KR20220078612A - 방사선 소스에서 사용하기 위한 장치 - Google Patents

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KR20220078612A KR1020227012637A KR20227012637A KR20220078612A KR 20220078612 A KR20220078612 A KR 20220078612A KR 1020227012637 A KR1020227012637 A KR 1020227012637A KR 20227012637 A KR20227012637 A KR 20227012637A KR 20220078612 A KR20220078612 A KR 20220078612A
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미첼 리에펜
폴 피터 안나. 안토니우스 브롬
리엘레 데 루이터
마리세 베라 게르딘크-기엘렌
게오르기오스 멜리스소우르고스
트완 야코버스 스코우트
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

레이저-생성 플라즈마 방사선 소스의 폐기물을 수용하도록 배열된 용기가 제공된다. 상기 용기는: 챔버를 한정하는 제1 부분; 및 상기 챔버로의 입구를 적어도 부분적으로 한정하는 제2 부분을 포함한다. 사용 시, 상기 폐기물은 상기 입구를 통해 상기 챔버로 진입한다. 상기 제2 부분은 세라믹 재료를 포함하는 재료로 형성된다. 상기 용기는 리소그래피 시스템에서 사용되는 방사선 소스에서 특히 유용할 수 있다.

Description

방사선 소스에서 사용하기 위한 장치
본 출원은 2019년 10월 16일에 제출된 EP 출원 제19203471.8의 우선권을 주장하며, 이는 그 전체가 참조로 본원에 포함된다.
본 발명은 방사선 소스에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 주석과 같은 방사선 소스의 폐기물을 운반 및/또는 수용하기에 적합한 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판상에 원하는 패턴을 적용하도록 구성되는 기계이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)로부터 기판상에 제공되는 방사선 민감성 재료(레지스트)의 층상으로 패턴을 투영할 수 있다.
기판상에 패턴을 투영하기 위해, 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이와 같은 방사선의 파장은 기판상에 형성될 수 있는 피처(feature)의 최소 크기를 결정한다. 4 nm 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 6.7 nm 또는 13.5 nm의 파장을 갖는 극자외선(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는 기판상에, 예를 들어, 193 nm의 파장을 갖는 방사선을 사용하는 리소그래피 장치보다 더 작은 피처들을 형성하기 위해 사용된다.
EUV 방사선은 레이저-생성 플라즈마(LPP) 방사선 소스를 사용하여 생성될 수 있다. LPP 방사선 소스는 액체 주석과 같은 연료를 사용할 수 있다. EUV 방사선을 생성한 후, 주석은 방사선 소스의 폐기물을 구성할 수 있다. 방사선 소스로부터 폐기물(예를 들어, 액체 주석)을 제거하기 위해 배출 시스템이 사용될 수 있다. 이와 같은 폐기물의 제거를 용이하게 하기 위해, 배출 시스템의 일부는 폐기물이 유동할 수 있도록 폐기물의 융점 이상의 온도에서 유지될 수 있다.
그러나, 특히 배출 시스템의 구성 요소가 폐기물의 융점 이상으로 유지되지 않는 경우, 폐기물은 배출 시스템의 하나 이상의 구성 요소에 축적될 수 있다. 이는 배출 시스템 내에서 유량 감소 및/또는 폐색을 초래할 수 있다. 또한, 주석은 배출 시스템의 구성 요소를 부식시킬 수 있으며, 따라서 사용 수명을 단축시킬 수 있다.
방사선 소스의 (주석과 같은) 폐기물과 관련된, 상술된 바와 같은 논점들을 극복하는 것이 바람직할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 방사선 소스의 폐기물을 운반하고 수용하기에 적합한 새로운 장치에 관한 것이다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스의 폐기물을 수용하도록 배열된 용기가 제공된다. 상기 용기는 제1 부분을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분은 챔버를 한정할 수 있다. 상기 용기는 제2 부분을 포함할 수 있다. 상기 제2 부분은 상기 챔버로의 입구를 적어도 부분적으로 한정할 수 있다. 사용 시, 상기 폐기물은 상기 입구를 통해 상기 챔버로 진입할 수 있다. 상기 제2 부분은 세라믹 재료를 포함하는 재료로 형성될 수 있다.
세라믹 재료를 포함하는 재료로 형성되는 챔버로의 입구를 적어도 부분적으로 한정하는 것은 제2 부분이다. 특히, 상기 챔버로의 입구를 한정하는 상기 제2 부분의 하나 이상의 표면은 세라믹 재료를 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 부분은 그와 같은 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 대안적으로, 상기 제2 부분은 그와 같은 세라믹 재료에 의해 코팅될 수 있는 다른 재료로 형성될 수 있다.
상기 방사선 소스의 폐기물은 주석을 포함할 수 있다.
상기 제1 부분은 본체로 지칭될 수 있다. 상기 제2 부분은 칼라로 지칭될 수 있다. 상기 챔버의 입구는 개구부로 한정될 수 있다.
레이저-생성 플라즈마(LPP) 방사선 소스는 액체 주석의 액적과 같은 액체 연료의 액적에 레이저 빔을 통해 에너지를 제공함으로써 방사선을 생성할 수 있다. 이와 같은 액체 연료는 방사선 소스의 폐기물을 구성할 수 있다. 즉, 상기 폐기물은 액체 주석을 포함할 수 있다. 상기 방사선 소스로부터 그와 같은 폐기물을 제거하는 것이 바람직할 수 있다. 상기 방사선 소스에는 배출 시스템이 제공될 수 있다. 상기 방사선 소스 내의 모든 폐기물은 상기 배출 시스템을 통해 용기 내로 배출될 수 있다. 상기 용기는 또한 버킷(bucket)으로서 치칭될 수 있다. 상기 용기는 폐기물을 수용 및 저장하도록 배열될 수 있다. 특히, 상기 폐기물은 상기 입구를 통해 상기 챔버로 수용될 수 있으며, 상기 챔버 내에 저장될 수 있다.
상기 용기는 유리하게도 제1 부분 및 제2 부분을 포함한다. 특히, (상기 용기의 본체를 구성할 수 있는) 상기 제1 부분은 제1 재료로 형성될 수 있고, (상기 용기의 칼라를 구성할 수 있는) 제2 부분은 제2의 상이한 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 부분의 재료와 상기 제2 부분의 재료는 상이하고 유리한 특성들을 갖도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 부분의 재료는 유리하게도 상기 방사선 소스의 폐기물을 저장하기 위해 적합할 수 있다. 상기 제2 부분의 재료는 유리하게도 상기 폐기물에 대한 비-점착성 및/또는 비-습윤성에 적합할 수 있다.
상기 제2 부분이 형성되는 세라믹 재료는 상기 폐기물에 대해 실질적으로 비-습윤성일 수 있다. 상기 제2 부분상에 폐기물이 접촉하는 경우 상기 제2 부분의 표면이 젖지 않을 수 있다. 또한, 상기 제2 부분은 실질적으로 폐기물과는 비-점착성일 수 있다. 상기 세라믹 재료의 비-점착 특성은 상기 제2 부분의 표면으로부터 상기 폐기물의 제거를 용이하게 할 수 있다. 따라서, 상기 제2 부분이 상기 폐기물의 융점보다 낮은 온도일 수 있다 할지라도, 임의의 폐기물이 상기 제2 부분의 표면상에 잔류할 가능성은 거의 없다. 유리하게도, 이는 상기 챔버 입구 주위에 상기 폐기물이 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이는 용기의 일부를 구성하는 배출 시스템이 폐색되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템의 임의의 폐색은 (예를 들어, 방사선 소스 및/또는 리소그래피 장치의) 처리량의 실질적인 감소를 초래할 수 있기 때문에 유리한다.
특히, 방사선 소스의 배출 시스템에 사용하기 위한 이전 디자인의 용기들은 세라믹 재료로 형성된 제2 부분을 포함하지 않을 수 있다. 이와 같은 이전 디자인들은 폐기물 축적으로 인해 폐색이 발생하기 쉽다. 이와 같은 이전 디자인들에서, 폐기물은 용기의 개구부에 가까운 표면을 적실 수 있다. 이와 같은 이전 디자인들에서, 폐기물은 용기의 개구부에 가까운 표면에 점착될 수 있다. 따라서, 시간이 지남에 따라, 점점 더 많은 폐기물이 용기의 개구부 가까이에 퇴적될 수 있다. 이는 그와 같은 이전 디자인의 용기 내로 폐기물을 전달하는 효율성을 감소시킬 수 있다. 이는 결국 그와 같은 이전 디자인의 용기를 사용하는 배출 시스템의 폐색을 초래할 수 있다.
본 발명의 제1 양태에 따른 새로운 디자인의 용기는 그와 같은 폐색이 발생할 위험을 실질적으로 완화한다(그리고 심지어는 제거할 수 있다). 따라서, 본 발명의 제1 양태에 따른 새로운 디자인의 용기는 공지된 용기에 비해 상당한 장점을 제공한다.
수소 가스가 상기 방사선 소스 내에 제공될 수 있다. 상기 방사선 소스 내에 수소 가스의 유동을 제공하기 위한 메커니즘이 제공될 수 있다. 상기 방사선 소스 내의 구성 요소들의 표면을 가로질러 수소 가스의 유동을 제공함으로써, 폐기물이 상기 표면과 상호 작용하는 것을 방지하고 그리고/또는 폐기물이 상기 표면에 축적되는 것을 방지하는 데 도움을 줄 수 있다.
금속을 함유하는 대부분의 재료들은 일반적으로 정상적인 대기 조건에서 폐기물에 대해 비-습윤성일 수 있다. 이와 같은 비-습윤 특성은 그와 같은 재료들의 표면상에 형성되는 산화물층 때문일 수 있다. 그러나, 그와 같은 산화물층은 수소를 함유하는 환경에서 제거될 수 있다. 특히, 수소 라디칼(hydrogen radical)이 존재하는 환경에서는, 산화물층이 화학적으로 환원될 수 있다. 이는 폐기물에 대한 습윤의 증가를 초래할 수 있다. 따라서, 수소 가스 및/또는 수소 라디칼의 존재로 인해 상기 제2 부분의 표면상에 폐기물이 축적되는 것을 방지하는 것이 특히 어려울 수 있다.
본 발명의 제1 양태에 따른 용기의 특별한 장점은, 심지어 수소의 존재하에서조차도, 세라믹 재료가 일반적으로 폐기물에 대해 비-습윤성이고 또한 일반적으로 폐기물에 부착되지 않을 수 있다는 점에 있다. 따라서, 그와 같은 세라믹 재료로 형성된 제2 부분은 수소의 존재 하에 생성되는 특히 도전적인 환경에서조차도 상술된 장점을 제공한다.
상기 제1 부분은 몰리브덴을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 부분은 90% 초과의 몰리브덴, 예를 들어 95% 초과의 몰리브덴을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 부분은 티타늄-지르코늄-몰리브덴 합금을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 그와 같은 티타늄-지르코늄-몰리브덴 합금은 99.4%의 몰리브덴, 0.5%의 티타늄 및 0.08%의 지르코늄을 포함할 수 있다.
몰리브덴을 포함하는 재료(예를 들어, 티타늄-지르코늄-몰리브덴 합금)로 형성될 때, 폐기물에 의한 상기 제1 부분의 부식은 무시할 수 있을 정도이거나 전혀 발생하지 않을 수 있다. 예를 들어, 액체 주석에 의한 상기 제1 부분의 부식은 무시할 수 있거나 전혀 발생하지 않을 수 있다. 특히, 용기가 유지될 수 있는 온도에서 상기 제1 부분의 부식은 무시할 수 있거나 전혀 발생하지 않을 수 있다. 이는 스테인리스강으로 형성될 수 있는 방사선 소스(예를 들어, 액체 주석)의 폐기물을 저장하기 위한 공지된 용기들에 비해 특히 유리하다. 폐기물은 스테인리스강과 반응할 수 있다. 스테인리스강은 폐기물에 의해 부식될 수 있다. 이는 그와 같은 용기의 고장을 초래할 수 있다. 스테인리스강의 불순물, 용접 결함 및/또는 열적 응력은 이와 같은 문제점을 악화시킬 수 있다. 열적 구배가 이와 같은 문제점을 악화시킬 수 있다.
TZM은 실질적으로 수소 취성(hydrogen embrittlement)에 대한 저항성일 수 있다. 이는 수소 가스 및/또는 수소 라디칼이 상기 제1 부분 부근에 존재할 가능성으로 인해 특히 유리하다.
상기 세라믹 재료는 붕소 및/또는 불소를 포함할 수 있다. 유리하게도, 붕소 또는 불소를 포함하는 세라믹 재료는 수소 가스 및/또는 수소 라디칼의 존재하에 환원 환경에서조차도 주석에 대해 특히 비-습윤성 및 비-점착성인 것으로 밝혀졌다.
상기 세라믹 재료는 산화규소; 산화마그네슘; 산화알루미늄; 산화칼륨; 산화붕소; 및 불소를 포함할 수 있다.
그와 같은 재료는 미국에서 설립된 코밍사(Corning Inc.)에 의해 MACOR™으로 시판되는 재료를 포함할 수 있다. 그과 같은 재료는 상기 제2 부분이 본 발명의 제1 양태를 수행함으로써 상술된 중요한 장점들을 달성할 수 있게 할 수 있다. MACOR™은 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-점착성일 수 있다. MACOR™은 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-습윤성일 수 있다. MACOR™은, 수소가 존재하는 경우에조차도, 일반적으로 폐기물에 대해 비-습윤성일 수 있고 또한 비-점착성일 수 있다. 특히, 이와 같은 재료는 붕소와 불소를 포함한다.
상기 세라믹 재료는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 유리하게도, 금속 질화물(특히 질화붕소 및 질화알루미늄)은 수소 가스 및/또는 수소 라디칼이 존재하는 환원 환경에서조차도 주석에 대해 특히 비-습윤성 및 비-점착성인 것으로 밝혀졌다. 그와 같은 금속 질화물은 예를 들어 금속 산화물보다 더 적합할 수 있다.
상기 세라믹 재료는 질화붕소를 포함할 수 있다.
그와 같은 재료는 상기 제2 부분이 본 발명의 제1 양태를 수행함으로써 상술된 중요한 장점들을 달성할 수 있게 할 수 있다. 질화붕소는 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-점착성일 수 있다. 질화붕소는 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-습윤성일 수 있다. 질화붕소는, 수소가 존재하는 경우에조차도, 일반적으로 폐기물에 대해 비-습윤성이고 또한 일반적으로 폐기물에 대해 비-점착성일 수 있다.
질화붕소는 열분해 질화붕소일 수 있다.
즉, 상기 세라믹 재료는 열분해 질화붕소를 포함할 수 있다. 그와 같은 재료는 상기 제2 부분이 본 발명의 제1 양태를 수행함으로써 상술된 중요한 장점들을 달성할 수 있게 할 수 있다. 열분해 질화붕소는 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-점착성일 수 있다. 열분해 질화붕소는 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-습윤성일 수 있다. 열분해 질화붕소는, 수소가 존재하는 경우에조차도, 일반적으로 폐기물에 대해 비-습윤성이고 또한 일반적으로 폐기물에 대해 비-점착성일 수 있다.
상기 세라믹 재료는 질화알루미늄을 포함할 수 있다.
상기 세라믹 재료는 질화붕소 및 질화알루미늄을 포함할 수 있다. 그와 같은 재료는 SHAPAL™, SHAPAL™-M 및/또는 SHAPAL™ Hi-M Soft로 시판되는 재료를 포함할 수 있다. 그와 같은 재료는 상기 제2 부분이 본 발명의 제1 양태를 수행함으로써 상술된 중요한 장점들을 달성할 수 있게 할 수 있다. 질화붕소 및 질화알루미늄은 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-점착성일 수 있다. 질화붕소 및 질화알루미늄은 특히 폐기물(특히, 액체 주석)에 대해 비-습윤성일 수 있다. 질화붕소 및 질화알루미늄은, 수소가 존재하는 경우에조차도, 일반적으로 폐기물에 대해 비-습윤성이고 또한 일반적으로 폐기물에 대해 비-점착성일 수 있다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 본 발명의 상기 제1 양태에 따른 용기를 포함하는 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스가 제공된다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스가 제공된다. 상기 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스는 상기 방사선 소스의 배출 시스템에서 사용하기 위한 구성 요소를 포함할 수 있다. 상기 구성 요소는 상기 방사선 소스의 폐기물을 수용하도록 배열된 챔버를 한정할 수 있다. 상기 구성 요소는 몰리브덴을 포함하는 재료로 형성될 수 있다.
상기 구성 요소는 90% 초과의 몰리브덴, 예를 들어 95% 초과의 몰리브덴을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 구성 요소는 티타늄-지르코늄-몰리브덴 합금을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 그와 같은 티타늄-지르코늄-몰리브덴 합금은 99.4%의 몰리브덴, 0.5%의 티타늄 및 0.08%의 지르코늄을 포함할 수 있다.
상기 배출 시스템은 상기 방사선 소스의 폐기물 제거를 용이하게 하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명의 제3 양태에 따른 LPP 방사선 소스는, 몰리브덴을 포함하는 재료(예를 들어, TZM)로 형성될 때, 폐기물에 의한 상기 구성 요소의 부식이 무시될 수 있거나 전혀 발생되지 않을 수 있기 때문에 유리하다. 본 발명의 제3 양태에 따른 상기 LPP 방사선 소스는 예를 들어 스테인리스강으로 형성된 구성 요소를 포함하는 LPP 방사선 소스에 비해 특히 유리하다. 예를 들어, 방사선 소스의 폐기물은 스테인리스강로 형성된 구성 요소와 반응할 수 있다. 스테인리스강은 폐기물에 의해 부식될 수 있다. 이로 인해 그와 같은 구성 요소의 고장이 초래될 수 있다. 스테인리스강의 불순물, 용접 결함, 열적 구배 및/또는 열적 응력은 이와 같은 문제를 악화시킬 수 있다.
TZM은 실질적으로 수소 취성에 대한 저항성일 수 있다. 이는 수소 가스 및/또는 수소 라디칼이 상기 방사선 소스 내의 구성 요소 부근에 존재할 가능성으로 인해 특히 유리한다.
상기 구성 요소는 용기라고 할 수 있다. 유리하게는, 폐기물에 의한 상기 용기의 부식은 무시할 수 있거나 전혀 발생하지 않을 수 있다.
본 발명의 제4 양태에 따르면, 상기 방사선 소스의 배출 시스템에서 사용하기 위한 구성 요소를 포함하는 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스가 제공되며, 여기서 상기 구성 요소는 붕소 및/또는 불소를 포함하는 세라믹 재료를 포함한다.
본 발명의 제4 양태에 따른 방사선 소스의 구성 요소는 세라믹 재료를 포함한다. 이는 전체 구성 요소가 그와 같은 세라믹 재료로 형성되는 실시예들, 또는 대안적으로 상기 구성 요소가 그와 같은 세라믹 재료에 의해 코팅될 수 있는 다른 재료로 형성되는 실시예들 모두를 포함하도록 의도되는 것으로 이해해야 할 것이다.
본 발명의 제4 양태에 따른 LPP 방사선 소스는 상기 세라믹 재료가 폐기물에 대해 실질적으로 비-습윤성일 수 있기 때문에 유리하다. 유리하게도, 붕소 또는 불소를 포함하는 세라믹 재료들은 수소 가스 및/또는 수소 라디칼의 존재하에 환원 환경에서조차도 특히 주석에 대해 비-습윤성 및 비-점착성인 것으로 밝혀졌다. 폐기물이 부품에 접촉되는 경우 상기 구성 요소의 표면이 젖지 않을 수 있다. 또한, 상기 세라믹 재료는 폐기물에 대해 실질적으로 비-점착성일 수 있다. 상기 세라믹 재료의 비-점착 특성은 상기 구성 요소의 표면으로부터 폐기물을 용이하게 제거할 수 있다. 유리하게도, 이는 상기 구성 요소상에 폐기물이 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템이 폐색되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템의 임의의 페색은 (예를 들어, 방사선 소스 및/또는 리소그래피 장치의) 처리량의 실질적인 감소를 초래할 수 있기 때문에 유리한다.
상기 세라믹 재료는 다음을 포함할 수 있다: 산화규소; 산화마그네슘; 산화알루미늄; 산화칼륨; 산화붕소; 및 불소. 상기 배출 시스템은 상기 방사선 소스의 폐기물 제거를 용이하게 하기 위해 사용될 수 있다. 상기 세라믹 재료는 미국에서 설립된 코밍사(Corning Inc.)에 의해 MACOR™으로 시판되는 재료를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 상기 세라믹 재료는 질화붕소를 포함할 수 있다.
본 발명의 제5 양태에 따르면, 상기 방사선 소스의 배출 시스템에서 사용하기 위한 구성 요소를 포함하는 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스가 제공되며, 여기서 상기 구성 요소는 금속 질화물을 포함하는 세라믹 재료를 포함한다. 상기 세라믹 재료는 질화붕소 및/또는 질화알루미늄을 포함할 수 있다.
본 발명의 제5 양태에 따른 방사선 소스의 구성 요소는 세라믹 재료를 포함한다. 이는 전체 구성 요소가 그와 같은 세라믹 재료로 형성되는 실시예들, 또는 대안적으로 상기 구성 요소가 그와 같은 세라믹 재료에 의해 코팅될 수 있는 다른 재료로 형성되는 실시예들 모두를 포함하도록 의도되는 것으로 이해해야 할 것이다.
상기 배출 시스템은 상기 방사선 소스의 폐기물 제거를 용이하게 하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명의 제5 양태에 따른 LPP 방사선 소스는 상기 세라믹 재료가 실질적으로 폐기물에 대해 비-습윤성일 수 있다는 점에서 유리하다. 유리하게도, 금속 질화물(특히 질화붕소 및 질화알루미늄)은 수소 가스 및/또는 수소 라디칼이 존재하는 환원 환경에서조차도 주석에 대해 특히 비-습윤성 및 비-점착성인 것으로 밝혀졌다. 그와 같은 금속 질화물은 예를 들어 금속 산화물보다 더 적합할 수 있다. 폐기물이 상기 구성 요소에 접촉되는 경우 상기 구성 요소의 표면은 젖지 않을 수 있다. 또한, 상기 세라믹 재료는 폐기물에 대해 실질적으로 비-점착성일 수 있다. 상기 세라믹 재료의 비-점착 특성은 상기 구성 요소의 표면으로부터 폐기물을 용이하게 제거할 수 있다. 유리하게도, 이는 상기 구성 요소상에 폐기물이 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이는 배출 시스템이 폐색되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템의 임의의 페색은 (예를 들어, 방사선 소스 및/또는 리소그래피 장치의) 처리량의 실질적인 감소를 초래할 수 있기 때문에 유리한다.
상기 세라믹 재료는 질화붕소 및/또는 질화알루미늄을 포함할 수 있다. 상기 질화붕소는 열분해 질화붕소를 포함할 수 있다.
상기 세라믹 재료는 SHAPAL™, SHAPAL™-M, 및/또는 SHAPAL™ Hi-M Soft로서 시판되는 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 제2, 제3, 제4 또는 제5 양태에 따른 방사선 소스는 수소를 제공하기 위한 메커니즘을 추가로 포함할 수 있다. 수소는 상기 방사선 소스 내의 하나 이상의 표면에 제공될 수 있다.
상기 방사선 소스 내의 하나 이상의 표면을 가로질러 수소 가스의 유동을 제공함으로써, 상기 방사선 소스의 폐기물이 상기 표면과 상호 작용하거나 그리고/또는 상기 표면상에 축적되는 것을 방지하는 데 도움을 줄 수 있다.
금속을 함유하는 대부분의 재료들은 일반적으로 정상적인 대기 조건에서 폐기물에 대해 비-습윤성일 수 있다. 이와 같은 비-습윤 특성은 그와 같은 재료들의 표면상에 형성되는 산화물층 때문일 수 있다. 그러나, 그와 같은 산화물층은 수소를 함유하는 환경에서 제거될 수 있다. 특히, 수소 라디칼이 존재하는 환경에서는 산화물층이 화학적으로 환원될 수 있다. 이는 폐기물에 대한 습윤성의 증가를 초래할 수 있다. 따라서, 수소 가스 및/또는 수소 라디칼의 존재로 인해 상기 제2 부분의 표면에 폐기물이 축적되는 것을 방지하는 것이 특히 어려울 수 있다.
본 발명의 제2, 제3, 제4 또는 제5 양태에 제공된 재료들로 구성 요소를 형성하는 특별한 장점은 이와 같은 재료들이, 수소의 존재하에서조차도, 폐기물에 대해 일반적으로 비-습윤성일 수 있고 또한 일반적으로 비-점착성일 수 있으며 그리고/또는 일반적으로 주석과 같은 폐기물로 인한 부식에 대해 내성이 있을 수 있다는 점에 있다. 따라서, 본 발명의 제2, 제3, 제4 또는 제5 양태에 따른 LPP 방사선 소스들은 수소의 존재하에 생성되는 특히 도전적인 환경에서조차도 상당한 장점들을 제공한다.
본 발명의 제3, 제4 또는 제5 양태에 따른 방사선 소스의 구성 요소는 챔버로의 입구를 적어도 부분적으로 한정할 수 있다. 상기 챔버는 상기 방사선 소스의 폐기물을 수용하도록 배열될 수 있다. 상기 구성 요소는 본 발명의 제1 양태에 따른 "제2 부분"에 대응할 수 있다. 상기 구성 요소는 칼라로 지칭될 수 있다. 상기 칼라는 실질적으로 폐기물에 대해 비-습윤성일 수 있다. 폐기물이 상기 칼라에 접촉되는 경우, 상기 칼라의 표면은 젖지 않을 수 있다. 또한, 상기 칼라는 폐기물에 대해 비-점착성일 수 있다. 상기 세라믹 재료의 비-점착 특성은 상기 칼라의 표면으로부터 폐기물을 용이하게 제거할 수 있다. 유리하게도, 이는 칼라상에 폐기물이 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이는 배출 시스템이 폐색되는 것을 방지할 수 있다. 이는 배출 시스템의 임의의 폐색은 (예를 들어, 방사선 소스 및/또는 리소그래피 장치의) 처리량의 실질적인 감소를 초래할 수 있기 때문에 유리한다.
본 발명의 제3, 제4 또는 제5 양태에 따른 방사선 소스의 구성 요소는 파이프를 포함할 수 있다. 상기 파이프는 상기 방사선 소스의 폐기물을 운반하도록 구성될 수 있다.
상기 파이프는 실질적으로 폐기물에 대해 비-습윤성일 수 있다. 폐기물이 상기 파이프상에 접촉되는 경우, 상기 파이프의 표면이 젖지 않을 수 있다. 또한, 상기 파이프는 폐기물에 대해 실질적으로 비-점착성일 수 있다. 상기 세라믹 재료의 비-점착 특성은 상기 파이프 표면으로부터 폐기물을 용이하게 제거할 수 있다. 유리하게도, 이는 상기 파이프상에 폐기물이 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템이 폐색되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템의 임의의 차단은 (예를 들어, 방사선 소스 및/또는 리소그래피 장치의) 처리량의 실질적인 감소를 초래할 수 있기 때문에 유리한다.
본 발명의 제2, 제3, 제4 또는 제5 양태에 따른 방사선 소스의 폐기물은 주석을 포함할 수 있다.
이제 본 발명의 실시예들이 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이며, 여기서:
도 1은 리소그래피 장치 및 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 시스템의 측면도를 개략적으로 도시한다.
도 2는 방사선 소스에서 사용하기 위한 용기의 3차원 렌더링을 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 용기의 측면도를 개략적으로 도시한다.
도 4는 도 2 및 도 3의 용기가 방사선 소스의 배출 시스템 내로 삽입될 수 있는 공정을 도시한다.
도 1은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 시스템을 도시한다. 상기 방사선 소스(SO)는 극자외선(EUV) 방사선 빔(B)을 생성하고 또한 상기 EUV 방사선 빔(B)을 상기 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성된다. 상기 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함한다.
상기 조명 시스템(IL)은 상기 EUV 방사선 빔(B)이 상기 패터닝 디바이스(MA) 위로 입사되기 전에 상기 EUV 방사선 빔(B)을 조절하도록 구성된다. 이에 대해, 상기 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(facetted field mirror device; 10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(facetted pupil mirror device; 11)를 포함할 수 있다. 상기 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 상기 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 원하는 단면 형상 및 원하는 강도 분포를 갖는 EUV 방사선 빔(B)을 제공한다. 상기 조명 시스템(IL)은 상기 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 상기 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)에 추가하여 또는 그들 대신에 다른 미러들 또는 디바이스들을 포함할 수 있다.
그와 같이 조절된 후, 상기 EUV 방사선 빔(B)은 상기 패터닝 디바이스(MA)와 상호 작용한다. 이와 같은 상호 작용의 결과로서, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 상기 투영 시스템(PS)은 상기 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 상기 기판(W) 위로 투영하도록 구성된다. 이를 위해, 상기 투영 시스템(PS)은 상기 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 상기 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 상기 기판(W) 위로 투영하도록 구성된 복수의 미러들(13, 14)을 포함할 수 있다. 상기 투영 시스템(PS)은 상기 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 저감 계수(reduction factor)를 적용할 수 있고, 따라서 상기 패터닝 디바이스(MA)상의 대응하는 피처들보다 작은 피처들을 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들어, 4 또는 8의 저감 계수가 적용될 수 있다. 비록 상기 투영 시스템(PS)이 도 1에서는 단지 2개의 미러들(13, 14)만을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 상기 투영 시스템(PS)은 상이한 다수의 미러들(예를 들어, 6개 또는 8개의 미러들)을 포함할 수 있다.
상대적 진공, 즉 대기압보다 훨씬 낮은 압력에서의 소량의 가스가 상기 방사선 소스(SO), 상기 조명 시스템(IL) 및/또는 상기 투영 시스템(PS)에 제공될 수 있다.
도 1에 도시된 방사선 소스(SO)는 예를 들어, 레이저-생성 플라즈마(LPP) 소스로서 지칭될 수 있는 유형이다. 예를 들어, 이산화탄소(CO2) 레이저를 포함할 수 있는 레이저 시스템(1)은 레이저 빔(2)을 통해 예를 들어 연료 방출기(3)로부터 제공되는 주석(Sn)과 같은 연료 내로 에너지를 증착하도록 배열된다. 주석이 다음의 설명에서 언급되겠지만, 임의의 적절한 연료가 사용될 수 있다. 상기 연료는 예를 들어 액체 형태일 수 있으며, 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 상기 연료 방출기(3)는 주석을, 예를 들어 플라즈마 형성 영역(4)을 향하는 궤적을 따라 액적의 형태로, 지향시키도록 구성된 노즐을 포함할 수 있다. 상기 레이저 빔(2)은 상기 플라즈마 형성 영역(4)에서 상기 주석 위로 입사된다. 상기 주석 내에 레이저 에너지를 증착하면, 상기 플라즈마 형성 영역(4)에 주석 플라즈마(7)가 생성된다. EUV 방사선을 포함하는 방사선은 상기 플라즈마의 이온과 전자의 탈-여기 및 재결합 동안 상기 플라즈마(7)로부터 방출된다.
상기 레이저 시스템(1)은 상기 방사선 소스(SO)로부터 공간적으로 분리될 수 있다. 이 경우, 상기 레이저 빔(2)은 예를 들어 적절한 지향성 거울들 및/또는 빔 확장기 및/또는 기타 광학 장치를 포함하는 빔 전달 시스템(도시되지 않음)의 도움으로 상기 레이저 시스템(1)으로부터 상기 방사선 소스(SO)로 통과될 수 있다. 상기 레이저 시스템(1), 상기 방사선 소스(SO) 및 상기 빔 전달 시스템은 함께 방사선 시스템으로 간주될 수 있다.
상기 플라즈마로부터의 EUV 방사선은 수집기(5)에 의해 수집 및 집속된다. 수집기(5)는 예를 들어, 근사 수직 입사 방사선 수집기(5)(때로는 보다 일반적으로 수직 입사 방사선 수집기로 지칭됨)를 포함한다. 상기 수집기(5)는 EUV 방사선(예를 들어, 13.5 nm와 같은 원하는 파장을 갖는 EUV 방사선)을 반사하도록 배열된 다층 미러 구조를 가질 수 있다. 상기 수집기(5)는 2개의 초점을 갖는 타원형 구성을 가질 수 있다. 상기 초점들 중 제1 초점은 상기 플라즈마 형성 영역(4)에 위치될 수 있고, 상기 초점들 중 제2 초점은 아래에서 논의되는 중간 초점 위치(6)에 위치될 수 있다.
상기 컬렉터(5)에 의해 반사된 방사선은 상기 EUV 방사선 빔(B)을 형성한다. 상기 EUV 방사선 빔(B)은 상기 플라즈마 형성 영역(4)에 존재하는 플라즈마의 중간 초점 위치(6)에서 이미지를 형성하기 위해 중간 초점 위치(6)에 집속된다. 상기 중간 초점 위치(6)에서의 이미지는 상기 조명 시스템(IL)에 대한 가상 방사선 소스로서 작용한다. 상기 방사선 소스(SO)는 상기 중간 초점 위치(6)가 상기 방사선 소스(SO)의 밀폐 구조체(9) 내의 개구부(8)에 또는 그 부근에 위치되도록 배열된다.
주석 액적을 주석 플라즈마(7)로 변환시키는 공정은 고-에너지 공정이다. 주석 플라즈마(7)로 변환되지 않은 주석은 상기 레이저 빔(2)과의 상호 작용의 결과로서 상기 플라즈마 형성 영역(4)으로부터 방출될 수 있다. 주석 플라즈마(7)로 변환되지 않은 주석은 상기 방사선 소스(SO) 및/또는 상기 방사선 소스(SO) 내의 다른 구성 요소들의 밀폐 구조체(9)의 내벽들 위에 접촉될 수 있다. 주석 플라즈마(7)는 또한 (예를 들어, 상기 레이저 빔(2)과의 상호 작용 결과로서) 상기 플라즈마 형성 영역(4)으로부터 확산될 수 있다. 상기 주석 플라즈마(7)의 전자들과 이온들이 재결합함에 따라(이에 의해 EUV 방사선을 포함하는 방사선이 생성됨), 주석 원자들이 형성된다. 이와 같은 주석 원자들은 상기 방사선 소스(SO) 및/또는 상기 방사선 소스(SO) 내의 다른 구성 요소들의 밀폐 구조체(9)의 내벽들 위에 접촉될 수 있다.
상술된 바와 같이, 대기압보다 훨씬 낮은 압력에서 소량의 가스가 상기 방사선 소스(SO)에 제공될 수 있다. 수소 가스가 상기 방사선 소스(SO) 내에 제공될 수 있다. 상기 방사선 소스(SO) 내에 수소 가스의 유동을 제공하기 위한 메커니즘이 제공될 수 있다. 상기 방사선 소스(SO) 내의 구성 요소들의 표면을 가로질러 수소 가스의 유동을 제공함으로써, 주석이 상기 표면과 상호 작용하고 그리고/또는 상기 표면에 축적되는 것을 방지하는 데 도움을 줄 수 있다.
상기 방사선 소스(SO)에는 배출 시스템이 제공될 수 있다. 상기 밀폐 구조체(9) 내의 임의의 주석은 상기 배출 시스템을 통해 용기(20) 내로 배출될 수 있다. 상기 용기(20)는 또한 버킷으로서 지칭될 수 있다. 특히, 상기 밀폐 구조체(9) 내의 표면들은 주석이 상기 용기(20) 내로 배출되는 것을 용이하게 하도록 구성될 수 있다. 상기 용기(20)는 상기 방사선 소스(SO)의 배출 시스템의 일부를 형성할 수 있다. 파이프(30)가 상기 방사선 소스(SO)의 배출 시스템의 일부를 형성할 수 있다. 상기 파이프(30)는 주석을 상기 용기(20)로 운반하기 위해 사용될 수 있다. 주석은 상기 밀폐 구조체(9) 내로부터 상기 파이프(30)를 통해 상기 용기(20) 내로 배출될 수 있다. 상기 배출 시스템은 하나 이상의 파이프를 포함할 수 있다.
상기 용기(20) 내로 배출된 주석은 액체 형상인 것이 바람직할 수 있다. 이는 액체 주석이 상기 용기(20)로 전달된 후 상기 용기(20)의 일 단부에 수집될 수 있기 때문에(중력에 의해 결정됨) 바람직할 수 있다. 상기 용기(20)에는 가열 장치가 제공될 수 있다. 상기 가열 장치는 상기 용기(20)를 적절한 작동 온도로 가열할 수 있다. 상기 용기(20)의 적절한 작동 온도는 주석의 융점보다 높을 수 있다. 상기 방사선 소스(SO)(특히 상기 밀폐 구조체(9) 내)의 온도는 상기 용기(20)가 작동하는 온도보다 상당히 높을 수 있다는 사실을 인식할 수 있을 것이다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 용기(20)는 상기 방사선 소스(SO) 내에 위치될 수 있고 그리고/또는 상기 방사선 소스의 일부인 것으로 간주될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 용기(20)는 적어도 부분적으로 상기 방사선 소스(SO)의 외부에 위치될 수 있고 그리고/또는 적어도 부분적으로 상기 방사선 소스(SO)의 일부를 형성하지 않는 것으로 간주될 수 있다. 상기 용기(20)가 상기 방사선 소스(SO)의 용기 외부에 위치되는 실시예들에 있어서는, 상기 용기가 상기 방사선 소스(SO)의 용기 내부에 위치되는 실시예들과는 약간의 차이가 있을 수 있지만, 전체적인 개념은 동일하게 유지될 수 있다.
비록, 도 1이 레이저-생성 플라즈마(LPP) 소스로서 상기 방사선 소스(SO)를 나타내고 있지만, (또한 주석과 같은 폐기물을 생성할 수 있다는 사실을 인지하게 될) 방전-생성 플라즈마(DPP) 소스와 같은 임의의 적절한 소스도 또한 EUV 방사선을 생성하기 위해 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 용기(20)의 3차원 렌더링을 도시한다.
상기 용기(20)는: 본체(21); 및 칼라(25)를 포함한다. 상기 본체(21)는 제1 부분으로 지칭될 수 있다. 상기 칼라(25)는 제2 부분으로 지칭될 수 있다.
상기 용기(20)는 또한: 복수의 연결 지점들(22); 복수의 이동 제한기들(23); 개구부(24); 리세스(26); 및 스플래시 커버(splash cover; 28)를 갖는 트레이(27)를 포함한다.
상기 본체(21)는 실질적으로 직육면체이다. 상기 본체(21)의 2개의 엣지들은 모따기되어, 모따기 엣지들(21b, 21c)이 생성된다. 용기(20)의 다른 실시예들에 있어서 상기 본체(21)는 상이한 형상을 가질 수 있다는 사실을 이해하게 될 것이다. 상기 용기(20)의 본체(21)는 다중 개별 구성 요소들로 형성될 수 있다. 이는 제조 고려 사항에 유리할 수 있다. 상기 본체(21)는 일반적으로 중공형이다. 즉, 상기 본체(21)는 일반적으로 캐비티를 형성한다. 상기 캐비티는 저장소로서 지칭될 수 있다. 상기 개구부(24)는 상기 본체(21)의 상부면(21a)에 있는 개구부이다. 상기 본체(21)의 상부면(21a)은 사용 시에 일반적으로 중력이 작용하는 방향과 반대 방향을 향하는 상기 본체(21)의 표면을 가리키는 것으로 의도된다는 사실을 인식할 수 있을 것이다. 즉, 사용 시에, 상기 상부 표면(21a)은 일반적으로 상기 본체(21)의 다른 표면 위에 있는 것으로 설명될 수 있다. 상기 개구부(24)는 구멍 또는 컷아웃으로 설명될 수 있다. 상기 개구부(24)는 상기 본체(21) 내의 캐비티 및 상기 용기(20)가 배치되는 환경 사이에 유체 연통부를 제공한다.
상기 복수의 연결 지점들(22)은 상기 용기(20)가 상기 배출 시스템의 외부 프레임에 연결되게 할 수 있다. 대안적으로, 상기 복수의 연결 지점들은 임의의 다른 구성 요소에 대한 상기 용기(20)의 연결을 허용할 수 있다. 각각의 연결 지점(22)은 당업계에 잘 알려진 바와 같이 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소에 고정시키기 위한 임의의 표준 메커니즘의 일부를 포함할 수 있음을 인식할 수 있을 것이다. 상기 복수의 이동 제한기들(23)은 상기 용기(20)의 원치 않는 이동을 방지할 수 있다. 특히, 상기 복수의 이동 제한기들(23)은 상기 용기(20)가 상기 배출 시스템의 일부로서 사용될 때 상기 용기(20)의 원치 않는 이동을 방지할 수 있다. 상기 복수의 이동 제한기들(23)은 상기 본체(21)의 외부 치수로부터 돌출된다.
상기 칼라(25)는 상기 본체(21)의 일부를 형성하는 구성 요소에 대한 별도의 구성 요소이다. 상기 칼라(25)는 상기 본체(21)의 상부 표면(21a)과 접촉하고 있다. 상기 칼라(25)는 상기 상부 표면(21a)으로부터 연장된다. 상기 칼라(25)는 상기 상부 표면(21a)으로부터 일반적으로 상기 상부 표면(21a)의 주 평면에 수직인 방향으로 연장된다. 대안적인 실시예들에 있어서, 상기 칼라(25)는 상이한 방향으로 연장될 수 있다는 사실을 인식할 수 있을 것이다. 상기 칼라(25)는 상기 본체(21)로부터 외향으로 연장된다. 즉, 상기 칼라(25)는 상기 상부 표면(21a)으로부터 상기 본체(21)의 캐비티가 배치되는 방향과 반대 방향으로 연장된다.
상기 칼라(25)가 상기 상부 표면(21a)으로부터 연장되는 방향에 수직인 단면 및 상기 상부 표면(21a) 위로 연장되는 상기 칼라의 부분에서, 상기 칼라(25)는 일반적으로 U-형상이다. 상기 본체(21)의 상부 표면(21a) 위로 연장되는 상기 칼라(25)의 부분은 상기 칼라(25)의 상부 부분(25e)으로 지칭될 수 있다.
상기 칼라(25)가 상기 상부 표면(21a)으로부터 연장되는 방향에 수직인 단면 및 일반적으로 상기 상부 표면(21a) 위로 연장되지 않는 상기 칼라의 부분에서, 칼라(25)는 일반적으로 장방형 형상을 갖는다. 일반적으로 상기 본체(21)의 상부 표면(21a) 위로 연장되지 않는 상기 칼라(25)의 부분은 상기 칼라(25)의 하부 부분(25f)으로 지칭될 수 있다. 이와 같은 하부 부분(25f)은 상기 하부 부분(25f)이 중앙 구멍을 포함하도록 상기 하부 부분(25f)의 둘레에만 재료를 포함한다. 상기 하부 부분(25f)은 (상기 개구부(24)를 형성하도록 부분적으로 상기 본체(21) 내로 연장되는) 폐쇄 형상을 형성한다.
상기 칼라(25)는 상기 칼라(25)의 상부 부분(25e)에서 일반적으로 U-형상이기 때문에, 상기 칼라(25)는 일반적으로 서로 수직인 2개의 연장 부분들(25b, 25c) 사이에 노치(25a)를 형성한다. 상기 노치(25a)는 상기 칼라(25)의 개방 부분으로서 기술될 수 있다. 상기 칼라(25)는 상기 개구부(24)를 부분적으로 둘러싸도록 배치된다. 특히, 상기 칼라(25)는 상기 개구부(24)의 엣지를 형성한다. 상기 본체(21) 내의 캐비티 및 상기 용기(21)가 배치되는 환경 사이에는, 상기 개구부(24) 및 상기 칼라(25)에 의해 형성되는 도관을 통한 유체 연통부가 구비된다.
상기 용기(20)는 수평 - 즉, (y-방향일 수 있는) 지면에 대해 소정의 각도로 배향되어 있다. 이는 상기 방사선 소스(SO)도 또한 수평에 대해 기울어져 있기 때문이다. 대안적인 실시예들에 있어서, 상기 용기(20)는 수평으로 배향될 수 있다(즉, 상기 용기(20)의 베이스는 y-방향, 즉 지면과 평행하게 배향될 수 있다).
상기 리세스(26)는 상기 칼라(25)의 노치(25a)에 인접한 상기 상부 표면(21a)의 부분에 의해 한정된다. 특히, 상기 리세스(26)는, 상기 상부 표면(21a)으로부터 상기 본체(21)의 캐비티가 배치되는 방향과 동일한 방향으로 연장되는, 상기 상부 표면(21a)의 부분에 의해 한정된다. 상기 리세스(26)는 상기 상부 표면(21a)으로부터 약간만 돌출될 수 있다. 상기 리세스(26)의 엣지는 상기 칼라(25)에 근접한다. 특히, 상기 칼라(25)의 연장 부분들(25b, 25c)은 상기 노치(25a)의 베이스가 상기 리세스(26)의 상기 부분에 의해 한정되도록 상기 리세스(26)의 부분을 부분적으로 둘러싼다.
상기 리세스(26)는 상기 칼라(25)로부터 상기 본체(21)의 상부 표면(21a)의 엣지로 연장된다. 상기 트레이(27)는 개방 면을 갖는 대체로 입방형 구성 요소를 포함한다. 상기 트레이(27)는 상기 용기(20)의 본체(21)보다 실질적으로 작을 수 있다. 상기 트레이(27)는 상기 본체(21)의 측면(21d)상에 배치된다. 상기 트레이(27)는 상기 트레이(27)의 개방 면이 리세스(26)가 연장되는 상기 본체(21)의 상부 표면(21a)의 엣지에 근접하도록 배치된다. 상기 스플래시 커버(28)는 일반적으로 장방형 구성 요소를 포함한다. 상기 스플래시 커버(28)는 시트로서 설명될 수 있다. 상기 스플래쉬 커버(28)는 상기 트레이(27)에 부착될 수 있다. 상기 스플래쉬 커버(28)는 상기 본체(21)의 측면(21d)에 배치되는 상기 트레이의 면과 반대편에 있는 상기 트레이(27)의 면에 부착될 수 있다. 상기 스플래시 커버(28)는 상기 리세스(26)가 연장되는 상기 본체(21)의 상부 표면(21a)의 엣지를 적어도 부분적으로 덮도록 상기 트레이(27)로부터 연장된다.
상기 본체(21)는 몰리브덴을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 유리하게도, 몰리브덴은 주석으로부터 높은 부식 저항성을 가지며, 이는 몰리브덴을 포함하는 재료가 상기 본체(21)를 형성하는 데 특히 적합한 재료로 되게 한다. 상기 본체(21)는 상기 본체(21)의 강도를 증가시키기 위해 하나 이상의 추가 재료를 추가로 포함할 수 있다. 상기 본체(21)는 티타늄을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 상기 본체(21)는 지르코늄을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 상기 본체(21)는 티타늄-지르코늄-몰리브덴 합금(TZM이라 칭함)을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 이와 같은 티타늄-지르코늄-몰리브덴 합금은 99.4%의 몰리브덴, 0.5%의 티타늄 및 0.08%의 지르코늄을 포함할 수 있다. 이는 (순수 몰리브덴에 비해) 재료의 강도 특성을 개선하기 위해 몰리브덴에 TiC 및 ZrC를 첨가함으로써 형성될 수 있다.
상기 칼라(25)는 세라믹 재료를 포함하는 재료로 형성될 수 있다.
상기 칼라(25)는: 산화규소; 산화마그네슘; 산화알루미늄; 산화칼륨; 산화붕소; 및/또는 불소의 임의의 조성물을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 특히, 상기 칼라(25)는: 산화규소; 산화마그네슘; 산화알루미늄; 산화칼륨; 산화붕소; 및 불소를 포함하는 재료로 구성될 수 있다. 상기 재료는 미국에서 설립된 코밍사에 의해 MACOR™으로 시판되는 재료를 포함할 수 있다.
상기 칼라(25)는 질화붕소(BN)를 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 상기 칼라(25)는 질화알루미늄(AlN)을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 상기 칼라(25)는 질화붕소 및 질화알루미늄을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 상기 재료는 SHAPAL™, SHAPAL™-M 및/또는 SHAPAL™ Hi-M Soft로서 시판되는 재료를 포함할 수 있다. 상기 칼라(25)는 PBN으로 지칭될 수 있는 열분해 질화붕소를 포함하는 재료로 형성될 수 있다.
본원에는 여러 산화물 화합물들이 제안되었다. 화합물에서 "산화물"이라는 용어의 사용은 임의의 적절한 산화물 화합물(예를 들어, 이산화물, 삼산화물 등)을 지칭할 수 있음을 인식할 수 있을 것이다. 특히, 산화규소는 2개의 산소 원자와 결합된 규소 원자를 지칭할 수 있으며(SiO2), 이는 실리카로서 지칭될 수 있다. 산화마그네슘은 산소 원자와 결합된 마그네슘 원자를 지칭할 수 있으며(MgO), 이는 마그네시아로 지칭될 수 있다. 산화알루미늄은 3개의 산소 원자와 결합된 2개의 알루미늄 원자를 지칭할 수 있으며(Al2O3), 이는 알루미나로 지칭될 수 있다. 산화칼륨은 1개의 산소 원자와 결합된 2개의 칼륨 원자를 지칭할 수 있다(K2O). 붕소 산화물은 3개의 산소 원자와 결합된 2개의 붕소 원자를 지칭할 수 있다(B2O3).
도 3은 용기(20)의 측면도의 개략적으로 도시한다.
사용 시, 상기 용기(20)는 상기 배출 시스템의 파이프(예를 들어, 도 1에 도시된 파이프(30))와 인터페이스하도록 배열될 수 있다. 도 3은 상기 용기(20)와 인터페이스하는 파이프(30) 섹션의 개요를 도시한다. 상기 파이프(30)의 단부는 상기 용기(20)의 개구부(24)에 근접한다. 특히, 상기 파이프(30)의 단부는 상기 칼라(25)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인다(도 3에서, 상기 파이프(30)의 점선은 상기 칼라(25)에 의해 부분적으로 둘러싸인 상기 파이프의 섹션을 도시한다). 상기 파이프(30)의 단부는 상기 칼라(25)의 상부 부분(25e)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인다. 상기 칼라(25)의 상부 부분(25e)은 파이프의 부분 섹션으로서 기술될 수 있다. (상기 상부 부분(25e)과는 달리, 상기 하부 부분(25f)은 노치를 포함하지 않으며 따라서 상기 하부 부분(25f)은 폐쇄 형상이므로) 상기 칼라(25)의 하부 부분(25f)은 파이프의 전체 섹션으로서 기술될 수 있다. 상기 칼라(25)는 상기 배출 시스템의 파이프(30)와 인터페이스할 수 있다. 상기 파이프(30)가 상기 칼라(25)와 인터페이스할 때, 이는 상기 파이프(30), 상기 칼라(25e)의 상부 부분(25e) 및 상기 칼라(25)의 하부 부분(25f)을 포함하는 복합 파이프의 형성으로서 설명될 수 있다. 상기 칼라(25)는 플랜지 부분(25d)을 추가로 포함한다. 상기 플랜지 부분(25d)은, 상기 파이프(30)가 상기 칼라(25)와 인터페이스할 때 상기 플랜지 부분(25d)이 상기 파이프(30)에 근접하도록, 상기 칼라(25)의 엣지 주위에 배열된다. 상기 플랜지 부분(25d)은 상기 칼라(25)의 상부 부분(25e)이 파이프(30)를 부분적으로 둘러싸는 정도로 증가된다.
상술된 바와 같이, 주석은 상기 방사선 소스(SO)의 밀폐 구조체(9) 내로부터 (파이프(30)와 같은) 하나 이상의 파이프를 통해 상기 용기(20) 내로 배출될 수 있다. 상기 파이프(30)를 통한 주석(31)의 유동은 도 3에 도시되어 있다. 주석(31)의 유동은 상기 파이프(30)의 단부에서 빠져나온다. 다음에 주석(31)의 유동은 상기 개구부(l4)를 통과한다. 그런 다음 주석(31)의 유동은 상기 용기(20) 본체(21)의 캐비티로 진입한다. 이에 의해 상기 용기(20)는 상기 방사선 소스(SO)의 배출 시스템으로부터 주석을 수용 및 수집할 수 있다.
액체 주석을 저장하기 위한 공지된 용기들은 스테인리스강으로 형성된다. 액체 주석은 스테인리스강과 반응할 수 있다. 스테인리스강은 액체 주석에 의해 부식될 수 있다. 예를 들어, 액체 주석을 저장하기 위한 공지된 용기들에서, 매년 그와 같은 용기가 작동되는 동안, 대략 100 um의 스테인리스강이 스테인리스강 표면으로부터 제거될 수 있다. 이는 그와 같은 용기의 고장을 유발시킬 수 있다. 상기 스테인리스강의 불순물은 이와 같은 문제점을 악화시킬 수 있다. (스테인리스강 용기 형성으로 인한) 용접 결함은 이와 같은 문제점을 악화시킬 수 있다. (스테인리스강 용기의 형성으로 인한) 열적 응력은 이와 같은 문제점을 악화시킬 수 있다. 상기 용기 내의 온도 구배도 이와 같은 문제점을 현저히 악화시킬 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 본체(21)는 몰리브덴을 포함하는 재료(예를 들어, 상술된 바와 같은 TZM)로 형성될 수 있다. 유리하게도, 액체 주석에 의한 상기 본체(21)(몰리브덴을 포함하는 재료로 형성됨)의 부식은 무시할 수 있거나 전혀 발생하지 않을 수 있다. 특히, 상기 용기(20)가 유지되는 온도에서 상기 본체(21)의 부식은 무시할 수 있거나 전혀 발생하지 않을 수 있다.
TZM은 스테인리스 강의 열전도율보다 대략 9배 더 큰 열전도율을 가질 수 있다. 따라서, 유리하게도, (TZM을 포함하는 재료로 형성되는) 상기 본체(21)의 가열 및 냉각 시간은 스테인리스강으로 형성된 용기 본체의 가열 및 냉각 시간보다 짧을 수 있다. 이는 (예를 들어, 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)의) 처리량에 대한 장점을 유발시킬 수 있다. 또한, 유리하게도, 스테인리스강 용기에 필요한 가열 장치의 디자인보다 단순한 가열 장치의 디자인을 사용하는 것이 가능해질 수 있다. 그와 같은 가열 장치의 개선된 디자인은 상기 용기(20)로부터 분리된 하나 이상의 가열 요소를 포함할 수 있다. 그와 같은 가열 장치의 개선된 디자인은 상기 용기(20)의 캐비티가 일반적으로 주석으로 충전될 때 상기 방사선 소스(SO)로부터 제거될 필요가 없는 하나 이상의 가열 요소를 포함할 수 있다.
TZM은 스테인리스강보다 약 3배 더 낮은 열팽창 계수를 가질 수 있다. 따라서, 유리하게도, (TZM을 포함하는 재료로 형성되는) 상기 본체(21) 내의 열적 응력은 스테인리스강으로 형성된 용기 본체의 열적 응력보다 낮을 수 있다. 이는, 유리하게는, (스테인리스강 용기의 본체와 비교하여) 형성될 상기 본체(21)의 디자인을 더욱 단순하게 할 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 용기(20)가 상기 방사선 소스(SO)의 배출 시스템의 일부로서 사용될 때, 상기 주석(31)의 유동은 상기 파이프(30)의 단부를 빠져나갈 수 있다. 상기 용기(20)가 사용 중일 때, 상기 파이프(30)의 단부는 적어도 부분적으로 상기 칼라(25)에 의해 (특히, 상기 칼라(25)의 상부 부분(25e)에 의해) 둘러싸인다. 상기 칼라(25)는 복합 파이프를 형성하도록 상기 배출 시스템의 파이프(30)와 인터페이스할 수 있다. 유리하게도, 그 결과 주석은 상기 용기(20)로 효율적으로 전달될 수 있다. 특히, 그 결과 주석은 상기 개구부(24)를 통해 상기 용기(20) 본체(21)의 캐비티로 효율적으로 전달될 수 있다.
상기 주석(31)의 유동은 일반적으로 액체 주석을 포함할 수 있다. 주석은 상기 파이프(30)로부터 빠져나온 후 상기 칼라(25)에 접촉될 수 있다. 주석은 상기 용기(20)의 캐비티로 진입한 후 상기 캐비티의 표면으로부터 상기 개구부(24)를 향해 다시 튀어 오를 수 있다. 상기 용기(20)는 가열될 수 있다. 특히, 가열 장치는 상기 본체(21)의 캐비티 내에 배치된 주석이 액체 상태가 되도록 상기 본체(21)를 주석의 융점 이상으로 가열할 수 있다. 그러나, 상기 칼라(25)의 온도는 주석의 융점보다 낮을 수 있다. 이는 상기 칼라(25)의 열적 특성 및/또는 상기 가열 장치의 가열 요소에 대한 상기 칼라(25)의 접근성으로 인한 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 칼라(25)는 상대적으로 낮은 열전도 계수를 갖는 재료(예를 들어, 상기 용기(20) 본체(21)가 형성되는 재료보다 낮은 열전도 계수를 갖는 재료)로 형성될 수 있다. 또한, 상기 칼라(25)와 상기 용기(20) 본체(21) 사이에는 접촉 저항이 존재한다. 따라서, 비록 상기 용기(20)의 본체(21)가 250℃ 정도의 온도로 유지될 수 있을지라도, 상기 칼라(25)의 온도는 주석의 융점(232℃) 미만일 수 있다. 상기 용기(20)의 모든 부분을 주석의 융점보다 높게 하기 위해 상기 용기(20)를 가열하도록 의도된 상황에서조차도, 실제 상기 칼라(25)의 온도는 주석의 융점보다 낮을 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 칼라(25)는 MACOR™을 포함하는 세라믹 재료로 형성될 수 있다. MACOR™은 실질적으로 액체 주석에 대해 비-습윤성이다. 만약 주석이 (MACOR™로 형성된) 상기 칼라(25)에 접촉하는 경우, 상기 칼라(25)의 표면이 젖지 않을 수 있다. 또한, MACOR™은 액체 주석에 대해 실질적으로 비-점착성일 수 있다. MACOR™의 비-점착 특성은 상기 칼라(25)의 표면으로부터 주석의 제거를 용이하게 할 수 있다. 따라서, 비록 상기 칼라(25)가 주석의 융점보다 낮은 온도에 있을 때조차도, 주석이 상기 칼라(25)의 표면상에 잔류할 가능성은 거의 없다. 유리하게도, 이는 상기 개구부(24) 주위에 주석이 축적되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템의 폐색이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이는 상기 배출 시스템의 임의의 폐색은 (예를 들어, 상기 방사선 소스(SO) 및 상기 리소그래피 장치(LA)의) 처리량의 실질적인 감소를 초래할 수 있기 때문에 유리하다.
특히, 방사선 소스의 배출 시스템에 사용하기 위한 이전 디자인의 용기들은 (MACOR™과 같은) 세라믹 재료로 형성된 (상기 칼라(25)와 같은) 칼라를 포함하지 않는다. 이와 같은 이전 디자인들은 주석의 축적으로 인한 폐색이 발생하기 쉽다. 이와 같은 이전 디자인들에서, 주석은 상기 용기의 개구부에 근접한 표면을 적실 수 있다. 이와 같은 이전 디자인들에서, 주석은 상기 용기의 개구부에 가까운 표면에 점착될 수 있다. 따라서, 시간이 지남에 따라, 점점 더 많은 주석이 상기 용기의 개구부 부근에 퇴적될 수 있다. 이는 그와 같은 이전 디자인들의 용기 내로의 주석 전달의 효율성을 감소시킨다. 이는 결국 그와 같은 이전 디자인들의 용기를 사용하는 배출 시스템의 폐색을 유발시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따른 새로운 디자인의 용기(20)는 그와 같은 폐색이 발생할 위험을 실질적으로 완화한다(그리고 심지어는 제거할 수 있다). 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 새로운 디자인의 용기(20)는 공지된 용기에 비해 상당한 장점들을 제공한다.
상술된 바와 같이, 상기 방사선 소스(SO)는 상기 방사선 소스(SO) 내의 구성 요소들의 표면들에 수소를 제공하기 위한 메커니즘을 포함할 수 있다. 그와 같은 수소는 수소 가스의 형태로 전달될 수 있다. 상기 방사선 소스(SO) 내의 고에너지 방사선은 상기 수소 가스로부터 수소 라디칼을 생성할 수 있다. 수소 가스 및/또는 수소 라디칼은 상기 방사선 소스(SO)의 배출 시스템을 통해 전파될 수 있다. 따라서, 수소 가스 및/또는 수소 라디칼은 상기 용기(20) 부근에 존재할 수 있다.
금속을 함유하는 대부분의 재료들은 일반적으로 정상 대기 조건에서 액체 주석에 대해 비-습윤성일 수 있다. 이와 같은 비-습윤 특성은 그와 같은 재료들의 표면상에 형성되는 산화물층에 기인할 수 있다. 그러나, 그와 같은 산화물층은 수소를 함유하는 환경에서 제거될 수 있다. 특히, 수소 라디칼이 존재하는 환경에서는, 산화물층이 화학적으로 환원될 수 있다. 이는 주석과의 습윤성을 증가시키는 결과를 초래할 수 있다. 따라서, 수소 가스 및/또는 수소 라디칼의 존재로 인해 상기 칼라(25)의 표면상에 주석이 축적되는 것을 방지하는 것이 특히 어려울 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 용기(20)의 특정 장점은, 수소가 존재하는 경우에 조차도, MACOR™가 일반적으로 주석에 대해 비-습윤성이고 일반적으로 주석에 대해 비-점착성이라는 점에 있다. 따라서, MACOR™을 포함하는 재료로 형성된 칼라(25)는 수소의 존재하에 생성되는 특히 까다로운 환경에서조차도 상술된 장점들을 제공한다.
상술된 바와 같이, MACOR™을 포함하는 재료로 형성된 칼라(25)를 사용함으로써 달성될 수 있는 장점들은 주어진 임의의 다른 재료들로 형성된 칼라(25)를 사용함으로써 달성될 수 있다는 사실을 인식할 수 있을 것이다. 특히, 다음을 포함하는 재료로 형성된 칼라(25)를 사용함으로써 동일하거나 유사한 장점들이 달성될 수 있다: 질화붕소; (SHAPAL™, SHAPAL™-M, 및/또는 SHAPAL™ Hi-M Soft로서 시판될 수 있는) 질화붕소 및 질화알루미늄; 또는 열분해 질화붕소.
본 발명의 실시예에 따른 용기(20)의 또 다른 장점은 TZM(이로부터 본체(21)가 상술된 바와 같이 형성될 수 있음)이 실질적으로 수소 취성에 대한 내성이 있다는 점이다. 이는 수소 가스 및/또는 수소 라디칼이 상기 본체(21) 부근에 존재할 가능성 때문에 특히 유리한다. 공지된 디자인의 용기는 주석에 의한 철(스테인리스강의 주성분)의 부식으로 인해 주석으로부터 부식되기 쉬운 스테인리스강으로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 용기(20)는 공지된 디자인의 용기보다 특히 유리하다.
상기 용기(20)는 상기 방사선 소스(SO)의 배출 시스템의 교체 가능한 구성 요소일 수 있다. 상기 용기(20)는 상기 배출 시스템 내에 삽입될 수 있다. 상기 용기(20)는 상기 배출 시스템으로부터 제거될 수 있다. 특히, 상기 용기(20)는 상기 본체(21)의 캐비티가 일정량의 주석을 수용하는 경우 상기 배출 시스템으로부터 제거될 수 있다. 그런 다음, (예를 들어, 상기 용기(20)와 동등할 수 있는) 새로운 용기가 상기 배출 시스템 내에 삽입될 수 있다.
상기 용기(20)는 재사용할 수 있다. 상기 용기(20)는 상기 본체(21)의 캐비티가 일정량의 주석을 수용하는 경우 상기 배출 시스템으로부터 제거될 수 있다. 주석은 상기 용기(20)로부터 실질적으로 제거될 수 있다. 상기 주석은 액체 상태일 수 있다. 이는 상기 용기(20)로부터 주석의 제거를 용이하게 할 수 있다. 그 후 상기 용기(20)는 상기 배출 시스템 내로 재삽입될 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 상기 용기(20)가 상기 방사선 소스(SO)의 배출 시스템 내로 삽입될 수 있는 공정을 나타낸다. 도 4a는 상기 용기(20)가 상기 배출 시스템 내에 삽입되기 전의 파이프(30)와 용기(20)의 상대적 위치를 도시한다. 도 4b는 일단 상기 용기(20)가 상기 배출 시스템 내로 삽입된 후의 파이프(30)와 용기(20)의 상대적 위치를 도시한다(이는 또한 도 3에 도시된다). 상기 파이프(30) 및 상기 용기(20)는 도 4a 및 도 4b에서 동일한 고정 배경 격자에 대해 도시되어 있다.
상기 용기(20)를 상기 배출 시스템 내에 삽입할 때, 상기 배출 시스템의 파이프(30)는 상기 방사선 소스(SO)에 대해 고정된 상태로 유지될 수 있다. 상기 용기(20)를 상기 배출 시스템 내에 삽입하기 위해, 상기 용기(20)는 상기 삽입 방향(32)으로 이동될 수 있다.
유리하게는, 상기 칼라(25)의 상부 부분(25e)의 U자형 단면은 상기 용기(20)로 하여금 상기 배출 시스템 내로 삽입되게 하여, 상기 칼라(25)가 상기 파이프(30)의 단부를 적어도 부분적으로 둘러싸게 되며, 이에 의해 합성 파이프가 형성된다. 특히, 상기 노치(25a)는 상기 용기(20)가 상기 배출 시스템 내로 삽입될 때 상기 파이프(30)의 단부가 통과할 수 있는 공간을 제공한다. 따라서, 상기 노치(25a) 및 플레어 부분(25d)(도 2 참조)은 상기 용기(20)와 상기 파이프(30) 사이의 유리한 결합이 달성될 수 있는 메커니즘을 제공한다.
주석은 상기 본체(21)의 상부 표면(21a)에 접촉될 수 있다. 상기 배출 시스템은 상기 상부 표면(21a)상에 접촉하는 임의의 주석이 일반적으로 상기 리세스(26)를 구성하는 상기 상부 표면(21a)의 부분에 접촉될 수 있도록 구성될 수 있다. 상기 칼라(25)의 노치(25a) 및 상기 리세스(26)는 상기 노치(25a)를 통해 전파되는 임의의 주석(예를 들어, 상기 본체(21)의 캐비티로부터 상기 개구부(24) 밖으로 튀어 오르는 주석, 상기 파이프(30)로부터 직접 상기 칼라(25)에 접촉되는 주석)이 상기 리세스(26)에 위치하도록 배치될 수 있다.
상기 용기(20)는 상술된 바와 같이, 그리고 도 3, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 수평에 대해 - 즉, 지면에 대해 - 소정의 각도로 배향될 수 있다. TZM은 주석에 대해 비-습윤성일 수 있다(상술된 바와 같이 상기 본체(21)는 상기 TZM으로 형성될 수 있다). TZM은 주석에 대해 비-점착성일 수 있다. 상기 리세스(26)상에 배치된 (일반적으로 액체 상태일 수 있는) 주석은 중력의 작용 하에 상기 트레이(27)가 배치된 상부 표면(21a)의 엣지를 향해 전파될 수 있다. 그와 같은 주석의 전파는 TZM의 비-습윤성 및 비-습윤 특성에 의해 유리하게 촉진될 수 있다. 상기 리세스의 하나 이상의 엣지는 상기 주석이 상기 트레이(27)를 향해 전파되도록 주석의 궤적을 안내할 수 있다. 주석은 상기 트레이(27)로 진입할 수 있다. 상기 스플래시 커버(28)는 상기 트레이(27)에서 주석의 수용 및/또는 보유를 용이하게 할 수 있다.
유리하게도, 상기 리세스(26), 트레이(27) 및 스플래쉬 커버(28)는 주석(31)의 유동이 상기 배출 시스템 또는 다른 구성 요소들을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 상기 리세스(26), 트레이(27) 및 스플래쉬 커버(28)는 상기 파이프(30)로부터 빠져나오는 주석을 수집할 수 있다. 상기 리세스(26), 트레이(27) 및 스플래쉬 커버(28)는 상기 용기(20)가 상기 배출 시스템 내로 삽입되거나 또는 상기 배출 시스템으로부터 제거될 때 상기 용기(20)에 접촉되는 주석을 수집할 수 있다.
IC의 제조에서의 리소그래피 장치의 사용에 대한 구체적인 참조가 본 문헌에서 언급되고 있지만, 본원에 설명된 리소그래피 장치는 다른 응용 분야들을 가질 수 있음을 이해해야 한다. 가능한 다른 응용 분야들에는 집적 광학 시스템의 제조, 자기 도메인 메모리, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등에 대한 안내 및 검출 패턴이 포함된다.
본 문헌에서 본 발명의 실시예들에 대한 구체적인 참조가 리소그래피 장치의 맥락에서 언급되고 있지만, 본 발명의 실시예들은 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 장치)와 같은 물체를 측정하거나 처리하는 임의의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이와 같은 장치는 일반적으로 리소그래피 도구로 지칭될 수 있다. 그와 같은 리소그래피 도구는 진공 조건 또는 주변(비-진공) 조건을 사용할 수 있다.
상기 상황이 허용되는 경우, 본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 또한 하나 이상의 프로세서에 의해 판독 및 실행될 수 있는 기계 판독 가능 매체상에 저장된 명령어들로서 구현될 수 있다. 기계 판독 가능 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계 판독 가능 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 기타 형태의 전파 신호들(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어들이 본원에서 특정 작업을 수행하는 것으로 설명될 수 있다. 그러나 그와 같은 설명은 단지 편의를 위한 것일 뿐 실제로는 그와 같은 작업들은 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 컴퓨팅 장치, 프로세서, 컨트롤러 또는 기타 장치들로부터 유발되며, 또한 그 경우 액추에이터 또는 기타 장치들이 물리적 세계와 상호 작용할 수 있게 된다는 사실을 인식할 수 있을 것이다.
위에서는 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과는 다르게 실시될 수 있음을 이해해야 할 것이다. 위의 설명들은 제한을 위한 것이 아니라 예시를 위한 것이다. 따라서, 당업자에게는 본 발명이 다음에 설명된 청구범위의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 변형될 수 있다는 사실이 명백할 것이다.

Claims (17)

  1. 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스의 폐기물을 수용하도록 배열된 용기로서,
    챔버를 한정하는 제1 부분; 및
    상기 챔버로의 입구를 적어도 부분적으로 한정하는 제2 부분을 포함하며;
    사용 시, 상기 폐기물은 상기 입구를 통해 상기 챔버로 진입하고, 상기 제2 부분은 세라믹 재료를 포함하는 재료로 형성되는, 용기.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 부분은 몰리브덴을 포함하는 재료로 형성되는, 용기.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서, 상기 세라믹 재료는 붕소 및/또는 불소를 포함하는, 용기.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 항에 있어서, 상기 세라믹 재료는:
    산화규소;
    산화마그네슘;
    산화알루미늄;
    산화칼륨;
    산화붕소; 및
    플루오르를 포함하는, 용기.
  5. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 항에 있어서, 상기 세라믹 재료는 금속 질화물을 포함하는, 용기.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 세라믹 재료는 질화붕소를 포함하는, 용기.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 세라믹 재료는 질화알루미늄을 포함하는, 용기.
  8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 항에 따른 용기를 포함하는 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스.
  9. 방사선 소스의 배출 시스템에서 사용하기 위한 구성 요소를 포함하는 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스로서,
    상기 구성 요소는 상기 방사선 소스의 폐기물을 수용하도록 배열된 챔버를 한정하고, 상기 구성 요소는 몰리브덴을 포함하는 재료로 형성되는, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스.
  10. 방사선 소스의 배출 시스템에서 사용하기 위한 구성 요소를 포함하는 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스로서,
    상기 구성 요소는 붕소 및/또는 불소를 포함하는 세라믹 재료를 포함하는, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스.
  11. 방사선 소스의 배출 시스템에서 사용하기 위한 구성 요소를 포함하는 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스로서,
    상기 구성 요소는 금속 질화물을 포함하는 세라믹 재료를 포함하는, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 세라믹 재료는:
    산화규소;
    산화마그네슘;
    산화알루미늄;
    산화칼륨;
    산화붕소; 및
    플루오르를 포함하는, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스.
  13. 제10 항 또는 제11 항에 있어서, 상기 구성 요소는 질화붕소를 포함하는 세라믹 재료를 포함하는, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스.
  14. 제10 항, 제11 항 또는 제13 항에 있어서, 상기 구성 요소는 질화알루미늄을 포함하는 세라믹 재료를 포함하는, 레이저-생성 플라즈마 방사선 소스.
  15. 제8 항 내지 제14 항 중 어느 항에 따른 방사선 소스로서,
    상기 방사선 소스는 상기 방사선 소스 내의 하나 이상의 표면에 수소를 제공하기 위한 메커니즘을 추가로 포함하는, 방사선 소스.
  16. 제10 항 내지 제14 항 중 어느 항에 따른 방사선 소스로서,
    구성 요소는 상기 방사선 소스의 폐기물을 수용하도록 배열된 챔버로의 입구를 적어도 부분적으로 한정하는, 방사선 소스.
  17. 제10 항 내지 제14 항 중 어느 항에 따른 방사선 소스로서,
    구성 요소는 상기 방사선 소스의 폐기물을 운반하도록 구성되는 파이프인, 방사선 소스.
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