KR20210106091A - 철 도핑 없이 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트에 대한 것으로, 상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 100 중량부를 기준으로, 탄소 72 중량부 내지 80 중량부; 질소 12 중량부 내지 15 중량부; 및 부산물 0 중량부 내지 3 중량부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 부산물을 거의 포함하고 있지 않아 물성 변화를 억제할 수 있으며 촉매 지지체, 에너지, 연료전지 등에 응용될 수 있다.

Description

철 도핑 없이 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 및 이의 제조 방법{EDGE-NITROGENATED GRAPHENE NANOPLATE WITHOUT IRON DOPING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은 철 도핑 없이 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 금속 용기 및 금속 볼을 사용하여 발생할 수 있는 철 등의 불순물을 제거하고 질소만 가장자리에 기능화된 그래파이트의 제조 방법에 관한 것이다.
그래핀은 흑연을 이루고 있는 기본 단위이며, 탄소 원자 1개의 두께로 이루어진 얇은 막이다. 구체적으로, 탄소가 육각형 모양으로 공유결합을 이루는 2차원 평면물질이다. 그래핀은 열전도성 및 전기전도성을 가지며 물리적 및 화학적 성질이 매우 뛰어난 소재이다. 이러한 그래핀을 제조하는 방법으로는 기계적 박리법, 화학적 박리법, 박리-재삽입-팽창법, 화학 증기 증착법, 에피택시 합성법, 화학적 합성법 등이 있다.
기계적 박리법은 그래핀 고유의 우수한 특성을 그대로 보유하도록 하지만, 최종 수율이 극히 낮아 단지 실험실 등에서 그래핀의 특성 연구용으로 이용하고 있다.
화학 증기 증착법으로 제조된 그래핀은 우수한 특성을 보여주는 것으로 보고되고 있으나, 중금속 촉매가 필요하고, 높은 온도 (약 1,000℃)에서 합성이 가능하며 사용한 기판의 면적에 따라 생산량이 제한 적인 단점이 있다.
에피택시 합성법은 생산된 그래핀의 전기 특성이 좋지 못하고 기판이 매우 비싼 단점이 있다.
기존의 그래핀을 제조하는 방법의 단점을 극복하여, 볼밀 공정을 이용해서 기계 화학적으로 가장자리만 선택적으로 기능화된 그래파이트를 제조하는 방법이 저렴하게 대량으로 그래핀을 제조하기 위한 방법으로 주목되고 있다.
하지만 기계 화학적 방법으로 가장자리가 기능화된 그래파이트를 제조 시, 사용되는 금속 용기 및 금속 볼로 인해 도입을 원하는 질소뿐만 아니라 상기 금속 용기 및 상기 금속 볼이 서로 부딪혀서 갈려 나오는 철 등의 금속이 도입되는 문제가 있다.
한국공개특허공보 제10-2013-0009070호
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 철 도핑 없이 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 및 이의 제조 방법에 대한 것으로서, 금속 용기 및 금속 볼을 사용하여 발생할 수 있는 철 등의 불순물을 산 처리를 통해 제거하여 부산물이 3 중량부 이내이며, 질소만 가장자리에 도핑된 그래피틱 나노플레이트 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 100 중량부를 기준으로, 탄소 72 중량부 내지 80 중량부; 질소 12 중량부 내지 15 중량부; 및 부산물 0 중량부 내지 3 중량부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 100 중량부를 기준으로 상기 부산물은 1 중량부 내지 2.5 중량부 포함되어 있는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 부산물은 철을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 질소와 상기 탄소의 중량비는 1:5 내지 1:8인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 제조 방법은 질소 분위기 하에서 그래파이트를 기계적으로 분쇄시키는 단계; 및 상기 분쇄된 그래파이트를 산 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 분쇄시키는 단계는 반응 용기 1 ml 당 상기 그래파이트의 질량 0.10 g 내지 0.16 g을 분쇄시키는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 질소는 2 MPa 내지 10 MPa의 압력으로 주입되는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 그래파이트와 상기 질소의 중량비는 1:3 내지 1:5인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다.
개시된 기술은 다음의 효과를 가질 수 있다. 다만, 특정 실시예가 다음의 효과를 전부 포함하여야 한다거나 다음의 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 개시된 기술의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 본원에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 부산물이 0 중량부 내지 3 중량부로 부산물이 매우 적다. 종래에 기계 화학적 방법으로 그래파이트의 가장자리를 기능화할 경우, 기능화 하고자 하는 물질뿐만 아니라 제조 과정에서 사용되는 금속 용기 및 금속 볼이 서로 부딪혀서 갈려 나오는 금속으로 인해 철 등의 부산물이 다량 도입되는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해 종래에는 그래파이트를 분쇄시키는 공정 후에 산 수용액을 이용하여 금속을 제거하는 공정을 더 수행하였다. 하지만 이러한 추가 공정을 수행했음에도 불구하고 부산물이 10 중량부 이상으로 포함되었다. 본원에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 반응 용기 1 ml 당 그래파이트의 질량을 조절하여 제조함으로써 불순물의 함량을 효과적으로 줄였다. 구체적으로, 상기 반응 용기 1 ml 당 상기 그래파이트의 질량이 0.10 g 내지 0.16 g인 조건 하에서 제조한 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 불순물 함량은 0 중량부 내지 3 중량부를 포함한다.
본원에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 촉매 지지체, 화학 촉매, 에너지 변환 및 저장, 연료전지 등 다양한 용도로서 응용할 수 있다. 또한, 저렴하고 대량으로 제조할 수 있어 공정의 저가화에 용이하다.
더욱이, 철과 같은 불순물의 도입을 차단함으로써 불순물의 도입으로 인해 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 물성 변화를 억제할 수 있다.
도 1의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 도면이다.
도 2는 본원의 일 구현예에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 제조 방법의 순서도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 산처리 시간에 따른 열중량 분석 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 구체적으로 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용한다. 제 1, 제 2등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다. "및/또는" 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 또한, 본원 명세서 전체에서, "~ 하는 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본원의 철 도핑 없이 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트 및 이의 제조 방법에 대하여 구현예 및 실시예와 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.
본원은, 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 100 중량부를 기준으로, 탄소 72 중량부 내지 80 중량부; 질소 12 중량부 내지 15 중량부; 및 부산물 0 중량부 내지 3 중량부;를 포함하는 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트에 관한 것이다.
상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 그래피틱 나노플레이트의 가장자리에 질소가 도핑된 것이다.
상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 100 중량부를 기준으로 상기 부산물은 1 중량부 내지 2.5 중량부 포함되어 있는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 부산물은 철을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 부산물이 0 중량부 내지 3 중량부로 부산물이 매우 적다. 종래에 기계 화학적 방법으로 그래파이트의 가장자리를 기능화할 경우, 기능화 하고자 하는 물질뿐만 아니라 제조 과정에서 사용되는 금속 용기 및 금속 볼이 서로 부딪혀서 갈려 나오는 금속으로 인해 철 등의 부산물이 다량 도입되는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해 종래에는 그래파이트를 분쇄시키는 공정 후에 산 수용액을 이용하여 금속을 제거하는 공정을 더 수행하였다. 하지만 이러한 추가 공정을 수행했음에도 불구하고 부산물이 10 중량부 이상으로 포함되었다. 본원에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 반응 용기 1 ml 당 그래파이트의 질량을 조절하여 제조함으로써 불순물의 함량을 효과적으로 줄였다. 구체적으로, 상기 반응 용기 1 ml 당 상기 그래파이트의 질량이 0.10 g 내지 0.16 g인 조건 하에서 제조한 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 불순물 함량은 0 중량부 내지 3 중량부를 포함한다.
도 1의 (a) 및 (b)는 본원의 일 구현예에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 도면이다.
도 1의 (a)는 그래피틱 나노플레이트의 가장자리가 암체어 엣지(armchair-edge)일 때, 상기 가장자리에 질소가 도핑되어 피리다진(pyridazine) 링을 형성했을 때의 도면이고, 도 1의 (b)는 그래피틱 나노플레이트의 가장자리가 지그재그 엣지(zigzag-edge)일 때, 상기 가장자리에 질소가 도핑되어 피라졸(pyrazole) 링을 형성했을 때의 도면이다.
상기 질소와 탄소의 중량비는 1:5 내지 1:8인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 질소와 상기 탄소의 몰비는 1:5 내지 1:8인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 1:6 내지 1:8인 것 일 수 있다.
구체적으로, 상기 질소(N)와 상기 탄소(C)의 몰 비율(C/N)은 5 내지 8인 것으로 나타낼 수 있다. 바람직하게는 6 내지 8로 나타낼 수 있다.
상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 평균 직경은 50 nm 이상인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트는 촉매 지지체, 화학 촉매, 에너지 변환 및 저장, 연료전지 등 다양한 용도로서 응용할 수 있다. 또한, 저렴하고 대량으로 제조할 수 있어 공정의 저가화에 용이하다.
더욱이, 철과 같은 불순물의 도입을 차단함으로써 불순물의 도입으로 인해 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 물성 변화를 억제할 수 있다.
본원은, 질소 분위기 하에서 그래파이트를 기계적으로 분쇄시키는 단계; 및 상기 분쇄된 그래파이트를 산처리하는 단계;를 포함하는 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 제조 방법이다.
도 2는 본원의 일 구현예에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 제조 방법의 순서도이다.
먼저, 질소 분위기 하에서 그래파이트를 기계적으로 분쇄시킨다(S100).
상기 그래파이트와 상기 질소의 중량비는 1:3 내지 1:5인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 그래파이트와 상기 질소의 몰비는 1:3 내지 1:5인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 그래파이트와 상기 질소의 몰비가 1:3 미만일 경우 상기 질소가 상기 그래파이트의 가장자리와 충분히 반응하지 않아 충분히 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트를 수득할 수 없다.
상기 분쇄시키는 단계는 반응 용기 1 ml 당 상기 그래파이트의 질량 0.10 g 내지 0.16 g을 분쇄시키는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 그래파이트를 분쇄시키는 반응 용기는 어떤 재질로 제조된 것을 사용하여도 무방하나, 금속 재질의 반응 용기를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 반응 용기 1 ml 당 상기 그래파이트의 질량이 0.10 g 미만일 경우, 제조된 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 불순물의 양이 증가할 수 있다.
상기 질소는 2 MPa 내지 10 MPa의 압력으로 상기 반응 용기에 주입되어 상기 질소 분위기를 형성하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 분쇄는 300 rpm 내지 600 rpm의 속도로 24 시간 내지 60 시간 동안 분쇄하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 상기 분쇄된 그래파이트를 산처리한다(S200).
상기 산처리는 pH가 3 이하인 산의 수용액을 이용하는 것 일 수 있다.
상기 산은 염산, 황산, 질산, 탄산, 인산, 아세트산, 과염소산 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 산을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 산의 수용액은 0.1 M 내지 5.0 M의 농도로 사용하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 산처리는 12시간 내지 96시간 동안 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 그래파이트는 상기 분쇄 공정을 통하여 분쇄되면서 상기 그래파이트의 가장자리 부분의 탄소가 전하를 띠거나 라디칼의 형태로 된다. 상기 전하를 띠거나 라디칼의 형태가 된 탄소는 상기 질소와 반응하여 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트가 형성되는 것이다. 상기 분쇄 공정 과정에서, 상기 그래파이트의 가장자리 부분의 탄소가 전하를 띠거나 라디칼의 형태로 되고, 이러한 탄소와 상기 질소와 반응함으로써 그래파이트의 가장자리 부분에만 상기 질소가 도핑되는 것이다.
또한, 종래에는 금속 용기와 금속 볼이 서로 부딪혀서 갈려 나오는 철과 상기 전하를 띠거나 라디칼의 형태가 된 탄소가 반응하여 질소뿐만 아니라 철이 도핑된 그래피틱 나노플레이트가 형성되었다. 하지만, 본원은 반응 용기의 부피 대비 그래파이트 질량의 비율을 조절함으로써 철과 같은 불순물의 함량이 줄어든 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트를 제조할 수 있다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본원의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
먼저, 그래파이트(99%, 32 mesh) 30 g을 250 ml의 금속 분쇄 용기에 넣었다. 상기 금속 분쇄 용기 내 공기를 진공 펌프를 사용하여 제거하고, 질소가스 3 MPa를 주입한 후 약 500 rpm의 속도로 48시간동안 분쇄하였다. 분쇄가 모두 끝난 후 분쇄물에 1 M의 염산으로 60시간동안 처리하여 상기 그래파이트와 반응하지 않은 금속을 완전히 제거하였다. 그런 후 동결 건조하여 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트(0.12 g/ml, 반응 용기 대비 그레파이트의 질량)를 제조하였다.
그래파이트 40 g을 넣는 것과 질소가스 4 MPa를 주입하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트(0.16 g/ml)를 제조하였다.
[비교예 1]
그래파이트 5 g을 넣는 것과 질소가스 1 MPa를 주입하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트(0.02 g/ml)를 제조하였다.
[비교예 2]
그래파이트 10 g을 넣는 것과 질소가스 1 MPa를 주입하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트(0.04 g/ml)를 제조하였다.
[비교예 3]
그래파이트 20 g을 넣는 것과 질소가스 2 MPa를 주입하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트(0.08 g/ml)를 제조하였다.
[비교예 4]
비교예 4로서 그래파이트(99%, 32 mesh)를 사용하였다.
[평가]
1. 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 특성 분석
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 원소분석을 실시하였고, 그 결과를 하기 표 1로서 나타내었다.
샘플 흑연 량 탄소함량
(wt%) 		수소함량
(wt%) 		질소 함량 (wt%) Char (wt%)
실시예 1 30g 74.2 0.8 14.1 1.4
실시예 2 40g 73.3 1.2 12.9 2.2
비교예 1 5g 70.7 0.8 14.8 20.4
비교예 2 10g 64.2 0.7 13.1 5.2
비교예 3 20g 71.2 1.1 13.6 3.6
비교예 4 최초 흑연 99.6 0 0 2.4
상기 표 1에 나타난 결과에 따르면, 불순물인 char의 함량은 실시예 1에서 가장 적게 검출된 것으로 확인할 수 있으며, 실시예 1 및 2의 char 함량은 그래파이트의 char 함량인 2.4 wt%보다 적게 검출된 것을 확인할 수 있다. 반면에, 비교예에서 제조한 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트의 char 함량은 최대 20.4 wt%까지 검출되어 불순물이 다량 검출된 것을 확인할 수 있다.
상기 char는 상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트를 제조하는 과정인 분쇄시키는 단계(볼밀 공정)에서, 금속 용기와 금속 볼이 서로 부딪혀서 갈려 나오는 금속을 포함하는 것이다. 구체적으로, 분쇄 공정을 통해서 상기 그래파이트의 가장자리 부분의 탄소가 전하를 띠거나 라디칼의 형태로 된다. 이때, 상기 전하를 띠거나 라디칼의 형태로 된 탄소가 상기 금속 용기와 금속 볼이 서로 부딪혀서 갈려 나오는 금속과 반응하여 질소뿐만 아니라 금속(철)이 도핑된 그래피틱 나노플레이트가 형성되는 것이다. 하지만 반응 용기(금속 용기) 대비 상기 그래파이트를 일정 비율 이상 첨가하여 분쇄하는 경우, 상기 그래파이트가 상기 금속 용기 및 금속 볼을 보호하면서 금속이 갈려 나오는 현상을 억제하게 된다. 결과적으로 반응 용기의 부피 대비 그래파이트의 질량의 비율을 조절함으로써 철과 같은 부산물이 도입되지 않는 질소가 도입된 그래피틱 나노플레이트를 수득할 수 있다.
상기 실시예 2의 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트를 제조할 때, 산처리 시간에 따른 열중량 분석을 실시하였고, 그 결과를 도 3으로서 나타내었다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트의 산처리 시간에 따른 열중량 분석 그래프이다.
도 3에 나타난 결과에 따르면, 불순물인 char의 함량이 산처리를 하지 않았을 때는 7.3 wt%, 24 시간 처리하였을 때는 3.4 wt%, 48 시간 처리하였을 때는 1.9 wt%, 72시간 처리하였을 때는 2.9 wt%, 96 시간 처리하였을 때는 3.5 wt%인 것을 확인할 수 있다. 산처리를 하는 시간이 증가할수록 불순물의 함량이 감소되며, 48시간 동안 처리했을 때 가장 적은 불순물이 생성되나, 산처리를 하는 시간이 48시간보다 증가할 때, 불순물의 함량이 다시 증가되는 것을 확인할 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (8)

  1. 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트에 있어서,
    상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 100 중량부를 기준으로,
    탄소 72 중량부 내지 80 중량부;
    질소 12 중량부 내지 15 중량부; 및
    부산물 0 중량부 내지 3 중량부;를 포함하는 것인, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 질소가 도핑된 그래피틱 나노플레이트 100 중량부를 기준으로 상기 부산물은 1 중량부 내지 2.5 중량부 포함되어 있는 것인, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 부산물은 철을 포함하는 것인, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 질소와 상기 탄소의 중량비는 1:5 내지 1:8인 것인, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트.
  5. 질소 분위기 하에서 그래파이트를 기계적으로 분쇄시키는 단계; 및
    상기 분쇄된 그래파이트를 산 처리하는 단계;를 포함하는, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 분쇄시키는 단계는 반응 용기 1 ml 당 상기 그래파이트의 질량 0.10 g 내지 0.16 g을 분쇄시키는 것인, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 질소는 2 MPa 내지 10 MPa의 압력으로 주입되는 것인, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트의 제조 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 그래파이트와 상기 질소의 질량비는 1:3 내지 1:5인 것인, 질소가 도핑된 그래피틱 나노 플레이트의 제조 방법.
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