KR20210087057A - Evaporation source and vacuum processing equipment - Google Patents
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Abstract
[과제] 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색을 억제한다.
[해결수단] 증착원에 있어서, 증착 용기는, 저부와 상기 저부에 연설된 측벽부를 포함하는 용기 본체와, 상기 저부에 대향하고, 분출 노즐이 설치된 천판을 가지고, 상기 용기 본체와 상기 천판에 의해 둘러싸인 공간에 증착 재료가 수용된다. 제1 가열 기구는, 상기 측벽부에 대향한다. 제2 가열 기구는, 상기 천판 및 상기 분출 노즐의 각각의 측부에 대향하고, 상기 제1 가열 기구와는 상기 저부로부터 상기 천판을 향하는 방향으로 이간해 설치된다. 제1 리플렉터는, 상기 제1 가열 기구와 대향하고, 상기 측벽부의 반대측에 설치된다. 제2 리플렉터는, 상기 제2 가열 기구와 대향하고, 상기 측부의 반대측에 설치되어, 상기 제1 리플렉터와는 상기 방향으로 이간해 설치된다.[Problem] The blockage of the jet nozzle by the vapor deposition material is suppressed.
[Solution] An evaporation source, wherein the evaporation container has a container body including a bottom portion and a side wall portion extending to the bottom portion, and a top plate facing the bottom portion and provided with a jet nozzle, and is formed by the container body and the top plate A vapor deposition material is accommodated in the enclosed space. A 1st heating mechanism opposes the said side wall part. A 2nd heating mechanism is opposed to each side part of the said top plate and the said jet nozzle, and is provided spaced apart from the said 1st heating mechanism in the direction which goes to the said top plate from the said bottom part. A 1st reflector faces the said 1st heating mechanism, and is provided in the opposite side of the said side wall part. A 2nd reflector opposes a said 2nd heating mechanism, is provided on the opposite side of the said side part, and is provided spaced apart from the said 1st reflector in the said direction.
Description
본 발명은, 증착원 및 진공 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an evaporation source and a vacuum processing apparatus.
진공 처리 장치 중에, 예를 들면, 디스플레이용의 대형 기판에 유기 재료를 증착하는 장치가 있다. 이러한 장치에서는, 기판과 증착원을 대향시켜, 증착원으로부터 기판을 향해 증착 재료를 분출시켜, 기판에 증착 재료를 증착한다.Among the vacuum processing apparatuses, there is, for example, an apparatus for depositing organic materials on large substrates for displays. In such an apparatus, a vapor deposition material is vapor-deposited on a board|substrate by making a board|substrate and an evaporation source face, and ejecting a vapor deposition material toward a board|substrate from an evaporation source.
증착원은, 증착 재료를 수용하는 증착 용기(도가니)와, 증착 용기를 막는 천판(天板)과, 천판에 설치된 분출 노즐과, 증착 용기, 천판, 및 분출 노즐을 가열하는 가열 기구를 갖춘다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 증착 재료가 가열 기구에 의해 가열되면, 분출 노즐로부터 증착 재료가 기판을 향해서 분출된다.The vapor deposition source includes a vapor deposition vessel (crucible) for accommodating the vapor deposition material, a top plate for blocking the vapor deposition vessel, a jet nozzle provided on the top plate, and a heating mechanism for heating the deposition vessel, the top plate, and the jet nozzle ( For example, refer to patent document 1). When the vapor deposition material is heated by the heating mechanism, the vapor deposition material is ejected from the jet nozzle toward the substrate.
상기와 같은 진공 처리 장치를 이용한 생성량을 늘리는 방책의 하나로, 연속 가동 시간을 연장시키는 방법이 있다. 단, 증착 재료는, 기판 외에, 분출 노즐 주변의 부위에도 부착되어 버린다. 이 때문에, 연속 가동 시간이 길어지면, 주변 부위에 퇴적한 증착 재료에 의해 분출 노즐이 덮이고, 분출 노즐이 증착 재료로 폐색(閉塞)될 가능성이 있다.As one of the measures to increase the production amount using the vacuum processing apparatus as described above, there is a method of extending the continuous operation time. However, vapor deposition material will adhere not only to a board|substrate, but also to the site|part around a jet nozzle. For this reason, when continuous operation time becomes long, the jet nozzle may be covered with the vapor deposition material deposited on the peripheral part, and the ejection nozzle may be clogged with the vapor deposition material.
이러한 분출 노즐의 폐색을 막기 위해, 분출 노즐의 길이를 길게 하는 방법도 있다. 그러나, 분출 노즐의 길이가 길어지면, 이번에는 분출 노즐의 선단부가 식기 쉬워지고, 분출 노즐 내에서 증착 재료가 포착되어, 결국, 분출 노즐 내에서 증착 재료가 막히는 등의 현상이 일어난다.In order to prevent blockage of such a jet nozzle, there is also a method of increasing the length of the jet nozzle. However, when the length of the jet nozzle becomes longer, this time the tip of the jet nozzle becomes cold easily, the vapor deposition material is captured in the jet nozzle, and eventually, the phenomenon such as clogging of the vapor deposition material in the jet nozzle occurs.
이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명의 목적은, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색을 억제해, 생산성이 높은 증착원 및 진공 처리 장치를 제공하는 것에 있다.In view of the above circumstances, an object of the present invention is to suppress clogging of a jet nozzle by a vapor deposition material, and to provide a vapor deposition source and a vacuum processing apparatus with high productivity.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 증착원은, 증착 용기와, 제1 가열 기구와, 제2 가열 기구와, 제1 리플렉터와, 제2 리플렉터를 구비한다.In order to achieve the above object, an evaporation source according to one embodiment of the present invention includes a vapor deposition container, a first heating mechanism, a second heating mechanism, a first reflector, and a second reflector.
상기 증착 용기는, 저부(底部)와, 상기 저부에 연설(連設)된 측벽부를 포함하는 용기 본체와, 상기 저부에 대향하고, 분출 노즐이 설치된 천판을 가지고, 상기 용기 본체와 상기 천판에 의해 둘러싸인 공간에 증착 재료가 수용된다.The vapor deposition container has a container body including a bottom, a side wall extending to the bottom, and a top plate facing the bottom and provided with a jet nozzle, and is formed by the container body and the top plate. A vapor deposition material is accommodated in the enclosed space.
상기 제1 가열 기구는, 상기 측벽부에 대향한다.The said 1st heating mechanism opposes the said side wall part.
상기 제2 가열 기구는, 상기 천판 및 상기 분출 노즐의 각각의 측부에 대향하고, 상기 제1 가열 기구와는 상기 저부로부터 상기 천판을 향하는 방향으로 이간해 설치된다.The said 2nd heating mechanism is opposed to each side part of the said top plate and the said jet nozzle, and is provided spaced apart from the said 1st heating mechanism in the direction which goes to the said top plate from the said bottom part.
상기 제1 리플렉터는, 상기 제1 가열 기구와 대향하고, 상기 측벽부의 반대측에 설치된다.The said 1st reflector is opposite to the said 1st heating mechanism, and is provided in the opposite side of the said side wall part.
상기 제2 리플렉터는, 상기 제2 가열 기구와 대향하고, 상기 측부의 반대측에 설치되어, 상기 제1 리플렉터와는 상기 방향으로 이간해 설치된다.The second reflector faces the second heating mechanism, is provided on the opposite side of the side portion, and is provided to be spaced apart from the first reflector in the above direction.
이러한 증착원에 의하면, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색이 억제되어, 증착원을 이용한 진공 처리의 생산성이 향상된다.According to such an evaporation source, clogging of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed, and productivity of the vacuum process using an evaporation source improves.
상기의 증착원에서는, 상기 측벽부 및 상기 측부를 둘러싸는 냉각 기구를 더 구비하고, 상기 제1 리플렉터 및 상기 제1 가열 기구가 상기 냉각 기구와 상기 측벽부와의 사이에 위치하고, 상기 제2 리플렉터 및 상기 제2 가열 기구가 상기 냉각 기구와 상기 측부와의 사이에 위치해도 무방하다.The evaporation source further includes a cooling mechanism surrounding the side wall portion and the side portion, wherein the first reflector and the first heating mechanism are located between the cooling mechanism and the side wall portion, and the second reflector and the second heating mechanism may be located between the cooling mechanism and the side portion.
이러한 증착원에 의하면, 증착 용기를 둘러싸는 냉각 기구가 설치되어 있기 때문에, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색이 보다 확실히 억제되고, 증착원을 이용한 진공 처리의 생산성이 향상된다.According to such an evaporation source, since the cooling mechanism which surrounds a vapor deposition container is provided, clogging of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed more reliably, and productivity of the vacuum process using the vapor deposition source improves.
상기의 증착원에서는, 상기 증착 용기의 내부에서, 상기 저부와 상기 천판과의 사이에 차열판(遮熱板)을 설치하고, 상기 용기 본체와 상기 차열판에 의해 둘러싸인 공간에 상기 증착 재료가 수용되고, 상기 차열판의 일부가 상기 측벽부에 접해도 무방하다.In the vapor deposition source, a heat shield plate is provided between the bottom and the top plate in the vapor deposition vessel, and the vapor deposition material is accommodated in a space surrounded by the container body and the heat shield plate. and a portion of the heat shield plate may be in contact with the side wall portion.
이러한 증착원에 의하면, 용기 본체에 접하는 차열판이 증착 용기 내에 설치되어 있기 때문에, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색이 보다 확실히 억제되고, 증착원을 이용한 진공 처리의 생산성이 향상된다.According to such an evaporation source, since the heat shield plate in contact with the container body is provided in the vapor deposition container, clogging of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed more reliably, and the productivity of the vacuum process using an evaporation source improves.
상기의 증착원에서는, 상기 제1 리플렉터와 상기 제2 리플렉터가 이간한 공간 영역에 대향하는 상기 용기 본체의 표면의 열(熱) 복사율은, 상기 표면 이외의 상기 용기 본체의 표면의 열 복사율 보다 높아도 무방하다.In the above evaporation source, the thermal radiation coefficient of the surface of the container body opposite to the spatial region separated by the first reflector and the second reflector is higher than the thermal radiation coefficient of the surface of the container body other than the surface. free of charge
이러한 증착원에 의하면, 용기 본체의 일부 표면의 열 복사율이 상대적으로 높게 구성되어 있기 때문에, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색이 보다 확실히 억제되고, 증착원을 이용한 진공 처리의 생산성이 향상된다.According to such an evaporation source, since the thermal emissivity of the partial surface of a container body is comprised relatively high, clogging of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed more reliably, and the productivity of vacuum processing using an evaporation source improves.
상기의 증착원에서는, 상기 공간 영역에 대향하는 상기 용기 본체의 상기 표면은, 블라스트(blast) 처리면이어도 무방하다.In the above evaporation source, the surface of the container body facing the spatial region may be a blast-treated surface.
이러한 증착원에 의하면, 용기 본체의 일부 표면이 블라스트 처리면이기 때문에, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색이 보다 확실히 억제되고, 증착원을 이용한 진공 처리의 생산성이 향상된다.According to such an evaporation source, since the partial surface of a container main body is a blast process surface, clogging of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed more reliably, and productivity of the vacuum process using an evaporation source improves.
상기의 증착원에서는, 상기 용기 본체의 깊이(d)에 대한, 상기 저부로부터의 상기 제1 가열 기구의 높이(h)는, 상기 깊이(d)의 3분의 2 이하여도 무방하다.In the above evaporation source, the height h of the first heating mechanism from the bottom with respect to the depth d of the container body may be two-thirds or less of the depth d.
이러한 증착원에 의하면, 상부 가열 기구와 하부 가열 기구가 상기 거리로 떨어져 있기 때문에, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색이 보다 확실히 억제되고, 증착원을 이용한 진공 처리의 생산성이 향상된다.According to such an evaporation source, since an upper heating mechanism and a lower heating mechanism are separated by the said distance, clogging of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed more reliably, and productivity of the vacuum processing using an evaporation source improves.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 진공 처리 장치는, 진공 용기와, 상기 증착원과, 상기 진공 용기 내에서, 상기 증착원에 대향하는 기판 홀딩 기구를 구비한다.In order to achieve the above object, a vacuum processing apparatus according to one embodiment of the present invention includes a vacuum container, the evaporation source, and a substrate holding mechanism facing the evaporation source in the vacuum container.
이러한 진공 처리 장치에 의하면, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색이 억제되어, 증착원을 이용한 진공 처리의 생산성이 향상된다.According to such a vacuum processing apparatus, clogging of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed, and productivity of the vacuum processing using an evaporation source improves.
이상 언급한 것처럼, 본 발명에 의하면, 증착 재료에 의한 분출 노즐의 폐색을 억제해, 생산성이 높은 증착원 및 진공 처리 장치가 제공된다.As mentioned above, according to this invention, blockage of the jet nozzle by a vapor deposition material is suppressed, and the vapor deposition source and vacuum processing apparatus with high productivity are provided.
[도 1] 본 실시 형태의 증착원의 모식적 단면도이다.
[도 2] 본 실시 형태의 증착원의 모식적 상면도이다.
[도 3] 본 실시 형태의 진공 처리 장치를 나타내는 모식적 단면도이다.
[도 4] 증착원의 작용을 설명하는 모식적 단면도이다.
[도 5] 본 실시 형태의 변형 예 1에 따른 모식적 단면도이다.
[도 6] 본 실시 형태의 변형 예 2에 따른 모식적 단면도이다.
[도 7] 본 실시 형태의 변형 예 3에 따른 모식적 단면도이다.
[도 8] 본 실시 형태의 변형 예 4에 따른 모식적 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing of the vapor deposition source of this embodiment.
Fig. 2 is a schematic top view of an evaporation source according to the present embodiment.
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing the vacuum processing apparatus of the present embodiment.
Fig. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the action of an evaporation source.
5 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 1 of the present embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 2 of the present embodiment.
7 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 3 of the present embodiment.
Fig. 8 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 4 of the present embodiment.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 각 도면에는, XYZ축 좌표가 도입되는 경우가 있다. 또, 동일 부재 또는 동일 기능을 가지는 부재에는 동일한 부호를 붙이는 경우가 있고, 그 부재를 설명한 후에는 적당히 설명을 생략하는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings. In each figure, XYZ axis coordinates may be introduced. Moreover, the same code|symbol may be attached|subjected to the same member or the member which has the same function, and after demonstrating the member, description may be abbreviate|omitted suitably.
도 1은, 본 실시 형태의 증착원의 모식적 단면도이다. 도 2는, 본 실시 형태의 증착원의 모식적 상면도이다. 도 1에는, 도 2의 A1-A1선 단면이 나타나 있다. 도 2에서는, 상방으로부터 증착원(30A)을 본 경우, 증착원(30A)에 포함되는 증착 용기(31)를 나타내기 위해 단열판(斷熱板)(60)이 생략되어 있다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing of the vapor deposition source of this embodiment. 2 is a schematic top view of an evaporation source according to the present embodiment. Fig. 1 shows a cross section taken along line A1-A1 in Fig. 2 . In FIG. 2, when 30 A of vapor deposition sources are seen from upper direction, in order to show the
도 1에 나타낸 증착원(30A)은, 진공 처리 장치(1)(도 3)의 성막원으로서 이용된다. 증착원(30A)은, 증착 용기(도가니)(31)와, 하부 가열 기구(제1 가열 기구)(331)와, 상부 가열 기구(제2 가열 기구)(332)와, 하부 리플렉터(제1 리플렉터)(341)와, 상부 리플렉터(제2 리플렉터)(342)와, 단열판(60)을 구비한다. 하부 가열 기구(331)와 상부 가열 기구(332)는, 제어 장치(80)(도 3)에 의해 제어된다.The
증착 용기(31)는, 1축방향(도면에서는, X축 방향)을 길이 방향으로 하여 연재(延在)한다. 증착 용기(31)를 Z축 방향으로부터 상면시(上面視) 했을 경우, 그 외형은, 예를 들면, 장방형(長方形)이다. 증착 용기(31)는, 용기 본체(311)와, 천판(312)을 가진다.The
용기 본체(311)는, 저부(31b)와, 저부(31b)에 연설된 측벽부(31w)를 포함한다. 천판(312)은, 저부(31b)에 대향한다. 천판(312)은, 측벽부(31w) 상에 재치된다. 천판(312)은, 끼워넣기(嵌入)에 의해 측벽부(31w)에 고정되어도 무방하고, 고정 치구(治具)에 의해 측벽부(31w)에 고정되어도 무방하다. 또, 천판(312)과 측벽부(31w)와의 사이에는, 씰부재가 배치되어도 무방하다. 용기 본체(311)와 천판(312)에 의해 둘러싸인 공간(315)에는, 증착 재료(30m)가 수용된다. 증착 재료(30m)는, 예를 들면, 유기 재료, 금속 등이다. 천판(312)에는, 복수의 분출 노즐(32)이 설치되어 있다.The
복수의 분출 노즐(32)의 각각은, 소정의 간격을 두고, 증착 용기(31)의 길이 방향(X축 방향)으로 열상(列狀)으로 나열되어 있다. 복수의 분출 노즐(32)의 각각은, 증착 용기(31)의 공간(315)에 연통(連通)한다. 분출구(320)로부터는, 증착 용기(31)에 충전된 증착 재료(30m)가 분출한다. 예를 들면, 증착 재료(30m)가 하부 가열 기구(331)에 의해 데워지면, 증착 재료(30m)의 증기가 증착 재료(30m)의 증착면(30s)(공간(315)과 증착 재료(30m)와의 계면)으로부터 분출 노즐(32)을 향해 서서히 증착한다.Each of the plurality of
분출 노즐(32)의 분출구(320)는, 기판(90)(도 3)에 대향한다. 단, 복수의 분출 노즐(32)에서는, X축 방향에서의 막두께(膜厚) 분포를 보다 균일하게 하기 위해, 열(列)의 양측 근방에 배치된 분출 노즐(32)이 기판(90)을 등지도록 경사져 있다. 예를 들면, 복수의 분출 노즐(32)의 양측 및 양측 근방에 배치된 분출 노즐(32)의 중심축(32c)은, 천판(312)의 법선과 교차하고 있다.The
하부 가열 기구(331)는, 측벽부(31w)의 하부에 대향한다. Z축 방향으로부터 증착원(30A)을 본 경우, 하부 가열 기구(331)는, 용기 본체(311)를 둘러싼다. 하부 가열 기구(331)는, 유도 가열 방식 또는 저항 가열 방식의 가열 기구이다.The
상부 가열 기구(332)는, 천판(312)의 측부(312w)와, 단열판(60)에서 아래 부분의 분출 노즐(32)의 측부(32w)에 대향한다. 상부 가열 기구(332)는, 증착 재료(30m)의 증착면(30s)의 직상(直上)에는 설치되어 있지 않다. 상부 가열 기구(332)는, 유도 가열 방식 또는 저항 가열 방식의 가열 기구이다.The
저부(31b)로부터 천판(312)을 향하는 방향을 Z축 방향으로 했을 때, 상부 가열 기구(332)는, 하부 가열 기구(331)와는 Z축 방향으로 이간해 설치된다. Z축 방향으로부터 증착원(30A)을 본 경우, 상부 가열 기구(332)는, 천판(312) 및 분출 노즐(32)을 둘러싼다. 상부 가열 기구(332)의 하단은, 예를 들면, 천판(312)의 하면(또는, 용기 본체(311)의 상단)에 위치한다.When the direction from the bottom 31b to the
상부 가열 기구(332)는, 제어 장치(80)에 의해 하부 가열 기구(331)와는 독립적으로 제어된다. 예를 들면, 상부 가열 기구(332)는, 천판(312) 및 분출 노즐(32)을 우선적으로 가열하고, 하부 가열 기구(331)는, 용기 본체(311)를 통해 증착 재료(30m)를 우선적으로 가열한다.The
하부 리플렉터(341)는, 하부 가열 기구(331)와 대향한다. 하부 리플렉터(341)는, 측벽부(31w)의 반대측에 설치된다. 하부 가열 기구(331)는, 하부 리플렉터(341)와 측벽부(31w)와의 사이에 설치된다. Z축 방향으로부터 증착원(30A)을 본 경우, 하부 리플렉터(341)는, 용기 본체(311)를 둘러싼다. 하부 리플렉터(341)는, 적어도 1겹의 판재(板材)로 구성된다. 하부 가열 기구(331)에 나열된 하부 리플렉터(341)는, 하부 가열 기구(331)를 지지하는 지지 기구를 가져도 무방하다. 이 경우, 하부 가열 기구(331)에 포함된다. 예를 들면, 히터선은, 하부 리플렉터(341)에 고정 지지된다.The
상부 리플렉터(342)는, 상부 가열 기구(332)와 대향한다. 상부 리플렉터(342)는, 천판(312)의 측부(312w)의 반대측에 설치된다. 상부 리플렉터(342)는, 하부 리플렉터(341)와는 Z축 방향으로 이간해 설치된다. 상부 가열 기구(332)는, 상부 리플렉터(342)와 천판(312)과의 사이에 설치된다. Z축 방향으로부터 증착원(30A)을 본 경우, 상부 리플렉터(342)는, 천판(312)을 둘러싼다. 상부 리플렉터(342)는, 적어도 1겹의 판재로 구성된다. 상부 가열 기구(332)에 나열된 상부 리플렉터(342)는, 상부 가열 기구(332)를 지지하는 지지 기구를 가져도 무방하다. 이 경우, 상부 가열 기구(332)에 포함된다. 예를 들면, 히터선은, 상부 리플렉터(342)에 고정 지지된다.The
증착원(30A)에서는, 용기 본체(311)의 깊이(d)에 대한, 저부(31b)로부터의 하부 가열 기구(331)의 높이(h)가 3분의 2 이하로 설정되어 있다. 또, 본 실시 형태에서는, 하부 가열 기구(331)와 상부 가열 기구(332)가 이간한 공간 영역(A')에 대향하는 용기 본체(311)의 영역을, 영역A로 한다. 증착 개시 직후에는, 증착 재료(30m)의 증착면(30s)의 높이는, 영역A에 위치한다. 도 1에서는, 증착 재료(30m)의 증착이 어느 정도 진행한 상태가 나타나 있다.In the
단열판(60)은, 상부 가열 기구(332)를 덮는다. 복수의 분출 노즐(32)의 각각은, 단열판(60)에 의해 차단되지 않도록, 예를 들면, 단열판(60)을 관통한다. 단열판(60)은, 적어도 1겹의 판재로 구성된다.The
용기 본체(311), 천판(312), 및 분출 노즐(32)은, 티타늄, 몰리브덴, 탄탈, 스테인리스강 등의 금속이다. 하부 리플렉터(341), 상부 리플렉터(342)의 재료는, 예를 들면, 스테인리스강, 구리, 알루미늄 등의 금속이다.The
도 3은, 본 실시 형태의 진공 처리 장치를 나타내는 모식적 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing the vacuum processing apparatus of the present embodiment.
진공 처리 장치(1)는, 진공 용기(10)와, 기판 지지 기구(20)와, 증착원(30A)과, 단열판(60)과, 제어 장치(80)를 구비한다. 진공 처리 장치(1)는, 증착 재료(30m)를 기판(90)에 증착하는 증착 장치이다.The
진공 용기(10)는, 감압 상태를 유지하는 용기이다. 진공 용기(10)는, 배기 기구(70)에 의해서, 내부의 기체가 배기된다. 진공 용기(10)를 기판 지지 기구(20)로부터 증착원(30A)을 향하는 방향(이하, Z축 방향)으로 상면시 했을 때의 평면 형상은, 예를 들면, 구형상(矩形狀)이다.The
진공 용기(10)는, 기판 지지 기구(20), 증착원(30A), 단열판(60) 등을 수용한다. 진공 용기(10)에는, 가스를 공급하는 것이 가능한 가스 공급 기구가 장착되어도 무방하다. 또, 진공 용기(10)에는, 그 내부의 압력을 계측하는 압력계가 장착되어도 무방하다. 또, 진공 용기(10)에는, 기판(90)에 형성된 막의 증착 속도 등을 간접적으로 계측하는 막후계(膜厚計)가 설치되어도 무방하다.The
기판 지지 기구(20)는, 진공 용기(10)의 상부에 위치한다. 기판 지지 기구(20)는, Z축 방향에 있어서 증착원(30A)에 대향한다. 기판 지지 기구(20)는, 기판(90)을 홀딩(保持)하는 기판 홀더(91)를 지지하면서, 기판(90) 및 기판 홀더(91)를 Y축 방향으로 반송한다. 즉, 기판(90)이 반송되면서, 기판(90)에 증착 재료(30m)가 증착된다.The
기판(90)은, 예를 들면, 구형상(矩形狀)의 대형 유리 기판이다. 또, 기판(90)과 증착원(30A)과의 사이에는, 마스크 부재(92)가 설치되어도 무방하다. 또, 기판(90)의 마스크 부재(92)와는 반대측(기판(90)의 이면측)에는, 기판(90)의 온도를 조절하는 가열 기구가 설치되어도 무방하다.The
증착원(30A)은, 진공 용기(10)의 하부에 위치한다. 증착원(30A)은, Z축 방향에 있어서 기판(90)에 대향한다. 증착원(30A)은, 예를 들면, 도시하지 않은 지지대에 고정되어 있다. 증착원(30A)은, 기판(90)이 반송되는 방향과 직교하는 방향(X축 방향)으로 연재한다. 증착원(30A)은, 1개로 한정되지 않고, 예를 들면, Y축 방향으로 복수로 병설(竝設)되어도 무방하다. 이 경우, 복수의 증착 용기(31)의 각각은, 서로 평행하게 Y축 방향으로 나열되게 된다. 복수의 증착 용기(31)의 각각에는, 종류가 다른 증착 재료(30m)를 충전할 수 있다.The
증착원(30A)과 기판(90)과의 상대 거리를 바꾸는 반송 기구는, 증착원(30A)측에 설치되어도 무방하다. 예를 들면, 고정된 기판(90)에 대해 증착원(30A) 및 증착원(30A)을 반송하는 반송 기구가 이동함으로써, 증착원(30A)과 기판(90)과의 상대 거리를 바꿀 수 있다.A conveyance mechanism for changing the relative distance between the
증착원(30A)의 작용에 대해서 설명한다. 도 4는, 증착원의 작용을 설명하는 모식적 단면도이다.The operation of the
증착 용기(31)에 수용된 증착 재료(30m)가 하부 가열 기구(331)에 의해 가열되면, 증착 재료(30m)가 증착해, 증착 재료(30m)의 증기압이 증가한다. 여기서, 증착 용기(31) 내의 증착 재료(30m)는, 고체물에서 승화해도 무방하고, 액체로 일단 용융해, 액체를 통해서 증착해도 무방하다. 이에 따라, 복수의 분출 노즐(32)의 각각으로부터 증착 재료(30m)가 증기류가 되서 분출한다. 도 4에서는, 증착 재료(30m)가 하부 가열 기구(331)로부터 수용하는 열의 흐름이 모식적으로 화살표(h1)로 나타나 있다.When the
게다가, 증착 재료(30m)의 증기가 천판(312) 및 분출 노즐(32)의 각각의 내벽(內壁)에 입사했다고 해도, 천판(312) 및 분출 노즐(32)은, 상부 가열 기구(332)에 의해 가열되고 있다. 이에 따라, 각각의 내벽에서는, 증착 재료(30m)의 이탈이 일어난다. 도 4에서는, 천판(312) 및 분출 노즐(32)이 상부 가열 기구(332)로부터 수용하는 열의 흐름이 모식적으로 화살표(h2)로 나타나 있다. 그 결과, 천판(312) 및 분출 노즐(32)의 각각의 내벽에는, 증착 재료(30m)가 퇴적하기 어려워진다.In addition, even if the vapor of the
따라서, 증착면(30s)으로부터 증착한 증착 재료(30m)는, 증착 용기(31) 내부 및 분출 노즐(32) 내부에서 포착되지 않고, 공간(315), 분출 노즐(32)을 경유하여, 기판(90)을 향해 증착해 간다.Therefore, the
한편, 상부 가열 기구(332)에 의해 천판(312)이 받은 열의 일부는, 용기 본체(311)의 측벽부(31w)를 지나서 저부(31b)를 향해 전도한다. 도 4에서는, 그 열의 일부 흐름이 모식적으로 화살표(h3)로 나타나 있다.On the other hand, a part of the heat received by the
그러나, 화살표(h3)로 나타낸 열은, 용기 본체(311)의 A영역이 가열 기구(하부 가열 기구(331), 상부 가열 기구(332)) 및 리플렉터(하부 리플렉터(341), 상부 리플렉터(342))로부터 개방되어 있기 때문에, 영역A를 지나서 진공 용기(10) 내부로 방출되어 간다. 이에 따라, 증착 재료(30m)는, 상부 가열 기구(332)의 영향을 받기 어렵고, 하부 가열 기구(331)에 의해 우선적으로 가열된다.However, in the column indicated by arrow h3, region A of the
만일, A영역과 같은 열 방출 영역이 없이, 증착 재료(30m)가 상부 가열 기구(332)의 영향을 받게 되면, 증착 재료(30m)는, 하부 가열 기구(331) 외에, 상부 가열 기구(332)에 의해서도 데워지게 된다. 이에 따라, 증착면(30s)으로부터 증착하는 증착 재료(30m)의 증착량이 과잉이 되고, 천판(312) 및 분출 노즐(32)의 각각의 내벽으로부터 증착 재료(30m)가 이탈하는 양 보다, 천판(312) 및 분출 노즐(32)의 각각의 내벽에 증착 재료(30m)가 입사하는 양이 증가해 버린다. 그 결과, 천판(312) 및 분출 노즐(32)의 각각의 내벽에서는, 증착 재료(30m)가 퇴적하여, 예를 들면, 분출 노즐(32)에서의 증착 재료(30m)의 막힘(目詰, clogging)이 일어날 수 있다.If there is no heat dissipating region such as the A region, and the
본 실시 형태에서는, 상하의 가열 기구의 기능을 나눠서, 하부 가열 기구(331)는, 우선적으로 증착 재료(30m)를 가열하고, 상부 가열 기구(332)는, 천판(312) 및 분출 노즐(32)을 우선적으로 가열한다. 바꿔 말하면, 하부 가열 기구(331)에 의해 가열되는 부분과, 상부 가열 기구(332)에 의해 가열되는 부분에 온도차가 생기고 있다.In the present embodiment, the functions of the upper and lower heating mechanisms are divided, the
이에 따라, 천판(312) 및 분출 노즐(32)의 내벽에 증착 재료(30m)가 입사하는 빈도 보다, 천판(312) 및 분출 노즐(32)의 각각의 내벽으로부터 증착 재료(30m)가 이탈하는 빈도가 높은 상태가 상시 유지되어, 분출 노즐(32)에서의 증착 재료(30m)의 막힘이 일어나기 어려워진다.Accordingly, the
또, 증착원(30A)에서는, 상부 가열 기구(332)가 Z축 방향에 있어서 천판(312)에 대향하고 있지 않다. 이에 따라, 증착원(30A)의 메인터넌스 시에, 상부 가열 기구(332)가 천판(312)을 용기 본체(311)로부터 분리하는 작업의 방해가 되지 않아, 간편하게 천판(312)을 용기 본체(311)로부터 분리할 수 있다. 또, 하부 가열 기구(331)도 Z축 방향에 따라 설치되어 있기 때문에, 증착 용기(31)의 전체를 상방으로 끌어올릴 때도, 하부 가열 기구(331) 및 상부 가열 기구(332)가 상기 작업의 장해는 되지 않는다.In addition, in the
또, 상부 가열 기구(332)가 Z축 방향에 따라 설치되어 있으므로, 기판(90)이 상부 가열 기구(332)로부터 받는 열량은 낮고, 상부 가열 기구(332)에 의한 기판(90)의 온도 상승은 억제된다.Moreover, since the
(변형 예 1)(Variation example 1)
도 5는, 본 실시 형태의 변형 예 1에 따른 모식적 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 1 of the present embodiment.
증착원(30B)은, 냉각 기구(40)를 더 구비한다. Z축 방향으로부터 증착원(30B)을 보았을 때, 냉각 기구(40)는, 증착 용기(31)를 둘러싼다. 예를 들면, 냉각 기구(40)는, 용기 본체(311)의 측벽부(31w) 및 천판(312)의 측부(312w)를 둘러싼다. 냉각 기구(40)는, 내부에 수로(水路)가 매설된 판 부재, 또는, 표면에 수로가 고정된 판 부재로 구성되어 있다.The
하부 리플렉터(341) 및 하부 가열 기구(331)는, 냉각 기구(40)와 측벽부(31w)와의 사이에 위치한다. 상부 리플렉터(342) 및 상부 가열 기구(332)는, 냉각 기구(40)와 측부(312w)와의 사이에 위치한다. 영역A는, 냉각 기구(40)에 대향한다.The
이에 따라, 화살표(h3)로 나타낸 열(도 4)은, 냉각 기구(40)에 의해 흡수 되기 쉬워지고, 화살표(h3)로 나타낸 열은, 영역A를 지나서 측벽부(31w) 외부에 더 효율적으로 방출된다. 이에 따라, 천판(312) 및 분출 노즐(32)은, 상부 가열 기구(332)에 의해서 보다 효율적으로 가열되고, 증착 재료(30m)는, 하부 가열 기구(331)에 의해서 보다 효율적으로 가열되게 된다.Accordingly, the heat indicated by the arrow h3 ( FIG. 4 ) is easily absorbed by the
(변형 예 2)(Variation example 2)
도 6은, 본 실시 형태의 변형 예 2에 따른 모식적 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 2 of the present embodiment.
증착원(30C)에서는, 증착 용기(31)의 내부에 차열판(50)이 설치되어 있다. 차열판(50)은, 저부(31b)와 천판(312)과의 사이에 설치된다. 증착 재료(30m)는, 용기 본체(311)와 차열판(50)에 의해 둘러싸인 공간(315)에 수용된다. 차열판(50)의 일부는, 측벽부(31w)에 접하고 있다. 측벽부(31w)에는, 차열판(50)을 계지(係止)하는 계지부(313)가 설치되어 있다.In the
차열판(50)은, 평판부(501)와, 평판부(501)에 연설된 한 쌍의 절곡부(折曲部)(502)를 가진다. 절곡부(502)는, 평판부(501)에 대해서 교차하고, 예를 들면, 대략 직교한다. 절곡부(502)는, 측벽부(31w)의 A영역에 대향하고, 측벽부(31w)의 A영역에 접하고 있다. 또, 평판부(501)에는, Y축 방향으로 병설(竝設)된 복수의 구멍부(510)가 설치되어 있다. 구멍부(510)는, Y축 방향으로 한정되지는 않으며, X축 방향으로 병설되어도 무방하다. 증착면(30s)으로부터 증착한 증착 재료(30m)는, 구멍부(510)를 통과해, 분출 노즐(32)에까지 진행된다.The
차열판(50)의 배치에 의해, 천판(312)에 비축된 여열(余熱)이 천판(312)으로부터 증착 재료(30m)를 향해 방사되었다고 해도, 이 방사열은, 차열판(50)에 의해 차단된다. 그리고, 방사열은, 차열판(50)의 절곡부(502)가 측벽부(31w)의 A영역에 접하고 있으므로, 차열판(50)에는 머물기 어렵게 되고, 절곡부(502) 및 측벽부(31w)를 통해 측벽부(31w) 외부에 방출된다.Even if the residual heat stored in the
이와 같이, 증착원(30C)에서는, 화살표(h3)로 나타낸 열(도 4)이 영역A를 지나서 측벽부(31w) 외부에 방출되는 것 외에, 천판(312)에 비축된 여열이 차열판(50)에 의해 차단된다. 그리고, 이 여열은, 절곡부(502) 및 측벽부(31w)를 통해 측벽부(31w) 외부에 방출된다. 이에 따라, 천판(312) 및 분출 노즐(32)은, 상부 가열 기구(332)에 의해서 보다 효율적으로 가열되고, 증착 재료(30m)는, 하부 가열 기구(331)에 의해서 보다 효율적으로 가열되게 된다.In this way, in the
(변형 예 3)(Variation example 3)
도 7은, 본 실시 형태의 변형 예 3에 따른 모식적 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 3 of the present embodiment.
증착원(30D)에서는, 영역A에서의 용기 본체(311)의 표면(314)의 열 복사율이 표면(314) 이외의 용기 본체(311)의 표면의 열 복사율 보다 상대적으로 높게 구성되어 있다. 예를 들면, 표면(314)은, 표면(314) 이외의 표면 거칠기 보다 성긴 표면 거칠기를 가지고, 예를 들면, 선택적으로 세라믹 비드블라스트(bead blast)로 처리된 블라스트 처리면이다. 예를 들면, 표면(314)의 열 복사율은, 0.3 이상인데 비해, 표면(314) 이외의 표면의 열 복사율은, 0.2 이하로 설정되어 있다.In the
이러한 구성이면, 화살표(h3)로 나타낸 열(도 4)은, 표면(311)을 지나서 측벽부(31w) 외부에 더 효율적으로 방출되기 때문에, 천판(312) 및 분출 노즐(32)은, 상부 가열 기구(332)에 의해서 보다 효율적으로 가열되고, 증착 재료(30m)는, 하부 가열 기구(331)에 의해서 보다 효율적으로 가열되게 된다.With this configuration, since the heat (FIG. 4) indicated by the arrow h3 is more efficiently discharged to the outside of the
(변형 예 4)(Variation example 4)
도 8은, 본 실시 형태의 변형 예 4에 따른 모식적 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view according to Modification Example 4 of the present embodiment.
증착원(30E)에서는, 영역A에서의 용기 본체(311)에 복수의 핀(35)이 설치되어 있다.In the
이러한 구성이면, 화살표(h3)로 나타낸 열(도 4)은, 복수의 핀(35)을 지나서 측벽부(31w) 외부에 더 효율적으로 방출되기 때문에, 천판(312) 및 분출 노즐(32)은, 상부 가열 기구(332)에 의해서 보다 효율적으로 가열되고, 증착 재료(30m)는, 하부 가열 기구(331)에 의해서 보다 효율적으로 가열되게 된다.With this configuration, since the heat (FIG. 4) indicated by the arrow h3 is more efficiently discharged to the outside of the
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술의 실시 형태로만 한정되는 것은 아니고 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다. 예를 들면, 증착원(30B, 30C, 30D, 30E)의 적어도 2개는 복합(複合)할 수 있다. 각 실시 형태는, 독립된 형태로 한정되지 않고, 기술적으로 가능한 한 복합할 수 있다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, It goes without saying that various changes can be added. For example, at least two of the
또, 본 명세서에서의 「대향한다」는, 어떤 부재가 다른 부재에 직접 마주보고 있는 경우 외에, 어떤 부재가 제3 부재를 통해서 다른 부재에 마주보고 있는 경우도 포함한다. 후자의 경우, 제3 부재의 적어도 일부는, 어떤 부재와 다른 부재와의 사이에 위치한다.In addition, "opposing" in this specification includes the case where a certain member faces another member through a 3rd member other than the case where a certain member directly faces another member. In the latter case, at least a part of the third member is positioned between a certain member and another member.
1 … 진공 처리 장치
10 … 진공 용기
20 … 기판 지지 기구
30A, 30B, 30C, 30D, 30E … 증착원
30m … 증착 재료
30s … 증착면
31 … 증착 용기
31b … 저부
31w … 측벽부
32 … 분출 노즐
32c … 중심축
32w … 측부
35 … 핀
40 … 냉각 기구
50 … 차열판
60 … 단열판
70 … 배기 기구
80 … 제어 장치
90 … 기판
91 … 기판 홀더
92 … 마스크 부재
311 … 용기 본체
312 … 천판
312w … 측부
313 … 계지부
314 … 표면
315 … 공간
320 … 분출구
331 … 하부 가열 기구
332 … 상부 가열 기구
341 … 하부 리플렉터
342 … 상부 리플렉터
501 … 평판부
502 … 절곡부
510 … 구멍부One … vacuum processing unit
10 … vacuum vessel
20 … substrate support mechanism
30A, 30B, 30C, 30D, 30E… vapor source
30m … vapor deposition material
30s … deposition surface
31 … deposition vessel
31b … bottom
31w … side wall
32 … jet nozzle
32c … central axis
32w … side
35 … pin
40 … cooling mechanism
50 … heat shield
60 … insulation board
70 … exhaust mechanism
80 … controller
90 … Board
91 … substrate holder
92 … no mask
311 … container body
312 … top plate
312w … side
313 … stepfather
314 … surface
315 … space
320 … vent
331 … lower heating device
332 … upper heating device
341 … lower reflector
342 … upper reflector
501 … flat panel
502 … bend
510 … hole
Claims (7)
상기 측벽부에 대향하는 제1 가열 기구와,
상기 천판 및 상기 분출 노즐의 각각의 측부에 대향하고, 상기 제1 가열 기구와는 상기 저부로부터 상기 천판을 향하는 방향으로 이간해 설치된 제2 가열 기구와,
상기 제1 가열 기구와 대향하고, 상기 측벽부의 반대측에 설치된 제1 리플렉터와,
상기 제2 가열 기구와 대향하고, 상기 측부의 반대측에 설치되어, 상기 제1 리플렉터와는 상기 방향으로 이간해 설치된 제2 리플렉터
를 구비하는 증착원.A vapor deposition container having a container body including a bottom and a side wall extending to the bottom, and a top plate facing the bottom and provided with a jet nozzle, wherein a deposition material is accommodated in a space surrounded by the container body and the top plate;
a first heating mechanism facing the side wall portion;
a second heating mechanism opposed to each side of the top plate and the jet nozzle and provided to be spaced apart from the first heating mechanism in a direction from the bottom to the top plate;
a first reflector facing the first heating mechanism and provided on an opposite side of the side wall portion;
A second reflector opposite to the second heating mechanism, provided on the opposite side of the side portion, and spaced apart from the first reflector in the above direction
A vapor deposition source comprising a.
상기 측벽부 및 상기 측부를 둘러싸는 냉각 기구
를 더 구비하고,
상기 제1 리플렉터 및 상기 제1 가열 기구가, 상기 냉각 기구와 상기 측벽부와의 사이에 위치하고,
상기 제2 리플렉터 및 상기 제2 가열 기구가, 상기 냉각 기구와 상기 측부와의 사이에 위치하는
증착원.According to claim 1,
The side wall portion and a cooling mechanism surrounding the side portion
provide more,
the first reflector and the first heating mechanism are positioned between the cooling mechanism and the side wall portion;
The second reflector and the second heating mechanism are positioned between the cooling mechanism and the side portion.
vapor source.
상기 증착 용기의 내부에서, 상기 저부와 상기 천판과의 사이에 차열판을 설치하고,
상기 용기 본체와 상기 차열판에 의해 둘러싸인 공간에 상기 증착 재료가 수용되고,
상기 차열판의 일부가 상기 측벽부에 접하고 있는
증착원.3. The method of claim 1 or 2,
A heat shield is installed between the bottom and the top plate in the deposition vessel,
The deposition material is accommodated in a space surrounded by the container body and the heat shield plate,
A portion of the heat shield plate is in contact with the side wall portion
vapor source.
상기 제1 리플렉터와 상기 제2 리플렉터가 이간한 공간 영역에 대향하는 상기 용기 본체의 표면의 열 복사율은,
상기 표면 이외의 상기 용기 본체의 표면의 열 복사율 보다 높은
증착원.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The thermal radiation coefficient of the surface of the container body opposite to the space region separated by the first reflector and the second reflector is,
higher than the thermal emissivity of the surface of the container body other than the surface
vapor source.
상기 공간 영역에 대향하는 상기 용기 본체의 상기 표면은, 블라스트 처리면인
증착원.5. The method of claim 4,
The surface of the container body opposite to the space region is a blast-treated surface
vapor source.
상기 용기 본체의 깊이(d)에 대한, 상기 저부로부터의 상기 제1 가열 기구의 높이(h)는, 상기 깊이(d)의 3분의 2 이하인
증착원.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
the height h of the first heating mechanism from the bottom to the depth d of the container body is two-thirds or less of the depth d
vapor source.
저부와 상기 저부에 연설된 측벽부를 포함하는 용기 본체와, 상기 저부에 대향하고, 분출 노즐이 설치된 천판을 가지고, 상기 용기 본체와 상기 천판에 의해 둘러싸인 공간에 증착 재료가 수용되는 증착 용기와, 상기 측벽부에 대향하는 제1 가열 기구와, 상기 천판의 측부에 대향하고, 상기 제1 가열 기구와는 상기 저부로부터 상기 천판을 향하는 방향으로 이간해 설치된 제2 가열 기구와, 상기 제1 가열 기구와 대향하고, 상기 측벽부의 반대측에 설치된 제1 리플렉터와, 상기 제2 가열 기구와 대향하고, 상기 측부의 반대측에 설치되어, 상기 제1 리플렉터와는 상기 방향으로 이간해 설치된 제2 리플렉터를 가지는 증착원과,
상기 진공 용기 내에서, 상기 증착원에 대향하는 기판 홀딩 기구
를 구비하는 진공 처리 장치.vacuum vessel,
a vapor deposition container having a container body including a bottom and a side wall extending to the bottom, and a top plate facing the bottom and provided with a jet nozzle, wherein a deposition material is accommodated in a space surrounded by the container body and the top plate; a first heating mechanism opposed to the side wall portion; a second heating mechanism opposed to the side portion of the top plate and provided to be spaced apart from the first heating mechanism in a direction from the bottom to the top plate; and the first heating mechanism; An evaporation source having a first reflector opposite to the side wall portion, and a second reflector opposite to the second heating mechanism, provided on the opposite side of the side portion, and spaced apart from the first reflector in the above direction. and,
In the vacuum container, a substrate holding mechanism facing the evaporation source
A vacuum processing device comprising a.
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