JP2020531894A - 材料経路を進む材料を捕捉するためのレセプタクル - Google Patents

Abstract

ターゲット材料レセプタクルは、第１の方向に延出している通路を含む構造であって、通路はターゲット材料経路に沿って進むターゲット材料を受容するように構成されている、構造と、通路からターゲット材料を受容するように構成された偏向器システムと、を含む。偏向器システムは複数の偏向器要素を含む。各偏向器要素は、ターゲット材料経路に沿って進むターゲット材料例の進行方向に対して第１の鋭角に配向されている。偏向器システムにおける各偏向器要素は、最も近くにある偏向器要素から、第１の方向とは異なる第２の方向に沿ってある距離だけ分離されている。【選択図】 図１Ａ

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１７年８月２５日に出願された米国非仮特許出願（non-provisional patent application）番号第１５／６８７，３６７号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。

[0002] 本開示は、材料経路を進む材料を捕捉するためのレセプタクルに関する。レセプタクルは、小滴又は液体ジェットを捕捉することが望まれる任意のシステムで使用することができる。例えばレセプタクルは、極端紫外線（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）光源において使用され得る。

[0003] システム内を移動する液体又は部分的に液体の材料は、システム内の表面（衝突面（impact surface））に衝突する可能性がある。衝突面との衝突によって材料の飛散及び／又は散乱が生じることがあり、この飛散及び／又は散乱は衝突面付近の物体を汚染することがある。汚染は例えば、衝突の結果として材料から飛び散った少量の材料である。物体の汚染によって、物体及び／又はシステム全体の性能が劣化する恐れがある。例えばシステムはミラーを含むことがあり、ミラーが汚染されるとミラーの反射特性が変化する可能性がある。ミラーはＥＵＶ光源内のミラーである場合があり、汚染によって、この光源から出力されるＥＵＶ光量が低減する恐れがある。

[0004] 例えば、２０ナノメートル（ｎｍ）以下、５〜２０ｎｍの間、又は１３〜１４ｎｍの間の波長の光を含む、１００ｎｍ以下の波長を有する（時として軟ｘ線とも称される）電磁放射のような極端紫外線（「ＥＵＶ」）光は、フォトリソグラフィプロセスで使用されて、レジスト層において重合を開始することにより、例えばシリコンウェーハのような基板に極めて小さいフィーチャを生成することができる。

[0005] ＥＵＶ光を発生する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に輝線を有する元素を含む材料をプラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」：laser produced plasma）と呼ばれる１つのそのような方法では、例えば材料の小滴、プレート、テープ、流れ、又はクラスタの形態であるターゲット材料を、駆動レーザと称されることのある増幅光ビームで照射することにより、必要なプラズマを生成できる。このプロセスのため、プラズマは通常、例えば真空チャンバのような密閉容器内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を用いて監視される。

[0006] １つの全体的な態様において、ターゲット材料レセプタクルは、第１の方向に延出している通路を含む構造であって、通路はターゲット材料経路に沿って進むターゲット材料を受容するように構成されている、構造と、通路からターゲット材料を受容するように構成された偏向器システムと、を含む。偏向器システムは複数の偏向器要素を含む。各偏向器要素は、ターゲット材料経路に沿って進むターゲット材料例の進行方向に対して第１の鋭角に配向され、偏向器システムにおける各偏向器要素は、最も近くにある偏向器要素から、第１の方向とは異なる第２の方向に沿ってある距離だけ分離されている。

[0007] 実施は、以下の特徴のうち１つ以上を含むことができる。構造は、通路に結合された内部を含むベース部も含み得る。いくつかの実施において、偏向器システムの少なくとも一部はベース部の内部に位置決めされ、ベース部の側面は第１の方向に対してベース角度に傾斜しており、ベース部の側面は第２の方向に延出している。

[0008] 各偏向器要素は、ターゲット材料経路に対して第１の鋭角に配向された第１の部分と、第１の部分から延出している端部と、を含み得る。端部は、ターゲット材料経路に対して実質的に平行に延出している先端を含む。各偏向器要素の端部は表面を含む本体も含み、本体の表面はターゲット材料経路に対して第２の鋭角を形成し得る。第２の鋭角は第１の鋭角以下とすることができる。各偏向器要素の第１の部分は、第１の面内に延出しているプレートを含み得る。プレートは第１の面内における第１の寸法（extent）及び第２の面内における第２の寸法を有し、第２の面は第１の面に直交し、第２の寸法は第１の寸法よりも小さい。ターゲット材料例は実質的に球形とすることができると共にある直径を有し、各先端はターゲット材料例と相互作用するように構成された表面を有し得る。先端の表面は、少なくとも１つの方向においてターゲット材料例の直径よりも小さい寸法を有し得る。

[0009] いくつかの実施において、各偏向器要素は、偏向器要素の表面に対するターゲット材料の付着を低減するように構成された少なくとも１つの表面特徴部を含む。表面特徴部は、波形（ripple）、特定のラフネスを有する領域、溝のパターン、酸化領域、及び／又は偏向器要素の表面の他の部分で用いられる材料とは異なる材料のコーティングを含み得る。

[0010] 任意の２つの隣接した偏向器要素間の第２の方向に沿った距離は同一とすることができる。第１の鋭角は偏向器要素の全てについて同一とすることができる。各偏向器要素はプレートとすることができ、プレートのいずれか１つがプレートの他の全てと平行であるように偏向器要素は第２の方向に沿って分離され得る。

[0011] ターゲット材料レセプタクルは、極端紫外線（ＥＵＶ）光源における使用向けに構成され得る。ターゲット材料は、プラズマ状態である場合にＥＵＶ光を放出する材料を含み得る。

[0012] 別の全体的な態様において、極端紫外線（ＥＵＶ）光源は、光ビームを生成するように構成された光源と、プラズマ形成位置で光ビームを受光するよう構成された容器と、ターゲット経路に沿ってプラズマ形成位置の方へ進むターゲットを生成するように構成された供給システムと、ターゲット材料レセプタクルであって、第１の方向に延出している通路を含む構造であって、通路は、ターゲット経路を進みプラズマ形成位置を通過するターゲットを受容するように位置決めされている、構造と、通路からターゲット材料を受容するように構成され、複数の偏向器要素を含む偏向器システムと、を備えるターゲット材料レセプタクルと、を含む。各偏向器要素は、ターゲット材料経路に沿って進む材料例の進行方向に対して第１の鋭角に配向され、偏向器システムにおける各偏向器要素は、最も近くにある偏向器要素から、第１の方向とは異なる第２の方向に沿ってある距離だけ分離されている。

[0013] 実施は、以下の特徴のうち１つ以上を含むことができる。構造は、通路に結合された内部を含むベース部も含み得る。いくつかの実施において、偏向器システムの少なくとも一部はベース部の内部に位置決めされ、ベース部の側面は第１の方向に対してベース角度に傾斜しており、ベース部の側面は第２の方向に延出している。

[0014] 各偏向器要素は、第１の鋭角に配向された第１の部分と、第１の部分から延出している端部と、を含み得る。端部は、ターゲット経路に対して実質的に平行に延出している先端を含む。各偏向器要素の端部は、表面を含む本体も含み得る。本体の表面はターゲット方向に対して第２の鋭角を形成する。第２の鋭角は第１の鋭角以下とすることができる。

[0015] 別の全体的な態様において、極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための偏向器システムは複数の偏向器要素を含み、各偏向器要素は、第１の方向に沿って延出している第１の部分と第１の部分から延出している第２の部分とを含み、第２の部分は、第１の部分から先端の方へ延出している１つ以上の表面を含む本体を含む。偏向器システムは、第１の方向及びターゲット材料経路が第１の鋭角を形成し、第２の部分の本体の表面のうち少なくとも１つ及びターゲット材料経路が第２の鋭角を形成するように、ＥＵＶ光源の容器内に位置決めされるよう構成され、ターゲット材料経路は容器内でターゲットが進む経路であり、ターゲットはプラズマ状態でＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含み、第２の鋭角はゼロ度よりも大きい。

[0016] 実施は、以下の特徴のうち１つ以上を含むことができる。第１の鋭角はゼロ度とすることができる。第１の部分の側面は局所重力ベクトルと実質的に位置合わせされて、ＥＵＶ光源の容器内に位置決めされた場合に各偏向器要素の第１の部分の側面が鉛直の配向を有するようにすることができる。第２の鋭角は第１の鋭角以下とすることができる。

[0017] 複数の偏向器要素は、任意の２つの偏向器要素間に開いたチャネルが形成されるように相互に分離され得る。偏向器要素は相互に平行とすることができる。

[0018] 上述の技法のいずれかの実施は、ＥＵＶ光源、レセプタクル、システム、方法、プロセス、デバイス、又は装置を含み得る。１つ以上の実施の詳細は、添付図面及び以下の記載に述べられている。他の特徴は、記載及び図面から、また特許請求の範囲から明らかとなるであろう。

[0019] レセプタクルの一例のブロック図である。 [0020] 図１Ａのレセプタクルの偏向器要素を材料経路に対して配向することができる例示的な角度である。 [0021] 偏向器要素の一例の側面図である。 [0022] 稼働使用時の偏向器要素の例示的な配向を示す。 [0023] 偏向器システムの一例の斜視図である。 [0024] 図２Ａの偏向器システムにおいて使用することができる偏向器要素の一例の上面図である。 [0025] レセプタクルの一例のブロック図である。 [0026] 偏向器要素の別の例の上面図である。 [0027] ＥＵＶ光源の一例のブロック図である。 [0028] リソグラフィ装置の一例のブロック図である。 [0029] 図５のリソグラフィ装置の更に詳細な図である。 [0030] ＥＵＶ光源の別の例のブロック図である。

[0031] 図１Ａを参照すると、レセプタクル１３０の実施の一例のブロック図が示されている。レセプタクル１３０は、材料経路１２０に沿って進む材料１２１を捕捉する。材料１２１は、少なくともいくらかの液相材料を含む任意のタイプの小滴又はジェットとすることができる。例えば材料１２１は、溶融スズの小滴とするか、又は溶融金属と、固体、液体、又は気体であり得る不純物のような他の物質とを含むターゲット材料の小滴とすることができる。材料１２１は、偏向器システム１３２内の１つ以上の偏向器要素１３３と相互作用する。偏向器システム１３２の構成によって、レセプタクル１３０は、偏向器システム１３２が存在しない場合に可能であるよりも多くの材料１２１を捕捉できる。以下で更に詳しく検討するように、偏向器システム１３２は、レセプタクル１３０から物体１０２の方へ散乱又は飛散する材料の量を低減させる。このため、偏向器システム１３２を用いて、例えば材料１２１の断片、部分、又は小滴による物体１０２の汚染を低減又は解消することができる。

[0032] レセプタクル１３０は、第１のレセプタクル端部１３１から第２のレセプタクル端部１３９までＸ軸に沿って延出する通路１３４を含む。図１Ａの例では、材料経路１２０もＸ軸に沿っており、材料１２１は概ねＸ方向に沿って進む。通路１３４は、端部１３１に開口１３５を有し、第２のレセプタクル端部１３９の方へ延出している。開口１３５はレセプタクル１３０の外部に開いている。材料経路１２０を進む材料１２１が開口１３５を通って通路１３４に入るように、開口１３５は材料経路１２０と一致している。図１Ａの例では、第２のレセプタクル端部１３９においてレセプタクル１３０の外部への開口が存在しないように、第２のレセプタクル端部１３９は閉じている。

[0033] また、レセプタクル１３０は偏向器システム１３２も含む。偏向器システム１３２は偏向器要素１３３ａ〜１３３ｋ（まとめて偏向器要素１３３と称する）を含む。偏向器要素１３３の各々は、第１の偏向器端部１４０から第２の偏向器端部１４１まで延出している。偏向器要素１３３の各々は、材料１２１が進む方向に対して角度１３６に配向されている。

[0034] 図１Ｂは、偏向器要素１３３の任意のものについて角度１３６を示している。角度１３６は、偏向器要素１３３が第１の偏向器端部１４０から第２の偏向器端部１４１まで延出している方向である方向１４２と、材料が偏向器要素１３３において材料経路１２０を進む方向である方向１４３と、によって形成される角度である。角度１３６は鋭角であり、９０度未満の任意の角度とすればよい。角度１３６は、例えば７度以下、１２度以下、１５度以下とすればよい。角度１３６の値は偏向器要素１３３の各々で同一とすることができる。

[0035] 更に、偏向器要素１３３はＹ軸に沿って相互に距離１３８だけ分離されている。図１Ａにおいて、偏向器要素１３３ａと１３３ｂとの間に距離１３８が示されている。距離１３８は、偏向器要素１３３間の空間に材料１２１が蓄積することを防止するか又は最小限に抑えるのに充分な大きさであるが、偏向器要素１３３間の開いた空間又はチャネル内に入った材料１２１の例がチャネル内で偏向器要素１３３から複数回跳ね返るのに充分な小ささである。距離１３８は、例えば５ミリメートル（ｍｍ）、又は２ｍｍ〜１センチメートル（ｃｍ）の間とすればよい。いくつかの実施において、偏向器要素１３３のいずれか１つは、最も近い１又は複数の偏向器要素から同じ分離距離だけ分離している。

[0036] Ｙ軸に沿った偏向器要素１３３の分離は、２つの隣接した偏向器要素１３３の間に開いた空間又はチャネルを形成する。偏向器要素１３３ａと１３３ｂとの間に、開いた空間１３７が標示されている。他の偏向器要素１３３の全ての間に、開いた空間１３７と同様の開いた空間又はチャネルが存在する。また、各偏向器要素１３３は、紙面を貫通する方向に延出している側面１５０を有する。例えば図１Ｃも参照すると、偏向器要素１３３は、Ｘ−Ｚ面に対して角度１３６に傾斜した面内に延出しているプレートから形成することができ、これらのプレートは相互に平行とすることができる。

[0037] 偏向器システム１３２内の偏向器要素１３３の配置は、材料１２１の飛散又は散乱を低減又は解消し、これにより、材料１２１が開口１３５を通ってレセプタクル１３０から予想外に出ていくのを低減又は解消する。例えば、偏向器要素１３３を角度１３６に配向し、偏向器要素をＹ軸に沿って距離１３８だけ分離させてチャネル１３７を形成することで、レセプタクル１３０が材料１２１を捕捉できるように支援する。

[0038] 衝突面（材料１２１と相互作用する表面）を、材料経路１２０に対して浅い角度（例えば１２度以下）に配向すると、材料１２１の飛散又は散乱が抑制される。飛散又は散乱は、材料１２１が偏向器要素１３３に衝突する場合に発生し得る。材料１２１が速く減速しすぎると、材料１２１に圧力波が形成され、この圧力波が材料１２１の表面張力を克服して、材料１２１を断片に分裂させる場合がある。材料１２１の減速は衝突面の角度の関数であり、角度１３６を小さくすることによって、材料１２１の飛散又は散乱がほとんど又は全く発生しない値まで減速を低減させることができる。球形の小適材料１２１では、式（１）で与えられるゾンマーフェルトパラメータ（Ｋ_ｎ）によって飛散又は散乱の有無を予測できる。

式１において、Ｋ_ｎはゾンマーフェルトパラメータであり、ρは材料１２１の密度であり、Ｄ_Ｏは材料１２１の直径であり、Ｖ_ｎは衝突面に垂直な方向における材料１２１の速度であり（Ｖ_ｎ＝Ｖ_０ｓｉｎα、ここでαは角度１３６である）、σは材料１２１の表面張力であり、μは材料１２１の粘度である。飛散又は散乱は、Ｋｎ＞６０の場合に発生すると予想され、Ｋｎ＜６０の場合に抑制されると予想される。Ｋｎ＞６０では、角度αが小さくなるにつれて飛散の量の量は低減し、より小さいＫ_ｎの値は、大きいＫ_ｎの値よりも少量の飛散を示す。Ｋ_ｎの値はＶ_ｎに依存し、Ｖ_ｎの値は角度１３６に依存するので、角度１３６を用いて飛散の量を制御することができる。

[0039] 偏向器システム１３２において、角度１３６は、飛散を最小限に抑えるか又は解消する値を有する。従って、材料経路１２０に対して角度１３６に偏向器要素１３３を配置することにより、材料１２１の飛散又は散乱が低減又は解消する。Ｋ_ｎ＜６０では、円滑な表面からの飛散が抑制される。円滑な表面は、材料１２１の直径よりもはるかに小さい表面ラフネスを有するものである。例えば、円滑な表面の表面ラフネスは材料１２１の直径の１０分の１又は１０００分の１であり得る。表面ラフネスは、実際の表面の法線ベクトルの方向の、その理想的な（例えば完璧に円滑な）形態からの偏差によって定量化することができる。表面ラフネスは、長さ単位を有する算術平均ラフネスＲａによって表現できる。材料１２１が直径２７μｍの実質的に球形の小滴である実施では、偏向器要素１３３の表面のＲａは例えば２．７μｍ又は０．０２７μｍであり得る。材料１２１が溶融スズである場合、Ｖ_Ｏ＝７０ｍ／ｓ（メートル／秒）であり、Ｄ_Ｏ＝２７μｍであり、ρ＝６９５９キログラム／立方メートル（ｋｇ／ｍ^３）であり、σ＝０．５３５ニュートン／メートル（Ｎ／ｍ）であり、μ＝１．５８ｅ^−３パスカル秒（Ｐａ．ｓ）であり、Ｋ_ｎは、α＝１９度では約９７であり、α＝５度では１８である。従って、角度１３６を１９度から５度まで小さくすると、材料１２１の飛散の量は低減する。

[0040] 更に、角度１３６に比較的小さい角度を用いると、偏向器要素１３３上におけるクレーター状構造又は浸食の発生及び／又は程度を低減することができる。偏向器要素１３３上にクレーター状構造又は他の浸食が存在すると、クレーター状構造が存在しない偏向器要素に比べ、偏向器要素１３３の表面から散乱する材料１２１の量が増大し得る。例えば、皿型クレーターは主に後ろ方向に材料を散乱させる傾向があり、これは図１Ａに示されている例では開口１３５に向かう方向である。従って、偏向器要素１３３上にクレーター状構造が存在すると散乱が増大する可能性があり、偏向器要素１３３上のクレーター状構造の形成を低減又は排除することによって性能を向上させることができる。

[0041] 比較的小さい値の角度１３６の使用は、偏向器要素１３３上におけるクレーター状構造の発生の低減を促進することができる。小滴を受容する固体表面の浸食率は、小滴と固体表面との間の運動量移行に依存する。浸食率（Ｅ）は式２から得ることができる。

式２において、ｋ及びｘは材料１２１に依存する定数であり、Ｖ_ｎ＝Ｖ_０ｓｉｎαであり（ここでαは角度１３６である）、Ｖ_Ｃは浸食が発生する臨界速度である。運動量移行は衝突角度（例えば角度１３６）の関数であるので、角度１３６を小さくすることによって運動量移行を低減できる。

[0042] 更に、２つ以上の偏向器要素１３３を使用し、これらの偏向器要素１３３を相互に対して距離１３８に配置することで、材料１２１が開口１３５を通ってレセプタクル１３０から出ていく確率が低下する。受容される材料の進行方向に対して浅い角度に配向された単一の偏向器要素を含む偏向器システムを用いることの潜在的な問題の１つは、偏向器要素の表面が、材料が受容される開口の方に向かって延出していることである。このため、受容された材料は表面と相互作用し、飛散し、次いで開口を通って出ていく可能性がある。偏向器システム１３２は、２つ以上の偏向器要素１３３を使用し、偏向器要素１３３を距離１３８で離間してチャネル１３７を形成することにより、この問題に対処する。材料１２１が偏向器要素１３３の衝突面から散乱した場合、散乱した材料はチャネル１３７内に入る可能性が高い。一度チャネル１３７内に入ると、材料１２１は隣接する偏向器要素１３３から複数回散乱し、このプロセス中で運動エネルギを失う可能性がある。運動エネルギを失った後、材料１２１が開口１３５を通って出ていく可能性は著しく低くなる。従って、偏向器要素１３３の配置により、開口１３５を通ってレセプタクル１３０から出ていく材料１２１の量が低減する。

[0043] 更に、いくつかの実施において偏向器要素１３３は、偏向器要素１３３の表面に対する材料１２１の付着を低減させるよう配置及び／又は設計されている。偏向器システム１３２の使用中、材料１２１は偏向器要素１３３上に蓄積する可能性がある。例えば、材料１２１の小滴の全て又は一部が、散乱又は飛散せずに偏向器要素１３３の表面上に留まることがある。経時的に偏向器要素１３３上に蓄積する材料１２１の少量又は断片は、偏向器要素１３３の表面上にボール状構造又は他の隆起異常物を形成し得る。材料１２１から形成されたこれらの意図されない構造は、まとめて蓄積構造と呼ばれ、このような構造の一例が図１Ｃに１６３で標示されている。材料１２１が進む方向に対する蓄積構造の配向は、一般的に制御不可能である。従って、蓄積構造は材料１２１をいずれかの方向及び／又はあらゆる方向に散乱又は飛散させ得る。このため、偏向器要素１３３上における蓄積構造の発生を低減又は排除することが望ましい場合がある。

[0044] いくつかの実施（図１Ａから図１Ｃに示されている実施等）では、偏向器要素１３３の少なくとも一部分を、局所重力ベクトル（ｇとして示されている）と（例えば平行に）位置合わせすることで、偏向器要素１３３上に蓄積する材料１２１の量を低減させる。図１Ｃの例では、側面１５０は材料１２１と相互作用し、衝突面が鉛直であるように局所重力ベクトルと（例えば平行に）位置合わせされている。側面１５０の鉛直の配向は、側面１５０上における蓄積構造の形成を防止することを支援できる。例示のため、側面１５０上に蓄積構造１６３が示されている。図１Ｄも参照すると、蓄積構造１６３には、Ｙ方向の付着力１６４、Ｚ方向の重力１６５（局所重力ベクトルｇと平行）、及び−Ｚ方向の摩擦力１６６（局所重力ベクトルｇと反対）が作用する。側面１５０が鉛直である実施（図１Ａ及び図１Ｃに示されているもの等）では、摩擦力１６６だけが重力１６５と反対の向きである。通常、摩擦力１６６は重力１６５よりもはるかに小さいので、Ｚ方向の正味の力は−Ｚ方向の正味の力よりもはるかに小さい。結果として、側面１５０の鉛直の配向は、蓄積構造の形成を抑制する及び／又は比較的大きい蓄積構造が形成されるのを防止することができる。

[0045] 側面１５０が更に水平に近付くと（すなわち、局所重力ベクトルｇに垂直な軸と平行な方向に近付くと）、−Ｚ方向の正味の力が増大して、蓄積構造が形成される及び／又は大きくなる可能性が高くなる。例えば、Ｚ方向に対して１９度に配向された表面及び溶融スズ材料では、観察された最大の蓄積構造は直径が約４．５ｍｍであった。これに対して、図１Ｃに示されるように配向された表面で観察された最大の蓄積構造は約１．５ｍｍであった。これらの観察は、図１Ａ及び図１Ｃに示されている実施の場合、蓄積構造における正味の上向きの力（−Ｚ方向の正味の力）が約２７分の１であることを示すと考えられる。従って、図１Ａ及び図１Ｃに示されている実施は蓄積構造の発生及び／又はサイズを低減させるのに役立ち得る。

[0046] 代替的に又は追加的に、偏向器要素１３３は、材料１２１の表面付着を低減させる表面特徴部を含むことができる。例えば、側面１５０は１つ以上の表面特徴部を含み得る。表面特徴部は、特定の又は所定の表面ラフネスの溝、波形、領域、酸化表面、及び／又は表面上の他の場所で用いられる材料とは異なる材料のコーティングを含み得る。表面特徴部は例えば、表面に衝突する材料の直径の１０〜５０分の１の距離だけ分離した要素（例えば溝、ライン、及び／又はチャネル）によって、表面上にパターン、テキスチャ、又は設計構造（design）を形成することができる。

[0047] 偏向器要素１３３の衝突面にこのように配置された表面パターンは、衝突面の反発効果を向上させて、材料１２１が偏向器要素１３３の表面上に蓄積する可能性を低下させるのに役立ち得る。パターンの各要素間の間隔は、反発させる物体のサイズによって決まる。上記で検討したように、偏向器要素１３３の衝突面から、より大きい構造（蓄積構造等）を反発させることが望ましい。従って、表面特徴部の要素間の分離を、材料１２１の例のサイズ以外の要素によって決定してもよい。例えば、材料１２１の例が実質的に球形であると共に直径が２７μｍである実施では、表面特徴部の要素間の分離は２μｍ〜２０μｍの間とすればよい。

[0048] 図２Ａから図２Ｃは、レセプタクル２３０及び／又は偏向器システム２３２の様々な図を示す。図２Ａは偏向器システム２３２の斜視図である。図２Ｂは偏向器システム２３２の単一の偏向器要素２３３の上面図である。図２Ｃはレセプタクル２３０の側面図である。レセプタクル２３０はレセプタクル１３０の実施の一例であり、偏向器システム２３２は偏向器システム１３２の実施の一例である。

[0049] 図２Ａを参照すると、偏向器システム２３２は、まとめて偏向器要素２３３と称される１２の偏向器要素２３３ａ〜２３３ｌを含む。簡略化のため、図２Ａでは偏向器要素２３３ａ及び偏向器要素２３３ｌのみが標示されている。偏向器要素２３３ｂ〜２３３ｋは、偏向器要素２３３ａと偏向器要素２３３ｌとの間にある。各偏向器要素２３３は、最も近い別の偏向器要素からＹ軸に沿って距離２３８だけ分離されている。偏向器要素１３３の各々は、第１の偏向器端部２４０から第２の偏向器端部２４１まで延出している。偏向器要素２３３は、材料１２１に耐性のある任意の物質から作製すればよい。例えば材料１２１が溶融スズである実施では、偏向器要素２３３はタングステン又は任意の硬質高融点金属又はセラミックから作製すればよい。

[0050] 図２Ｂも参照すると、偏向器要素２３３の各々は第１の部分２４４及び第２の部分２４５を含む。第２の部分２４５は、第１の部分２４４から先端２４６まで延出している。第２の部分２４５及び第１の部分２４４は図２Ａに示されていないが、先端２４６は第１の偏向器端部２４０に対応し、第１の部分２４４は第２の部分２４５から第２の偏向器端部２４１まで延出している。第２の部分２４５は、先端２４６を除いた第２の部分２４５の外部を形成する本体２４７を有する。本体２４７は、第１の部分２４４から延出して先端２４６まで角度２５２のテーパ状である側面２４８及び２４９を有する。従って先端２４６は、第１の部分２４４よりもＹ軸に沿った寸法（又は幅）が小さい。

[0051] 第１の部分２４４は、側面２５０及び２５１を有するプレート状構造から形成されている。偏向器要素２３３は、１つの偏向器要素２３３の表面２５０が別の偏向器要素２３３の表面２５１と向かい合うように配置されている。２つの隣接する偏向器要素２３３はＹ軸に沿って距離２３８だけ分離されて、１つの偏向器要素２３３の表面２５０と隣接する偏向器要素２３３の表面２５１との間にチャネル２３７が形成されるようになっている。表面２５０及び／又は２５１は材料経路１２０に対して角度２５３に傾斜している。いくつかの実施では、角度２５３及び角度２３６は異なる値を有し、角度２３６は角度２５３未満とする（角度２５３よりも小さくする）ことができる。

[0052] 複数の偏向器要素２３３を用いることに伴う潜在的な問題は、各偏向器要素２３３の第１の偏向器端部２４０が表面又は前縁を含み（introduce）、この前縁において材料１２１が受容された時に飛散又は散乱が発生する恐れがあることである。図２Ｂの例では、先端２４６を前縁と考えることができる。この潜在的な問題に対処する１つの技法は、材料１２１の進行方向に対して先端２４６を傾斜させることである。更に、材料１２１との相互作用に利用され得る先端２４６の寸法を縮小することも、飛散を軽減させる可能性がある。例えば、先端２４６の寸法が材料１２１の小滴の直径よりも小さい場合、小滴の一部だけが先端２４６に衝突し、飛散する材料１２１の量は低減する。第２の部分２４５は、これらの技法の一方又は双方を利用して前縁からの飛散を軽減するように実施される。材料１２１の小滴の直径が例えば２０〜３５μｍである実施では、先端２４６は少なくとも１つの方向において７μｍ以下の寸法を有し得る。

[0053] 従って、先端２４６の寸法を少なくとも１つの方向において最小化することで材料１２１の飛散を抑制できる。薄い先端を有する偏向器要素を用いることの潜在的な問題の１つは、先端が壊れやすいこと及び／又は変形しやすいことである。偏向器要素２３３は、機械的ロバスト性のために充分な厚さであるシートから形成することによってこの問題に対処する。シートの厚さは、偏向器要素２３３を溶融金属と共に使用する場合にゆがみにくく、かつ耐破損性があるようなものである。例えば偏向器要素２３３は、表面２５０と２５１との間の厚さを２００μｍ〜３００μｍ又は１００μｍ〜１ミリメートル（ｍｍ）とすればよい。

[0054] 更に、偏向器要素２３３は、表面２４９及び２５０の傾斜の２倍の大きさである有効角（角度２５２）を有する片側面取り部（one-sided chamfer）を有する。表面２４８及び２４９の傾斜は角度２３６である。図２Ｂに示されている実施では、角度２５２は角度２３６の２倍の大きさである。しかしながら、いくつかの実施では、角度２５２は角度２３６の２倍よりも小さくすることができる。言い換えると、角度２５２は、角度２３６の２倍の大きさである角度よりも小さい（より鋭角である）角度としてもよい。角度２５２を角度２３６の２倍の大きさにすると機械的ロバスト性の高い偏向器要素２３３が得られるが、より小さい角度２５２では、性能が向上すると共に材料の反発が大きくなる可能性がある。

[0055] 面取り部は、物体の２つの面の間の遷移縁部である。有効面取り角度（effective chamfer angle）は、入来する材料１２１の小滴と、その小滴の偏向が鏡面反射であると仮定した場合の偏向と、が延出する面内で測定される角度である。図２Ｂにおける光線２６６は、仮定された鏡面反射偏向を示す。この構成において、入来する材料１２１の小滴から見た衝突角（角度２３６）は先端２４６の両側で同一であり、飛散及び散乱は防止されるか又は最小限に抑えられる。第２の部分２４５の実際の面取り角度は、表面２４８（又は表面２４９）及び先端２４６に垂直な面内で測定される角度である。実際の面取り角度は、先端２４６の傾斜のため有効面取り角度よりもはるかに大きく、機械的ロバスト性と製造可能性を保証するよう充分に大きい。角度２３６が５度であり角度２５２が１０度である実施において、実際の面取り角度は約３０度である。このように、偏向器要素２３３は比較的薄い前縁又は先端２４６を有するが、偏向器要素２３３は、製造されて長期間にわたって使用されるには充分に構造的にロバストである。

[0056] 図２Ｃは、レセプタクル２３０において使用される偏向器システム２３２の一例を示す。レセプタクル２３０は、通路２３４を画定すると共にベース部２５５を含む構造である。通路２３４は、Ｘ軸に沿って、ベース部２５５によって画定されるベース内部２６５まで延出している。レセプタクル２３０は端部２３１に開口２３５を有する。ベース部２５５は端部２３９に位置している。開口２３５は通路２３４に結合されている。材料経路１２０に沿って進む材料１２１が開口２３５を通って通路２３４内に入るように、開口２３５は材料経路１２０と重複している。通路２３４に入った材料がベース内部２５６内に流入できるように、ベース内部２５６は通路２３４に結合されている。

[0057] 偏向器システム２３２は、偏向器要素２３３の全て又は少なくともいくつかがベース内部２５６にあるようにベース内部２５６に受容されている。ベース部２５５は、ベース角度２５８に傾斜したベース壁２５７を含む。ベース角度２５８は、通路２３４の縦方向（longitudinal axis）（これは図２Ｃの例ではＸ軸に沿っている）とベース壁２５７とによって形成される角度である。ベース部２５５は側壁２５９も含む。ベース壁２５７と側壁２５９は共にベース内部２５６を形成する。また、側壁２５９はベース内部２５６にリザーバ領域２６０を画定する。

[0058] ベース壁２５７は、側壁２５９の１つから通路２３４の壁２６１までベース角度２５８で延出している。ベース壁２５７は内部ベース壁２６２を有し、これもベース角度２５８で延出している。内部ベース壁２６２は、材料１２１による腐食に耐性のある材料から作製される。例えば材料１２１が溶融スズである実施では、内部ベース壁２６２をタングステン（Ｗ）から又はタングステンでコーティングされた別の材料から作製することができる。

[0059] 稼働使用時、偏向器システム２３２はベース内部２５６において、図２Ａで示されているように角度２５８に配向した状態で位置決めされる。図２Ｃの例では、局所重力ベクトル（ｇ）はＺ方向に平行な方向に沿っている。材料１２１の小滴又はジェットは材料経路１２０を進み、開口２３５を通ってレセプタクル２３０に入る。図２Ａから図２Ｃの例では、材料経路１２０は概ねＸ方向に沿っているが、重力によって小滴又はジェット１２１はＸ方向からわずかに引っ張られる可能性がある。

[0060] 材料１２１は、通路２３４内を進んでベース内部２５６内に入り、ここで偏向器システム２３２と相互作用する。上記で検討したように、偏向器システム２３２の特性は材料１２１の飛散及び散乱を抑制し、材料１２１が開口２３５を通って出ていく可能性を低下させる。更に、開口２３５から比較的遠いベース内部２５６に偏向器システム２３２を配置することで、材料１２１の一部が開口２３５を通ってレセプタクル２３０から出ていく可能性を低下させる。更に、偏向器システム２３２をベース角度２５８に配向することにより、偏向器要素２３３によって散乱される材料１２１の断片、破片（ｐｉｅｃｅｓ）、又は部分を、開口２３５の方へ誘導せずにリザーバ領域２６０内へ誘導することができる。

[0061] レセプタクル２３０は、偏向器システム２３２を使用することができる特定の構成のレセプタクルの一例である。しかしながら、偏向器システム２３２を用いて他の設計のレセプタクルを追加導入することも可能である。例えば、偏向器システム２３２を用いて、ベース壁２５７が通路２３４の縦方向に垂直であるレセプタクルを追加導入することができる。別の例では、通路２３４を含まないので開口２３５が偏向器システム２３２に位置するレセプタクルにおいて、偏向器システム２３２を使用することができる。

[0062] 図３を参照すると、偏向器要素３３３の上面ブロック図が示されている。偏向器要素３３３は偏向器システム１３２又は偏向器システム２３２において使用することができる。偏向器要素３３３は、Ｘ軸に沿って延出する第１の部分３３４を有する。偏向器要素３３３は、図２Ａ及び図２Ｂに関して上記で検討された第２の部分２４５も含む。図３に示されている例では、第２の部分２４５は第１の部分３４４から−Ｘ方向に延出している。図２Ｂの角度２５３と同様の角度は、偏向器要素３３３ではゼロ度である。稼働使用時、偏向器要素３３３は図３に示されているように位置決めすることができ、第１の部分３３４の側面３５０及び３５１、並びに第２の部分の側面２４８及び２４９はＺ軸に沿って延出している面であり、側面２４８、２４９、３５０、及び３５１の表面は局所重力ベクトルｇと実質的に平行である。

[0063] レセプタクル１３０及び２３０は、液相成分を含む材料の散乱又は飛散を抑制することが望まれる任意のシステムにおいて使用できる。例えば、レセプタクル１３０及び２３０はインクジェット印刷システムにおいて使用され得る。別の例では、偏向器システム１３２及び２３２は、水がチューブ内へ誘導され、このチューブが内部に大きい粒子が入るのを防ぐフィルタで保護されているシステムにおいて使用できる。水は、チューブに入る前にフィルタで飛散する可能性がある。しかしながら、水のジェットの伝搬方向に対して傾斜させた偏向器要素を有する偏向器システム１３２及び２３２のような偏向器システムをフィルタと共に含ませるか又はフィルタと共に使用して、飛散する水の量を低減させることにより、フィルタに通す水の量を増大させることができる。本明細書に開示される技法は、固体表面に衝突する液体の小滴又はジェットからの飛散を排除又は低減させることが望ましい任意の用途において使用され得る。そのような用途の例には、インクジェット印刷、燃焼、スプレー冷却、凍結防止、付加製造（additive manufacturing）、及び／又は表面コーティングに関連するプロセス又はこれらを用いるプロセス等の、工業用プロセス及び／又は用途が含まれる。

[0064] 別の例では、レセプタクル１３０又はレセプタクル２３０を極端紫外線（ＥＵＶ）光源において使用することができる。図４は、ＥＵＶ光源４００におけるレセプタクル４３０のブロック図である。レセプタクル４３０は偏向器システム４３２を含む。偏向器システム４３２は、偏向器システム１３２（図１Ａ）又は偏向器システム２３２（図２Ａから図２Ｃ）とすることができる。

[0065] ＥＵＶ光源４００は、ターゲットの流れ４２２を真空チャンバ４０９内のプラズマ形成位置４２３の方へ放出する供給システム４１０を含む。流れ４２２内のターゲットはターゲット経路４２０を進む。ターゲット経路４２０は、流れ４２２内の個々のターゲットが供給システム４１０からプラズマ形成位置４２３まで進む（ターゲットがＥＵＶ光を放出するプラズマに変換された場合）か、又はレセプタクル４３０まで進む（ターゲットがＥＵＶ光を放出するプラズマに変換されることなくプラズマ形成位置４２３を通過する場合）空間経路である。任意の特定位置におけるターゲット材料経路４２０は、その位置で各ターゲットが進んでいる方向である。図４の例において、ターゲット経路４２０はＸ軸に沿って延出している直線の破線として図示されている。しかしながら、ターゲット経路４２０は必ずしも直線でなく、流れ４２２内の各ターゲットでわずかに異なることがある。更に、ターゲット経路４２０はＸ軸に沿った方向以外の方向に延出することも可能である。例えば、供給システム４１０及びレセプタクル４３０を相互に対して図４に示されているものとは異なる構成に配置することができ、この場合、供給システム４１０とレセプタクル４３０との間の経路は図４に示されているものとは異なる。

[0066] 稼働使用時、供給システム４１０は、圧力Ｐのもとにターゲット材料を収容しているリザーバ４１４に流体結合されている。ターゲット材料は、プラズマ状態である場合にＥＵＶ光を放出する任意の材料である。例えばターゲット材料は、水、スズ、リチウム、及び／又はキセノンを含み得る。ターゲット材料は、溶融状態もしくは液体状態であるか、又はその状態の成分を含み得る。流れ４２２内のターゲットは、ターゲット材料又はターゲットの小滴と考えることができる。

[0067] 流れ４２２は個々のターゲットを含み、その中にはプラズマ形成位置４２３にあるターゲット４２１ｐが含まれる。プラズマ形成位置４２３は光ビーム４０６を受容する。光ビーム４０６は光源４０５によって発生され、光路４０７を介して真空チャンバ４０９へ送出される。光ビーム４０６とターゲット４２１ｐ内のターゲット材料との間の相互作用が、ＥＵＶ光を放出するプラズマを生成する。ＥＵＶ光はミラー４０２によって収集され、図５に示されているリソグラフィ装置５００のようなリソグラフィ装置の方へ誘導される。

[0068] 流れ４２２内のターゲットの一部は、ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換されない。例えば、プラズマ形成位置４２３に光ビーム４０６が存在しない時にターゲットがプラズマ形成位置４２３に到達する可能性がある。ＥＵＶ光を放出するプラズマに変換されないターゲットは、プラズマ形成位置４２３を通過し（ターゲット４２１ｄ等）、レセプタクル４３０によって捕捉される。

[0069] レセプタクル４３０は、通路４３４及びベース部４５５を含む。図４の例において、偏向器システム４３２はベース部４５５内にある。通路４３４は端部４３１に開口４３５を含む。ターゲットが開口４３５を通って通路４３４に流入するように、開口４３５はターゲット経路４２０と一致している。通路４３４はベース部４５５の内部に結合されているので、通路内を流れるターゲットは偏向器システム４３２と相互作用し、偏向器システム４３２の構成のため、飛散等により開口４３５を通って出ていく可能性が低くなっている。このように、レセプタクル４３０は未使用のターゲットを捕捉し、これによって、飛散又は散乱した未使用のターゲットからの材料で真空チャンバ４０９内の物体（ミラー４０２等）が汚染されることから保護するのを支援する。

[0070] 図５は、１つの実施に従ったソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置５００を概略的に示す。レセプタクル１３０、２３０、及び４３０は、ソースコレクタモジュールＳＯ内のトラップ６３０（図６）として使用され得るレセプタクルの例である。リソグラフィ装置５００は以下のものを含む。
・放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ
・パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ
・基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続されたサポートテーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ
・パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影レンズシステム）ＰＳ

[0071] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0072] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。

[0073] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0074] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0075] 投影システムＰＳは、照明システムＩＬと同様に、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。従って、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。

[0076] 本明細書で示すように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。

[0077] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0078] 図５を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ光を発生する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有する少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる１つのそのような方法では、必要な線発光元素を有する材料の小滴、流れ、又はクラスタのような燃料を、レーザビームで照射することにより、必要なプラズマを生成できる。ソースコレクタモジュールＳＯは、図５には示されていない、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部とすることができる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて収集される。例えば二酸化炭素（ＣＯ２）レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールは別個の構成要素である可能性がある。

[0079] そのような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて渡される。その他の場合、例えば放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合は、放射源はソースコレクタモジュールの一体部分である可能性がある。

[0080] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えていてもよい。一般に、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。更に、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0081] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

[0082] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0083] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0084] 図６は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置５００の実施を更に詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、このソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造６２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置されている。システムＩＬ及びＰＳも同様にそれら自身の真空環境内に収容されている。レーザ生成ＬＰＰプラズマ源によって、ＥＵＶ放射放出プラズマ２を形成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯの機能は、プラズマ２からのＥＵＶ放射ビーム２０を仮想光源点に合焦させるように送出することである。仮想光源点は一般に中間焦点（ＩＦ）と称される。ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造６２０のアパーチャ６２１に又はその近傍に位置するように構成されている。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２の像である。

[0085] 中間焦点ＩＦにおけるアパーチャ６２１から、放射は、この例ではファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含む照明システムＩＬを横断する。これらのデバイスはいわゆる「フライアイ（fly’s eye）」イルミネータを形成する。これは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布を与えると共に、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与える（参照番号６６０で示されている）ように配置されている。サポート構造（マスクテーブル）ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡでビーム２１が反射されると、パターン付きビーム２６が形成される。このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。基板Ｗ上のターゲット部分Ｃを露光するため、基板テーブルＷＴ及びパターニングデバイステーブルＭＴが同期した移動を行って照明スリットを通してパターニングデバイスＭＡ上のパターンをスキャンすると同時に、放射パルスを発生させる。

[0086] 各システムＩＬ及びＰＳは、閉鎖構造６２０と同様の閉鎖構造によって画定されたそれら自身の真空環境又は近真空（near-vacuum）環境内に配置されている。一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内には、図示するよりも多くの要素が存在し得る。更に、図示するよりも多くのミラーが存在する場合がある。例えば、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には、図６に示すもの以外に１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。

[0087] ソースコレクタモジュールＳＯについて更に詳しく検討すると、レーザ６２３を含むレーザエネルギソースが、ターゲット材料を含む燃料内にレーザエネルギ６２４を堆積するように配置されている。ターゲット材料は、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）等、プラズマ状態でＥＵＶ放射を放出する任意の材料とすればよい。プラズマ２は、数１０電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度に電離したプラズマである。例えばテルビウム（Ｔｂ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のような他の燃料材料によって、より高いエネルギのＥＵＶ放射を発生させることも可能である。これらのイオンの脱励起及び再結合中に発生した高エネルギ放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ３によって収集され、アパーチャ６２１に合焦される。プラズマ２及びアパーチャ６２１は、それぞれコレクタＣＯの第１及び第２の焦点に位置付けられている。

[0088] 図６に示されているコレクタ３は単一の曲面ミラーであるが、コレクタは他の形態をとってもよい。例えばコレクタは、２つの放射収集面を有するシュヴァルツシルトコレクタとしてもよい。一実施形態においてコレクタは、相互に入れ子状になった複数の実質的に円筒形のリフレクタを含む斜入射型コレクタとしてもよい。

[0089] 例えば液体スズである燃料を送出するため、高周波数の小滴の流れ６２８をプラズマ２の所望の位置に向けて発射するよう配置された小滴ジェネレータ６２６が、閉鎖部（enclosure）６２０内に配置されている。動作の際、レーザエネルギ６２４は小滴ジェネレータ６２６の動作と同期して送出され、各燃料小滴をプラズマ２に変えるための放射インパルスを送出する。小滴送出の周波数は数キロヘルツとすることができ、例えば５０ｋＨｚである。実際には、レーザエネルギ６２４は少なくとも２つのパルスで送出される。すなわち、燃料材料を小さいクラウドに気化させるため、限られたエネルギのプレパルスがプラズマ位置に到達する前の小滴へ送出され、次いで、プラズマ２を発生させるため、レーザエネルギのメインパルス６２４が所望の位置のクラウドへ送出される。閉鎖構造６２０の反対側にトラップ６３０（例えばレセプタクル１３０、レセプタクル２３０、又はレセプタクル４３０とすることができる）が設けられ、何らかの理由でプラズマに変わらない燃料を捕捉する。

[0090] 小滴ジェネレータ６２６は、燃料液体（例えば溶融スズ）を収容するリザーバ６０１、フィルタ６６９、及びノズル６０２を備えている。ノズル６０２は、燃料液体の小滴をプラズマ２の形成位置の方へ放出するように構成されている。リザーバ６０１内の圧力とピエゾアクチュエータ（図示せず）によってノズルに加えられる振動との組み合わせによって、燃料液体の小滴をノズル６０２から放出させることができる。

[0091] 当業者に既知のように、装置とその様々なコンポーネント、及び放射ビーム２０、２１、２６のジオメトリ及び挙動を測定及び記述するため、基準軸Ｘ、Ｙ、及びＺを規定することができる。装置の各部分において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の局所基準系（local reference frame）を規定できる。図６の例において、Ｚ軸は、システム内の所与のポイントにおいて光軸Ｏ方向とほぼ一致し、概ねパターニングデバイス（レチクル）ＭＡの面に垂直であると共に基板Ｗの面に垂直である。ソースコレクタモジュールにおいて、Ｘ軸は燃料の流れ６２８の方向とほぼ一致し、Ｙ軸は図６に示されているように、Ｘ軸に直交し、紙面から出ていく方向である。一方、レチクルＭＡを保持するサポート構造ＭＴの近傍において、Ｘ軸は、Ｙ軸と位置合わせされたスキャン方向を概ね横断する。便宜上、図６の概略図のこのエリアでは、Ｘ軸は図示されているように紙面から出ていく方向である。これらの指定は当技術分野において従来からのものであり、本明細書でも便宜的に採用される。原理上、装置及びその挙動を記述するため任意の基準系を選択することができる。

[0092] 典型的な装置においては、全体としてソースコレクタモジュール及びリソグラフィ装置５００の動作に使用される多数の追加コンポーネントが存在するが、ここには図示されていない。これらには、例えばコレクタ３及び他の光学系に損傷を与えるかそれらの性能を低下させる燃料材料の堆積を防止するように、閉鎖された真空内で汚染の効果を低減又は軽減するための構成が含まれる。存在するが詳述しない他の特徴部には、リソグラフィ装置５００の様々なコンポーネント及びサブシステムの制御に関与する全てのセンサ、コントローラ、及びアクチュエータがある。

[0093] 図７を参照すると、ＬＰＰ ＥＵＶ光源７００の実施が示されている。光源７００は、リソグラフィ装置５００におけるソースコレクタモジュールＳＯとして使用できる。更に、光源７００と共に、レセプタクル１３０、２３０、及び４３０のうち任意のものを使用できる。更に、図４の光源４０５を駆動レーザ７１５の一部とすることも可能である。駆動レーザ７１５はレーザ６２３（図６）として使用できる。

[0094] ＬＰＰ ＥＵＶ光源７００は、プラズマ形成位置７０５にあるターゲット混合物７１４を、ビーム経路に沿ってターゲット混合物７１４の方へ進行する増幅光ビーム７１０で照射することによって形成される。図１、図２Ａから図２Ｃ、及び図３に関して検討された材料１２１、並びに図４に関して検討された流れ４２２内のターゲットは、ターゲット混合物７１４であるか又はターゲット混合物７１４を含むことができる。プラズマ形成位置７０５は真空チャンバ７３０の内部７０７にある。増幅光ビーム７１０がターゲット混合物７１４に当たると、ターゲット混合物７１４内のターゲット材料は、ＥＵＶ範囲内に輝線がある元素を有するプラズマ状態に変換される。生成されたプラズマは、ターゲット混合物７１４内のターゲット材料の組成に応じた特定の特徴を有する。これらの特徴は、プラズマによって生成されるＥＵＶ光の波長、並びにプラズマから放出されるデブリの種類及び量を含み得る。

[0095] 光源７００は供給システム７２５も含む。供給システム７２５は、液体小滴、液体流、固体粒子もしくはクラスタ、液体小滴に含まれる固体粒子、又は液体流に含まれる固体粒子の形態であるターゲット混合物７１４を、送出、制御、及び誘導する。ターゲット混合物７１４はターゲット材料を含み、これは例えば、水、スズ、リチウム、キセノン、又は、プラズマ状態に変換された場合にＥＵＶ範囲内に輝線を有する任意の材料である。例えば元素スズは、純粋なスズ（Ｓｎ）として、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４のようなスズ化合物として、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金、又はこれらの合金の組み合わせのようなスズ合金として、使用され得る。ターゲット混合物７１４は、非ターゲット粒子のような不純物も含み得る。従って、不純物が存在しない状況では、ターゲット混合物７１４はターゲット材料でのみ構成される。ターゲット混合物７１４は、供給システム７２５によってチャンバ７３０の内部７０７へ、更にプラズマ形成位置７０５へ送出される。

[0096] 光源７００は駆動レーザシステム７１５を含み、これは、レーザシステム７１５の１又は複数の利得媒質内の反転分布によって増幅光ビーム７１０を生成する。光源７００は、レーザシステム７１５とプラズマ形成位置７０５との間にビームデリバリシステムを含む。ビームデリバリシステムは、ビーム伝送システム７２０及びフォーカスアセンブリ７２２を含む。ビーム伝送システム７２０は、レーザシステム７１５から増幅光ビーム７１０を受光し、必要に応じて増幅光ビーム７１０を方向操作及び変更し、増幅光ビーム７１０をフォーカスアセンブリ７２２に出力する。フォーカスアセンブリ７２２は、増幅光ビーム７１０を受光し、ビーム７１０をプラズマ形成位置７０５に合焦する。

[0097] いくつかの実施においてレーザシステム７１５は、１以上のメインパルスを提供し、場合によっては１以上のプレパルスも提供するための、１以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含み得る。各光増幅器は、所望の波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒質、励起源、及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有する場合も有しない場合もある。従ってレーザシステム７１５は、レーザキャビティが存在しない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒質における反転分布によって増幅光ビーム７１０を生成する。更にレーザシステム７１５は、レーザシステム７１５に充分なフィードバックを与えるレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントなレーザビームである増幅光ビーム７１０を生成できる。「増幅光ビーム」という言葉は、増幅されているだけで必ずしもコヒーレントなレーザ発振でないレーザシステム７１５からの光、及び増幅されていると共にコヒーレントなレーザ発振であるレーザシステム７１５からの光のうち１つ以上を包含する。

[0098] レーザシステム７１５における光増幅器は、利得媒質としてＣＯ２を含む充填ガスを含み、波長が約９１００ｎｍ〜約１１０００ｎｍ、特に約１０６００ｎｍの光を、８００以上の利得で増幅できる。レーザシステム７１５で使用するのに適した増幅器及びレーザは、パルスレーザデバイスを含み得る。これは例えば、ＤＣ又はＲＦ励起によって約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍの放射を生成し、例えば１０ｋＷ以上の比較的高いパワーで、例えば４０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作するパルスガス放電ＣＯ２レーザデバイスである。パルス繰り返し率は、例えば５０ｋＨｚとすることができる。また、レーザシステム７１５における光増幅器は、レーザシステム７１５をもっと高いパワーで動作させる場合に使用され得る水のような冷却システムも含むことができる。

[0099] 光源７００は、増幅光ビーム７１０を通過させてプラズマ形成位置７０５に到達させることができるアパーチャ７４０を有するコレクタミラー７３５を含む。コレクタミラー７３５は例えば、プラズマ形成位置７０５に主焦点を有すると共に中間位置７４５に二次焦点（中間焦点とも呼ばれる）を有する楕円ミラーであり得る。中間位置７４５でＥＵＶ光は光源７００から出力し、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力することができる。光源７００は、端部が開口した中空円錐形シュラウド７５０（例えばガス円錐（gas cone））も含むことができる。これは、コレクタミラー７３５からプラズマ形成位置７０５に向かってテーパ状であり、増幅光ビーム７１０がプラズマ形成位置７０５に到達することを可能としながら、フォーカスアセンブリ７２２及び／又はビーム伝送システム７２０内に入るプラズマ生成デブリの量を低減させる。この目的のため、シュラウドにおいて、プラズマ形成位置７０５の方へ誘導されるガス流を提供することができる。

[0100] 光源７００は、小滴位置検出フィードバックシステム７５６と、レーザ制御システム７５７と、ビーム制御システム７５８と、に接続されているマスタコントローラ７５５も含むことができる。光源７００は１以上のターゲット又は小滴撮像器７６０を含むことができ、これは、例えばプラズマ形成位置７０５に対する小滴の位置を示す出力を与え、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム７５６に提供する。小滴位置検出フィードバックシステム７５６は、例えば小滴の位置及び軌道を計算することができ、それらから小滴ごとに又は平均値として小滴位置誤差が計算され得る。従って、小滴位置検出フィードバックシステム７５６は、小滴位置誤差をマスタコントローラ７５５に対する入力として提供する。従ってマスタコントローラ７５５は、例えばレーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を、例えばレーザタイミング回路の制御に使用するためレーザ制御システム７５７に提供し、及び／又はビーム制御システム７５８に提供して、ビーム伝送システム７２０の増幅光ビームの位置及び整形を制御し、チャンバ７３０内のビーム焦点スポットの位置及び／又は集光力を変化させることができる。

[0101] 供給システム７２５はターゲット材料送出制御システム７２６を含む。ターゲット材料送出制御システム７２６は、マスタコントローラ７５５からの信号に応答して動作可能であり、例えば、ターゲット材料供給装置７２７によって放出される小滴の放出点を変更して、所望のプラズマ形成位置７０５に到達する小滴の誤差を補正する。

[0102] 更に、光源７００は光源検出器７６５及び７７０を含むことができ、これらは、限定ではないが、パルスエネルギ、波長の関数としてのエネルギ分布、特定の波長帯内のエネルギ、特定の波長帯外のエネルギ、ＥＵＶ強度の角度分布、及び／又は平均パワーを含む１つ以上のＥＵＶ光パラメータを測定する。光源検出器７６５は、マスタコントローラ７５５によって使用されるフィードバック信号を発生する。フィードバック信号は、効果的かつ効率的なＥＵＶ光生成のため適切な時に適切な場所で小滴を正確に捕らえるために、例えばレーザパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータの誤差を示すことができる。

[0103] 光源７００は、光源７００の様々な領域を位置合わせするため又は増幅光ビーム７１０をプラズマ形成位置７０５へ方向操作するのを支援するために使用され得るガイドレーザ７７５も含むことができる。ガイドレーザ７７５に関連して、光源７００は、フォーカスアセンブリ７２２内に配置されてガイドレーザ７７５からの光の一部と増幅光ビーム７１０をサンプリングするメトロロジシステム７２４を含む。他の実施では、メトロロジシステム７２４はビーム伝送システム７２０内に配置される。メトロロジシステム７２４は、光のサブセットをサンプリング又は方向転換（re-direct）する光学素子を含むことができ、そのような光学素子は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム７１０のパワーに耐えられる任意の材料から作製される。マスタコントローラ７５５がガイドレーザ７７５からのサンプリングされた光を解析し、この情報を用いてビーム制御システム７５８を介してフォーカスアセンブリ７２２内のコンポーネントを調整するので、メトロロジシステム７２４及びマスタコントローラ７５５からビーム解析システムが形成されている。

[0104] 従って、要約すると、光源７００は増幅光ビーム７１０を生成し、これはビーム経路に沿って誘導されてプラズマ形成位置７０５のターゲット混合物７１４を照射して、混合物７１４内のターゲット材料を、ＥＵＶ範囲内の光を放出するプラズマに変換する。増幅光ビーム７１０は、レーザシステム７１５の設計及び特性に基づいて決定される特定の波長（駆動レーザ波長とも称される）で動作する。更に、ターゲット材料がコヒーレントなレーザ光を生成するために充分なフィードバックをレーザシステム７１５に与える場合、又は駆動レーザシステム７１５がレーザキャビティを形成する適切な光学フィードバックを含む場合、増幅光ビーム７１０はレーザビームであり得る。

[0105] 他の実施も特許請求の範囲の範囲内である。例えば、偏向器システム１３２及び偏向器システム２３２は、当技術分野において既知の任意のサポートによって各レセプタクル１３０及び２３０内に保持することができる。

[0106] 別の例において、図１Ａ及び図１Ｂは、ゼロよりも大きい鋭角として角度１３６を示している。しかしながら、図３に示されているもの等のいくつかの実施では、偏向器要素１３３が材料経路１２０と実質的に平行であるように角度１３６をゼロとしてもよい。そのような実施は、例えば材料経路と実質的に平行に位置合わせされたハチの巣型の構造に比べ、性能の向上を得ることができる。例えば偏向器要素１３３は、双方の端部でＹ−Ｚ面に開口しているが、偏向器要素１３３が相互に距離１３８だけ分離しているため開いたチャネルを形成する平面状構造としてもよい。そのような構成によって、チューブ状又はハチの巣構造に比べて材料が蓄積する表面数が比較的少なくなり、材料１２１の飛散が低減する可能性がある。

[0107] 以下の条項を用いて実施形態を更に記述することができる。
１．ターゲット材料レセプタクルであって、
第１の方向に延出している通路を含む構造であって、通路はターゲット材料経路に沿って進むターゲット材料を受容するように構成されている、構造と、
通路からターゲット材料を受容するように構成され、複数の偏向器要素を含む偏向器システムであって、各偏向器要素はターゲット材料経路に沿って進むターゲット材料例の進行方向に対して第１の鋭角に配向され、偏向器システムにおける各偏向器要素は最も近くにある偏向器要素から第１の方向とは異なる第２の方向に沿ってある距離だけ分離されている、偏向器システムと、
を備えるターゲット材料レセプタクル。
２．構造は、通路に結合された内部を含むベース部を更に備える、条項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
３．偏向器システムの少なくとも一部はベース部の内部に位置決めされ、ベース部の側面は第１の方向に対してベース角度に傾斜しており、ベース部の側面は第２の方向に延出している、条項２に記載のターゲット材料レセプタクル。
４．各偏向器要素は、ターゲット材料経路に対して第１の鋭角に配向された第１の部分と、第１の部分から延出している端部と、を含み、端部はターゲット材料経路に対して実質的に平行に延出している先端を含む、条項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
５．各偏向器要素の端部は表面を含む本体を更に含み、本体の表面はターゲット材料経路に対して第２の鋭角を形成する、条項４に記載のターゲット材料レセプタクル。
６．第２の鋭角は第１の鋭角以下である、条項５に記載のターゲット材料レセプタクル。
７．各偏向器要素の第１の部分は第１の面内に延出しているプレートを含み、プレートは第１の面内における第１の寸法及び第２の面内における第２の寸法を有し、第２の面は第１の面に直交し、第２の寸法は第１の寸法よりも小さい、条項４に記載のターゲット材料レセプタクル。
８．ターゲット材料例は実質的に球形であると共にある直径を有し、各先端はターゲット材料例と相互作用するように構成された表面を有し、先端の表面は少なくとも１つの方向においてターゲット材料例の直径よりも小さい寸法を有する、条項４に記載のターゲット材料レセプタクル。
９．各偏向器要素は、偏向器要素の表面に対するターゲット材料の付着を低減するように構成された少なくとも１つの表面特徴部を含み、表面特徴部は、波形、特定のラフネスを有する領域、酸化領域、溝のパターン、及び／又は偏向器要素の表面の他の部分で用いられる材料とは異なる材料のコーティングを含む、条項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
１０．任意の２つの隣接した偏向器要素間の第２の方向に沿った距離は同一である、条項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
１１．第１の鋭角は偏向器要素の全てについて同一である、条項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
１２．各偏向器要素はプレートであり、プレートのいずれか１つがプレートの他の全てと平行であるように偏向器要素は第２の方向に沿って分離されている、条項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
１３．ターゲット材料レセプタクルは極端紫外線（ＥＵＶ）光源における使用向けに構成され、ターゲット材料はプラズマ状態である場合にＥＵＶ光を放出する材料を含む、条項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
１４．極端紫外線（ＥＵＶ）光源であって、
光ビームを生成するように構成された光源と、
プラズマ形成位置で光ビームを受光するよう構成された容器と、
ターゲット経路に沿ってプラズマ形成位置の方へ進むターゲットを生成するように構成された供給システムと、
ターゲット材料レセプタクルであって、
第１の方向に延出している通路を含む構造であって、通路は、ターゲット経路を進みプラズマ形成位置を通過するターゲットを受容するように位置決めされている、構造と、
通路からターゲット材料を受容するように構成され、複数の偏向器要素を含む偏向器システムであって、各偏向器要素はターゲット材料経路に沿って進む材料例の進行方向に対して第１の鋭角に配向され、偏向器システムにおける各偏向器要素は最も近くにある偏向器要素から第１の方向とは異なる第２の方向に沿ってある距離だけ分離されている、偏向器システムと、
を備えるターゲット材料レセプタクルと、
を備えるＥＵＶ光源。
１５．構造は、通路に結合された内部を含むベース部を更に備える、条項１４に記載のＥＵＶ光源。
１６．偏向器システムの少なくとも一部はベース部の内部に位置決めされ、ベース部の側面は第１の方向に対してベース角度に傾斜しており、ベース部の側面は第２の方向に延出している、条項１４に記載のＥＵＶ光源。
１７．各偏向器要素は、第１の鋭角に配向された第１の部分と、第１の部分から延出している端部と、を含み、端部はターゲット経路に対して実質的に平行に延出している先端を含む、条項１４に記載のＥＵＶ光源。
１８．各偏向器要素の端部は表面を含む本体を更に含み、本体の表面はターゲット方向に対して第２の鋭角を形成する、条項１７に記載のＥＵＶ光源。
１９．第２の鋭角は第１の鋭角以下である、条項１８に記載のＥＵＶ光源。
２０．極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための偏向器システムであって、
複数の偏向器要素であって、各偏向器要素は第１の方向に沿って延出している第１の部分と第１の部分から延出している第２の部分とを含み、第２の部分は第１の部分から先端の方へ延出している１つ以上の表面を含む本体を含む、複数の偏向器要素を備え、
偏向器システムは、第１の方向及びターゲット材料経路が第１の鋭角を形成し、第２の部分の本体の表面のうち少なくとも１つ及びターゲット材料経路が第２の鋭角を形成するように、ＥＵＶ光源の容器内に位置決めされるよう構成され、ターゲット材料経路は容器内でターゲットが進む経路であり、ターゲットはプラズマ状態でＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含み、
第２の鋭角はゼロ度よりも大きい、偏向器システム。
２１．第１の鋭角はゼロ度である、条項２０に記載の偏向器システム。
２２．第１の部分の側面は局所重力ベクトルと実質的に位置合わせされて、ＥＵＶ光源の容器内に位置決めされた場合に各偏向器要素の第１の部分の側面が鉛直の配向を有するようになっている、条項２１に記載の偏向器システム。
２３．第２の鋭角は第１の鋭角以下である、条項２０に記載の偏向器システム。
２４．複数の偏向器要素は、任意の２つの偏向器要素間に開いたチャネルが形成されるように相互に分離されている、条項２０に記載の偏向器システム。
２５．偏向器要素は相互に平行である、条項２４に記載の偏向器システム。

Claims (25)

1. ターゲット材料レセプタクルであって、
   第１の方向に延出している通路を含む構造であって、前記通路はターゲット材料経路に沿って進むターゲット材料を受容するように構成されている、構造と、
   前記通路からターゲット材料を受容するように構成され、複数の偏向器要素を含む偏向器システムであって、各偏向器要素は前記ターゲット材料経路に沿って進む前記ターゲット材料例の進行方向に対して第１の鋭角に配向され、前記偏向器システムにおける各偏向器要素は最も近くにある偏向器要素から前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿ってある距離だけ分離されている、偏向器システムと、
   を備えるターゲット材料レセプタクル。
2. 前記構造は、前記通路に結合された内部を含むベース部を更に備える、請求項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
3. 前記偏向器システムの少なくとも一部は前記ベース部の前記内部に位置決めされ、前記ベース部の側面は前記第１の方向に対してベース角度に傾斜しており、前記ベース部の前記側面は前記第２の方向に延出している、請求項２に記載のターゲット材料レセプタクル。
4. 各偏向器要素は、前記ターゲット材料経路に対して前記第１の鋭角に配向された第１の部分と、前記第１の部分から延出している端部と、を含み、前記端部は前記ターゲット材料経路に対して実質的に平行に延出している先端を含む、請求項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
5. 各偏向器要素の前記端部は表面を含む本体を更に含み、前記本体の表面は前記ターゲット材料経路に対して第２の鋭角を形成する、請求項４に記載のターゲット材料レセプタクル。
6. 前記第２の鋭角は前記第１の鋭角以下である、請求項５に記載のターゲット材料レセプタクル。
7. 各偏向器要素の前記第１の部分は第１の面内に延出しているプレートを含み、前記プレートは前記第１の面内における第１の寸法及び第２の面内における第２の寸法を有し、前記第２の面は前記第１の面に直交し、前記第２の寸法は前記第１の寸法よりも小さい、請求項４に記載のターゲット材料レセプタクル。
8. 前記ターゲット材料例は実質的に球形であると共にある直径を有し、各先端は前記ターゲット材料例と相互作用するように構成された表面を有し、前記先端の前記表面は少なくとも１つの方向において前記ターゲット材料例の前記直径よりも小さい寸法を有する、請求項４に記載のターゲット材料レセプタクル。
9. 各偏向器要素は、前記偏向器要素の表面に対するターゲット材料の付着を低減するように構成された少なくとも１つの表面特徴部を含み、前記表面特徴部は、波形、特定のラフネスを有する領域、酸化領域、溝のパターン、及び／又は前記偏向器要素の前記表面の他の部分で用いられる材料とは異なる材料のコーティングを含む、請求項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
10. 任意の２つの隣接した偏向器要素間の前記第２の方向に沿った距離は同一である、請求項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
11. 前記第１の鋭角は前記偏向器要素の全てについて同一である、請求項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
12. 各偏向器要素はプレートであり、前記プレートのいずれか１つが前記プレートの他の全てと平行であるように前記偏向器要素は前記第２の方向に沿って分離されている、請求項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
13. 前記ターゲット材料レセプタクルは極端紫外線（ＥＵＶ）光源における使用向けに構成され、前記ターゲット材料はプラズマ状態である場合にＥＵＶ光を放出する材料を含む、請求項１に記載のターゲット材料レセプタクル。
14. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源であって、
    光ビームを生成するように構成された光源と、
    プラズマ形成位置で前記光ビームを受光するよう構成された容器と、
    ターゲット経路に沿って前記プラズマ形成位置の方へ進むターゲットを生成するように構成された供給システムと、
    ターゲット材料レセプタクルであって、
    第１の方向に延出している通路を含む構造であって、前記通路は、前記ターゲット経路を進み前記プラズマ形成位置を通過するターゲットを受容するように位置決めされている、構造と、
    前記通路からターゲット材料を受容するように構成され、複数の偏向器要素を含む偏向器システムであって、各偏向器要素は前記ターゲット材料経路に沿って進む前記材料例の進行方向に対して第１の鋭角に配向され、前記偏向器システムにおける各偏向器要素は最も近くにある偏向器要素から前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿ってある距離だけ分離されている、偏向器システムと、
    を備えるターゲット材料レセプタクルと、
    を備えるＥＵＶ光源。
15. 前記構造は、前記通路に結合された内部を含むベース部を更に備える、請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
16. 前記偏向器システムの少なくとも一部は前記ベース部の前記内部に位置決めされ、前記ベース部の側面は前記第１の方向に対してベース角度に傾斜しており、前記ベース部の前記側面は前記第２の方向に延出している、請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
17. 各偏向器要素は、前記第１の鋭角に配向された第１の部分と、前記第１の部分から延出している端部と、を含み、前記端部は前記ターゲット経路に対して実質的に平行に延出している先端を含む、請求項１４に記載のＥＵＶ光源。
18. 各偏向器要素の前記端部は表面を含む本体を更に含み、前記本体の表面は前記ターゲット方向に対して第２の鋭角を形成する、請求項１７に記載のＥＵＶ光源。
19. 前記第２の鋭角は前記第１の鋭角以下である、請求項１８に記載のＥＵＶ光源。
20. 極端紫外線（ＥＵＶ）光源のための偏向器システムであって、
    複数の偏向器要素であって、各偏向器要素は第１の方向に沿って延出している第１の部分と前記第１の部分から延出している第２の部分とを含み、前記第２の部分は前記第１の部分から先端の方へ延出している１つ以上の表面を含む本体を含む、複数の偏向器要素を備え、
    前記偏向器システムは、前記第１の方向及びターゲット材料経路が第１の鋭角を形成し、前記第２の部分の前記本体の前記表面のうち少なくとも１つ及び前記ターゲット材料経路が第２の鋭角を形成するように、前記ＥＵＶ光源の容器内に位置決めされるよう構成され、前記ターゲット材料経路は前記容器内でターゲットが進む経路であり、前記ターゲットはプラズマ状態でＥＵＶ光を放出するターゲット材料を含み、
    前記第２の鋭角はゼロ度よりも大きい、偏向器システム。
21. 前記第１の鋭角はゼロ度である、請求項２０に記載の偏向器システム。
22. 前記第１の部分の側面は局所重力ベクトルと実質的に位置合わせされて、前記ＥＵＶ光源の前記容器内に位置決めされた場合に各偏向器要素の前記第１の部分の前記側面が鉛直の配向を有するようになっている、請求項２１に記載の偏向器システム。
23. 前記第２の鋭角は前記第１の鋭角以下である、請求項２０に記載の偏向器システム。
24. 前記複数の偏向器要素は、任意の２つの偏向器要素間に開いたチャネルが形成されるように相互に分離されている、請求項２０に記載の偏向器システム。
25. 前記偏向器要素は相互に平行である、請求項２４に記載の偏向器システム。