KR20220114607A

KR20220114607A - 열적 제어 시스템을 갖는 양면 프로브 시스템 및 이와 관련된 방법

Info

Publication number: KR20220114607A
Application number: KR1020227024068A
Authority: KR
Inventors: 마사히로 사메시마
Original assignee: 폼팩터, 인크.
Priority date: 2019-12-18
Filing date: 2020-12-10
Publication date: 2022-08-17
Also published as: EP4078204A4; JP7474330B2; TWI778468B; US11378619B2; US20210190860A1; TW202138822A; EP4078204A1; JP2023511495A; WO2021126658A1

Abstract

열적 제어 시스템을 갖는 양면 프로브 시스템 및 관련 방법. 열적으로 제어되는 양면 프로브 시스템은 기판의 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT) 및 상기 기판을 지지하도록 구성된 척을 테스트하도록 구성된 프로브 어셈블리를 포함한다. 상기 프로브 어셈블리는 이 프로브 어셈블리가 DUT(들)를 테스트하는 동안 상기 기판의 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 시스템을 포함한다. 상기 척은 상기 기판이 이 척에 의해 작동적으로 지지되는 동안 상기 프로브 어셈블리가 상기 기판의 제1 기판 측면 및 상기 기판의 제2 기판 측면 각각에 접근할 수 있도록 상기 기판을 지지하도록 구성된다. 일부 예들에서, 상기 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법들은 상기 열적 제어 시스템을 사용하여 상기 기판 온도를 조절하는 단계를 포함한다.

Description

열적 제어 시스템을 갖는 양면 프로브 시스템 및 이와 관련된 방법

관련 출원

본 출원은 2020년 12월 3일에 출원된 미국 특허 출원 번호 17/111,283 및 2019년 12월 18일에 출원된 미국 특허 가출원 번호 62/949,921에 대한 우선권을 주장하고, 이의 전체 개시내용이 참조로서 본 개시에 통합된다.

개시 분야

본 개시는 전반적으로 프로브 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 양면을 테스트하는 동안 기판의 온도를 제어하기 위한 열적 제어 시스템을 갖는 양면 프로브 시스템에 관한 것이다.

프로브 시스템은 테스트 대상 디바이스(DUT, device under test)의 작동 및/또는 성능을 테스트하는 데 활용될 수 있다. 프로브 시스템은 일반적으로 DUT에 테스트 신호를 제공하고 및/또는 상기 DUT로부터 결과 신호를 수신하도록 구성될 수 있는 하나 이상의 프로브를 포함한다. 상기 테스트 신호에 대한 DUT의 응답을 측정함으로써(예를 들어, 상기 결과 신호를 측정 및/또는 정량화함으로써), 상기 DUT의 작동 및/또는 성능이 정량화될 수 있다.

특정 상황에서는, 통제된 환경 조건에서 상기 DUT를 테스트하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 소정의 온도에서 DUT를 테스트하는 것이 바람직할 수 있다. 그러한 일부 예들에서, 상기 DUT의 온도는 상기 DUT를 포함하는 기판을 지지하는 온도 제어식 척의 온도를 제어함으로써 제어된다. 그러나, 이러한 방식으로 온도 제어식 척을 사용하는 것은 일반적으로 상기 기판의 양면에 대한 동시 테스트를 허용하지 않는다. 따라서, 열적 제어 시스템을 갖는 향상된 양면 프로브 시스템이 필요하다.

발명의 요약

열적 제어 시스템을 갖는 양면 프로브 시스템 및 관련 방법이 본원에 개시되어 있다. 열적으로 제어되는 양면 프로브 시스템에는 기판의 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT)를 테스트하도록 구성된 프로브 어셈블리와 기판을 지지하도록 구성된 척(chuck)이 포함된다. 상기 프로브 어셈블리는 상기 프로브 어셈블리가 DUT(들)를 테스트하는 동안 상기 기판의 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 시스템을 포함한다. 상기 척은 상기 기판이 상기 척에 의해 작동적으로 지지되는 동안 상기 프로브 어셈블리가 상기 기판의 제1 기판 측면 및 상기 기판의 제2 기판 측면 각각에 접근할 수 있도록 상기 기판을 지지하도록 구성된다. 일부 예들에서, 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법은 상기 열적 제어 시스템을 사용하여 상기 기판 온도를 조절하는 단계를 포함한다.

도 1은 본 개시에 따른 양면 프로브 시스템의 예를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 개시에 따른 지지 암(support arm), 포지셔너 스테이지(positioner stage), 및 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 예의 상면 등각도이다.
도 3은 도 2의 지지 암과 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 분해도이다.
도 4는 본 개시에 따른 히터 플레이트(heater plate)를 포함하는 열적 제어 시스템 및 열적 제어 프로브 헤드의 예의 부분 상면 등각도이다.
도 5는 도 4의 열적 제어 프로브 헤드 및 열적 제어 시스템의 부분 측단면도이다.
도 6은 본 개시에 따른 펠티에(Peltier) 플레이트를 포함하는 열적 제어 시스템 및 열적 제어 프로브 헤드의 예의 부분 상면 등각도이다.
도 7은 도 6의 열적 제어 프로브 헤드 및 열적 제어 시스템의 부분 측면 입면도이다.
도 8은 본 개시에 따른 유체 도관을 포함하는 열적 제어 시스템 및 열적 제어 프로브 헤드의 예의 부분 상면 등각도이다.
도 9는 도 8의 열적 제어 프로브 헤드 및 열적 제어 시스템의 부분 측면 입면도이다.
도 10은 본 개시에 따른 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법의 예를 도시하는 흐름도이다.

도 1 내지 도 10은, 본 개시에 따른 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140), 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 포함하는 양면 프로브 시스템(10) 및/또는 양면 프로브 시스템(10)을 작동시키는 방법(200)의 예들을 제공한다. 유사한, 또는 적어도 실질적으로 유사한 목적을 수행하는 요소들은 도 1 내지 도 10에서 유사한 번호로 라벨링되며, 도 1 내지 도 10의 각각을 참조하여 본 개시에서 이들 요소에 대해 상세히 논의하지 않을 수 있다. 유사하게, 모든 요소는 도 1 내지 도 10에 표시되지 않을 수 있으나, 이와 관련된 참조 번호는 일관성을 위해 본 개시에서 사용될 수 있다. 도 1 내지 도 10을 참조하여 본 개시에서 논의되는 요소들, 구성요소들, 및/또는 특징들은 본 개시의 범위를 벗어나지 않으면서 도 1 내지 도 10의 주요 내용에 포함 및/또는 활용될 수 있다. 일반적으로, 특정 구현예에 포함될 가능성이 높은 요소들은 실선으로 표시하고, 선택적 요소들은 점선으로 표시하였다. 다만, 실선으로 표시된 요소들은 필수적인 것은 아니며, 일부 구현예에서는 본 개시의 범위를 벗어나지 않으면서 생략될 수 있다.

도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 양면 프로브 시스템(10)은, 기판 상에 형성되고, 기판에 의해 지지되고 및/또는 기판에 포함되는 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT, devices under test)(40)를 테스트하도록 조정되고, 구성되고, 설계되고, 성형되고, 사이징(sizing)되고, 및/또는 구축될 수 있다. 구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 양면 프로브 시스템(10)은 DUT(들)(40)를 테스트하도록 구성된 프로브 어셈블리(100)를 포함한다. 도 1에 추가로 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는, 프로브 어셈블리(100)가 임의의 다양한 제어된 열적 조건에서 상기 DUT 테스트를 용이하게 하기 위한 것과 같이, DUT(들)(40)를 테스트하는 동안, 기판(30)의 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 시스템(150)을 포함한다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는 기판(30)의 적어도 하나의 DUT(40)를 테스트하도록 구성된 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 포함한다. 이러한 일부 예들에서, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 열적 제어 시스템(150)의 적어도 일부를 포함하고 및/또는 지지한다. 구체적으로, 이러한 예들에서, 프로브 어셈블리(100)는 프로브 어셈블리(100)가 DUT(40)를 테스트할 때 열적으로 제어된 프로브 헤드(140)가 기판(30)과 열적 소통(thermal communication)하도록 구성된다. 따라서, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)의 적어도 일부 및/또는 영역의 프로브 헤드 온도를 제어하는 것은 상기 기판 온도의 제어를 용이하게 한다. 이러한 방식으로, 본 개시에 따른 양면 프로브 시스템(10)은 또한 온도 제어식 양면 프로브 시스템(10)으로 지칭될 수 있다. 도 2 내지 도 9는, 하기에서 보다 상세하게 설명되는 바와 같이, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140), 그의 일부들, 및/또는 프로브 어셈블리(100)의 관련 구조의 예들에 대한 덜 개략적인 예시를 제공한다.

일부 예들에서, 열적 제어 시스템(150)은 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드가 DUT(40)를 테스트하는 동안 상기 기판 온도 및/또는 상기 프로브 헤드 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성될 수 있다. 더 구체적으로, 일부 예들에서, 열적 제어 시스템(150)은 상기 프로브 헤드 온도를 적어도 부분적으로 제어하고, 및/또는 상기 열적 제어 시스템 및/또는 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드가 상기 기판 온도를 적어도 부분적으로 조절하도록 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)와 기판(30) 사이의 열적 소통을 용이하게 하도록 구성된다.

기판(30)은 DUT(40)를 지지하고, 포함하고, 및/또는 그 위에 형성될 수 있는 임의의 적절한 구조를 포함하고 및/또는 그 임의의 적절한 구조일 수 있다. 기판(30)의 예는 웨이퍼, 반도체 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 및/또는 갈륨 비소 웨이퍼(gallium arsenide wafer)를 포함한다. 유사하게, DUT(40) 각각은 양면 프로브 시스템(10)에 의해 프로브되거나 및/또는 테스트될 수 있는 임의의 적절한 구조를 포함하고 및/또는 그 임의의 적절한 구조일 수 있다. 예로서, 각각의 DUT(40)는 반도체 디바이스, 전자 디바이스, 광학 디바이스, 광전자 디바이스, 로직(logic) 디바이스, 전력 디바이스, 스위칭(switching) 디바이스, 및/또는 트랜지스터를 포함한다.

도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 양면 프로브 시스템(10)은 DUT(40)의 테스트 동안 기판(30)을 작동적으로 지지하고 프로브 어셈블리(100)와 구별되고 및/또는 이격되어 있는 척(20)을 포함한다. 더 구체적으로, 도 1에 개략적으로 도시되어 있고 본 개시에 더 자세히 설명된 바와 같이, 척(20)은, 기판이 척에 의해 작동적으로 지지되는 동안 프로브 어셈블리(100)가 기판(30)의 제1 기판 측면(32) 및 제1 기판 반대편에 있는 기판(30)의 제2 기판 측면(34) 각각에 접근할 수 있도록 기판(30)을 지지하도록 구성된다. 이러한 방식으로, 프로브 어셈블리(100)는 제1 기판 측면(32)과 제2 기판 측면(34) 모두에 동시에 접근하고, 테스트하고, 체결하고, 및/또는 그렇지 않으면 인터페이스하도록 구성될 수 있고, 반면 척(20) 상에 기판(30)을 재배치하지 않고 및/또는 상기 기판은 척 상에 포지셔닝된다.

본 개시에서 사용되는 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는, 프로브 어셈블리(100)가 상기 기판(30) 일부의 물리적 접촉, 전기적 접촉, 및/또는 광학적 접촉 및/또는 비접촉 인터페이스, 및/또는 측정을 할 수 있도록, 상기 기판의 일부가 노출 및/또는 차단 해제될 때, 기판(30)의 일부[예를 들어, 제1 기판 측면(32) 및/또는 제2 기판 측면(34)]에 "접근하는" 것으로서, 및/또는 상기 기판의 일부를 테스트하도록 작동가능한 것으로서 설명될 수 있다. 유사하게, 프로브 어셈블리(100)는 프로브 어셈블리(100)가 기판(30) 및/또는 DUT(40)와 다양한 방식으로 상호작용할 때 기판(30) 및/또는 기판의 일부 및/또는 기판(30)과 연관된 DUT(들)(40)를 테스트하는 것으로서 설명될 수 있다. 예로서, 프로브 어셈블리(100)는 프로브 어셈블리가 전기 신호 및/또는 전자기 신호를 DUT(들)에 전송하고, DUT(들)로부터의 전기 신호 및/또는 전자기 신호를 수신하고, 및/또는 상기 기판 및/또는 DUT(들)의 육안 검사를 수행하기 위해 작동한다.

이러한 방식으로, 척(20)은, 또한 프로브 어셈블리(100)가 척(20) 상에 기판(30)을 리포지셔닝(repositioning)하지 않고 및/또는 동시에 제1 기판 측면(32) 및 제2 기판 측면(34) 각각을 테스트하기 위해 작동가능하도록 기판(30)을 지지하도록 구성되는 것으로 설명될 수 있다. 더 구체적인 예에서, 프로브 어셈블리(100)는 전기 신호를 제공하는 것과 같은 전기적 연결을 통해 제1 기판 측면(32) 및 제2 기판 측면(34) 중 하나를 테스트하도록 구성될 수 있다. 동시에, 프로브 어셈블리(100)는, 기판의 반대 측에 공급된 전기 신호에 대응하거나 그 결과로 발생할 수 있는 것과 같은 광학 신호를 수신하는 것과 같은, 광학 측정을 통해 제1 기판 측면(32) 및 제2 기판 측면(34) 중 다른 하나를 테스트하도록 구성될 수 있다. 본 개시에서 사용되는 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는 또한 프로브 어셈블리(100)가 상기 제1 기판 측면 및/또는 상기 제2 기판 측면에 각각 형성된 및/또는 이를 통해 접근가능한 DUT(들)(40)를 테스트할 때 제1 기판 측면(32) 및/또는 제2 기판 측면(34)을 테스트하는 것으로서 설명될 수 있다.

더 구체적인 예들로서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는 테스트 신호(52)를 제1 기판 측면(32) 및/또는 제2 기판 측면(34)으로 전송하고 및/또는 제1 기판 측면(32) 및/또는 제2 기판 측면(34)으로부터 결과 신호(54)를 수신하도록 구성될 수 있다. 일부 이러한 예들에서, 결과 신호(54)는 테스트 신호(52)에 대응하고 및/또는 테스트 신호(52)에 적어도 부분적으로 기초한다. 이러한 방식으로, 테스트 신호(52)에 대한 응답에서 DUT에 의해 생성된 결과 신호(54)의 측정은 DUT(40)를 특성분석 및/또는 평가하는 데 사용될 수 있다. 테스트 신호들(52), 예를 들어, 전기 테스트 신호, 직류 테스트 신호, 교류 테스트 신호, 아날로그 테스트 신호, 디지털 테스트 신호, 및/또는 광학 테스트 신호를 포함하는 임의의 다양한 신호들을 포함하고 및/또는 그 임의의 다양한 신호일 수 있다. 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 양면 프로브 시스템(10)은 프로브 어셈블리(100)에 테스트 신호(52)를 제공하고 및/또는 프로브 어셈블리(100)로부터 결과 신호(54)를 수신하도록 구성된 신호 생성 및 분석 어셈블리(50)를 추가로 포함한다. 일부 예들에서, 신호 생성 및 분석 어셈블리(50)는 추가로 또는 대안적으로 DUT(들)(40)을 특성분석하는 것과 같이, 결과 신호(54)를 분석하도록 구성된다.

척(20)은 상기 기판의 양면 테스팅을 허용, 촉진, 및/또는 허락하는 임의의 다양한 방식으로 기판(30)을 작동적으로 지지하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기판(30)은 제2 기판 측면(34) 또는 제2 기판 측면(34)의 일 영역이 척(20)과 대면 및/또는 체결하도록(engage) 척(20)에 의해 작동적으로 지지될 수 있다. 이러한 예들에서, 제1 기판 측면(32)은 또한 상부 기판 측면으로 지칭될 수 있고, 및/또는 제2 기판 측면(34)은 또한 하부 기판 측면으로 지칭될 수 있다. 그러나, 이것은 필수는 아니며, 제1 기판 측(32)이 하부 기판 측면일 수 있고 및/또는 척(20)과 체결 및/또는 대면할 수 있고, 및/또는 제2 기판 측면(34)이 상부 기판 측면일 수 있는 것이 추가로 본 개시의 범위 내에 있다.

본 개시에 사용된 바와 같이, "상부(upper)", "위(above)", "위(over)", "하부(lower)", "아래(below)", "아래(underneath)" 등과 같은 위치 용어는 일반적으로 도 1에 도시된 Z-방향을 따른 것과 같이 수직 방향을 따른 상대 위치를 지칭한다. 예를 들어, 도 1은 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)가 기판(30) 아래에 포지셔닝된 구성을 개략적으로 예시하는 것으로 설명될 수 있다. 그러나 그러한 구조가 필수는 아니며, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140) 및/또는 프로브 어셈블리(100)의 임의의 다른 구성요소가 기판(30)에 대해 임의의 적절한 배향을 가질 수 있다는 것이 추가로 본 개시의 범위 내에 있다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 척(20)은 기판(30)의 주변 영역(36)을 따라서만 기판(30)과 접촉하도록 구성된다. 본 개시에서 사용되는 바와 같이, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기판(30)의 주변 영역(36)은, 프로브 어셈블리(100)에 접근 가능하고 및/또는 프로브 어셈블리(100)에 의해 테스트되는 기판(30)의 중심 영역(38)을 적어도 부분적으로 경계짓고, 둘러싸고, 밀폐하고, 및/또는 포함하는 제1 기판 측면(32) 및/또는 제2 기판 측면(34)과 같은 기판(30)의 임의의 적절한 영역을 지칭할 수 있다. 더 구체적으로, 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 척(20)은 기판(30)의 주변 영역(36)을 따라 제2 기판 측면(34)과 접촉하도록 구성된 척 지지 표면(22)을 포함한다. 척 지지 표면(22)은 기판(30)의 전체 둘레를 따라 기판(30)의 주변 영역(36)을 지지할 수 있거나, 기판(30)의 영역 및/또는 기판(30)의 복수의 이격된 영역을 따라 주변 영역(36)을 지지할 수 있다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 척(20)은 프로브 어셈블리(100)가 척 개방 영역(24)을 통해 제1 기판 측면(32) 또는 (도 1에 도시된 바와 같이) 제2 기판 측면을 테스트하기 위해 구성되도록 척 개방 영역(24)을 포함하고 및/또는 정의한다. 보다 구체적인 예로서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 척 지지 표면(22)은 프로브 어셈블리(100)가 척 개방 영역(24)을 통해 기판(30)의 제2 기판을 테스트하기 위해 구성되도록 척 개방 영역(24)을 적어도 부분적으로 경계짓고 및/또는 정의할 수 있다. 일부 예들에서, 척 개방 영역(24)은 개구, 갭, 채널, 및/또는 구멍이고, 이들을 포함하고, 및/또는 이러한 것들로 설명될 수 있다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 척(20)은 하나 이상의 척 벽(26), 및 척 벽(들)(26) 및/또는 척 지지 표면(22)에 의해 적어도 부분적으로 경계가 정해진 척 내부 체적(28)을 포함한다. 그러한 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 양면 프로브 시스템(10)의 작동 사용 동안 척 내부 체적(28) 내에 적어도 부분적으로 포지셔닝된다. 일부 예들에서, 척 벽(들)(26)은 척 지지 표면(22)을 포함하고, 지지하고, 및/또는 적어도 부분적으로 정의한다.

본 개시는 전반적으로 양면 프로브 시스템(10)이 기판(30)과 함께 작동적으로 활용되는 것, 예를 들어, 프로브 어셈블리(100)가 DUT(들)(40)를 테스트하기 위해 작동가능하도록 하는 것과 같은 예들에 관한 것이다. 다르게 말하면, 양면 프로브 시스템(10) 및/또는 프로브 어셈블리(100)는 프로브 어셈블리(100)가 DUT(들)(40)를 테스트하기 위해 작동가능하도록 척(20)이 기판(30)을 지지할 때 "작동 사용 중" 및/또는 "작동적으로 사용되는" 것으로 설명될 수 있다. 그러나, 그러한 예들은 제한적이지 않으며, 양면 프로브 시스템(10)이 항상 기판(30)과 함께 작동적으로 활용되는 것은 아니라는 것이 추가로 본 개시의 범위 내에 있다. 예를 들어, 본 개시는 전반적으로 열적 제어 시스템(150)이 기판(30)과 열적 소통을 하는 것으로서 설명하지만, 이러한 예들은 기판(30)이 양면 프로브 시스템(10)의 구성요소가 되는 것이 필수적이고 및/또는 기판(30)이 항상 양면 프로브 시스템(10)의 예들에 존재한다는 것을 암시하는 것으로서 의도되지는 않는다.

본 개시에 사용된 바와 같이, 제1 구성요소는, 열 에너지가 제1 구성요소와 제2 구성요소 사이에서 전달될 수 있도록 제1 구성요소 및 제2 구성요소가 포지셔닝되고, 배향되고, 및/또는 그렇지 않으면 상호적으로(mutually) 구성될 때 제2 구성요소와 열적 소통하는 것으로서 설명될 수 있다. 이 열 에너지는 제1 구성요소 및 제2 구성요소 중 다른 하나의 온도의 조절을 통해 제1 구성요소 및 제2 구성요소 중 하나의 온도의 선택적인 제어를 허용 및/또는 용이하게 하기에 충분한 양으로 전달될 수 있다. 이러한 방식으로, 제2 구성요소와 열적 소통하는 제1 구성요소의 온도를 제어 및/또는 조절하는 것은 따라서 제2 구성요소의 온도를 제어 및/또는 조절하도록 작동할 수 있다.

본 개시에 더 상세히 설명된 바와 같이, 본 개시에 따른 양면 프로브 시스템(10)은 일반적으로 열적 제어 시스템(150)이 척(20)과 구별되도록 구성된다. 구체적으로, 다양한 예들에서, 열적 제어 시스템(150)은 척(20)으로부터 이격되어 있고 및/또는 척(20)과 직접 및/또는 간접적으로 기계적 소통하지 않는다. 추가적으로 또는 대안적으로, 열적 제어 시스템의 적어도 일 영역은 척(20)에 대해 이동하고, 작동가능하게 병진이동하고 및/또는 작동가능하게 회전하도록 구성될 수 있다.

이러한 방식으로, 열적 제어 시스템(150)은 기판 온도를 조절하는 데 사용되는 열적으로 제어되는 척과 같은 척을 포함하는 종래 기술의 프로브 시스템과 구별된다. 이러한 종래 기술의 열적으로 제어되는 척은 일반적으로 상기 척에 의해 열적으로 조절될 상기 기판의 영역과의 근접 및/또는 직접적인 접촉을 필요로 하기 때문에, 이러한 구성은 일반적으로 본 개시에 설명된 바와 같은 상기 기판의 양면 테스팅에 적합하지 않다. 대조적으로, 그리고 본 개시에 더 상세히 설명된 바와 같이, 양면 프로브 시스템(10)의 열적 제어 시스템(150)을 척(20)으로부터 분리하는 것은 척(20)의 상기 기판의 양면 테스팅 동안 기판(30)의 정밀하고 정확한 온도 조절을 허용, 촉진 및/또는 허락할 수 있다.

본 개시에 따른 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는, 프로브 어셈블리(100)와 기판(30) 사이의 열적 소통을 설정하지 않고 및/또는 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 포함하지 않는 종래 기술의 프로브 시스템과 비교할 때, 더 큰 작동 범위, 더 미세한 정밀도, 및/또는 더 미세한 공간 분해능을 이용하여 상기 기판 온도의 제어를 허용, 촉진 및/또는 허용할 수 있다. 예로서, 양면 프로브 시스템(10)은, 기판(30)을 적어도 섭씨 60도, 적어도 섭씨 70도, 적어도 섭씨 80도, 적어도 섭씨 90도, 최대 섭씨 100도, 최대 섭씨 85도, 최대 섭씨 75도, 및/또는 최대 섭씨 65도인 최고 온도로 가져오도록 구성될 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, 양면 프로브 시스템(10)은 상기 기판의 테스트 영역에 걸쳐 타겟 온도 또는 원하는 온도와 상이하고 및/또는 상기 기판의 테스트된 영역에 걸쳐 최대 섭씨 5도, 최대 섭씨 3도, 최대 섭씨 2도, 최대 섭씨 1도, 및/또는 최대 섭씨 0.5도 만큼 상이한 온도에서 상기 기판 온도를 유지하도록 구성될 수 있다.

프로브 어셈블리(100) 및/또는 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 임의의 적절한 방식으로 DUT(40)를 테스트하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는 DUT(40)를 테스트하기 위한 하나 이상의 프로브(130)를 포함한다. 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 각각의 프로브(130)는 대응하는 DUT(40)에 테스트 신호(52)를 제공하고 및/또는 상기 대응하는 DUT로부터 결과 신호(54)를 수신하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 이러한 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100) 및/또는 이의 각각의 프로브(130)는 상기 기판을 테스트하기 위해 기판(30)의 하나 이상의 테스팅 위치(42)와 인터페이스하도록 구성될 수 있다. 이러한 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 각각의 DUT(40)는 적어도 하나의 대응하는 테스팅 위치(42)를 포함한다. 예를 들어, 각각의 테스팅 위치(42)는 접촉 패드, 솔더 범프(solder bump), 광학 커플러(optical coupler) 등 이고 및/또는 이들을 포함할 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, 그리고 본 개시에 더 자세히 설명된 바와 같이, 프로브(130)의 예는 프로브 어셈블리(100)의 하나 이상의 다른 프로브(130)에 의해 테스트되도록 구성된 하나 이상의 DUT(40) 및/또는 하나 이상의 테스팅 위치(42)를 포함할 수 있는 기판의 영역의 형태에서 대응하는 테스팅 위치(42)를 테스트하도록 구성될 수 있다.

각각의 프로브(130)는 DUT(40)를 테스트하기 위한 임의의 적절한 형태 및/또는 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 프로브(130)는 대응하는 DUT(40)의 솔더 범프 형태로 테스팅 위치(42)에 접촉하도록 구성될 수 있는 것과 같은 수직 프로브일 수 있다. 다른 예로서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브(130)는 대응하는 DUT(40)의 접촉 패드 형태로 테스팅 위치(42)와 접촉하도록 구성된 캔틸레버 프로브(cantilever probe)일 수 있다. 다른 예들에서, 적어도 하나의 프로브(130)는 DUT(40)의 비접촉 테스팅을 위해 구성될 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 프로브(130)는 광학적으로 및/또는 전자기적으로 DUT(40)의 비접촉 테스팅을 위한 테스팅 위치(42)에 커플링되도록 구성된 프로브와 같은 광학 프로브 및/또는 프로브 안테나일 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, 프로브(130)는 기판(30)으로부터 광을 수신함으로써 기판(30) 및/또는 DUT(40)의 비접촉 테스팅을 수행하여 기판(30) 및/또는 DUT(들)(40)의 과학 이미지를 생성하도록 구성될 수 있다. 이러한 예들에서, 프로브(130)에 의해 관찰 및/또는 이미징되는 기판(30) 및/또는 DUT(들)(40)의 영역은 테스팅 위치(42)로서 설명될 수 있다. 유사하게, 이러한 예들에서, 프로브(130)는 기판 및/또는 DUT(들)로부터 광(light)을 수신함으로써 상기 광학 이미지를 생성하는 테스팅 기판(30) 및/또는 DUT(들)(40)로서 설명될 수 있다.

일부 예들에서, 기판(30)의 테스팅 위치(들)(42)는 상기 기판 상의 각 테스팅 위치의 위치에 따라 특성분석될 수 있다. 예를 들어, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 각각의 테스팅 위치(42)는 제1 테스팅 위치 서브세트(44) 및/또는 제2 테스팅 위치 서브세트(46)의 일원(member)일 수 있다. 구체적으로, 이러한 예들에서, 및 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 제1 테스팅 위치 서브세트(44)의 각각의 테스팅 위치(42)는 제1 기판 측면(32) 상에 형성되고 및/또는 제1 기판 측면(32)을 통해 테스트되도록 구성되고, 제2 테스팅 위치 서브세트(46)의 각각의 테스팅 위치(42)는 제2 기판 측면(34) 상에 형성되고 및/또는 구성된다. 제2 기판 측면(34)을 통해 테스트되거나 동시에 테스트되도록 구성된다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 프로브 어셈블리(100)의 프로브(130)의 적어도 하나의 서브세트를 포함한다. 예를 들어, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 프로브 어셈블리의 프로브(130)는 제1 프로브 서브세트(132) 및/또는 제2 프로브 서브세트(134)를 포함하는 것으로서 설명될 수 있다. 구체적으로, 이러한 예들에서, 제1 프로브 서브세트(132)의 각각의 프로브(130)는, 예를 들어, 제1 테스팅 위치 서브세트(44)의 개별 테스팅 위치(42)와 인터페이스함으로써, 제1 기판 측면(32)을 통해 기판(30)의 하나 이상의 DUT(40)를 테스트하도록 작동가능하다. 유사하게, 이러한 예들에서, 제2 프로브 서브세트(134)의 각각의 프로브(130)는, 예를 들어, 제2 테스팅 위치 서브세트(46)의 개별 테스팅 위치(42)와 인터페이스함으로써, 제2 기판 측면(34)을 통해 기판(30)의 하나 이상의 DUT(40)를 테스트하도록 작동가능하다. 일부 이러한 예들에서, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 제2 프로브 서브세트(134)의 적어도 일부를 지지하고 및/또는 포함한다. 더 구체적으로, 일부 그러한 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, (열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)에 의해 지지되는 각각의 프로브와 같은) 제2 프로브 서브세트(134)의 적어도 일부는 양면 프로브 시스템(10)의 작동 사용 동안 열적 제어 시스템(150)과 기판(30) 사이에서 연장된다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)의 하나 이상의 프로브(130)는 열적으로 제어되는 프로브(144)로서 지칭될 수 있다. 예를 들어, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)의 각각의 프로브(130)는 열적으로 제어되는 프로브(144)로서 설명될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제2 프로브 서브세트(134)는 각각의 열적으로 제어되는 프로브(144)를 포함하고 및/또는 구성할 수 있다.

다양한 예들에서, 그리고 본 개시에 더 상세히 설명된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)의 하나 이상의 구성요소와 기판(30) 사이의 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및/또는 복사 열 전달을 통해 상기 기판 온도를 제어하도록 작동가능하다. 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 양면 프로브 시스템(10)의 작동 사용 동안 기판(30)으로부터 이격되도록 구성된 베이스 플레이트(142)를 포함하고, 각각의 열적으로 제어되는 프로브(144)는 베이스 플레이트(142)에 의해 작동적으로 지지된다. 이러한 일부 예들에서, 그리고 본 개시에 더 상세히 설명된 바와 같이, 베이스 플레이트(142)는 양면 프로브 시스템(10)의 작동 사용 동안 기판(30)과 열적 소통, 예를 들어, 기판(30)과 대류 열 소통 및/또는 복사 열 소통하도록 구성되고, 열적 제어 시스템(150)은 상기 기판 온도의 조절을 허용, 촉진 및/또는 허락하는 것과 같이, 상기 베이스 플레이트의 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 제어하도록 구성될 수 있다. 그러한 일부 예들에서, 상기 프로브 헤드 온도는 베이스 플레이트 온도이고 및/또는 그 베이스 플레이트 온도를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 일부 예들에서, 그리고 본 개시에 더 상세히 설명된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 베이스 플레이트(142)와 같이 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)의 온도의 적어도 일부 및/또는 영역의 온도의 선택적이고 동적인 제어를 통해 상기 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된다. 특히, 베이스 플레이트(142)는 베이스 플레이트(142) 및/또는 기판(30)의 온도 변화에 저항하기에 충분히 큰 열적 질량(thermal mass)을 가질 수 있다. 보다 구체적인 예들로서, 베이스 플레이트(142)는 열적으로 제어되는 프로브(들)(144)의 총 열적 질량에 대한 상기 베이스 플레이트의 열적 질량의 비율이 적어도 100, 적어도 1,000, 적어도 10,000, 적어도 100,000, 및/또는 적어도 1,000,000이 되도록 구성될 수 있다.

논의된 바와 같이, 다양한 예들에서, 프로브 어셈블리(100)는 양면 프로브 시스템(10)의 작동 사용 동안 제1 기판 측면(32) 및 제2 기판 측면(34) 각각에 접근하거나, 또는 동시에 접근하도록 구성된다. 예를 들어, 양면 프로브 시스템(10)은 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)의 각각의 열적으로 제어되는 프로브(144)가 제1 기판 측면(32) 및 제2 기판 측면(34) 중 하나와 직접 접촉 및/또는 열적 소통하도록 그리고 프로브 어셈블리(100)의 적어도 일부가 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 중 다른 쪽과 전기적 및/또는 광학적 소통을 하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 양면 프로브 시스템(10)의 다른 부분이 기판(30)의 반대측 상에 광학적 및/또는 전기적 측정을 수행하는 동안 상기 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성될 수 있다.

열적 제어 시스템(150)은 기판(30)에 열 에너지를 추가하고 및/또는 기판(30)으로부터 열 에너지를 제거하기 위한 모든 다양한 구조 및/또는 메커니즘을 포함할 수 있다. 일 예로서, 및 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 열 에너지를 생성하고 및/또는 상기 열 에너지를 기판(30)에 전달하도록 구성된 히터 플레이트(152)를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 및 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 히터 플레이트(152)는 양면 프로브 시스템(10)의 작동 사용 동안 기판(30)으로부터 이격되도록 구성된다. 일부 예들에서, 히터 플레이트(152)는 베이스 플레이트(142) 및/또는 기판(30)과 열적 소통하도록 구성된다. 이러한 예들에서, 열적 제어 시스템(150)은 히터 플레이트(152)의 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하여 상기 베이스 플레이트 온도 및/또는 상기 기판 온도를 선택적으로 및 동적으로 제어하도록 구성된다. 그러한 일부 예들에서, 상기 프로브 헤드 온도는 상기 히터 플레이트 온도일 수 있고 및/또는 그 온도를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 히터 플레이트(152)는 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및/또는 복사 열 전달을 통해 기판(30) 및/또는 DUT(40)를 가열하도록 구성될 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 히터 플레이트(152)는 적어도 부분적으로 전도성 열 전달을 통해 베이스 플레이트(142)를 가열하도록 구성될 수 있고, 상기 베이스 플레이트는 차례로 대류 및/또는 복사 열 전달을 통해 기판(30)을 가열하도록 구성될 수 있다. 히터 플레이트(152)는 전류에 의해 생성된 저항 가열을 통해서와 같은 임의의 적절한 방식으로 열 에너지를 생성하도록 구성될 수 있다. 히터 플레이트(152)의 보다 구체적인 예들은 저항성 히터 및/또는 복사 히터를 포함한다.

도 2 내지 도 5는 열적 제어 시스템(150)이 히터 플레이트(152)(도 3 내지 도 5에서 볼 수 있음)를 포함하는 프로브 어셈블리(100)의 일부의 덜 개략적인 예시이다. 특히, 도 2 내지 도 5의 예에서, 및 도 3 내지 도 5에서 나타나는 바와 같이, 히터 플레이트(152)는 베이스 플레이트(142) 아래에 포지셔닝되고 상기 베이스 플레이트와 직접 열적 접촉을 한다. 따라서, 이러한 예들에서, 히터 플레이트(152)는 상기 베이스 플레이트 온도를 적어도 부분적으로 제어하기 위해 적어도 부분적으로 전도성 열 전달을 통해 베이스 플레이트(142)를 가열하도록 구성될 수 있고, 상기 베이스 플레이트는 대류 열 전달 및/또는 복사 열 전달을 통해, 또는 적어도 실질적으로 대류 열 전달 및/또는 복사 열 전달을 통해 기판(30)을 가열할 수 있다(도 2 내지 도 5에 도시되지 않음). 도 2 내지 도 5의 예에서, 프로브 어셈블리(100)는 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)에 의해 지지되는 복수의 열적으로 제어되는 프로브(144)를 포함한다. 특히, 도 2 내지 도 5는 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)가 열적으로 제어되는 프로브(144)의 어레이를 지지하는 예를 예시하는 것으로서 설명될 수 있다.

다른 예로서, 및 도 1에 추가로 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 기판(30)으로부터 열 에너지를 추가 및/또는 제거하도록 구성된 펠티에 플레이트(Peltier plate)(154)를 포함할 수 있다. 이러한 예들에서, 및 도 1에 도시된 바와 같이, 펠티에 플레이트(154)는 양면 프로브 시스템(10)의 작동 사용 동안 기판(30)으로부터 이격되도록 구성된다. 일부 예들에서, 펠티에 플레이트(154)는 베이스 플레이트(142) 및/또는 기판(30)과 열적 소통하도록 구성된다. 이러한 예들에서, 열적 제어 시스템(150)은 상기 베이스 플레이트 온도 및/또는 상기 기판 온도를 선택적으로 및 동적으로 제어하기 위해 펠티에 플레이트(154)의 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하도록 구성된다. 그러한 일부 예들에서, 상기 프로브 헤드 온도는 상기 펠티에 플레이트 온도를 포함하고 및/또는 상기 펠티에 플레이트 온도일 수 있다. 이러한 일부 예들에서, 펠티에 플레이트(154)는 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및/또는 복사 열 전달을 통해 기판(30)에 열 에너지를 추가하고 및/또는 기판(30)으로부터 열 에너지를 제거할 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 펠티에 플레이트(154)는 적어도 부분적으로 전도성 열 전달을 통해 베이스 플레이트(142)에 열 에너지를 추가하고 및/또는 베이스 플레이트(142)로부터 열 에너지를 제거하도록 구성될 수 있고, 상기 베이스 플레이트는 차례로 대류 열 전달 및/또는 복사 열 전달을 통해 열 에너지를 기판(30)으로 추가하고 및/또는 기판(30)으로부터 열 에너지를 제거하도록 구성될 수 있다.

펠티에 플레이트(154)는 전류에 응답하는 열전 효과 및/또는 펠티에 효과와 같은 임의의 적절한 방식으로 열 에너지를 생성하고 및/또는 열 에너지를 제거하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 펠티에 플레이트(154)는 펠티에 플레이트가 가열된 영역과 냉각된 영역 사이에 온도 차이를 생성하도록 가열된 영역 및 냉각된 영역을 포함한다. 이러한 방식으로, 펠티에 플레이트(154)는 상기 기판 온도를 제어하기 위해 상기 프로브 헤드 온도 및/또는 상기 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 및 동적으로 증가 및/또는 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 펠티에 플레이트(154)는 상기 가열된 영역이 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140) 및/또는 베이스 플레이트(142)와 열적 소통할 때 상기 프로브 헤드 온도 및/또는 상기 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 증가시키는 데 사용될 수 있다. 이러한 예들에서, 상기 가열된 영역은, 예를 들어, 베이스 플레이트(142)를 통해, 기판(30)과 열적 소통하는 것으로서 설명될 수 있다. 대안적으로, 펠티에 플레이트(154)는 상기 냉각된 영역이 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140) 및/또는 베이스 플레이트(142)와 열적 소통할 때 상기 프로브 헤드 온도 및/또는 상기 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 감소시키는 데 사용될 수 있다. 이러한 예들에서, 상기 냉각된 영역은, 예를 들어, 베이스 플레이트(142)를 통해 기판(30)과 열적 소통하는 것으로서 설명될 수 있다. 일부 이러한 예들에서, 상기 가열된 영역은 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)로부터 열 에너지를 분산시키도록 구성된 방열판(heat sink)이고 및/또는 이를 포함한다.

도 6 및 도 7은 열적 제어 시스템(150)이 펠티에 플레이트(154)를 포함하는 프로브 어셈블리(100)의 일부의 덜 개략적인 예시이다. 특히, 도 6 및 도 7에서, 펠티에 플레이트(154)는 베이스 플레이트(142) 아래에 포지셔닝되고 상기 베이스 플레이트와 직접 열적 접촉한다. 따라서, 그러한 예들에서, 펠티에 플레이트(154)는 상기 베이스 플레이트 온도를 적어도 부분적으로 제어하기 위해 적어도 부분적으로 전도성 열 전달을 통해 베이스 플레이트(142)를 가열하도록 구성될 수 있고, 상기 베이스 플레이트는 대류 열 전달 및/또는 복사 열 전달을 통해 기판(30)을 가열할 수 있다(도 6 및 도 7에 도시되지 않음).

또 다른 예로서, 그리고 도 1에 추가로 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 열적 유체(158)를 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140), 베이스 플레이트(142), 및/또는 기판(30)을 향해 및/또는 이들에게로 전달하도록 구성된 유체 도관(fluid conduit)(156)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 이러한 예들에서, 유체 도관(156)은 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140), 베이스 플레이트(142) 및/또는 기판(30)과 열적 소통하는 열적 유체(158)를 전달하도록 구성된다. 일부 예들에서, 열적 유체(158)는 베이스 플레이트(142)와 기판(30) 사이의 대류 열 소통과 같은 열적 소통을 촉진 및/또는 향상시키도록 작동할 수 있다. 예를 들어, 열적 제어 시스템(150)이 베이스 플레이트(142)와 열적 소통하는 히터 플레이트(152) 및/또는 펠티에 플레이트(154)를 포함하는 예에서, 열적 유체(158)는 열적 제어 시스템(150)이 상기 기판 온도를 (상기 베이스 플레이트와 같은) 타겟 온도로 더 신속하게 및/또는 더 정확하게 가져오도록 베이스 플레이트(142)와 기판(30) 사이의 열적 소통을 촉진할 수 있다. 그러한 예들에서, 열적 유체(158)는 또한 히터 플레이트(152)와 기판(30) 사이, 및/또는 펠티에 플레이트(154)와 기판(30) 사이의 대류 열 전달을 촉진하는 것으로서 설명될 수 있다.

추가적으로 또는 대안적으로, 열적 제어 시스템(150)은 상기 프로브 헤드 온도 및/또는 상기 기판 온도를 선택적으로 및 동적으로 제어하는 것을 용이하게 하기 위해 유체 도관(156)을 통한 열적 유체(158)의 열적 유체 온도 및/또는 열적 유체(158)의 열적 유체 유량을 선택적으로 변경하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 제어된 열적 유체 온도 및/또는 제어된 열적 유체 유량에서 유체 도관(156)에 열적 유체(158)를 공급하도록 구성된 열적 유체 공급원(160)을 추가로 포함한다. 열적 유체(158)는 열 에너지를 전달하도록 작동가능한 다양한 유체들이고 및/또는 이를 포함할 수 있으며, 그 예들은 가스, 가압 가스, 공기, 질소, 불활성 가스(noble gas), 및/또는 아르곤을 포함한다.

도 8 및 도 9는 열적 제어 시스템(150)이 유체 도관(156)을 포함하는 프로브 어셈블리(100)의 일부의 덜 개략적인 예시이다. 특히, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 유체 도관(156)은 상기 열적 유체 온도 및/또는 상기 열적 유체 유량의 선택적인 변경을 통해 상기 베이스 플레이트 온도를 적어도 부분적으로 제어하기 위해 상기 열적 유체(158)가 베이스 플레이트(142) 상으로 직접 흐르도록 포지셔닝된다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 양면 프로브 시스템(10) 및/또는 열적 제어 시스템(150)의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 프로그래밍된 컨트롤러(180)를 포함한다. 더 구체적으로, 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 컨트롤러(180)는 열적 제어 시스템(150)의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 신호(182)를 생성하도록 프로그래밍된다. 이러한 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 컨트롤러(180)는 열적 제어 신호(182)를 히터 플레이트(152), 펠티에 플레이트(154), 및/또는 열적 유체 공급원(160)으로 전송하도록 프로그래밍될 수 있다. 보다 구체적인 예들로서, 컨트롤러(180)는 열적 제어 신호(182)를 사용하여 상기 히터 플레이트 온도, 상기 펠티에 플레이트 온도, 상기 열적 유체 온도, 및/또는 열적 유체 유량를 적어도 부분적으로 제어하도록 프로그래밍될 수 있다.

컨트롤러(180)는 본 개시에 논의된 상기 컨트롤러의 기능들을 수행하도록 프로그래밍되고 및/또는 구성된 모든 적절한 디바이스 또는 디바이스들일 수 있고 및/또는 그들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러(180)는 전자 컨트롤러, 전용 컨트롤러, 특수 목적 컨트롤러, 개인용 컴퓨터, 특수 목적 컴퓨터, 디스플레이 디바이스, 로직 디바이스, 메모리 디바이스, 및/또는 본 개시에 따른 시스템 및/또는 방법의 측면들을 구현하기 위한 컴퓨터 실행가능 명령을 저장하기에 적합한 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체를 갖는 메모리 디바이스 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

일부 예들에서, 컨트롤러(180)는 양면 프로브 시스템(10) 및/또는 기판(30)의 구성요소의 측정된 온도에 적어도 부분적으로 기초하여 열적 제어 신호(182)를 생성하도록 프로그래밍된다. 일부 그러한 예들에서, 및 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적 제어 시스템(150)은 하나 이상의 온도 센서(170)를 포함하고, 이들 각각은 양면 프로브 시스템(10) 및/또는 기판(30)의 적어도 일부 및/또는 영역의 개별 프로브 시스템 온도를 측정하도록 구성된다. 예들로서, 온도 센서(들)(170)는 각각의 개별 프로브 시스템 온도가 상기 기판 온도, 상기 프로브 헤드 온도, 상기 베이스 플레이트 온도, 상기 히터 플레이트 온도, 상기 펠티에 플레이트 온도 및/또는 상기 열적 유체 온도이고 및/또는 이들을 포함하도록 구성 및/또는 포지셔닝될 수 있다. 이러한 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 각각의 온도 센서(170)는 상기 개별 프로브 시스템 온도를 나타내는 개별 온도 신호(172)를 생성하고 전송하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 일부 이러한 예들에서, 각각의 온도 센서(170)는 상기 개별 온도 신호(172)를 컨트롤러(180)에 전송하도록 구성되고, 상기 컨트롤러는 하나 이상의 온도 센서의 상기 개별 온도 신호(172)에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 열적 제어 신호를 생성하도록 프로그래밍된다. 각각의 온도 센서(170)는 상기 개별 프로브 시스템 온도를 측정하기 위해 작동가능한 다양한 장치 중 임의의 것이고 및/또는 이를 포함할 수 있으며, 그 예들로는 온도계, 열전대, 써미스터, 적외선 온도 센서, 접촉 온도 센서, 및 비접촉 온도 센서를 포함한다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 양면 프로브 시스템(10)은 양면 프로브 시스템(10), 프로브 어셈블리(100), 및/또는 열적 제어시스템(150)의 구성요소를 전기적으로 상호 연결하도록 구성된 하나 이상의 전기 전도체(112)를 포함한다. 일부 그러한 예들에서, 전기 전도체(112)는 히터 플레이트(152) 및/또는 펠티에 플레이트(154)와 같은 열적 제어 시스템(150)의 하나 이상의 구성요소에 전력을 제공하도록 구성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 및 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 전기 전도체(112)는 온도 센서(들)(170)로부터의 온도 신호(들)(172)를 컨트롤러(180)에 전달하도록 구성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 그리고 도 1에 추가로 개략적으로 도시된 바와 같이, 전기 전도체(112)는 컨트롤러(180)로부터의 열적 제어 신호(182)를, 히터 플레이트(152), 펠티에 플레이트(154), 및/또는 열적 유체 공급원(160)과 같은 열적 제어 시스템(150)의 하나 이상의 구성요소로 전달하도록 구성될 수 있다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는 양면 프로브 시스템(10) 및/또는 기판(30)의 적어도 일부 및/또는 영역의 광학 이미지를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 이미징 장치(imaging device)(190)를 포함한다. 예들로서, 각각의 이미징 장치(190)는 제1 기판 측면(32), 제1 기판 측면(32)과 접촉하는 프로브 어셈블리(100)의 일부, 제2 기판 측면(34), 및/또는 제2 기판 측면(34)과 접촉하는 프로브 어셈블리(100)의 일부의 광학 이미지를 생성하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 이미징 장치(190)는 그의 대응하는 DUT(40) 및/또는 대응하는 테스팅 위치(42)와 각 프로브(130)의 정렬을 용이하게 하도록 구성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 이미징 장치(190)는 상기 DUT(들)의 성능을 평가 및/또는 특성화하기 위해 기판(30) 및/또는 DUT(40)에 의해 방출된 전자기 방사선 및/또는 광을 수집하도록 구성될 수 있다. 따라서, 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 예시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)의 프로브(들)(130)는 이미징 장치(190)를 포함할 수 있다. 다르게 말하면, 일부 예들에서, 각각의 이미징 장치(190)는 상기 이미징 장치의 시야 내에 있는 양면 프로브 시스템(10) 및/또는 기판(30)의 영역의 형태로 적어도 하나의 대응하는 테스팅 위치(42)로부터 광을 수신하도록 구성된다. 이러한 예들에서, 각각의 이미징 장치(190)는 상기 대응하는 테스팅 위치(42)로부터 방출되는 전자기 방사선 및/또는 광의 형태로 결과 신호(54)를 수신하도록 구성되는 것으로서 설명될 수 있다.

본 개시에서 사용된 바와 같이, 프로브(130)(및/또는 이의 일부)와 대응하는 DUT(40)(및/또는 이의 일부)의 상대적 배향을 설명하는 데 사용된 바와 같이, 용어 "정렬(alignment)" 또는 "정렬된(aligned)"은, 일반적으로 상기 프로브가 대응하는 DUT와 적어도 실질적으로 수직으로 정렬되고, 상기 대응하는 DUT와 적어도 실질적으로 수평으로 정렬되고, 상기 대응하는 DUT의 대응하는 테스팅 위치(42)와 적어도 실질적으로 정렬되고, 및/또는 상기 대응하는 프로브(130)가 상기 대응하는 테스팅 위치에 접촉하도록 포지셔닝된 구성을 지칭한다.

본 개시에 사용된 바와 같이, "수평(horizontal)", "수직(vertical)" 등과 같은 방향성 용어들은 일반적으로 기판(30)이 지면에 대해 적어도 실질적으로 평행하게 연장되고 각각의 프로브(130)가 상기 기판의 수직으로 위 또는 수직으로 아래에 포지셔닝되는 구성을 지칭한다. 예를 들어, 도 1은 기판(30)이 수평 방향으로 연장되는 구성을 개략적으로 예시하는 것으로 설명될 수 있다. 그러나, 이러한 구성들은 필수적이지 않으며, 양면 프로브 시스템(10)의 구성요소가 지면에 대해 임의의 적절한 배향을 가질 수 있다는 것이 추가로 본 개시의 범위 내에 있다.

일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)의 적어도 하나의 이미징 장치(190)는 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치(192)이고, 및/또는 이를 포함할 수 있다. 구체적으로, 그러한 예들에서, 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치(192)는 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)의 적어도 일부 및/또는 영역의 광학 이미지를 생성하도록 구성된다. 이러한 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치(192)는 제2 기판 측면(34)과 인터페이스하도록 구성된 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)의 일부의 광학 이미지를 생성하도록 구성된다. 추가로 또는 대안적으로, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)의 적어도 하나의 이미징 장치(190)는 제1 기판 측면(32), 하나 이상의 DUT(40), 하나 이상의 테스팅 위치(42)와 같은 기판(30)의 적어도 일부 및/또는 영역의 광학 이미지를 생성하도록 구성된 기판 이미징 장치(194)일 수 있고, 및/또는 이를 포함할 수 있다.

열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치(192) 및/또는 기판 이미징 장치(194)와 같은 각각의 이미징 장치(190)는 도 1에 도시된 Z 방향에 적어도 실질적으로 평행한 방향과 같은 임의의 적절한 방향을 따라 광학 이미지를 생성하기 위한 광을 수신하도록 구성될 수 있다. 각각의 이미징 장치(190)는 프로브 어셈블리(100) 및/또는 기판(30)의 하나 이상의 광학 이미지를 생성하도록 조정되고, 구성되고, 설계되고, 및/또는 구축된 다양한 구조 및/또는 장치일 수 있고, 및/또는 이를 포함할 수 있다. 예들로서, 각각의 이미징 장치(190)는 하나 이상의 현미경, 접안경을 포함하는 현미경, 접안경을 포함하지 않는 현미경, 카메라, 전하 결합 장치, 이미징 센서, 고체 상태 이미징 장치, C-MOS 이미징 장치, 및/또는 렌즈일 수 있고, 및/또는 이들을 포함할 수 있다.

열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)는 임의의 적절한 구조 및/또는 메커니즘을 통해 척(20) 및/또는 기판(30)에 대해 작동적으로 지지될 수 있다. 일부 예들에서, 도 1에 개략적으로 예시되고 도 2 내지 도 9에 덜 개략적으로 예시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는 척(20)(도 1에 도시됨)에 대해 및/또는 기판(30)(도 1에 도시됨)에 대해 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 작동적으로 지지하는 지지 암(support arm)(110)을 포함한다. 지지 암(110)은 제1 기판 측면(32) 및 제2 기판 측면(34) 각각에 적어도 실질적으로 평행한 방향과 같은 임의의 적절한 방향을 따라 연장될 수 있다. 이러한 예들에서, 지지 암(110)은 적어도 실질적으로 수평으로 연장되는 것으로서 설명될 수 있다. 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 지지 암(110)은 척 내부 체적(28)의 외부와 같은 척(20)의 외부에서 적어도 부분적으로 연장된다.

일부 예들에서, 지지 암(110)은 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)에 추가하여 프로브 어셈블리(100) 및/또는 열적 제어 시스템(150)의 하나 이상의 구성요소를 지지한다. 일 예로서, 도 1에 개략적으로 도시되고 도 2에 덜 개략적으로 도시된 바와 같이, 지지 암(110)은 척(20)(도 1에 도시됨) 및/또는 기판(30)(도 1에 도시됨)에 대해 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치(192)를 지지할 수 있다. 일부 그러한 예들에서, 도 1에 개략적으로 도시되고 도 3 및 도 5에 덜 개략적으로 도시된 바와 같이, 지지 암(110)은 베이스 플레이트(142)로부터 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치(192)로와 같이 상기 지지 암을 통해 광이 이동할 수 있게 하는 지지 암 개구(114)를 포함한다. 이러한 방식으로, 이러한 예들에서, 지지 암 개구는(114) 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치(192)가 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드에 대해 지지 암(110)의 반대측에 포지셔닝된 프로브 어셈블리(100) 및/또는 기판(30)의 일부를 관찰할 수 있도록, 및/또는 광학적으로 접근할 수 있도록 하는 것으로서 설명될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 지지 암(110)은 전기 전도체(들)(112)를 적어도 부분적으로 지지한다.

일부 예들에서, 도 1에 추가로 개략적으로 도시되고 도 2에 덜 개략적으로 도시된 바와 같이, 프로브 어셈블리(100)는 척(20)(도 1에 도시됨) 및/또는 기판(30)(도 1에 도시됨)에 대해 지지 암(110)을 작동적으로 지지하는 포지셔너 스테이지(positioner stage)(120)를 포함한다. 특히, 이러한 일부 예들에서, 그리고 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 지지 암(110)은 포지셔너 스테이지(120)에 작동가능하게 커플링되고 포지셔너 스테이지(120)로부터 멀어지게 연장된다. 이러한 일부 예들에서, 및 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 포지셔너 스테이지(120)는 척(20) 및/또는 척 내부 체적(28)의 적어도 부분적으로 외부에 포지셔닝되고, 지지 암(110)은 포지셔너 스테이지(120)로부터 멀리 상기 척 내부 체적으로 연장된다.

이러한 예들에서, 포지셔너 스테이지(120)는 척(20) 및/또는 기판(30)에 대해 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 선택적으로 포지셔닝하기 위해 척(20)에 대해 및/또는 기판(30)에 대해 지지 암(110)을 선택적으로 이동시키도록 구성된다. 포지셔너 스테이지(120)는 척(20) 및/또는 기판(30)에 대해 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 선택적으로 병진이동 및/또는 선택적으로 회전시키는 것과 같은 다양한 방식으로 지지 암(110) 및/또는 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 이동시키도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 포지셔너 스테이지(120)는 프로브 작동 범위에 걸쳐 각각의 열적으로 제어되는 프로브(144)를 작동적으로 병진 이동시키는 데 이용될 수 있고, 이에 의해 척(20), 기판(30), 및/또는 DUT(40)에 대해 각각의 열적으로 제어되는 프로브(144)를 작동적으로 병진이동시킨다.

일부 예들에서, 포지셔너 스테이지(120)는, 예를 들어, 상기 열적으로 제어되는 프로브와 상기 DUT 사이의 소통을 허용하기 위해, 기판(30) 및/또는 DUT(40)에 대하여 및/또는 기판(30) 및/또는 DUT(40) 상에, 특정 위치들, 타겟 위치들, 및/또는 원하는 위치들과 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브(144)를 작동적으로 정렬하는 데 사용될 수 있다. 포지셔너 스테이지(120)는 척(20) 및/또는 기판(30)에 대해 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 도 1에 예시된 X-방향, Y-방향, 및/또는 Z-방향과 같은 복수의 상이한, 분리된, 별개의, 수직 및/또는 직교 방향들 중 임의의 방향으로 선택적으로 병진 이동하도록 구성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 포지셔너 스테이지(120)는 도 1에 예시된 X-방향, Y-방향, 및/또는 Z-방향과 같은 복수의 상이한, 분리된, 별개의, 수직 및/또는 직교 방향들 중 임의의 방향에 관하여 척(20)및/또는 기판(30)에 대해 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 선택적으로 회전시키도록 구성될 수 있다. 도 1의 예에서, X-방향 및 Y-방향은 척 지지 표면(22), 제1 기판 표면(32), 및/또는 제2 기판 표면(34)에 평행하거나, 적어도 실질적으로 평행할 수 있는 반면, Z-방향은 척 지지 표면(22), 제1 기판 표면(32), 및/또는 제2 기판 표면(34)에 수직이거나, 적어도 실질적으로 수직일 수 있다. 그러나, 이러한 특정 구성이 필수는 아니다.

포지셔너 스테이지(120)는, 도 1의 X-축, Y-축, 및 Z-축과 같이 3개의 직교, 또는 적어도 실질적으로 직교하는 축들로 연장될 수 있는 것과 같은, 지지 암(110)을 통해서와 같이 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 작동적으로 지지할 수 있고 및/또는 상기 프로브의 이동 범위에 걸쳐 각각의 열적으로 제어되는 프로브(144)를 작동적으로 병진 이동하도록 구성될 수 있는 임의의 다양한 구조이고, 및/또는 이를 포함할 수 있다. 예들로서, 포지셔너 스테이지(120)는 하나 이상의 변환 단계, 리드 나사, 볼 나사, 랙 및 피니언 어셈블리, 모터, 스테퍼 모터, 전기 액추에이터, 기계식 액추에이터, 압전 액추에이터, 마이크로미터, 및/또는 수동 액추에이터를 포함할 수 있다. 포지셔너 스테이지(120)는 수동으로 작동되는 스테이지 및/또는 자동화된, 또는 전기적으로 작동되는 스테이지일 수 있다. 일부 예들에서, 포지셔너 스테이지(120)는 지지 암(110)을 포함하는 것으로서 설명될 수 있다.

도 10은 본 개시에 따른, 본 개시에 기재된 양면 프로브 시스템(10)과 같은 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법(200)을 도시하는 흐름도이다. 구체적으로, 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 방법(200)은 210에서 상기 양면 프로브 시스템의 열적 제어 시스템을 이용하는 하나 이상의 DUT를 포함하는 기판의 기판 온도를 조절하는 단계를 포함한다. 방법(200)과 조합하여 이용될 수 있는 기판, DUT, 및/또는 열적 제어 시스템의 예들은, 각각, 기판(30), DUT(40), 및/또는 열적 제어 시스템(150)을 참조하여 본 개시에서 설명된다.

210에서의 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 양면 프로브 시스템(10)을 참조하여 본 개시에 설명된 다양한 구성요소 중 임의의 것을 이용하여 수행될 수 있다. 예들로서, 그리고 도 10에 나타낸 바와 같이, 210에서의 상기 기판 온도를 조절하는 단계는, 212에서 베이스 플레이트의 베이스 플레이트 온도를 조절하는 것; 214에서 히터 플레이트의 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것; 216에서 펠티에 플레이트의 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것; 218에서 열적 유체의 열적 유체 온도를 선택적으로 변경하는 것; 및/또는 220에서 상기 열적 유체의 열적 유체 유량을 선택적으로 변경하는 것을 포함할 수 있다. 방법(200)과 조합하여 이용될 수 있는 베이스 플레이트, 히터 플레이트, 펠티에 플레이트, 및/또는 열적 유체의 예들이 베이스 플레이트(142), 히터 플레이트(152), 펠티에 플레이트(154) 및/또는 열적 유체(158) 각각을 참조하여 본 개시에 설명된다.

일부 예들에서, 그리고 열적 제어 시스템(150)을 참조하여 본 개시에 설명된 바와 같이, 상기 베이스 플레이트는 상기 히터 플레이트, 상기 펠티에 플레이트, 및/또는 상기 열적 유체와 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및/또는 복사 열 전달과 같은 열적 소통 상태에 있다. 그러한 예들에서, 상기 히터 플레이트, 상기 펠티에 플레이트, 및/또는 상기 열적 유체는 상기 베이스 플레이트를 가열 및/또는 냉각함으로써 적어도 부분적으로 상기 기판 온도를 조절하는 것으로서 설명될 수 있다. 따라서, 그러한 일부 예들에서, 212에서 상기 베이스 플레이트 온도를 조절하는 것은 214에서 상기 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것, 216에서 상기 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것, 218에서 상기 열적 유체 온도를 선택적으로 변경하는 것, 및/또는 220에서 상기 열적 유체 유량을 선택적으로 변경하는 것을 포함하는 것으로서 설명될 수 있다.

일부 예들에서, 210에서 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 상기 기판 온도를 타겟 온도로 만드는 것 및/또는 상기 기판 온도를 타겟 온도에서 또는 타겟 온도 근처에서 유지하는 것을 포함한다. 일부 그러한 예들에서, 그리고 도 10에 나타낸 바와 같이, 210에서 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 222에서 하나 이상의 온도 센서 각각을 이용하여 상기 양면 프로브 시스템의 적어도 일부 및/또는 영역의 개별 프로브 시스템 온도를 측정하는 것을 포함한다. 방법(200)과 함께 사용될 수 있는 온도 센서의 예들은 온도 센서(170)를 참조하여 본 개시에 설명된다. 이러한 예들에서, 상기 프로브 시스템 온도는 상기 양면 프로브 시스템 및/또는 상기 기판의 임의의 적절한 구성요소의 온도를 포함할 수 있고, 및/또는 그 온도일 수 있고, 그 예들은 본 개시에 논의된 상기 히터 플레이트 온도, 상기 펠티에 플레이트 온도, 상기 열적 유체 온도, 상기 베이스 플레이트 온도, 및/또는 상기 기판 온도를 포함한다.

일부 예들에서, 및 도 10에 도시된 바와 같이, 210에서 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 224에서 각각의 온도 센서를 사용하여 [본 개시에 설명된 컨트롤러(180)와 같은] 상기 양면 프로브 시스템의 컨트롤러로 개별 온도 신호[본 개시에 설명된 바와 같은 온도 신호(172)와 같은]를 전송하는 것을 추가로 포함한다. 이러한 예들에서, 및 도 10에 나타난 바와 같이, 210에서 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 본 개시에 기재된 바와 같이 226에서 상기 컨트롤러를 사용하여 상기 프로브 시스템 온도를 상기 타겟 온도와 비교하는 것 및 228에서 상기 컨트롤러를 사용하여 열적 제어 신호(182)와 같은 열적 제어 신호를 생성하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 이러한 예들에서, 및 도 10에 추가로 도시된 바와 같이, 210에서 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 230에서 상기 컨트롤러를 사용하여 상기 열적 제어 신호를 본 개시에 설명된 상기 히터 플레이트, 상기 펠티에 플레이트, 및/또는 열적 유체 공급원(160)과 같은 열적 유체 공급원과 같은 상기 열적 제어 시스템의 다른 구성요소로 전송하는 것을 추가로 포함할 수 있다.

일부 예들에서, 228에서 상기 열적 제어 신호를 생성하는 것은 226에서 상기 프로브 시스템 온도를 상기 타겟 온도와 비교하는 것에 적어도 부분적으로 기초한다. 예를 들어, 226에서 상기 프로브 시스템 온도를 상기 타겟 온도와 비교하는 것이 상기 프로브 시스템 온도가 상기 타겟 온도보다 낮다는 것의 표시로서 나타나는 경우, 228에서 상기 열적 제어 신호를 생성하는 것은 상기 열적 제어 시스템을 사용하여 상기 프로브 시스템 온도를 증가시키도록 작동하는 열적 제어 신호를 생성하는 것을 포함할 수 있다. 일부 더 특정한 예들에서, 228에서 상기 열적 제어 신호를 생성하는 것은 상기 프로브 시스템 온도 및 상기 타겟 온도에 기초한 상기 열적 제어 신호를 생성하기 위해 비례-적분-미분(PID, proportional-integral-derivative) 피드백 루프와 같은 피드백 루틴을 활용하는 것을 포함할 수 있다.

일부 예들에서, 그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 방법(200)은 250에서 상기 양면 프로브 시스템의 프로브 어셈블리를 사용하여 상기 기판의 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계를 추가로 포함한다. 보다 구체적으로, 이러한 일부 예들에서, 250에서 상기 DUT(들)를 테스트하는 단계는 210에서 상기 기판 온도를 조절하는 단계와 동시에 수행된다. 방법(200)과 함께 사용될 수 있는 프로브 어셈블리의 예들은 프로브 어셈블리(100)를 참조하여 본 개시에 설명된다.

일부 예들에서, 및 도 10에 나타난 바와 같이, 250에서 상기 DUT를 테스트하는 단계는 252에서 제1 프로브 서브세트를 사용하여 상기 DUT의 적어도 하나의 서브세트를 테스트하는 것 및 254에서 제2 프로브 서브세트를 사용하여 상기 DUT의 적어도 하나의 서브세트를 테스트하는 것을 포함한다. 제1 프로브 서브세트 및 제2 프로브 서브세트의 예들은 각각 제1 프로브 서브세트(132) 및 제2 프로브 서브세트(134)를 참조하여 본 개시에서 설명된다. 그러한 일부 예들에서, 252에서 상기 제1 프로브 서브세트를 사용하여 테스트하는 것 및 254에서 제2 프로브 서브세트를 사용하여 테스트하는 것은 동시에 수행되거나 및/또는 상기 기판이 척(20)과 같은 척에 대해 적어도 실질적으로 고정되어 유지되는 동안 수행된다.

일부 예들에서, 그리고 본 개시에서 논의된 바와 같이, 254에서 제2 프로브 서브세트를 사용하여 테스트하는 것은 [본 개시에 설명된 제2 기판 측면(34)과 같은] 제2 기판 측면을 통해 하나 이상의 DUT에 [본 개시에 설명된 테스트 신호(52)와 같은] 테스트 신호를 제공하기 위해 상기 제2 프로브 서브세트를 활용하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 일부 예들에서, 252에서 상기 제1 프로브 서브세트를 사용하여 테스트하는 것은 [본 개시에 설명된 제1 기판 측면(32)과 같은] 제1 기판 측면을 통해 하나 이상의 DUT로부터 [본 개시에 설명된 결과 신호(54)와 같은] 결과 신호를 수신하기 위해 상기 제1 프로브 서브세트를 활용하는 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 254에서 상기 제2 프로브 서브세트를 사용하여 테스트하는 것은 전기 신호의 형태로 상기 테스트 신호를 제공하는 것을 포함할 수 있고, 252에서 상기 제1 프로브 서브세트를 사용하여 테스트하는 것은 본 개시에 기재된 바와 같은 이미징 장치(190) 및/또는 기판 이미징 장치(194)와 같은 이미징 장치와 같이, 광학 신호의 형태로 상기 결과 신호를 수신하는 것을 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 250에서 상기 DUT를 테스트하는 단계는 256에서 상기 테스트 신호를 생성하는 것; 258에서 결과 신호를 수신하는 것; 및/또는 260에서 결과 신호를 분석하는 것을 포함할 수 있다. 그러한 예들에서, 256에서 상기 테스트 신호를 생성하는 것; 258에서 결과 신호를 수신하는 것; 및/또는 260에서 결과 신호를 분석하는 것 각각은 신호 생성 및 분석 어셈블리를 이용하여 수행될 수 있다. 방법(200)과 함께 이용될 수 있는 신호 생성 및 분석 어셈블리의 예들은 신호 생성 및 분석 어셈블리(50)를 참조하여 본 개시에서 설명된다.

일부 예들에서, 250에서 상기 DUT를 테스트하는 단계는 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브와 같은 하나 이상의 프로브를 이용하여 적어도 부분적으로 수행된다. 방법(200)과 함께 이용될 수 있는 프로브 및/또는 열적으로 제어되는 프로브의 예들은 프로브(130) 및/또는 열적으로 제어되는 프로브(144)를 참조하여 각각 본 개시에 설명된다. 이러한 일부 예들에서, 그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 방법(200)은 250에서 상기 DUT(들)를 테스트하는 단계 전에, 240에서 상기 하나 이상의 프로브 및/또는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 개별 테스팅 위치에 정렬하는 단계를 추가로 포함한다. 240에서 상기 프로브(들)를 정렬하는 단계는 임의의 다양한 방식 및 임의의 다양한 메커니즘으로 수행될 수 있다. 일부 예들에서, 그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 240에서 상기 프로브(들)를 정렬하는 단계는 242에서 포지셔너 스테이지를 이용하여 상기 기판에 대해 하나 이상의 프로브를 포함하는 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 포지셔닝하는 것을 포함한다. 추가적으로 또는 대안적으로, 그러한 일부 예들에서, 그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 240에서 상기 프로브(들)를 정렬하는 단계는 244에서 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치를 사용하여 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부 및/또는 영역의 광학 이미지를 생성하는 것을 포함한다. 보다 구체적으로, 이러한 예들에서, 244에서 상기 광학 이미지를 생성하는 것은 상기 프로브(들)와 상기 테스팅 위치(들) 사이의 정렬을 설정 및/또는 확인하기 위해 상기 기판, 상기 DUT(들), 및/또는 상기 테스팅 위치(들)에 대한 상기 프로브(들)의 위치 및/또는 배향을 결정하기 위한 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치를 활용하는 것을 포함할 수 있다. 방법(200)과 함께 이용될 수 있는 테스팅 위치, 포지셔너 스테이지, 및/또는 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 예들은 각각 테스팅 위치(42), 포지셔너 스테이지(120), 및/또는 열적으로 제어되는 프로브 헤드(140)를 참조하여 본 개시에 설명된다.

본 개시에서 사용되는 바와 같이, 제1 개체(entity)와 제2 개체 사이에 위치하는 용어 "및/또는"은, (1) 제1 개체, (2) 제2 개체, 및 (3) 제1 개체 및 제2 개체 중 하나를 의미한다. "및/또는"으로 나열된 여러 개체들은 동일한 방식으로 해석되어야 하고, 즉, 그렇게 결합된 개체들 중 "하나 또는 그 이상"이다. 구체적으로 식별된 개체들과 관련이 있든 또는 무관하든, "및/또는" 절에 의해 구체적으로 식별된 개체들 외에 다른 개체들이 선택적으로 존재할 수 있다. 따라서, 비제한적인 예로서, "포함하는(comprising)"과 같이 개방형(open-ended) 언어와 함께 사용될 때 "A 및/또는 B"에 대한 언급은, 일 구현예에서, A만(선택적으로 B 외의 개체들을 포함); 다른 구현예에서, B만(선택적으로 A 외의 개체들을 포함); 또 다른 구현예에서, A 및 B 둘 다(선택적으로 다른 개체들을 포함)를 지칭할 수 있다. 이러한 개체들은 요소들, 동작들, 구조들, 단계들, 작동들, 값들 등을 가리킬 수 있다.

본 개시에서 사용된 바와 같이, 하나 또는 그 이상의 개체들의 목록과 관련하여 "적어도 하나"라는 문구는 개체들의 목록에 있는 임의의 하나 또는 그 이상의 개체로부터 선택된 적어도 하나의 개체를 의미하는 것으로 이해되어야 하지만, 개체들의 목록 내에 구체적으로 나열된 각각의 그리고 하나 하나의(each and every) 개체의 적어도 하나를 반드시 포함하는 것은 아니고 개체들의 목록의 개체들의 임의의 조합들을 배제하는 것도 아니다. 이 정의는 또한, 구체적으로 식별된 개체들과 관련이 있든 또는 무관하든, "적어도 하나"라는 문구가 지시하는 개체들의 목록 내에 구체적으로 식별된 개체들 외에 다른 개체들이 선택적으로 존재할 수 있다는 것을 허용한다. 따라서, 비제한적인 예로서, "A 및 B 중 적어도 하나"(또는, 균등적으로, "A 또는 B 중 적어도 하나", 또는, 균등적으로, "A 및/또는 B 중 적어도 하나")는, 일 구현예에서, B가 존재하지 않고(선택적으로 B 이외의 개체들을 포함) 적어도 하나의, 선택적으로 하나 초과의 A를 포함하는 것; 다른 구현예에서, A가 존재하지 않고(선택적으로 A 이외의 개체들을 포함) 적어도 하나의, 선택적으로 하나 초과의 B를 포함하는 것; 또 다른 구현예에서, 적어도 하나의, 선택적으로 하나 초과의 A를 포함하고, 적어도 하나의, 선택적으로 하나 초과의 B를 포함하는(선택적으로 다른 개체들을 포함) 것을 지칭할 수 있다. 즉, "적어도 하나", "하나 또는 그 이상", 및 "및/또는"이라는 문구들은 사용시 접속적이고(conjunctive) 동시에 이접적인(disjunctive) 개방형 표현들이다. 예를 들어, "A, B, 및 C 중 적어도 하나", "A, B, 또는 C 중 적어도 하나", "A, B, 및 C 중 하나 또는 둘 이상", "A, B, 또는 C 중 하나 또는 둘 이상" 및 "A, B, 및/또는 C"라는 표현들의 각각은, A 단독, B 단독, C 단독, A와 B 함께, A와 C 함께, B와 C 함께, A, B 및 C 함께, 그리고 선택적으로 적어도 하나의 다른 개체와 조합한 상기 중 임의의 것을 의미할 수 있다.

본 개시에서 사용된 바와 같이, "적어도 실질적으로(at least substantially)"라는 문구는, 정도 또는 관계를 수식할 때, 상기 언급된 "실질적인" 정도 또는 관계 뿐만 아니라, 언급된 정도 또는 관계의 전체 범위도 포함할 수 있다. 언급된 정도 또는 관계의 실질적인 양은 언급된 정도 또는 관계의 적어도 75%를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 방향에 적어도 실질적으로 평행한 제1 방향은 상기 제2 방향에 대해 22.5°의 각도 편차 내에 있는 제1 방향을 포함하고 또한 제2 방향과 동일한 제1 방향을 포함한다.

임의의 특허들, 특허 출원들, 또는 기타 참고문헌들이 본 개시에 참조로서 통합되고 본 개시의 비통합된 부분 또는 나머지 통합된 참고문헌들의 임의의 것과 (1) 일치하지 않는 방식으로 용어를 정의하고/거나 (2) 그와는 달리 일치하지 않는 경우, 본 개시의 비통합된 부분이 통제(control)할 것이고, 그 용어 또는 그에 통합된 개시는, 그 용어가 정의되고/거나 그 통합된 개시가 원래 존재했던 참고문헌에 대해서만 통제할 것이다.

본 개시에서 사용되는 바와 같이 "조정되는(adapted)" 및 "구성되는(configured)"이라는 용어들은, 요소, 구성요소, 또는 기타 주제(subject matter)가 주어진 기능을 수행하도록 설계 및/또는 의도된 것을 의미한다. 따라서, "조정되는" 및 "구성되는"이라는 용어들의 사용은, 주어진 요소, 구성요소, 또는 기타 소재가 단순히 주어진 기능을 수행 "할 수 있는(capable of)"이 아니라, 요소, 구성요소, 및/또는 기타 주제가 기능을 수행하기 위한 목적을 위해 구체적으로 선택, 생성, 구현, 활용, 프로그래밍, 및/또는 설계된다는 것을 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 특정 기능을 수행하도록 조정된 것으로 언급된 요소들, 구성요소들, 및/또는 기타 언급된 주제가 추가적으로 또는 대안적으로 그 기능을 수행하도록 구성되는 것으로 설명될 수 있고, 그 반대의 경우도 마찬가지라는 것이 본 개시의 범위 내에 있다.

본 개시에서 사용된 바와 같이, 용어 "선택적(selective)" 및 "선택적으로(selectively)"는 동작, 이동, 구성, 또는 장치의 하나 또는 그 이상의 구성 요소들 또는 특성들의 기타 활동을 수식할 때, 특정 동작, 이동, 구성, 또는 기타 활동이, 본 개시에 설명된 바와 같이, 하나 또는 그 이상의 동적 프로세스의 직접 또는 간접적 결과임을 의미한다. 따라서 "선택적" 및 "선택적으로"라는 용어는 장치의 일 측면, 또는 장치의 하나 이상의 구성요소에 대한 사용자 조작의 직접적 또는 간접적 결과인 활동을 특징화하거나, 또는 본 개시에 개시된 메커니즘을 통해서와 같이, 자동적으로 발생하는 프로세스를 특징화할 수 있다.

본 개시에서 사용된 바와 같이, "예를 들어"라는 문구, "예로서"라는 문구, 및/또는 단순히 "예(example)"라는 용어는, 본 개시에 따른 하나 또는 그 이상의 구성요소들, 특징들, 세부사항들, 구조들, 및/또는 구현예들을 참조하여 사용될 때, 설명된 구성요소, 특징, 세부사항, 구조, 및/또는 구현예가 본 개시에 따른 구성요소들, 특징들, 세부사항들, 구조들, 및/또는 구현예들의 예시적이고 비배타적인 예라는 것을 전달하도록 의도된다. 따라서, 설명된 구성요소, 특징, 세부사항, 구조, 및/또는 구현예는 제한적, 필수적(required), 또는 배타적(exclusive)/완전한(exhaustive) 것으로 의도되지 않고; 구조적으로 및/또는 기능적으로 유사하고/거나 균등한 구성요소들, 특징들, 세부사항들, 구조들, 및/또는 구현예들을 포함하는 다른 구성요소들, 특징들, 세부사항들, 구조들, 및/또는 구현예들 또한 본 개시의 범위 내에 있다.

본 개시에서, 예시적이고 비배타적인 몇몇 예들은, 방법들이 일련의 블록들 또는 단계들로서 도시되고 설명되는 흐름도 또는 흐름 차트의 맥락에서 논의 및/또는 제시되었다. 첨부된 설명에서 구체적으로 설명되지 않는 한, 블록들의 순서가 다른 순서로, 동시에, 및/또는 반복적으로 발생하는 블록들(또는 단계들) 중 둘 또는 그 이상을 포함하는 흐름도에서 예시된 순서와 다를 수 있다는 것이 본 개시의 범위 내에 있다. 블록들 또는 단계들이 로직(logic)으로서 구현될 수 있고, 이는 또한 블록들 또는 단계들을 로직들로서 구현하는 것으로서 설명될 수 있는 것이 본 개시의 범위 내에 있다. 일부 응용에서, 블록들 또는 단계들은 기능적으로 균등한 회로 또는 기타 로직 디바이스에 의해 수행될 표현들 및/또는 동작들을 나타낼 수 있다. 그러나 예시된 블록들은 컴퓨터, 프로세서, 및/또는 기타 로직 디바이스가 응답하고, 동작을 수행하고, 상태를 변경하고, 출력 또는 디스플레이를 생성하고, 및/또는 결정을 내리도록 하는 실행 가능한 지시들을 나타내기 위해 필수적인 것은 아니다.

본 개시에 개시된 장치 및 시스템의 다양한 개시된 요소들 및 방법들의 단계들은 본 개시에 따른 모든 장치, 시스템, 및 방법에 필수적이지 않으며, 본 개시는 본 개시에 개시된 다양한 요소들 및 단계들의 모든 신규하고 자명하지 않은 조합들 및 하위 조합들을 포함한다. 더욱이, 본 개시에 개시된 다양한 요소들 및 단계들 중 하나 이상은 개시된 장치, 시스템, 또는 방법의 전체로부터 분리되고 별개인 독립적이고 독창적인 주제를 정의할 수 있다. 따라서, 그러한 독창적인 주제는 본 개시에 명시적으로 개시된 특정 장치들, 시스템들, 및 방법들과 연관될 필요가 없으며 그러한 독창적인 주제는 본 개시에 명시적으로 개시되지 않은 장치들, 시스템들, 및/또는 방법들에서 유용성을 찾을 수 있다.

본 개시에 따른 양면 프로브 시스템의 예시적이고 비배타적인 예들이 하기 열거된 단락들에 제시된다.

A1. 하기를 포함하는, 온도 제어식, 양면 프로브 시스템:

기판의 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT, device under test)를 테스트하도록 구성된 프로브 어셈블리로서, 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 동안 상기 기판의 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 시스템을 포함하는, 상기 프로브 어셈블리; 및

상기 기판을 지지하도록 구성된 척(chuck)으로서, 상기 기판이 상기 척에 의해 작동적으로 지지되는 동안, 상기 프로브 어셈블리가 상기 기판의 제1 기판 측면 및 상기 제1 기판 측면과 대향하는 상기 기판의 제2 기판 측면 각각에 접근할 수 있도록 상기 기판을 지지하도록 구성된, 상기 척.

A2. 단락 A1에 있어서, 상기 척은 상기 프로브 어셈블리가 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 각각을 테스트하기 위해 작동가능하도록 상기 기판을 지지하도록 구성된, 양면 프로브 시스템.

A3. 단락 A1 또는 A2에 있어서, 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안, 상기 프로브 어셈블리는 하기 중 하나 또는 둘 다로 구성되는, 양면 프로브 시스템:

(i) 테스트 신호를 상기 제1 기판 측면과 상기 제2 기판 측면 중 하나 또는 둘 모두에 전송함; 및

(ii) 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 중 하나 또는 둘 모두로부터 결과 신호를 수신함.

A4. 단락 A3에 있어서, 상기 결과 신호는 상기 테스트 신호에 적어도 부분적으로 기초하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A5. 단락 A3 또는 A4에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 상기 테스트 신호를 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 중 하나로 전송하도록 구성되고; 상기 프로브 어셈블리는 상기 제1 기판 측 및 상기 제2 기판 측면 중 다른 하나로부터 상기 결과 신호를 수신하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A6. 단락 A1 내지 A5 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 프로브 어셈블리가 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 각각과 동시에 접근하고 및 인터페이스하는 것 중 하나 또는 둘 다 하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A7. 단락 A1 내지 A6 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 전기적 연결을 통해 선택적으로 전기 신호를 제공함으로써 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 중 하나를 테스트하도록 구성되고; 상기 프로브 어셈블리는 광학 측정을 통해, 선택적으로 광학 신호를 수신하고, 및 선택적으로 상기 전기적 신호에 대응하는 광학 신호를 수신함으로써 상기 제1 기판 측면과 상기 제2 기판 측면 중 다른 하나를 테스트하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A8. 단락 A1 내지 A7 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 척은 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판의 주변 영역을 따라서만 상기 기판과 접촉하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A9. 단락 A1 내지 단락 A8 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 척은 상기 기판의 제2 기판 측면, 선택적으로 상기 제2 기판 측면의 주변 영역과 접촉하여, 상기 기판을 지지하도록 구성된 척 지지 표면을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A10. 단락 A1 내지 A9 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 척은 척 개방 영역(chuck open region)을 포함하고; 상기 프로브 어셈블리는 상기 척 개방 영역을 통해 상기 제1 기판 측면 또는 상기 제2 기판 측면 중 하나를 테스트하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A11. 단락 A10에 있어서, 상기 척 지지 표면은 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 프로브 어셈블리가 상기 척 개방 영역을 통해 상기 기판의 상기 제2 기판 측면을 테스트하도록 구성되도록, 상기 척 개방 영역을 적어도 부분적으로 경계짓는 것인, 양면 프로브 시스템.

A12. 단락 A10 또는 A11에 있어서, 상기 척 개방 영역은 선택적으로 개구(aperture), 갭, 채널, 및 구멍 중 하나 이상이고, 이들을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A13. 단락 A1 내지 A12 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템이 상기 척으로부터 이격되어 있는 것인, 양면 프로브 시스템.

A14. 단락 A1 내지 A13 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템이 상기 척과 직접 기계적으로 소통(communication)하지 않는 것인, 양면 프로브 시스템.

A15. 단락 A1 내지 A14 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템이 상기 척과 간접적으로 기계적으로 소통하지 않는 것인, 양면 프로브 시스템.

A16. 단락 A1 내지 A15 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 하나 이상의 DUT 중 적어도 하나의 DUT를 테스트하도록 구성된 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 포함하고; 선택적으로 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 열적으로 제어되는 시스템의 적어도 일부를 포함하고; 선택적으로 상기 열적 제어 시스템은 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드가 상기 하나 이상의 DUT 중 적어도 하나의 DUT를 테스트하는 동안 상기 기판 온도 및 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부 및/또는 영역의 프로브 헤드 온도 중 하나 또는 둘 다를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A17. 단락 A1 내지 A16 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 양면 프로브 시스템은 상기 기판을 적어도 섭씨 60도, 적어도 섭씨 70도, 적어도 섭씨 80도, 적어도 섭씨 90도, 최대 섭씨 100도, 최대 섭씨 85도, 최대 섭씨 75도, 최대 섭씨 65도 중 하나 이상인 최고 온도로 가져오도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A18. 단락 A1 내지 A17 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 양면 프로브 시스템은 타겟 온도 또는 원하는 온도와 최대 섭씨 5도, 최대 섭씨 3도, 최대 섭씨 2도, 최대 섭씨 1도, 최대 섭씨 0.5도 중 하나 이상 만큼 상이한 온도에서 상기 기판 온도를 유지하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A19. 단락 A1 내지 A18 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 척은 하나 이상의 척 벽, 및 상기 하나 이상의 척 벽 및 척 지지 표면 중 하나 또는 둘 다에 의해 적어도 부분적으로 경계가 정해진 척 내부 체적을 포함하고; 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 척 내부 체적 내에 적어도 부분적으로 포지셔닝되는 것인, 양면 프로브 시스템.

A20. 단락 A1 내지 A19 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 프로브 어셈블리가 상기 기판의 하나 이상의 테스팅 위치와 인터페이스하도록 구성되고, 선택적으로 상기 하나 이상의 테스팅 위치는 복수의 테스팅 위치들이고; 상기 하나 이상의 DUT의 각각의 DUT는 상기 하나 이상의 테스팅 위치의 적어도 하나의 대응하는 테스팅 위치를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A21. 단락 A20에 있어서, 상기 하나 이상의 테스팅 위치가 하기 중 하나 또는 둘 다를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템:

(i) 제1 테스팅 위치 서브세트로서, 상기 제1 테스팅 위치 서브세트의 각각의 테스팅 위치는 상기 제1 기판 측면에 형성되고 상기 제1 기판 측면을 통해 테스트되도록 구성된 것 중 하나 또는 둘 다인, 상기 제1 테스팅 위치 서브세트; 및

(ii) 제2 테스팅 위치 서브세트로서, 상기 제2 테스팅 위치 서브세트의 각각의 테스팅 위치는 상기 제2 기판 측면에 형성되고 상기 제2 기판 측면을 통해 테스트되도록 구성된 것 중 하나 또는 둘 다인, 상기 제2 테스팅 위치 서브세트.

A22. 단락 A1 내지 A21 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 프로브 어셈블리가 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하기 위한 하나 이상의 프로브를 포함하고; 선택적으로, 상기 하나 이상의 프로브 중 적어도 하나의 프로브는 상기 하나 이상의 DUT의 대응하는 DUT에 포함된 하나 이상의 테스팅 위치의 개별 테스팅 위치와 인터페이스하도록 구성되고; 선택적으로, 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 하나 이상의 프로브의 적어도 하나의 서브세트를 포함하고; 선택적으로, 상기 하나 이상의 프로브는 복수의 프로브인 것인, 양면 프로브 시스템.

A23. 단락 A22에 있어서, 상기 하나 이상의 프로브의 각각의 프로브는 다음 중 하나 또는 둘 다로 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템:

(i) 상기 대응하는 DUT에 테스트 신호를 제공하고; 및

(ii) 상기 대응하는 DUT로부터 결과 신호를 수신함.

A24. 단락 A22 또는 A23에 있어서, 상기 하나 이상의 프로브가 다음 중 하나 또는 둘 다를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템:

(i) 제1 프로브 서브세트로서, 상기 제1 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 상기 제1 기판 측면을 통해 상기 하나 이상의 DUT의 적어도 하나의 서브세트를 테스트하도록 작동가능하고; 선택적으로, 상기 제1 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 제1 테스팅 위치 서브세트의 개별 테스팅 위치와 인터페이스하도록 구성된 것인, 상기 제1 프로브 서브세트; 및

(ii) 제2 프로브 서브세트로서, 상기 제2 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 상기 제2 기판 측면을 통해 상기 하나 이상의 DUT의 적어도 하나의 서브세트를 테스트하도록 작동가능하고; 선택적으로, 상기 제2 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 제2 테스팅 위치 서브세트의 개별 테스팅 위치와 인터페이스하도록 구성된것인, 상기 제2 프로브 서브세트.

A25. 단락 A24에 있어서, 단락 A16에 종속되는 경우, 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 제2 프로브 서브세트의 적어도 일부를 포함하고; 선택적으로, 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 제2 프로브 서브세트의 각각의 프로브를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A26. 단락 A24 또는 A25에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 제2 프로브 서브세트의 적어도 일부가 상기 열적 제어 시스템과 상기 기판 사이에서 연장되도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A27. 단락 A22 내지 A26 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 하나 이상의 프로브 중 적어도 하나의 프로브는 솔더 범프(solder bump)의 형태로 상기 개별 테스팅 위치와 접촉하도록 구성된 수직 프로브를 포함하고, 선택적으로는 상기 수직 프로브인 것인, 양면 프로브 시스템.

A28. 단락 A22 내지 A27 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 하나 이상의 프로브 중 적어도 하나의 프로브는 접촉 패드의 형태로 상기 개별 테스팅 위치와 접촉하도록 구성된 캔틸레버(cantilever) 프로브를 포함하고, 선택적으로는 상기 캔틸레버 프로브인 것인, 양면 프로브 시스템.

A29. 단락 A22 내지 A28 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 하나 이상의 프로브 중 적어도 하나의 프로브는 광학 커플러(optical coupler)의 형태로 상기 개별 테스팅 위치와 광학적으로 및/또는 전자기적으로 커플링되도록 구성된 광학 프로브를 포함하고, 선택적으로는 상기 광학 프로브인 것인, 양면 프로브 시스템.

A30. 단락 A22 내지 A29 중 어느 한 단락에 있어서, 단락 A16에 종속되는 경우, 상기 하나 이상의 프로브는 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 포함하고, 선택적으로는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브이고;

다음 중 하나 또는 둘 다인 것인, 양면 프로브 시스템:

(i) 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 포함하고;

(ii) 상기 제2 프로브 서브세트는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 포함하고, 선택적으로는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브임.

A31. 단락 A30에 있어서, 상기 양면 프로브 시스템은 상기 프로브 어셈블리의 작동 사용 동안,

(i) 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브가 상기 제1 기판 측면 및 상기 2 기판 측면 중 하나와 직접 접촉 및 열적 소통 중 하나 또는 둘 다 하고;

(ii) 상기 프로브 어셈블리의 적어도 일부는 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 중 다른 하나와 전기적 소통 및 광 소통 중 하나 또는 둘 다 하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A32. 단락 A30 또는 A31에 있어서, 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 기판에 대해 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 작동적으로 지지하는 베이스 플레이트를 더 포함하고; 상기 베이스 플레이트는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되도록 구성되 것인, 양면 프로브 시스템.

A33. 단락 A32에 있어서, 상기 베이스 플레이트는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판과 열적 소통하도록 구성되고; 상기 열적 제어 시스템은 상기 베이스 플레이트의 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 제어하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A34. 단락 A32 또는 A33에 있어서, 상기 베이스 플레이트는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브의 총 열적 질량(thermal mass)보다 큰 열적 질량을 가지며, 선택적으로 상기 베이스 플레이트의 열적 질량과 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브의 총 열적 질량의 비율은 적어도 100, 적어도 1,000, 적어도 10,000, 적어도 100,000, 및 적어도 1,000,000 중 하나 이상인 것인, 양면 프로브 시스템.

A35. 단락 A1 내지 A34 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템이 히터 플레이트를 포함하고; 상기 히터 플레이트는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되도록 구성되고; 상기 히터 플레이트는 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드, 상기 베이스 플레이트, 및 상기 기판 중 하나 이상과 열적 소통하고; 상기 열적 제어 시스템은 상기 베이스 플레이트 온도 및 상기 기판 온도 중 하나 또는 둘 다를 선택적으로 제어하기 위해 상기 히터 플레이트의 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.

A36. 단락 A35에 있어서, 상기 히터 플레이트는 저항성 히터(resistive heater) 및 복사 히터(radiative heater) 중 하나 이상을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A37. 단락 A35 또는 A36에 있어서, 상기 히터 플레이트는 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및 복사 열 전달 중 하나 이상을 통해 상기 기판을 가열하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A38. 단락 A1 내지 A37 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 펠티에 플레이트(Peltier plate)를 포함하고; 상기 펠티에 플레이트는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되도록 구성되고; 상기 펠티에 플레이트는 열적으로 상기 제어되는 프로브 헤드, 상기 베이스 플레이트, 및 상기 기판 중 하나 이상과 열적 소통하고; 상기 열적 제어 시스템은 상기 베이스 플레이트 온도 및 상기 기판 온도 중 하나 또는 둘 다를 선택적으로 제어하기 위해 상기 펠티에 플레이트의 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A39. 단락 A38에 있어서, 상기 펠티에 플레이트는,

(i) 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및 복사 열 전달 중 하나 이상을 통해 상기 기판에 열 에너지를 추가하고;

(ii) 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및 복사 열 전달 중 하나 이상을 통해 상기 기판으로부터 열 에너지를 제거하는 것

중 하나 또는 둘 다로 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A40. 단락 A38 또는 A39에 있어서, 상기 펠티에 플레이트는 가열된 영역 및 냉각된 영역을 포함하고, 상기 펠티에 플레이트는 상기 가열된 영역과 상기 냉각된 영역 사이에 온도 차를 생성하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템 .

A41. 단락 A40에 있어서, 상기 가열된 영역 또는 상기 냉각된 영역 중 하나는 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드, 상기 베이스 플레이트, 및 상기 기판 중 하나 이상과 열적 소통하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A42. 단락 A40 또는 A41에 있어서,

(i) 상기 가열된 영역은 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및 복사 열 전달 중 하나 이상을 통해 상기 기판을 가열하도록 구성된 것이고;

(ii) 상기 냉각된 영역은 전도성 열 전달, 대류 열 전달, 및 복사 열 전달 중 하나 이상을 통해 상기 기판을 냉각하도록 구성된 것

중 하나인 것인, 양면 프로브 시스템.

A43. 단락 A1 내지 A42 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 열적 유체가 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드, 상기 베이스 플레이트, 및 상기 기판 중 하나 이상과 열적 소통하도록 구성되는 유체 도관을 포함하고; 상기 열적 제어 시스템은 상기 베이스 플레이트 온도 및 상기 기판 온도 중 하나 또는 둘 다를 선택적으로 제어하기 위해 상기 열적 유체의 열적 유체 온도 및 상기 열적 유체의 열적 유체 유량 중 하나 또는 둘 다를 선택적으로 변경하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A44. 단락 A43에 있어서, 상기 유체 도관은 상기 열적 유체가 상기 기판과 하기 중 하나 이상 사이의 대류 열 전달을 촉진하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템:

(i) 히터 플레이트;

(ii) 펠티에 플레이트; 및

(iii) 베이스 플레이트.

A45. 단락 A43 또는 A44에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 열적 유체를 제어된 열적 유체 온도 및 제어된 열적 유체 유량 중 하나 또는 둘 다에서 상기 유체 도관에 공급하도록 구성된 열적 유체 공급원을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A46. 단락 A43 내지 A45 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 유체는 기체, 가압 기체, 공기, 질소, 비활성 기체, 및 아르곤 중 하나 이상을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A47. 단락 A1 내지 A46 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 양면 프로브 시스템 및 상기 열적 제어 시스템 중 하나 또는 둘 다의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 프로그래밍된 컨트롤러를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A48. 단락 A47에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 열적 제어 시스템의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 신호를 생성하도록 프로그래밍되고, 선택적으로 상기 컨트롤러는 상기 열적 제어 신호를 상기 히터 플레이트, 상기 펠티에 플레이트, 및 상기 열적 유체 공급원 중 하나 이상으로 전송하도록 프로그래밍된 것인, 양면 프로브 시스템.

A49. 단락 A47 또는 A48에 있어서, 상기 컨트롤러는, 선택적으로 상기 열적 제어 신호를 통해, 상기 히터 플레이트의 히터 플레이트 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 프로그래밍된 것인, 양면 프로브 시스템.

A50. 단락 A47 내지 A49 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 컨트롤러는, 선택적으로 상기 열적 제어 신호를 통해, 상기 펠티에 플레이트의 펠티에 플레이트 온도 를 적어도 부분적으로 제어하도록 프로그래밍된 것인, 양면 프로브 시스템.

A51. 단락 A47 내지 A50 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 컨트롤러는 하기 중 하나 또는 둘 다를 적어도 부분적으로 제어하도록 프로그래밍된 것인, 양면 프로브 시스템:

(i) 선택적으로 상기 열적 제어 신호를 통한, 상기 열적 유체의 열적 유체 온도; 및

(ii) 선택적으로 상기 열적 제어 신호를 통한, 상기 열적 유체의 열적 유량.

A52. 단락 A1 내지 A51 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 열적 제어 시스템이 하나 이상의 온도 센서를 포함하고; 상기 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서는 상기 양면 프로브 시스템 및 상기 기판 중 하나 또는 둘 다의 적어도 일부 및/또는 영역의 개별 프로브 시스템 온도를 측정하고 및 상기 개별 프로브 시스템 온도를 나타내는 개별 온도 신호를 생성하고 전송하도록 구성된 것이며; 선택적으로, 상기 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서는 상기 개별 온도 신호를 상기 컨트롤러로 전송하도록 구성되고; 선택적으로 상기 개별 프로브 시스템 온도는 상기 기판 온도, 상기 프로브 헤드 온도, 상기 베이스 플레이트 온도, 상기 히터 플레이트 온도, 상기 펠티에 플레이트 온도, 및 상기 열적 유체 온도 중 하나 이상을 포함하고, 선택적으로 상기 온도들인 것인, 양면 프로브 시스템.

A53. 단락 A52에 있어서, 상기 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서는 온도계, 열전대, 써미스터, 적외선 온도 센서, 접촉 온도 센서, 및 비접촉 온도 센서 중 하나 이상을 포함하고, 선택적으로 온도계, 열전대, 써미스터, 적외선 온도 센서, 접촉 온도 센서, 및 비접촉 온도 센서 중 하나 이상인 것인, 양면 프로브 시스템.

A54. 단락 A52 또는 A53에 있어서, 상기 개별 프로브 시스템 온도는 상기 기판 온도 및 상기 베이스 플레이트 온도 중 하나인 것인, 양면 프로브 시스템.

A55. 단락 A52 내지 A54 중 어느 한 단락에 있어서, 단락 A47에 종속되는 경우, 상기 컨트롤러는 상기 하나 이상의 온도 센서의 적어도 하나의 온도 센서의 상기 개별 온도 신호에 적어도 부분적으로 기초하는 상기 열적 제어 신호를 생성하도록 프로그래밍된 것인, 양면 프로브 시스템.

A56. 단락 A1 내지 A55 중 어느 한 단락에 있어서, 하기 중 하나 이상으로 구성된 하나 이상의 전기 전도체를 더 포함하는, 양면 프로브 시스템:

(i) 상기 열적 제어 시스템의 하나 이상의 구성요소에 전력을 제공하고;

(ii) 상기 하나 이상의 온도 센서로부터의 상기 개별 온도 신호를 상기 컨트롤러로 전달하고;

(iii) 상기 컨트롤러로부터의 상기 열적 제어 신호를 상기 열적 제어 시스템의 하나 이상의 구성요소로 전달함.

A57. 단락 A1 내지 A56 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는

(i) 상기 양면 프로브 시스템의 적어도 일부 및/또는 영역; 및

(ii) 상기 기판의 적어도 일부 및/또는 영역

중 하나 또는 둘 다의 광학 이미지를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 이미징 장치를 포함하고,

선택적으로 상기 하나 이상의 프로브는 상기 적어도 하나의 이미징 장치를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A58. 단락 A57에 있어서, 단락 A16에 종속되는 경우, 상기 적어도 하나의 이미징 장치는, 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부 및/또는 영역, 선택적으로 상기 제2 기판 측면과 인터페이스하도록 구성된 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부 및/또는 영역의 광학 이미지를 생성하도록 구성된 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치를 포함하고, 선택적으로는 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치인 것인, 양면 프로브 시스템.

A59. 단락 A57 또는 A58에 있어서, 상기 적어도 하나의 이미징 장치는 상기 기판의 적어도 일부 및/또는 영역; 선택적으로 상기 제1 기판 측면의 적어도 일부 및/또는 영역; 및 선택적으로 상기 하나 이상의 DUT의 적어도 일부 및/또는 영역의 광학 이미지를 생성하도록 구성된 기판 이미징 장치를 포함하고, 선택적으로는 상기 기판 이미징 장치인 것인, 양면 프로브 시스템.

A60. 단락 A1 내지 A59 중 어느 한 단락에 있어서, 단락 A16에 종속되는 경우, 상기 프로브 어셈블리는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 척 및 상기 기판 중 하나 또는 둘 다에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 작동적으로 지지하는 지지 암(support arm)을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A61. 단락 A60에 있어서, 상기 지지 암은 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 척 및 상기 기판 중 하나 또는 둘 다에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치를 작동적으로 지지하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A62. 단락 A60 또는 A61에 있어서, 상기 지지 암은 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 각각에 적어도 실질적으로 평행한 방향을 따라 연장하는 것인, 양면 프로브 시스템 .

A63. 단락 A60 내지 A62 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 지지 암은 적어도 부분적으로 상기 척의 외부로, 선택적으로는 상기 척 내부 체적의 외부로 연장되는 것인, 양면 프로브 시스템.

A64. 단락 A60 내지 A63 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 지지 암이 상기 유체 도관의 적어도 일부를 작동적으로 지지하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A65. 단락 A60 내지 A64 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 지지 암이 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치의 적어도 일부를 지지하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A66. 단락 A60 내지 A65 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 지지 암이 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치와 상기 베이스 플레이트 사이에 포지셔닝되고; 상기 지지 암은 광(light)이 상기 베이스 플레이트로부터 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치로 이동하는 것을 허용하는 지지 암 개구(aperture) 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A67. 단락 A60 내지 A66 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 지지 암이 상기 하나 이상의 전기 전도체의 적어도 일부를 지지하는 것인, 양면 프로브 시스템.

A68. 단락 A60 내지 A67 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 프로브 어셈블리가 상기 지지 암을 작동적으로 지지하는 포지셔너 스테이지(positioner stage)를 더 포함하고; 상기 지지 암은 상기 포지셔너 스테이지에 작동가능하게 커플링되고 상기 포지셔너 스테이지로부터 멀어지는 방향으로 연장되고; 상기 포지셔너 스테이지는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 선택적으로 포지셔닝하기 위해 상기 척에 대해 상기 지지 암을 선택적으로 이동하도록 구성된 것인, 양면 프로브 시스템.

A69. 단락 A68에 있어서, 상기 포지셔너 스테이지는 상기 척 및/또는 상기 척 내부 체적 중 하나 또는 둘 다의 적어도 부분적으로 외부에 포지셔닝되는 것인, 양면 프로브 시스템.

A70. 단락 A69에 있어서, 상기 지지 암은 상기 포지셔너 스테이지로부터 멀어지고 상기 척 내부 체적 내로 연장되는 것인, 양면 프로브 시스템.

A71. 단락 A68 내지 A70 중 어느 한 단락에 있어서, 단락 A16에 종속되는 경우, 상기 포지셔너 스테이지가 하기 중 하나 또는 둘 다로 구성된 것인, 양면 프로브 시스템:

(i) 상기 척에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 선택적으로 병진이동시키고;

(ii) 상기 척에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 선택적으로 회전시킴.

A72. 단락 A1 내지 A71 중 어느 한 단락에 있어서, 하기 중 하나 이상으로 구성된 신호 생성 및 분석 어셈블리를 더 포함하는, 양면 프로브 시스템:

(i) 상기 프로브 어셈블리에 테스트 신호를 제공하고;

(ii) 상기 프로브 어셈블리로부터 결과 신호를 수신하고;

(iii) 상기 결과 신호를 분석함.

B1. 단락 A1 내지 A72 중 어느 하나의 적절한 구조를 포함하는 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법으로서, 하기를 포함하는, 방법:

상기 열적 제어 시스템을 사용하여 상기 기판 온도를 조절하는 단계.

C1. 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법으로서, 하기를 포함하는, 방법:

상기 양면 프로브 시스템의 프로브 어셈블리의 열적 제어 시스템을 사용하여 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT)를 포함하는 기판의 기판 온도를 조절하는 단계.

C2. 단락 C1에 있어서, 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 하기 중 하나 이상을 포함하는 것인, 방법:

(i) 베이스 플레이트 온도를 조절하는 것 ;

(ii) 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것;

(ii) 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것;

(iv) 열적 유체의 열적 유체 온도를 선택적으로 변경하는 것; 및

(v) 상기 열적 유체의 열적 유체 유량을 선택적으로 변경하는 것.

C3. 단락 C2에 있어서, 상기 베이스 플레이트 온도를 조절하는 것은 하기 중 하나 이상을 포함하는 것인, 방법:

(i) 상기 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것;

(ii) 상기 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것;

(iii) 상기 열적 유체 온도를 선택적으로 변경하는 것; 및

(iv) 상기 열적 유체의 상기 열적 유체 유량을 선택적으로 변경하는 것.

C4. 단락 C1 내지 C3 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 하기 중 하나 이상을 포함하는 것인, 방법:

(i) 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서를 사용하여 상기 양면 프로브 시스템의 적어도 일부 및/또는 영역의 개별 프로브 시스템 온도를 측정하는 것;

(ii) 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서를 사용하여 개별 온도 신호를 선택적으로 컨트롤러에 전송하는 것;

(iii) 컨트롤러를 사용하여 상기 프로브 시스템 온도를 타겟 온도와 비교하는 것; 및

(iv) 상기 컨트롤러를 사용하여 열적 제어 신호를 생성하는 것;

(v) 상기 컨트롤러를 사용하여 상기 열적 제어 신호를 상기 열적 제어 시스템의 다른 구성요소로, 선택적으로 히터 플레이트, 펠티에 플레이트, 및 열적 유체 공급원 중 하나 이상으로 전송하는 것.

C5. 단락 C4에 있어서, 상기 열적 제어 신호를 생성하는 것은 상기 프로브 시스템 온도를 상기 타겟 온도와 비교하는 것에 적어도 부분적으로 기초하는 것인, 방법.

C6. 단락 C1 내지 C5 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 기판 온도를 조절하는 단계와 동시에, 상기 프로브 어셈블리를 사용하여 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계를 더 포함하는, 방법.

C7. 단락 C6에 있어서, 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계는 하기를 포함하는 것인, 방법:

(i) 제1 프로브 서브세트를 사용하여 상기 하나 이상의 DUT의 적어도 하나의 서브세트를 테스트하는 것; 및

(ii) 제2 프로브 서브세트를 사용하여 상기 하나 이상의 DUT 중 적어도 하나의 서브세트를 테스트하는 것.

C8. 단락 C7에 있어서, 상기 제1 프로브 서브세트를 사용하는 테스트 및 상기 제2 프로브 서브세트를 사용하는 테스트가 동시에 수행되는 것인, 방법.

C9. 단락 C7 또는 C8에 있어서, 상기 제1 프로브 서브세트를 사용한 테스트 및 상기 제2 프로브 서브세트를 사용하는 테스트는 상기 기판이 상기 척에 대해 적어도 실질적으로 고정된 상태로 유지되는 동안 수행되는 것인, 방법.

C10. 단락 C6 내지 C9 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계는 적어도 부분적으로 하나 이상의 프로브를 사용하고, 선택적으로 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 사용하여 수행되는 것인, 방법.

C11. 단락 C6 내지 C10 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계는 하기 중 하나 이상을 포함하는 것인, 방법:

(i) 신호 생성 및 분석 어셈블리를 사용하여 테스트 신호를 생성하는 것;

(ii) 신호 생성 및 분석 어셈블리를 사용하여 결과 신호를 수신하는 것; 및

(iii) 신호 생성 및 분석 어셈블리를 사용하여 결과 신호를 분석하는 것.

C12. 단락 C6 내지 C11 중 어느 한 단락에 있어서, 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계 전에 하나 이상의 프로브를 개별 테스팅 위치로 정렬하는 단계를 더 포함하고, 선택적으로 상기 하나 이상의 프로브를 정렬하는 단계는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 정렬하는 것을 포함하는 것인, 방법.

C13. 단락 C12에 있어서, 상기 하나 이상의 프로브를 정렬하는 단계는 포지셔너 스테이지를 사용하여 상기 기판에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 포지셔닝하는 것을 포함하는 것인, 방법.

C14. 단락 C12 또는 C13에 있어서, 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 정렬하는 단계는 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치를 사용하여 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부 및/또는 영역의 광학 이미지를 생성하는 것을 포함하는 것인, 방법.

D1. 양면 프로브 시스템에서 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT)를 포함하는 기판의 기판 온도를 선택적으로 조절하기 위한 열적 제어 시스템을 포함하는 프로브 어셈블리의 용도.

D2. 단락 C1 내지 C14 중 어느 한 단락의 방법을 사용하는 단락 A1 내지 A72 중 어느 한 단락의 양면 프로브 시스템의 용도.

D3. 단락 A1 내지 A72 중 어느 한 단락의 양면 프로브 시스템을 사용하는 단락 C1 내지 C14 중 어느 한 단락의 방법의 용도.

산업적 이용 가능성

본원에 개시된 상기 양면 프로브 시스템은 반도체 제조 및 테스트 산업에 적용할 수 있다.

상기 설명된 개시내용은 독립적인 유용성을 갖는 다수의 별개의 발명들을 포함하는 것으로 여겨진다. 이들 발명들의 각각이 그 바람직한 형태로 개시되었지만, 본원에 개시되고 예시된 특정 구현예들은 다양한 변형이 가능하기 때문에 제한적인 의미로 고려되어서는 안된다. 본 발명들의 주제는 여기에 개시된 다양한 요소들, 특징들, 기능들, 및/또는 특성들의 모든 신규하고 자명하지 않은 조합들 및 하위 조합들을 포함한다. 유사하게, 청구범위에서 "하나(a)" 또는 "제1의(a first)" 요소 또는 그의 균등물을 언급하는 경우, 그러한 청구범위는 둘 이상의 그러한 요소들을 요구하거나 배제하지 않고 하나 이상의 그러한 요소의 통합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

하기 청구범위는 개시된 발명 중 어느 하나에 관련되며 신규하고 자명하지 않은 특정 조합들 및 하위 조합들을 특히 지적하는 것으로 여겨진다. 특징들, 기능들, 요소들, 및/또는 특성들의 다른 조합들 및 하위 조합들로 구현된 발명들은 본 청구범위의 보정 또는 본 출원 또는 관련 출원에서 새로운 청구범위의 제시를 통해 청구될 수 있다. 그러한 보정되거나 새로운 청구항들은 또한, 그들이 다른 발명에 관한 것이든 동일한 발명에 관한 것이든, 기존 청구항과 범위가 다르거나, 더 넓거나, 더 좁거나, 같거나 본 개시의 주제에 포함되는 것으로 간주된다.

Claims

온도 제어식인, 양면(double-sided) 프로브 시스템으로서,
기판의 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT, device under test)를 테스트하도록 구성된 프로브 어셈블리로서, 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 동안 상기 기판의 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 시스템을 포함하는, 상기 프로브 어셈블리; 및
상기 기판을 지지하도록 구성된 척(chuck)으로서, 상기 기판이 상기 척에 의해 작동적으로 지지되는 동안, 상기 프로브 어셈블리가 상기 기판의 제1 기판 측면 및 상기 제1 기판 측면과 대향하는 상기 기판의 제2 기판 측면 각각에 접근할 수 있도록 상기 기판을 지지하도록 구성되는, 상기 척
을 포함하는, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는, 상기 하나 이상의 DUT 중 적어도 하나의 DUT를 테스트하도록 구성되고 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 포함하고; 상기 열적 제어 시스템은 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드가 상기 하나 이상의 DUT 중 적어도 하나의 DUT를 테스트하는 동안 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부의 프로브 헤드 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드가 상기 열적 제어 시스템의 적어도 일부를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 기판 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제2항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 상기 기판의 복수의 테스팅 위치(testing location)와 인터페이스하도록 구성되고; 상기 하나 이상의 DUT의 각각의 DUT는 상기 복수의 테스팅 위치의 적어도 하나의 대응하는 테스팅 위치를 포함하고;
상기 복수의 테스팅 위치는,
(i) 제1 테스팅 위치 서브세트로서, 상기 제1 테스팅 위치 서브세트의 각각의 테스팅 위치는 상기 제1 기판 측면 상에 형성되고 상기 제1 기판 측면을 통해 테스트되도록 구성된 것 중 하나 또는 둘 다인, 상기 제1 테스팅 위치 서브세트; 및
(ii) 제2 테스팅 위치 서브세트로서, 상기 제2 테스팅 위치 서브세트의 각각의 테스팅 위치는 상기 제2 기판 측면 상에 형성되고 상기 제2 기판 측면을 통해 테스트되도록 구성된 것 중 하나 또는 둘 다인, 상기 제2 테스팅 위치 서브세트;
를 포함하고,
상기 프로브 어셈블리는 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하기 위한 복수의 프로브를 포함하고, 상기 복수의 프로브의 각각의 프로브는 상기 하나 이상의 DUT의 대응하는 DUT에 포함된 상기 복수의 테스팅 위치의 개별 테스팅 위치와 인터페이스하도록 구성되는 것이며,
상기 복수의 프로브는,
(i) 제1 프로브 서브세트로서, 상기 제1 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 상기 제1 기판 측면을 통해 상기 하나 이상의 DUT의 적어도 하나의 서브세트를 테스트하도록 작동가능하며; 상기 제1 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 상기 제1 테스팅 위치 서브세트의 개별 테스팅 위치와 인터페이스하도록 구성되는 것인, 상기 제1 프로브 서브세트; 및
(ii) 제2 프로브 서브세트로서, 상기 제2 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 상기 제2 기판 측면을 통해 상기 하나 이상의 DUT의 적어도 하나의 서브세트를 테스트하도록 작동가능하며; 상기 제2 프로브 서브세트의 각각의 프로브는 상기 제2 테스팅 위치 서브세트의 개별 테스팅 위치와 인터페이스하도록 구성되는 것인, 상기 제2 프로브 서브세트
를 포함하고,
상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 제2 프로브 서브세트의 적어도 일부를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제5항에 있어서, 상기 제2 프로브 서브세트는 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 포함하고; 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 기판에 대해 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 작동적으로 지지하는 베이스 플레이트(base plate)를 더 포함하고; 상기 베이스 플레이트는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되고 상기 기판과 열적 소통(thermal communication)하도록 구성되고; 상기 열적 제어 시스템은 상기 베이스 플레이트의 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 제어하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제6항에 있어서, 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제6항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은,
(i) 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되도록 구성된 히터 플레이트(heater plate)로서, 상기 베이스 플레이트와 열적 소통을 하고; 상기 열적 제어 시스템이 상기 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 제어하기 위해 상기 히터 플레이트의 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하도록 구성되는 것인, 상기 히터 플레이트; 및
(ii) 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되도록 구성된 펠티에 플레이트(Peltier plate)로서, 상기 베이스 플레이트와 열적 소통을 하고; 상기 열적 제어 시스템이 상기 베이스 플레이트 온도를 선택적으로 제어하기 위해 상기 펠티에 플레이트의 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하도록 구성되는 것인, 상기 펠티에 플레이트
중 하나 또는 둘 다를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제5항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 제2 프로브 서브세트의 적어도 일부가 상기 열적 제어 시스템과 상기 기판 사이에서 연장되도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제2항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은,
상기 양면 프로브 시스템의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 프로그래밍된 컨트롤러로서, 상기 열적 제어 시스템의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 신호를 생성하도록 프로그래밍된, 상기 컨트롤러; 및
상기 프로브 헤드 온도를 측정하고 상기 프로브 헤드 온도를 나타내는 온도 신호를 생성하여 상기 컨트롤러에 전송하도록 구성된 온도 센서로서, 상기 온도 신호에 적어도 부분적으로 기초하여 상기 열적 제어 신호를 생성하도록 프로그래밍된, 상기 온도 센서
를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제10항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은,
(i) 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되도록 구성된 히터 플레이트로서, 상기 열적 제어 시스템이 상기 히터 플레이트의 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하도록 구성되는 것인, 상기 히터 플레이트; 및
(ii) 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판으로부터 이격되도록 구성된 펠티에 플레이트로서, 상기 열적 제어 시스템이 상기 펠티에 플레이트의 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하도록 구성되는 것인, 상기 펠티에 플레이트
중 하나 또는 둘 다를 포함하고,
상기 프로브 헤드 온도는 상기 히터 플레이트 온도 또는 상기 펠티에 플레이트 온도 중 하나이고; 상기 열적 제어 신호는 상기 히터 플레이트 및 상기 펠티에 플레이트 중 하나 또는 둘 다의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제10항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은,
(i) 열적 유체 온도 및 열적 유체 유량으로 열적 소통을 하는 상기 기판으로 열적 유체를 전달하도록 구성되는 유체 도관; 및
(ii) 제어된 열적 유체 온도 및 제어된 열적 유체 유량 중 하나 또는 둘 다에서 상기 열적 유체를 상기 유체 도관으로 공급하도록 구성되는 열적 유체 공급원
을 포함하고,
상기 프로브 헤드 온도는 상기 열적 유체 온도이고; 상기 열적 제어 신호는 상기 제어된 열적 유체 온도 및 상기 제어된 열적 유체 유량 중 하나 또는 둘 다를 선택적으로 변경하도록 상기 열적 유체 공급원을 적어도 부분적으로 제어하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는,
상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부의 광학 이미지를 생성하도록 구성되는 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치; 및
상기 기판에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 각각 및 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치의 적어도 일부를 작동적으로 지지하는 지지 암(support arm)
을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제13항에 있어서, 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드 이미징 장치는 상기 제2 기판 측면과 인터페이스하도록 구성된 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부의 광학 이미지를 생성하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제13항에 있어서, 상기 지지 암은 적어도 부분적으로 상기 척의 외부로 연장되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제13항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 상기 지지 암을 작동적으로 지지하는 포지셔너 스테이지(positioner stage)를 포함하고; 상기 지지 암은 상기 포지셔너 스테이지에 작동가능하게 커플링되고 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 각각에 적어도 실질적으로 평행한 방향을 따라 상기 포지셔너 스테이지로부터 멀어지는 방향으로 연장되고; 상기 포지셔너 스테이지는 상기 기판에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 선택적으로 포지셔닝(positioning)하기 위해 상기 척에 대해 상기 지지 암을 선택적으로 이동시키도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제16항에 있어서, 상기 포지셔너 스테이지는 상기 척의 외부에 적어도 부분적으로 포지셔닝되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 상기 기판의 적어도 일부의 광학 이미지를 생성하도록 구성된 기판 이미징 장치를 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 척은 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 기판의 주변(peripheral) 영역을 따라서만 상기 기판과 접촉하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 척은 상기 기판을 지지하기 위해 상기 기판의 제2 기판 측면의 주변 영역과 접촉하도록 구성된 척 지지 표면을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제20항에 있어서, 상기 척은 하나 이상의 척 벽, 상기 하나 이상의 척 벽 및 상기 척 지지 표면 중 하나 또는 둘 다에 의해 적어도 부분적으로 경계가 정해진 척 내부 체적을 포함하고; 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안 상기 척 내부 체적 내에 적어도 부분적으로 포지셔닝된 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 척은 척 개방(open) 영역을 포함하고; 상기 프로브 어셈블리는 상기 척 개방 영역을 통해 상기 제1 기판 측면 또는 상기 제2 기판 측면 중 하나를 테스트하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제22항에 있어서, 상기 척은 상기 기판을 지지하기 위해 상기 기판의 제2 기판 측면의 주변 영역과 접촉하도록 구성된 척 지지 표면을 포함하고; 상기 척 지지 표면은, 상기 양면 프로브 시스템의 작동 사용 동안, 상기 프로브 어셈블리가 상기 척 개방 영역을 통해 상기 기판의 제2 기판 측면을 테스트하도록 구성되도록 상기 척 개방 영역을 적어도 부분적으로 경계짓는 것인, 양면 프로브 시스템.
제22항에 있어서, 상기 척 개방 영역은 개구(apenture), 갭, 채널, 및 구멍 중 하나 이상을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 척은 상기 프로브 어셈블리가 상기 제1 기판 측면 및 상기 제2 기판 측면 각각을 테스트하기 위해 작동가능하도록 상기 기판을 지지하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 척으로부터 이격되어 있는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 척과 직접 기계적으로 소통하지 않는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 척과 간접적으로 직접 기계적으로 소통하지 않는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 상기 기판과 열적 소통하는 열적 유체를 전달하도록 구성된 유체 도관을 포함하고; 상기 열적 제어 시스템은 상기 기판 온도를 선택적으로 제어하기 위해 상기 열적 유체의 열적 유체 온도 및 상기 열적 유체의 열적 유체 유량 중 하나 또는 둘 다를 선택적으로 변경하도록 구성되는 것인, 양면 프로브 시스템.
제29항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은 제어된 열적 유체 온도 및 제어된 열적 유체 유량 중 하나 또는 둘 다에서 상기 열적 유체를 상기 유체 도관으로 공급하도록 구성된 열적 유체 공급원을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템.
제1항에 따른 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법으로서,
상기 프로브 어셈블리는 상기 하나 이상의 DUT 중 적어도 하나의 DUT를 테스트하도록 구성된 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 포함하는 열적으로 제어되는 프로브 헤드, 및 상기 기판에 대해 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 작동적으로 지지하는 베이스 플레이트를 포함하고, 상기 열적 제어 시스템은 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드가 상기 하나 이상의 DUT 중 상기 적어도 하나의 DUT를 테스트하는 동안 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 적어도 일부의 프로브 헤드 온도를 적어도 부분적으로 제어하도록 구성되는 것이고,
상기 방법은,
상기 열적 제어 시스템을 이용하여 상기 기판 온도를 조절하는 단계
를 포함하며;
상기 기판 온도를 조절하는 단계는 상기 베이스 플레이트의 베이스 플레이트 온도를 조절하는 것을 포함하는 것인,
양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법.
양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법으로서,
상기 양면 프로브 시스템의 프로브 어셈블리의 열적 제어 시스템을 이용하여 하나 이상의 테스트 대상 디바이스(DUT)를 포함하는 기판의 기판 온도를 조절하는 단계
를 포함하는, 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법.
제32항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 상기 하나 이상의 DUT 중 적어도 하나의 DUT를 테스트하도록 구성된 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 포함하고; 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드는 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브 및 상기 기판에 대해 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 작동적으로 지지하는 베이스 플레이트를 포함하고; 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 상기 베이스 플레이트의 베이스 플레이트 온도를 조절하는 것을 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법.
제32항에 있어서, 하기 중 하나 이상인, 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법:
(i) 상기 열적 제어 시스템은 상기 기판에 대해 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 작동적으로 지지하는 베이스 플레이트와 열적 소통하는 히터 플레이트를 포함하고, 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 상기 히터 플레이트의 히터 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것을 포함함;
(ii) 상기 열적 제어 시스템은 상기 베이스 플레이트와 열적 소통하는 펠티에(Peltier) 플레이트를 포함하고, 상기 기판 온도를 조절하는 단계는 상기 펠티에 플레이트의 펠티에 플레이트 온도를 선택적으로 변경하는 것을 포함함; 및
(iii) 상기 열적 제어 시스템은 상기 베이스 플레이트 및 상기 기판 각각과 열적 소통하는 열적 유체를 전달하도록 구성된 유체 도관을 포함하고, 상기 기판 온도를 조절하는 단계는,
(a) 상기 열적 유체의 열적 유체 온도를 선택적으로 변경하는 것; 및
(b) 상기 열적 유체의 유량을 선택적으로 변경하는 것
중 하나 또는 둘 다를 포함하는 것임.
제34항에 있어서, 상기 열적 제어 시스템은,
상기 열적 제어 시스템의 작동을 적어도 부분적으로 제어하도록 구성된 열적 제어 신호를 생성하도록 프로그래밍된 컨트롤러; 및
하나 이상의 온도 센서로서, 상기 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서는 상기 양면 프로브 시스템의 적어도 일부의 개별 프로브 시스템 온도를 측정하고 상기 개별 프로브 시스템 온도를 나타내는 개별 온도 신호를 생성하고 전달하도록 구성된 것이고, 상기 개별 프로브 시스템 온도는 상기 베이스 플레이트 온도, 상기 히터 플레이트 온도, 상기 펠티에 플레이트 온도, 상기 열적 유체 온도, 및 상기 기판 온도 중 하나인 것인, 상기 하나 이상의 온도 센서
를 포함하고,
상기 기판 온도를 조절하는 단계는,
(i) 상기 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서를 이용하여 상기 개별 프로브 시스템 온도를 측정하는 것;
(ii) 상기 하나 이상의 온도 센서의 각각의 온도 센서를 이용하여 상기 개별 온도 신호를 전송하는 것;
(iii) 상기 컨트롤러를 이용하여 상기 프로브 시스템 온도를 타겟 온도와 비교하는 것;
(iv) 상기 컨트롤러를 이용하여 상기 열적 제어 신호를 생성하는 것; 및
(v) 상기 컨트롤러를 이용하여 상기 열적 제어 신호를 상기 열적 제어 시스템의 다른 구성요소로 전송하는 것
을 포함하고,
상기 열적 제어 신호를 생성하는 것은 상기 프로브 시스템 온도를 상기 타겟 온도와 비교하는 것에 적어도 부분적으로 기초하는 것인,
양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법.
제32항에 있어서, 상기 기판 온도를 조절하는 단계와 동시에, 상기 프로브 어셈블리를 이용하여 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계를 더 포함하고; 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계는 상기 프로브 어셈블리의 열적으로 제어되는 프로브 헤드의 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 이용하여 적어도 부분적으로 수행되는 것인, 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법.
제36항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리는 상기 기판에 대해 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 작동적으로 지지하는 지지 암 및 상기 지지 암을 작동적으로 지지하는 포지셔너 스테이지를 포함하고; 상기 방법은, 상기 하나 이상의 DUT를 테스트하는 단계 전에, 상기 포지셔너 스테이지를 이용하여, 상기 하나 이상의 열적으로 제어되는 프로브를 상기 하나 이상의 DUT의 개별 테스팅 위치로 정렬하기 위해 상기 기판에 대해 상기 열적으로 제어되는 프로브 헤드를 포지셔닝하는 것을 더 포함하는 것인, 양면 프로브 시스템을 작동시키는 방법.