KR101520335B1 - Depositon apparatus for substrate - Google Patents

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문정일
이명선
민상홍
이광형
박희재
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에스엔유 프리시젼 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a substrate depositing apparatus. The substrate depositing apparatus according to the present invention includes a deposition source part which evaporates or sublimates an organic material received in an inner space and sprays the evaporated or sublimated organic material to a substrate and a heating unit which is arranged near the deposition source part to heat the deposition source part and non-uniformly heats the deposition source part to remove a temperature deviation according to the inner position of the deposition source part. The substrate depositing apparatus according to the present invention forms a thin film layer with a uniform thickness on the substrate through the heating unit to non-uniformly heat the deposition source part to remove the temperature deviation according to the inner position of the deposition source part.

Description

기판 증착 장치{Depositon apparatus for substrate}[0001] The present invention relates to a deposition apparatus for substrate,

본 발명은, 기판 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 유기물이 수용된 증착 소스부의 내부 온도 편차를 최소화함으로써 증착 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate deposition apparatus, and more particularly, to a substrate deposition apparatus capable of improving deposition uniformity by minimizing an internal temperature deviation of a deposition source unit containing an organic material.

최근 반도체 또는 평판 디스플레이의 제작을 위해서는 다양한 종류의 박막(Thin Film) 패턴이 형성되는데, 이러한 박막 패턴은 증착(deposition) 공정 또는 포토리소그래피(photolothography) 공정을 통해 구현할 수 있다. Recently, a variety of thin film patterns are formed for the fabrication of semiconductor or flat panel displays. Such thin film patterns can be implemented by a deposition process or a photolothography process.

여기서, 특별한 사정이 없는 이상 제조 비용을 고려하여 주로 증착 공정이 활용되는데, 박막 증착 공정으로는 크게 물리기상 증착법(PVD: physical vapor deposition)과 화학기상 증착법(CVD: chemical vapor deposition)으로 나눌 수 있다. Here, unless there are special circumstances, the deposition process is mainly used in consideration of the manufacturing cost. The thin film deposition process can be roughly divided into physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) .

이 중에서 물리기상 증착법은, 증착하고자 하는 증착 물질을 기체 상태로 기판 표면까지 이동시켜 기체 상태가 고체 상태로 변하는 물리적 변화를 통해 기판 표면에 증착 물질을 증착시키는 방법으로, 증착 물질의 재료 선택에 따라 다양한 박막의 형성이 가능하며 비교적 간단한 공정으로도 대량생산이 가능하다는 장점이 있어 폭넓게 사용되고 있다.Among them, the physical vapor deposition method is a method of depositing a deposition material on the surface of a substrate through a physical change in which the gas state is changed to a solid state by moving the deposition material to be vaporized to the substrate surface in a gaseous state, It is possible to form various thin films and it is widely used because it can be mass-produced by a relatively simple process.

이러한 물리기상 증착법에서 증착 물질을 기체 상태로 변화시키는 장치로 유기물 도가니가 주로 사용된다. 이러한 유기물 도가니는, 내부에 유기물 등의 증착 물질을 채우고 이를 가열함으로써 증착 물질을 기화 또는 승화시키는 기구이다.In such a physical vapor deposition method, an organic material crucible is mainly used as a device for changing a deposition material to a gaseous state. Such an organic material crucible is a mechanism for vaporizing or sublimating a deposition material by filling an evaporation material such as an organic material therein and heating the evaporation material.

예를 들어 기화 또는 승화가 시작되는 온도가 300℃인 A를 증착 물질로 사용한다고 했을 때, 유기물 도가니의 온도가 300℃에 도달하면 A가 기화된 상태로 유기물 도가니 상부의 노즐을 통해서 분출되고, 분출된 유기물은 기판에 증착된다. For example, when the temperature at which the vaporization or sublimation starts is 300 ° C and A is used as the evaporation material, when the temperature of the organic material crucible reaches 300 ° C, A is ejected through the nozzle in the upper part of the organic material crucible in a vaporized state, The ejected organic material is deposited on the substrate.

그런데, 유기물 도가니의 가열과정에서 여러 가지 원인에 의하여 유기물 도가니 내부의 중앙 영역의 온도와 가장자리 영역의 온도가 달라진다. 이러한 유기물 도가니 내부의 위치에 따른 온도 편차는 불균일한 박막층의 형성을 유도하는 문제를 발생시킨다.However, in the heating process of the organic material crucible, the temperature of the central region inside the organic material crucible is different from that of the edge region due to various causes. The temperature variation depending on the position inside the organic crucible causes a problem of inducing the formation of a nonuniform thin film layer.

즉, 상술한 것과 같이 유기물 도가니에서 유기물 도가니 내부의 온도에 따라 기화되어 기판 측으로 증착되는 유기물의 양이 달라지는데, 예를 들어 A라는 물질이 온도가 300℃일 경우에는 0.1g/min 의 분출량이 발생하고 온도가 320℃일 때는 2g/min 의 분출량이 발생한다고 가정하고 유기물 도가니의 길이방향을 따라 좌측의 온도는 300℃, 중앙의 온도는 320℃, 우측의 온도는 300℃로 유지된다고 가정한다면, 중앙에서 좌,우측으로 갈수록 분출되는 양의 현저히 차이가 나므로 기판에 박막층의 두께도 중앙에서 좌,우측으로 갈수록 얇아지게 된다.That is, as described above, the amount of the organic material vaporized according to the temperature inside the organic material crucible is varied in the organic material crucible. For example, when the temperature of the material A is 300 ° C, a discharge amount of 0.1 g / min is generated And assuming that a spouting rate of 2 g / min is generated when the temperature is 320 ° C. and that the temperature on the left side is maintained at 300 ° C., the temperature at the center is 320 ° C., and the temperature at the right side is maintained at 300 ° C. along the longitudinal direction of the organic material crucible, The thickness of the thin film layer on the substrate becomes thinner from the center to the left and the right side since the amount of ejection from the center to the left and right becomes considerably different.

따라서 유기물 도가니 내부의 위치에 따른 온도편차를 제거함으로써 기판에 균일한 두께의 박막층을 형성할 수 있는 기판 증착 장치의 개발이 필요한 실정이다.Therefore, it is necessary to develop a substrate deposition apparatus capable of forming a thin film layer having a uniform thickness on a substrate by removing a temperature deviation according to the position inside the organic material crucible.

한국공개특허공보 제10-2006-0095242호 (삼성에스디아이 주식회사), 2006.08.31.Korean Patent Publication No. 10-2006-0095242 (Samsung SDI Co., Ltd.), Aug. 31, 2006.

따라서 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유기물 도가니 내부의 위치에 따른 온도편차를 제거함으로써 기판에 균일한 두께의 박막층을 형성할 수 있는 기판 증착 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate deposition apparatus capable of forming a thin film layer having a uniform thickness on a substrate by eliminating a temperature deviation according to a position inside an organic material crucible.

상기 목적은, 본 발명에 따른, 내부 공간에 수용된 유기물을 기화 또는 승화시켜 기판으로 분사하는 증착 소스부; 및 상기 증착 소스부에 이웃하게 배치되어 상기 증착 소스부를 가열하되, 상기 증착 소스부 내부의 위치에 따른 온도편차가 제거되도록 상기 증착 소스부를 비균일하게 가열하는 가열부를 포함하는 기판 증착 장치에 의해 달성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a deposition source unit for vaporizing or sublimating an organic material accommodated in an internal space and injecting the organic material into a substrate; And a heating unit disposed adjacent to the deposition source unit for heating the deposition source unit and non-uniformly heating the deposition source unit so that a temperature deviation according to a position inside the deposition source unit is removed, do.

여기서 상기 가열부는, 발열부; 및 상기 발열부에 연결되어 상기 발열부로부터 열을 전달받아 상기 증착 소스부를 복사 가열하며, 상기 증착 소스부의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 방출 열량이 증가되는 방열판을 포함할 수 있다.Here, the heating unit may include a heating unit; And a heat sink connected to the heat generating part and radiating heat from the heat generating part to radiantly heat the deposition source part and increasing the amount of heat radiated toward the edge area from the central region of the deposition source part.

상기 방열판은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 표면적이 증가되게 마련될 수 있다.The heat dissipation plate may have a surface area that increases from the central region toward the edge region.

상기 방열판은 알루미늄, 구리 또는 은 재질로 마련될 수 있다.The heat sink may be made of aluminum, copper or silver.

상기 방열판은 상기 발열부에 착탈 가능하게 결합될 수 있다.The heat sink may be detachably coupled to the heat generating unit.

상기 증착 소스부는, 상기 증착 소스부의 상부 영역에 미리 결정된 간격으로 상호 이격되어 배치되며, 기화 또는 승화된 상기 유기물을 상기 기판으로 분사하는 복수의 노즐을 포함할 수 있다.The deposition source part may include a plurality of nozzles arranged to be spaced apart from each other at a predetermined interval in an upper region of the deposition source part and injecting the vaporized or sublimated organic material onto the substrate.

상기 증착 소스부는 티타늄, 스테인리스스틸 또는 인코넬 재질로 마련될 수 있다.The deposition source part may be made of titanium, stainless steel or inconel material.

상기 증착 소스부는, 상기 내부 공간을 형성하는 벽부에 마련되며, 상기 벽부의 열전달 계수를 보정하는 보정부재를 더 포함할 수 있다.The deposition source unit may further include a correction member provided on a wall portion forming the inner space and correcting a heat transfer coefficient of the wall portion.

상기 보정부재는 상기 증착 소스부의 열전달 계수보다 큰 열전달 계수를 갖는 소재로 마련될 수 있다.The correction member may be formed of a material having a larger heat transfer coefficient than the heat transfer coefficient of the deposition source part.

상기 보정부재는 탄탈, 구리, 알루미늄 또는 텅스텐 재질로 마련될 수 있다.The compensating member may be made of tantalum, copper, aluminum or tungsten.

본 발명에 따르면, 증착 소스부에 이웃하게 배치되어 증착 소스부를 가열하는 가열부가 증착 소스부 내부의 위치에 따른 온도편차가 제거되도록 증착 소스부를 비균일하게 가열함으로써, 기판에 균일한 두께의 박막층을 형성할 수 있는 기판 증착 장치가 제공될 수 있다. According to the present invention, by heating the deposition source portion non-uniformly so that a heating portion which is disposed adjacent to the deposition source portion and heats the deposition source portion to eliminate the temperature deviation according to the position inside the deposition source portion, A substrate deposition apparatus capable of forming a substrate can be provided.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 증착 장치가 도시된 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 1의 방열판이 도시된 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 증착 장치가 도시된 도면이다.1 is a perspective view illustrating a substrate deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'in Fig.
FIG. 3 is a view showing the heat sink of FIG. 1. FIG.
4 is a view illustrating a substrate deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, components having the same configuration are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment. In other embodiments, configurations different from those of the first embodiment will be described do.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 증착 장치에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a substrate deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 증착 장치가 도시된 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이며, 도 3은 도 1의 방열판이 도시된 도면이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a substrate deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a view illustrating a heat sink of FIG.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 증착 장치는, 내부 공간에 수용된 유기물(G)을 기화 또는 승화시켜 기판(미도시)으로 분사하는 증착 소스부(110)와, 증착 소스부(110)에 이웃하게 배치되어 증착 소스부(110)를 가열하되 증착 소스부(110) 내부의 위치에 따른 온도편차가 제거되도록 증착 소스부(110)를 비균일하게 가열하는 가열부(120)를 포함한다.1 to 3, the substrate deposition apparatus according to the present embodiment includes a deposition source unit 110 for vaporizing or sublimating an organic material G accommodated in an internal space and injecting the organic material G into a substrate (not shown) The heating source unit 110 is disposed adjacent to the deposition source unit 110 and heats the deposition source unit 110 in a non-uniform manner so as to remove a temperature variation depending on the position inside the deposition source unit 110. [ (120).

증착 소스부(110)는 내부 공간에 수용된 유기물(G)을 기화 또는 승화시켜 기판(미도시)으로 분사한다. 이러한 증착 소스부(110)는 내부 공간을 형성하는 벽부(112)를 포함한다. 본 실시예에서 증착 소스부(110)는 티타늄, 스테인리스스틸 또는 인코넬 재질로 마련된다.The deposition source unit 110 vaporizes or sublimates the organic material G accommodated in the internal space and injects the organic material G into a substrate (not shown). The deposition source portion 110 includes a wall portion 112 forming an inner space. In this embodiment, the deposition source part 110 is made of titanium, stainless steel or inconel material.

또한 증착 소스부(110)는, 증착 소스부(110)의 상부 영역에 미리 결정된 간격으로 상호 이격되어 배치되며 기화 또는 승화된 유기물(G)을 기판(미도시)으로 분사하는 복수의 노즐(111)을 포함한다.The deposition source part 110 further includes a plurality of nozzles 111 arranged to be spaced apart from each other at a predetermined interval in the upper region of the deposition source part 110 and for jetting the vaporized or sublimated organic material G onto a substrate ).

이러한 증착 소스부(110)는 수용된 유기물(G)의 기화 또는 승화를 위해 가열부(120)로부터 열을 전달받는다. 이때 증착 소스부(110)의 모든 영역에 동일한 열량을 전달하는 종래 기술에 따른 가열부재를 사용하는 경우, 증착 소스부(110) 내부의 온도는 일반적으로 중앙 영역이 가장자리 영역에 비하여 높다. The deposition source unit 110 receives heat from the heating unit 120 for vaporization or sublimation of the organic material G accommodated therein. In this case, when the heating member according to the related art is used to transfer the same amount of heat to all the regions of the deposition source unit 110, the temperature inside the deposition source unit 110 is generally higher than the central region.

이러한 증착 소스부(110) 내부의 위치에 따른 온도편차는 본 실시예의 가열부(120)에 의해 제거된다. 즉 본 실시예의 가열부(120)는, 증착 소스부(110)에 이웃하게 배치되어 증착 소스부(110)를 가열하되, 증착 소스부(110) 내부의 위치에 따른 온도편차가 제거되도록 증착 소스부(110)를 비균일하게 가열한다. The temperature deviation according to the position inside the deposition source unit 110 is removed by the heating unit 120 of the present embodiment. That is, the heating part 120 of the present embodiment is disposed adjacent to the deposition source part 110 to heat the deposition source part 110, and the deposition source part 110 is heated by the deposition source part 110, The portion 110 is heated non-uniformly.

이러한 가열부(120)는, 발열부(121)와, 발열부(121)에 연결되어 발열부(121)로부터 열을 전달받아 증착 소스부(110)를 복사 가열하며 증착 소스부(110)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 방출 열량이 증가되는 방열판(122)을 포함한다. 본 실시예에서 발열부(121)는 히팅 코일로 마련된다. The heating unit 120 includes a heating unit 121 and a heating unit 121. The heating unit 120 receives heat from the heating unit 121 to radiantly heat the deposition source unit 110, And a heat sink 122 having an increased amount of heat radiated from the central region to the edge region. In this embodiment, the heat generating unit 121 is provided with a heating coil.

방열판(122)은 발열부(121)에 연결되어 발열부(121)로부터 전도에 의해 발열부(121)의 열을 전달받는다. 이러한 방열판(122)은 증착 소스부(110)에서 이격된 위치에서 증착 소스부(110)를 복사에 의해 가열한다.The heat sink 122 is connected to the heat generating unit 121 and receives heat from the heat generating unit 121 by conduction from the heat generating unit 121. The heat sink 122 heats the deposition source portion 110 by radiation at a position spaced apart from the deposition source portion 110.

본 실시예에서 방열판(122)은 증착 소스부(110)에 대하여 증착 소스부(110)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 더 많은 열량을 공급한다.In this embodiment, the heat sink 122 supplies a greater amount of heat to the edge region from the central region of the deposition source portion 110 with respect to the deposition source portion 110.

일반적으로, 복사에 의한 열전달은 하기의 수식을 따른다.In general, heat transfer by radiation follows the formula:

Figure 112014104214113-pat00001
Figure 112014104214113-pat00001

여기서, Q는 복사에 의한 열전달량, ε은 방사율, A는 표면적, σ는 스테판-볼츠만 상수, T는 온도를 의미한다.Where Q is the heat transfer by radiation, ε is the emissivity, A is the surface area, σ is the Stefan-Boltzmann constant, and T is the temperature.

여기서, 스테판 볼츠만 상수 및 온도는 상수에 해당되므로, 복사에 의한 열전달량을 증가하기 위해서는 방사율 또는 표면적을 적절히 조절해야 한다.Here, since the Stefan-Boltzmann constant and temperature are constants, the emissivity or surface area should be appropriately adjusted in order to increase the amount of heat transferred by radiation.

본 실시예에서 방열판(122)은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 표면적이 증가되게 마련됨으로서, 증착 소스부(110)에 대하여 증착 소스부(110)의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 더 많은 열량을 공급한다.The surface area of the heat sink 122 is increased from the central region to the edge region so that a larger amount of heat is supplied to the deposition source unit 110 from the central region to the edge region of the deposition source unit 110 do.

본 실시예에서 방열판(122)은 알루미늄, 구리 또는 은 재질로 마련되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니며, 전도성 및 방사율이 높은 재료가 본 실시예의 방열판(122)의 재료로 사용될 수 있다.In the present embodiment, the heat sink 122 is made of aluminum, copper or silver. However, the scope of the present invention is not limited thereto, and a material having high conductivity and high emissivity may be used as the material of the heat sink 122 have.

또한 방열판(122)은 발열부(121)에 착탈 가능하게 결합된다. 따라서 증착 소스부(110)의 크기 및 종류 등에 따라 다양한 형상의 방열판(122)의 교체하여 사용할 수 있다.The heat sink 122 is detachably coupled to the heat generating portion 121. Accordingly, the heat sink 122 having various shapes can be used in accordance with the size and type of the deposition source unit 110 and the like.

지금부터는 본 실시예에 따른 기판 증착 장치의 작동에 대하여 도 1 내지 도 3을 위주로 설명한다.The operation of the substrate deposition apparatus according to the present embodiment will now be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

방열판(122)은 발열부(121)에서 전도를 통해 열을 전달받아 증착 소스부(110)를 열복사를 통해 가열한다. 본 실시예에 따른 방열판(122)은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 표면적이 증가되게 형성됨으로써, 방열판(122)에서 열복사되는 열전달량은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 커진다. The heat sink 122 receives heat through conduction in the heat generating unit 121 and heats the deposition source unit 110 through thermal radiation. The surface area of the heat sink 122 according to the present embodiment is increased from the central area to the edge area, so that the amount of heat transferred from the heat sink 122 increases from the center area to the edge area.

이때 방열판(122)은 발열부(121)에서 전도를 통해 열을 전달받으므로, 위치별로 열복사에 의한 열전달량은 다르더라도 방열판(122)은 균일한 온도를 유지할 수 있다.At this time, since the heat sink 122 receives heat through conduction in the heat generating unit 121, the heat sink 122 can maintain a uniform temperature even if the amount of heat transferred by the heat radiation differs for each position.

이러한 본 실시예에 따른 방열판(122)은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 많은 열량을 증착 소스부(110)에 전달함으로써, 증착 소스부(110)의 모든 영역에 균일하게 열량을 공급하는 종래기술에 의해 유발되는 증착 소스부(110) 내부의 위치에 따른 온도편차를 제거할 수 있다.The heat dissipating plate 122 according to the present embodiment transfers the amount of heat from the central region to the edge region to the deposition source unit 110 to uniformly supply heat to all the regions of the deposition source unit 110 The temperature deviation due to the position inside the deposition source unit 110 caused by the deposition can be eliminated.

이와 같이 본 실시예에 따른 기판 증착 장치는, 증착 소스부(110)에 이웃하게 배치되어 증착 소스부(110)를 가열하는 가열부(120)가 증착 소스부(110) 내부의 위치에 따른 온도편차가 제거되도록 증착 소스부(110)를 비균일하게 가열함으로써, 기판(미도시)에 균일한 두께의 박막층을 형성할 수 있다. As described above, the substrate deposition apparatus according to the present embodiment includes a heating unit 120 disposed adjacent to the deposition source unit 110 to heat the deposition source unit 110, The thin film layer having a uniform thickness can be formed on the substrate (not shown) by non-uniformly heating the deposition source unit 110 so that the deviation is eliminated.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 증착 장치가 도시된 도면이다.4 is a view illustrating a substrate deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

본 실시예는 제1 실시예와 비교할 때에 증착 소스부(210)의 구성에 있어서 차이가 있을 뿐, 다른 구성에 있어서는 도 1 내지 도 3의 제1 실시예의 구성과 동일하므로, 이하에서는 본 실시예의 증착 소스부(210)의 구성을 위주로 설명하기로 한다. The present embodiment differs from the first embodiment only in the constitution of the deposition source unit 210 and in the other constitutions is the same as the constitution of the first embodiment in Fig. 1 to Fig. 3, The structure of the deposition source unit 210 will be mainly described.

본 실시예에 따른 증착 소스부(210)는, 내부 공간을 형성하는 벽부(212)에 마련되며 벽부(212)의 열전달 계수를 보정하는 보정부재(230)를 포함한다. The deposition source portion 210 according to the present embodiment includes a correction member 230 provided in the wall portion 212 forming the inner space and correcting the heat transfer coefficient of the wall portion 212.

본 실시예에서 보정부재(230)는 다수개로 마련되어 소정의 이격간격을 두고 배치된다. 이러한 보정부재(230)는 봉 형태로 마련되어 증착 소스부(210)의 벽부(212)에 매설된다.In this embodiment, the plurality of correction members 230 are provided with a predetermined spacing. The correction member 230 is provided in a bar shape and embedded in the wall portion 212 of the deposition source unit 210.

이러한 보정부재(230)는 증착 소스부(210)의 열전달 계수보다 큰 열전달 계수를 갖는 소재로 마련된다. 본 실시예에서 보정부재(230)는 탄탈, 구리, 알루미늄 또는 텅스텐 재질로 마련되는데, 이에 본 발명의 권리범위가 한정되는 것을 아니고 보정부재(230)가 매설된 본 실시예의 증착 소스부(210)의 열전달 계수를 제1 실시예의 증착 소스부(210)의 열전달 계수보다 높일 수 있는 다양한 재질의 소재가 본 실시예의 보정부재(230)로 사용될 수 있다.The correction member 230 is made of a material having a larger heat transfer coefficient than the heat transfer coefficient of the deposition source unit 210. In this embodiment, the correction member 230 is made of tantalum, copper, aluminum, or tungsten. However, the scope of the present invention is not limited thereto, and the deposition source unit 210 of the present embodiment, in which the correction member 230 is embedded, Can be used as the compensating member 230 of the present embodiment in various materials capable of raising the heat transfer coefficient of the deposition source portion 210 of the first embodiment.

이와 같이 본 실시예에서 따른 기판 증착 장치는, 증착 소스부(210)의 벽부(212)에 장착되는 보정부재(230)를 통해 열전달 계수를 제1 실시예의 증착 소스부(210)의 열전달 계수보다 높임으로써 가열부(120)로부터 받은 복사열을 더욱 균일하게 증착 소스부(210)의 내부로 전달해 줄 수 있다.As described above, the substrate deposition apparatus according to the present embodiment is configured such that the heat transfer coefficient is higher than the heat transfer coefficient of the deposition source part 210 of the first embodiment through the correction member 230 mounted on the wall part 212 of the deposition source part 210 So that the radiant heat received from the heating unit 120 can be more uniformly transferred to the inside of the deposition source unit 210.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위의 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.

110, 210: 증착 소스부 111, 211: 노즐
112, 212: 벽부 120: 가열부
121: 발열부 122: 방열판
230: 보정부재 G: 유기물110, 210: deposition source part 111, 211: nozzle
112, 212: wall part 120: heating part
121: heating part 122: heat sink
230: correction member G: organic matter

Claims (10)

내부 공간에 수용된 유기물을 기화 또는 승화시켜 기판으로 분사하는 증착 소스부; 및
상기 증착 소스부에 이웃하게 배치되어 상기 증착 소스부를 가열하되, 상기 증착 소스부 내부의 위치에 따른 온도편차가 제거되도록 상기 증착 소스부를 비균일하게 가열하는 가열부를 포함하고,
상기 가열부는,
발열부; 및
상기 발열부에 연결되어 상기 발열부로부터 열을 전달받아 상기 증착 소스부를 복사 가열하며, 상기 증착 소스부의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 방출 열량이 증가되는 방열판을 포함하며,
상기 방열판은 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 갈수록 표면적이 증가되게 마련되는 기판 증착 장치. A deposition source unit for vaporizing or sublimating the organic material accommodated in the internal space and injecting the organic material into the substrate; And
And a heating unit disposed adjacent to the deposition source unit for heating the deposition source unit and non-uniformly heating the deposition source unit so that a temperature deviation according to a position inside the deposition source unit is removed,
The heating unit includes:
A heating portion; And
And a heat sink connected to the heat generating part and radiating heat from the heat generating part to radiantly heat the deposition source part and increasing the amount of heat radiated toward the edge area from the central area of the deposition source part,
Wherein the heat dissipation plate has a surface area that increases from a central region toward an edge region. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 방열판은 알루미늄, 구리 또는 은 재질로 마련되는 기판 증착 장치. The method according to claim 1,
Wherein the heat sink is made of aluminum, copper or silver. 제1항에 있어서,
상기 방열판은 상기 발열부에 착탈 가능하게 결합되는 기판 증착 장치. The method according to claim 1,
Wherein the heat sink is detachably coupled to the heat generating unit. 제1항에 있어서,
상기 증착 소스부는,
상기 증착 소스부의 상부 영역에 미리 결정된 간격으로 상호 이격되어 배치되며, 기화 또는 승화된 상기 유기물을 상기 기판으로 분사하는 복수의 노즐을 포함하는 기판 증착 장치. The method according to claim 1,
Wherein the deposition source portion comprises:
And a plurality of nozzles which are spaced apart from each other at a predetermined interval in an upper region of the deposition source portion and inject the vaporized or sublimated organic material onto the substrate. 제1항에 있어서,
상기 증착 소스부는 티타늄, 스테인리스스틸 또는 인코넬 재질로 마련되는 기판 증착 장치. The method according to claim 1,
Wherein the deposition source portion is made of titanium, stainless steel or inconel material. 제1항에 있어서,
상기 증착 소스부는,
상기 내부 공간을 형성하는 벽부에 마련되며, 상기 벽부의 열전달 계수를 보정하는 보정부재를 더 포함하는 기판 증착 장치. The method according to claim 1,
Wherein the deposition source portion comprises:
And a correction member provided on a wall portion forming the inner space, the correction member correcting the heat transfer coefficient of the wall portion. 제8항에 있어서,
상기 보정부재는 상기 증착 소스부의 열전달 계수보다 큰 열전달 계수를 갖는 소재로 마련되는 기판 증착 장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the correction member is provided with a material having a heat transfer coefficient larger than a heat transfer coefficient of the deposition source portion. 제8항에 있어서,
상기 보정부재는 탄탈, 구리, 알루미늄 또는 텅스텐 재질로 마련되는 기판 증착 장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the compensating member is made of tantalum, copper, aluminum or tungsten.
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