KR20210103407A - 다중 방향 반응 챔버를 갖는 반응기 시스템 - Google Patents

다중 방향 반응 챔버를 갖는 반응기 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20210103407A
KR20210103407A KR1020210014215A KR20210014215A KR20210103407A KR 20210103407 A KR20210103407 A KR 20210103407A KR 1020210014215 A KR1020210014215 A KR 1020210014215A KR 20210014215 A KR20210014215 A KR 20210014215A KR 20210103407 A KR20210103407 A KR 20210103407A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reaction chamber
transfer
chamber
gate valve
substrate
Prior art date
Application number
KR1020210014215A
Other languages
English (en)
Inventor
유키히로 모리
Original Assignee
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. filed Critical 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Publication of KR20210103407A publication Critical patent/KR20210103407A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

반응기 시스템은, 복수의 반응 챔버; 복수의 이송 챔버; 및/또는 상기 복수의 반응 챔버의 각각의 반응 챔버에 결합된 적어도 두 개의 게이트 밸브를 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제1 게이트 밸브는, 복수의 반응 챔버의 제1 개별 반응 챔버를 복수의 이송 챔버의 제1 이송 챔버에 유체 결합시킬 수 있고, 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제2 게이트 밸브는, 제1 개별 반응 챔버를 복수의 이송 챔버의 제2 이송 챔버에 유체 결합시킬 수 있다. 다양한 구현예에서, 복수의 이송 챔버 각각은 이송 툴을 포함할 수 있으며, 각각의 이송 툴은 복수의 반응 챔버 중 다수의 챔버 내부 및/또는 외부로 기판을 이송시키도록 구성될 수 있다.

Description

다중 방향 반응 챔버를 갖는 반응기 시스템{REACTOR SYSTEM WITH MULTI-DIRECTIONAL REACTION CHAMBER}
본 개시는 일반적으로 반응기 시스템에 관한 것으로, 특히 하나 이상의 다중 방향 반응 챔버를 포함한 반응기 시스템에 관한 것이다.
반응기 시스템은, 예를 들어 기판을 처리하기 위해 반응 챔버, 기판 이송 챔버(TC), 로드 록 챔버(LLC), 및/또는 유사한 챔버 또는 모듈의 다양한 구성을 포함할 수 있다. 도 2에 나타낸 반응 챔버 구성(90)을 참조하면, 다수의 반응 챔버(60)가, 반응 챔버(60) 사이에서 기판을 이송시키기 위한 이송 툴(85)을 포함한 TC(80) 주위에 배치되고/배치되거나 이에 결합될 수 있다. 도 3에 도시된 반응기 시스템(91)의 다른 구현예에서, 다수의 반응 챔버(61)는 하나 이상의 TC(예, TC(81 및 82))를 둘러싸고/둘러싸거나 이에 결합될 수 있다. 각각의 TC는 하나 이상의 이송 툴(예, TC(81)에 포함된 이송 툴(86)과 TC(82)에 포함된 이송 툴(87))을 포함할 수 있다. 반응기 시스템의 이러한 구현예는, 각각의 반응 챔버 내외로 기판(들)의 이송을 허용하도록 구성된 하나의 게이트(예, 각각의 반응 챔버를 TC 및/또는 LLC, 예컨대 LLC(70 또는 71)과 유체 결합하는 게이트)를 갖는 반응 챔버를 포함할 수 있다.
반응기 시스템 내의 이송 툴은, 기판을 챔버 사이(예, 반응 챔버 사이)로 이송하여 공정 처리 방법을 시작하거나 처리 방법 중에 이송시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판은 (예를 들어, 반도체를 생성하기 위한) 기판 처리 방법의 상이한 단계를 위해, 반응기 시스템 내의 상이한 반응 챔버 사이에서 이송될 수 있다. 그러나, 기판 처리 방법에 의해 요구되는 바와 같이 제한된 시간 내에 반응 챔버 사이에서 2 또는 3매(또는 그 이상)의 기판 이송을 완료하기 위해 이송 툴이 필요한 경우, 이송 툴은 필요한 시간 내에 필요한 기판 이송을 따라가지 못할 수 있다. 즉, 공정 처리 방법 동안에 반응기 시스템의 반응 챔버 사이에서 너무 많은 필요한 기판 이송이 있을 경우에, 기판 "트래픽 잼"이 있을 수 있으며, 이는 이러한 기판 이송과 후속 공정 처리 단계(들)의 원하는 타이밍에 비해 반응 챔버 사이에서 기판 이송을 지연시킬 수 있다. 따라서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(90 또는 91))의 특정 반응 챔버 내의 기판은, 이러한 반응 챔버 내의 공정 단계가 완료된 후, 다른 반응 챔버로 이송되기 전에, 반응 챔버 내에 남아 있어야 할 수 있다. 이러한 대기는 완제품(예, 반도체)을 제조하기 위한 반응기 시스템의 효율을 감소시킬 수 있고/있거나 완제품의 품질을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 내용은 선정된 개념을 단순화된 형태로 소개하기 위해 제공된다. 이들 개념은 하기의 본 발명의 예시적 구현예의 상세한 설명에 더 상세하게 기재되어 있다. 본 발명의 내용은 청구된 요지의 주된 특징 또는 필수적인 특징을 구분하려는 의도가 아니며 청구된 요지의 범주를 제한하기 위해 사용하려는 의도 또한 아니다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템이 제공된다. 본원에 개시된 반응기 시스템은, 복수의 반응 챔버; 복수의 이송 챔버; 및/또는 상기 복수의 반응 챔버의 각각의 반응 챔버에 결합된 적어도 두 개의 게이트 밸브를 포함할 수 있다. 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제1 게이트 밸브는, 복수의 반응 챔버의 제1 개별 반응 챔버를 복수의 이송 챔버의 제1 이송 챔버에 유체 결합시킬 수 있고, 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제2 게이트 밸브는, 제1 개별 반응 챔버를 복수의 이송 챔버의 제2 이송 챔버에 유체 결합시킬 수 있다. 다양한 구현예에서, 상기 복수의 이송 챔버 각각은 이송 툴을 포함할 수 있으며, 각각의 이송 툴은 상기 복수의 반응 챔버 중 다수의(예, 적어도 두 개, 또는 최대 두 개)의 챔버 내부 및/또는 외부로 기판을 이송시키도록 구성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 제1 반응 챔버; 상기 제1 반응 챔버에 결합되고 기판을 상기 제1 반응 챔버 내부 및/또는 외부로 기판을 이송시키도록 구성된 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브; 제1 이송 챔버(상기 제1 이송 챔버는 상기 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통할 수 있고, 상기 반응기 시스템은 상기 제1 반응 챔버와 상기 제1 이송 챔버 사이에서 상기 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 통해 기판을 이송할 수 있도록 구성될 수 있음); 상기 제1 반응 챔버에 결합되고 기판을 상기 제1 반응 챔버 내부 및/또는 외부로 기판을 이송시키도록 구성된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브; 및/또는 상기 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통하는 제2 이송 챔버(상기 반응기 시스템은 상기 제1 반응 챔버와 상기 제2 이송 챔버 사이에서 상기 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 기판을 이송할 수 있도록 구성될 수 있음)을 포함할 수 있다.
다양한 구현예에서, 상기 제1 이송 챔버와 상기 제2 이송 챔버는 서로로부터 상기 제1 반응 챔버의 대향면 상에 있을 수 있다. 다양한 구현예에서, 상기 제1 이송 챔버와 상기 제2 이송 챔버는 서로로부터 상기 제1 반응 챔버에 대해 180도 미만으로 배치될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 제2 반응 챔버; 및 상기 제2 반응 챔버에 결합되고 상기 기판을 상기 제2 반응 챔버 내부 및/또는 외부로 이송시킬 수 있도록 구성된 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제2 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다. 다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 제3 이송 챔버; 및/또는 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제3 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 제3 반응 챔버; 및/또는 상기 제3 반응 챔버에 결합되고 상기 기판을 상기 제3 반응 챔버 내부 및/또는 외부로 이송시킬 수 있도록 구성된 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제3 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 이송 챔버 또는 상기 제2 이송 챔버 중 적어도 하나와 유체 연통할 수 있다. 다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 제4 이송 챔버; 및/또는 상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제3 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 경유해 상기 제4 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 제4 이송 챔버; 및/또는 상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제4 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다. 다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 상기 제1 반응 챔버에 결합된 제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제4 이송 챔버는, 상기 제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 제4 반응 챔버; 및/또는 상기 제4 반응 챔버에 결합되고 상기 기판을 상기 제4 반응 챔버 내부 및/또는 외부로 이송시킬 수 있도록 구성된 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제4 반응 챔버는, 상기 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제4 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다. 다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 상기 제4 반응 챔버에 결합된 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제4 반응 챔버는, 상기 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 이송 챔버와 유체 연통할 수 있다.
다양한 구현예에서, 방법은, 제1 이송 챔버에 포함된 제1 이송 툴을 경유해, 제1 기판을 제1 반응 챔버로 상기 제1 반응 챔버에 결합된 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 통해 이송시키는 단계(상기 제1 반응 챔버와 상기 제1 이송 챔버는 상기 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 유체 연통할 수 있음); 제2 이송 챔버에 포함된 제2 이송 툴을 경유해, 상기 제1 기판을 상기 제1 반응 챔버로부터 상기 제1 반응 챔버에 결합된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 이송시키는 단계(상기 제2 이송 챔버는, 상기 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여, 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통할 수 있음); 상기 제2 이송 툴을 경유해, 상기 기판을 제 반응 챔버로 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 통해 이송시키는 단계(상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여, 상기 제2 이송 챔버와 유체 연통할 수 있음); 및/또는 상기 기판을 상기 제2 반응 챔버로부터 이송시키는 단계를 포함할 수 있다. 다양한 구현예에서, 상기 제2 반응 챔버로부터 상기 기판을 이송시키는 단계는, 상기 제1 이송 툴을 경유해 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 완료될 수 있으며, 상기 제2 반응 챔버와 상기 제1 이송 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 유체 연통할 수 있다.
다양한 구현예에서, 상기 방법은, 상기 제1 반응 챔버로부터 상기 기판을 이송시키기 전에 제1 지속 시간 동안 상기 제1 반응 챔버 내의 기판에 제1 재료를 적용하는 단계; 및/또는 상기 제2 반응 챔버로부터 상기 기판을 이송시키기 전에 제2 지속 시간 동안 제2 재료를 상기 제2 반응 챔버 내의 기판에 적용하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제1 지속 시간과 상기 제2 지속 시간은 동일할 수 있다.
다양한 구현예에서, 상기 제2 반응 챔버로부터 상기 기판을 이송시키는 단계는, 제3 이송 챔버에 포함된 상기 제3 이송 툴을 경유해 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 완료될 수 있으며, 상기 제2 반응 챔버와 상기 제3 이송 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 유체 연통할 수 있다. 다양한 구현예에서, 상기 방법은, 상기 기판을 상기 제1 반응 챔버로부터 이송시키기 전에 제1 지속 시간 동안 상기 제1 반응 챔버 내의 기판에 제1 재료를 적용하는 단계; 상기 기판을 상기 제2 반응 챔버로부터 이송시키기 전에 제2 지속 시간 동안 상기 제2 반응 챔버 내의 기판에 제2 재료를 적용하는 단계; 제3 이송 툴을 경유해, 상기 기판을 제3 반응 챔버로 상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 통해 이송시키는 단계(상기 제3 반응 챔버는 상기 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 이송 챔버와 유체 연통함); 및/또는 제3 지속 시간 동안 상기 제3 반응 챔버 내의 기판에 제3 재료를 적용하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 다양한 구현예에서, 상기 제2 재료와 상기 제3 재료는 동일할 수 있고, 상기 제1 지속 시간, 상기 제2 지속 시간 및 상기 제3 지속 시간은 동일할 수 있다.
본 개시 및 종래 기술에 대해 달성된 장점을 요약하기 위한 목적으로, 본 개시의 특정 목표 및 장점이 본원에 전술되어 있다. 물론, 이러한 모든 목적 및 이점이 본 개시의 임의의 특정 구현예에 따라 반드시 달성되는 것이 아니라는 점을 이해해야 한다. 따라서, 예들 들어 당업자는, 본원에 개시된 구현예는, 본원에 교시 또는 제안될 수 있는 다른 목적들 또는 장점들을 반드시 달성하지 않고서, 본원에 교시되거나 제시된 바와 같은 하나의 장점 또는 여러 장점들을 달성하거나 최적화하는 방식으로 구현되거나 수행될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
이들 구현예 모두는 본 개시의 범주 내에 있는 것으로 의도된다. 본 개시는 논의된 임의의 특정 구현예(들)에 제한되지 않으며, 이들 및 다른 구현예는 첨부된 도면을 참조하는 특정 구현예의 다음의 상세한 설명으로부터 당업자에게 쉽게 분명해질 것이다.
본 개시의 주제는 특히 본 명세서의 결론 부분에서 요약되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 개시의 보다 완전한 이해는 도면과 관련하여 고려될 때 상세한 설명 및 청구범위를 참조함으로써 가장 잘 얻어질 수 있으며, 여기서 유사한 숫자는 유사한 요소를 나타낸다.
도 1은 다양한 구현예에 따라, 반응기 시스템의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 2는 반응기 시스템의 개략도를 나타낸다.
도 3은 반응기 시스템의 다른 개략도를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4c는 다양한 구현예에 따라, 다중 방향 반응 챔버를 포함한 반응기 시스템의 개략도를 나타낸다.
도 5a 및 도 5b는 다양한 구현예에 따라, 다중 방향 반응 챔버를 포함한 다른 반응기 시스템의 개략도를 나타낸다.
특정 구현예 및 실시예가 아래에 개시되었지만, 당업자는 본 개시가 구체적으로 개시된 구현예 및/또는 본 개시의 용도 및 이들의 명백한 변형물 및 균등물을 넘어 확장된다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 범주는 본원에 설명된 특정 구현예에 의해 제한되지 않도록 의도된다.
본원에 제시된 예시는 임의의 특정한 재료, 장치, 구조, 또는 소자의 실제 뷰를 의도하려 하는 것은 아니며, 단지 본 개시의 구현예를 설명하기 위해 사용되는 표현이다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "기판"은, 사용될 수 있는, 또는 그 위에 소자, 회로, 또는 막이 형성될 수 있는, 임의의 하부 재료 또는 재료들을 지칭할 수 있다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "원자층 증착"(ALD)은 기상 증착 공정을 지칭할 수 있고, 여기서 증착 사이클은, 바람직하게는 복수의 연속 증착 사이클은 공정 챔버에서 수행된다. 각각의 사이클 중에 전구체는 증착 표면(예, 기판 표면, 또는 이전 ALD 사이클로부터의 재료와 같이 이전에 증착된 하부 표면)에 화학 흡착될 수 있고, 추가적인 전구체와 쉽게 반응하지 않는(즉, 자기 제한적 반응) 단층 또는 서브 단층을 형성한다. 그 후 필요한 경우, 증착 표면 상에서 화학 흡착된 전구체를 원하는 재료로 전환시키는 용도로, 반응물(예, 다른 전구체 또는 반응 가스)을 후속해서 공정 챔버에 도입시킬 수 있다. 이 반응물은 전구체와 더 반응할 수 있다. 각각의 사이클 중에 공정 챔버로부터 과잉의 전구체를 제거하고/제거하거나, 화학 흡착된 전구체의 변환 후 공정 챔버로부터 과잉의 반응물 및/또는 반응 부산물을 제거하기 위해 퍼지 단계들이 더 활용될 수도 있다. 추가로, 본원에서 사용된 용어 "원자층 증착"은 전구체 조성(들), 반응 가스, 및 퍼지(예, 불활성 캐리어) 가스의 교번 펄스로 수행되는 경우, 화학 기상 원자층 증착, 원자층 에피택시(ALE), 분자 빔 에피택시(MBE), 가스 공급원 MBE, 또는 유기금속 MBE, 및 화학적 빔 에피택시와 같은 관련 용어들에 의해 지정된 공정을 포함하는 것을 또한 의미한다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "화학 기상 증착(CVD)"은 원하는 증착을 생성시키기 위해 기판의 표면 상에서 반응 및/또는 분해되는 하나 이상의 휘발성 전구체에 기판이 노출되는 임의의 공정을 지칭할 수 있다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "막" 및 "박막"은 본원에 개시된 방법에 의해 증착된 임의의 연속적인 또는 비연속적인 구조 및 재료를 지칭할 수 있다. 예를 들어, "막" 및 "박막"은 2D 재료, 나노막대, 나노튜브, 또는 나노입자 또는 심지어는 부분 또는 전체 분자층 또는 부분 또는 전체 원자층 또는 원자 및/또는 분자 클러스터를 포함할 수 있다. "막" 및 "박막"은 핀홀을 포함하는 재료 또는 층을 포함할 수 있지만, 여전히 적어도 부분적으로 연속적일 수 있다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "오염물"은, 반응 챔버에 배치된 기판의 순도에 영향을 끼칠 수 있는 반응 챔버 내에 배치된 원하지 않는 임의의 물질 또는 반응기 시스템의 임의 구성 요소에서 임의의 원하지 않는 물질을 지칭할 수 있다. "오염물"이라는 용어는, 반응 챔버 또는 반응기 시스템의 다른 구성 요소 내에 배치된 불필요한 증착물, 금속 및 비금속 입자, 불순물 및 폐기물을 지칭할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "가스"는 기화된 고체 및/또는 액체를 포함할 수 있고 단일 가스 또는 가스 혼합물로 구성될 수 있다.
ALD, CVD 및/또는 기타에 사용되는 반응기 시스템은, 기판 표면 상에 재료를 증착 및 에칭하는 것을 포함하는 다양한 응용에 사용될 수 있다. 다양한 구현예에서, 도 1을 참조하여, 반응기 시스템(50)은 반응 챔버(4), 공정 처리 중에 기판(30)을 유지하기 위한 서셉터(6), 하나 이상의 반응물을 기판(30)의 표면에 분배하기 위한 가스 분배 시스템(8)(예, 샤워헤드), 하나 이상의 반응물 공급원(10, 12), 및/또는 라인(16 내지 20) 및 밸브 또는 제어기(22 내지 26)를 통해 반응 챔버(4)에 유체 결합되는 캐리어 및/또는 퍼지 가스 공급원(14)을 포함할 수 있다. 반응물 공급원(10, 12)으로부터의 반응 가스 또는 다른 재료는 반응 챔버(4) 내의 기판(30)에 인가될 수 있다. 퍼지 가스 공급원(14)으로부터의 퍼지 가스는, 반응 챔버(4)로 그리고 반응 챔버를 통해 흘러서 반응 챔버(4)로부터의 임의의 과량의 반응물 또는 다른 바람직하지 않은 재료를 제거할 수 있다. 시스템(50)은, 반응 챔버(4)에 유체 결합된 진공원(28)을 또한 포함할 수 있고, 이는 반응 챔버(4) 외부로 반응물, 퍼지 가스, 및/또는 다른 재료를 흡입하도록 구성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 기판 처리 방법은, 다수의 반응 챔버에서 수행될 수 있는 다수의 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전구체가 소정의 지속 시간 동안 하나의 반응 챔버 내의 기판에 적용될 수 있고, 상기 기판은 다른 반응 챔버로 이송될 수 있고, 그런 다음 제2 전구체가 상기 기판에 적용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 제1 층은 제1 반응 챔버 내에 증착될 수 있고, 추가적인 반응 챔버(들)는 식각, 세정, 및/또는 추가적인 증착 공정을 위해 사용될 수 있다. 반응 챔버 사이에서 기판을 적시에 이송시키는 것은 반응기 시스템에서의 보다 효율적인 기판 처리 및/또는 보다 나은 최종 생성물(예, 특히 시간에 민감한 단계를 갖는 처리 방법에 의해 제조된 최종 생성물 및/또는 처리가 원하는 시간 내에 계속되지 않고/않거나 주변 환경에 노출되지 않는 경우에 분해되거나 달리 반응할 수 있는 불안정한 화합물을 포함하는 것)을 용이하게 할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은 복수의 반응 챔버를 포함할 수 있다(예, 개별 반응기 내에 각각 위치함). 각각의 반응기 및/또는 반응 챔버는 주변 벽을 가질 수 있다. 주변 벽은, 기판을 처리하기 위해 배치될 수 있는, 반응 챔버의 반응 챔버 공간을 둘러쌀 수 있다. 다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 각각의 반응 챔버에 결합된(예를 들어, 각각의 반응 챔버의 주변 벽에 결합된) 적어도 2개의 게이트 밸브를 포함할 수 있으며, 각각의 게이트 밸브는 각각의 반응 챔버에 대한 액세스를 선택적으로 허용하도록 구성될 수 있다. 즉, 각각의 게이트 밸브는 (상기 각각의 반응 챔버를 이송 챔버와 같은 반응기 시스템의 다른 챔버와 유체 결합하는) 각각의 반응 챔버 안팎으로 기판의 이송을 허용하기 위해 개방할 수 있고, 주변 환경으로부터 상기 반응 챔버를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있다. 예를 들어, 각각의 반응 챔버에 대한 엑세스를 얻기 위한 게이트 밸브는, 각각의 반응 챔버에서 기판 처리 중에는 폐쇄될 수 있다. 각각의 반응 챔버에 결합된 적어도 두 개의 게이트 밸브가 있을 수 있고 각각의 게이트 밸브가 반응기 시스템 내의 상이한 목적지(예, 다른 챔버)로 각각의 반응 챔버 안팎에서 기판을 이송시킬 수 있기 때문에, 이러한 반응 챔버는 다중 방향 반응 챔버일 수 있다.
반응기 시스템은 복수의 이송 챔버를 추가로 포함할 수 있다. 각각의 이송 챔버는, 벽을 둘러싸고 그 안에 배치된 이송 툴(예, 이송 아암)을 포함할 수 있다. 이송 툴은, 하나 이상의 반응 챔버 안팎, 및/또는 각각의 이송 챔버 안팎으로 기판(들)을 이송시키도록 구성될 수 있다. 다양한 구현예에서, 이송 챔버는 적어도 두 개의 게이트 밸브에 결합될 수 있으며, 이는 반응기 시스템 내의 다른 챔버들 사이의 유체 연통을 허용한다(예를 들어, 그 사이의 기판 이송을 허용함). 다양한 구현예에서, 반응기 시스템 내의 각각의 반응 챔버는 적어도 두 개의 이송 챔버에 결합되고/결합되거나 인접할 수 있다. 유사하게, 각각의 이송 챔버는 적어도 두 개의 반응 챔버에 결합되고/결합되거나 인접할 수 있다. 예를 들어, 반응 챔버에 결합된 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제1 밸브는, 각각의 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 기판이 제1 이송 챔버와 반응 챔버 사이에서 이송될 수 있도록, 반응 챔버를 복수의 이송 챔버 중 제1 이송 챔버에 유체 결합시킬 수 있다. 반응 챔버에 결합된 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제2 밸브는, 각각의 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 기판이 제2 이송 챔버와 반응 챔버 사이에서 이송될 수 있도록, 반응 챔버를 복수의 이송 챔버 중 제2 이송 챔버에 유체 결합시킬 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응 챔버는 임의의 적절한 수의 게이트 밸브에 결합될 수 있으며, 이들 각각은 반응 챔버를 이송 챔버에 결합시킬 수 있다. 반응기 시스템 내의 반응 챔버 및 이송 챔버의 배열은, 각각의 반응 챔버가 적어도 두 개의 게이트 밸브에 결합될 수 있고 각각의 게이트 밸브가 반응 챔버를 이송 챔버와 유체 결합시키도록(따라서, 반응 챔버가 적어도 두 개의 이송 챔버에, 각 게이트 밸브마다 하나씩 결합되도록), 그리고 각각의 이송 챔버가 두 개 이상의 챔버(예, 두 개 또는 세 개의 챔버, 이들은 반응 챔버, 로드 록 챔버, 버퍼 챔버, 및/또는 기판이 이송 챔버 내의 이송 툴에 의해 이송될 수 있는 임의의 다른 공간)에 결합되고/결합되거나 인접하도록, 임의의 적절한 구성일 수 있다. 반응 챔버와 이송 챔버의 이러한 반응기 시스템 구성의 예시는 도 4a 내지 도 4c, 도 5a 및 도 5b를 참조하여 본원에서 추가로 논의된다.
반응 챔버와 이송 챔버의 이러한 반응기 시스템 구성은, 각각의 이송 챔버에 대한 기판 이송의 수를 감소시켜, 반응 챔버 사이의 기판 이송 지연이 감소되거나 최소화될 수 있다. 즉, 각각의 이송 챔버는 (도 2 및 도 3에 도시된 반응기 시스템에서와 같이 여섯 번 이상의 가능한 기판 이송을 갖는 이송 챔버보다는) 기판 "트래픽 잼"이 최소화되거나 방지되도록, 감소된 수의(예, 두 개 또는 세 개의) 가능한 기판 이송을 가질 수 있다. 다양한 구현예에서, 이러한 이점을 달성하기 위해, 반응기 시스템 내의 각각의 이송 챔버는 최대 두 개 또는 세 개의 챔버(예, 반응 챔버, 로드 록 챔버, 버퍼 챔버 등)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다. 따라서, 이러한 구현예에서, 각각의 이송 챔버 및/또는 그 안에 포함된 이송 툴(들)은, 챔버 사이에서 수행하기 위해 최대 두 개 또는 세 개의 가능한 기판 이송을 가질 수 있다.
도 4a를 참조하면, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400A))은 제1 반응 챔버(예, 제1 반응 챔버(110))를 포함할 수 있다. 제1 반응 챔버(110)는 제1 주변 벽(112)을 포함할 수 있다. 반응 챔버의 주변 벽은 임의의 적절한 설계 또는 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반응 챔버의 주변 벽은 다수의 주변 벽 측면(예, 세 개, 네 개, 여섯 개, 또는 여덟 개 측면)을 포함할 수 있으며, 상기 주변 벽 측면 중 하나 이상은 게이트 밸브에 결합된다. 게이트 밸브는, 제1 반응 챔버(110)의 반응 챔버 공간을 각각 개방하고 폐쇄하고, 노출시키거나 적어도 부분적으로 밀폐하도록, 구성될 수 있다. 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여, 게이트 밸브에 결합된 반응 챔버는, 반응기 시스템 내의 다른 챔버와 유체 연통할 수 있다. 게이트 밸브가 폐쇄되는 것에 반응하여, 게이트 밸브에 결합된 반응 챔버는 반응기 시스템 내의 다른 챔버(예, 인접한 챔버)로부터 적어도 부분적으로 밀폐될 수 있다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 제1 반응 챔버(110)는 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)에 결합될 수 있다. 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는, 제1 반응 챔버(110) 안팎으로 기판의 이송을 허용할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400A)은, 제1 이송 챔버 주변 벽(212)을 갖는, 제1 이송 챔버(210)를 포함할 수 있다. 제1 이송 챔버(210)는 제1 반응 챔버(110) 및/또는 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)에 인접하게 배치될 수 있고/있거나 이에 결합될 수 있다. 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는, (예를 들어, 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)가 개방되는 것에 반응하여) 제1 반응 챔버(110)와 제1 이송 챔버(210)를 유체 연통시킬 수 있다. 따라서, 제1 이송 챔버(210)에 포함된 제1 이송 툴(213)은, 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)를 통해 제1 반응 챔버(110) 안팎으로 하나 이상의 기판을 이송할 수 있다.
반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400A))의 다른 챔버는 제1 이송 챔버(210)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있으며, 제1 이송 툴(213)은 제1 반응 챔버(110)로 이송될 기판을 수용할 수 있고/있거나, 제1 이송 툴(213)은 반응기 시스템(400A) 내의 제1 반응 챔버(110) 및/또는 다른 챔버로부터 기판을 이송시킬 수 있다. 다양한 구현예에서, 로드 록 챔버(LLC)(105)는 제1 이송 챔버(210)에 결합되고/결합되거나 이에 인접할 수 있다. LLC(105)는, 공정 처리 대기의 기판 및/또는 공정 처리된 기판을 유지하도록 구성될 수 있다. 따라서, 제1 이송 챔버(210)는, 공정 처리 대기 기판을 LLC(105)에서 제1 반응 챔버(110)로 이송시킬 수 있고/있거나, 공정에 사용된 최종 반응 챔버에서 LLC(105)로 완제품(예, 공정 처리된 기판)을 이송시킬 수 있다. 반응기 시스템 내의 최종 반응 챔버는 공정에서 사용되는 마지막 반응 챔버일 수 있거나, 공정 처리 후에 이송 챔버에 의해 LLC 내로 기판을 로딩할 수 있는 반응 챔버일 수 있다. 반응기 시스템 내의 제1 이송 챔버는, 본원에 개시된 구현예에서, 기판을 LLC로/LLC로부터 전달/회수하도록 구성된 이송 챔버일 수 있다. 제1 이송 챔버 및 LLC는, 기판(들)이 제1 이송 챔버와 LLC 사이에서 이송될 수 있는, LLC 게이트 밸브(예, LLC 게이트 밸브 107)에 결합될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400A)은, 제2 이송 챔버 주변 벽(222A)을 갖는, 제2 이송 챔버(220A)를 포함할 수 있다. 제2 이송 챔버(220A)는 제1 반응 챔버(110)에 결합되고/결합되거나 인접할 수 있다. 반응기 시스템(400A)은 제1 반응 챔버(110) 및/또는 제2 이송 챔버(220A)에 결합된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)를 추가로 포함할 수 있다. 제2 이송 챔버(220A)는 제1 반응 챔버(110) 및/또는 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)에 결합되고/결합되거나 인접하게 배치될 수 있다. 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)는, (예를 들어, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)가 개방되는 것에 반응하여) 제1 반응 챔버(110)와 제2 이송 챔버(220A)를 유체 연통시킬 수 있다. 따라서, 제2 이송 챔버(220A)에 포함된 제2 이송 툴(223A)은, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)를 통해 제1 반응 챔버(110) 안팎으로 하나 이상의 기판을 이송할 수 있다.
제1 이송 챔버(210) 및 제2 이송 챔버(220A)는 서로에 대해 임의의 적절한 구성으로 제1 반응 챔버(110)에 결합될 수 있다. 다양한 구현예에서, 제1 이송 챔버(210)와 제2 이송 챔버(220A)는 서로로부터 제1 반응 챔버(110)의 대향면 상에 배치될 수 있다. 다양한 구현예에서, 제1 이송 챔버(210)와 제2 이송 챔버(220A)는 서로로부터 180도로 배치될 수 있고, 제1 반응 챔버(110)는 그 사이에 있다. 다양한 구현예에서, 제1 이송 챔버(210)와 제2 이송 챔버(220A)는 서로로부터 180도 미만(예, 서로로부터 약 90도, 약 120도, 또는 약 60도)으로 배치될 수 있다. 이러한 맥락에서, "약"은 ±20 또는 ±30도를 의미한다. 반응기 시스템(400A)에 도시된 바와 같이, 제1 이송 챔버(210)와 제2 이송 챔버(220A)는 서로 90도로 배치될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400A))은 제2 반응 챔버(예, 제2 반응 챔버(120A))를 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버(120A)는 제2 주변 벽(122A)을 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버(120A)는 제2 이송 챔버(220A)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
반응기 시스템(400A)은, 제2 반응 챔버(120A) 및/또는 제2 이송 챔버(220A)에 결합된, 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124A)를 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124A)는, 개방에 반응하여, 제2 이송 챔버(220A)와 제2 반응 챔버(120A)를 유체 결합시켜, 제2 반응 챔버(120A) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124A)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제2 이송 툴(223A)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400A)은 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126A)를 추가로 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126A)는 제2 반응 챔버(120A) 및/또는 제1 이송 챔버(210)에 결합될 수 있다. 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126A)는, 개방에 반응하여, 제2 반응 챔버(120A)와 제1 이송 챔버(210)를 유체 결합시켜, 제2 반응 챔버(120A) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126A)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제1 이송 툴(213)에 의해 달성될 수 있다. 제2 반응 챔버(120A)와 제1 이송 챔버(210)는 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
반응기 시스템(400A)에 나타낸 챔버의 구성에서, 제2 반응 챔버(120A)는 최종 반응 챔버일 수 있으며, 이로부터 기판은 공정 처리 후 LLC(105)로 이송된다. 따라서, 다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400A))은 두 개의 반응 챔버와 두 개의 이송 챔버를 포함하여 두 개의 열 각각에 두 개의 챔버가 배열되고(즉, 2x2 배열), LLC는 이송 챔버 중 적어도 하나(예, 제1 이송 챔버)에 결합된다. LLC는 임의의 적절한 위치에서 이송 챔버에 결합될 수 있다. 예를 들어, LLC는, 하나의 반응 챔버보다 반응기 시스템 내의 다른 하나의 반응 챔버에 더 가깝게 위치할 수 있다. 반응기 시스템(400A)을 참조하면, LLC(105)는, 제1 반응 챔버(110)보다 제1 이송 챔버(210)의 대향면 상에 (따라서, 제2 반응 챔버(120A)에 더 가깝게) 위치하지만, 다양한 구현예에서, 예를 들어 LLC(105)는 제2 반응 챔버(120A)보다 제1 이송 챔버(210)의 대향면 상에 (따라서, 제1 반응 챔버(110)에 더 가깝게) 위치할 수 있다.
반응기 시스템(400A) 내의 반응 챔버는, 각각 적어도 두 개의 게이트 밸브가 결합되고 따라서 다방향 반응 챔버인데, 그 이유는 기판이 각각의 반응 챔버 안팎으로 이송될 하나 이상의 입구/출구가 있기 때문이다.
반응기 시스템(400A)에서 기판을 처리하기 위해, 기판은 제1 이송 툴(213)을 경유해, LLC(105)로부터 제1 이송 챔버(210)를 통해 제1 반응 챔버(110)로 이송될 수 있다. 제1 이송 툴(213)은 (LLC 게이트 밸브(107)가 개방되는 것에 반응하여) LLC(105)로부터 LLC 게이트 밸브(107)를 통해 기판을 얻을 수 있고, 기판을 제1 이송 챔버(210)로 이송시킬 수 있다. 기판이 LLC(105)로부터 제1 이송 챔버(210)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, LLC 게이트 밸브(107)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는 개방될 수 있다. 제1 이송 툴(213)은, (제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)가 개방되는 것에 반응하여) 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)를 통해 기판을 제1 반응 챔버(110)로 전달할 수 있다. 기판이 제1 반응 챔버(110)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는 제1 반응 챔버(110)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 발생할 수 있다(예를 들어, 제1 반응 챔버(110) 내의 기판에 하나 이상의 가스(예, 반응물 가스 및/또는 퍼지 가스)를 인가함). 제1 반응 챔버(110)에서 기판을 처리하는 동안에, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)는 제1 반응 챔버(110)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제1 반응 챔버(110)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)가 개방될 수 있고, 제2 이송 툴(223A)은 제1 반응 챔버(110)로부터 기판을 수득하고 기판을 제2 이송 챔버(220A)로 이송시킬 수 있다. 기판이 제1 반응 챔버(110)로부터 제2 이송 챔버(220A)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116A)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124A)는 개방될 수 있다. 제2 이송 툴(223A)은, (제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124A)가 개방되는 것에 반응하여) 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124A)를 통해 기판을 제2 반응 챔버(120A)로 전달할 수 있다. 기판이 제2 반응 챔버(120A)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124A)는 제2 반응 챔버(120A)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 제2 반응 챔버(120A) 내의 기판에 발생할 수 있다. 제1 반응 챔버(120A)에서 기판을 처리하는 동안에, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126A)는 제2 반응 챔버(120A)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제2 반응 챔버(120A)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126A)가 개방될 수 있고, 제1 이송 툴(213)은 제2 반응 챔버(120A)로부터 기판을 수득하고 기판을 제1 이송 챔버(210)로 (또는 추가 공정 처리를 위해 다시 제1 반응 챔버(110)으로) 이송시킬 수 있다. LLC는 다른 게이트 밸브(예, 게이트 밸브(108))에 결합될 수 있으며, 이는 (예를 들어, 반응기 시스템의 작동자에 의해) 공정 처리용 기판을 LLC 내로 로딩하거나 LLC로부터 처리된 기판을 언로딩하도록 구성될 수 있다.
제1 반응 챔버(110) 및/또는 제2 반응 챔버(120A)에서 발생하는 공정 처리는, 기판의 동일하거나 상이한 처리를 포함할 수 있다. 즉, 임의의 적절한 수의 단계로 임의의 적절한 지속 시간 동안에, 제1 공정은 제1 반응 챔버(110)에서 발생할 수 있고, 제2 공정은 제2 반응 챔버(120A)에서 발생할 수 있다. 예를 들어, 공정은 두 개의 단계(예, 기판에 제1 재료를 적용한 다음 기판에 제2 재료를 적용하는 단계)를 포함할 수 있으며, 하나의 단계는 제1 반응 챔버(110)에서 수행되고 다른 하나의 단계는 제2 반응 챔버(120A)에서 수행된다. 다른 예로서, 공정은 한 단계를 포함할 수 있고, 이는 공정 처리 지속 시간을 포함할 수 있다. 전체 공정 처리 지속 시간은, 제1 반응 챔버(110) 또는 제2 반응 챔버(120A)에서 수행될 수 있거나, 지속 시간 절반의 처리는 제1 반응 챔버(110)에서 발생할 수 있고, 나머지 지속 시간 절반의 처리는 제2 반응 챔버(120A)에서 발생할 수 있다. 기판은, 반응기 시스템의 챔버 사이에서 임의의 적절한 순서(예, 본원에 기술된 것과 반대인 순서)로 이동할 수 있음을 주목해야 한다.
도 4b를 참조하면, 반응기 시스템(400B)은, 본원에 설명된 도 4a의 반응기 시스템(400A)과 유사한, LLC(105), LLC 게이트 밸브(107), 제1 이송 챔버(210), 제1 반응 챔버(110), 및 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114), 및 그 안의 임의의 구성 요소를 포함할 수 있다. 다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400B)은 제1 반응 챔버(110)에 결합되고/결합되거나 인접한 제2 이송 챔버(220B)를 포함할 수 있다. 반응기 시스템(400A)의 제2 이송 챔버(220A)와는 달리, 제2 이송 챔버(220B)는 제1 이송 챔버(210)보다 제1 반응 챔버(110)의 대향면 상에 있을 수 있다. 반응기 시스템(400B)은 제1 반응 챔버(110) 및/또는 제2 이송 챔버(220B)에 결합된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)를 포함할 수 있다. 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)는, (예를 들어, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)가 개방되는 것에 반응하여) 제1 반응 챔버(110)와 제2 이송 챔버(220B)를 유체 연통시킬 수 있다. 따라서, 제2 이송 챔버(220B)에 포함된 제2 이송 툴(223B)은, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)를 통해 제1 반응 챔버(110) 안팎으로 하나 이상의 기판을 이송할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400B))은 제2 반응 챔버(예, 제2 반응 챔버(120B))를 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버(120B)는 제2 주변 벽(122B)을 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버(120B)는 제2 이송 챔버(220A)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
반응기 시스템(400B)은 제2 반응 챔버(120B) 및/또는 제2 이송 챔버(220B)에 결합된 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124B)를 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124B)는, 개방에 반응하여, 제2 이송 챔버(220B)와 제2 반응 챔버(120B)를 유체 결합시켜, 제2 반응 챔버(120B) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124B)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제2 이송 툴(223B)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400B)은 제3 이송 챔버(예, 제3 이송 챔버(230B))를 포함할 수 있다. 제3 이송 챔버(230B)는 제3 주변 벽(232B)을 포함할 수 있다. 제3 이송 챔버(230B)는 제2 반응 챔버(120B)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다. 제3 이송 챔버(230B)는, 제3 이송 챔버(230B) 내부 및 외부로 기판을 이송시키도록 구성된 제3 이송 툴(233B)을 포함할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400B)은 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126B)를 추가로 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126B)는 제2 반응 챔버(120B) 및/또는 제3 이송 챔버(230B)에 결합될 수 있다. 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126B)는, 개방에 반응하여, 제2 반응 챔버(120B)와 제3 이송 챔버(230B)를 유체 결합시켜, 제2 반응 챔버(120B) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126B)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제3 이송 툴(233B)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400B))은 제3 반응 챔버(예, 제2 반응 챔버(130B))를 포함할 수 있다. 제3 이송 챔버(130B)는 제3 주변 벽(132B)을 포함할 수 있다. 제3 반응 챔버(130B)는 제3 이송 챔버(230B)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
반응기 시스템(400B)은 제3 반응 챔버(130B) 및/또는 제3 이송 챔버(230B)에 결합된 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)를 포함할 수 있다. 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)는, 개방에 반응하여, 제3 이송 챔버(230B)와 제3 반응 챔버(130B)를 유체 결합시켜, 제3 반응 챔버(130B) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제3 이송 툴(233B)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400B)은 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136B)를 추가로 포함할 수 있다. 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136B)는 제3 반응 챔버(130B) 및/또는 제1 이송 챔버(210)에 결합될 수 있다. 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136B)는, 개방에 반응하여, 제3 반응 챔버(130B)와 제1 이송 챔버(210)를 유체 결합시켜, 제3 반응 챔버(130B) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136B)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제1 이송 툴(213)에 의해 달성될 수 있다. 제3 반응 챔버(130B)와 제1 이송 챔버(210)는 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
반응기 시스템(400B)에 나타낸 챔버의 구성에서, 제3 반응 챔버(130B)는 최종 반응 챔버일 수 있으며, 이로부터 기판은 공정 처리 후 LLC(105)로 이송된다. 따라서, 다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400B))은 세 개의 반응 챔버와 세 개의 이송 챔버를 포함하여 두 개의 열 각각에 세 개의 챔버가 배열되거나(즉, 2x3 배열), 두 개의 행 각각에 세 개의 챔버가 배열되고(즉 3x2 배열), LLC는 이송 챔버 중 적어도 하나(예, 제1 이송 챔버)에 결합된다. LLC는 임의의 적절한 위치에서 이송 챔버에 결합될 수 있다. 예를 들어, LLC는, 하나의 반응 챔버보다 반응기 시스템 내의 다른 하나의 반응 챔버에 더 가깝게 위치할 수 있다. 반응기 시스템(400B)을 참조하면, LLC(105)는, 제1 반응 챔버(110)보다 제1 이송 챔버(210)의 대향면 상에 (따라서, 제3 반응 챔버(130B)에 더 가깝게) 위치하지만, 다양한 구현예에서, 예를 들어 LLC(105)는 제3 반응 챔버(130B)보다 제1 이송 챔버(210)의 대향면 상에 (따라서, 제1 반응 챔버(110)에 더 가깝게) 위치할 수 있다.
반응기 시스템(400B) 내의 반응 챔버는, 각각 적어도 두 개의 게이트 밸브가 결합되고 따라서 다방향 반응 챔버인데, 그 이유는 기판이 각각의 반응 챔버 안팎으로 이송될 하나 이상의 입구/출구가 있기 때문이다.
반응기 시스템(400B)에서 기판을 처리하기 위해, 기판은 제1 이송 툴(213)을 경유해, 그리고 LLC(105)로부터 제1 이송 챔버(210)를 통해 제1 반응 챔버(110)로 이송될 수 있다. 제1 이송 툴(213)은 (LLC 게이트 밸브(107)가 개방되는 것에 반응하여) LLC(105)로부터 LLC 게이트 밸브(107)를 통해 기판을 얻을 수 있고, 기판을 제1 이송 챔버(210)로 이송시킬 수 있다. 기판이 LLC로부터 제1 이송 챔버(210)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, LLC 게이트 밸브(107)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는 개방될 수 있다. 제1 이송 툴(213)은, (제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)가 개방되는 것에 반응하여) 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)를 통해 기판을 제1 반응 챔버(110)로 전달할 수 있다. 기판이 제1 반응 챔버(110)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는 제1 반응 챔버(110)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 발생할 수 있다(예를 들어, 제1 반응 챔버(110) 내의 기판에 하나 이상의 가스(예, 반응물 가스 및/또는 퍼지 가스)를 인가함). 제1 반응 챔버(110)에서 기판을 처리하는 동안에, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)는 제1 반응 챔버(110)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제1 반응 챔버(110)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)가 개방될 수 있고, 제2 이송 툴(223B)은 제1 반응 챔버(110)로부터 기판을 수득하고 기판을 제2 이송 챔버(220B)로 이송시킬 수 있다. 기판이 제1 반응 챔버(110)로부터 제2 이송 챔버(220B)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124B)는 개방될 수 있다. 제2 이송 툴(223B)은, (제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124B)가 개방되는 것에 반응하여) 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124B)를 통해 기판을 제2 반응 챔버(120B)로 전달할 수 있다. 기판이 제2 반응 챔버(120B)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124B)는 제2 반응 챔버(120B)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 제2 반응 챔버(120B) 내의 기판에 발생할 수 있다. 제2 반응 챔버(120B)에서 기판을 처리하는 동안에, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126B)는 제2 반응 챔버(120B)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제2 반응 챔버(120B)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126B)가 개방될 수 있고, 제3 이송 툴(233B)은 제2 반응 챔버(120B)로부터 기판을 수득하고 기판을 제3 이송 챔버(230B)로 이송시킬 수 있다. 기판이 제2 반응 챔버(120B)로부터 제3 이송 챔버(230B)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126B)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)는 개방될 수 있다. 제3 이송 툴(233B)은, (제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)가 개방되는 것에 반응하여) 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)를 통해 기판을 제3 반응 챔버(130B)로 전달할 수 있다. 기판이 제3 반응 챔버(130B)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)는 제3 반응 챔버(130B)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 제3 반응 챔버(130B) 내의 기판에 발생할 수 있다. 제3 반응 챔버(130B)에서 기판을 처리하는 동안에, 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136B)는 제3 반응 챔버(130B)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제3 반응 챔버(130B)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136A)가 개방될 수 있고, 제1 이송 툴(213)은 제3 반응 챔버(130B)로부터 기판을 수득하고 기판을 제1 이송 챔버(210)로 (또는 추가 공정 처리를 위해 다시 제1 반응 챔버(110)으로) 이송시킬 수 있다.
제1 반응 챔버(110), 제2 반응 챔버(120B), 및/또는 제3 반응 챔버(130B)에서 발생하는 공정 처리는, 기판의 동일하거나 상이한 처리를 포함할 수 있다. 즉, 임의의 적절한 수의 단계로 임의의 적절한 지속 시간 동안에, 제1 공정은 제1 반응 챔버(110)에서 발생할 수 있고, 제2 공정은 제2 반응 챔버(120B)에서 발생할 수 있고, 제3 공정은 제3 반응 챔버(130B)에서 발생할 수 있다. 예를 들어, 공정은 세 개의 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 하나의 단계는 제1 반응 챔버(110)에서 수행되고, 하나의 단계는 제2 반응 챔버(120B)에서 수행되고, 최종 단계는 제3 반응 챔버(130B)에서 수행된다(예를 들어, 각 단계는 동일하거나 상이한 지속 시간을 가짐). 다른 예시로서, 기판을 처리하는 단계는 하나의 단계(예, 제1 지속 시간 동안에 기판에 제1 재료를 적용하는 단계) 및 제2 단계(예, 제2 지속 시간 동안에 기판에 제2 재료를 적용하는 단계)를 포함할 수 있다. 그러나, 제2 지속 기간은 제1 지속 시간보다 더 길 수 있다(예를 들어, 2배 더 길 수 있음). 따라서, 상기 제1 단계는 제1 반응 챔버(110)에서 수행될 수 있고, 제2 단계는 제2 반응 챔버(120B)와 제3 반응 챔버(130B) 사이에서 분리될 수 있다(예를 들어, 제2 지속 시간(제1 지속 시간과 동일할 수 있음)의 절반 동안에 제2 반응 챔버(120B)에서 제2 재료가 상기 기판에 적용되고, 제2 지속 시간의 다른 절반 동안에 제3 반응 챔버(130B)에서 (공정의 제2 단계를 완료하기 위해 제2 재료와 동일할 수 있는) 제3 재료가 기판에 적용됨). 이 예시에서, 기판이 반응기 시스템의 챔버를 통해 연속적으로 전진하도록 공정 단계가 반응 챔버 사이에 확산될 수 있어서, 챔버 사이의 기판(즉, 반응 챔버에서 대기 중이거나 후속 반응 챔버로 진입하기 위해 다음 이송 챔버에서 대기 중인, 공정 단계를 완료한 기판)의 이송 지연이 최소화되거나 방지된다. 또 다른 예시로서, 공정은 한 단계를 포함할 수 있고, 이는 공정 처리 지속 시간을 포함할 수 있다. 전체 공정 처리 지속 시간은 제1 반응 챔버(110), 제2 반응 챔버(120B), 및/또는 제3 반응 챔버(130B) 중 하나에서 수행될 수 있거나, 또는 지속 시간의 1/3 동안의 공정 처리는 제1 반응 챔버(110)에서 발생할 수 있고, 지속 시간의 두 번째 1/3 동안의 공정 처리는 제2 반응 챔버(120B)에서 발생할 수 있고, 지속 시간의 최종 1/3 동안의 공정 처리는 제3 반응 챔버(130B)에서 발생할 수 있다(또는 적어도 일부의 반응 챔버 사이의 공정 처리 및/또는 공정 처리 지속 시간의 임의의 다른 분할도 가능). 기판은, 반응기 시스템의 챔버 사이에서 임의의 적절한 순서(예, 본원에 기술된 것과 반대인 순서)로 이동할 수 있음을 주목해야 한다.
도 4c를 참조하면, 반응기 시스템(400C)은, 본원에 설명된 반응기 시스템(400A 및 400B)과 유사한, LLC(105), LLC 게이트 밸브(107), 제1 이송 챔버(210), 제1 반응 챔버(110), 및 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114), 및 그 안의 임의의 구성 요소를 포함할 수 있다. 또한, 반응기 시스템(400C)은, 반응기 시스템(400B)과 유사한 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B) 및 제2 이송 챔버(220B), 및 그 안의 임의의 구성 요소를 포함할 수 있다. 다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400C)은 제1 반응 챔버(110)에 결합되고/결합되거나 인접한 제2 이송 챔버(220B)를 포함할 수 있다. 반응기 시스템(400C)은 제1 반응 챔버(110) 및/또는 제2 이송 챔버(220B)에 결합된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)를 포함할 수 있다. 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)는, (예를 들어, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)가 개방되는 것에 반응하여) 제1 반응 챔버(110)와 제2 이송 챔버(220B)를 유체 연통시킬 수 있다. 따라서, 제2 이송 챔버(220B)에 포함된 제2 이송 툴(223B)은, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)를 통해 제1 반응 챔버(110) 안팎으로 하나 이상의 기판을 이송할 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400C))은 제2 반응 챔버(예, 제2 반응 챔버(120C))를 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버(120C)는 제2 주변 벽(122C)을 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버(120C)는 제2 이송 챔버(220B)에 결합될 수 있다. 제2 반응 챔버(120C)는 110과 대향하여 위치할 수 있고, 그 사이에 제2 이송 챔버(220B)가 위치한다. 본원에서 논의된 바와 같이, 챔버는 임의의 적절한 배열로 위치할 수 있으므로, 제2 반응 챔버(120C)는 제2 이송 챔버(220B)와 함께 제1 반응 챔버(110)에 대해 그 사이에서 임의의 적절한 방식으로 위치할 수 있다.
반응기 시스템(400C)은 제2 반응 챔버(120C) 및/또는 제2 이송 챔버(220B)에 결합된 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124C)를 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124C)는, 개방에 반응하여, 제2 이송 챔버(220B)와 제2 반응 챔버(120C)를 유체 결합시켜, 제2 반응 챔버(120C) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124C)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제2 이송 툴(223B)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400C)은 제3 이송 챔버(예, 제3 이송 챔버(230C))를 포함할 수 있다. 제3 이송 챔버(230C)는 제3 주변 벽(232C)을 포함할 수 있다. 제3 이송 챔버(230C)는 제2 반응 챔버(120C)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다. 제3 이송 챔버(230C)는, 제2 반응 챔버(120C) 내부 및 외부로 기판을 이송시키도록 구성된 제3 이송 툴(233C)을 포함할 수 있다.
다양한 구현예에서, 400C는 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126C)를 추가로 포함할 수 있다. 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126C)는 제2 반응 챔버(120C) 및/또는 제3 이송 챔버(230C)에 결합될 수 있다. 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126C)는, 개방에 반응하여, 제2 반응 챔버(120C)와 제3 이송 챔버(230C)를 유체 결합시켜, 제2 반응 챔버(120C) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126C)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제3 이송 툴(233C)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400C))은 제3 반응 챔버(예, 제2 반응 챔버(130C))를 포함할 수 있다. 제3 반응 챔버(130C)는 제3 주변 벽(132C)을 포함할 수 있다. 제3 반응 챔버(130C)는 제3 이송 챔버(230C)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다. 다양한 구현예에서, 제3 반응 챔버(130C)는 제2 이송 챔버(230B)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
반응기 시스템(400C)은, 제3 반응 챔버(130C) 및/또는 제3 이송 챔버(230C)에 결합될 수 있는 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134C)를 포함할 수 있다. 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134C)는, 개방에 반응하여, 제3 이송 챔버(230C)와 제3 반응 챔버(130C)를 유체 결합시켜, 제3 반응 챔버(130C) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134C)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제3 이송 툴(233C)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400C)은 제4 이송 챔버(예, 제4 이송 챔버(240C))를 포함할 수 있다. 제3 이송 챔버(240C)는 제4 주변 벽(242C)을 포함할 수 있다. 제4 반응 챔버(240C)는 제3 반응 챔버(130C)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다. 다양한 구현예에서, 제4 이송 챔버(240C)는 제1 반응 챔버(110)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다. 제4 이송 챔버(240C)는, 제3 반응 챔버(130C) 내부 및 외부로 기판을 이송시키도록 구성된 제4 이송 툴(243C)을 포함할 수 있다.
다양한 구현예에서, 400C는 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136C)를 추가로 포함할 수 있다. 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136C)는 제3 반응 챔버(130C) 및/또는 제4 이송 챔버(240C)에 결합될 수 있다. 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136C)는, 개방에 반응하여, 제3 반응 챔버(130C)와 제4 이송 챔버(240C)를 유체 결합시켜, 제3 반응 챔버(130C) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136C)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제4 이송 툴(243C)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400C))은 제4 반응 챔버(예, 제4 반응 챔버(140C))를 포함할 수 있다. 제4 반응 챔버(140C)는 제3 주변 벽(142C)을 포함할 수 있다. 제4 반응 챔버(140C)는 제4 이송 챔버(240C)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다. 다양한 구현예에서, 제4 반응 챔버(140C)는 제1 이송 챔버(210)에 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400C)은 제4 반응 챔버(140C) 및/또는 제4 이송 챔버(240C)에 결합될 수 있는 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브(144C)를 포함할 수 있다. 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브(144C)는, 개방에 반응하여, 제4 반응 챔버(140C)와 제4 이송 챔버(240C)를 유체 결합시켜, 제4 반응 챔버(140C) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브(144C)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제4 이송 툴(243C)에 의해 달성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템(400C)은 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브(146C)를 추가로 포함할 수 있다. 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브(146C)는 제4 반응 챔버(140C) 및/또는 제1 이송 챔버(210)에 결합될 수 있다. 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브(146C)는, 개방에 반응하여, 제4 반응 챔버(140C)와 제1 이송 챔버(210)를 유체 결합시켜, 제4 반응 챔버(140C) 안팎으로 기판을 이송하는 것이 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브(146C)를 통해 발생할 수 있도록 한다. 이러한 기판 이송은 제1 이송 툴(213)에 의해 달성될 수 있다. 제4 반응 챔버(140C)와 제1 이송 챔버(210)는 인접하고/인접하거나 결합될 수 있다.
반응기 시스템(400C)에 나타낸 챔버의 구성에서, 제4 반응 챔버(140C)는 최종 반응 챔버일 수 있으며, 이로부터 기판은 공정 처리 후 LLC(105)로 이송된다. 따라서, 다양한 구현예에서, 반응기 시스템(예, 반응기 시스템(400C))은 네 개의 반응 챔버와 네 개의 이송 챔버를 포함하여 두 개의 열 각각에 네 개의 챔버가 배열되거나(즉, 2x4 배열), 두 개의 행 각각에 네 개의 챔버가 배열되고(즉 4x2 배열), LLC는 이송 챔버 중 적어도 하나(예, 제1 이송 챔버)에 결합된다. LLC는 임의의 적절한 위치에서 이송 챔버에 결합될 수 있다. 예를 들어, LLC는, 하나의 반응 챔버보다 반응기 시스템 내의 다른 하나의 반응 챔버에 더 가깝게 위치할 수 있다. 반응기 시스템(400C)을 참조하면, LLC(105)는, 제1 반응 챔버(110)보다 제1 이송 챔버(210)의 대향면 상에 (따라서, 제4 반응 챔버(140C)에 더 가깝게) 위치하지만, 다양한 구현예에서, 예를 들어 LLC(105)는 제4 반응 챔버(140C)보다 제1 이송 챔버(210)의 대향면 상에 (따라서, 제1 반응 챔버(110)에 더 가깝게) 위치할 수 있고, 도 5b의 반응기 시스템(500B)의 챔버 배열과 유사하다.
반응기 시스템(400C) 내의 반응 챔버는, 각각 적어도 두 개의 게이트 밸브가 결합되고 따라서 다방향 반응 챔버인데, 그 이유는 기판이 각각의 반응 챔버 안팎으로 이송될 하나 이상의 입구/출구가 있기 때문이다.
반응기 시스템(400C)에서 기판을 처리하기 위해, 기판은 제1 이송 툴(213)을 경유해, 그리고 LLC(105)로부터 제1 이송 챔버(210)를 통해 제1 반응 챔버(110)로 이송될 수 있다. 제1 이송 툴(213)은 (LLC 게이트 밸브(107)가 개방되는 것에 반응하여) LLC(105)로부터 LLC 게이트 밸브(107)를 통해 기판을 얻을 수 있고, 기판을 제1 이송 챔버(210)로 이송시킬 수 있다. 기판이 LLC(105)로부터 제1 이송 챔버(210)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, LLC 게이트 밸브(107)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는 개방될 수 있다. 제1 이송 툴(213)은, (제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)가 개방되는 것에 반응하여) 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)를 통해 기판을 제1 반응 챔버(110)로 전달할 수 있다. 기판이 제1 반응 챔버(110)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브(114)는 제1 반응 챔버(110)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 발생할 수 있다(예를 들어, 제1 반응 챔버(110) 내의 기판에 하나 이상의 가스(예, 반응물 가스 및/또는 퍼지 가스)를 인가함). 제1 반응 챔버(110)에서 기판을 처리하는 동안에, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)는 제1 반응 챔버(110)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제1 반응 챔버(110)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)가 개방될 수 있고, 제2 이송 툴(223B)은 제1 반응 챔버(110)로부터 기판을 수득하고 기판을 제2 이송 챔버(220B)로 이송시킬 수 있다. 기판이 제1 반응 챔버(110)로부터 제2 이송 챔버(220B)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브(116B)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124C)는 개방될 수 있다. 제2 이송 툴(223B)은, (제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124C)가 개방되는 것에 반응하여) 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124C)를 통해 기판을 제2 반응 챔버(120C)로 전달할 수 있다. 기판이 제2 반응 챔버(120C)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브(124C)는 제2 반응 챔버(120C)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 제2 반응 챔버(120C) 내의 기판에 발생할 수 있다. 제2 반응 챔버(120C)에서 기판을 처리하는 동안에, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126C)는 제2 반응 챔버(120C)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제2 반응 챔버(120C)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126C)가 개방될 수 있고, 제3 이송 툴(233C)은 제2 반응 챔버(120C)로부터 기판을 수득하고 기판을 제3 이송 챔버(230C)로 이송시킬 수 있다. 기판이 제2 반응 챔버(120C)로부터 제3 이송 챔버(230C)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브(126C)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134B)는 개방될 수 있다. 제3 이송 툴(233C)은, (제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134C)가 개방되는 것에 반응하여) 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134C)를 통해 기판을 제3 반응 챔버(130C)로 전달할 수 있다. 기판이 제3 반응 챔버(130C)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브(134C)는 제3 반응 챔버(130C)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 제3 반응 챔버(130C) 내의 기판에 발생할 수 있다. 제3 반응 챔버(130C)에서 기판을 처리하는 동안에, 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136C)는 제3 반응 챔버(130C)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제3 반응 챔버(130C)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제4 이송 챔버 툴(243C)은 제3 반응 챔버(130C)로부터 기판을 수득하고 기판을 제4 이송 챔버(240C)로 이송시킬 수 있다. 기판이 제3 반응 챔버(130C)로부터 제4 이송 챔버(240C)로 진입하고/진입하거나 배치된 이후에, 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브(136C)는 폐쇄될 수 있고/있거나 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브(144C)는 개방될 수 있다. 제4 이송 툴(243C)은, (제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브(144C)가 개방되는 것에 반응하여) 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브(144C)를 통해 기판을 제4 반응 챔버(140C)로 전달할 수 있다. 기판이 제4 반응 챔버(140C)에 진입하고/진입하거나 그 안에 배치된 후, 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브(144C)는 제4 반응 챔버(140C)를 적어도 부분적으로 밀폐하기 위해 폐쇄될 수 있어서 하나 이상의 처리 단계가 제4 반응 챔버(140C) 내의 기판에 발생할 수 있다. 제4 반응 챔버(140C)에서 기판을 처리하는 동안에, 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브(146C)는 제4 반응 챔버(140C)를 적어도 부분적으로 밀폐하도록 폐쇄될 수도 있다.
제4 반응 챔버(140C)에서 기판의 처리가 완료된 후, 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브(146C)가 개방될 수 있고, 제1 이송 툴(213)은 제4 반응 챔버(140C)로부터 기판을 수득하고 기판을 제1 이송 챔버(210)로 (또는 추가 공정 처리를 위해 다시 제1 반응 챔버(110)으로) 이송시킬 수 있다.
제1 반응 챔버(110), 제2 반응 챔버(120C), 및/또는 제3 반응 챔버(130C), 및/또는 제4 반응 챔버(140C)에서 발생하는 공정 처리는, 기판의 동일하거나 상이한 처리를 포함할 수 있다. 즉, 임의의 적절한 수의 단계로 임의의 적절한 지속 시간 동안에, 제1 공정은 제1 반응 챔버(110)에서 발생할 수 있고, 제2 공정은 제2 반응 챔버(120C)에서 발생할 수 있고, 제3 공정은 제3 반응 챔버(130C)에서 발생할 수 있고/있거나, 제4 공정은 제4 반응 챔버(140C)에서 발생할 수 있다. 예를 들어, 공정은 네 개의 단계를 포함할 수 있으며, 여기서 하나의 단계는 제1 반응 챔버(110)에서 수행되고, 하나의 단계는 제2 반응 챔버(120C)에서 수행되고, 하나의 단계는 제3 반응 챔버(130C)에서 수행되고, 최종 단계는 제4 반응 챔버(140C)에서 수행된다(예를 들어, 각 단계는 동일하거나 상이한 지속 시간을 가짐). 다른 예시로서, 기판을 처리하는 단계는 하나의 단계(예, 제1 지속 시간 동안에 기판에 제1 재료를 적용하는 단계) 및 제2 단계(예, 제2 지속 시간 동안에 기판에 제2 재료를 적용하는 단계)를 포함할 수 있다. 그러나, 제2 지속 기간은 제1 지속 시간보다 더 길 수 있다(예를 들어, 3배 더 길 수 있음). 따라서, 상기 제1 단계는 제1 반응 챔버(110)에서 수행될 수 있고, 제2 단계는 제2 반응 챔버(120C), 제3 반응 챔버(130C), 및 제4 반응 챔버(140C) 사이에서 분리될 수 있다(예를 들어, 제2 지속 시간의 1/3 동안에(제2 지속 시간의 1/3은 제1 지속 시간과 동일할 수 있음) 제2 반응 챔버(120C)에서 제2 재료가 상기 기판에 적용되고, 제2 지속 시간의 다른 1/3 동안에 제3 반응 챔버(130C)에서 제3 재료가 상기 기판에 적용되고, 제2 지속 시간의 최종 1/3 동안에 제4 반응 챔버(140C)에서 제4 재료(상기 제1, 제2, 및 제3 재료 모두는 공정의 제2 단계를 완료하기 위해 동일할 수 있음)가 기판에 적용됨). 이 예시에서, 기판이 반응기 시스템의 챔버를 통해 연속적으로 전진하도록 공정 단계가 반응 챔버 사이에 확산될 수 있어서, 챔버 사이의 기판(즉, 반응 챔버에서 대기 중이거나 후속 반응 챔버로 진입하기 위해 다음 이송 챔버에서 대기 중인, 공정 단계를 완료한 기판)의 이송 지연이 완화되거나 방지된다. 또 다른 예시로서, 공정은 한 단계를 포함할 수 있고, 이는 공정 처리 지속 시간을 포함할 수 있다. 전체 처리 지속 시간은 제1 반응 챔버(110), 제2 반응 챔버(120C), 제3 반응 챔버(130C), 및/또는 제4 반응 챔버(140C)에서 수행될 수 있거나, 전체 지속 시간의 1/4 동안 각각의 제1 반응 챔버(110), 제2 반응 챔버(120C), 제3 반응 챔버(130C), 및/또는 제4 반응 챔버(140C)에서 발생할 수 있다(또는 적어도 일부 반응 챔버 사이의 임의의 다른 처리 및/또는 지속 시간 분할도 가능함). 또 다른 예시로서, 공정은 두 개의 단계를 포함할 수 있다: 제1 지속 기간을 갖는 제1 단계 및 제2 지속 기간을 갖는 제2 단계. 제1 단계는 제1 지속 기간의 절반 동안 제1 반응 챔버(110)에서 수행될 수 있고, 제2 반응 챔버(120C)에서 제1 지속 기간의 제2 절반 동안 수행될 수 있고, 제2 단계는 제2 지속 기간의 절반 동안 제3 반응 챔버(130C)에서 수행될 수 있고, 제4 반응 챔버(140C)에서 제2 지속 기간의 절반 동안 수행될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c 그리고 도 5a 및 도 5b에 도시된 화살표는 단지 예시적인 목적이며, 기판은 임의의 적절한 방식 또는 순서로 반응 챔버 내의 챔버 사이에서 이송될 수 있다. 유사하게, 반응기 시스템 내의 챔버, 게이트 밸브 등의 "제1", "제2", "제3" 등의 명칭은, 기판이 이송될 수 있는 순서, 또는 챔버 또는 게이트 밸브 순서 또는 배열(즉, 챔버 및/또는 게이트 밸브가 서로 근접하거나 서로 인접할 수 있음)을 반드시 나타내는 것은 아니다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템은, 반응기 시스템(400A, 400B, 및 400C)과 관련하여 논의된 것 이외에 챔버 사이에 결합된 추가 게이트 밸브를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4b의 반응기 시스템(400B)를 참조하면, 제1 반응 챔버(110) 및/또는 제3 이송 챔버(230B)에 결합된 게이트 밸브(이는 제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브일 수 있음)가 있을 수 있어서, 제3 이송 툴(233B)은 제1 반응 챔버(110) 내부 또는 외부로 기판을 이송시킬 수 있다(예를 들어, 제2 반응 챔버(120B) 또는 제3 반응 챔버(130B)를 우회함). 다른 예시로서, 도 4c의 반응기 시스템(400C)을 참조하면, 제1 반응 챔버(110) 및 제4 이송 챔버(240C)를 결합시키는 게이트 밸브(제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브일 수 있음)가 있을 수 있고 (및/또는 제1 반응 챔버(110) 및 제4 이송 챔버(240C)가 결합될 수 있고), 제4 이송 툴(243C)은 제1 반응 챔버(110) 안팎으로 기판을 이송시킬 수 있다(예, 기판을 (예를 들어, 제2 반응 챔버(120C) 및/또는 제3 반응 챔버(130C)를 우회하기 위해) 제1 반응 챔버(110)와 제4 이송 챔버(240C) 사이에 이송시키고/이송시키거나, 기판을 (예를 들어, 제2 반응 챔버(120C) 및/또는 제4 반응 챔버(140C)를 우회하기 위해) 제1 반응 챔버(110)와 제3 반응 챔버(130C) 사이에 이송시킴). 제2 이송 챔버(220B)와 제3 반응 챔버(130C)를 결합시키는 게이트 밸브(제2 반응 챔버 제3 게이트 밸브일 수 있음)가 있을 수 있고 (및/또는 제2 이송 챔버(220B)와 제3 반응 챔버(130C)는 결합될 수 있고), 제2 이송 툴(223B)은 제3 반응 챔버(130C) 안팎으로 기판을 이송시킬 수 있다(예, 기판을 (예를 들어 제2 반응 챔버(120C)를 우회하기 위해) 제1 반응 챔버(110)와 제3 반응 챔버(130C) 사이에서 이송시킴). 따라서, 다양한 구현예에서, 반응기 시스템 내의 챔버는, (예를 들어, 공정용 반응기 시스템 내의 모든 챔버보다 적은 챔버를 이용하도록) 반응기 시스템의 챔버를 통해 추가적인 기판 경로 옵션을 제공하기 위해 결합된, 세 개의 게이트 밸브를 가질 수 있다.
다양한 구현예에서, 게이트 밸브는 반응기 시스템 내의 반응 챔버 및/또는 이송 챔버에 결합될 수 있고/있거나, 반응 챔버 및/또는 이송 챔버(또는 반응기 시스템 내의 임의의 다른 챔버)의 주변 벽에 결합될 수 있다. 다양한 구현예에서, 게이트 밸브는 반응기 시스템의 별개 구성 요소일 수 있거나 게이트 밸브는 반응 챔버 및/또는 이송 챔버 (또는 반응기 시스템 내의 임의의 다른 챔버) 및/또는 이의 주변 벽에 포함될 수 있다. 다양한 구현예에서, 각각의 반응 챔버는 반응기에 포함될 수 있다(예를 들어, 제1 반응 챔버는 제1 반응기에 포함될 수 있고, 제2 반응 챔버는 제2 반응기 등에 포함될 수 있음). 이러한 구현예에서, 각각의 반응기는 반응 챔버에 결합된 적어도 두 개의 게이트 밸브를 추가로 포함할 수 있고/있거나 적어도 두 개의 게이트 밸브는 반응기에 결합될 수 있으며, 게이트 밸브는 반응 챔버에 대한 액세스를 선택적으로 허용하도록 구성된다. 다양한 구현예에서, 챔버 또는 챔버의 주변 벽에 결합된 게이트 밸브는, 다른 게이트 밸브에 대해 임의의 적절한 각도(들)로, 예컨대 서로에 대해 배치되는 챔버와 관련하여 본원에서 논의된 각도로, 이러한 챔버 주위에 배치될 수 있다.
다양한 구현예에서, 반응기 시스템의 챔버 배열은 임의의 적절한 구성 및/또는 형상일 수 있다. 예를 들어, 반응기 시스템(400A)의 반응 챔버와 이송 챔버는, 챔버 사이에 공간이 있도록 배열될 수 있다. 유사하게, 예를 들어 반응기 시스템(400B)의 반응 챔버 및 이송 챔버는 챔버 사이에 공간이 있도록 배열될 수 있다(예를 들어, 상기 공간은 다른 반응 챔버에 대해 90 내지 180의 각도로 위치한 반응 챔버를 가짐으로써, 그리고 다른 이송 챔버에 대해 90 내지 180의 각도로 위치한 이송 챔버를 가짐으로써 달성될 수 있음). 다양한 구현예에서, 반응 챔버는, 반응기 시스템의 이전 또는 후속 반응 챔버(그 사이에 이송 챔버를 가짐)에 대해 임의의 적절한 각도로, 예컨대 서로로부터 약 90도, 약 120도, 또는 약 60도로 위치할 수 있다. 유사하게, 다양한 구현예에서, 이송 챔버는, 반응기 시스템의 이전 또는 후속 이송 챔버(그 사이에 반응 챔버를 가짐)에 대해 임의의 적절한 각도로, 예컨대 서로로부터 약 90도, 약 120도, 또는 약 60도로 위치할 수 있다. 이러한 맥락에서, "약"은 ±20 또는 ±30도를 의미한다. 다른 예시로서, 여덟 개의 챔버 및 LLC를 갖는 반응기 시스템은, 도 4a에 나타낸 바와 같이 배열될 수 있거나, 도 5a에 나타낸 반응기 시스템(500A)의 챔버 배열과 같이, 챔버 중 하나 이상 사이의 공간을 갖도록 배열될 수 있다. 반응기 시스템(500A)은, 도 4c에 나타낸 반응기 시스템(400C)에 대해 논의된 것과 유사한, 이송 챔버, 반응 챔버, 및 게이트 밸브를 포함할 수 있다.
본 개시에 따른 공정은 또한, 임의의 적절한 배열 또는 구성으로 반응기 시스템의 챔버 및/또는 게이트 밸브를 배치, 결합 및/또는 재배열하는 단계, 및/또는 원하는 배열을 달성하기 위해 챔버를 서로 및/또는 각각의 게이트 밸브에 결합하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 추가 반응 챔버 및/또는 이송 챔버는, 400A와 유사한 반응기 시스템에 결합되어, 400B와 유사한 반응기 시스템을 생성할 수 있다. 추가 예시로서, 추가 반응 챔버 및/또는 이송 챔버는, 400B와 유사한 반응기 시스템에 결합되어, 400C와 유사한 반응기 시스템을 생성할 수 있다. 다양한 구현예에서, 챔버 및/또는 게이트 밸브는, 반응기 시스템의 배열 또는 형상을 변경하기 위해, 임의의 기존 반응기 시스템 내에 추가, 제거 및/또는 재배치될 수 있다.
혜택 및 다른 이점은 특정 구현예와 관련하여 본원에서 설명되었다. 또한, 본원에 포함된 다양한 도면에서 나타낸 연결선은, 다양한 요소 사이의 예시적인 기능 관계 및/또는 물리적 결합을 표시하려는 의도이다. 많은 대안적 또는 추가적인 기능 관계 또는 물리적 연결은 실질적인 시스템에 존재할 수 있음을 주목해야 한다. 그러나, 혜택, 이점, 문제점에 대한 해결책, 및 임의의 혜택, 이점, 또는 해결책을 발생시키거나 더욱 두드러지게 할 수 있는 임의의 요소는, 본 개시의 중요하거나, 필요하거나, 또는 필수적인 특징부 또는 요소로 해석되어서는 안 된다. 따라서, 본 개시의 범주는 첨부된 청구범위 외의 어느 것에 의해 제한되도록 되어 있으며, 여기서 단수로 된 요소에 대한 언급은 명시적으로 언급되지 않는 한 "오직 하나만"을 의미하는 것이 아니라 오히려 "하나 이상"을 의미하도록 의도된다. 또한, "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 유사한 문구가 청구범위에서 사용되는 경우, 상기 문구는 A가 단독으로 일 구현예에 존재할 수 있고, B가 단독으로 일 구현예에 존재할 수 있고, C가 단독으로 일 구현예에 존재할 수 있거나, 또는 A, B 및 C의 임의의 조합이 일 구현예에, 예를 들어 A와 B, A와 C, B와 C, 또는 A와 B와 C가 존재할 수 있음을 의미하는 것으로 해석되도록 의도된다.
시스템, 방법 및 장치가 본원에 제공된다. 본원의 상세한 설명에서, "일 구현예", "하나의 구현예", "예시적인 구현예" 등에 대한 언급은, 설명된 구현예가 특정 특징부, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 구현예가 반드시 특정 특징부, 구조 또는 특성을 포함할 필요는 없음을 나타낸다. 또한, 이러한 문구는 반드시 동일한 구현예를 지칭하는 것은 아니다. 또한, 특정 특징부, 구조 또는 특성이 구현예와 관련하여 설명될 때, 명시적으로 설명되었는지 여부와 상관없이, 다른 구현예와 관련하여 이러한 특징부, 구조 또는 특징에 영향을 끼치는 것을 당업자가 알고 있음을 인정한다. 설명을 읽은 후, 대안적인 구현예에서 본 개시를 구현하는 방법이 당업자에게 명백할 것이다.
또한, 본 개시의 요소, 구성 요소, 또는 방법 단계는, 요소, 구성 요소, 또는 방법 단계가 청구범위에 명시적으로 언급되는지 여부에 관계없이 대중에게 전용되도록 의도되지 않는다. 본원에서의 어떠한 청구범위 요소도, 그 요소가 "그 수단"이라는 문구를 사용하여 명시적으로 인용되지 않는 한, 35 U.S.C. 112(f)의 조항에 따라 해석되지 않는다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 둘 이상의 구성 요소가 "결합된"은 각각의 문맥에 의해 지시될 수 있는 물리적, 기계적, 유체 및/또는 전기적 결합을 의미할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "포함하다", "포함하는" 또는 임의의 다른 변형은 비-배타적 포함을 포함하도록 의도되어, 요소 목록을 포함하는 공정, 방법, 물품 또는 장치는 그 요소만을 포함하지 않고, 명시적으로 열거되지 않거나 이러한 공정, 방법, 물품 또는 장치에 내재되어 있지 않은 다른 요소를 포함할 수 있다.

Claims (20)

  1. 반응기 시스템으로서,
    제1 반응 챔버;
    상기 제1 반응 챔버에 결합되고 기판을 상기 제1 반응 챔버 내부 또는 외부 중 적어도 하나로 이송시키도록 구성된 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브;
    제1 이송 챔버(상기 제1 이송 챔버는 상기 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통할 수 있고, 상기 반응기 시스템은 상기 제1 반응 챔버와 상기 제1 이송 챔버 사이에서 상기 개방된 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 통해 기판을 이송시킬 수 있도록 구성될 수 있음);
    상기 제1 반응 챔버에 결합되고 기판을 상기 제1 반응 챔버 내부 또는 외부 중 적어도 하나로 이송시키도록 구성된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브; 및
    상기 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통하는 제2 이송 챔버(상기 반응기 시스템은 상기 제1 반응 챔버와 상기 제2 이송 챔버 사이에서 상기 개방된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 기판을 이송시킬 수 있도록 구성될 수 있음)을 포함하는, 반응기 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 이송 챔버와 상기 제2 이송 챔버는 상기 제1 반응 챔버의 대향면 상에 있는, 반응기 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 이송 챔버와 상기 제2 이송 챔버는 상기 제1 반응 챔버를 관통하는 축에 대해 180도 미만으로 배치되는, 반응기 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    제2 반응 챔버; 및
    상기 제2 반응 챔버에 결합되고 상기 기판을 상기 제2 반응 챔버 내부 또는 외부 중 적어도 하나로 이송시키도록 구성된 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 추가로 포함하되,
    상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제2 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함하되, 상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  6. 제4항에 있어서,
    제3 이송 챔버; 및
    상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함하되, 상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제3 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    제3 반응 챔버; 및
    상기 제3 반응 챔버에 결합되고 상기 기판을 상기 제3 반응 챔버 내부 또는 외부 중 적어도 하나로 이송시키도록 구성된 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 추가로 포함하되,
    상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제3 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함하되, 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 이송 챔버 또는 상기 제2 이송 챔버 중 적어도 하나와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    제4 이송 챔버; 및
    상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 추가로 포함하되, 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제3 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 경유해 상기 제4 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  10. 제7항에 있어서,
    제4 이송 챔버; 및
    상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함하되, 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제4 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 반응 챔버에 결합된 제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 추가로 포함하되, 상기 제4 이송 챔버는, 상기 제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제1 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  12. 제10항에 있어서,
    제4 반응 챔버; 및
    상기 제4 반응 챔버에 결합되고 상기 기판을 상기 제4 반응 챔버 내부 또는 외부 중 적어도 하나로 이송시키도록 구성된 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 추가로 포함하되,
    상기 제4 반응 챔버는, 상기 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제4 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 경유해 상기 제4 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제4 반응 챔버에 결합된 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 추가로 포함하되, 상기 제4 반응 챔버는, 상기 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제4 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 경유해 상기 제1 이송 챔버와 유체 연통하는, 반응기 시스템.
  14. 반응기 시스템으로서,
    복수의 반응 챔버;
    복수의 이송 챔버; 및
    상기 복수의 반응 챔버의 개별 반응 챔버에 결합된 적어도 두 개의 게이트 밸브를 포함하되, 상기 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제1 게이트 밸브는, 개방시 상기 복수의 반응 챔버의 제1 개별 반응 챔버를 상기 복수의 이송 챔버의 제1 이송 챔버에 유체 결합시키고, 상기 적어도 두 개의 게이트 밸브 중 제2 게이트 밸브는, 개방시 상기 제1 개별 반응 챔버를 상기 복수의 이송 챔버의 제2 이송 챔버에 유체 결합시키는, 반응기 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 복수의 이송 챔버 각각은 이송 툴을 포함하고, 각각의 이송 툴은 상기 복수의 반응 챔버 중 최대 두 개의 내부 또는 외부 중 적어도 하나로 기판을 이송시키도록 구성되는, 반응기 시스템.
  16. 제1 이송 챔버에 포함된 제1 이송 툴을 경유해, 제1 기판을 제1 반응 챔버로 상기 제1 반응 챔버에 결합된 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브를 통해 이송시키되, 상기 제1 반응 챔버와 상기 제1 이송 챔버는 상기 제1 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 유체 연통하는 단계;
    제2 이송 챔버에 포함된 제2 이송 툴을 경유해, 상기 제1 기판을 상기 제1 반응 챔버로 상기 제1 반응 챔버에 결합된 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 이송시키되, 상기 제2 이송 챔버는 상기 제1 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제1 반응 챔버와 유체 연통하는 단계;
    상기 제2 이송 툴을 경유해 상기 기판을 제2 반응 챔버로 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 이송시키되, 상기 제2 반응 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제2 이송 챔버와 유체 연통하는 단계; 및
    상기 기판을 상기 제2 반응 챔버로부터 이송시키는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2 반응 챔버로부터 상기 기판을 이송시키는 단계는, 상기 제1 이송 툴을 경유해 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 완료되고, 상기 제2 반응 챔버와 상기 제1 이송 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 유체 연통하는, 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판을 상기 제1 반응 챔버로부터 이송시키기 전에 제1 지속 시간 동안 상기 제1 반응 챔버 내의 기판에 제1 재료를 적용하는 단계; 및
    상기 기판을 상기 제2 반응 챔버로부터 이송시키기 전에 제2 지속 시간 동안 상기 제2 반응 챔버 내의 기판에 제2 재료를 적용하는 단계를 추가로 포함하되,
    상기 제1 지속 시간과 상기 제2 지속 시간은 동일한, 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 기판을 상기 제1 반응 챔버로부터 이송시키기 전에 제1 지속 시간 동안 상기 제1 반응 챔버 내의 기판에 제1 재료를 적용하는 단계;
    상기 기판을 상기 제2 반응 챔버로부터 이송시키기 전에 제2 지속 시간 동안 상기 제2 반응 챔버 내의 기판에 제2 재료를 적용하는 단계로서,
    상기 기판을 상기 제2 반응 챔버로부터 이송시키는 단계는, 제3 이송 챔버에 포함된 상기 제3 이송 툴을 경유해 상기 제2 반응 챔버에 결합된 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브를 통해 완료되고, 상기 제2 반응 챔버와 상기 제3 이송 챔버는, 상기 제2 반응 챔버 제2 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 유체 연통하는 단계;
    상기 제3 이송 툴을 경유해 상기 기판을 제3 반응 챔버로 상기 제3 반응 챔버에 결합된 제3 반응 챔버 제3 게이트 밸브를 통해 이송시키되, 상기 제3 반응 챔버는, 상기 제3 반응 챔버 제1 게이트 밸브가 개방되는 것에 반응하여 상기 제3 이송 챔버와 유체 연통하는 단계; 및
    제3 지속 시간 동안 상기 제3 반응 챔버 내의 기판에 제3 재료를 적용하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제2 재료와 상기 제3 재료는 동일하고, 상기 제1 지속 시간, 상기 제2 지속 시간, 및 상기 제3 지속 시간도 동일한, 방법.
KR1020210014215A 2020-02-12 2021-02-01 다중 방향 반응 챔버를 갖는 반응기 시스템 KR20210103407A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062975584P 2020-02-12 2020-02-12
US62/975,584 2020-02-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210103407A true KR20210103407A (ko) 2021-08-23

Family

ID=77178170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210014215A KR20210103407A (ko) 2020-02-12 2021-02-01 다중 방향 반응 챔버를 갖는 반응기 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210246556A1 (ko)
JP (1) JP2021126649A (ko)
KR (1) KR20210103407A (ko)
CN (1) CN113249711A (ko)
SG (1) SG10202101234VA (ko)
TW (1) TW202136576A (ko)

Families Citing this family (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4494524B2 (ja) * 2007-11-09 2010-06-30 キヤノンアネルバ株式会社 インライン型ウェハ搬送装置
CN101855717B (zh) * 2007-11-09 2011-10-19 佳能安内华股份有限公司 在线型晶圆输送装置
JP5923288B2 (ja) * 2011-12-01 2016-05-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202136576A (zh) 2021-10-01
CN113249711A (zh) 2021-08-13
US20210246556A1 (en) 2021-08-12
SG10202101234VA (en) 2021-09-29
JP2021126649A (ja) 2021-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210103407A (ko) 다중 방향 반응 챔버를 갖는 반응기 시스템
US6902624B2 (en) Massively parallel atomic layer deposition/chemical vapor deposition system
TWI817978B (zh) 半導體處理裝置及處理基板之方法
JP3586191B2 (ja) 原子層ディポジション用の垂直に積み重ねられたプロセス反応器およびクラスタツールシステム
US4825808A (en) Substrate processing apparatus
US6905547B1 (en) Method and apparatus for flexible atomic layer deposition
US20030213560A1 (en) Tandem wafer processing system and process
US20140127404A1 (en) Apparatus For Spatial Atomic Layer Deposition With Recirculation And Methods Of Use
TWI808049B (zh) 處理基板的方法
US20130192524A1 (en) Continuous Substrate Processing System
US20220172989A1 (en) Nucleation-Free Gap Fill ALD Process
US20230215709A1 (en) Remote plasma unit and substrate processing apparatus including remote plasma
KR20230151914A (ko) 배기 덕트를 포함하는 기판 처리 장치
FI122880B (fi) Sulkujärjestely, tuotantolinja ja menetelmä
JP7336841B2 (ja) 気相成膜装置
US20230215697A1 (en) Remote plasma unit and substrate processing apparatus including remote plasma
US20220145455A1 (en) Reactor and related methods
US20240150898A1 (en) Chamber liner for substrate processing apparatus
US20230063286A1 (en) Baffle for a reactor system
CN116334576A (zh) 外延反应器系统及其使用方法
JP2023184486A (ja) 改良された排気構造を含む基板処理装置
JP2023001906A (ja) ガス混合物を反応チャンバに提供するための装置、およびその使用方法
JPS5917238A (ja) 多層連続気相成長装置
JPH0573047B2 (ko)
JPS63205911A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination