TW202301431A - 基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於容易地調整基板表面上的線寬分布。 作為上述課題之解決手段，依本發明之一個面向的基板處理方法，包含對基板施加顯影處理之步驟。此顯影處理，包含以下步驟：對基板的表面供給顯影液，以在基板的表面形成顯影液的液膜；在基板的表面上維持顯影液的液膜，俾使基板的表面上之顯影進行；以及，在基板的表面上維持顯影液的液膜之期間，執行對於基板的表面之較周緣區域位在更內側的位置之內部區域供給氣體之第一處理，並執行對於周緣區域供給用以抑制顯影之進行的調整液，以在周緣區域與內部區域之間調整顯影的程度之第二處理。此基板處理方法，係在較第一處理的開始時點更後，開始第二處理，且在較第一處理的結束時點更後，結束第二處理。

Description

基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置
本發明係關於基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置。
專利文獻1中揭露有一種基板的顯影處理裝置，其具備基板固持機構、顯影液供給機構及清洗液供給機構。此顯影處理裝置的清洗液供給機構，一面朝水平方向移動，一面從狹縫狀噴吐口朝基板上噴吐清洗液，而使藉由顯影液進行之顯影反應停止。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2003-257849號公報
［發明所欲解決之問題］
本發明提供一種可容易地調整基板表面上的線寬分布之基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置。 ［解決問題之技術手段］
依本發明之一個面向的基板處理方法，包含對基板施加顯影處理之步驟。此顯影處理，包含以下步驟：對基板的表面供給顯影液，以在基板的表面形成顯影液的液膜；在基板的表面上維持顯影液的液膜，俾使基板的表面上之顯影進行；以及，在基板的表面上維持顯影液的液膜之期間，執行對於基板的表面之較周緣區域位在更內側的位置之內部區域供給氣體之第一處理，並執行對於周緣區域供給用以抑制顯影之進行的調整液，以在周緣區域與內部區域之間調整顯影的程度之第二處理。此基板處理方法，係在較第一處理的開始時點更後，開始第二處理，且在較第一處理的結束時點更後，結束第二處理。 ［發明之效果］
依本發明，提供一種可容易地調整基板表面上的線寬分布之基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝置。
首先就實施態樣的概要加以說明。
依本發明之一個面向的基板處理方法，包含對基板施加顯影處理之步驟。此顯影處理，包含以下步驟：對基板的表面供給顯影液，以在基板的表面形成顯影液的液膜；在基板的表面上維持顯影液的液膜，俾使基板的表面上之顯影進行；以及，在基板的表面上維持顯影液的液膜之期間，執行對於基板的表面之較周緣區域位在更內側的位置之內部區域供給氣體之第一處理，並執行對於周緣區域供給用以抑制顯影之進行的調整液，以在周緣區域與內部區域之間調整顯影的程度之第二處理。此基板處理方法，係在較第一處理的開始時點更後，開始第二處理，且在較第一處理的結束時點更後，結束第二處理。
藉由供給氣體，可使顯影液的液膜之溫度下降而促進顯影；藉由在氣體供給後供給調整液，可抑制顯影之進行。因此，上述基板處理方法中，藉由供給氣體及調整液，可在內部區域與周緣區域之間調整顯影的程度。由於顯影後的線寬會因顯影的程度而變化，故在上述基板處理方法中，可容易地調整基板面內之線寬分布。
上述基板處理方法，亦可在較第一處理的結束時點更後，開始第二處理。在基板的表面上維持顯影液的液膜之步驟，亦可包含以下步驟：在從第一處理的結束時點至第二處理的開始時點為止的期間，繼續維持基板的表面上的顯影液之液膜。此時，「向內部區域供給氣體的期間」與「向周緣區域供給調整液的期間」，互不重疊。因此，可抑制從「第一處理及第二處理中的一者」向「另一者」的影響，而可更為容易地調整線寬分布。
上述基板處理方法，亦可更包含以下步驟：在對於基板施加顯影處理之前，分別調整「關於第一處理的條件之第一參數」與「關於第二處理的條件之第二參數」。於顯影處理中執行第一處理與第二處理之步驟，亦可更包含以下步驟：根據經調整後之第一參數而執行第一處理；根據經調整後之第二參數而執行第二處理。在第一處理中進行之「將氣體供給」會對於內部區域裡的線寬產生影響；在第二處理中進行之「將調整液供給」會對於周緣區域裡的線寬產生影響。因此，藉由調整關於第一處理及第二處理分別的條件之參數，顯影後的線寬分布會產生變化。從而，在上述方法中，可藉由調整參數而使線寬分布更為容易地接近於作為目標之分布。
上述基板處理方法，亦可更包含以下步驟：在分別調整第一參數及第二參數之前，產生用以預測「顯影後之基板的表面上的線寬分布」之推定資訊。產生推定資訊的步驟，亦可包含以下步驟：取得表示「第一參數及第二參數中的至少一方為相異之複數個測試條件」的資訊；於複數個測試條件所包含的每個測試條件下，對於測試用基板施加與顯影處理對應之測試顯影處理；於每個測試條件下，取得顯影後之測試用基板的表面上的線寬分布之實測資料；以及基於實測資料，就測試用基板的表面上的複數個位置，分別產生表示第一參數及第二參數的線寬之關係的迴歸式。分別調整第一參數及第二參數之步驟，亦可包含以下步驟：基於上述迴歸式，計算執行顯影處理時之第一參數的設定値與第二參數的設定値，以使顯影後之基板的表面上的線寬分布滿足既定的條件。此時，可使用推定資訊，定量地評價因「第一處理及第二處理分別的條件之變化」所致之對於線寬分布的影響。從而，可無需借助於操作員等之錯誤嘗試或是經驗等，而調整處理條件以使線寬分布滿足既定的條件。
基於迴歸式計算第一參數的設定値與第二參數的設定値之步驟，亦可更包含以下步驟：於使第一參數及第二參數分別以複數階段方式變化後的每個變化之階段地組合中，基於迴歸式計算顯影後之線寬分布的預測資料；以及於預測資料中，將線寬分布的均一性變得最高之第一參數及第二參數的組合之値，分別取得作為第一參數的設定値及第二參數的設定値。此時，在將第一參數及第二參數分別設定為經計算之設定値的狀況下進行顯影處理，藉此，可獲得面內均一性經提高的線寬分布。從而，上述方法中，可容易地使基板面內之線寬分布的均一性提高。
產生迴歸式之步驟，亦可更包含以下步驟：基於實測資料及得到該實測資料後之第一參數及第二參數分別之値，而進行嶺迴歸(ridge regression)分析，藉此產生迴歸式。藉由進行嶺迴歸分析，即便實測資料的數量少，亦可降低過度學習。從而，上述方法可同時實現「預測精度的提高」及「處理條件的調整之縮短化」。
顯影處理，亦可更包含以下步驟：在維持顯影液的液膜之步驟後，對於基板的表面供給清洗液。分別調整第一參數及第二參數之步驟，亦可更包含以下步驟：在不使決定「從顯影液之供給的開始時點起至清洗液之供給的開始時點為止的時間」之條件變化的情況下，分別調整第一參數及第二參數。此時，可在使顯影處理的執行時間不變化的情況下，進行線寬分布的調整。因此，可在使處理量不變化的情況下調整線寬分布。
第一參數亦可為第一處理的執行時間。吾人發現，在「第一處理的執行時間」與「在內部區域中的線寬」之間，存在高度關聯性。因此，在上述方法中，藉由調整第一處理的執行時間，可更為容易地調整線寬分布。
第二參數亦可為顯影處理當中的第二處理之開始時間點。吾人發現，在「第二處理的開始時間點」與「在周緣區域中的線寬」之間，存在高度關聯性。因此，在上述方法中，藉由調整第二處理的開始時間點，可更為容易地調整線寬分布。
依本發明之一個面向的記錄媒體，係儲存有用以使裝置執行上述任一基板處理方法之程式的電腦可讀取記錄媒體。
依本發明之一個面向的基板處理裝置，具備：顯影單元，其具有：固持部，用以固持基板，該基板在表面形成藉由i射線進行曝光後之狀態的光阻膜；顯影液供給部，對於固持部所固持之基板的表面，供給顯影液；調整液供給部，對於固持部所固持之基板的表面之周緣區域，供給抑制顯影之進行的調整液；及氣體供給部，對於固持部所固持之基板的表面之較周緣區域位在更內側的位置之內部區域，供給氣體；以及控制單元，控制顯影單元，以對於基板施加顯影處理。顯影處理，包含以下步驟：藉由顯影液供給部而對於基板的表面供給顯影液，以在基板的表面形成顯影液的液膜；藉由固持部在基板的表面上維持顯影液的液膜，以使基板的表面上的顯影進行；以及在藉由固持部在基板的表面上維持顯影液的液膜之期間，執行第一處理，亦即藉由氣體供給部對於內部區域供給氣體，並執行第二處理，亦即藉由調整液供給部對於周緣區域供給調整液，以在周緣區域與內部區域之間調整顯影的程度。控制單元，於顯影處理中，係較第一處理的開始時點更後，開始第二處理，且較第一處理的結束時點更後，結束第二處理。在此基板處理裝置中，與上述基板處理方法同樣地，可容易地調整基板面內之線寬分布。
以下，參照圖式就一實施態樣詳細說明。說明當中，相同元件或是具有相同功能之元件係賦予相同的符號，並省略重複的說明。
［基板處理系統］ 圖1所示之基板處理系統1(基板處理裝置)，係對於工件W施加「感光性被膜之形成、該感光性被膜之曝光、及該感光性被膜之顯影」之系統。處理對象之工件W，例如為基板，或是為藉由施加既定的處理而形成有膜或是電路等的狀態之基板。作為一例，該基板為矽晶圓。工件W(基板)亦可為圓形。工件W亦可為玻璃基板、遮罩基板、或是平板顯示器(Flat Panel Display，FPD)等。當工件W的邊緣存在斜面(倒角)時，本發明中所謂工件W的「表面」，亦包含從工件W的表面側觀察時之斜面部分。感光性被膜例如為光阻膜。
如圖1及圖2所示，基板處理系統1具備：塗佈顯影裝置2、曝光裝置3及控制裝置100。曝光裝置3係用以曝光「形成於工件W(基板)的光阻膜(感光性被膜)」之裝置。具體而言，曝光裝置3係藉由液浸曝光等方法，而將能量線照射於光阻膜之曝光對象部分。能量線例如為游離輻射線或是非游離輻射線。
游離輻射線係具有「在使原子或是分子游離上十足的能量」之輻射線。游離輻射線亦可為極端紫外線(EUV：Extreme Ultra violet)、電子束、離子束、X射線、α射線、β射線、γ射線、重粒子射線、陽子射線等。非游離輻射線係不具有「在使原子或是分子游離上十足的能量」之輻射線。非游離輻射線亦可為g射線、i射線、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、F 2準分子雷射等。以下，係以使用i射線之情形作為曝光用的能量線加以例示。
塗佈顯影裝置2，係在藉由曝光裝置3進行之曝光處理前，進行在工件W的表面塗佈光阻劑(化學液)而形成光阻膜之處理，並在曝光處理後進行光阻膜之顯影。進行顯影前的光阻膜，係藉由i射線進行曝光。亦即，藉由曝光裝置3而選擇性地將i射線照射至「進行顯影前的光阻膜之曝光對象部分」。塗佈顯影裝置2具備：載具區塊4、處理區塊5、及介面區塊6。
載具區塊4將工件W朝向塗佈顯影裝置2內導入，並將工件W從塗佈顯影裝置2內導出。載具區塊4，例如可固持「工件W用之複數個載具C」，並內建有「具備傳遞臂之搬運裝置A1」。載具C例如收納圓形之複數片工件W。搬運裝置A1，從載具C將工件W取出而傳遞至處理區塊5，並從處理區塊5接收工件W而內返回至載具C。處理區塊5具有處理模組11、12、13、14。
處理模組11內建有：液處理單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬運至這些單元之搬運裝置A3。處理模組11藉由液處理單元U1及熱處理單元U2，而在工件W的表面上形成下層膜。液處理單元U1將下層膜形成用之處理液，塗佈在工件W上。熱處理單元U2進行伴隨「下層膜的形成」之各種熱處理。
處理模組12內建有：液處理單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬運至這些單元之搬運裝置A3。處理模組12藉由液處理單元U1及熱處理單元U2在下層膜上形成光阻膜。液處理單元U1將光阻膜形成用之處理液塗佈在下層膜上。液處理單元U1將「可藉由i射線的曝光而形成圖案之化學液」塗佈在下層膜上，而作為光阻膜形成用之處理液。熱處理單元U2進行伴隨光阻膜的形成之各種熱處理。
處理模組13內建有：液處理單元U1、熱處理單元U2、及將工件W搬運至這些單元之搬運裝置A3。處理模組13藉由液處理單元U1及熱處理單元U2在光阻膜上形成上層膜。液處理單元U1將上層膜形成用之處理液塗佈在光阻膜上。熱處理單元U2進行伴上層膜的形成之各種熱處理。
處理模組14內建有：顯影單元U3、熱處理單元U4、測量單元U5、及將工件W搬運至這些單元之搬運裝置A3。處理模組14藉由顯影單元U3及熱處理單元U4，進行「施加過曝光處理之光阻膜的顯影」及「伴隨顯影之熱處理」。顯影單元U3係對於工件W施加「使用了顯影液之液處理」的單元。顯影單元U3，藉由將顯影液供給至曝光完成的工件W之表面上，而在工件W的表面上形成顯影液的液膜(puddle)。
顯影單元U3藉由在工件W的表面上維持顯影液的液膜(例如進行靜止顯影)，而進行光阻膜之顯影。在將顯影液的液膜維持之期間，因伴隨著排氣等之氣流的影響，易於促進來自工件W的周緣部分之放熱。其結果，在執行顯影的期間，於工件W的表面內會產生溫度差。此時，於工件W的表面內，在顯影的進行上會產生差異。尤其是使用i射線用之光阻膜的情形，相較於「藉由其他化學液形成之光阻膜中，顯影的程度係在形成顯影液的液膜後數秒左右決定」的情形，其具有「在維持顯影液的液膜之期間，顯影會以約略固定的比率持續進行下去」之傾向。
有鑑於上述情事，在使用了i射線用之光阻膜的情形時，在工件W的表面Wa中容易出現因溫度差而造成之顯影程度的差異。具體而言，在周緣區域因溫度較低，故顯影更為進行，使得在周緣區域的光阻圖案之線寬變得較細。相對於此，基板處理系統1中，係於工件W的表面內進行顯影程度的調整。針對於工件W的表面內調整顯影程度的方法，將於後述。
顯影單元U3，在進行了藉由顯影液進行之顯影後，藉由清洗液清洗掉工件W的表面上之顯影液。熱處理單元U4進行伴隨顯影之各種熱處理。作為熱處理的具體例，舉凡：顯影前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、及顯影後的加熱處理(PB：Post Bake)等。測量單元U5，測量進行了顯影之工件W的表面上的光阻圖案之線寬。測量單元U5亦得以任何形式測量光阻圖案的線寬。測量單元U5例如係構成為：可在散布於工件W的表面整體之複數個測量位置，分別測量線寬。測量單元U5亦可基於「藉由拍攝顯影後之工件W的表面而獲得的影像」，而測量線寬。
在處理區塊5內的載具區塊4側，設置有棚架單元U10。棚架單元U10係受到「在上下方向並列的複數個單元」分隔。在棚架單元U10的附近，設置有具備升降臂之搬運裝置A7。搬運裝置A7，使工件W在棚架單元U10的單元彼此之間升降。在處理區塊5內的介面區塊6側，設置有棚架單元U11。棚架單元U11係受到「在上下方向並列的複數個單元」分隔。
介面區塊6在其與曝光裝置3之間進行工件W之傳遞。介面區塊6例如係內建有具備傳遞臂之搬運裝置A8，並連接於曝光裝置3。搬運裝置A8將配置於棚架單元U11之工件W傳遞至曝光裝置3。搬運裝置A8從曝光裝置3接收工件W而返回至棚架單元U11。
控制裝置100(控制單元)係構成為部分地及整體地控制塗佈顯影裝置2。控制裝置100例如依以下順序控制塗佈顯影裝置2，以執行塗佈顯影處理。首先，控制裝置100控制搬運裝置A1，以將載具C內的工件W搬運至棚架單元U10；並控制搬運裝置A7，以將此工件W配置於處理模組11用的單元。
接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以將棚架單元U10的工件W搬運至處理模組11內的液處理單元U1及熱處理單元U2。又，控制裝置100控制液處理單元U1及熱處理單元U2，以在此工件W的表面上形成下層膜。其後，控制裝置100控制搬運裝置A3以使形成有下層膜的工件W返回至棚架單元U10，並控制搬運裝置A7以將此工件W配置於處理模組12用的單元。
接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以將棚架單元U10之工件W搬運至處理模組12內的液處理單元U1及熱處理單元U2。又，控制裝置100控制液處理單元U1及熱處理單元U2，以對於此工件W的表面形成光阻膜。其後，控制裝置100控制搬運裝置A3，以將工件W返回至棚架單元U10，並控制搬運裝置A7，以將此工件W配置於處理模組13用的單元。
接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以將棚架單元U10的工件W搬運至處理模組13內的各單元。又，控制裝置100控制液處理單元U1及熱處理單元U2，以在此工件W的光阻膜上形成上層膜。其後，控制裝置100控制搬運裝置A3，以將工件W搬運至棚架單元U11。
接著，控制裝置100控制搬運裝置A8，以將棚架單元U11的工件W送出至曝光裝置3。其後，控制裝置100控制搬運裝置A8，以從曝光裝置3收入施加過使用i射線之曝光處理的工件W，並將其配置於棚架單元U11中的處理模組14用單元。
接著，控制裝置100控制搬運裝置A3，以將棚架單元U11的工件W搬運至處理模組14內之各單元，並控制顯影單元U3及熱處理單元U4以進行此工件W的光阻膜之顯影。藉由進行光阻膜之顯影，而在此工件W的表面上形成光阻圖案。
其後，控制裝置100控制搬運裝置A3，以使工件W返回至棚架單元U10，並控制搬運裝置A7及搬運裝置A1以使此工件W返回至載具C內。藉由上述方式，完成就一片工件W之塗佈顯影處理。控制裝置100就後續之複數個工件W之各者，使塗佈顯影裝置2與上述同樣地執行塗佈顯影處理。
在控制裝置100，亦可連接有輸入輸出裝置102。輸入輸出裝置102，係用以「將表示來自操作員等使用者之指示的輸入資訊，輸入至控制裝置100，並將來自控制裝置100的資訊，輸出至使用者」之裝置。輸入輸出裝置102，亦可包含作為輸入裝置之鍵盤、操作面板、或是滑鼠，且亦可包含作為輸出裝置之監測器(例如液晶顯示器)。輸入輸出裝置102，亦可為將輸入裝置及輸出裝置一體化之觸碰面板。控制裝置100及輸入輸出裝置102亦可一體化。
基板處理裝置之具體的構成，並不限於以上所例示之基板處理系統1的構成。基板處理裝置只要具備「顯影單元，對於形成有光阻膜之狀態的基板施加顯影；及可控制該顯影單元的控制裝置」，亦可為任何的裝置。
(顯影單元) 接下來，參照圖3及圖4，就處理模組14之顯影單元U3詳加說明。顯影單元U3例如如圖3所示，具有：殼體H、旋轉固持部20、顯影液供給部30、調整液供給部40、氣體供給部50、覆蓋構件70及鼓風機B。殼體H係用以收納：旋轉固持部20、顯影液供給部30、調整液供給部40、氣體供給部50、覆蓋構件70及鼓風機B。
旋轉固持部20(固持部)將工件W固持而使其旋轉。旋轉固持部20可在不使工件W旋轉的狀態下將其固持，亦可一面使工件W旋轉一面固持。旋轉固持部20例如包含：旋轉驅動部22、軸24及固持部26。旋轉驅動部22係基於來自控制裝置100的動作指示而動作，以使軸24旋轉。旋轉驅動部22例如包含電動馬達等動力源。
固持部26係設置於軸24的前端部。在固持部26上配置工件W。固持部26例如係藉由吸附等方式而將工件W略水平地固持。旋轉固持部20係在工件W的位態呈略水平的狀態下，使工件W對於工件W的表面Wa繞著垂直的中心軸(旋轉軸)旋轉。固持部26亦可固持工件W，以使上述旋轉軸與工件W的中心CP(參照圖4(b))約略一致。
顯影液供給部30，對於旋轉固持部20(固持部26)所固持之工件W的表面Wa供給既定之化學液。藉由顯影液供給部30供給之化學液，係顯影液L1。顯影液L1，係用以對形成於工件W的表面Wa之光阻膜(以下，稱為「光阻膜R」。)施加顯影之化學液。本發明中，將液體或是氣體等流體(例如，顯影液L1)對於工件W的表面Wa供給之步驟，係相當於使該流體接觸於此表面Wa所形成之光阻膜R或是液膜等膜之步驟。
顯影液供給部30，例如包含：送液部32、驅動部34及顯影噴嘴36。送液部32係基於來自控制裝置100的動作指示，而將容器(未圖示)所貯存之顯影液L1，藉由泵等(未圖示)送出至顯影噴嘴36。驅動部34係基於來自控制裝置100之動作指示，而於至少沿著工件W的表面Wa之方向(水平方向)使顯影噴嘴36移動。
顯影噴嘴36係將從送液部32供給之顯影液L1，朝向工件W的表面Wa噴吐。顯影噴嘴36亦可在沿著工件W的表面Wa而朝向一方向延伸的區域(以下，稱為「噴吐區域DA」。)噴吐顯影液L1。例如，如圖4(a)所示，顯影噴嘴36包含複數個噴吐口36a。複數個噴吐口36a，係沿著水平之一方向並列著。從複數個噴吐口36a分別噴吐出的顯影液L1，在到達工件W的表面Wa後，分別來自複數個噴吐口36a之顯影液L1的附著區域係在一方向上並列。藉由在此一方向上並列之複數附著區域，圖4(b)所示般形成藉由顯影噴嘴36形成之上述噴吐區域DA。
顯影噴嘴36，係於複數個噴吐口36a所並列之方向上，以使上述噴吐區域DA與工件W的中心CP重疊的方式，受到配置。顯影噴嘴36的長邊方向之中央的位置，亦可於複數個噴吐口36a所並列的方向上，與中心CP約略一致。或是，顯影噴嘴36的長邊方向之中央的位置，亦可於複數個噴吐口36a所並列的方向上，對於中心CP偏離。顯影噴嘴36的長邊方向之長度，亦可較工件W的直徑為短。噴吐區域DA的延伸方向之長度，亦可與顯影噴嘴36的長邊方向之長度約略一致。
驅動部34亦可使顯影噴嘴36沿著「與藉由顯影噴嘴36進行之噴吐區域DA交叉的方向」(以下，稱為「移動方向」。)移動。作為一例，驅動部34使顯影噴嘴36沿著上述移動方向移動，以使噴吐區域DA在「工件W的表面Wa之周緣Wb(端部)」與「包含中心CP之中央區域」之間移動。顯影噴嘴36亦可朝向鉛直下方或是斜下方噴吐顯影液L1。在圖4(b)中，係例示著來自顯影噴嘴36的顯影液L1之噴吐方向為斜下方之情形。
回到圖3，調整液供給部40係對於旋轉固持部20(固持部26)所固持之工件W的表面Wa之周緣區域供給既定之液體。藉由調整液供給部40供給之液體，為調整液L2。調整液L2係用以抑制「光阻膜R藉由顯影液L1之顯影的進行」之液體。在將調整液L2追加至顯影液L1的情形，相較於不追加調整液L2的情形，藉由顯影液L1顯影的進行情形會變差(受到阻礙)。
藉由調整液供給部40供給之調整液L2，只要為不會使光阻膜R之顯影進行的液體，亦可為任一種類。作為調整液L2的具體例，舉凡水(例如，純水)。調整液L2的種類為水之情形，調整液L2亦可作為將工件W的表面Wa上之顯影液L1清洗用之清洗液而使用。此時，調整液供給部40係具有對於「接受供給顯影液L1後的狀態之工件W的表面Wa」供給清洗液之功能。
工件W的表面Wa之周緣區域，係包含「表面Wa之周緣Wb與其附近」之區域。工件W為圓形時，周緣區域例如係在周緣Wb與「從周緣Wb起算位在工件W的半徑之1/5～1/15左右內側的位置之圓」之間的環狀區域。此時，周緣區域的內徑，為工件W的半徑之4/5～14/15左右。以下，係將周緣區域以「周緣區域Wc」表示，並將表面Wa當中周緣區域Wc以外的區域，亦即位在較周緣區域Wc更內側的位置之區域以「內部區域Wd」表示(參照圖4(b))。
調整液供給部40，例如具有：送液部42A、42B；驅動部44；及調整噴嘴46。送液部42A、42B係基於來自控制裝置100之動作指示，將容器(未圖示)所貯存之調整液L2，藉由泵等(未圖示)送出至調整噴嘴46。在對於表面Wa的周緣區域Wc供給調整液L2的情形，係藉由送液部42A將調整液L2供給至調整噴嘴46。在將調整液L2作為清洗液使用之情形，係藉由送液部42B將調整液L2供給至調整噴嘴46。
藉由送液部42A送出之調整液L2的流量(每單位時間之流量)，亦可較藉由送液部42B送出之調整液L2的流量(每單位時間的流量)為小。驅動部44基於來自控制裝置100之動作指示，使調整噴嘴46於至少沿著工件W的表面Wa之方向(水平方向)上移動。調整噴嘴46例如可藉由驅動部44，而在可將顯影液L1供給至周緣區域Wc的位置，與可將顯影液L1供給至「包含表面Wa的中心CP之中央區域」的位置之間移動。
調整噴嘴46係將「從送液部42A或是送液部42B供給之調整液L2」，朝向「固持部26上之工件W的表面Wa」噴吐。調整噴嘴46亦可包含單一噴吐口。從調整噴嘴46噴吐之調整液L2，係在與表面Wa重疊之一處，附著於表面Wa。作為一例，調整噴嘴46係配置於工件W的表面Wa之上方，並朝向鉛直下方或是斜下方噴吐調整液L2。
氣體供給部50係對於工件W的表面Wa之內部區域Wd，供給既定之氣體。藉由氣體供給部50供給之氣體(以下，稱為「氣體G」。)，亦可為鈍性氣體，作為一例，為氮氣。氣體G係將顯影液L1的液膜局部地冷卻之冷卻用氣體。氣體供給部50係以「形成有顯影液L1的液膜之狀態的工件W的表面Wa」(更詳細而言，顯影液L1的正下方存在的膜：在上述例中為上層膜)不會露出之程度的流量，而對於表面Wa供給氣體G。
氣體供給部50例如具有氣體送出部52、氣體噴嘴56。氣體送出部52係將容器(未圖示)所貯存之氣體G，藉由泵等(未圖示)送出至氣體噴嘴56。氣體噴嘴56亦可配置於工件W的上方，並以「越遠離氣體噴嘴56，越往各方向(輻射狀地)擴散」的方式噴射氣體。在氣體噴嘴56形成有複數個噴出口，該等噴出口係例如對於工件W的表面Wa分別往以不同的角度延伸之方向延伸。氣體噴嘴56亦可對於調整噴嘴46連接(固定)。此時，驅動部44係使「調整噴嘴46與氣體噴嘴56」一同沿著表面Wa移動。
覆蓋構件70係設置於旋轉固持部20的周圍。覆蓋構件70例如包含杯本體72、排液口74、排氣口76。杯本體72的功能，係為了對於工件W進行之液處理，而作為承接「供給至工件W的顯影液L1及調整液L2」之集液容器。排液口74係設置於杯本體72的底部，並將由杯本體72集中的排液，排出至顯影單元U3的外部。排氣口76係設置於杯本體72的底部。
顯影單元U3具有排氣部V1、V2。排氣部V1係設置於殼體H的下部，並藉由基於來自控制裝置100之動作指示而動作，而將殼體H內的氣體排出。排氣部V1例如亦可為排氣量可依照開度而調整之阻尼器。藉由以排氣部V1調整來自殼體H的排氣量，可控制殼體H內的溫度、壓力及濕度等。排氣部V1亦可在對於工件W之液處理的期間，進行控制以將殼體H內常時排氣。
排氣部V2係設置於排氣口76，並藉由基於來自控制裝置100之動作指示而動作，而將杯本體72內的氣體排出。在工件W周圍流動的下降流(down flow)，係經由排氣口76及排氣部V2，向顯影單元U3的殼體H的外部排出。排氣部V2例如亦可為排氣量可因應開度而調整之阻尼器。藉由以排氣部V2調整來自杯本體72之排氣量，可控制杯本體72內的溫度、壓力及濕度等。
鼓風機B係於顯影單元U3的殼體H內，配置於旋轉固持部20及覆蓋構件70的上方。鼓風機B係基於來自控制裝置100之動作指示，而形成朝向覆蓋構件70之下降流。鼓風機B亦可在對於工件W之液處理的期間，進行控制以常時形成下降流。
(控制裝置) 控制裝置100控制液處理單元U1，以對於工件W施加顯影處理。顯影處理，包含：對於工件W的表面Wa供給顯影液L1，以在工件W的表面Wa形成顯影液L1的液膜；以及在工件W的表面Wa上維持顯影液L1的液膜，以使工件W的表面Wa上的顯影進行。又，顯影處理包含：在工件W的表面Wa上維持顯影液L1的液膜之期間，執行以下之第一處理與第二處理。
第一處理係對於「工件W的表面Wa之較周緣區域Wc位於更內側的位置之內部區域Wd」供給氣體G之處理。第二處理係「對於周緣區域Wc供給用以抑制顯影之進行之調整液L2，以在周緣區域Wc與內部區域Wd之間調整顯影的程度(顯影階級)」之處理。控制裝置100係在較第一處理的開始時點更後，開始第二處理；並在較第一處理的結束時點更後，結束第二處理。控制裝置100亦可在第一處理的執行中，開始第二處理；亦可在較第一處理的結束時點更後，開始第二處理。
控制裝置100作為功能上的構成(以下，稱為「功能模組」。)，例如，如圖5所示，具有：條件記錄部112、動作指示部114、輸入資訊取得部118、條件計算部120、條件變更部132。這些功能模組所執行的處理，係相當於控制裝置100所執行之處理。
條件記錄部112，係記錄「對於工件W之顯影處理中的處理條件」之功能模組。在條件記錄部112所記錄之處理條件中，包含上述第一處理中的處理條件，及上述第二處理中的處理條件。動作指示部114，係「控制顯影單元U3，以根據條件記錄部112所記錄的處理條件，對於工件W施加顯影處理」之功能模組。輸入資訊取得部118，係「從輸入輸出裝置102取得表示來自使用者的指示之輸入資訊」之功能模組。輸入資訊取得部118，亦可使輸入輸出裝置102之監測器顯示「供使用者輸入指示之介面影像」。
條件計算部120，係「為了調整顯影處理中的處理條件，而計算決定處理條件之數個參數之値」之功能模組。條件計算部120係基於「為了調整處理條件所包含的調整對象之參數，而執行之測試用的顯影處理之執行結果」，而計算調整對象之參數的値。在調整對象的參數中，包含：關於「包含『氣體G的供給』在內之第一處理的條件」之參數(以下，稱為「第一參數」。)；以及，關於「包含『顯影液L1的供給』在內之第二處理的條件」參數(以下，稱為「第二參數」。)。第一參數界定第一處理中的處理條件之一部分，第二參數界定第二處理中的處理條件之一部分。條件計算部120，具有：資料取得部122、迴歸式產生部124及設定値計算部128。
資料取得部122係「從測量單元U5取得『表面Wa所形成之光阻圖案的線寬分布之測量結果』而作為『測試用之顯影處理的執行結果』」之功能模組。線寬分布，係顯示「與表面Wa所設定之複數個測量位置對應的線寬」之分布。迴歸式產生部124係「基於資料取得部122所取得之結果，產生用以計算『第一參數及第二參數分別的設定値』之迴歸式」之功能模組。設定値計算部128係「使用藉由迴歸式產生部124產生之迴歸式，而計算第一參數及第二參數的設定値」之功能模組。
條件變更部132係「基於由條件計算部120計算出之條件，而變更(更新)條件記錄部112所記錄之處理條件」之功能模組。當處理條件因條件變更部132而變更時，動作指示部114根據此變更後之處理條件，而控制顯影單元U3。具體而言，在將第一參數及第二參數設定為上述設定値後，動作指示部114根據這些設定値，執行顯影處理中所包含之第一處理及第二處理。
控制裝置100係由一或是複數之控制用電腦而構成。控制裝置100例如具有圖6所示之電路150。電路150，具有：一或是複數之處理器152、記憶體154、儲存裝置156、輸入輸出埠158及定時器162。儲存裝置156例如為硬碟等可藉由電腦讀取之記錄媒體。記錄媒體，係儲存有「用以使控制裝置100執行後述基板處理方法之程式」。記錄媒體亦可為非揮發性之半導體記憶體、磁碟及光碟等可取出之媒體。
記憶體154暫時地儲存「從儲存裝置156的記錄媒體載入之程式、及處理器152之運算結果」。處理器152藉由與記憶體154協同執行上述程式，而構成上述各功能模組。輸入輸出埠158根據來自處理器152的指令，在與「旋轉固持部20、顯影液供給部30、調整液供給部40、氣體供給部50、測量單元U5、及輸入輸出裝置102等」之間，進行電訊號的輸入輸出。
當控制裝置100係以複數之控制用電腦構成的情形，各功能模組亦可分別藉由個別的控制用電腦而加以實現。控制裝置100亦可藉由「包含條件記錄部112及動作指示部114之控制用電腦」及「包含條件計算部120之控制用電腦」加以構成。或是，該等各功能模組亦可分別藉由兩台以上的控制用電腦之組合加以實現。這些情況下，複數之控制用電腦亦可在能互相通信地連接之狀態下，協力而執行基板處理方法。
控制裝置100的硬體構成，不必然限於以程式構成各功能模組者。例如控制裝置100的各功能模組，亦可由專用的邏輯電路或是將其積體化後之ASIC(Application Specific Integrated Circuit，特定應用積體電路)加以構成。
［基板處理方法］ 接著，參照圖7～圖19的同時，作為基板處理方法之一例，就控制裝置100所執行的一連串處理加以說明。在控制裝置100所執行的一連串處理中，包含：在「藉由顯影單元U3對於工件W施加顯影處理的階段」(以下，稱為「生產階段」。)中的一連串處理；以及在「用以調整顯影處理之處理條件的階段」(以下，稱為「準備階段」。)中的一連串處理。在生產階段中，在將準備階段中的調整結果反映於處理條件後，對於生產用之工件W執行顯影處理。
在準備階段中，進行用以調整「顯影處理的處理條件」之測試用之顯影處理。具體而言，對於複數之測試用的工件W，分別執行複數次測試用之顯影處理。測試用之工件W(測試用基板)，係與在生產階段施加處理的工件W同一種的工件。在測試用之顯影處理(測試顯影處理)中，藉由「除調整對象的參數外，與生產階段相同的處理條件」，對於測試用之工件W進行顯影處理。在複數次測試用之顯影處理中，分別由使用者指定調整對象參數，並將該調整對象參數設定為對應之測試値。又，在執行對於「測試用之工件W」之顯影處理之前，在該測試用之工件W中，以與生產階段相同的條件，進行光阻膜的形成與顯影前的加熱處理。
調整對象參數，包含：關於「包含『氣體G的供給』在內之第一處理的條件」之第一參數；及關於「包含『調整液L2的供給』在內之第二處理的條件」之第二參數。亦即，於準備階段，調整第一參數與第二參數；並於生產階段，根據經調整後之第一參數及第二參數，進行顯影處理。以下，例示「第一參數為第一處理的執行時間，且第二參數為顯影處理中的第二處理之開始時間點」之情形。
圖7中例示，決定了「於顯影單元U3執行顯影時之處理條件(處理排程)」之處理程序。本發明中，係將顯影處理所包含之複數的處理分別以「單位處理」表示。此處理程序中，決定有「於顯影單元U3執行之各單位處理的順序與執行時間」。作為一例，控制裝置100的動作指示部114，因應來自上位控制器之指示開始NO.1的單位處理，其後，根據處理程序依序執行各單位處理。圖7所示之處理程序中，第一參數(第一處理的執行時間：X1)，係相當於在NO.3的單位處理中之執行時間t3。又，第二參數(第二處理的開始時間點：X2)，係相當於從NO.1的單位處理之開始時點至NO.5的單位處理之開始時點為止的時間。
＜準備階段＞ 圖8係表示於上述準備階段中控制裝置100所執行之一連串處理之一例的流程圖。控制裝置100最初執行步驟S11。步驟S11中，例如，輸入資訊取得部118分別對於複數之測試用之工件W，取得表示「執行測試用之顯影處理時之測試條件」的使用者指示。輸入資訊取得部118取得表示「針對『複數次測試用之顯影處理』之複數個測試條件」的資訊。在各測試條件下，決定第一參數及第二參數之測試値。
在步驟S11中，由使用者設定複數個測試條件，以使第一參數及第二參數中的至少一方相異。亦即，在複數個測試條件之中的任意的兩個測試條件中，第一參數及第二參數之任何一方相異，或是第一參數及第二參數雙方均相異。在此，將「在第k次執行之測試用之顯影處理中的第一參數的測試値」定義為「p1 k」，並將「在第k次執行之測試用之顯影處理中的第二參數的測試値」定義為「p2 k」。k為1到N中之整數，N為2以上之整數。複數個測試條件中，包含：(p1 1，p2 1)、(p1 2，p2 2)、・・・、及(p1 N，p2 N)。N係相當於執行測試用之顯影處理的次數。
p1 k各自之値，以及p1 k的最小値與最大値之幅度的變化範圍，係由使用者任意地設定。p1 k包含有兩個以上的相異之値。p1 k亦可設定完全相異之値，亦可將p1 k的一部分設定為相同之値。p2 k各自之値，以及p2 k的最小値與最大値之幅度的變化範圍，係由使用者任意地設定。p2 k包含有兩個以上的相異之値。p2 k亦可設定完全相異之値，亦可將p2 k的一部分設定為相同之値。又，p1 k及p2 k的設定之一例，係如圖14所示。
接著，控制裝置100執行步驟S12、S13。在步驟S12中，例如，控制裝置100進行測試値之初始設定。作為一例，控制裝置100將第一參數及第二參數設定為(p1 1，p2 1)。在步驟S13中，例如，動作指示部114根據先前剛設定之測試條件控制顯影單元U3，以對於測試用之工件W施加顯影處理。在第1次的測試用之顯影處理中，在將第一參數設定為p1 1的狀態下執行第一處理，並在將第二參數設定為p2 1的狀態下執行第二處理。就步驟S13之顯影處理的細節將於後述。
接著，控制裝置100執行步驟S14、S15。在步驟S14中，例如，動作指示部114係以與生產階段中的熱處理相同的條件，控制熱處理單元U4，以對於施加了步驟S13的顯影處理後之測試用之工件W，施加顯影後的加熱處理。在步驟S15中，例如，資料取得部122從測量單元U5取得「於施加了『在步驟S14中的顯影後之加熱處理』後之測試用之工件W的表面Wa，測量光阻圖案的線寬分布之結果」。
接著，控制裝置100執行步驟S16。在步驟S16中，例如，控制裝置100判斷「在所有的測試條件下之顯影處理是否已結束？」。於步驟S16，當判斷出「所有的測試條件下之顯影處理尚未結束」時(步驟S16：否)，控制裝置100所執行之處理，係前進至步驟S17。在步驟S17中，例如，控制裝置100變更測試値之設定。在執行了第一次之測試用之顯影處理以後，控制裝置100將第一參數及第二參數設定為(p1 2、p2 2)。
其後，控制裝置100對於複數個測試用之工件W分別重覆執行步驟S13～S17的一連串處理，直至進行N次測試用之顯影處理為止。如上所述，控制裝置100於每個測試條件下，對於測試用之工件W施加測試用之顯影處理。又，控制裝置100於每個測試條件下(於每一次測試用之顯影處理中)，取得顯影後之測試用之工件W的表面Wa上之線寬分布的實測資料。
於步驟S16中，當判斷出「所有的測試條件下之顯影處理已結束」時(步驟S16：是)，控制裝置100所執行之處理，係前進至步驟S18。在步驟S18中，例如，迴歸式產生部124，基於「藉由重覆進行步驟S15而得之線寬分布的實測資料」，產生用以預測「顯影後之工件W的表面Wa上的線寬分布」之推定資訊。迴歸式產生部124產生表示「第一參數及第二參數」與「光阻圖案的線寬(線寬的預測値)」的關係之迴歸式，作為推定資訊。
接著，控制裝置100執行步驟S19。在步驟S19中，例如，設定値計算部128使用在步驟S18所產生之迴歸式而計算第一參數的設定値及第二參數的設定値，以使預測之線寬分布接近已預定之目標分布。針對步驟S18、S19中的迴歸式之產生方法及參數的設定値之計算方法的細節將於後述。藉由以上，控制裝置100結束準備階段中的一連串處理。
圖9係表示「步驟S13中的測試用之顯影處理之一例」的流程圖。在此顯影處理中，在測試用之工件W已固持於旋轉固持部20之狀態下，控制裝置100首先執行步驟S31。在步驟S31中，例如，動作指示部114控制顯影單元U3，以在測試用之工件W的表面Wa上形成顯影液L1的液膜。作為一例，如圖10(a)所示，在藉由旋轉固持部20使測試用之工件W旋轉的狀態下，動作指示部114控制顯影液供給部30，以一面從顯影噴嘴36噴吐顯影液L1，一面使顯影噴嘴36沿著表面Wa移動。
動作指示部114亦可藉由驅動部34使顯影噴嘴36移動，以使來自顯影噴嘴36之顯影液L1的噴吐區域DA(參照圖4(b))，從測試用之工件W的周緣Wb移動至中央區域(中心附近)。此時，動作指示部114亦可控制旋轉固持部20，以使測試用之工件W的旋轉隨著「噴吐區域DA靠近中央區域」而呈階段性地減速。動作指示部114亦可在使來自顯影噴嘴36的顯影液L1之噴吐停止時，藉由旋轉固持部20使測試用之工件W的旋轉停止。
藉由執行步驟S31，如圖10(b)所示，以覆蓋「測試用之工件W的表面Wa(光阻膜R)之約略整個區域」的方式，形成顯影液L1的液膜。在其後的處理中，直至藉由清洗液(例如，調整液L2)去除顯影液L1的液膜為止，動作指示部114控制旋轉固持部20，以在測試用之工件W的表面Wa上維持顯影液L1的液膜。
接著，控制裝置100執行步驟S32、S33。在步驟S32中，例如，動作指示部114控制驅動部44，以將氣體噴嘴56配置於「可將氣體G供給至測試用之工件W的表面Wa上的內部區域Wd的位置」。圖11(a)中，係例示有「配置氣體噴嘴56之動作」。在步驟S33中，例如，動作指示部114進行待命，直至既定的氣體供給時間點到來為止。氣體供給時間點係界定「開始供給氣體G的時間點」之條件，並由處理條件而定。氣體供給時間點，例如，當以「顯影處理中的顯影液L1之供給開始時點」為基準時，係定義為「由此基準時點起算之時間」。
接著，控制裝置100執行步驟S34。在步驟S34中，例如，動作指示部114控制氣體供給部50之氣體送出部52，以開始從氣體噴嘴56噴吐氣體G。藉此，對於測試用之工件W的表面Wa中的內部區域Wd，供給氣體G。動作指示部114亦可在與「開始從氣體噴嘴56供給氣體G之時間點」約略相同的時間點(上述供給時間點)，開始旋轉工件W。圖11(b)中係例示有「藉由氣體噴嘴56向內部區域Wd供給氣體G之模樣」。動作指示部114亦可在供給氣體G之期間藉由旋轉固持部20使工件W旋轉。
接著，控制裝置100執行步驟S35、S36。在步驟S35中，例如，動作指示部114，從「步驟S34的開始時點亦即上述供給時間點」，至「既定的氣體供給時間經過」為止，進行待命。在步驟S36中，例如，動作指示部114控制氣體送出部52，以停止從氣體噴嘴56供給(噴吐)氣體G。動作指示部114在使氣體G停止供給時，控制旋轉固持部20以停止旋轉工件W。
藉由執行步驟S34～S36，在上述氣體供給時間對於表面Wa之內部區域Wd供給氣體G。氣體供給時間，係決定「包含『氣體G之供給』在內的第一處理之條件」之第一參數，此測試値(測試用之顯影處理中的設定値)，係相當於上述p1 k。換言之，當測試用之顯影處理的執行次數為第k次時，第一參數係被設定為p1 k。
接著，控制裝置100執行步驟S37、S38。在步驟S37中，例如，動作指示部114控制驅動部44，而將調整噴嘴46配置於可將調整液L2供給至「測試用之工件W的表面Wa上的周緣區域Wc」的位置。圖12(a)中例示有「使調整噴嘴46移動之動作的模樣」。在步驟S38中，例如，動作指示部114進行待命，直至既定的旋轉開始時間點到來為止。旋轉開始時間點係由處理條件而定。旋轉開始時間點，例如，係定義為「自顯影處理中的顯影液L1之供給開始時點(顯影處理中的基準時點)起算的時間」。
接著，控制裝置100執行步驟S39、S40。在步驟S39中，例如，動作指示部114藉由旋轉固持部20使工件W開始旋轉，而以既定之旋轉速度旋轉工件W。在步驟S40中，例如，動作指示部114進行待命，直至既定之液供給時間點到來為止。液供給時間點係決定「包含『顯影液L1的供給』之第二處理的條件」之第二參數，此測試値係相當於上述p2 k。換言之，測試用之顯影處理的執行次數為第k次時，第二參數係被設定為p2 k。液供給時間點(第二參數)，例如係定義為：「從顯影處理中的顯影液L1之供給開始時點(顯影處理中的基準時點)起算的時間」。
接著，控制裝置100執行步驟S41。在步驟S41中，例如，動作指示部114控制調整液供給部40之送液部42A，以開始從調整噴嘴46噴吐調整液L2。藉此，開始對於測試用之工件W的表面Wa上的周緣區域Wc，供給調整液L2。動作指示部114亦可在與「開始從調整噴嘴46噴吐調整液L2的時間點(上述液供給時間點)」約略相同的時間點，控制旋轉固持部20，以提高測試用之工件W的旋轉速度。
在步驟S41為止的處理中，當包含「氣體G之供給」在內的第一處理結束後，開始包含「調整液L2之供給」在內的第二處理。此時，於「停止供給氣體G的時點(第一處理的結束時點)起算，至開始供給調整液L2的時點(第二處理的開始時點)為止的期間」，亦藉由旋轉固持部20而在測試用之工件W的表面Wa上維持顯影液L1的液膜，並進行光阻膜R的顯影。
接著，控制裝置100執行步驟S42、S43。在步驟S42中，例如，動作指示部114，從「步驟S41中的顯影液L1之供給開始時點」，至「經過既定的液供給時間」為止，進行待命。在步驟S43中，例如，動作指示部114控制調整液供給部40的送液部42A，而停止從調整噴嘴46噴吐調整液L2。藉此，停止對周緣區域Wc供給調整液L2。液供給時間係由處理條件而定，並設定為「在周緣區域Wc與內部區域Wd之間，於供給調整液L2後，在顯影的進行上會產生差異的程度之時間」。作為一例，液供給時間係設定為2秒～10秒左右。
接著，執行步驟S44。在步驟S44中，例如，動作指示部114控制旋轉固持部20，以使測試用之工件W停止旋轉。即便在工件W停止旋轉後(調整液L2停止供給後)，亦藉由旋轉固持部20將顯影液L1的液膜維持在測試用之工件W的表面Wa上，而進行顯影。此時，由於將調整液L2供給至周緣區域Wc，故在周緣區域Wc顯影進行的程度，會變得較在內部區域Wd顯影進行的程度為小。
接著，控制裝置100執行步驟S45。在步驟S45中，例如，動作指示部114，從「步驟S31中顯影液L1的供給開始時點」，至「既定的顯影時間經過」為止，進行待命。顯影時間係由處理條件而定，並為界定「將顯影液L1的液膜維持在表面Wa上的時間」之條件。
顯影時間，在重覆執行之測試用之顯影處理的期間，係設定為一定的時間。因此，「從氣體G之供給停止至調整液L2之供給開始為止的時間」及「從調整液L2之供給停止至顯影處理的結束時點為止的時間」，會因應於第一參數及第二參數之測試値而變化。此時，在不改變決定「從顯影液L1之供給的開始時點，至『在後述清洗處理中的清洗液之供給的開始時點』為止的時間」之條件的情況下，分別調整第一參數及第二參數。
作為圖7所示之處理程序之一例，顯影時間係相當於「從NO.1之單位處理的開始時點，至NO.6之單位處理的結束時點為止的時間DT。此處理程序中，除了時間DT外，亦將執行時間t1、t2、t5設定為一定的時間。第二參數(X2)之調整，亦可藉由NO.4之單位時間的執行時間t4加以調整。在將顯影時間(時間DT)設定為一定的情況下，亦可因應於執行時間t4，而自動地調整NO.6之單位處理的執行時間t6。
回到圖9，接著，控制裝置100執行步驟S46。在步驟S46中，例如，動作指示部114控制顯影單元U3，以對於測試用之工件W施加清洗處理。作為一例，如圖13(a)所示，動作指示部114控制驅動部44，以將調整噴嘴46配置於「可將調整液L2供給至『測試用之工件W的旋轉中心』的位置」。
又，如圖13(b)所示，動作指示部114控制調整液供給部40之送液部42B，以一面藉由旋轉固持部20使測試用之工件W旋轉，一面從調整噴嘴46對於測試用之工件W的表面Wa供給調整液L2。藉此，測試用之工件W的表面Wa上的顯影液L1，被取代為調整液L2。動作指示部114，在調整液L2之供給停止後藉由旋轉固持部20使測試用之工件W的旋轉繼續，藉此，從表面Wa排出調整液L2。
藉由以上方式，控制裝置100完成對於測試用之工件W的一次顯影處理。控制裝置100，一面使第一參數及第二參數的測試値變化，一面執行複數次(N次)的測試用之顯影處理。控制裝置100的資料取得部122，亦可在每執行一次測試用之顯影處理時，從測量單元U5取得線寬分布的測量結果。在複數次測試用之顯影處理的期間，由於第一參數及第二參數中的至少一方之測試値係相異，故獲得之線寬分布的實測資料係相異。圖14中係以表格表示每個測試用之顯影處理中之第一參數及第二參數的測試値之一例與線寬分布的測量結果之一例。
接著，針對圖8所示的步驟S18中的迴歸式之產生方法之一例，詳細說明。圖15(a)及圖15(b)中，顯示有用以說明迴歸式之一例的示意圖。控制裝置100的迴歸式產生部124，針對工件W的表面Wa上的複數個位置，分別產生表示「該位置之線寬的預測値」之迴歸式。分別產生迴歸式之複數個位置，例如，係對應於「於測量單元U5中測量線寬之複數個測量位置」。迴歸式產生部124，對於在測試用之顯影處理後測量之線寬分布中的每個測量位置，基於該測量位置上的線寬之實測値(複數個實測値)，產生迴歸式。
圖15(a)中，「P ij」表示各測量位置，「i」及「j」分別表示沿表面Wa之兩軸(I、J)的座標。又，在圖15(a)中，於互相垂直的I軸及J軸，分別設定有13處測量位置。此時，作為I軸座標之i係表示1～13中之任一値，而做為J軸座標之j係表示1～13中之任一値。沿一方向之測量位置的個數，不限於13。測量位置之個數，係設定成可觀測「表面Wa上的線寬的傾向」的程度。位於工件W的較周緣Wb更為外側的位置之座標，係從「測量及迴歸式的建立對象」中除外。圖15(b)中，「F ij(X1，X2)」係表示對應於各測量位置P ij之迴歸式。迴歸式產生部124基於線寬分布的實測資料，針對各個測量位置P ij，分別產生表示「與『第一參數及第二參數』對應之線寬(線寬的預測値)的變化」之迴歸式。
在圖15(b)中，在測量位置P ij中，在測試用之顯影處理後已被測量之線寬的各實測値，係以黑圓記號表示。迴歸式產生部124，於每個測量位置P ij中，基於「該測量位置P ij中的線寬之複數個實測値」與「得到這些實測値後之第一參數及第二參數分別的測試値」，進行迴歸分析，藉此產生迴歸式(迴歸平面)。迴歸式產生部124亦可依任意的方式進行迴歸分析，迴歸式的次數亦可為一次，亦可為二次以上。以下，係以迴歸式產生部124藉由嶺迴歸(嶺迴歸分析)產生迴歸式之情形加以例示。
為了說明嶺(Ridge)迴歸，首先，針對藉由最小平方法進行之一般的線性迴歸進行說明。當以「X1」表示第一參數，以「X2」表示第二參數，並將光阻圖案的線寬之預測値定義為「F(X1，X2)」時，一次之迴歸式(模型函數)係由以下式(1)表示。 ［式1］
Figure 02_image001
式(1)中，β1、β2及β0為係數(β1及β2為迴歸係數)，藉由設定這些係數，可產生表示「第一參數及第二參數」與「線寬之預測値」的關係之迴歸式。當以「y k」表示「在該測量位置中的線寬之實測値的配置資料」時，在藉由最小平方法進行之一般的線性迴歸中，β1、β2及β0係被設定成使「由以下式(2)表示之成本函數」成為最小。 ［式2］
Figure 02_image003
式(2)中，「β」係意指上述β1、β2及β0。又，如上所述，p1 k表示在複數次測試用之顯影處理中的第一參數之測試値(測試用之設定値)，p2 k表示在複數次測試用之顯影處理中的第二參數之測試値(測試用之設定値)。在使用多項式迴歸的情形，取代以式(1)表示之迴歸式，係使用雙變數之二次以上的迴歸式，並利用式(2)，設定分別之係數。
在使用嶺迴歸(例如，一次之嶺迴歸)的情形，係對於以式(2)表示之成本函數加上正則化項。具體而言，β1、β2及β0(係數)係被設定成使依下述式(3)表示之成本函數成為最小。 ［式3］
Figure 02_image005
式(3)中，第2項係正則化項。在嶺迴歸中的成本函數所含的正則化項中，係對於所有迴歸係數(此例中為β1與β2)之平方和，以正則化參數(λ)進行乘算。正則化參數之値，亦可由使用者設定，亦可預先設定為既定値。或是，迴歸式產生部124在產生迴歸式時，亦可藉由交叉檢證法計算正則化參數之最佳値。藉由在產生迴歸式時使用嶺迴歸(嶺迴歸分析)，可留下所有迴歸係數同時使各迴歸係數之絕對値縮小。
在此，使用圖16(a)及圖16(b)，針對「在成本函數中未含正則化項之一般的迴歸」與「藉由嶺迴歸獲得的迴歸式」之差異，加以說明。為了簡單說明，係以「產生了表示『僅第一參數』與線寬之關係之三次的迴歸式」之情形加以例示。在圖16(a)中，「f1(X1)」表示一般的三次迴歸式，在圖16(b)中，「f2(X1)」表示藉由嶺迴歸分析而得之三次迴歸式。在任一情形，均基於5個實測値(以「dm」表示之黑圓記號)，進行迴歸分析而產生三次迴歸式。
5個實測値中，未含「第一參數(X1)的値在30～45左右之範圍的資料」。若比較圖16(a)及圖16(b)所例示之圖式，吾人可理解：相較於嶺迴歸分析(f2(X1))，一般的迴歸分析(f1(X1))中，係使實測資料勉強擬合而建立迴歸式之傾向增強。假如第一參數之値為40左右之情形，若在以「dp」表示之三角記號的位置獲得實測値，則由f1(X1)獲得之預測的精度，係比f2(X1)為低。
如此，在一般的迴歸分析中，當實測資料(訓練資料)少的情形，會有建立偏頗於實測資料之迴歸式，而有引起「造成對於未知的資料之預測的精度下降之過度學習」之虞。另一方面，藉由嶺迴歸分析建立的迴歸式中，由於成本函數包含有正則化項，即便實測資料少，如圖16(b)所示，仍可降低(抑制)或解決過度學習。
接著，就圖8所示之步驟S19中的第一參數及第二參數分別的設定値(調整値)之計算方法之一例，詳細說明。各參數的設定値，係以使預測的線寬分布(以下，稱為「預測線寬分布」。)滿足既定之條件的方式，加以計算。在此，係就計算「預測線寬分布變得更為均一之設定値」的情形，加以說明。亦即，就目標分布的線寬為一定之情形，加以說明。作為一例，控制裝置100使第一參數及第二參數分別以複數階段方式變化，而於每個變化之階段地組合中計算預測線寬分布。又，控制裝置100從每個組合中的預測線寬分布(複數之預測線寬分布)，取出均一性成為最高之分布，而取得各參數的設定値。
圖17係表示各參數之設定値的計算方法之一例的流程圖。此計算方法中，首先，控制裝置100執行步驟S51。在步驟S51中，例如，輸入資訊取得部118取得表示「進行『用以計算設定値之預測』的條件」之使用者指示。作為一例，輸入資訊取得部118，使圖18(a)所示般的設定影像106，顯示於輸入輸出裝置102的監測器。在設定影像106中，可輸入使第一參數(X1)及第二參數(X2)分別變化之範圍及變化間距(pitch)。
輸入資訊取得部118亦可基於對於設定影像106之使用者輸入，取得表示進行預測之條件(模擬條件)的資訊。在圖18(a)所示的例中，使第一參數(X1)變化之 範圍係設定為5～50，其變化間距係設定為5。又，使第二參數(X2)變化的範圍係設定為50～150，其變化間距係設定為10。此時，使第一參數於5～50的範圍以5單位階段的地變化，且使第二參數於50～150的範圍以10單位階段地變化，並於每個變化之階段的組合中(針對所有組合各者)進行預測線寬分布之計算。
接著，控制裝置100執行步驟S52、S53。在步驟S52中，例如，設定値計算部128將第一參數及第二參數之値(進行線寬分布的預測之値)設定為初始値。作為一例，設定値計算部128將第一參數設定為變化範圍之最小値亦即5，並將第二參數設定為變化範圍之最小値亦即50。在步驟S53中，設定値計算部128對於就複數之測量位置P ij各者建立出的複數之迴歸式，藉由輸入第一參數及第二參數之値，以計算預測線寬分布。
接著，控制裝置100執行步驟S54。在步驟S54中，例如，設定値計算部128判斷「所有使第一參數變化之階段當中的預測是否已結束？」。當判斷出「並非在所有使第一參數變化之階段中預測已結束」之情形(步驟S54：否)，控制裝置100所執行之處理，前進到步驟S55。在步驟S55中，例如，設定値計算部128將第一參數從目前之値變更為接著進行預測之値。作為一例，設定値計算部128將第一參數，設定為「將步驟S51中設定之變化間距加上到目前之値而獲得之値」。
步驟S54中，當判斷出在所有使第一參數變化之階段中預測已結束之情形(步驟S54：是)，控制裝置100所執行之處理，前進到步驟S56。在步驟S56中，例如，設定値計算部128判斷「在所有使第二參數變化之階段當中，預測是否已結束？」。當判斷出「並非在所有使第二參數變化之階段中預測已結束」之情形(步驟S56：否)，設定値計算部128使第一參數返回初始値，並將第二參數從目前之値變更為接著進行預測之値。作為一例，設定値計算部128將第二參數設定為「將步驟S51中設定之變化間距加上到目前之値而獲得之値」。
執行步驟S57後，控制裝置100執行步驟S53～S56(S57)之處理。藉此，在將第二參數設定為下一個値後，一面以變化間距單位階段地變更第一參數，一面再度重覆預測線寬分布之計算。步驟S56中，當判斷出在所有使第二參數變化之階段中，預測已結束之情形(步驟S56：是)，控制裝置100所執行之處理，前進到步驟S58。藉由上述方式，在使第一參數變化之階段與使第二參數變化之階段的所有組合中，計算顯影後的線寬分布之預測資料。
在步驟S58中，例如，設定値計算部128，針對使第一參數變化之階段與使第二參數變化之階段的複數組合各者，評價計算出之線寬分布的預測資料。具體而言，設定値計算部128針對預測資料所含複數預測線寬分布各者，計算表示線寬的均一性之指標(例如，表示線寬的變動之標準偏差σ)。又，設定値計算部128於預測資料中，將均一性最高的(例如，上述標準偏差σ為最小的)預測線寬分布作為最佳分布取出。
接著，控制裝置100執行步驟S59。在步驟S59中，例如，設定値計算部128將「獲得步驟S58中取出之預測線寬分布的第一參數及第二參數之値」，取得作為設定値。控制裝置100在取得(計算)設定値後，如圖18(b)所示，亦可使表示「計算出之設定値、及藉由該設定値所得之預測線寬分布」之評價結果影像108，顯示於輸入輸出裝置102的監測器。藉由上述方式，結束計算第一參數及第二參數的設定値之處理。
＜生產階段＞ 圖19係表示在藉由顯影單元U3對於工件W施加顯影處理的生產階段中，控制裝置100所執行的一連串處理之一例的流程圖。以下，將生產階段中所處理之工件W以「處理對象之工件W」表示。在此一連串處理執行前，例如，在形成於「處理對象之工件W的表面Wa」之光阻膜R施加了曝光處理後，在該光阻膜R施加顯影前的加熱處理。
在此一連串處理中，首先控制裝置100執行步驟S71。在步驟S71中，例如，條件變更部132，使在準備階段由設定値計算部128計算出之設定値，反映於條件記錄部112所記錄之處理條件。作為一例，條件變更部132將條件記錄部112所記錄之處理條件中之第一參數，更新(變更)為準備階段中計算出之第一參數的設定値。又，條件變更部132將條件記錄部112所記錄之處理條件中之第二參數，更新(變更)為準備階段中計算出之第二參數的設定値。又，此步驟S71，亦可在準備階段執行。
接著，控制裝置100執行步驟S72、S73。控制裝置100控制顯影單元U3，俾根據步驟S71中將一部分的條件變更後之處理條件，對處理對象之工件W施加顯影處理。控制裝置100除了第一參數及第二參數之値有所不同外，係與圖8所示之步驟S13(圖9所示之步驟S31～S46)同樣地，使顯影單元U3執行對工件W之顯影處理。
此時所執行之顯影處理中，動作指示部114係根據第一參數之設定値(更新後之値)，而使顯影單元U3執行包含「氣體G之供給」在內的第一處理。又，動作指示部114根據第二參數之設定値(更新後之値)，而使顯影單元U3執行包含「調整液L2之供給」在內的第二處理。在步驟S73中，控制裝置100與步驟S14同樣地控制顯影單元U3，俾對於處理對象之工件W(形成有光阻圖案之狀態的工件W)執行顯影處理後的加熱處理。
接著，控制裝置100執行步驟S74、S75。在步驟S74中，例如，資料取得部122從測量單元U5，取得處理對象之工件W的表面Wa上的線寬分布之測量結果。在步驟S75中，例如，迴歸式產生部124計算「在步驟S74所獲得之線寬分布的測量値(測量線寬分布)」與「上述步驟S58中作為最佳的分布而取出之預測線寬分布」之乖離度，並執行該乖離度與閾値之比較。迴歸式產生部124，將「測量線寬分布與預測線寬分布之乖離度」藉由與閾値之比較而加以評價，藉此評價步驟S18中產生之迴歸式的預測精度。
步驟S75中，當判斷出「測量線寬分布與預測線寬分布之乖離度，較既定之閾値大」之情形(步驟S75：是)，控制裝置100所執行之處理前進到步驟S76。在步驟S76中，例如，迴歸式產生部124藉由與步驟S18同樣的方法，執行迴歸式之再建立。迴歸式產生部124亦可於最初建立迴歸式後使用之實測資料(實驗資料)加入新的實測資料後，再建立迴歸式。在追加之實測資料中，亦可包含步驟S74中獲得之線寬分布的測量値。在追加之實測資料中，亦可包含：以與「獲得最初使用之實測資料後的上述測試條件(第一參數及第二參數之測試値)」不同之條件，追加執行測試用之顯影處理而獲得之線寬分布的測量値。
步驟S75中，當判斷出「測量線寬分布與預測線寬分布之乖離度，在既定的閾値以下」之情形(步驟S75：否)，控制裝置100執行之處理，不進入步驟S76而結束。當判斷上述乖離度在閾値以下而結束處理之情形，控制裝置100亦可對於後續之複數個工件W，使顯影單元U3重覆執行步驟S72、S73之顯影處理及熱處理。此時，控制裝置100針對後續之複數個工件W，亦可不執行步驟S71、S74、S75(S76)。
［評價結果］ 接著，針對上述準備階段中的第一參數及第二參數之計算(調整)方法的評價結果加以說明。圖20(a)表示，藉由與上述準備階段中的設定方法不同的方法(依第一實施例的方法)，調整第一參數及第二參數而獲得的測量線寬分布之一例。在此測量線寬分布中，顏色的濃度係表示，從「表面Wa整體中的線寬之平均値」的偏移量。在依第一實施例的方法中，在使第一參數及第二參數之値分別以既定的間距單位變化後，評價出測試用之工件W的表面Wa所形成的線寬分布之實測資料。又，從實測資料，將獲得「均一性高的線寬分布」之値，設定為第一參數及第二參數。
圖20(b)表示，以上述準備階段中的設定方法(依第二實施例之方法)，調整第一參數及第二參數而獲得之測量線寬分布的一例。此分布中，顏色的濃度，亦表示從「表面Wa整體中的線寬之平均値」之偏移量。在依第二實施例之方法中，為了產生迴歸式而取得了實測資料。此時所執行的測試用之顯影處理的次數，係較依第一實施例的方法中的測試用之顯影處理的次數為少。計算表示均一性程度的指標而比較後發現，以第二實施例之方法所獲得之測量線寬分布的均一性，係較以第一實施例之方法所獲得之測量線寬分布為高。
［變形例］ 控制裝置100所執行的上述一連串處理為一例，可適當變更。上述一連串處理中，控制裝置100亦可將一步驟與次一步驟併行執行，亦得以與上述例子不同的順序執行各步驟。控制裝置100亦可省略任一步驟，亦可於任一步驟執行與上述例子不同的處理。
迴歸式產生部124亦可藉由嶺迴歸以外之迴歸分析，產生(建立)表示「第一參數及第二參數」與「線寬的預測値」之關係的迴歸式。迴歸式產生部124例如亦可藉由「在成本函數未含正則化項之一次的線性迴歸或是多項式迴歸」，而產生迴歸式(模型式)。迴歸式產生部124亦可藉由套索(Lasso)迴歸分析產生迴歸式，亦可藉由彈性網路(Elastic Net)迴歸分析產生迴歸式。
於上述例子中，在包含「氣體G之供給」在內的第一處理之處理條件中，成為調整對象的第一參數，係第一處理的執行時間(氣體G的供給時間)，然而，第一參數並不限於此條件。第一參數只要為「可使內部區域Wd的顯影進行的程度變化」之條件，亦可為任一條件。作為一例，第一參數亦可為開始供給氣體G的時間點，亦可為工件W的表面Wa上的氣體G之供給位置(氣體噴嘴56之配置位置)，亦可為氣體G之噴吐流量(每單位時間的流量)，或是，亦可為氣體G的供給時之工件W的旋轉速度。
於上述例中，在包含「調整液L2的供給」在內之第二處理的處理條件中，成為調整對象的第二參數，係調整液L2的供給之開始時間點，然而，第二參數並不限於此條件。第二參數只要為「可使周緣區域Wc中的顯影進行的程度變化」的條件，亦可為任一條件。作為一例，第二參數亦可為第二處理的執行時間(調整液L2的供給時間)，亦可為調整液L2的噴吐流量(每單位時間的流量)，亦可為調整液L2的噴吐量，亦可為調整液L2的溫度，亦可為工件W的表面Wa上的調整液L2之供給位置(調整噴嘴46的配置位置)，或是，亦可為調整液L2的供給時之工件W的旋轉速度。
關於第一處理的處理條件，亦可調整複數之參數(第一參數)，關於第二處理的處理條件，亦可調整複數之參數(第二參數)。此時，迴歸式產生部124亦可產生具有三個以上變數之迴歸式。
在上述例子中，控制裝置100係以使線寬分布成為均一之方式(使線寬接近固定的目標線寬分布之方式)，調整第一參數及第二參數。取而代之，控制裝置100亦得以使線寬接近因區域而不同的目標線寬分布之方式，調整第一參數及第二參數。此時，設定値計算部128亦可將「使『用迴歸式獲得之預測線寬分布』與『目標線寬分布』之差異量成為最小的第一參數及第二參數之値」，作為上述設定値而取得(計算)。
在上述例子中，散布在工件W的表面Wa之複數處中，線寬係各自受到測量及評價，然而，亦可於工件W的表面Wa上沿直徑方向之任意線路中，測量及評價線寬。資料取得部122亦可不從測量單元U5取得線寬分布的測量値，而改為基於來自使用者的資料輸入，取得線寬分布的測量値。此時，塗佈顯影裝置2亦可不具備測量線寬用之測量單元U5。
噴吐顯影液L1之顯影噴嘴36、噴吐調整液L2之調整噴嘴46、及噴吐氣體G之氣體噴嘴56各者，不限於上述例子。亦可使用具有一個噴吐口之顯影噴嘴36，該噴吐口(狹縫)亦可在水平之一方向上延伸。調整噴嘴46與氣體噴嘴56亦可互相不固定，除了使調整噴嘴46移動之驅動部44外，另設置使氣體噴嘴56移動之其它驅動部。
［實施態樣的效果］ 以上例示之基板處理方法，包含對於工件W施加顯影處理之步驟。此顯影處理，包含以下步驟：對工件W的表面Wa供給顯影液L1，以在工件W的表面Wa形成顯影液L1的液膜；在工件W的表面Wa上維持顯影液L1的液膜，以使工件W的表面Wa上之顯影進行；以及，在工件W的表面Wa上維持顯影液L1的液膜之期間，執行對於工件W的表面Wa之較周緣區域Wc位在更內側的位置之內部區域Wd供給氣體G之第一處理，並執行對於周緣區域Wc供給用以抑制顯影之進行之調整液L2，以在周緣區域Wc與內部區域Wd之間調整顯影的程度之第二處理。此基板處理方法，係在較第一處理的開始時點更後，開始第二處理，且在較第一處理的結束時點更後，結束第二處理。
藉由供給氣體G可使顯影液L1的液膜之溫度下降而促進顯影，藉由在氣體G之供給後供給調整液L2可抑制顯影之進行。因此，在上述基板處理方法中，藉由供給氣體G及調整液L2，可在內部區域Wd與周緣區域Wc之間調整顯影的程度。顯影後的線寬會因顯影的程度而變化，因此，在上述基板處理方法中，可容易地調整工件W面內的線寬分布。又，藉由在第一處理結束後結束第二處理，由於氣體G之供給，造成在顯影液L1的液膜內供給至周緣區域Wc的調整液L2，不易擴散至其他區域。因此，相較於結束第二處理後繼續供給氣體G之情形，更容易進行藉由供給氣體G及調整液L2之線寬分布的調整。
上述基板處理方法中，亦可在較第一處理的結束時點更後開始第二處理。「在工件W的表面Wa上維持顯影液L1的液膜」，亦包含「從第一處理之結束時點至第二處理的開始時點為止的期間，繼續維持工件W的表面Wa上的顯影液L1的液膜」。此時，向內部區域Wd供給氣體G的期間與向周緣區域Wc供給調整液L2的期間互不重疊。因此，可抑制第一處理及第二處理中一方對另一方的影響，而可更為容易地調整線寬分布。
上述基板處理方法亦可更包含：在對工件W施加顯影處理前，分別調整關於第一處理的條件之第一參數、及關於第二處理的條件之第二參數。顯影處理中執行第一處理與第二處理，亦可包含：根據經調整後之第一參數而執行第一處理，及根據經調整後之第二參數而執行第二處理。第一處理中氣體G之供給影響及於內部區域Wd上的線寬，第二處理中調整液L2之供給影響及於周緣區域Wc上的線寬。因此，藉由調整關於「第一處理及第二處理分別的條件」之參數，顯影後的線寬分布會變化。從而，在上述方法中，可藉由調整參數使線寬分布易於靠近作為目標之分布。
上述基板處理方法，亦可更包含：在分別調整第一參數及第二參數前，產生用以預測「顯影後的工件W的表面Wa上的線寬分布」之推定資訊。產生推定資訊，亦可包含：「使第一參數及第二參數分別變化，而對於測試用之工件W施加與顯影處理對應之測試顯影處理」、「於每個第一參數及第二參數之組合中，取得顯影後的測試用之工件W的表面Wa上的線寬分布之實測資料」以及「基於實測資料，針對測試用之工件W的表面Wa上的複數個位置，分別產生表示與第一參數及第二參數對應的線寬之變化的迴歸式」。分別調整第一參數及第二參數，亦可包含：以顯影後的工件W的表面Wa上的線寬分布滿足既定的條件之方式，基於迴歸式，計算執行顯影處理時之第一參數的設定値與第二參數之設定値。
作為第一參數與第二參數之調整方法，亦考量以下方式：由操作員確認根據任意的測試條件而得之線寬分布，並由操作員本身，基於至今為止的經驗或是技能，重覆參數的變更與實測値之確認而進行調整。或是，亦考量以下方式：使第一參數及第二參數分別以小刻度變化，取得所有組合中線寬分布的實測資料，而調整參數。相對於此，在上述方法中，可使用推定資訊，定量地評價因第一處理及第二處理各自的條件之變化對線寬分布的影響。從而，即使並非熟練的操作員，亦可進行參數之調整，進而，由於無需重覆多次的嘗試錯誤，故能縮短參數調整所需要的時間。從而，藉由使用上述推定資訊進行參數的調整，能以「無需基於由操作員等之嘗試錯誤或是經驗、或是多次的嘗試錯誤，便能使線寬分布滿足既定的條件」之方式(例如，使線寬分布的均一性變高之方式)而調整處理條件。
基於迴歸式目標分布計算第一參數之設定値與第二參數之設定値，亦可包含：「在每個使第一參數及第二參數分別以複數階段方式變化後之變化的階段之組合中，基於迴歸式計算顯影後之線寬分布的預測資料」、及「在預測資料中，將線寬分布的均一性成為最高的第一參數及第二參數之組合的値，分別取得作為第一參數之設定値及第二參數之設定値」。此時，藉由在將第一參數及第二參數分別設定為計算出之設定値後進行顯影處理，可獲得面內均一性經提高之線寬分布。從而，上述方法可容易地使工件W面內的線寬分布之均一性提高。
產生迴歸式，亦可包含：基於實測資料及得到該實測資料後之第一參數及第二參數各別之値進行嶺迴歸分析，藉此產生迴歸式。藉由進行嶺迴歸分析，即使實測資料的數量少，亦可降低過度學習。從而，上述方法，可實現同時達成「預測精度的提高」及「處理條件的調整之縮短化」。
顯影處理，亦可更包含：在維持顯影液L1的液膜後，對工件W的表面Wa供給清洗液。分別調整第一參數及第二參數，亦可包含：從顯影液L1之供給的開始時點，以不使決定「至清洗液之供給的開始時點為止的時間」的條件改變的方式，分別調整第一參數及第二參數。此時，能以不使顯影處理的執行時間改變的方式，進行線寬分布的調整。因此，能以不改變處理量的方式調整線寬分布。
第一參數亦可為第一處理的執行時間。吾人發現，第一處理的執行時間與內部區域Wd中的線寬之間，存在高度關聯性。因此，在上述方法中，可藉由調整第一處理的執行時間，而更為容易地調整線寬分布。
第二參數亦可為顯影處理中的第二處理之開始時間點。吾人發現，第二處理的開始時間點與周緣區域Wc中的線寬之間，存在高度關聯性。因此，在上述方法中，可藉由調整第二處理之開始時間點，而更為容易地調整線寬分布。
如上述般，藉由使用嶺迴歸，可降低過度學習並以較少的實測資料，產生精度高的迴歸式。關於降低過度學習之其它方法，吾人亦考量使用套索迴歸等，然而，套索迴歸中，有時會將判斷為與線寬之相關較弱的迴歸係數設定為零。在第一參數為第一處理之執行時間，第二參數為第二處理之開始時間點之情形，由於這些參數與線寬之相關較強，故此時，吾人認為使用嶺迴歸較套索迴歸，更為適當。
1:基板處理系統 2:塗佈顯影裝置 3:曝光裝置 4:載具區塊 5:處理區塊 6:介面區塊 11~14:處理模組 20:旋轉固持部 22:旋轉驅動部 24:軸 26:固持部 30:顯影液供給部 32:送液部 34:驅動部 36:顯影噴嘴 36a:噴吐口 40:調整液供給部 42A,42B:送液部 42B:送液部 44:驅動部 46:調整噴嘴 50:氣體供給部 52:氣體送出部 56:氣體噴嘴 70:覆蓋構件 72:杯本體 74:排液口 76:排氣口 100:控制裝置 102:輸入輸出裝置 106:設定影像 108:評價結果影像 112:條件記錄部 114:動作指示部 118:輸入資訊取得部 120:條件計算部 122:資料取得部 124:迴歸式產生部 128:設定値計算部 132:條件變更部 150:電路 152:處理器 154:記憶體 156:儲存裝置 158:輸入輸出埠 162:定時器 A1:搬運裝置 A3:搬運裝置 A7:搬運裝置 A8:搬運裝置 B:鼓風機 C:載具 CP:中心 DA:噴吐區域 DT:時間 G:氣體 H:殼體 L1:顯影液 L2:調整液 Pij:測量位置 R:光阻膜 S11~S19:步驟 S31~S39:步驟 S40~S46:步驟 S51~S59:步驟 S71~S76:步驟 U1:液處理單元 U2~U4:熱處理單元 U3:顯影單元 U5:測量單元 U10~U11:棚架單元 V1,V2:排氣部 W:工件 Wa:表面 Wb:周緣 Wc:周緣區域 Wd:內部區域 t1,t2,t3,t5:執行時間
［圖1］圖1係顯示基板處理系統之一例的示意圖。 ［圖2］圖2係顯示塗佈顯影裝置之一例的示意圖。 ［圖3］圖3係顯示顯影單元之一例的示意圖。 ［圖4］圖4(a)及圖4(b)係顯示噴吐顯影液的噴嘴之一例的示意圖。 ［圖5］圖5係顯示控制裝置的功能構成之一例的方塊圖。 ［圖6］圖6係顯示控制裝置的硬體構成之一例的方塊圖。 ［圖7］圖7係顯示顯影處理的處理程序之一例的圖。 ［圖8］圖8係顯示參數的設定方法之一例的流程圖。 ［圖9］圖9係顯示顯影處理之一例的流程圖。 ［圖10］圖10(a)係顯示形成顯影液之液膜時的動作之一例的示意圖。圖10(b)係顯示形成有顯影液之液膜的狀態之一例的示意圖。 ［圖11］圖11(a)及圖11(b)係顯示供給氣體時的動作之一例的示意圖。 ［圖12］圖12(a)及圖12(b)係顯示供給調整液時的動作之一例的示意圖。 ［圖13］圖13(a)及圖13(b)係顯示清洗處理中的動作之一例的示意圖。 ［圖14］圖14係顯示用以產生迴歸式而受到測量的實測資料之一例的表格。 ［圖15］圖15(a)係顯示設定於工件的表面之測量位置之一例的示意圖。圖15(b)係用以說明迴歸式之一例的圖式。 ［圖16］圖16(a)係顯示藉由多項式迴歸建立的迴歸式之一例的圖式。圖16(b)係顯示藉由嶺迴歸建立的迴歸式之一例的圖式。 ［圖17］圖17係顯示使用了迴歸式之參數的計算方法之一例的流程圖。 ［圖18］圖18(a)係顯示預測線寬分布時的設定影像之一例的示意圖。圖18(b)係顯示表示預測結果的影像之一例的示意圖。 ［圖19］圖19係顯示條件設定後的基板處理方法之一例的流程圖。 ［圖20］圖20(a)係顯示依第一實施例之線寬分布的測量結果之一例的圖式。圖20(b)係顯示依第二實施例之線寬分布之一例的圖式。
100:控制裝置
20:旋轉固持部
22:旋轉驅動部
24:軸
26:固持部
30:顯影液供給部
32:送液部
34:驅動部
36:顯影噴嘴
40:調整液供給部
42A,42B:送液部
44:驅動部
46:調整噴嘴
50:氣體供給部
52:氣體送出部
56:氣體噴嘴
70:覆蓋構件
72:杯本體
74:排液口
76:排氣口
B:鼓風機
G:氣體
H:殼體
L1:顯影液
L2:調整液
R:光阻膜
U3:顯影單元
V1,V2:排氣部
W:工件
Wa:表面
Wb:周緣

Claims (11)

  1. 一種基板處理方法，包含對基板施加顯影處理之步驟； 該顯影處理，包含以下步驟： 對該基板的表面供給該顯影液，以在該基板的表面形成顯影液之液膜； 在該基板的表面上維持該顯影液之液膜，俾使該基板的表面上之顯影進行；以及 在該基板的表面上維持該顯影液之液膜的期間，執行對於該基板的表面之較周緣區域位在更內側的位置之內部區域供給氣體之第一處理，並執行對於該周緣區域供給用以抑制顯影之進行的調整液，以在該周緣區域與該內部區域之間調整顯影的程度之第二處理； 在較該第一處理的開始時點更後，開始該第二處理，且在較該第一處理的結束時點更後，結束該第二處理。
  2. 如請求項1所述之基板處理方法，其中， 在較該第一處理的結束時點更後，開始該第二處理；且 在該基板的表面上維持該顯影液之液膜之步驟，包含以下步驟：從該第一處理的結束時點至該第二處理的開始時點為止之期間，繼續維持該基板的表面上的該顯影液之液膜。
  3. 如請求項1所述之基板處理方法，更包含以下步驟： 在對該基板施加該顯影處理之前，分別調整關於該第一處理的條件之第一參數及關於該第二處理的條件之第二參數； 在該顯影處理中執行該第一處理與該第二處理之步驟，包含以下步驟：根據經調整後之該第一參數而執行該第一處理；以及根據經調整後之該第二參數而執行該第二處理。
  4. 如請求項3所述之基板處理方法，更包含以下步驟： 在分別調整該第一參數及該第二參數之前，產生用以預測顯影後之該基板的表面上的線寬分布之推定資訊； 產生該推定資訊之步驟，包含以下步驟： 取得表示該第一參數與該第二參數中的至少一方為相異之複數個測試條件的資訊； 於該複數個測試條件所包含的每個測試條件下，對於測試用基板施加與該顯影處理對應之測試顯影處理； 於每個該測試條件下，取得顯影後之該測試用基板的表面上的線寬分布之實測資料，以及 基於該實測資料，就該測試用基板的表面上的複數個位置，分別產生表示該第一參數及該第二參數與線寬的關係之迴歸式； 該分別調整第一參數及該第二參數之步驟，包含以下步驟：基於該迴歸式，計算執行該顯影處理時之該第一參數的設定値與該第二參數的設定値，以使顯影後之該基板的表面上的線寬分布滿足既定的條件。
  5. 如請求項4所述之基板處理方法，其中， 基於該迴歸式計算該第一參數的設定値與該第二參數的設定値之步驟，包含以下步驟： 針對使該第一參數及該第二參數分別以複數階段方式變化時的每個變化之階段的組合，基於該迴歸式計算顯影後的線寬分布之預測資料；以及 於該預測資料中，將線寬分布的均一性變得最高之該第一參數及該第二參數的組合之値，分別取得作為該第一參數的設定値及該第二參數的設定値。
  6. 如請求項4所述之基板處理方法，其中， 產生該迴歸式之步驟，包含以下步驟： 基於該實測資料及得到該實測資料後之該第一參數及該第二參數各自之値，而進行嶺迴歸分析，藉此產生該迴歸式。
  7. 如請求項3～6中任一項所述之基板處理方法，更包含： 該顯影處理係在維持該顯影液的液膜之步驟後，對於該基板的表面供給清洗液； 分別調整該第一參數及該第二參數之步驟，包含以下步驟：在不使決定從該顯影液之供給的開始時點起至該清洗液之供給的開始時點為止的時間之條件改變的情況下，分別調整該第一參數及該第二參數。
  8. 如請求項3～6中任一項所述之基板處理方法，其中， 該第一參數係該第一處理的執行時間。
  9. 如請求項3～6中任一項所述之基板處理方法，其中， 該第二參數係該顯影處理當中的該第二處理之開始時間點。
  10. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其儲存有用以使裝置執行如請求項1～6中任一項所述之基板處理方法的程式。
  11. 一種基板處理裝置，具備： 顯影單元，其具有：固持部，用以固持基板，該基板在表面形成藉由i射線進行曝光後之狀態的光阻膜；顯影液供給部，對於該固持部所固持之該基板的表面，供給顯影液；調整液供給部，對於該固持部所固持之該基板的表面之周緣區域，供給用以抑制顯影之進行之調整液；及氣體供給部，對於該固持部所固持之該基板的表面之較該周緣區域位在更內側的位置之內部區域供給氣體；以及 控制單元，控制該顯影單元，以對於該基板施加顯影處理； 該顯影處理，包含以下步驟： 藉由該顯影液供給部而對於該基板的表面供給該顯影液，以在該基板的表面形成該顯影液的液膜； 藉由該固持部在該基板的表面上維持該顯影液的液膜，俾使該基板的表面上之顯影進行；以及 在藉由該固持部在該基板的表面上維持該顯影液的液膜之期間，執行藉由該氣體供給部對於該內部區域供給該氣體之第一處理，並執行藉由該調整液供給部對於該周緣區域供給該調整液，以在該周緣區域與該內部區域之間調整顯影的程度之第二處理； 該控制單元，於該顯影處理中，係較該第一處理的開始時點更後，開始該第二處理，且較該第一處理的結束時點更後，結束該第二處理。
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