JP2021132183A - 情報処理装置、情報処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

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正志 榎本
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豊久 ▲鶴▼田
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泰之 中村
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Abstract

【課題】本開示は、膜などの構造物を基板上に高精度に形成することが可能な情報処理装置、情報処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。【解決手段】情報処理装置の一例は、基板処理装置の状態と基板処理装置によって基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルと、基板処理装置による基板の処理前における基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、基板処理装置によって基板が処理されるときの予測膜厚を算出するように構成された予測部と、基板処理装置によって基板が処理される前に、予測膜厚に基づいて、基板の処理に関する指示情報を出力する出力部とを備える。【選択図】図７

Description

本開示は、情報処理装置、情報処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
特許文献１は、基板表面の撮像画像に基づいて、基板上に形成されている膜の膜厚を算出する装置を開示している。
特開２０１５−２１５１９３号公報
本開示は、膜などの構造物を基板上に高精度に形成することが可能な情報処理装置、情報処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
情報処理装置の一例は、基板処理装置の状態と基板処理装置によって基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルと、基板処理装置による基板の処理前における基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、基板処理装置によって基板が処理されるときの予測膜厚を算出するように構成された予測部と、基板処理装置によって基板が処理される前に、予測膜厚に基づいて、基板の処理に関する指示情報を出力する出力部とを備える。
本開示に係る情報処理装置、情報処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、膜などの構造物を基板上に高精度に形成することが可能となる。
図１は、基板処理システムの一例を示す斜視図である。 図２は、図１の基板処理システムの内部を概略的に示す側面図である。 図３は、図１の基板処理システムの内部を概略的に示す上面図である。 図４は、液処理ユニットの一例を概略的に示す側面図である。 図５は、熱処理ユニットの一例を概略的に示す上面図である。 図６は、基板処理システムの一例を示すブロック図である。 図７は、コントローラの一例を示すブロック図である。 図８は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図９は、基板の表面にレジスト膜を形成する手順の一例を説明するためのフローチャートである。 図１０は、基板の表面にレジストパターンを形成する手順の一例を説明するためのフローチャートである。 図１１は、コントローラの他の例を示すブロック図である。 図１２は、コントローラの他の例を示すブロック図である。 図１３は、コントローラの他の例を示すブロック図である。 図１４は、コントローラの他の例を示すブロック図である。 図１５は、コントローラの他の例を示すブロック図である。
以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
［基板処理システム］
まず、図１〜図３を参照して、基板処理システム１の構成について説明する。基板処理システム１は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、コントローラＣｔｒ（情報処理装置）とを備える。
露光装置３は、塗布現像装置２との間で基板Ｗを授受して、基板Ｗの表面Ｗａ（図４等参照）に形成されたレジスト膜Ｒ（塗布膜）の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。露光装置３は、例えば、液浸露光等の方法によりレジスト膜Ｒの露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射してもよい。
エネルギー線は、例えば、電離放射線、非電離放射線などであってもよい。電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有する放射線である。電離放射線は、例えば、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）、電子線、イオンビーム、Ｘ線、α線、β線、γ線、重粒子線、陽子線などであってもよい。非電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有しない放射線である。非電離放射線は、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーなどであってもよい。
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成するように構成されている。塗布現像装置２は、露光処理後にレジスト膜Ｒの現像処理を行うように構成されている。
基板Ｗは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。基板Ｗは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。基板Ｗは、例えば、半導体基板（シリコンウエハ）、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。基板Ｗの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。
図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。
キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１（収容容器）を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つの基板Ｗを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、基板Ｗを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。
搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、図１及び図３に示されるように、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、図２及び図３に示されるように、搬送アームＡ１を内蔵している。搬送アームＡ１は、キャリア１１から基板Ｗを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５から基板Ｗを受け取ってキャリア１１内に戻すように構成されている。
処理ブロック５は、図２に示されるように、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４と、膜厚測定ユニットＵ３（処理室）と、線幅測定ユニットＵ４（処理室）とを含む。
処理モジュールＰＭ１は、基板Ｗの表面上に下層膜を形成するように構成されており、ＢＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ１は、図３に示されるように、液処理ユニットＵ１（処理室）と、熱処理ユニットＵ２（処理室）と、これらに基板Ｗを搬送するように構成された搬送アームＡ２とを含む。処理モジュールＰＭ１の液処理ユニットＵ１は、例えば、下層膜形成用の塗布液を基板Ｗに塗布するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ１の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１によって基板Ｗに形成された塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理を行うように構成されていてもよい。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。
処理モジュールＰＭ２は、下層膜上に中間膜（ハードマスク）を形成するように構成されており、ＨＭＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらに基板Ｗを搬送するように構成された搬送アームＡ３とを含む。処理モジュールＰＭ２の液処理ユニットＵ１は、例えば、中間膜形成用の塗布液を基板Ｗに塗布するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ２の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１によって基板Ｗに形成された塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理を行うように構成されていてもよい。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。
処理モジュールＰＭ３は、中間膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜Ｒを形成するように構成されており、ＣＯＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらに基板Ｗを搬送するように構成された搬送アームＡ４とを含む。処理モジュールＰＭ３の液処理ユニットＵ１は、例えば、レジスト膜形成用の塗布液を基板Ｗに塗布するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ３の熱処理ユニットＵ２は、例えば、液処理ユニットＵ１により基板Ｗに形成された塗布膜を硬化させてレジスト膜Ｒとするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）を行うように構成されていてもよい。
処理モジュールＰＭ４は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されており、ＤＥＶモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらに基板Ｗを搬送するように構成された搬送アームＡ５とを含む。処理モジュールＰＭ４の液処理ユニットＵ１は、例えば、レジスト膜Ｒを部分的に除去してレジストパターン（図示せず）を形成するように構成されていてもよい。処理モジュールＰＭ４の熱処理ユニットＵ２は、例えば、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等を行うように構成されていてもよい。
膜厚測定ユニットＵ３は、処理モジュールＰＭ３によって基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜Ｒの膜厚を測定するように構成されている。線幅測定ユニットＵ４は、処理モジュールＰＭ４によって基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジストパターンの線幅を測定するように構成されている。膜厚測定ユニットＵ３及び線幅測定ユニットＵ４は、一体化されていてもよい。すなわち、一つのユニットによって、膜厚及び線幅が測定可能とされていてもよい。膜厚測定ユニットＵ３は、例えば、カメラによって撮像された撮像画像に基づいて膜厚を測定してもよいし、レーザ光等の照射により膜厚を測定してもよい。線幅測定ユニットＵ４も同様に、例えば、カメラによって撮像された撮像画像に基づいて膜厚を測定してもよいし、レーザ光等の照射により膜厚を測定してもよい。
処理ブロック５は、図２及び図３に示されるように、キャリアブロック４の近傍に位置する棚ユニット１４を含む。棚ユニット１４は、上下方向に延びており、上下方向に並ぶ複数のセルを含む。棚ユニット１４の近傍には搬送アームＡ６が設けられている。搬送アームＡ６は、棚ユニット１４のセル同士の間で基板Ｗを昇降させるように構成されている。
処理ブロック５は、インターフェースブロック６の近傍に位置する棚ユニット１５を含む。棚ユニット１４は、上下方向に延びており、上下方向に並ぶ複数のセルを含む。
インターフェースブロック６は、搬送アームＡ７を内蔵しており、露光装置３に接続されている。搬送アームＡ７は、棚ユニット１５の基板Ｗを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３から基板Ｗを受け取って棚ユニット１５に戻すように構成されている。
図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２の内部又は外部には、センサユニットＳＥ（センサ）が配置されていてもよい。塗布現像装置２の外部のセンサユニットＳＥは、図１又は図２に示されるように、塗布現像装置２の外壁面に取り付けられていてもよい。
塗布現像装置２の内部のセンサユニットＳＥは、図２又は図３に示されるように、塗布現像装置２内において基板Ｗが存在しうる場所に配置されていてもよい。例えば、センサユニットＳＥは、キャリア１１内に配置されていてもよいし、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４の液処理ユニットＵ１内に配置されていてもよいし、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４の熱処理ユニットＵ２内に配置されていてもよいし、棚ユニット１４，１５のセル内に配置されていてもよいし、搬送アームＡ１〜Ａ７等による基板Ｗの搬送経路（すなわち、各ユニットＵ１〜Ｕ４等の外部）に配置されていてもよい。
センサユニットＳＥは、例えば、温度センサ、湿度センサ、気圧センサ、風速センサ、差圧センサ、サーモグラフィカメラ、及び、粘度センサからなるグループから選択される少なくとも一つのセンサを含んでいてもよい。温度センサは、その周辺環境の温度を測定するように構成されていてもよい。湿度センサは、その周辺環境の相対湿度を測定するように構成されていてもよい。気圧センサは、その周辺環境の気圧を測定するように構成されていてもよい。風速センサは、その周辺環境の風速を測定するように構成されていてもよい。差圧センサは、塗布現像装置２の内外の差圧（例えば、各ユニットＵ１〜Ｕ４の内部と塗布現像装置２の外部との差圧）を測定するように構成されていてもよい。サーモグラフィカメラは、例えば、基板Ｗや、熱処理ユニットＵ２内の冷却板８１（後述する）などの温度分布を測定するように構成されていてもよい。粘度センサは、処理モジュールＰＭ３において用いられるレジスト液の粘度を測定するように構成されていてもよい。
塗布現像装置２は、ディスプレイ１６（表示装置）をさらに含む。ディスプレイ１６は、種々の情報を画面上に表示するように構成されている。ディスプレイ１６に表示される情報は、例えば、基板Ｗの処理条件（例えば、予め設定されたレシピ、コントローラＣｔｒが算出した条件など）、基板Ｗの撮像画像、センサユニットＳＥによって取得されたデータ（事前データ、事後データ）、膜厚測定ユニットＵ３によって測定された膜厚のデータ（膜厚実測値）、線幅測定ユニットＵ４によって測定された線幅のデータ（線幅実測値）、コントローラＣｔｒによる各種のデータの解析結果（例えば、後述する予測膜厚、予測線幅、膜厚モデル、線幅モデルなど）を含んでいてもよい。
コントローラＣｔｒは、塗布現像装置２を部分的又は全体的に制御するように構成されている。コントローラＣｔｒの詳細については後述する。コントローラＣｔｒは、露光装置３のコントローラとの間で信号を送受信して、露光装置３のコントローラとの連携により基板処理システム１を全体として制御するように構成されていてもよい。
［液処理ユニット］
続いて、図４を参照して、液処理ユニットＵ１についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットＵ１は、基板保持部２０と、液供給部３０と、液供給部４０と、カバー部材５０と、ブロアＢとを備える。
基板保持部２０は、回転部２１と、シャフト２２と、保持部２３とを含む。回転部２１は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、シャフト２２を回転させるように構成されている。回転部２１は、例えば電動モータ等の動力源である。保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられている。保持部２３上には基板Ｗが配置される。保持部２３は、例えば吸着等により基板Ｗを略水平に保持するように構成されている。すなわち、基板保持部２０は、基板Ｗの姿勢が略水平の状態で、基板Ｗの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（回転軸）周りで基板Ｗを回転させる。液処理ユニットＵ１の内部において、センサユニットＳＥは、基板保持部２０の上方に配置されていてもよい。
液供給部３０は、基板Ｗの表面Ｗａに処理液Ｌ１を供給するように構成されている。処理モジュールＰＭ１の処理液Ｌ１は、例えば、下層膜を形成するための塗布液であってもよい。処理モジュールＰＭ２の処理液Ｌ１は、例えば、中間膜を形成するための塗布液である。処理モジュールＰＭ３の処理液Ｌ１は、例えば、レジスト膜Ｒを形成するためのレジスト液であってもよい。処理モジュールＰＭ４の処理液Ｌ１は、例えば、現像液であってもよい。レジスト液が含有するレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもよいし、ネガ型レジスト材料であってもよい。ポジ型レジスト材料は、パターン露光部が溶け出しパターン未露光部（遮光部）が残るレジスト材料である。ネガ型レジスト材料は、パターン未露光部（遮光部）が溶け出し、パターン露光部が残るレジスト材料である。
液供給部３０は、供給機構３１と、ノズル３２とを含む。供給機構３１は、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて、容器（図示せず）に貯留されている処理液Ｌ１を、ポンプ等の送液機構（図示せず）によって送り出すように構成されている。供給機構３１は、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて、ノズル３２を高さ方向及び水平方向において移動させるように構成されている。ノズル３２は、供給機構３１から供給される処理液Ｌ１を、基板Ｗの表面Ｗａに吐出するように構成されている。
液供給部４０は、基板Ｗの表面Ｗａに処理液Ｌ２を供給するように構成されている。処理モジュールＰＭ１の処理液Ｌ２は、例えば、下層膜の周縁部分を除去するための薬液（例えば有機溶剤）であってもよい。処理モジュールＰＭ２の処理液Ｌ２は、例えば、中間膜の周縁部分を除去するための薬液（例えば有機溶剤）であってもよい。処理モジュールＰＭ３の処理液Ｌ２は、例えば、レジスト膜Ｒの周縁部分を除去するための薬液（例えば有機溶剤）であってもよいし、基板Ｗの表面Ｗａ上におけるレジスト液の流動性の向上を目的として、レジスト液の塗布に先立って基板Ｗの表面Ｗａに供給される薬液（例えば有機溶剤）であってもよい。処理モジュールＰＭ４の処理液Ｌ２は、例えば、リンス液であってもよい。
液供給部４０は、供給機構４１と、ノズル４２とを含む。供給機構４１は、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて、容器（図示せず）に貯留されている処理液Ｌ２を、ポンプ等の送液機構（図示せず）によって送り出すように構成されている。供給機構４１は、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて、ノズル４２を高さ方向及び水平方向において移動させるように構成されている。ノズル４２は、供給機構４１から供給される処理液Ｌ２を、基板Ｗの表面Ｗａに吐出するように構成されている。
カバー部材５０は、基板保持部２０の周囲に設けられている。カバー部材５０は、本体５１と、排液口５２と、排気口５３とを含む。本体５１は、基板Ｗの処理のために基板Ｗに供給された処理液Ｌ１，Ｌ２を受け止める集液容器として構成されている。排液口５２は、本体５１の底部に設けられており、本体５１によって集められた排液を液処理ユニットＵ１の外部に排出するように構成されている。排気口５３は、本体５１の底部に設けられており、基板Ｗの周囲を流れた下降流（ダウンブロー）を液処理ユニットＵ１の外部に排出するように構成されている。
ブロアＢは、液処理ユニットＵ１において、基板保持部２０及びカバー部材５０の上方に配置されている。ブロアＢは、コントローラＣｔｒからの信号に基づいて、カバー部材５０に向かう下降流を形成するように構成されている。
［熱処理ユニットの構成］
続いて、熱処理ユニットＵ２の構成について、図５を参照して説明する。熱処理ユニットＵ２は、筐体６０内に、基板Ｗを加熱する加熱部７０と、基板Ｗを冷却する冷却部８０とを含む。筐体６０は、冷却部８０の近傍に基板Ｗの搬入出口６１が設けられている。筐体６０内において、センサユニットＳＥは、搬入出口６１の近傍に配置されていてもよい。センサユニットＳＥのうち差圧センサは、筐体６０のうち搬入出口６１とは反対側に配置されていてもよい。
加熱部７０は、熱板７１と、昇降機構７２とを含む。熱板７１は、コントローラＣｔｒからの指示に基づいて、上面に載置された基板Ｗを加熱するように構成されている。昇降機構７２は、コントローラＣｔｒからの指示に基づいて昇降可能に構成された３つの昇降ピン７２ａを含む。各昇降ピン７２ａはそれぞれ、熱板７１に設けられた貫通孔７１ａに挿通されている。
冷却部８０は、冷却板８１と、昇降機構８２とを含む。冷却板８１は、コントローラＣｔｒからの指示に基づいて、上面に載置された基板Ｗを冷却するように構成されている。冷却板８１は、コントローラＣｔｒからの指示に基づいて、搬入出口６１の近傍位置と熱板７１の近傍位置との間で移動可能に構成されている。昇降機構８２は、コントローラＣｔｒからの指示に基づいて昇降可能に構成された３つの昇降ピン８２ａを含む。各昇降ピン８２ａはそれぞれ、冷却板８１に設けられたスリット８１ａに挿通されている。
熱処理ユニットＵ２に基板Ｗが搬入される場合、昇降ピン８２ａの先端が冷却板８１よりも上方に突出するように、昇降機構８２によって昇降ピン８２ａが上昇する。次に、筐体６０内に搬入された基板Ｗが昇降ピン８２ａの先端に載置されると、昇降機構８２によって昇降ピン８２ａが冷却板８１よりも下方まで降下する。これにより、昇降ピン８２ａから冷却板８１に基板Ｗが受け渡される。
次に、冷却板８１が熱板７１の上方まで移動する。この状態で、昇降ピン７２ａの先端が冷却板８１よりも上方に突出するように、昇降機構７２によって昇降ピン７２ａが上昇する。これにより、冷却板８１から昇降ピン７２ａに基板Ｗが受け渡される。次に、冷却板８１が搬入出口６１の近傍まで移動する。この状態で、昇降機構７２によって昇降ピン７２ａが熱板７１よりも下方まで降下する。これにより、昇降ピン７２ａから熱板７１に基板Ｗが受け渡される。熱処理ユニットＵ２から基板Ｗが搬出される場合には、以上とは逆の動作が行われる。
［コントローラの詳細］
続いて、コントローラＣｔｒの詳細について、図６〜図８を参照して説明する。コントローラＣｔｒは、図６に示されるように、機能モジュールとして、記憶部Ｍ１と、膜厚関係処理部Ｍ２と、線幅関係処理部Ｍ３とを含む。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
記憶部Ｍ１は、種々のデータを記憶するように構成されている。記憶部Ｍ１は、例えば、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データなどを記憶してもよい。当該プログラムは、塗布現像装置２の各部を動作させるように構成されていてもよい。記録媒体ＲＭは、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。
記憶部Ｍ１は、機能モジュールとして、事前データ記憶部Ｍ１１と、事後データ記憶部Ｍ１２と、膜厚実測値記憶部Ｍ１３と、線幅実測値記憶部Ｍ１４と、膜厚モデル記憶部Ｍ１５と、線幅モデル記憶部Ｍ１６とを含んでいてもよい。
事前データ記憶部Ｍ１１は、基板Ｗが処理される前の時点でセンサユニットＳＥが測定したデータを、事前データとして記憶するように構成されていてもよい。事前データ記憶部Ｍ１１は、例えば、基板Ｗが収容されたキャリア１１が塗布現像装置２のキャリアステーション１２に載置された時点においてセンサユニットＳＥが測定したデータを、事前データとして記憶するように構成されていてもよい。
事後データ記憶部Ｍ１２は、基板Ｗが処理された後の時点でセンサユニットＳＥが測定したデータを、事後データとして記憶するように構成されていてもよい。事後データ記憶部Ｍ１２は、例えば、液処理ユニットＵ１によって基板Ｗが液処理された後の時点においてセンサユニットＳＥが測定したデータを、液処理後の事後データとして記憶するように構成されていてもよい。液処理後には、例えば、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜Ｒが形成された後の時点、レジスト膜Ｒが現像されて基板Ｗの表面Ｗａにレジストパターンが形成された後の時点などが含まれる。事後データ記憶部Ｍ１２は、例えば、熱処理ユニットＵ２によって基板Ｗが熱処理された後の時点においてセンサユニットＳＥが測定したデータを、熱処理後の事後データとして記憶するように構成されていてもよい。
膜厚実測値記憶部Ｍ１３は、膜厚測定ユニットＵ３によって測定されたレジスト膜Ｒの膜厚を記憶するように構成されていてもよい。線幅実測値記憶部Ｍ１４は、線幅測定ユニットＵ４によって測定されたレジストパターンの線幅を記憶するように構成されていてもよい。
膜厚モデル記憶部Ｍ１５は、塗布現像装置２の状態と塗布現像装置２によって基板Ｗの表面Ｗａに形成されるレジスト膜Ｒの膜厚の予測値（予測膜厚）との関係を表す膜厚モデルを記憶するように構成されていてもよい。膜厚モデルは、例えば、異なる処理条件のもとで基板Ｗを処理して複数のレジスト膜Ｒの膜厚を取得することにより経験的に得られるモデルであってもよいし、コンピュータ上でのシミュレーションによって物理的に得られるモデルであってもよいし、これらのモデルが複合されたモデルであってもよい。また、膜厚モデルは、塗布現像装置２の状態と塗布現像装置２によって基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜Ｒの膜厚とを対応付けたレコードを蓄積した学習データに基づく機械学習により生成されるモデルであってもよい。膜厚モデルの一例は、重回帰分析によって生成される重回帰式を含む。膜厚の重回帰式は、パラメータｙ，ａ１〜ａｋ，α１〜αｋ，ｅ，ｋを
ｙ：目的変数（予測膜厚）
ａ１〜ａｋ：説明変数（基板Ｗの処理条件）
α１〜αｋ：偏回帰係数
ｅ：誤差
ｋ：２以上の自然数
としたときに、式１で定義されてもよい。
ｙ＝α１・ａ１＋α２・ａ２＋・・・＋αｋ・ａｋ＋ｅ ・・・（１）
線幅モデル記憶部Ｍ１６は、塗布現像装置２の状態と塗布現像装置２によって基板Ｗの表面Ｗａに形成されるレジストパターンの線幅の予測値（予測線幅）との関係を表す線幅モデルを記憶するように構成されていてもよい。線幅モデルは、例えば、異なる処理条件のもとで基板Ｗを処理して複数のレジストパターンの線幅を取得することにより経験的に得られるモデルであってもよいし、コンピュータ上でのシミュレーションによって物理的に得られるモデルであってもよいし、これらのモデルが複合されたモデルであってもよい。また、線幅モデルは、塗布現像装置２の状態と塗布現像装置２によって基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジストパターンの線幅とを対応付けたレコードを蓄積した学習データに基づく機械学習により生成されるモデルであってもよい。線幅モデルの一例は、重回帰分析によって生成される重回帰式を含む。線幅の重回帰式は、パラメータｚ，ｂ１〜ｂｍ，β１〜βｍ，ｆ，ｍを
ｚ：目的変数（予測線幅）
ｂ１〜ｂｍ：説明変数（基板Ｗの処理条件）
β１〜βｍ：偏回帰係数
ｆ：誤差
ｍ：２以上の自然数
としたときに、式２で定義されてもよい。
ｚ＝β１・ｂ１＋β２・ｂ２＋・・・＋βｋ・ｂｋ＋ｆ ・・・（２）
偏回帰係数α１〜αｋは、基板Ｗが処理される周辺環境の温度に応じた値、基板Ｗが処理される周辺環境の相対湿度に応じた値、基板Ｗが処理される周辺環境の気圧に応じた値、基板Ｗが処理される周辺環境の風速に応じた値、基板Ｗに塗布されるレジスト液の粘度に応じた値、基板Ｗに供給される有機溶剤の種類に応じた値、基板Ｗの温度分布に応じた値、基板Ｗが処理される周辺環境と塗布現像装置２の外部との気圧差に応じた値、カバー部材５０の構造に応じた値からなるグループから選択される少なくとも一つの値を含んでいてもよい。偏回帰係数β１〜βｋも同様である。
膜厚関係処理部Ｍ２は、記憶部Ｍ１に記憶されている各種のデータに基づいて、これから処理しようとする基板Ｗの表面Ｗａに対して所定の膜厚のレジスト膜Ｒを形成するための処理を行うように構成されている。膜厚関係処理部Ｍ２は、図６及び図７に示されるように、予測部Ｍ２１と、出力部Ｍ２０と、更新部Ｍ２３と、制御部Ｍ２５とを含む。
予測部Ｍ２１は、図７に示されるように、事前データ記憶部Ｍ１１に記憶されている事前データと、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に記憶されている膜厚モデル（式１）とに基づいて、これから処理しようとする基板Ｗの表面Ｗａに形成されるレジスト膜Ｒの予測膜厚ｙを算出するように構成されている。
出力部Ｍ２０は、塗布現像装置２によって基板Ｗが処理される前に、予測膜厚ｙに基づいて、基板Ｗの処理に関する指示情報を出力する。例えば出力部Ｍ２０は、算出部Ｍ２２と、判断部Ｍ２４とを有する。
算出部Ｍ２２は、予測部Ｍ２１によって算出された予測膜厚ｙに基づいて、当該予測膜厚ｙを得るのに適した基板Ｗの処理条件を算出するように構成されている。当該処理条件は、上述した指示情報の一例である。当該処理条件は、例えば、処理モジュールＰＭ３の液処理ユニットＵ１における基板保持部２０による基板Ｗの回転数であってもよい。基板Ｗの回転数と、その回転数で得られるレジスト膜Ｒの膜厚との間には、所定の相関関係があるので、予め実験によって当該相関関係の式を求めておいてもよい。算出部Ｍ２２は、当該式に予測膜厚ｙを適用することにより、これから処理される基板Ｗの回転数を算出してもよい。
判断部Ｍ２４は、予測部Ｍ２１によって算出された予測膜厚ｙに基づいて、基板Ｗの処理を継続するか否かの指示情報（以下、「継続可否情報」という。）を出力するように構成されている。判断部Ｍ２４は、例えば、予測部Ｍ２１によって算出された予測膜厚ｙが所定の設計値の範囲内にあるか否かに基づいて継続可否情報を出力してもよい。例えば判断部Ｍ２４は、図６に示されるように、継続可否情報をディスプレイ１６に表示するように構成されていてもよい。
更新部Ｍ２３は、事後データ記憶部Ｍ１２に記憶されている事後データと、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に記憶されている膜厚実測値とに基づいて、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に記憶されている膜厚モデルを更新するように構成されている。更新部Ｍ２３は、例えば、当該事後データ及び当該膜厚実測値をも加味して、偏回帰係数α１〜αｋを改めて算出するように構成されている。更新された膜厚モデルは、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に記憶される。更新部Ｍ２３は、膜厚モデルの更新に際して、算出部Ｍ２２によって算出された処理条件をさらに用いてもよい。
制御部Ｍ２５は、図６及び図７に示されるように、算出部Ｍ２２によって算出された処理条件に基づいて塗布現像装置２を制御するように構成されている。制御部Ｍ２５は、例えば、算出部Ｍ２２によって算出された基板Ｗの回転数で基板Ｗが回転するように、液処理ユニットＵ１における基板保持部２０を制御してもよい。なお、上述の判断部Ｍ２４は、継続可否情報を制御部Ｍ２５に出力してもよい。判断部Ｍ２４から制御部Ｍ２５に出力される継続可否情報が、継続不可を示している場合、制御部Ｍ２５は、基板Ｗの処理を中止するように塗布現像装置２を制御してもよい。
線幅関係処理部Ｍ３は、記憶部Ｍ１に記憶されている各種のデータに基づいて、これから処理しようとする基板Ｗの表面Ｗａに対して所定の線幅のレジストパターンを形成するための処理を行うように構成されている。線幅関係処理部Ｍ３は、図６及び図７に示されるように、予測部Ｍ３１と、出力部Ｍ３０と、更新部Ｍ３３と、制御部Ｍ３５とを含む。
予測部Ｍ３１は、図７に示されるように、事前データ記憶部Ｍ１１に記憶されている事前データと、線幅モデル記憶部Ｍ１６に記憶されている線幅モデル（式２）とに基づいて、これから処理しようとする基板Ｗの表面Ｗａに形成されるレジストパターンの予測線幅ｚを算出するように構成されている。予測部Ｍ３１は、予測線幅ｚの算出に際して、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に記憶されている膜厚実測値をさらに用いてもよい。
出力部Ｍ２０は、塗布現像装置２によって基板Ｗが処理される前に、予測線幅ｚに基づいて、基板Ｗの処理に関する指示情報を出力する。例えば出力部Ｍ３０は、算出部Ｍ３２と、判断部Ｍ３４とを有する。
算出部Ｍ３２は、予測部Ｍ３１によって算出された予測線幅ｚに基づいて、当該予測線幅ｚを得るのに適した基板Ｗの処理条件を算出するように構成されている。当該処理条件は、上述した指示情報の一例である。当該処理条件は、例えば、処理モジュールＰＭ４の熱処理ユニットＵ２における加熱処理（ＰＥＢ）の温度であってもよい。ＰＥＢの温度と、その温度で得られるレジストパターンの線幅との間には、所定の相関関係があるので、予め実験によって当該相関関係の式を求めておいてもよい。算出部Ｍ３２は、当該式に予測線幅ｚを適用することにより、これから処理される基板ＷのＰＥＢの温度を算出してもよい。
判断部Ｍ３４は、予測部Ｍ３１によって算出された予測線幅ｚに基づいて、基板Ｗの処理を継続するか否かの指示情報（以下、「継続可否情報」という。）を出力するように構成されている。判断部Ｍ３４は、例えば、予測部Ｍ３１によって算出された予測線幅ｚが所定の設計値の範囲内にあるか否かに基づいて継続可否情報を出力してもよい。例えば判断部Ｍ３４は、図６に示されるように、継続可否情報をディスプレイ１６に表示するように構成されていてもよい。
更新部Ｍ３３は、事後データ記憶部Ｍ１２に記憶されている事後データと、線幅実測値記憶部Ｍ１４に記憶されている線幅実測値とに基づいて、線幅モデル記憶部Ｍ１６に記憶されている線幅モデルを更新するように構成されている。更新部Ｍ３３は、例えば、当該事後データ及び当該線幅実測値をも加味して、偏回帰係数β１〜βｍを改めて算出するように構成されている。更新された線幅モデルは、線幅モデル記憶部Ｍ１６に記憶される。更新部Ｍ３３は、線幅モデルの更新に際して、算出部Ｍ３２によって算出された処理条件をさらに用いてもよいし、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に記憶されている膜厚実測値をさらに用いてもよい。
制御部Ｍ３５は、図６及び図７に示されるように、算出部Ｍ３２によって算出された処理条件に基づいて塗布現像装置２を制御するように構成されている。制御部Ｍ３５は、例えば、算出部Ｍ３２によって算出されたＰＥＢの温度で基板Ｗを熱処理するように、熱処理ユニットＵ２における熱板７１を制御してもよい。なお、上述の判断部Ｍ３４は、継続可否情報を制御部Ｍ３５に出力してもよい。判断部Ｍ３４から制御部Ｍ３５に出力される継続可否情報が、継続不可を示している場合、制御部Ｍ３５は、基板Ｗの処理を中止するように塗布現像装置２を制御してもよい。
コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。コントローラＣｔｒは、図８に示されるように、ハードウェア上の構成として回路Ｃ１を含む。回路Ｃ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃ１は、プロセッサＣ２（予測部、判断部、更新部、算出部、制御部）と、メモリＣ３（記憶部）と、ストレージＣ４（記憶部）と、ドライバＣ５と、入出力ポートＣ６とを含んでいてもよい。
プロセッサＣ２は、メモリＣ３及びストレージＣ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリＣ３及びストレージＣ４は、記憶部Ｍ１として動作する。ドライバＣ５は、塗布現像装置２の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポートＣ６は、ドライバＣ５と塗布現像装置２の各種装置（例えば、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、膜厚測定ユニットＵ３、線幅測定ユニットＵ４、ディスプレイ１６、センサユニットＳＥなど）との間で、信号の入出力を行う。
基板処理システム１は、一つのコントローラＣｔｒを備えていてもよいし、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣ２の組み合わせによって実現されていてもよい。基板処理システム１のコントローラＣｔｒの機能の一部を基板処理システム１とは別の装置に設けるとともに、基板処理システム１とネットワークを介して接続し、本実施形態における各種動作を実現してもよい。例えば、複数の基板処理システム１のプロセッサＣ２、メモリＣ３、ストレージＣ４の機能をまとめて１つまたは複数の別装置で実現すれば、複数の基板処理システム１の情報や動作を遠隔で一括的に管理及び制御することも可能となる。
［レジスト膜の形成処理］
続いて、図７及び図９を参照して、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成する方法について説明する。
まず、基板Ｗの処理の開始にあたり、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事前データ記憶部Ｍ１１に送信する。これにより、事前データ記憶部Ｍ１１は、事前データを取得する（図９のステップＳ１１）。事前データの取得のタイミングは、レジスト膜の形成処理が行われる対象となる基板Ｗが収容されたキャリア１１がキャリアステーション１２に載置されたときから、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト液が供給される直前までの、任意のタイミングであってもよい。
次に、事前データ記憶部Ｍ１１に記憶されている事前データと、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に記憶されている膜厚モデル（式１）とに基づいて、予測部Ｍ２１が、レジスト膜Ｒの予測膜厚ｙを算出する（図９のステップＳ１２）。次に、予測部Ｍ２１によって出力された予測膜厚ｙに基づいて、対象となる基板Ｗの処理を継続するか否かを示す上記継続可否情報を判断部Ｍ２４が制御部Ｍ２５に出力する（図９のステップＳ１３）。継続可否情報が継続不可を示す場合（図９のステップＳ１３でＮＯ）、制御部Ｍ２５が塗布現像装置２を停止させる。これにより、対象となる基板Ｗにレジスト膜Ｒが形成されることなく、処理が終了する。
一方、継続可否情報が継続可を示す場合（図９のステップＳ１３でＹＥＳ）、予測部Ｍ２１によって算出された予測膜厚ｙに基づいて、対象となる基板Ｗの処理条件（回転数）を算出部Ｍ２２が算出する（図９のステップＳ１４）。次に、算出部Ｍ２２によって算出された処理条件に基づいて、処理モジュールＰＭ３の液処理ユニットＵ１を制御部Ｍ２５が制御する。これにより、所定の膜厚（予測膜厚ｙに対応する膜厚）のレジスト膜Ｒが対象となる基板Ｗの表面Ｗａに形成される（図９のステップＳ１５）。
次に、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事後データ記憶部Ｍ１２に送信する。これにより、事後データ記憶部Ｍ１２は、事後データを取得する（図９のステップＳ１６）。事後データの取得のタイミングは、対象となる基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜Ｒが形成された直後から、基板Ｗに次の処理が行われるまでの、任意のタイミングであってもよい。
次に、対象となる基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜Ｒの膜厚を、膜厚測定ユニットＵ３によって測定する（図９のステップＳ１７）。膜厚測定ユニットＵ３によって測定されたレジスト膜Ｒの膜厚のデータ（膜厚実測値）は、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に記憶される。なお、ステップＳ１６とステップＳ１７とが並行して実行されてもよいし、ステップＳ１７がステップＳ１６よりも先に実行されてもよい。
次に、事後データ記憶部Ｍ１２に記憶されている事後データと、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に記憶されている膜厚実測値とに基づいて、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に記憶されている膜厚モデルの偏回帰係数α１〜αｋを更新部Ｍ２３が更新する（図９のステップＳ１８）。これにより、後続の基板Ｗが処理される際には、更新後の膜厚モデルが用いられる。以上により、一つの基板Ｗに対するレジスト膜Ｒの形成処理が終了する。
［レジストパターンの形成処理］
続いて、図７及び図１０を参照して、基板Ｗの表面Ｗａにレジストパターンを形成する方法について説明する。
まず、基板Ｗの処理の開始にあたり、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事前データ記憶部Ｍ１１に送信する。これにより、事前データ記憶部Ｍ１１は、事前データを取得する（図１０のステップＳ２１）。事前データの取得のタイミングは、レジストパターンの形成処理が行われる対象となる基板Ｗが収容されたキャリア１１がキャリアステーション１２に載置されたときから、基板Ｗの表面Ｗａのレジスト膜Ｒに現像液が供給される直前までの、任意のタイミングであってもよい。
次に、基板Ｗの表面Ｗａに形成されているレジスト膜Ｒの膜厚を、膜厚測定ユニットＵ３によって測定する（図１０のステップＳ２２）。膜厚測定ユニットＵ３によって測定されたレジスト膜Ｒの膜厚のデータ（膜厚実測値）は、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に記憶される。なお、このように膜厚実測値を新たに測定せずに、レジストパターンを形成しようとする基板Ｗに関して既に測定されたデータ（図９のステップＳ１７で測定されたデータ）を用いてもよい。
次に、事前データ記憶部Ｍ１１に記憶されている事前データと、線幅モデル記憶部Ｍ１６に記憶されている膜厚モデル（式２）と、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に記憶されている膜厚実測値とに基づいて、予測部Ｍ３１が、レジストパターンの予測線幅ｚのを算出する（図１０のステップＳ２３）。次に、予測部Ｍ３１によって算出された予測線幅ｚに基づいて、対象となる基板Ｗの処理を継続するか否かを示す上記継続可否情報を判断部Ｍ３４が制御部Ｍ３５に出力する（図１０のステップＳ２４）。継続可否情報が継続不可を示す場合（図１０のステップＳ２４でＮＯ）、制御部Ｍ３５が塗布現像装置２を停止させる。これにより、対象となる基板Ｗにレジストパターンが形成されることなく、処理が終了する。
一方、継続可否情報が継続可を示す場合（図１０のステップＳ２４でＹＥＳ）、予測部Ｍ３１によって出力された予測線幅ｚに基づいて、対象となる基板Ｗの処理条件（ＰＥＢ温度）を算出部Ｍ３２が算出する（図１０のステップＳ２５）。次に、算出部Ｍ３２によって算出された処理条件に基づいて、処理モジュールＰＭ４の熱処理ユニットＵ２を制御部Ｍ３５が制御する。これにより、所定の線幅（予測線幅ｚに対応する線幅）のレジストパターンが対象となる基板Ｗの表面Ｗａに形成される（図１０のステップＳ２６）。
次に、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事後データ記憶部Ｍ１２に送信する。これにより、事後データ記憶部Ｍ１２は、事後データを取得する（図１０のステップＳ２７）。事後データの取得のタイミングは、基板Ｗの表面Ｗａにレジストパターンが形成された直後から、基板Ｗに次の処理が行われるまでの、任意のタイミングであってもよい。
次に、対象となる基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジストパターンの線幅を、線幅測定ユニットＵ４によって測定する（図１０のステップＳ２８）。線幅測定ユニットＵ４によって測定されたレジストパターンの線幅のデータ（線幅実測値）は、線幅実測値記憶部Ｍ１４に記憶される。なお、ステップＳ２７とステップＳ２８とが並行して実行されてもよいし、ステップＳ２８がステップＳ２７よりも先に実行されてもよい。
次に、事後データ記憶部Ｍ１２に記憶されている事後データと、線幅実測値記憶部Ｍ１４に記憶されている線幅実測値と、算出部Ｍ３２によって算出された処理条件と、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に記憶されている膜厚実測値とに基づいて、線幅モデル記憶部Ｍ１６に記憶されている線幅モデルの偏回帰係数β１〜βｍを更新部Ｍ３３が更新する（図１０のステップＳ２９）。これにより、後続の基板Ｗが処理される際には、更新後の線幅モデルが用いられる。以上により、一つの基板Ｗに対するレジストパターンの形成処理が終了する。
［作用］
基板Ｗの表面Ｗａに形成されるレジスト膜Ｒの膜厚やレジストパターンの線幅は、塗布現像装置２の各種の状態に相関する。そこで、以上の例では、予測膜厚ｙを関数で表した膜厚モデルや、予測線幅ｚを関数で表した線幅モデルを予め用意して、塗布現像装置２の各種の状態を示す事前データをこのモデルに適用することにより、これから処理される基板Ｗにおける膜厚や線幅を予測している。そのため、基板Ｗに対する将来の処理品質を、予測膜厚ｙ又は予測線幅ｚに基づいて判断できる（いわゆる、フィードフォワード制御）。したがって、予測膜厚ｙ又は予測線幅ｚに基づいて基板Wの処理に関する指示情報を出力し、当該指示情報に基づいて基板Ｗに対する処理を実行することにより、基板Ｗを無駄にすることなく、膜などの構造物（レジスト膜Ｒ、レジストパターン）を基板Ｗ上に高精度に形成することが可能となる。
ところで、塗布現像装置２による基板Ｗの所定の処理条件（回転数）と、実際に得られるレジスト膜Ｒの膜厚との間には、一定の相関性が存在する。そこで、以上の例では、当該相関性を用いて、予測膜厚ｙに基づいて、その時の処理条件（回転数）を算出している。そのため、これから処理しようとする基板Ｗの処理条件を自動的に設定することが可能となる。同様に、塗布現像装置２による基板Ｗの所定の処理条件（ＰＥＢ温度）と、実際に得られるレジストパターンの線幅との間には、一定の相関性が存在する。そこで、以上の例では、当該相関性を用いて、予測線幅ｚに基づいて、その時の処理条件（ＰＥＢ温度）を算出している。そのため、これから処理しようとする基板Ｗの処理条件を自動的に設定することが可能となる。
以上の例によれば、自動的に設定された基板Ｗの処理条件に基づいて、塗布現像装置２が制御される。そのため、自動的に設定された処理条件に基づいて基板Ｗを実際に処理することが可能となる。
以上の例によれば、予測膜厚に基づいて、基板Ｗの処理を継続するか否かの指示情報が出力される。この指示情報が継続不可を示す場合に基板Ｗの処理を中止することによって、基板Ｗの無駄を更に抑制することができる。
以上の例によれば、予測線幅ｚを関数で表した線幅モデルを予め用意して、塗布現像装置２の各種の状態を示す事前データと、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜Ｒの膜厚実測値とをこのモデルに適用することにより、これから処理される基板Ｗにおける線幅を予測しうる。この場合、予測線幅ｚの算出に、膜厚実測値がさらに用いられる。そのため、予測線幅ｚの精度を高めることが可能となる。
以上の例によれば、事後データ及び膜厚実測値に基づいて、膜厚モデルが更新される。すなわち、基板Ｗが実際に処理されたときの各種のパラメータを用いて、膜厚モデルが更新される。そのため、膜厚モデルの精度を高めることが可能となる。同様に、以上の例によれば、事後データ及び線幅実測値に基づいて、線幅モデルが更新される。すなわち、基板Ｗが実際に処理されたときの各種のパラメータを用いて、線幅モデルが更新される。そのため、線幅モデルの精度を高めることが可能となる。
以上の例によれば、膜厚モデルは、塗布現像装置２による基板Ｗの所定の処理条件（回転数）と、事後データと、膜厚実測値とに基づいて更新されうる。この場合、膜厚モデルの更新に用いられるパラメータが増えるので、膜厚モデルの精度を高めることが可能となる。同様に、以上の例によれば、線幅モデルは、塗布現像装置２による基板Ｗの所定の処理条件（ＰＥＢ温度）と、事後データと、線幅実測値とに基づいて更新されうる。この場合、線幅モデルの更新に用いられるパラメータが増えるので、線幅モデルの精度を高めることが可能となる。
以上の例によれば、膜厚モデルは、複数の偏回帰係数及び複数の説明変数で構成される重回帰式で構成されている。この場合、種々の要因が考慮された膜厚モデルを、比較的簡易に得ることが可能となる。同様に、線幅モデルは、複数の偏回帰係数及び複数の説明変数で構成される重回帰式で構成されている。この場合、種々の要因が考慮された線幅モデルを、比較的簡易に得ることが可能となる。
以上の例によれば、液処理ユニットＵ１の内部において、センサユニットＳＥは、基板保持部２０の上方に配置されうる。この場合、下降流の影響により、センサユニットＳＥは、基板保持部２０よりも風上に位置する。そのため、基板Ｗに供給された各種の処理液が基板Ｗから飛散しても、センサユニットＳＥがその影響を受け難くなる。したがって、基板Ｗに近い環境での各種のデータをセンサユニットＳＥによって取得することができる。その結果、モデル（膜厚モデル又は線幅モデル）や予測値（予測膜厚又は予測線幅）の精度をより高めることが可能となる。
［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。
（１）図１１に示されるように、算出部Ｍ２２は、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に記憶されている膜厚実測値であって、今回の処理対象の基板Ｗよりも前に処理された基板Ｗに関する膜厚実測値に基づいて、基板Ｗの処理条件を算出するように構成されていてもよい（いわゆるフィードバック制御）。同様に、算出部Ｍ３２は、線幅実測値記憶部Ｍ１４に記憶されている線幅実測値であって、今回の処理対象の基板Ｗよりも前に処理された基板Ｗに関する線幅実測値に基づいて、基板Ｗの処理条件を算出するように構成されていてもよい。
（２）膜厚モデルを経験的に得るために、図１２に例示されるコントローラＣｔｒを用いてもよい。この場合、まず、予め定められた異なる処理条件（レシピ）に基づいて制御部Ｍ２５が基板Ｗを処理し、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成する。次に、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事後データ記憶部Ｍ１２に送信する。次に、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜Ｒの膜厚を、膜厚測定ユニットＵ３によって測定する。事後データの取得と、レジスト膜Ｒの膜厚の測定とは、並行して実行されてもよいし、一方が他方に先行して実行されてもよい。次に、事後データ記憶部Ｍ１２に蓄積された事後データと、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に蓄積された膜厚実測値とに基づいて、更新部Ｍ２３が偏回帰係数α１〜αｋを算出する。こうして、予測膜厚ｙの算出に用いられる膜厚モデルが準備される。
同様に、線幅モデルを経験的に得るために、図１２に例示されるコントローラＣｔｒを用いてもよい。この場合、まず、予め定められた異なる処理条件（レシピ）に基づいて制御部Ｍ３５が基板Ｗを処理し、基板Ｗの表面Ｗａにレジストパターンを形成する。次に、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事後データ記憶部Ｍ１２に送信する。次に、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジストパターンの線幅を、線幅測定ユニットＵ４によって測定する。事後データの取得と、レジストパターンの線幅の測定とは、並行して実行されてもよいし、一方が他方に先行して実行されてもよい。次に、事後データ記憶部Ｍ１２に蓄積された事後データと、線幅実測値記憶部Ｍ１４に蓄積された線幅実測値とに基づいて、更新部Ｍ３３が偏回帰係数β１〜βｍを算出する。こうして、予測線幅ｚの算出に用いられる線幅モデルが準備される。なお、更新部Ｍ３３は、膜厚モデル記憶部Ｍ１５に蓄積された膜厚実測値も用いて、偏回帰係数β１〜βｍを算出してもよい。
（３）膜厚モデルを経験的に得るために、図１３に例示されるコントローラＣｔｒを用いてもよい。この場合、図１２の例とは異なり、今回の処理対象の基板Ｗよりも前に処理された基板Ｗに関する膜厚実測値に基づいて、基板Ｗの処理条件を算出部Ｍ２２が算出する（フィードバック制御）。次に、算出された当該処理条件に基づいて、後続の基板Ｗを処理し、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成する。次に、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事後データ記憶部Ｍ１２に送信する。次に、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜Ｒの膜厚を、膜厚測定ユニットＵ３によって測定する。事後データの取得と、レジスト膜Ｒの膜厚の測定とは、並行して実行されてもよいし、一方が他方に先行して実行されてもよい。次に、事後データ記憶部Ｍ１２に蓄積された事後データと、膜厚実測値記憶部Ｍ１３に蓄積された膜厚実測値と、算出部Ｍ２２によって算出された処理条件とに基づいて、更新部Ｍ２３が偏回帰係数α１〜αｋを算出する。こうして、予測膜厚ｙの算出に用いられる膜厚モデルが準備される。
同様に、線幅モデルを経験的に得るために、図１３に例示されるコントローラＣｔｒを用いてもよい。この場合、図１２の例とは異なり、今回の処理対象の基板Ｗよりも前に処理された基板Ｗに関する線幅実測値に基づいて、基板Ｗの処理条件を算出部Ｍ３２が算出する（フィードバック制御）。次に、算出された当該処理条件に基づいて、後続の基板Ｗを処理し、基板Ｗの表面Ｗａにレジストパターンを形成する。次に、塗布現像装置２の内外に設けられている少なくとも一つのセンサユニットＳＥがデータを測定し、当該データを事後データ記憶部Ｍ１２に送信する。次に、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジストパターンの線幅を、線幅測定ユニットＵ４によって測定する。事後データの取得と、レジスト膜Ｒの膜厚の測定とは、並行して実行されてもよいし、一方が他方に先行して実行されてもよい。次に、事後データ記憶部Ｍ１２に蓄積された事後データと、線幅実測値記憶部Ｍ１４に蓄積された線幅実測値と、算出部Ｍ３２によって算出された処理条件とに基づいて、更新部Ｍ３３が偏回帰係数β１〜βｍを算出する。こうして、予測線幅ｚの算出に用いられる線幅モデルが準備される。
（４）判断部Ｍ２４は、図１４に示されるように、予測部Ｍ２１によって算出された予測膜厚ｙに基づいて、当該予測膜厚ｙの算出の基礎となった事前データに異常があるか否かを判断してもよい。判断部Ｍ２４は、事前データの異常に基づいて、当該事前データが測定されたセンサユニットＳＥの近傍箇所を特定するように構成されていてもよい。同様に、判断部Ｍ３４は、図１４に示されるように、予測部Ｍ３１によって算出された予測線幅ｚに基づいて、当該予測線幅ｚの算出の基礎となった事前データに異常があるか否かを判断してもよい。判断部Ｍ３４は、事前データの異常に基づいて、当該事前データが測定されたセンサユニットＳＥの近傍箇所を特定するように構成されていてもよい。事前データの異常は、例えば、主成分分析、ＭＴ法（Maharanobis-Taguchi System）、Ｔ法を用いて判断されてもよい。
（５）予測部Ｍ３１は、図１５に示されるように、予測線幅ｚの算出に際して、予測部Ｍ２１によって算出された予測膜厚ｙをさらに用いてもよい。この場合、予測線幅ｚの算出に、予測膜厚ｙがさらに用いられる。そのため、予測線幅ｚの精度を高めることが可能となる。
（６）算出部Ｍ２２によって算出される処理条件は、処理モジュールＰＭ３の液処理ユニットＵ１における基板Ｗの回転数のみならず、処理モジュールＰＭ３の熱処理ユニットＵ２における加熱処理（ＰＡＢ）の温度又は時間であってもよい。制御部Ｍ２５は、算出された処理条件（ＰＡＢの温度又は時間）に基づいて熱処理ユニットＵ２を制御してもよい。
（７）算出部Ｍ３２によって算出される処理条件は、処理モジュールＰＭ４の熱処理ユニットＵ２における加熱処理（ＰＥＢ）の温度のみならず、処理モジュールＰＭ４の熱処理ユニットＵ２における加熱処理（ＰＥＢ）の時間であってもよい。あるいは、算出部Ｍ３２によって算出される処理条件は、塗布現像装置２の液処理ユニットＵ１におけるレジスト膜Ｒの現像時間や現像液の温度であってもよい。
（８）レジスト膜Ｒの膜厚の測定は、塗布現像装置２の内部に配置された膜厚測定ユニットＵ３によって行われてもよいし、塗布現像装置２の外部に配置された外部測定装置によって行われてもよい。同様に、レジストパターンの線幅の測定は、塗布現像装置２の内部に配置された線幅測定ユニットＵ４によって行われてもよいし、塗布現像装置２の外部に配置された外部測定装置によって行われてもよい。
（９）上記のフィードフォワード制御又はフィードバック制御は、一つの基板Ｗごとに行われてもよいし、複数の基板Ｗごと（ロットごと）に行われてもよい。
（１０）塗布現像装置２の状態をカルマンフィルタによって推定してもよい。
（１１）膜厚モデル又は線幅モデルの作成時に説明変数を選択する方法は、例えば、変数増加法であってもよいし、変数減少法であってもよいし、変数増減法であってもよいし、人工知能を用いた手法（遺伝的アルゴリズム等）であってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。
［他の例］
例１．情報処理装置の一例は、基板処理装置の状態と基板処理装置によって基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルと、基板処理装置による基板の処理前における基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、基板処理装置によって基板が処理されるときの予測膜厚を算出するように構成された予測部と、予基板処理装置によって基板が処理される前に、予測膜厚に基づいて、基板の処理に関する指示情報を出力する出力部とを備える。この場合、基板処理装置の各種状態が、基板の表面に形成される塗布膜の膜厚に相関するので、膜厚モデルに事前データを入力することにより、基板に形成される膜厚が予測される。そのため、基板に対する将来の処理品質を、予測膜厚に基づいて判断できる（いわゆる、フィードフォワード制御）。したがって、予測膜厚又は予測線幅に基づいて基板の処理に関する指示情報を出力し、当該指示情報に基づいて基板に対する処理を実行することにより、基板を無駄にすることなく、膜などの構造物を基板上に高精度に形成することが可能となる。
例２．例１の出力部は、予測膜厚に基づいて処理条件を算出するように構成された算出部を有していてもよい。基板の処理条件と膜厚との間には一定の相関性が存在するので、予測膜厚を用いることにより、これから処理しようとする基板の処理条件を自動的に設定することが可能となる。
例３．例２の装置は、処理条件に基づいて基板処理装置を制御するように構成された制御部をさらに備えていてもよい。この場合、自動的に設定された処理条件に基づいて基板を実際に処理することが可能となる。
例４．例１〜例３のいずれかの出力部は、基板の処理を継続するか否かの指示情報を出力する判断部を有していてもよい。指示情報が継続不可を示す場合に基板Ｗの処理を中止することによって、基板Ｗの無駄を更に抑制することができる。
例５．例１〜例４のいずれかの装置は、基板が処理されたときの基板処理装置の状態を示す事後データと、基板処理装置によって基板が処理されることで基板の表面に形成された塗布膜の膜厚実測値とに基づいて、膜厚モデルを更新するように構成された更新部をさらに備えていてもよい。この場合、基板が実際に処理されたときの各種のパラメータを用いて、膜厚モデルが更新される。そのため、膜厚モデルの精度を高めることが可能となる。
例６．例２の装置において、更新部は、基板処理装置による基板の処理条件と、事後データと、膜厚実測値とに基づいて、膜厚モデルを更新するように構成されていてもよい。この場合、基板が実際に処理されたときの各種のパラメータを用いて、膜厚モデルが更新される。そのため、膜厚モデルの精度をより高めることが可能となる。
例７．例１〜例６のいずれかの装置において、膜厚モデルは、複数の偏回帰係数及び複数の説明変数で構成される重回帰式であってもよい。この場合、種々の要因が考慮された膜厚モデルを、比較的簡易に得ることが可能となる。
例８．情報処理装置の他の例は、基板処理装置の状態と基板処理装置によって基板の表面に形成されるパターンの線幅との関係を表す線幅モデルと、基板処理装置による基板の処理前における基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、基板処理装置によって基板が処理されるときの予測線幅を算出するように構成された予測部と、基板処理装置によって基板が処理される前に、予測線幅に基づいて、基板の処理に関する指示情報を出力する出力部とを備える。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。
例９．例８の出力部は、予測線幅に基づいて処理条件を算出するように構成された算出部を有していてもよい。この場合、例２の装置と同様の作用効果が得られる。
例１０．例８の装置は、処理条件に基づいて基板処理装置を制御するように構成された制御部をさらに備えていてもよい。この場合、例３の装置と同様の作用効果が得られる。
例１１．例８〜例１０のいずれかの出力部は、基板の処理を継続するか否かの指示情報を出力する判断部を有していてもよい。この場合、例４の装置と同様の作用効果が得られる。
例１２．例８〜例１１のいずれかの装置は、基板が処理されたときの基板処理装置の状態を示す事後データと、基板処理装置によって基板が処理されることで基板の表面に形成されたパターンの線幅実測値とに基づいて、線幅モデルを更新するように構成された更新部をさらに備えていてもよい。この場合、例２の装置と同様の作用効果が得られる。
例１３．例１２の装置において、更新部は、基板処理装置による基板の処理条件と、事後データと、線幅実測値とに基づいて、線幅モデルを更新するように構成されていてもよい。この場合、例３の装置と同様の作用効果が得られる。
例１４．例８〜例１３のいずれかの装置において、予測部は、線幅モデルと、事前データと、基板処理装置によって基板が処理されることで基板の表面に形成された塗布膜の膜厚実測値とに基づいて、予測線幅を算出するように構成されていてもよい。この場合、予測線幅を算出に、膜厚実測値がさらに用いられる。そのため、予測線幅の精度を高めることが可能となる。
例１５．例８〜例１３のいずれかの装置において、予測部は、線幅モデルと、事前データと、基板処理装置の状態と基板処理装置によって基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルとに基づいて、予測線幅を算出するように構成されていてもよい。この場合、予測線幅の算出に、予測膜厚がさらに用いられる。そのため、予測線幅の精度を高めることが可能となる。
例１６．例８〜例１５のいずれかの装置において、線幅モデルは、複数の偏回帰係数及び複数の説明変数で構成される重回帰式であってもよい。この場合、例６の装置と同様の作用効果が得られる。
例１７．例７又は例１６の装置において、複数の偏回帰係数は、基板に塗布される塗布液の粘度に応じた値、基板処理装置内の温度に応じた値、基板処理装置内の相対湿度に応じた値、基板処理装置の内外の気圧差に応じた値、基板処理装置内の風速に応じた値、基板処理装置の構造に応じた値、及び、基板の処理に用いられる有機溶剤の種類に応じた値からなるグループから選択される少なくとも一つの値を含んでいてもよい。
例１８．例１〜例１７の装置において、事前データは、基板に塗布される塗布液の粘度を測定するように構成された粘度センサ、基板処理装置内の温度を測定するように構成された温度センサ、基板処理装置内の相対湿度を測定するように構成された湿度センサ、基板処理装置の内外の気圧差を測定するように構成された差圧センサ、及び、基板処理装置内の風速を測定するように構成された風速センサからなるグループから選択される少なくとも一つのセンサによって得られる値を含んでいてもよい。
例１９．例１８の装置において、少なくとも一つのセンサは、基板処理装置の処理室内又は処理室外に配置されていてもよい。
例２０．例１９の装置において、少なくとも一つのセンサは、基板処理装置の処理室外で、且つ、基板の搬送経路又は基板の収容容器に配置されていてもよい。
例２１．例１９又は例２０の装置において、少なくとも一つのセンサは、基板処理装置の処理室内で、且つ、処理室に設けられた基板保持部の上方に配置されていてもよい。処理室内には、通常、基板に向けて下方に気流が流れている（ダウンフロー）。そのため、基板の下流側では、基板を処理するための各種の処理液が飛散しやすい状況にある。例１９によれば、各種の処理液に影響されることなく、基板に近い環境での各種のデータをセンサによって取得することができる。そのため、モデル（膜厚モデル又は線幅モデル）や予測値（予測膜厚又は予測線幅）の精度をより高めることが可能となる。
例２２．情報処理方法の一例は、基板処理装置の状態と基板処理装置によって基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルと、基板処理装置による基板の処理前における基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、基板処理装置によって基板が処理されるときの予測膜厚を算出することと、基板処理装置によって基板が処理される前に、予測膜厚に基づいて、基板の処理に関する指示情報を出力することとを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。
例２３．情報処理方法の他の例は、基板処理装置の状態と基板処理装置によって基板の表面に形成されるパターンの線幅との関係を表す線幅モデルと、基板処理装置による基板の処理前における基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、基板処理装置によって基板が処理されるときの予測線幅を算出することと、基板処理装置によって基板が処理される前に、予測線幅に基づいて、基板の処理に関する指示情報を出力することとを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。
例２４．コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、例２２又は例２３の方法を情報処理装置に実行させるためのプログラムを記録していてもよい。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）を含んでいてもよい。
１…基板処理システム、２…塗布現像装置（基板処理装置）、３…露光装置、１１…キャリア（収容容器）、１６…ディスプレイ（表示装置）、２０…基板保持部、Ｃｔｒ…コントローラ（情報処理装置）、Ｃ２…プロセッサ（予測部、判断部、更新部、算出部、制御部）、Ｃ３…メモリ（記憶部）、Ｃ４…ストレージ（記憶部）、Ｍ１…記憶部、Ｍ１１…事前データ記憶部、Ｍ１２…事後データ記憶部、Ｍ１３…膜厚実測値記憶部、Ｍ１４…線幅実測値記憶部、Ｍ１５…膜厚モデル記憶部、Ｍ１６…線幅モデル記憶部、Ｍ２…膜厚関係処理部、Ｍ２１…予測部、Ｍ２２…算出部、Ｍ２３…更新部、Ｍ２４…判断部、Ｍ２５…制御部、Ｍ３…線幅関係処理部、Ｍ３１…予測部、Ｍ３２…算出部、Ｍ３３…更新部、Ｍ３４…判断部、Ｍ３５…制御部、ＰＭ１〜ＰＭ４…処理モジュール、Ｒ…レジスト膜（塗布膜）、ＲＭ…記録媒体、ＳＥ…センサユニット（センサ）、Ｕ１…液処理ユニット（処理室）、Ｕ２…熱処理ユニット（処理室）、Ｕ３…膜厚測定ユニット（処理室）、Ｕ４…線幅測定ユニット（処理室）、Ｗ…基板、Ｗａ…表面。

Claims (24)

  1. 基板処理装置の状態と前記基板処理装置によって基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルと、前記基板処理装置による前記基板の処理前における前記基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、前記基板処理装置によって前記基板が処理されるときの予測膜厚を算出するように構成された予測部と、
    前記基板処理装置によって前記基板が処理される前に、前記予測膜厚に基づいて、前記基板の処理に関する指示情報を出力する出力部とを備える、情報処理装置。
  2. 前記出力部は、前記予測膜厚に基づいて、前記基板処理装置による前記基板の処理条件を算出するように構成された算出部を有する、請求項１に記載の装置。
  3. 前記算出部が算出した前記処理条件に基づいて前記基板処理装置を制御するように構成された制御部をさらに備える、請求項２に記載の装置。
  4. 前記出力部は、前記予測膜厚に基づいて、前記基板の処理を継続するか否かの指示情報を出力する判断部を有する、請求項１〜３のいずれか一項記載の装置。
  5. 前記基板が処理されたときの前記基板処理装置の状態を示す事後データと、前記基板処理装置によって前記基板が処理されることで前記基板の表面に形成された塗布膜の膜厚実測値とに基づいて、前記膜厚モデルを更新するように構成された更新部をさらに備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
  6. 前記更新部は、前記基板処理装置による前記基板の処理条件と、前記事後データと、前記膜厚実測値とに基づいて、前記膜厚モデルを更新するように構成されている、請求項５に記載の装置。
  7. 前記膜厚モデルは、複数の偏回帰係数及び複数の説明変数で構成される重回帰式である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
  8. 基板処理装置の状態と前記基板処理装置によって基板の表面に形成されるパターンの線幅との関係を表す線幅モデルと、前記基板処理装置による前記基板の処理前における前記基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、前記基板処理装置によって前記基板が処理されるときの予測線幅を算出するように構成された予測部と、
    前記基板処理装置によって前記基板が処理される前に、前記予測線幅に基づいて、前記基板の処理に関する指示情報を出力する出力部とを備える、情報処理装置。
  9. 前記出力部は、前記予測線幅に基づいて、前記基板処理装置による前記基板の処理条件を算出するように構成された算出部を有する、請求項８に記載の装置。
  10. 前記算出部が算出した前記処理条件に基づいて前記基板処理装置を制御するように構成された制御部をさらに備える、請求項９に記載の装置。
  11. 前記出力部は、前記予測線幅に基づいて、前記基板の処理を継続するか否かの指示情報を出力する判断部を有する、請求項８〜１０のいずれか一項記載の装置。
  12. 前記基板が処理されたときの前記基板処理装置の状態を示す事後データと、前記基板処理装置によって前記基板が処理されることで前記基板の表面に形成されたパターンの線幅実測値とに基づいて、前記線幅モデルを更新するように構成された更新部をさらに備える、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の装置。
  13. 前記更新部は、前記基板処理装置による前記基板の処理条件と、前記事後データと、前記線幅実測値とに基づいて、前記線幅モデルを更新するように構成されている、請求項１２に記載の装置。
  14. 前記予測部は、前記線幅モデルと、前記事前データと、前記基板処理装置によって前記基板が処理されることで前記基板の表面に形成された塗布膜の膜厚実測値とに基づいて、前記予測線幅を算出するように構成されている、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の装置。
  15. 前記予測部は、前記線幅モデルと、前記事前データと、前記基板処理装置の状態と前記基板処理装置によって前記基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルとに基づいて、前記予測線幅を算出するように構成されている、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の装置。
  16. 前記線幅モデルは、複数の偏回帰係数及び複数の説明変数で構成される重回帰式である、請求項８〜１５のいずれか一項に記載の装置。
  17. 前記複数の偏回帰係数は、前記基板に塗布される塗布液の粘度に応じた値、前記基板処理装置内の温度に応じた値、前記基板処理装置内の相対湿度に応じた値、前記基板処理装置の内外の気圧差に応じた値、前記基板処理装置内の風速に応じた値、前記基板処理装置の構造に応じた値、及び、前記基板の処理に用いられる有機溶剤の種類に応じた値からなるグループから選択される少なくとも一つの値を含む、請求項７又は１６に記載の装置。
  18. 前記事前データは、前記基板に塗布される塗布液の粘度を測定するように構成された粘度センサ、前記基板処理装置内の温度を測定するように構成された温度センサ、前記基板処理装置内の相対湿度を測定するように構成された湿度センサ、前記基板処理装置の内外の気圧差を測定するように構成された差圧センサ、及び、前記基板処理装置内の風速を測定するように構成された風速センサからなるグループから選択される少なくとも一つのセンサによって得られる値を含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の装置。
  19. 前記少なくとも一つのセンサは、前記基板処理装置の処理室内又は処理室外に配置されている、請求項１８に記載の装置。
  20. 前記少なくとも一つのセンサは、前記基板処理装置の処理室外で、且つ、前記基板の搬送経路又は前記基板の収容容器に配置されている、請求項１９に記載の装置。
  21. 前記少なくとも一つのセンサは、前記基板処理装置の処理室内で、且つ、前記処理室に設けられた基板保持部の上方に配置されている、請求項１９又は２０に記載の装置。
  22. 基板処理装置の状態と前記基板処理装置によって基板の表面に形成される塗布膜の膜厚との関係を表す膜厚モデルと、前記基板処理装置による前記基板の処理前における前記基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、前記基板処理装置によって前記基板が処理されるときの予測膜厚を算出することと、
    前記基板処理装置によって前記基板が処理される前に、前記予測膜厚に基づいて、前記基板の処理に関する指示情報を出力することとを含む、情報処理方法。
  23. 基板処理装置の状態と前記基板処理装置によって基板の表面に形成されるパターンの線幅との関係を表す線幅モデルと、前記基板処理装置による前記基板の処理前における前記基板処理装置の状態を示す事前データとに基づいて、前記基板処理装置によって前記基板が処理されるときの予測線幅を算出することと、
    前記基板処理装置によって前記基板が処理される前に、前記予測線幅に基づいて、前記基板の処理に関する指示情報を出力することとを含む、情報処理方法。
  24. 請求項２２又は２３に記載の情報処理方法を情報処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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