JP7474330B2 - 熱制御システムを有する両面プローブシステムとその関連する方法 - Google Patents

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関連出願

本出願は、２０２０年１２月３日に出願された米国特許出願シリアル番号１７／１１１，２８３、及び２０１９年１２月１８日に出願された米国仮特許出願シリアル番号６２／９４９，９２１に対する優先権を主張し、その開示の全体が参照により本書に組み込まれる。

本開示は、一般に、プローブシステムに関して、そしてより具体的には、基板の両面の検査中に基板の温度を制御するための熱制御システムを有する両面プローブシステムに関するものである。

プローブシステムは、被検査デバイス（ＤＵＴ）の動作及び／又は性能を検査するために利用されることがある。プローブシステムは、一般に、ＤＵＴにテスト信号を提供し、及び／又はＤＵＴから結果信号を受信するように構成される１つ以上のプローブを含む。テスト信号に対するＤＵＴの応答を測定することにより（例えば、結果信号を測定及び／又は定量化することにより）、ＤＵＴの動作及び／又は性能を定量化することができる。

特定の状況下では、制御された環境条件下でＤＵＴを検査することが望ましい場合がある。一例として、ＤＵＴを所定の温度で検査することが望ましい場合がある。いくつかのそのような例では、ＤＵＴの温度は、ＤＵＴを含む基板を支持する温度制御されたチャックの温度を制御することによって制御される。しかしながら、このように、温度制御されたチャックを利用することは、一般に、基板の両面を同時に検査することはできない。したがって、温度制御システムを有する改良された両面プローブシステムに対する必要性が存在する。

本明細書では、熱制御システムを備えた両面プローブシステムとその関連する方法を開示する。熱制御された両面プローブシステムは、基板の１つ以上の被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査するように構成されたプローブアセンブリと、基板を支持するように構成されたチャックと、を含む。前記プローブアセンブリは、前記プローブアセンブリが前記ＤＵＴ（複数可）を検査している間、前記基板の基板温度を少なくとも部分的に制御するように構成された熱制御システムを含む。前記チャックは、前記基板が前記チャックによって動作可能に支持されている間、前記プローブアセンブリが前記基板の第１の基板側及び前記基板の第２の基板側の各々にアクセスできるように基板を支持するように構成される。いくつかの例では、両面プローブシステムを動作させる方法は、前記熱制御システムを用いて、前記基板温度を調節するステップを含む。

本開示による両面プローブシステムの例を表す概略的断面図である。 本開示による支持アーム、ポジショナーステージ、及び熱制御されたプローブヘッドの一例を表す上面等角図である。 図２の支持アーム及び熱制御されたプローブヘッドの分解図である。 本開示による熱制御されたプローブヘッド及びヒータープレートを含む熱制御システムの一例の断片的な上側等角図である。 図４の熱制御されたプローブヘッド及び熱制御システムの断片的な断面側面図である。 本開示によるペルチェプレートを含む熱制御されたプローブヘッド及び熱制御システムの一例の断片的な上面等角図である。 図６の熱制御されたプローブヘッド及び熱制御システムの断片的な側面図である。 本開示による流体導管を含む熱制御されたプローブヘッド及び熱制御システムの一例の断片的な上面等角図である。 図８の熱制御されたプローブヘッド及び熱制御システムの断片的な側面図である。 本開示による両面プローブシステムを動作させる方法の例を示すフローチャートである。

図１～図１０は、本開示による、熱制御されたプローブヘッド１４０、熱制御されたプローブヘッド１４０を含む両面プローブシステム１０、及び／又は両面プローブシステム１０を動作させる方法２００の例を提供する。同様の、又は少なくとも実質的に同様の目的を果たす要素は、図１～図１０において同様の番号でラベル付けされ、かつこれらの要素は、図１～図１０のそれぞれを参照して本明細書において詳細に論じられない場合がある。同様に、全ての要素は、図１～図１０においてラベル付けされないかもしれないが、それらに関連する参照番号は、一貫性のために本明細書において利用され得る。図１～図１０を参照して本明細書で論じられる要素、構成要素、及び／又は特徴は、本開示の範囲から逸脱することなく、図１～図１０の主題に含まれ、並びに／若しくは利用され得る。一般に、特定の実施形態に含まれる可能性が高い要素は実線で示され、随意である要素は破線で示される。しかしながら、実線で示される要素は必須でない場合があり、いくつかの実施形態では、本開示の範囲から逸脱することなく省略することができる。

図１に概略的に図示されるように、両面プローブシステム１０は、基板３０上に形成され、基板３０によって支持され、及び／又は基板３０に含まれ得る１つ以上の被検査デバイス（ＤＵＴ）４０を検査するために適合、構成、設計、成形、サイジング、及び／又は構築されてもよい。具体的には、及び図１に図示されるように、両面プローブシステム１０は、ＤＵＴ（複数可）４０を検査するように構成されたプローブアセンブリ１００を含む。図１に更に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００は、様々な制御された熱条件のいずれかにおいてＤＵＴ（複数可）を検査することを容易にするなどのようなために、プローブアセンブリ１００がＤＵＴ（複数可）４０を検査する間に基板３０の基板温度を少なくとも部分的に制御するように構成されている熱制御システム１５０を含む。

いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００は、基板３０の少なくとも１つのＤＵＴ４０を検査するように構成された熱制御されたプローブヘッド１４０を含む。いくつかのそのような例では、熱制御されたプローブヘッド１４０は、熱制御システム１５０の少なくとも一部を含む及び／又は支持する。具体的には、そのような例では、プローブアセンブリ１００は、プローブアセンブリ１００がＤＵＴ４０を検査するときに熱制御されたプローブヘッド１４０が基板３０と熱伝達状態にあるように構成される。したがって、熱制御されたプローブヘッド１４０の少なくとも一部及び／又は一領域のプローブヘッド温度を制御することにより、基板温度の制御が容易になる。このように、本開示による両面プローブシステム１０は、温度制御された両面プローブシステム１０とも呼ばれることがある。図２～図９は、以下でより詳細に説明するように、熱制御されたプローブヘッド１４０、その一部、及び／又はプローブアセンブリ１００の関連構造の例の若干概略的ではない図を提供する。

いくつかの例では、熱制御システム１５０は、熱制御されたプローブヘッドがＤＵＴ（複数可）４０を検査する間、基板温度及び／又はプローブヘッド温度を少なくとも部分的に制御するように構成されてもよい。より具体的には、いくつかの例では、熱制御システム１５０は、熱制御システム及び／又は熱制御されたプローブヘッドが基板温度を少なくとも部分的に調節するように、プローブヘッド温度を少なくとも部分的に制御するように、及び／又は熱制御されたプローブヘッド１４０と基板３０との間の熱伝達を容易化するように構成される。

基板３０は、ＤＵＴ（複数可）４０を支持し、含み、及び／又はその上に形成され得る任意の適切な構造を含んでもよく、及び／又はそのような構造であってよい。基板３０の例としては、ウェハー、半導体ウェハー、シリコンウェハー、及び／又はガリウム砒素ウェハーを含む。同様に、ＤＵＴ（複数可）４０各々は、両面プローブシステム１０によってプローブ及び／又は検査され得る任意の適切な構造を含んでもよく、及び／又はそのような構造であってよい。例として、各ＤＵＴ４０は、半導体デバイス、電子デバイス、光デバイス、光電子デバイス、論理デバイス、パワーデバイス、スイッチングデバイス、及び／又はトランジスタを含んでもよい。

図１に概略的に図示されるように、両面プローブシステム１０は、ＤＵＴ４０の検査中に基板３０を動作可能に支持し、かつプローブアセンブリ１００とは別個であり、及び／又は離間するチャック２０を含む。より具体的には、図１に概略的に図示され、及び本明細書でより詳細に説明されるように、チャック２０は、基板３０がチャック２０によって動作可能に支持されている間、プローブアセンブリ１００が基板３０の第１の基板側３２及び第１の基板側３２と反対側にある基板３０の第２の基板側３４の各々にアクセスするように、基板３０を支持するよう構成される。このように、プローブアセンブリ１００は、基板がチャック上に配置されている間に、及び／又は基板３０をチャック２０上に再配置されることなく、第１の基板側３２及び第２の基板側３４の両方に同時にアクセス、検査、係合、並びに／若しくはその他の方法でインターフェースするように構成されてもよい。

本明細書で使用する場合、プローブアセンブリ１００は、基板３０の一部（第１の基板側３２及び／又は第２の基板側３４などのような）に「アクセスできる」と表現してもよく、並びに／若しくはプローブアセンブリ１００が基板３０の一部の物理的な、電気的な、及び／又は光学的な接触並びに／若しくは非接触なインターフェース並びに／若しくは測定を行い得るように基板の一部が露出並びに／若しくはブロックされていないとき、基板の一部を検査するように動作可能であるとして表現してもよい。同様に、プローブアセンブリ１００は、プローブアセンブリ１００が様々な方法のいずれかで基板３０及び／又はＤＵＴ（複数可）４０と相互作用するとき、基板３０の一部及び／又は基板３０に関連するＤＵＴ（複数可）４０を検査すると説明されてもよい。例として、プローブアセンブリ１００は、プローブアセンブリがＤＵＴ（複数可）に電気信号及び／又は電磁信号を送信し、ＤＵＴ（複数可）から電気信号及び／又は電磁信号を受信し、並びに／若しくは基板及び／又はＤＵＴ（複数可）の外観検証を行うように動作するとき、基板３０及び／又はＤＵＴ（複数可）４０の一部を検査すると説明されることがある。

このように、チャック２０はまた、プローブアセンブリ１００が、第１の基板側３２と第２の基板側３４の各々を同時に及び／又はチャック２０上に基板３０を再配置することなく検査するよう動作可能であるように基板３０を支持するように構成されると説明することができる。より具体的な例として、プローブアセンブリ１００は、電気信号を供給するなどのような、電気接続を介して第１の基板側３２と第２の基板側３４の一方を検査するように構成されてもよい。同時に、プローブアセンブリ１００は、基板３０の反対側に供給される電気信号に対応し得る、又はそのような電気信号から生じ得るなどのような光信号を受信することによってなどのような、光学測定を介して第１の基板側３２と第２の基板側３４の他方を検査するように構成されてもよい。本明細書で使用されるように、プローブアセンブリ１００はまた、アセンブリ１００が第１の基板側及び／又は第２の基板側それぞれの上に形成された並びに／若しくはそれぞれを介してアクセス可能なＤＵＴ（複数可）４０を検査するとき、第１の基板側３２及び／又は第２の基板側３４を検査すると説明されることがある。

より具体的な例として、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００は、テスト信号５２を第１の基板側３２及び／又は第２の基板側３４に送信し、並びに／若しくは第１の基板側３２及び／又は第２の基板側３４から結果信号５４を受信するように構成されてもよい。いくつかのそのような例では、結果信号５４は、テスト信号５２に対応する、及び／又は少なくとも部分的にテスト信号５２に基づくものである。このように、テスト信号５２に応答してＤＵＴ４０によって作り出される結果信号５４の測定は、ＤＵＴ４０を特徴付け及び／又は評価するために利用され得る。テスト信号５２は、様々な信号のいずれかを含んでもよく、及び／又はそれらであってよく、その例として、電気テスト信号、直流テスト信号、交流テスト信号、アナログテスト信号、デジタルテスト信号、並びに／若しくは光テスト信号を含む。いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、両面プローブシステム１０は、プローブアセンブリ１００にテスト信号５２を提供するように、及び／又はプローブアセンブリ１００から結果信号５４を受け取るように構成された信号生成・分析アセンブリ５０を更に含む。いくつかの例では、信号生成・分析アセンブリ５０は、追加的又は代替的に、ＤＵＴ（複数可）４０を特徴付けるなどのようなために結果信号５４を分析するように構成される。

チャック２０は、基板の両面検査を許可、容易、及び／又は可能にする様々な方法のいずれかで基板３０を動作可能に支持するように構成され得る。いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、基板３０は、第２の基板側３４又は第２の基板側３４の一領域が、チャック２０に面する及び／若しくは係合するように、チャック２０によって動作可能に支持されてもよい。そのような例では、第１の基板側３２はまた、上側基板側と呼ばれることがあり、及び／又は第２の基板側３４はまた、下側基板側と呼ばれることがある。しかしながら、これは必須ではなく、第１の基板側３２が下側基板側であってもよく、及び／又はチャック２０と係合並びに／若しくは対面してもよく、並びに／若しくは第２の基板側３４が上側基板側であってもよいことは、更に本開示の範囲内である。

本明細書で使用される場合、「上側」、「の上」、「より上」、「下側」、「の下」などのような位置決め用語は、一般に、図１に図示されるＺ方向に沿ったなどのような垂直方向に沿った相対的位置を意味する。例えば、図１は、熱制御されたプローブヘッド１４０が基板３０の下に配置される構成を概略的に図示するものとして説明されることがある。しかしながら、そのような構成は必須ではなく、熱制御されたプローブヘッド１４０及び／又はプローブアセンブリ１００の任意の他の構成要素が、基板３０に対して任意の適切な向きを有していてもよいことは、更に本開示の範囲内である。

いくつかの例において、及び図１に概略的に図示されるように、チャック２０は、基板３０の周辺領域３６に沿ってのみ基板３０と接触するように構成される。本明細書で使用され、及び図１に概略的に図示されるように、基板３０の周辺領域３６は、第１の基板側３２及び／又は第２の基板側３４などのような、プローブアセンブリ１００にアクセス可能であり、並びに／若しくはプローブアセンブリ１００によって検査される基板３０の中央領域３８を少なくとも部分的に境界づける、取り囲む、囲む、並びに／若しくは包含する基板３０の任意の適切な領域を意味し得る。より具体的には、いくつかの例において、及び図１に概略的に図示されるように、チャック２０は、基板３０の周辺領域３６に沿って第２の基板側３４に接触するように構成されるチャック支持面２２を含む。チャック支持面２２は、基板３０の全周に沿って基板３０の周辺領域３６を支持してもよく、又は基板３０の一領域に沿って、及び／若しくは基板３０の複数の離間する一領域に沿って周辺領域３６を支持してもよい。

いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、チャック２０は、プローブアセンブリ１００がチャック開放領域２４を介して第１の基板側３２又は（図１に図示されるように）第２の基板側３４を検査するように構成されるようなチャック開放領域２４を含む、及び／若しくは画定する。より具体的な例として、及び図１に概略的に図示されるように、チャック支持面２２は、プローブアセンブリ１００がチャック開放領域２４を介して基板３０の第２の基板側３４を検査するように構成されるように、少なくとも部分的にチャック開放領域２４を境界づける及び／又は画定してもよい。いくつかの例では、チャック開放領域２４は、開口部、ギャップ、チャネル、及び／又はホールを含み、それらであり、及び／又はそれらとして説明してもよい。

いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、チャック２０は、１つ以上のチャック壁２６と、チャック壁２６及び／又はチャック支持面２２によって少なくとも部分的に境界づけられたチャック内部容積２８と、を含む。いくつかのそのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、熱制御されたプローブヘッド１４０は、両面プローブシステム１０の動作可能な使用時中に少なくとも部分的にチャック内部容積２８内に配置される。いくつかの例では、チャック壁（複数可）２６は、チャック支持面２２を含み、支持し、及び／又は少なくとも部分的に画定する。

本開示は、一般に、両面プローブシステム１０が、例えば、プローブアセンブリ１００がＤＵＴ（複数可）４０を検査するために動作可能であるように、基板３０と組み合わせて動作可能に利用される例に関する。別の言い方をすれば、両面プローブシステム１０及び／又はプローブアセンブリ１００は、プローブアセンブリ１００がＤＵＴ（複数可）４０を検査するために動作可能であるようにチャック２０が基板３０を支持するとき、「動作可能な使用時」及び／又は「動作可能に利用されている」と表現され得る。しかしながら、そのような例は限定的なものではなく、かつ両面プローブシステム１０が常に基板３０と組み合わせて動作可能に利用されるとは限らないことは、更に本開示の範囲内である。例えば、本開示では、熱制御システム１５０が基板３０と熱伝達状態にあると一般的に説明されているが、このような例は、基板３０が両面プローブシステム１０の構成要素であることが要求されること、及び／又は基板３０が両面プローブシステム１０の例において常に存在することを意味するものとして意図していない。

本明細書で使用されるように、第１の構成要素及び第２の構成要素が、熱エネルギーが第１の構成要素と第２の構成要素との間で移動し得るように配置され、方向付けられ、及び／又は他の方法で相互に構成されるとき、第１の構成要素は第２の構成要素と熱伝達状態にあると説明することができる。この熱エネルギーは、第１の構成要素及び第２の構成要素のうちの一方の温度の選択的制御を、第１の構成要素及び第２の構成要素のうちの他方の温度の調節を介して、許可する及び／又は容易にするのに十分な量で移動することができる。このように、第２の構成要素と熱伝達状態にある第１の構成要素の温度を制御及び／又は調節することは、第２の構成要素の温度を制御及び／又は調節するように動作してもよい。

本明細書でより詳細に説明するように、本開示による両面プローブシステム１０は、一般に、熱制御システム１５０がチャック２０と異なるように構成される。具体的には、様々な例において、熱制御システム１５０は、チャック２０から離間し、及び／又はチャック２０と直接的及び／又は間接的に機械的な連通をしていない。追加的又は代替的に、熱制御システムの少なくとも一領域は、チャック２０に対して移動するように、動作可能に並進するように、及び／又は動作可能に回転するように構成されてもよい。

このように、熱制御システム１５０は、基板温度を調節するために利用される熱制御されたチャックなどのようなチャックを含む先行技術のプローブシステムとは区別される。そのような先行技術の熱制御されたチャックは、一般に、チャックによって熱的に調節されるべき基板の領域との近接及び／又は直接接触を必要とするので、一般に、そのような構成は、本明細書に記載するような基板の両面検査には適さない。対照的に、及び本明細書でより詳細に説明するように、両面プローブシステム１０の熱制御システム１５０をチャック２０から分離することは、基板の両面検査中に基板３０の精密かつ正確な温度調節を許可し、容易にし、及び／又は可能にし得る。

本開示による熱制御されたプローブヘッド１４０は、プローブアセンブリ１００と基板３０との間の熱伝達を確立しない、及び／又は熱制御されたプローブヘッド１４０を含まない先行技術のプローブシステムと比較すると、より大きな動作範囲、より細かい精度、及び／又はより細かい空間分解能で基板温度の制御を許可し、容易にし、並びに／若しくは可能にし得る。例として、両面プローブシステム１０は、基板３０を、最小６０℃、最小７０℃、最小８０℃、最小９０℃、最大１００℃、最大８５℃、最大７５℃、及び／又は最大６５℃である最高温度にするよう構成されてもよい。追加的又は代替的に、両面プローブシステム１０は、基板温度を、最大５℃、最大３℃、最大２℃、最大１℃、及び／又は最大０．５℃だけ、目標若しくは所望の温度と異なる温度、並びに／若しくは基板の被検査領域にわたって異なる温度に保つように構成されてもよい。

プローブアセンブリ１００及び／又は熱制御されたプローブヘッド１４０は、任意の適切な方法でＤＵＴ４０を検査するように構成されてもよい。いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００は、ＤＵＴ４０を検査するための１つ以上のプローブ１３０を含む。いくつかの例において、及び図１に概略的に図示されるように、各プローブ１３０は、対応するＤＵＴ４０にテスト信号５２を提供し、及び／又は対応するＤＵＴから結果信号５４を受信するように構成される。より具体的には、そのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００及び／又はその各プローブ１３０は、基板を検査するために基板３０の１つ以上の検査位置４２とインターフェースするように構成されてもよい。いくつかのそのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、各ＤＵＴ４０は、少なくとも１つの対応する検査位置４２を含む。例として、各検査位置４２は、コンタクトパッド、はんだバンプ、光カプラなどを含む及び／又はそれらであってもよい。追加的又は代替的に、及び本明細書でより詳細に説明するように、プローブ１３０の一例は、プローブアセンブリ１００の１つ以上の他のプローブ１３０によって検査されるように構成された１つ以上のＤＵＴ４０及び／又は１つ以上の検査位置４２を含み得る基板３０の一領域の形状における対応する検査位置４２を検査するように構成されてもよい。

各プローブ１３０は、ＤＵＴ４０を検査するための任意の適切な形状及び／又は構造を有してもよい。一例として、プローブ１３０は、対応するＤＵＴ４０のはんだバンプの形態で検査位置４２に接触するなどのように構成され得るような、垂直プローブであってよい。別の例として、及び図１に概略的に図示されるように、プローブ１３０は、対応するＤＵＴ４０のコンタクトパッドの形態で検査位置４２に接触するように構成されたカンチレバープローブであってもよい。他の例では、少なくとも１つのプローブ１３０は、ＤＵＴ４０の非接触検査のために構成されてもよい。例えば、少なくとも１つのプローブ１３０は、ＤＵＴ４０の非接触検査のために検査位置４２に光学的及び／又は電磁気的に結合されるように構成されたプローブなどのような、光学プローブ及び／又はプローブアンテナであってもよい。追加的又は代替的に、プローブ１３０は、基板３０及び／又はＤＵＴ（複数可）４０の光学画像を生成するために基板３０から光を受信することによって、基板３０及び／又はＤＵＴ（複数可）４０の非接触検査を行うように構成されてもよい。そのような例では、プローブ１３０によって見られる及び／又は撮像される基板３０並びに／若しくはＤＵＴ（複数可）４０の領域は、検査位置４２と記載されることがある。同様に、そのような例では、プローブ１３０は、光学画像を生成するために基板及び／又はＤＵＴ（複数可）から光を受信することによって、基板３０並びに／若しくはＤＵＴ（複数可）４０を検査すると記載されてもよい。

いくつかの例では、基板３０の検査位置（複数可）４２は、基板上の各検査位置の位置に応じて特徴付けられることがある。例えば、及び図１に概略的に図示されるように、各検査位置４２は、第１の検査位置サブセット４４のメンバー及び／又は第２の検査位置サブセット４６のメンバーであってもよい。具体的には、そのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、第１の検査位置サブセット４４の各検査位置４２は、第１の基板側３２上に形成され、及び／又は第１の基板側３２を介して検査されるように構成され、かつ第２の検査位置サブセット４６の各検査位置４２は、第２の基板側３４上に形成され、及び／又は第２の基板側３４を介して検査され、若しくは同時検査するように構成される。

いくつかの例において、及び図１に概略的に図示されるように、熱制御されたプローブヘッド１４０は、プローブアセンブリ１００のプローブ１３０の少なくとも１つのサブセットを含む。例えば、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００のプローブ１３０は、第１のプローブサブセット１３２及び／又は第２のプローブサブセット１３４を含むものとして説明することができる。具体的には、そのような例では、第１のプローブサブセット１３２の各プローブ１３０は、第１の検査位置サブセット４４のそれぞれの検査位置４２とインターフェースすることによってなどのように、第１の基板側３２を介して基板３０の１つ以上のＤＵＴ４０を検査するように動作可能である。同様に、そのような例では、第２のプローブサブセット１３４の各プローブ１３０は、第２の検査位置サブセット４６のそれぞれの検査位置４２とインターフェースすることによってなどにように、第２の基板側３４を介して基板３０の１つ以上のＤＵＴ４０を検査するように動作可能である。いくつかのそのような例では、熱制御されたプローブヘッド１４０は、第２のプローブサブセット１３４の少なくとも一部を支持する、及び／又は含む。より具体的には、いくつかのそのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、第２のプローブサブセット１３４の少なくとも一部（熱制御されたプローブヘッド１４０によって支持される各プローブなど）は、両面プローブシステム１０の動作可能な使用時中に熱制御システム１５０と基板３０の間に延在している。

いくつかの例において、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００の１つ以上のプローブ１３０は、熱制御されたプローブ１４４と呼ばれることがある。例えば、熱制御されたプローブヘッド１４０の各プローブ１３０は、熱制御されたプローブ１４４として記載されてもよい。追加的又は代替的に、第２のプローブサブセット１３４は、各熱制御されたプローブ１４４を含む及び／又は構成してもよい。

様々な例において、及び本明細書でより詳細に説明するように、熱制御システム１５０は、熱制御されたプローブヘッド１４０の１つ以上の構成要素と基板３０との間の伝導熱、対流、及び／又は放射熱伝達を介して基板温度を制御するように動作可能である。いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、熱制御されたプローブヘッド１４０は、両面プローブシステム１０の動作可能な使用時中に基板３０から離間するように構成されたベースプレート１４２を含み、かつ各熱制御されたプローブ１４４はベースプレート１４２によって動作可能に支持される。いくつかのそのような例では、及び本明細書でより詳細に説明するように、ベースプレート１４２は、両面プローブシステム１０の動作可能な使用時中に基板３０と対流及び／又は放射熱伝達状態にあるようなどのような、基板３０と熱伝達状態にあるように構成され、かつ熱制御システム１５０は、基板温度の調整を許可し、容易にし、及び／又は可能にするなどのように、ベースプレートのベースプレート温度を選択的に制御するように構成される。いくつかのそのような例では、プローブヘッド温度は、ベースプレート温度を含んでもよく、及び／又はベースプレート温度であってもよい。このように、いくつかの例では、及び本明細書でより詳細に説明するように、熱制御システム１５０は、ベースプレート１４２などのような熱制御されたプローブヘッド１４０の少なくとも一部及び／又は一領域の温度の選択的かつ動的制御を介して基板温度を少なくとも部分的に制御するように構成される。とりわけ、ベースプレート１４２は、ベースプレート１４２及び／又は基板３０における温度変動に抵抗するために十分に大きい熱質量を有していてもよい。より具体的な例として、ベースプレート１４２は、熱制御されたプローブ（複数可）１４４の総熱質量に対するベースプレートの熱質量の比率が、最小１００、最小１，０００、最小１０，０００、最小１００，０００、及び／又は最小１，０００，０００であるように構成されてもよい。

論じられたように、様々な例において、プローブアセンブリ１００は、両面プローブシステム１０の動作可能な使用時中に、第１の基板側３２及び第２の基板側３４の各々にアクセスする、又は同時にアクセスするように構成される。例えば、両面プローブシステム１０は、熱制御されたプローブヘッド１４０の各熱制御されたプローブ１４４が、第１の基板側３２と第２の基板側３４のうちの一方と直接接触及び／又は熱伝達状態にあるように、かつプローブアセンブリ１００の少なくとも一部が第１の基板側と第２の基板側のうちの他方と電気及び／又は光通信するように構成されてもよい。このように、熱制御されたプローブヘッド１４０は、両面プローブシステム１０の別の部分が基板３０の反対側において光学及び／又は電気測定を行う間に、基板温度を少なくとも部分的に制御するように構成されてもよい。

熱制御システム１５０は、基板３０に熱エネルギーを加える及び／又は基板３０から熱エネルギーを除去するための様々な構造並びに／若しくは機構のいずれかを含んでもよい。一例として、及び図１に概略的に図示さるように、熱制御システム１５０は、熱エネルギーを生成する、及び／又は熱エネルギーを基板３０に伝えるように構成されたヒータープレート１５２を含んでもよい。そのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、ヒータープレート１５２は、両面プローブシステム１０の動作可能な使用時中に基板３０から離間するように構成される。いくつかの例では、ヒータープレート１５２は、ベースプレート１４２及び／又は基板３０と熱伝達状態にあるように構成される。そのような例では、熱制御システム１５０は、ベースプレート温度及び／又は基板温度を選択的かつ動的に制御するためにヒータープレート１５２のヒータープレート温度を選択的に変化させるように構成される。いくつかのそのような例では、プローブヘッド温度は、ヒータープレート温度を含み、及び／又はヒータープレート温度であってもよい。このように、ヒータープレート１５２は、伝導、対流、及び／又は放射熱伝達を介して基板３０及び／又はＤＵＴ４０を加熱するよう構成されてもよい。より具体的な例として、ヒータープレート１５２は、伝導熱伝達を介して少なくとも部分的にベースプレート１４２を加熱するように構成されてもよく、かつベースプレートは、今度は、対流及び／又は放射熱伝達を介して基板３０を加熱するように構成されてもよい。ヒータープレート１５２は、電流によって発生する抵抗加熱を介するなどのような、任意の適切な方法で熱エネルギーを発生するように構成されてもよい。ヒータープレート１５２のより具体的な例は、抵抗加熱器及び／又は放射加熱器を含む。

図２～５は、熱制御システム１５０がヒータープレート１５２（図３～５で見える）を含むプローブアセンブリ１００の一部の若干概略的でない図である。とりわけ、図２～５の例では、及び図３～５に示すように、ヒータープレート１５２は、ベースプレート１４２の下に配置され、かつベースプレートと直接熱接触している。したがって、そのような例では、ヒータープレート１５２は、ベースプレート温度を少なくとも部分的に制御するために伝導熱伝達を介してベースプレート１４２を少なくとも部分的に加熱するように構成されてもよく、かつベースプレートは、対流及び／又は放射熱伝達を介して、若しくは少なくとも実質的に介して基板３０（図２～５に示されない）を加熱してもよい。図２～５の例では、プローブアセンブリ１００は、熱制御されたプローブヘッド１４０によって支持された複数の熱制御されたプローブ１４４を含む。とりわけ、図２～５は、熱制御されたプローブヘッド１４０が熱制御されたプローブ１４４のアレイを支持する例を図示するものとして説明され得る。

別の例として、及び図１に追加的に概略的に図示されるように、熱制御システム１５０は、基板３０から熱エネルギーを追加及び／又は取り除くように構成されたペルチェプレート１５４を含んでもよい。そのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、ペルチェプレート１５４は、両面プローブシステム１０の動作可能な使用時中に基板３０から離間するように構成される。いくつかの例では、ペルチェプレート１５４は、ベースプレート１４２及び／又は基板３０と熱伝達状態にあるように構成されている。そのような例では、熱制御システム１５０は、ベースプレート温度及び／又は基板温度を選択的かつ動的に制御するために、ペルチェプレート１５４のペルチェプレート温度を選択的に変化させるように構成される。いくつかのそのような例では、プローブヘッド温度は、ペルチェプレート温度を含んでもよく、及び／又はそれであってよい。いくつかのそのような例では、ペルチェプレート１５４は、伝導、対流、及び／又は放射熱伝達を介して、基板３０に熱エネルギーを加えてもよく、並びに／若しくは基板３０から熱エネルギーを取り除いてもよい。より具体的な例として、ペルチェプレート１５４は、少なくとも部分的に導電熱伝達を介してベースプレート１４２に熱エネルギーを加える及び／又はベースプレート１４２から熱エネルギーを取り除くするように構成されてもよく、かつベースプレートは、今度は、対流及び／又は放射熱伝達を介して基板３０に熱エネルギーを加える並びに／若しくは基板３０から熱エネルギーを取り除くように構成されてもよい。

ペルチェプレート１５４は、熱電効果及び／又は電流に応答するペルチェ効果を介してなどのような、任意の適切な方法で熱エネルギーを生成する並びに／若しくは熱エネルギーを取り除くように構成されてもよい。いくつかの例では、ペルチェプレート１５４は、ペルチェプレートが加熱領域と冷却領域との間に温度差を発生させるように、加熱領域と冷却領域とを含む。このように、ペルチェプレート１５４は、基板温度を制御するために、プローブヘッド温度及び／又はベースプレート温度を選択的かつ動的に増加並びに／若しくは減少させるために利用され得る。例えば、ペルチェプレート１５４は、加熱領域が熱制御されたプローブヘッド１４０及び／又はベースプレート１４２と熱伝達状態にあるとき、プローブヘッド温度及び／又はベースプレート温度を選択的に上昇させるために利用されてもよい。そのような例では、加熱領域は、ベースプレート１４２を介するなどのようにして基板３０と熱伝達状態にあると説明することができる。代替的に、ペルチェプレート１５４は、冷却領域が熱制御されたプローブヘッド１４０及び／又はベースプレート１４２と熱伝達状態にあるときに、プローブヘッド温度及び／又はベースプレート温度を選択的に低下させるために利用されてもよい。そのような例では、冷却領域は、ベースプレート１４２を介するなどのようにして、基板３０と熱伝達状態にあると説明することができる。いくつかのそのような例では、加熱領域は、熱制御されたプローブヘッド１４０から離れて熱エネルギーを放散するように構成されたヒートシンクを含む、及び／又はヒートシンクである。

図６～７は、熱制御システム１５０がペルチェプレート１５４を含むプローブアセンブリ１００の一部の若干概略的でない図である。とりわけ、図６～７の例では、ペルチェプレート１５４は、ベースプレート１４２の下に配置され、かつベースプレートと直接熱接触している。したがって、そのような例では、ペルチェプレート１５４は、ベースプレート温度を少なくとも部分的に制御するために伝導熱伝達を介してベースプレート１４２を少なくとも部分的に加熱するように構成されてもよく、かつベースプレートは対流及び／又は放射熱伝達を介して基板３０（図６～７には示されていない）を加熱してもよい。

さらに別の例として、及び図１に加えて概略的に図示されるように、熱制御システム１５０は、熱制御されたプローブヘッド１４０、ベースプレート１４２、及び／又は基板３０に向かって及び／又はそれらに熱流体１５８を搬送するように構成された流体導管１５６を含んでもよい。具体的には、そのような例では、流体導管１５６は、熱制御されたプローブヘッド１４０、ベースプレート１４２、及び／又は基板３０と熱伝達状態になるように熱流体１５８を搬送するように構成される。いくつかの例では、熱流体１５８は、ベースプレート１４２と基板３０との間の対流熱伝達などのような熱伝達を容易にする及び／又は強化するように動作してもよい。例えば、熱制御システム１５０がベースプレート１４２と熱伝達状態にあるヒータープレート１５２及び／又はペルチェプレート１５４を含む例では、熱流体１５８は、熱制御システム１５０が基板温度を目標温度（ベースプレート温度などのような）により速く及び／又はより正確にもたらすように、ベースプレート１４２と基板３０との間の熱伝達を容易にしてもよい。このような例では、熱流体１５８はまた、ヒータープレート１５２と基板３０との間、及び／又はペルチェプレート１５４と基板３０との間の対流熱伝達を容易にすると説明されてもよい。

追加的又は代替的に、熱制御システム１５０は、プローブヘッド温度及び／又は基板温度を選択的かつ動的に制御することを容易にするために、流体導管１５６を通して熱流体１５８の熱流体温度並びに／若しくは熱流体１５８の熱流体流量を選択的に変化させるように構成されてもよい。いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、熱制御システム１５０は、制御された熱流体温度及び／又は制御された熱流体流量で熱流体１５８を流体導管１５６に供給するように構成された熱流体供給源１６０を更に含む。熱流体１５８は、熱エネルギーを伝えるように動作可能な様々な流体を含み、及び／又はそれらであってよく、その例としては、ガス、加圧ガス、空気、窒素、希ガス、及び／又はアルゴンを含む。

図８～９は、熱制御システム１５０が流体導管１５６を含むプローブアセンブリ１００の一部の若干概略的ではない図である。とりわけ、図６～７の例では、流体導管１５６は、熱流体温度及び／又は熱流体流量の選択的変動を介してベースプレート温度を少なくとも部分的に制御するなどのように、熱流体１５８をベースプレート１４２上に直接流すように配置される。

いくつかの実施例において、及び図１に概略的に図示されるように、熱制御システム１５０は、両面プローブシステム１０及び／又は熱制御システム１５０の動作を少なくとも部分的に制御するようにプログラムされたコントローラ１８０を含む。より具体的には、いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、コントローラ１８０は、熱制御システム１５０の動作を少なくとも部分的に制御するように構成された熱制御信号１８２を生成するようにプログラムされている。そのような例において、及び図１に概略的に図示されるように、コントローラ１８０は、熱制御信号１８２をヒータープレート１５２に、ペルチェプレート１５４に、及び／又は熱流体供給源１６０に送信するようプログラムされてもよい。より具体的な例として、コントローラ１８０は、熱制御信号１８２を用いて、ヒータープレート温度、ペルチェプレート温度、熱流体温度、及び／又は熱流体流量を少なくとも部分的に制御するようにプログラムされてもよい。

コントローラ１８０は、本明細書で論じられるコントローラの機能を行うようにプログラムされた及び／又は構成された任意の適切なデバイス又はデバイス群を含んでもよく並びに／若しくはそれらであってもよい。例えば、コントローラ１８０は、電子コントローラ、専用コントローラ、特殊用途コントローラ、パーソナルコンピュータ、特殊用途コンピュータ、ディスプレイデバイス、論理デバイス、メモリデバイス、及び／又は本開示によるシステム並びに／若しくは方法の態様を実施するためのコンピュータ実行可能命令を格納するのに適した非一時的コンピュータ可読媒体を有するメモリデバイスのうちの１つ以上を含んでもよい。

いくつかの例では、コントローラ１８０は、両面プローブシステム１０の及び／又は基板３０の構成要素の測定された温度に少なくとも部分的に基づいて熱制御信号１８２を生成するようにプログラムされる。いくつかのそのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、熱制御システム１５０は、１つ以上の温度センサ１７０を含み、その各々は、両面プローブシステム１０及び／又は基板３０の少なくとも一部並びに／若しくは一領域のそれぞれのプローブシステム温度を測定するように構成される。例として、温度センサ（複数可）１７０は、各それぞれのプローブシステム温度が、基板温度、プローブヘッド温度、ベースプレート温度、ヒータープレート温度、ペルチェプレート温度、及び／又は熱流体温度を含む並びに／若しくはそれらであるなどのように構成されてもよく並びに／若しくは配置されてもよい。そのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、各温度センサ１７０は、それぞれのプローブシステム温度を表すそれぞれの温度信号１７２を生成し、かつ送信するように構成される。より具体的には、いくつかのそのような例では、各温度センサ１７０は、それぞれの温度信号１７２をコントローラ１８０に送信するように構成され、かつコントローラは、１つ以上の温度センサのそれぞれの温度信号１７２に少なくとも部分的に基づいて熱制御信号を生成するようにプログラムされる。各温度センサ１７０は、それぞれのプローブシステム温度を測定するために動作可能な様々なデバイスのいずれかを含んでもよく及び／又はそれらであってもよく、その例は、温度計、熱電対、サーミスタ、赤外線温度センサ、接触温度センサ、及び非接触型温度センサを含む。

いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、両面プローブシステム１０は、両面プローブシステム１０の、プローブアセンブリ１００の、及び／又は熱制御システム１５０の構成要素を電気的に相互接続するように構成された１つ以上の電気導体１１２を含んでいる。いくつかのそのような例では、電気導体１１２は、ヒータープレート１５２及び／又はペルチェプレート１５４などのような熱制御システム１５０の１つ以上の構成要素に電力を供給するように構成されてもよい。追加的又は代替的に、及び図１に概略的に図示されるように、電気導体１１２は、温度センサ（複数可）１７０からの温度信号（複数可）１７２をコントローラ１８０に伝達するように構成されてもよい。追加的又は代替的に、及び図１に更に概略的に図示されるように、電気導体１１２は、コントローラ１８０から熱制御信号１８２を、ヒータープレート１５２、ペルチェプレート１５４、及び／又は熱流体供給源１６０などのような熱制御システム１５０の一つ以上のコンポーネントに伝達するように構成されてもよい。

いくつかの例において、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００は、両面プローブシステム１０及び／又は基板３０の少なくとも一部並びに／若しくは一領域の光学画像を生成するように構成される少なくとも１つの撮像デバイス１９０を含む。例として、各撮像デバイス１９０は、第１の基板側３２、第１の基板側３２に接触するプローブアセンブリ１００の一部、第２の基板側３４、及び／又は第２の基板側３４に接触するプローブアセンブリ１００の一部の光学画像を生成するよう構成されてもよい。いくつかの例では、撮像デバイス１９０は、各プローブ１３０を対応するＤＵＴ４０及び／又はその対応する検査位置４２と位置合わせすることを容易にするように構成されてもよい。追加的又は代替的に、撮像デバイス１９０は、ＤＵＴ（複数可）の性能を評価及び／又は特徴付けるなどのように、基板３０及び／又はＤＵＴ（複数可）４０によって放出される電磁放射及び／又は光を収集するように構成されてもよい。したがって、いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００のプローブ（複数可）１３０は、撮像デバイス１９０を含んでもよい。別の言い方をすれば、いくつかの例では、各撮像デバイス１９０は、撮像デバイスの視野内にある両面プローブシステム１０及び／又は基板３０の一領域の形状において、少なくとも１つの対応する検査位置４２から光を取り込むように構成されたプローブ１３０の例として説明することができる。このような例では、各撮像デバイス１９０は、対応する検査位置４２から放射される電磁放射及び／又は光の形状で、結果信号５４を受信するように構成されていると説明することができる。

本明細書で使用される場合、プローブ１３０（及び／又はその一部）及び対応するＤＵＴ４０（及び／又はその一部）の相対的な向きを説明するために使用される「位置合わせ」又は「位置合わせされる」という用語は、一般に、プローブが対応するＤＵＴと少なくとも実質的に垂直方向に位置合わせされ、対応するＤＵＴと少なくとも実質的に水平方向に位置合わせされ、対応するＤＵＴの対応する検査位置４２と少なくとも実質的に位置合わせされ、及び／又は対応するプローブ１３０が対応する検査位置に接触するように配置される構成を意味する。

本明細書で使用される場合、「水平」、「垂直」などのような方向性のある用語は、一般に、基板３０が地面に対して少なくとも実質的に平行に延在し、各プローブ１３０が基板の垂直上方又は垂直下方に配置される構成を意味する。例えば、図１は、基板３０が水平方向に延在する構成を概略的に図示するものとして説明することができる。しかしながら、そのような構成は必須ではなく、両面プローブシステム１０の構成要素が地面に対して任意の好適な向きを有していてもよいことは、加えて開示の範囲内である。

いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００の少なくとも１つの撮像デバイス１９０は、熱制御されたプローブヘッド撮像デバイス１９２を含んでもよく、及び／又はそれであってもよい。具体的には、そのような例では、熱制御されたプローブヘッド撮像デバイス１９２は、熱制御されたプローブヘッド１４０の少なくとも一部及び／又は一領域の光学画像を生成するように構成される。いくつかのそのような例において、及び図１に概略的に図示されるように、熱制御されたプローブヘッド撮像デバイス１９２は、第２の基板側３４とインターフェースするように構成される熱制御されたプローブヘッド１４０の一部の光学画像を生成するように構成される。追加的又は代替的に、及び図１に概略的に図示されるように、プローブアセンブリ１００の少なくとも１つの撮像デバイス１９０は、第１の基板側３２、１つ以上のＤＵＴ４０、及び／又は１つ以上の検査位置４２などのような基板３０の少なくとも一部及び／又は一領域の光学画像を生成するように構成された基板撮像デバイス１９４を含んでもよく及び／又はそれであってもよい。

熱制御されたプローブヘッド撮像デバイス１９２及び／又は基板撮像デバイス１９４などのような各撮像デバイス１９０は、図１に図示されるＺ方向に少なくとも実質的に平行な方向などのような任意の適切な方向に沿って光学像を生成するための光を取り入れるように構成されてもよい。各撮像デバイス１９０は、プローブアセンブリ１００及び／又は基板３０の１つ以上の光学画像を生成するために適合され、構成され、設計され、並びに／若しくは構築された様々な構造並びに／若しくはデバイスのいずれかを含んでもよく、並びに／もしくはそれらであってもよい。例として、各撮像デバイス１９０は、顕微鏡、接眼レンズを含む顕微鏡、接眼レンズを含まない顕微鏡、カメラ、電荷結合デバイス、撮像センサ、固体撮像デバイス、Ｃ－ＭＯＳ撮像デバイス、及び／又はレンズのうちの１つ以上を含んでもよく、並びに／若しくはそれであってよい。

熱制御されたプローブヘッド１４０は、任意の適切な構造及び／又は機構を介して、チャック２０並びに／若しくは基板３０に対して動作可能に支持されてもよい。いくつかの例では、図１に概略的に図示され、及び図２～図９に若干概略的ではなく図示されるように、プローブアセンブリ１００は、チャック２０（図１に示される）及び／又は基板３０（図１に示される）に対して熱制御されたプローブヘッド１４０を動作可能に支持する支持アーム１１０を含む。支持アーム１１０は、第１の基板側３２及び第２の基板側３４の各々に少なくとも実質的に平行である方向などのように、任意の適切な方向に沿って延在してもよい。そのような例では、支持アーム１１０は、少なくとも実質的に水平に延在するものとして説明されてもよい。いくつかの例では、及び図１に概略的に図示されるように、支持アーム１１０は、チャック内部容積２８の外側などのようなチャック２０の外側に少なくとも部分的に延在している。

いくつかの例では、支持アーム１１０は、熱制御されたプローブヘッド１４０に加えて、プローブアセンブリ１００及び／又は熱制御システム１５０の１つ以上の構成要素を支持する。例として、図１に概略的に図示され、及び図２には若干概略的ではなく図示されるように、支持アーム１１０は、チャック２０（図１に示される）及び／又は基板３０（図１に示される）に対して熱制御されたプローブヘッド撮像デバイス１９２を支持してもよい。いくつかのそのような例では、図１に概略的に図示され、かつ少なくとも図３及び図５には若干概略的ではなく図示されるように、支持アーム１１０は、ベースプレート１４２から熱制御されたプローブヘッド撮像デバイス１９２までなどのように光が支持アームを通って移動することを可能にする支持アーム開口部１１４を含む。このように、そのような例では、支持アーム開口部１１４は、熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスに対して支持アーム１１０の反対側に配置されるプローブアセンブリ１００の一部及び／又は基板３０の一部を見ること及び／又は光学的にアクセスすることを可能にすると説明することができる。追加的は代替的に、いくつかの例において、及び図１に概略的に図示されるように、支持アーム１１０は、少なくとも部分的に電気導体（複数可）１１２を支持する。

いくつかの例では、図１に更に概略的に図示され、及び図２にはあまり概略的ではなく図示されるように、プローブアセンブリ１００は、チャック２０（図１に示される）及び／又は基板３０（図１に示される）に対してなどのように、支持アーム１１０を動作可能に支持するポジショナーステージ１２０を含む。とりわけ、いくつかのそのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、支持アーム１１０は、ポジショナーステージ１２０に動作可能に結合され、かつポジショナーステージ１２０から離れるように延在する。いくつかのそのような例では、及び図１に概略的に図示されるように、ポジショナーステージ１２０は、少なくとも部分的にチャック２０の外側及び／又はチャック内部容積２８の外側に配置され、並びに支持アーム１１０はポジショナーステージ１２０から離れかつチャック内部容積内に延在する。

このような例では、ポジショナーステージ１２０は、チャック２０及び／又は基板３０に対して熱制御されたプローブヘッド１４０を選択的に配置するために、支持アーム１１０をチャック２０に対して及び／又は基板３０に対して選択的に移動させるように構成される。ポジショナーステージ１２０は、チャック２０及び／又は基板３０に対して熱制御されたプローブヘッド１４０を選択的に並進並びに／若しくは選択的に回転させるによってなどのように、様々な方法のいずれかで支持アーム１１０並びに／若しくは熱制御されたプローブヘッド１４０を動かすように構成されてもよい。このように、ポジショナーステージ１２０は、プローブ可動範囲全体にわたって各熱制御されたプローブ１４４を動作可能に並進させるために利用され、それによって各熱制御されたプローブ１４４をチャック２０、基板３０及び／又はＤＵＴ（複数可）４０に対して動作可能に並進させてもよい。

いくつかの例では、ポジショナーステージ１２０は、熱制御されたプローブとＤＵＴ（複数可）との間の通信を許可するなどのように、１つ以上の熱制御されたプローブ１４４を、基板３０及び／又はＤＵＴ（複数可）４０に対する、相対的な並びに／若しくはそれら上の特定の、目標の、及び／又は所望の位置に動作可能に配置するために利用され得る。ポジショナーステージ１２０は、図１に図示されるＸ方向、Ｙ方向、及び／又はＺ方向などのような複数の異なる、別々の、異なる、垂直な、並びに／若しくは直交する方向のいずれかに、チャック２０並びに／若しくは基板３０に対して熱制御されたプローブヘッド１４０を選択的に並進するように構成されてもよい。追加的又は代替的に、ポジショナーステージ１２０は、図１に図示されるＸ方向、Ｙ方向、及び／又はＺ方向などのような複数の異なる、別個の、垂直な、並びに／若しくは直交する方向のいずれかに、チャック２０並びに／若しくは基板３０に対して熱制御されたプローブヘッド１４０を、選択的に回転させるように構成されてもよい。図１の例では、Ｘ方向及びＹ方向は、チャック支持面２２、第１の基板表面３２、及び／又は第２の基板表面３４に対して平行であるか、又は少なくとも実質的に平行であってよく、Ｚ方向は、チャック支持面２２、第１の基板表面３２、及び／又は第２の基板表面３４に対して直角であるか、若しくは少なくとも実質的に直角であってよい。しかし、このような特定の構成は必須ではない。

ポジショナーステージ１２０は、支持アーム１１０を介してなどのように、熱制御されたプローブヘッド１４０を動作可能に支持し得る、及び／又は、図１のＸ軸、Ｙ軸、並びにＺ軸などのような、直交する３軸、若しくは少なくとも実質的に直交する軸に延在し得るなどのような、プローブ稼働範囲全体にわたって各熱制御されたプローブ１４４を動作可能に並進するように構成され得る、様々な構造のいずれかを含んでもよく、並びに／若しくはいずれかであってもよい。例として、ポジショナーステージ１２０は、１つ以上の並進台、リードスクリュー、ボールスクリュー、ラックアンドピニオンアセンブリ、モータ、ステッピングモータ、電気アクチュエータ、機械アクチュエータ、圧電アクチュエータ、マイクロメータ、及び／又は手動アクチュエータを含んでもよい。ポジショナーステージ１２０は、手動で作動するステージ及び／又は自動化された、すなわち電気で作動するステージであってよい。いくつかの例では、ポジショナーステージ１２０は、支持アーム１１０を含むものとして説明されてもよい。

図１０は、本開示による、本明細書に記載される両面プローブシステム１０などのような両面プローブシステムを動作させる方法２００を示すフローチャートである。具体的には、及び図１０に示すように、方法２００は、２１０において、両面プローブシステムの熱制御システムを利用して、１つ以上のＤＵＴを含む基板の基板温度を調節することを含む。方法２００と併せて利用することができる基板、ＤＵＴ、及び／又は熱制御システムの例は、それぞれ、基板３０、ＤＵＴ（複数可）４０、及び／又は熱制御システム１５０を参照して、本明細書に記載されている。

２１０における基板温度を調節することは、両面プローブシステム１０を参照して本明細書に記載される様々な構成要素のいずれかを利用して行ってもよい。例として、及び図１０に示すように、２１０における基板温度を調節することは、２１２において、ベースプレートのベースプレート温度を調節すること、２１４において、ヒータープレートのヒータープレート温度を選択的に変化させること、２１６において、ペルチェプレートのペルチェプレート温度を選択的に変化させること、２１８において、熱流体の熱流体温度を選択的に変化させること、及び／又は２２０において、熱流体の熱流体流量を選択的に変化させることを含むことができる。方法２００と併せて利用することができるベースプレート、ヒータープレート、ペルチェプレート、及び／又は熱流体の例は、それぞれ、ベースプレート１４２、ヒータープレート１５２、ペルチェプレート１５４、及び／又は熱流体１５８を参照して、本明細書に記載される。

いくつかの例では、及び本明細書において熱制御システム１５０を参照して説明されるように、ベースプレートは、ヒータープレート、ペルチェプレート、及び／又は熱流体と導電、対流、並びに／若しくは放射熱伝達などのような熱伝達状態にある。そのような例では、ヒータープレート、ペルチェプレート、及び／又は熱流体は、ベースプレートを加熱及び／又は冷却することによって少なくとも部分的に基板温度を調節すると説明することができる。したがって、いくつかのそのような例では、２１２におけるベースプレート温度を調節することは、２１４においてヒータープレート温度を選択的に変化させること、２１６においてペルチェプレート温度を選択的に変化させること、２１８において熱流体温度を選択的に変化させること、及び／又は２２０において熱流体流量を選択的に変化させることを含むものとして説明されてもよい。

いくつかの例では、２１０において基板温度を調節することは、基板温度を目標温度にすること、及び／又は基板温度を目標温度又はその近傍に維持することを含む。いくつかのそのような例では、及び図１０に示すように、２１０において基板温度を調節することは、２２２において、１つ以上の温度センサの各々を用いて、両面プローブシステムの少なくとも一部及び／又は一領域のそれぞれのプローブシステム温度を測定することを含む。方法２００と併せて利用することができる温度センサの例は、温度センサ１７０を参照して本明細書に記載される。そのような例では、プローブシステム温度は、両面プローブシステム及び／又は基板の任意の好適な構成要素の温度を含んでもよく、並びに／若しくはその温度であってもよく、その例には、本明細書で論じられるように、ヒータープレート温度、ペルチェプレート温度、熱流体温度、ベースプレート温度、並びに／若しくは基板温度を含む。

いくつかの例では、及び図１０に示すように、２１０において基板温度を調節することは、２２４において、そして各温度センサを用いて、両面プローブシステムのコントローラ（本明細書に記載のコントローラ１８０などのような）になどのように、それぞれの温度信号（本明細書に記載の温度信号１７２などのような）を送信することを更に含む。そのような例では、及び図１０に示すように、２１０において基板温度を調節することは、２２６において、そしてコントローラを用いて、プローブシステム温度と目標温度とを比較することと、２２８において、そしてコントローラを用いて、本明細書に記載の熱制御信号１８２などのような熱制御信号を生成することと、を更に含んでもよい。そのような例において、及び図１０に更に示すように、２１０において基板温度を調節することは、２３０において、そしてコントローラを用いて、熱制御信号を、ヒータープレートに、ペルチェプレートに、及び／又は本明細書に記載の熱流体供給源１６０などのような熱流体供給源などのような熱制御システムの別のコンポーネントに送信することを更に含んでもよい。

いくつかの例では、２２８において熱制御信号を生成することは、２２６においてプローブシステム温度と目標温度とを比較することに少なくとも部分的に基づいている。例えば、２２６においてプローブシステム温度と目標温度とを比較することが、プローブシステム温度が目標温度よりも低いという兆候をもたらす場合、２２８において熱制御信号を生成することは、熱制御システムを用いてプローブシステム温度を上昇させるように動作する熱制御信号を生成することを含んでもよい。いくつかのより具体的な例では、２２８において熱制御信号を生成することは、比例－積分－微分（ＰＩＤ）フィードバックループなどのようなフィードバックルーチンを利用して、プローブシステム温度と目標温度とに基づいて熱制御信号を生成することを含んでもよい。

いくつかの例では、及び図１０に示すように、方法２００は、２５０において、そして両面プローブシステムのプローブアセンブリを用いて、基板の１つ以上のＤＵＴを検査することを更に含む。より具体的には、いくつかのそのような例では、２５０においてＤＵＴ（複数可）を検査することは、２１０において基板温度を調節することと同時に行われる。方法２００と併せて利用することができるプローブアセンブリの例は、プローブアセンブリ１００を参照して本明細書で説明される。

いくつかの例では、及び図１０に示すように、２５０においてＤＵＴ（複数可）を検査することは、２５２において、ＤＵＴ（複数可）の少なくとも１つのサブセットを第１のプローブサブセットを用いて検査すること、及び２５４において、ＤＵＴ（複数可）の少なくともサブセットを第２のプローブサブセットを用いて検査すること、を含む。第１のプローブサブセット及び第２のプローブサブセットの例は、それぞれ、第１のプローブサブセット１３２及び第２のプローブサブセット１３４を参照して本明細書で説明される。いくつかのそのような例では、２５２において第１のプローブサブセットを用いて検査すること及び２５４において第２のプローブサブセットを用いて検査することは、同時に並びに／又は基板がチャック２０などのようなチャックに対して少なくとも実質的に固定されたままである間に行われる。

いくつかの例において、及び本明細書で論じられるように、２５４において第２のプローブサブセットを用いて検査することは、第２の基板側（本明細書に記載の第２の基板側３４などのような）を介して１つ以上のＤＵＴにテスト信号（本明細書に記載のテスト信号５２などのような）を提供するために第２のプローブサブセットを利用することを含んでもよい。いくつかのそのような例では、２５２において第１のプローブサブセットを用いて検査することは、第１の基板側（本明細書に記載の第１の基板側３２などのような）を介して１つ以上のＤＵＴから結果信号（本明細書に記載の結果信号５４などのような）を受信するために第１のプローブサブセットを利用することを含んでもよい。より具体的な例として、２５４において第２のプローブサブセットを用いて検査することは、電気信号の形態でテスト信号を提供することを含んでもよく、及び２５２において第１のプローブサブセットを用いて検査することは、本明細書に記載の撮像デバイス１９０並びに／又は基板撮像デバイス１９４などのような撮像デバイスを用いてなどのようにして、光信号の形態で結果信号を受信することを含んでもよい。追加的又は代替的に、いくつかの例において、及び図１０に示すように、２５０においてＤＵＴ（複数可）を検査することは、２５６においてテスト信号を生成すること、２５８において結果信号を受信すること、及び／又は２６０において結果信号を分析することを含んでもよい。そのような例では、２５６においてテスト信号を生成すること、２５８において結果信号を受信すること、及び／又は２６０において結果信号を分析することは各々が、信号生成・分析アセンブリを用いて実行されてもよい。方法２００と併せて利用することができる信号生成・分析アセンブリの例は、信号生成・分析アセンブリ５０を参照して本明細書で説明される。

いくつかの例では、２５０においてＤＵＴ（複数可）を検査することは、１つ以上の熱制御されたプローブなどのような１つ以上のプローブを用いて、少なくとも部分的に行われる。方法２００と併せて利用することができるプローブ及び／又は熱制御されたプローブの例は、それぞれ、プローブ１３０及び／又は熱制御されたプローブ１４４を参照して本明細書に記載されている。いくつかのそのような例において、及び図１０に示すように、方法２００は、２５０においてＤＵＴ（複数可）を検査することの前に、２４０において、１つ以上のプローブ及び／又は１つ以上の熱制御されたプローブ（複数可）をそれぞれの検査位置と位置合わせすることを更に含む。２４０においてプローブ（複数可）を位置合わせすることは、様々な方法のいずれかで及び様々な機構のいずれかを用いて行われてもよい。いくつかの例では、及び図１０に示すように、２４０においてプローブ（複数可）を位置合わせすることは、２４２において、そしてポジショナーステージを用いて、１つ以上のプローブを含む熱制御されたプローブヘッドを基板に対して配置することを含む。追加的又は代替的に、いくつかのそのような例において、及び図１０に示すように、２４０においてプローブ（複数可）を位置合わせすることは、２４４において、そして熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスを用いて、熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部及び／又は一領域の光学画像を生成することを含む。より具体的には、そのような例では、２４４において光学画像を生成することは、プローブ（複数可）と検査位置（複数可）との間の位置合わせを確立及び／又は確証するために、基板、ＤＵＴ（複数可）、及び検査位置（複数可）に対するプローブ（複数可）の位置及び／又は向きを画定するために熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスを利用することを含んでもよい。方法２００と併せて利用することができる検査位置、ポジショナーステージ、及び／又は熱制御されたプローブヘッドの例は、それぞれ検査位置４２、ポジショナーステージ１２０、及び／又は熱制御されたプローブヘッド１４０を参照して本明細書に記載されている。

本明細書で使用される場合、第１のエンティティと第２のエンティティの間に置かれる用語「及び／又は」は、（１）第１のエンティティ、（２）第２のエンティティ、及び（３）第１のエンティティと第２のエンティティのうちの１つを意味する。「及び／又は」で記載された複数のエンティティは、同じように解釈されるべきで、すなわち、そのように結合されたエンティティの「１つ以上」を意味する。他のエンティティは、「及び／又は」節によって具体的に特定されるエンティティ以外に、具体的に特定されるエンティティに関連するか否かを問わず、随意で存在することができる。したがって、非限定的な例として、「Ａ及び／又はＢ」という言及は、「備える」などのオープンエンドの言語と組み合わせて使用される場合、ある実施形態では、Ａのみ（随意でＢ以外のエンティティを含む）、別の実施形態では、Ｂのみ（随意でＡ以外のエンティティを含む）、さらに別の実施形態では、Ａ及びＢ両方（随意で他のエンティティを含む）、と言及してもよい。これらのエンティティは、要素、アクション、構造、ステップ、操作、値などを指す場合がある。

本明細書で使用される場合、１つ以上のエンティティのリストを参照する語句「少なくとも１つ」は、エンティティのリスト内の任意の１つ以上のエンティティから選択される少なくとも１つのエンティティを意味すると理解すべきであるが、必ずしもエンティティのリスト内に具体的にリストされた各エンティティの少なくとも１つを含む必要はなく、エンティティのリスト内のエンティティの任意の組み合わせを除外するものでもない。また、この定義では、「少なくとも１つ」という文言が指すエンティティのリスト内で具体的に特定されたエンティティ以外に、具体的に特定されたエンティティに関連するかしないかにかかわらず、エンティティが随意で存在することができる。したがって、非限定的な例として、「Ａ及びＢの少なくとも１つ」（又は、等価的に「Ａ又はＢの少なくとも１つ」、又は、等価的に「Ａ及び／又はＢの少なくとも１つ」）は、一実施形態では、Ｂが存在しない（及び、随意でＢ以外のエンティティを含む）少なくとも１つの、随意で２つ以上の、Ａを指すことができ、別の実施形態では、Ａが存在しない（及び随意でＡ以外のエンティティを含む）少なくとも１つの、随意で２つ以上の、Ｂを指すことができ、さらに別の実施形態では、１つ以上のＡ、及びＢを含む（及び随意で他のエンティティを含む）少なくとも１つ、随意で２つ以上を指すことができる。言い換えれば、語句「少なくとも１つ」、「１つ以上」、及び「及び／又は」は、動作において接続的及び分離的であるオープンエンドな表現である。例えば、「Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、又はＣの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、及びＣの１つ以上」、「Ａ、Ｂ、又はＣの１つ以上」、「Ａ、Ｂ、及び／又はＣ」という表現はそれぞれ、Ａ単独で、Ｂ単独で、Ｃ単独で、Ａ及びＢ一緒に、Ａ及びＣ一緒に、Ｂ及びＣ一緒に、Ａ、Ｂ及びＣ一緒に、随意で上記のいずれかと少なくとも一つの他のエンティティを組み合わせて意味し得る。

本明細書で使用される場合、程度又は関係を修飾するときの「少なくとも実質的に」というフレーズは、言及された「実質的な」程度又は関係だけでなく、言及された程度又は関係の全範囲を含む。言及された程度又は関係の実質的な量は、言及された程度又は関係の少なくとも７５％を含んでもよい。例えば、第２の方向と少なくとも実質的に平行な第１の方向は、第２の方向に対して２２．５°の角度偏差の範囲内にある第１の方向を含み、また、第２の方向と同一の第１の方向も含まれる。

特許、特許出願、又は他の文献が参照により本明細書に組み込まれ、本開示の非組み込み部分又は他の組み込まれた文献のいずれかと（１）矛盾する方法で用語を定義した場合、及び／又は（２）他の矛盾する場合、本開示の非組み込み部分が支配し、並びにそこに組み込まれた用語若しくは開示は、その用語が定義されて並びに／若しくは組み込まれた開示がもともと存在していた文献に関してのみ支配するものとする。

本明細書で使用される「適合される」及び「構成される」という用語は、要素、構成要素、又は他の主題が、所定の機能を行うように設計され、及び／又は意図されていることを意味する。したがって、用語「適合される」及び「構成される」の使用は、所定の要素、構成要素、又は他の主題が単に所定の機能を行う「ことができる」ことではなく、要素、構成要素、及び／又は他の主題が機能を行う目的で特に選択、作成、実装、利用、プログラム、並びに／若しくは設計されていることを意味すると解釈されるべきである。特定の機能を行うように適合されているとして記載されている要素、構成要素、並びに／若しくは他の記載されている主題は、追加的又は代替的に、その機能を行うように構成されていると記載されてもよく、その逆もまた、本開示の範囲内である。

本明細書で使用される場合、１つ以上の構成要素又は装置の特性の動作、動き、構成、若しくは他の活動を修飾するときの用語「選択的」及び「選択的に」は、特定の動作、動き、構成、若しくは他の活動が、本明細書に記載されるように、１つ以上の動的プロセスの直接的又は間接的結果であることを意味している。したがって、用語「選択的」及び「選択的に」は、装置の態様、又は１つ以上の構成要素のユーザー操作の直接的又は間接的な結果であるアクティビティを特徴付けることができ、若しくは本明細書に開示される機構を介してなど、自動的に発生するプロセスを特徴付けることができる。

本明細書で使用される場合、「例えば」という語句、「例として」という語句、及び／又は単なる「例」という用語は、本開示による１つ以上の構成要素、特徴、詳細、構造、及び／又は実施形態を参照して使用される場合、説明された構成要素、特徴、詳細、構造、及び／又は実施形態が、本開示による構成要素、特徴、詳細、構造、並びに／若しくは実施形態に関する例示的、非排他的例であると伝えるよう意図されたものである。したがって、記載された構成要素、特徴、詳細、構造、及び／又は実施形態は、限定的、必須、若しくは排他的／網羅的であることを意図しておらず、構造的及び／又は機能的に類似並びに／若しくは同等の構成要素、特徴、詳細、構造、並びに／若しくは実施形態を含む、他の構成要素、特徴、詳細、構造、及び実施形態も本開示の範囲内である。

本開示において、例示的で非排他的な例のいくつかは、方法が一連のブロック、又はステップとして示され、説明される流れ図、若しくはフローチャートの文脈で論じられ、及び／若しくは提示されてきた。添付の説明で具体的に記載されていない限り、ブロックの順序は、ブロック（又はステップ）の２つ以上が異なる順序で及び／又は同時に発生することを含め、フロー図に図示された順序と異なってもよいことは、本開示の範囲内である。ブロック、又はステップが、ロジックとして実装されてもよいことも、本開示の範囲内であり、ブロック、又はステップをロジックとして実装すると説明されることもある。いくつかのアプリケーションでは、ブロック、又はステップは、機能的に等価な回路若しくは他の論理デバイスによって行われる式及び／若しくはアクションを表す場合がある。図示されたブロックは、コンピュータ、プロセッサ、及び／又は他の論理デバイスに応答させる、アクションを行う、状態を変更する、出力若しくは表示を生成する、並びに／若しくは決定を行う実行可能命令を表すことができるが、必須ではない。

本明細書に開示された装置及びシステムの様々な開示された構成要素並びに方法のステップは、本開示による全ての装置、システム、及び方法に必要なものではなく、本開示は、本明細書に開示された様々な要素及びステップの全ての新規かつ非自明な組み合わせ並びにサブコンビネーションを含む。さらに、本明細書に開示された様々な要素及びステップの１つ以上は、開示された装置、システム、又は方法の全体から分離して離れた独立した発明的主題を定義し得る。したがって、そのような発明的主題は、本明細書に明示的に開示される特定の装置、システム、及び方法と関連付けられる必要はなく、そのような発明的主題は、本明細書に明示的に開示されていない装置、システム、及び／又は方法において有用性を見出すことができる。

本開示による両面プローブシステムの例示的な非排他的な例が、以下の列挙された段落に提示されている。

Ａ１．温度制御された両面プローブシステムであって、該両面プローブシステムは、
基板の１つ以上の被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査するように構成されたプローブアセンブリであって、前記プローブアセンブリは前記１つ以上のＤＵＴを検査する間、前記基板の基板温度を少なくとも部分的に制御するように構成された熱制御システムを含むプローブアセンブリと、
前記基板を支持するように構成されたチャックであって、前記チャックは前記基板が前記チャックによって動作可能に支持されている間、前記プローブアセンブリが前記基板の第１の基板側及び前記第１の基板側とは反対側にある前記基板の第２の基板側の各々にアクセスできるように、前記基板を支持するように構成されたチャックと、
を備える、両面プローブシステム。

Ａ２．Ａ１に記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、前記プローブアセンブリが前記第１の基板側及び前記第２の基板側の各々を検査するために動作可能であるように前記基板を支持するように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ３．Ａ１～Ａ２のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記プローブアセンブリは、
（ｉ）前記第１の基板側及び第２の基板側の一方又は両方にテスト信号を送信することと、及び
（ｉｉ）前記第１の基板側及び第２の基板側の一方又は両方から結果信号を受信することと、
のうちの１つ又は両方を行うように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ４．Ａ３に記載の両面プローブシステムであって、前記結果信号は、少なくとも部分的に前記テスト信号に基づくものである、両面プローブシステム。

Ａ５．Ａ３～Ａ４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記テスト信号を前記第１の基板側及び前記第２の基板側の一方に送信するように構成され、かつ前記プローブアセンブリは、前記第１の基板側及び前記第２の基板側の他方から結果信号を受信するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ６．Ａ１～Ａ５のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記第１の基板側及び前記第２の基板側の各々と同時にアクセス並びにインターフェースの一方又は両方を行うように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ７．Ａ１～Ａ６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、随意で電気信号を提供することによって、電気接続を介して前記第１の基板側及び前記第２の基板側の一方を検査するように構成され、かつ前記プローブアセンブリは、随意で光信号を受け取ることによって、そして随意で前記電気信号に対応する光信号を受信することによって、光学測定を介して第１の基板側及び第２の基板側の他方を検査するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ８．Ａ１～Ａ７のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記基板の周辺領域に沿ってのみ前記基板に接触するように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ９．Ａ１～Ａ８のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、前記基板を支持するために前記基板の前記第２の基板側、随意で前記第２の基板側の（前記）周辺領域、に接触するように構成されたチャック支持面を含む、両面プローブシステム。

Ａ１０．Ａ１～Ａ９のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記チャックはチャック開放領域を含み、かつ前記プローブアセンブリは、前記チャック開放領域を介して前記第１の基板側又は前記第２の基板側の一方を検査するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ１１．Ａ１０に記載の両面プローブシステムであって、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記プローブアセンブリが前記チャック開放領域を介して前記基板の前記第２の基板側を検査するように構成されるように、（前記）チャック支持表面が少なくとも部分的に前記チャック開放領域を境界づける、両面プローブシステム。

Ａ１２．Ａ１０～Ａ１１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記チャック開放領域は、開口部、ギャップ、チャネル、及びホールのうちの１つ以上を含み、そして随意でそれらである、両面プローブシステム。

Ａ１３．Ａ１～Ａ１２のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記チャックから離間している、両面プローブシステム。

Ａ１４．Ａ１～Ａ１３のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記チャックと直接的に機械的な連通をしていない、両面プローブシステム。

Ａ１５．Ａ１～Ａ１４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記チャックと間接的に機械的な連通をしていない、両面プローブシステム。

Ａ１６．Ａ１～Ａ１５のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記１つ以上のＤＵＴのうちの少なくとも１つのＤＵＴを検査するように構成された熱制御されたプローブヘッドを含み、随意で、前記熱制御されたプローブヘッドが前記熱制御システムの少なくとも一部を含み、かつ随意で、前記熱制御システムｊは、前記熱制御されたプローブヘッドが前記１つ以上のＤＵＴのうちの少なくとも１つのＤＵＴを検査する間、基板温度及び前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部並びに／又は一領域のプローブヘッド温度の一方若しくは両方を少なくとも部分的に制御するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ１７．Ａ１～Ａ１６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記両面プローブシステムは、前記基板を、最小６０℃、最小７０℃、最小８０℃、最小９０℃、最大１００℃、最大８５℃、最大７５℃、及び最大６５℃のうちの１つ以上である最高温度にするように構成される、両面プローブシステム。

Ａ１８．Ａ１～Ａ１７のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記両面プローブシステムは、前記基板温度を、目標、又は所望の温度から、最大５℃、最大３℃、最大２℃、最大１℃、及び最大０．５℃のうちの１つ以上の異なる温度に維持するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ１９．Ａ１～Ａ１８のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、１つ以上のチャック壁と、１つ以上のチャック壁及び（前記）チャック支持面の一方又は両方によって少なくとも部分的に境界づけられたチャック内部容積と、を含み、かつ前記熱制御されたプローブヘッドが、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中にチャック内部容積内に少なくとも部分的に配置される、両面プローブシステム。

Ａ２０．Ａ１～Ａ１９のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記基板の１つ以上の検査位置とインターフェースするように構成され、随意で、１つ以上の検査位置が複数の検査位置であり、１つ以上のＤＵＴの各ＤＵＴが、前記１つ以上の検査位置の少なくとも１つの対応する検査位置を含む、両面プローブシステム。

Ａ２１．Ａ２０に記載の両面プローブシステムであって、前記１つ以上の検査位置は、
（ｉ）前記第１の検査位置サブセットの各検査位置が、前記第１の基板側に形成されること、及び前記第１の基板側を介して検査されるように構成されることの一方又は両方である、第１の検査位置サブセットと、
（ｉｉ）前記第２の検査位置サブセットの各検査位置が、前記第２の基板側に形成されること、及び前記第２の基板側を介して検査されるように構成されることの一方又は両方である、第２の検査位置サブセットと、
のうちの１つ又は両方を含む、両面プローブシステム。

Ａ２２．Ａ１～Ａ２１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記１つ以上のＤＵＴを検査するための１つ以上のプローブを含み、随意で、前記１つ以上のプローブの少なくとも１つのプローブが、前記１つ以上のＤＵＴの対応するＤＵＴに備わる（前記）１つ以上の検査位置のそれぞれの検査位置とインターフェースするように構成され、随意で、（前記）熱制御されたプローブヘッドが、前記１つ以上のプローブの少なくとも一つのサブセットを含み、かつ随意で、１つ以上のプローブが複数のプローブである、両面プローブシステム。

Ａ２３．Ａ２２に記載の両面プローブシステムであって、前記１つ以上のプローブの各プローブは、
（ｉ）前記対応するＤＵＴに（前記）テスト信号を供給すること、及び
（ｉｉ）前記対応するＤＵＴから（前記）結果信号を受信すること、
のうちの１つ又は両方を行うように構成される、両面プローブシステム。

Ａ２４．Ａ２２～Ａ２３のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記１つ以上のプローブは、
（ｉ）第１のプローブサブセットであって、前記第１のプローブサブセットの各プローブは、前記第１の基板側を介して１つ以上のＤＵＴの少なくとも一つのサブセットを検査するように動作可能であり、随意で、前記第１のプローブサブセットの各プローブは、（前記）第１の検査位置サブセットのそれぞれの検査位置とインターフェースするように構成される、第１のプローブサブセット、及び
（ｉｉ）第２のプローブサブセットであって、前記第２のプローブサブセットの各プローブは、前記第２の基板側を介して前記１つ以上のＤＵＴの少なくとも一つのサブセットを検査するように動作可能であり、随意で、前記第２のプローブサブセットの各プローブは、（前記）第２の検査位置サブセットのそれぞれの検査位置とインターフェースするように構成されている、前記第２のプローブサブセット、
のうちの１つ又は両方を含む、両面プローブシステム。

Ａ２５．Ａ２４に記載の両面プローブシステムであって、Ａ１６から従属する場合、前記熱制御されたプローブヘッドは、前記第２のプローブサブセットの少なくとも一部を含み、随意で、前記熱制御されたプローブヘッドは、前記第２のプローブサブセットの各プローブを含む、両面プローブシステム。

Ａ２６．Ａ２４～Ａ２５のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記第２のプローブサブセットの少なくとも一部が前記熱制御システムと前記基板との間に延在するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ２７．Ａ２２～Ａ２６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記１つ以上のプローブのうちの少なくとも１つのプローブは、はんだバンプの形態で前記それぞれの検査位置に接触するように構成された垂直プローブを含み、そして随意でそのような垂直プローブである、両面プローブシステム。

Ａ２８．Ａ２２～Ａ２７のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記１つ以上のプローブのうちの少なくとも１つのプローブが、コンタクトパッドの形態で前記それぞれの検査位置に接触するように構成されたカンチレバープローブを含み、そして随意でそのようなカンチレバープローブである、両面プローブシステム。

Ａ２９．Ａ２２～Ａ２８のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記１つ以上のプローブのうちの少なくとも１つのプローブが、光カプラの形態で前記それぞれの検査位置と光学的及び／又は電磁気的に結合するように構成された光プローブを含み、そして随意でそのような光プローブである、両面プローブシステム。

Ａ３０．Ａ２２～Ａ２９のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、Ａ１６から従属する場合、前記１つ以上のプローブは、１つ以上の熱制御されたプローブを含み、そして随意でそれであり、かつ
（ｉ）前記熱制御されたプローブヘッドが、前記１つ以上の熱制御されたプローブを含むこと、及び
（ｉｉ）（前記）第２のプローブサブセットが、前記１つ以上の熱制御されたプローブを含むこと、そして随意でそれであること、
のうちの１つ又は両方である、両面プローブシステム。

Ａ３１．Ａ３０に記載の両面プローブシステムであって、前記両面プローブシステムは、前記プローブアセンブリの動作可能な使用時中に、
（ｉ）前記１つ以上の熱制御されたプローブが、前記第１の基板側と前記第２の基板側の一方と、直接接触状態及び熱伝達状態にあること、のうちの１つ又は両方であること、並びに
（ｉｉ）前記プローブアセンブリの少なくとも一部が、前記第１の基板側と前記第２の基板側の他方と、電気通信状態及び光通信状態のうちの一方又は両方であること、
のように構成される、両面プローブシステム。

Ａ３２．Ａ３０～Ａ３１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御されたプローブヘッドは、前記基板に対して前記１つ以上の熱制御されたプローブを動作可能に支持するベースプレートを更に含み、かつ前記ベースプレートは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ３３．Ａ３２に記載の熱制御されたプローブヘッドであって、前記ベースプレートは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板と熱伝達状態にあるように構成され、かつ熱制御システムは、前記ベースプレートのベースプレート温度を選択的に制御するように構成される、熱制御されたプローブヘッド。

Ａ３４．Ａ３２～Ａ３３のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記ベースプレートは、前記１つ以上の熱制御されたプローブの総熱質量よりも大きい熱質量を有し、随意で、前記１つ以上の熱制御されたプローブの前記総熱質量に対する前記ベースプレートの熱質量の比率が、最小１００、最小１，０００、最小１０，０００、最小１００，０００、及び最小１，０００，０００のうちの１つ以上である、両面プローブシステム。

Ａ３５．Ａ１～Ａ３４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、ヒータープレートを含み、前記ヒータープレートは前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間するように構成され、前記ヒータープレートは、（前記）熱制御されたプローブヘッド、（前記）ベースプレート、及び前記基板のうちの１つ以上と熱伝達状態であり、並びに熱制御システムは、（前記）ベースプレート温度と前記基板温度の一方又は両方を選択的に制御するように前記ヒータープレートのヒータープレート温度を選択的に変化するように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ３６．Ａ３５に記載の両面プローブシステムであって、前記ヒータープレートは、抵抗加熱器及び放射加熱器のうちの１つ以上を含む、両面プローブシステム。

Ａ３７．Ａ３５～Ａ３６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記ヒータープレートは、伝導熱伝達、対流熱伝達、及び放射熱伝達のうちの１つ以上を介して前記基板を加熱するように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ３８．Ａ１～Ａ３７のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムはペルチェプレートを含み、前記ペルチェプレートは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間するように構成され、前記ペルチェプレートは、（前記）熱制御されたプローブヘッド、（前記）ベースプレート、及び前記基板のうちの１つ以上と熱伝達状態であり、並びに前記熱制御システムは、（前記）ベースプレート温度と前記基板温度の一方又は両方を選択的に制御するように前記ペルチェプレートのペルチェプレート温度を選択的に変化するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ３９．Ａ３８に記載の両面プローブシステムであって、前記ペルチェプレートは、
（ｉ）伝導熱伝達、対流熱伝達、及び放射性熱伝達のうちの１つ以上を介して前記基板に熱エネルギーを加えること、及び
（ｉｉ）伝導熱伝達、対流熱伝達、及び放射熱伝達のうちの１つ以上を介して前記基板から熱エネルギーを取り除くこと、
のうちの１つ又は両方を行うように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ４０．Ａ３８～Ａ３９のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記ペルチェプレートは、加熱領域と冷却領域を含み、かつ前記ペルチェプレートが、前記加熱領域と前記冷却領域との間に温度差を生成するように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ４１．Ａ４０に記載の両面プローブシステムであって、前記加熱領域又は前記冷却領域の一方は、前記熱制御されたプローブヘッド、前記ベースプレート、及び前記基板のうちの１つ以上と熱伝達状態にある、プローブシステム。

Ａ４２．Ａ４０～Ａ４１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、
（ｉ）前記加熱領域は、伝導熱伝達、対流熱伝達、及び放射熱伝達のうちの１つ以上を介して前記基板を加熱するように構成されること、及び
（ｉｉ）前記冷却領域は、伝導熱伝達、対流熱伝達、及び放射熱伝達のうちの１つ以上を介して前記基板を冷却するように構成されること、
のうちの１つを備える、両面プローブシステム。

Ａ４３．Ａ１～Ａ４２のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、（前記）熱制御されたプローブヘッド、（前記）ベースプレート、及び前記基板のうちの１つ以上と熱伝達状態となるように熱流体を搬送するように構成された流体導管を含み、かつ前記熱制御システムが、前記ベースプレート温度及び前記基板温度の一方又は両方を選択的に制御するために前記熱流体の熱流体温度及び前記熱流体の熱流体流量の一方若しくは両方を選択的に変化させるように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ４４．Ａ４３に記載の両面プローブシステムであって、前記流体導管は、前記熱流体が前記基板と、
（ｉ）（前記）ヒータープレート
（ｉｉ）（前記）ペルチェプレート、及び
（ｉｉｉ）（前記）ベースプレート、
のうちの１つ以上の間の対流熱伝達を容易にするように構成されている、両面プローブシステム。

Ａ４５．Ａ４３～Ａ４４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、制御された熱流体温度及び制御された熱流体流量の一方又は両方で前記熱流体を前記流体導管に供給するように構成された熱流体供給源を含む、両面プローブシステム。

Ａ４６．Ａ４３～Ａ４５のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱流体は、ガス、加圧ガス、空気、窒素、希ガス、及びアルゴンのうちの１つ以上を含む、両面プローブシステム。

Ａ４７．Ａ１～Ａ４６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記両面プローブシステム及び前記熱制御システムの一方又は両方の動作を少なくとも部分的に制御するようにプログラムされたコントローラを含む、両面プローブシステム。

Ａ４８．Ａ４７に記載の両面プローブシステムであって、前記コントローラは、前記熱制御システムの動作を少なくとも部分的に制御するように構成された熱制御信号を生成するようにプログラムされており、随意で、前記コントローラは、（前記）ヒータープレート、（前記）ペルチェプレート、及び（前記）熱流体供給源のうちの１つ以上に前記熱制御信号を送信するようにプログラムされている、両面プローブシステム。

Ａ４９．Ａ４７～Ａ４８のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記コントローラは（前記）ヒータープレートの（前記）ヒータープレート温度を少なくとも部分的に制御するようにプログラムされており、随意で（前記）熱制御信号を介して制御する、両面プローブシステム。

Ａ５０．Ａ４７～Ａ４９のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記コントローラは、（前記）ペルチェプレートの（前記）ペルチェプレート温度を少なくとも部分的に制御するようにプログラムされており、随意で（前記）熱制御信号を介して制御する、両面プローブシステム。

Ａ５１．Ａ４７～Ａ５０のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記コントローラは、
（ｉ）（前記）熱流体の（前記）熱流体温度、随意で熱制御信号を介して、及び
（ｉｉ）（前記）熱流体の（前記）熱流体流量、随意で熱制御信号を介して、
のうちの一方又は両方を少なくとも部分的に制御するようにプログラムされている、両面プローブシステム。

Ａ５２．Ａ１～Ａ５１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、１つ以上の温度センサを含み、前記１つ以上の温度センサの各温度センサは、前記両面プローブシステム及び前記基板との一方又は両方の少なくとも一部並びに／若しくは一領域のそれぞれのプローブシステム温度を測定し、かつ前記それぞれのプローブシステム温度を表すそれぞれの温度信号を生成し送信するように構成されており、随意で、前記１つ以上の温度センサの各温度センサは、それぞれの温度信号を（前記）コントローラに送信するように構成されており、そして随意で、前記それぞれのプローブシステム温度は、前記基板温度、（前記）プローブヘッド温度、（前記）ベースプレート温度、（前記）ヒータープレート温度、（前記）ペルチェプレート温度、及び（前記）熱流体温度の１以上を含み、かつ随意でそれらである、両面プローブシステム。

Ａ５３．Ａ５２に記載の両面プローブシステムであって、前記１つ以上の温度センサの各温度センサは、温度計、熱電対、サーミスタ、赤外線温度センサ、接触型温度センサ、及び非接触型温度センサのうちの１つ以上を含み、かつ随意でそれらである、両面プローブシステム。

Ａ５４．Ａ５２～Ａ５３のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記それぞれのプローブシステム温度は、前記基板温度及び（前記）ベースプレート温度のうちの１つである、両面プローブシステム。

Ａ５５．Ａ５２－Ａ５４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、Ａ４７から従属する場合、前記コントローラは、前記１つ以上の温度センサの少なくとも１つの温度センサの前記それぞれの温度信号に少なくとも部分的に基づいて前記熱制御信号を生成するようにプログラムされている、両面プローブシステム。

Ａ５６．Ａ１～Ａ５５のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、
（ｉ）前記熱制御システムの１つ以上の構成要素に電力を供給すること、
（ｉｉ）（前記）１つ以上の温度センサからの（前記）それぞれの温度信号を、（前記）コントローラに伝達すること、及び
（ｉｉｉ）前記コントローラからの（前記）熱制御信号を、（前記）熱制御システムの１つ以上の構成要素に伝達すること、
のうちの１つ以上を行うように構成された１つ以上の電気導体を更に備える、両面プローブシステム。

Ａ５７．Ａ１～Ａ５６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、
（ｉ）前記両面プローブシステムの少なくとも一部及び／又は一領域と、
（ｉｉ）前記基板の少なくとも一部分及び／又は一領域と、
のうちの一方若しくは両方の光学画像を生成するように構成された少なくとも１つの撮像デバイスを含み、
随意で、（前記）１つ以上のプローブは、前記少なくとも１つの撮像デバイスを含む、
両面プローブシステム。

Ａ５８．Ａ５７に記載の両面プローブシステムであって、Ａ１６から従属する場合、前記少なくとも１つの撮像デバイスは、前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部及び／又は一領域、随意で前記第２の基板側とインターフェースするように構成された前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部及び／又は一領域、の光学画像を生成するように構成された熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスを含み、かつ随意でそのようなデバイスである、両面プローブシステム。

Ａ５９．Ａ５７～Ａ５８のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記少なくとも１つの撮像デバイスは、前記基板の少なくとも一部及び／又は一領域、随意で前記第１の基板側の少なくとも一部及び／又は一領域、そして随意で前記１つ以上のＤＵＴの少なくとも一部及び／又は一領域の光学画像を生成するように構成された基板撮像デバイスを含み、かつ随意でそのようなデバイスである、両面プローブシステム。

Ａ６０．Ａ１～Ａ５９のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、Ａ１６から従属する場合、前記プローブアセンブリは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記チャック及び前記基板の一方又は両方に対して前記熱制御されたプローブヘッドを動作可能に支持する支持アームを含む、両面プローブシステム。

Ａ６１．Ａ６０に記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記チャック及び前記基板の一方又は両方に対して（前記）熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスを動作可能に支持する、両面プローブシステム。

Ａ６２．Ａ６０～Ａ６１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、前記第１の基板側及び前記第２の基板側の各々に対して少なくとも実質的に平行な方向に沿って延在する、両面プローブシステム。

Ａ６３．Ａ６０～Ａ６２のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、少なくとも部分的に前記チャックの外側、随意で（前記）チャック内部容積の外側、に延在する、両面プローブシステム。

Ａ６４．Ａ６０～Ａ６３のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、（前記）流体導管の少なくとも一部を操作可能に支持する、両面プローブシステム。

Ａ６５．Ａ６０～Ａ６４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、（前記）熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスの少なくとも一部を支持する、両面プローブシステム。

Ａ６６．Ａ６０～Ａ６５のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、（前記）熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスと（前記）ベースプレートとの間に配置され、かつ前記支持アームが、前記ベースプレートから前記熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスへの光の移動を許容する支持アーム開口部を含む、両面プローブシステム。

Ａ６７．Ａ６０～Ａ６６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、（前記）１つ以上の電気導体の少なくとも一部を支持する、両面プローブシステム。

Ａ６８．Ａ６０～Ａ６７のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記支持アームを動作可能に支持するポジショナーステージを更に含み、前記支持アームは、前記ポジショナーステージに動作可能に結合され、かつ前記ポジショナーステージから離れて延在し、及び前記ポジショナーステージは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記熱制御されたプローブヘッドを前記基板に対して選択的に配置するために前記支持アームを前記チャックに対して選択的に移動するように構成される、両面プローブシステム。

Ａ６９．Ａ６８に記載の両面プローブシステムであって、前記ポジショナーステージは、前記チャック及び（前記）チャック内部容積の一方又は両方の少なくとも部分的に外側に配置される、両面プローブシステム。

Ａ７０．Ａ６９に記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、前記ポジショナーステージから離れ、かつ（前記）チャック内部容積内に延在する、両面プローブシステム。

Ａ７１．Ａ６８～Ａ７０のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、Ａ１６から従属する場合、前記ポジショナーステージは、
（ｉ）前記熱制御されたプローブヘッドを前記チャックに対して選択的に並進させること、及び
（ｉｉ）前記熱制御されたプローブヘッドを前記チャックに対して選択的に回転させること、
のうちの一方又は両方を行うように構成される、両面プローブシステム。

Ａ７２．Ａ１～Ａ７１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、
（ｉ）前記プローブアセンブリに（前記）テスト信号を供給すること、
（ｉｉ）前記プローブアセンブリから（前記）結果信号を受信すること、及び
（ｉｉｉ）前記結果信号を分析すること、
のうちの１つ以上を行うように構成された信号生成・分析アセンブリを更に含む、両面プローブシステム。

Ｂ１．Ａ１～Ａ７２のいずれかの好適な構造を含む両面プローブシステムを動作させる方法であって、該方法は、
前記熱制御システムを用いて、前記基板温度を調節するステップと、
を含む、方法。

Ｃ１．両面プローブシステムを動作させる方法であって、該方法は、
前記両面プローブシステムのプローブアセンブリの熱制御システムを用いて、１つ以上の被検査デバイス（ＤＵＴ）を含む基板の基盤温度を調節するステップと、
を含む、方法。

Ｃ２．Ｃ１に記載の方法であって、前記基板温度を前記調節するステップは、
（ｉ）（前記）ベースプレート温度を調整するステップと、
（ｉｉ）（前記）ヒータープレート温度を選択的に変化させるステップと、
（ｉｉｉ）（前記）ペルチェプレートの温度を選択的に変化させるステップと、
（ｉｖ）（前記）熱流体の（前記）熱流体温度を選択的に変化させるステップと、及び
（ｖ）前記熱流体の（前記）熱流体流量を選択的に変化させるステップと、
のうちの１つ以上を含む、方法。

Ｃ３．Ｃ２に記載の方法であって、前記ベースプレート温度を前記調節するステップは、
（ｉ）前記ヒータープレート温度を前記選択的に変化させるステップと、
（ｉｉ）前記ペルチェプレート温度を前記選択的に変化させるステップと、
（ｉｉｉ）前記熱流体温度を前記選択的に変化させるステップと、及び
（ｉｖ）（前記）熱流体の前記熱流体流量を前記選択的に変化させるステップと、
のうちの１つ以上を含む、方法。

Ｃ４．Ｃ１～Ｃ３のいずれかに記載の方法であって、前記基板温度を前記調節するステップは、
（ｉ）（前記）１つ以上の温度センサの各温度センサを用いて、前記両面プローブシステムの少なくとも一部及び／又は一領域の（前記）それぞれのプローブシステム温度を測定するステップと、
（ｉｉ）前記１つ以上の温度センサの各温度センサを用いて、前記それぞれの温度信号を送信するステップ、随意で（前記）コントローラに送信するステップと、
（ｉｉｉ）コントローラを用いて、前記プローブシステム温度と目標温度とを比較するステップと、
（ｉｖ）前記コントローラを用いて、（前記）熱制御信号を生成するステップと、並びに
（ｖ）前記コントローラを用いて、前記熱制御信号を、前記熱制御システムの別の構成要素に送信するステップ、随意で（前記）ヒータープレート、（前記）ペルチェプレート、及び（前記）熱流体供給源のうちの１つ以上に送信するステップと、
のうちの１つ以上を含む、方法。

Ｃ５．Ｃ４に記載の方法であって、前記熱制御信号を前記生成するステップは、少なくとも部分的に、前記プローブシステム温度と前記目標温度とを前記比較するステップに基づいている、方法。

Ｃ６．Ｃ１～Ｃ５のいずれかに記載の方法であって、前記基板温度を前記調節するステップと同時に、前記プローブアセンブリを用いて、前記１つ以上のＤＵＴを検査するステップを更に備える、方法。

Ｃ７．Ｃ６に記載の方法であって、前記１つ以上のＤＵＴを前記検査するステップは、
（ｉ）前記１つ以上のＤＵＴの少なくとも１つのサブセットを、（前記）第１のプローブサブセットを用いて検査するステップと、及び
（ｉｉ）前記１つ以上のＤＵＴの少なくとも１つのサブセットを、（前記）第２のプローブサブセットを用いて検査するステップと、
を含む、方法。

Ｃ８．Ｃ７に記載の方法であって、前記第１のプローブサブセットを用いて前記検査するステップ及び前記第２のプローブサブセットを用いて検査するステップは、同時に行われる、方法。

Ｃ９．Ｃ７～Ｃ８のいずれかに記載の方法であって、前記基板が前記チャックに対して少なくとも実質的に固定されている間に、前記第１のプローブサブセットを用いて前記検査するステップ及び前記第２のプローブサブセットを用いて前記検査するステップが行われる、方法。

Ｃ１０．Ｃ６～Ｃ９のいずれかに記載の方法であって、前記１つ以上のＤＵＴを前記検査するステップは、少なくとも部分的に、（前記）１つ以上のプローブを用いて、そして随意で（前記）１つ以上の熱制御されたプローブを用いて、行われる、方法。

Ｃ１１．Ｃ６～Ｃ１０のいずれかに記載の方法であって、前記１つ以上のＤＵＴを前記検査するステップは、
（ｉ）（前記）信号生成・分析アセンブリを用いて、（前記）テスト信号を生成するステップと、
（ｉｉ）前記信号生成・分析アセンブリを用いて、（前記）結果信号を受信するステップと、及び
（ｉｉｉ）前記信号生成・分析アセンブリを用いて、前記結果信号を分析するステップと、
のうちの１つ以上を含む、方法。

Ｃ１２．Ｃ６～Ｃ１１のいずれかに記載の方法であって、前記１つ以上のＤＵＴを前記検査するステップの前に、（前記）１つ以上のプローブを（前記）それぞれの検査位置に位置合わせするステップを更に備え、随意で前記１つ以上のプローブを前記位置合わせするステップは、（前記）１つ以上の熱制御されたプローブを位置合わせするステップを含む、方法。

Ｃ１３．Ｃ１２に記載の方法であって、前記１つ以上のプローブを前記位置合わせするステップは、（前記）ポジショナーステージを用いて、前記熱制御されたプローブヘッドを前記基板に対して配置するステップを含む、方法。

Ｃ１４．Ｃ１２～Ｃ１３のいずれかに記載の方法であって、前記１つ以上の熱制御されたプローブを前記位置合わせするステップは、（前記）熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスを用いて、前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部及び／又は一領域の（前記）光学画像を生成するステップを含む、方法。

Ｄ１．両面プローブシステムにおけるプローブアセンブリの使用であって、該使用は、１つ以上の被検査デバイス（ＤＵＴ）を含む基板の基板温度を選択的に調節するための熱制御システムを含む、プローブアセンブリの使用。

Ｄ２．Ａ１～Ａ７２のいずれかに記載の両面プローブシステムの使用であって、Ｃ１～Ｃ１４のいずれかに記載の方法と併用することを特徴とする、使用。

Ｄ３．Ｃ１～Ｃ１４のいずれかに記載の方法の使用であって、Ａ１～Ａ７２のいずれかに記載の両面プローブシステムと併用することを特徴とする、使用。

本書に開示された両面プローブシステムは、半導体製造及び検査業界に適用可能である。

上記の開示は、独立した有用性を有する複数の異なる発明を包含していると考えられる。これらの発明の各々は、その好ましい形態で開示されているが、多数の変形が可能であるため、本明細書に開示及び図示されるその特定の実施形態は、限定的な意味で考慮されるべきものではない。本発明の主題は、本明細書に開示された様々な要素、特徴、機能及び／又は特性の全ての新規かつ非自明な組み合わせ並びに下位の組み合わせを含むものである。同様に、請求項が「ａ（一つの）」又は「ａ ｆｉｒｓｔ（第１の）」要素又はその同等物を記載している場合、そのような請求項は、１つ以上のそのような要素の組み込みを含むと理解されるべきであり、２つ以上のそのような要素を要求も排除もしない。

以下の請求項は、開示された発明の１つに向けられ、新規かつ非自明である特定の組み合わせ及びサブ組み合わせを特に指摘するものであると考えられる。特徴、機能、要素、及び／又は特性の他の組み合わせ並びに下位組み合わせで具現化される発明は、本請求項の補正又は本出願若しくは関連出願における新しい請求項の提示によって請求され得る。このような補正された請求項又は新たな請求項は、それらが異なる発明を対象としているか、若しくは同じ発明を対象としているか、元の請求項と異なるか、広いか、狭いか、若しくは範囲が等しいかにかかわらず、本開示の発明の主題に含まれるとみなされる。

Claims (35)

1. 温度制御された両面プローブシステムであって、該両面プローブシステムは、
   基板の１つ以上の被検査デバイス（ＤＵＴ）を検査するように構成されたプローブアセンブリであって、前記プローブアセンブリは前記１つ以上のＤＵＴを検査する間、前記基板の基板温度を少なくとも部分的に制御するように構成された熱制御システムを含み、前記熱制御システムは、ベースプレートを含み、前記ベースプレートは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間され、かつ前記基板と熱伝達状態にあるように構成され、さらに、前記熱制御システムは、前記ベースプレートのベースプレート温度を選択的に制御するように構成される、プローブアセンブリと、
   前記基板を支持するように構成されたチャックであって、前記チャックは前記基板が前記チャックによって動作可能に支持されている間、前記プローブアセンブリが前記基板の第１の基板側及び前記第１の基板側とは反対側にある前記基板の第２の基板側の各々にアクセスできるように、前記基板を支持するように構成され、さらに、前記チャックは、前記プローブアセンブリ及び前記熱制御システムと別個である、チャックと、
   を備え、
   前記第１の基板側は、前記基板の上側基板側であり、かつ前記第２の基板側は、前記チャックに面する前記基板の下側基板側である、
   ことを特徴とする、両面プローブシステム。
2. 請求項１に記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記１つ以上のＤＵＴのうちの少なくとも１つのＤＵＴを検査するように構成された熱制御されたプローブヘッドを含み、かつ前記熱制御システムは、前記熱制御されたプローブヘッドが前記１つ以上のＤＵＴのうちの前記少なくとも１つのＤＵＴを検査する間、前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部のプローブヘッド温度を少なくとも部分的に制御するように構成される、両面プローブシステム。
3. 請求項２に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御されたプローブヘッドは、前記熱制御システムの少なくとも一部を含む、両面プローブシステム。
4. 請求項２又は３に記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記基板の複数の検査位置とインターフェースするように構成され、前記１つ以上のＤＵＴの各ＤＵＴは、前記複数の検査位置の少なくとも１つの対応する検査位置を含み、前記複数の検査位置は、
   （ｉ）第１の検査位置サブセットであって、前記第１の検査位置サブセットの各検査位置は、前記第１の基板側に形成されること、及び前記第１の基板側を介して検査されるように構成されることの一方又は両方である、第１の検査位置サブセットと、
   （ｉｉ）第２の検査位置サブセットであって、前記第２の検査位置サブセットの各検査位置は、前記第２の基板側に形成されること、及び前記第２の基板側を介して検査されるように構成されることの一方又は両方である、第２の検査位置サブセットと、
   を含み、
   前記プローブアセンブリは、前記１つ以上のＤＵＴを検査するための複数のプローブを含み、前記複数のプローブの各プローブは、前記１つ以上のＤＵＴの対応するＤＵＴに備わる前記複数の検査位置のそれぞれの検査位置とインターフェースするように構成され、前記複数のプローブは、
   （ｉ）第１のプローブサブセットであって、前記第１のプローブサブセットの各プローブが、前記第１の基板側を介して前記１つ以上のＤＵＴの少なくとも１つのサブセットを検査するように動作可能であり、前記第１のプローブサブセットの各プローブが、前記第１の検査位置サブセットのそれぞれの検査位置とインターフェースするように構成される、第１のプローブサブセットと、
   （ｉｉ）第２のプローブサブセットであって、前記第２のプローブサブセットの各プローブが、前記第２の基板側を介して前記１つ以上のＤＵＴの少なくとも１つのサブセットを検査するように動作可能であり、前記第２のプローブサブセットの各プローブが、前記第２の検査位置サブセットのそれぞれの検査位置とインターフェースするように構成される、第２のプローブサブセットと、
   を含み、及び
   前記熱制御されたプローブヘッドは、前記第２のプローブサブセットの少なくとも一部を含む、
   ことを特徴とする、両面プローブシステム。
5. 請求項４に記載の両面プローブシステムであって、前記第２のプローブサブセットは、１つ以上の熱制御されたプローブを含み、前記ベースプレートは、前記基板に対して前記１つ以上の熱制御されたプローブを動作可能に支持する、両面プローブシステム。
6. 請求項５に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御されたプローブヘッドは、前記１つ以上の熱制御されたプローブを含む、両面プローブシステム。
7. 請求項５又は６に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、
   （ｉ）前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間するように構成されたヒータープレートであって、前記ヒータープレートは前記ベースプレートと熱伝達状態であり、かつ前記熱制御システムが、前記ベースプレート温度を選択的に制御するためにヒータープレート温度を選択的に変化させるように構成されているヒータープレートと、
   （ｉｉ）前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間するように構成されるペルチェプレートであって、前記ペルチェプレートは前記ベースプレートと熱伝達状態であり、かつ前記熱制御システムは、前記ベースプレート温度を選択的に制御するために前記ペルチェプレートのペルチェプレート温度を選択的に変化するように構成されているペルチェプレートと、
   の１つ又は両方を含む、請求項６に記載の両面プローブシステム。
8. 請求項５に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記第２のプローブサブセットの少なくとも一部が前記熱制御システムと前記基板との間に延在するように構成される、両面プローブシステム。
9. 請求項２～８のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、
   前記両面プローブシステムの動作を少なくとも部分的に制御するようにプログラムされたコントローラであって、該コントローラは、前記熱制御システムの動作を少なくとも部分的に制御するように構成された熱制御信号を生成するようにプログラムされている、コントローラと、
   前記プローブヘッド温度を測定し、かつ前記プローブヘッド温度を表す温度信号を生成してコントローラに送信するように構成された温度センサと、
   を含み、
   ここで、前記コントローラは、少なくとも部分的に前記温度信号に基づいて前記熱制御信号を生成するようにプログラムされている、
   ことを特徴とする、両面プローブシステム。
10. 請求項９に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、
    （ｉ）前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間するように構成されたヒータープレートであって、前記熱制御システムが、前記ヒータープレートのヒータープレート温度を選択的に変化させるように構成されたヒータープレートと、
    （ｉｉ）前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間するように構成されたペルチェプレートであって、前記熱制御システムが、前記ペルチェプレートのペルチェプレート温度を選択的に変化させるように構成されたペルチェプレートと、
    のうちの１つ又は両方を含み、
    前記プローブヘッド温度は、前記ヒータープレート温度又は前記ペルチェプレート温度のうちの１つであり、かつ前記熱制御信号は、前記ヒータープレート及び前記ペルチェプレートのうちの１つ又は両方の動作を少なくとも部分的に制御するように構成される、
    ことを特徴とする、両面プローブシステム。
11. 請求項９又は１０に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、
    （ｉ）熱流体温度及び熱流体流量で基板と熱伝達状態となるように熱流体を搬送するように構成された流体導管と、
    （ｉｉ）制御された熱流体温度及び制御された熱流体流量の一方又は両方で前記熱流体を前記流体導管に供給するように構成された熱流体供給源と、
    を含み、
    ここで、前記プローブヘッド温度は前記熱流体温度であり、かつ前記熱制御信号は、前記制御された熱流体温度と前記制御された熱流体流量の一方又は両方を選択的に変化させるように前記熱流体供給源を少なくとも部分的に制御するように構成される、
    ことを特徴とする、両面プローブシステム。
12. 請求項２～１１のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、
    前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部の光学画像を生成するように構成された熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスと、
    前記熱制御されたプローブヘッド及び前記熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスの少なくとも一部を前記基板に対して動作可能に支持する支持アームと、
    を含む、両面プローブシステム。
13. 請求項１２に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御されたプローブヘッド撮像デバイスは、前記第２の基板側とインターフェースするように構成された前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部の光学画像を生成するように構成される、両面プローブシステム。
14. 請求項１２又は１３に記載の両面プローブシステムであって、前記支持アームは、少なくとも部分的に前記チャックの外側に延在する、両面プローブシステム。
15. 請求項１２～１４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記支持アームを動作可能に支持する位置決めステージを含み、前記支持アームは前記位置決めステージに動作可能に結合され、かつ前記第１の基板側及び第２の基板側の各々に少なくとも実質的に平行な方向に沿って前記位置決めステージから離れる方向に延在し、及び前記位置決めステージは、前記熱制御されたプローブヘッドを前記基板に対して選択的に配置するために、前記支持アームを前記チャックに対して選択的に移動するように構成される、両面プローブシステム。
16. 請求項１５に記載の両面プローブシステムであって、前記位置決めステージは、少なくとも部分的に前記チャックの外側に配置される、両面プローブシステム。
17. 請求項１～１６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記プローブアセンブリは、前記基板の少なくとも一部の光学画像を生成するように構成された基板撮像デバイスを含む、両面プローブシステム。
18. 請求項１～１７のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板の周辺領域に沿ってのみ前記基板に接触するように構成される、両面プローブシステム。
19. 請求項１に記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、前記基板を支持するために、前記基板の前記第２の基板側の周辺領域に接触するように構成されたチャック支持面を含む、両面プローブシステム。
20. 請求項１９に記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、１つ以上のチャック壁と、前記１つ以上のチャック壁及び前記チャック支持面の一方又は両方によって少なくとも部分的に境界づけられたチャック内部容積と、を含み、前記プローブアセンブリは、前記１つ以上のＤＵＴのうちの少なくとも１つのＤＵＴを検査するように構成された熱制御されたプローブヘッドを含み、前記熱制御システムは、前記熱制御されたプローブヘッドが前記１つ以上のＤＵＴのうちの少なくとも１つのＤＵＴを検査する間に前記熱制御されたプローブヘッドの少なくとも一部のプローブヘッド温度を少なくとも部分的に制御するように構成され、かつ前記熱制御されたプローブヘッドは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記チャック内部容積内に少なくとも完全に配置される、両面プローブシステム。
21. 請求項１９又は２０に記載の両面プローブシステムであって、前記チャックはチャック開放領域を含み、かつ前記プローブアセンブリは前記チャック開放領域を介して前記第１の基板側又は第２の基板側の一方を検査するように構成される、両面プローブシステム。
22. 請求項２１に記載の両面プローブシステムであって、前記チャック支持面は、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に、前記プローブアセンブリが前記チャック開放領域を介して前記基板の前記第２の基板側を検査するように構成されるように、前記チャック開放領域を少なくとも部分的に境界づける、両面プローブシステム。
23. 請求項２１又は２２に記載の両面プローブシステムであって、前記チャック開放領域は、開口部、ギャップ、チャネル、及びホールのうちの１つ以上を含む、両面プローブシステム。
24. 請求項１～２３のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記チャックは、前記プローブアセンブリが前記第１の基板側と前記第２の基板側の各々を検査するために動作可能であるように、前記基板を支持するように構成されている、両面プローブシステム。
25. 請求項１～２４のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記チャックから離間している、両面プローブシステム。
26. 請求項１～２５のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記チャックと直接的に機械的な連通をしていない、両面プローブシステム。
27. 請求項１～２６のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記チャックと間接的に機械的な連通をしていない、両面プローブシステム。
28. 請求項１～２７のいずれかに記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、前記基板と熱伝達状態となるように熱流体を搬送するように構成された流体導管を含み、かつ前記熱制御システムは、前記基板温度を選択的に制御するために前記熱流体の熱流体温度及び前記熱流体の熱流体流量の一方又は両方を選択的に変化させるように構成されることを特徴とする、両面プローブシステム。
29. 請求項２８に記載の両面プローブシステムであって、前記熱制御システムは、制御された熱流体温度及び制御された熱流体流量の一方又は両方で前記熱流体を前記流体導管に供給するように構成された熱流体供給源を含む、両面プローブシステム。
30. 請求項１～２９のいずれかに記載の両面プローブシステムを動作させる方法であって、該方法は、
    前記熱制御システムを用いて、前記基板温度を調節するステップであって、
    前記基板温度を前記調節するステップは、前記ベースプレートの前記ベースプレート温度を調節するステップを含む、ステップと、
    を備える、方法。
31. 両面プローブシステムを動作させる方法であって、該方法は、
    前記両面プローブシステムのプローブアセンブリの熱制御システムを用いて、１つ以上の被検査デバイス（ＤＵＴ）を含む基板の基板温度を調節するステップ、
    を備え、前記基板は、前記プローブアセンブリとは別個のチャックによって支持され、
    前記プローブアセンブリは、前記１つ以上のＤＵＴのうちの少なくとも１つのＤＵＴを検査するように構成された熱制御されたプローブヘッドを含み、前記熱制御されたプローブヘッドは、１つ以上の熱制御されたプローブ、及び前記基板に対して前記１つ以上の熱制御されたプローブを動作可能に支持するベースプレートを含み、前記ベースプレートは、前記両面プローブシステムの動作可能な使用時中に前記基板から離間され、かつ前記基板と熱伝達状態にあるように構成され、かつ前記基板温度を前記調節するステップは、前記ベースプレートのベースプレート温度を調節するステップを含む、
    方法。
32. 請求項３１に記載の方法であって、
    （ｉ）前記熱制御システムは、前記ベースプレートと熱伝達状態にあるヒータープレートを含み、かつ前記基板温度を前記調節するステップは、前記ヒータープレートのヒータープレート温度を選択的に変化させるステップを含むこと、
    （ｉｉ）前記熱制御システムは、前記ベースプレートと熱伝達状態にあるペルチェプレートを含み、かつ前記基板温度を前記調節するステップは、前記ペルチェプレートのペルチェプレート温度を選択的に変化させるステップを含むこと、及び
    （ｉｉｉ）前記熱制御システムは、前記ベースプレート及び前記基板の各々と熱伝達状態となるように熱流体を搬送するように構成された流体導管を含み、かつ前記基板温度を前記調節するステップは、
    （ａ）前記熱流体の熱流体温度を選択的に変化させるステップと、
    （ｂ）前記熱流体の熱流体流量を選択的に変化させるステップと、
    の１つ又は両方を含むこと、
    のうちの１つ以上である、方法。
33. 請求項３２に記載の方法であって、前記熱制御システムは、
    前記熱制御システムの動作を少なくとも部分的に制御するように構成された熱制御信号を生成するようにプログラムされたコントローラと、
    １つ以上の温度センサであって、該１つ以上の温度センサの各温度センサは、前記両面プローブシステムの少なくとも一部のそれぞれのプローブシステム温度を測定し、かつ前記それぞれのプローブシステム温度を表すそれぞれの温度信号を生成し送信するように構成された温度センサとを備え、前記それぞれのプローブシステム温度は、前記ベースプレートのベースプレート温度、前記ヒータープレート温度、前記ペルチェプレート温度、前記熱流体温度、並びに基板温度のうちの１つであり、
    前記基板温度を前記調節するステップは、
    （ｉ）前記１つ以上の温度センサの各温度センサを用いて、前記それぞれのプローブシステム温度を測定するステップ、
    （ｉｉ）前記１つ以上の温度センサの各温度センサを用いて、前記それぞれの温度信号を送信するステップ、
    （ｉｉｉ）前記コントローラを用いて、前記それぞれのプローブシステム温度と目標温度とを比較するステップ、
    （ｉｖ）前記コントローラを用いて、前記熱制御信号を生成するステップ、及び
    （ｖ）前記コントローラを用いて、前記熱制御信号を前記熱制御システムの別の構成要素に送信するステップ、
    を含み、
    前記熱制御信号を前記生成するステップは、少なくとも部分的に、前記それぞれのプローブシステム温度と前記目標温度とを前記比較するステップに基づいている、
    ことを特徴とする、方法
34. 請求項３１～３３のいずれかに記載の方法であって、前記基板温度を前記調節するステップと同時に、前記プローブアセンブリを用いて、前記１つ以上のＤＵＴを検査するステップを更に備え、前記１つ以上のＤＵＴを前記検査するステップは、少なくとも部分的に、前記プローブアセンブリの前記熱制御されたプローブヘッドの１つ以上の熱制御されたプローブを用いて行われる、方法。
35. 請求項３４に記載の方法であって、前記プローブアセンブリは、前記基板に対して前記熱制御されたプローブヘッドを動作可能に支持する支持アームと、前記支持アームを動作可能に支持する位置決めステージと、を含み、かつ前記方法は、前記１つ以上のＤＵＴを前記検査するステップの前に、前記位置決めステージを用いて、前記１つ以上の熱制御されたプローブと前記１つ以上のＤＵＴのそれぞれの検査位置とを位置合わせするために前記基板に対して前記熱制御されたプローブヘッドを配置するステップを更に備える、方法。

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