KR20220024599A

KR20220024599A - 표면 처리제

Info

Publication number: KR20220024599A
Application number: KR1020227001466A
Authority: KR
Inventors: 다카시 노무라; 마사토 나이토; 가오리 오자와; 노조미 나카노; 히사시 미츠하시
Original assignee: 다이킨 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2019-07-17
Filing date: 2020-06-23
Publication date: 2022-03-03
Also published as: JP2021152164A; EP4001364A1; EP4001364A4; JP6927373B2; JP2021017581A; US20220135839A1; CN114127206A; WO2021010105A1

Abstract

본 발명은, 불소 함유 실란 화합물 및 금속 화합물을 포함하는 표면 처리제이며, 해당 금속 화합물에 포함되는 금속 원자는 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자인, 표면 처리제를 제공한다.

Description

표면 처리제

본 개시는, 표면 처리제 및 해당 표면 처리제로부터 형성된 층을 갖는 물품에 관한 것이다.

어떤 종의 불소 함유 실란 화합물은, 기재의 표면 처리에 사용하면, 우수한 발수성, 발유성, 방오성 등을 제공할 수 있는 것이 알려져 있다. 불소 함유 실란 화합물을 포함하는 표면 처리제로부터 얻어지는 층(이하, 「표면 처리층」이라고도 함)은, 소위 기능성 박막으로서, 예를 들어 유리, 플라스틱, 섬유, 위생용품, 건축 자재 등 각종 다양한 기재에 실시되어 있다(특허문헌 1 및 2).

일본 특허 공개 제2014-218639호 공보 일본 특허 공개 제2017-082194호 공보

특허문헌 1 또는 특허문헌 2에 기재된 불소 함유 실란 화합물은, 우수한 기능을 갖는 표면 처리층을 부여할 수 있지만, 더 높은 마찰 내구성이나 내약품성을 갖는 표면 처리층이 요구되고 있다.

본 개시는, 마찰 내구성, 내약품성이 보다 높은 표면 처리층을 갖는 물품을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 개시는, 이하의 양태를 포함한다.

[1] 불소 함유 실란 화합물 및 금속 화합물을 포함하는 표면 처리제이며, 해당 금속 화합물에 포함되는 금속 원자는 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자인, 표면 처리제.

[2] 상기 불소 함유 실란 화합물은 하기 식 (1) 또는 (2):

[식 중:

R^F1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 Rf¹-R^F-O_q-이며;

R^F2는 -Rf² _p-R^F-O_q-이며;

Rf¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-16알킬기이며;

Rf²는 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-6알킬렌기이며;

R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2가의 플루오로폴리에테르기이며;

p는 0 또는 1이며;

q는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 또는 1이며;

R^Si는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기, 가수 분해성기, 수소 원자 또는 1가의 유기기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이며;

적어도 하나의 R^Si는 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이며;

X^A는 각각 독립적으로 단결합 또는 2 내지 10가의 유기기이며;

α는 1 내지 9의 정수이며;

β는 1 내지 9의 정수이며;

γ는 각각 독립적으로 1 내지 9의 정수이다.]

로 표시되는 적어도 1종의 플루오로폴리에테르기 함유 화합물인, 상기 [1]에 기재된 표면 처리제.

[3] Rf¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 C_1-16퍼플루오로알킬기이며,

Rf²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 C_1-6퍼플루오로알킬렌기인,

상기 [2]에 기재된 표면 처리제.

[4] R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 식:

[식 중, R^Fa는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 염소 원자이며,

a, b, c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 200의 정수이며, a, b, c, d, e 및 f의 합은 1 이상이며, a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]

로 표시되는 기인, 상기 [2] 또는 [3]에 기재된 표면 처리제.

[5] R^Fa는 불소 원자인, 상기 [4]에 기재된 표면 처리제.

[6] R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 하기 식 (f1), (f2), (f3), (f4) 또는 (f5):

[식 중, d는 1 내지 200의 정수이다.],

[식 중, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며;

e 및 f는 각각 독립적으로 1 내지 200의 정수이며;

c, d, e 및 f의 합은 10 내지 200의 정수이며;

첨자 c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.],

[식 중, R⁶은 OCF₂ 또는 OC₂F₄이며;

R⁷은 OC₂F₄, OC₃F₆, OC₄F₈, OC₅F₁₀ 및 OC₆F₁₂로부터 선택되는 기이거나, 혹은 이들 기로부터 선택되는 2 또는 3개의 기의 조합이며;

g는 2 내지 100의 정수이다.],

[식 중, e는 1 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d 및 f는 각각 독립적으로 0 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d, e 및 f의 합은 적어도 1이며, 또한 a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]

[식 중, f는 1 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d, e 및 f의 합은 적어도 1이며, 또한 a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]

로 표시되는 기인, 상기 [2] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[7] R^Si는 하기 식 (S1), (S2), (S3) 또는 (S4):

[식 중:

R¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;

R¹²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;

n1은 (SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1) 단위마다 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

X¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 유기기이며;

R¹³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;

t는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2 이상의 정수이며;

R¹⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 -X¹¹-SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1이며;

R¹⁵는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌옥시기이며;

R^a1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z¹-SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1이며;

Z¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;

R²¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^1’-SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’이며;

R²²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;

R²³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;

p1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

q1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

r1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

Z^1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;

R^21’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^1”-SiR^22” _q1”R^23” _r1”이며;

R^22’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;

R^23’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;

p1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

q1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

r1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

Z^1”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;

R^22”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;

R^23”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;

q1”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

r1”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

R^b1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;

R^c1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;

k1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

l1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

m1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

R^d1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z²-CR³¹p₂R³²q₂R³³r₂이며;

Z²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;

R³¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^2’-CR^32’ _q2’R^33’ _r2’이며;

R³²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이며;

R³³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이며;

p2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

q2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

r2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

Z^2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;

R^32’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이며;

R^33’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이며;

q2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

r2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

Z³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;

R³⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;

R³⁵는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;

n2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

R^e1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이며;

R^f1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이며;

k2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

l2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;

m2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.]

로 표시되는 기인, 상기 [2] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[8] α, β 및 γ는 1인, 상기 [2] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[9] X^A는 각각 독립적으로 3가의 유기기이며,

α는 1이면서 β는 2이거나, α는 2이면서 β는 1이며,

γ는 2인,

상기 [2] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[10] 상기 식 (S1)로 표시되는 기는 하기 식 (S1-b):

[식 중, R¹¹, R¹², R¹³, X¹¹, n1 및 t는 상기 식 (S1)의 기재와 동일한 의미이다]

로 표시되는 기인, 상기 [7] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[11] 알코올을 더 함유하는, 상기 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[12] 불소 함유 오일, 실리콘 오일 및 촉매로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 다른 성분을 더 함유하는, 상기 [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[13] 용매를 더 포함하는, 상기 [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[14] 방오성 코팅제 또는 방수성 코팅제로서 사용되는, 상기 [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[15] 진공 증착용인, 상기 [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제.

[16] 상기 [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제를 함유하는, 펠릿.

[17] 기재와, 해당 기재 상에, 상기 [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 표면 처리제로부터 형성된 층을 포함하는 물품.

[18] 기재와, 해당 기재 상에 형성된 표면 처리층을 포함하는 물품이며, 상기 표면 처리층은 불소 함유 실란 화합물로 형성되고, 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자를 포함하는, 물품.

[19] 상기 금속 원자는 표면 처리층 중에, 탄소, 산소, 불소, 규소 및 금속 원자의 합계량에 대하여 0.03 내지 3at％ 포함되는, 상기 [18]에 기재된 물품.

[20] 상기 금속 원자는 Ta, Nb, Zr, Mo, W, Cr, Hf, Al, Ti 및 V로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자인, 상기 [18] 또는 [19]에 기재된 물품.

[21] 상기 금속 원자는 Ta인, 상기 [18] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재된 물품.

[22] 상기 불소 함유 실란 화합물은 하기 식 (1) 또는 (2):

[식 중:

R^F1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 Rf¹-R^F-O_q-이며;

R^F2는 -Rf² _p-R^F-O_q-이며;

p는 0 또는 1이며;

q는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 또는 1이며;

α는 1 내지 9의 정수이며;

β는 1 내지 9의 정수이며;

γ는 각각 독립적으로 1 내지 9의 정수이다.]

로 표시되는 적어도 1종의 플루오로폴리에테르기 함유 화합물인, 상기 [18] 내지 [21] 중 어느 하나에 기재된 물품.

[23] 상기 기재는 유리 기재인, 상기 [17] 내지 [22] 중 어느 하나에 기재된 물품.

[24] 광학 부재인, 상기 [17] 내지 [23] 중 어느 하나에 기재된 물품.

[25] 기재와, 해당 기재 상에 형성된 표면 처리층을 포함하는 물품의 제조 방법이며,

상기 표면 처리층은 불소 함유 실란 화합물로 형성되고, 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자를 포함하고,

상기 기재 상에, 상기 불소 함유 실란 화합물 및 상기 금속 원자를 포함하는 금속 화합물을 포함하는 표면 처리제를 사용하여, 상기 불소 함유 실란 화합물 및 상기 금속 원자를 포함하는 금속 화합물을 증착시켜, 표면 처리층을 형성하는 것

을 포함하는 방법.

본 개시에 의하면, 보다 양호한 마찰 내구성 및 내약품성을 갖는 표면 처리층을 갖는 물품을 제공할 수 있다.

본 명세서에 있어서 사용되는 경우, 「1가의 유기기」란, 탄소를 함유하는 1가의 기를 의미한다. 1가의 유기기로서는 특별히 한정되지 않지만, 탄화수소기 또는 그의 유도체일 수 있다. 탄화수소기의 유도체란, 탄화수소기의 말단 또는 분자쇄 중에, 하나 또는 그 이상의 N, O, S, Si, 아미드, 술포닐, 실록산, 카르보닐, 카르보닐옥시 등을 갖고 있는 기를 의미한다. 또한, 간단히 「유기기」라고 나타내는 경우, 1가의 유기기를 의미한다. 또한, 「2 내지 10가의 유기기」란, 탄소를 함유하는 2 내지 10가의 기를 의미한다. 이러한 2 내지 10가의 유기기로서는 특별히 한정되지 않지만, 유기기로부터 또한 1 내지 9개의 수소 원자를 탈리시킨 2 내지 10가의 기를 들 수 있다. 예를 들어, 2가의 유기기로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 유기기로부터 또한 1개의 수소 원자를 탈리시킨 2가의 기를 들 수 있다.

본 명세서에 있어서 사용되는 경우, 「탄화수소기」란, 탄소 및 수소를 포함하는 기이며, 탄화수소로부터 1개의 수소 원자를 탈리시킨 기를 의미한다. 이러한 탄화수소기로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 하나 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-20탄화수소기, 예를 들어 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 등을 들 수 있다. 상기 「지방족 탄화수소기」는 직쇄상, 분지쇄상 또는 환상 중 어느 것이어도 되고, 포화 또는 불포화 중 어느 것이어도 된다. 또한, 탄화수소기는 하나 또는 그 이상의 환 구조를 포함하고 있어도 된다.

본 명세서에 있어서 사용되는 경우, 「탄화수소기」의 치환기로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 할로겐 원자, 1개 또는 그 이상의 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-6알킬기, C_2-6알케닐기, C_2-6알키닐기, C_3-10시클로알킬기, C_3-10 불포화 시클로알킬기, 5 내지 10원의 헤테로시클릴기, 5 내지 10원의 불포화 헤테로시클릴기, C_6-10아릴기 및 5 내지 10원의 헤테로아릴기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 기를 들 수 있다.

본 개시의 표면 처리제는 불소 함유 실란 화합물 및 금속 화합물을 포함한다.

본 개시의 표면 처리제는 불소 함유 실란 화합물에 더하여, 금속 화합물을 더 포함함으로써, 내 마찰성 및 내약품성이 향상된 표면 처리층을 부여할 수 있다.

(불소 함유 실란 화합물)

상기 불소 함유 실란 화합물은 불소를 포함하고, 방오성을 갖는 표면 처리층을 형성할 수 있는 화합물이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 불소 함유 실란 화합물은 하기 식 (1) 또는 (2):

[식 중:

R^F1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 Rf¹-R^F-O_q-이며;

R^F2는 -Rf² _p-R^F-O_q-이며;

p는 0 또는 1이며;

q는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 또는 1이며;

α는 1 내지 9의 정수이며;

β는 1 내지 9의 정수이며;

γ는 각각 독립적으로 1 내지 9의 정수이다.]

로 표시되는 적어도 1종의 플루오로폴리에테르기 함유 화합물이다.

상기 식 (1)에 있어서, R^F1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 Rf¹-R^F-O_q-이다.

상기 식 (2)에 있어서, R^F2는 -Rf² _p-R^F-O_q-이다.

상기 식에 있어서, Rf¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-16알킬기이다.

상기 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-16알킬기에 있어서의 「C_1-16알킬기」는, 직쇄여도 분지쇄여도 되고, 바람직하게는 직쇄 또는 분지쇄의 C_1-6알킬기, 특히 C_1-3알킬기이며, 보다 바람직하게는 직쇄의 C_1-6알킬기, 특히 C_1-3알킬기이다.

상기 Rf¹은 바람직하게는 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있는 C_1-16알킬기이며, 보다 바람직하게는 CF₂H-C_1-15퍼플루오로알킬렌기이며, 더욱 바람직하게는 C_1-16퍼플루오로알킬기이다.

상기 C_1-16퍼플루오로알킬기는 직쇄여도 분지쇄여도 되고, 바람직하게는 직쇄 또는 분지쇄의 C_1-6퍼플루오로알킬기, 특히 C_1-3퍼플루오로알킬기이며, 보다 바람직하게는 직쇄의 C_1-6퍼플루오로알킬기, 특히 C_1-3퍼플루오로알킬기, 구체적으로는 -CF₃, -CF₂CF₃ 또는 -CF₂CF₂CF₃이다.

상기 식에 있어서, Rf²는 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-6알킬렌기이다.

상기 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-6알킬렌기에 있어서의 「C_1-6알킬렌기」는, 직쇄여도 분지쇄여도 되고, 바람직하게는 직쇄 또는 분지쇄의 C_1-3알킬렌기이며, 보다 바람직하게는 직쇄의 C_1-3알킬렌기이다.

상기 Rf²는 바람직하게는 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있는 C_1-6알킬렌기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6퍼플루오로알킬렌기이며, 더욱 바람직하게는 C_1-3퍼플루오로알킬렌기이다.

상기 C_1-6퍼플루오로알킬렌기는 직쇄여도,분지쇄여도 되고, 바람직하게는 직쇄 또는 분지쇄의 C_1-3퍼플루오로알킬렌기이며, 보다 바람직하게는 직쇄의 C_1-3퍼플루오로알킬기, 구체적으로는 -CF₂-, -CF₂CF₂- 또는 -CF₂CF₂CF₂-이다.

상기 식에 있어서, p는 0 또는 1이다. 하나의 양태에 있어서, p는 0이다. 다른 양태에 있어서 p는 1이다.

상기 식에 있어서, q는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 또는 1이다. 하나의 양태에 있어서, q는 0이다. 다른 양태에 있어서 q는 1이다.

상기 식 (1) 및 (2)에 있어서, R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2가의 플루오로폴리에테르기다.

R^F는 바람직하게는 식:

[식 중:

R^Fa는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 염소 원자이며,

a, b, c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 200의 정수이며, a, b, c, d, e 및 f의 합은 1 이상이다. a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다. 단, 모든 R^Fa가 수소 원자 또는 염소 원자인 경우, a, b, c, e 및 f의 적어도 하나는 1 이상이다.]

으로 표시되는 기이다.

R^Fa는 바람직하게는 수소 원자 또는 불소 원자이며, 보다 바람직하게는 불소 원자이다. 단, 모든 R^Fa가 수소 원자 또는 염소 원자인 경우, a, b, c, e 및 f의 적어도 하나는 1 이상이다.

a, b, c, d, e 및 f는 바람직하게는 각각 독립적으로 0 내지 100의 정수이어도 된다.

a, b, c, d, e 및 f의 합은 바람직하게는 5 이상이며, 보다 바람직하게는 10 이상이며, 예를 들어 15 이상 또는 20 이상이어도 된다. a, b, c, d, e 및 f의 합은 바람직하게는 200 이하, 보다 바람직하게는 100 이하, 더욱 바람직하게는 60 이하고, 예를 들어 50 이하 또는 30 이하여도 된다.

이들 반복 단위는 직쇄상이어도 분지쇄상이어도 된다. 예를 들어, -(OC₆F₁₂)-는 -(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-, -(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂CF₂)-, -(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)-, -(OCF₂CF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)-, -(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃)CF₂)-, -(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF(CF₃))- 등이어도 된다. -(OC₅F₁₀)-는 -(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)-, -(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)-, -(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)-, -(OCF₂CF₂CF(CF₃)CF₂)-, -(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃))- 등이어도 된다. -(OC₄F₈)-는 -(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-, -(OCF(CF₃)CF₂CF₂)-, -(OCF₂CF(CF₃)CF₂)-, -(OCF₂CF₂CF(CF₃))-, -(OC(CF₃)₂CF₂)-, -(OCF₂C(CF₃)₂)-, -(OCF(CF₃)CF(CF₃))-, -(OCF(C₂F₅)CF₂)- 및 -(OCF₂CF(C₂F₅))- 중 어느 것이어도 된다. -(OC₃F₆)-(즉, 상기 식 중, R^Fa는 불소 원자임)은, -(OCF₂CF₂CF₂)-, -(OCF(CF₃)CF₂)- 및 -(OCF₂CF(CF₃))- 중 어느 것이어도 된다. -(OC₂F₄)-는 -(OCF₂CF₂)- 및 -(OCF(CF₃))- 중 어느 것이어도 된다.

하나의 양태에 있어서, 상기 반복 단위는 직쇄상이다. 상기 반복 단위를 직쇄상으로 함으로써, 표면 처리층의 표면 미끄럼성, 마찰 내구성 등을 향상시킬 수 있다.

하나의 양태에 있어서, 상기 반복 단위는 분지쇄상이다. 상기 반복 단위를 분지쇄상으로 함으로써, 표면 처리층의 운동 마찰 계수를 크게 할 수 있다.

하나의 양태에 있어서, R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 하기 식 (f1) 내지 (f5) 중 어느 것으로 표시되는 기이다.

[식 중, d는 1 내지 200의 정수이다.];

[식 중, c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 30 이하의 정수이며, e 및 f는 각각 독립적으로 1 이상 200 이하의 정수이며,

c, d, e 및 f의 합은 2 이상이며,

첨자 c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.];

[식 중, R⁶은 OCF₂ 또는 OC₂F₄이며,

R⁷은 OC₂F₄, OC₃F₆, OC₄F₈, OC₅F₁₀ 및 OC₆F₁₂로부터 선택되는 기이거나, 혹은 이들 기로부터 독립적으로부터 선택되는 2 또는 3개의 기의 조합이며,

g는 2 내지 100의 정수이다.];

[식 중, e는 1 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d 및 f는 각각 독립적으로 0 이상 200 이하의 정수이며, 또한 a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]

[식 중, f는 1 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 200 이하의 정수이며, 또한 a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]

상기 식 (f1)에 있어서, d는 바람직하게는 5 내지 200, 보다 바람직하게는 10 내지 100, 더욱 바람직하게는 15 내지 50, 예를 들어 25 내지 35의 정수이다. 상기 식 (f1)은 바람직하게는 -(OCF₂CF₂CF₂)_d- 또는 -(OCF(CF₃)CF₂)_d-로 표시되는 기이며, 보다 바람직하게는 -(OCF₂CF₂CF₂)_d-로 표시되는 기이다.

상기 식 (f2)에 있어서, e 및 f는 각각 독립적으로 바람직하게는 5 내지 200, 보다 바람직하게는 10 내지 200의 정수이다. 또한, c, d, e 및 f의 합은 바람직하게는 5 이상이며, 보다 바람직하게는 10 이상이며, 예를 들어 15 이상 또는 20 이상이어도 된다. 하나의 양태에 있어서, 상기 식 (f2)는 바람직하게는 -(OCF₂CF₂CF₂CF₂)_c-(OCF₂CF₂CF₂)_d-(OCF₂CF₂)_e-(OCF₂)_f-로 표시되는 기이다. 다른 양태에 있어서, 식 (f2)는 -(OC₂F₄)_e-(OCF₂)_f-로 표시되는 기여도 된다.

상기 식 (f3)에 있어서, R⁶은 바람직하게는 OC₂F₄이다. 상기 (f3)에 있어서, R⁷은 바람직하게는 OC₂F₄, OC₃F₆ 및 OC₄F₈로부터 선택되는 기이거나, 혹은 이들 기로부터 독립적으로부터 선택되는 2 또는 3개의 기의 조합이며, 보다 바람직하게는 OC₃F₆ 및 OC₄F₈로부터 선택되는 기이다. OC₂F₄, OC₃F₆ 및 OC₄F₈로부터 독립적으로부터 선택되는 2 또는 3개의 기의 조합으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 -OC₂F₄OC₃F₆-, -OC₂F₄OC₄F₈-, -OC₃F₆OC₂F₄-, -OC₃F₆OC₃F₆-, -OC₃F₆OC₄F₈-, -OC₄F₈OC₄F₈-, -OC₄F₈OC₃F₆-, -OC₄F₈OC₂F₄-, -OC₂F₄OC₂F₄OC₃F₆-, -OC₂F₄OC₂F₄OC₄F₈-, -OC₂F₄OC₃F₆OC₂F₄-, -OC₂F₄OC₃F₆OC₃F₆-, -OC₂F₄OC₄F₈OC₂F₄-, -OC₃F₆OC₂F₄OC₂F₄-, -OC₃F₆OC₂F₄OC₃F₆-, -OC₃F₆OC₃F₆OC₂F₄- 및 -OC₄F₈OC₂F₄OC₂F₄- 등을 들 수 있다. 상기 식 (f3)에 있어서, g는 바람직하게는 3 이상, 보다 바람직하게는 5 이상의 정수이다. 상기 g는 바람직하게는 50 이하의 정수이다. 상기 식 (f3)에 있어서, OC₂F₄, OC₃F₆, OC₄F₈, OC₅F₁₀및 OC₆F₁₂는 직쇄 또는 분지쇄 중 어느 것이어도 되고, 바람직하게는 직쇄이다. 이 양태에 있어서, 상기 식 (f3)은 바람직하게는 -(OC₂F₄-OC₃F₆)_g- 또는 -(OC₂F₄-OC₄F₈)_g-이다.

상기 식 (f4)에 있어서, e는 바람직하게는 1 이상 100 이하, 보다 바람직하게는 5 이상 100 이하의 정수이다. a, b, c, d, e 및 f의 합은 바람직하게는 5 이상이며, 보다 바람직하게는 10 이상, 예를 들어 10 이상 100 이하이다.

상기 식 (f5)에 있어서, f는 바람직하게는 1 이상 100 이하, 보다 바람직하게는 5 이상 100 이하의 정수이다. a, b, c, d, e 및 f의 합은 바람직하게는 5 이상이며, 보다 바람직하게는 10 이상, 예를 들어 10 이상 100 이하이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 R^F는 상기 식 (f1)로 표시되는 기이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 R^F는 상기 식 (f2)로 표시되는 기이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 R^F는 상기 식 (f3)으로 표시되는 기이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 R^F는 상기 식 (f4)로 표시되는 기이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 R^F는 상기 식 (f5)로 표시되는 기이다.

상기 R^F에 있어서, f에 대한 e의 비(이하, 「e/f비」라고 함)는 0.1 내지 10이며, 바람직하게는 0.2 내지 5이며, 보다 바람직하게는 0.2 내지 2이며, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 1.5이며, 보다 더 바람직하게는 0.2 내지 0.85이다. e/f비를 10 이하로 함으로써, 이 화합물로부터 얻어지는 표면 처리층의 미끄럼성, 마찰 내구성 및 내케미컬성(예를 들어, 인공땀에 대한 내구성)이 보다 향상된다. e/f비가 보다 작을수록, 표면 처리층의 미끄럼성 및 마찰 내구성은 보다 향상된다. 한편, e/f비를 0.1 이상으로 함으로써, 화합물의 안정성을 보다 높일 수 있다. e/f비가 보다 클수록, 화합물의 안정성은 보다 향상된다.

하나의 양태에 있어서, 상기 e/f비는 바람직하게는 0.2 내지 0.95이며, 보다 바람직하게는 0.2 내지 0.9이다.

하나의 양태에 있어서, 내열성의 관점에서, 상기 e/f비는 바람직하게는 1.0 이상이며, 보다 바람직하게는 1.0 내지 2.0이다.

상기 플루오로폴리에테르기 함유 화합물에 있어서, R^F1 및 R^F2 부분의 수평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 500 내지 30,000, 바람직하게는 1,500 내지 30,000, 보다 바람직하게는 2,000 내지 10,000이다. 본 명세서에 있어서, R^F1 및 R^F2의 수평균 분자량은 ¹⁹F-NMR에 의해 측정되는 값으로 한다.

다른 양태에 있어서, R^F1 및 R^F2 부분의 수평균 분자량은 500 내지 30,000, 바람직하게는 1,000 내지 20,000, 보다 바람직하게는 2,000 내지 15,000, 보다 더 바람직하게는 2,000 내지 10,000, 예를 들어 3,000 내지 6,000일 수 있다.

다른 양태에 있어서, R^F1 및 R^F2 부분의 수평균 분자량은 4,000 내지 30,000, 바람직하게는 5,000 내지 10,000, 보다 바람직하게는 6,000 내지 10,000일 수 있다.

상기 식 (1) 및 (2)에 있어서, R^Si는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기, 가수 분해성기, 수소 원자 또는 1가의 유기기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이며, 적어도 하나의 R^Si는 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이다.

여기에, 「가수 분해성기」란, 가수 분해 반응을 받을 수 있는 기를 의미하고, 즉 가수 분해 반응에 의해, 화합물의 주골격으로부터 탈리될 수 있는 기를 의미한다. 가수 분해성기의 예로서는 -OR^h, -OCOR^h, -O-N=CR^h ₂, -NR^h ₂, -NHR^h, 할로겐(이들 식 중, R^h는 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄) 등을 들 수 있다.

바람직한 양태에 있어서, R^Si는 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이다.

바람직한 양태에 있어서, R^Si는 하기 식 (S1), (S2), (S3) 또는 (S4):

로 표시되는 기이다.

상기 식 중, R¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이다.

R¹¹은 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 가수 분해성기이다.

R¹¹은 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -OR^h, -OCOR^h, -O-N=CR^h ₂, -NR^h ₂, -NHR^h 또는 할로겐(이들 식 중, R^h는 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄)이며, 보다 바람직하게는 -OR^h(즉, 알콕시기)이다. R^h로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 등의 비치환 알킬기; 클로로메틸기 등의 치환 알킬기를 들 수 있다. 그들 중에서도 알킬기, 특히 비치환 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. 하나의 양태에 있어서, R^h는 메틸기이며, 다른 양태에 있어서, R^h는 에틸기이다.

상기 식 중, R¹²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

R¹²에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.

상기 식 중, n1은 (SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1) 단위마다 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 단, R^Si가 식 (S1) 또는 (S2)로 표시되는 기인 경우, 식 (1) 및 식 (2)의 말단의 R^Si 부분(이하, 간단히 식 (1) 및 식 (2)의 「말단 부분」이라고도 함)에 있어서, n1이 1 내지 3인(SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1) 단위가 적어도 하나 존재한다. 즉, 이러한 말단 부분에 있어서, 모든 n1이 동시에 0이 되지는 않는다. 바꾸어 말하면, 식 (1) 및 식 (2)의 말단 부분에 있어서, 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자가 적어도 하나 존재한다.

n1은 (SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1) 단위마다 각각 독립적으로 바람직하게는 1 내지 3의 정수이며, 보다 바람직하게는 2 내지 3, 더욱 바람직하게는 3이다.

상기 식 중, X¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 유기기이다. 이러한 2가의 유기기는 바람직하게는 -R²⁸-O_x-R²⁹-(식 중, R²⁸ 및 R²⁹는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합 또는 C_1-20알킬렌기이며, x는 0 또는 1이다.)이다. 이러한 C_1-20알킬렌기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다. 이러한 C_1-20알킬렌기는 바람직하게는 C_1-10알킬렌기, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬렌기, 더욱 바람직하게는 C_1-3알킬렌기이다.

하나의 양태에 있어서, X¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -C_1-6알킬렌-O-C_1-6알킬렌- 또는 -O-C_1-6알킬렌-이다.

바람직한 양태에 있어서, X¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합 또는 직쇄의 C_1-6알킬렌기이며, 바람직하게는 단결합 또는 직쇄의 C_1-3알킬렌기, 보다 바람직하게는 단결합 또는 직쇄의 C_1-2알킬렌기이며, 더욱 바람직하게는 직쇄의 C_1-2알킬렌기이다.

상기 식 중, R¹³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기이다. 이러한 C_1-20알킬기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다.

바람직한 양태에 있어서, R¹³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 직쇄의 C_1-6알킬기이며, 바람직하게는 수소 원자 또는 직쇄의 C_1-3알킬기, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.

상기 식 중, t는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2 이상의 정수이다.

바람직한 양태에 있어서, t는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2 내지 10의 정수, 바람직하게는 2 내지 6의 정수이다.

상기 식 중, R¹⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 -X¹¹-SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1이다. 이러한 할로겐 원자는 바람직하게는 요오드 원자, 염소 원자 또는 불소 원자이며, 보다 바람직하게는 불소 원자이다. 바람직한 양태에 있어서, R¹⁴는 수소 원자이다.

상기 식 중, R¹⁵는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌옥시기이다.

하나의 양태에 있어서, R¹⁵는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌옥시기이다.

바람직한 양태에 있어서, R¹⁵는 단결합이다.

하나의 양태에 있어서, 식 (S1)은 하기 식 (S1-a)이다.

[식 중,

R¹¹, R¹², R¹³, X¹¹ 및 n1은 상기 식 (S1)의 기재와 동일한 의미이며;

t1 및 t2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 1 이상의 정수, 바람직하게는 1 내지 10의 정수, 보다 바람직하게는 2 내지 10의 정수, 예를 들어 1 내지 5의 정수 또는 2 내지 5의 정수이며;

t1 및 t2를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]

바람직한 양태에 있어서, 식 (S1)은 하기 식 (S1-b)이다.

상기 식 중, R^a1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z¹-SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1이다.

상기 Z¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이다. 또한, 이하 Z¹로서 기재하는 구조는 우측이 (SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1)에 결합한다.

바람직한 양태에 있어서, Z¹은 2가의 유기기이다.

바람직한 양태에 있어서, Z¹은 Z¹이 결합되어 있는 Si 원자와 실록산 결합을 형성하는 것을 포함하지 않는다. 바람직하게는 식 (S3)에 있어서, (Si-Z¹-Si)는 실록산 결합을 포함하지 않는다.

상기 Z¹은 바람직하게는 C_1-6알킬렌기, -(CH₂)_z1-O-(CH₂)_z2-(식 중, z1은 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z2는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임) 또는 -(CH₂)_z3-페닐렌-(CH₂)_z4-(식 중, z3은 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z4는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임)이다. 이러한 C_1-6알킬렌기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다. 이들 기는 예를 들어 불소 원자, C_1-6알킬기, C_2-6알케닐기 및 C_2-6알키닐기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 되지만, 바람직하게는 비치환이다.

바람직한 양태에 있어서, Z¹은 C_1-6알킬렌기 또는 -(CH₂)_z3-페닐렌-(CH₂)_z4-, 바람직하게는 -페닐렌-(CH₂)_z4-이다. Z¹이 이러한 기인 경우, 광 내성, 특히 자외선 내성이 보다 높아질 수 있다.

다른 바람직한 형태에 있어서, 상기 Z¹은 C_1-3알킬렌기이다. 하나의 양태에 있어서, Z¹은 -CH₂CH₂CH₂-일 수 있다. 다른 양태에 있어서, Z¹은 -CH₂CH₂-일 수 있다.

상기 R²¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^1’-SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’이다.

상기 Z^1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이다. 또한, 이하 Z^1’로서 기재하는 구조는 우측이 (SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’)에 결합한다.

바람직한 양태에 있어서, Z^1’는 2가의 유기기이다.

바람직한 양태에 있어서, Z^1’는 Z^1’가 결합되어 있는 Si 원자와 실록산 결합을 형성하는 것을 포함하지 않는다. 바람직하게는 식 (S3)에 있어서, (Si-Z^1’-Si)는 실록산 결합을 포함하지 않는다.

상기 Z^1’는 바람직하게는 C_1-6알킬렌기, -(CH₂)_z1’-O-(CH₂)_z2’-(식 중, z1’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z2’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임) 또는 -(CH₂)_z3’-페닐렌-(CH₂)_z4’-(식 중, z3’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z4’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임)이다. 이러한 C_1-6알킬렌기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다. 이들 기는 예를 들어 불소 원자, C_1-6알킬기, C_2-6알케닐기 및 C_2-6알키닐기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 되지만, 바람직하게는 비치환이다.

바람직한 양태에 있어서, Z^1’는 C_1-6알킬렌기 또는 -(CH₂)_z3’-페닐렌-(CH₂)_z4’-, 바람직하게는 -페닐렌-(CH₂)_z4’-이다. Z^1’가 이러한 기인 경우, 광 내성, 특히 자외선 내성이 보다 높아질 수 있다.

다른 바람직한 형태에 있어서, 상기 Z^1’는 C_1-3알킬렌기이다. 하나의 양태에 있어서, Z^1’는 -CH₂CH₂CH₂-일 수 있다. 다른 양태에 있어서, Z^1’는 -CH₂CH₂-일 수 있다.

상기 R^21’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^1”-SiR^22” _q1”R^23” _r1”이다.

상기 Z^1”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이다. 또한, 이하 Z^1”로서 기재하는 구조는 우측이 (SiR^22” _q1”R^23” _r1”)에 결합한다.

바람직한 양태에 있어서, Z^1”는 2가의 유기기이다.

바람직한 양태에 있어서, Z^1”는 Z^1”가 결합되어 있는 Si 원자와 실록산 결합을 형성하는 것을 포함하지 않는다. 바람직하게는 식 (S3)에 있어서, (Si-Z^1”-Si)는 실록산 결합을 포함하지 않는다.

상기 Z^1”는 바람직하게는 C_1-6알킬렌기, -(CH₂)_z1”-O-(CH₂)_z2”-(식 중, z1”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z2”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임) 또는 -(CH₂)_z3”-페닐렌-(CH₂)_z4”-(식 중, z3”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z4”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임)이다. 이러한 C_1-6알킬렌기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다. 이들 기는 예를 들어 불소 원자, C_1-6알킬기, C_2-6알케닐기 및 C_2-6알키닐기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 되지만, 바람직하게는 비치환이다.

바람직한 양태에 있어서, Z^1”는 C_1-6알킬렌기 또는 -(CH₂)_z3”-페닐렌-(CH₂)_z4”-, 바람직하게는 -페닐렌-(CH₂)_z4”-이다. Z^1”가 이러한 기인 경우, 광 내성, 특히 자외선 내성이 보다 높아질 수 있다.

다른 바람직한 형태에 있어서, 상기 Z^1”는 C_1-3알킬렌기이다. 하나의 양태에 있어서, Z^1”는 -CH₂CH₂CH₂-일 수 있다. 다른 양태에 있어서, Z^1”는 -CH₂CH₂-일 수 있다.

상기 R^22”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이다.

상기 R^22”는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 가수 분해성기이다.

상기 R^22”는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -OR^h, -OCOR^h, -O-N=CR^h ₂, -NR^h ₂, -NHR^h 또는 할로겐(이들 식 중, R^h는 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄)이며, 보다 바람직하게는 -OR^h(즉, 알콕시기)이다. R^h로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 등의 비치환 알킬기; 클로로메틸기 등의 치환 알킬기를 들 수 있다. 그들 중에서도 알킬기, 특히 비치환 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. 하나의 양태에 있어서, R^h는 메틸기이며, 다른 양태에 있어서, R^h는 에틸기이다.

상기 R^23”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

상기 R^23”에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.

상기 q1”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, 상기 r1”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 또한, q1”와 r1”의 합계는 (SiR^22” _q1”R^23” _r1”) 단위에 있어서, 3이다.

상기 q1”는 (SiR^22” _q1”R^23” _r1”) 단위마다 각각 독립적으로 바람직하게는 1 내지 3의 정수이며, 보다 바람직하게는 2 내지 3, 더욱 바람직하게는 3이다.

상기 R^22’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이다.

R^22’는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 가수 분해성기이다.

R^22’는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -OR^h, -OCOR^h, -O-N=CR^h ₂, -NR^h ₂, -NHR^h 또는 할로겐(이들 식 중, R^h는 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄)이며, 보다 바람직하게는 -OR^h(즉, 알콕시기)이다. R^h로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 등의 비치환 알킬기; 클로로메틸기 등의 치환 알킬기를 들 수 있다. 그들 중에서도 알킬기, 특히 비치환 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. 하나의 양태에 있어서, R^h는 메틸기이며, 다른 양태에 있어서, R^h는 에틸기이다.

상기 R^23’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

R^23’에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.

상기 p1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, q1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, r1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 또한, p1’, q1’와 r1’의 합계는 (SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’) 단위에 있어서, 3이다.

하나의 양태에 있어서, p1’는 0이다.

하나의 양태에 있어서, p1’는 (SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수, 2 내지 3의 정수 또는 3이어도 된다. 바람직한 양태에 있어서, p1’는 3이다.

하나의 양태에 있어서, q1’는 (SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 3의 정수, 보다 바람직하게는 3이다.

하나의 양태에 있어서, p1’는 0이며, q1’는 (SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 3의 정수, 더욱 바람직하게는 3이다.

상기 R²²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이다.

R²²는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 가수 분해성기이다.

R²²는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -OR^h, -OCOR^h, -O-N=CR^h ₂, -NR^h ₂, -NHR^h 또는 할로겐(이들 식 중, R^h는 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄)이며, 보다 바람직하게는 -OR^h(즉, 알콕시기)이다. R^h로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 등의 비치환 알킬기; 클로로메틸기 등의 치환 알킬기를 들 수 있다. 그들 중에서도 알킬기, 특히 비치환 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. 하나의 양태에 있어서, R^h는 메틸기이며, 다른 양태에 있어서, R^h는 에틸기이다.

상기 R²³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

R²³에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.

상기 p1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, q1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, r1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 또한, p1, q1과 r1의 합계는 (SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1) 단위에 있어서, 3이다.

하나의 양태에 있어서, p1은 0이다.

하나의 양태에 있어서, p1은 (SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수, 2 내지 3의 정수 또는 3이어도 된다. 바람직한 양태에 있어서, p1은 3이다.

하나의 양태에 있어서, q1은 (SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 3의 정수, 보다 바람직하게는 3이다.

하나의 양태에 있어서, p1은 0이며, q1은 (SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 3의 정수, 더욱 바람직하게는 3이다.

상기 식 중, R^b1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이다.

상기 R^b1은 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 가수 분해성기이다.

상기 R^b1은 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -OR^h, -OCOR^h, -O-N=CR^h ₂, -NR^h ₂, -NHR^h 또는 할로겐(이들 식 중, R^h는 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄)이며, 보다 바람직하게는 -OR^h(즉, 알콕시기)이다. R^h로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 등의 비치환 알킬기; 클로로메틸기 등의 치환 알킬기를 들 수 있다. 그들 중에서도 알킬기, 특히 비치환 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. 하나의 양태에 있어서, R^h는 메틸기이며, 다른 양태에 있어서, R^h는 에틸기이다.

상기 식 중, R^c1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

상기 R^c1에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.

상기 k1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, l1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, m1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 또한, k1, l1과 m1의 합계는 (SiR^a1 _k1R^b1 _l1R^c1 _m1) 단위에 있어서, 3이다.

하나의 양태에 있어서, k1은 (SiR^a1 _k1R^b1 _l1R^c1 _m1) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이다. 바람직한 양태에 있어서, k1은 3이다.

상기 식 (1) 및 (2)에 있어서, R^Si가 식 (S3)으로 표시되는 기인 경우, 바람직하게는 식 (1) 및 식 (2)의 말단 부분에 있어서, 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자가 적어도 2개 존재한다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S3)으로 표시되는 기는 -Z¹-SiR²² _q1R²³ _r1(식 중, q1은 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이며, r1은 0 내지 2의 정수이다.), -Z^1’-SiR^22’ _q1’R^23’ _r1’(식 중, q1’는 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이며, r1’는 0 내지 2의 정수이다.) 또는 -Z^1”-SiR^22” _q1”R^23” _r1”(식 중, q1”는 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이며, r1”는 0 내지 2의 정수이다.) 중 어느 하나를 갖는다. Z¹, Z^1’, Z^1”, R²², R²³, R^22’, R^23’, R^22” 및 R^23”는 상기와 동일한 의미이다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S3)에 있어서, R^21’이 존재하는 경우, 적어도 하나의, 바람직하게는 모든 R^21’에 있어서, q1”는 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S3)에 있어서, R²¹이 존재하는 경우, 적어도 하나의, 바람직하게는 모든 R²¹에 있어서, p1’는 0이며, q1’는 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S3)에 있어서, R^a1이 존재하는 경우, 적어도 하나의, 바람직하게는 모든 R^a1에 있어서, p1은 0이며, q1은 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S3)에 있어서, k1은 2 또는 3, 바람직하게는 3이며, p1은 0이며, q1은 2 또는 3, 바람직하게는 3이다.

R^d1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z²-CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2이다.

Z²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이다. 또한, 이하 Z²로서 기재하는 구조는 우측이 (CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2)에 결합한다.

바람직한 양태에 있어서, Z²는 2가의 유기기이다.

상기 Z²는 바람직하게는 C_1-6알킬렌기, -(CH₂)_z5-O-(CH₂)_z6-(식 중, z5는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z6은 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임) 또는 -(CH₂)_z7-페닐렌-(CH₂)_z8-(식 중, z7은 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z8은 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임)이다. 이러한 C_1-6알킬렌기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다. 이들 기는 예를 들어 불소 원자, C_1-6알킬기, C_2-6알케닐기 및 C_2-6알키닐기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 되지만, 바람직하게는 비치환이다.

바람직한 양태에 있어서, Z²는 C_1-6알킬렌기 또는 -(CH₂)_z7-페닐렌-(CH₂)_z8-, 바람직하게는 -페닐렌-(CH₂)_z8-이다. Z²가 이러한 기인 경우, 광 내성, 특히 자외선 내성이 보다 높아질 수 있다.

다른 바람직한 형태에 있어서, 상기 Z²는 C_1-3알킬렌기이다. 하나의 양태에 있어서, Z²는 -CH₂CH₂CH₂-일 수 있다. 다른 양태에 있어서, Z²는 -CH₂CH₂-일 수 있다.

R³¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^2’-CR^32’ _q2’R^33’ _r2’이다.

Z^2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이다. 또한, 이하 Z^2’로서 기재하는 구조는 우측이 (CR^32’ _q2’R^33’ _r2’)에 결합한다.

상기 Z^2’는 바람직하게는 C_1-6알킬렌기, -(CH₂)_z5’-O-(CH₂)_z6’-(식 중, z5’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z6’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임) 또는 -(CH₂)_z7’-페닐렌-(CH₂)_z8’-(식 중, z7’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z8’는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임)이다. 이러한 C_1-6알킬렌기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다. 이들 기는 예를 들어 불소 원자, C_1-6알킬기, C_2-6알케닐기 및 C_2-6알키닐기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 되지만, 바람직하게는 비치환이다.

바람직한 양태에 있어서, Z^2’는 C_1-6알킬렌기 또는 -(CH₂)_z7’-페닐렌-(CH₂)_z8’-, 바람직하게는 -페닐렌-(CH₂)_z8’-이다. Z^2’가 이러한 기인 경우, 광 내성, 특히 자외선 내성이 보다 높아질 수 있다.

다른 바람직한 형태에 있어서, 상기 Z^2’는 C_1-3알킬렌기이다. 하나의 양태에 있어서, Z^2’는 -CH₂CH₂CH₂-일 수 있다. 다른 양태에 있어서, Z^2’는 -CH₂CH₂-일 수 있다.

상기 R^32'는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이다.

상기 Z³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이다. 또한, 이하 Z³으로서 기재하는 구조는 우측이 (SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2)에 결합한다.

하나의 양태에 있어서, Z³은 산소 원자이다.

하나의 양태에 있어서, Z³은 2가의 유기기이다.

상기 Z³은 바람직하게는 C_1-6알킬렌기, -(CH₂)_z5”-O-(CH₂)_z6”-(식 중, z5”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z6”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임) 또는 -(CH₂)_z7”-페닐렌-(CH₂)_z8”-(식 중, z7”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수이며, z8”는 0 내지 6의 정수, 예를 들어 1 내지 6의 정수임)이다. 이러한 C_1-6알킬렌기는 직쇄여도 분지쇄여도 되지만, 바람직하게는 직쇄이다. 이들 기는 예를 들어 불소 원자, C_1-6알킬기, C_2-6알케닐기 및 C_2-6알키닐기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 되지만, 바람직하게는 비치환이다.

바람직한 양태에 있어서, Z³은 C_1-6알킬렌기 또는 -(CH₂)_z7”-페닐렌-(CH₂)_z8”-, 바람직하게는 -페닐렌-(CH₂)_z8”-이다. Z³이 이러한 기인 경우, 광 내성, 특히 자외선 내성이 보다 높아질 수 있다.

다른 바람직한 형태에 있어서, 상기 Z³은 C_1-3알킬렌기이다. 하나의 양태에 있어서, Z³은 -CH₂CH₂CH₂-일 수 있다. 다른 양태에 있어서, Z³은 -CH₂CH₂-일 수 있다.

상기 R³⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이다.

R³⁴는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 가수 분해성기이다.

R³⁴는 바람직하게는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -OR^h, -OCOR^h, -O-N=CR^h ₂, -NR^h ₂, -NHR^h 또는 할로겐(이들 식 중, R^h는 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄)이며, 보다 바람직하게는 -OR^h(즉, 알콕시기)이다. R^h로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 등의 비치환 알킬기; 클로로메틸기 등의 치환 알킬기를 들 수 있다. 그들 중에서도 알킬기, 특히 비치환 알킬기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다. 하나의 양태에 있어서, R^h는 메틸기이며, 다른 양태에 있어서, R^h는 에틸기이다.

상기 R³⁵는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

상기 R³⁵에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.

상기 식 중, n2는 (SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2) 단위마다 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 단, R^Si가 식 (S4)로 표시되는 기인 경우, 식 (1) 및 식 (2)의 말단 부분에 있어서, n2가 1 내지 3인 (SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2) 단위가 적어도 하나 존재한다. 즉, 이러한 말단 부분에 있어서, 모든 n2가 동시에 0이 되지는 않는다. 바꾸어 말하면, 식 (1) 및 식 (2)의 말단 부분에 있어서, 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자가 적어도 하나 존재한다.

n2는 (SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2) 단위마다 각각 독립적으로 바람직하게는 1 내지 3의 정수이며, 보다 바람직하게는 2 내지 3, 더욱 바람직하게는 3이다.

상기 R^33’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

상기 R^33’에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기 또는 -(C_sH_2s)_t1-(O-C_sH_2s)_t2(식 중, s는 1 내지 6의 정수, 바람직하게는 2 내지 4의 정수이며, t1은 1 또는 0, 바람직하게는 0이며, t2는 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 2 내지 10의 정수, 보다 바람직하게는 2 내지 6의 정수이다.)이고, 보다 바람직하게는 C_1-20알킬기, 더욱 바람직하게는 C_1-6알킬기, 특히 바람직하게는 메틸기이다.

하나의 양태에 있어서, R^33’는 수산기이다.

다른 양태에 있어서, R^33’는 1가의 유기기, 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기이다.

상기 q2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, 상기 r2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 또한, q2’와 r2’의 합계는 (CR^32’ _q2’R^33’ _r2’) 단위에 있어서, 3이다.

q2’는 (CR^32’ _q2’R^33’ _r2’) 단위마다 각각 독립적으로 바람직하게는 1 내지 3의 정수이며, 보다 바람직하게는 2 내지 3, 더욱 바람직하게는 3이다.

R³²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이다. 이러한 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2는 상기 R^32’에 있어서의 기재와 동일한 의미이다.

상기 R³³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

상기 R³³에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기 또는 -(C_sH_2s)_t1-(O-C_sH_2s)_t2(식 중, s는 1 내지 6의 정수, 바람직하게는 2 내지 4의 정수이며, t1은 1 또는 0, 바람직하게는 0이며, t2는 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 2 내지 10의 정수, 보다 바람직하게는 2 내지 6의 정수이다.)이고, 보다 바람직하게는 C_1-20알킬기, 더욱 바람직하게는 C_1-6알킬기, 특히 바람직하게는 메틸기이다.

하나의 양태에 있어서, R³³은 수산기이다.

다른 양태에 있어서, R³³은 1가의 유기기, 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기이다.

상기 p2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, q2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, r2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 또한, p2, q2 및 r2의 합계는 (CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2) 단위에 있어서, 3이다.

하나의 양태에 있어서, p2는 0이다.

하나의 양태에 있어서, p2는 (CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수, 2 내지 3의 정수 또는 3이어도 된다. 바람직한 양태에 있어서, p2는 3이다.

하나의 양태에 있어서, q2는 (CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 3의 정수, 보다 바람직하게는 3이다.

하나의 양태에 있어서, p2는 0이며, q2는 (CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2) 단위마다 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 3의 정수, 더욱 바람직하게는 3이다.

상기 R^e1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이다. 이러한 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2는 상기 R^32’에 있어서의 기재와 동일한 의미이다.

상기 R^f1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이다. 이러한 1가의 유기기는 상기 가수 분해성기를 제외한 1가의 유기기이다.

상기 R^f1에 있어서, 1가의 유기기는 바람직하게는 C_1-20알킬기 또는 -(C_sH_2s)_t1-(O-C_sH_2s)_t2(식 중, s는 1 내지 6의 정수, 바람직하게는 2 내지 4의 정수이며, t1은 1 또는 0, 바람직하게는 0이며, t2는 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 2 내지 10의 정수, 보다 바람직하게는 2 내지 6의 정수이다.)이고, 보다 바람직하게는 C_1-20알킬기, 더욱 바람직하게는 C_1-6알킬기, 특히 바람직하게는 메틸기이다.

하나의 양태에 있어서, R^f1은 수산기이다.

다른 양태에 있어서, R^f1은 1가의 유기기, 바람직하게는 C_1-20알킬기이며, 보다 바람직하게는 C_1-6알킬기이다.

상기 k2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, l2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, m2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다. 또한, k2, l2 및 m2의 합계는 (CR^d1 _k2R^e1 _l2R^f1 _m2) 단위에 있어서, 3이다.

하나의 양태에 있어서, R^Si가 식 (S4)로 표시되는 기인 경우, n2가 1 내지 3, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3인 (SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2) 단위는 식 (1) 및 식 (2)의 각 말단 부분에 있어서, 2개 이상, 예를 들어 2 내지 27개, 바람직하게는 2 내지 9개, 보다 바람직하게는 2 내지 6개, 더욱 바람직하게는 2 내지 3개, 특히 바람직하게는 3개 존재한다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S4)에 있어서, R^32’가 존재하는 경우, 적어도 하나의, 바람직하게는 모든 R^32’에 있어서, n2는 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S4)에 있어서, R³²가 존재하는 경우, 적어도 하나의, 바람직하게는 모든 R³²에 있어서, n2는 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S4)에 있어서, R^e1이 존재하는 경우, 적어도 하나의, 바람직하게는 모든 R^a1에 있어서, n2는 1 내지 3의 정수이며, 바람직하게는 2 또는 3, 보다 바람직하게는 3이다.

바람직한 양태에 있어서, 식 (S4)에 있어서, k2는 0이며, l2는 2 또는 3, 바람직하게는 3이며, n2는 2 또는 3, 바람직하게는 3이다.

하나의 양태에 있어서, R^Si는 식 (S2), (S3) 또는 (S4)로 표시되는 기이다. 이들 화합물은 높은 표면 미끄럼성을 갖는 표면 처리층을 형성할 수 있다.

하나의 양태에 있어서, R^Si는 식 (S1), (S3) 또는 (S4)로 표시되는 기이다. 이들 화합물은 하나의 말단에 복수의 가수 분해성기를 갖는 점에서, 기재에 강하게 밀착되고, 높은 마찰 내구성을 갖는 표면 처리층을 형성할 수 있다.

하나의 양태에 있어서, R^Si는 식 (S3) 또는 (S4)로 표시되는 기이다. 이들 화합물은 하나의 말단에, 하나의 Si 원자 또는 C 원자로부터 분지된 복수의 가수 분해성기를 가질 수 있는 점에서, 더욱 높은 마찰 내구성을 갖는 표면 처리층을 형성할 수 있다.

하나의 양태에 있어서, R^Si는 식 (S1)로 표시되는 기이다.

하나의 양태에 있어서, R^Si는 식 (S2)로 표시되는 기이다.

하나의 양태에 있어서, R^Si는 식 (S3)으로 표시되는 기이다.

하나의 양태에 있어서, R^Si는 식 (S4)로 표시되는 기이다.

상기 식 (1) 및 (2)에 있어서, X^A는 주로 발수성 및 표면 미끄럼성 등을 제공하는 플루오로폴리에테르부(R^F1 및 R^F2)와 기재의 결합능을 제공하는 부(R^Si)를 연결하는 링커로 해석된다. 따라서, 당해 X^A는 식 (1) 및 (2)로 표시되는 화합물이 안정적으로 존재할 수 있는 것이면, 단결합이어도 되고, 어느 기여도 된다.

상기 식 (1)에 있어서, α는 1 내지 9의 정수이며, β는 1 내지 9의 정수이다. 이들 α 및 β는 X^A의 가수에 따라서 변화될 수 있다. α 및 β의 합은 X^A의 가수와 동일하다. 예를 들어, X^A가 10가의 유기기인 경우, α 및 β의 합은 10이며, 예를 들어 α가 9 또한 β가 1, α가 5 또한 β가 5 또는 α가 1 또한 β가 9가 될 수 있다. 또한, X^A가 2가의 유기기인 경우, α 및 β는 1이다.

상기 식 (2)에 있어서, γ는 1 내지 9의 정수이다. γ는 X^A의 가수에 따라서 변화될 수 있다. 즉, γ는 X^A의 가수로부터 1을 뺀 값이다.

상기 X^A에 있어서의 2 내지 10가의 유기기는 바람직하게는 2 내지 8가의 유기기이다. 하나의 양태에 있어서, 이러한 2 내지 10가의 유기기는 바람직하게는 2 내지 4가의 유기기이며, 보다 바람직하게는 2가의 유기기이다. 다른 양태에 있어서, 이러한 2 내지 10가의 유기기는 바람직하게는 3 내지 8가의 유기기, 보다 바람직하게는 3 내지 6가의 유기기이다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 단결합 또는 2가의 유기기이며, α는 1이며, β는 1이다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 단결합 또는 2가의 유기기이며, γ는 1이다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 3 내지 6가의 유기기이며, α는 1이며, β는 2 내지 5이다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 3 내지 6가의 유기기이며, γ는 2 내지 5이다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 3가의 유기기이며, α는 1이며, β는 2이다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 3가의 유기기이며, γ는 2이다.

X^A가 단결합 또는 2가의 유기기인 경우, 식 (1) 및 (2)는 하기 식 (1’) 및 (2’)로 표시된다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 단결합이다.

다른 양태에 있어서, X^A는 2가의 유기기이다.

하나의 양태에 있어서, X^A로서는 예를 들어 단결합 또는 하기 식:

[식 중:

R⁵¹은 단결합, -(CH₂)_s5- 또는 o-, m- 혹은 p-페닐렌기를 나타내고, 바람직하게는 -(CH₂)_s5-이며,

s5는 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 1 내지 6의 정수, 보다 바람직하게는 1 내지 3의 정수, 보다 더 바람직하게는 1 또는 2이며,

X⁵¹은 -(X⁵²)_l5-를 나타내고,

X⁵²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -O-, -S-, o-, m- 혹은 p-페닐렌기, -C(O)O-, -Si(R⁵³)₂-, -(Si(R⁵³)₂O)_m5-Si(R⁵³)₂-, -CONR⁵⁴-, -O-CONR⁵⁴-, -NR⁵⁴- 및 -(CH₂)_n5-로 이루어지는 군에서 선택되는 기를 나타내고,

R⁵³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 페닐기, C_1-6알킬기 또는 C_1-6알콕시기를 나타내고, 바람직하게는 페닐기 또는 C_1-6알킬기이며, 보다 바람직하게는 메틸기이며,

R⁵⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 페닐기 또는 C_1-6알킬기(바람직하게는 메틸기)를 나타내고,

m5는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 1 내지 100의 정수, 바람직하게는 1 내지 20의 정수이며,

n5는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 1 내지 6의 정수, 보다 바람직하게는 1 내지 3의 정수이며,

l5는 1 내지 10의 정수, 바람직하게는 1 내지 5의 정수, 보다 바람직하게는 1 내지 3의 정수이며,

p5는 0 또는 1이며,

q5는 0 또는 1이며,

여기에, p5 및 q5의 적어도 한쪽은 1이며, p5 또는 q5를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 임의이다]

으로 표시되는 2가의 유기기를 들 수 있다. 여기에, X^A(전형적으로는 X^A의 수소 원자)는 불소 원자, C_1-3알킬기 및 C_1-3플루오로알킬기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다. 바람직한 양태에 있어서, X^A는 이들 기에 의해 치환되어 있지 않다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 X^A는 각각 독립적으로 -(R⁵¹)_p5-(X⁵¹)_q5-R⁵²-이다. R⁵²는 단결합, -(CH₂)_t5- 또는 o-, m- 혹은 p-페닐렌기를 나타내고, 바람직하게는 -(CH₂)_t5-이다. t5는 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 2 내지 6의 정수, 보다 바람직하게는 2 내지 3의 정수이다. 여기에, R⁵²(전형적으로는 R⁵²의 수소 원자)는 불소 원자, C_1-3알킬기 및 C_1-3플루오로알킬기로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다. 바람직한 양태에 있어서, R⁵⁶은 이들 기에 의해 치환되어 있지 않다.

바람직하게는 상기 X^A는 각각 독립적으로,

단결합,

C_1-20알킬렌기,

-R⁵¹-X⁵³-R⁵²- 또는

-X⁵⁴-R⁵-

[식 중, R⁵¹ 및 R⁵²는 상기와 동일한 의미이며,

X⁵³은

-O-,

-S-,

-C(O)O-,

-CONR⁵⁴-,

-O-CONR⁵⁴-,

-Si(R⁵³)₂-,

-(Si(R⁵³)₂O)_m5-Si(R⁵³)₂-,

-O-(CH₂)_u5-(Si(R⁵³)₂O)_m5-Si(R⁵³)₂-,

-O-(CH₂)_u5-Si(R⁵³)₂-O-Si(R⁵³)₂-CH₂CH₂-Si(R⁵³)₂-O-Si(R⁵³)₂-,

-O-(CH₂)_u5-Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂-,

-CONR⁵⁴-(CH₂)_u5-(Si(R⁵³)₂O)_m5-Si(R⁵³)₂-,

-CONR⁵⁴-(CH₂)_u5-N(R⁵⁴)- 또는

-CONR⁵⁴-(o-, m- 또는 p-페닐렌)-Si(R⁵³)₂-

(식 중, R⁵³, R⁵⁴ 및 m5는 상기와 동일한 의미이며,

u5는 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 2 내지 6의 정수, 보다 바람직하게는 2 내지 3의 정수이다.)를 나타내고,

X⁵⁴는

-S-,

-C(O)O-,

-CONR⁵⁴-,

-O-CONR⁵⁴-,

-CONR⁵⁴-(CH₂)_u5-(Si(R⁵⁴)₂O)_m5-Si(R⁵⁴)₂-,

-CONR⁵⁴-(CH₂)_u5-N(R⁵⁴)- 또는

-CONR⁵⁴-(o-, m- 또는 p-페닐렌)-Si(R⁵⁴)₂-

(식 중, 각 기호는 상기와 동일한 의미이다.)

를 나타낸다.]

일 수 있다.

보다 바람직하게는 상기 X^A는 각각 독립적으로,

단결합,

C_1-20알킬렌기,

-(CH₂)_s5-X⁵³-,

-(CH₂)_s5-X⁵³-(CH₂)_t5-

-X⁵⁴- 또는

-X⁵⁴-(CH₂)_t5-

[식 중, X⁵³, X⁵⁴, s5 및 t5는 상기와 동일한 의미이다.]

이다.

보다 바람직하게는 상기 X^A는 각각 독립적으로,

단결합,

C_1-20알킬렌기,

-(CH₂)_s5-X⁵³-(CH₂)_t5- 또는

-X⁵⁴-(CH₂)_t5-

[식 중, 각 기호는 상기와 동일한 의미이다.]

일 수 있다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 X^A는 각각 독립적으로,

단결합

C_1-20알킬렌기,

-(CH₂)_s5-X⁵³- 또는

-(CH₂)_s5-X⁵³-(CH₂)_t5-

[식 중,

X⁵³은 -O-, -CONR⁵⁴- 또는 -O-CONR⁵⁴-이며,

R⁵⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 페닐기 또는 C_1-6알킬기를 나타내고,

s5는 1 내지 20의 정수이며,

t5는 1 내지 20의 정수이다.]

일 수 있다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 X^A는 각각 독립적으로,

-(CH₂)_s5-O-(CH₂)_t5-

-CONR⁵⁴-(CH₂)_t5-

[식 중,

s5는 1 내지 20의 정수이며,

t5는 1 내지 20의 정수이다.]

일 수 있다.

하나의 양태에 있어서, 상기 X^A는 각각 독립적으로,

단결합,

C_1-20알킬렌기,

-(CH₂)_s5-O-(CH₂)_t5-,

-(CH₂)_s5-(Si(R⁵³)₂O)_m5-Si(R⁵³)₂-(CH₂)_t5-,

-(CH₂)_s5-O-(CH₂)_u5-(Si(R⁵³)₂O)_m5-Si(R⁵³)₂-(CH₂)_t5- 또는

-(CH₂)_s5-O-(CH₂)_t5-Si(R⁵³)₂-(CH₂)_u5-Si(R⁵³)₂-(C_vH_2v)-

[식 중, R⁵³, m5, s5, t5 및 u5는 상기와 동일한 의미이며, v5는 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 2 내지 6의 정수, 보다 바람직하게는 2 내지 3의 정수이다.]

이다.

상기 식 중, -(C_vH_2v)-는 직쇄여도 분지쇄여도 되고, 예를 들어 -CH₂CH₂-, -CH₂CH₂CH₂-, -CH(CH₃)-, -CH(CH₃)CH₂-일 수 있다.

상기 X^A는 각각 독립적으로 불소 원자, C_1-3알킬기 및 C_1-3플루오로알킬기(바람직하게는 C_1-3퍼플루오로알킬기)로부터 선택되는 1개 또는 그 이상의 치환기에 의해 치환되어 있어도 된다. 하나의 양태에 있어서, X^A는 비치환이다.

또한, 상기 X^A는 각식의 좌측이 R^F1 또는 R^F2에 결합하고, 우측이 R^Si에 결합한다.

하나의 양태에 있어서, X^A는 각각 독립적으로 -O-C_1-6알킬렌기 이외일 수 있다.

다른 양태에 있어서, X^A로서는 예를 들어 하기 기를 들 수 있다:

[식 중, R⁴¹은 각각 독립적으로 수소 원자, 페닐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 C_1-6알콕시기, 바람직하게는 메틸기이며;

D는

-CH₂O(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃-,

-CF₂O(CH₂)₃-,

-(CH₂)₂-,

-(CH₂)₃-,

-(CH₂)₄-,

-CONH-(CH₂)₃-,

-CON(CH₃)-(CH₂)₃-,

-CON(Ph)-(CH₂)₃-(식 중, Ph는 페닐을 의미함) 및

(식 중, R⁴²는 각각 독립적으로 수소 원자, C_1-6의 알킬기 또는 C_1-6의 알콕시기, 바람직하게는 메틸기 또는 메톡시기, 보다 바람직하게는 메틸기를 나타낸다.)

으로부터 선택되는 기이며,

E는 -(CH₂)_n-(n은 2 내지 6의 정수)이며,

D는 분자 주쇄의 R^F1 또는 R^F2에 결합하고, E는 R^Si에 결합한다.]

상기 X^A의 구체적인 예로서는 예를 들어:

단결합,

-CH₂OCH₂-,

-CH₂O(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃-,

-CH₂O(CH₂)₄-,

-CH₂O(CH₂)₅-,

-CH₂O(CH₂)₆-,

-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₃Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₁₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂OCF₂CHFOCF₂-,

-CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂-,

-CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂-,

-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂-,

-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂-,

-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂CF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂-,

-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂-,

-CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂CF₂-,

-CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂CF₂-C(O)NH-CH₂-,

-CH₂OCH₂(CH₂)₇CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₃-,

-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₂CH₃)₂OSi(OCH₂CH₃)₂(CH₂)₃-,

-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂-,

-CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₂CH₃)₂OSi(OCH₂CH₃)₂(CH₂)₂-,

-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-,

-CH₂-,

-(CH₂)₂-,

-(CH₂)₃-,

-(CH₂)₄-,

-(CH₂)₅-,

-(CH₂)₆-,

-CO-,

-CONH-,

-CONH-CH₂-,

-CONH-(CH₂)₂-,

-CONH-(CH₂)₃-,

-CONH-(CH₂)₄-,

-CONH-(CH₂)₅-,

-CONH-(CH₂)₆-,

-CON(CH₃)-CH₂-,

-CON(CH₃)-(CH₂)₂-,

-CON(CH₃)-(CH₂)₃-,

-CON(CH₃)-(CH₂)₄-,

-CON(CH₃)-(CH₂)₅-,

-CON(CH₃)-(CH₂)₆-,

-CON(Ph)-CH₂-(식 중, Ph는 페닐을 의미함),

-CON(Ph)-(CH₂)₂-(식 중, Ph는 페닐을 의미함),

-CON(Ph)-(CH₂)₃-(식 중, Ph는 페닐을 의미함),

-CON(Ph)-(CH₂)₄-(식 중, Ph는 페닐을 의미함),

-CON(Ph)-(CH₂)₅-(식 중, Ph는 페닐을 의미함),

-CON(Ph)-(CH₂)₆-(식 중, Ph는 페닐을 의미함),

-CONH-(CH₂)₂NH(CH₂)₃-,

-CONH-(CH₂)₆NH(CH₂)₃-,

-CH₂O-CONH-(CH₂)₃-,

-CH₂O-CONH-(CH₂)₆-,

-S-(CH₂)₃-,

-(CH₂)₂S(CH₂)₃-,

-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₃Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₁₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-CONH-(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-,

-C(O)O-(CH₂)₃-,

-C(O)O-(CH₂)₆-,

-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-,

-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-CH(CH₃)-,

-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-(CH₂)₃-,

-CH₂-O-(CH₂)₃-Si(CH₃)₂-(CH₂)₂-Si(CH₃)₂-CH(CH₃)-CH₂-,

-OCH₂-,

-O(CH₂)₃-,

-OCFHCF₂-,

등을 들 수 있다.

또 다른 양태에 있어서, X^A는 각각 독립적으로 식: -(R¹⁶)_x1-(CFR¹⁷)_y1-(CH₂)_z1-로 표시되는 기이다. 식 중, x1, y1 및 z1은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이며, x1, y1 및 z1의 합은 1 이상이며, 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.

상기 식 중, R¹⁶은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자, 페닐렌, 카르바졸릴렌, -NR¹⁸-(식 중, R¹⁸은 수소 원자 또는 유기기를 나타냄) 또는 2가의 유기기이다. 바람직하게는 R¹⁸은 산소 원자 또는 2가의 극성기이다.

상기 「2가의 극성기」로서는 특별히 한정되지 않지만, -C(O)-, -C(=NR¹⁹)- 및 -C(O)NR¹⁹-(이들 식 중, R¹⁹는 수소 원자 또는 저급 알킬기를 나타냄)를 들 수 있다. 당해 「저급 알킬기」는 예를 들어 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필이며, 이들은 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 된다.

상기 식 중, R¹⁷은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 저급 플루오로알킬기이며, 바람직하게는 불소 원자이다. 당해 「저급 플루오로알킬기」는 예를 들어 탄소수 1 내지 6, 바람직하게는 탄소수 1 내지 3의 플루오로알킬기, 바람직하게는 탄소수 1 내지 3의 퍼플루오로알킬기, 보다 바람직하게는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 더욱 바람직하게는 트리플루오로메틸기이다.

또 다른 양태에 있어서, X^A의 예로서, 하기 기를 들 수 있다:

[식 중,

R⁴¹은 각각 독립적으로 수소 원자, 페닐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 C_1-6알콕시기, 바람직하게는 메틸기이며;

각 X^A기에 있어서, T 중 임의의 몇개는 분자 주쇄의 R^F1 또는 R^F2에 결합하는 이하의 기:

-CH₂O(CH₂)₂-,

-CH₂O(CH₂)₃-,

-CF₂O(CH₂)₃-,

-(CH₂)₂-,

-(CH₂)₃-,

-(CH₂)₄-,

-CONH-(CH₂)₃-,

-CON(CH₃)-(CH₂)₃-,

-CON(Ph)-(CH₂)₃-(식 중, Ph는 페닐을 의미함), 또는

[식 중, R⁴²는 각각 독립적으로 수소 원자, C_1-6의 알킬기 또는 C_1-6의 알콕시기, 바람직하게는 메틸기 또는 메톡시기, 보다 바람직하게는 메틸기를 나타낸다.]

이고, 다른 T의 몇개는 분자 주쇄의 R^Si에 결합하고, 존재하는 경우, 나머지 T는 각각 독립적으로 메틸기, 페닐기, C_1-6알콕시기 또는 라디칼 포착기 또는 자외선 흡수기이다.

라디칼 포착기는 광 조사로 발생하는 라디칼을 포착할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 벤조페논류, 벤조트리아졸류, 벤조산에스테르류, 살리실산페닐류, 크로톤산류, 말론산에스테르류, 오르가노아크릴레이트류, 힌더드 아민류, 힌더드 페놀류 또는 트리아진류의 잔기를 들 수 있다.

자외선 흡수기는 자외선을 흡수할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 벤조트리아졸류, 히드록시벤조페논류, 치환 및 비치환 벤조산 혹은 살리실산 화합물의 에스테르류, 아크릴레이트 또는 알콕시신나메이트류, 옥사미드류, 옥사닐리드류, 벤족사지논류, 벤족사졸류의 잔기를 들 수 있다.

바람직한 양태에 있어서, 바람직한 라디칼 포착기 또는 자외선 흡수기로서는

를 들 수 있다

이 양태에 있어서, X^A는 각각 독립적으로 3 내지 10가의 유기기일 수 있다.

또 다른 양태에 있어서, X^A의 예로서, 하기 기를 들 수 있다:

[식 중, R²⁵, R²⁶ 및 R²⁷은 각각 독립적으로 2 내지 6가의 유기기이며,

R²⁵는 적어도 하나의 R^F1에 결합하고, R²⁶ 및 R²⁷은 각각 적어도 하나의 R^Si에 결합한다.]

하나의 양태에 있어서, 상기 R²⁵는 단결합, C_1-20알킬렌기, C_3-20시클로알킬렌기, C_5-20아릴렌기, -R⁵⁷-X⁵⁸-R⁵⁹-, -X⁵⁸-R⁵⁹- 또는 -R⁵⁷-X⁵⁸-이다. 상기, R⁵⁷ 및 R⁵⁹는 각각 독립적으로 단결합, C_1-20알킬렌기, C_3-20시클로알킬렌기 또는 C_5-20아릴렌기이다. 상기 X⁵⁸은 -O-, -S-, -CO-, -O-CO- 또는 -COO-이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 R²⁶ 및 R²⁷은 각각 독립적으로 탄화수소 또는 탄화수소의 단 또는 주쇄 중에 N, O 및 S로부터 선택되는 적어도 하나의 원자를 갖는 기이며, 바람직하게는 C_1-6알킬기, -R³⁶-R³⁷-R³⁶-, -R³⁶-CHR³⁸ ₂- 등을 들 수 있다. 여기에, R³⁶은 각각 독립적으로 단결합 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 바람직하게는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다. R³⁷은 N, O 또는 S이며, 바람직하게는 N 또는 O이다. R³⁸은 -R⁴⁵-R⁴⁶-R⁴⁵-, -R⁴⁶-R⁴⁵- 또는 -R⁴⁵-R⁴⁶-이다. 여기에, R⁴⁵는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기이다. R⁴⁶은 N, O 또는 S이며, 바람직하게는 O이다.

상기 식 (1) 또는 식 (2)로 표시되는 플루오로폴리에테르기 함유 화합물은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 5×10² 내지 1×10⁵의 평균 분자량을 가질 수 있다. 이러한 범위 중에서도 2,000 내지 32,000, 보다 바람직하게는 2,500 내지 12,000의 평균 분자량을 갖는 것이, 마찰 내구성의 관점에서 바람직하다. 또한, 이러한 「평균 분자량」은 수평균 분자량을 말하고, 「평균 분자량」은 ¹⁹F-NMR에 의해 측정되는 값으로 한다.

하나의 양태에 있어서, 본 개시의 표면 처리제 중, 불소 함유 실란 화합물은 식 (1)로 표시되는 화합물이다.

다른 양태에 있어서, 본 개시의 표면 처리제 중, 불소 함유 실란 화합물은 식 (2)로 표시되는 화합물이다.

다른 양태에 있어서, 본 개시의 표면 처리제 중, 불소 함유 실란 화합물은 식 (1)로 표시되는 화합물 및 식 (2)로 표시되는 화합물이다.

본 개시의 표면 처리제 중, 식 (1)로 표시되는 화합물과 식 (2)로 표시되는 화합물의 합계에 대하여, 식 (2)로 표시되는 화합물이 바람직하게는 0.1몰％ 이상 35몰％ 이하이다. 식 (1)로 표시되는 화합물과 식 (2)로 표시되는 화합물의 합계에 대한 식 (2)로 표시되는 화합물의 함유량의 하한은, 바람직하게는 0.1몰％, 보다 바람직하게는 0.2몰％, 더욱 바람직하게는 0.5몰％, 보다 더 바람직하게는 1몰％, 특히 바람직하게는 2몰％, 특별히는 5몰％일 수 있다. 식 (1)로 표시되는 화합물과 식 (2)로 표시되는 화합물의 합계에 대한 식 (2)로 표시되는 화합물의 함유량의 상한은, 바람직하게는 35몰％, 보다 바람직하게는 30몰％, 더욱 바람직하게는 20몰％, 보다 더 바람직하게는 15몰％ 또는 10몰％일 수 있다. 식 (1)로 표시되는 화합물과 식 (2)로 표시되는 화합물의 합계에 대한 식 (2)로 표시되는 화합물은, 바람직하게는 0.1몰％ 이상 30몰％ 이하, 보다 바람직하게는 0.1몰％ 이상 20몰％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.2몰％ 이상 10몰％ 이하, 보다 더 바람직하게는 0.5몰％ 이상 10몰％ 이하, 특히 바람직하게는 1몰％ 이상 10몰％ 이하, 예를 들어 2몰％ 이상 10몰％ 이하 또는 5몰％ 이상 10몰％ 이하이다. 식 (2)로 표시되는 화합물을 이러한 범위로 함으로써, 마찰 내구성을 보다 향상시킬 수 있다.

상기 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 화합물은 예를 들어 상기 특허문헌 1, 특허문헌 2 등에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.

상기 금속 화합물은 금속 단체, 금속 원자와 다른 원자의 화합물, 예를 들어 반응성기가 결합된 화합물, 염, 다른 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다.

본 명세서에 있어서, 금속 화합물에 포함되는 금속 원자란, B, Si, Ge, Sb, As, Te 등의 반금속도 포함한다.

상기 금속 화합물에 포함되는 금속 원자는 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자이다. 상기 금속 원자는 바람직하게는 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자(단, Si를 제외함)로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자, 보다 바람직하게는 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 더욱 바람직하게는 3 내지 7족의 전이 금속 원자, 보다 더 바람직하게는 4 내지 6족의 전이 금속 원자이다. 표면 처리제가 이러한 금속 원자를 포함함으로써, 해당 표면 처리제로부터 형성되는 표면 처리층 중에 상기 금속 원자를 존재하게 할 수 있고, 이에 의해 표면 처리층의 마찰 내구성 및 내약품성을 향상시킬 수 있다.

하나의 양태에 있어서, 상기 금속 원자는 Ta, Nb, Zr, Mo, W, Cr, Hf, Al, Ti 및 V로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 원자이다. 이러한 금속종을 사용함으로써, 표면 처리층의 마찰 내구성 및 내약품성을 보다 향상시킬 수 있다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 금속 원자는 Ta, Nb, W, Mo, Cr 또는 V이다. 이러한 금속종을 사용함으로써, 표면 처리층의 마찰 내구성 및 내약품성을 보다 향상시킬 수 있다.

더욱 바람직한 양태에 있어서, 상기 금속 원자는 Ta이다. 금속 원자로서 탄탈을 채용함으로써, 표면 처리층의 마찰 내구성 및 내약품성을 보다 향상시킬 수 있다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 금속 화합물은 M-R(식 중, M은 금속 원자이며, R은 가수 분해성기이다.)로 표시되는 금속 화합물이다. 금속 화합물을, 금속과 가수 분해성기가 결합된 화합물로 함으로써, 보다 효율적으로 금속 원자를 표면 처리층에 포함시킬 수 있고, 표면 처리층의 마찰 내구성 및 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있다.

상기 가수 분해성기란, 상기 불소 함유 실란에 관한 가수 분해성기와 마찬가지로, 가수 분해 반응을 받을 수 있는 기를 의미하고, 즉 가수 분해 반응에 의해, 금속 원자로부터 탈리될 수 있는 기를 의미한다. 가수 분해성기의 예로서는 -OR^m, -OCOR^m, -O-N=CR^m ₂, -NR^m ₂, -NHR^m, 할로겐(이들 식 중, R^m은 치환 또는 비치환된 C_1-4알킬기를 나타냄) 등을 들 수 있다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 가수 분해성기란, -OR^m이며, 바람직하게는 메톡시 또는 에톡시이다. 가수 분해성기로서 알콕시기를 사용함으로써, 보다 효율적으로 금속 원자를 표면 처리층에 포함시킬 수 있고, 표면 처리층의 마찰 내구성 및 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있다.

하나의 양태에 있어서, 상기 가수 분해성기는 상기한 불소 함유 실란 화합물에 포함되는 가수 분해성기와 동일해도 된다. 불소 함유 실란 화합물과 금속 화합물에 있어서의 가수 분해성기를 동일한 기로 함으로써, 이러한 가수 분해성기가 서로 교환된 경우에도, 그 영향을 작게 할 수 있다.

다른 양태에 있어서, 상기 가수 분해성기는 상기한 불소 함유 실란 화합물에 포함되는 가수 분해성기와 달라도 된다. 불소 함유 실란 화합물과 금속 화합물에 있어서의 가수 분해성기를 다른 것으로 함으로써, 가수 분해의 반응성을 제어할 수 있다.

하나의 양태에 있어서, 상기 가수 분해성기와, 상기 불소 함유 실란 화합물에 포함되는 가수 분해성기는 표면 처리제 중에 있어서, 서로 교체되어 있어도 된다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 금속 화합물은 Ta(OR^m)₅이며, 바람직하게는 Ta(OCH₂CH₃)₅일 수 있다.

상기 금속 화합물은 표면 처리제 중, 상기 불소 함유 실란 화합물에 대하여 몰비로, 바람직하게는 0.1 내지 10배, 보다 바람직하게는 0.2 내지 5배, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 3배의 양으로 포함된다. 금속 화합물의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 표면 처리층의 마찰 내구성 및 내약품성을 보다 향상시킬 수 있다.

본 개시의 표면 처리제는 용매, 불소 함유 오일로서 이해될 수 있는 (비반응성의) 플루오로폴리에테르 화합물, 바람직하게는 퍼플루오로(폴리)에테르 화합물(이하, 통합하여 「불소 함유 오일」이라고 함), 실리콘 오일로서 이해될 수 있는 (비반응성의) 실리콘 화합물(이하, 「실리콘 오일」이라고 함), 알코올류, 촉매, 계면 활성제, 중합 금지제, 증감제 등을 포함할 수 있다.

상기 용매로서는 예를 들어 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 미네랄 스피릿 등의 지방족 탄화수소류; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 나프탈렌, 솔벤트 나프타 등의 방향족 탄화수소류; 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산-n-부틸, 아세트산이소프로필, 아세트산이소부틸, 아세트산 셀로솔브, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 아세트산카르비톨, 디에틸옥살레이트, 피루브산에틸, 에틸-2-히드록시부티레이트, 에틸아세토아세테이트, 아세트산아밀, 락트산메틸, 락트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 2-히드록시이소부티르산메틸, 2-히드록시이소부티르산에틸 등의 에스테르류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헥사논, 시클로헥사논, 메틸아미노케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜모노알킬에테르 등의 글리콜에테르류; 메탄올, 에탄올, iso-프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, tert-부탄올, sec-부탄올, 3-펜탄올, 옥틸알코올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, tert-아밀알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜류; 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 디옥산 등의 환상 에테르류; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 메틸셀로솔브, 셀로솔브, 이소프로필셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르알코올류; 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트; 1,1,2-트리클로로-1,2,2-트리플루오로에탄, 1,2-디클로로-1,1,2,2-테트라플루오로에탄, 디메틸술폭시드, 1,1-디클로로-1,2,2,3,3-펜타플루오로프로판(HCFC225), 제오로라 H, HFE7100, HFE7200, HFE7300, CF₃CH₂OH, CF₃CF₂CH₂OH, (CF₃)₂CHOH 등의 불소 함유 용매 등을 들 수 있다. 혹은 이들의 2종 이상의 혼합 용매 등을 들 수 있다.

불소 함유 오일로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 이하의 일반식 (3)으로 표시되는 화합물(퍼플루오로(폴리)에테르 화합물)을 들 수 있다.

식 중, Rf⁵는 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 내지 16알킬기(바람직하게는 C_1-16의 퍼플루오로알킬기)를 나타내고, Rf⁶은 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 내지 16알킬기(바람직하게는 C_1-16퍼플루오로알킬기), 불소 원자 또는 수소 원자를 나타내고, Rf⁵ 및 Rf⁶은 보다 바람직하게는 각각 독립적으로 C_1-3퍼플루오로알킬기이다.

ａ’, ｂ’, ｃ’ 및 ｄ’는 폴리머의 주골격을 구성하는 퍼플루오로(폴리)에테르의 4종의 반복 단위수를 각각 나타내고, 서로 독립적으로 0 이상 300 이하의 정수이며, ａ’, ｂ’, ｃ’ 및 ｄ’의 합은 적어도 1, 바람직하게는 1 내지 300, 보다 바람직하게는 20 내지 300이다. 첨자 ａ’, ｂ’, ｃ’ 또는 ｄ’를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다. 이들 반복 단위 중, -(OC₄F₈)-는 -(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-, -(OCF(CF₃)CF₂CF₂)-, -(OCF₂CF(CF₃)CF₂)-, -(OCF₂CF₂CF(CF₃))-, -(OC(CF₃)₂CF₂)-, -(OCF₂C(CF₃)₂)-, -(OCF(CF₃)CF(CF₃))-, -(OCF(C₂F₅)CF₂)- 및 (OCF₂CF(C₂F₅))- 중 어느 것이어도 되지만, 바람직하게는 -(OCF₂CF₂CF₂CF₂)-이다. -(OC₃F₆)-는 -(OCF₂CF₂CF₂)-, -(OCF(CF₃)CF₂)- 및 (OCF₂CF(CF₃))- 중 어느 것이어도 되고, 바람직하게는 -(OCF₂CF₂CF₂)-이다. -(OC₂F₄)-는 -(OCF₂CF₂)- 및 (OCF(CF₃))- 중 어느 것이어도 되지만, 바람직하게는 -(OCF₂CF₂)-이다.

상기 일반식 (3)으로 표시되는 퍼플루오로(폴리)에테르 화합물의 예로서, 이하의 일반식 (3a) 및 (3b) 중 어느 것으로 나타내지는 화합물(1종 또는 2종 이상의 혼합물이면 됨)을 들 수 있다.

이들 식 중, Rf⁵ 및 Rf⁶은 상기한 바와 같고; 식 (3a)에 있어서, b”는 1 이상 100 이하의 정수이며; 식 (3b)에 있어서, a”및 b”는 각각 독립적으로 0 이상 30 이하의 정수이며, c”및 d”는 각각 독립적으로 1 이상 300 이하의 정수이다. 첨자 a”, b”, c”, d”를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.

또한, 다른 관점에서, 불소 함유 오일은 일반식 Rf³-F(식 중, Rf³은 C_5-16퍼플루오로알킬기이다.)로 표시되는 화합물이면 된다. 또한, 클로로트리플루오로에틸렌 올리고머여도 된다.

상기 불소 함유 오일은 500 내지 10000의 평균 분자량을 갖고 있어도 된다. 불소 함유 오일의 분자량은 GPC를 사용하여 측정할 수 있다.

불소 함유 오일은 본 개시의 표면 처리제에 대하여, 예를 들어 0 내지 50질량％, 바람직하게는 0 내지 30질량％, 보다 바람직하게는 0 내지 5질량％ 포함될 수 있다. 하나의 양태에 있어서, 본 개시의 표면 처리제는 불소 함유 오일을 실질적으로 포함하지 않는다. 불소 함유 오일을 실질적으로 포함하지 않는다는 것은, 불소 함유 오일을 전혀 포함하지 않거나, 또는 극미량의 불소 함유 오일을 포함하고 있어도 되는 것을 의미한다.

하나의 양태에 있어서, 불소 함유 실란 화합물의 평균 분자량보다도, 불소 함유 오일의 평균 분자량을 크게 해도 된다. 이러한 평균 분자량으로 함으로써, 특히 진공 증착법에 의해 표면 처리층을 형성하는 경우에 있어서, 보다 우수한 마찰 내구성과 표면 미끄럼성을 얻을 수 있다.

하나의 양태에 있어서, 불소 함유 실란 화합물의 평균 분자량보다도, 불소 함유 오일의 평균 분자량을 작게 해도 된다. 이러한 평균 분자량으로 함으로써, 이러한 화합물로부터 얻어지는 표면 처리층의 투명성의 저하를 억제하면서, 높은 마찰 내구성 및 높은 표면 미끄럼성을 갖는 경화물을 형성할 수 있다.

불소 함유 오일은 본 개시의 표면 처리제에 의해 형성된 층의 표면 미끄럼성을 향상시키는 것에 기여한다.

상기 실리콘 오일로서는 예를 들어 실록산 결합이 2,000 이하인 직쇄상 또는 환상의 실리콘 오일을 사용할 수 있다. 직쇄상의 실리콘 오일은 소위 스트레이트 실리콘 오일 및 변성 실리콘 오일이면 된다. 스트레이트 실리콘 오일로서는 디메틸실리콘 오일, 메틸페닐실리콘 오일, 메틸히드로겐실리콘 오일을 들 수 있다. 변성 실리콘 오일로서는 스트레이트 실리콘 오일을, 알킬, 아르알킬, 폴리에테르, 고급 지방산에스테르, 플루오로알킬, 아미노, 에폭시, 카르복실, 알코올 등에 의해 변성시킨 것을 들 수 있다. 환상의 실리콘 오일은 예를 들어 환상 디메틸실록산 오일 등을 들 수 있다.

본 개시의 표면 처리제 중, 이러한 실리콘 오일은 상기 본 개시의 플루오로폴리에테르기 함유 실란 화합물의 합계 100질량부(2종 이상인 경우에는 이들의 합계, 이하도 마찬가지)에 대하여, 예를 들어 0 내지 300질량부, 바람직하게는 50 내지 200질량부로 포함될 수 있다.

실리콘 오일은 표면 처리층의 표면 미끄럼성을 향상시키는 것에 기여한다.

상기 알코올류로서는 예를 들어 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 내지 6의 알코올, 예를 들어 메탄올, 에탄올, iso-프로판올, tert-부탄올, CF₃CH₂OH, CF₃CF₂CH₂OH, (CF₃)₂CHOH를 들 수 있다. 이들 알코올류를 표면 처리제에 첨가함으로써, 표면 처리제의 안정성을 향상시키고, 또한 퍼플루오로폴리에테르기 함유 실란 화합물과 용매의 상용성을 개선시킨다.

상기 알코올류는 표면 처리제 중, 상기 금속 화합물에 대하여 몰비로, 바람직하게는 0.1 내지 5배, 보다 바람직하게는 0.5 내지 3배, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.2배의 양으로 포함된다. 알코올류의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 표면 처리층의 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.

상기 촉매로서는 산(예를 들어 아세트산, 트리플루오로아세트산 등), 염기(예를 들어 암모니아, 트리에틸아민, 디에틸아민 등), 전이 금속(예를 들어 Ti, Ni, Sn 등) 등을 들 수 있다.

촉매는 본 개시의 불소 함유 실란 화합물의 가수 분해 및 탈수 축합을 촉진시키고, 본 개시의 표면 처리제에 의해 형성되는 층의 형성을 촉진시킨다.

다른 성분으로서는 상기 이외에도, 예를 들어 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 메틸트리아세톡시실란 등도 들 수 있다.

본 개시의 표면 처리제는 다공질 물질, 예를 들어 다공질의 세라믹 재료, 금속 섬유, 예를 들어 스틸 울을 면상으로 굳힌 것에 함침시켜, 펠릿으로 할 수 있다. 당해 펠릿은 예를 들어 진공 증착에 사용할 수 있다.

본 개시의 표면 처리제는 상기한 성분에 더하여, 불순물로서, 예를 들어 Pt, Rh, Ru, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산, 트리페닐포스핀, NaCl, KCl, 실란의 축합물 등을 미량 포함할 수 있다.

이하, 본 개시의 물품에 대하여 설명한다.

본 개시의 물품은 기재와, 해당 기재 표면에 본 개시의 표면 처리제로부터 형성된 층(표면 처리층)을 포함한다.

본 개시에 있어서 사용 가능한 기재는, 예를 들어 유리, 수지(천연 또는 합성 수지, 예를 들어 일반적인 플라스틱 재료이면 됨), 금속, 세라믹스, 반도체(실리콘, 게르마늄 등), 섬유(직물, 부직포 등), 모피, 피혁, 목재, 도자기, 석재 등, 건축 부재 등, 위생용품, 임의의 적절한 재료로 구성될 수 있다.

예를 들어, 제조해야 할 물품이 광학 부재인 경우, 기재의 표면을 구성하는 재료는 광학 부재용 재료, 예를 들어 유리 또는 투명 플라스틱 등이어도 된다. 또한, 제조해야 할 물품이 광학 부재인 경우, 기재의 표면(최외층)에 어떠한 층(또는 막), 예를 들어 하드 코팅층이나 반사 방지층 등이 형성되어 있어도 된다. 반사 방지층에는 단층 반사 방지층 및 다층 반사 방지층 중 어느 것을 사용해도 된다. 반사 방지층에 사용 가능한 무기물의 예로서는 SiO₂, SiO, ZrO₂, TiO₂, TiO, Ti₂O₃, Ti₂O₅, Al₂O₃, Ta₂O₅, Ta₃O₅, Nb₂O₅, HfO₂, Si₃N₄, CeO₂, MgO, Y₂O₃, SnO₂, MgF₂, WO₃ 등을 들 수 있다. 이들 무기물은 단독으로 또는 이들의 2종 이상을 조합하여(예를 들어 혼합물로서) 사용해도 된다. 다층 반사 방지층으로 하는 경우, 그 최외층에는 SiO₂ 및/또는 SiO를 사용하는 것이 바람직하다. 제조해야 할 물품이 터치 패널용의 광학 유리 부품인 경우, 투명 전극, 예를 들어 산화인듐 주석(ITO)이나 산화인듐아연 등을 사용한 박막을, 기재(유리)의 표면의 일부에 갖고 있어도 된다. 또한, 기재는 그의 구체적 사양 등에 따라서, 절연층, 점착층, 보호층, 장식 프레임층(I-CON), 안개화막층, 하드 코팅막층, 편광 필름, 상위차 필름 및 액정 표시 모듈 등을 갖고 있어도 된다.

상기 기재의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 판상, 필름, 기타 형태이면 된다. 또한, 표면 처리층을 형성해야 할 기재의 표면 영역은 기재 표면의 적어도 일부이면 되고, 제조해야 할 물품의 용도 및 구체적 사양 등에 따라서 적절히 결정될 수 있다.

하나의 양태에 있어서, 이러한 기재로서는 적어도 그 표면 부분이, 수산기를 원래 갖는 재료를 포함하는 것이면 된다. 이러한 재료로서는 유리를 들 수 있고, 또한 표면에 자연 산화막 또는 열산화막이 형성되는 금속(특히 비금속), 세라믹스, 반도체 등을 들 수 있다. 혹은 수지 등과 같이, 수산기를 갖고 있어도 충분하지 않은 경우나, 수산기를 원래 갖지 않는 경우에는 기재에 어떠한 전처리를 실시함으로써, 기재의 표면에 수산기를 도입하거나, 증가시키거나 할 수 있다. 이러한 전처리의 예로서는 플라스마 처리(예를 들어 코로나 방전)나, 이온빔 조사를 들 수 있다. 플라스마 처리는 기재 표면에 수산기를 도입 또는 증가시킬 수 있음과 함께, 기재 표면을 청정화하기(이물 등을 제거하기) 위해서도 적합하게 이용될 수 있다. 또한, 이러한 전처리의 다른 예로서는 탄소-탄소 불포화 결합기를 갖는 계면 흡착제를 LB법(랭뮤어-블로젯법)이나 화학 흡착법 등에 의해, 기재 표면에 미리 단분자막의 형태로 형성하고, 그 후, 산소나 질소 등을 포함하는 분위기 하에서 불포화 결합을 개열하는 방법을 들 수 있다.

다른 양태에 있어서, 이러한 기재로서는 적어도 그의 표면 부분이, 다른 반응성기, 예를 들어 Si-H기를 하나 이상 갖는 실리콘 화합물이나, 알콕시실란을 포함하는 재료를 포함하는 것이어도 된다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 기재는 유리이다. 이러한 유리로서는 사파이어 유리, 소다 석회 유리, 알칼리 알루미노규산염 유리, 붕규산 유리, 무알칼리 유리, 크리스탈 유리, 석영 유리가 바람직하고, 화학 강화된 소다 석회 유리, 화학 강화된 알칼리 알루미노규산염 유리 및 화학 결합된 붕규산 유리가 특히 바람직하다.

본 개시의 물품은 상기 기재의 표면에, 상기 본 개시의 표면 처리제의 층을 형성하고, 이 층을 필요에 따라서 후처리하고, 이에 의해, 본 개시의 표면 처리제로부터 층을 형성함으로써 제조할 수 있다.

본 개시의 표면 처리제의 층 형성은, 상기 표면 처리제를 기재의 표면에 대하여 해당 표면을 피복하도록 적용함으로써 실시할 수 있다. 피복 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 습윤 피복법 및 건조 피복법을 사용할 수 있다.

습윤 피복법의 예로서는, 침지 코팅, 스핀 코팅, 플로 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 그라비아 코팅 및 유사한 방법을 들 수 있다.

건조 피복법의 예로서는, 증착(통상, 진공 증착), 스퍼터링, CVD 및 유사한 방법을 들 수 있다. 증착법(통상, 진공 증착법)의 구체예로서는, 저항 가열, 전자빔, 마이크로파 등을 사용한 고주파 가열, 이온빔 및 유사한 방법을 들 수 있다. CVD 방법의 구체예로서는, 플라스마-CVD, 광학 CVD, 열 CVD 및 유사한 방법을 들 수 있다.

또한, 상압 플라스마법에 의한 피복도 가능하다.

습윤 피복법을 사용하는 경우, 본 개시의 표면 처리제는 용매로 희석되고 나서 기재 표면에 적용될 수 있다. 본 개시의 조성물 안정성 및 용매의 휘발성의 관점에서, 다음 용매가 바람직하게 사용된다: 탄소수 5 내지 12의 퍼플루오로지방족 탄화수소(예를 들어, 퍼플루오로헥산, 퍼플루오로메틸시클로헥산 및 퍼플루오로-1,3-디메틸시클로헥산); 폴리플루오로 방향족 탄화수소(예를 들어, 비스(트리플루오로메틸)벤젠); 폴리플루오로 지방족 탄화수소(예를 들어, C₆F₁₃CH₂CH₃(예를 들어, 아사히 가라스 가부시키가이샤제의 아사히클린(등록 상표) AC-6000), 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄(예를 들어, 닛폰 제온 가부시키가이샤제의 제오로라(등록 상표) H); 히드로플루오로에테르(HFE)(예를 들어, 퍼플루오로프로필메틸에테르(C₃F₇OCH₃)(예를 들어, 스미또모 쓰리엠 가부시키가이샤제의 Novec(상표) 7000), 퍼플루오로부틸메틸에테르(C₄F₉OCH₃)(예를 들어, 스미또모 쓰리엠 가부시키가이샤제의 Novec(상표) 7100), 퍼플루오로부틸에틸에테르(C₄F₉OC₂H₅)(예를 들어, 스미또모 쓰리엠 가부시키가이샤제의 Novec(상표) 7200), 퍼플루오로헥실메틸에테르(C₂F₅CF(OCH₃)C₃F₇)(예를 들어, 스미또모 쓰리엠 가부시키가이샤제의 Novec(상표) 7300) 등의 알킬퍼플루오로알킬에테르(퍼플루오로알킬기 및 알킬기는 직쇄 또는 분지상이면 됨), 혹은 CF₃CH₂OCF₂CHF₂(예를 들어, 아사히 가라스 가부시키가이샤제의 아사히클린(등록 상표) AE-3000)) 등. 이들 용매는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 그 중에서도 히드로플루오로에테르가 바람직하고, 퍼플루오로부틸메틸에테르(C₄F₉OCH₃) 및/또는 퍼플루오로부틸에틸에테르(C₄F₉OC₂H₅)가 특히 바람직하다.

건조 피복법을 사용하는 경우, 본 개시의 표면 처리제는 그대로 건조 피복법에 부쳐도 되고 또는 상기한 용매로 희석하고 나서 건조 피복법에 부쳐도 된다.

표면 처리제의 층 형성은, 층 중에서 본 개시의 표면 처리제가, 가수 분해 및 탈수 축합을 위한 촉매와 함께 존재하도록 실시하는 것이 바람직하다. 간편하게는 습윤 피복법에 의한 경우, 본 개시의 표면 처리제를 용매로 희석한 후, 기재 표면에 적용하기 직전에, 본 개시의 표면 처리제의 희석액에 촉매를 첨가해도 된다. 건조 피복법에 의한 경우에는, 촉매 첨가한 본 개시의 표면 처리제를 그대로 증착(통상, 진공 증착) 처리하거나, 혹은 철이나 구리 등의 금속 다공체에, 촉매 첨가한 본 개시의 표면 처리제를 함침시킨 펠릿상 물질을 사용하여 증착(통상, 진공 증착) 처리를 해도 된다.

촉매에는 임의의 적절한 산 또는 염기를 사용할 수 있다. 산 촉매로서는, 예를 들어 아세트산, 포름산, 트리플루오로아세트산 등을 사용할 수 있다. 또한, 염기 촉매로서는, 예를 들어 암모니아, 유기 아민류 등을 사용할 수 있다.

상기한 바와 같이 본 개시의 물품은, 기재 상에, 불소 함유 실란 화합물 및 금속 화합물을 포함하는 표면 처리제를 사용하여 표면 처리층을 형성함으로써 제조된다. 따라서, 본 개시의 물품에 있어서의 표면 처리층은 금속 화합물 유래의 금속 원자를 포함한다.

따라서, 본 개시는 기재와, 해당 기재 상에 형성된 표면 처리층을 포함하는 물품이며, 상기 표면 처리층은 불소 함유 실란 화합물로 형성되고, 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자를 포함하는 물품을 제공한다.

상기 물품에 있어서, 상기 불소 함유 실란 화합물은 상기 본 개시의 표면 처리제에 포함되는 불소 함유 실란 화합물이다. 따라서, 당해 물품에 포함되는 표면 처리층을 형성하는 불소 함유 실란 화합물은, 상기한 표면 처리제에 포함되는 불소 함유 실란과 마찬가지의 양태를 갖는다. 예를 들어, 하나의 양태에 있어서, 상기 불소 함유 실란 화합물은 하기 식 (1) 또는 (2):

[식 중:

R^F1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 Rf¹-R^F-O_q-이며;

R^F2는 -Rf² _p-R^F-O_q-이며;

p는 0 또는 1이며;

q는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 또는 1이며;

α는 1 내지 9의 정수이며;

β는 1 내지 9의 정수이며;

γ는 각각 독립적으로 1 내지 9의 정수이다.]

상기 물품에 있어서, 상기 금속 원자는 상기 본 개시의 표면 처리제에 포함되는 금속 화합물을 구성하는 금속 원자이다. 따라서, 당해 물품에 포함되는 표면 처리층에 포함되는 금속 원자는, 상기한 표면 처리제에 포함되는 금속 화합물에 관한 금속과 마찬가지의 양태를 갖는다. 예를 들어, 상기 금속 원자는, 바람직하게는 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자(단, Si를 제외함)로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자, 보다 바람직하게는 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 더욱 바람직하게는 3 내지 7족의 전이 금속 원자, 보다 더 바람직하게는 4 내지 6족의 전이 금속 원자이다.

하나의 양태에 있어서, 상기 금속 원자는 Ta, Nb, Zr, Mo, W, Cr, Hf, Al, Ti 및 V로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 원자이다.

바람직한 양태에 있어서, 상기 금속 원자는 Ta, Nb, W, Mo, Cr 또는 V이다.

더욱 바람직한 양태에 있어서, 상기 금속 원자는 Ta이다.

상기 표면 처리층의 원자 조성 및 구성 원자의 비율은, 표면 분석 및 깊이 방향 분석에 의해 결정할 수 있다. 분석의 방법으로서는 X선 광전자 분광 분석법, 비행 시간형 2차 이온 질량 분석법 등을 사용할 수 있다.

(표면 분석)

표면 처리층의 원자 조성 및 구성 원자의 비율을 측정하기 위한 X선 광전자 분광 분석법을 행하는 장치로서는, XPS, 알백 파이사제 PHI5000VersaProbeII를 사용할 수 있다. XPS 분석의 측정 조건으로서는, X 선원에 단색화 AlKα선을 25W, 광전자 검출 면적을 1400㎛×300㎛, 광전자 검출각을 20도, 45도, 90도, 패스 에너지를 23.5eV로 하고, 스퍼터 이온에는 Ar 이온을 사용하는 것이 가능하다. 상기 장치, 측정 조건에 의해, C1s, O1s, F1s, Si2p 궤도, 및 금속 원자의 적절한 궤도의 피크 면적을 관측하고, 탄소, 산소, 불소, 규소 및 금속 원자의 원자비를 산출함으로써 적층체의 조성을 구할 수 있다. 금속 원자의 적절한 궤도로서는, 예를 들어 원자 번호 5(B)는 1s 궤도, 원자 번호 13 내지 14, 21 내지 31(Al 내지 Si, Sc 내지 Ga)은 2p 궤도, 원자 번호 32 내지 33, 39 내지 52(Ge 내지 As, Y 내지 Te)는 3d 궤도, 원자 번호 72 내지 83(Hf 내지 Bi)은 4f 궤도를 들 수 있다.

(깊이 방향 분석)

또한, 표면 처리층의 깊이 방향의 분석을 실시하는 것도 가능하다. XPS 분석의 측정 조건으로서는, X 선원에 단색화 AlKα선을 25W로 사용하고, 광전자 검출 면적을 1400㎛×300㎛, 광전자 검출각을 45도, 패스 에너지를 23.5eV로 하고, 스퍼터 이온에는 Ar 이온을 사용할 수 있다. Ar 이온에 의한 스퍼터링에 의해 적층체 표층을 1 내지 100nm 에칭하고, 각각의 에칭 후의 깊이에 있어서, C1s, O1s, F1s, Si2p 궤도, 및 금속 원자의 적절한 궤도의 피크 면적을 관측하고, 탄소, 산소, 불소, 규소 및 금속 원자의 원자비를 산출함으로써 적층체 내부의 조성을 구할 수 있다. 금속 원자의 적절한 궤도로서는, 예를 들어 원자 번호 5(B)는 1s 궤도, 원자 번호 13 내지 14, 21 내지 31(Al 내지 Si, Sc 내지 Ga)은 2p 궤도, 원자 번호 32 내지 33, 39 내지 52(Ge 내지 As, Y 내지 Te)는 3d 궤도, 원자 번호 72 내지 83(Hf 내지 Bi)은 4f 궤도를 들 수 있다.

본 개시의 물품에 포함되는 표면 처리층을 상기와 같이 표면 분석(광전자 검출각을 45도)한 경우, 상기 금속 원자는 표면 처리층 중에, 탄소, 산소, 불소, 규소 및 금속 원자(예를 들어, 탄탈)의 합계량에 대하여, 바람직하게는 0.03 내지 3.0at％, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1.0at％, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 0.5at％, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.3at％ 존재한다. 이러한 비율로 표면 처리층에 금속 원자를 함유시킴으로써, 표면 처리층의 마찰 내구성, 내약품성을 보다 확실하게 향상시킬 수 있다.

본 개시의 물품에 포함되는 표면 처리층을 상기와 같이 표면 분석(광전자 검출각을 45도)한 경우, 상기 표면 처리층에 있어서, 금속 원자에 대한 탄소 원자의 함유 몰비(C/M비)는, 바람직하게는 10 내지 1,000, 보다 바람직하게는 50 내지 500일 수 있다. 탄소 원자와 금속 원자의 비를 이러한 범위로 함으로써, 표면 처리층의 마찰 내구성, 내약품성을 보다 확실하게 향상시킬 수 있다.

본 개시의 물품에 포함되는 표면 처리층은 불순물, 예를 들어 Pt, Rh, Ru, 1,3-디비닐테트라메틸디실록산, 트리페닐포스핀, NaCl, KCl, 실란의 축합물 등을 미량 포함할 수 있다.

본 개시의 물품에 포함되는 표면 처리층은 높은 표면 미끄럼성과 높은 마찰 내구성의 양쪽을 갖는다. 또한, 상기 표면 처리층은 높은 마찰 내구성 및 내약품성에 더하여, 사용하는 표면 처리제의 조성에 따라서 다르지만, 발수성, 발유성, 방오성(예를 들어 지문 등의 오염의 부착을 방지함), 방수성(전자 부품 등에의 물의 침입을 방지함), 표면 미끄럼성(또는 윤활성, 예를 들어 지문 등의 오염의 닦아냄성이나, 손가락에 대한 우수한 촉감) 등을 가질 수 있어, 기능성 박막으로서 적합하게 이용될 수 있다.

따라서, 본 개시는 또한, 상기 표면 처리층을 최외층에 갖는 광학 재료에도 관한 것이다.

광학 재료로서는, 후기에 예시하는 디스플레이 등에 관한 광학 재료 이외에도, 다종 다양한 광학 재료를 바람직하게 들 수 있다: 예를 들어, 음극선관(CRT; 예를 들어, 퍼스컴 모니터), 액정 디스플레이, 플라스마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 무기 박막 EL 도트 매트릭스 디스플레이, 배면 투사형 디스플레이, 형광 표시관(VFD), 전계 방출 디스플레이(FED; Field Emission Display) 등의 디스플레이 또는 그들 디스플레이의 보호판, 또는 그들 표면에 반사 방지막 처리를 실시한 것.

본 개시의 물품은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 광학 부재일 수 있다. 광학 부재의 예로는, 다음의 것을 들 수 있다: 안경 등의 렌즈; PDP, LCD 등의 디스플레이의 전방면 보호판, 반사 방지판, 편광판, 안티글레어판; 휴대 전화, 휴대 정보 단말기 등의 기기의 터치 패널 시트; 블루레이(Blu-ray(등록 상표)) 디스크, DVD 디스크, CD-R, MO 등의 광 디스크의 디스크면; 광 파이버; 시계의 표시면 등.

또한, 본 개시의 물품은 의료 기기 또는 의료 재료여도 된다.

상기 층의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 광학 부재의 경우, 상기 층의 두께는 1 내지 50nm, 1 내지 30nm, 바람직하게는 1 내지 15nm의 범위인 것이, 광학 성능, 표면 미끄럼성, 마찰 내구성 및 방오성의 점에서 바람직하다.

본 개시는 또한,

기재와, 해당 기재 상에 형성된 표면 처리층을 포함하는 물품이며, 상기 표면 처리층은 불소 함유 실란 화합물로 형성되고, 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자를 포함하는 물품의 제조 방법이며,

을 포함하는 방법을 제공한다.

이상, 본 개시의 물품에 대하여 상세하게 설명하였다. 또한, 본 개시의 물품 및 물품의 제조 방법 등은 상기에서 예시한 것에 한정되지 않는다.

실시예

이하, 본 개시의 물품에 대하여, 실시예에 있어서 설명하지만, 본 개시는 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(표면 처리제의 조제)

표면 처리제 1 내지 4

하기 퍼플루오로폴리에테르기 함유 실란 화합물을, 20질량％가 되도록 HFE7200을 사용하여 희석한 용액 4g에 대하여, Ta(OCH₂CH₃)₅(고쥰도 가가꾸 겐뀨쇼제)를 각각 0.21g, 0.12g 및 0.025g을 첨가하여, 표면 처리제 1 내지 3을 조제하였다. 또한, 상기 화합물을, 20질량％가 되도록 HFE7200을 사용하여 희석하여, 비교예의 표면 처리제 4를 조제하였다.

·퍼플루오로폴리에테르기 함유 실란 화합물

CF₃CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)₂₃CF₂CF₂CONHCH₂C[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃

표면 처리제 5 및 6

상기에서 조제한 표면 처리제 1에, 각각 iso-프로판올(도꾜 가세이 고교제)을 0.21g, CF₃CF₂CH₂OH(다이킨 고교제)을 0.21g 첨가하여, 표면 처리제 5 및 6을 조제하였다.

(표면 처리층의 형성)

상기에서 조제한 표면 처리제 1 내지 6을, 각각 두께 0.5mm, 71.5mm×149.0mm의 화학 강화, 표면 연마를 실시한 고릴라 글래스 3(코닝사제) 상에 진공 증착시켰다. 구체적으로는 표면 처리제 1 내지 6(0.05g)을 각각 진공 증착 장치 내의 저항 가열 보트에 충전하고, 진공 증착 장치 내를 압력 3.0×10^-3Pa 이하로 배기하였다. 이어서, 상기 고릴라 글래스 3 상에 5nm의 이산화규소막을 형성하고, 저항 가열 보트를 승온함으로써, 화학 강화 유리 상에 성막을 행하였다. 다음에 증착막 구비 화학 강화 유리를, 온도 150℃의 분위기 하에서 30분 정치하고, 그 후 실온까지 방랭시켜, 기재 상에 표면 처리층을 형성하고, 실시예 1 내지 5(표면 처리제 1 내지 3, 5 및 6) 및 비교예 1(표면 처리제 4)의 표면 처리층 구비 유리 기체를 얻었다.

<평가>

상기에서 얻어진 표면 처리층 구비 유리 기체에 대하여, 각각 다음과 같이 물 접촉각의 측정, 알칼리 시험 및 마찰 내구성의 평가를 행하였다.

(알칼리 침지 시험)

직경 1cm의 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)제 O링을, 상기 실시예 1 및 비교예 1의 유리 기체의 표면 처리층을 형성한 표면에 설치하고, 8N의 NaOH 용액을 상기 O링 내에 적하하고, 표면 처리층의 표면을 알칼리 수용액과 접촉시켜, 알칼리 침지 시험에 부쳤다. 알칼리 침지 시험의 20 내지 120분 경과 후에 NaOH 용액을 닦아내고, 순수, 에탄올로 세정한 후에, 물에 대한 접촉각을 측정하였다. 또한, 물의 정적 접촉각은, 상기 알칼리 침지 시험 후의 유리 기체의 표면에 대하여 2μL의 순수의 수적을 착적시키고, 접촉각계(교와 가이멘 가가꾸사제: 자동 접촉각계 DropMaster701)를 사용하여, 물에 대한 접촉각을 측정하였다. 알칼리 침지 시험 후의 물 정적 접촉각의 측정 개소는 5군데에서 행하였다. 침지 시간과, 5군데의 접촉각 평균값의 관계를 하기 표 1에 나타낸다.

(마찰 내구성 시험)

표면 처리층이 형성된 샘플 물품을 수평 배치하고, 하기 마찰자를 표면 처리층의 표면에 접촉(접촉면은 직경(1cm의 원)시키고, 그 위에 5N의 하중을 부여하고, 그 후, 하중을 가한 상태에서 마찰자를 40mm/초의 속도로 왕복시켰다. 마찰자를 최대 10,000회 왕복시키고, 각각 왕복 횟수(마찰 횟수) 1000회마다 물의 정적 접촉각(°)을 측정하였다. 물의 정적 접촉각의 측정값이 80° 미만이 된 시점에서 시험을 중지하였다. 또한, 물의 정적 접촉각의 측정은 상기 알칼리 시험과 마찬가지로 실시하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.

·마찰자

하기에 나타내는 실리콘 고무 가공품의 표면(직경 1cm)을, 하기에 나타내는 조성의 인공땀에 침지시킨 코튼으로 덮은 것을 마찰자로서 사용하였다.

인공땀의 조성:

무수인산수소이나트륨: 2g

염화나트륨: 20g

85％ 락트산: 2g

히스티딘염산염: 5g

증류수: 1Kg

실리콘 고무 가공품:

타이거스 폴리머제, 실리콘 고무 마개 SR-51을, 직경 1cm, 두께 1cm의 원주상으로 가공한 것.

(표면 분석)

상기 처리된 유리 기체의 표면 처리층의 표면 조성을, X선 광전자 분광 분석 장치(XPS, 알백 파이사제 PHI5000VersaProbeII)를 사용하여 행하였다. XPS 분석의 측정 조건은 하기와 같이 하였다.

X 선원: 단색화 AlKα선(25W)

광전자 검출 면적: 1400㎛×300㎛

광전자 검출각: 45도

패스 에너지: 23.5eV

실시예 1 및 비교예 1에서 얻어진 표면 처리층 구비 유리 기체에 대하여, 상기 XPS에 의해, C1s, O1s, F1s, Si2p 및 Ta4f 궤도의 피크 면적을 관측하고, 탄소, 산소, 불소, 규소, 탄탈의 원자비, 면적비를 산출함으로써, 표면 처리 방오층을 포함하는 처리 표면의 조성을 구하였다. 결과를, RAS를 사용한 실시예 1 및 2에 대하여 하기 표 3에 나타낸다.

상기 분석 결과로부터, Ta를 포함하는 실시예의 표면 처리층은, Ta를 포함하지 않는 비교예의 표면 처리층과 비교하여, 알칼리 침지 시험 및 마찰 내구 시험의 양쪽에 있어서, 보다 양호한 결과가 되는 것이 확인되었다.

본 개시의 물품은 각종 다양한 용도, 예를 들어 터치 패널 등의 광학 부재로서 적합하게 이용될 수 있다.

Claims

불소 함유 실란 화합물 및 금속 화합물을 포함하는 표면 처리제이며, 해당 금속 화합물에 포함되는 금속 원자는 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자인, 표면 처리제.
제1항에 있어서,
상기 불소 함유 실란 화합물은 하기 식 (1) 또는 (2):

[식 중:
R^F1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 Rf¹-R^F-O_q-이며;
R^F2는 -Rf² _p-R^F-O_q-이며;
Rf¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-16알킬기이며;
Rf²는 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-6알킬렌기이며;
R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2가의 플루오로폴리에테르기이며;
p는 0 또는 1이며;
q는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 또는 1이며;
R^Si는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기, 가수 분해성기, 수소 원자 또는 1가의 유기기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이며;
적어도 하나의 R^Si는 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이며;
X^A는 각각 독립적으로 단결합 또는 2 내지 10가의 유기기이며;
α는 1 내지 9의 정수이며;
β는 1 내지 9의 정수이며;
γ는 각각 독립적으로 1 내지 9의 정수이다.]
로 표시되는 적어도 1종의 플루오로폴리에테르기 함유 화합물인, 표면 처리제.
제2항에 있어서,
Rf¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 C_1-16퍼플루오로알킬기이며,
Rf²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 C_1-6퍼플루오로알킬렌기인,
표면 처리제.
제2항 또는 제3항에 있어서,
R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 식:
-(OC₆F₁₂)_a-(OC₅F₁₀)_b-(OC₄F₈)_c-(OC₃R^Fa ₆)_d-(OC₂F₄)_e-(OCF₂)_f-
[식 중, R^Fa는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 염소 원자이며,
a, b, c, d, e 및 f는 각각 독립적으로 0 내지 200의 정수이며, a, b, c, d, e 및 f의 합은 1 이상이며, a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이며, 단, 모든 R^Fa가 수소 원자 또는 염소 원자인 경우, a, b, c, e 및 f의 적어도 하나는 1 이상이다.]
으로 표시되는 기인, 표면 처리제.
제4항에 있어서,
R^Fa는 불소 원자인, 표면 처리제.
제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 하기 식 (f1), (f2), (f3), (f4) 또는 (f5):
-(OC₃F₆)_d- (f1)
[식 중, d는 1 내지 200의 정수이다.],
-(OC₄F₈)_c-(OC₃F₆)_d-(OC₂F₄)_e-(OCF₂)_f- (f2)
[식 중, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며;
e 및 f는 각각 독립적으로 1 내지 200의 정수이며;
c, d, e 및 f의 합은 10 내지 200의 정수이며;
첨자 c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.],
-(R⁶-R⁷)_g- (f3)
[식 중, R⁶은 OCF₂ 또는 OC₂F₄이며;
R⁷은 OC₂F₄, OC₃F₆, OC₄F₈, OC₅F₁₀ 및 OC₆F₁₂로부터 선택되는 기이거나, 혹은 이들 기로부터 선택되는 2 또는 3개의 기의 조합이며;
g는 2 내지 100의 정수이다.],
-(OC₆F₁₂)_a-(OC₅F₁₀)_b-(OC₄F₈)_c-(OC₃F₆)_d-(OC₂F₄)_e-(OCF₂)_f- (f4)
[식 중, e는 1 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d 및 f는 각각 독립적으로 0 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d, e 및 f의 합은 적어도 1이며, 또한 a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]
-(OC₆F₁₂)_a-(OC₅F₁₀)_b-(OC₄F₈)_c-(OC₃F₆)_d-(OC₂F₄)_e-(OCF₂)_f- (f5)
[식 중, f는 1 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d 및 e는 각각 독립적으로 0 이상 200 이하의 정수이며, a, b, c, d, e 및 f의 합은 적어도 1이며, 또한 a, b, c, d, e 또는 f를 붙여 괄호로 묶은 각 반복 단위의 존재 순서는 식 중에 있어서 임의이다.]
로 표시되는 기인, 표면 처리제.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
R^Si는 하기 식 (S1), (S2), (S3) 또는 (S4):

[식 중:
R¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;
R¹²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;
n1은 (SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1) 단위마다 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
X¹¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 유기기이며;
R¹³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;
t는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2 이상의 정수이며;
R¹⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 -X¹¹-SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1이며;
R¹⁵는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌옥시기이며;
R^a1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z¹-SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1이며;
Z¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;
R²¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^1’-SiR^21’ _p1’R^22’ _q1’R^23’ _r1’이며;
R²²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;
R²³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;
p1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
q1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
r1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
Z^1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;
R^21’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^1”-SiR^22” _q1”R^23” _r1”이며;
R^22’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;
R^23’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;
p1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
q1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
r1’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
Z^1”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;
R^22”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;
R^23”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;
q₁”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
r₁”는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
R^b1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;
R^c1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;
k1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
l1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
m1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
R^d1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z²-CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2이며;
Z²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;
R³¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z^2’-CR^32’ _q2’R^33’ _r2’이며;
R³²는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이며;
R³³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이며;
p2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
q2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
r2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
Z^2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;
R^32’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이며;
R^33’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이며;
q2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
r2’는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
Z³은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 단결합, 산소 원자 또는 2가의 유기기이며;
R³⁴는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기 또는 가수 분해성기이며;
R³⁵는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기이며;
n2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
R^e1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 -Z³-SiR³⁴ _n2R³⁵ _3-n2이며;
R^f1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 1가의 유기기이며;
k2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
l2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이며;
m2는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.]
로 표시되는 기인, 표면 처리제.
제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
α, β 및 γ는 1인, 표면 처리제.
제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
X^A는 각각 독립적으로 3가의 유기기이며,
α는 1이면서 β는 2이거나, α는 2이면서 β는 1이며,
γ는 2인, 표면 처리제.
제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식 (S1)로 표시되는 기는 하기 식 (S1-b):

[식 중, R¹¹, R¹², R¹³, X¹¹, n1 및 t는 상기 식 (S1)의 기재와 동일한 의미이다]
로 표시되는 기인, 표면 처리제.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
알코올을 더 함유하는, 표면 처리제.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
불소 함유 오일, 실리콘 오일 및 촉매로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 다른 성분을 더 함유하는, 표면 처리제.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
용매를 더 포함하는, 표면 처리제.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
방오성 코팅제 또는 방수성 코팅제로서 사용되는, 표면 처리제.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
진공 증착용인, 표면 처리제.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리제를 함유하는, 펠릿.
기재와, 해당 기재 상에, 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 표면 처리제로부터 형성된 층을 포함하는, 물품.
기재와, 해당 기재 상에 형성된 표면 처리층을 포함하는 물품이며, 상기 표면 처리층은 불소 함유 실란 화합물로 형성되고, 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자를 포함하는, 물품.
제18항에 있어서,
상기 금속 원자는 표면 처리층 중에, 탄소, 산소, 불소, 규소 및 금속 원자의 합계량에 대하여 0.03 내지 3at％ 포함되는, 물품.
제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 금속 원자는 Ta, Nb, Zr, Mo, W, Cr, Hf, Al, Ti 및 V로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자인, 물품.
제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 원자는 Ta인, 물품.
제18항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 불소 함유 실란 화합물은 하기 식 (1) 또는 (2):

[식 중:
R^F1은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 Rf¹-R^F-O_q-이며;
R^F2는 -Rf² _p-R^F-O_q-이며;
Rf¹은 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-16알킬기이며;
Rf²는 1개 또는 그 이상의 불소 원자에 의해 치환되어 있어도 되는 C_1-6알킬렌기이며;
R^F는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 2가의 플루오로폴리에테르기이며;
p는 0 또는 1이며;
q는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 0 또는 1이며;
R^Si는 각 출현에 있어서 각각 독립적으로 수산기, 가수 분해성기, 수소 원자 또는 1가의 유기기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이며;
적어도 하나의 R^Si는 수산기 또는 가수 분해성기가 결합된 Si 원자를 포함하는 1가의 기이며;
X^A는 각각 독립적으로 단결합 또는 2 내지 10가의 유기기이며;
α는 1 내지 9의 정수이며;
β는 1 내지 9의 정수이며;
γ는 각각 독립적으로 1 내지 9의 정수이다.]
로 표시되는 적어도 1종의 플루오로폴리에테르기 함유 화합물인, 물품.
제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재는 유리 기재인, 물품.
제17항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
광학 부재인, 물품.
기재와, 해당 기재 상에 형성된 표면 처리층을 포함하는 물품의 제조 방법이며,
상기 표면 처리층은 불소 함유 실란 화합물로 형성되고, 주기율표의 3족 내지 11족의 전이 금속 원자, 및 12 내지 15족의 전형 금속 원자로부터 선택되는 1종 또는 그 이상의 금속 원자를 포함하고,
상기 기재 상에, 상기 불소 함유 실란 화합물 및 상기 금속 원자를 포함하는 금속 화합물을 포함하는 표면 처리제를 사용하여, 상기 불소 함유 실란 화합물 및 상기 금속 원자를 포함하는 금속 화합물을 증착시켜, 표면 처리층을 형성하는 것
을 포함하는 방법.