KR100979757B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는 현상 유닛 및 모니터링 유닛을 포함한다. 현상 유닛은 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행한다. 모니터링 유닛은 현상 유닛의 일측에 구비되며 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 포토레지스트 막의 두께를 감지하는 감지부, 감지부에서 감지되는 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하는 연산부 및 연산부에서 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 현상 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 갖는다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{apparatus and method for processing a substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 포토레지스트 막이 형성된 기판을 가공하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 소자들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하며, 상기 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 증착 공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정에서 사용되는 포토레지스트 패턴을 상기 막 상에 형성하기 위해 수행된다.
상기 포토리소그래피 공정은 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 상기 포토레지스트 막에 포함된 용제의 휘발(volatilization)과 상기 포토레지스트 막을 고체화(solidification)를 위한 소 프트(soft) 베이크 공정과, 상기 소프트 베이크 공정을 통해 고체화된 포토레지스트 막 상에 포토 마스크 패턴(photo mask pattern)을 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 반도체 기판으로 조사되는 광의 산란에 의한 해상도 저하를 방지하기 위한 노광 후 베이크(post exposure bake; 이하 'PEB'라 한다) 공정과, 상기 노광 처리된 포토레지스트 막을 부분적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정과, 상기 현상된 포토레지스트 패턴의 강화를 위한 하드(hard) 베이크 공정 등을 포함할 수 있다.
상기 현상 공정은 기 설정된 기준 현상 공정 조건에 따라 상기 포토레지스트 막으로 현상액을 제공하여 수행된다. 작업자가 현상된 포토레지스트 막을 정기적으로 검사하여 상기 현상 공정이 정상적으로 수행되는지를 확인한다. 따라서, 상기 현상 공정의 불량 발생을 실시간으로 발견할 수 없으며, 상기 현상 공정의 불량을 확인하는데 많은 시간이 소요된다. 그리고, 상기 현상 공정이 불량한 기판을 선별하지 못하여 반도체 소자의 품질 및 수율이 저하될 수 있다.
본 발명은 포토레지스트 막의 현상 공정을 모니터링할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 포토레지스트 막의 현상 공정을 모니터링할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하는 현상 유닛 및 상기 현상 유닛의 일측에 구비되며 상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하는 감지부, 상기 감지부에서 감지되는 상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하는 연산부 및 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 갖는 모니터링 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 중단하며, 상기 모니터링 유닛은 상기 기준 형상 공정 시간을 재설정하는 설정부를 더 포함할 수 있다.
상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛의 동작을 유지시킬 수 있다.
상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 즉시 중단할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 모니터링 유닛은 상기 포토레지스트 막의 두께, 기준 현상 공정 시간 및 상기 현상 공정 소요 시간을 표시하는 표시부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 모니터링 유닛은 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부의 제어 신호에 따라 알람을 발생하는 알람부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하고, 상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하고, 상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하고, 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 공정을 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우 상기 현상 공정을 중단하고, 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정하여 상기 현상 공정을 제어할 수 있다.
상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 공정을 유지시킬 수 있다.
상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우 상기 현상 공정을 즉시 중단할 수 있다.
본 발명에 따르면 현상 공정이 수행되는 동안 포토레지스트 막의 두께 변화를 감지하여 상기 현상 공정의 이상 여부를 확인할 수 있다. 상기 현상 공정에 이상이 있는 경우, 상기 현상 공정을 중단하여 상기 포토레지스트 막의 현상 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 현상 공정의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 현상 유닛(110) 및 현상 공정 조건 설정 유닛(120)을 포함한다.
상기 현상 유닛(110)은 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)을 현상하는 것으로, 척(112) 및 분사 노즐(114)을 포함한다.
상기 척(112)은 상기 포토레지스트 막(20)이 형성된 기판(10)을 지지하며 고정한다. 상기 척(112)의 예로는 정전기력을 이용하여 상기 기판(10)을 고정하는 정전척, 진공력을 이용하여 상기 기판(10)을 고정하는 진공척 등을 들 수 있다.
또한, 상기 척(112)은 회전 구동부(미도시)의 구동력에 의해 회전할 수 있다.
상기 분사 노즐(114)은 상기 척(112) 상에 배치되며, 상기 척(112)에 고정된 기판(10)으로 현상액(30)을 분사한다. 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다. 일 예로, 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)에서 노광된 부위를 선택적으로 현상할 수 있다. 다른 예로, 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)에서 노광되지 않은 부위를 선택적으로 현상할 수 있다.
상기 현상 공정 조건 설정 유닛(120)은 상기 현상 유닛(110)의 공정 조건을 설정하기 위한 것으로, 감지부(121), 연산부(122), 제어부(123), 설정부(124), 표시부(125) 및 알람부(126)를 포함한다.
상기 감지부(121)는 상기 현상 유닛(110)의 척(112) 상에 배치된다. 상기 감지부(121)는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 감지한다. 따라서, 상기 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막(20)의 두께 변화를 확인할 수 있다. 상기 감지부(121)에서 감지된 상기 포토레지스트 막(20)의 두께에 관한 데이터는 상기 연산부(122)로 전송된다.
상기 감지부(121)는 상기 포토레지스트 막(20)으로 제공하기 위한 광을 발생시키는 광원과, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광을 측정하는 광 측정 부, 상기 광 측정부에 의해 측정된 광 신호를 분석하여 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출하는 프로세서를 포함한다.
상기 광원은 레이저빔(laser beam)과 같은 광을 발생시키며, 바람직하게는 적색 레이저빔을 발생시킨다. 상기 광은 상기 세정액(30)을 통과하여 상기 포토레지스트 막(20)으로 제공되고, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광은 상기 광 측정부에 의해 측정된다.
상기 광 측정부는 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광의 간섭 신호를 측정한다.
상기 프로세서는 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광 신호의 간섭 신호로부터 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출할 수도 있다. 예를 들면, 상기 반사된 광은 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사되는 제1 반사광과 상기 기판(10)으로부터 반사되는 제2 반사광으로 이루어지고, 상기 프로세서는 제1 반사광과 제2 반사광의 위상 차이에 따라 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출하게 된다.
상기 연산부(122)는 상기 감지부(121)와 연결되며, 상기 감지부(121)로부터 전송되는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 연산한다. 예를 들면, 상기 연산부(122)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상에 소요되는 시간을 연산할 수 있다. 상기 연산부(122)는 연산 결과를 상기 제어부(123)로 전송한다.
상기 제어부(123)는 상기 연산부(122)와 연결된다. 상기 제어부(123)는 상기 연산부(122)에서 연산된 현상 공정 시간과 기 설정된 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 유닛(110)의 동작을 제어한다.
상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정이 정상적인 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 공정이 계속 수행되도록 상기 현상 유닛(110)을 제어한다.
상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 공정이 중단되도록 상기 현상 유닛(110)을 제어한다.
예를 들면, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 공정을 중단하지 않고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛(110)의 동작을 유지하고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료되면 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다.
다른 예로, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다.
상기 설정부(124)는 상기 제어부(123)와 연결되며, 상기 기준 현상 공정 시 간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부(123)의 제어에 따라 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정한다. 상기 재설정되는 기준 공정 시간은 상기 실제 현상 공정 시간일 수 있다.
상기 표시부(125)는 상기 제어부(123)와 연결되며, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 감지부(122)에서 검출된 데이터를 표시한다. 예를 들면, 상기 표시부(125)는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께, 상기 기준 현상 공정 시간 및 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 진행 시간을 표시할 수 있다.
상기 알람부(126)는 상기 제어부(123)와 연결된다. 상기 알람부(126)는 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 알람을 발생한다.
상기 기판 처리 장치(100)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정에 소요되는 시간과 상기 기준 현상 공정 시간의 상관관계를 고려하여 상기 현상 공정의 정상 여부를 판단하고, 상기 현상 유닛(110)의 동작을 제어한다. 따라서, 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 불량을 방지할 수 있고, 상기 현상 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2를 참조하면, 상기 기판 처리 장치(200)는 현상 유닛(210) 및 현상 공정 조건 설정 유닛(220)을 포함한다.
상기 현상 유닛(210)은 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)을 현상하 는 것으로, 용기(212) 및 이송암(214)을 포함한다.
상기 용기(212)는 상방이 개방되며, 내부에 상기 기판(10)을 현상하기 위한 현상액(30)을 수용한다. 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다.
상기 이송암(214)은 상기 용기(212)에 인접하도록 구비되며, 상기 기판(20)의 일측을 파지한다. 상기 이송암(214)은 상기 기판(10)이 상기 현상액(30)에 잠기도록 상기 기판(10)을 이송하거나, 현상이 완료된 기판(10)을 상기 세정액(30) 외부로 이송한다.
상기 현상 공정 조건 설정 유닛(220)은 상기 현상 유닛(210)의 공정 조건을 설정하기 위한 것으로, 감지부(221), 연산부(222), 제어부(223), 설정부(224), 표시부(225) 및 알람부(226)를 포함한다.
상기 감지부(221)가 상기 용기(212)의 상방에 배치되어 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 감지한다는 점을 제외하면, 상기 감지부(221), 연산부(222), 제어부(223), 설정부(224), 표시부(225) 및 알람부(226)에 대한 설명은 도 1을 참조한 감지부(121), 연산부(122), 제어부(123), 설정부(124), 표시부(125) 및 알람부(126)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 현상 공정 조건 설정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3을 참조하여, 상기 현상 공정 조건 설정 방법을 도 1에 도시된 기판 처리 장치(100)를 중심으로 설명한다.
우선, 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)에 현상액(30)을 제공하여 현상 공정을 수행한다(S110).
일 예로, 척(112)이 상기 기판(10)을 고정하여 회전한다. 상기 회전하는 기판(10)을 향해 분사 노즐(114)이 현상액(30)을 분사한다. 상기 현상액(30)이 상기 포토레지스트 막(30)을 현상한다.
다른 예로, 이송암(214)이 상기 기판(10)을 파지한 후, 용기(212) 내부의 현상액(30)에 상기 기판(10)을 침지한다. 상기 현상액(30)이 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다.
상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 검출한다(S120).
감지부(121)가 상기 포토레지스트 막(20)을 향해 광을 조사하고, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광의 간섭 신호를 측정하며, 측정된 광의 간섭 신호를 분석하여 상기 포토레지스트 막(20)의 두께를 검출한다. 상기 포토레지스트 막(20)의 두께 데이터는 연산부(122)로 전송된다.
상기 포토레지스트 막(20)의 두께 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 연산한다(S130).
상기 감지부(121)로부터 전송된 상기 두께 데이터를 이용하여 연산부(122)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 연산한다. 상기 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 차이를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상에 소요되는 시간을 연산한다. 이후, 상기 연산부(122)는 연산 결과를 상기 제어부(123)로 전송한다.
상기 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상 기 현상 공정을 제어한다(S140).
상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정이 정상적인 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 유닛(110)을 제어하여 상기 현상 공정을 계속 수행시킨다. 그러므로, 상기 현상 유닛(110)에서 후속하는 기판(10)들에 대한 현상 공정이 수행될 수 있다.
상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 현상 유닛(110)에서 이루어진 현상 공정에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. 따라서, 상기 제어부(123)는 상기 현상 공정이 중단되도록 상기 현상 유닛(110)을 제어한다.
예를 들면, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 공정을 중단하지 않고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛(110)의 동작을 유지하고, 상기 포토레지스트 막(10)의 현상이 완료되면 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다.
다른 예로, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막(20)의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부(123)는 즉시 상기 현상 유닛(110)의 동작을 중단한다.
상기 현상 공정이 중단되면, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 설정부(124)는 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정한다. 상기 재설정되는 기준 공정 시간은 상기 실제 현상 공정 시간일 수 있다.
상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 감지부(122)에서 검출된 데이터가 표시부(125)에 표시된다. 예를 들면, 상기 표시부(125)는 상기 포토레지스트 막(20)의 두께, 상기 기준 현상 공정 시간 및 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 진행 시간을 표시할 수 있다.
상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부(123)의 제어 신호에 따라 상기 알람부(126)는 알람을 발생한다. 따라서, 작업자가 상기 현상 공정의 이상을 확인할 수 있다.
이후, 상기 현상 공정의 이상 원인이 상기 기준 현상 공정 시간의 설정으로 인한 것인지 다른 현상 공정 조건의 변화로 인한 것인지를 확인하여 상기 원인을 해결한다. 상기 원인이 해결되면, 상기 제어부(123)는 상기 현상 유닛(110)을 제어하여 상기 포토레지스트 막이 형성된 후속하는 기판에 대한 현상 공정을 다시 수행한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면 현상 공정이 수행되는 동안 포토레지스트 막의 두께 변화를 감지하여 상기 현상 공정의 이상 여부를 확인할 수 있다. 상기 현상 공정에 이상이 있는 경우, 상기 현상 공정을 중단하여 상기 포토레지스트 막의 현상 불량을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 현상 공정의 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 처리 장치 110 : 현상 유닛
112 : 척 114 : 분사 노즐
120 : 모니터링 유닛 121 : 감지부
122 : 연산부 123 : 제어부
124 : 설정부 125 : 표시부
126 : 알람부 210 : 현상 유닛
212 : 용기 214 : 이송암

Claims (10)

  1. 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하는 현상 유닛; 및
    상기 현상 유닛의 일측에 구비되며 상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하는 감지부, 상기 감지부에서 감지되는 상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하는 연산부 및 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 유닛의 동작을 제어하는 제어부를 갖는 모니터링 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 중단하며,
    상기 모니터링 유닛은 상기 기준 현상 공정 시간을 재설정하는 설정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우, 상기 제어부는 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 유닛의 동작을 유지시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우, 상기 제어부는 상기 현상 유닛의 동작을 즉시 중단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 모니터링 유닛은,
    상기 포토레지스트 막의 두께, 기준 현상 공정 시간 및 상기 현상 공정 소요 시간을 표시하는 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우, 상기 제어부의 제어 신호에 따라 알람을 발생하는 알람부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정을 수행하는 단계;
    상기 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트 막의 두께를 감지하는 단계;
    상기 포토레지스트 막의 두께 변화에 따라 상기 현상 공정에 소요되는 시간을 연산하는 단계; 및
    상기 연산된 현상 공정 시간과 기준 현상 공정 시간의 일치 여부에 따라 상기 현상 공정을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 현상 공정을 제어하는 단계는,
    상기 기준 현상 공정 시간과 실제 현상 공정 시간이 일치하지 않는 경우 상기 현상 공정을 중단하는 단계; 및
    상기 기준 현상 공정 시간을 재설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 내에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되지 않는 경우 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료될 때까지 상기 현상 공정을 유지시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 시간 이전에 상기 포토레지스트 막의 현상이 완료되는 경우 상기 현상 공정을 즉시 중단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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