KR20200133892A - 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 스핀 코터는, 기판을 수납하는 스핀 척과, 상기 기판 상에 포토레지스트를 제공하는 제 1 노즐과, 상기 제 1 노즐에 연결되고, 상기 포토레지스트를 상기 제 1 노즐에 공급하는 제 1 공급 배관과, 상기 제 1 공급 배관 내의 상기 포토레지스트의 파티클을 측정하는 센서와, 상기 제 1 공급 배관에 인접하여 배치되고, 상기 센서를 검사할 때 상기 센서의 검사 기준으로 사용되는 기준 감지 물체를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 복수의 단위 공정을 통해 제조될 수 있다. 단위 공정은 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 및 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정이다. 예를 들어, 포토리소그래피 공정은 포토레지스트의 도포 공정, 베이킹 공정, 노광 공정 및 현상 공정을 포함할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 파티클 측정 신뢰성을 증가시킬 수 있는 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 스핀 코터를 개시한다. 스핀 코터는 기판을 수납하는 스핀 척; 상기 기판 상에 포토레지스트를 제공하는 제 1 노즐; 상기 제 1 노즐에 연결되고, 상기 포토레지스트를 상기 제 1 노즐에 공급하는 제 1 공급 배관; 상기 제 1 공급 배관 내의 상기 포토레지스트의 파티클을 측정하는 센서; 및 상기 제 1 공급 배관에 인접하여 배치되고, 상기 센서를 검사할 때 상기 센서의 검사 기준으로 사용되는 기준 감지 물체를 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 스핀 코터는 기판을 수납하는 스핀 코터; 상기 기판 상에 포토레지스트를 제공하는 제 1 노즐; 상기 제 1 노즐에 포토레지스트를 공급하는 포토레지스트 공급부; 상기 제 1 노즐을 상기 포토레지스트 공급부에 연결시키는 제 1 공급 배관; 상기 제 1 공급 배관에 연결되어 상기 포토레지스트를 제 1 노즐에 제공하는 제 1 퀄츠 튜브; 상기 제 1 퀄츠 튜브의 일측에 배치되고, 상기 제 1 퀄츠 튜브에 광을 제공하는 광 소스; 상기 광 소스에 대향하여 상기 제 1 퀄츠 튜브의 타측에 배치되고, 상기 광을 수신하여 상기 제 1 퀄츠 튜브 내의 상기 포토레지스트의 파티클을 측정하는 센서; 및 상기 제 1 퀄츠 튜브에 인접하여 배치되고, 상기 파티클과 동일한 기준 결함을 갖는 퀄츠 바를 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 베이킹하는 단계; 상기 포토레지스트를 광에 노출시키는 단계; 및 상기 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 포토레지스트를 도포하는 단계는: 상기 포토레지스트의 공급 배관에 인접하여 배치되는 센서를 이용하여 상기 포토레지스트 내의 파티클을 측정하는 단계; 및 상기 공급 배관 및 상기 센서에 인접하여 배치되는 기준 감지 물체를 이용하여 상기 센서의 에러를 판별하는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 스핀 코터는 포토레지스트 내의 파티클과 동일한 기준 결함을 갖는 기준 감지 물체를 측정 기준으로 사용하여 센서를 검사하여 파티클 측정 신뢰성을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 스핀 코터의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 스핀 코터의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 1의 스핀 코터의 또 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법을 보여준다.
도 6은 도 2의 포토레지스트를 도포하는 단계의 일 예를 보여준다.
도 7은 도 2의 광 센서를 검사하는 단계의 일 예를 보여준다.
도 2는 도 1의 스핀 코터의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 1의 스핀 코터의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 1의 스핀 코터의 또 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법을 보여준다.
도 6은 도 2의 포토레지스트를 도포하는 단계의 일 예를 보여준다.
도 7은 도 2의 광 센서를 검사하는 단계의 일 예를 보여준다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조장치(100)를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조장치(100)는 스피너 장치일 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 일 예로, 반도체 소자의 제조장치(100)는 인덱스 장치(10), 스핀 코터(20), 베이킹 장치(30), 현상 장치(40)를 포함할 수 있다. 인덱스 장치(10)는 캐리어(12) 내의 기판(W)을 스핀 코터(20)에 제공할 수 있다. 스핀 코터(20)는 기판(W) 상에 포토레지스트(도 2의 22)를 도포할 수 있다. 베이킹 장치(30)는 기판(W)을 가열하여 포토레지스트(22)를 경화할 수 있다. 노광 장치(50)가 현상 장치(40)에 인접하여 제공될 수 있다. 노광 장치(50)는 기판(W) 상의 포토레지스트(22)의 일부를 광에 노출시킬 수 있다. 현상 장치(40)는 상기 노출된 포토레지스트(22)를 현상하여 기판(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성시킬 수 있다. 기판(W)은 캐리어(12) 내에 재탑재(reloaded)될 수 있다.
도 2는 도 1의 스핀 코터(20)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 스핀 코터(20)는 스핀 척(210), 포토레지스트 공급부(220), 제 1 노즐(230), 제 1 공급 배관(240), 제 1 투명 튜브(250), 광 소스(260), 광 센서(270), 기준 감지 물체(reference sensing object or standard sensing object, 280), 및 제어부(290)를 포함할 수 있다.
스핀 척(210)은 기판(W)을 수납할 수 있다. 스핀 척(210)은 진공 홀(212)을 가질 수 있다. 진공 홀(212)은 기판(W)의 하부면에 배치될 수 있다. 진공 홀(212) 내에 진공이 제공되면, 기판(W)은 스핀 척(210) 상에 고정될 수 있다. 포토레지스트(22)가 기판(W)의 중심 상에 제공되면, 스핀 척(210)은 기판(W)을 회전시켜 상기 포토레지스트(22)를 상기 기판(W)의 상부면 전체에 도포(coat)시킬 수 있다. 예를 들어, 스핀 척(210)은 기판(W)을 약 1000rpm 내지 1600rpm의 속도로 회전시킬 수 있다. 포토레지스트(22)는 기판(W)의 중심에서 에지에까지 원심력에 의해 도포될 수 있다.
포토레지스트 공급부(220)는 포토레지스트(22)를 제 1 공급 배관(240), 제 1 투명 튜브(250), 및 제 1 노즐(230)에 공급할 수 있다. 포토레지스트 공급부(220)는 포토레지스트(22)를 저장할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 공급부(220)는 보틀(bottle), 또는 저장기(reservoir)를 포함할 수 있다. 또한, 포토레지스트 공급부(220)는 포토레지스트(22)의 공급 유량을 제어하는 유량 조절 밸브를 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다.
제 1 노즐(230)은 노즐 암(232)에 연결될 수 있다. 노즐 암(232)은 스핀 척(210)에 인접하여 배치될 수 있다. 노즐 암(232)은 제 1 노즐(230)을 스핀 척(210) 상으로 제공할 수 있다. 제 1 노즐(230)은 포토레지스트(22)를 기판(W)의 중심 상에 제공할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트(22)는 기판(W) 상에 액적(droplet)으로 제공될 수 있다.
제 1 공급 배관(240)은 제 1 노즐(230)을 포토레지스트 공급부(220)에 연결시킬 수 있다. 제 1 공급 배관(240)은 포토레지스트(22)를 포토레지스트 공급부(220)에서부터 제 1 노즐(230)까지 전달할 수 있다. 제 1 공급 배관(240)은 불투명하여 외부 광으로부터 포토레지스트(22)를 보호할 수 있다. 제 1 공급 배관(240)이 불투명할 경우, 포토레지스트(22)의 감광(photosensitization) 및/또는 화학적 반응은 방지되거나 최소화될 수 있다. 예를 들어, 제 1 공급 배관(240)은 불투명 고무 튜브, 또는 불투명 폴리머 튜브를 포함할 수 있다.
제 1 투명 튜브(250)는 제 1 노즐(230)에 인접하는 제 1 공급 배관(240)에 연결될 수 있다. 일 예로, 제 1 투명 튜브(250)는 퀄츠 튜브일 수 있다. 포토레지스트(22)는 제 1 공급 배관(240) 및 제 1 투명 튜브(250)를 통해 제 1 노즐(230)에 공급될 수 있다. 포토레지스트(22)는 투명(transparent)하거나 반투명(translucent)할 수 있다.
광 소스(260)는 제 2 방향(Y)으로 제 1 투명 튜브(250)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 광 소스(260)는 레이저 다이오드를 포함할 수 있다. 광 소스(260)는 제 1 투명 튜브(250)에 광(262)을 제공할 수 있다. 광(262)은 제 1 투명 튜브(250) 내의 포토레지스트(22)를 제 2 방향(Y)으로 투과할 수 있다. 광(262)은 가시광선(visible light), 또는 적외선 광선(infrared light)을 포함할 수 있다. 광학계(264)가 제 1 투명 튜브(250)와 광 소스(260) 사이에 제공될 수 있다. 광학계(264)는 광 소스(260)에 결합(coupled)될 수 있다. 일 예로, 광학계(264)는 빔 스플리터(266)와 미러(268)를 포함할 수 있다. 빔 스플리터(266)는 광 소스(260)와 제 1 투명 튜브(250) 사이에 배치될 수 있다. 미러(268)는 제 1 방향(X)으로 빔 스플리터(266)에 인접하여 배치될 수 있다. 빔 스플리터(266)는 광(262)의 일부를 제 1 투명 튜브(250)에 투과시키고, 상기 광(262)의 일부를 미러(268)에 반사할 수 있다. 광(262)의 일부는 제 1 투명 튜브(250) 및 포토레지스트(22)를 투과하여 광 센서(270)에 제공될 수 있다. 미러(268)는 광(262)의 일부를 기준 감지 물체(280)에 반사할 수 있다.
광 센서(270)는 제 2 방향(Y)으로 제 1 투명 튜브(250)의 타측에 배치될 수 있다. 광 센서(270)는 제 1 투명 튜브(250)로부터 광(262)를 수신하여 포토레지스트(22) 내의 파티클(252)을 측정(measure) 및/또는 검출(detect)할 수 있다. 파티클(252)은 포토레지스트(22) 내의 버블(bubble), 포토레지스트 덩어리(photo resist lump), 또는 폴리머 덩어리(polymer lump)를 포함할 수 있다. 파티클(252)은 포토레지스트(22)의 도포 불량(coating error)을 유발시킬 수 있다. 광 센서(270)는 제 1 투명 튜브(250) 내의 포토레지스트(22)의 파티클(252)을 검출하여 포토레지스트(22)의 도포 불량을 방지시킬 수 있다. 예를 들어, 광 센서(270)는 CCD 광 센서, 또는 CMOS 광 센서를 포함할 수 있다. 또한, 광 센서(270)는 포토다이오드 광 센서를 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다.
기준 감지 물체(280)는 제 1 방향(X)으로 제 1 투명 튜브(250)에 인접하여 배치될 수 있다. 기준 감지 물체(280)는 광 소스(260) 및 광학계(264)와 결합될 수 있다. 기준 감지 물체(280)는 광(262)을 투과시킬 수 있다. 광 센서(270)는 제 1 방향(X)으로 이동하여 상기 투과된 광(262)을 수신할 수 있다. 광 센서(270)는 기준 감지 물체(280)를 측정할 수 있다. 기준 감지 물체(280)는 제 1 투명 튜브(250)와 동일하게 투명할 수 있다. 일 예로, 기준 감지 물체(280)는 투명 바(282)와 상기 투명 바(282) 내의 기준 결함(reference defect, 284)을 포함할 수 있다. 투명 바(282)는 제 1 투명 튜브(250)의 투과율과 동일 또는 유사한 투과율을 가질 수 있다. 예를 들어, 투명 바(282)는 퀄츠 바 또는 퀄츠 로드(rod)일 수 있다. 기준 결함(284)은 포토레지스트(22) 내의 파티클(252)과 유사한 모양, 색상, 및 명암을 가질 수 있다. 예를 들어, 기준 결함(284)은 기포, 포토레지스트 덩어리, 또는 폴리머 덩어리를 포함할 수 있다. 즉, 기준 결함(284)은 기준 파티클(reference particle)일 수 있다. 이와 달리, 기준 결함(284)은 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다.
제어부(290)는 광 소스(260) 및 광 센서(270)에 연결되어 상기 광 소스(260) 및 상기 광 센서(270)를 제어할 수 있다. 또한, 제어부(290)는 제 1 노즐(230)에 연결될 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시될 수 있다. 제어부(290)는 제 1 노즐(230), 광 소스(260), 광 센서(270)를 제어하는 하드웨어 또는 소프트웨어를 포함할 수 있다. 제어부(290)는 파티클(252)의 측정 신호를 이용하여 포토레지스트(22)의 파티클(252) 오염을 판별할 수 있다. 포토레지스트(22)의 파티클(252) 오염이 발생되면, 제어부(290)는 스핀 코터(20)의 인터록 제어 신호를 출력할 수 있다.
한편, 광 센서(270)의 성능이 저하되거나 수명이 다할 경우, 파티클(252)의 측정 에러가 발생할 수 있다. 파티클(252)의 측정 신뢰성이 저하될 수 있다.
제어부(290)는 광 센서(270)를 검사(examine and/or inspect)하여 파티클(252)의 측정 신뢰성을 증가시킬 수 있다. 일 예로, 제어부(290)는 기준 감지 물체(280)를 광 센서(270)의 검사 기준(examination reference)으로 사용하여 상기 광 센서(270)를 검사하고, 상기 광 센서(270)의 에러를 판별할 수 있다. 광 센서(270)의 감지 신뢰성은 증가될 수 있다. 예를 들어, 제어부(290)는 신규한 광 센서(270)를 통해 획득되는 기준 결함(284)의 기준 이미지(reference image)를 미리 저장할 수 있다. 광 센서(270)의 사용 후에, 제어부(290)는 기준 결함(284)의 측정된 이미지(measured image)를 획득할 수 있다. 제어부(290)는 기준 이미지(reference image)와 측정된 이미지(measured image)를 비교하여 광 센서(270)를 검사하고, 상기 광 센서(270)의 에러를 판별할 수 있다.
측정된 이미지와 기준 이미지가 동일할 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)를 정상으로 판별할 수 있다. 또한, 기준 이미지내의 기준 결함(284)의 개수와 측정된 이미지 내의 기준 결함(284)의 개수가 동일할 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)를 정상으로 판별할 수 있다.
기준 이미지와 측정된 이미지가 서로 다를 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)를 비정상 및/또는 에러로 판별할 수 있다. 나아가, 기준 이미지내의 기준 결함(284)의 개수와 측정된 이미지 내의 기준 결함(284)의 개수가 서로 다를 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)를 비정상으로 판별할 수 있다. 비정상적이거나 에러가 있는 광 센서(270)는 교체(changed)되거나 교정될(calibrated) 수 있다.
도 3은 도 1의 스핀 코터(20)의 다른 예를 보여준다.
도 3을 참조하면, 스핀 코터(20)는 도 2의 광학계(264) 없이, 광 소스(260)와 광 센서(270)를 제 1 방향(X)으로 이동시켜 파티클(252)을 측정하고, 광 센서(270)을 검사할 수 있다. 기준 감지 물체(280)는 제 1 투명 튜브(250)에 제 1 방향(X)으로 고정될 수 있다. 광 소스(260)는 광(262)을 제 1 투명 튜브(250)와 기준 감지 물체(280)에 순차적으로 제공할 수 있다. 광 소스(260)는 광(262)을 제 1 투명 튜브(250)에 제공하고, 광 센서(270)는 광(262)을 수신하여 포토레지스트(22)의 파티클(252)을 측정할 수 있다. 제어부(290)는 파티클(252)의 측정 신호를 이용하여 파티클(252)의 이미지를 획득하고, 상기 파티클(252) 오염을 판별할 수 있다.
제어부(290)는 광 소스(260)와 광 센서(270)를 제 1 방향(X)으로 이동시켜 광 센서(270)를 검사할 수 있다. 광 소스(260)는 광(262)을 기준 감지 물체(280)에 제공하고, 광 센서(270)는 광(262)을 수신하여 기준 결함(284)의 측정된 이미지를 획득할 수 있다. 제어부(290)는 획득된 측정된 이미지와, 미리 저장된 기준 이미지를 비교하여 광 센서(270)를 검사할 수 있다. 스핀 코터(20), 포토레지스트 공급부(220), 제 1 노즐(230), 및 제 1 공급 배관(240)은 도 2와 동일하게 구성될 수 있다.
도 4는 도 1의 스핀 코터(20)의 또 다른 예를 보여준다.
도 4를 참조하면, 스핀 코터(20)는 에지 리무버(edge remover, 300)를 포함할 수 있다. 스핀 코터(20), 포토레지스트 공급부(220), 제 1 노즐(230), 및 제 1 공급 배관(240)은 도 2와 동일하게 구성될 수 있다.
일 예로, 에지 리무버(300)는 유기 용매 공급부(organic solvent supplier, 302), 제 2 노즐(304), 제 2 공급 배관(306), 및 제 2 투명 튜브(308)를 포함할 수 있다. 유기 용매 공급부(302)는 유기 용매(301)를 제 2 노즐(304)에 공급할 수 있다. 제 2 노즐(304)는 기판(W)의 에지 상에 유기 용매(301)를 제공할 수 있다. 유기 용매(301)는 기판(W) 에지 상의 포토레지스트(22)를 제거할 수 있다. 예를 들어, 유기 용매(301)는 벤젠, 에테르, 아세톤, 또는 알코올을 포함할 수 있다. 제 2 공급 배관(306)은 제 2 노즐(304)을 유기 용매 공급부(302)에 연결시킬 수 있다. 제 2 공급 배관(306)은 유기 용매(301)를 유기 용매 공급부(302)에서부터 제 2 노즐(304)까지 전달할 수 있다. 예를 들어, 제 2 공급 배관(306)은 고무 튜브, 또는 폴리머 튜브를 포함할 수 있다. 제 2 투명 튜브(308)는 제 1 투명 튜브(250)에 인접하는 제 2 공급 배관(306)에 연결될 수 있다. 제 2 투명 튜브(308)는 퀄츠 튜브일 수 있다. 제 2 투명 튜브(308)는 유기 용매(301)를 제 2 노즐(304)에 제공할 수 있다. 제 2 투명 튜브(308) 및 상기 제 2 투명 튜브(308) 내의 유기 용매(301)는 광 센서(270)의 검사 기준으로 사용되는 기준 감지 물체(280)일 수 있다.
광 소스(260) 및 광학계(264)는 광(262)을 제 2 투명 튜브(308)에 제공할 수 있다. 광 센서(270)는 광(262)를 수신하여 제 2 투명 튜브(308) 및 상기 제 2 투명 튜브(308) 내의 유기 용매(301)를 측정할 수 있다. 제어부(290)는 광 센서(270)의 측정 신호를 이용하여 측정된 이미지를 확득할 수 있다. 제어부(290)는 획득된 측정된 이미지를 미리 저장된 기준 이미지와 비교하여 광 센서(270)를 검사할 수 있다. 기준 이미지와 측정된 이미지가 동일한 백색 이미지일 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)를 정상으로 판별할 수 있다. 기준 이미지가 백색 이미지이고, 측정된 이미지가 결함을 갖는 이미지일 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)를 비정상으로 판별할 수 있다.
이와 같은 스핀 코터(20)를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법을 보여준다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은 포토레지스트(22)를 도포하는 단계(S10), 포토레지스트(22)를 경화시키는 단계(S20), 광에 포토레지스트(22)를 노출시키는 단계(S30), 및 포토레지스트(22)를 현상하는 단계(S40)를 포함할 수 있다.
먼저, 스핀 코터(20)는 기판(W) 상에 포토레지스트(22)를 도포한다(S10).
도 6은 도 2의 포토레지스트(22)를 도포하는 단계(S10)의 일 예를 보여준다.
도 6을 참조하면, 포토레지스트(22)를 도포하는 단계(S10)는 포토레지스트(22)를 공급하는 단계(S110), 포토레지스트(22) 내의 파티클(252)을 측정하는 단계(S120), 파티클(252)이 없는지를 판별하는 단계(S130), 포토레지스트(22)를 배출하는 단계(S140), 광 센서(270)를 검사하는 단계(S150), 광 센서(270)의 에러가 없는지를 판별하는 단계(S160), 광 센서(270)를 교체시키는 단계(S170), 기판(W) 상에 포토레지스트(22)를 제공하는 단계(S180), 및 기판(W)을 회전시키는 단계(S190)를 포함할 수 있다.
포토레지스트 공급부(220)는 제 1 노즐(230)에 포토레지스트(22)를 공급한다(S110). 포토레지스트(22)는 제 1 공급 배관(240) 및 제 1 투명 튜브(250)를 통해 제 1 노즐(230)에 공급될 수 있다.
광 소스(260)는 광(262)을 제 1 투명 튜브(250)에 제공하고, 광 센서(270)는 광(262)을 수신하여 포토레지스트(22) 내의 파티클(252)을 측정한다(S120). 광 센서(270)는 파티클(252)의 측정 신호를 제어부(290)에 출력할 수 있다.
제어부(290)는 광 센서(270)의 측정 신호를 이용하여 포토레지스트(22) 내에 파티클(252)이 없는지를 판별한다(S130).
포토레지스트(22) 내에 파티클(252)이 있는 것으로 판별될 경우, 제 1 노즐(230)은 포토레지스트(22)를 기판(W)의 외부에 배출한다(S140). 제어부(290)는 파티클(252)의 이미지를 표시장치(미도시)에 표시할 수 있다. 포토레지스트 공급부(220) 내의 포토레지스트(22)는 교체될 수 있다. 이후, 포토레지스트(22)를 공급하는 단계(S110) 내지 상기 파티클(252)이 없는지를 판별하는 단계(S130)는 다시 수행될 수 있다.
포토레지스트(22) 내에 파티클(252)이 없는 것으로 판별될 경우, 제어부(290)는 기준 감지 물체(280)를 사용하여 광 센서(270)를 검사한다(S150). 이와 달리, 제어부(290)는 일정시간마다 주기적으로 광 센서(270)를 검사할 수 있다.
도 7은 도 2의 광 센서(270)를 검사하는 단계(S150)의 일 예를 보여준다.
도 7을 참조하면, 광 센서(270)를 검사하는 단계(S150)는 광(262)을 기준 감지 물체(280)에 제공하는 단계(S152), 기준 감지 물체(280)를 측정하는 단계(S154), 및 측정된 이미지와 기준 이미지를 비교하는 단계(S156)를 포함할 수 있다.
광 소스(260)는 광(262)을 기준 감지 물체(280)에 제공한다(S152). 광(262)는 광학계(264)를 통해 기준 감지 물체(280)에 제공될 수 있다. 이와 달리, 광 소스(260)는 제 1 방향(X)으로 이동하여 광(262)를 기준 감지 물체(280)에 제공할 수 있다.
다음, 광 센서(270)는 광(262)을 수신하여 기준 감지 물체(280)를 측정한다(S154). 제어부(290)는 기준 감지 물체(280)의 측정 신호를 이용하여 기준 감지 물체(280)의 측정된 이미지를 생성할 수 있다.
그 다음, 제어부(290)는 측정된 이미지와 기준 이미지를 비교한다(S156).
도 6을 참조하면, 제어부(290)는 측정된 이미지와 기준 이미지의 비교 결과에 따라, 광 센서(270)의 에러를 판별한다(S160).
측정된 이미지와 기준 이미지가 서로 다를 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)의 에러가 있는 것으로 판별할 수 있다. 광 센서(270)의 에러가 있는 것으로 판별되면, 광 센서(270)는 교체된다(S170). 상기 광 센서(270)가 교체되면, 포토레지스트(22) 내의 파티클(252)을 측정하는 단계(S120) 내지 상기 광 센서(270)의 에러가 없는지를 판별하는 단계(S160)는 다시 수행될 수 있다.
측정된 이미지와 기준 이미지가 동일할 경우, 제어부(290)는 광 센서(270)의 에러가 없는 것으로 판별할 수 있다. 광 센서(270)의 에러가 없는 것으로 판별되면, 제 1 노즐(230)은 포토레지스트(22)를 기판(W)의 중심 상에 제공한다(S180).
다음, 스핀 척(210)은 기판(W)을 회전시켜 포토레지스트(W)를 상기 기판(W)의 전면에 도포시킨다(S190).
다시 도 5를 참조하면, 베이킹 장치(30)는 기판(W)을 가열하여 도포된 포토레지스트(22)를 경화시킨다(S20). 포토레지스트(22)는 제 1 온도의 소프트 베이킹 공정과, 상기 제 1 온도 보다 높은 제 2 온도의 하드 베이킹 공정을 통해 경화될 수 있다. 이후, 기판(W)은 노광 장치(50)에 제공될 수 있다.
다음, 노광 장치(50)는 레티클의 마스크 패턴을 따라 또는 극자외선(EUV) 광, 또는 자외선(UV) 광에 포토레지스트(22)를 노출한다(S30).
그리고, 현상 장치(40)는 노출된 포토레지스트(22)를 현상(develop)하여 기판(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다(S40). 기판(W)은 인덱스 장치(10) 내의 캐리어(12) 내에 탑재될 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (20)
- 기판을 수납하는 스핀 척;
상기 기판 상에 포토레지스트를 제공하는 제 1 노즐;
상기 제 1 노즐에 연결되고, 상기 포토레지스트를 상기 제 1 노즐에 공급하는 제 1 공급 배관;
상기 제 1 공급 배관 내의 상기 포토레지스트의 파티클을 측정하는 센서; 및
상기 제 1 공급 배관에 인접하여 배치되고, 상기 센서를 검사할 때 상기 센서의 검사 기준으로 사용되는 기준 감지 물체를 포함하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기준 감지 물체는 투명 바를 포함하는 스핀 코터.
- 제 2 항에 있어서,
상기 기준 감지 물체는 상기 투명 바 내에 배치되고 상기 파티클과 동일한 기준 결함을 더 포함하는 스핀 코터.
- 제 2 항에 있어서,
상기 센서에 인접하는 상기 제 1 공급 배관에 연결되어 상기 포토레지스트를 상기 제 1 노즐에 제공하고, 상기 투명 바의 투과율과 동일한 투과율을 갖는 제 1 투명 튜브를 더 포함하는 스핀 코터.
- 제 4 항에 있어서,
상기 센서에 대향하는 상기 제 1 투명 튜브의 일측에 배치되고 상기 제 1 투명 튜브에 광을 제공하는 광 소스를 더 포함하는 스핀 코터.
- 제 5 항에 있어서,
상기 광 소스와 상기 제 1 투명 튜브 사이에 배치되고, 상기 광을 상기 제 1 투명 튜브 및 상기 기준 감지 물체에 제공하는 광학계를 더 포함하는 스핀 코터.
- 제 6 항에 있어서,
상기 광학계는:
상기 광 소스와 상기 제 1 퀄츠 튜브 사이에 배치되어 상기 광을 분기시키는 빔스플리터; 및
상기 빔 스플리터와 상기 기준 감지 물체 사이에 배치되어 상기 광을 반사하는 미러를 포함하는 스핀 코터.
- 제 2 항에 있어서,
상기 투명 바와 상기 제 1 투명 튜브는 퀄츠를 포함하는 스핀 코터.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 에지에 유기 용매를 제공하는 제 2 노즐;
상기 2 노즐에 유기 용매를 제공하는 유기 용매 공급부;
상기 제 2 노즐을 상기 유기 용매 공급부에 연결하는 제 2 공급 배관; 및
상기 제 2 공급 배관에 연결되어 상기 유기 용매를 유동시키는 제 2 투명 튜브를 더 포함하는 스핀 코터.
- 제 9 항에 있어서,
상기 기준 감지 물체는 상기 제 2 투명 튜브 및 상기 제 2 투명 튜브 내의 상기 유기 용매를 포함하는 스핀 코터.
- 기판을 수납하는 스핀 척;
상기 기판 상에 포토레지스트를 제공하는 제 1 노즐;
상기 제 1 노즐에 포토레지스트를 공급하는 포토레지스트 공급부;
상기 제 1 노즐을 상기 포토레지스트 공급부에 연결시키는 제 1 공급 배관;
상기 제 1 공급 배관에 연결되어 상기 포토레지스트를 제 1 노즐에 제공하는 제 1 퀄츠 튜브;
상기 제 1 퀄츠 튜브의 일측에 배치되고, 상기 제 1 퀄츠 튜브에 광을 제공하는 광 소스;
상기 광 소스에 대향하여 상기 제 1 퀄츠 튜브의 타측에 배치되고, 상기 광을 수신하여 상기 제 1 퀄츠 튜브 내의 상기 포토레지스트의 파티클을 측정하는 센서; 및
상기 제 1 퀄츠 튜브에 인접하여 배치되고, 상기 파티클과 동일한 기준 결함을 갖는 퀄츠 바를 포함하는 스핀 코터.
- 제 11 항에 있어서,
상기 퀄츠 바를 상기 센서의 검사 기준으로 사용하여 상기 센서를 검사하는 제어부를 더 포함하는 스핀 코터.
- 제 12 항에 있어서,
상기 센서를 검사할 때, 상기 광 소스는 상기 퀄츠 바에 상기 광을 제공하는 스핀 코터.
- 제 11 항에 있어서,
상기 기판의 에지 상의 상기 포토레지스트를 제거하는 에지 리무버를 더 포함하되,
상기 에지 리무버는:
상기 기판의 에지 상에 유기 용매를 제공하는 제 2 노즐;
상기 유기 용매를 상기 제 2 노즐에 공급하는 유기 용매 공급부;
상기 제 2 노즐을 상기 유기 용매에 연결시키는 제 2 공급 배관; 및
상기 제 2 공급 배관에 연결되고, 상기 유기 용매를 상기 제 2 노즐에 제공하는 제 2 퀄츠 튜브를 더 포함하는 스핀 코터.
- 제 11 항에 있어서,
상기 기준 결함은 포토레지스트 덩어리를 포함하는 스핀 코터.
- 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 기판을 가열하여 상기 포토레지스트를 경화하는 단계;
상기 포토레지스트를 광에 노출시키는 단계; 및
상기 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 포토레지스트를 도포하는 단계는:
상기 포토레지스트의 공급 배관에 인접하여 배치되는 센서를 이용하여 상기 포토레지스트 내의 파티클을 측정하는 단계; 및
상기 공급 배관 및 상기 센서에 인접하여 배치되는 기준 감지 물체를 검사 기준으로 사용하여 상기 센서를 검사하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,
상기 센서를 검사하는 단계는:
광을 상기 기준 감지 물체에 제공하는 단계;
상기 기준 감지 물체를 측정하여 측정된 이미지를 획득하는 단계; 및
상기 측정된 이미지를 기준 이미지와 비교하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 17 항에 있어서,
상기 측정된 이미지와 상기 기준 이미지의 비교 결과에 따라 상기 센서의 에러가 없는지를 판별하는 단계를 더 포함하되,
상기 센서의 에러가 있을 경우, 상기 센서를 교체하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 센서의 에러가 없을 경우, 상기 포토레지스트를 기판 상에 제공하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서,
상기 포토레지스트 내에 상기 파티클이 없는지를 판별하는 단계를 더 포함하되,
상기 파티클이 있는 것으로 판별될 경우, 상기 포토레지스트를 상기 기판의 외곽에 배출시키는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190059084A KR20200133892A (ko) | 2019-05-20 | 2019-05-20 | 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190059084A KR20200133892A (ko) | 2019-05-20 | 2019-05-20 | 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200133892A true KR20200133892A (ko) | 2020-12-01 |
Family
ID=73790814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190059084A KR20200133892A (ko) | 2019-05-20 | 2019-05-20 | 스핀 코터 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20200133892A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230083035A (ko) * | 2021-12-02 | 2023-06-09 | 세메스 주식회사 | 약액 검사 장치와, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판을 처리하는 약액을 검사하는 방법 |
| KR20230099065A (ko) * | 2021-12-27 | 2023-07-04 | 세메스 주식회사 | 약액 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
-
2019
- 2019-05-20 KR KR1020190059084A patent/KR20200133892A/ko active Search and Examination
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20230083035A (ko) * | 2021-12-02 | 2023-06-09 | 세메스 주식회사 | 약액 검사 장치와, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판을 처리하는 약액을 검사하는 방법 |
| KR20230099065A (ko) * | 2021-12-27 | 2023-07-04 | 세메스 주식회사 | 약액 검사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |