CN110658692A - 用于产生极紫外光辐射的方法 - Google Patents

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杨基
简上傑
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Abstract

一种用于产生极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射的方法包括在EUV辐射源设备内利用激光照射锡液滴，从而产生EUV辐射及锡碎屑。加热滴孔与锡桶之间的导管或导杆，从而使围绕滴孔沉积的锡碎屑流动。一极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射源设备包括收集器及用于产生锡(Sn)液滴的靶材液滴产生器。碎屑收集元件安置在收集器的反射表面上方，且至少一个滴孔位于碎屑收集元件与收集器之间。用于收集来自碎屑收集元件的碎屑的锡桶位于至少一个滴孔下方，且导管或导杆从滴孔延伸至锡桶。

Description

用于产生极紫外光辐射的方法
技术领域
本揭露涉及一种用于产生极紫外光辐射的方法。
背景技术
半导体集成电路(integrated circuit；IC)行业已经历指数级增长。IC材料及设计的技术进步已产生多代IC，其中每一代均比前代具有更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(亦即，每个晶片面积内的互连元件数目)通常已增大，而几何尺寸(亦即，可通过使用制造制程而产生的最小部件(或线路))已减小。此缩小制程一般通过提高生产效率及降低关联成本而提供益处。此种缩小亦增大了处理及制造IC的复杂性。
例如，对实施更高解析度的微影制程的需求增大。一项微影技术是极紫外光微影(extreme ultraviolet lithography；EUVL)。EUVL采用扫描器，此等扫描器使用极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)区域中的光，波长为约1-100nm。一些EUV扫描器提供4倍缩小投影列印，此与一些光学扫描器类似，但不同之处在于EUV扫描器使用反射而非折射光学元件，亦即使用反射镜，而非透镜。一个EUV光源类型是激光产生电浆(laser-producedplasma；LPP)。LPP技术通过将高功率激光光束聚焦至锡的小液滴靶材来形成高度离子化的电浆来产生EUV光，此电浆发射EUV辐射，放射最大峰值为13.5nm。随后，EUV光由LPP收集器(收集器镜)收集，并由光学元件向微影靶材(例如，晶圆)反射。LPP收集器遭受归因于颗粒、离子、辐射，及最严重的锡沉积的损坏及降级。
发明内容
本揭露提供一种用于产生极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射的方法，包含在EUV辐射源设备中用激光照射锡液滴，从而产生EUV辐射及锡碎屑；及加热滴孔与锡桶之间的导管或导杆，从而使沉积在滴孔周围的锡碎屑流动。
附图说明
当结合附图阅读时根据下文的详细说明将最佳理解本揭示案的态样。应注意，依据行业中的标准实践，多个特征并未按比例绘制，且仅为说明为目的而使用。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。
图1A是依据本揭示案的一些实施例而建构的、具有激光产生电浆(laser-produced plasma；LPP)EUV辐射源的EUV微影系统的示意视图；
图1B是根据本揭示案实施例的EUV微影系统曝光工具的示意图；
图2A是根据本揭示案的一些实施例的、用于EUV辐射源中的碎屑收集机构的示意正视图；图2B是根据本揭示案的一些实施例的、用于EUV辐射源中的碎屑收集机构的示意侧视图；图2C是根据本揭示案的一些实施例的、用于EUV辐射源中的导叶的部分图片；
图3A、图3B及图3C绘示被碎屑覆盖的收集器；图3D绘示阻塞的滴孔；
图4绘示收集器及EUV光源相关部分的示意视图；
图5绘示滴孔及碎屑容器的细节视图；
图6是被钟乳石阻塞物阻塞的滴孔的视图；
图7A是本揭示案的一实施例的视图；图7B是导杆的细节视图；
图8A是本揭示案的另一实施例的视图；图8B是根据本揭示案的一实施例的包覆管的细节视图；
图9是本揭示案的另一实施例的视图；
图10是绘示根据本揭示案的一实施例的方法的流程图。
【符号说明】
100：EUV辐射源设备
105：腔室
110：收集器
115：靶材液滴产生器
120：液滴捕获器
130：第一缓冲气体供应器
135：第二缓冲气体供应器
140：出气口
150：碎屑收集机构或元件
151：截头圆锥形支撑架
152：导叶
153：第一端支撑
154：第二端支撑
160：输出端口
200：曝光工具
205a：光学元件
205b：光学元件
205c：图案化光学元件
205d：缩小投影光学元件
205e：缩小投影光学元件
210：基板
300：激发激光源设备
310：激光产生器
320：激光导向光学元件
330：聚焦设备
605：滴孔
610：碎屑容器
705：锡碎屑钟乳石
710：喷渣
805：导杆
810：加热器
815：导电线路
820：碎屑
825：电源及控制器
830：加热元件
910：导管
915：加热元件
920：包层
925：加热元件
1010：加热元件
1100：方法
1110：操作
1120：操作
1130：操作
具体实施方式
以下揭示内容提供众多不同的实施例或实例以用于实施本案提供的标的的不同特征。下文将描述元件及布置的特定实例以简化本揭示案。此等元件及布置当然仅为实例，且不意欲进行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成的实施例，及亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。此外，本揭示案可在多个实例中重复元件符号及/或字母。此重复用于实现简化与明晰的目的，且其自身并不规定所论述的多个实施例及/或配置之间的关系。
此外，本案中可使用诸如“在……下方(beneath)”、“在……之下(below)”、“下部(lower)”、“在……之上(above)”、“上部(upper)”等等的空间相对术语在以便于描述，以描述一个元件或特征与另一或更多个元件或特征的关系，如附图中所绘示。空间相对术语意欲包含在使用或操作中的装置除附图中绘示的定向以外的不同定向。设备/元件可另经定向(旋转90度或以其他定向)，且本案中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。此外，术语“由……制成”可意谓“包含”或“由……组成”。而且，在下文的过程中，所述操作中或之间可以有一或更多个额外操作，且操作次序可更改。在本揭示案中，短语“A、B及C中的一者”意谓“A、B及/或C”(A、B、C、A及B、A及C、B及C，或A、B及C)，而不意谓来自A的一元件、来自B的一元件及来自C的一元件，除非另有描述。
本揭示案一般是关于极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)微影系统及方法。更特定而言，本揭示案是关于用于减轻激光产生电浆(laser-produced plasma；LPP)EUV辐射源中的收集器上的污染的设备及方法。收集器(亦称作LPP收集器反射镜或EUV收集器反射镜)是LPP EUV辐射源的一重要部件。收集器收集并反射EUV辐射，并促进整体EUV转换效率。然而，收集器遭受归因于颗粒、离子、辐射，及碎屑沉积的损坏及降级。特定而言，锡(Sn)碎屑是EUV收集器的污染源之一。EUV收集器使用寿命(反射率衰变至自身一半的历时)是EUV扫描器最重要的因数之一。收集器衰变的主要原因是收集器表面上由EUV光产生程序而导致的金属残余物污染(锡碎屑)。
本揭示案的实施例是针对减少LPP收集器上的碎屑沉积，从而增加其使用寿命。更特定言之，本揭示案的实施例是针对通过将EUV收集器上的金属涂层及积聚物主动加热至锡碎屑的熔融温度，来使此金属涂层及积聚物自损毁，及针对汲极结构设计。本揭示案的技术通过降低更换收集器的频次，来使收集器更长期保持在所需状态。换言之，EUV扫描器将维持最高曝光功率及产量，且需要更低频次的维护，从而减少更换收集器所需的持续一周的停工时间。
图1A是EUV微影系统的示意概略图。EUV微影系统包括用以产生EUV光的EUV辐射源设备100、诸如扫描器的曝光工具200，及激发激光源设备300。如图1A所示，在一些实施例中，EUV辐射源设备100及曝光工具200安装在清洁室的主层MF上，而激发源设备300则安装在位于主层下方的基层BF中。EUV辐射源设备100及曝光工具200中的每一者分别经由阻尼器DP1及DP2而位于台座板PP1及PP2上方。EUV辐射源设备100及曝光工具200通过耦合机构而彼此耦合，此机构可包括聚焦单元。
微影系统是极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)微影系统，此系统经设计以通过EUV光(或EUV辐射)曝光抗蚀层。抗蚀层是对EUV光敏感的材料。EUV微影系统采用EUV辐射源设备100以产生EUV光，如波长范围在约1nm与约100nm之间的EUV光。在一个特定实例中，EUV辐射源100产生波长集中在约13.5nm处的EUV光。在本实施例中，EUV辐射源100利用激光产生电浆(laser-produced plasma；LPP)机制来产生EUV辐射。
曝光工具200包括多个反射光学元件，如凸透镜/凹透镜/平面镜、包括遮罩台的遮罩固持机构，及晶圆固持机构。由EUV辐射源100产生的EUV辐射EUV被反射光学部件引导至固定在遮罩台上的遮罩上。在一些实施例中，遮罩台包括静电卡盘(e-chuck)以固定遮罩。由于气体分子吸收EUV光，因此用于EUV微影图案化的微影系统维持真空或低压环境，以避免EUV强度损失。
图1B是根据本揭示案的一实施例的极紫外微影工具的细节的简化示意图，此图绘示利用图案化的EUV光束曝光光阻剂涂层基板210。曝光装置200是一集成电路微影工具，如步进器、扫描器、步进及扫描系统、直写系统、使用接触及/或邻近遮罩的元件等，此工具配备一或更多个光学元件205a、205b，例如用以利用EUV光束来照射诸如主光罩的图案化光学元件205c，以此产生经图案化的光束，及配备一或更多个缩小投影光学元件205d、205e以用于将经图案化的光束投影至基板210上。可提供一机械组件(未绘示)以用于在基板210与图案化光学元件205c之间产生受控的相对移动。如图1B中进一步绘示，EUVL工具包括EUV光源100，此光源包括在腔室105中的ZE处发射EUV光的电浆，此光被收集器110收集并沿一路径反射至曝光装置200内以照射基板210。
如本文中所使用，术语“光学元件”意欲被广泛解释为包括但并不一定限于一或更多个部件，此等部件反射及/或传输及/或操作入射光，且包括但不限于一或更多个透镜、视窗、滤光器、楔件、棱镜、棱栅、光栅、传输光纤、标准量具、漫射器、均质器、侦测器，及其他仪器部件、孔径、包括多层镜的转向镜及反射镜、近正入射镜、掠入射镜、单向反射器、漫射反射器，及上述各者的组合。而且，如本文中所使用，除非另行指定，否则术语“光学元件”并非意欲限于仅在一或更多个特定波长范围内操作的部件，如在EUV输出光波长、照射激光波长、适合用于计量的波长，或任何其他特定波长下。
在本揭示案中，术语遮罩、光遮罩及主光罩可互换使用。在本实施例中，遮罩是反射性遮罩。此遮罩的一个示例性结构包括具有适合材料的基板，如低热膨胀材料或熔融石英。在多个实例中，此材料包括掺杂TiO2的SiO2，或具有低热膨胀的其他适合材料。遮罩包括沉积在基板上的多个反射性多层。此多个层包括多个膜对，如钼硅(Mo/Si)膜对(例如，每个膜对中，一层钼位于一层硅上方或下方)。或者，此多个层可包括钼铍(Mo/Be)膜对，或其他可配置以高度反射EUV光的适合材料。遮罩可进一步包括诸如钌(Ru)的封盖层，此层安置在ML上以用于保护。遮罩进一步包括诸如钽氮化硼(TaBN)层的沉积在多个层上的吸收层。吸收层经图案化以界定一集成电路(integrated circuit；IC)层。或者，另一反射层可沉积于多个层上方，并经图案化以界定集成电路层，从而形成EUV相移(phase shift)遮罩。
在本文实施例中，半导体基板是半导体晶圆，如硅晶圆或其他类型的待图案化晶圆。半导体基板涂覆有对本实施例中的EUV光十分敏感的抗蚀层。包括上文所述彼等各者的多个部件经整合在一起，并可操作以实施微影曝光制程。
微影系统可进一步包括其他模组或与其他模组整合(或其他模组耦合)。
如图1A所示，EUV辐射源100包括由腔室105围封的靶材液滴产生器115及LPP收集器110。靶材液滴产生器115产生多个靶材液滴DP。在一些实施例中，靶材液滴DP是锡(Sn)液滴。在一些实施例中，锡液滴中每一者具有约30微米(μm)的直径。在一些实施例中，锡液滴DP以约50滴/秒的速率产生，并以约70米/秒(m/s)的速度被引入激发区ZE。其他材料亦可用于靶材液滴，例如诸如含锡或锂(Li)的共熔合金的含锡液体材料。
由激发激光源设备300产生的激发激光LR2是脉冲激光。在一些实施例中，激发层包括预热激光及主激光。预热激光脉冲用以加热(或预热)靶材液滴，以产生低密度靶材羽流，此靶材羽流随后由主激光脉冲加热(或再加热)，从而产生增大的EUV光的发射。
在多个实施例中，预热激光脉冲具有约100μm或更小的光点尺寸，且主激光脉冲具有约200-300μm的光点尺寸。
激光脉冲LR2是由激发激光源300产生。激光源300可包括激光产生器310、激光导向光学元件320及聚焦设备330。在一些实施例中，激光源310包括二氧化碳(CO2)或掺杂钕的钇铝石榴石(Nd:YAG)激光源。由激光产生器300产生的激光LR1被激光导向光学元件320引导，并被聚焦设备330聚焦至激发激光LR2，随后被引入EUV辐射源100。
激光LR2被定向通过视窗(或透镜)进入激发区ZE。视窗采用实质上对激光光束透明的适合材料。脉冲激光的产生与靶材液滴的产生同步。随着靶材液滴移动通过激发区，预脉冲加热靶材液滴并将液滴转变为低密度靶材羽流。预脉冲与主脉冲之间的衰变经控制以允许靶材羽流形成并膨胀至最佳尺寸及几何形状。当主脉冲加热靶材羽流时，产生高温电浆。此电浆发射EUV辐射EUV，此EUV被收集器反射镜110收集。收集器110具有一反射表面，此表面反射EUV辐射并将其聚焦以用于微影曝光制程。在一些实施例中，液滴捕获器120相对于靶材液滴产生器115而安装。液滴捕获器120用于捕获过量靶材液滴。例如，激光脉冲可有意略过一些靶材液滴。
收集器110包括适当的涂层材料及形状，以用作用于EUV收集、反射及聚焦的反射镜。在一些实施例中，收集器110经设计以具有椭圆形几何形状。在一些实施例中，收集器100的涂层材料类似于EUV遮罩的反射性多层。在一些实例中，收集器110的涂层材料包括多个层(如多个Mo/Si膜对)，且可进一步包括封盖层(如Ru)，此封盖层涂覆在多个层上以实质上反射EUV光。在一些实施例中，收集器110可进一步包括光栅结构，此结构经设计以有效散射定向至收集器110上的激光光束。例如，在一些实施例中，氮化硅层经涂覆在收集器110上，并经图案化以具有光栅图案。
在此种EUV辐射源设备中，由于激光应用而产生的电浆产生实体碎屑，如液滴的离子、气体及原子，及所需的EUV辐射。必须防止材料积聚在收集器110上，且亦必须防止实体碎屑离开腔室105并进入曝光工具200。
如图1A所示，在一些实施例中，从第一缓冲气体供应器130经由收集器110中的孔供应缓冲气体，借此，脉冲激光被传输至锡液滴。在一些实施例中，缓冲气体是H2、He、Ar、N2，或其他惰性气体。在某些实施例中，H2用作通过缓冲气体离子化而产生的H自由基，此缓冲气体可用于清洁目的。亦可经由一或更多个第二缓冲气体供应器135向收集器110及/或收集器110边缘周围提供缓冲气体。而且，腔室105包括一或更多个出气口140，以使得缓冲气体被排至腔室105外部。
氢气对EUV辐射具有较低吸收性。到达收集器110涂层表面的氢气与液滴的金属发生化学反应，从而形成氢化物，例如，金属氢化物。当锡(Sn)用作液滴时，形成锡烷(SnH4)，此为EUV产生过程的气态副产物。随后，气态SnH4经由出口140被泵送出。然而，难以将全部气态SnH4排出腔室并防止SnH4进入曝光工具200。
为捕捉SnH4或其他碎屑，腔室105中采用一或更多个碎屑收集机构或元件150。
如图1A所示，一或更多个碎屑收集机构或元件150沿光轴A1安置于激发区ZE与EUV辐射源100的输出端口160之间。图2A是碎屑收集机构150的正视图，且图2B是碎屑收集机构150的示意侧视图。图2C是碎屑收集机构150的一部分的图片。碎屑收集机构150包括截头圆锥形支撑框架151、可操作支撑在外壳内旋转的多个导叶152的第一端支撑153及第二端支撑154。第一端支撑153比第二端支撑154具有更大直径。碎屑收集机构150用以通过经由旋转导叶152来清除缓慢的Sn原子及/或SnH4，以此防止收集器110及/或腔室105内的其他元件/部分的表面被涂覆Sn蒸气。
多个导叶152从截头圆锥形支撑框架151径向向内投影。导叶152是薄而细长的板材。在一些实施例中，每个导叶在平面视图中皆具有三角形或不规则四边形或梯形形状。导叶152经对准以使得其纵向轴平行于光轴A1，以便导叶对EUV辐射EUV呈现尽可能小的截面面积。导叶152向光轴A1投影，但不延伸到达光轴。在一些实施例中，碎屑收集机构150的中央核心为空。碎屑收集机构150通过驱动单元旋转，此单元包括一或更多个马达、一或更多个传动带及/或一或更多个齿轮，或任何旋转机构。在一些实施例中，导叶152通过加热器在100℃至400℃下加热。
图3A、图3B及图3C绘示多个存在碎屑的表面条件。在图3A中，收集器表面上有实质上均质的碎屑涂层。第3B及3C图分别绘示收集器表面上的碎屑滴，如Sn滴。图3D绘示碎屑收集机构底部的滴孔，此等滴孔被凝聚的锡碎屑阻塞。由于碎屑涂层及碎屑滴可阻塞、吸收或散射EUV辐射，因此可使收集器效率降级。本揭示案的实施例抑制碎屑涂层及碎屑滴在收集器表面上形成，从而增大更换收集器的维修间隔。
被导叶152清扫的碎屑凝聚并落至碎屑收集机构150底部，并在此处穿过滴孔且随后被收集在位于EUV辐射源100的光径以外的碎屑容器(或锡桶)中。如若锡碎屑在前往锡桶途中过量冷却，则可能形成钟乳石并阻塞滴孔。
如上文所述，由于EUV光产生程序而产生的金属残余物所导致的收集器污染是造成EUV扫描器曝光功率损失且产量降低趋势的主因。例如，收集器使用寿命一般维持在约3个月，随后一般必须用一周或更长时间停工，以将收集器更换为新收集器，以维持高曝光功率及产量。可通过增加收集器使用寿命及降低更换收集器频次来提高制造输出。
图4绘示EUV辐射源100示意图，此辐射源100包括碎屑收集机构150、收集器100、靶材液滴产生器115及液滴捕获器120。图4中的圆形区域在图5中绘示为闭合的区域。如图5中所示，在一些实施例中，有多个滴孔(或流体通路)605位于碎屑收集机构的导叶152底部邻近处。如图5中的箭头所示，诸如过量锡的熔融碎屑通过滴孔(或流体通路)605并进入碎屑容器(或锡桶)610。碎屑容器610位于EUV辐射源100的光径外侧。在一些实施例中，碎屑容器610位于腔室105内邻近于收集器110之处。
在一些实施例中，碎屑容器610位于图4的收集器110后。在一些实施例中，碎屑容器610由诸如熔融锡的适合用于收集熔融碎屑的材料制成。在一些实施例中，碎屑容器610由钢制成。在EUV辐射源常规维护期间，如在换出收集器110时，可清洁、清空或替换锡桶610。
图6绘示形成于滴孔605出口处的凝聚的锡碎屑钟乳石705。在EUV辐射源操作期间，EUV辐射源可经历快速变温，导致钟乳石705快速升温并产生喷渣710，其中熔融或汽化碎屑从钟乳石705表面喷出。「喷出的」碎屑可沉积在收集器上且从而缩短收集器寿命。
根据本揭示案的实施例，经加热的导杆805位于滴孔705邻近处，如图7A所示。图7A是图6高亮显示部分的细节视图。穿过滴孔605的碎屑820接触加热的导杆805，并顺着导杆805下行至容器(或锡桶)610。加热的导杆805通过使用加热器810而经加热至高于碎屑820熔点的温度。在锡碎屑的情况下，导杆被加热至高于232℃的温度(亦即，高于锡熔点)。在一些实施例中，导杆经加热至范围自约180℃至约500℃的温度，此视靶材液滴材料熔点而定。
加热器810包括经由导电线路815连接至加热元件830的电源及控制器825。在一些实施例中，加热元件830是电阻加热元件。在一些实施例中，加热元件830位于导杆805的内部空心部分中，如图7B所示。图7B是图7A中绘示的导杆805的横剖面细节视图。在一些实施例中，控制器825控制加热器810以将导杆805温度维持在所需温度范围内。在一些实施例中，导杆805维持约180℃至约500℃的温度，此视靶材液滴材料或碎屑材料而定。在一些实施例中，当靶材液滴由锡制成时，导杆805温度维持在等于或大于232℃的温度。
在一些实施例中，导杆805由导热材料制成，此材料可耐受所需温度且不与熔融的锡碎屑反应。在一些实施例中，导杆805由适合的金属、陶瓷或耐高温聚合物制成。在一些实施例中，导热材料是选自由铝、黄铜、镍、钢、钨及锌组成的群组的金属。在一些实施例中，高温聚合物选自由聚醚酮、聚醚醚酮、聚酰胺-酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯并咪唑及聚苯硫醚组成的群组。
在本揭示案的另一实施例中，导管910用以将熔融碎屑820从滴孔505引导至碎屑容器610，如图8A所示。加热的导管910通过使用加热器810而被加热至碎屑820熔点以上的温度。在锡碎屑的情况下，导管910被加热至高于232℃的温度(亦即，高于锡熔点)。在一些实施例中，导管经加热至范围自约180℃至约500℃的温度，此视靶材液滴材料熔点而定。
加热器810包括经由导电线路815连接至加热元件925的电源及控制器825。在一些实施例中，加热元件925是电阻加热元件。在一些实施例中，加热元件925是包裹导管910的加热带。在一些实施例中，导管910是被绝缘包层材料920围绕的包覆管。图8B中绘示了包覆管的细节视图。如图所示，在一些实施例中，导管910嵌入绝缘包层920的中央部分中。导管910邻近处的加热元件915亦嵌入包层920中。
在一些实施例中，控制器825控制加热器810以将导管910温度维持在所需温度范围内。在一些实施例中，导管910维持约180℃至约500℃的温度范围中，此视靶材液滴材料或碎屑材料而定。在一些实施例中，当靶材液滴由锡制成时，导管910温度维持在大于232℃的温度。
在一些实施例中，导管910由导热材料制成，此材料可耐受所需温度且不与熔融的锡碎屑反应。在一些实施例中，导管910由适合的金属、陶瓷或耐高温聚合物制成。在一些实施例中，导热材料是选自由铝、黄铜、镍、钢、钨及锌组成的群组的金属。在一些实施例中，高温聚合物选自由聚醚酮、聚醚醚酮、聚酰胺-酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯并咪唑及聚苯硫醚组成的群组。
在一些实施例中，导管910从滴孔605延伸至碎屑容器610内。为降低碎屑820污染收集器110的可能性，碎屑在穿过导管910到达碎屑容器610时不曝光于EUV辐射源环境。
如图9所示，在一些实施例中，EUV辐射源设备包括：多个滴孔605，位于碎屑收集元件150的下部圆周以下；多个碎屑容器610，其中每一碎屑容器610位于滴孔605中至少一者的下方；及多个导管910，其中每一导管910自滴孔605中的一者延伸至碎屑容器中的一者。图9是细节说明，其绘示碎屑收集元件150及导叶152的横剖面部分。在一些实施例中，碎屑容器610是锡桶。在一些实施例中，加热器810包括电源及控制器825、诸如包裹导管910的加热带的加热元件1010，及将加热元件1010连接至电源及控制器825的导电线路815。在一些实施例中，使用导杆以替代导管910，且在一些实施例中，加热元件位于导杆的空心部分中。
图10是说明根据本揭示案的一实施例的、用于产生极紫外光辐射的方法1100的流程图。此方法包括操作1110，此操作是在EUV辐射源设备中以激光照射锡液滴，从而产生EUV辐射及锡碎屑。在操作1120中，滴孔与锡桶之间的导管或导杆被加热，从而使围绕滴孔沉积的锡碎屑流动。在一些实施例中，锡碎屑流入锡桶。在一些实施例中，锡桶位于极紫外光辐射光径之外。在一些实施例中，在操作1130中，通过使用加热器控制器来控制导管或导杆的加热。在一实施例中，加热导管或导杆包括通过使用连接至导管或导杆的加热元件来施以电阻加热。
本揭示案的实施例是针对减少LPP收集器上的碎屑沉积，从而增加收集器的使用寿命。本揭示案的实施例是针对通过在滴孔与碎屑容器之间提供加热导件或导管，从而使EUV收集器上的金属涂层及积聚物自损毁。本揭示案的实施例减轻了由于锡碎屑对收集器的污染所导致的反射率损失的影响。由此，收集器更长期地维持在所需状态，且更换收集器的频次降低。因此，根据本揭示案的EUV微影系统将维持最高曝光功率及产量，且需要更低维护频次，从而降低更换收集器所需的长达一周停工时间的频次。
本揭示案的一实施例是极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射源设备，包括收集器及用于产生锡(Sn)液滴的靶材液滴产生器。碎屑收集元件安置在收集器的反射表面上方，且至少一个滴孔位于碎屑收集元件与收集器之间。用于收集来自碎屑收集元件的碎屑的锡桶位于至少一个滴孔下方，且导管或导杆从滴孔延伸至锡桶。在一实施例中，EUV辐射源设备包括连接至导管或导杆的加热器。在一实施例中，加热器进一步包括加热器控制器以控制导管或导杆的加热。在一实施例中，加热器包括包裹导管的加热带。在一实施例中，导管是包层，且加热器的一部分嵌入导管周围的包层中。在一实施例中，导杆包括空心部分，且加热器包括位于导杆的空心部分中的加热元件。在一实施例中，导管或导杆包含导热金属。在一实施例中，导热金属选自由铝、黄铜、镍、钢、钨及锌组成的群组。在一实施例中，EUV辐射源设备包括：多个滴孔，位于碎屑收集元件下部圆周以下；多个锡桶，其中每一锡桶位于滴孔中至少一者下方；及多个导管或导杆，其中每一导管或导杆自滴孔的一者延伸至锡桶的一者。在一实施例中，EUV辐射源设备包括多个加热器，其中每一加热器连接至导管或导杆中的一者。
本揭示案的另一实施例是极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射源设备，此设备包括椭圆形EUV反射器及靶材液滴产生器。截头圆锥形碎屑收集机构安置在椭圆形EUV反射器上方，其中截头圆锥形碎屑收集机构包含多个导叶，此等导叶在环形上支撑架与环形下支撑架之间延伸。流体通路位于导叶下方，容器位于流体通路下方，且导管或导杆自流体通路延伸至容器。在一实施例中，EUV辐射源设备包括连接至导管或导杆的加热器。在一实施例中，加热器包括加热器控制器以控制导管或导杆的加热。在一实施例中，加热器包含包裹导管的加热带。在一实施例中，导杆包括空心部分，且加热器包括位于导杆空心部分中的加热元件。
在本揭示案的另一实施例中，极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)微影设备包括激发激光源，及耦合至激发激光源的EUV辐射源。曝光工具耦合至EUV辐射源。激发激光源提供激发激光辐射以用于与EUV辐射源中的靶材金属液滴交互反应，以产生EUV辐射。通过与激发激光辐射交互作用而产生的EUV辐射被引入曝光工具，在此工具中，EUV辐射被定向至涂覆有抗蚀剂的基板。EUV辐射源包括收集器以用于反射EUV辐射并将其定向至曝光工具，并包括靶材液滴产生器以用于产生靶材液滴。碎屑收集元件安置在收集器上方，且滴孔位于碎屑收集元件与收集器之间。用于收集来自碎屑收集元件的碎屑的容器位于滴孔下方。导管或导杆从滴孔延伸至容器，且加热器耦合至导管或导杆。在一实施例中，导杆包括空心部分，且加热器包括位于导杆空心部分中的加热元件。在一实施例中，加热器包括包裹导管的加热元件。在一实施例中，加热器包括加热器控制器以控制导管或导杆的加热。在一实施例中，导管或导杆包括导热金属。
在本揭示案的另一实施例中，一种用于产生极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射的方法包括在EUV辐射源设备内利用激光照射锡液滴，从而产生EUV辐射及锡碎屑。加热滴孔与锡桶之间的导管或导杆，从而使围绕滴孔沉积的锡碎屑流动。在一实施例中，加热导管或导杆包含通过使用连接至导管或导杆的加热元件施以电阻加热。在一实施例中，加热元件是包裹导管的加热带。在一实施例中，导杆包括空心部分，且加热元件位于空心部分中。在一实施例中，此方法包括通过使用连接至加热元件的加热器控制器，来控制加热导管或导杆。
前述内容概述数个实施例或实例的特征，以便彼等熟悉此项技艺者可更佳地理解本揭示案的态样。彼等熟悉此项技艺者应了解，本揭示案可易于用作设计或修改其他过程及结构以实现与本案介绍的实施例或实例相同的目的及/或达成与其相同的优势的基础。熟悉此项技艺者亦应了解，此种等同构造不脱离本揭示案的精神及范畴，且可在不脱离本揭示案精神及范畴的情况下对本案进行多种变更、替换及更动。

Claims (1)

1.一种用于产生极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射的方法，其特征在于，包含：
在一EUV辐射源设备中用激光照射一锡液滴，从而产生该EUV辐射及锡碎屑；及
加热一滴孔与一锡桶之间的一导管或导杆，从而使沉积在该滴孔周围的锡碎屑流动。
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