KR20210068531A - 유기 금속 화합물 및 이의 응용 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 금속 화합물 및 이의 응용을 제공한다. 상기 유기 금속 화합물은 식 I에 도시된 구조를 가지며, 승화 온도가 낮고 광화학적 및 전기화학적 안정성이 우수하며 발광 효율이 높고 수명이 길며 색포화도가 높은 장점 등을 갖고 있어, 유기 발광 소자에서 특히 적색 발광 인광 재료로서 AMOLED 산업에 응용할 수 있는 가능성이 있다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 전계 발광 소자에 적합한 유기 발광 재료, 특히 유기 금속 화합물 및 유기 전계 발광 소자 상에서 이의 응용에 관한 것이다.
현재 차세대 디스플레이 기술로서 유기 전계 발광 소자(OLED)는 디스플레이 및 조명 기술 측면에서 점점 더 많은 주목을 받고 있으며 응용 전망이 매우 밝다. 그러나 시장의 응용 수요를 감안하면 OLED 소자의 발광 효율, 구동 전압, 사용 수명 등 성능이 계속 강화되고 개선될 필요가 있다.
일반적으로 OLED 소자의 기본 구조는 금속 전극 중간에 각종 상이한 기능의 유기 기능 재료 박막이 끼워져 있는 샌드위치와 같은 구조이다. 전류의 구동 하에서 양극과 음극의 양극으로부터 각각 정공과 전자를 주입하고, 정공과 전자는 한 구간의 거리를 이동한 후 발광층에서 복합되어 빛 또는 열의 형태로 방출됨으로써 OLED가 발광하게 된다.
그러나 유기 기능 재료는 유기 전계 발광 소자의 핵심 구성 부분이며, 재료의 열 안정성, 광화학적 안정성, 전기화학적 안정성, 양자 수율, 박막 형성 안정성, 결정성, 색포화도 등은 소자 성능 구현에 영향을 미치는 주요 요인이다.
일반적으로 유기 기능 재료에는 형광 재료와 인광 재료가 포함된다. 형광 재료는 통상적으로 유기 소분자 재료이며, 일반적으로 25% 일중항 발광만 이용하므로 발광 효율이 비교적 낮다. 인광 재료는 중원자 효과(heavy atom effect)에 의한 스핀 궤도 결합 작용으로 인해, 25% 일중항을 이용하는 것 이외에도 75% 삼중항 여기자의 에너지를 이용할 수 있으므로 발광 효율이 향상될 수 있다. 그러나 형광 재료에 비해 인광 재료는 개발이 비교적 늦었고 재료의 열 안정성, 수명, 색포화도 등이 모두 개선될 필요가 있으므로 다소 어려운 과제이다. 현재 각종 유기 금속 화합물을 인광 재료로 개발한 사람들이 이미 있다. 예를 들어, 발명 특허 문헌 CN107973823은 퀴놀린류의 이리듐 화합물을 공개하였으나, 상기 화합물의 색포화도 및 소자 성능, 특히 발광 효율과 소자 수명은 모두 개선될 필요가 있다. 발명 특허 문헌 CN106459114는 β-디온 배위기 배위의 이리듐 화합물을 공개하였으나, 상기 화합물은 승화 온도가 높고 색포화도가 떨어지며 특히 소자 성능이 이상적이지 않아 더 개선될 필요가 있다.
본 발명의 목적 중 하나는 승화 온도가 비교적 낮고 광화학적 및 전기화학적 안정성이 우수하며 색포화도가 높고 발광 효율이 높으며 소자 수명이 긴 장점을 가지고 있어 유기 전계 발광 소자에 응용할 수 있는 화합물인 인광 화합물을 제공하는 데에 있다. 특히 적색 발광 도펀트로서 OLED 산업에 응용할 수 있다.
유기 금속 화합물의 구조식은 식 I에 도시된 바와 같다.
여기에서 A1-A4 중 하나는 C-C 결합과 E 고리 연결이고, 하나는 C-M 결합과 금속 M 연결이고, 하나는 CR4이고, 다른 하나는 CR0 또는 N이다. A5-A8 중 하나는 CR4이고 다른 3개는 독립적으로 CR0 또는 N으로 표시된다. M은 원자량이 40보다 큰 금속이다.
여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 아미노, 치환 또는 비치환된 C1-C10 실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C1-C8 헤테로아릴, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택된다. 여기에서 상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br, C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C3-C6 시클로알킬, C1-C4 알킬 치환된 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노이고, 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
여기에서 Z는 독립적으로 O, S, Se, C(R)2, Si(R)2, NR, BR, POR로부터 선택된다. 여기에서 R은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 C1-C10의 알킬 또는 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C2-C30의 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C1-C18 헤테로아릴로부터 선택된다.
여기에서, X-Y는 1가 음이온형 2좌 리간드이고, 여기에서 a와 b의 합은 금속 M의 원자가 상태와 동일하다.
바람직하게는 X-Y는 OO형, CN형 리간드이며, M은 Os, Ir, Pt, Pd, Ru, Rh, Au 중 하나이다.
바람직한 화합물로서 하기 식 II의 구조를 갖는다.
여기에서 n은 1 내지 2의 양의 정수이다. 여기에서 A는 CR0 또는 N이다. 여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C3 -C20 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 실릴, C1-C4 알킬 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아릴 또는 헤테로아릴로부터 선택된다. 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
바람직한 화합물로서 A는 CH이다.
바람직한 화합물로서 A는 N이다.
바람직한 화합물로서 R3 치환기는 N의 인접 위치에 위치한다.
바람직한 화합물로서, R3은 D 또는 4개 미만 탄소 원자의 알킬이고, 바람직하게는 적어도 1개의 D의 알킬을 함유하며, 특히 바람직하게는 CD3이다.
바람직한 화합물로서, Z는 O, S, NR, C(R)2이고, 여기에서 R은 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8의 알킬로부터 선택된다.
바람직한 화합물로서, R4 치환기 위치는 금속-탄소 결합의 인접 위치이다.
바람직한 화합물로서, R4 치환기 위치는 금속-탄소 결합의 대향 위치이다.
바람직한 화합물로서, X-Y와 좌변의 리간드는 다르다.
바람직한 화합물로서, X-Y는 1,3-디온(dione)류 화합물이다.
바람직한 화합물로서 하기 화합물이다.
바람직하게는 Z는 O이고, R1-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 C1-C4 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아랄킬, C1-C4 알킬 알킬 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아릴 또는 헤테로아릴로부터 선택된다. 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
여기에서 R1-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 C1-C4 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 페닐 치환된 C1-C4 알킬, C1-C4 알킬 치환된 페닐로부터 선택된다. 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
바람직한 화합물로서 하기 화합물이다.
본 발명의 목적 중 하나는 상기 화합물을 포함하는 OLED 인광 재료를 더 제공하는 데에 있다.
본 발명의 목적 중 하나는 상기 화합물을 포함하는 OLED 소자를 더 제공하는 데에 있다.
본 발명의 재료는 승화 온도가 비교적 낮고 광화학적 및 전기화학적 안정성이 높으며 색포화도와 발광 효율이 높고 소자 수명이 긴 장점 등이 있다. 본 발명의 재료는 인광 재료로서 삼중항 여기 상태를 빛으로 변환할 수 있으므로, 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있어 에너지 소비를 감소시킨다.
하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명을 구체적으로 제한하는 것으로 이해될 수 없다.
본 발명의 화합물 합성에 언급된 원료와 용매 등은 모두 Alfa, Acros 등 당업자에게 공지된 공급 업체로부터 구매한다.
실시예 1:
공용 중간체의 합성:
화합물 2의 합성:
화합물 1(27.2g, 0.12mol, 1.2eq), 1-클로로이소퀴놀린(1-chloroisoquinoline)(16.3g, 0.1mol, 1.0eq)와 Cs2CO3(97.5g, 0.3mol, 3.0eq) 및 Pd(dppf)Cl2(3.655g, 0.05mol, 0.05eq)를 플라스크에 넣고, 무수 톨루엔 1L를 첨가해 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각하고 농축하여 유기 용매를 제거하고, 잔류물에 1L 디클로로메탄과 1L 물을 첨가하고, 교반하여 분층시킨다. 유기상은 순차적으로 H2O(500ml*3) 및 포화 염화나트륨 수용액(500ml*3)으로 세척하고, 황산나트륨으로 건조한 후 여과하고 여액을 농축하여 유기 용매를 제거한다. 회백색 고체를 수득하고, 고체는 EtOH로 슬러리화 및 정제하여 화합물 2(24.33g, 수율 78.7%)를 수득한다. 질량 스펙트럼: 310.12(M+H),1HNMR:8.42(d,1H), 7.92(dd,1H), 7.87(dd,1H), 7.71(dd,1H), 7.50-7.57(m,3H), 7.30(dd,1H),6.99-7.20(m,4H),2.35(S,3H).
화합물 3의 합성:
화합물 2(18.5g, 0.06mol, 3.0eq), IrCl3 3H2O(7.04g, 0.02mol, 1.0eq)를 플라스크에 넣고 2-에톡시에탄올(2-ethoxyethanol)(133.4ml) 및 탈이온수(66.7ml)에 첨가하며, 혼합액은 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각시킨 후, 여과하고 여과 잔류물은 순차적으로 메탄올(100ml*3), n-헥산(100ml*3)을 이용하며 건조하여 화합물 3(9.38g, 55.4%)을 수득한다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
CPD 1의 합성
화합물 3(5.08g, 3mmol, 1.0eq)을 2-에톡시에탄올(30ml)에 용해시키고, 순차적으로 무수 탄산나트륨(6.36g, 60mmol, 20.0eq) 및 아세틸아세톤(3g, 30mmol, 10.0eq)를 첨가하며, 첨가가 완료된 후, 혼합액을 N2 보호 작용 하에서 40℃로 16시간 동안 교반한 후 실온으로 냉각시킨다. 반응액에 2g 규조토와 300ml 디클로로메탄을 첨가한 다음, 혼합액은 규조토와 실리카겔로 여과하며, 수득한 여액은 디클로로메탄을 스핀 제거하고 잔류액에 이소프로판올 40ml를 첨가하며 적색 고체를 석출하여 여과한다. 고체는 에틸 아세테이트 슬러리화 처리를 거쳐 표적 화합물 CPD 1(2.56g, 46.8%)을 수득한다. 2.56g CPD 1 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 1(2g, 78.1%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 909.23(M+H)
CPD 3의 합성
화합물 3(5.08g, 3mmol, 1.0eq)을 2-에톡시에탄올(30ml)에 용해시키고, 순차적으로 무수 탄산나트륨(6.36g, 60mmol, 20.0eq) 및 3,7-디에틸노난-4,6-다이온(3,7-diethylnonane-4,6-dione)(6.36g, 30mmol, 10.0eq)를 첨가하며, 첨가가 완료된 후, 혼합액을 N2 보호 작용 하에서 40℃로 16시간 동안 교반한 후 실온으로 냉각시킨다. 반응액에 2g 규조토와 300ml 디클로로메탄을 첨가한 다음, 혼합액은 규조토와 실리카겔로 여과하며, 수득한 여액은 디클로로메탄을 스핀 제거하고 잔류액에 이소프로판올 40ml를 첨가하며 적색 고체를 석출하여 여과한다. 고체는 에틸 아세테이트 슬러리화 처리를 거쳐 표적 화합물 CPD 3(2.69g, 43.9%)을 수득한다. 2.69g CPD 3 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 3(1.78g, 66.2%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1021.36(M+H)
실시예 2
공용 중간체의 합성:
화합물 5의 합성:
화합물 4(28.92g, 0.12mol, 1.2eq), 1-클로로-이소프로필이소퀴놀린(1-chloro-6-isopropylisoquinoline)(20.5g, 0.1mol, 1.0eq)와 Cs2CO3(97.5g, 0.3mol, 3.0eq) 및 Pd(dppf)Cl2(3.655g, 0.05mol, 0.05eq)를 플라스크에 넣고, 무수 톨루엔 1L를 첨가해 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각하고 농축하여 유기 용매를 제거하고, 잔류물에 1L 디클로로메탄과 1L 물을 첨가하고, 교반하여 분층한다. 유기상은 순차적으로 H2O(500ml*3) 및 포화 염화나트륨 수용액(500ml*3)으로 세척하고, 황산나트륨으로 건조한 후 여과하고 여액을 농축하여 유기 용매를 제거한다. 회백색 고체를 수득하고, 고체는 에틸 아세테이트/석유에테르를 이용해 칼럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5(28.12g, 수율: 76.8%)를 수득한다. 질량 스펙트럼: 367.18(M+H),1HNMR:8.4(d,1H),7.81(dd,1H),7.74(dd,1H),7.71(s,1H),7.50(s,1H), 7.27-7.36(m,3H),7.1(d,1H),3.12(q,1H),2.55(s,3H) ,2.35(s,3H) ,1.29(d,6H).
화합물 6의 합성:
화합물 5(22g, 0.06mol, 3.0eq), IrCl3 3H2O(7.04g, 0.02mol, 1.0eq)를 플라스크에 넣고 2-에톡시에탄올(133.4ml) 및 탈이온수(66.7ml)에 첨가하며, 혼합액은 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각시킨 후, 여과하고 여과 잔류물은 순차적으로 메탄올(100ml*3), n-헥산(100ml*3)을 이용하며 건조하여 화합물 6(9.86g, 51.3%)을 수득한다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
CPD 13의 합성
화합물 6(5.76g, 3mmol, 1.0eq)을 2-에톡시에탄올(30ml)에 용해시키고, 순차적으로 무수 탄산나트륨(6.36g, 60mmol, 20.0eq) 및 아세틸아세톤(3g, 30mmol, 10.0eq)을 첨가하며, 첨가가 완료된 후, 혼합액을 N2 보호 작용 하에서 40℃로 16시간 동안 교반한 후 실온으로 냉각시킨다. 반응액에 2g 규조토와 300ml 디클로로메탄을 첨가한 다음, 혼합액은 규조토와 실리카겔로 여과하며, 수득한 여액은 디클로로메탄을 스핀 제거하고 잔류액에 이소프로판올 40ml를 첨가하며 적색 고체를 석출하여 여과한다. 고체는 에틸 아세테이트 슬러리화 처리를 거쳐 표적 화합물 CPD 13(2.33g, 38%)을 수득한다. 2.33g CPD 13 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 13(1.72g, 73.8%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1023.34(M+H)
CPD 16의 합성
화합물 6(5.76g, 3mmol, 1.0eq)을 2-에톡시에탄올(30ml)에 용해시키고, 순차적으로 무수 탄산나트륨(6.36g, 60mmol, 20.0eq) 및 2,8-디메틸-4,6-노난다이온(2,8-dimethyl-4,6-nonanedione)(6.36g, 30mmol, 10.0eq)를 첨가하며, 첨가가 완료된 후, 혼합액을 N2 보호 작용 하에서 40℃로 16시간 동안 교반한 후 실온으로 냉각시킨다. 반응액에 2g 규조토와 300ml 디클로로메탄을 첨가한 다음, 혼합액은 규조토와 실리카겔로 여과하며, 수득한 여액은 디클로로메탄을 스핀 제거하고 잔류액에 이소프로판올 40ml를 첨가하며 적색 고체를 석출하여 여과한다. 고체는 에틸 아세테이트 슬러리화 처리를 거쳐 표적 화합물 CPD 16(2.12g, 32%)을 수득한다. 2.12g CPD 16 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 16(1.65g, 77.8%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1107.43(M+H)
CPD 17의 합성
화합물 6(5.76g, 3mmol, 1.0eq)을 2-에톡시에탄올(30ml)에 용해시키고, 순차적으로 무수 탄산나트륨(6.36g, 60mmol, 20.0eq) 및 2-아세틸페놀(2-acetylphenol)(4.08g, 30mmol, 10.0eq)를 첨가하며, 첨가가 완료된 후, 혼합액을 N2 보호 작용 하에서 40℃로 16시간 동안 교반한 후 실온으로 냉각시킨다. 반응액에 2g 규조토와 300ml 디클로로메탄을 첨가한 다음, 혼합액은 규조토와 실리카겔로 여과하며, 수득한 여액은 디클로로메탄을 스핀 제거하고 잔류액에 이소프로판올 40ml를 첨가하며 적색 고체를 석출하여 여과한다. 고체는 칼럼 크로마토그래피로 분리하여 표적 화합물 CPD 17(2.58g, 41%)를 수득한다. 2.58g CPD 17 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 17(1.88g, 73.1%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1059.34(M+H)
CPD 18의 합성
화합물 7의 합성:
화합물 6(19.2g, 0.01mol, 1.0eq)을 DCM(500ml)에 용해시키고, 반응액에 순차적으로 은 트리플루오로메탄설포네이트(silver trifluoromethanesulfonate)(5.25g, 0.02mol, 2.0eq) 및 메탄올(50ml)를 첨가하며, 첨가를 완료한 후 혼합액은 N2 보호 작용 하에서 30℃로 16시간 동안 교반한다. 반응액은 실리카겔 및 규조토를 통해 불용성 고체를 제거하고 여액은 스핀 건조하여 화합물 7(22g)을 수득한다. 수득한 생성물은 곧바로 다음 반응에 사용한다.
CPD 18의 합성:
화합물 7(3.41g, 3mmol, 1.0eq) 및 2-페닐피리딘(2-phenylpyridine)(1.4g, 9mmol, 3.0eq)을 무수 에탄올(100ml)에 용해시키고, 첨가가 완료되면 혼합액을 N2 보호 작용 하에서 80℃로 환류하여 16시간 동안 교반한 후 실온으로 냉각한다. 여과하고 여과 잔류물은 순차적으로 메탄올, n-헥산으로 3회 세척한다. 건조하여 표적 화합물 CPD 18(1.68g, 52%)을 수득한다. 1.68g CPD 18 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 18(1.24g, 73.8%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1078.36(M+H)
CPD 24의 합성:
화합물 CPD 18(2.15g, 2mmol, 1.0eq) 및 중수소화 에탄올(100ml)을 무수 THF(50ml)에 용해시키고, 첨가가 완료되면 혼합액을 N2 보호 작용 하에서 80℃로 환류하여 16시간 동안 교반한 후 실온으로 냉각한다. 여과하고 여과 잔류물은 순차적으로 메탄올, n-헥산으로 3회 세척한다. 건조하여 표적 화합물 CPD 24(2.15g, 99%)를 수득한다. 2.15g CPD 24 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 24(1.54g, 71.6%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1078.36(M+H)
CPD 19의 합성:
CPD 24의 합성 방법과 동일하게 표적 화합물 CPD 19(1.88g, 99%)를 수득한다. 1.88g CPD 19 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 19(1.42g, 75.5%)를 수득한다. 질량 스펙트럼: 1028.38(M+H)
CPD 22의 합성:
CPD 24의 합성 방법과 동일하게 표적 화합물 CPD 22(2.35g, 99%)를 수득한다. 2.35g CPD 22 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 22(1.64g, 69.9%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1113.47(M+H)
CPD 23의 합성:
CPD 24의 합성 방법과 동일하게 표적 화합물 CPD 23(2.52g, 99%)을 수득한다. 2.52g CPD 23 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 23(1.92g, 76.2%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 1065.38(M+H)
실시예 3
CPD 79의 합성:
화합물 9의 합성:
화합물 8(29.1g, 0.12mol, 1.2eq), 1-클로로이소퀴놀린(16.3g, 0.1mol, 1.0eq)와 Cs2CO3(97.5g, 0.3mol, 3.0eq) 및 Pd(dppf)Cl2(3.655g, 0.05mol, 0.05eq)를 플라스크에 넣고, 무수 톨루엔 1L를 첨가해 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각하고 농축하여 유기 용매를 제거하고, 잔류물에 1L 디클로로메탄과 1L 물을 첨가하고, 교반하여 분층한다. 유기상은 순차적으로 H2O(500ml*3) 및 포화 염화나트륨 수용액(500ml*3)으로 세척하고, 황산나트륨으로 건조한 후 여과하고 여액을 농축하여 유기 용매를 제거한다. 회백색 고체를 수득하고, 고체는 칼럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 9(23.41g, 수율 72.1%)를 수득한다. 질량 스펙트럼: 326.1(M+H),1HNMR: 8.51(d,1H), 7.71-7.82(m,5H), 7.50-7.60(m,3H),7.30-7.4(m,2H), 7.10(d,1H),2.21(s,3H).
화합물 10의 합성:
화합물 9(19.5g, 0.06mol, 3.0eq), IrCl3 3H2O(7.04g, 0.02mol, 1.0eq)를 플라스크에 넣고 2-에톡시에탄올(133.4ml) 및 탈이온수(66.7ml)에 첨가하며, 혼합액은 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각시킨 후, 여과하고 여과 잔류물은 순차적으로 메탄올(100ml*3), n-헥산(100ml*3)을 이용하며 건조하여 화합물 3(8.54g, 48.6%)을 수득한다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
CPD 79의 합성:
CPD 1의 합성 및 정제와 동일한 방법으로 표적 화합물 CPD 79(3.26g, 46.8%)를 수득한다. 3.26g CPD 79 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 79(2.33g, 71.6%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 941.18(M+H)
실시예 4
CPD 80의 합성:
화합물 12의 합성:
화합물 11(30.3g, 0.12mol, 1.2eq), 1-클로로이소퀴놀린(16.3g, 0.1mol, 1.0eq)과 Cs2CO3(97.5g, 0.3mol, 3.0eq) 및 Pd(dppf)Cl2(3.655g, 0.05mol, 0.05eq)를 플라스크에 넣고, 무수 톨루엔 1L를 첨가해 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각하고 농축하여 유기 용매를 제거하고, 잔류물에 1L 디클로로메탄과 1L 물을 첨가하고, 교반하여 분층시킨다. 유기상은 순차적으로 H2O(500ml*3) 및 포화 염화나트륨 수용액(500ml*3)으로 세척하고, 황산나트륨으로 건조한 후 여과하고 여액을 농축하여 유기 용매를 제거한다. 회백색 고체를 수득하고, 고체는 칼럼 크로마토그래피로 분리하여 화합물 12(21.34g, 수율 63.7%)를 수득한다. 질량 스펙트럼: 336.17(M+H),1HNMR:8.51(d,1H), 7.71-7.82(m,5H), 7.50-7.60(m,3H),7.30-7.4(m,2H), 7.10(d,1H), 2.32(s,3H) ,1.67(s,6H).
화합물 13의 합성:
화합물 12(20.1g, 0.06mol, 3.0eq), IrCl3 3H2O(7.04g, 0.02mol, 1.0eq)를 플라스크에 넣고 2-에톡시에탄올(133.4ml) 및 탈이온수(66.7ml)에 첨가하며, 혼합액은 N2 보호 작용 하에서 110℃로 교반하여 16시간 동안 환류시킨다. 실온으로 냉각시킨 후, 여과하고 여과 잔류물은 순차적으로 메탄올(100ml*3), n-헥산(100ml*3)을 이용하며 건조하여 화합물 3(8.96g, 49.9%)을 수득한다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
CPD 80의 합성:
CPD 1의 합성 및 정제와 동일한 방법으로 표적 화합물 CPD 80(3.54g, 47.9%)을 수득한다. 3.54g CPD 80 조생성물을 승화 정제하여 생화학적으로 순수한 CPD 80(2.45g, 69.2%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 961.33(M+H)
대응하는 재료를 선택하고, 동일 유사 방법을 이용해 합성, 승화에 사용하여 다른 화합물을 수득할 수 있다.
응용예: 유기 전계 발광 소자의 제작
50mm*50mm*1.0mm이고 ITO(100nm) 투명 전극을 가진 유리 기판을 에탄올에서 10분 동안 초음파 세척한 다음 150도에서 건조한 후 30분 동안 N2 플라즈마 처리를 수행한다. 세척한 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더 상에 장착한다. 먼저 다시 투명 전극선 일측이 있는 면에 투명 전극 코팅 방식에 따라 화합물 HATCN을 증착하여, 막 두께가 5nm인 박막을 형성하고, 이어서 한 층의 HTM1을 증착하여 60nm 두께의 박막을 형성한 후, HTM1 박막 상에 한 층의 HTM2를 증착하여 두께가 10nm인 박막을 형성한다. 그 다음 HTM2 막층 상에 다시 공증착의 모드를 채택하여 호스트 재료 CBP와 도핑 화합물(비교 화합물 X, CPD X)을 증착하며, 막 두께는 30nm이고, 호스트 재료와 도핑 재료 비율은 90%:10%이다. 발광층 상이 다시 순차적으로 ALQ3 막층(25nm) LiF 막층(1nm)을 증착한 후, 마지막으로 한 층의 금속 Al(100nm)을 전극으로 증착한다.
평가: 상기 소자에 대해 소자 성능 테스트를 수행하였으며, 각 실시예와 비교예에서 정전류 전원(Keithley 2400)을 사용하고 고정된 전류 밀도가 발광 소자를 흐르도록 하며 분광 복사계(CS 2000)를 사용하여 발광 파장 스펙트럼을 테스트하였다. 동시에 전압값과 테스트 밝기가 초기 밝기의 90%인 시간(LT90)을 측정하였다. 결과는 하기와 같다.
상기 표의 데이터 비교에서 알 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 도펀트로 사용한 유기 전계 발광 소자는 비교 화합물에 비해 구동 전압, 발광 효율 및 소자 수명 측면에서 모두 더욱 우수한 성능을 나타낸다.
승화 온도 비교: 승화 온도는 10-7Torr의 진공도에서 증착 속도가 초당 1옹스트롬에 대응하는 온도로 정의된다. 테스트 결과는 하기와 같다.
상기 표의 데이터 비교에서 알 수 있듯이, 본 발명의 화합물은 승화 온도가 비교적 낮아 산업화 응용에 유리하다.
상기 결과는 본 발명의 화합물이 승화 온도가 비교적 낮고 광화학적 및 전기화학적 안정성이 높으며 색포화도와 발광 효율이 높고 소자 수명이 긴 장점이 있어 유기 전계 발광 소자에 응용할 수 있음을 나타낸다. 특히 적색 발광 도펀트로서 OLED 산업에 응용할 가능성이 있다.
Claims (20)
- 유기 금속 화합물에 있어서,
구조식은 식 I에 도시된 바와 같고,
여기에서 A1-A4 중 하나는 C-C 결합과 E 고리 연결이고, 하나는 C-M 결합과 금속 M 연결이고, 하나는 CR3이고, 다른 하나는 CR0 또는 N이고; A5-A8 중 하나는 CR4이고, 다른 3개는 독립적으로 CR0 또는 N으로 표시되고; M은 원자량이 40보다 큰 금속이고;
여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 아미노, 치환 또는 비치환된 C1-C10 실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C1-C8 헤테로아릴, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택되고, 여기에서 상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br, C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C3-C6 시클로알킬, C1-C4 알킬 치환된 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노이고, 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아니고;
여기에서 Z는 독립적으로 O, S, Se, C(R)2, Si(R)2, NR, BR, POR로부터 선택되고; 여기에서 R은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 C1-C10의 알킬 또는 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C2-C30의 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C1-C18 헤테로아릴로부터 선택되고;
여기에서, X-Y는 1가 음이온형 2좌 리간드이고, 여기에서 a와 b의 합은 금속 M의 원자가 상태와 동일한 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제1항에 있어서,
X-Y는 OO형, CN형 리간드이며; M은 Os, Ir, Pt, Pd, Ru, Rh, Au 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제2항에 있어서,
하기 식 II의 구조를 갖고,
여기에서 n은 1 내지 2의 양의 정수이고, 여기에서 A는 CR0 또는 N이고, 여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C10 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 실릴, C1-C4 알킬 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아릴 또는 헤테로아릴로부터 선택되고; 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아닌 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제3항에 있어서,
A는 CH인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제3항에 있어서,
A는 N인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제5항에 있어서,
R3 치환기는 N의 인접 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제5항에 있어서,
R3은 D 또는 4개 미만 탄소 원자의 알킬인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제7항에 있어서,
R3은 적어도 하나의 D의 알킬을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제8항에 있어서,
R3은 CD3인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제3항에 있어서,
R4 치환기 위치는 금속 Ir-탄소 결합의 인접 위치인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제3항에 있어서,
R4 치환기 위치는 금속 Ir-탄소 결합의 대향 위치인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제1항 내지 제11항에 있어서,
Z는 O, S, NR, C(R)2이고; 여기에서 R은 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8의 알킬로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제12항에 있어서,
X-Y와 좌변의 리간드는 다른 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제13항에 있어서,
X-Y는 1, 3-디온(dione)류 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제15항에 있어서,
Z는 O, S, C(R)2이고, R1-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 C1-C4 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아랄킬, C1-C4 알킬 치환된 또는 비치환된 C1-C8 아릴 또는 헤테로아릴로부터 선택되고; 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아닌 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 제16항에 있어서,
R1-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 C1-C4 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 페닐 치환된 C1-C4 알킬, C1-C4 알킬 치환된 페닐로부터 선택되고; 여기에서 R3, R4 중 적어도 하나는 수소가 아닌 것을 특징으로 하는 유기 금속 화합물. - 유기 전계 발광 소자에서 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 응용.
- 제19항에 있어서,
제1항 내지 제18항에 따른 화합물을 발광층 중 인광 호스트 재료의 도핑 재료로 사용하는 응용.
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