KR20210109448A - 광 반도체 밀봉용 수지 성형물, 광 반도체 밀봉재 및 광 반도체 장치 - Google Patents

광 반도체 밀봉용 수지 성형물, 광 반도체 밀봉재 및 광 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

균열이 발생하기 어렵고, 성형 시에 보이드가 발생하기 어려운 광 반도체 밀봉용 수지 성형물, 및 그것을 사용하여 얻어지는 광 반도체 밀봉재 및 광 반도체 장치를 제공한다.
최박부의 두께가 300㎛ 이하인 광 반도체 밀봉재에 사용되고, 압축률이 90％ 이상이며, 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율이 15％ 이하인 광 반도체 밀봉용 수지 성형물.

Description

광 반도체 밀봉용 수지 성형물, 광 반도체 밀봉재 및 광 반도체 장치{RESIN MOLDED ARTICLE FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION, OPTICAL SEMICONDUCTOR ENCAPSULATING MATERIAL, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 광 반도체 밀봉용 수지 성형물, 광 반도체 밀봉재 및 광 반도체 장치에 관한 것이다.
광 반도체 소자는, 세라믹 패키지 또는 플라스틱 패키지에 의해 밀봉되고 장치화되어 있다. 여기서, 세라믹 패키지는, 구성 재료가 비교적 고가인 점, 양산성이 떨어지는 점에서, 플라스틱 패키지를 사용하는 것이 주류로 되어 있다. 그 중에서도, 작업성, 양산성, 신뢰성의 관점에서, 에폭시 수지 조성물을, 미리 태블릿 형상으로 타정 성형한 것을 트랜스퍼 몰드 성형하는 기술이 주류로 되어 있다.
그런데, 플라스틱 패키지에 사용하는 광 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물에서는, 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제의 각 성분은 비교적 분산되기 어려워, 전체를 균일하게 혼합 분산시키는 것이 용이하지 않기 때문에, 경화 반응이 불균일해져서 성형 불균일이나 성형 보이드가 발생하기 쉽다는 문제가 있다. 이러한 불균일이나 보이드에 기인하여, 광학 불균일을 발생시켜, 광 반도체 장치의 신뢰성을 손상시킨다는 문제가 있다.
이러한 과제를 해결하기 위해서, 특허문헌 1에서는, 에폭시 수지 조성물을 매우 미세하게 미분쇄한 것을 사용하여 태블릿화함으로써, 조성물의 균일 분산성을 확보하고, 성형 불균일이나 성형 보이드를 저감시켜, 광학 불균일을 없애는 기술이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 평3-3258호 공보
근년, 광 반도체 장치의 소형화에 수반하여, 광 반도체 소자를 밀봉하는 밀봉재의 박형화가 요망되고 있으며, 종래 이상으로, 성형 시의 보이드의 발생을 억제하는 것이 요구되고 있다. 또한, 종래의 미분을 많이 포함하는 광 반도체 밀봉용 수지 태블릿은 균열이 발생하기 쉽다는 문제가 있다.
본 발명은, 균열이 발생하기 어렵고, 성형 시에 보이드가 발생하기 어려운 광 반도체 밀봉용 수지 성형물, 및 그것을 사용하여 얻어지는 광 반도체 밀봉재 및 광 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 최박부의 두께가 300㎛ 이하인 광 반도체 밀봉재에 사용되고, 압축률이 90％ 이상이며, 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율이 15％ 이하인 광 반도체 밀봉용 수지 성형물에 관한 것이다.
상기 광 반도체 밀봉용 수지 성형물에 있어서, 입자경이 2000㎛ 이상인 입자의 비율이 10％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 열경화성 수지, 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 정제 경도가 75N 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은, 상기 성형물을 성형하여 얻어지고, 최박부의 두께가 300㎛ 이하인 광 반도체 밀봉재에도 관한 것이다.
또한, 본 발명은, 광 반도체 소자와, 당해 광 반도체 소자를 밀봉하는 상기 광 반도체 밀봉재를 구비하는 광 반도체 장치에도 관한 것이다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 박형으로 성형해도 보이드가 발생하기 어렵고, 광학 특성이 우수한 광 반도체 밀봉재가 얻어진다. 또한, 본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은 균열이 발생하기 어렵다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물(태블릿, 시트 등)은, 반도체 장치의 밀봉부의 최박부의 두께가 300㎛ 이하인 광 반도체 밀봉재에 사용되고, 압축률이 90％ 이상이며, 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율이 15％ 이하이다. 이와 같은 박형의 밀봉재에 있어서는, 반도체 밀봉재의 성형 시에 발생하는 보이드가 광학 특성에 큰 영향을 미칠 우려가 있다. 본 발명의 성형물은, 성형 시에 보이드가 발생하기 어려우므로, 상기와 같은 박형의 광 반도체 밀봉재의 성형에 적합하다.
본 명세서에 있어서, 광 반도체 밀봉재란, 광 반도체 장치를 구성하는 광 반도체 소자를 덮도록 형성되고, 당해 소자를 밀봉하는 부재이다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물을 적용하는 광 반도체 밀봉재는, 최박부의 두께가 300㎛ 이하이지만, 250㎛ 이하가 바람직하고, 200㎛ 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 압축률이 90％ 이상이다. 압축률이 90％ 이상임으로써, 성형 시의 보이드의 발생을 억제할 수 있다. 보이드의 발생을 한층 억제할 수 있는 점에서, 상기 압축률은 91％ 이상이 바람직하고, 92％ 이상이 보다 바람직하다. 압축률의 상한은 특별히 한정되지는 않지만, 96％ 이하가 바람직하다.
상기 압축률은, 성형물의 외관 비중과 성형물 내의 공극을 0으로 한 경우의 비중(진비중)과의 비(외관 비중/진비중)에 100을 곱한 값으로서 구할 수 있다. 상기 진비중으로서, 상기 성형물을 가압하에서, 트랜스퍼 성형기에 의해 경화(150℃×4분간의 조건)함으로써 얻어지는 경화물의 비중을 채용할 수 있다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율이 15％ 이하이다. 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율이 15％ 이하이기 때문에, 성형 시의 보이드의 발생을 억제할 수 있어, 상기 성형물의 균열이 발생하기 어려워진다. 보이드의 발생을 한층 억제할 수 있고, 또한, 상기 성형물의 균열이 한층 발생하기 어려워지는 점에서, 상기 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율은, 12％ 이하가 바람직하고, 10％ 이하가 보다 바람직하다. 하한은 특별히 한정되지는 않지만, 0.1％여도 된다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물에 있어서, 입자경이 2000㎛ 이상인 입자의 비율은 10％ 이하가 바람직하고, 4％ 이하가 보다 바람직하다. 하한은 특별히 한정되지는 않지만, 0.1％여도 된다. 입자경이 2000㎛ 이상인 입자의 비율이 상기 범위 내에 있으면, 성형 시의 보이드의 발생을 한층 억제할 수 있다. 또한, 밀봉재의 광학 불균일이나 금형의 막힘을 억제할 수도 있어, 중량 변동이 적은 태블릿으로 할 수 있다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물을 구성하는 입자의 평균 입자경은, 125 내지 2000㎛가 바람직하고, 500 내지 1000㎛가 보다 바람직하다.
입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율, 입자경이 2000㎛ 이상인 입자의 비율 및 평균 입자경은, 레이저 회절식 입자경 분포 측정 장치를 사용하여 측정되는 개수 기준의 입도 분포로부터 구할 수 있다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물에 있어서, 정제 경도는 75N 이상이 바람직하고, 125N 이상이 보다 바람직하다. 정제 경도의 상한은 특별히 한정되지는 않지만, 330N 이하가 바람직하다. 정제 경도가 상기 범위 내에 있으면, 성형 시의 보이드의 발생을 한층 억제할 수 있다. 또한, 밀봉재의 광학 불균일이나 금형의 막힘을 억제할 수도 있다. 또한, 중량 변동이 적은 성형물로 할 수 있다.
여기서, 상기 정제 경도는, 직경 13㎜, 중량 2.4g의 태블릿을 사용하여, 정제 경도계(오카다 세이코 가부시키가이샤제)에 의해 측정할 수 있다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물의 체적은, 특별히 한정되지는 않지만, 1 내지 100㎤가 바람직하고, 10 내지 100㎤가 보다 바람직하다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 열경화성 수지, 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 실리카 분말 등의 충전제는 광의 투과를 손상시키지 않을 정도라면 배합할 수 있다.
열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지/실리콘 수지의 하이브리드 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 에폭시 수지가 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 착색이 적은 것이 바람직하며, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아네이트, 히단토인 에폭시 등의 복소환 함유 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지방족계 에폭시 수지, 글리시딜에테르형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 혹은 2종 이상을 함께 사용할 수 있다.
경화제로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 경화 시 또는 경화 후에 수지 조성물의 경화체에 착색이 적은 산 무수물이 적합하다. 예를 들어, 무수 프탈산, 무수 말레산, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 테트라히드로 무수 프탈산, 무수 메틸나드산, 무수 나드산, 무수 글루타르산 등을 들 수 있다. 다른 경화제로서는, 아민계 경화제인 메타페닐렌디아민, 디메틸디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰, m-크실렌디아민, 테트라에틸렌펜타민, 디에틸아민, 프로필아민 등이나, 페놀 수지계 경화제 등을 들 수 있다. 이들도, 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
경화제의 배합량은, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 열경화성 수지 100질량부에 대하여 20 내지 200질량부가 바람직하고, 20 내지 80질량부가 보다 바람직하며, 40 내지 60질량부가 더욱 바람직하다. 20질량부 미만이면, 경화의 속도가 느려지고, 200질량부를 초과하면 경화 반응에 대하여 과잉량이 존재하기 때문에, 제물성의 저하를 야기할 우려가 있다.
경화 촉진제로서는, 트리에탄올아민 등의 3급 아민, 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 테트라페닐포스포늄·테트라페닐 보레이트, 트리페닐포스핀 등의 유기인화합물, 1,8-디아자비시클로〔5,4,0〕운데센-7이나 1,5-디아자비시클로〔4,3,0〕노넨-5 등의 디아자비시클로알켄계 화합물 등을 들 수 있다. 이들도, 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
경화 촉진제의 배합량은, 특별히 한정되지는 않지만, 열경화성 수지 100질량부에 대하여 예를 들어 0.1 내지 5질량부의 범위에서 적절히 선택할 수 있으며, 0.5 내지 3질량부가 바람직하고, 1 내지 2질량부가 보다 바람직하다. 경화 촉진제의 배합량이 너무 적으면, 경화의 속도가 느려져서, 생산성이 저하되는 한편, 경화 촉진제의 배합량이 너무 많으면 경화 반응의 속도가 빨라, 반응 상태의 제어가 곤란해져서, 반응의 변동을 발생시킬 우려가 있다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물에는, 상기 각 성분 이외에 필요에 따라서 착색 방지제, 활택제, 변성제, 열화 방지제, 이형제, 광을 파장 변화시키는 형광체나 확산시키는 무기·유기 필러 등의 첨가제가 사용된다.
착색 방지제로서는, 페놀계 화합물, 아민계 화합물, 유기 황계 화합물, 포스핀계 화합물 등을 들 수 있다.
활택제로서는, 스테아르산, 스테아르산마그네슘, 스테아르산칼슘 등의 왁스나 탈크 등을 들 수 있다. 또한, 상기 활택제를 배합하는 경우, 그 배합량은, 타정 성형 조건에 따라서 적절히 설정되지만, 예를 들어 수지 조성물 전체의 0.1 내지 0.4질량％로 설정하는 것이 적합하다.
광을 파장 변화시키는 형광체나 확산시키는 무기·유기 필러로서는, 석영 유리 분말, 탈크, 용융 실리카 분말 및 결정성 실리카 분말 등의 실리카 분말, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화 규소 등을 들 수 있다. 또한, 형광체나 무기·유기 필러를 배합하는 경우, 그 배합량은, 타정 성형 조건에 따라서 적절히 설정된다. 구체적으로는, 형광체의 경우, 형광체의 배합량은, 수지 조성물 전체의 1질량％ 내지 60질량％의 범위에서 적절히 설정할 수 있다. 한편, 광산란시키는 필러(유기·무기)의 경우, 광산란시키는 필러는, 수지 조성물 전체의 0.5질량％ 내지 25질량％에서 적절히 설정할 수 있다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 수광 소자 등의 광 반도체 소자의 수지 밀봉에 사용되기 때문에, 광학적 관점에서 투명한 것이 바람직하다. 여기서, 「투명」이란, 상기 태블릿을 구성하는 경화성 수지 조성물의 경화물, 400㎚에서의 투과율이 90％ 이상인 것을 말한다. 또한, 전술한 광을 파장 변화시키는 형광체나 확산시키는 무기·유기 필러나 착색제 등의 첨가물을 함유하는 경우의 투과율은, 첨가물을 제외한 수지부의 투과율을 의미한다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 예를 들어
열경화성 수지, 경화제 및 경화 촉진제를 혼련하고, 경화성 수지 조성물을 얻는 공정과,
해당 경화성 수지 조성물을 열처리하는 공정과,
해당 경화성 수지 조성물을 조립하고, 입상 경화성 수지 조성물을 얻는 공정과,
해당 입상 경화성 수지 조성물을 태블릿 형상으로 타정 성형하는 공정을
포함하는 제조 방법에 의해, 적절하게 제조할 수 있다.
혼련하는 방법은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 압출기를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 혼련 온도도 특별히 한정되지는 않고 열경화성 수지의 특성에 따라 적절히 변경할 수 있으며, 혼련 시에 반응을 진행시키도록 온도를 높게 설정하는 것도 가능하다. 구체적으로는, 80 내지 150℃가 바람직하고, 110 내지 130℃가 보다 바람직하다.
혼련해서 얻어진 경화성 수지 조성물의 형상은 특별히 한정되지는 않고, 필름 상, 시트상, 입상, 괴상 등을 들 수 있다.
혼련해서 얻어진 경화성 수지 조성물의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 1 내지 30㎜가 바람직하고, 2 내지 20㎜가 보다 바람직하다. 1㎜ 미만이면, 두께가 얇아, 흡습의 영향을 받기 쉽고, 30㎜를 초과하면, 냉각까지 시간을 요해, 내부 축열로부터 반응이 변동되는 경향이 있다.
혼련해서 얻어진 경화성 수지 조성물은, 열처리하여 B 스테이지상(반경화상)의 광 반도체 밀봉용 수지 조성물을 얻는다. 열 처리 온도는 특별히 한정되지는 않지만, 25 내지 100℃가 바람직하고, 60 내지 80℃가 보다 바람직하다. 25℃ 미만이면, 경화 반응이 느려, 생산성이 저하되는 경향이 있고, 100℃를 초과하면, 경화 반응이 빨라, 소정의 반응 상태에서 종료시키는 것이 곤란해지는 경향이 있다. 열처리 시간은 특별히 한정되지는 않고 열경화성 수지의 특성에 따라 적절히 변경할 수 있다.
열처리한 수지 조성물은, 조립하여, 입상 경화성 수지 조성물을 얻는다. 조립 방법으로서는, 건식 파쇄 조립기를 사용하는 방법, 건식 압축 조립기를 사용하는 방법 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 건식 파쇄 조립기를 사용하는 방법이 바람직하다. 건식 파쇄 조립의 방식은, 충격 회전 방식, 전단 요동 방식, 전단 회전 방식 등이어도 되지만, 전단 요동 방식이 바람직하다. 조립 전에 볼 밀, 터보 밀 등을 사용하여 분쇄할 수도 있다. 또한, 분쇄 또는 조립에 의해 얻어진 입자를 체에 걸러 입도를 조정해도 된다. 이들 방법에 의해, 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율, 입자경이 2000㎛ 이상인 입자의 비율 및 평균 입자경을, 상술한 범위 내로 조정할 수 있다.
얻어진 입상 경화성 수지 조성물은, 예를 들어 태블릿 형상으로 타정 성형하여 본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물을 얻는다. 상기 조립에 의해 입도가 조정되므로, 깨짐이나 균열이 적고, 중량 변동도 작은 고품질의 태블릿이 얻어진다. 타정 성형은, 성형물의 압축률이 상술한 범위 내로 되도록 실시한다.
본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물은, 트랜스퍼 몰드 성형 등의 성형 방법에 의해 광 반도체 소자를 밀봉할 수 있다. 본 발명의 광 반도체 밀봉용 수지 성형물을 성형하여 얻어지고, 최박부의 두께가 300㎛ 이하인 광 반도체 밀봉재도, 본 발명의 하나이다. 본 발명의 광 반도체 밀봉재는, 본 발명의 성형물로부터 얻어지므로, 최박부의 두께가 300㎛ 이하로 박형 부분을 갖는 광 반도체임에도 불구하고, 보이드가 적어, 광학 불균일 등의 문제가 적다.
상기 광 반도체 소자로서는, 발광 다이오드(LED), 반도체 레이저(VCSEL 등) 소자, 수광 소자 등을 들 수 있다.
광 반도체 소자와, 당해 광 반도체 소자를 밀봉하는 본 발명의 광 반도체 밀봉재를 구비하는 광 반도체 장치도, 본 발명의 하나이다. 본 발명의 광 반도체 장치는, 본 발명의 광 반도체 밀봉재를 구비하므로, 이 광 반도체 장치를 작동시켜 수광 신호를 얻은 경우에는, 광학 불균일에 의한 신호 변동이 발생하는 경우가 없어, 노이즈가 없는 신호가 얻어진다고 하는 이점을 갖는다.
실시예
다음으로 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.
사용한 재료를 이하에 나타낸다.
에폭시 수지 1: 비스페놀형 에폭시 수지 A(에폭시 당량 650)
에폭시 수지 2: 트리글리시딜이소시아누레이트(에폭시 당량 100)
경화제 1: 테트라히드로 무수 프탈산
경화제 2: 4-메틸헥사히드로프탈산 무수물과 헥사히드로프탈산 무수물의 혼합물
경화 촉진제 1: N,N-디메틸벤질아민
경화 촉진제 2: 메틸트리부틸포스포늄디메틸 포스페이트
첨가제: 알코올계 변성제
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3
각 원료를 표 1에 나타낸 배합량으로, 130℃로 설정한 압출기로 가열 용해하여 혼합한 후, 압출기의 토출구로부터 나온 수지를 2 내지 10㎜ 두께로 성형하고, 60℃에서 60분간 열처리하여, 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 에폭시 수지 조성물을 건식 압축 조립기에 의해 조립한 것을 터보 밀로 분쇄한 후, 120메쉬의 체 및 10메쉬의 체를 사용하여, 입자경 125㎛ 이하의 미분 및 입자경 2000㎛ 이상의 조대 입자의 비율을 표 1에 나타낸 바와 같이 조정하였다. 그리고, 얻어진 분말을, 로터리 타정기를 사용하여 직경 13㎜, 중량 2.4g으로 타정 성형함으로써, 표 1에 나타낸 압축률의 광 반도체 밀봉용 수지 태블릿을 제작하였다.
얻어진 태블릿을 사용하여, 하기의 방법에 의해 타정성, 정제 경도 및 보이드를 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<타정성>
태블릿의 균열의 유무를 눈으로 봄으로써 조사하고, 이하의 기준으로 평가하였다.
○: 태블릿 균열
△: 일부 균열
×: 균열 없음
<타정물의 정제 경도>
13φ×2.4g의 태블릿을 사용하여 정제 경도계(오카다 세이코 가부시키가이샤제)에 의해 직경 방향으로 균열될 때의 압력을 가했을 때의 경도를 측정할 수 있다. 또한, 습도에 의한 평가물의 응집력에 영향이 없도록 습도 50％ 이하의 조건에서 평가를 실시하였다. 또한, 표 중, ―는 평가할 수 없었음을 의미한다.
<보이드>
얻어진 광 반도체 밀봉용 수지 태블릿을, 최박부의 두께가 300㎛, 렌즈 높이가 1㎜로 되는 렌즈 성형 금형을 사용하여 트랜스퍼 성형함으로써, 광 반도체 밀봉재를 제작하였다. 얻어진 밀봉재를 배율 1000배의 현미경으로 관찰하고, 600개의 렌즈가 형성되는 프레임을 20프레임 성형하고, 보이드 개수/렌즈 개수(600개×20 프레임)를 구하여, 이하의 기준으로 평가하였다.
○: 0.5ppm 미만
△: 0.5 내지 200ppm
×: 200ppm 초과
―: 태블릿을 제작할 수 없기 때문에, 평가할 수 없음
실시예 5 내지 8 및 비교예 4 내지 6
각 원료를 표 2에 나타내는 배합량으로 사용한 것 이외에는 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3과 마찬가지로 하여, 광 반도체 밀봉용 수지 태블릿을 제작하였다. 얻어진 태블릿을 사용하여, 상기 방법에 의해 타정성, 정제 경도 및 보이드를 평가하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pat00001
Figure pat00002

Claims (6)

  1. 최박부의 두께가 300㎛ 이하인 광 반도체 밀봉재에 사용되고, 압축률이 90％ 이상이며, 입자경이 125㎛ 이하인 입자의 비율이 15％ 이하인, 광 반도체 밀봉용 수지 성형물.
  2. 제1항에 있어서,
    입자경이 2000㎛ 이상인 입자의 비율이 10％ 이하인, 광 반도체 밀봉용 수지 성형물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    열경화성 수지, 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 포함하는, 광 반도체 밀봉용 수지 성형물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    정제 경도가 75N 이상인, 광 반도체 밀봉용 수지 성형물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광 반도체 밀봉용 수지 성형물을 성형하여 얻어지고, 최박부의 두께가 300㎛ 이하인, 광 반도체 밀봉재.
  6. 광 반도체 소자와, 당해 광 반도체 소자를 밀봉하는 제5항에 기재된 광 반도체 밀봉재를 구비하는, 광 반도체 장치.
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