KR20220052600A - 전계발광 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수의 화소배열영역과 상기 다수의 화소배열영역 사이에 배치된 다수의 스캔회로영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 표시패널과; 상기 다수의 스캔회로영역에 형성된 스캔구동회로와; 상기 스캔회로영역에 형성되며, 클럭신호를 전송하는 클럭신호배선과, 상기 클럭신호배선 양측에 각각 배치된 제1,2전압배선을 포함하고, 상기 제1전압배선은, 상기 표시영역에 대응하는 캐소드전극에 공급되는 저전위구동전압을 전송하는 전계발광 표시장치를 제공한다.

Description

전계발광 표시장치{Electroluminescent display device}
본 발명은 전계발광 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 유기발광소자(OLED : Organic Light Emitting Diode)표시장치, 퀀텀닷발광소자(QLED: Quantum Dot Light Emitting-Diode)표시장치, 및 마이크로엘이디(Micro-LED: Micro-Light Emitting Diode)표시장치를 포함하는 전계발광 표시장치(Electroluminescence display device)와 같은 여러가지 평판표시장치(flat display device)가 활용되고 있다.
여기서, 전계발광 표시장치는 소형화, 경량화, 박형화, 저전력 구동의 장점을 가지고 있어 널리 사용되고 있다.
근래들어, 전계발광 표시장치는 GIP(gate in panel) 방식을 이용하여, 게이트 구동회로를 표시영역 양측에 직접 형성하게 된다.
이와 같은 경우에, 표시장치의 베젤의 폭이 증가하게 된다.
본 발명은 GIP 방식을 이용한 전계발광 표시장치에서 베젤의 폭을 감소시켜 내로우베젤을 실현할 수 있는 방안을 제공하는 것에 일 과제가 있다.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 다수의 화소배열영역과 상기 다수의 화소배열영역 사이에 배치된 다수의 스캔회로영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 표시패널과; 상기 다수의 스캔회로영역에 형성된 스캔구동회로와; 상기 스캔회로영역에 형성되며, 클럭신호를 전송하는 클럭신호배선과, 상기 클럭신호배선 양측에 각각 배치된 제1,2전압배선을 포함하고, 상기 제1전압배선은, 상기 표시영역에 대응하는 캐소드전극에 공급되는 저전위구동전압을 전송하는 전계발광 표시장치를 제공한다.
여기서, 상기 제2전압배선은, 상시 스캔구동회로에 공급되는 로우논리전압이나 하이논리전압을 전송할 수 있다.
상기 표시영역을 사이에 두고 서로 반대측에 배치되며, 상기 제1전압배선의 양단에 각각 연결되는 제1,2전원배선을 포함하고, 상기 제1,2전원배선 각각은, 상기 캐소드전극의 제1,2가장자리 부분에 중첩되고 접촉될 수 있다.
상기 화소배열영역은, 상기 표시패널의 각 행라인을 따라 배치된 화소블럭을 포함하고, 상기 화소블럭은, 다수의 화소와 상기 다수의 화소 사이에 배치된 적어도 하나의 공통컨트롤회로블럭을 포함하고, 상기 화소는 서로 다른 컬러를 발광하는 다수의 부화소를 포함하고, 상기 공통컨트롤회로블럭은, 이에 인접한 상기 화소의 다수의 부화소를 공통적으로 제어할 수 있다.
상기 공통컨트롤회로블럭의 폭은, 상기 스캔회로영역의 폭과 동일할 수 있다.
상기 부화소는, 발광다이오드와, 구동트랜지스터를 포함한 다수의 트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 공통컨트롤노드 사이에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고, 상기 공통컨트롤노드는, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에서 출력된 전압을 인가받을 수 있다.
n번째 행라인에 위치하는 상기 부화소의 다수의 트랜지스터는, 제2노드에서 두고 상기 스토리지 커패시터에 연결된 상기 구동트랜지스터와; 상기 n번째 행라인의 게이트배선과 데이터배선에 연결된 제1트랜지스터와; 상기 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 고전위구동전압을 인가받고, 상기 제1트랜지스터와 제1노드에서 연결되는 제2트랜지스터와; 상기 구동트랜지스터의 드레인전극과 게이트전극 사이에 연결된 제3트랜지스터와; n-1번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 초기화전압을 인가받고, 상기 제2노드에 연결된 제4트랜지스터와; 상기 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 상기 구동트랜지스터의 드레인전극과 제3노드에서 연결되고, 상기 발광다이오드와 제4노드에서 연결된 제5트랜지스터와; 상기 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 상기 초기화전압을 인가받고, 상기 제4노드에 연결된 제6트랜지스터를 포함할 수 있다.
n번째 행라인에 위치하는 상기 공통컨트롤회로블럭은, n-1번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 기준전압을 인가받고, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에 연결된 제1공통제어 트랜지스터와; 상기 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 상기 기준전압을 인가받고, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에 연결된 제2공통제어 트랜지스터와; 상기 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 고전위구동전압을 인가받고, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에 연결된 제3공통제어 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 스캔구동회로는, 게이트신호나 발광신호인 스캔신호를 발생시키는 스캔신호발생회로를 포함하고, 상기 스캔신호발생회로는, 순차적으로 상기 스캔신호를 출력하는 다수의 스테이지를 포함할 수 있다.
상기 다수의 스테이지 각각은, 이웃한 2개의 상기 스캔회로영역에 분리되어 구성될 수 있다.
상기 다수의 스테이지 중 일부 스테이지는 이웃한 2개의 상기 스캔회로영역 중 하나에 구성되고, 나머지 스테이지는 상기 이웃한 2개의 상기 스캔회로영역 중 다른 하나에 구성될 수 있다.
상기 발광신호를 발생시키는 스캔신호발생회로의 다수의 스테이지 각각은, 상기 표시패널의 이웃한 2개의 행라인에 공통적으로 인가되는 상기 발광신호를 출력할 수 있다.
이웃한 상기 스캔회로영역 간에 신호를 전달하는 전달배선이 구비될 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 다수의 화소배열영역과 상기 다수의 화소배열영역들 사이에 배치된 다수의 스캔회로영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 표시패널과; 상기 다수의 스캔회로영역에 형성된 스캔구동회로와; 상기 스캔회로영역에 형성되며, 클럭신호를 전송하는 클럭신호배선과, 상기 클럭신호배선 양측에 각각 배치된 제1,2전압배선을 포함하고, 상기 제1,2전압배선에는, 서로 다른 DC 파형의 전압을 전송할 수 있다.
상기 제1전압배선은, 상기 표시영역에 대응하는 캐소드전극에 공급되는 저전위구동전압을 전송할 수 있다.
상기 제2전압배선은, 상시 스캔구동회로에 공급되는 로우논리전압이나 하이논리전압을 전송할 수 있다.
상기 표시영역을 사이에 두고 서로 반대측에 배치되며, 상기 제1전압배선의 양단에 각각 연결되는 제1,2전원배선을 포함하고, 상기 제1,2전원배선 각각은, 상기 캐소드전극의 제1,2가장자리 부분에 중첩되고 접촉될 수 있다.
상기 화소배열영역은, 상기 표시패널의 각 행라인을 따라 배치된 화소블럭을 포함하고, 상기 화소블럭은, 다수의 화소와 상기 다수의 화소 사이에 배치된 적어도 하나의 공통컨트롤회로블럭을 포함하고, 상기 화소는 서로 다른 컬러를 발광하는 다수의 부화소를 포함하고, 상기 공통컨트롤회로블럭은, 이에 인접한 상기 화소의 다수의 부화소를 공통적으로 제어할 수 있다.
상기 공통컨트롤회로블럭의 폭은, 상기 스캔회로영역의 폭과 동일할 수 있다.
상기 부화소는, 발광다이오드와, 구동트랜지스터를 포함한 다수의 트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 공통컨트롤노드 사이에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고, 상기 공통컨트롤노드는, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에서 출력된 전압을 인가받을 수 있다.
본 발명에서는, GIP 방식의 스캔구동회로를 표시영역 내의 다수의 스캔회로영역에 형성할 수 있다. 이에 따라, 비표시영역에 스캔구동회로를 형성하지 않아도 되어 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있게 되므로, 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
더욱이, 스캔회로영역에 저전위구동전압을 전달하는 배선을 배치할 수 있게 된다. 이에 따라, 비표시영역에 저전위구동전압을 전달하는 광폭의 배선을 형성하지 않아도 되어 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있게 되므로, 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
또한, 스캔회로영역에 형성된 클럭신호배선 양측에 클럭신호의 간섭을 차폐할 수 있는 DC 파형의 전압들을 전달하는 배선들을 배치할 수 있다. 이에 따라, 스캔회로영역에 인접한 화소배열영역에 대한 클럭신호의 간섭을 방지하여, 표시품위가 확보될 수 있다.
또한, 화소배열영역에는 화소와 공통컨트롤회로블럭이 교대로 배열된 화소블럭이 배치되며, 스캔회로영역은 배열 순서상 공통컨트롤회로블럭이 배치될 수 있는 영역에 설정될 수 있다. 이에 따라, 스캔구동회로를 위한 별도의 영역을 표시영역 내에 추가로 마련할 필요가 없고, 표시영역 내에서 화소와 이를 구동하는 구동회로인 공통컨트롤회로블럭 및 스캔구동회로가 교대로 배열되는 규칙성이 실질적으로 유지될 수 있어, 표시품위가 확보될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스캔구동회로의 게이트신호발생회로의 개념적 구성을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스캔구동회로의 발광신호발생회로의 개념적 구성을 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스캔구동회로의 게이트신호발생회로 및 발광신호발생회로의 배치 형태의 일예를 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화소블럭의 구성을 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 게이트신호발생회로가 배치된 스캔회로영역을 따라 형성된 신호 배선들을 개략적으로 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광신호발생회로가 배치된 스캔회로영역을 따라 형성된 신호 배선들을 개략적으로 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 캐소드전극과 저전위구동전압을 전송하는 배선들의 일예를 개략적으로 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라, 화소블럭 내의 화소와 공통컨트롤회로블럭의 구조의 일예를 도시한 도면.
도 10은 도 9의 화소 및 공통컨트롤회로블럭을 구동하는 신호들의 파형도.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스캔구동회로의 게이트신호발생회로의 배치 형태의 일예를 개략적으로 도시한 도면.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스캔구동회로의 발광신호발생회로의 배치 형태의 일예를 개략적으로 도시한 도면.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시패널을 개략적으로 도시한 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(10)는 다수의 화소들이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(100)과, 표시패널(100)을 구동하는 패널 구동회로를 포함할 수 있다.
여기서, 표시패널(100)을 구동하는 패널 구동회로는, 데이터구동회로(200)와, 스캔구동회로(500)와, 타이밍제어회로(300)와, 전원공급회로(400)를 포함할 수 있다.
표시패널(100)에 관해 살펴보면, 표시패널(100)은 화소들이 배치되어 영상을 표시하는 표시영역(AA)(또는 액티브영역)과, 표시영역(AA) 외측에 이를 둘러싸는 비표시영역(NA)(또는 비액티브영역)을 포함할 수 있다.
표시영역(AA)에 배치된 각 화소는 서로 다른 컬러를 발광하는 다수의 부화소로 구성될 수 있다. 예를 들면, 각 화소는, 각 행라인 방향을 따라 이웃하게 배치된 적색(R) 부화소, 녹색(G) 부화소, 청색(B) 부화소로 구성될 수 있다. 이와 같은 화소 및 부화소에 대해서는 이하에서 보다 상세하게 설명한다.
그리고, 표시패널(100)에는 화소들(또는 부화소들)을 구동하기 위한 구동신호를 전달하는 각종 신호배선들이 기판 상에 형성될 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 영상신호인 데이터신호(또는 데이터전압)을 전송하는 다수의 데이터배선이 열라인 방향(또는 수직방향 또는 제1방향)을 따라 연장되어 해당 열라인의 부화소에 연결될 수 있다. 또한, 게이트신호를 전송하는 게이트배선이 행라인 방향(또는 수평방향 또는 제2방향)을 따라 연장되어 해당 행라인의 부화소에 연결될 수 있다. 또한, 게이트배선과 평행하게 행라인 방향을 따라 연장되어 발광신호를 전송하는 발광배선이 해당 행라인의 부화소에 연결될 수 있다. 이와 같은 표시패널(100)의 신호배선들에 대해 이하에서 보다 상세하게 설명한다.
타이밍제어회로(300)는 데이터구동회로(200) 및 스캔구동회로(500)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다.
이와 관련하여, 타이밍제어회로(300)는 외부시스템으로부터 입력되는 디지털 데이터신호(Da)를 표시패널(100)의 광학 특성에 부합하게 처리하여 데이터구동회로(200)에 공급할 수 있다.
그리고, 타이밍제어회로(300)는, 외부시스템에으로부터 입력된 수직 동기신호, 수평 동기신호, 클럭신호 및 데이터 인에이블신호 등의 타이밍 신호들에 기초하여, 데이터구동회로(200)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)와, 스캔구동회로(500)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 스캔 제어신호(SCS)를 발생시킬 수 있다.
한편, 전원공급회로(400)는, 전계발광 표시장치(10)의 구성요소들을 구동하기 위한 다양한 전압을 발생시켜 공급할 수 있다. 예를 들면, 스캔구동회로(500)를 구동하기 위한 제1,2논리전압(VGL,VGH)(또는 로우논리전압,하이논리전압)과, 표시패널(100)을 구동하기 위한 제1,2전원전압(VSS,VDD)(또는 저전위구동전압,고전위구동전압)을 발생시켜 출력할 수 있다.
데이터구동회로(200)는 데이터배선을 구동할 수 있다. 이와 관련하여, 데이터구동회로(200)는 데이터 제어신호(DCS)를 기반으로, 디지털 데이터신호(Da)를 아날로그 데이터신호(즉, 데이터전압)로 변환하여 해당 데이터배선에 공급할 수 있다.
이와 같은 데이터구동회로(200)는 IC 형태로 구성될 수 있다. 이와 관련하여, 데이터구동회로(200)는 적어도 하나의 구동IC를 포함할 수 있는데, 본 실시예에서는 다수의 구동IC로 구성된 경우를 예로 든다. 한편, 각 구동IC는 연성회로필름(210)에 실장되어 표시패널(100)에 연결될 수 있다. 이와 다른 예로서, 구동IC는 COG 방식으로서 표시패널(100)의 기판에 직접 실장될 수 있다.
여기서, 연성회로필름(210)에는, 구동IC 외측 부분에 스캔구동회로(500)를 구동하기 위한 제어신호(SCS) 및 전압(VGL,VGH)과 표시패널(100)을 구동하기 위한 전압(VSS,VDD)을 표시패널(100) 측으로 전달하기 위한 배선들이 구비될 수 있다.
스캔구동회로(500)는, 이에 연결된 게이트배선과 발광배선에 대해 해당 스캔신호들을 출력하여 구동할 수 있다. 이와 관련하여, 스캔구동회로(500)는 스캔 제어신호(SCS)를 기반으로 스캔신호들로서 예를 들어 게이트신호와 발광신호를 발생시켜 해당 신호배선에 공급할 수 있다. 이에 대해, 스캔구동회로(500)는 게이트신호를 라인 순차 방식으로 게이트배선에 출력할 수 있고, 발광신호를 라인 순차 방식으로 발광배선에 출력할 수 있다.
이와 같은 스캔구동회로(500)는 표시패널(100)의 어레이기판에 GIP(gate in panel) 방식으로 직접 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에서는, 스캔구동회로(500)는 비표시영역(NA)에 형성되지 않고 표시영역(AA) 내에 분산 배치된 형태로 형성될 수 있다.
이와 관련하여, 표시영역(AA)은 화소가 배열된 영역들인 다수의 화소배열영역(DA)과, 다수의 화소배열영역(DA) 사이에 위치하여 스캔구동회로(500)를 구성하는 영역들인 다수의 스캔회로영역(SA)을 포함할 수 있다.
각 화소배열영역(DA)에는 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소가 위치하여, 화소배열영역(DA)은 실질적으로 영상을 발생시킬 수 있다. 이와 같은 화소배열영역들(DA)은 열라인 방향을 따라 서로 평행하게 연장되며, 행라인 방향을 따라 스캔회로영역(SA)을 사이에 두고 서로 이격되면서 배열될 수 있다.
각 스캔회로영역(SA)은 서로 이웃한 화소배열영역(DA) 사이에 배치되며, 스캔구동회로(500)를 구성하는 일부 회로가 형성될 수 있다. 이와 같은 스캔회로영역들(SA)은 열라인 방향을 따라 서로 평행하게 연장되며, 행라인 방향을 따라 화소배열영역(DA)을 사이에 두고 서로 이격되면서 배열될 수 있다.
이처럼, 표시영역(AA)은, 내부에 스캔회로영역들(SA)이 분산 배치되어, 실질적인 영상 표시영역들인 화소배열영역들(DA)이 분할된 형태를 갖도록 구성될 수 있다.
여기서, 표시영역(AA)에 배치된 다수의 화소배열영역(DA)은 행라인 방향으로의 폭이 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 이와 관련하여, 다수의 화소배열영역(DA)은, 행라인 방향을 따라 배열된 화소의 개수가 동일할 수 있다.
그리고, 표시영역(AA)에 배치된 다수의 스캔회로영역(SA)은 행라인 방향으로의 폭이 실질적으로 동일하게 형성될 수 있다. 그리고, 스캔회로영역(SA)의 이격 간격(또는 피치)이 동일할 수 있으며, 이 경우에 다수의 화소배열영역(DA)의 폭이 실질적으로 서로 동일하게 형성될 수 있다.
위와 같이, 본 실시예에서는 표시영역(AA) 내에 스캔신호를 발생시키는 스캔구동회로(500)를 형성할 수 있다. 이에 따라, 비표시영역(NA)에 스캔구동회로(500)를 형성할 필요가 없게 되므로, 비표시영역(NA)의 폭을 감소시킬 수 있게 되어 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있게 된다.
더욱이, 스캔구동회로(500)는, 스캔신호를 발생시키는 단위 회로인 스캔신호발생회로가 다수의 스캔회로영역(SA)에 걸쳐 다수개가 형성되도록 구성될 수 있다. 이에 대해 예를 들면, 표시영역(AA)에 정의된 m개의 스캔회로영역(SA)에 대해, k개(k는 2 이상 m 이하의 자연수)의 스캔신호발생회로가 형성될 수 있다. 이와 같은 다수의 스캔신호발생회로는, 표시영역(AA) 전체에 걸쳐 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 실질적으로 표시영역(AA)의 행라인 방향에서 위치에 따른 스캔신호의 편차가 감소될 수 있게 됨으로써, 표시영역(AA) 전체에서의 구동 특성의 균일도가 향상되어 표시품위가 향상될 수 있게 된다.
이하, 스캔구동회로(500)의 구성에 관해 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스캔구동회로의 게이트신호발생회로의 개념적 구성을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스캔구동회로의 발광신호발생회로의 개념적 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1과 함께 도 2 및 3을 참조하면, 본 발명의 실시예의 스캔구동회로(500)는, 게이트신호(Vg)를 발생시키는 스캔신호발생회로인 게이트신호발생회로(GC)와, 발광신호(Vem)를 발생시키는 스캔신호발생회로인 발광신호발생회로(EC)를 포함할 수 있다.
먼저, 도 2를 참조하면, 게이트신호발생회로(GC)는, 서로 종속적으로 연결되어 다수의 행라인에 해당 게이트신호(Vg)를 순차적으로 발생시키는 다수의 스테이지(STGg)를 포함할 수 있다. 도 2에서는 설명의 편의를 위해, 일부 행라인들(1번째,2번째,n-1번째,n번째)에 대응되는 스테이지들(STGg[1],STGg[2],STGg[n-1],STGg[n])을 도시하였다.
구체적으로 도시하지는 않았지만, 각 스테이지(STGg)는 다수의 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하여 스캔신호인 게이트신호(Vg)를 출력할 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 각 스테이지(STGg)는, 해당 게이트배선(GL)에 연결된 출력노드(또는 출력단)를 사이에 두고 직렬접속된 Q 트랜지스터 및 Qb 트랜지스터와, Q 트랜지스터 및 Qb 트랜지스터의 스위칭 동작을 제어하는 제어회로를 포함할 수 있다. Q 트랜지스터는 턴온 레벨의 게이트신호(Vg)를 게이트배선(GL)에 출력하며 Qb 트랜지스터는 턴오프 레벨의 게이트신호(Vg)를 게이트배선(GL)에 출력할 수 있다. 일예로, 게이트배선(GL)에 연결된 부화소의 스위칭트랜지스터가 P타입인 경우에, Q 트랜지스터는 로우 레벨의 게이트신호를 출력하고 Qb 트랜지스터는 하이 레벨의 게이트신호를 출력할 수 있다.
각 스테이지(STGg)는, 예를 들면, 전단의 게이트신호(Vg) 출력을 인가받아 이를 스타트신호로 이용할 수 있다. 한편, 1번재 행라인의 스테이지(STGg[1])는 별도의 스타트신호(GVST)를 인가받을 수 있다.
그리고, 스테이지(STGg)는 클럭신호들로서 예를 들면 서로 다른 위상의 제1,2게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)와 서로 반대 위상의 논리전압들인 제1,2논리전압(VGL,VGH)을 인가받을 수 있다.
스테이지(STGg)는, 해당 행라인의 수평주기 동안, 해당 게이트클럭신호를 Q 트랜지스터를 통해 게이트신호(Vg)로 출력할 수 있다. 예를 들면, 1번째 스테이지(STGg[1])는 제1게이트클럭신호(GCLK)를 해당 Q 트랜지스터를 통해 게이트신호(Vg[1])로 출력하고, 2번째 스테이지(STGg[2])는 제2게이트클럭신호(GCLKb)를 해당 Q 트랜지스터를 통해 게이트신호(Vg[2])로 출력할 수 있다.
그리고, 스테이지(STGg)는, 수평주기 이후에는 턴오프 레벨의 전압으로서 제1논리전압(VGL) 또는 제2논리전압(VGH)을 Qb 트랜지스터를 통해 게이트신호(Vg)로 출력할 수 있는데, 이에 관해 예를 들면 게이트배선(GL)에 연결된 부화소의 스위칭트랜지스터가 P타입인 경우 하이논리전압인 제2논리전압(VGH)을 게이트신호(Vg)로 출력할 수 있다.
위와 같이 각 행라인에 해당 게이트신호(Vg)를 발생시키는 게이트신호발생회로(GC)는, 표시영역(AA) 내에 다수가 배치될 수 있다. 즉, 표시영역(AA)에는 다수의 게이트신호발생회로(GC)가 배치될 수 있으며, 이를 위해 표시영역(AA)에는 다수의 게이트신호발생회로(GC)가 형성되는 스캔회로영역들(SA)이 구비될 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하면, 발광신호발생회로(EC)는 게이트신호발생회로(GC)와 유사하게 구성될 수 있다. 이에 대해, 발광신호발생회로(EC)는, 서로 종속적으로 연결되어 다수의 행라인에 해당 발광신호(Vem)를 순차적으로 발생시키는 다수의 스테이지(STGe)를 포함할 수 있다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해, 일부 행라인들(1번째,2번째,n-1번째,n번째)에 대응되는 스테이지들(STGe[1],STGe[2],STGe[n-1],STGe[n])을 도시하였다.
구체적으로 도시하지는 않았지만, 각 스테이지(STGe)는 다수의 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하여 스캔신호인 발광신호(Vem)를 출력할 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 각 스테이지(STGe)는, 해당 발광배선(EL)에 연결된 출력노드(또는 출력단)를 사이에 두고 직렬접속된 Q 트랜지스터 및 Qb 트랜지스터와, Q 트랜지스터 및 Qb 트랜지스터의 스위칭 동작을 제어하는 제어회로를 포함할 수 있다. Q 트랜지스터는 턴온 레벨의 발광신호(Vem)를 발광배선(EL)에 출력하며 Qb 트랜지스터는 턴오프 레벨의 발광신호(Vem)를 발광배선(EL)에 출력할 수 있다. 일예로, 발광배선(EL)에 연결된 부화소의 스위칭트랜지스터가 P타입인 경우에, Q 트랜지스터는 로우 레벨의 발광신호(Vem)를 출력하고 Qb 트랜지스터는 하이 레벨의 발광신호(Vem)를 출력할 수 있다.
각 스테이지(STGe)는, 예를 들면, 전단의 발광신호(Vem) 출력을 인가받아 이를 스타트신호로 이용할 수 있다. 한편, 1번재 행라인의 스테이지(STGe[1])는 별도의 스타트신호(EVST)를 인가받을 수 있다.
그리고, 스테이지(STGe)는 클럭신호들로서 예를 들면 서로 다른 위상의 제1,2발광클럭신호(ECLK,ECLKb)와 서로 반대 위상의 논리전압들인 제1,2논리전압(VGL,VGH)을 인가받을 수 있다.
스테이지(STGe)는, 해당 행라인의 발광구간 동안 턴온 레벨의 전압으로서 제1논리전압(VGL) 및 제2논리전압(VGH) 중 하나를 Q 트랜지스터를 통해 발광신호(Vem)로 출력할 수 있고, 발광구간 이후(즉, 비발광구간)에는 턴오프 레벨의 전압으로서 제1논리전압(VGL) 및 제2논리전압(VGH) 중 다른 하나을 Qb 트랜지스터를 통해 발광신호(Vg)로 출력할 수 있다. 이에 관해 예를 들면, 발광배선(EL)에 연결된 부화소의 스위칭트랜지스터가 P타입인 경우, 발광구간 동안에는 로우논리전압인 제1논리전압(VGL)을 Q 트랜지스터를 통해 출력하고, 비발광구간 동안에는 하이논리전압인 제2논리전압(VGH)을 Qb 트랜지스터를 통해 출력할 수 있다.
위와 같이 각 행라인에 해당 발광신호(Vem)를 발생시키는 발광신호발생회로(EC)는, 표시영역(AA) 내에 다수가 배치될 수 있다. 즉, 표시영역(AA)에는 다수의 발광신호발생회로(EC)가 배치될 수 있으며, 이를 위해 표시영역(AA)에는 다수의 발광신호발생회로(EC)가 형성되는 스캔회로영역들(SA)이 구비될 수 있다.
전술한 게이트신호발생회로(GC)와 발광신호발생회로(EC)의 표시영역(AA)에서의 배치 형태에 대해 살펴본다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스캔구동회로의 게이트신호발생회로 및 발광신호발생회로의 배치 형태의 일예를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 화소블럭의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4에서는, 설명의 편의를 위해, 표시영역(AA) 내에 배치된 하나의 게이트신호발생회로(GC)와 하나의 발광신호발생회로(EC)를 도시하였다. 한편, 도 4에 도시된 배치 형태가 표시영역(AA) 내에서 열라인 방향을 따라 반복되어, 표시영역(AA) 내에 다수의 게이트신호발생회로(GC)와 발광신호발생회로(EC)가 구비될 수 있다.
도 1 내지 3과 함께 도 4를 참조하면, 각 게이트신호발생회로(GC)는 예를 들면 이웃한 다수의 스캔회로영역(SA)에 형성될 수 있고, 각 발광신호발생회로(EC)는 예를 들면 이웃한 다수의 스캔회로영역(SA)에 형성될 수 있다.
이에 관해, 본 실시예에서는 도 4에 도시한 바와 같이, 이웃한 2개의 스캔회로영역(SA)에 게이트신호발생회로(GC)가 형성되고, 이웃한 2개의 스캔회로영역(SA)에 발광신호발생회로(EC)가 형성되며, 게이트신호발생회로(GC)와 발광신호발생회로(EC)는 서로 다른 스캔회로영역(SA)에 형성된 경우를 예로 든다.
게이트신호발생회로(GC)는, 2개의 스캔회로영역(SA)에 분할된 구조로 형성될 수 있다. 이에 관해 예를 들면, 게이트신호발생회로(GC)의 스테이지(STGg)는, 해당 2개의 스캔회로영역(SA)에 분리 형성된 제1,2회로부(Dg1,Dg2)로 구성될 수 있다. 여기서, 본 실시예에서는, 제1회로부(Dg1)에서 해당 스테이지(STGg)의 출력단이 위치하여 게이트신호(Vg)를 해당 게이트배선(GL)에 출력하는 경우를 예로 든다.
게이트신호발생회로(GC)와 유사하게, 발광신호발생회로(GC)는, 2개의 스캔회로영역(SA)에 분할된 구조로 형성될 수 있다. 이에 관해 예를 들면, 발광신호발생회로(EC)의 스테이지(STGe)는, 해당 2개의 스캔회로영역(SA)에 분리 형성된 제1,2회로부(De1,De2)로 구성될 수 있다. 여기서, 본 실시예에서는, 제1회로부(De1)에서 해당 스테이지(STGe)의 출력단이 위치하여 게이트신호(Vg)를 해당 게이트배선(GL)에 출력하는 경우를 예로 든다.
한편, 화소배열영역(DA)에는, 다수의 행라인 각각에 화소블럭(PB)이 배치될 수 있다. 즉, 화소배열영역(DA)에는, 열라인 방향을 따라 다수의 화소블럭(PB)이 배열될 수 있다.
화소블럭(PB)에 관해 도 5를 참조하여 살펴보면, 각 행라인의 화소블럭(PB)에는 행라인 방향을 따라 배열된 다수의 화소(P)가 구비될 수 있다. 그리고, 화소블럭(PB)에는, 이웃한 화소들(P) 사이에 공통컨트롤회로블럭(C)이 배치될 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 화소블럭(PB)에는, i개의 화소들(P)이 배치되고, 이웃한 화소들(P) 사이에 개재된 (i-1)개의 공통컨트롤회로블럭(C)이 배치될 수 있다.
본 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 화소블럭(PB)에 2개의 화소(P)와 이들 사이에 1개의 공통컨트롤회로블럭(C)이 배치된 경우를 예로 든다.
각 화소(P)는, 행라인 방향을 따라 서로 이웃하며 서로 다른 컬러의 다수의 부화소(SP)로 구성될 수 있다. 예를 들면, 화소(P)의 다수의 부화소(SP)는, 적색의 제1부화소(SP1)와 녹색의 제2부화소(SP2)와 청색의 제3부화소(SP3)를 포함할 수 있다.
한편, 화소블럭(PB)의 공통컨트롤회로블럭(C)은, 이에 인접한 화소(P)의 제1-3부화소들(SP1-SP3)에 공통적으로 연결되어 이 부화소들(SP1-SP3)의 스토리지 커패시터들을 공통적으로 제어할 수 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 화소블럭(PB)에 2개의 화소(P)와 1개의 공통컨트롤회로블럭(C)이 배치된 경우, 공통컨트롤회로블럭(C)은 이 양측에 위치하는 2개의 화소(P) 모두(즉 2개의 화소(P)에 배치된 제1-3부화소들(SP1-SP3) 모두)에 공통적으로 연결될 수 있다. 한편, 화소블럭(PB)에 3개 이상의 화소(P)와 화소 개수보다 1개 작은 개수의 공통컨트롤회로블럭(C)이 배치된 경우, 어느 하나의 공통컨트롤회로블럭(C)은 하나의 화소(P)에 연결되고, 나머지 공통컨트롤회로블럭(C) 각각은 이 양측의 화소들(P)에 연결되도록 구성될 수 있다.
위와 같이 구성된 화소블럭(PB)에서, 이의 양측(즉, 좌측 및 우측) 최외곽에는 화소(P)가 배치될 수 있게 된다.
한편, 스캔회로영역(SA)은, 공통컨트롤회로블럭(C)이 배치될 수 있는 영역에 해당된다 할 것이다.
이에 관해, 각 행라인 상에서의 배열 형태를 보면, 화소블럭(PB)과 스캔회로영역(SA)이 교대로 배열되고, 화소블럭(PB)에서는 화소(P)와 공통컨트롤회로블럭(C)이 교대로 배열되면서 양측 최외곽에는 화소(P)가 배치된다. 이러한바, 스캔회로영역(SA)은, 공통컨트롤회로블럭(C)과 마찬가지로 이웃한 2개의 화소(P) 사이에 배치된다 할 것이다.
이에 따라, 공통컨트롤회로블럭(C)은, 그 폭이 실질적으로 스캔회로영역(SA)의 폭과 동일하게 형성될 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에서는, 공통컨트롤회로블럭(C) 영역으로 할당될 수 있는 영역을 스캔회로영역(SA)으로 이용할 수 있게 되어, 스캔구동회로(500)를 위한 별도의 영역을 표시영역(AA) 내에 추가로 마련할 필요가 없다. 또한, 표시영역(AA) 내에서 화소(P)와 이를 구동하는 구동회로(공통컨트롤회로블럭(C)이나 스캔구동회로(500))가 교대 배열되는 규칙성이 실질적으로 유지될 수 있게 되므로, 표시품위가 저하되지 않고 충분히 확보될 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 실시예에서는, 부화소(SP)에 구비된 발광다이오드를 구동하는 구동전압으로서, 발광다이오드의 캐소드 전극에 인가되는 제1전원전압(VSS) 즉 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 전압배선을 스캔회로영역(SA)에 배치할 수 있다. 이에 따라, 표시영역(AA) 양측의 비표시영역(NA)에 저전위구동전압(VSS)을 전송하기 위한 광폭의 전송배선을 형성할 필요가 없게 되므로, 비표시영역(NA)의 폭을 감소시킬 수 있어 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
이와 같은 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 전압배선의 표시영역(NA) 내재화에 관해 살펴본다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 게이트신호발생회로가 배치된 스캔회로영역을 따라 형성된 신호 배선들을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광신호발생회로가 배치된 스캔회로영역을 따라 형성된 신호 배선들을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6 및 7을 살펴보면, 표시영역(NA) 내에 배치된 스캔회로영역(SA)에는, 스캔회로영역(SA)이 연장된 열라인 방향을 따라 신호를 전송하는 다수의 전송배선들이 연장되어 형성될 수 있다.
이와 관련하여 예를 들면, 도 6에 도시한 바와 같이, 게이트신호발생회로(GC)가 배치된 각 스캔회로영역(SA)에는, 게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)를 전송하는 클럭신호배선(CL)과, 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 제1전압배선(PL1)과, 논리전압(VGL,VGH)을 전송하는 제2전압배선(PL2)이 배치될 수 있다.
제1,2게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)를 각각 전송하는 클럭신호배선들(CL)은 서로 다른 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다. 예를 들면 제1게이트클럭신호(GCLK)를 전송하는 클럭신호배선(CL)은 스테이지(STGg)의 제1회로부(Dg1)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있고, 제2게이트클럭신호(GCLKb)를 전송하는 클럭신호배선(CL)은 스테이지(STGg)의 제2회로부(Dg2)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다.
이와 유사하게, 제1,2논리전압(VGL,VGH)을 각각 전송하는 제2전압배선들(PL2)은 서로 다른 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다. 예를 들면 제1논리전압(VGL)을 전송하는 제2전압배선(PL2)은 스테이지(STGg)의 제1회로부(Dg1)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있고, 제2논리전압(VGH)을 전송하는 제2전압배선(PL2)은 스테이지(STGg)의 제2회로부(Dg2)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다.
그리고, 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 제1전압배선(PL1)은, 스테이지(STGg)의 제1회로부(Dg1)가 형성된 스캔회로영역(SA) 및 제2회로부(Dg2)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 모두 배치될 수 있다.
여기서, 본 발명의 실시예에서는, 각 스캔회로영역(SA)에서의 신호 전송배선들의 배치에 있어, 클럭신호배선(CL)이 제1,2전압배선(PL1,PL2) 사이에 배치되도록 구성될 수 있다.
이와 관련하여, 클럭신호배선(CL)을 따라 전송되는 게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)는 주기적으로 위상이 변화하는 펄스 파형으로서 즉 AC 파형의 신호에 해당된다. 이와 같은 AC 파형의 신호는, 스캔회로영역(SA) 양측에 인접한 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)의 구동을 간섭하게 되어, 표시품위가 저하될 수 있다.
이에 대해, 본발명의 실시예에서는, 클럭신호배선(CL)의 양측 각각에, DC 파형을 갖는 전압 신호인 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 제1전압배선(PL1)과, DC 파형을 갖는 전압 신호인 논리전압(VGL,VGH)을 전송하는 제2전압배선(PL2)을 배치하게 된다. 즉, 제1,2전압배선(PL1,PL2) 사이에 클럭신호배선(CL)이 배치된다.
이에 따라, DC 파형의 저전위구동전압(VSS)이 인가된 제1전압배선(PL1)은, 이에 인접 배치된 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)에 대한 게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)의 간섭을 차폐하는 기능을 하게 된다. 마찬가지로, DC 파형의 논리전압(VGL,VGH)이 인가된 제2전압배선(PL2)은, 이에 인접 배치된 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)에 대한 게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)의 간섭을 차폐하는 기능을 하게 된다.
이로 인해, 스캔회로영역(SA)에 인접한 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)에 대한 클럭신호의 구동 간섭이 방지되어, 표시품위가 확보될 수 있게 된다.
한편, 이웃한 스캔회로영역(SA) 간에 신호를 전달하기 위한 전달배선(TL)이 형성될 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 도 6에 도시한 바와 같이 게이트신호발생회로(GC)가 이웃한 스캔회로영역(SA)에 분리되어 구성된 경우에, 스테이지(STGg)의 제1회로부(Dg1)과 제2회로부(Dg2) 사이는 신호 전달을 위해 전기적으로 연결될 필요가 있으며, 이를 위해 전달배선(TL)이 구비될 수 있다.
또한, 스캔구동회로(500) 설계 등에 따라, 제1,2논리전압(VGL,VGH)이 이를 전송하는 제2전압배선(PL2)이 배치된 스캔회로영역(SA)과 다른 스캔회로영역(SA) 내의 회로부에 공급되는 것이 요구되거나, 제1,2게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)가 이를 전송하는 클럭신호배선(CL)이 배치된 스캔회로영역(SA)과 다른 스캔회로영역(SA) 내의 회로부에 공급되는 것이 요구될 수 있으며, 이를 위해 전달배선(TL)이 구비될 수 있다.
위와 같은 전달배선(TL)은 게이트배선(GL)과 평행하게 행라인 방향을 따라 연장될 수 있다.
그리고, 도 7에 도시한 바와 같이, 발광신호발생회로(EC)가 배치된 각 스캔회로영역(SA)은, 게이트신호발생회로(GC)가 배치된 각 스캔회로영역(SA)과 유사하게 구성될 수 있다.
이에 대해, 발광신호발생회로(EC)가 배치된 각 스캔회로영역(SA)에는, 발광클럭신호(ECLK,ECLKb)를 전송하는 클럭신호배선(CL)과, 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 제1전압배선(PL1)과, 논리전압(VGL,VGH)을 전송하는 제2전압배선(PL2)이 배치될 수 있다.
제1,2발광클럭신호(ECLK,ECLKb)를 각각 전송하는 클럭신호배선들(CL)은 서로 다른 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다. 예를 들면 제1발광클럭신호(ECLK)를 전송하는 클럭신호배선(CL)은 스테이지(STGe)의 제1회로부(De1)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있고, 제2발광클럭신호(ECLKb)를 전송하는 클럭신호배선(CL)은 스테이지(STGe)의 제2회로부(De2)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다.
이와 유사하게, 제1,2논리전압(VGL,VGH)을 각각 전송하는 제2전압배선들(PL2)은 서로 다른 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다. 예를 들면 제1논리전압(VGL)을 전송하는 제2전압배선(PL2)은 스테이지(STGe)의 제1회로부(De1)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있고, 제2논리전압(VGH)을 전송하는 제2전압배선(PL2)은 스테이지(STGe)의 제2회로부(De2)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다.
그리고, 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 제1전압배선(PL1)은, 스테이지(STGe)의 제1회로부(De1)가 형성된 스캔회로영역(SA) 및 제2회로부(De2)가 형성된 스캔회로영역(SA)에 모두 배치될 수 있다.
여기서, 본 발명의 실시예에서는, 각 스캔회로영역(SA)에서의 신호 전송배선들의 배치에 있어, 클럭신호배선(CL)이 제1,2전압배선(PL1,PL2) 사이에 배치되도록 구성될 수 있다.
이와 관련하여, 클럭신호배선(CL)을 따라 전송되는 발광클럭신호(ECLK,ECLKb)는 주기적으로 위상이 변화하는 펄스 파형으로서 즉 AC 파형의 신호에 해당된다. 이와 같은 AC 파형의 신호는, 스캔회로영역(SA) 양측에 인접한 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)의 구동을 간섭하게 되어, 표시품위가 저하될 수 있다.
이에 대해, 본발명의 실시예에서는, 클럭신호배선(CL)의 양측 각각에, DC 파형을 갖는 전압 신호인 저전위 구동전압(VSS)을 전송하는 제1전압배선(PL1)과, DC 파형을 갖는 전압 신호인 논리전압(VGL,VGH)을 전송하는 제2전압배선(PL2)을 배치하게 된다. 즉, 제1,2전압배선(PL1,PL2) 사이에 클럭신호배선(CL)이 배치된다.
이에 따라, DC 파형의 저전위구동전압(VSS)이 인가된 제1전압배선(PL1)은, 이에 인접 배치된 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)에 대한 발광클럭신호(ECLK,ECLKb)의 간섭을 차폐하는 기능을 하게 된다. 마찬가지로, DC 파형의 논리전압(VGL,VGH)이 인가된 제2전압배선(PL2)은, 이에 인접 배치된 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)에 대한 발광클럭신호(ECLK,ECLKb)의 간섭을 차폐하는 기능을 하게 된다.
이로 인해, 스캔회로영역(SA)에 인접한 화소블럭(PB) 내의 부화소(SP)에 대한 클럭신호의 구동 간섭이 방지되어, 표시품위가 확보될 수 있게 된다.
한편, 이웃한 스캔회로영역(SA) 사이에 신호를 전달하기 위한 전달배선(TL)이 형성될 수 있다. 이와 관련하여 예를 들면, 도 7에 도시한 바와 같이 발광신호발생회로(EC)가 이웃한 스캔회로영역(SA)에 분리되어 구성된 경우에, 스테이지(STGe)의 제1회로부(De1)과 제2회로부(De2) 사이는 신호 전달을 위해 전기적으로 연결될 필요가 있으며, 이를 위해 전달배선(TL)이 구비될 수 있다.
또한, 스캔구동회로(500) 설계 등에 따라, 제1,2논리전압(VGL,VGH)이 이를 전송하는 제2전압배선(PL2)이 배치된 스캔회로영역(SA)과 다른 스캔회로영역(SA) 내의 회로부에 공급되는 것이 요구되거나, 제1,2발광클럭신호(ECLK,ECLKb)가 이를 전송하는 클럭신호배선(CL)이 배치된 스캔회로영역(SA)과 다른 스캔회로영역(SA) 내의 회로부에 공급되는 것이 요구될 수 있으며, 이를 위해 전달배선(TL)이 구비될 수 있다.
위와 같은 전달배선(TL)은 게이트배선(GL)과 평행하게 행라인 방향을 따라 연장될 수 있다.
위와 같이, 본 발명의 실시예에서는, 표시영역(AA)에 배치된 다수의 스캔회로영역(SA)에 저전위구동전압(VSS)을 전송하는 전압배선(PL1)을 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, 표시영역(AA) 양측의 비표시영역(NA)에 저전위구동전압(VSS)을 전송하기 위한 광폭의 전송배선을 형성할 필요가 없게 되므로, 비표시영역(NA)의 폭을 감소시킬 수 있어 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
이와 관련하여 도 8을 참조하여 살펴본다. 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 캐소드전극과 저전위구동전압을 전송하는 배선들의 일예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 표시패널(100)에는, 표시영역(AA)에 대응하여 캐소드전극(150)이 형성될 수 있다. 캐소드전극(150)은, 예를 들면 표시영역(AA) 전체에 걸쳐 일체로 형성되어, 표시영역(AA)에 배치된 부화소(SP) 전체에 대응할 수 있다.
한편, 표시영역(AA)의 상측 및 하측에 위치하는 비표시영역(NA)에는, 상대적으로 넓은 폭의 배선들인 제1,2전원배선(161,162)이 형성될 수 있다. 제1,2전원배선(161,162)은 열라인 방향인 가로 방향을 따라 연장되도록 형성될 수 있다.
제1전원배선(161)은 전원공급회로(400)에서 출력된 저전위구동전압(VSS)이 입력되는 표시패널(100)의 상측 비표시영역(NA)에 배치되어, 표시패널(100)로 입력된 저전위구동전압(VSS)을 인가받을 수 있다.
제2전원배선(162)은, 제1전원배선(161)의 반대측으로서 표시패널(100)의 하측 비표시영역(NA)에 배치될 수 있다.
표시영역(AA) 내의 다수의 스캔회로영역(SA)에 형성된 다수의 제1전압배선(PL1)은 그 일단(또는 상단)이 제1전원배선(161)에 연결되고, 그 타단(또는 하단)이 제2전원배선(162)에 연결된다.
제1,2전원배선(161,162)은 상대적으로 넓은 폭을 갖도록 형성되는데, 이들 각각의 폭은 각 제1전압배선(PL1)의 폭 보다 넓게 형성될 수 있다.
제1전원배선(161)에 인가된 저전위구동전압(VSS)은, 표시영역(AA) 내의 다수의 스캔회로영역(SA)에 형성된 다수의 제1전압배선(PL1)을 통해 하부 방향으로 전송되어, 제2전원배선(162)에 공급될 수 있다.
제1전원배선(161)에는 적어도 하나의 콘택홀(CHc)이 형성될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2전원배선(166)에는 적어도 하나의 콘택홀(CHc)이 형성될 수 있다.
캐소드전극(150)은 이의 상측 가장자리 부분(또는 제1가장자리 부분)이 제1전원배선(161)과 중첩되도록 연장될 수 있고, 이 상측 가장자리 부분은 콘택홀(CHc)을 통해 하부에 위치하는 제1전원배선(161)에 접촉될 수 있다. 이와 마찬가지로, 캐소드전극(150)은 이의 하측 가장자리 부분(또는 제2가장자리 부분)이 제2전원배선(162)과 중첩될 수 있고, 이 하측 가장자리 부분은 콘택홀(CHc)을 통해 하부에 위치하는 제2전원배선(162)에 접촉될 수 있다.
이에 따라, 캐소드전극(150)은 제1,2전원배선(161,162)에 공급된 저전위구동전압(VSS)을 인가받을 수 있게 된다. 이처럼, 캐소드전극(150)이 상측 가장자리 부분과 하측 가장자리 부분에서 저전위구동전압(VSS)을 인가받을 수 있게 되므로, 표시영역(AA) 내에서 저전위구동전압(VSS)의 위치별 전압 편차 발생(즉, 위치별 저전위구동전압 상승 편차 발생)을 방지할 수 있게 된다. 이로 인해, 저전위구동전압(VSS)의 위치별 편차에 의한 표시품위 저하를 방지할 수 있다.
더욱이, 본 발명의 실시예에서는, 저전위구동전압(VSS)의 하측 방향으로의 전송을 위해, 표시영역(AA) 내에 설정된 스캔회로영역(SA)에 전압배선(PL1)을 형성하게 된다.
이에 따라, 저전위전압배선(VSS)을 하측 방향으로 전송하기 위해 양측의 비표시영역(NA) 부분에 광폭의 전송배선을 형성할 필요가 없다. 즉, 표시영역(AA) 내에 형성된 전압배선들(PL1)이, 비표시영역(NA)의 광폭의 전송배선을 대체할 수 있다.
따라서, 비표시영역(NA)의 폭을 감소시킬 수 있게 되어, 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
이러한바, 표시장치가 대면적화 되더라도, 표시영역(AA)에서 저전위구동전압(VSS)을 균일화하면서 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있게 된다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 화소블럭(PB) 내의 화소(P)와 공통컨트롤회로블럭(C)의 구조의 예에 대해 설명한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라, 화소블럭 내의 화소와 공통컨트롤회로블럭의 구조의 일예를 도시한 도면이다. 도 10은 도 9의 화소 및 공통컨트롤회로블럭을 구동하는 신호들의 파형도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화소블럭(PB)은, 행라인 방향을 따라 배열된 다수의 화소(P)와, 이웃한 화소(P) 사이에 배치된 공통컨트롤회로블럭(C)을 포함하여 구성될 수 있다.
본 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, 화소블럭(PB)으로서 2개의 화소(P)와 이들 사이에 1개의 공통컨트롤회로블럭(C)이 배치된 경우를 예로 들며, 이 화소블럭(PB)이 배치된 행라인을 n번째 행라인이라 한다.
각 화소(P)는, 행라인 방향을 따라 서로 이웃하며 서로 다른 컬러의 다수의 부화소(SP)로 구성될 수 있다. 예를 들면, 화소(P)의 다수의 부화소(SP)는, 적색의 제1부화소(SP1)와 녹색의 제2부화소(SP2)와 청색의 제3부화소(SP3)를 포함할 수 있다.
공통컨트롤회로블럭(C)은, 이에 인접한 화소(P)의 제1-3부화소들(SP1-SP3)에 공통적으로 연결되어 이 부화소들(SP1-SP3)의 스토리지 커패시터들(Cst)을 공통적으로 제어할 수 있다.
각 부화소(SP)의 구조와 관련하여, 본 실시예에서는, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압을 보상하기 위해 내부 보상 구조가 적용될 수 있으며 이에 관해 7T1C 구조로 구성된 경우를 예로 든다.
이에 대해, 각 부화소(SP)는, 구동소자들로서 스위칭트랜지스터에 해당되는 제1-6트랜지스터(T1-T6)와, 구동트랜지스터(DT)와, 스토리지 커패시터(Cst)를 구비할 수 있다. 그리고, 각 부화소(SP)는, 구동소자들에 의해 구동되는 발광소자인 발광다이오드(OD)를 구비할 수 있다.
여기서, 설명의 편의를 위해, 부화소(SP)의 트랜지스터들(T1-T6,DT)은 P타입으로 구성된 경우를 예로 든다. 다른 예로서, 부화소(SP)의 트랜지스터들(T1-T6,DT)은 N타입으로 구성될 수 있다.
제1트랜지스터(T1)는 게이트전극이 해당 행라인으로서 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 소스전극이 해당 데이터배선(DL)에 연결되고, 드레인전극이 제1노드(N1) 즉 제2트랜지스터(T2)의 드레인전극 및 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 연결될 수 있다.
이와 같은 제1트랜지스터(T1)는 해당 n번째 행라인의 게이트신호(Vg[n])에 응답하여 턴온되고, 이에 따라 데이터배선(DL)을 통해 제공된 데이터신호(Vda)가 제1노드(N1)에 인가될 수 있게 된다.
제2트랜지스터(T2)는 게이트전극이 해당 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 소스전극이 제2전원전압인 고전위구동전압(VDD)을 인가받고, 드레인전극이 제1노드(N1)에 연결될 수 있다.
이와 같은 제2트랜지스터(T2)는 해당 n번째 행라인의 발광신호(Vem[n])에 응답하여 턴온되고, 이에 따라 고전위구동전압(VDD)이 제1노드(N1)에 인가될 수 있게 된다.
제3트랜지스터(T3)는 게이트전극이 해당 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 소스전극이 구동트랜지스터(DT)의 드레인전극 및 제5트랜지스터(T5)의 소스전극 즉 제3노드(N3)에 연결되고, 드레인전극이 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극 및 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극 즉 제2노드(N2)에 연결될 수 있다.
이와 같은 제3트랜지스터(T3)는 해당 n번째 행라인의 게이트신호(Vg[n])에 응답하여 턴온되고, 이에 따라 구동트랜지스터(DT)는 다이오드 커넥션 상태가 될 수 있다.
제4트랜지스터(T4)는 게이트전극이 이전 행라인인 n-1번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 소스전극이 초기화전압(Vini)을 인가받을 수 있고, 드레인전극이 제2노드(N2)에 연결될 수 있다.
이와 같은 제4트랜지스터(T4)는 n-1번째 행라인의 게이트신호(Vg[n-1])에 응답하여 턴온되고, 이에 따라 제2노드(N2) 즉 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극은 초기화전압(Vini)으로 초기화될 수 있다.
제5트랜지스터(T5)는 게이트전극이 해당 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 소스전극이 제3노드(N3)에 연결되고, 드레인전극이 발광다이오드(OD) 및 제6트랜지스터(T6)의 드레인전극 즉 제4노드(N4)에 연결될 수 있다.
이와 같은 제5트랜지스터(T5)는 해당 n번째 행라인의 발광신호(Vem[n])에 응답하여 턴온되고, 이에 따라 구동트랜지스터(DT)를 통해 발생된 발광구동전류를 발광다이오드(OD)에 인가하여 발광다이오드(OD)가 발광할 수 있다.
제6트랜지스터(T6)는 게이트전극이 해당 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 소스전극이 초기화전압(Vini)을 인가받고, 드레인전극이 제4노드(N4)에 연결될 수 있다.
이와 같은 제6트랜지스터(T6)는 해당 n번째 행라인의 게이트신호(Vg[n])에 응답하여 턴온되고, 이에 따라 제4노드(N2) 즉 발광다이오드(OD)는 초기화전압(Vini)으로 초기화될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는, 제1전극이 제2노드(N2)에 연결되고, 제2전극이 공통컨트롤노드(Nc)에 연결될 수 있다. 공통컨트롤노드(Nc)는 공통컨트롤회로블럭(C)의 전압 출력단에 연결된다.
공통컨트롤회로블럭(C)은 이에 연결된 화소(P)에 배치된 부화소들(SP)의 공통컨트롤노드들(Nc)에 공통적으로 접속됨으로써, 화소(P)의 부화소들(SP)은 공통컨트롤회로블럭(C)의 출력단에서 출력되는 출력전압을 공통적으로 인가받아 제어될 수 있게 된다.
이에 관해, 공통컨트롤회로블럭(C)은, 다수의 스위칭트랜지스터들로서 예를 들어 제1-3공통제어 트랜지스터(Tc1-Tc3)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서는, 제1-3공통제어 트랜지스터(Tc1-Tc3)가 P타입으로 구성된 경우를 예로 든다. 다른 예로서, 부화소(SP)의 트랜지스터들(T1-Tc3)은 N타입으로 구성될 수 있다.
제1공통제어 트랜지스터(Tc1)와 제2공통제어 트랜지스터(Tc2)는 서로 병렬로 연결될 수 있다.
이에 대해, 제1공통제어 트랜지스터(Tc1)는 게이트전극이 이전 n-1번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 소스전극은 기준전압(Vref)을 인가받을 수 있고, 드레인전극은 공통컨트롤회로블럭(C)의 출력단 즉 부화소(SP)의 공통컨트롤노드(Nc)에 연결될 수 있다.
제2공통제어 트랜지스터(Tc2)는 게이트전극이 해당 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 소스전극은 기준전압(Vref)을 인가받을 수 있고, 드레인전극은 공통컨트롤회로블럭(C)의 출력단 즉 부화소(SP)의 공통컨트롤노드(Nc)에 연결될 수 있다.
이와 같은 경우에, 제1공통제어 트랜지스터(Tc1)는 n-1번째 행라인의 게이트신호(Vg[n-1])에 따라 턴온되고, 이에 따라 기준전압(Vref)을 출력할 수 있다.
제2공통제어 트랜지스터(Tc2)는 n번째 행라인의 게이트신호(Vg[n])에 따라 턴온되고, 이에 따라 기준전압(Vref)을 출력할 수 있다.
이처럼, 이전 행라인의 수평주기 및 현재 행라인의 수평주기 동안, 공통컨트롤회로블럭(C)은 기준전압(Vref)을 출력하도록 동작할 수 있다.
그리고, 제3공통제어 트랜지스터(Tc3)는 게이트전극이 해당 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 소스전극은 고전위구동전압(VDD)을 인가받을 수 있고, 드레인전극은 공통컨트롤회로블럭(C)의 출력단 즉 부화소(SP)의 공통컨트롤노드(Nc)에 연결될 수 있다.
이와 같은 경우에, 제3공통제어 트랜지스터(Tc3)는 n번째 행라인의 발광신호(Vem[n])에 따라 턴온되고, 이에 따라 고전위구동전압(VDD)을 출력할 수 있다.
이와 같이 구성된 공통컨트롤회로블럭(C)을 이용한 화소(P) 내의 부화소들(SP)의 동작에 관해 살펴본다.
본 실시예의 부화소(SP)는, 매 프레임 마다 초기화 기간(t1) 동안 초기화 동작을 하고, 샘플링 기간(t2) 동안 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압 샘플링 동작을 하며, 발광 기간(t3) 동안 발광 동작을 수행할 수 있다.
초기화 동작과 관련하여, 해당 n번째 행라인의 부화소(SP)에 대해, 이전 n-1번째 행라인의 수평주기(H) 동안 초기화 기간(t1)이 설정되어 초기화 동작이 수행될 수 있다.
이 초기화 기간(t1)에서는, n-1번째 행라인의 게이트신호(Vg[n-1])에 의해 부화소(SP)의 제4트랜지스터(T4)는 턴온될 수 있다. 이에 따라, 초기화전압(Vini)이 제2노드(N2)에 인가되어, 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극이 초기화될 수 있다.
한편, 초기화 기간(t1)에서, n-1번째 행라인의 게이트신호(Vg[n-1])에 의해 공통컨트롤회로블럭(C)의 제1공통제어 트랜지스터(Tc1)가 턴온될 수 있다. 이에 따라, 공통컨트롤회로블럭(C)에서 기준전압(Vref)이 출력되어 부화소(SP)의 공통컨트롤노드(Nc)에 인가될 수 있다.
다음으로, 샘플링 동작과 관련하여, n번째 행라인의 수평주기(H) 동안 샘플링 기간(t2)이 설정되어 샘플링 동작이 수행될 수 있다.
이 샘플링 기간(t2)에서는, n번째 행라인의 게이트신호(Vg[n])에 의해 부화소(SP)의 제1,3,6트랜지스터(T1,T3,T6)는 턴온될 수 있다. 이에 따라, 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극 및 드레인전극이 단락 상태 즉 다이오드 커넥션 상태가 되고 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 샘플링되어, 제2노드(N2) 즉 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극에는 데이터전압(Vda) 및 문턱전압(Vth)이 합(Vda+Vth)이 충전될 수 있다. 그리고, 제6트랜지스터(T6)의 턴온에 의해, 초기화전압(Vini)이 제4노드(N4)에 인가되어, 발광다이오드(OD)의 애노드전극이 초기화될 수 있다.
한편, 샘플링 기간(t1)에서, n번째 행라인의 게이트신호(Vg[n])에 의해 공통컨트롤회로블럭(C)의 제2공통제어 트랜지스터(Tc2)가 턴온될 수 있다. 이에 따라, 기준전압(Vref)이 출력되어 부화소(SP)의 공통컨트롤노드(Nc)에 인가될 수 있다.
다음으로, 발광 동작과 관련하여, 샘플링 기간(t2) 완료 후 일정 시간(일예로, n+1번째 행라인의 수평주기) 경과 후 발광 기간(t3)이 설정되어 발광 동작이 수행될 수 있다.
이 발광 기간(t3)에서는, n번째 행라인의 발광신호(Vem[n])에 의해 부화소(SP)의 제2,5트랜지스터(T2,T5)는 턴온될 수 있다. 이에 따라, 제2트랜지스터(T2)의 턴온에 의해 고전위구동전압(VDD)이 제1노드(N1) 즉 구동트랜지스터(DT)의 소스전극에 인가될 수 있다. 그리고, 제5트랜지스터(T5)의 턴온에 의해, 구동트랜지스터(DT)를 통해 발생된 발광구동전류가 발광다이오드(OD)로 인가되어 발광다이오드(OD)가 발광할 수 있다.
한편, 발광 기간(t3)에서, n번째 행라인의 발광신호(Vem[n])에 의해 공통컨트롤회로블럭(C)의 제3공통제어 트랜지스터(Tc3)가 턴온될 수 있다. 이에 따라, 고전위구동전압(VDD)이 출력되어 부화소(SP)의 공통컨트롤노드(Nc)에 인가될 수 있다.
이와 같이 발광 기간(t3)에 공통컨트롤노드(Nc)에 고전위구동전압(VDD)이 인가됨에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1전극이 연결된 제2노드(N2)는 공통컨트롤노드(Nc)의 전압변동량(VDD-Vref) 만큼 전압 변동이 발생하게 된다. 즉, 제2노드(N2)의 전압은, (VDD-Vref+Vda+Vth)가 된다.
이를 기초로, 발광구동전류(Iod)는 아래 수식에 따라 발생할 수 있게 된다.
Iod = K*{Vgs - Vth}2 = K*{((VDD-Vref+Vda+Vth) - VDD) - Vth}2 = {Vda - Vref}2. 여기서, Vgs는 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극과 소스전극 간의 전압차이고, K는 상수이다.
이처럼, 본 발명의 실시예에 따르면, 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 편차를 보상할 수 있고, 또한 고전위구동전압(VDD)의 편차를 보상할 수 있다.
고전위구동전압(VDD)의 편차 보상과 관련하여, 표시패널(100) 내에서 고전위구동전압(VDD)을 전달하는 배선을 따라 전압이 하강하게 되어, 위치에 따라 고전위구동전압(VDD)의 편차가 발생할 수 있게 된다.
이에 대해, 본 발명의 실시예에서는, 공통컨트롤회로블럭(C)을 이용하여 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되는 전압을 공통적으로 제어할 수 있다. 이에 따라, 발광구동전류 발생에 있어 고전위구동전압(VDD) 성분을 제거할 수 있게 되어, 고전위구동전압(VDD) 편차에 기인한 발광 편차를 방지하여 표시품위를 확보할 수 있다.
더욱이, 공통컨트롤회로블럭(C)은 화소(P)를 최소 단위로 공통 제어를 수행할 수 있고, 이에 따라 고전위구동전압(VDD) 편차 보상을 위해 부화소 단위로 전압컨트롤회로를 구성하는 경우에 비해 컨트롤회로를 상당한 정도로 절감할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는, 데이터신호(Vda)를 통해 문턱전압(Vth)을 직접 검출할 수 있고, 구동 과정에서 고전위구동전압(VDD)과 기준전압(Vref) 간의 전기적 단락이 방지될 수 있게 되므로, 문턱전압(Vth) 검출 성능이 향상될 수 있게 됩니다.
또한, 도 10의 구동 타이밍을 살펴보면, 이웃한 2개의 행라인(예를 들어, n-1번째 행라인 및 n번째 행라인)에 대한 초기화 기간 및 샘플링 기간이 완료된 후 이 2개의 행라인들에 동일한 발광신호를 인가하여 동시에 발광시키는 것이 가능함을 알 수 있다. 이에 따라, 발광신호발생회로를 2개 행라인을 단위로 구성 가능하게 되므로, 스캔구동회로(500)의 크기를 감소시킬 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, GIP 방식의 스캔구동회로를 표시영역 내의 다수의 스캔회로영역에 형성할 수 있다. 이에 따라, 비표시영역에 스캔구동회로를 형성하지 않아도 되어 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있게 되므로, 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
더욱이, 스캔회로영역에 저전위구동전압을 전달하는 배선을 배치할 수 있게 된다. 이에 따라, 비표시영역에 저전위구동전압을 전달하는 광폭의 배선을 형성하지 않아도 되어 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있게 되므로, 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
또한, 스캔회로영역에 형성된 클럭신호배선 양측에 클럭신호의 간섭을 차폐할 수 있는 DC 파형의 전압들을 전달하는 배선들을 배치할 수 있다. 이에 따라, 스캔회로영역에 인접한 화소배열영역에 대한 클럭신호의 간섭을 방지하여, 표시품위가 확보될 수 있다.
또한, 화소배열영역에는 화소와 공통컨트롤회로블럭이 교대로 배열된 화소블럭이 배치되며, 스캔회로영역은 배열 순서상 공통컨트롤회로블럭이 배치될 수 있는 영역에 설정될 수 있다. 이에 따라, 스캔구동회로를 위한 별도의 영역을 표시영역 내에 추가로 마련할 필요가 없고, 표시영역 내에서 화소와 이를 구동하는 구동회로인 공통컨트롤회로블럭 및 스캔구동회로가 교대로 배열되는 규칙성이 실질적으로 유지될 수 있어, 표시품위가 확보될 수 있다.
이하, 전술한 실시예에서 예로 든 스캔구동회로의 배치 형태와 다른 배치 형태에 대해 설명한다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스캔구동회로의 게이트신호발생회로의 배치 형태의 일예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11에서는, 설명의 편의를 위해, 표시영역(AA) 내에 배치된 하나의 게이트신호발생회로(GC)를 도시하였다. 그리고, 전술한 실시예와 동일유사한 구성들에 대해서는 구체적인 설명을 생략할 수 있다.
도 11을 참조하면, 각 게이트신호발생회로(GC)는 이웃한 다수의 스캔회로영역(SA)에 형성될 수 있는데, 예를 들면 이웃한 2개의 스캔회로영역(SA)에 분산되어 형성될 수 있다. 이에 대해, 게이트신호발생회로(GC)의 일부 스테이지들(STGg)은 2개의 스캔회로영역(SA) 중 하나에 형성되고, 나머지 스테이지들(STGg)은 2개의 스캔회로영역(SA) 중 다른 하나에 형성될 수 있다.
그리고, 게이트신호발생회로(GC)를 구성하는 스테이지들(STGg)에 있어, 2개의 이웃한 행라인 각각에 대응되는 2개의 스테이지들이 2개의 스캔회로영역(SA) 각각에 형성될 수 있다.
이와 관련하여 예를 들면, 1번째 행라인을 구동하는 게이트신호를 발생시키는 1번째 스테이지(STG[1])는 좌측 스캔회로영역(SA)에 배치되고, 2번째 행라인을 구동하는 게이트신호를 발생시키는 2번째 스테이지(STG[2])는 우측 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다. 이와 유사하게, n-1번째 행라인을 구동하는 게이트신호를 발생시키는 n-1번째 스테이지(STG[n-1])는 좌측 스캔회로영역(SA)에 배치되고, n번째 행라인을 구동하는 게이트신호를 발생시키는 n번째 스테이지(STG[n])는 우측 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있다.
이처럼, 본 실시예에서는, 각 스테이지(STGg)가 이웃한 스캔회로영역들(SA)에 분할되어 형성되는 대신에, 각 스테이지(STGg)가 대응되는 하나의 스캔회로영역(SA)에 형성되도록 구성될 수 있다.
이와 같은 경우에, 예를 들면, 각 스테이지(STGg)는 대략 2개의 행라인 영역에 대응되어 형성될 수 있다.
이처럼, 본 실시예에서는, 각 스테이지(STGs)가 대응되는 하나의 스캔회로영역(SA)에 배치될 수 있게 되므로, 전술한 실시예에 비해 회로 설계가 보다 간단할 수 있다.
한편, 본 실시예의 경우에도, 이웃한 스캔회로영역(SA) 사이에 신호를 전달하기 위한 전달배선(TL)이 형성될 수 있다.
이와 관련하여 예를 들면, 전술한 실시예서 언급된 바와 유사하게, 제1,2논리전압(VGL,VGH)이 이를 전송하는 제2전압배선(PL2)이 배치된 스캔회로영역(SA)과 다른 스캔회로영역(SA) 내의 회로(즉, 스테이지)에 공급되는 것이 요구되거나, 제1,2게이트클럭신호(GCLK,GCLKb)가 이를 전송하는 클럭신호배선(CL)이 배치된 스캔회로영역(SA)과 다른 스캔회로영역(SA) 내의 회로(즉, 스테이지)에 공급되는 것이 요구될 수 있으며, 이를 위해 전달배선(TL)이 구비될 수 있다.
한편, 도 11의 배치 형태는, 발광신호발생회로의 배치 형태에 적용될 수 있다. 즉, 다수의 스캔회로영역에 형성된 발광신호발생회로에 대해, 이의 각 스테이지가 대응되는 하나의 스캔회로영역에 형성되도록 구성될 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스캔구동회로의 발광신호발생회로의 배치 형태의 일예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12에서는, 설명의 편의를 위해, 표시영역(AA) 내에 배치된 하나의 발광신호발생회로(EC)를 도시하였다. 그리고, 전술한 실시예들와 동일유사한 구성들에 대해서는 구체적인 설명을 생략할 수 있다.
도 12을 참조하면, 각 발광신호발생회로(EC)는 이웃한 다수의 스캔회로영역(SA)에 형성될 수 있는데, 예를 들면 이웃한 2개의 스캔회로영역(SA)에 분산되어 형성될 수 있다.
발광신호발생회로(EC)를 구성하는 스테이지들(STGe)에 있어, 각 스테이지(STGe)는 2개의 스캔회로영역(SA)에 분리 형성된 제1,2회로부(De1,De2)로 구성될 수 있다.
여기서, 본 실시예에서는, 각 스테이지(STGe)에서 출력된 발광신호가 2개의 이웃한 행라인에 공통적으로 인가될 수 있다. 즉, 2개의 행라인 단위로 1개의 발광신호가 발생되도록 구성되어, 각 스테이지(STGe)에서의 출력은 2개의 행라인을 구동할 수 있다.
이에 대해, 도 9에 도시한 화소 및 공통컨트롤회로블럭을 사용하는 경우에, 앞서 언급한 바와 같이, 2개의 이웃한 행라인은 동일한 발광신호를 인가받아 동시에 발광하도록 구성될 수 있다.
이와 같은 구조에 대해, 도 12에서의 발광신호발생회로(EC)로서 2개의 행라인에 대응하여 1개의 스테이지(STGe)가 형성된 발광신호발생회로(EC)가 사용될 수 있다.
이와 같은 경우에, 발광신호발생회로(EC)의 회로수가 대략 절반 정도로 감소될 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시패널을 개략적으로 도시한 도면이다.
본 실시예에서는, 전술한 실시예들와 동일유사한 구성들에 대해 구체적인 설명을 생략할 수 있다.
도 13을 참조하면, 본 실시예의 전계발광 표시장치의 표시패널(100a)은 일반적인(또는 전형적인) 사각형의 형상과는 다른 이형(또는 프리폼(freeform: 자유형))의 형상을 가질 수 있다.
이에 대해, 이형의 표시패널(100a)은, 예를 들면, 상측변, 하측변, 좌측변, 우측변 중 적어도 하나의 측변이 일직선의 형태를 갖지 않는 것으로서, 적어도 하나의 측변의 적어도 일부가 곡률을 갖거나 절곡되는 등의 형태를 가질 수 있다. 도 13에서는, 4개의 측변이 모두 일직선의 형태가 아닌 경우를 예로 들어 도시하였다.
이와 같은 이형의 표시패널(100a)에서는, 행라인 방향 및/또는 열라인 방향에 대해, 위치에 따라 길이가 동일하지 않고 상이할 수 있다. 즉, 위치에 따라 수평해상도 및/또는 수직해상도가 상이할 수 있다. 이에 대해 도 13을 예로 들어 보면, 행라인 방향에서의 길이는 전체적으로 동일하지 않고 상이할 수 있고, 열라인 방향에서의 길이 또한 전체적으로 동일하지 않고 상이할 수 있다.
이와 같은 이형의 표시패녈(100a)에 대해서도, 전술한 실시예들에서와 같이 스캔구동회로(500)가 표시영역(AA) 내에 GIP 방식으로 형성될 수 있다.
이에 대해, 표시영역(AA)은 화소가 배열된 영역들인 다수의 화소배열영역(DA)과, 다수의 화소배열영역(DA) 사이에 위치하여 스캔구동회로(500)를 구성하는 영역들인 다수의 스캔회로영역(SA)을 포함할 수 있다.
각 화소배열영역(DA)에는 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소가 위치하여, 화소배열영역(DA)은 실질적으로 영상을 발생시킬 수 있다. 이와 같은 화소배열영역들(DA)은 열라인 방향을 따라 서로 평행하게 연장되며, 행라인 방향을 따라 스캔회로영역(SA)을 사이에 두고 서로 이격되면서 배열될 수 있다.
각 스캔회로영역(SA)은 서로 이웃한 화소배열영역(DA) 사이에 배치되며, 스캔구동회로(500)를 구성하는 일부 회로가 형성될 수 있다. 이와 같은 스캔회로영역들(SA)은 열라인 방향을 따라 서로 평행하게 연장되며, 행라인 방향을 따라 화소배열영역(DA)을 사이에 두고 서로 이격되면서 배열될 수 있다.
이처럼, 표시영역(AA)은, 내부에 스캔회로영역들(SA)이 분산 배치되어, 실질적인 영상 표시영역들인 화소배열영역들(DA)이 분할된 형태를 갖도록 구성될 수 있다.
본 실시예에서는, 이형의 표시패널(100a)이 사용되고, 이의 표시영역(AA) 또한 표시패널(100a)과 같이 이형을 가질 수 있다.
이에 따라, 행라인에 위치하는 스캔회로영역(SA)의 개수가 위치에 따라 상이할 수 있다. 이에 관해, 표시영역(AA)이 이형을 갖게 됨으로써, 모든 행라인의 길이가 서로 동일하지 않고 위치에 따라 상이할 수 있게 된다. 이에 대해, 도 13을 참조하여 예를 들면, 상대적으로 상측에 위치하는 행라인에 배치된 스캔회로영역(SA)의 개수는, 상대적으로 하측에 위치하는 행라인에 배치된 스캔회로영역(SA)의 개수 보다 많을 수 있다.
이러한바, 행라인의 위치에 따라 게이트신호발생회로 및 발광신호발생회로의 개수가 상이할 수 있다.
한편, 스캔회로영역(SA)에는, 전술한 실시예들에서와 같이, 클럭신호를 전송하는 클럭신호배선(CL)이 배치될 수 있다. 이 클럭신호배선(CL)을 통해, 해당 스캔회로영역(SA)에 배치된 게이트신호발생회로나 발광신호발생회로에 해당 클럭신호를 전송할 수 있다.
또한, 스캔회로영역(SA)에는, 전술한 실시예들에서와 같이, DC 파형의 전압을 전송하는 전압배선이 배치될 수 있다. 이에 대해, 저전위구동전압을 전송하는 제1전압배선(PL1)과 논리전압을 전송하는 제2전압배선(PL2)이 클럭신호배선(CL)의 양측에 배치될 수 있다.
위와 같이, 본 실시예의 전계발광 표시장치는 이형의 표시패널(100a)을 구비하며, 이형의 표시패널(100a)은 GIP 방식의 스캔구동회로를 표시영역 내의 다수의 스캔회로영역에 형성할 수 있다.
이에 따라, 스캔구동회로가 비표시영역에 형성된 이형의 표시패널에서 발생하는 위치에 따른 스캔신호의 편차 및 휘도 편차를 방지할 수 있게 되며, 또한 내로우베젤이 구현될 수 있게 됨으로써 표시패널은 제약 없이 요구되는 다양한 형상으로 형성될 수 있게 된다.
한편, 구체적으로 설명하지 않았으나, 전술한 실시예들의 전계발광 표시장치의 구성들은, 본 실시예의 전계발광 표시장치에 동일유사하게 적용될 수 있음은 자명하다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, GIP 방식의 스캔구동회로를 표시영역 내의 다수의 스캔회로영역에 형성할 수 있다. 이에 따라, 비표시영역에 스캔구동회로를 형성하지 않아도 되어 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있게 되므로, 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
더욱이, 스캔회로영역에 저전위구동전압을 전달하는 배선을 배치할 수 있게 된다. 이에 따라, 비표시영역에 저전위구동전압을 전달하는 광폭의 배선을 형성하지 않아도 되어 비표시영역의 폭을 감소시킬 수 있게 되므로, 내로우베젤을 효과적으로 실현할 수 있다.
또한, 스캔회로영역에 형성된 클럭신호배선 양측에 클럭신호의 간섭을 차폐할 수 있는 DC 파형의 전압들을 전달하는 배선들을 배치할 수 있다. 이에 따라, 스캔회로영역에 인접한 화소배열영역에 대한 클럭신호의 간섭을 방지하여, 표시품위가 확보될 수 있다.
또한, 화소배열영역에는 화소와 공통컨트롤회로블럭이 교대로 배열된 화소블럭이 배치되며, 스캔회로영역은 배열 순서상 공통컨트롤회로블럭이 배치될 수 있는 영역에 설정될 수 있다. 이에 따라, 스캔구동회로를 위한 별도의 영역을 표시영역 내에 추가로 마련할 필요가 없고, 표시영역 내에서 화소와 이를 구동하는 구동회로인 공통컨트롤회로블럭 및 스캔구동회로가 교대로 배열되는 규칙성이 실질적으로 유지될 수 있어, 표시품위가 확보될 수 있다.
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
10: 전계발광 표시장치 100: 표시패널
200: 데이터구동회로 300: 타이밍제어회로
400: 전원공급회로 500: 스캔구동회로
AA: 표시영역
NA: 비표시영역
DA: 화소배열영역
SA: 스캔회로영역
PB: 화소블럭
P: 화소
SP: 부화소
C: 공통컨트롤회로블럭
GC: 게이트신호발생회로
EC: 발광신호발생회로
VSS: 고전위구동전압
VDD: 저전위구동전압
VGL: 제1논리전압
VGH: 제2논리전압
GCLK: 제1게이트클럭신호
GCLKb: 제2게이트클럭신호
ECLK: 제1발광클럭신호
ECLKb: 제2발광클럭신호

Claims (20)

  1. 다수의 화소배열영역과 상기 다수의 화소배열영역 사이에 배치된 다수의 스캔회로영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 표시패널과;
    상기 다수의 스캔회로영역에 형성된 스캔구동회로와;
    상기 스캔회로영역에 형성되며, 클럭신호를 전송하는 클럭신호배선과, 상기 클럭신호배선 양측에 각각 배치된 제1,2전압배선을 포함하고,
    상기 제1전압배선은, 상기 표시영역에 대응하는 캐소드전극에 공급되는 저전위구동전압을 전송하는
    전계발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2전압배선은, 상시 스캔구동회로에 공급되는 로우논리전압이나 하이논리전압을 전송하는
    전계발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시영역을 사이에 두고 서로 반대측에 배치되며, 상기 제1전압배선의 양단에 각각 연결되는 제1,2전원배선을 포함하고;
    상기 제1,2전원배선 각각은, 상기 캐소드전극의 제1,2가장자리 부분에 중첩되고 접촉되는
    전계발광 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소배열영역은, 상기 표시패널의 각 행라인을 따라 배치된 화소블럭을 포함하고,
    상기 화소블럭은, 다수의 화소와 상기 다수의 화소 사이에 배치된 적어도 하나의 공통컨트롤회로블럭을 포함하고,
    상기 화소는 서로 다른 컬러를 발광하는 다수의 부화소를 포함하고,
    상기 공통컨트롤회로블럭은, 이에 인접한 상기 화소의 다수의 부화소를 공통적으로 제어하는
    전계발광 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공통컨트롤회로블럭의 폭은, 상기 스캔회로영역의 폭과 동일한
    전계발광 표시장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 부화소는, 발광다이오드와, 구동트랜지스터를 포함한 다수의 트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 공통컨트롤노드 사이에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고,
    상기 공통컨트롤노드는, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에서 출력된 전압을 인가받는
    전계발광 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    n번째 행라인에 위치하는 상기 부화소의 다수의 트랜지스터는,
    제2노드에서 두고 상기 스토리지 커패시터에 연결된 상기 구동트랜지스터와;
    상기 n번째 행라인의 게이트배선과 데이터배선에 연결된 제1트랜지스터와;
    상기 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 고전위구동전압을 인가받고, 상기 제1트랜지스터와 제1노드에서 연결되는 제2트랜지스터와;
    상기 구동트랜지스터의 드레인전극과 게이트전극 사이에 연결된 제3트랜지스터와;
    n-1번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 초기화전압을 인가받고, 상기 제2노드에 연결된 제4트랜지스터와;
    상기 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 상기 구동트랜지스터의 드레인전극과 제3노드에서 연결되고, 상기 발광다이오드와 제4노드에서 연결된 제5트랜지스터와;
    상기 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 상기 초기화전압을 인가받고, 상기 제4노드에 연결된 제6트랜지스터를 포함하는
    전계발광 표시장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    n번째 행라인에 위치하는 상기 공통컨트롤회로블럭은,
    n-1번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 기준전압을 인가받고, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에 연결된 제1공통제어 트랜지스터와;
    상기 n번째 행라인의 게이트배선에 연결되고, 상기 기준전압을 인가받고, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에 연결된 제2공통제어 트랜지스터와;
    상기 n번째 행라인의 발광배선에 연결되고, 고전위구동전압을 인가받고, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에 연결된 제3공통제어 트랜지스터를 포함하는
    전계발광 표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔구동회로는, 게이트신호나 발광신호인 스캔신호를 발생시키는 스캔신호발생회로를 포함하고,
    상기 스캔신호발생회로는, 순차적으로 상기 스캔신호를 출력하는 다수의 스테이지를 포함하는
    전계발광 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 다수의 스테이지 각각은, 이웃한 2개의 상기 스캔회로영역에 분리되어 구성된
    전계발광 표시장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 다수의 스테이지 중 일부 스테이지는 이웃한 2개의 상기 스캔회로영역 중 하나에 구성되고, 나머지 스테이지는 상기 이웃한 2개의 상기 스캔회로영역 중 다른 하나에 구성된
    전계발광 표시장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 발광신호를 발생시키는 스캔신호발생회로의 다수의 스테이지 각각은, 상기 표시패널의 이웃한 2개의 행라인에 공통적으로 인가되는 상기 발광신호를 출력하는
    전계발광 표시장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    이웃한 상기 스캔회로영역 간에 신호를 전달하는 전달배선이 구비된
    전계발광 표시장치.
  14. 다수의 화소배열영역과 상기 다수의 화소배열영역들 사이에 배치된 다수의 스캔회로영역을 포함하는 표시영역과, 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 표시패널과;
    상기 다수의 스캔회로영역에 형성된 스캔구동회로와;
    상기 스캔회로영역에 형성되며, 클럭신호를 전송하는 클럭신호배선과, 상기 클럭신호배선 양측에 각각 배치된 제1,2전압배선을 포함하고,
    상기 제1,2전압배선에는, 서로 다른 DC 파형의 전압을 전송하는
    전계발광 표시장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1전압배선은, 상기 표시영역에 대응하는 캐소드전극에 공급되는 저전위구동전압을 전송하는
    전계발광 표시장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제2전압배선은, 상시 스캔구동회로에 공급되는 로우논리전압이나 하이논리전압을 전송하는
    전계발광 표시장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 표시영역을 사이에 두고 서로 반대측에 배치되며, 상기 제1전압배선의 양단에 각각 연결되는 제1,2전원배선을 포함하고;
    상기 제1,2전원배선 각각은, 상기 캐소드전극의 제1,2가장자리 부분에 중첩되고 접촉되는
    전계발광 표시장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 화소배열영역은, 상기 표시패널의 각 행라인을 따라 배치된 화소블럭을 포함하고,
    상기 화소블럭은, 다수의 화소와 상기 다수의 화소 사이에 배치된 적어도 하나의 공통컨트롤회로블럭을 포함하고,
    상기 화소는 서로 다른 컬러를 발광하는 다수의 부화소를 포함하고,
    상기 공통컨트롤회로블럭은, 이에 인접한 상기 화소의 다수의 부화소를 공통적으로 제어하는
    전계발광 표시장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 공통컨트롤회로블럭의 폭은, 상기 스캔회로영역의 폭과 동일한
    전계발광 표시장치.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 부화소는, 발광다이오드와, 구동트랜지스터를 포함한 다수의 트랜지스터와, 상기 구동트랜지스터의 게이트전극과 공통컨트롤노드 사이에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고,
    상기 공통컨트롤노드는, 상기 공통컨트롤회로블럭의 출력단에서 출력된 전압을 인가받는
    전계발광 표시장치.
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