KR20090069358A - 반도체 소자 제조용 트랙 장치 - Google Patents

반도체 소자 제조용 트랙 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090069358A
KR20090069358A KR1020070136998A KR20070136998A KR20090069358A KR 20090069358 A KR20090069358 A KR 20090069358A KR 1020070136998 A KR1020070136998 A KR 1020070136998A KR 20070136998 A KR20070136998 A KR 20070136998A KR 20090069358 A KR20090069358 A KR 20090069358A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
wafer
thickness
developing
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020070136998A
Other languages
English (en)
Inventor
구본석
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020070136998A priority Critical patent/KR20090069358A/ko
Publication of KR20090069358A publication Critical patent/KR20090069358A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 트랙 장치에 관한 것으로서, 반도체 소자를 제조하기 위하여 포토레지스트를 코팅, 베이킹 및 현상하는 트랙 장치에 있어서, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하는 코터와, 코터에 의해 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 포토레지스트의 경화를 위하여 열처리하는 베이크 오븐과, 베이크 오븐으로부터 언로딩되어 노광을 마친 웨이퍼 상의 포토레지스트를 현상하는 현상 유닛과, 코터, 베이크 오븐, 현상 유닛 중 어느 하나에 위치하는 웨이퍼를 이송 아암에 의해 로딩시켜서 웨이퍼 상의 포토레지스트 두께를 측정하는 두께 측정 유닛을 포함한다. 따라서, 본 발명은 웨이퍼에 대한 포토레지스트의 코팅, 베이킹, 현상 과정에서 언제라도 웨이퍼 상의 포토레지스트에 대한 두께 측정을 가능하도록 함으로써 포토레지스트 두께 측정에 대한 번거로움을 줄임과 아울러 장비 가동률의 저하를 방지하고, 포토레지스트 두께에 대한 제어 문제가 발생시 실시간으로 포토레지스트의 두께를 측정할 수 있도록 함으로써 선폭의 비정상 등의 원인에 대한 즉각적인 조치가 이루어지도록 하여 반도체 소자의 수율을 증대시키는 효과를 가지고 있다.
코터, 베이크 오븐, 현상 유닛, 발광소자, 수광소자, 두께 산출부

Description

반도체 소자 제조용 트랙 장치{Track apparatus for manufacturing semiconductor devices}
본 발명은 웨이퍼에 대한 포토레지스트의 코팅, 베이킹, 현상 과정에서 언제라도 웨이퍼 상의 포토레지스트에 대한 두께 측정을 가능하도록 하는 반도체 소자 제조용 트랙 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조하기 위해 기판 상에 산화막, 질화막 및 금속막 등의 다양한 박막이 형성되고, 이러한 박막은 포토리소그래피(photolithography)공정에 의해서 패턴(pattern)으로 형성된다.
이러한 포토리소그래피 공정에서 포토레지스트(photo resist)의 코팅(coating), 코팅된 포토레지스트를 견고히 굳히는 베이킹(baking), 그리고, 포토레지스트의 현상(development)을 수행하기 위해 트랙(track) 장치가 사용된다.
종래의 반도체 소자를 제조하기 위한 트랙 장치는 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하기 위한 코터(coater)와, 웨이퍼에 코팅된 포토레지스트를 경화시키기 위해 열처리하는 베이크 오븐(bake oven)과, 웨이퍼의 포토레지스트가 외부의 노광 장비에 의해 노광을 마치면 웨이퍼 상의 포토레지스트를 현상하는 현상 유닛(development unit)이 마련된다.
한편, 포토리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하는 공정은 웨이퍼의 유니포머티(uniformity)를 결정하는 중요한 요소로서 케미컬 종류별로 포토레지스트의 두께에 대한 데이터를 가지고, 그 범위 또한 스펙(spec)을 통하여 관리되고 있다.
상기한 바와 같은, 종래의 기술에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 트랙 장치를 사용하여 공정을 진행시 포토레지스트의 두께가 선폭(critical dimension, CD)의 유니포머티(uniformity) 측면에서 실시간으로 체크되어야 함에도 트랙 장치에서 웨이퍼 상의 포토레지스트에 대한 두께를 실시간으로 직접 측정할 수 없기 때문에 포토레지스트의 두께를 측정하기 위해서는 웨이퍼를 외부의 별도 측정 장치로 이송시켜서 측정하여야 하는 불편함과 시간 손실을 초래하는 원인이 되었다.
따라서, 종래의 반도체 소자 제조용 트랙 장치는 포토레지스트의 코팅, 베이킹 및 현상 과정에서 포토레지스트 두께의 제어에 문제가 발생하면 선폭의 비정상으로 인한 수율 저하를 위한 즉각적인 조치가 어렵기 때문에 장치의 가동률 및 반도체 수율의 저하를 가져오는 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 웨이퍼에 대한 포토레지스트의 코팅, 베이킹, 현상 과정에서 언제라도 웨이퍼 상의 포토레지스트에 대한 두께 측정을 가능하도록 함으로써 포토레지스트 두께 측정에 대한 번거로움을 줄임과 아울러 장비 가동률의 저하를 방지한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 트랙 장치는 반도체 소자를 제조하기 위하여 포토레지스트를 코팅, 베이킹 및 현상하는 트랙 장치에 있어서, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하는 코터와, 코터에 의해 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 포토레지스트의 경화를 위하여 열처리하는 베이크 오븐과, 베이크 오븐으로부터 언로 딩되어 노광을 마친 웨이퍼 상의 포토레지스트를 현상하는 현상 유닛과, 코터, 베이크 오븐, 현상 유닛 중 어느 하나에 위치하는 웨이퍼를 이송 아암에 의해 로딩시켜서 웨이퍼 상의 포토레지스트 두께를 측정하는 두께 측정 유닛을 포함한다.
본 발명은 웨이퍼에 대한 포토레지스트의 코팅, 베이킹, 현상 과정에서 언제라도 웨이퍼 상의 포토레지스트에 대한 두께 측정을 가능하도록 함으로써 포토레지스트 두께 측정에 대한 번거로움을 줄임과 아울러 장비 가동률의 저하를 방지하고, 포토레지스트 두께에 대한 제어 문제가 발생시 실시간으로 포토레지스트의 두께를 측정할 수 있도록 함으로써 선폭의 비정상 등의 원인에 대한 즉각적인 조치가 이루어지도록 하여 반도체 소자의 수율을 증대시키는 효과를 가지고 있다.
본 발명은 코터에 의하여 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하고, 베이크 오븐에 의해 포토레지스트가 경화되도록 열처리하며, 현상 유닛에 의해 노광을 마친 웨이퍼 상의 포토레지스트를 현상시키고, 코터, 베이크 오븐, 현상 유닛 중 어느 하나로부터 이송 아암에 의해 이송된 웨이퍼 상의 포토레지스트의 두께를 두께 측정 유닛에 의해 측정하며, 이로 인해 웨이퍼에 대한 포토레지스트의 코팅, 베이킹, 현상 과정에서 언제라도 웨이퍼 상의 포토레지스트에 대한 두께 측정을 가능하도록 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 아울러 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대 한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 트랙 장치를 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 트랙 장치(100)는 웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하는 코터(110)와, 웨이퍼 상의 포토레지스트를 경화시키는 베이크 오븐(120)과, 포토레지스트를 현상하는 현상 유닛(130)과, 포토레지스트의 두께를 측정하는 두께 측정 유닛(140)을 포함한다.
코터(110)는 내측에 마련되는 스핀 척에 웨이퍼가 로딩되면, 스핀 척을 회전시킴과 아울러 노즐로부터 포토레지스트 용액을 분사하여 스핀 척과 함께 회전하는 웨이퍼의 전면에 포토레지스트 용액이 원심력에 의해 균일한 두께로 코팅되도록 한다.
베이크 오븐(120)은 코터(110)에 의해 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼가 내측의 챔버로 로딩되면, 히팅 부재의 구동에 의해 웨이퍼를 열처리함으로써 포토레지스트가 경화되도록 한다.
현상 유닛(130)은 베이크 오븐(120)으로부터 언로딩되어 노광을 마친 웨이퍼 상의 포토레지스트를 현상하는데, 이를 위해 베이크 오븐(120)으로부터 별도의 노광 장비로 로딩되어 회로 패턴이 설계된 마스크를 위치시켜서 광을 주사하는 노광 공정을 마친 웨이퍼가 노광 장비로부터 이송되어 내측으로 로딩되면, 웨이퍼 상의 포토레지스트를 광에 의해 노출된 부분과 노출되지 않은 부분을 구분하여 현상액으 로 선택적으로 제거하는 현상 공정을 실시한다.
한편, 현상 유닛(130)은 현상액이 담긴 배스(Bath) 내부에 노광된 웨이퍼를 투입하여 소정 시간 동안 경과 후 언로딩시키는 이머젼(Immersion) 방식, 일정량의 현상액을 정지된 웨이퍼 상에 짜서 웨이퍼 전면에 현상액을 웨팅(Wetting)시킨 다음 일정 시간 동안 반응하도록 한 후 현상액을 클리닝하는 퍼들(Puddle) 방식, 노광된 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼 상에 현상액을 분사하는 스프레이(Spray) 방식 중 어느 하나의 방식이 사용될 수 있다.
두께 측정 유닛(140)은 코터(110), 베이크 오븐(120), 현상 유닛(130) 중 어느 하나에 위치하는 웨이퍼를 이송 아암(150)에 의해 로딩시켜서 웨이퍼 상의 포토레지스트 두께를 측정한다.
두께 측정 유닛(140)은 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 상측에 안착되는 웨이퍼 스테이지(141)와, 웨이퍼 스테이지(141) 상의 웨이퍼(W)에 광을 조사하는 발광소자(142)와, 발광소자(142)로부터 출력되어 포토레지스트(PR)로부터 반사 및 굴절되어 수신되는 광의 위치에 따라 포토레지스트(PR)의 두께에 대한 정보를 출력하는 수광소자(143)와, 수광소자(143)로부터 출력되는 정보를 수신받아 웨이퍼(W) 상의 포토레지스트(PR) 두께를 산출하는 두께 산출부(144)와, 두께 산출부(144)에서 산출된 정보를 외부로 디스플레이하는 디스플레이부(145)를 포함한다.
발광소자(142)는 웨이퍼(W)상의 포토레지스트(PR)를 향하여 비스듬하게 광을 조사한다.
수광소자(143)는 발광소자(142)에서 출력되어 포토레지스트(PR)로부터 반사 되어 굴절됨으로써 전달되는 광을 수신하게 되며, 이 때, 포토레지스트(PR)의 두께에 따라 광의 굴절 각도가 달라짐으로써 수신되는 광의 수신 위치 역시 달라지므로 이로 인한 포토레지스트(PR)의 두께에 대한 정보를 두께 산출부(144)로 출력하며, 달라지는 굴절 각도에 따른 광을 수신하기 위하여 다수의 포토다이오드 등과 같은 소자들로 이루어진다.
두께 산출부(144)는 수광소자(143)로부터 출력되는 포토레지스트(PR)의 두께에 대한 정보로부터 포토레지스트(PR)의 두께를 계산하여 산출하고, 이를 디스플레이부(145)를 통해 외부로 디스플레이되도록 한다.
이와 같은 구성을 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 트랙 장치의 작용 및 작동을 설명하면 다음과 같다.
코터(110), 베이크 오븐(120) 및 현상 유닛(130)에 의하여 웨이퍼(W)에 대한 포토레지스트의 코팅, 베이킹 및 현상 과정을 실시하게 되며, 이 때, 포토레지스트(PR)의 두께에 대한 측정이 필요한 경우 코터(110), 베이크 오븐(120) 및 현상 유닛(130) 중 어느 하나에 위치하게 되는 측정 대상 웨이퍼(W)를 이송 아암(150)에 의해 두께 측정 유닛(140)의 웨이퍼 스테이지(141)로 로딩시킨 다음, 발광소자(142)로부터 출력되어 포토레지스트(PR)에 반사 및 굴절된 광을 수신하는 수광소자(143)에 의해 포토레지스트(PR)의 두께에 대한 정보를 감지하여 이를 두께 산출부(144)가 수신받는다.
두께 산출부(144)는 수광소자(143)에 수신되는 광의 위치에 따라 광의 굴절 각도로부터 포토레지스트(PR)의 두께를 계산하여 산출하고, 이를 디스플레이 부(145)를 통해서 디스플레이되도록 한다.
이상과 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼에 대한 포토레지스트의 코팅, 베이킹, 현상 과정에서 언제라도 웨이퍼 상의 포토레지스트에 대한 두께 측정을 가능하도록 함으로써 포토레지스트 두께 측정에 대한 번거로움을 줄임과 아울러 장비 가동률의 저하를 방지하고, 포토레지스트 두께에 대한 제어 문제가 발생시 실시간으로 포토레지스트의 두께를 측정할 수 있도록 함으로써 선폭의 비정상 등의 원인에 대한 즉각적인 조치가 이루어지도록 한다.
이상에서와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 기술이 당업자에 의하여 용이하게 변형 실시될 가능성이 자명하며, 이러한 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상에 포함된다할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 트랙 장치를 도시한 구성도이고,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 트랙 장치의 두께 측정 유닛을 도시한 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 코터 120 : 베이크 오븐
130 : 현상 유닛 140 : 두께 측정 유닛
141 : 웨이퍼 스테이지 142 : 발광소자
143 : 수광소자 144 : 두께 산출부
145 : 디스플레이부 150 : 이송 아암
W : 웨이퍼 PR : 포토레지스트

Claims (2)

  1. 반도체 소자를 제조하기 위하여 포토레지스트를 코팅, 베이킹 및 현상하는 트랙 장치에 있어서,
    웨이퍼 상에 포토레지스트를 코팅하는 코터와,
    상기 코터에 의해 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼를 포토레지스트의 경화를 위하여 열처리하는 베이크 오븐과,
    상기 베이크 오븐으로부터 언로딩되어 노광을 마친 웨이퍼 상의 포토레지스트를 현상하는 현상 유닛과,
    상기 코터, 상기 베이크 오븐, 상기 현상 유닛 중 어느 하나에 위치하는 웨이퍼를 이송 아암에 의해 로딩시켜서 웨이퍼 상의 포토레지스트 두께를 측정하는 두께 측정 유닛
    을 포함하는 반도체 소자 제조용 트랙 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 두께 측정 유닛은,
    상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지와,
    상기 웨이퍼 스테이지 상의 웨이퍼 상의 포토레지스트에 광을 조사하는 발광소자와,
    상기 발광소자로부터 출력되어 포토레지스트에 반사 및 굴절되어 수신되는 광의 위치에 따라 포토레지스트의 두께에 대한 정보를 출력하는 수광소자와,
    상기 수광소자로부터 출력되는 정보는 수신받아 웨이퍼 상의 포토레지스트 두께를 산출하는 두께 산출부와,
    상기 두께 산출부에서 산출된 정보를 외부로 디스플레이하는 디스플레이부
    를 포함하는 반도체 소자 제조용 트랙 장치.
KR1020070136998A 2007-12-26 2007-12-26 반도체 소자 제조용 트랙 장치 KR20090069358A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070136998A KR20090069358A (ko) 2007-12-26 2007-12-26 반도체 소자 제조용 트랙 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070136998A KR20090069358A (ko) 2007-12-26 2007-12-26 반도체 소자 제조용 트랙 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090069358A true KR20090069358A (ko) 2009-07-01

Family

ID=41321007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070136998A KR20090069358A (ko) 2007-12-26 2007-12-26 반도체 소자 제조용 트랙 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090069358A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100979757B1 (ko) * 2008-05-29 2010-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN117295247A (zh) * 2023-09-28 2023-12-26 建滔覆铜板（深圳）有限公司 覆铜板材料厚度一致性控制装置及方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100979757B1 (ko) * 2008-05-29 2010-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN117295247A (zh) * 2023-09-28 2023-12-26 建滔覆铜板（深圳）有限公司 覆铜板材料厚度一致性控制装置及方法
CN117295247B (zh) * 2023-09-28 2024-06-11 建滔覆铜板（深圳）有限公司 覆铜板材料厚度一致性控制装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5968691A (en) Method and apparatus for coating resist and developing the coated resist
KR100595082B1 (ko) 레지스트처리방법및레지스트처리시스템과레지스트막의평가방법및처리장치,액처리방법
KR101404349B1 (ko) 레지스트 코팅 웨이퍼들의 열처리 동안의 인라인 모니터링및 제어를 위한 방법
JP5610665B2 (ja) リアルタイムの動的ｃｄ制御方法
JP4726070B2 (ja) 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
US20070166030A1 (en) Semiconductor device fabrication equipment and method of using the same
TWI305934B (ko)
US20090042145A1 (en) Method for Detecting Light Intensity Distribution for Gradient Filter and Method for Improving Line Width Consistency
KR20090069358A (ko) 반도체 소자 제조용 트랙 장치
JP2816866B2 (ja) 処理方法および処理装置
US20060198633A1 (en) Method of setting processing condition in photolithography process, apparatus for setting processing condition in photolithography process, program, and computer readable recording medium
US8105738B2 (en) Developing method
JP3017762B2 (ja) レジスト塗布方法およびその装置
KR20230126404A (ko) 반도체 소자 제조가능 한 트랙장치
KR100979757B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20040098435A (ko) 웨이퍼 베이킹 공정 불량을 방지하는 스피너설비 및 그스피너설비에서 패턴형방법
KR20060012530A (ko) 반도체 제조용 스피너 설비 및 그 제어방법
KR20030086661A (ko) 스피너설비의 웨이퍼 검사장치 및 그 검사방법
KR100931298B1 (ko) 현상 공정 조건 설정 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치
KR20060121563A (ko) 포토레지스트 막두께 측정이 가능한 반도체 제조용스피너장치 및 이를 이용한 포토레지스트 막두께 측정방법
KR20080034241A (ko) 포토 스피너 설비 및 그의 제어방법
KR20060006245A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR20050102764A (ko) 감광막 도포 장치
JP2002189303A (ja) 熱処理効果の評価方法、及びレジスト焼成装置の評価方法
KR20010003217A (ko) 노광 장비의 노출 시간 보정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application