TW202132395A - 光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材料及光半導體裝置 - Google Patents

光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材料及光半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202132395A
TW202132395A TW109143030A TW109143030A TW202132395A TW 202132395 A TW202132395 A TW 202132395A TW 109143030 A TW109143030 A TW 109143030A TW 109143030 A TW109143030 A TW 109143030A TW 202132395 A TW202132395 A TW 202132395A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical semiconductor
less
resin molded
molded product
sealing
Prior art date
Application number
TW109143030A
Other languages
English (en)
Inventor
藤井宏中
山根実
松尾曉
大田真也
姫野直子
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202132395A publication Critical patent/TW202132395A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • C09K2003/1034—Materials or components characterised by specific properties
    • C09K2003/1059—Heat-curable materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本發明提供一種不易產生裂紋且成形時不易產生空隙之光半導體密封用樹脂成形物、以及使用其所獲得之光半導體密封材料及光半導體裝置。 本發明之光半導體密封用樹脂成形物用於最薄部分之厚度為300 μm以下之光半導體密封材料，且壓縮率為90%以上，125 μm以下粒徑之粒子之比率為15%以下。

Description

光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材料及光半導體裝置
本發明係關於一種光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材料及光半導體裝置。
光半導體元件係用陶瓷封裝體或塑膠封裝體進行密封而形成為裝置。此處，由於陶瓷封裝體之構成材料相對昂貴，且陶瓷封裝體之量產性較差，故而使用塑膠封裝體逐漸成為主流。其中，出於作業性、量產性、可靠性之方面之考慮，預先將環氧樹脂組合物打錠成形為錠狀，然後再將其轉注成形之技術逐漸成為主流。
然，用於塑膠封裝體之光半導體密封用環氧樹脂組合物存在如下問題：環氧樹脂、硬化劑、硬化促進劑之各成分相對難以分散，不容易使整體均勻地混合分散，因此，硬化反應變得不均勻，而容易產生成形不均或成形空隙。存在因該等不均或空隙而產生光學不均、損害光半導體裝置之可靠性之問題。
為了解決該等問題，專利文獻1揭示有如下技術：使用粉碎得非常細小之環氧樹脂組合物進行打錠，藉此確保組合物之均勻分散性，減少成形不均或成形空隙，從而消除光學不均。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開3-3258號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，隨著光半導體裝置之小型化，人們期望密封光半導體元件之密封材料薄型化，並且要求相較於先前進一步抑制成形時空隙之產生。又，先前之包含大量細粉之光半導體密封用樹脂錠劑存在容易產生裂紋之問題。
本發明之目的在於，提供一種不易產生裂紋且成形時不易產生空隙之光半導體密封用樹脂成形物、以及使用其所獲得之光半導體密封材料及光半導體裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明係關於一種光半導體密封用樹脂成形物，其用於最薄部分之厚度為300 μm以下之光半導體密封材料，且壓縮率為90%以上，125 μm以下粒徑之粒子之比率為15%以下。
於上述光半導體密封用樹脂成形物中，較佳為2000 μm以上粒徑之粒子之比率為10%以下。
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為包含硬化性樹脂組合物，該硬化性樹脂組合物含有熱固性樹脂、硬化劑及硬化促進劑。
上述光半導體密封用樹脂成形物之錠劑硬度較佳為75 N以上。
又，本發明亦關於一種光半導體密封材料，其係使上述成形物成形而獲得，且最薄部分之厚度為300 μm以下。
進而，本發明亦關於一種光半導體裝置，其具備：光半導體元件；及上述光半導體密封材料，其將該光半導體元件密封。 [發明之效果]
本發明之光半導體密封用樹脂成形物能夠獲得即便成形為薄型亦不易產生空隙，並且光學特性優異之光半導體密封材料。又，本發明之光半導體密封用樹脂成形物不易產生裂紋。
以下，對本發明進行具體說明。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物(錠劑、薄片等)用於半導體裝置之密封部之最薄部分之厚度為300 μm以下之光半導體密封材料，且壓縮率為90%以上，125 μm以下粒徑之粒子之比率為15%以下。關於此種薄型密封材料，有半導體密封材料成形時產生之空隙對光學特性造成較大影響之虞。本發明之成形物於成形時不易產生空隙，故而適合於如上所述之薄型光半導體密封材料之成形。
於本說明書中，光半導體密封材料係指以覆蓋構成光半導體裝置之光半導體元件之方式形成並將該元件密封的構件。
使用本發明之光半導體密封用樹脂成形物之光半導體密封材料中，最薄部分之厚度為300 μm以下，較佳為250 μm以下，更佳為200 μm以下。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物之壓縮率為90%以上。藉由壓縮率為90%以上，可抑制成形時空隙之產生。就能夠進一步抑制空隙之產生之方面而言，上述壓縮率較佳為91%以上，更佳為92%以上。壓縮率之上限並無特別限定，較佳為96%以下。
可求出將成形物之表觀比重與真比重之比(表觀比重/真比重)乘以100所得之值作為上述壓縮率，上述真比重係將成形物內之空隙設為0之情形時之比重。作為上述真比重，可採用藉由在加壓下利用轉注成形機使上述成形物硬化(150℃×4分鐘之條件)而獲得之硬化物之比重。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物中，125 μm以下粒徑之粒子之比率為15%以下。因125 μm以下粒徑之粒子之比率為15%以下，故可抑制成形時空隙之產生，且上述成形物不易產生裂紋。於能夠進一步抑制空隙之產生且使上述成形物更不容易產生裂紋之方面而言，上述125 μm以下粒徑之粒子之比率較佳為12%以下，更佳為10%以下。下限並無特別限定，可為0.1%。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物中，2000 μm以上粒徑之粒子之比率較佳為10%以下，更佳為4%以下。下限並無特別限定，可為0.1%。若2000 μm以上粒徑之粒子之比率處於上述範圍內，則可進一步抑制成形時空隙之產生。又，亦可抑制密封材料之光學不均或模具之堵塞，並且可製成重量偏差較小之錠劑。
構成本發明之光半導體密封用樹脂成形物的粒子之平均粒徑較佳為125～2000 μm，更佳為500～1000 μm。
125 μm以下粒徑之粒子之比率、2000 μm以上粒徑之粒子之比率及平均粒徑可根據使用雷射繞射式粒徑分佈測定裝置測得的個數基準之粒度分佈而求出。
關於本發明之光半導體密封用樹脂成形物，錠劑硬度較佳為75 N以上，更佳為125 N以上。錠劑硬度之上限並無特別限定，較佳為330 N以下。若錠劑硬度處於上述範圍內，則可進一步抑制成形時空隙之產生。又，亦可抑制密封材料之光學不均或模具之堵塞。又，可製成重量偏差較小之成形物。
此處，上述錠劑硬度可使用直徑13 mm、重量2.4 g之錠劑並藉由錠劑硬度計(岡田精工股份有限公司製造)測得。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物之體積並無特別限定，較佳為1～100 cm3 ，更佳為10～100 cm3 。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為包含硬化性樹脂組合物，該硬化性樹脂組合物含有熱固性樹脂、硬化劑及硬化促進劑。再者，可調配二氧化矽粉末等填充劑，只要不影響光之透過即可。
作為熱固性樹脂，可列舉環氧樹脂、矽酮樹脂、環氧樹脂/矽酮樹脂之混成樹脂等。其中，較佳為環氧樹脂。
作為環氧樹脂，較佳為著色較少者，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、三縮水甘油基異氰酸酯、乙內醯脲環氧等含雜環之環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、脂肪族系環氧樹脂、縮水甘油醚型環氧樹脂等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為硬化劑，並無特別限定，較佳為硬化時或硬化後使樹脂組合物之硬化體著色較少之酸酐。例如可列舉：鄰苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、耐地酸酐、戊二酸酐等。作為其他硬化劑，可列舉：作為胺系硬化劑之間苯二胺、二甲基二苯甲烷、二胺基二苯基碸、間苯二甲胺、四乙五胺、二乙胺、丙基胺等；或酚樹脂系硬化劑等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
硬化劑之調配量並無特別限定，例如相對於熱固性樹脂100質量份，較佳為20～200質量份，更佳為20～80質量份，進而較佳為40～60質量份。若未達20質量份，則硬化速度變慢，若超過200質量份，則相對於硬化反應過量存在，而有導致各物性降低之虞。
作為硬化促進劑，可列舉：三乙醇胺等三級胺、2-甲基咪唑等咪唑類、四苯基硼酸四苯基鏻、三苯基膦等有機磷化合物、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一烯-7或1,5-二氮雜雙環[4,3,0]壬烯-5等二氮雜雙環烯烴系化合物等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
硬化促進劑之調配量並無特別限定，可自相對於熱固性樹脂100質量份例如為0.1～5質量份之範圍內適當選擇，較佳為0.5～3質量份，更佳為1～2質量份。若硬化促進劑之調配量過少，則硬化速度變慢，生產性降低，另一方面，若硬化促進劑之調配量過多，則有硬化反應之速度變快，難以控制反應狀態，而產生反應偏差之虞。
於本發明之光半導體密封用樹脂成形物中，除上述各成分以外，視需要使用防著色劑、潤滑劑、改性劑、抗劣化劑、離型劑、使光波長改變之螢光體或使光擴散之無機、有機填料等添加劑。
作為防著色劑，可列舉酚系化合物、胺系化合物、有機硫系化合物、膦系化合物等。
作為潤滑劑，可列舉硬脂酸、硬脂酸鎂、硬脂酸鈣等蠟或滑石等。再者，於調配上述潤滑劑之情形時，其調配量可根據打錠成形條件而適當設定，例如適宜設定為樹脂組合物整體之0.1～0.4質量%。
作為使光波長改變之螢光體或使光擴散之無機、有機填料，可列舉：石英玻璃粉末、滑石、熔融二氧化矽粉末及晶質二氧化矽粉末等二氧化矽粉末、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、碳化矽等。再者，於調配螢光體或無機、有機填料之情形時，其調配量可根據打錠成形條件而適當設定。具體而言，於調配螢光體之情形時，螢光體之調配量可於樹脂組合物整體之1質量%～60質量%之範圍內適當設定。另一方面，於調配使光散射之填料(有機、無機)之情形時，使光散射之填料之調配量可於樹脂組合物整體之0.5質量%～25質量%之範圍內適當設定。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物因用於受光元件等光半導體元件之樹脂密封，故就光學之觀點而言較佳為透明。此處，「透明」係指構成上述錠劑之硬化性樹脂組合物之硬化物於400 nm下之透過率為90%以上。再者，含有上述使光波長改變之螢光體或使光擴散之無機、有機填料或著色劑等添加物之情形時的透過率係指除添加物以外之樹脂部分之透過率。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物例如可藉由包括以下步驟之方法適當地製造： 將熱固性樹脂、硬化劑及硬化促進劑混練，獲得硬化性樹脂組合物； 對該硬化性樹脂組合物進行熱處理； 對該硬化性樹脂組合物進行造粒，獲得粒狀硬化性樹脂組合物；以及 將該粒狀硬化性樹脂組合物打錠成形為錠狀。
混練方法並無特別限定，例如可列舉使用擠出機之方法等。混練溫度亦無特別限定，可根據熱固性樹脂之特性而適當變更，亦可將溫度設定得較高，從而於混練時使反應得以進行。具體而言，較佳為80～150℃，更佳為110～130℃。
混練所得之硬化性樹脂組合物之形狀並無特別限定，可列舉膜狀、片狀、粒狀、塊狀等。
混練所得之硬化性樹脂組合物之厚度並無特別限定，較佳為1～30 mm，更佳為2～20 mm。若未達1 mm，則厚度較薄，容易受到吸濕之影響，若超過30 mm，則冷卻需要時間，有因內部蓄熱而導致反應產生偏差之傾向。
混練所得之硬化性樹脂組合物經熱處理而獲得B階段狀(半硬化狀)之光半導體密封用樹脂組合物。熱處理溫度並無特別限定，較佳為25～100℃，更佳為60～80℃。若未達25℃，則硬化反應較慢，有生產性降低之傾向，若超過100℃，則硬化反應較快，有難以於特定反應狀態下結束之傾向。熱處理時間並無特別限定，可根據熱固性樹脂之特性而適當變更。
熱處理後之樹脂組合物經造粒而獲得粒狀硬化性樹脂組合物。作為造粒方法，可列舉使用乾式破碎造粒機之方法、使用乾式壓縮造粒機之方法等，其中，較佳為使用乾式破碎造粒機之方法。乾式破碎造粒之方式可為衝擊旋轉方式、剪切擺動方式、剪切旋轉方式等，較佳為剪切擺動方式。亦可於造粒前使用球磨機、渦輪式粉碎機等進行粉碎。又，亦可使藉由粉碎或造粒而獲得之粒子通過篩網以調整粒度。利用該等方法，可將125 μm以下粒徑之粒子之比率、2000 μm以上粒徑之粒子之比率及平均粒徑調整為上述範圍內。
所獲得之粒狀硬化性樹脂組合物例如經打錠成形為錠狀而獲得本發明之光半導體密封用樹脂成形物。因藉由上述造粒調整了粒度，故可獲得缺損或裂紋較少且重量偏差亦較小之高品質錠劑。打錠成形係以使成形物之壓縮率處於上述範圍內之方式實施。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物可藉由轉注成形等成形方法來密封光半導體元件。使本發明之光半導體密封用樹脂成形物成形而獲得的最薄部分之厚度為300 μm以下之光半導體密封材料亦屬於本發明之一。本發明之光半導體密封材料係由本發明之成形物獲得，因此，儘管為具有最薄部分之厚度為300 μm以下之薄型部分之光半導體，但是空隙較少，光學不均等缺陷較少。
作為上述光半導體元件，可列舉發光二極體(LED)、半導體雷射(VCSEL等)元件、受光元件等。
具備光半導體元件及密封該光半導體元件之本發明之光半導體密封材料的光半導體裝置亦屬於本發明之一。本發明之光半導體裝置由於具備本發明之光半導體密封材料，故而具有如下優點：於使該光半導體裝置作動以獲得受光信號之情形時，不會產生因光學不均引起之信號偏差，可獲得無雜訊之信號。 [實施例]
繼而，列舉實施例對本發明進行更詳細之說明，但本發明不限定於該等實施例。
所使用之材料如下所示。 環氧樹脂1：雙酚A型環氧樹脂(環氧當量650) 環氧樹脂2：三縮水甘油基異氰尿酸酯(環氧當量100) 硬化劑1：四氫鄰苯二甲酸酐 硬化劑2：4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐與六氫鄰苯二甲酸酐之混合物 硬化促進劑1：N,N-二甲基苄胺 硬化促進劑2：磷酸二甲酯甲基三丁基鏻 添加劑：醇系改性劑
實施例1～4及比較例1～3 以表1所示之調配量，利用設定為130℃之擠出機將各原料加熱熔解並混合後，自擠出機之排出口擠出樹脂，使該樹脂以2～10 mm厚度成形，於60℃下進行60分鐘熱處理，獲得環氧樹脂組合物。利用乾式壓縮造粒機對所獲得之環氧樹脂組合物進行造粒，將所得之造粒物用渦輪式粉碎機粉碎後，使用120網眼之篩網及10網眼之篩網，將粒徑125 μm以下之細粉及粒徑2000 μm以上之大粒子之比率調整為如表1所示。繼而，使用旋轉打錠機將所獲得之粉末打錠成形為直徑13 mm、重量2.4 g，藉此製作表1所示之壓縮率之光半導體密封用樹脂錠劑。
使用所獲得之錠劑，藉由下述方法對打錠性、錠劑硬度及空隙進行評估。將結果示於表1。
＜打錠性＞ 目視觀察錠劑有無裂紋，按照以下基準進行評估。 ○：錠劑破裂 △：部分破裂 ×：無裂紋
＜打錠物之錠劑硬度＞ 可使用13ϕ×2.4 g之錠劑，藉由錠劑硬度計(岡田精工股份有限公司製造)測定施加使其於直徑方向上破裂之壓力時之硬度。再者，於濕度50%以下之條件下實施評估，以免濕度對評估物之凝聚力造成影響。再者，表中，－係指無法評估。
＜空隙＞ 使用使最薄部分之厚度成為300 μm且使透鏡高度成為1 mm之透鏡成形模具，將所獲得之光半導體密封用樹脂錠劑加以轉注成形，藉此製作光半導體密封材料。利用倍率為1000倍之顯微鏡觀察所獲得之密封材料，成型20個各自可供形成600個透鏡之模框，求出空隙個數/透鏡個數(600個×20個)，按照以下基準進行評估。 ○：未達0.5 ppm △：0.5～200 ppm ×：超過200 ppm －：因無法製作錠劑而無法評估
實施例5～8及比較例4～6 以表2所示之調配量使用各原料，除此以外，以與實施例1～4及比較例1～3相同之方式製作光半導體密封用樹脂錠劑。使用所獲得之錠劑，藉由上述方法對打錠性、錠劑硬度及空隙進行評估。將結果示於表2。
[表1]
實施例序號 實施例 比較例
1 2 3 4 1 2 3
組成 (質量份) 環氧樹脂1 80 80 80 80 80 80 80
環氧樹脂2 20 20 20 20 20 20 20
硬化劑1 45 45 45 45 45 45 45
硬化促進劑1 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
壓縮率(%) 92 94 90 94 88 90 94
細粉(%) 8.5 8.5 8.5 8.5 8.5 23.7 23.7
大粒子(%) ＜1 ＜1 ＜1 13.6 ＜1 ＜1 ＜1
評估 結果 打錠性 ○ ○ ○ △ ○ × △
錠劑硬度(N) 220 252.0 212.0 175.0 197.0 － 282.0
空隙 ○ ○ △ △ × － －
[表2]
實施例序號 實施例 比較例
5 6 7 8 4 5 6
組成 (質量份) 環氧樹脂1 0 0 0 0 0 0 0
環氧樹脂2 100 100 100 100 100 100 100
硬化劑2 150 150 150 150 150 150 150
硬化促進劑2 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
添加劑 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0 25.0
壓縮率(%) 92 94 90 94 88 90 94
細粉(%) 13.2 13.2 13.2 13.2 13.2 23.7 23.7
大粒子(%) ＜1 ＜1 ＜1 13.6 ＜1 ＜1 ＜1
評估 結果 打錠性 ○ ○ ○ △ ○ × △
錠劑硬度(N) 104 119 91 122 71 － －
空隙 ○ ○ △ △ × － －

Claims (6)

  1. 一種光半導體密封用樹脂成形物，其用於最薄部分之厚度為300 μm以下之光半導體密封材料，且壓縮率為90%以上，125 μm以下粒徑之粒子之比率為15%以下。
  2. 如請求項1之光半導體密封用樹脂成形物，其中2000 μm以上粒徑之粒子之比率為10%以下。
  3. 如請求項1或2之光半導體密封用樹脂成形物，其包含硬化性樹脂組合物，該硬化性樹脂組合物含有熱固性樹脂、硬化劑及硬化促進劑。
  4. 如請求項1至3中任一項之光半導體密封用樹脂成形物，其錠劑硬度為75 N以上。
  5. 一種光半導體密封材料，其係使如請求項1至4中任一項之光半導體密封用樹脂成形物成形而獲得，且最薄部分之厚度為300 μm以下。
  6. 一種光半導體裝置，其具備：光半導體元件；及如請求項5之光半導體密封材料，其將該光半導體元件密封。
TW109143030A 2020-02-27 2020-12-07 光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材料及光半導體裝置 TW202132395A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020031501 2020-02-27
JP2020-031501 2020-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202132395A true TW202132395A (zh) 2021-09-01

Family

ID=77370578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109143030A TW202132395A (zh) 2020-02-27 2020-12-07 光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材料及光半導體裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2021136433A (zh)
KR (1) KR20210109448A (zh)
CN (1) CN113308086A (zh)
TW (1) TW202132395A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210109448A (ko) 2021-09-06
JP2021136433A (ja) 2021-09-13
CN113308086A (zh) 2021-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102097798B1 (ko) 과립상 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치
JP5090404B2 (ja) 光半導体封止用樹脂タブレットの製法およびそれによって得られる光半導体封止用樹脂タブレット、並びにそれを用いた光半導体装置
TW202132395A (zh) 光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材料及光半導體裝置
TWI692066B (zh) 半導體密封用環氧樹脂粒狀體之製造方法、半導體密封用環氧樹脂粒狀體、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
US11702537B2 (en) Tablet-type epoxy resin composition for sealing semiconductor device, and semiconductor device sealed using the same
TWI843873B (zh) 光半導體密封用樹脂成形物及其製造方法
KR100678808B1 (ko) 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
TW202142665A (zh) 光半導體密封用樹脂成形物及其製造方法
US11655363B2 (en) Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same
TW202122548A (zh) 光半導體密封用樹脂成形物及其製造方法
JP2014218594A (ja) 封止用樹脂組成物とその製造方法、および樹脂封止型半導体装置
JP4300646B2 (ja) 成形用熱硬化性樹脂粒状体およびその製造方法
TWI293314B (en) Method for producing a semiconductor-molding tablet, a semiconductor-molding tablet obtained thereby and a semiconductor device using the same
TW202323355A (zh) 光半導體密封用樹脂組合物、光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材及光半導體裝置
KR101980948B1 (ko) 과립상 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치
TW202346405A (zh) 光半導體密封用樹脂組合物、光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材及光半導體裝置
TW202338932A (zh) 半導體裝置
TW202223056A (zh) 光半導體密封用樹脂成形物
CN112592460A (zh) 光半导体密封用树脂成型物及其制造方法
JP2016079368A (ja) 低熱膨張性樹脂組成物およびその製造方法
JPH0496963A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2019085514A (ja) エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置
JPS63160256A (ja) 半導体装置の製法