TW201922056A

TW201922056A - 用於捕獲於材料路徑上行進之材料之容器

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Publication number: TW201922056A
Application number: TW107128585A
Authority: TW
Inventors: 艾爾敏柏納德雷汀格; 凱爾約翰史卡菲迪; 麥可阿瑟二世佩利
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2017-08-25
Filing date: 2018-08-16
Publication date: 2019-06-01
Also published as: JP7159290B2; JP2020531894A; CN111034367B; KR102629725B1; US10149374B1; NL2021452A; KR20200041328A; WO2019038103A1; CN111034367A; TWI812635B

Abstract

一種目標材料容器，其包括：一結構，該結構包括在一第一方向上延伸之一通路，該通路經組態以接收沿著一目標材料路徑行進的目標材料；及一偏轉器系統，該偏轉器系統經組態以自該通路接收目標材料。該偏轉器系統包括複數個偏轉器元件。每一偏轉器元件以相對於沿著該目標材料路徑行進的該目標材料之一例項之一行進方向成一第一銳角而定向，且該偏轉器系統中之每一偏轉器元件沿著不同於該第一方向之一第二方向以一距離與一最接近的偏轉器元件分離。

Description

用於捕獲於材料路徑上行進之材料之容器

本發明係關於一種用於捕獲於材料路徑上行進之材料之容器。該容器可用於希望捕獲小滴或液體射流之任何系統中。舉例而言，該容器可用於極紫外線(EUV)光源中。

在系統中移動之液體或部分液體材料可與該系統中之表面(衝擊表面)碰撞。與衝擊表面碰撞可導致材料飛濺及/或散射，且飛濺及/或散射可導致污染衝擊表面附近之物件。污染可為例如由於碰撞而自材料甩出的材料小塊。物件之污染可導致物件及/或整個系統之效能降級。舉例而言，系統可包括鏡面，且鏡面污染可改變鏡面之反射屬性。鏡面可為EUV光源中之鏡面，且污染可導致該源輸出的EUV光之量減小。

極紫外線(「EUV」)光，例如波長為100奈米(nanometer; nm)或更小(有時亦被稱作軟x射線)且包括波長為例如20奈米或更小、介於5奈米與20奈米之間或介於13奈米與14奈米之間的光之電磁輻射可用於光微影程序中，以藉由在抗蝕劑層中起始聚合而在基板(例如矽晶圓)中產生極小特徵。

用以產生EUV光之方法包括但未必限於：運用在EUV範圍內之發射譜線將包括例如氙、鋰或錫之元素的材料轉換成電漿狀態。在一種此方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大光束來輻照目標材料(例如呈材料小滴、板、帶、串流或叢集之形式)而產生所需電漿。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封器皿中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監控電漿。

在一個通用態樣中，一種目標材料容器包括：一結構，其包括在一第一方向上延伸之一通路，該通路經組態以接收沿著一目標材料路徑行進的目標材料；及一偏轉器系統，其經組態以自該通路接收目標材料。該偏轉器系統包括複數個偏轉器元件。每一偏轉器元件以相對於沿著該目標材料路徑行進的該目標材料之一例項之一行進方向成一第一銳角而定向，且該偏轉器系統中之每一偏轉器元件沿著不同於該第一方向之一第二方向以一距離與一最接近的偏轉器元件分離。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。該結構亦可包括一基底部分，該基底部分包括耦接至該通路之一內部。在一些實施中，該偏轉器系統之至少一部分定位於該基底部分之該內部中，該基底部分之一側相對於該第一方向以一底角成角度，且該基底部分之該側在該第二方向上延伸。

每一偏轉器元件可包括以相對於該目標材料路徑成該第一銳角而定向的一第一部分，及自該第一部分延伸之一末端部分，該末端部分包括大體上平行於該目標材料路徑延伸的一尖端。每一偏轉器元件之該末端部分亦可包括一本體，該本體包括一表面，且該本體之該表面形成為與該目標材料路徑成一第二銳角。該第二銳角可等於或小於該第一銳角。每一偏轉器元件之該第一部分可包括在一第一平面中延伸的一板，該板在該第一平面中具有一第一廣度且在一第二平面中具有一第二廣度，該第二平面正交於該第一平面且該第二廣度小於該第一廣度。目標材料之該例項可為大體上球形且具有一直徑，每一尖端可具有經組態以與目標材料之該例項相互作用的一表面，該尖端之該表面在至少一個方向上之一廣度可小於目標材料之該例項之該直徑。

在一些實施中，每一偏轉器元件包括經組態以減小目標材料至該偏轉器元件之一表面之黏著力的至少一個表面特徵。該表面特徵可包括波紋、具有一特定粗糙度之一區、凹槽之一圖案，一氧化區，及/或與用於該偏轉器元件之該表面之其他部分中的材料不同的一材料之一塗層。

沿著該第二方向在任何兩個鄰近偏轉器元件之間的該距離可為相同的。該第一銳角針對所有該等偏轉器元件可相同。每一偏轉器元件可為一板，且該等偏轉器元件可沿著該第二方向分離使得該等板中之任一者與所有其他板平行。

該目標材料容器可經組態以用於一極紫外線(EUV)光源中，且該目標材料可包括當處於一電漿狀態中時發射EUV光的一材料。

在另一通用態樣中，一種極紫外線(EUV)光源包括：一光學源，其經組態以產生一光束；一器皿，其經組態以在一電漿形成部位處接收該光束；一供應系統，其經組態以產生沿著朝向該電漿形成部位之一目標路徑行進的目標；及目標材料容器，其包括：一結構，該結構包括在一第一方向上延伸之一通路，該通路經定位成接收於該目標材料路徑行進且傳遞通過該電漿形成部位的目標；及一偏轉器系統，該偏轉器系統經組態以自該通路接收目標，該偏轉器系統包括複數個偏轉器元件。每一偏轉器元件以相對於沿著該目標材料路徑行進的該材料之一例項之一行進方向成一第一銳角而定向，且該偏轉器系統中之每一偏轉器元件沿著不同於該第一方向之一第二方向以一距離與一最接近的偏轉器元件分離。

每一偏轉器元件可包括以該第一銳角定向之一第一部分，及自該第一部分延伸之一末端部分，該末端部分包括大體上平行於該目標路徑延伸的一尖端。每一偏轉器元件之該末端部分亦可包括一本體，該本體包括一表面，且該本體之該表面形成為與該目標方向成一第二銳角。該第二銳角可等於或小於該第一銳角。

在另一通用態樣中，一種用於一極紫外線(EUV)光源之偏轉器系統包括複數個偏轉器元件，每一偏轉器元件包括沿著一第一方向延伸之一第一部分及自該第一部分延伸之一第二部分，該第二部分包括一本體，該本體包括自該第一部分朝向一尖端延伸的一或多個表面。該偏轉器系統經組態為定位於該EUV光源之一器皿中，使得該第一方向與一目標材料路徑形成一第一銳角，該第二部分之該本體之該等表面中的至少一者與該目標材料路徑形成一第二銳角，該目標材料路徑為目標在該器皿中行進所沿著的一路徑，該等目標包括處於一電漿狀態中的發射EUV光之目標材料，且該第二銳角大於零度。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。該第一銳角可為零度。該第一部分之一側表面可與一局部重力向量大體上對準，使得每一偏轉器元件之該第一部分之該側表面當定位於該EUV光源之該器皿中時具有一豎直定向。該第二銳角可等於或小於該第一銳角。

該複數個偏轉器元件可彼此分離使得一敞開通道形成於任何兩個偏轉器元件之間。該等偏轉器元件可彼此平行。

以上所描述之技術中的任一者之實施可包括一種EUV光源、一種容器、一種系統、一種方法、一種程序、一種器件或一種裝置。以下隨附圖式及描述中闡述一或多個實施之細節。其他特徵將自描述及圖式及自申請專利範圍而顯而易見。

參看圖1A，展示容器130之實施實例的方塊圖。該容器130捕獲沿著材料路徑120行進的材料121。材料121可為包括呈液相形式之至少一些材料的任何類型之小滴或射流。舉例而言，材料121可為包括熔融金屬及可呈固體、液體或氣態形式之其他物質(諸如雜質)的熔融錫小滴或目標材料小滴。材料121與偏轉器系統132中之一或多個偏轉器元件133相互作用。偏轉器系統132之組態允許容器130捕獲比在無偏轉器系統132的情況下將可能捕獲之材料更多的材料121。如下文更詳細地論述，偏轉器系統132減小自容器130朝向物件102散射或飛濺之材料之量。因此，偏轉器系統132可用以減少或消除由例如材料121之片段、部分或小滴對物件102之污染。

容器130包括通路134，該通路沿著X軸自第一容器末端131延伸至第二容器末端139。在圖1A之實例中，材料路徑120亦沿著X軸，且材料121大體上沿著X方向行進。通路134在末端131處具有開口135，且該通路134朝向第二容器末端139延伸。開口135對容器130之外部敞開。開口135與材料路徑120重合使得於材料路徑120上行進之材料121通過開口135進入通路134。在圖1A之實例中，第二容器末端139係圍封的使得在第二容器末端139處不存在對容器130外部之開口。

容器130亦包括偏轉器系統132。該偏轉器系統132包括偏轉器元件133a至133k (集體地被稱作偏轉器元件133)。偏轉器元件133中之每一者自第一偏轉器末端140延伸至第二偏轉器末端141。偏轉器元件133中之每一者以相對於材料121行進之方向成角度136定向。

圖1B展示針對偏轉器元件133中之任一者之角度136。該角度136為藉由方向142及方向143形成之角度，該方向142為偏轉器元件133自第一偏轉器末端140延伸至第二偏轉器末端141之方向，且該方向143為在偏轉器元件133處於材料路徑120上行進之材料之方向。角度136為銳角且可為小於90º之任何角度。舉例而言，角度136可為7º或更小、12º或更小、15º或更小。針對偏轉器元件133中之每一者之角度136之值可相同。

另外，偏轉器元件133沿著Y軸以距離138彼此分離。在圖1A中，該距離138被展示為介於偏轉器元件133a與133b之間。該距離138足夠大從而防止或最小化材料121在偏轉器元件133之間的空間中累積，但足夠小使得進入偏轉器元件133之間的敞開空間或通道中的材料121之例項可自偏轉器元件133且在通道中彈跳多次。舉例而言，距離138可為5毫米(mm)或介於2毫米與1公分(cm)之間。在一些實施中，偏轉器元件133中之任一者與最接近的其他一或若干偏轉器元件以相同的分離距離分離。

偏轉器元件133沿著Y軸之分離會在任何兩個鄰近偏轉器元件133之間形成敞開空間或通道。敞開空間137被標註為介於偏轉器元件133a與133b之間。與敞開空間137相似的敞開空間或通道存在於所有其他偏轉器元件133之間。每一偏轉器元件133亦具有延伸至頁面中之側表面150。舉例而言且亦參考圖1C，偏轉器元件133可由在相對於X-Z平面傾斜成角度136的平面中延伸之板形成，且該等板可彼此平行。

偏轉器系統132中之偏轉器元件133之配置會減少或消除材料121之飛濺或散射，藉此減少或消除材料121自容器130通過開口135之未預期的射出量。舉例而言，使偏轉器元件133定向為成角度136且使偏轉器元件沿著Y軸間隔距離138以形成通道137會有助於允許容器130捕獲材料121。

使衝擊表面(與材料121相互作用的表面)定向為相對於材料路徑120成較淺角度(例如12º或更小)會抑制材料121飛濺或散射。當材料121衝擊偏轉器元件133時可發生飛濺或散射。若材料121過快地減速，則壓力波可形成於材料121中且該壓力波可克服材料121之表面張力，從而導致材料121分解成片段。材料121之減速度係依據衝擊表面之角度而變化，且可藉由減小角度136將減速度降低至幾乎不發生或不發生材料121之飛濺或散射所處之值。對於材料121之球形小滴，可藉由以方程式(1)之形式提供的索末菲(Sommerfeld)參數(K_n )預測飛濺或散射之不存在或存在： 1.方程式(1)。在方程式1中，K_n 為索末菲參數、ρ為材料121之密度、D_o 為材料121之直徑、V_n 為材料121在垂直於衝擊表面之方向上的速度(V_n = V₀ sin α，其中α為角度136)、σ為材料121之表面張力，且µ為材料121之黏度。若K_n ＞ 60，則預期飛濺或散射會發生，且若K_n ＜ 60，則預期飛濺或散射被抑制。針對K_n ＞ 60，飛濺之量隨著角度α減小而減小，且K_n 之較低值指示比K_n 之較高值更小的飛濺。因為K_n 之值取決於V_n ，V_n 又取決於角度136，所以可使用角度136來控制飛濺之量。

在偏轉器系統132中，角度136具有最小化或消除飛濺之值。因此，偏轉器元件133相對於材料路徑120成角度136之配置會減少或消除材料121之飛濺或散射。針對K_n ＜ 60，自平滑表面飛濺會受到抑制。平滑表面為表面粗糙度比材料121之直徑小得多的表面。舉例而言，平滑表面之表面粗糙度可比材料121之直徑小10倍或1000倍。表面粗糙度可藉由真實表面之法向向量方向與其理想(例如完美平滑)形式之偏差予以量化。表面粗糙度可由算術平均粗糙度Ra表達，其具有長度單位。對於材料121為直徑為27微米的大體上球體小滴之實施，偏轉器元件133之Ra表面可例如為2.7微米或0.027微米。針對作為熔融錫的材料121，Vo = 70 公尺/秒(meter/second，m/s)、D_o = 27微米、ρ = 6959公斤/立方公尺(kg/m³ )、σ = 0.535牛頓/公尺(N/m)，且µ = 1.58 e^- ³ 帕斯卡-秒(Pa. s)、K_n 針對α = 19º約為97且針對α = 5º約為18。因此，將角度136自19º減小至5º會減少材料121之飛濺之量。

此外，使用關於角度136之相對較小角度可減少偏轉器元件133上之類凹坑結構或侵蝕的出現及/或嚴重性。相比於無類凹坑結構之偏轉器元件，在偏轉器元件133上存在類凹坑結構或其他侵蝕可導致較大量材料121自偏轉器元件133之表面散射。舉例而言，圓盤形凹坑趨向於主要在反向方向上散射材料，該反向方向在圖1A中所展示之實例中朝向開口135。因此，在偏轉器元件133上存在類凹坑結構可增加散射，且可藉由減小或消除類凹坑結構在偏轉器元件133上之形成來增強效能。

使用角度136之相對較小值可有助於減少偏轉器元件133上類凹坑結構之出現。接收小滴的固體表面之侵蝕速率取決於小滴與固體表面之間的動量轉移。可自方程式2獲得侵蝕速率(E)： a.方程式(2)。在方程式2中，k及x為取決於材料121之常數、V_n = V₀ sin α (其中α為角度136)，且Vc為會發生侵蝕的臨界速度。因為動量轉移依據衝擊角度(例如角度136)而變化，所以可藉由減小角度136而減小動量轉移。

另外，使用兩個或多於兩個偏轉器元件133及偏轉器元件133相對於彼此相隔距離138之配置亦降低了材料121將通過開口135射出容器130之機率。使用包括以相對於所接收材料之行進方向成較淺角度定向的單一偏轉器元件之偏轉器系統的潛在挑戰中之一者為：該偏轉器元件之表面朝向材料被接收所通過之開口延伸。因此，存在所接收材料可與表面相互作用、飛濺且接著通過開口逸出的機會。偏轉器系統132藉由使用多於一個偏轉器元件133且將該等偏轉器元件133間隔距離138以形成通道137來解決此挑戰。若材料121自偏轉器元件133之衝擊表面散射，則該散射材料很可能進入通道137。一旦在通道137中，材料121就可自相鄰偏轉器元件133散射多次，從而在程序中損失動能。在損失動能之後，材料121較不可能通過開口135逸出。因此，偏轉器元件133之配置減少了自容器130通過開口135逸出的材料121之量。

此外，在一些實施中，偏轉器元件133經配置及/或設計為減小材料121至偏轉器元件133之表面之黏著力。在偏轉器系統132之使用期間，材料121有可能累積於偏轉器元件133上。舉例而言，材料121之小滴之全部或部分可保持在偏轉器元件133之表面上，而非被散射或濺掉。隨著時間推移累積於偏轉器元件133上的材料121之小塊或片段可在偏轉器元件133之表面上形成球狀結構或其他凸起的異常特徵。由材料121形成之此等非故意之結構集體地被稱為累積結構，且此結構之實例被標註為圖1C中之163。累積結構相對於材料121行進之方向之定向通常係不可控制的。因此，累積結構可使材料121在任何及/或全部方向上散射或飛濺。因而，可需要減小或消除偏轉器元件133上累積結構之出現。

在一些實施(諸如圖1A至圖1C中所展示之實施)中，偏轉器元件133之至少一部分與局部重力向量(被展示為g)對準(例如平行於局部重力向量)，從而減少累積於偏轉器元件133上的材料121之量。在圖1C之實例中，側表面150與材料121相互作用且與局部重力向量對準(例如平行於局部重力向量)使得衝擊表面為豎直的。側表面150之豎直定向可輔助防止累積結構形成於側表面150上。為了說明起見，將累積結構163展示於側表面150上。亦參看圖1D，累積結構163經歷在Y方向上之黏著力164、在Z方向(平行於局部重力向量g)上之重力165，及在-Z方向(與局部重力向量g相對)上之摩擦力166。針對側表面150係豎直的(諸如圖1A及圖1C中所展示)實施，僅摩擦力166被導向為與重力165相對。摩擦力166通常比重力165小得多，因此，在Z方向上之淨力比在-Z方向上之淨力小得多。結果，側表面150之豎直定向可完全阻礙累積結構之形成及/或可防止形成相對較大累積結構。

隨著側表面150變得更加水平的(亦即更接近於與垂直於局部重力向量g之軸線平行)，在-Z方向上之淨力增大使得累積結構更有可能形成及/或較大地生長。舉例而言，對於相對於Z方向成19º而定向的表面以及熔融錫材料，最大所觀測到之累積結構具有約4.5毫米之直徑。與此對比，針對如圖1C中所展示而定向的表面之最大所觀測到的累積結構具有約為1.5毫米之直徑。據信，在圖1A及圖1C中所展示之實施的狀況下，此等觀測結果指示累積結構上之淨向上力(在-Z方向上之淨力)約小27倍。因此，圖1A及圖1C中所展示之實施可有助於減少累積結構之出現及/或大小。

替代地或另外，偏轉器元件133可包括減小材料121之表面黏著力的表面特徵。舉例而言，側表面150可包括一或多個表面特徵。表面特徵可包括凹槽、波紋、具有特定及預定表面粗糙度之區、氧化表面，及/或與在表面上之別處所使用之材料不同的材料塗層。表面特徵可在表面上藉由以某一距離分離的組件(例如凹槽、線及/或通道)而形成圖案、紋理或設計，該距離例如比衝擊表面之材料直徑小10倍至50倍。

以此方式配置於偏轉器元件133之衝擊表面處的表面圖案可有助於增強衝擊表面之排斥效應，從而使得材料121不太可能累積於偏轉器元件133之表面上。圖案之個別組件之間的間距取決於待排斥之物件之大小。如上文所論述，需要自偏轉器元件133之衝擊表面排斥較大結構(諸如累積結構)。因此，表面特徵之組件之間的分離度可藉由除材料121之例項大小之外的因素予以判定。舉例而言，在材料121之例項為大體上球形且具有為27微米之直徑的實施中，表面特徵之組件之間的分離度可介於2微米與20微米之間。

圖2A至圖2C展示容器230及/或偏轉器系統232之各種視圖。圖2A為偏轉器系統232之透視圖。圖2B為偏轉器系統232之單一偏轉器元件233的俯視圖。圖2C為容器230之側視圖。容器230為容器130之實施實例，且偏轉器系統232為偏轉器系統132之實施實例。

參看圖2A，偏轉器系統232包括十二個偏轉器元件233a至233l，其集體地被稱作偏轉器元件233。為簡單起見，僅在圖2A中標註偏轉器元件233a及偏轉器元件233l。偏轉器元件233b至233k係介於偏轉器元件233a與偏轉器元件233l之間。每一偏轉器元件233與最接近的另一偏轉器元件沿著Y軸以距離238分離。偏轉器元件133中之每一者自第一偏轉器末端240延伸至第二偏轉器末端241。偏轉器元件233可由對材料121具有抵抗性的任何物質製成。舉例而言，在材料121為熔融錫之實施中，偏轉器元件233可由鎢或任何硬質耐火金屬或陶瓷製成。

亦參看圖2B，偏轉器元件233中之每一者包括第一部分244及第二部分245。第二部分245自第一部分244延伸至尖端246。圖2A中並未標註該第二部分245及該第一部分244，但尖端246對應於第一偏轉器末端240，且第一部分244自第二部分245延伸至第二偏轉器末端241。第二部分245具有本體247，該本體形成除尖端246之外的第二部分245之外部。該本體247具有側表面248及249，該等側表面自第一部分244延伸且與尖端246成角度252漸狹。因此，尖端246相比於第一部分244具有沿著Y軸之較小廣度(或寬度)。

第一部分244係由具有側表面250及251之板狀結構形成。偏轉器元件233經配置成使得一個偏轉器元件233之表面250面向另一偏轉器元件233之表面251。任何兩個鄰近偏轉器元件233沿著Y軸以距離238分離，使得通道237形成於一個偏轉器元件233之表面250與鄰近偏轉器元件233之表面251之間。表面250及/或251相對於材料路徑120以角度253傾斜。在一些實施中，角度253及角度236具有不同值，且角度236可小於角度253。

關於使用多個偏轉器元件233的潛在挑戰為：每一偏轉器元件233之第一偏轉器末端240皆引入表面或前邊緣，其在於前邊緣處接收材料121時可造成飛濺或散射。在圖2B之實例中，尖端246可被認為係前邊緣。一種用以解決此潛在挑戰之技術為使尖端246相對於材料121之行進方向傾斜。此外，減小可用以與材料121相互作用的尖端246之廣度亦可減輕飛濺。舉例而言，若尖端246之廣度小於材料121之小滴直徑，則小滴之僅一部分會衝擊尖端246且飛濺之材料121之量會減少。第二部分245經實施以利用此等技術中之任一者或兩者以減少自前邊緣之飛濺。對於材料121之小滴直徑為例如20微米至35微米之實施，尖端246在至少一個方向上可具有7微米或更小的廣度。

因此，可至少在一個方向上使尖端246之廣度最小化以抑制材料121飛濺。使用具有薄尖端之偏轉器元件之潛在挑戰中的一者為：該尖端可能易碎及/或易於變形。偏轉器元件233藉由由為了機械穩固性足夠厚的薄片形成來解決此挑戰。薄片之厚度係使得偏轉器元件233在與熔融金屬一起使用時並不易於翹曲且抗斷裂。舉例而言，偏轉器元件233在表面250與251之間的厚度可為200微米至300微米或100微米至1毫米(mm)。

另外，偏轉器元件233具有單側斜面，該單側斜面具有多達表面249及250之傾角兩倍大的有效角(角度252)。表面248及249之傾角為角度236。在圖2B中所展示之實施中，角度252為角度236的兩倍大。然而，在一些實施中，角度252可能不到角度236的兩倍大。換言之，角度252可為比為角度236兩倍大的角度更小(更尖銳)的角度。使角度252為角度236的兩倍大可導致機械上更穩固之偏轉器元件233，但較小角度252可導致改良之效能及較大材料排斥度。

斜面為物件之兩個面之間的過渡邊緣。有效斜面角度為在由材料121之入射小滴跨越的平面中所量測之角度，且彼小滴之偏轉假定偏轉為鏡面。圖2B中之射線266展示所假定之鏡面偏轉。在此組態中，由材料121之入射小滴所見的衝擊角度(角度236)在尖端246之任一側上係相同的，且防止或最小化了飛濺及散射。第二部分245之實際斜面角度為在垂直於表面248 (或表面249)及尖端246之平面中所量測之角度。歸因於尖端246傾斜，實際斜面角度比有效斜面角度大得多，且實際斜面角度足夠大使得確保機械穩固性及可製造性。對於角度236為5º且角度252為10º之實施，實際斜面角度約為30º。因而，偏轉器元件233具有相對較薄前邊緣或尖端246，但偏轉器元件233在結構上足夠穩固以便歷時延長之時段來製造及使用。

圖2C展示偏轉器系統232用於容器230中之實例。容器230為界定通路234且包括基底部分255之結構。通路234沿著X軸延伸至基底內部265，該基底內部係由基底部分255界定。容器230於一末端231處具有開口235。基底部分255位於末端239處。開口235耦接至通路234。開口235與材料路徑120重疊使得沿著材料路徑120行進的材料121傳遞通過開口235且到達通路234。基底內部256耦接至通路234使得進入通路234之材料亦可流入基底內部256中。

在基底內部256中收納偏轉器系統232使得偏轉器元件233中之全部或至少一些處於該基底內部256中。基底部分255包括基底壁257，其以底角258成角度。底角258為由通路234之縱向軸線(其在圖2C之實例中沿著X軸)與基底壁257形成的角度。基底部分255亦包括側壁259。基底壁257及側壁259一起形成基底內部256。側壁259亦界定基底內部256中之儲集區260。

基底壁257以底角258自側壁259中之一者延伸至通路234之壁261。基底壁257具有亦以底角258延伸的內部基底壁262。內部基底壁262係由抵抗材料121腐蝕的材料製成。舉例而言，在材料121為熔融錫之實施中，內部基底壁262可由鎢(W)製成或由塗佈有鎢之另一材料製成。

在操作使用中，偏轉器系統232定位於基底內部256中，其中偏轉器系統232以角度258定向，如圖2A中所展示。在圖2C之實例中，局部重力向量(g)係沿著平行於Z方向的方向。材料121之小滴或射流於材料路徑120上行進且通過開口235進入容器230。在圖2A至圖2C之實例中，材料路徑120大體上係沿著X方向，然而，重力可將小滴或射流121稍微拉離X方向。

材料121在通路234中行進且到達基底內部256，在基底內部，材料121與偏轉器系統232相互作用。如上文所論述，偏轉器系統232之屬性抑制材料121飛濺及散射且降低材料121通過開口235射出的可能性。此外，在基底內部256中將偏轉器系統232置放為相對較遠離開口235會降低材料121之部分通過開口235射出容器230的可能性。另外，歸因於偏轉器系統232以底角258之定向，由偏轉器元件233散射的材料121之片段、片件或部分可經導向至儲集區260中，而非導向開口235。

容器230為可使用偏轉器系統232之特定組態之容器的實例。然而，偏轉器系統232可用以修整其他設計之容器。舉例而言，偏轉器系統232可用以修整其中基底壁257垂直於通路234之縱向軸線的容器。在另一實例中，偏轉器系統232可用於並不包括通路234使得開口235處於偏轉器系統232處的容器中。

參看圖3，展示偏轉器元件333之俯視方塊圖。偏轉器元件333可用於偏轉器系統132或偏轉器系統232中。偏轉器元件333具有沿著X軸延伸之第一部分334。偏轉器元件333亦包括第二部分245，該第二部分在上文關於圖2A及圖2B加以論述。在圖3所展示之實例中，第二部分245在-X方向上自第一部分344延伸。針對偏轉器元件333，與圖2B之角度253相似的角度將為零度。在操作使用中，偏轉器元件333可如圖3中所展示而定位，其中第一部分334之側350及351以及第二部分之側248及249為沿著Z軸延伸的平面，其中側248、249、350及351之表面大體上平行於局部重力向量g。

容器130及230可用於其中希望抑制包括液相組分之材料之散射或飛濺的任何系統中。舉例而言，容器130及230可用於噴墨印刷系統中。在另一實例中，偏轉器系統132及232可用於其中水經導向至管中的系統中，該管受到過濾器保護從而防止大粒子進入該管。水在進入管之前可自過濾器飛濺。然而，具有相對於噴水之傳播方向傾斜的偏轉器元件之偏轉器系統(諸如偏轉器系統132及232)可包括於過濾器中或與過濾器一起使用，以減少濺出之水之量，藉此增大經過濾之水之量。本文中所揭示之技術可用於需要消除或減少自與固體表面碰撞之液滴或射流飛濺的任何應用中。此類應用之實例包括工業程序及/或應用，諸如關於或使用噴墨印刷、燃燒、噴射冷卻、抗結冰、增材製造及/或表面塗佈之程序。

在另一實例中，容器130或容器230可用於極紫外線(EUV)光源中。圖4為EUV光源400中之容器430的方塊圖。容器430包括偏轉器系統432。偏轉器系統432可為偏轉器系統132 (圖1A)或偏轉器系統232 (圖2A至圖2C)。

EUV光源400包括供應系統410，該供應系統將目標之串流422朝向真空腔室409中之電漿形成部位423發射。串流422中之目標於目標路徑420上行進。目標路徑420為串流422中之個別目標自供應系統410行進至電漿形成部位423 (在該目標經轉換成發射EUV光之電漿的情況下)或行進至容器430 (在該目標傳遞通過電漿形成部位423，而不會轉換成發射EUV光之電漿的情況下)所沿著的空間路徑。任何特定部位處之目標材料路徑420為個別目標在彼部位處行進之方向。在圖4之實例中，目標路徑420被說明為沿著X軸延伸之直虛線。然而，目標路徑420未必為直線，且目標路徑420可針對串流422中之每一個別目標可稍微不同。此外，目標路徑420可在除了沿著X軸之外的方向上延伸。舉例而言，供應系統410及容器430可以相對於彼此與圖4中所展示之組態不同的組態而配置，且因此供應系統410與容器430之間的路徑將不同於圖4中所展示之路徑。

在操作使用中，供應系統410流體地耦接至儲集器414，該儲集器含有處於壓力P下之目標材料。目標材料為當處於電漿狀態中時發射EUV光的任何材料。舉例而言，目標材料可包括水、錫、鋰及/或氙。目標材料可為呈熔融或液態狀態之組分或可包括呈熔融或液態狀態之組分。串流422中之目標可被認為係目標材料或目標之小滴。

串流422包括個別目標，包括處於電漿形成部位423之目標421p。電漿形成部位423接收光束406。光束406係由光學源405產生且經由光學路徑407遞送至真空腔室409。光束406與目標421p中之目標材料之間的相互作用會產生發射EUV光之電漿。EUV光係由鏡面402收集且經導向朝向微影裝置，諸如圖5中所展示之微影裝置500。

串流422中之一些目標未經轉換成發射EUV光之電漿。舉例而言，目標可在光束406並未處於電漿形成部位423時到達電漿形成部位423。未經轉換成發射EUV光之電漿的目標傳遞通過電漿形成部位423 (諸如目標421d)且由容器430捕獲。

容器430包括管道434及基底部分455。在圖4之實例中，偏轉器系統432處於基底部分455中。管道434在末端431處包括開口435。開口435與目標路徑420重合使得目標流動通過開口435且到達管道434。管道434耦接至基底部分455之內部使得在管道中流動之目標與偏轉器系統432相互作用，且歸因於偏轉器系統432之組態而不太可能飛濺或另外射出通過開口435。以此方式，容器430捕獲未使用的目標且藉此有助於保護真空腔室409中之物件(諸如鏡面402)免於變得被來自飛濺或散射之未使用的目標材料污染。

圖5示意性地描繪根據一項實施的包括源收集器模組SO之微影裝置500。該容器130、230及430為可用作源收集器模組SO中之截留器630 (圖6)的容器之實例。該微影裝置500包括： • 照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； • 支撐結構(例如光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM； • 基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及 • 投影系統(例如反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包括一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。

支撐結構MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件MA。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。

術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。

圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。

類似於照明系統IL，投影系統PS可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學部件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。

如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如使用反射光罩)。

微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台(及/或兩個或多於兩個圖案化器件台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

參看圖5，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於：運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如具有所需譜線發射元素之材料的小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖5中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用二氧化碳(CO₂ )雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組可為單獨實體。

在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向廣度及/或內部徑向廣度(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如光罩台) MT上之圖案化器件(例如光罩) MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩) MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩) MA及基板W。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如光罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。 2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如光罩台) MT之速度及方向。 3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如光罩台) MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每次移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

圖6更詳細地展示微影裝置500之實施，該微影裝置包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構620中。系統IL及PS同樣地含於其自身真空環境內。可由雷射產生LPP電漿源形成EUV輻射發射電漿2。源收集器模組SO之功能係自電漿2遞送EUV輻射光束20，使得其聚焦於虛擬源點中。虛擬源點通常被稱作中間焦點(IF)，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構620中之孔隙621處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿2之影像。

自中間焦點IF處之孔隙621，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL在此實例中包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24。此等器件形成所謂的「蠅眼(fly's eye)」照明器，其經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角度分佈，以及圖案化器件MA處的輻射強度(如由元件符號660所展示)之所要均一性。在由支撐結構(光罩台) MT固持之圖案化器件MA處的光束21之反射後，即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。為了曝光基板W上之目標部分C，在基板台WT及圖案化器件台MT執行經同步移動以經由照明隙縫掃描圖案化器件MA上之圖案的同時產生輻射之脈衝。

每一系統IL及PS配置於其自有真空或近真空環境內，該環境係由相似於圍封結構620之圍封結構界定。比所展示元件更多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。另外，可存在比所展示鏡面更多的鏡面。舉例而言，除了圖6所展示之反射元件以外，在照明系統IL及/或投影系統PS中亦可存在一至六個額外反射元件。

更詳細地考慮源收集器模組SO，包括雷射623之雷射能量源經配置以將雷射能量624沈積成包括目標材料之燃料。目標材料可為處於電漿狀態的發射EUV輻射之任何材料，諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)。電漿2為具有數十電子伏特(eV)之電子溫度的高度離子化電漿。可運用其他燃料材料，例如鋱(Tb)及釓(Gd)來產生更高能EUV輻射。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器3收集且聚焦於孔隙621上。電漿2及孔隙621分別位於收集器CO之第一焦點及第二焦點處。

儘管圖6所展示之收集器3為單一彎曲鏡面，但該收集器可採取其他形式。舉例而言，收集器可為具有兩個輻射收集表面之史瓦西(Schwarzschild)收集器。在一實施例中，收集器可為包含巢套於彼此內之複數個實質上圓柱形反射器之掠入射收集器。

為了遞送燃料(其(例如)為液體錫)，在圍封體620內配置小滴產生器626，小滴產生器626經配置以發出高頻小滴串流628朝向電漿2之所要部位。在操作中，與小滴產生器626之操作同步地遞送雷射能量624，以遞送輻射脈衝以使每一燃料小滴變成電漿2。小滴之遞送頻率可為幾千赫茲，例如，50 kHz。實務上，可以至少兩個脈衝來遞送雷射能量624：在具有有限能量之預脈衝到達電漿部位之前，將預脈衝遞送至小滴，以便使燃料材料汽化成小雲狀物，且接著，將雷射能量624之主脈衝遞送至所要部位處之雲狀物，以產生電漿2。將截留器630 (其可例如為容器130、容器230或容器430)提供於圍封結構620之相對側上，以捕獲無論出於何種原因變成電漿之燃料。

小滴產生器626包含含有燃料液體(例如熔融錫)之儲集器601，以及過濾器669及噴嘴602。噴嘴602經組態以將燃料液體之小滴噴射朝向電漿2形成部位。燃料液體之小滴可自噴嘴602藉由儲集器601內之壓力與由壓電致動器(圖中未繪示)施加至噴嘴之振動之組合而噴射。

熟習此項技術者將知曉，可定義參考軸線X、Y及Z以量測及描述裝置、其各種組件及輻射光束20、21、26之幾何形狀及行為。在裝置之每一部件處，可定義X軸、Y軸及Z軸之局部參考座標系。在圖6之實例中，Z軸在系統中之給定點處與方向光軸O大致重合，且大體上垂直於圖案化器件(倍縮光罩) MA之平面且垂直於基板W之平面。在源收集器模組中，X軸與燃料串流628之方向大致地重合，而Y軸正交於燃料串流628之方向，從而自頁面指出，如圖6所指示。另一方面，在固持倍縮光罩MA之支撐結構MT附近，X軸大體上橫向於與Y軸對準之掃描方向。出於方便起見，在示意圖圖6之此區域中，X軸自頁面中指出，再次如所標記。此等指定在此項技術中係習知的，且將在本文中出於方便起見而被採用。原則上，可選擇任何參考座標系以描述裝置及其行為。

用於源收集器模組及微影裝置500整體上之操作中的眾多額外組件存在於典型裝置中，但此處未說明。此等組件包括用於減小或減輕經圍封真空內之污染效應之配置，例如，以防止燃料材料之沈積物損害或削弱收集器3及其他光學件之效能。存在但未予以詳細地描述之其他特徵為在控制微影裝置500之各種組件及子系統時涉及之所有感測器、控制器及致動器。

參看圖7，展示LPP EUV光源700之實施。該光源700可用作微影裝置500中之源收集器模組SO。此外，容器130、230及430中之任一者可與該光源700一起使用。此外，圖4之光學源405可為驅動雷射715之部分。驅動雷射715可用作雷射623 (圖6)。

藉由運用經放大光束710輻照電漿形成部位705處之目標混合物714而形成LPP EUV光源700，該經放大光束710沿著朝向目標混合物714之光束路徑行進。關於圖1、圖2A至圖2C及圖3所論述之材料121以及關於圖4論述之串流422中之目標可為或包括目標混合物714。電漿形成部位705係在真空腔室730之內部707內。當經放大光束710照在目標混合物714上時，該目標混合物714內之目標材料轉換成具有在EUV範圍內之發射譜線之元素的電漿狀態。所產生電漿具有取決於目標混合物714內之目標材料之組合物的某些特性。此等特性可包括由電漿產生之EUV光之波長，以及自電漿釋放之碎屑之類型及量。

光源700亦包括供應系統725，該目供應系統遞送、控制及導向呈液滴、液流、固體粒子或叢集、液滴內所含有之固體粒子或液流內所含有之固體粒子之形式的目標混合物714。目標混合物714包括目標材料，諸如(例如)水、錫、鋰、氙，或在經轉換成電漿狀態時具有在EUV範圍內之發射譜線的任何材料。舉例而言，元素錫可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr₄ 、SnBr₂ 、SnH₄ ；用作錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或此等合金之任何組合。目標混合物714亦可包括諸如非目標粒子之雜質。因此，在不存在雜質之情形中，目標混合物714係僅由目標材料製成。目標混合物714係由供應系統725遞送至腔室730之內部707中且遞送至電漿形成部位705。

光源700包括驅動雷射系統715，該驅動雷射系統歸因於雷射系統715之一或若干增益介質內之粒子數反轉而產生經放大光束710。光源700包括介於雷射系統715與電漿形成部位705之間的光束遞送系統，該光束遞送系統包括光束傳送系統720及聚焦總成722。光束傳送系統720自雷射系統715接收經放大光束710，且視需要轉向及修改經放大光束710且將經放大光束710輸出至聚焦總成722。聚焦總成722接收經放大光束710且將光束710聚焦至電漿形成部位705。

在一些實施中，雷射系統715可包括用於提供一或多個主脈衝且在一些狀況下提供一或多個預脈衝之一或多個光學放大器、雷射及/或燈。每一光學放大器包括能夠以高增益光學地放大所要波長之增益介質、激發源及內部光學件。光學放大器可具有或可不具有形成雷射空腔之雷射鏡面或其他回饋器件。因此，雷射系統715即使在不存在雷射空腔的情況下歸因於雷射放大器之增益介質中之粒子數反轉亦會產生經放大光束710。此外，雷射系統715可在存在用以提供對雷射系統715之足夠回饋之雷射空腔的情況下產生為相干雷射光束之經放大光束710。術語「經放大光束」涵蓋如下各者中之一或多者：來自雷射系統715之僅僅經放大但未必為相干雷射振盪的光，及來自雷射系統715之經放大且亦為相干雷射振盪的光。

雷射系統715中之光學放大器可包括填充氣體(包括CO₂ )作為增益介質，且可以大於或等於800倍之增益放大在約9100奈米與約11000奈米之間的波長下，且尤其在約10600奈米下的光。供用於雷射系統715中之合適放大器及雷射可包括脈衝式雷射器件，例如脈衝式氣體放電CO₂ 雷射器件，該脈衝式氣體放電CO₂ 雷射器件例如運用以相對較高功率(例如10 kW或高於10 kW)及高脈衝重複率(例如40 kHz或大於40 kHz)操作的DC或RF激發產生處於約9300奈米或約10600奈米之輻射。舉例而言，脈衝重複率可為50 kHz。雷射系統715中之光學放大器亦可包括可在較高功率下操作雷射系統715時使用的冷卻系統，諸如水。

光源700包括收集器鏡面735，該收集器鏡面具有孔隙740以允許經放大光束710傳遞通過且到達電漿形成部位705。收集器鏡面735可為例如具有在電漿形成部位705處之主焦點及在中間部位745處之次級焦點(亦被稱為中間焦點)之橢球形鏡面，其中EUV光可自光源700輸出且可經輸入至例如積體電路微影工具(圖中未繪示)。光源700亦可包括開端式中空圓錐形護罩750 (例如氣體錐體)，該圓錐形護罩自收集器鏡面735朝向電漿形成部位705漸狹以縮減進入聚焦總成722及/或光束傳送系統720的電漿產生之碎屑之量，同時允許經放大光束710到達電漿形成部位705。出於此目的，可將氣流提供於護罩中，該氣流經導向朝向電漿形成部位705。

光源700亦可包括連接至小滴位置偵測回饋系統756、雷射控制系統757及光束控制系統758之主控控制器755。光源700可包括一或多個目標或小滴成像器760，該一或多個目標或小滴成像器提供指示小滴例如相對於電漿形成部位705之位置之輸出且將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統756，該小滴位置偵測回饋系統可例如計算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可基於逐小滴地或平均地計算出小滴位置誤差。因此，小滴位置偵測回饋系統756將小滴位置誤差作為輸入提供至主控控制器755。因此，主控控制器755可將雷射位置、方向及時序校正信號提供至(例如)可用以(例如)控制雷射時序電路之雷射控制系統757及/或提供至光束控制系統758，該光束控制系統用以控制經放大光束位置及光束傳送系統720之塑形以改變光束焦斑在腔室730內之部位及/或焦度。

供應系統725包括目標材料遞送控制系統726，該目標材料遞送控制系統可操作以回應於(例如)來自主控控制器755之信號而修改如由目標材料供應裝置727釋放的小滴之釋放點，以校正到達所要電漿形成部位705處之小滴中的誤差。

另外，光源700可包括量測一或多個EUV光參數之光源偵測器765及770，該一或多個EUV光參數包括但不限於脈衝能量、依據波長而變化之能量分佈、特定波長帶內之能量、在特定波長帶外的能量，及EUV強度及/或平均功率之角度分佈。光源偵測器765產生回饋信號以供主控控制器755使用。回饋信號可(例如)指示為了有效及高效EUV光產生而在適當地點及時間恰當地截取小滴的雷射脈衝之參數(諸如，時序及焦點)之誤差。

光源700亦可包括導引雷射775，該導引雷射可用以將光源700之各個區段對準或輔助將經放大光束710轉向至電漿形成部位705。結合導引雷射775，光源700包括度量衡系統724，該度量衡系統被置放於聚焦總成722內以對來自導引雷射775之光之一部分以及經放大光束710進行取樣。在其他實施中，度量衡系統724被置放於光束傳送系統720內。度量衡系統724可包括對光之子集進行取樣或重新導向之光學元件，此光學元件係由可耐受導引雷射光束及經放大光束710之功率之任何材料製造。光束分析系統係由度量衡系統724及主控控制器755形成，此係由於主控控制器755分析自導引雷射775取樣之光且使用此資訊以經由光束控制系統758調整聚焦總成722內之組件。

因此，概言之，光源700產生經放大光束710，該經放大光束沿著光束路徑經導向以輻照電漿形成部位705處之目標混合物714以將混合物714內之目標材料轉換成發射在EUV範圍內之光之電漿。經放大光束710在基於雷射系統715之設計及屬性而判定之特定波長(其亦被稱作驅動雷射波長)下操作。另外，經放大光束710在目標材料將足夠回饋提供回至雷射系統715中以產生相干雷射光時或在驅動雷射系統715包括合適光學回饋以形成雷射空腔的情況下可為雷射光束。

其他實施方案係在申請專利範圍之範疇內。舉例而言，偏轉系統132及偏轉系統232可由此項技術中已知之任何支撐件固持於各別容器130及230中。

在另一實例中，圖1A及圖1B將角度136展示為大於零之銳角。然而，在諸如圖3中所展示之一些實施中，角度136可為零使得偏轉器元件133大體上平行於材料路徑120。相比於例如大體上平行於材料路徑而排列的蜂窩型結構，此類實施可提供增強之效能。舉例而言，偏轉器元件133可為在Y-Z平面中之兩個末端處敞開但仍歸因於偏轉器元件133以距離138彼此分離而形成敞開通道的平坦結構。此配置導致與管狀或蜂窩結構相比之相對較少的表面用於材料累積，且可導致材料121之減少飛濺。

可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種目標材料容器，其包含：一結構，其包含在一第一方向上延伸之一通路，該通路經組態以接收沿著一目標材料路徑行進的目標材料；及一偏轉器系統，其經組態以自該通路接收目標材料，該偏轉器系統包含複數個偏轉器元件，其中每一偏轉器元件以相對於沿著該目標材料路徑行進的該目標材料之一例項之一行進方向成一第一銳角而定向，且該偏轉器系統中之每一偏轉器元件沿著不同於該第一方向之一第二方向以一距離與一最接近的偏轉器元件分離。 2. 如條項1之目標材料容器，其中該結構進一步包含一基底部分，該基底部分包含耦接至該通路之一內部。 3. 如條項2之目標材料容器，其中該偏轉器系統之至少一部分定位於該基底部分之該內部中，該基底部分之一側相對於該第一方向以一底角成角度，且該基底部分之該側在該第二方向上延伸。 4. 如條項1之目標材料容器，其中每一偏轉器元件包含以相對於該目標材料路徑成該第一銳角而定向的一第一部分，及自該第一部分延伸之一末端部分，該末端部分包含大體上平行於該目標材料路徑而延伸的一尖端。 5. 如條項4之目標材料容器，其中每一偏轉器元件之該末端部分進一步包含一本體，該本體包含一表面，且該本體之該表面形成為與該目標材料路徑成一第二銳角。 6. 如條項5之目標材料容器，其中該第二銳角等於或小於該第一銳角。 7. 如條項4之目標材料容器，其中每一偏轉器元件之該第一部分包含在一第一平面中延伸的一板，該板在該第一平面中具有一第一廣度且在一第二平面中具有一第二廣度，該第二平面正交於該第一平面且該第二廣度小於該第一廣度。 8. 如條項4之目標材料容器，其中目標材料之該例項為大體上球形且具有一直徑，每一尖端具有經組態以與目標材料之該例項相互作用的一表面，該尖端之該表面在至少一個方向上之一廣度小於目標材料之該例項之該直徑。 9. 如條項1之目標材料容器，其中每一偏轉器元件包含經組態以減小目標材料至該偏轉器元件之一表面之黏著力的至少一個表面特徵，該表面特徵包含波紋、具有一特定粗糙度之一區、一氧化區、凹槽之一圖案，及/或與用於該偏轉器元件之該表面之其他部分中的材料不同的一材料之一塗層。 10. 如條項1之目標材料容器，其中沿著該第二方向在任何兩個鄰近偏轉器元件之間的該距離係相同的。 11. 如條項1之目標材料容器，其中該第一銳角針對所有該等偏轉器元件係相同的。 12. 如條項1之目標材料容器，其中每一偏轉器元件為一板，且該等偏轉器元件係沿著該第二方向分離使得該等板中之任一者與所有其他板平行。 13. 如條項1之目標材料容器，其中該目標材料容器經組態以用於一極紫外線(EUV)光源中，且該目標材料包含當處於一電漿狀態中時發射EUV光之一材料。 14. 一種極紫外線(EUV)光源，其包含：一光學源，其經組態以產生一光束；一器皿，其經組態以在一電漿形成部位處接收該光束；一供應系統，其經組態以產生沿著朝向該電漿形成部位之一目標路徑行進的目標；及目標材料容器，其包含：一結構，該結構包含在一第一方向上延伸之一通路，該通路經定位成接收於該目標材料路徑行進且傳遞通過該電漿形成部位的目標；及一偏轉器系統，該偏轉器系統經組態以自該通路接收目標，該偏轉器系統包含複數個偏轉器元件，其中每一偏轉器元件以相對於沿著該目標材料路徑行進的該材料之一例項之一行進方向成一第一銳角而定向，且該偏轉器系統中之每一偏轉器元件沿著不同於該第一方向之一第二方向以一距離與一最接近的偏轉器元件分離。 15. 如條項14之EUV光源，其中該結構進一步包含一基底部分，該基底部分包含耦接至該通路之一內部。 16. 如條項14之EUV光源，其中該偏轉器系統之至少一部分定位於該基底部分之該內部中，該基底部分之一側相對於該第一方向以一底角成角度，且該基底部分之該側在該第二方向上延伸。 17. 如條項14之EUV光源，其中每一偏轉器元件包含以該第一銳角定向之一第一部分，及自該第一部分延伸之一末端部分，該末端部分包含大體上平行於該目標路徑延伸的一尖端。 18. 如條項17之EUV光源，其中每一偏轉器元件之該末端部分進一步包含一本體，該本體包含一表面，且該本體之該表面形成為與該目標方向成一第二銳角。 19. 如條項18之EUV光源，其中該第二銳角等於或小於該第一銳角。 20. 一種用於一極紫外線(EUV)光源之偏轉器系統，該偏轉器系統包含：複數個偏轉器元件，每一偏轉器元件包含沿著一第一方向延伸之一第一部分及自該第一部分延伸之一第二部分，該第二部分包含一本體，該本體包含自該第一部分朝向一尖端延伸的一或多個表面，其中，該偏轉器系統經組態為定位於該EUV光源之一器皿中，使得該第一方向與一目標材料路徑形成一第一銳角，該第二部分之該本體之該等表面中的至少一者與該目標材料路徑形成一第二銳角，該目標材料路徑為目標在該器皿中行進所沿著的一路徑，該等目標包含處於一電漿狀態中的發射EUV光之目標材料，且該第二銳角大於零度。 21. 如條項20之偏轉器系統，其中該第一銳角為零度。 22. 如條項21之偏轉器系統，其中該第一部分之一側表面與一局部重力向量大體上對準，使得每一偏轉器元件之該第一部分之該側表面當定位於該EUV光源之該器皿中時具有一豎直定向。 23. 如條項20之偏轉器系統，其中該第二銳角等於或小於該第一銳角。 24. 如條項20之偏轉器系統，其中該複數個偏轉器元件彼此分離使得一敞開通道形成於任何兩個偏轉器元件之間。 25. 如條項24之偏轉器系統，其中該等偏轉器元件彼此平行。

2‧‧‧極紫外線(EUV)輻射發射電漿

3‧‧‧近正入射收集器

20‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束

21‧‧‧輻射光束

22‧‧‧琢面化場鏡面器件

24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件

26‧‧‧經圖案化光束

28‧‧‧反射元件

30‧‧‧反射元件

102‧‧‧物件

120‧‧‧材料路徑

121‧‧‧材料/小滴或射流

130‧‧‧容器

131‧‧‧第一容器末端

132‧‧‧偏轉器系統

133‧‧‧偏轉器元件

133a‧‧‧偏轉器元件

133b‧‧‧偏轉器元件

133c‧‧‧偏轉器元件

133d‧‧‧偏轉器元件

133e‧‧‧偏轉器元件

133f‧‧‧偏轉器元件

133g‧‧‧偏轉器元件

133h‧‧‧偏轉器元件

133i‧‧‧偏轉器元件

133j‧‧‧偏轉器元件

133k‧‧‧偏轉器元件

134‧‧‧通路

135‧‧‧開口

136‧‧‧角度

137‧‧‧敞開空間/通道

138‧‧‧距離

139‧‧‧第二容器末端

140‧‧‧第一偏轉器末端

141‧‧‧第二偏轉器末端

142‧‧‧方向

143‧‧‧方向

150‧‧‧側表面

163‧‧‧累積結構

164‧‧‧黏著力

165‧‧‧重力

166‧‧‧摩擦力

230‧‧‧容器

231‧‧‧末端

232‧‧‧偏轉器系統

233‧‧‧偏轉器元件

233a‧‧‧偏轉器元件

233l‧‧‧偏轉器元件

234‧‧‧通路

235‧‧‧開口

236‧‧‧角度

237‧‧‧通道

238‧‧‧距離

239‧‧‧末端

240‧‧‧第一偏轉器末端

241‧‧‧第二偏轉器末端

244‧‧‧第一部分

245‧‧‧第二部分

246‧‧‧尖端

247‧‧‧本體

248‧‧‧側表面/側

249‧‧‧側表面/側

250‧‧‧側表面

251‧‧‧側表面

252‧‧‧角度

253‧‧‧角度

255‧‧‧基底部分

256‧‧‧基底內部

257‧‧‧基底壁

258‧‧‧底角

259‧‧‧側壁

260‧‧‧儲集區

261‧‧‧壁

262‧‧‧內部基底壁

266‧‧‧射線

333‧‧‧偏轉器元件

334‧‧‧第一部分

350‧‧‧側

351‧‧‧側

400‧‧‧極紫外線(EUV)光源

402‧‧‧鏡面

405‧‧‧光學源

406‧‧‧光束

407‧‧‧光學路徑

409‧‧‧真空腔室

410‧‧‧供應系統

414‧‧‧儲集器

420‧‧‧目標材料路徑

421d‧‧‧目標

421p‧‧‧目標

422‧‧‧目標之串流

423‧‧‧電漿形成部位

430‧‧‧容器

431‧‧‧末端

432‧‧‧偏轉器系統

434‧‧‧管道

435‧‧‧開口

455‧‧‧基底部分

500‧‧‧微影裝置

601‧‧‧儲集器

602‧‧‧噴嘴

620‧‧‧圍封結構/圍封體

621‧‧‧孔隙

623‧‧‧鐳射

624‧‧‧雷射能量

626‧‧‧小滴產生器

628‧‧‧高頻小滴串流/燃料串流

630‧‧‧截留器

660‧‧‧輻射強度

669‧‧‧過濾器

700‧‧‧雷射產生電漿(LPP)極紫外線(EUV)光源

705‧‧‧電漿形成部位

707‧‧‧內部

710‧‧‧經放大光束

714‧‧‧目標混合物

715‧‧‧驅動雷射系統

720‧‧‧光束傳送系統

722‧‧‧聚焦總成

725‧‧‧供應系統

726‧‧‧目標材料遞送控制系統

727‧‧‧目標材料供應裝置

730‧‧‧真空腔室

735‧‧‧收集器鏡面

740‧‧‧孔隙

745‧‧‧中間部位

750‧‧‧開端式中空圓錐形護罩

755‧‧‧主控控制器

756‧‧‧小滴位置偵測回饋系統

757‧‧‧雷射控制系統

758‧‧‧光束控制系統

760‧‧‧目標或小滴成像器

765‧‧‧光源偵測器

770‧‧‧光源偵測器

775‧‧‧導引雷射

B‧‧‧輻射光束

C‧‧‧目標部分

g‧‧‧局部重力向量

IF‧‧‧中間焦點/虛擬源點

IL‧‧‧照明系統/照明器

M1‧‧‧圖案化器件對準標記

M2‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件/倍縮光罩

MT‧‧‧支撐結構

O‧‧‧方向光軸

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PS1‧‧‧位置感測器

PS2‧‧‧位置感測器

PW‧‧‧第二定位器

SO‧‧‧源收集器模組

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

圖1A為容器之實例的方塊圖。

圖1B為圖1A之容器之偏轉器元件可相對於材料路徑定向所處之實例角度。

圖1C為偏轉器元件之實例的側視圖。

圖1D說明在操作使用中之偏轉器元件之實例定向。

圖2A為偏轉器系統之實例的透視圖。

圖2B為可用於圖2A之偏轉器系統中的偏轉器元件之實例的俯視圖。

圖2C為容器之實例的方塊圖。

圖3為偏轉器元件之另一實例的俯視圖。

圖4為EUV光源之實例的方塊圖。

圖5為微影裝置之實例的方塊圖。

圖6為圖5之微影裝置的更詳細視圖。

圖7為EUV光源之另一實例的方塊圖。

Claims

一種目標材料容器，其包含：一結構，其包含在一第一方向上延伸之一通路，該通路經組態以接收沿著一目標材料路徑行進的目標材料；及一偏轉器系統，其經組態以自該通路接收目標材料，該偏轉器系統包含複數個偏轉器元件，其中每一偏轉器元件以相對於沿著該目標材料路徑行進的該目標材料之一例項之一行進方向成一第一銳角而定向，且該偏轉器系統中之每一偏轉器元件沿著不同於該第一方向之一第二方向以一距離與一最接近的偏轉器元件分離。
如請求項1之目標材料容器，其中該結構進一步包含一基底部分，該基底部分包含耦接至該通路之一內部。
如請求項2之目標材料容器，其中該偏轉器系統之至少一部分定位於該基底部分之該內部中，該基底部分之一側相對於該第一方向以一底角成角度，且該基底部分之該側在該第二方向上延伸。
如請求項1之目標材料容器，其中每一偏轉器元件包含以相對於該目標材料路徑成該第一銳角而定向的一第一部分，及自該第一部分延伸之一末端部分，該末端部分包含大體上平行於該目標材料路徑而延伸的一尖端。
如請求項4之目標材料容器，其中每一偏轉器元件之該末端部分進一步包含一本體，該本體包含一表面，且該本體之該表面形成為與該目標材料路徑成一第二銳角。
如請求項5之目標材料容器，其中該第二銳角等於或小於該第一銳角。
如請求項4之目標材料容器，其中每一偏轉器元件之該第一部分包含在一第一平面中延伸的一板，該板在該第一平面中具有一第一廣度且在一第二平面中具有一第二廣度，該第二平面正交於該第一平面且該第二廣度小於該第一廣度。
如請求項4之目標材料容器，其中目標材料之該例項為大體上球形且具有一直徑，每一尖端具有經組態以與目標材料之該例項相互作用的一表面，該尖端之該表面在至少一個方向上之一廣度小於目標材料之該例項之該直徑。
如請求項1之目標材料容器，其中每一偏轉器元件包含經組態以減小目標材料至該偏轉器元件之一表面之黏著力的至少一個表面特徵，該表面特徵包含波紋、具有一特定粗糙度之一區、一氧化區、凹槽之一圖案，及/或與用於該偏轉器元件之該表面之其他部分中的材料不同的一材料之一塗層。
如請求項1之目標材料容器，其中沿著該第二方向在任何兩個鄰近偏轉器元件之間的該距離係相同的。
如請求項1之目標材料容器，其中該第一銳角針對所有該等偏轉器元件係相同的。
如請求項1之目標材料容器，其中每一偏轉器元件為一板，且該等偏轉器元件係沿著該第二方向分離使得該等板中之任一者與所有其他板平行。
如請求項1之目標材料容器，其中該目標材料容器經組態以用於一極紫外線(EUV)光源中，且該目標材料包含當處於一電漿狀態中時發射EUV光之一材料。
一種極紫外線(EUV)光源，其包含：一光學源，其經組態以產生一光束；一器皿，其經組態以在一電漿形成部位處接收該光束；一供應系統，其經組態以產生沿著朝向該電漿形成部位之一目標路徑行進的目標；及目標材料容器，其包含：一結構，該結構包含在一第一方向上延伸之一通路，該通路經定位成接收於該目標材料路徑行進且傳遞通過該電漿形成部位的目標；及一偏轉器系統，該偏轉器系統經組態以自該通路接收目標，該偏轉器系統包含複數個偏轉器元件，其中每一偏轉器元件以相對於沿著該目標材料路徑行進的該材料之一例項之一行進方向成一第一銳角而定向，且該偏轉器系統中之每一偏轉器元件沿著不同於該第一方向之一第二方向以一距離與一最接近的偏轉器元件分離。
如請求項14之EUV光源，其中該結構進一步包含一基底部分，該基底部分包含耦接至該通路之一內部。
如請求項14之EUV光源，其中該偏轉器系統之至少一部分定位於該基底部分之該內部中，該基底部分之一側相對於該第一方向以一底角成角度，且該基底部分之該側在該第二方向上延伸。
如請求項14之EUV光源，其中每一偏轉器元件包含以該第一銳角定向之一第一部分，及自該第一部分延伸之一末端部分，該末端部分包含大體上平行於該目標路徑延伸的一尖端。
如請求項17之EUV光源，其中每一偏轉器元件之該末端部分進一步包含一本體，該本體包含一表面，且該本體之該表面形成為與該目標方向成一第二銳角。
如請求項18之EUV光源，其中該第二銳角等於或小於該第一銳角。
一種用於一極紫外線(EUV)光源之偏轉器系統，該偏轉器系統包含：複數個偏轉器元件，每一偏轉器元件包含沿著一第一方向延伸之一第一部分及自該第一部分延伸之一第二部分，該第二部分包含一本體，該本體包含自該第一部分朝向一尖端延伸的一或多個表面，其中，該偏轉器系統經組態為定位於該EUV光源之一器皿中，使得該第一方向與一目標材料路徑形成一第一銳角，該第二部分之該本體之該等表面中的至少一者與該目標材料路徑形成一第二銳角，該目標材料路徑為目標在該器皿中行進所沿著的一路徑，該等目標包含處於一電漿狀態中的發射EUV光之目標材料，且該第二銳角大於零度。
如請求項20之偏轉器系統，其中該第一銳角為零度。
如請求項21之偏轉器系統，其中該第一部分之一側表面與一局部重力向量大體上對準，使得每一偏轉器元件之該第一部分之該側表面當定位於該EUV光源之該器皿中時具有一豎直定向。
如請求項20之偏轉器系統，其中該第二銳角等於或小於該第一銳角。
如請求項20之偏轉器系統，其中該複數個偏轉器元件彼此分離使得一敞開通道形成於任何兩個偏轉器元件之間。
如請求項24之偏轉器系統，其中該等偏轉器元件彼此平行。