KR100816193B1 - 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법 - Google Patents

반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100816193B1
KR100816193B1 KR1020060080484A KR20060080484A KR100816193B1 KR 100816193 B1 KR100816193 B1 KR 100816193B1 KR 1020060080484 A KR1020060080484 A KR 1020060080484A KR 20060080484 A KR20060080484 A KR 20060080484A KR 100816193 B1 KR100816193 B1 KR 100816193B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inspection
equipment
pattern
image
substrate
Prior art date
Application number
KR1020060080484A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080018415A (ko
Inventor
임병진
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020060080484A priority Critical patent/KR100816193B1/ko
Publication of KR20080018415A publication Critical patent/KR20080018415A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100816193B1 publication Critical patent/KR100816193B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70533—Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

노광을 실시한 기판에 대한 측정에서 기준 이미지를 검사 장차의 저장소에 기록하는 단계, 노광을 실시한 기판에 대해 실제 패턴 검사를 실시하여 발생되는 검사 장비의 신호 파형에 의해 상기 기판의 패턴 이미지를 얻는 단계, 저장소에 기록된 상기 바람직한 이미지와 실제 패턴 검사를 실시하여 얻는 상기 패턴 이미지를 상호 비교하는 단계, 상기 비교에서 허용된 오차를 넘어서는 경우 후속되는 노광 공정의 진행을 멈추는 신호를 발생시키는 단계를 구비하여 이루어지는 노광 공정 검사 방법이 개시된다. 기판에 대한 실제 패턴 검사를 실시하는 검사 장비로는 셈(SEM) 장비가 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 노광 장비의 촛점 불량이나 기타 장비 이상으로 초래되는 노광 패턴 프로파일 불량을 SEM과 같은 검사 장비를 통해 바로 인식할 수 있게 된다. 따라서, 불량을 검출하여 해당 웨이퍼 랏(Lot)이 후속 공정으로 진행되는 것을 막을 수 있고, 최소의 피해 상태에서 노광 공정 재작업(REWORK)이 가능하도록 한다.

Description

반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법{Method of examining exposure process for semiconductor device fabrication}
도1은 기판의 패턴과 이 패턴에 대해 SEM 장비에서 발생시키는 신호 파형의 계를 나타내는 개념도이다.
도2는 노광 공정에서 얻는 패턴의 가장 이상적인 이미지와 실제로 SEM 장비를 통해 측정하여 얻어지는 패턴 이미지를 나타내는 평면도이다.
도3은 본 발명 방법의 일 실시예에 따른 공정 진행 각 단계를 나타내는 흐름도이다.
본 발명은 반도체 장치 제조를 위한 공정 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 장치 제조를 위한 노광 검사 단계의 공정 검사 방법에 관한 것이다.
반도체 장치는 반도체 기판을 이용하여 소자를 형성하고, 기판 위에 다수의 도체 및 부도체 층을 형성, 가공하여 다른 전기, 전자 소자 및 배선을 형성함으로써 이루어지는 회로 장치의 일종이다. 반도체 장치는 좁은 면적에 수많은 소자를 형성하는 집적회로 형태로 이루어질 수 있다. 이런 소자 고집적화는 많은 부분이 포토리소그래피 공정에 의해 이루어질 수 있다.
포토리소그래피에 사용되는 포토 마스크는 IC의 개별층에 대응하는 회로패턴을 포함한다. 이 회로 패턴은 감광성 물질(레지스트)층으로 코팅된 반도체 기판상의 다이와 같은 대상 영역으로 투영될 수 있다. 포토리소그래피를 사용하는 제조 프로세스에서, 포토 마스크의 패턴은 적어도 부분적으로 레지스트층으로 도포된 기판상에 투영되어 묘화된다. 묘화 단계(imaging step) 전후에 기판은 전처리(priming) 즉, 레지스트 코팅, 소프트 베이크와 같은 다양한 절차와 후처리 즉, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 측정/검사와 같은 절차를 거친다. 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은 개별층을 마무리하기 위한 다양한 프로세스를 거친다.
복수의 층에 대해 이런 포토리소그래피 작업이 반복될 수 있다. 결국, 디바이스가 기판(웨이퍼)상에 형성된다. 이들 디바이스는 서로 분리된 후에 패키징을 통해 완성된 반도체 장치를 이루게 된다.
포토리소그래피 공정의 일부를 이루는 측정/검사 과정은 기판에 노광 공정의 결과 형성된 포토레지스트 패턴이 하층과 정렬이 잘 되고, 선폭이 원하는 크기로 형성되었는지 'CD'를 측정하는 검사하게 된다.
통상적으로, 상기 설계규칙 제한을 "임계치수"(CD : Critical Dimensions)로 칭한다. 회로의 임계치수는 라인 또는 홀의 최소폭 또는 두개의 라인들 또는 두개의 홀들 사이의 최소간격으로 정의될 수 있다. 따라서, 상기 CD는 설계된 회로의 전체적인 크기 및 밀도를 결정한다.
마스크 패턴의 형성에는 일정 규칙이 적용된다. 대개 CAD 프로그램은 마스크 형성을 위해 미리 결정된 설계규칙의 세트(디자인 룰)를 가진다. 예를 들어, 설계규칙들은, 회로 디바이스들(게이트들, 캐패시터들 등과 같은) 또는 상호접속 라인들 사이의 간격 허용오차를 규정하여, 회로 디바이스들 또는 라인들이 바람직하지 않은 방식으로 상호 작용하지 않도록 한다. CD의 관리도 이러한 디자인 룰의 일부로서 이루어지게 된다.
CD 측정 과정을 살펴보면, 노광 및 현상이 끝난 기판을 셈(SEM:Scanning electron microscope) 장비에 넣고 측정을 위해 정해진 조건, 순서를 적용하면 원하는 위치로 기판이 이동되면서 미리 지정된 라인(Line), 공간(Space), 홀(Hole) 등의 패턴을 측정하게 된다. 측정은 자동 및 수동으로 진행될 수 있으며, 검사결과를 나타내는 화면상에 위치와 측정 이미지(image)가 나타나 오류 여부를 판정할 수 있다.
도1은 기판의 패턴과 이 패턴에 대해 SEM 장비에서 발생시키는 신호 파형의 계를 나타내는 개념도이다. SEM 장비는 측정시 발생되는 신호 파형(20)의 피크(peak) 치를 검출하여 그 패턴(10) 크기를 확인하게 된다. 이러한 피크 치 검출 정도는 장비의 설정치(parameter) 지정으로 가능하나 수동으로 검사할 때 확인되는 기판 프로파일(Profile) 이상 등의 문제는 자동으로 확인이 되지 않는다. 따라서, 프로파일 이상이 있는 경우에도 후속 공정 진행이 계속되어 문제가 될 수 있다.
한편, 노광 장비에서는 기판 노광을 할 때 지정된 동일 촛점 거리로만 노광 이 이루어져야 한다. 그러나, 실제 장비의 변이(variation), 기타 내부적, 외부적 요인에 의하여 촛점 불량이 발생 될 수 있다. 이런 촛점 불량은 공정 수율에 직접적인 영향을 미치며, 상당 부분 공정 진행이 계속된 뒤에 발견되는 경우가 많아 특히 문제된다.
본 발명은 노광 공정에 이은 검사 측정에서 CD를 SEM 장비로 측정할 때 기판 프로파일 이상을 검출할 수 있는 노광 공정 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 노광 공정에 이은 검사 측정에서 SEM 장비로 기판 프로파일에 따른 이미지를 검사하면서 자동으로 공정의 진행을 중단시킬 수 있는 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 적시에 노광 공정의 진행을 중단하고, 이상이 있는 부분을 찾아 공정 불량이 양산되는 것을 방지할 수 있는 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 노광 공정 검사 방법은,
노광을 실시한 기판에 대한 측정에서 기준 이미지를 검사 장차의 저장소에 기록하는 단계,
노광을 실시한 기판에 대해 실제 패턴 검사를 실시하여 발생되는 검사 장비의 신호 파형에 의해 상기 기판의 패턴 이미지를 얻는 단계,
저장소에 기록된 상기 바람직한 이미지와 실제 패턴 검사를 실시하여 얻는 상기 패턴 이미지를 상호 비교하는 단계,
상기 비교에서 허용된 오차를 넘어서는 경우 후속되는 노광 공정의 진행을 멈추는 신호를 발생시키는 단계를 구비하여 이루어진다.
본 발명에서 기판에 대한 실제 패턴 검사를 실시하는 검사 장비로는 셈(SEM) 장비가 사용될 수 있다.
본 발명에서 기준 이미지로는 검사 장비의 잡 파일(Job file) 측정시 가장 좋은 조건의 이미지를 사용할 수 있다.
본 발명의 상호 비교하는 단계에서는 기준 이미지와 실제 이미지의 크기 차이를 기준 이미지 크기로 나눈 퍼센트 비율 값을 도출하는 과정이 이루어지고, 셧 다운 신호를 발생시키는 단계에서는 상기 비율 값을 미리 정해진 허용가능한 비율 값과 비교하는 과정이 이루어질 수 있다.
본 발명에서 이미지를 상호 비교하는 단계에서는 주된 패턴의 크기(폭), 색, 패턴 양측에 형성되는 경사면(slop)의 위쪽에서 볼 때의 크기(폭), 색 등을 측정의 주된 첵트 포인트, 비교 대상으로 할 수 있다.
이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
도2는 노광 공정에서 얻는 패턴의 가장 이상적인 이미지와 실제로 SEM 장비 를 통해 측정하여 얻어지는 패턴 이미지를 나타내는 평면도이다.
도면 좌측의 이상적인 이미지에서는 주된 패턴(11)만 일정 크기로 나타나며, 주된 패턴 양측의 슬롭은 나타나지 않아 패턴의 측벽이 기판면에 직각으로 형성됨을 나타낸다. 그러나, 실제의 패턴은 측면이 수직으로 형성되지 않고, 주된 패턴(21) 양측으로 일정한 경사도를 가지는 슬롭이(23,25) 나타난다.
패턴의 상호 비교에서는 이상적인 이미지의 주된 패턴과 실제 이미지의 주된 패턴을 비교하여 그 크기를 가지고 공정의 이상 유무를 첵크할 수도 있고, 이상적인 이미지의 주된 패턴(11) 크기와 실제 이미지의 주된 패턴(21) 및 슬롭(23,25) 부분이 형성하는 전체 크기를 비교하여 공정의 이상 유무를 첵크할 수도 있다.
장비의 이미지가 색으로 나타내어질 수 있다면 색을 비교하는 방법으로도 공정 이상 유무 판정이 가능하다. 이때는 바람직한 이미지의 표준 색채와 실제 이미지가 나타내는 색채를 정해진 표준 색도표 평면에서의 이격 정도로 나타낼 수 있다.
실제 이미지가 기준 이미지에 대해 가지는 크기의 차이와 기준 이미지의 크기의 비율을 퍼센트로 처리하게 하고, 이 수치가 일정 수치를 넘어설 경우, 검사 장비 자체가 이상 신호를 발생할 수 있다. 이 신호는 노광 장비 전체를 조절하는 중앙 콘트롤러로 입력되어 노광 공정의 진행 전체를 중단시키는 셧 다운(shot down) 기능을 발휘하도록 이루어질 수 있다.
이와 함께 공정 오퍼레이터가 공정 결과의 이상 발생을 즉시 알 수 있도록 하는 경고 표시나 경고음을 검사 장비 자체의 결과 디스플레이 장비나 벨을 통해 발생시킬 수도 있다. 이런 경고 표시나 경고음을 통해 오퍼레이터들은 장비의 셧 다운을 즉시로 감지할 수 있고, 노광 이상의 발생요인을 찾아 공정 불량이 양산되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
검사 장비에서 패턴을 검사하면서 패턴에 대한 신호로 이미지를 형성하는 과정이나 미리 입력된 이미지와 비교하는 과정에서는 촬상 소자, 이미지 프로세서 등의 이미지 프로세싱 장비나 이미지 프로세싱을 위한 프로그램이 사용될 수 있다.
도3은 본 발명 방법의 일 실시예에 따른 공정 진행 각 단계를 나타내는 흐름도이다.
흐름도에 따르면, 먼저, 노광 공정을 거친 공정 기판이 검사/측정 장비, 가령 SEM 장비에 로딩(LOADING) 된다(SI).
기판 로딩에 따라 장비는 프로그램된 정해진 순서(RECIPE)에 따라 동작하면서 기판 측정을 실시한다(S2).
측정된 이미지는 해당 부분마다 실시간으로 저장된 기준 이미지와 비교될 수 있고, 일단 전체 측정이 이루어진 뒤 그 결과를 저장소에 저장한 상태에서 두 이미지를 일괄적으로 비교할 수도 있다(S3).
일괄적 비교를 상정하고, 일단 측정이 끝난 기판은 검사 장비에서 탈착된다(UNLOADING,S4).
검사 장비의 비교는 미리 저장된 프로그램에 따라 크기 비율로 나타날 수 있다. 이 크기 비율을 자체 콘트롤러 비교기 내에서 저장된 미리 정해진 한계 비율값과 비교를 한다. 혹은 흐름도와 같이 별도의 서버로 크기 비율 값을 전송하고 서버 에서 전송된 크기 비율 값이 정해진 한계를 초과하는 지 판단하게 된다(S5,S6). 비교에는 미리 정해진 수치에 따른 상관 관계를 판단할 수도 있다.
서버에서 판단한 결과 전송된 비교값 비율 수치가 정해진 비율 이내의 값으로 판정되면 검사 장비에서 탈착된 기판은 다음 공정으로 가령 식각이나 이온주입 공정으로 진행하게 된다(S7). 반면, 이상이 발생된 경우, 서버의 신호에 따라 장비의 로봇 아암은 작동을 중단하여 이상이 있는 기판의 더이상의 공정 진행이 이루어지지 않도록 한다. 이와 함께 서버의 신호는 노광 장비 전체 콘트롤러에 전해져 노광 장비 전체의 가동이 오퍼레이터가 새롭게 장비를 가동시킬 때까지 중단될 수 있다(S8).
흐름도에 도시되지 않지만, 장비 중단과 더불이 장비 디스플레이 장치에는 공정 이상 표시가 나타나고, 알람 장치에서는 경고음이 함께 발생될 수 있다.
본 발명에 따르면, 노광 장비의 촛점 불량이나 기타 장비 이상으로 초래되는 노광 패턴 프로파일 불량을 SEM과 같은 검사 장비를 통해 바로 인식할 수 있게 된다.
따라서, 노광 장비에서 CD 측정시 이런 프로파일 불량을 검출하여 해당 웨이퍼 랏(Lot)이 후속 공정으로 진행되어 후속 공정을 거치게 되는 것을 막을 수 있고, 최소의 피해 상태에서 노광 공정 재작업(REWORK)이 가능하도록 한다.

Claims (4)

  1. 노광을 실시한 기판에 대한 측정에서 기준 이미지를 검사 장치의 저장소에 기록하는 단계,
    상기 노광을 실시한 기판에 대해 실제 패턴 검사를 실시하여 발생되는 검사 장비의 신호 파형에 의해 상기 기판의 패턴 이미지를 얻는 단계,
    상기 저장소에 기록된 상기 기준 이미지와 실제 패턴 검사를 실시하여 얻는 상기 패턴 이미지를 상호 비교하는 단계,
    상기 비교에서 비교 값이 허용된 오차를 넘어서는 경우 후속되는 노광 공정의 진행을 멈추는 신호를 발생시키는 단계를 포함하고,
    상기 상호 비교하는 단계에서는 상기 기준 이미지와 상기 패턴 이미지의 크기 차이를 상기 기준 이미지의 크기로 나눈 퍼센트 비율 값을 도출하는 과정이 이루어지고, 상기 신호를 발생시키는 단계에서는 상기 비율 값을 미리 정해진 허용가능한 비율 값과 비교하는 과정이 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 실제 패턴 검사를 실시하는 검사 장비로는 셈(SEM) 장비가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기준 이미지로는 상기 검사 장비의 잡 파일(Job file) 측정시 가장 좋은 조건의 이미지를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법.
  4. 삭제
KR1020060080484A 2006-08-24 2006-08-24 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법 KR100816193B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060080484A KR100816193B1 (ko) 2006-08-24 2006-08-24 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060080484A KR100816193B1 (ko) 2006-08-24 2006-08-24 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080018415A KR20080018415A (ko) 2008-02-28
KR100816193B1 true KR100816193B1 (ko) 2008-03-21

Family

ID=39385446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060080484A KR100816193B1 (ko) 2006-08-24 2006-08-24 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100816193B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110068401A (ko) 2009-12-16 2011-06-22 삼성전자주식회사 마스크 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020015972A (ko) * 2000-08-23 2002-03-02 이데이 노부유끼 패턴 검사 장치 및 이를 사용하는 노광 장치 제어 시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020015972A (ko) * 2000-08-23 2002-03-02 이데이 노부유끼 패턴 검사 장치 및 이를 사용하는 노광 장치 제어 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080018415A (ko) 2008-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI784018B (zh) 用於使用半導體製造程序中之深度學習預測缺陷及臨界尺寸之系統及方法
JP4527652B2 (ja) 露光条件設定方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム
TWI807442B (zh) 程序控制之晶粒內度量衡方法及系統
US6546125B1 (en) Photolithography monitoring using a golden image
US6972576B1 (en) Electrical critical dimension measurement and defect detection for reticle fabrication
KR100816193B1 (ko) 반도체 장치 제조를 위한 노광 공정 검사 방법
KR20040084710A (ko) 기판검사 시스템, 기판검사방법 및 기판검사장치
JP2011044554A (ja) 露光制御装置および半導体デバイスの製造方法
KR20130065682A (ko) 반도체 제조 공정 검사 방법
KR20130065684A (ko) 검사장치의 반도체 제조 공정 검사 방법
JPH09211840A (ja) レチクルの検査方法及び検査装置並びにパターンの検査方法及び検査装置
JP2007081293A (ja) 検査方法、半導体装置の製造方法およびプログラム
US7587700B2 (en) Process monitoring system and method for processing a large number of sub-micron measurement targets
KR100391158B1 (ko) 오버레이 측정기능을 갖는 인라인 시스템 및 오버레이측정방법
JP2007081292A (ja) 検査方法、検査システムおよびプログラム
KR100620726B1 (ko) 콘택 홀 형성 디파인 정도 검사 방법 및 그에 따른 장치
JP2002124447A (ja) リソグラフィー条件のマージン検出方法および半導体装置の製造方法
KR20130027967A (ko) 반도체 제조 공정 검사 시스템 및 방법
JP2008083652A (ja) フォトマスクの線幅検査方法
KR100568876B1 (ko) 반도체 소자 제조용 노광장치
CN117111398B (zh) 光罩制程偏差的监控方法及监控系统
JP2007173435A (ja) 最適フォーカス位置検出方法及び半導体装置の製造方法
KR100686443B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 불량 측정 장치 및 그 방법
JP5071782B2 (ja) 基板の欠陥検査方法及び欠陥検査プログラム
KR101037488B1 (ko) 반도체 공정에 이용되는 레티클

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee