CN110598255B - 一种化学气相沉积速率预测方法 - Google Patents

一种化学气相沉积速率预测方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种化学气相沉积速率预测方法,具体涉及化学工艺研究领域,具体预测方法如下:建立有限元反应器模型;建立能量守恒方程;建立质量守恒和动量守恒方程;建立多组分扩散方程;建立气相反应模型;极限学习机模型和粘附系数法确定主要中间物质;建立表面反应模型;沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性;建立中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型;根据实验结果确定粘附系数。本发明结合机器学习和计算流体力学的模拟技术,将大大降低模型参数对人为经验的依赖,通过少量实验即可准确确定重要中间相和粘滞系数,达到预测结果准确性高、可靠性强的技术效果。

Description

一种化学气相沉积速率预测方法
技术领域
本发明涉及化学工艺研究技术领域,更具体地说,本发明涉及一种化学气相沉积速率预测方法。
背景技术
陶瓷基复合材料为以陶瓷为基体与各种纤维复合的一类复合材料,陶瓷基体可为氮化硅、碳化硅等高温结构陶瓷。它保留了陶瓷材料的耐高温、低密度、高比强和抗氧化等优异性能,而且克服了陶瓷材料脆性大和可靠性差等致命弱点,作为高温结构材料能应用于某些高温和苛刻环境中,被誉为“面向21世纪的新材料”,受到了越来越多的关注。
目前,化学气相沉积法(CVD)为制备陶瓷基复合材料基体和涂层的主要方法。但这种新技术过程包括了极其复杂的物理与化学过程,涉及到无机化学、物理化学、结晶化学、固体化学和固体物理等一系列学科,至今还没有形成一套系统的理论,在制备工艺上带有很强的经验性,给控制和优化工艺、设计放大沉积工艺以及推广和转变CVD技术带来较大的困难和挑战。
目前国内外CVD研究设计方法主要分两类:实验研究和计算机数值模。实验研究具直观、普遍、易实现等优点,但为实验过程的中间和微观信息不易获得,很难从分子、原子水平来理解和解释实验现象。计算机数值模拟可从不同研究尺度和层次进行理论计算,具快速、节省人力、财力和物力资源等优点,能给沉积过程提供本质的理论基础,但它对实际过程作出一定理想简化,其结果的有效性需通过准确测量和监控工艺参数的实验来验证。目前,如何将实验研究方法与计算机模拟计算结合,为高效准确设计CVD工艺的关键。
而现有技术方案为:根据实验反应器几何特征创立几何实体模型,建立流体流动、传热传质、化学反应等模型,定义模型参数,设置模型的边界条件和区域条件,对模型划分网格单元,基于自编程序或采用流体力学商业软件求解方程组,通过预实验结果对比和参数化分析,估算模型参数,最后用建立的模型对工艺进行优化设计。
近年来,研究人员运用化学工程理论和计算流体力学模拟技术针对CVD进行了很多研究。通过模拟预测出不同沉积工艺条件对沉积速率的影响,对化学气相沉积工艺的设计和优化起到十分重要的指导作用。但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题:
1、在气相物质到达沉积基底表面前,先驱体将生成大量中间相物质,仅靠气相组分浓度很难准确判断哪些中间相为沉积固相的主要贡献者,哪些中间相为控制沉积速率的主要因素,导致中间相的选取有很强经验性,误差较大;
2、即使确定主要中间相,因为多种中间相在沉积过程中存在争夺占有表面空位的竞争关系,而这些关系可能还会随温度、压力和各组分浓度的改变而改变,仅依靠现有技术很难确定地这些因素对各种主要中间相粘滞系数的影响,而目前采用的粘滞系数多为在非沉积条件下测量获得,他能否直接应用于实际沉积环境为存在疑问的,这也为导致建立的模型普适性差的原因之一。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本发明的实施例提供一种机器学习和计算流体力学相结合的模拟技术,结合机器学习和计算流体力学的模拟方法,通过少量实验数据即可确定主要中间相,并通过计算流体力学建模计算以及数据转换,作为偏最小二乘回归分析的输入项进行机器学习,最终确定主要中间相的粘滞系数,解决了现有技术中模型参数难以确定,严重依赖于经验的技术问题,提出方法具有很强普适性、预测结果准确性高、可靠性强的技术效果。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种化学气相沉积速率预测方法,具体预测方法如下:
S1、建立有限元反应器模型:根据实验条件将反应器模拟为三维圆柱模型,然后将反应器切割并区分为反应器空腔、进气口和沉积基底,为减小计算量切割圆柱,只保留一半的反应器空腔、进气口和沉积,得到有限元模型;
S2、建立能量守恒方程:考虑热传导和对流,忽略热辐射和反应热,建立能量守恒方程,计算温度场:
Figure GDA0003054863800000031
其中,T为温度,Cρ为热容量,k为热导率;
S3、建立质量守恒和动量守恒方程,计算流场:
Figure GDA0003054863800000032
Figure GDA0003054863800000033
其中,ρ为来自理想气体状态方程的气体混合物的质量密度,u为质量平均速度的矢量,p为压力;I为单位张量;
S4、建立多组分扩散方程,分别计算浓度场:
Figure GDA0003054863800000034
其中,ρ为来自理想气体状态方程的气体混合物的质量密度,Ri为反应速率,Yi为质量分数,Di为气体扩散率,Di T为热扩散率;下标i表示第i种气体;
S5、建立气相反应模型;通过多组ti化学反应实验,采用可逆反应,得到气相反应模型,反应的动力学常数可由第一性原理、过渡态理论(TST)、正则变分过渡态理论(CVTST)或从头计算得到;
S6、极限学习机模型和粘附系数法确定主要中间物质;
S6.1、联立反应器的有限元模型、热传导和对流、质量守恒和动量守恒、多组分扩散方程和气相反应模型,计算反应器内部中间相物质的浓度分布,计算沉积基底表面的平均物质浓度;
S6.2、建立极限学习机模型,输入系统变量,这些变量包括通过实验测量的沉积速率ti和计算得到的沉积基板表面各种中间物质浓度xi
tN={t1;t2;...;ti}
其中,N为实验数据的数量;
Figure GDA0003054863800000041
给定训练样本集
Figure GDA0003054863800000042
和隐层神经元数L,存在ai,bi,βi使得:
Figure GDA0003054863800000043
其中:ai和bi为隐层节点参数;βi表示连接第i个隐层节点和网络输出之间的外权;g为激活方程;
将上式写成如下矩阵形式:
Hβ=T
其中:
Figure GDA0003054863800000044
Figure GDA0003054863800000045
Figure GDA0003054863800000051
Figure GDA0003054863800000052
H称为隐层输出矩阵;
考虑预测误差,上式可修改为:
Hβ=T+E
定义平方损失函数:
J=(Hβ-T)T(Hβ-T)
则ELM网络参数的训练问题转化为求平方损失函数最小值问题,即需要寻找一组最优参数
Figure GDA0003054863800000053
使得J最小;当激活函数g无限可微时,可在训练开始时随机选择隐层参数节点,然后在训练过程中固定,外权β可通过最小二乘法求解上述方程组得到;
ELM训练结束后,采用ELM网络模型进行敏感性分析,定义如下敏感度系数计算中间物质浓度与碳化硅生长速率的相关性:
Figure GDA0003054863800000054
其中,
Figure GDA0003054863800000055
是当第k种气体物质的浓度固定为零并且其他物种的浓度保持不变时,ELM预测的生长速率,敏感度分析结果如图4;
S6.3、采用粘附系数(SC)方法,基底吸附速率由气体热力学确定,以
Figure GDA0003054863800000056
表示;其中,xi、R、T、Mi分别是摩尔浓度、理想气体常数、温度、分子量和近表面物质的粘附系数;表2列出了报道的各种中间物质的粘附系数;
使用SC进行敏感度分析(图5),SC计算得到中间物质浓度与沉积速率的相关性,进一步确定硅碳来源的中间物质,敏感系数定义为SC的吸附速率与通过实验测量的沉积速率的比率;
综合ELM计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性和SC计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性,最终确定控制硅原子和碳原子的吸附速率乃至碳化硅的生长速率的中间物质;
S7、建立表面反应模型:根据已经确定的主要中间物质,认为碳化硅通过两个单独的反应序列沉积,分布涉及碳氢化合物和氯硅化合物;因此,考虑表面沉积,解吸,蚀刻以及报道的表面动力学,建立改进的表面动力学模型列于表3;
S8、沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性:联立反应器有限元模型、热传导和对流、质量守恒和动量守恒、多组分扩散方程、气相反应模型和表面动力学模型,建立计算流体力学沉积速率预测模型,该模型输入量为各种主要中间物质的粘附系数;以报道的各种中间物质的粘附系数作为基准值,保持其他中间物质系数值不变,分别轮流放大、缩小每个中间物质的粘附系数值,并输入沉积速率预测模型,计算对应沉积速率;
S9、建立中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型:以温度、压力,步骤S8.1中计算得到各中间物质表面浓度和沉积速率作为自变量,以相应的各中间物质粘度系数估算值为因变量,运用偏最小二乘回归(PLSR)的原理,进行多元多重线性回归分析,建立各中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型;
S10、根据实验结果确定粘附系数:以实验测得的沉积速率、温度、压力作为自变量,输入步骤S8.2中获得的PLSR模型,计算得到符合实际的中间物质粘度系数。
在一个优选地实施方式中,所述步骤S2中,以炉膛壁面作为边界条件,在炉膛壁面设置恒温区为900℃-1300℃,靠近炉膛中心10cm处为恒温区,其他壁面的温度定义为实验测量值。
在一个优选地实施方式中,所述步骤S3中,在入口设置流速,出口设置压力边界,其他壁面设为无滑移边界。
在一个优选地实施方式中,所述步骤S4中,气体混合物可以看作为具有温度依赖性的理想混合物,忽略反应引起的气体混合物的膨胀或收缩,有限元模型采用载气中反应物和产物的二元扩散系数,根据实验条件在入口设置浓度边界,出口设置流出边界。
在一个优选地实施方式中,所述步骤S5中,实验中所使用的载气流量相对较高,前驱气体浓度较低,硅团簇在气相中的成核和凝聚可以忽略不计。
在一个优选地实施方式中,所述步骤S5中,反应速率以阿仑尼乌斯形式表示:K=ATne-E/RT
在一个优选地实施方式中,所述步骤S7中,表面反应速率以阿仑尼乌斯形式表示:K=ATne-E/RT
本发明的技术效果和优点:
1、本发明结合机器学习和计算流体力学的模拟方法,通过少量实验数据即可确定主要中间相,并通过计算流体力学建模计算以及数据转换,作为偏最小二乘回归分析的输入项进行机器学习,最终确定主要中间相的粘滞系数,并精确计算这些中间相的粘滞系数,解决了现有技术中模型参数难以确定,严重依赖于经验的技术问题,提出方法具有很强普适性、预测结果准确性高、可靠性强的技术效果,可用于设计放大沉积工艺;
2、本发明不需要通过人为判断主要中间物质,而是通过机器学习程序自行判断确定,减小了对人为经验的依赖,尤其是没有包含沉积元素的中间物质,以前只能通过大量系统实验来确定它们对沉积速率的影响大小,而通过本技术只需要一组实验即可有效确定;
3、由于粘滞系数难以实验测定,报道的估算值准确性只能保证在一个数量级,而本发明提供的技术克服了这一问题,可将实际工艺条件以及各种中间相浓度的相互耦合关系、以及它们对粘滞系数的影响考虑进去,通过机器学习方式直接建立相关性,自动建立有效准确的预测模型。
附图说明
图1为本发明的整体流程图。
图2为本发明的反应器几何模型和有限元模型图。
图3为本发明的反应器内部中间物质浓度分布图。
图4为本发明的ELM计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性示意图。
图5为本发明的SC计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性示意图。
图6为本发明的利用沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性示意图。
图7为本发明的各中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅为本发明一部分实施例,而不为全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
根据图1所示的一种化学气相沉积速率预测方法,具体预测方法如下:
S1、建立有限元反应器模型:根据实验条件将反应器模拟为三维圆柱模型,然后将反应器切割并区分为反应器空腔、进气口和沉积基底,为减小计算量切割圆柱,只保留一半的反应器空腔、进气口和沉积,得到有限元模型,具体见图2;
S2、建立能量守恒方程:考虑热传导和对流,忽略热辐射和反应热,建立能量守恒方程,计算温度场:
Figure GDA0003054863800000091
其中,T为温度,Cρ为热容量,k为热导率;
以炉膛壁面作为边界条件,在炉膛壁面设置恒温区为900℃-1300℃,靠近炉膛中心10cm处为恒温区,其他壁面的温度定义为实验测量值;
S3、建立质量守恒和动量守恒方程,计算流场:
Figure GDA0003054863800000092
Figure GDA0003054863800000093
其中,ρ为来自理想气体状态方程的气体混合物的质量密度,u为质量平均速度的矢量,p为压力;I为单位张量,在入口设置流速,出口设置压力边界,其他壁面设为无滑移边界;
S4、建立多组分扩散方程,分别计算浓度场:
Figure GDA0003054863800000094
其中,ρ为来自理想气体状态方程的气体混合物的质量密度,Ri为反应速率,Yi为质量分数,Di为气体扩散率,
Figure GDA0003054863800000095
为热扩散率;下标i表示第i种气体;
气体混合物可以看作为具有温度依赖性的理想混合物,忽略反应引起的气体混合物的膨胀或收缩,有限元模型采用载气中反应物和产物的二元扩散系数,根据实验条件在入口设置浓度边界,出口设置流出边界;
S5、建立气相反应模型;由于实验中所使用的载气流量相对较高,前驱气体浓度较低,硅团簇在气相中的成核和凝聚可以忽略不计,因此通过多组化学反应实验,采用可逆反应,得到气相反应模型,反应的动力学常数可由第一性原理、过渡态理论(TST)、正则变分过渡态理论(CVTST)或从头计算得到;
表1气相反应模型列表
Figure GDA0003054863800000101
Figure GDA0003054863800000111
Figure GDA0003054863800000121
Figure GDA0003054863800000131
Figure GDA0003054863800000141
Figure GDA0003054863800000151
反应速率以阿仑尼乌斯形式表示:K=ATne-E/RT;第三组分以M表示;
Figure GDA0003054863800000152
表示逆反应反应速率常数通过平衡热化学估算;
S6、极限学习机模型和粘附系数法确定主要中间物质;
S6.1、联立反应器的有限元模型、热传导和对流、质量守恒和动量守恒、多组分扩散方程和气相反应模型,计算反应器内部中间相物质的浓度分布,计算沉积基底表面的平均物质浓度;
S6.2、建立极限学习机模型,输入系统变量,这些变量包括通过实验测量的沉积速率ti和计算得到的沉积基板表面各种中间物质浓度xi
tN={t1;t2;...;ti}
其中,N为实验数据的数量;
Figure GDA0003054863800000153
给定训练样本集
Figure GDA0003054863800000154
和隐层神经元数L,存在ai,bi,βi使得:
Figure GDA0003054863800000161
其中:ai和bi为隐层节点参数;βi表示连接第i个隐层节点和网络输出之间的外权;g为激活方程;
将上式写成如下矩阵形式:
Hβ=T
其中:
Figure GDA0003054863800000162
Figure GDA0003054863800000163
Figure GDA0003054863800000164
Figure GDA0003054863800000165
H称为隐层输出矩阵;
考虑预测误差,上式可修改为:
Hβ=T+E
定义平方损失函数:
J=(Hβ-T)T(Hβ-T)
则ELM网络参数的训练问题转化为求平方损失函数最小值问题,即需要寻找一组最优参数
Figure GDA0003054863800000166
使得J最小;当激活函数g无限可微时,可在训练开始时随机选择隐层参数节点,然后在训练过程中固定,外权β可通过最小二乘法求解上述方程组得到;
ELM训练结束后,采用ELM网络模型进行敏感性分析,定义如下敏感度系数计算中间物质浓度与碳化硅生长速率的相关性:
Figure GDA0003054863800000171
其中,
Figure GDA0003054863800000172
是当第k种气体物质的浓度固定为零并且其他物种的浓度保持不变时,ELM预测的生长速率,敏感度分析结果如图4;
S6.3、采用粘附系数(SC)方法,基底吸附速率由气体热力学确定,以
Figure GDA0003054863800000173
表示;其中,xi、R、T、Mi分别是摩尔浓度、理想气体常数、温度、分子量和近表面物质的粘附系数;表2列出了报道的各种中间物质的粘附系数;
使用SC进行敏感度分析(图5),SC计算得到中间物质浓度与沉积速率的相关性,进一步确定硅碳来源的中间物质,敏感系数定义为SC的吸附速率与通过实验测量的沉积速率的比率;
表2各种中间物质粘附系数参考值
Figure GDA0003054863800000174
综合ELM计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性和SC计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性,即(图4和5),最终确定控制硅原子和碳原子的吸附速率乃至碳化硅的生长速率的中间物质;
S7、建立表面反应模型:根据已经确定的主要中间物质,认为碳化硅通过两个单独的反应序列沉积,分布涉及碳氢化合物和氯硅化合物;因此,考虑表面沉积,解吸,蚀刻以及报道的表面动力学,建立改进的表面动力学模型列于表3;
表3表面动力学反应列表
Figure GDA0003054863800000181
Figure GDA0003054863800000191
表面反应速率K=ATne-E/RT,反应速率单位[mol m-2s-1],气相和表面浓度单位分别为[mol m-3]和[mol m-2];S和B分别代表表面和固相;Si($)和C($)分别代表Si和C表面空位;下标C和Si指吸附在C或Si空位;SiC的表面空位数为1.75×10-5mol/m2
S8、沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性:联立反应器有限元模型、热传导和对流、质量守恒和动量守恒、多组分扩散方程、气相反应模型和表面动力学模型,建立计算流体力学沉积速率预测模型,该模型输入量为各种主要中间物质的粘附系数;以报道的各种中间物质的粘附系数作为基准值,保持其他中间物质系数值不变,分别轮流放大、缩小每个中间物质的粘附系数值,并输入沉积速率预测模型,计算对应沉积速率,具体见图6;
S9、建立中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型:以温度、压力,步骤S8.1中计算得到各中间物质表面浓度和沉积速率作为自变量,以相应的各中间物质粘度系数估算值为因变量,运用偏最小二乘回归(PLSR)的原理,进行多元多重线性回归分析,建立各中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型,具体见图7;
S10、根据实验结果确定粘附系数:以实验测得的沉积速率、温度、压力作为自变量,输入步骤S8.2中获得的PLSR模型,计算得到符合实际的中间物质粘度系数。
本发明结合机器学习和计算流体力学的模拟方法,通过少量实验数据即可确定主要中间相,并精确计算这些中间相的粘滞系数,解决了现有技术中模型参数难以确定,严重依赖于经验的技术问题,提出方法具有很强普适性,预测结果准确性高、可靠性强的技术效果,可用于设计放大沉积工艺。
以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管已描述了本发明的针对碳硅材料体系和圆柱形反应器结构,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,例如可变更不同材料体系,应用于不同温度和压力条件,采用不同结构的反应器,变更不同机器学习或流体力学计算方法;
最后:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种化学气相沉积速率预测方法,其特征在于,具体预测方法如下:
S1、建立有限元反应器模型:根据实验条件将反应器模拟为三维圆柱模型,然后将反应器切割并区分为反应器空腔、进气口和沉积基底,只保留一半的反应器空腔、进气口和沉积,得到有限元模型;
S2、建立能量守恒方程:考虑热传导和对流,忽略热辐射和反应热,建立能量守恒方程,计算温度场:
Figure FDA0003054863790000011
其中,T为温度,Cρ为热容量,k为热导率;
S3、建立质量守恒和动量守恒方程,计算流场:
Figure FDA0003054863790000012
Figure FDA0003054863790000013
其中,ρ为来自理想气体状态方程的气体混合物的质量密度,u为质量平均速度的矢量,p为压力;I为单位张量;
S4、建立多组分扩散方程,分别计算浓度场:
Figure FDA0003054863790000014
其中,ρ为来自理想气体状态方程的气体混合物的质量密度,Ri为反应速率,Yi为质量分数,Di为气体扩散率,
Figure FDA0003054863790000015
为热扩散率;下标i表示第i种气体;
S5、建立气相反应模型;通过多组化学反应实验,采用可逆反应,得到气相反应模型,反应的动力学常数可由第一性原理、过渡态理论、正则变分过渡态理论或从头计算得到;
S6、极限学习机模型和粘附系数法确定主要中间物质;
S6.1、联立反应器的有限元模型、热传导和对流、质量守恒和动量守恒、多组分扩散方程和气相反应模型,计算反应器内部中间相物质的浓度分布,计算沉积基底表面的平均物质浓度;
S6.2、建立极限学习机模型,输入系统变量,这些变量包括通过实验测量的沉积速率ti和计算得到的沉积基板表面各种中间物质浓度xi
tN={t1;t2;...;ti}
其中,N为实验数据的数量;
Figure FDA0003054863790000021
给定训练样本集
Figure FDA0003054863790000022
和隐层神经元数L,存在αi,bi,βi使得:
Figure FDA0003054863790000023
其中:αi和bi为隐层节点参数;βi表示连接第i个隐层节点和网络输出之间的外权;g为激活方程;
将上式写成如下矩阵形式:
Hβ=T
其中:H=H(a1,…,aL,b1,…,bL,x1,…,xN)=
Figure FDA0003054863790000024
Figure FDA0003054863790000025
Figure FDA0003054863790000026
H称为隐层输出矩阵;
考虑预测误差,上式可修改为:
Hβ=T+E
定义平方损失函数:
J=(Hβ-T)T(Hβ-T)
则ELM网络参数的训练问题转化为求平方损失函数最小值问题,即需要寻找一组最优参数
Figure FDA0003054863790000031
使得J最小;当激活函数g无限可微时,可在训练开始时随机选择隐层参数节点,然后在训练过程中固定,外权β可通过最小二乘法求解上述方程组得到;
ELM训练结束后,采用ELM网络模型进行敏感性分析,定义如下敏感度系数计算中间物质浓度与碳化硅生长速率的相关性:
Figure FDA0003054863790000032
其中,
Figure FDA0003054863790000033
是当第k种气体物质的浓度固定为零并且其他物种的浓度保持不变时,ELM预测的生长速率;
S6.3、采用粘附系数方法,基底吸附速率由气体热力学确定,以
Figure FDA0003054863790000034
表示;其中,xi、R、T、Mi、τ分别是摩尔浓度、理想气体常数、温度、分子量和近表面物质的粘附系数;
使用SC进行敏感度分析,SC计算得到中间物质浓度与沉积速率的相关性,进一步确定硅碳来源的中间物质,敏感系数定义为SC的吸附速率与通过实验测量的沉积速率的比率;
综合ELM计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性和SC计算得到的中间物质浓度与沉积速率的相关性,最终确定控制硅原子和碳原子的吸附速率乃至碳化硅的生长速率的中间物质;
S7、建立表面反应模型:根据已经确定的主要中间物质,认为碳化硅通过两个单独的反应序列沉积,分布涉及碳氢化合物和氯硅化合物;因此,考虑表面沉积,解吸,蚀刻以及报道的表面动力学,建立改进的表面动力学模型;
S8、沉积速率预测模型建立粘度系数和表面浓度、沉积速率的相关性:联立反应器有限元模型、热传导和对流、质量守恒和动量守恒、多组分扩散方程、气相反应模型和表面动力学模型,建立计算流体力学沉积速率预测模型,该模型输入量为各种主要中间物质的粘附系数;以报道的各种中间物质的粘附系数作为基准值,保持其他中间物质系数值不变,分别轮流放大、缩小每个中间物质的粘附系数值,并输入沉积速率预测模型,计算对应沉积速率;
S9、建立中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型:以温度、压力,步骤S8.1中计算得到各中间物质表面浓度和沉积速率作为自变量,以相应的各中间物质粘度系数估算值为因变量,运用偏最小二乘回归的原理,进行多元多重线性回归分析,建立各中间物质粘度系数与其影响因素之间的多因变量的PLSR模型;
S10、根据实验结果确定粘附系数:以实验测得的沉积速率、温度、压力作为自变量,输入步骤S8.2中获得的PLSR模型,计算得到符合实际的中间物质粘度系数。
2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积速率预测方法,其特征在于:所述步骤S2中,以炉膛壁面作为边界条件,在炉膛壁面设置恒温区为900℃-1300℃,靠近炉膛中心10cm处为恒温区,其他壁面的温度定义为实验测量值。
3.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积速率预测方法,其特征在于:所述步骤S3中,在入口设置流速,出口设置压力边界,其他壁面设为无滑移边界。
4.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积速率预测方法,其特征在于:所述步骤S4中,气体混合物可以看作为具有温度依赖性的理想混合物,忽略反应引起的气体混合物的膨胀或收缩,有限元模型采用载气中反应物和产物的二元扩散系数,根据实验条件在入口设置浓度边界,出口设置流出边界。
5.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积速率预测方法,其特征在于:所述步骤S5中,实验中所使用的载气流量相对较高,前驱气体浓度较低,硅团簇在气相中的成核和凝聚可以忽略不计。
6.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积速率预测方法,其特征在于:所述步骤S5中,反应速率以阿仑尼乌斯形式表示:K=ATne-E/RT
7.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积速率预测方法,其特征在于:所述步骤S7中,表面反应速率以阿仑尼乌斯形式表示:K=ATne-E/RT
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021132183A (ja) * 2020-02-21 2021-09-09 東京エレクトロン株式会社 情報処理装置、情報処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN111597735B (zh) * 2020-06-19 2022-06-14 华南理工大学 机器学习与cvd建模相结合的组分预测方法
CN112214871B (zh) * 2020-09-09 2022-11-01 东南大学 一种聚焦离子束辅助沉积加工的结构高度计算方法
CN112102897B (zh) * 2020-09-18 2022-03-08 华南理工大学 一种化学气相多元沉积产物组分预测方法
CN112100943B (zh) * 2020-09-21 2024-01-26 水羊化妆品制造有限公司 一种高粘度流体混合性能预测方法
CN112331271B (zh) * 2020-11-04 2022-06-14 华南理工大学 一种cvd沉积速率、产物织构和质量跨尺度预测方法
CN113536529B (zh) * 2021-05-24 2022-09-06 山西中电科新能源技术有限公司 一种用于碳碳复合材料沉积的投炉装配优化方法
CN113703411B (zh) * 2021-08-31 2022-08-30 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅生长过程监测系统、方法及多晶硅生产系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1510596A2 (en) * 1999-10-06 2005-03-02 Air Products And Chemicals, Inc. Purification, analysis and deposition of titanium amides
CN102779198A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 中国石油天然气股份有限公司 天然气管网输送系统动态仿真系统建立方法
CN105973926A (zh) * 2016-04-28 2016-09-28 华南理工大学 一种粉体材料热膨胀系数的测量装置及测量方法
CN107400875A (zh) * 2017-07-12 2017-11-28 华中科技大学 一种热丝化学气相沉积设备
US10176983B1 (en) * 2017-10-11 2019-01-08 Lawrence Livermore National Security, Llc Charged particle induced deposition of boron containing material

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109985487B (zh) * 2019-04-03 2021-04-27 天津大学 一种基于Fluent的变压吸附碳捕集的优化方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1510596A2 (en) * 1999-10-06 2005-03-02 Air Products And Chemicals, Inc. Purification, analysis and deposition of titanium amides
CN102779198A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 中国石油天然气股份有限公司 天然气管网输送系统动态仿真系统建立方法
CN105973926A (zh) * 2016-04-28 2016-09-28 华南理工大学 一种粉体材料热膨胀系数的测量装置及测量方法
CN107400875A (zh) * 2017-07-12 2017-11-28 华中科技大学 一种热丝化学气相沉积设备
US10176983B1 (en) * 2017-10-11 2019-01-08 Lawrence Livermore National Security, Llc Charged particle induced deposition of boron containing material

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