KR100931298B1 - 현상 공정 조건 설정 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 - Google Patents

현상 공정 조건 설정 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

현상 공정 조건 설정 유닛은 감지부, 연산부 및 제어부를 포함한다. 감지부는 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 현상 유닛에 구비되며, 포토레지스트 막의 현상 종점을 감지한다. 연산부는 감지부에서 감지된 현상 종점의 이용하여 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 연산한다. 제어부는 연산부에서 연산된 현상 공정 시간을 현상 유닛의 기준 현상 공정 조건으로 설정한다.

Description

현상 공정 조건 설정 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치{Unit and method for setting a condition of a developing process, and apparatus for processing a substrate}
본 발명은 현상 공정 조건 설정 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치에 관한 것으로, 노광된 포토레지스트 막의 현상 공정 조건을 설정하는 현상 공정 조건 설정 유닛 및 방법, 그리고 상기 현상 공정 모니터링 유닛을 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 소자들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하며, 상기 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 증착 공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정에서 사용되는 포토레지스트 패턴을 상기 막 상에 형성하기 위해 수행된다.
상기 포토리소그래피 공정은 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 상기 포토레지스트 막에 포함된 용제의 휘발(volatilization)과 상기 포토레지스트 막을 고체화(solidification)를 위한 소프트(soft) 베이크 공정과, 상기 소프트 베이크 공정을 통해 고체화된 포토레지스트 막 상에 포토 마스크 패턴(photo mask pattern)을 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 반도체 기판으로 조사되는 광의 산란에 의한 해상도 저하를 방지하기 위한 노광 후 베이크(post exposure bake; 이하 'PEB'라 한다) 공정과, 상기 노광 처리된 포토레지스트 막을 부분적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정과, 상기 현상된 포토레지스트 패턴의 강화를 위한 하드(hard) 베이크 공정 등을 포함할 수 있다.
상기 현상 공정을 수행하기 위해서는 기준이 되는 현상 공정 조건이 필요하다. 상기 현상 공정 조건 중 공정 시간은 시행 착오의 방법을 통해 설정된다. 예를 들면, 임의의 공정 시간동안 상기 포토레지스트 막에 대한 현상 공정을 수행하고, 상기 현상 공정 결과에 따라 상기 공정 시간을 조절하여 상기 현상 공정 시간을 설정한다.
상기와 같은 현상 공정 시간을 설정하는 방법은 상기 현상 공정을 반복적으로 수행하여야 하므로 비용과 시간이 많이 요구된다. 또한, 상기와 같은 방법에 의해 설정된 현상 공정 시간에 대한 신뢰성도 떨어진다. 그리고, 상기 포토레지스트 막의 종류가 변경되어 상기 현상 공정 시간을 재설정할 때마다, 상기와 같은 현상 공정 시간 설정 방법을 수행해야 하므로 비용과 시간이 많이 요구된다.
본 발명은 현상 공정 시간을 정확하고 신속하게 설정할 수 있는 현상 공정 조건 설정 유닛을 제공한다.
본 발명은 상기 현상 공정 조건 설정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 현상 공정 시간을 정확하고 신속하게 설정할 수 있는 현상 공정 조건 설정 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 현상 공정 조건 설정 유닛은 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 현상 유닛에 구비되며, 상기 포토레지스트 막의 현상 종점을 감지하는 감지부와, 상기 감지부에서 감지된 상기 현상 종점의 이용하여 상기 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 연산하는 연산부 및 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간을 상기 현상 유닛의 기준 현상 공정 조건으로 설정하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 공정 조건 설정 유닛은 상기 제어부와 연결되며, 상기 감지부에서 검출된 데이터를 표시하기 위한 표시부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 상에 형성된 포토레지스트 막에 대한 현상 공정이 수행되는 현상 유닛 및 상기 현상 유닛에 구비되며, 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 종점을 검출하는 감지부, 상기 감지부에서 측정된 상기 현상 종점의 이용하여 상기 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 연산하는 연산부 및 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간을 상기 현상 유닛의 공정 조건으로 설정하는 제어부로 이루어지는 현상 공정 조건 설정 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 현상 유닛은 상기 기판을 지지하기 위한 척 및 상기 척 상에 구비되며, 상기 기판으로 상기 포토레지스트막을 현상하기 위한 현상액을 분사하는 분사 노즐을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 현상 유닛은 상방이 개방되며, 현상액을 수용하는 용기 및 상기 포토레지스트 막을 현상하기 위해 상기 기판을 파지하여 상기 현상액에 잠기도록 상기 기판을 이송하는 이송암을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 현상 공정 조건 설정 방법은 기판 상에 형성된 포토레지스트 막에 현상액을 제공하여 현상 공정을 수행하고, 상기 포토레지스트 막의 현상 종점을 검출하고, 상기 현상 종점 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 연산하고, 상기 연산된 현상 공정 시간을 상기 포토레지스트 막의 기준 현상 공정 조건으로 설정한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 현상 공정 조건 설정 방법은 상기 기준 현상 공정 조건에 따라 상기 포토레지스트 막이 형성된 후속하는 기판에 대한 현상 공정을 더 수행할 수 있다.
본 발명에 따르면 감지부에서 감지된 현상 종점을 이용하여 포토레지스트 막 의 현상 공정 시간을 연산하고 상기 현상 공정 시간을 현상 공정 조건으로 설정한다. 따라서, 상기 현상 공정 시간을 정확하고 신속하게 설정할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 현상 공정 조건 설정 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 현상 공정 모니터링 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지 다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 상기 기판 처리 장치(100)는 현상 유닛(110) 및 현상 공정 조건 설정 유닛(120)을 포함한다.
상기 현상 유닛(110)은 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)을 현상하는 것으로, 척(112) 및 분사 노즐(114)을 포함한다.
상기 척(112)은 상기 포토레지스트 막(20)이 형성된 기판(10)을 지지하며 고정한다. 상기 척(112)의 예로는 정전기력을 이용하여 상기 기판(10)을 고정하는 정전척, 진공력을 이용하여 상기 기판(10)을 고정하는 진공척 등을 들 수 있다.
또한, 상기 척(112)은 회전 구동부(미도시)의 구동력에 의해 회전할 수 있 다.
상기 분사 노즐(114)은 상기 척(112) 상에 배치되며, 상기 척(112)에 고정된 기판(10)으로 현상액(30)을 분사한다. 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다. 일 예로, 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)에서 노광된 부위를 선택적으로 현상할 수 있다. 다른 예로, 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)에서 노광되지 않은 부위를 선택적으로 현상할 수 있다.
상기 현상 공정 조건 설정 유닛(120)은 상기 현상 유닛(110)의 공정 조건을 설정하기 위한 것으로, 감지부(122), 연산부(124), 제어부(126) 및 표시부(128)를 포함한다.
상기 감지부(122)는 상기 현상 유닛(110)의 척(112) 상에 배치된다. 상기 감지부(122)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 감지한다. 상기 감지부(122)에서 감지된 현상 종점에 관한 데이터는 상기 연산부(124)로 전송된다.
상기 감지부(122)는 상기 포토레지스트 막(20)으로 제공하기 위한 광을 발생시키는 광원과, 상기 포토레지스트 막으로부터 반사된 광을 측정하는 광 측정부, 상기 광 측정부에 의해 측정된 광 신호를 분석하여 상기 현상 종점을 검출하는 프로세서를 포함한다.
상기 광원은 레이저빔(laser beam)과 같은 광을 발생시키며, 바람직하게는 적색 레이저빔을 발생시킨다. 상기 광은 상기 세정액(30)을 통과하여 상기 포토레지스트 막(20)으로 제공되고, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광은 상기 광 측정부에 의해 측정된다.
상기 광 측정부는 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광의 간섭 신호 또는 상기 포토레지스트 막(20)의 반사율에 따라 변화되는 반사된 광의 세기를 측정한다.
상기 프로세서는 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광의 세기를 분석하여 현상 종점을 검출할 수 있으며, 또한 측정된 광 신호의 간섭 신호로부터 현상 종점을 검출할 수도 있다. 예를 들면, 상기 현상 공정에 의해 상기 포토레지스트 막(20)이 제거되어 상기 기판(10)이 노출되면, 광 반사율 차이에 의해 상기 광 측정부에서 측정되는 반사된 광의 세기가 급격하게 변화되고, 상기 프로세서는 반사된 광의 세기가 급격하게 변화되는 시점을 현상 종점으로 검출하게 된다. 한편, 반사된 광의 간섭 신호를 이용하는 경우, 반사된 광은 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사되는 제1 반사광과 상기 기판(10)으로부터 반사되는 제2 반사광으로 이루어지고, 상기 프로세서는 제1 반사광과 제2 반사광의 위상 차이에 따라 현상 종점을 검출하게 된다.
상기 연산부(124)는 상기 감지부(122)와 연결되며, 상기 감지부(122)로부터 전송된 현상 종점 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 연산한다. 예를 들면, 상기 연산부(124)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상에 소요되는 시간을 연산할 수 있다. 상기 연산부(124)는 연산 결과를 상기 제어부(126)로 전송한다.
상기 제어부(126)는 상기 연산부(124)와 연결된다. 상기 제어부(126)는 상기 연산부(124)에서 연산된 현상 공정 시간을 상기 현상 유닛(110)의 공정 조건으로 설정한다. 또한, 상기 제어부(126)는 상기 설정된 공정 조건에 따라 상기 현상 유닛(110)에서 현상 공정이 수행되도록 상기 현상 유닛(110)을 제어한다. 따라서, 상기 현상 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 표시부(128)는 상기 제어부(126)와 연결되며, 상기 제어부(126)의 제어 신호에 따라 상기 감지부(124)에서 검출된 데이터를 표시한다. 예를 들면, 상기 표시부(128)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 표시한다. 다른 예로, 상기 표시부(128)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 소요 시간을 표시할 수 있다.
상기 기판 처리 장치(100)는 상기 감지부(122)에서 감지된 현상 종점을 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 연산하므로, 상기 현상 공정 시간을 한번에 정확하게 산출할 수 있다. 상기 현상 공정 시간을 상기 현상 유닛(110)의 기준 현상 공정 조건으로 설정하므로, 상기 기준 현상 공정 시간 설정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(200)를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2를 참조하면, 상기 기판 처리 장치(200)는 현상 유닛(210) 및 현상 공정 조건 설정 유닛(220)을 포함한다.
상기 현상 유닛(210)은 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)을 현상하는 것으로, 용기(212) 및 이송암(214)을 포함한다.
상기 용기(212)는 상방이 개방되며, 내부에 상기 기판(10)을 현상하기 위한 현상액(30)을 수용한다. 상기 현상액(30)은 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다.
상기 이송암(214)은 상기 용기(212)에 인접하도록 구비되며, 상기 기판(20)의 일측을 파지한다. 상기 이송암(214)은 상기 기판(10)이 상기 현상액(30)에 잠기도록 상기 기판(10)을 이송하거나, 현상이 완료된 기판(10)을 상기 세정액(30) 외부로 이송한다.
상기 현상 공정 조건 설정 유닛(220)은 상기 현상 유닛(210)의 공정 조건을 설정하기 위한 것으로, 감지부(222), 연산부(224), 제어부(226) 및 표시부(228)를 포함한다.
상기 감지부(222)가 상기 용기(212)의 상방에 배치되어 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 감지한다는 점을 제외하면, 상기 감지부(222), 연산부(224), 제어부(226) 및 표시부(228)에 대한 설명은 도 1을 참조한 감지부(122), 연산부(124), 제어부(126) 및 표시부(128)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 현상 공정 조건 설정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3을 참조하여, 상기 현상 공정 조건 설정 방법을 도 1에 도시된 기판 처리 장치(100)를 중심으로 설명한다.
우선, 기판(10) 상에 형성된 포토레지스트 막(20)에 현상액(30)을 제공하여 현상 공정을 수행한다(S110).
일 예로, 척(112)이 상기 기판(10)을 고정하여 회전한다. 상기 회전하는 기판(10)을 향해 분사 노즐(114)이 현상액(30)을 분사한다. 상기 현상액(30)이 상기 포토레지스트 막(30)을 현상한다.
다른 예로, 이송암(214)이 상기 기판(10)을 파지한 후, 용기(212) 내부의 현상액(30)에 상기 기판(10)을 침지한다. 상기 현상액(30)이 상기 포토레지스트 막(20)을 현상한다.
상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 검출한다(S120).
감지부(122)가 상기 포토레지스트 막(20)을 향해 광을 조사하고, 상기 포토레지스트 막(20)으로부터 반사된 광을 측정하며, 측정된 광의 신호를 분석하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 검출한다. 상기 현상 종점 데이터는 연산부(124)로 전송된다.
상기 현상 종점 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 연산한다(S130).
상기 감지부(122)로부터 전송된 상기 현상 종점 데이터를 이용하여 연산부(124)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 연산한다. 상기 현상 공정 시작 시각과 상기 현상 종점의 시각을 차이를 이용하여 상기 포토레지스트 막(20)의 현상에 소요되는 시간을 연산한다. 따라서, 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 공정 시간을 정확하고 신속하게 획득할 수 있다. 이후, 상기 연산부(124)는 연산 결과를 상기 제어부(126)로 전송한다.
상기 연산된 현상 공정 시간을 상기 포토레지스트 막(30)의 기준 현상 공정 조건으로 설정한다(S140).
상기 연산부(124)로부터 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 시간이 전송되면, 제어부(126)는 상기 현상 공정 시간을 상기 현상 유닛(110)의 기준 공정 조건으로 설정하고, 상기 기준 공정 조건에 따라 상기 현상 유닛(110)을 제어한다. 상기 제어부(126)의 제어 신호에 따라 상기 감지부(124)에서 검출된 데이터가 표시부(128)에 표시된다. 예를 들면, 상기 표시부(128)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 종점을 표시한다. 다른 예로, 상기 표시부(128)는 상기 포토레지스트 막(20)의 현상 소요 시간을 표시할 수 있다.
상기 현상 공정 시간을 기준으로 상기 포토레지스트 막이 형성된 후속하는 기판에 대한 현상 공정을 수행한다(S150).
상기 현상 유닛(110)에 후속하는 기판(10)이 투입되면, 상기 제어부(126)에 의해 설정된 현상 공정 시간을 기준으로 상기 기판(10)에 대한 현상 공정을 수행한다. 따라서, 상기 현상 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면 현상 종말점을 이용하여 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 신속하고 정확하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 현상 공정 시간을 현상 유닛의 기준 현상 공정 조건으로 설정함으로써 상기 현상 공정을 정확하게 제어할 수 있으며 상기 현상 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 현상 공정 조건 설정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 처리 장치 110 : 현상 유닛
112 : 척 114 : 분사 노즐
120 : 현상 공정 설정 유닛 122 : 감지부
124 : 연산부 126 : 제어부
128 : 표시부 210 : 현상 유닛
212 : 용기 214 : 이송암

Claims (7)

  1. 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 공정이 수행되는 현상 유닛에 구비되며, 상기 포토레지스트 막의 현상 종점을 감지하는 감지부;
    상기 감지부에서 감지된 상기 현상 종점을 이용하여 상기 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 연산하는 연산부; 및
    상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간을 상기 현상 유닛의 기준 현상 공정 조건으로 설정하는 제어부를 포함하고,
    상기 감지부는 상기 포토레지스트 막으로 제공하기 위한 광을 발생시키는 광원과, 상기 포토레지스트 막으로부터 반사된 광을 측정하는 광 측정부, 상기 광 측정부에 의해 측정된 광 신호를 분석하여 상기 현상 종점을 검출하는 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 공정 조건 설정 유닛.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부와 연결되며, 상기 감지부에서 검출된 데이터를 표시하기 위한 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 공정 조건 설정 유닛.
  3. 기판 상에 형성된 포토레지스트 막에 대한 현상 공정이 수행되는 현상 유닛; 및
    상기 현상 유닛에 구비되며, 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트 막의 현상 종점을 검출하는 감지부, 상기 감지부에서 측정된 상기 현상 종점을 이용하여 상기 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 연산하는 연산부 및 상기 연산부에서 연산된 현상 공정 시간을 상기 현상 유닛의 공정 조건으로 설정하는 제어부로 이루어지는 현상 공정 조건 설정 유닛을 포함하고,
    상기 감지부는 상기 포토레지스트 막으로 제공하기 위한 광을 발생시키는 광원과, 상기 포토레지스트 막으로부터 반사된 광을 측정하는 광 측정부, 상기 광 측정부에 의해 측정된 광 신호를 분석하여 상기 현상 종점을 검출하는 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 현상 유닛은,
    상기 기판을 지지하기 위한 척; 및
    상기 척 상에 구비되며, 상기 기판으로 상기 포토레지스트막을 현상하기 위한 현상액을 분사하는 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 현상 유닛은,
    상방이 개방되며, 현상액을 수용하는 용기; 및
    상기 포토레지스트 막을 현상하기 위해 상기 기판을 파지하여 상기 현상액에 잠기도록 상기 기판을 이송하는 이송암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 기판 상에 형성된 포토레지스트 막에 현상액을 제공하여 현상 공정을 수행하는 단계;
    상기 포토레지스트 막의 현상 종점을 검출하는 단계;
    상기 현상 종점 데이터를 이용하여 상기 포토레지스트 막의 현상 공정 시간을 연산하는 단계; 및
    상기 연산된 현상 공정 시간을 상기 포토레지스트 막의 기준 현상 공정 조건으로 설정하는 단계를 포함하고,
    상기 포토레지스트 막의 현상 종점을 검출하는 단계는 상기 포토레지스트 막을 향해 광을 조사하고, 상기 포토레지스트 막으로부터 반사된 광을 측정하고, 상기 측정된 광 신호를 분석하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 현상 공정 조건 설정 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기준 현상 공정 조건에 따라 상기 포토레지스트 막이 형성된 후속하는 기판에 대한 현상 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 공정 조건 설정 방법.
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JP2003332202A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の現像処理方法および現像処理装置
JP2006093267A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Seiko Epson Corp 基板の現像方法及び現像処理装置

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