KR20210119958A - 입방정 질화붕소 소결체 및 그 제조 방법, 및 공구 - Google Patents

입방정 질화붕소 소결체 및 그 제조 방법, 및 공구 Download PDF

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KR20210119958A
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Abstract

우수한 내마모성 및 내결손성을 가지면서, 표면이 세라믹 코팅막과의 밀착성도 우수한 입방정 질화붕소 소결체 및 그 제조 방법, 및 공구를 제공한다. 본 발명의 입방정 질화붕소 소결체는, 입방정 질화붕소를 60.0~90.0체적% 포함하고, 잔부가 결합상이며, 상기 결합상은 Al의 질화물, 붕화물 및 산화물 중 적어도 어느 하나와, Ti의 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 붕화물 중 적어도 어느 하나와, 하기 식(1)으로 나타내어지는 화합물을 함유한다.
W2NixCo(1-x)B2 (0.40≤x<1) (1)

Description

입방정 질화붕소 소결체 및 그 제조 방법, 및 공구
본 발명은 입방정 질화붕소 소결체 및 그 제조 방법, 및, 절삭이나 연삭용의 공구에 관한 것이다.
입방정 질화붕소(이하, cBN으로 약칭한다.)는 다이아몬드에 준한 경도를 갖는 물질이고, cBN 입자를 주성분으로서 소결시킨 cBN 소결체는 내마모성 및 내결손성의 양쪽 특성을 겸비한 재료이다. 이 때문에, cBN 소결체는 주로 고경도강 등의 난삭재의 절삭 공구에 이용되고 있다.
그리고, 절삭 가공의 목적이나 절삭 공구의 다양한 사용 형태 등에 따라서, 내마모성 및 내결손성의 보다 나은 향상의 요구에 응하기 위해, cBN 소결체의 개량이 진행되고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에, cBN 소결체 중에 화합물로서 존재하는 금속 성분 W, Co 및 Ni에 대해서, W, Co 및 Ni의 합계 중량에 대한 W의 중량의 비를 0.2~0.6,또한, Co 및 Ni의 합계 중량에 대한 Co의 중량의 비를 0.6~0.95로 함으로써, 강도 및 내열성이 우수한 cBN 소결체로 되는 것이 기재되어 있다.
또한, 특허문헌 2에, cBN (111)면의 X선 회절(XRD) 강도에 대한 B6Co21W2 (420)면의 XRD 강도의 비가 0.10~0.40임으로써, cBN 함유량이 많고, 비저항이 낮은 cBN 소결체가 얻어지는 것이 기재되어 있다.
또한, 특허문헌 3에, TiB2 (101)면의 XRD 피크 높이가 cBN (111)면의 XRD 피크 높이의 12%보다 작음으로써, cBN 소결체의 내결손성의 저하가 억제되는 것이 기재되어 있다.
국제공개 제 2000/047537호 일본 특허공개 2004-331456호 공보 국제공개 제 2006/046125호
그런데, 최근, 경량화 대응의 피삭재의 난삭화나, 가공 비용의 저감화를 위한 절삭 가공 속도의 고속화가 현저하고, cBN 소결체에 의한 공구(이하, CBN 공구로 약칭한다.)에 대한 요구 성능도 엄격해지고 있다. 이와 같은 요구에 대응하기 위해, 예를 들면, cBN 소결체의 표면을, TiN이나 TiAlN, TiCN, CrAlN 등의 내열성이 우수한 세라믹스 코팅막으로 피복한 CBN 공구도 사용되고 있다.
그러나, 상기 특허문헌 1~3에 기재되어 있는 바와 같은 종래의 cBN 소결체에서는, 세라믹스 코팅막과의 밀착성은 반드시 충분하지는 않았다. 예를 들면, 기어 끝면이나 핀홀 등의 단속부나, 로크웰 경도(HRC) 60 이상의 고경도강의 절삭이나 연삭 가공시에는, cBN 소결체의 표면으로부터 세라믹스 코팅막이 박리되고, 이 박리 개소로부터 이상 마모나 치핑, 결손이 발생한다는 과제를 갖고 있었다.
또한, 세라믹스 코팅막이 물리 증착(PVD)법으로 형성되는 경우에, 높은 바이어스 전압이 인가되면, 종래의 cBN 소결체에서는 세라믹스 코팅막과의 밀착성이 충분히 얻어지지 않는 경우도 있었다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이고, 우수한 내마모성 및 내결손성을 가지면서, 표면이 세라믹스 코팅막과의 밀착성도 우수한 cBN 소결체 및 그 제조 방법, 및 공구를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 cBN 함유량을 높이고, Ni원을 포함하는 배합 원료와 cBN을 혼합해서 소결시키고, 결합상에 W2NixCo(1-x)B2를 생성시킨 cBN 소결체에 의하면, 우수한 내마모성 및 내결손성에 추가해서, 표면을 피복하는 세라믹스 코팅막의 박리가 억제되는 것을 찾아낸 것에 근거하는 것이다.
즉, 본 발명은 이하의 [1]~[9]를 제공하는 것이다.
[1] 입방정 질화붕소를 60.0~90.0체적% 포함하고, 잔부가 결합상이고, 상기 결합상은 Al의 질화물, 붕화물 및 산화물 중 적어도 어느 하나와, Ti의 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 붕화물 중 적어도 어느 하나와, 하기 식(1)으로 나타내어지는 화합물을 함유하는 입방정 질화붕소 소결체.
W2NixCo(1-x)B2 (0.40≤x<1) (1)
[2] CuKα를 선원으로 하는 X선 회절 스펙트럼에 있어서 상기 식(1)으로 나타내어지는 화합물의 (112)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IA와, 입방정 질화붕소의 (111)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IB의 비 IA/IB가 0.330~0.750인 상기 [1]에 기재된 입방정 질화붕소 소결체.
[3] 상기 Ti의 붕화물로서 TiB2를 포함하고, CuKα를 선원으로 하는 X선 회절 스펙트럼에 있어서 TiB2의 (101)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IC와, 입방정 질화붕소의 (111)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IB의 비 IC/IB가 0.140~0.750인 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 입방정 질화붕소 소결체.
[4] 25℃에 있어서의 전기저항률이 1.0×10-5~5.0×10-2Ω·㎝인 상기 [1]~[3] 중 어느 1항에 기재된 입방정 질화붕소 소결체.
[5] 입방정 질화붕소 입자의 주위길이 포락도가 0.600~0.900인 상기 [1]~[4] 중 어느 1항에 기재된 입방정 질화붕소 소결체.
[6] 상기 [1]~[5] 중 어느 1항에 기재된 입방정 질화붕소 소결체를 제조하는 방법으로서, Al원, Ti원, Ni원, W원 및 Co원을 포함하는 배합 원료와, 입방정 질화붕소 분말을 포함하는 배합물을 혼합 분쇄하여 원료 혼합물을 얻는 공정과, 상기 원료 혼합물을 500~800℃에서 열처리하여 탈가스하고, 열처리 분말을 얻는 공정과, 상기 열처리 분말을 불활성 가스 분위기 하, 3.0㎬ 이상, 1200~1500℃에서 가압가열 처리하여 입방정 질화붕소 소결체를 얻는 공정을 갖는 입방정 질화붕소 소결체의 제조 방법.
[7] 상기 [1]~[5] 중 어느 1항에 기재된 입방정 질화붕소 소결체를 구성 재료로서 포함하는 공구.
[8] 절삭 또는 연삭용인 상기 [7]에 기재된 공구.
[9] 상기 입방정 질화붕소 소결체의 표면에 세라믹스 코팅막을 갖는 상기 [7] 또는 [8]에 기재된 공구.
본 발명에 의하면, 내마모성 및 내결손성이 우수하고, 또한, 세라믹스 코팅막과의 밀착성도 우수한 cBN 소결체가 제공된다.
따라서, 본 발명의 cBN 소결체를 사용함으로써, 난삭재의 연삭 가공에 있어서도 CBN 공구의 장수명화를 도모할 수 있고, 나아가서는, 단속부나 고경도강의 절삭이나 연삭 가공에 있어서의 가공 비용을 저감시킬 수 있다.
도 1은 실시예 14의 cBN 소결체의 X선 회절(XRD) 차트이다.
도 2는 비교예 10의 cBN 소결체의 XRD 차트이다.
도 3은 cBN 소결체 중의 cBN 입자의 주위길이 및 포락 주위길이를 설명하기 위한 개략도이다.
도 4a는 실시예 1의 소결체 시료의 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 촬영 화상(배율 2000배)이다.
도 4b는 도 4a의 SEM 화상의 이진화 처리상이다.
이하, 본 발명의 cBN 소결체 및 그 제조 방법, 및 cBN 소결체를 사용한 공구의 실시형태에 대하여 설명한다.
[cBN 소결체]
본 발명의 cBN 소결체는 cBN을 60~90체적% 포함하고, 잔부가 결합상이다. 그리고, 상기 결합상이 Al의 질화물, 붕화물 및 산화물 중 적어도 어느 하나와, Ti의 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 붕화물 중 적어도 어느 하나와, 하기 식(1)으로 나타내어지는 화합물 A를 함유하는 것이다.
W2NixCo(1-x)B2 (0.40≤x<1) (1)
이와 같은 cBN 소결체는, 우수한 내마모성 및 내결손성을 갖고 있고, 또한, 표면을 피복하는 세라믹스 코팅막과의 양호한 밀착성이 얻어진다.
<cBN>
본 실시형태의 cBN 소결체 중의 cBN의 함유량은 60.0~90.0체적%이며, 바람직하게는 60.0~85.0체적%, 보다 바람직하게는 65.0~80.0체적%로 한다.
상기 함유량이 60.0체적% 이상임으로써, 고경도, 고내산화성 및 고열전도성등의 cBN이 우수한 특성을 살리면서, 미소한 크랙이 발생한 경우에도 cBN 소결체의 내부로의 신장이 억제되고, 양호한 내결손성이 얻어진다. 또한, 상기 함유량이 90.0체적% 이하이면, cBN 입자끼리의 응집이 억제되고, cBN 입자가 탈락하지 않고 소결하기 쉽기 때문에, 양호한 내마모성이 얻어진다.
또한, cBN 소결체 중의 cBN의 함유량은, cBN 소결체의 경면 연마면의 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 관찰 화상에 근거하여, cBN의 점유 면적 비율을 체적 함유량으로 간주한 값이다. 구체적으로는, 하기 실시예에 기재된 방법에 의해 구해진다.
본 실시형태의 cBN 소결체 중의 cBN 입자는, 주위길이 포락도가 0.600~0.900인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.700~0.880, 더 바람직하게는 0.750~0.850이다.
주위길이 포락도란 입자 형상에 관한 파라미터이며, 입자 주위길이에 대한 포락 주위길이의 비율을 나타내고, 입자 표면의 요철도의 지표가 된다. 주위길이 포락도가 1에 가까울수록 입자 표면의 요철이 적고, 윤곽이 매끄럽다는 것을 의미한다. 또한, 주위길이 포락도가 작을수록 입자 표면에 요철이 많고, 윤곽이 거칠어져 있거나, 입자가 일그러지거나 하는 경향이 있다.
cBN 입자의 주위길이 포락도가 작을 경우, cBN 입자와 결합상의 계면 강도가 높고, cBN 입자가 탈립하기 어려워지며, 또한 cBN 소결체에 크랙이 발생하기 어려워진다. 또한, 이와 같은 cBN 소결체의 표면에, 예를 들면, PVD법으로 높은 바이어스 전압을 인가해서 세라믹스 코팅막을 형성할 경우에 있어서도, cBN 입자의 탈락이 발생하기 어렵고, 상기 세라믹스 코팅막과의 양호한 밀착성이 얻어진다.
상기 주위길이 포락도가 0.600 이상이면, cBN 입자와, 결합상의 구성 원료의 과잉한 반응이 억제되고, cBN 입자의 본래의 특성인 고경도 및 우수한 내마모성이 충분히 발휘된다. 또한, 주위길이 포락도가 0.900 이하이면, cBN 입자가 탈락하지 않고, 결합상의 구성 원료와의 소결 반응이 적절하게 진행됨으로써, 양호한 내마모성 및 내결손성을 나타내고, 또한, 세라믹스 코팅 피막과의 양호한 밀착성이 얻어진다.
또한, 본 발명에 있어서, cBN 소결체 중의 cBN 입자의 주위길이 포락도란, cBN 소결체의 경면 연마면의 SEM에 의한 관찰 화상에 의거하여, cBN 입자 100개의 주위길이 LA 및 포락 주위길이 LB를 측정해서 LB/LA를 산출하고, 이것들을 산술 평균한 값을 말하는 것으로 한다. 구체적으로는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, SEM에 의한 관찰 화상에 있어서의 1개의 cBN 입자의 윤곽이 a일 경우, 윤곽 a의 전체 길이가 주위길이 LA이다. 윤곽 a의 볼록부를 연결한 둘레가 b이고, 둘레 b의 전체 길이가 포락 주위길이 LB이다. 주위길이 포락도는, 구체적으로는, 하기 실시예에 기재된 방법에 의해 구해진다.
본 실시형태의 cBN 소결체 중의 cBN 입자는, 평균 입자 지름이, 바람직하게는1.0~10.0㎛, 보다 바람직하게는 1.0~6.0㎛, 더 바람직하게는 2.0~5.0㎛이다. 상기평균 입자 지름이 1.0㎛ 이상이면, 모든 cBN 입자가 결합상에 의해 강고하게 유지되기 쉽다. 또한, 상기 평균 입자 지름이 10.0㎛ 이하이면, 소결체가 인성이 우수한 것으로 되기 쉽다.
또한, 본 명세서에서 말하는 cBN 소결체 중의 cBN 입자의 평균 입자 지름은, cBN 소결체의 경면 연마면의 SEM에 의한 관찰 화상에 근거하여, cBN 입자 100개의 면적 상당 지름을 구하고, 그 누적 분포의 누적 면적 50%에 있어서의 입자 지름으로 한다.
<결합상>
본 실시형태의 cBN 소결체 중의 cBN의 잔부는 결합상이다. 상기 결합상은 Al의 질화물, Al의 붕화물 및 Al의 산화물 중 적어도 어느 하나와, Ti의 탄화물, Ti의 질화물, Ti의 탄질화물 및 Ti의 붕화물 중 적어도 어느 하나와, 하기 식(1)으로 나타내어지는 화합물 A를 함유한다.
W2NixCo(1-x)B2 (0.40≤x<1) (1)
상기 결합상은 cBN과의 높은 결합력을 갖고, cBN 소결체에 있어서의 크랙의 발생 및 신장을 억제하고, 우수한 내결손성을 가져온다.
상기 결합상을 구성하는 화합물은, 바람직한 실시형태에 있어서는, TiN, TiCN, TiB2, AlN, Al2O3 및 화합물 A를 포함하고, 또한, W2Co21B6을 포함하고 있는 것도 바람직하다.
또한, 상기 결합상을 구성하는 각 화합물은 cBN 소결체에 대해서 XRD법에 의한 정성 분석으로 확인되는 것으로 한다. cBN 소결체의 정성 분석은, 구체적으로는, 하기 실시예에 나타내는 바와 같이, 기존의 무기 재료 데이터베이스와의 대조에 의해 행해진다.
화합물 A는, 결합상을 cBN 입자에 강고하게 접착시켜, cBN 소결체의 치밀화를 촉진시키는 역할을 맡는다. 이와 같은 관점으로부터, 화합물 A에 있어서의 Ni와 Co의 비율을 나타내는 x는 0.40≤x<1이며, 바람직하게는 0.45≤x≤0.95, 더 바람직하게는 0.50≤x≤0.90이다.
x가 0.40 이상이면, cBN 소결체를 적절히 치밀화시키는 것에 충분한 양의 화합물 A가 결합상 중에 생성된다. 또한, x가 1 미만이면, 결합상 중에서의 Co 및 Ni를 포함하는 복합 화합물인 화합물 A의 생성에 의해, 고경도의 cBN 소결체가 얻어지기 쉽다.
화합물 A는, 결합상 중, 및 결합상과 cBN 입자의 반응 소결을 촉진하고, cBN 입자와 결합상의 계면 강도를 높일 수 있는 한편, cBN보다 경도가 떨어지고, 결정이 조대 성장하지 않는 것이 바람직하고, cBN 소결체의 양호한 내마모성 및 내결손성의 관점으로부터는, 지나치게 많지 않은 것이 바람직하다. 이 때문에, 화합물 A는 cBN에 대하여 소정 범위 내의 량비로 포함되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 화합물 A의 cBN에 대한 바람직한 량비는, cBN 소결체의 XRD 스펙트럼의 회절 피크 강도에 근거해서 정한다. 구체적으로는, CuKα를 선원으로 하는 XRD 스펙트럼에 있어서, 화합물 A의 (112)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IA와, cBN의 (111)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IB의 비 IA/IB가 0.330~0.750인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.350~0.730, 더 바람직하게는 0.410~0.700이다.
또한, XRD 스펙트럼에 있어서의 피크 강도는, 결정상의 생성량뿐만 아니라, 소결체 중의 입자의 결정성이나 배향성의 영향도 받기 때문에, 본 발명에 있어서의 회절 피크 강도비는, 반드시, cBN 소결체 중의 조성 비율에 대응한다고는 할 수 없다는 점에 유의를 요한다.
또한, 상기 cBN 소결체는, Ti의 붕화물로서 TiB2를 포함하는 것이 바람직하고, TiB2의 함유량에 대해서도, 화합물 A와 마찬가지로, cBN 입자와 결합상의 계면강도 및 cBN 소결체의 내마모성의 관점으로부터, cBN에 대하여 소정의 량비의 범위내인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, TiB2의 cBN에 대한 바람직한 량비는, cBN 소결체에 대해서 XRD 스펙트럼의 회절 피크 강도에 근거해서 정한다. 구체적으로는, CuKα를 선원으로 하는 XRD 스펙트럼에 있어서 TiB2의 (101)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IC와, cBN의 (111)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IB의 비 IC/IB가 0.140~0.750인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.200~0.750, 더 바람직하게는 0.250~0.700이다.
단, TiB2와 AlB2는 X선 회절 패턴이 겹치기 때문에, 양쪽 화합물의 구별은 곤란하고, 본 발명에 있어서는, 편의 상, 상기 회절 피크가 양쪽 화합물에 대해서 겹쳐 있을 경우라도, TiB2의 (101)면에 귀속되는 회절 피크로 간주하는 것으로 한다.
결합상에는, 상술한 바와 같은 Al 화합물, Ti 화합물 및 화합물 A 이외의, 그 밖의 화합물이 포함되어 있어도 좋다. 예를 들면, Al 및 Ti의 복합 산화물이나, 제 4~6족 전이금속 원소의 붕화물(ZrB2, ZrB12, HfB2, HfB, HfB12, VB2, V3B4, V3B12, VB, V5B6, V2B2, NbB2, Nb3B2, NbB, TaB2, Ta2B, Ta3B2, TaB, Ta3B4, CrB, CrB4, Cr2B, Cr2B3, Cr5B3, CrB2, MoB, Mo2B5, MoB4, Mo2B, MoB2, WB, W2B, WB4), 질화물(ZrNx(0<x≤1), Hf3N2, HfNx(0<x≤1), Hf4N3, VNx(0<x≤1), V2N, NbN, Nb4N3, Nb2N, TaNx(0<x≤1), Ta3N5, Ta4N, Ta2N, Cr2N, CrNx(0<x≤1), WN, W2N), 및, 상술한 화합물도 포함한 각 화합물의 상호 고용체가 포함되어 있어도 좋다. 단, cBN 소결체 중, Ti 및 W 이외의 제 4~6족 전이금속 원소의 각각의 함유량은, 가능한 한 적은 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1000질량ppm 이하, 더 바람직하게는 100질량ppm 이하이다.
또한, 예를 들면 배합 원료에 유래하는 것이거나, 분쇄 용기로부터의 컨태미네이션 등의 제조 과정에서 혼입하거나 하는 불가피적 불순물이 포함되어 있는 경우도 있다. 상기 불가피적 불순물로서는, 예를 들면, Li, Mg, Ca, Al, Si, Ti, C, B, S, P, Ga, Co, Ni, Mn, Fe, Cl, W, 및, 이것들의 화합물 등을 들 수 있고, 상기그 밖의 화합물과 중복되는 것도 포함될 수 있다.
<전기저항률>
본 실시형태의 cBN 소결체는, 25℃에 있어서의 전기저항률이 1.0×10-5~5.0×10-2Ω·㎝인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0×10-5~1.0×10-2Ω·㎝이다.
cBN 소결체의 전기저항률이 상기 범위 내이면, 예를 들면, 물리 증착(PVD)법으로 높은 바이어스 전압을 인가해서, 상기 cBN 소결체의 표면을 세라믹스 코팅막으로 피복했을 경우에 있어서도, 상기 세라믹스 코팅막과의 양호한 밀착성을 얻는 데 있어서 바람직하다.
또한, 본 발명에서 말하는 cBN 소결체의 전기저항률은, 구체적으로는, 하기 실시예에 나타내도록 해서 제작한 측정 시료에 대해서, 4탐침법에 의해 측정한 값이다.
<비커스 경도>
본 발명의 cBN 소결체는, CBN 공구로서, 고경도강의 절삭 가공 등에 적합하게 사용할 수 있는 것이라는 관점으로부터는 고경도인 것이 바람직하고, 구체적으로는, JIS Z 2244:2009에 준한 방법으로, 하중 9.8N, 유지 시간 15초의 조건에서 측정된 비커스 경도가 2950 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3000 이상, 더 바람직하게는 3100 이상이다.
[cBN 소결체의 제조 방법]
본 실시형태의 cBN 소결체는, Al원, Ti원, Ni원, W원 및 Co원을 포함하는 배합 원료와, cBN 분말을 포함하는 배합물을 혼합 분쇄하여 원료 혼합물을 얻는 공정(1)과, 상기 원료 혼합물을 500~800℃에서 열처리하여 탈가스하고, 열처리 분말을 얻는 공정(2)과, 상기 열처리 분말을 불활성 가스 분위기 하, 3.0㎬ 이상, 1200~1500℃에서 가압가열 처리하여 cBN 소결체를 얻는 공정(3)을 거침으로써 제조할 수 있다.
상기 공정 (1)~(3)을 포함하는 제조 방법에 의하면, 본 실시형태의 cBN 소결체를 적합하게 얻을 수 있다.
<공정(1)>
공정(1)에서는, 우선, Al원, Ti원, Ni원, W원 및 Co원을 포함하는 배합 원료와, cBN 분말을 포함하는 배합물을 혼합 분쇄하여 원료 혼합물을 얻는다.
cBN 분말에는, 예를 들면 3㎬ 이상, 1200℃ 이상의 초고압 고온 합성으로 얻어진 순도 99.9% 이상의 cBN 입자를 미분쇄하고, 입자 지름 및 입자 형상을 조정한 것이 적합하게 사용된다.
미분쇄하는 수단으로서는, 예를 들면 조크러셔 분쇄, 제트밀 분쇄, 롤브레이커 분쇄, 진동밀 분쇄, 볼밀 분쇄, 포트밀 분쇄, 유성 볼밀 분쇄, 비드밀 분쇄 등의 분쇄기를 사용할 수 있다.
상기 cBN 분말은, 레이저 회절 산란법에 의해 측정된 입자 지름의 체적 분포에 있어서의 누적 체적 50%에서의 입자 지름(이하, D50으로 표기한다.)이, 0.3~10.0㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0~8.0㎛, 더 바람직하게는 2.0~5.0㎛이다.
상기 D50이 0.3㎛ 이상임으로써, 결합상의 구성 성분으로 되는 것이 억제되고, cBN을 충분한 양으로 함유하는, 경도가 높은 소결체가 얻어지기 쉽다. 또한, 상기 D50이 10.0㎛ 이하이면, 인성이 우수하고, 내결손성이 우수한 소결체가 얻어지기 쉽다.
상기 cBN 분말의 입자 형상은, 원형도가 0.910~0.950인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.920~0.950, 더 바람직하게는 0.925~0.945이다.
원형도가 0.910 이상임으로써, 원료 혼합물의 유동성이 양호하고, cBN 분말과 결합상의 계면에 있어서의 반응이 적절하게 진행되고, 균일한 소결체가 얻어지기 쉬워진다. 또한, 원형도가 0.950 이하이면, cBN 분말과 결합상의 적당한 접촉 상태가 확보되어, 소결 반응이 양호하게 진행되기 쉽다.
또한, 상기 cBN 분말은, cBN 소결체를 얻을 때의 소결 반응의 균일한 진행의 관점으로부터, 원형도 0.900 이하의 입자가 차지하는 체적이 25.0체적% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5.0~20.0체적%, 더 바람직하게는 10.0~18.0체적%이다.
또한, 원형도는 입자가 어느 정도 구체에 가까운지를 나타내는 지표이며, JIS Z 8890:2017의 정의에 근거한다. 입자의 이차원 화상에 있어서, S를 투영 면적, L을 주위길이로 했을 때, 4πS/L2로 나타내어진다. 이차원 화상에 있어서의 형상이 원에 가까울수록, 원형도의 값은 1에 근접한다. 본 명세서에서 말하는 cBN 분말의 원형도란, 약 1000개의 cBN 분말의 입자에 대한 원형도의 산술 평균값으로 한다. 구체적으로는, 하기 실시예에 나타내는 바와 같은 플로우식 입자상 분석 장치로 측정할 수 있다.
Al원, Ti원, Ni원, W원 및 Co원은, cBN 소결체의 결합상의 일부를 구성하는 것이며, 각각, 원소 단체라도, 화합물이라도 좋다.
바람직하게는, cBN 소결체를 얻을 때의 소결에 의해, 결합상에 있어서, TiN, TiCN, TiB2, AlN, Al2O3 및 화합물 A를 생성하는 것이 사용된다.
상기 배합 원료로서는, 예를 들면 TiN, TiAl3, WC, Co, Ni 및 B의 조합을 사용할 수 있다.
상기 배합 원료에 사용되는 각 원료 분말은, cBN 소결체의 조성의 균일화의관점으로부터, cBN 분말과 동등 정도 또는 그 이하의 입경의 것을 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 D50이 5.0㎛ 이하, 더 바람직하게는 D50이 0.01~3.0㎛이다.
또한, 상기 배합 원료에는, 각 원료 분말의 원료 유래 또는 제조 과정에서의 혼입 등에 기인해서, Ti 및 W 이외의 제 4~6족 전이금속 원소나 그 밖의 불가피적 불순물이 포함되어 있는 경우도 있다.
상기 배합 원료로서, 예를 들면 TiN, TiAl3, WC, Co, Ni 및 B의 조합을 사용하고, cBN 분말과 배합할 경우, 상기 cBN 소결체를 얻기 위해서는, 이들 배합 성분의 합계 100질량% 중의 cBN 분말의 배합량이 65.00~97.00질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 67.00~95.00질량%, 더 바람직하게는 70.00~92.00질량%이다.
또한, 이와 같은 배합 원료를 사용할 경우, 상기 배합 원료 중, 비커스 경도향상이나 내산성 등의 관점으로부터, TiN의 배합량이 TiAl3, WC, Co 및 B의 합계 배합량보다 많은 것이 보다 바람직하다.
또한, 이와 같은 배합 원료에 있어서는, 화합물 A의 생성하기 쉬움의 관점으로부터, 상기 배합 성분의 합계 100질량% 중, WC의 배합량은 1.00~5.00질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.00~3.00질량%, 더 바람직하게는 1.50질량% 이상 3.0질량% 미만이다.
마찬가지로, Co의 배합량은, 바람직하게는 0.10~5.00질량%, 보다 바람직하게는 0.15~2.00질량%, 더 바람직하게는 0.20~0.50질량%이다. 또한 Ni의 배합량은, 바람직하게는 0.10~15.00질량%, 보다 바람직하게는 0.15~12.00질량%, 더 바람직하게는 0.20~10.00질량%이다. 또한 B의 배합량은, 바람직하게는 0~10.00질량%, 보다 바람직하게는 0~7.00질량%, 더 바람직하게는 0~5.00질량%이다.
상기 배합 원료와, cBN 분말을 포함하는 배합물을 혼합 분쇄하여 얻어지는 원료 혼합물은, 상기 배합 원료 및 cBN 분말을 건식 분쇄한 것이어도 좋다. 혼합의 균일화의 관점으로부터, 분산매를 사용한 습식 분쇄에 의해 조제한 혼합 슬러리를 건조시켜서 얻어진 것이 바람직하다. 이 경우, 예를 들면, 분산매로서 아세톤, 헥산, 2-프로판올, 에탄올, 헵탄 등을 사용하여 유성 볼밀에서 혼합 분쇄할 수 있고, cBN이 고경도인 점으로부터, 초경합금제 볼을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 혼합 슬러리의 건조 방법으로서는, 예를 들면, Ar 등의 불활성 가스, N2 가스, H2/Ar 혼합 가스 등의 불활성 가스 분위기 하에서의 정치 건조, 감압 건조, 진공 건조 등을 들 수 있다. 정치 건조의 경우, 충분한 건조를 위해 70~100℃의 온도에서 5시간이상 행하는 것이 바람직하다.
<공정(2)>
공정(2)에서는, 공정(1)에서 얻어진, 충분히 건조시킨 원료 혼합물을, 500~800℃의 온도에서 열처리하여 탈가스하고, 열처리 분말을 얻는다.
상기 열처리는, 탈가스 처리를 효율적으로 행하는 관점으로부터, 진공 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 압력 1.0×10-3Pa 이하이다.
cBN 소결체의 제조 공정에 있어서의 소성 전의 탈가스 처리는, 통상, 1000℃ 이상에서 행해지지만, 본 발명에 있어서는, 결합상의 반응 소결의 균일한 진행 및 소결체의 치밀화의 관점으로부터, 상기 열처리의 온도는 800℃ 이하로 한다.
또한, 유기물 등의 불순물 성분을 충분히 제거하고, 소결체를 치밀화시키는 관점으로부터, 상기 열처리의 온도를 500℃ 이상으로 한다.
탈가스를 위한 상기 열처리의 온도는, 보다 바람직하게는 550~750℃, 더 바람직하게는 600~700℃이다.
상기 열처리의 시간은, 처리하는 원료 혼합물의 양이나 공정(1)에서 사용된 분산매의 종류 등에 따라 적당히 설정되지만, 통상, 0.1~10시간인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1~3시간이다.
<공정(3)>
공정(3)에서는, 공정(2)에서 얻어진 열처리 분말을, 불활성 가스 분위기하, 압력 3.0㎬ 이상, 온도 1200~1500℃에서 가압가열 처리하여 cBN 소결체를 얻는다.
이와 같이, 상기 열처리 분말을 초고압 고온 소성함으로써, 본 실시형태의 cBN 소결체를 적합하게 얻을 수 있다.
cBN 소결체의 치밀화의 관점으로부터, 가압가열 처리에 있어서의 최고 압력은, 바람직하게는 3.5㎬ 이상, 보다 바람직하게는 4.0㎬ 이상이다. 마찬가지의 방법의 관점으로부터, 가압가열 처리에 있어서의 최고 온도는, 바람직하게는 1250~1500℃, 보다 바람직하게는 1300℃~1500℃이다.
상기 열처리 분말이 가압가열 처리시에 산화하지 않고, 소망의 cBN 소결체를 제조하는 관점으로부터, 상기 열처리 분말의 취급시 및 가압가열 처리시의 분위기는, 불활성 가스 분위기로 하는 것이 바람직하다. 불활성 가스로서는, 예를 들면, Ar 가스, N2 가스 등을 들 수 있다. 이들 가스는 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋다.
[공구]
본 실시형태의 공구는 본 발명의 cBN 소결체를 구성 재료로서 포함하는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 cBN 소결체는 고경도이며, 우수한 내마모성 및 내결손성을 갖고 있기 때문에, 공구, 특히, 절삭이나 연삭용의 공구에 적합한 재료이다. 즉, CBN 공구로서 상기와 같은 우수한 특성을 발휘할 수 있다.
고경도강 등의 난삭재의 연삭이나 절삭에 있어서, 우수한 내마모성 및 내결손성를 부여하기 위해, cBN 소결체의 표면을, 내열성이 우수한 세라믹스 코팅막으로 피복한 CBN 공구(코팅 공구)에 있어서도, 본 발명의 cBN 소결체는, 표면이 세라믹스 코팅막(피막)과의 밀착성이 우수하고, 피막이 박리되기 어려운 것으로 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 cBN 소결체는, 고경도강의 기어 끝면이나 핀홀 등의 단속부의 절삭이나 연삭에 적용될 경우에 있어서도, 세라믹스 코팅막이 박리되기 어렵고, 코팅 공구의 장수명화를 도모할 수도 있다.
상기 세라믹스 코팅막의 재질로서는, 예를 들면, TiN, TiAlN, TiCN, CrAlN 등을 들 수 있다. 이것들 중, 내산화성 등의 관점으로부터 TiAlN, CrAlN이 바람직하고, 비용 등의 점에서 TiAlN의 쪽이 바람직하다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시형태를 실시예에 근거하여 설명하지만, 본 발명은 하기실시예에 한정되는 것은 아니다.
[cBN 소결체의 제조]
<cBN 분말 원료의 조제>
cBN 입자(「BN-V」, 쇼와 덴코 가부시키가이샤제)를 미분쇄하고, 원심법 및 침강법으로 분급해서, 이하에 나타내는 cBN (1)~(3)을 조제하고, 하기 실시예 및 비교예에 있어서의 cBN 소결체의 제조에 있어서의 cBN 분말 원료로서 사용했다.
·cBN(1): D50 2.8㎛, 원형도 0.943, 원형도(1개의 입자) 0.900 이하의 입자수의 비율 15.2%
·cBN(2): D50 3.6㎛, 원형도 0.936, 원형도(1개의 입자) 0.900 이하의 입자수의 비율 16.1%
·cBN(3): D50 3.1㎛, 원형도 0.928, 원형도(1개의 입자) 0.900 이하의 입자수의 비율 16.3%
또한, cBN (1)~(3), 및 cBN 소결체의 제조에 사용되는 그 밖의 원료 분말의 D50은, 입도 분석 측정 장치(「마이크로 트랙(등록상표) MT3300」, 닛키소 가부시키가이샤제)로 측정한 입도 분포로부터 구했다.
또한, cBN (1)~(3)의 원형도는, 플로우식 입자상 분석 장치(「FPIA-3000」, 시스멕스사제)를 이용하여, 약 1000개(1000개 이상)의 입자의 화상 해석으로 측정했다.
또한, 원형도(1개의 입자) 0.900 이하의 입자수의 비율은, 상기 화상 해석으로 원형도를 측정한 약 1000개의 입자에 대해서, 각 입자의 원형도를 가로축, 누적 입자수를 세로축으로서 나타낸 원형도 분포 그래프에 있어서, 원형도 0.900에 있어서의 누적 입자수의 비율이다.
(실시예 1~15, 비교예 1, 2 및 5~8)
소정의 cBN 분말 원료와, TiN(D50 1.2㎛) 및 TiAl3(D50 19.8㎛)을 질량비 3:1로 미리 혼합해서 조제해 둔 배합 원료(1)와, 상기 배합 원료(1) 이외의 그 밖의 배합 원료(WC(D50: 0.5㎛), Co(D50: 2.8㎛), Ni(D50: 0.4㎛), B(D50: 0.4㎛))를, 하기 표 1에 나타내는 각 배합 조성으로 배합하고, 분산매로서 아세톤을 사용하여, 유성 볼밀(초경합금(주된 구성 성분: WC 약 90질량%, Co 약 10질량%)제 볼)에서, 균일해지도록 혼합 분쇄하여 원료 혼합물의 슬러리를 얻었다.
상기 슬러리를, N2 가스 분위기 하, 70℃에서 5시간, 정치 건조한 후, 1.0×10-3Pa 이하의 진공 분위기 하, 650℃에서 0.5시간 열처리해서 탈가스를 행하고, 열처리 분말을 얻었다.
N2 가스 분위기 하에서, 상기 열처리 분말을 초경합금제 지지판에 적층한 후, 4.5㎬, 1500℃에서 1시간, 가압가열 처리하여 cBN 소결체(직경 약 60㎜, 두께 약 4㎜)를 제작했다. cBN 소결체의 상면(초경합금제 지지판과의 접촉면이 하면)을 #400다이아몬드 숫돌로 연삭하고, 평가용의 소결체 시료로 했다.
(비교예 3 및 9)
원료 혼합물의 각 배합 조성을 하기 표 1에 나타내는 것으로 하고, 또한, 원료 혼합물의 슬러리를 건조시킨 후의 탈가스시의 열처리 온도를 1000℃로 하고, 그 이상은 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 해서, 열처리 분말을 얻은 후, cBN 소결체를 얻어 각 소결체 시료를 제작했다.
(비교예 4)
비교예 2에 있어서, 원료 혼합물의 슬러리를 건조시킨 후의 탈가스시에 열처리를 행하지 않고, 건조 분말을 비교예 2와 마찬가지의 방법으로 해서, 가압가열 처리를 행했지만, 평판 형상의 cBN 소결체를 얻을 수 없었다.
[cBN 소결체의 평가 측정]
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 소결체 시료에 대해서, 이하의 각종 평가 측정을 행했다. 이들 평가 측정 결과를 표 1에 정리해서 나타낸다. 또한, 비교예 10으로서, 시판품의 cBN 소결체(평균 입경 3㎛(공칭값)의 cBN 분말, 및 TiN 바인더 사용)에 대한 평가 측정 결과를 합쳐서 나타낸다.
<cBN 함유량>
소결체 시료를 경면 연마하고, SEM(「S-5500」, 히타치 하이테크놀로지즈 가부시키가이샤제)에서, 배율 2000배로 반사 전자상을 촬영했다. 촬영 화상에는 흑색부, 백색부 및 회색부가 있고, 각 부분에 대해서, 에너지 분산형 X선 분광 분석(EDX)을 행한 바, 흑색부가 cBN, 백색부 및 회색부가 결합상인 것이 확인되었다. 촬영 화상을 화상 처리 소프트로 2진화 처리하고, cBN 입자를 나타내는 흑색부와 결합상을 나타내는 백색부를 확인하고, 이진화 처리 화상의 시야 영역 전체에 차지하는 흑색부의 면적 비율을 구하고, 3시야에 대해서의 산술 평균값을 cBN 입자의 체적 비율로 간주했다.
대표예로서 실시예 1의 소결체 시료에 대해서, 도 4a에 SEM의 촬영 화상을, 도 4b에 그 이진화 처리상을 나타낸다. 또한, 1시야의 사이즈는 가로 64.0㎛, 세로 44.6㎛로 하고, 3시야의 합계 면적은 8563.2㎛2이다.
<주위길이 포락도>
상기 <cBN 함유량>의 측정과 마찬가지의 방법으로, 배율 10000배로 반사 전자상을 촬영하고, 이진화 처리한 화상에 있어서, 임의의 100개소의 흑색부(cBN 입자 100개)의 주위길이 LA 및 포락 주위길이 LB를 측정해서 LB/LA를 산출하고, 그들 산술 평균값을 주위길이 포락도로 했다.
<소결체 조성>
X선 회절 장치(「X' pert PRO」, 파날리티컬사제)로, XRD 측정을 행했다. 측정은, CuKα선, 출력 전압 40kV, 출력 전류 40mA, 샘플링 폭 0.0167°, 스캔 스피드 0.4178°/s, 측정 범위 2θ=10~80°의 조건에서 행했다.
측정된 XRD 패턴에 대해서, 무기 재료 데이터베이스(소프트웨어 「X' pert High Score Plus」 사용)와 대조했다.
또한, 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석(ICP-AES)에 의한 원소 분석의 결과도 참조하고, XRD 분석 결과에 의거하여 소결체 조성을 특정했다.
또한, 하기 표 1에 나타내는 소결체 조성은 XRD 분석에서 검출된 성분이다. 실시예 및 비교예 중 어느 소결체 시료에 대해서도(비교예 4를 제외한다), 소결체 조성 중에, cBN, TiN, TiCN, TiB2, AlN 및 Al2O3이 포함되어 있는 것이 확인되었다. 이것들 이외에 확인된 성분은 표 1에 기재한 바와 같다.
또한, 화합물 A에 대해서는, XRD 패턴에 있어서의 피크 시프트량 및 격자 정수, 및 ICP-AES에 의한 원소 분석 결과로부터, Ni량 및 Co량을 구하고, x의 값을 특정했다.
<피크 강도비>
상기 <소결체 조성>의 항에 있어서의 XRD 패턴에 있어서, 2θ=43.00° 부근의 W2NixCo(1-x)B2(화합물 A)의 (112)면의 회절 피크 강도 IA, 2θ=43.30° 부근의 cBN (111)면의 회절 피크 강도 IB, 및 2θ=44.36° 부근의 TiB2 (101) 면의 회절 피크 강도 IC를 측정하고, IA/IB 및 IC/IB의 각 비를 산출했다.
대표예로서 실시예 14 및 비교예 10에 대해서, 측정한 XRD 패턴의 2θ=42.5°~45.0°의 확대도를, 도 1 및 도 2에 각각 나타낸다.
<비커스 경도>
경면 연마한 소결체 시료에 대해서, JIS Z 2244:2009에 준한 방법으로, 하중 9.8N, 유지 시간 15초의 조건에서 비커스 경도를 측정했다.
<전기저항률>
평가용의 소결체로부터, 방전 가공기로, 35㎜×20㎜로 잘라내고, 또한, 초경합금제 지지 기판과의 접촉면(하면)측을 두께 100㎛ 이상 제거한 후, 연마 가공하여, 측정 시료(35㎜×20㎜, 두께 0.80㎜, 표면 거칠기(Rz)가 0.4 이하)를 제작했다.
측정 시료에 대해서, 저항률계(「로레스타-GX」, 미쓰비시 케미컬 아날리테크 가부시키가이샤제; PSP 프로브)로, 실온(25℃)에서, 4탐침법에 의해 전기저항값을 측정했다.
<절삭 평가>
평가용의 소결체로부터, ISO 규격 CNGA120408의 절삭 공구를 제작하고, PVD법에 의해 TiAlN 코팅막(피막)을 형성하고, 코팅 절삭 공구를 제작했다. 또한, 피막의 막두께는 SEM에서의 단면 관찰에 의해 측정했다.
이 코팅 절삭 공구를 사용하여, 이하의 (시험 1) 또는 (시험 2)에 나타내는 피삭재에 대해서, 외주 선삭 가공(절삭 속도 150m/min, 절개량 0.20㎜, 이송량 0.10㎜/rev)을 행했다. 가공 후의 공구날 끝을, 디지털 마이크로스코프(「VHX-5500」, 가부시키가이샤 키엔스제)로 관찰하고, 손상 상태(피막 박리 및 결손의 유무)를 확인하고, 또한, 공구 플랭크면의 최대 마모 폭을 계측해서 이것을 플랭크면 마모량으로 했다(JIS B 0170:1993 참조).
(시험 1)
피삭재로서, 고탄소 크롬 베어링강(JIS 규격 SUJ2; 경도(HRC) 60~64)의 직경 45㎜, 길이 200㎜의 환봉의 둘레면에, 원주 방향에 등간격으로 3개, 길이 방향에 등간격으로 8개의 계 24개의 직경 5㎜, 깊이 10㎜의 핀홀이 형성된 것을 사용하여, 가공 시간을 10분간으로 했다.
(시험 2)
피삭재로서, 냉간 금형용 합금 공구강(JIS 규격 SKD11; 경도 HRC 60~64)의 직경 70㎜, 길이 300㎜의 환봉을 사용하고, 가공 시간을 15분간으로 했다.
또한, (시험 2)는 실시예 11~15 및 비교예 6~10에 대해서만 행했다.
Figure pct00001
표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1~15의 cBN 소결체는, TiB2 및 W2NixCo(1-x)B2(화합물 A)를 함유하는 결합상이 생성되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 비커스 경도가 크고, 낮은 전기저항률이 유지되고 있어, PVD법에 의한 피막 형성시에 높은 바이어스 전압이 인가되어도, 피막의 밀착성이 높은 코팅 공구가 얻어진다. 이것은, 상기와 같은 결합상의 생성에 의해, 소결체의 치밀화가 촉진되고, 또한 cBN 입자가 탈락하지 않고 강고하게 유지되어 있기 때문이라고 생각된다.
상기와 같은 실시예에 따른 코팅 공구에 의하면, 둘레면에 핀홀이 형성된 고경도강을 절삭 가공했을 경우라도, 피막이 박리되지 않고, 또한, 공구 결손도 발생하지 않아, 우수한 내마모성이 얻어지는 것이 확인되었다.
이것에 대하여, 비교예 1~10의 cBN 소결체는 모두, 결합상에는 화합물 A는 포함되어 있지 않고, cBN 함유량이 동등해도, 비커스 경도는 실시예보다 떨어져 있었다. 또한, 이들 비교예에 따른 코팅 공구는 피막이 벗겨지기 쉽고, 마모되기 쉬운 경향이 보였다.

Claims (9)

  1. 입방정 질화붕소를 60.0~90.0체적% 포함하고, 잔부가 결합상이고,
    상기 결합상은 Al의 질화물, 붕화물 및 산화물 중 적어도 어느 하나와, Ti의 탄화물, 질화물, 탄질화물 및 붕화물 중 적어도 어느 하나와, 하기 식(1)으로 나타내어지는 화합물을 함유하는 입방정 질화붕소 소결체.
    W2NixCo(1-x)B2 (0.40≤x<1) (1)
  2. 제 1 항에 있어서,
    CuKα를 선원으로 하는 X선 회절 스펙트럼에 있어서 상기 식(1)으로 나타내어지는 화합물의 (112)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IA와 입방정 질화붕소의 (111)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IB의 비 IA/IB가 0.330~0.750인 입방정 질화붕소 소결체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 Ti의 붕화물로서 TiB2를 포함하고,
    CuKα를 선원으로 하는 X선 회절 스펙트럼에 있어서 TiB2의 (101)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IC와 입방정 질화붕소의 (111)면에 귀속되는 회절 피크 강도 IB의 비 IC/IB가 0.140~0.750인 입방정 질화붕소 소결체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    25℃에 있어서의 전기저항률이 1.0×10-5~5.0×10-2Ω·㎝인 입방정 질화붕소 소결체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    입방정 질화붕소 입자의 주위길이 포락도가 0.600~0.900인 입방정 질화붕소 소결체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 입방정 질화붕소 소결체를 제
    조하는 방법으로서,
    Al원, Ti원, Ni원, W원 및 Co원을 포함하는 배합 원료와, 입방정 질화붕소 분말을 포함하는 배합물을 혼합 분쇄하여 원료 혼합물을 얻는 공정과,
    상기 원료 혼합물을 500~800℃에서 열처리하여 탈가스하고, 열처리 분말을 얻는 공정과,
    상기 열처리 분말을 불활성 가스 분위기 하, 3.0㎬ 이상, 1200~1500℃에서 가압가열 처리하여 입방정 질화붕소 소결체를 얻는 공정을 갖는 입방정 질화붕소 소결체의 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 입방정 질화붕소 소결체를 구성 재료로서 포함하는 공구.
  8. 제 7 항에 있어서,
    절삭 또는 연삭용인 공구.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 입방정 질화붕소 소결체의 표면에 세라믹스 코팅막을 갖는 공구.
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