의 테스트 조건 중 임의의 2 개의 테스트 조건에서는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 중 어느 일방이 상이하거나, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 쌍방이 상이하다. 여기서, k 회째에 실행하는 테스트용의 현상 처리에서의 제 1 파라미터의 테스트값을 'p1k'라 정의하고, k 회째에 실행하는 테스트용의 현상 처리에서의 제 2 파라미터의 테스트값을 'p2k'라 정의한다. k는 1부터 N까지의 정수이며, N은 2 이상의 정수이다. 복수의 테스트 조건에는, (p11, p21), (p12, p22), ···, 및 (p1N, p2N)이 포함된다. N은 테스트용의 현상 처리를 실행하는 횟수에 상당한다.
p1k 각각의 값, 및 p1k의 최소값과 최대값과의 폭인 변화 범위는, 유저에 의해 임의로 설정된다. p1k는 2 이상의 상이한 값을 포함하고 있다. p1k는 전부 상이한 값으로 설정되어도 되고, p1k의 일부가 동일한 값으로 설정되어도 된다. p2k 각각의 값, 및 p2k의 최소값과 최대값과의 폭인 변화 범위는, 유저에 의해 임의로 설정된다. p2k는 2 이상의 상이한 값을 포함하고 있다. p2k는 전부 상이한 값으로 설정되어도 되고, p2k의 일부가 동일한 값으로 설정되어도 된다. 또한, p1k 및 p2k의 설정의 일례가 도 14에 나타나 있다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S12, S13)를 실행한다. 단계(S12)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 테스트값의 초기 설정을 행한다. 일례에서는, 제어 장치(100)는 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 (p11, p21)로 설정한다. 단계(S13)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 직전에 설정된 테스트 조건에 따라, 테스트용의 워크(W)에 대하여 현상 처리가 실시되도록, 현상 유닛(U3)을 제어한다. 1 회째의 테스트용의 현상 처리에서는, 제 1 파라미터가 p11로 설정된 상태에서 제 1 처리가 실행되고, 제 2 파라미터가 p21로 설정된 상태에서 제 2 처리가 실행된다. 단계(S13)의 현상 처리의 상세에 대해서는 후술한다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S14, S15)를 실행한다. 단계(S14)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 생산 단계에서의 열 처리와 동일한 조건으로, 단계(S13)의 현상 처리가 실시된 후의 테스트용의 워크(W)에 대하여 현상 후의 가열 처리를 실시하도록, 열 처리 유닛(U4)을 제어한다. 단계(S15)에서는, 예를 들면, 데이터 취득부(122)가, 단계(S14)에서의 현상 후의 가열 처리가 실시된 후의 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서 레지스트 패턴의 선폭 분포를 계측한 결과를 계측 유닛(U5)으로부터 취득한다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S16)를 실행한다. 단계(S16)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 모든 테스트 조건에서의 현상 처리가 종료되었는지 여부를 판정한다. 단계(S16)에 있어서, 모든 테스트 조건에서의 현상 처리가 종료되어 있지 않다고 판단된 경우(단계(S16) : NO), 제어 장치(100)가 실행하는 처리는, 단계(S17)로 진행된다. 단계(S17)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 테스트값의 설정을 변경한다. 1 회째의 테스트용의 현상 처리가 실행된 후에는, 제어 장치(100)가, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 (p12, p22)로 설정한다.
이후, 제어 장치(100)는, N 회의 테스트용의 현상 처리가 행해질 때까지, 단계(S13 ~ S17)의 일련의 처리를, 복수의 테스트용의 워크(W) 각각에 대하여 반복하여 실행한다. 이상과 같이, 제어 장치(100)는, 테스트 조건마다, 테스트용의 워크(W)에 대하여 테스트용의 현상 처리를 실시한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 테스트 조건마다(1 회의 테스트용의 현상 처리마다), 현상 후의 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 선폭 분포의 실측 데이터를 취득한다.
단계(S16)에 있어서, 모든 테스트 조건에서의 현상 처리가 종료되었다고 판단된 경우(단계(S16) : YES), 제어 장치(100)가 실행하는 처리는, 단계(S18)로 진행된다. 단계(S18)에서는, 예를 들면, 회귀식 생성부(124)가, 단계(S15)를 반복함으로써 얻어지는 선폭 분포의 실측 데이터에 기초하여, 현상 후의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 선폭 분포를 예측하기 위한 추정 정보를 생성한다. 회귀식 생성부(124)는, 추정 정보로서, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터와 레지스트 패턴의 선폭(선폭의 예측값)과의 관계를 나타내는 회귀식을 생성한다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S19)를 실행한다. 단계(S19)에서는, 예를 들면, 설정값 산출부(128)가, 단계(S18)에서 생성된 회귀식을 이용하여, 예측되는 선폭 분포가 미리 정해진 목표 분포에 근접하도록, 제 1 파라미터의 설정값 및 제 2 파라미터의 설정값을 산출한다. 단계(S18, S19)에서의 회귀식의 생성 방법, 및 파라미터의 설정값의 산출 방법에 대한 상세는 후술한다. 이상에 의해, 제어 장치(100)는, 준비 단계에서의 일련의 처리를 종료한다.
도 9는 단계(S13)에 있어서의 테스트용의 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 이 현상 처리에서는, 테스트용의 워크(W)가 회전 유지부(20)에 유지된 상태에서, 제어 장치(100)가, 가장 먼저 단계(S31)를 실행한다. 단계(S31)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa) 상에 현상액(L1)의 액막이 형성되도록 현상 유닛(U3)을 제어한다. 일례에서는, 동작 지시부(114)는, 도 10의 (a)에 나타나는 바와 같이, 회전 유지부(20)에 의해 테스트용의 워크(W)를 회전시킨 상태에서, 현상 노즐(36)로부터 현상액(L1)을 토출시키면서 현상 노즐(36)이 표면(Wa)을 따라 이동하도록 현상액 공급부(30)를 제어한다.
동작 지시부(114)는, 현상 노즐(36)로부터의 현상액(L1)의 토출 영역(DA)(도 4의 (b) 참조)이, 테스트용의 워크(W)의 주연(Wb)으로부터 중앙 영역(중심 부근)으로 이동하도록, 구동부(34)에 의해 현상 노즐(36)을 이동시켜도 된다. 이 때, 동작 지시부(114)는, 토출 영역(DA)이 중앙 영역에 가까워짐에 따라, 테스트용의 워크(W)의 회전이 단계적으로 감속하도록 회전 유지부(20)를 제어해도 된다. 동작 지시부(114)는, 현상 노즐(36)로부터의 현상액(L1)의 토출을 정지시킬 시에, 테스트용의 워크(W)의 회전을 회전 유지부(20)에 의해 정지시켜도 된다.
단계(S31)가 실행됨으로써, 도 10의 (b)에 나타나는 바와 같이, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)(레지스트막(R))의 대략 전역을 덮도록 현상액(L1)의 액막이 형성된다. 이후의 처리에 있어서, 현상액(L1)의 액막이 린스액(예를 들면, 조정액(L2))에 의해 제거될 때까지, 동작 지시부(114)는, 현상액(L1)의 액막이 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa) 상에 유지되도록 회전 유지부(20)를 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S32, S33)를 실행한다. 단계(S32)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 내부 영역(Wd)에 가스(G)를 공급 가능한 위치에 가스 노즐(56)을 배치하도록 구동부(44)를 제어한다. 도 11의 (a)에는, 가스 노즐(56)을 배치하는 동작이 예시되어 있다. 단계(S33)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 정해진 가스 공급 타이밍이 될 때까지 대기한다. 가스 공급 타이밍은, 가스(G)의 공급을 개시하는 타이밍을 규정하는 조건이며, 처리 조건에 정해져 있다. 가스 공급 타이밍은, 예를 들면, 현상 처리에서의 현상액(L1)의 공급 개시 시점을 기준으로 했을 때에, 그 기준 시점부터의 시간으로 정의된다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S34)를 실행한다. 단계(S34)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 가스 노즐(56)로부터의 가스(G)의 토출이 개시되도록 가스 공급부(50)의 가스 송출부(52)를 제어한다. 이에 의해, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 내부 영역(Wd)에 대하여 가스(G)가 공급된다. 동작 지시부(114)는, 가스 노즐(56)로부터의 가스(G)의 공급을 개시하는 타이밍과 대략 동일한 타이밍(상기 공급 타이밍)에 있어서, 워크(W)의 회전을 개시해도 된다. 도 11의 (b)에는, 가스 노즐(56)에 의해 가스(G)가 내부 영역(Wd)에 공급되어 있는 모습이 예시되어 있다. 동작 지시부(114)는, 가스(G)를 공급하고 있는 동안에 회전 유지부(20)에 의해 워크(W)를 회전시켜도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S35, S36)를 실행한다. 단계(S35)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 단계(S34)의 개시 시점인 상기 공급 타이밍부터, 정해진 가스 공급 시간이 경과할 때까지 대기한다. 단계(S36)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 가스 노즐(56)로부터의 가스(G)의 공급(토출)을 정지하도록 가스 송출부(52)를 제어한다. 동작 지시부(114)는, 가스(G)의 공급을 정지시킬 시에, 워크(W)의 회전을 정지하도록 회전 유지부(20)를 제어한다.
단계(S34 ~ S36)의 실행에 의해, 상기 가스 공급 시간만큼 표면(Wa)의 내부 영역(Wd)에 대하여 가스(G)가 공급된다. 가스 공급 시간은, 가스(G)의 공급을 포함하는 제 1 처리의 조건을 정하는 제 1 파라미터이며, 그 테스트값(테스트용의 현상 처리에서의 설정값)은 상술한 p1k에 상당한다. 환언하면, 테스트용의 현상 처리의 실행 횟수가 k 회째인 경우, 제 1 파라미터는 p1k로 설정되어 있다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S37, S38)를 실행한다. 단계(S37)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 주연 영역(Wc)에 조정액(L2)을 공급 가능한 위치에 조정 노즐(46)을 배치하도록 구동부(44)를 제어한다. 도 12의 (a)에는, 조정 노즐(46)을 이동시키는 동작의 모습이 예시되어 있다. 단계(S38)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 정해진 회전 개시 타이밍이 될 때까지 대기한다. 회전 개시 타이밍은, 처리 조건에 정해져 있다. 회전 개시 타이밍은, 예를 들면, 현상 처리에서의 현상액(L1)의 공급 개시 시점(현상 처리에서의 기준 시점)부터의 시간으로 정의된다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S39, S40)를 실행한다. 단계(S39)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 워크(W)가 정해진 회전 속도로 회전하도록, 회전 유지부(20)에 의해 워크(W)의 회전을 개시시킨다. 단계(S40)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 정해진 액 공급 타이밍이 될 때까지 대기한다. 액 공급 타이밍은, 조정액(L2)의 공급을 포함하는 제 2 처리의 조건을 정하는 제 2 파라미터이며, 그 테스트값은, 상술한 p2k에 상당한다. 환언하면, 테스트용의 현상 처리의 실행 횟수가 k 회째인 경우, 제 2 파라미터는 p2k로 설정되어 있다. 액 공급 타이밍(제 2 파라미터)은, 예를 들면, 현상 처리에서의 현상액(L1)의 공급 개시 시점(현상 처리에서의 기준 시점)부터의 시간으로 정의된다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S41)를 실행한다. 단계(S41)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 조정 노즐(46)로부터의 조정액(L2)의 토출이 개시되도록, 조정액 공급부(40)의 송액부(42A)를 제어한다. 이에 의해, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 주연 영역(Wc)에 대하여 조정액(L2)이 공급되기 시작한다. 동작 지시부(114)는, 조정 노즐(46)로부터의 조정액(L2)의 토출을 개시하는 타이밍(상기 액 공급 타이밍)과 대략 동일한 타이밍에, 테스트용의 워크(W)의 회전 속도를 상승시키도록 회전 유지부(20)를 제어해도 된다.
단계(S41)까지의 처리에서는, 가스(G)의 공급을 포함하는 제 1 처리가 종료된 후에, 조정액(L2)의 공급을 포함하는 제 2 처리가 개시된다. 이 경우, 가스(G)의 공급을 정지한 시점(제 1 처리의 종료 시점)부터, 조정액(L2)의 공급을 개시하는 시점(제 2 처리의 개시 시점)까지의 사이에서도, 회전 유지부(20)에 의해 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa) 상에 현상액(L1)의 액막이 유지되고, 레지스트막(R)의 현상이 진행된다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S42, S43)를 실행한다. 단계(S42)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 단계(S41)에서의 조정액(L2)의 공급 개시 시점부터, 정해진 액 공급 시간이 경과할 때까지 대기한다. 단계(S43)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 조정 노즐(46)로부터의 조정액(L2)의 토출이 정지하도록, 조정액 공급부(40)의 송액부(42A)를 제어한다. 이에 의해, 주연 영역(Wc)에 대한 조정액(L2)의 공급이 정지한다. 액 공급 시간은, 처리 조건에 정해져 있고, 주연 영역(Wc)과 내부 영역(Wd)과의 사이에서, 조정액(L2)의 공급 후에 현상의 진행에 차이가 생길 정도의 시간으로 설정되어 있다. 일례에서는, 액 공급 시간은 2 초 ~ 10 초 정도로 설정되어 있다.
이어서, 단계(S44)를 실행한다. 단계(S44)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 테스트용의 워크(W)의 회전을 정지시키도록 회전 유지부(20)를 제어한다. 워크(W)의 회전 정지 후(조정액(L2)의 공급 정지 후)에 있어서도, 회전 유지부(20)에 의해 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa) 상에 현상액(L1)의 액막이 유지되고 현상이 진행된다. 이 때, 주연 영역(Wc)에는 조정액(L2)이 공급되어 있으므로, 주연 영역(Wc)에서의 현상의 진행의 정도는, 내부 영역(Wd)에서의 현상의 진행의 정도보다 작아진다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S45)를 실행한다. 단계(S45)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 단계(S31)에서의 현상액(L1)의 공급 개시 시점부터, 정해진 현상 시간이 경과할 때까지 대기한다. 현상 시간은, 처리 조건에 정해져 있으며, 현상액(L1)의 액막을 표면(Wa) 상에 유지하는 시간을 규정하는 조건이다.
현상 시간은, 반복하여 실행되는 테스트용의 현상 처리의 동안에, 일정한 시간으로 설정되어 있다. 이 때문에, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 테스트값에 따라, 가스(G)의 공급 정지부터 조정액(L2)의 공급 개시까지의 시간, 및, 조정액(L2)의 공급 정지부터 현상 처리의 종료 시점까지의 시간이 변화한다. 이 경우, 현상액(L1)의 공급의 개시 시점부터, 후술하는 린스 처리에서의 린스액의 공급의 개시 시점까지의 시간을 정하는 조건을 바꾸지 않고, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터가 각각 조절된다.
도 7에 나타낸 처리 레시피의 일례에서는, 현상 시간은, No.1의 단위 처리의 개시 시점부터, No.6의 단위 처리의 종료 시점까지의 시간(DT)에 상당한다. 이 처리 레시피에 있어서, 시간(DT)에 더하여, 실행 시간(t1, t2, t5)이 일정한 시간으로 설정되어도 된다. 제 2 파라미터(X2)의 조절은, No.4의 단위 시간의 실행 시간(t4)에 의해 조절되어도 된다. 현상 시간(시간(DT))이 일정하게 설정되는 경우에는, 실행 시간(t4)에 따라, No.6의 단위 처리의 실행 시간(t6)이 자동적으로 조절되어도 된다.
도 9로 돌아와, 다음으로, 제어 장치(100)는 단계(S46)를 실행한다. 단계(S46)에서는, 예를 들면, 동작 지시부(114)가, 테스트용의 워크(W)에 대하여 린스 처리를 실시하도록 현상 유닛(U3)을 제어한다. 일례에서는, 도 13의 (a)에 나타나는 바와 같이, 동작 지시부(114)는, 테스트용의 워크(W)의 회전 중심으로 조정액(L2)을 공급하는 것이 가능한 위치에, 조정 노즐(46)을 배치하도록 구동부(44)를 제어한다.
그리고, 도 13의 (b)에 나타나는 바와 같이, 동작 지시부(114)는, 회전 유지부(20)에 의해 테스트용의 워크(W)를 회전시키면서, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 조정 노즐(46)로부터 조정액(L2)을 공급하도록 조정액 공급부(40)의 송액부(42B)를 제어한다. 이에 의해, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 현상액(L1)이, 조정액(L2)으로 치환된다. 동작 지시부(114)는, 조정액(L2)의 공급 정지 후에 회전 유지부(20)에 의해 테스트용의 워크(W)의 회전을 계속시킴으로써, 조정액(L2)을 표면(Wa)으로부터 배출한다.
이상에 의해, 제어 장치(100)는, 테스트용의 워크(W)에 대한 1 회의 현상 처리를 종료한다. 제어 장치(100)는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 테스트값을 변화시키면서, 복수 회(N 회)의 테스트용의 현상 처리를 실행한다. 제어 장치(100)의 데이터 취득부(122)는, 1 회의 테스트용의 현상 처리를 실행할 때마다, 계측 유닛(U5)으로부터 선폭 분포의 계측 결과를 취득해도 된다. 복수의 테스트용의 현상 처리의 동안에서는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 중 적어도 일방의 테스트값이 상이하므로, 얻어지는 선폭 분포의 실측 데이터가 상이하다. 도 14에는, 테스트용의 현상 처리마다의 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 테스트값의 일례와 선폭 분포의 계측 결과의 일례가 표로 나타나 있다.
이어서, 도 8에 나타나는 단계(S18)에서의 회귀식의 생성 방법의 일례에 대하여, 상세하게 설명한다. 도 15의 (a) 및 도 15의 (b)에는, 회귀식의 일례를 설명하기 위한 모식도가 나타나 있다. 제어 장치(100)의 회귀식 생성부(124)는, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 복수의 위치 각각에 대하여, 당해 위치에서의 선폭의 예측값을 나타내는 회귀식을 생성한다. 회귀식이 각각 생성되는 복수의 위치는, 예를 들면, 계측 유닛(U5)에 있어서 선폭을 계측하는 복수의 계측 위치에 대응한다. 회귀식 생성부(124)는, 테스트용의 현상 처리 후에 계측된 선폭 분포에서의 계측 위치마다, 당해 계측 위치에 있어서의 선폭의 실측값(복수의 실측값)에 기초하여, 회귀식을 생성한다.
도 15의 (a)에 있어서, 'Pij'는 각 계측 위치를 나타내고 있으며, 'i' 및 'j' 각각은, 표면(Wa)을 따른 2 축(I, J)의 좌표를 나타내고 있다. 또한 도 15의 (a)에서는, 서로 직교하는 I축 및 J축 각각에 있어서, 13 개소가 계측 위치로 설정되어 있다. 이 경우, I축의 좌표인 i는 1 ~ 13 중 어느 하나의 값을 나타내고, J축의 좌표인 j는 1 ~ 13 중 어느 하나의 값을 나타낸다. 일방향을 따른 계측 위치의 개수는, 13에 한정되지 않는다. 계측 위치의 개수는, 표면(Wa)에서의 선폭의 경향을 관측할 수 있을 정도로 설정된다. 워크(W)의 주연(Wb)보다 밖에 위치하는 좌표는, 계측 및 회귀식의 구축 대상으로부터 제외된다. 도 15의 (b)에 있어서, 'Fij(X1, X2)'는, 각 계측 위치(Pij)에 대응하는 회귀식을 나타낸다. 회귀식 생성부(124)는, 선폭 분포의 실측 데이터에 기초하여, 계측 위치(Pij) 각각에 대하여, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터에 따른 선폭(선폭의 예측값)의 변화를 나타내는 회귀식을 생성한다.
도 15의 (b)에서는, 계측 위치(Pij)에 있어서, 테스트용의 현상 처리 후에 계측된 선폭의 각 실측값이, 검은색 원 표시로 나타내져 있다. 회귀식 생성부(124)는, 계측 위치(Pij)마다, 당해 계측 위치(Pij)에서의 선폭의 복수의 실측값과, 그들의 실측값이 얻어진 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각의 테스트값에 기초하여, 회귀 분석을 행함으로써 회귀식(회귀 평면)을 생성한다. 회귀식 생성부(124)는, 어떠한 방식으로 회귀 분석을 행해도 되며, 회귀식의 차수는 1 차여도 되고, 2 차 이상이어도 된다. 이하에서는, 회귀식 생성부(124)가, 릿지 회귀(릿지 회귀 분석)에 의해 회귀식을 생성하는 경우를 예시한다.
릿지(Ridge) 회귀를 설명하기 위하여, 최소 이승법에 의한 통상의 선형 회귀에 대하여 먼저 설명한다. 제 1 파라미터를 'X1'이라 표기하고, 제 2 파라미터를 'X2'라고 표기하고, 레지스트 패턴의 선폭의 예측값을 'F(X1, X2)'라 정의했을 때에, 일차의 회귀식(모델 함수)은, 하기의 식 (1)에 의해 나타내진다.
[수 1]
Figure pat00001
식 (1)에 있어서, β1, β2 및 β0는 계수(β1 및 β2는 회귀 계수)이며, 이들의 계수를 결정함으로써, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터와, 선폭의 예측값과의 관계를 나타내는 회귀식을 생성하는 것이 가능하다. 당해 계측 위치에서의 선폭의 실측값의 배열 데이터를 'yk'라 표기했을 때에, 최소 이승법에 의한 통상의 선형 회귀에서는, β1, β2 및 β0는, 하기의 식 (2)에 의해 나타내지는 코스트 함수가 최소가 되도록 결정된다.
[수 2]
Figure pat00002
식 (2)에 있어서, ‘β’는 상술한 β1, β2 및 β0를 의미하고 있다. 또한, 상술한 대로, p1k는, 복수 회의 테스트용의 현상 처리에서의 제 1 파라미터의 테스트값(테스트용의 설정값)을 나타내고, p2k는, 복수 회의 테스트용의 현상 처리에서의 제 2 파라미터의 테스트값(테스트용의 설정값)을 나타내고 있다. 다항식 회귀를 이용하는 경우에는, 식 (1)로 나타내지는 회귀식 대신에, 2 변수의 2 차 이상의 회귀식이 이용되고, 식 (2)를 이용하여, 각각의 계수가 결정된다.
릿지 회귀(예를 들면, 일차의 릿지 회귀)를 이용하는 경우에는, 식 (2)로 나타내지는 코스트 함수에 대하여 정칙화 항이 더해진다. 구체적으로, β1, β2 및 β0(계수)는, 하기의 식 (3)에 의해 나타내지는 코스트 함수가 최소가 되도록 결정된다.
[수 3]
Figure pat00003
식 (3)에 있어서, 제 2 항이 정칙화 항이다. 릿지 회귀에서의 코스트 함수에 포함되는 정칙화 항에서는, 모든 회귀 계수(이 예에서는, β1과 β2)의 평방화에, 정칙화 파라미터(λ)가 곱해진다. 정칙화 파라미터의 값은, 유저에 의해 설정되어도 되며, 미리 정해진 값으로 설정되어 있어도 된다. 또는, 회귀식 생성부(124)가, 회귀식을 생성할 시에, 교차 검증법에 의해 정칙화 파라미터의 최적인 값을 산출해도 된다. 회귀식을 생성할 시에 릿지 회귀(릿지 회귀 분석)를 이용함으로써, 모든 회귀 계수를 남기면서 각 회귀 계수의 절대값을 축소시킬 수 있다.
여기서, 도 16의 (a) 및 도 16의 (b)를 이용하여, 코스트 함수에 정칙화 항을 포함하지 않는 통상의 회귀와, 릿지 회귀에 의해 얻어지는 회귀식의 차이에 대하여 설명한다. 설명을 간단하게 하기 위하여, 제 1 파라미터와 선폭과의 관계를 나타내는 3 차의 회귀식을 생성한 경우를 예시한다. 도 16의 (a)에서는, 'f1(X1)'가 통상의 3 차의 회귀식을 나타내고 있고, 도 16의 (b)에서는, 'f2(X1)'가 릿지 회귀 분석에 의한 3 차의 회귀식을 나타내고 있다. 어느 경우라도, 5 개의 실측값('dm'으로 나타내지는 검은색 원 표시)에 기초하여, 회귀 분석이 행해져 3 차의 회귀식이 생성되어 있다.
5 개의 실측값에는, 제 1 파라미터(X1)의 값이 30 ~ 45 정도인 범위에서의 데이터가 포함되어 있지 않다. 도 16의 (a) 및 도 16의 (b)에 예시되는 그래프를 비교하면, 통상의 회귀 분석(f1(X1))에서는, 릿지 회귀 분석(f2(X1))에 비해, 실측 데이터에 억지로 피트시켜 회귀식을 구축하는 경향이 강해지는 것을 알 수 있다. 가령, 제 1 파라미터의 값이 40 정도인 경우에, 'dp'로 나타내지는 삼각 표시의 위치에 실측값이 얻어진다고 하면, f1(X1)에 의한 예측의 정밀도는, f2(X1)에 비해 낮은 것이 된다.
이와 같이, 통상의 회귀 분석에서는, 실측 데이터(교사 데이터)가 적은 경우에, 실측 데이터에 치우친 회귀식이 구축되고, 미지의 데이터에 대한 예측의 정밀도가 저하되어 버리는 과학습이 일어날 우려가 있다. 한편, 릿지 회귀 분석에 의한 회귀식에서는, 코스트 함수에 정칙화 항이 포함되어 있으므로, 실측 데이터가 적어도, 도 16의 (b)에 나타나는 바와 같이, 과학습을 완화(억제) 또는 해소할 수 있다.
이어서, 도 8에 나타내지는 단계(S19)에서의 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각의 설정값(조절값)의 산출 방법의 일례에 대하여, 상세하게 설명한다. 각 파라미터의 설정값은, 예측되는 선폭 분포(이하, '예측 선폭 분포'라 함)가 정해진 조건을 충족하도록 산출된다. 여기서는, 예측 선폭 분포가 보다 균일하게 되는 설정값을 산출하는 경우에 대하여 설명한다. 즉, 목표 분포의 선폭이 일정한 경우에 대하여 설명한다. 일례에서는, 제어 장치(100)는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각을 복수 단계로 변화시키고, 변화시키는 단계의 조합마다 예측 선폭 분포를 산출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조합마다의 예측 선폭 분포(복수의 예측 선폭 분포)로부터 균일성이 가장 높아지는 분포를 추출하여, 각 파라미터의 설정값을 취득한다.
도 17은 각 파라미터의 설정값의 산출 방법의 일례를 나타내는 순서도이다. 이 산출 방법에서는, 제어 장치(100)가, 가장 먼저 단계(S51)를 실행한다. 단계(S51)에서는, 예를 들면, 입력 정보 취득부(118)가, 설정값을 산출하기 위한 예측을 행하는 조건을 나타내는 유저 지시를 취득한다. 일례에서는, 입력 정보 취득부(118)는, 도 18의 (a)에 나타내지는 것과 같은 설정 화상(106)을 입출력 디바이스(102)의 모니터에 표시시킨다. 설정 화상(106)에는, 제 1 파라미터(X1) 및 제 2 파라미터(X2) 각각을 변화시키는 범위와, 변화 피치(pitch)와의 입력이 가능하게 되어 있다.
입력 정보 취득부(118)는, 설정 화상(106)으로의 유저 입력에 기초하여, 예측을 행하는 조건(시뮬레이션 조건)을 나타내는 정보를 취득해도 된다. 도 18의 (a)에 나타나는 예에서는, 제 1 파라미터(X1)를 변화시키는 범위가 5 ~ 50으로 설정되고, 그 변화 피치가 5로 설정된다. 또한, 제 2 파라미터(X2)를 변화시키는 범위가 50 ~ 150으로 설정되고, 그 변화 피치가 10으로 설정된다. 이 경우, 제 1 파라미터를 5 ~ 50의 범위에 있어서 5 단위로 단계적으로 변화시키고, 또한, 제 2 파라미터를 50 ~ 150의 범위에 있어서 10 단위로 단계적으로 변화시켜, 변화시키는 단계의 조합마다(모든 조합 각각에 대하여) 예측 선폭 분포의 산출이 행해진다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S52, S53)를 실행한다. 단계(S52)에서는, 예를 들면, 설정값 산출부(128)가, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 값(선폭 분포의 예측을 행하는 값)을 초기값으로 설정한다. 일례에서는, 설정값 산출부(128)는, 제 1 파라미터를 변화 범위의 최소값인 5로 설정하고, 제 2 파라미터를 변화 범위의 최소값인 50으로 설정한다. 단계(S53)에서는, 설정값 산출부(128)가, 복수의 계측 위치(Pij) 각각에 대하여 구축된 복수의 회귀식에, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 값을 입력함으로써, 예측 선폭 분포를 산출한다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S54)를 실행한다. 단계(S54)에서는, 예를 들면, 설정값 산출부(128)가, 제 1 파라미터를 변화시키는 단계의 모두에 있어서의 예측이 종료되었는지 여부를 판단한다. 제 1 파라미터를 변화시키는 단계의 모두에 있어서 예측이 종료되어 있지 않다고 판단된 경우(단계(S54) : NO), 제어 장치(100)가 실행하는 처리는, 단계(S55)로 진행된다. 단계(S55)에서는, 예를 들면, 설정값 산출부(128)가, 제 1 파라미터를 현재의 값으로부터 다음으로 예측을 행하는 값으로 변경한다. 일례에서는, 설정값 산출부(128)는, 제 1 파라미터를, 단계(S51)에서 설정된 변화 피치를 현재의 값에 가산하여 얻어지는 값으로 설정한다.
단계(S54)에 있어서, 제 1 파라미터를 변화시키는 단계의 모두에 있어서 예측이 종료되었다고 판단된 경우(단계(S54) : YES), 제어 장치(100)가 실행하는 처리는, 단계(S56)로 진행된다. 단계(S56)에서는, 예를 들면, 설정값 산출부(128)가, 제 2 파라미터를 변화시키는 단계의 모두에 있어서 예측이 종료되었는지 여부를 판단한다. 제 2 파라미터를 변화시키는 단계의 모두에 있어서, 예측이 종료되어 있지 않다고 판단된 경우(단계(S56) : NO), 설정값 산출부(128)는, 제 1 파라미터를 초기값으로 되돌리고, 제 2 파라미터를 현재의 값으로부터 다음으로 예측을 행하는 값으로 변경한다. 일례에서는, 설정값 산출부(128)는, 제 2 파라미터를, 단계(S51)에서 설정된 변화 피치를 현재의 값에 가산하여 얻어지는 값으로 설정한다.
단계(S57)의 실행 후, 제어 장치(100)는 단계(S53 ~ S56(S57))의 처리를 실행한다. 이에 의해, 제 2 파라미터가 다음의 값으로 설정된 다음, 제 1 파라미터가 변화 피치 단위로 단계적으로 변경되면서, 예측 선폭 분포의 산출이 재차 반복된다. 단계(S56)에 있어서, 제 2 파라미터를 변화시키는 단계의 모두에 있어서, 예측이 종료되었다고 판단된 경우(단계(S56) : YES), 제어 장치(100)가 실행하는 처리는, 단계(S58)로 진행된다. 이상에 의해, 제 1 파라미터를 변화시키는 단계와 제 2 파라미터를 변화시키는 단계와의 모든 조합에 있어서, 현상 후의 선폭 분포의 예측 데이터가 산출된다.
단계(S58)에서는, 예를 들면, 설정값 산출부(128)가, 제 1 파라미터를 변화시키는 단계와 제 2 파라미터를 변화시키는 단계와의 복수의 조합 각각에 대하여 산출된 선폭 분포의 예측 데이터를 평가한다. 구체적으로, 설정값 산출부(128)는, 예측 데이터에 포함되는 복수의 예측 선폭 분포 각각에 대하여, 선폭의 균일성을 나타내는 지표(예를 들면, 선폭의 불균일을 나타내는 표준 편차(σ))를 산출한다. 그리고, 설정값 산출부(128)는, 예측 데이터에 있어서, 균일성이 가장 높은(예를 들면, 상기 표준 편차(σ)가 가장 작은) 예측 선폭 분포를 최적인 분포로서 추출한다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S59)를 실행한다. 단계(S59)에서는, 예를 들면, 설정값 산출부(128)가, 단계(S58)에 있어서 추출된 예측 선폭 분포가 얻어지는 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 값을 설정값으로서 취득한다. 제어 장치(100)는, 설정값을 취득(산출)했을 시에, 도 18의 (b)에 나타나는 바와 같이, 산출한 설정값, 및 당해 설정값에 의해 얻어지는 예측 선폭 분포를 나타내는 평가 결과 화상(108)을 입출력 디바이스(102)의 모니터에 표시시켜도 된다. 이상에 의해, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 처리가 종료된다.
<생산 단계>
도 19는 현상 유닛(U3)에 의해 워크(W)에 대하여 현상 처리를 실시하는 생산 단계에 있어서, 제어 장치(100)가 실행하는 일련의 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 이하에서는, 생산 단계에 있어서 처리되는 워크(W)를 '처리 대상인 워크(W)'라 표기한다. 이 일련의 처리가 실행되기 전에는, 예를 들면, 처리 대상인 워크(W)의 표면(Wa)에 형성된 레지스트막(R)에 노광 처리가 실시된 후에, 당해 레지스트막(R)에는 현상 전의 가열 처리가 실시되어 있다.
이 일련의 처리에서는, 제어 장치(100)가 가장 먼저 단계(S71)를 실행한다. 단계(S71)에서는, 예를 들면, 조건 변경부(132)가, 준비 단계에 있어서 설정값 산출부(128)에 의해 산출된 설정값을, 조건 기억부(112)가 기억하는 처리 조건에 반영시킨다. 일례에서는, 조건 변경부(132)는, 조건 기억부(112)가 기억하는 처리 조건 중 제 1 파라미터를 준비 단계에 있어서 산출된 제 1 파라미터의 설정값으로 갱신(변경)한다. 또한, 조건 변경부(132)는, 조건 기억부(112)가 기억하는 처리 조건 중 제 2 파라미터를 준비 단계에 있어서 산출된 제 2 파라미터의 설정값으로 갱신(변경)한다. 또한 이 단계(S71)는, 준비 단계에서 실행되어도 된다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S72, S73)를 실행한다. 제어 장치(100)는 단계(S71)에 있어서 일부의 조건이 변경된 처리 조건에 따라, 처리 대상인 워크(W)에 대하여 현상 처리가 실시되도록 현상 유닛(U3)을 제어한다. 제어 장치(100)는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 값을 제외하고, 도 8에 나타내지는 단계(S13)(도 9에 나타내지는 단계(S31 ~ S46))와 마찬가지로, 워크(W)에 대한 현상 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다.
이 때에 실행되는 현상 처리에서는, 동작 지시부(114)는, 제 1 파라미터의 설정값(갱신된 값)에 따라, 가스(G)의 공급을 포함하는 제 1 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 또한, 동작 지시부(114)는, 제 2 파라미터의 설정값(갱신된 값)에 따라, 조정액(L2)의 공급을 포함하는 제 2 처리를 현상 유닛(U3)에 실행시킨다. 단계(S73)에서는, 제어 장치(100)가, 단계(S14)와 마찬가지로, 현상 처리 후의 가열 처리를 처리 대상인 워크(W)(레지스트 패턴이 형성된 상태의 워크(W))에 대하여 실행하도록 현상 유닛(U3)을 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는 단계(S74, S75)를 실행한다. 단계(S74)에서는, 예를 들면, 데이터 취득부(122)가, 처리 대상인 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 선폭 분포의 계측 결과를 계측 유닛(U5)으로부터 취득한다. 단계(S75)에서는, 예를 들면, 회귀식 생성부(124)가, 단계(S74)에서 얻어진 선폭 분포의 계측값(계측 선폭 분포)과, 상술한 단계(S58)에 있어서 최적인 분포로서 추출된 예측 선폭 분포와의 괴리도를 산출하고, 당해 괴리도와 임계치와의 비교를 실행한다. 회귀식 생성부(124)는, 계측 선폭 분포와 예측 선폭 분포와의 괴리도를 임계치와의 비교에 의해 평가함으로써, 단계(S18)에 있어서 생성한 회귀식의 예측 정밀도를 평가한다.
단계(S75)에 있어서, 계측 선폭 분포와 예측 선폭 분포와의 괴리도가, 정해진 임계치보다 크다고 판단된 경우(단계(S75) : YES), 제어 장치(100)가 실행하는 처리는 단계(S76)로 진행된다. 단계(S76)에서는, 예를 들면, 회귀식 생성부(124)가, 단계(S18)와 동일한 방법에 의해, 회귀식의 재구축을 실행한다. 회귀식 생성부(124)는, 가장 먼저 회귀식을 구축했을 시에 사용한 실측 데이터(실험 데이터)에 새로운 실측 데이터를 더한 다음, 회귀식을 재구축해도 된다. 추가되는 실측 데이터에는, 단계(S74)에서 얻어진 선폭 분포의 계측값이 포함되어도 된다. 추가되는 실측 데이터에는, 가장 먼저 사용한 실측 데이터를 얻었을 시의 상기 테스트 조건(제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 테스트값)과는 상이한 조건으로, 테스트용의 현상 처리가 추가로 실행되어 얻어지는 선폭 분포의 계측값이 포함되어도 된다.
단계(S75)에 있어서, 계측 선폭 분포와 예측 선폭 분포와의 괴리도가, 정해진 임계치 이하라고 판단된 경우(단계(S75) : NO), 제어 장치(100)가 실행하는 처리는, 단계(S76)로 진행되지 않고 종료된다. 상기 괴리도가 임계치 이하라고 판단되어 처리가 종료된 경우, 제어 장치(100)는, 후속의 복수의 워크(W)에 대하여, 단계(S72, S73)의 현상 처리 및 열 처리를 현상 유닛(U3)에 반복하여 실행시켜도 된다. 이 경우, 제어 장치(100)는, 후속의 복수의 워크(W)에 대하여, 단계(S71, S74, S75(S76))를 실행하지 않아도 된다.
[평가 결과]
이어서, 상술한 준비 단계에서의 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 산출(조절) 방법의 평가 결과에 대하여 설명한다. 도 20의 (a)에는, 상술한 준비 단계에서의 설정 방법과는 상이한 방법(제 1 실험예에 따른 방법)으로, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 조절하여 얻어진 계측 선폭 분포의 일례가 나타나 있다. 이 계측 선폭 분포에서는, 색의 농도가, 표면(Wa) 전체에서의 선폭의 평균값으로부터의 차이량을 나타내고 있다. 제 1 실험예에 따른 방법에서는, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 값 각각을 정해진 피치 단위로 변화시킨 다음, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 형성된 선폭 분포의 실측 데이터를 평가했다. 그리고, 실측 데이터로부터, 균일성이 높은 선폭 분포가 얻어지는 값을, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터에 설정했다.
도 20의 (b)에는, 상술한 준비 단계에서의 설정 방법(제 2 실험예에 따른 방법)으로, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 조절하여 얻어진 계측 선폭 분포의 일례가 나타나 있다. 이 분포에 있어서도, 색의 농도가, 표면(Wa) 전체에서의 선폭의 평균값으로부터의 차이량을 나타내고 있다. 제 2 실험예에 따른 방법에 있어서, 회귀식을 생성하기 위하여 실측 데이터를 취득했다. 이 때에 실행된 테스트용의 현상 처리의 횟수는, 제 1 실험예에 따른 방법에서의 테스트용의 현상 처리의 횟수보다 적었다. 균일성의 정도를 나타내는 지표를 산출하여 비교한 바, 제 2 실험예에 따른 방법으로 얻어진 계측 선폭 분포의 균일성이, 제 1 실험예에 따른 방법으로 얻어진 계측 선폭 분포보다 높았다.
[변형예]
제어 장치(100)가 실행하는 상술한 일련의 처리는 일례이며, 적절히 변경 가능하다. 상기 일련의 처리에 있어서, 제어 장치(100)는, 하나의 단계와 다음의 단계를 병렬로 실행해도 되며, 상술한 예와는 상이한 순서로 각 단계를 실행해도 된다. 제어 장치(100)는, 어느 하나의 단계를 생략해도 되며, 어느 하나의 단계에 있어서 상술한 예와는 상이한 처리를 실행해도 된다.
회귀식 생성부(124)는, 릿지 회귀 이외의 회귀 분석에 의해, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터와 선폭의 예측값과의 관계를 나타내는 회귀식을 생성(구축)해도 된다. 회귀식 생성부(124)는, 예를 들면, 코스트 함수에 정칙화 항이 포함되지 않는 일차의 선형 회귀 또는 다항식 회귀에 의해, 회귀식(모델식)을 생성해도 된다. 회귀식 생성부(124)는, 랏소(Lasso) 회귀 분석에 의해 회귀식을 생성해도 되며, 엘라스틱 넷(Elastic Net) 회귀 분석에 의해 회귀식을 생성해도 된다.
상술한 예에서는, 가스(G)의 공급을 포함하는 제 1 처리의 처리 조건에 있어서 조절 대상이 되는 제 1 파라미터가, 제 1 처리의 실행 시간(가스(G)의 공급 시간)이지만, 제 1 파라미터는, 이 조건에 한정되지 않는다. 제 1 파라미터는, 내부 영역(Wd)에서의 현상의 진행의 정도가 변화할 수 있는 조건이면, 어느 조건이어도 된다. 일례에서는, 제 1 파라미터는, 가스(G)의 공급을 개시하는 타이밍, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 가스(G)의 공급 위치(가스 노즐(56)의 배치 위치), 가스(G)의 토출 유량(단위 시간당 유량), 또는, 가스(G)의 공급 시의 워크(W)의 회전 속도여도 된다.
상술한 예에서는, 조정액(L2)의 공급을 포함하는 제 2 처리의 처리 조건에 있어서 조절 대상이 되는 제 2 파라미터가, 조정액(L2)의 공급의 개시 타이밍이지만, 제 2 파라미터는, 이 조건에 한정되지 않는다. 제 2 파라미터는, 주연 영역(Wc)에서의 현상의 진행의 정도가 변화할 수 있는 조건이면, 어느 조건이어도 된다. 일례에서는, 제 2 파라미터는, 제 2 처리의 실행 시간(조정액(L2)의 공급 시간)이어도 되며, 조정액(L2)의 토출 유량(단위 시간당 유량), 조정액(L2)의 토출량, 조정액(L2)의 온도, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 조정액(L2)의 공급 위치(조정 노즐(46)의 배치 위치), 또는, 조정액(L2)의 공급 시의 워크(W)의 회전 속도여도 된다.
제 1 처리의 처리 조건에 관하여 복수의 파라미터(제 1 파라미터)가 조절되어도 되며, 제 2 처리의 처리 조건에 관하여 복수의 파라미터(제 2 파라미터)가 조절되어도 된다. 이 경우, 회귀식 생성부(124)는, 3 이상의 변수를 가지는 회귀식을 생성해도 된다.
상술한 예에서는, 제어 장치(100)는, 선폭 분포가 균일하게 되도록(선폭이 일정한 목표 선폭 분포에 근접하도록), 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 조절한다. 이 대신에, 제어 장치(100)는, 선폭이 영역에 따라 상이한 목표 선폭 분포에 근접하도록 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 조절해도 된다. 이 경우, 설정값 산출부(128)는, 회귀식을 이용하여 얻어지는 예측 선폭 분포와 목표 선폭 분포와의 차분이 가장 작아지는 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 값을 상기 설정값으로서 취득(산출)해도 된다.
상술한 예에서는, 워크(W)의 표면(Wa)에 점재한 복수 개소 각각에 있어서, 선폭이 계측 및 평가되지만, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서 직경 방향을 따른 임의의 라인에 있어서, 선폭이 계측 및 평가되어도 된다. 데이터 취득부(122)는, 계측 유닛(U5)으로부터의 선폭 분포의 계측값의 취득 대신에, 유저로부터의 데이터 입력에 기초하여, 선폭 분포의 계측값을 취득해도 된다. 이 경우, 도포 현상 장치(2)는, 선폭을 계측하기 위한 계측 유닛(U5)을 구비하고 있지 않아도 된다.
현상액(L1)을 토출하는 현상 노즐(36), 조정액(L2)을 토출하는 조정 노즐(46), 및 가스(G)를 토출하는 가스 노즐(56) 각각은, 상술한 예에 한정되지 않는다. 토출구가 1 개인 현상 노즐(36)이 이용되어도 되며, 당해 토출구(슬릿)가 수평인 일방향으로 연장되어 있어도 된다. 조정 노즐(46)과 가스 노즐(56)이 서로 고정되어 있지 않고, 조정 노즐(46)을 이동시키는 구동부(44)에 더하여, 가스 노즐(56)을 이동시키는 다른 구동부가 마련되어도 된다.
[실시 형태의 효과]
이상에 예시한 기판 처리 방법은, 워크(W)에 대하여 현상 처리를 실시하는 것을 포함한다. 이 현상 처리는, 워크(W)의 표면(Wa)에 현상액(L1)의 액막을 형성하도록 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 현상액(L1)을 공급하는 것과, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 현상을 진행시키도록, 현상액(L1)의 액막을 워크(W)의 표면(Wa) 상에 유지하는 것과, 워크(W)의 표면(Wa) 상에 현상액(L1)의 액막을 유지하고 있는 동안에, 워크(W)의 표면(Wa)의 주연 영역(Wc)보다 내측에 위치하는 내부 영역(Wd)에 대하여 가스(G)를 공급하는 제 1 처리와, 주연 영역(Wc)과 내부 영역(Wd)과의 사이에서 현상의 정도를 조정하도록, 주연 영역(Wc)에 대하여 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액(L2)을 공급하는 제 2 처리를 실행하는 것을 포함한다. 기판 처리 방법은, 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 제 2 처리를 개시하고, 또한, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 종료한다.
가스(G)의 공급에 의해 현상액(L1)의 액막의 온도를 저하시켜 현상을 촉진시킬 수 있고, 가스(G)의 공급 후에 있어서의 조정액(L2)의 공급에 의해 현상의 진행을 억제할 수 있다. 이 때문에, 상기 기판 처리 방법에서는, 가스(G) 및 조정액(L2)의 공급에 의해, 내부 영역(Wd)과 주연 영역(Wc)과의 사이에서 현상의 정도를 조정할 수 있다. 현상의 정도에 따라 현상 후의 선폭이 변화하므로, 상기 기판 처리 방법에서는, 워크(W) 면내에 있어서의 선폭 분포를 용이하게 조정하는 것이 가능해진다. 또한, 제 1 처리의 종료 후에 제 2 처리가 종료됨으로써, 가스(G)의 공급에 기인하여, 현상액(L1)의 액막 내에 있어서 주연 영역(Wc)에 공급된 조정액(L2)이 다른 영역으로 확산되기 어렵다. 이 때문에, 제 2 처리를 종료한 후에 가스(G)의 공급이 계속되는 경우에 비해, 가스(G) 및 조정액(L2)의 공급에 의한 선폭 분포의 조정이 용이하다.
상기 기판 처리 방법은, 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 제 2 처리를 개시해도 된다. 현상액(L1)의 액막을 워크(W)의 표면(Wa) 상에 유지하는 것은, 제 1 처리의 종료 시점부터 제 2 처리의 개시 시점까지의 사이에, 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 현상액(L1)의 액막의 유지를 계속하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 내부 영역(Wd)에 가스(G)를 공급하는 기간과 주연 영역(Wc)에 조정액(L2)을 공급하는 기간이 서로 겹치지 않는다. 이 때문에, 제 1 처리 및 제 2 처리에서의 일방으로부터 타방으로의 영향을 억제할 수 있어, 선폭 분포를 보다 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
상기 기판 처리 방법은, 워크(W)에 대하여 현상 처리를 실시하는 것 전에, 제 1 처리의 조건에 관한 제 1 파라미터와 제 2 처리의 조건에 관한 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것을 더 포함해도 된다. 현상 처리에 있어서 제 1 처리와 제 2 처리를 실행하는 것은, 조절된 제 1 파라미터에 따라 제 1 처리를 실행하는 것과, 조절된 제 2 파라미터에 따라 제 2 처리를 실행하는 것을 포함해도 된다. 제 1 처리에서의 가스(G)의 공급은 내부 영역(Wd)에 있어서의 선폭에 영향을 미치고, 제 2 처리에서의 조정액(L2)의 공급은 주연 영역(Wc)에 있어서의 선폭에 영향을 미친다. 이 때문에, 제 1 처리 및 제 2 처리 각각의 조건에 관한 파라미터의 조절에 의해, 현상 후의 선폭 분포가 변화한다. 따라서, 상기 방법에서는, 파라미터의 조절에 의해 선폭 분포를 목표로 하는 분포에 용이하게 근접하는 것이 가능해진다.
상기 기판 처리 방법은, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것 전에, 현상 후의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 선폭 분포를 예측하기 위한 추정 정보를 생성하는 것을 더 포함해도 된다. 추정 정보를 생성하는 것은, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각을 변화시켜, 현상 처리에 대응하는 테스트 현상 처리를 테스트용의 워크(W)에 대하여 실시하는 것과, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 조합마다, 현상 후의 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 선폭 분포의 실측 데이터를 취득하는 것과, 실측 데이터에 기초하여, 테스트용의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 복수의 위치 각각에 대하여, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터에 따른 선폭의 변화를 나타내는 회귀식을 생성하는 것을 포함해도 된다. 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것은, 현상 후의 워크(W)의 표면(Wa)에 있어서의 선폭 분포가 정해진 조건을 충족하도록, 회귀식에 기초하여, 현상 처리를 실행할 시의 제 1 파라미터의 설정값과 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 것을 포함해도 된다.
제 1 파라미터와 제 2 파라미터와의 조절 방법으로서, 임의의 테스트 조건에 따라 얻어진 선폭 분포를 오퍼레이터가 확인하고, 오퍼레이터 자신이, 지금까지의 경험 혹은 기능(技能)에 기초하여, 파라미터의 변경과 실측값과의 확인을 반복하여 조절하는 것도 고려된다. 혹은, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각을 조금씩 변화시켜, 모든 조합에 있어서 선폭 분포의 실측 데이터를 취득하여, 파라미터를 조절하는 것도 고려된다. 이에 대하여, 상기 방법에서는, 추정 정보를 이용하여, 제 1 처리 및 제 2 처리 각각의 조건의 변화에 따른 선폭 분포에 대한 영향을 정량적으로 평가할 수 있다. 따라서, 숙련의 오퍼레이터가 아니어도 파라미터의 조절을 행할 수 있고, 또한 많은 시행 착오를 반복할 필요가 없으므로, 파라미터의 조절에 요하는 시간을 짧게 하는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 추정 정보를 이용하여 파라미터의 조절을 행함으로써, 오퍼레이터 등에 의한 시행 착오 또는 경험, 혹은 많은 시행 착오에 기초하지 않고, 선폭 분포가 정해진 조건을 충족하도록(예를 들면, 선폭 분포의 균일성이 높아지도록) 처리 조건을 조절하는 것이 가능해진다.
회귀식과 목표 분포에 기초하여 제 1 파라미터의 설정값과 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 것은, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각을 복수 단계로 변화시켰을 시의 변화시키는 단계의 조합마다, 회귀식에 기초하여 현상 후의 선폭 분포의 예측 데이터를 산출하는 것과, 예측 데이터에 있어서, 선폭 분포의 균일성이 가장 높아지는 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터의 조합의 값 각각을, 제 1 파라미터의 설정값 및 제 2 파라미터의 설정값으로서 취득하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각이 산출된 설정값으로 설정된 후에 현상 처리가 행해짐으로써, 면내 균일성이 향상된 선폭 분포를 얻을 수 있다. 따라서, 상기 방법은, 워크(W) 면내에 있어서의 선폭 분포의 균일성을 용이하게 향상시키는 것이 가능해진다.
회귀식을 생성하는 것은, 실측 데이터와, 당해 실측 데이터가 얻어진 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터 각각의 값에 기초하여 릿지 회귀 분석을 행함으로써, 회귀식을 생성하는 것을 포함해도 된다. 릿지 회귀 분석을 행함으로써, 실측 데이터의 수가 적어도 과학습을 완화할 수 있다. 따라서, 상기 방법은, 예측 정밀도의 향상과 처리 조건의 조절의 단축화와의 양립을 도모하는 것이 가능해진다.
현상 처리는, 현상액(L1)의 액막을 유지하는 것 후에, 워크(W)의 표면(Wa)에 대하여 린스액을 공급하는 것을 더 포함해도 된다. 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것은, 현상액(L1)의 공급의 개시 시점부터, 린스액의 공급의 개시 시점까지의 시간을 정하는 조건을 변화시키지 않고, 제 1 파라미터 및 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것을 포함해도 된다. 이 경우, 현상 처리의 실행 시간을 변화시키지 않고, 선폭 분포의 조정을 행할 수 있다. 이 때문에, 스루풋을 변화시키지 않고, 선폭 분포를 조정하는 것이 가능해진다.
제 1 파라미터는, 제 1 처리의 실행 시간이어도 된다. 제 1 처리의 실행 시간과 내부 영역(Wd)에서의 선폭과의 사이에 강한 상관 관계가 있는 것이 발견되었다. 이 때문에, 상기 방법에서는, 제 1 처리의 실행 시간을 조절함으로써, 선폭 분포를 보다 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
제 2 파라미터는, 현상 처리에 있어서의 제 2 처리의 개시 타이밍이어도 된다. 제 2 처리의 개시 타이밍과 주연 영역(Wc)에서의 선폭과의 사이에 강한 상관 관계가 있는 것이 발견되었다. 이 때문에, 상기 방법에서는, 제 2 처리의 개시 타이밍을 조절함으로써, 선폭 분포를 보다 용이하게 조정하는 것이 가능해진다.
상술한 바와 같이, 릿지 회귀를 이용함으로써, 과학습을 완화하면서 적은 실측 데이터로, 정밀도가 높은 회귀식을 생성하는 것이 가능해진다. 과학습을 완화하는 다른 방법으로서, 랏소 회귀 등을 이용하는 것도 고려되지만, 랏소 회귀에서는, 선폭과의 상관이 약하다고 판단되는 회귀 계수가 제로로 설정되는 경우도 있다. 제 1 파라미터가 제 1 처리의 실행 시간이며, 제 2 파라미터가 제 2 처리의 개시 타이밍인 경우에는, 이들 파라미터와 선폭과의 상관이 강하므로, 이 경우에는, 랏소 회귀보다 릿지 회귀를 이용하는 것이 적합하다고 상정된다.

Claims (11)

  1. 기판에 대하여 현상 처리를 실시하는 것을 포함하고,
    상기 현상 처리는,
    상기 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하도록 상기 기판의 표면에 대하여 상기 현상액을 공급하는 것과,
    상기 기판의 표면에 있어서의 현상을 진행시키도록, 상기 현상액의 액막을 상기 기판의 표면 상에 유지하는 것과,
    상기 기판의 표면 상에 상기 현상액의 액막을 유지하고 있는 동안에, 상기 기판의 표면의 주연 영역보다 내측에 위치하는 내부 영역에 대하여 가스를 공급하는 제 1 처리와, 상기 주연 영역과 상기 내부 영역과의 사이에서 현상의 정도를 조정하도록, 상기 주연 영역에 대하여 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액을 공급하는 제 2 처리를 실행하는 것을 포함하고,
    상기 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 상기 제 2 처리를 개시하고, 또한, 상기 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 상기 제 2 처리를 종료하는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 상기 제 2 처리를 개시하고,
    상기 현상액의 액막을 상기 기판의 표면 상에 유지하는 것은, 상기 제 1 처리의 종료 시점부터 상기 제 2 처리의 개시 시점까지의 사이에, 상기 기판의 표면에 있어서의 상기 현상액의 액막의 유지를 계속하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 대하여 상기 현상 처리를 실시하는 것 전에, 상기 제 1 처리의 조건에 관한 제 1 파라미터와 상기 제 2 처리의 조건에 관한 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것을 더 포함하고,
    상기 현상 처리에 있어서 상기 제 1 처리와 상기 제 2 처리를 실행하는 것은, 조절된 상기 제 1 파라미터에 따라 상기 제 1 처리를 실행하는 것과, 조절된 상기 제 2 파라미터에 따라 상기 제 2 처리를 실행하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것 전에, 현상 후의 상기 기판의 표면에 있어서의 선폭 분포를 예측하기 위한 추정 정보를 생성하는 것을 더 포함하고,
    상기 추정 정보를 생성하는 것은,
    상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터 중 적어도 일방이 상이한 복수의 테스트 조건을 나타내는 정보를 취득하는 것과,
    상기 복수의 테스트 조건에 포함되는 테스트 조건마다, 상기 현상 처리에 대응하는 테스트 현상 처리를 테스트용 기판에 대하여 실시하는 것과,
    상기 테스트 조건마다, 현상 후의 상기 테스트용 기판의 표면에 있어서의 선폭 분포의 실측 데이터를 취득하는 것과,
    상기 실측 데이터에 기초하여, 상기 테스트용 기판의 표면에 있어서의 복수의 위치 각각에 대하여, 상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터와 선폭과의 관계를 나타내는 회귀식을 생성하는 것을 포함하고,
    상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것은, 현상 후의 상기 기판의 표면에 있어서의 선폭 분포가 정해진 조건을 충족하도록, 상기 회귀식에 기초하여, 상기 현상 처리를 실행할 시의 상기 제 1 파라미터의 설정값과 상기 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 회귀식에 기초하여 상기 제 1 파라미터의 설정값과 상기 제 2 파라미터의 설정값을 산출하는 것은,
    상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터 각각을 복수 단계로 변화시켰을 시의 변화시키는 단계의 조합마다, 상기 회귀식에 기초하여 현상 후의 선폭 분포의 예측 데이터를 산출하는 것과,
    상기 예측 데이터에 있어서, 선폭 분포의 균일성이 가장 높아지는 상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터의 조합의 값 각각을, 상기 제 1 파라미터의 설정값 및 상기 제 2 파라미터의 설정값으로서 취득하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 회귀식을 생성하는 것은, 상기 실측 데이터와, 상기 실측 데이터가 얻어진 상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터 각각의 값에 기초하여 릿지 회귀 분석을 행함으로써, 상기 회귀식을 생성하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  7. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 현상 처리는, 상기 현상액의 액막을 유지하는 것 후에, 상기 기판의 표면에 대하여 린스액을 공급하는 것을 더 포함하고,
    상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것은, 상기 현상액의 공급의 개시 시점부터, 상기 린스액의 공급의 개시 시점까지의 시간을 정하는 조건을 변화시키지 않고, 상기 제 1 파라미터 및 상기 제 2 파라미터를 각각 조절하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  8. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 파라미터는, 상기 제 1 처리의 실행 시간인, 기판 처리 방법.
  9. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 파라미터는, 상기 현상 처리에 있어서의 상기 제 2 처리의 개시 타이밍인, 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  11. i선에 의해 노광된 상태의 레지스트막이 표면에 형성된 기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부에 유지된 상기 기판의 표면에 대하여 현상액을 공급하는 현상액 공급부와, 상기 유지부에 유지된 상기 기판의 표면의 주연 영역에 대하여, 현상의 진행을 억제하기 위한 조정액을 공급하는 조정액 공급부와, 상기 유지부에 유지된 상기 기판의 표면의 상기 주연 영역보다 내측에 위치하는 내부 영역에 대하여 가스를 공급하는 가스 공급부를 가지는 현상 유닛과,
    상기 기판에 대하여 현상 처리를 실시하도록 상기 현상 유닛을 제어하는 제어 유닛을 구비하고,
    상기 현상 처리는,
    상기 기판의 표면에 상기 현상액의 액막을 형성하도록, 상기 현상액 공급부에 의해 상기 기판의 표면에 대하여 상기 현상액을 공급하는 것과,
    상기 기판의 표면에 있어서의 현상을 진행시키도록, 상기 유지부에 의해 상기 현상액의 액막을 상기 기판의 표면 상에 유지하는 것과,
    상기 유지부에 의해 상기 기판의 표면 상에 상기 현상액의 액막을 유지하고 있는 동안에, 상기 가스 공급부에 의해 상기 내부 영역에 대하여 상기 가스를 공급하는 제 1 처리와, 상기 주연 영역과 상기 내부 영역과의 사이에서 현상의 정도를 조정하도록, 상기 조정액 공급부에 의해 상기 주연 영역에 대하여 상기 조정액을 공급하는 제 2 처리를 실행하는 것을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 상기 현상 처리에 있어서, 상기 제 1 처리의 개시 시점보다 후에 상기 제 2 처리를 개시하고, 또한, 상기 제 1 처리의 종료 시점보다 후에 상기 제 2 처리를 종료하는, 기판 처리 장치.
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