KR20230091090A - 금속 착물 및 이의 응용 - Google Patents

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리앙리앙 옌
레이 다이
리페이 차이
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쓰추안 에이쥐-레이 뉴 머터리얼즈 컴퍼니 리미티드
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Abstract

금속 착물 및 이의 응용에 관한 것이다. 상기 금속 착물은 식 (I)로 표시되는 구조를 갖는다. 상기 금속 착물은 광전열 안정성이 우수하고, 발광 효율이 높으며, 수명이 길고, 색포화도가 높은 등의 장점이 있으며, 유기 발광 소자, 특히 녹색 발광 인광 재료로 사용될 수 있어, AMOLED 산업에 적용 가능성이 있다.
Figure pct00054

Description

금속 착물 및 이의 응용
본 발명은 유기 전계 발광 기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 전계 발광 소자 기술 분야에 관한 것이며, 특히 금속 착물 및 유기 전계 발광 소자에서 이의 응용에 관한 것이다.
현재 차세대 디스플레이 기술로서 유기 전계 발광 소자(OLED)는 디스플레이 및 조명 기술 측면에서 점점 더 많은 주목을 받고 있으며 응용 전망이 매우 밝다. 그러나 시장의 응용 수요를 감안하면 OLED 소자의 발광 효율, 구동 전압, 사용 수명 등 성능이 계속 강화되고 개선될 필요가 있다.
일반적으로 OLED 소자의 기본 구조는 금속 전극 중간에 각종 상이한 기능의 유기 기능 재료 박막이 끼워져 있는 샌드위치와 같은 구조이다. 전류의 구동 하에서 양극과 음극의 양극으로부터 각각 정공과 전자를 주입하고, 정공과 전자는 한 구간의 거리를 이동한 후 발광층에서 복합되어 빛 또는 열의 형태로 방출됨으로써 OLED가 발광하게 된다. 그러나 유기 기능 재료는 유기 전계 발광 소자의 핵심 구성 부분이며, 재료의 열 안정성, 광화학적 안정성, 전기화학적 안정성, 양자 수율, 박막 형성 안정성, 결정성, 색포화도 등은 소자 성능 구현에 영향을 미치는 주요 요인이다.
일반적으로 유기 기능 재료에는 형광 재료와 인광 재료가 포함된다. 형광 재료는 통상적으로 유기 소분자 재료이며, 일반적으로 25% 일중항 발광만 이용하므로 발광 효율이 비교적 낮다. 인광 재료는 중원자 효과(heavy atom effect)에 의한 스핀 궤도 결합 작용으로 인해, 25% 일중항을 이용하는 것 이외에도 75% 삼중항 여기자의 에너지를 이용할 수 있으므로 발광 효율이 향상될 수 있다. 그러나 형광 재료에 비해 인광 재료는 개발이 비교적 늦었고 재료의 열 안정성, 수명, 색포화도 등이 모두 개선될 필요가 있으므로 다소 어려운 과제이다. 종래 기술에서 현재 각종 유기 금속 화합물을 인광 재료로 개발한 사람들이 이미 있다. 그러나 시장에서는 여전히 유기 전계 발광 소자의 성능을 더욱 향상시키는 새로운 물질을 개발할 필요가 있다.
본 발명은 성능이 향상된 유기 전계 발광 소자 및 이러한 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있는 신규 재료를 제공한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위하여 심도 있게 연구한 결과, 하기 식 (1)로 표시되는 구조를 리간드로 사용한 금속 착물을 사용함으로써 고성능의 유기 전계 발광 소자를 획득할 수 있음을 발견하였다.
본 발명의 목적 중 하나는 승화 온도가 비교적 낮고 광전 화학 안정성이 우수하며 색포화도가 높고 발광 효율이 높으며 소자 수명이 긴 장점 등을 가지고 있어 유기 전계 발광 소자에 응용할 수 있는 금속 착물을 제공하는 데에 있다. 특히 녹색 발광 도펀트로서 OLED 산업에 응용할 가능성이 있다.
금속 착물에 있어서, 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는다.
Figure pct00001
여기에서 R1-R18 중 적어도 하나는 식 (2)로 표시되는 구조이다.
Figure pct00002
여기에서,
*는 식 (1)과 연결되는 위치를 나타낸다.
M은 독립적으로 Pt, Pd이다.
X는 독립적으로 O, S, Se, CRaRb를 나타낸다.
L1-L3은 각각 독립적으로 직접 결합 단일 결합, O, S, Se, NRc, CRdRe, SO, SO2, PO(Rf)(Rg)로부터 선택된다.
L4는 단일 결합, O, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬렌, 치환된 또는 비치환된 C2-C20 알케닐렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 이민이다.
나머지 R1-R18, R101-R102 및 Ra-Rg는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환된 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택된다. 또는 임의 2개의 인접한 기 사이가 상호 연결되어 고리형 구조 또는 축합 고리 구조를 형성한다. 상기 치환은 듀테륨, 할로겐, C1-C4 알킬, 시아노에 의한 치환이다.
R101, R102의 치환 수는 독립적으로 무치환 내지 최대 치환 수를 나타낸다.
바람직하게는, 이는 식 (3)으로 표시되는 구조를 갖는다.
Figure pct00003
여기에서 R1-R18 중 적어도 하나는 식 (2)로 표시되는 구조이다.
Figure pct00004
여기에서 *, X, L4, R1-R18, R101-R102 및 Ra-Rb는 전술한 정의와 동일하다.
바람직하게는, 이는 식 (4)로 표시되는 구조를 갖는다.
Figure pct00005
여기에서,
X는 독립적으로 O, S, Se, CRaRb를 나타낸다.
L4는 단일 결합, O, 치환된 또는 비치환된 C1-C10 알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C2-C10 헤테로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C7-C20 아랄킬렌, 치환된 또는 비치환된 C2-C20 알케닐렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 이민이다.
R1, R2, R7, R8, R10, R11, R18, R101, R102, Ra 및 Rb는 전술한 정의와 동일하다.
바람직하게는, 여기에서 L4는 단일 결합, 0 및 하기 구조 중 하나이다.
Figure pct00006
여기에서,
*는 식(1) 및 식 (2)와 연결된 위치를 나타낸다.
Rx의 수는 무치환 내지 최대 치환 수를 나타내며, Rx가 다중 치환인 경우, 인접한 2개의 치환기가 서로 연결되어 고리형 또는 축합 고리 구조를 형성할 수 있다.
Rx 및 Ry는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환된 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노이다.
바람직하게는, 여기에서 R1, R2, R7, R8, R10, R11, R18, R101, R102, Ra, Rb, Rx 및 Ry는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C10 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C2-C20 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C8 알킬실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C10 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 헤테로아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 아릴실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C6의 아민, 시아노로부터 선택된다.
바람직하게는, 여기에서 R1, R2, R7, R8, R10, R11, R18, R101, R102, Ra, Rb, Rx 및 Ry는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 페닐알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C10 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 헤테로아릴로부터 선택된다.
바람직하게는, 여기에서 R18은 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 직쇄 탄소 원자 C1-C4 알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C6 시클로알킬이고, 상기 치환은 듀테륨 또는 할로겐으로 치환된다.
바람직하게는 R1 및 R2 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
바람직한 금속 착물에 있어서, 바람직하게는 하기 구조식 중 하나이다.
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
금속 착물의 전구체는 구체적으로 하기 구조를 갖는다.
Figure pct00017
여기에서 R1-R18 중 적어도 하나는 식 (2)로 표시되는 구조이다.
Figure pct00018
여기에서 R1-R18, R101, R102의 정의는 전술한 바와 같다.
본 발명의 목적 중 하나는 전계 발광 소자를 제공하는 데에 있으며, 여기에는 음극, 양극 및 음극 양극 사이에 설치된 유기층이 포함된다. 상기 유기층 중 적어도 한 층은 금속 착물을 포함한다.
본 발명의 다른 목적은 전계 발광 소자를 제공하는 데에 있다. 여기에서 상기 유기층은 발광층을 포함하며, 상기 금속 착물은 발광층 중 재료, 특히 녹색 발광 재료로 사용된다.
본 발명의 또 다른 목적은 전계 발광 소자를 제공하는 데에 있다. 여기에서 상기 유기층은 정공 주입층을 포함하며, 상기 금속 착물은 정공 주입층 중 재료로 사용된다.
소자 결과는 본 발명의 화합물이 광전 화학 안정성이 높으며 색포화도와 발광 효율이 높고 소자 수명이 긴 장점이 있어 유기 전계 발광 소자에 응용할 수 있음을 나타낸다. 특히 녹색 인광 재료로서 OLED 산업에 응용될 가능성이 있다.
도 1은 화합물 A 39의 HNMR 스펙트럼이다.
도 2는 화합물 A 82의 HNMR 스펙트럼이다.
도 3은 화합물 A 39의 UV/PL 스펙트럼이다.
도 4는 화합물 A 82의 UV/PL 스펙트럼이다.
상기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명을 구체적으로 제한하는 것으로 이해될 수 없다.
본 발명의 화합물 합성에 언급된 원료와 용매 등은 모두 Alfa, Acros 등 당업자에게 공지된 공급 업체로부터 구매한다.
실시예 1 화합물 A1의 합성
중간체 A1-6의 합성
Figure pct00019
화합물 A1-2의 합성
1L 1구 플라스크에 A1-1(120g, 0.6mol, 1.0eq), 요오드(168.3g, 0.6mol, 1.0eq), 피리딘(600ml)을 순차적으로 첨가하고, 진공 펌핑하여 질소를 3회 치환하며, 환류되도록 승온시키고 밤새 반응시킨다. 반응으로 대량의 고체가 석출되었으며, 실온으로 냉각하고, 여과하며, 여과 케이크는 메탄올로 2회 헹구고, 총 200ml을 계산하여, 흡인 건조시킨 후 고체를 다시 메탄올로 2회 가열 슬러리화하며, 매회 200ml씩 수행한다. 고체를 수집하고, 건조하여 회백색 고체 A1-2(207.3g, 수율 85.1%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 405.0 (M+H).
화합물 A1-4의 합성
3L 3구 플라스크에 A1-3(96g, 0.63mol, 1.0eq), 벤즈알데히드(74.6g, 0.7mol, 1.1eq), 수산화칼륨(179.3g, 3.2mol, 4.0eq), 탈이온수(195ml), 메탄올(670ml)을 순차적으로 첨가하고, 진공 펌핑하여 질소를 3회 치환하며, 50℃까지 승온시켜 밤새 반응시킨다. 반응으로 대량의 고체가 석출되었으며, 실온으로 냉각하고, 여과하며, 고체를 수집하여 에틸아세테이트(500ml)에 첨가하고, 교반 및 용해시키며, 탈이온수를 첨가하고 물로 2회 헹구며, 매회 200ml씩 수행한다. 유기상은 소량이 남을 때까지 농축시키며, 메탄올(250ml)을 첨가하여 슬러리화 및 정제하고, 흡인 여과하며, 여과 케이크를 수집하여 건조시켜 백색 고체 A1-4(93.5g, 수율 61.4%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 239.2 (M+H)
화합물 A1-5의 합성
1L 3구 플라스크에 A1-4(80g, 0.33mol, 1.0eq), A1-2(135.6g, 0.33mol, 1.0eq), 아세트산암모늄(155.2g, 2.0mol, 6.0eq), 아세트산(350ml)을 순차적으로 첨가하고, 진공 펌핑하여 질소를 3회 치환하며, 환류되도록 승온시켜 밤새 반응시킨다. 실온으로 냉각하고, 농축하여 아세트산을 제거하며, 스핀 건조된 고체는 디클로로메탄(1.0L)에 첨가하고, 교반 및 용해시키며, 탈이온수를 첨가하여 물로 2회 헹구며, 매회 300ml로 수행한다. 유기상은 소량이 남을 때까지 농축시키며, 메탄올(250ml)을 첨가하여 결정화 및 정제를 수행하고, 흡인 여과하며, 고체를 수집한 다음 메탄올(300ml)로 2회 가열 슬러리화를 수행한다. 건조시켜 백색 고체 A1-5(119.6g, 수율 85.6%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 417.3 (M+H).
화합물 A1-6의 합성
1L 1구 플라스크에 순차적으로 화합물 A1-5(110.0g, 0.260mol, 1.0eq), 피나콜라토다이보론(80.5g, 0.31mol, 1.2eq), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II)([1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(II))(3.87g, 5.28mmol, 0.02eq), 아세트산칼륨(51.8g, 0.52mol, 2.0eq), 디옥산(900ml)을 첨가하고, 질소 치환 3회 후 100℃까지 가열하여 보온하며 6시간 동안 교반하며, TLC 모니터링(현상제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/10)에서, 원료 A1-5의 반응이 기본적으로 완료되었다. 반응액을 40℃까지 냉각시킨 후 규조토로 여과하고 소량의 디옥산으로 여과 케이크를 헹군다. 여액은 200ml로 감압농축하고, 메탄올(400ml)을 첨가하여 실온에서 2시간 동안 교반한 후 여과한다. 획득한 고체에 테트라히드로푸란/메탄올(100ml/200ml)로 2회 재결정을 수행하고, 여과 및 건조하여 회백색 고체 화합물 A1-6(84.1g, 수율 68.7%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 464.3 (M+H).
화합물 A 1의 합성
Figure pct00020
화합물 A1-7의 합성
하나의 3L 3구 플라스크에 화합물 A1-6(75.0g, 0.16mol, 1.0eq), 2,4-디클로로-6-메틸피리딘(2,4-dichloro-6-methylpyridine)(39.3g, 0.24mol, 1.5eq), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(9.35g, 8.09mmol, 0.05eq), 수산화나트륨(51.8g, 0.52mol, 3.0eq), 디옥산(650ml), 탈이온수(130ml)을 순차적으로 첨가하고, 질소로 3회 치환한 후 70℃까지 가열시키고, 보온하며 6시간 동안 교반하고, TLC 모니터링(현상제:디클로로메탄/n-헥산=1/10)에서, 원료 A1-6의 반응이 기본적으로 완료되었다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 계에 디클로로메탄(300mL)과 탈이온수(300mL)를 첨가하고, 추출하며, 유기상을 수집하여 실리카겔을 통과시킨 다음, 디클로로메탄(200mL)으로 실리카겔을 헹구고, 여액을 스핀 건조하여 획득한 고체를 톨루엔(150ml)/메탄올(350ml)에 첨가하여 3회 재결정을 수행하며, 건조시켜 백색 고체 화합물 A1-7(54.1g, 수율 72.3%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 464.0 (M+H).
화합물 A1-8의 합성
하나의 1L 3구 플라스크에 화합물 A1-7(10.5g, 22.6mol, 1.0eq), 디벤조푸란-4-보론산(dibenzofuran-4-boronic acid)(7.2g, 34.0mmol, 1.5eq), 디클로로-디-tert-부틸-(4-디메틸아미노페닐)포스핀 팔라듐(II)(dichloro-di-tert-butyl-(4-dimethylaminophenyl)phosphine palladium(II))(0.24g, 0.34mmol, 0.015eq), 인산삼칼륨(9.63g, 45.3mmol, 2.0eq), 디옥산(300ml), 탈이온수(100ml)을 순차적으로 첨가하고, 질소로 3회 치환한 후 60℃까지 가열시키고, 보온하며 3시간 동안 교반하고, TLC 모니터링(현상제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/20)에서, 원료 A1-7의 반응이 기본적으로 완료되었다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 계에 디클로로메탄(200mL)과 탈이온수(100mL)를 첨가하고, 추출하며, 유기상을 수집하여 스핀 건조하고, 칼럼 크로마토그래피를 수행하여 정제하며(용출제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/40), 건조시켜 백색 고체 화합물 A1-8(10.6g, 수율 79.1%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 595.7 (M+H).
화합물 A1-9의 합성
A1-8(10.6g, 17.8mmol, 1.0eq), 피리딘 하이드로클로라이드(98.8g, 0.85mol, 48eq)을 500mL 1구 플라스크에 첨가한 후, 디클로로벤젠(24ml)을 넣고 교반하며 질소 치환을 3회 실시하고 온도를 190℃로 상승시켜 2.5시간 반응 후 TLC 모니터링(현상제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/3)에서 원료 반응이 종료되었고, 반응을 실온으로 냉각시킨다. 반응에 포화 중탄산나트륨 용액(120ml) 및 톨루엔(120ml)을 첨가하고, 교반하여 용해시키며 분액하고, 유기상은 다시 물로 2회(150ml/회)로 세척하며, 유기상을 수집하고 스핀 건조시킨다. 조 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(용출제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/20)로 정제하고 건조하여 황색 고체 A1-9(8.33g, 수율 80.5%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 581.2(M+H).
화합물 A 1의 합성
1L 1구 플라스크에 A1-9(6.5g, 11.19mmol, 1.0eq), 디포타슘 테트라클로로플라티네이트(8.11g, 17.35mmol, 1.55eq), 테트라부틸 암모늄 브로마이드(541mg, 1.68mmol, 0.15eq) 및 아세트산(650ml)을 투입한다. 진공에서 질소 치환을 3회 실시하고, 질소 보호 하에서 125℃로 가열하며, 72시간 동안 반응시킨다. TLC 모니터링(현상제: 디클로로메탄/n-헥산=1/2)에서 원료 A1-9 반응이 완료되었고 반응이 실온으로 강하된다. 반응액을 탈이온수(650ml)가 담긴 비이커에 넣고 교반하여 고체를 석출시킨 후 여과하여 고체를 수집한다. 조 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(용출제: 디클로로메탄/n-헥산=1/8)로 분리하고, 수득한 등황색 고체는 다시 디클로로메탄(60ml)/메탄올(80ml)로 1회 재결정하여, 등황색 화합물 A 1(5.23g, 수율 60.3%)을 수득한다. 5.23g A 1 조 생성물을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 1(3.64g, 수율 69.5%)을 수득한다. 질량 스펙트럼: 774.2 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ 8.65 (s, 1H), 8.44 (s, 1H), 8.23 (d, J = 30.0 Hz, 4H), 8.12 - 7.94 (m, 3H), 7.72 (d, J = 25.0 Hz, 3H), 7.58 - 7.22 (m, 10H), 6.97 (s, 1H), 3.27 (s, 3H).
실시예 2 화합물 A 3의 합성
Figure pct00021
화합물 A3-2의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 671.8(M+H).
화합물 A3-3의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 657.8(M+H).
화합물 A 3의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 3(4.66g, 수율 59.4%)를 수득한다. 4.66g의 조 생성물 A 3을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 3(2.91g, 수율 61.4%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 850.8 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3)δ 8.64 (s, 1H), 8.42 (s, 1H), 8.24 (d, J = 30.0 Hz, 4H), 8.05 (d, J = 30.0 Hz, 4H), 7.72 (d, J = 25.0 Hz, 3H), 7.59 - 7.34 (m, 11H), 7.29 (d, J = 5.0 Hz, 2H), 6.98(s, 1H), 3.28 (s, 3H).
실시예 3 화합물 A 28의 합성
중간체 A 28-4의 합성
Figure pct00022
화합물 A28-2의 합성
화합물 A1-4의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 257.3(M+H).
화합물 A28-3의 합성
화합물 A1-5의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 435.3 (M+H).
화합물 A28-4의 합성
화합물 A1-5의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 482.4 (M+H).
화합물 A 28의 합성
Figure pct00023
화합물 A28-5의 합성
화합물 A1-7의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 482.0 (M+H).
화합물 A28-6의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 595.7 (M+H)
화합물 A28-9의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 599.7 (M+H)
화합물 A 28의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 동시에 중수소화 아세트산을 반응 용매로 사용하여, 등황색 화합물 A 28(4.24g, 수율 64.1%)을 수득한다. 4.24g의 조 생성물 A 28을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 28(2.64g, 수율 62.2%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 871.8 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.43 (d, J = 10.0 Hz, 2H), 8.23 (d, J = 30.0 Hz, 4H), 8.05 (d, J = 30.0 Hz,4H), 7.72 (d, J = 25.0 Hz, 3H), 7.57 - 7.34 (m, 11H), 7.09 (d, J = 35.0 Hz, 2H).
실시예 4 화합물 A 39의 합성
중간체 A 39-3의 합성
Figure pct00024
화합물 A39-1의 합성
화합물 A1-4의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 257.3(M+H).
화합물 A39-2의 합성
화합물 A1-5의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 435.3 (M+H).
화합물 A39-3의 합성
화합물 A1-5의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 482.4 (M+H).
화합물 A 39의 합성
Figure pct00025
화합물 A39-4의 합성
화합물 A1-7의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 576.2(M+H).
화합물 A39-5의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 784.0 (M+H).
화합물 A39-6의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 770.0 (M+H).
화합물 A 39의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 동시에 중수소화 아세트산을 반응 용매로 사용하여, 등황색 화합물 A 39(4.37g, 수율 67.4%)를 수득한다. 4.37g의 조 생성물 A 39를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 39(2.66g, 수율 60.8%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 963.0 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.22 (d, J = 15.9 Hz, 2H), 7.98 (dt, J = 15.0, 7.3 Hz, 5H), 7.84 - 7.65 (m,5H), 7.64 - 7.31 (m, 11H), 7.18 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 6.69 (t, 1H), 3.28 (s, 3H), 1.52 (d, J = 44.0 Hz, 18H).
실시예 5 화합물 A 71의 합성
Figure pct00026
화합물 A71-2의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 687.9 (M+H).
화합물 A71-3의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 672.8(M+H).
화합물 A 71의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 71(4.37g, 수율 56.2%)를 수득한다. 4.37g의 조 생성물 A 71를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 71(2.4g, 수율 54.9%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 866.9 (M+H). H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.63 (s, 1H), 8.53 (s, 2H), 8.41 (s, 1H), 8.37 - 8.17 (m, 6H), 7.72 (d, J = 25.0 Hz, 3H), 7.55 - 7.37 (m, 11H), 7.29 (d, J = 5.0 Hz, 2H), 7.01 (s, 1H), 3.28 (s, 3H).
실시예 6 화합물 A 82의 합성
Figure pct00027
화합물 A82-1의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 724.0 (M+H).
화합물 A82-2의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 710.0 (M+H).
화합물 A 82의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 82(3.97g, 수율 63.7%)를 수득한다. 3.97g의 조 생성물 A 82를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 82(2.58g, 수율 64.9%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 903.0 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.22 (s, 1H), 8.18 (d, J = 5.9 Hz, 2H), 7.98 (d, J = 7.7 Hz, 1H), 7.88 (s, 1H), 7.85 - 7.78 (m, 1H), 7.71 - 7.41 (m, 10H), 7.39 - 7.32 (m, 1H), 7.31 - 7.23 (m, 2H), 7.19 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 6.67 (t, J = 6.8 Hz, 1H), 3.27 (s, 3H), 1.59 (s, 18H).
실시예 7 화합물 A 89의 합성
Figure pct00028
화합물 A89-2의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 645.8 (M+H).
화합물 A89-3의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 631.7 (M+H).
화합물 A 89의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 89(3.57g, 수율 56.7%)를 수득한다. 3.57g의 조 생성물 A 89를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 89(2.16g, 수율 60.5%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 824.8 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.66(s, 1H), 8.45 (s, 1H), 8.24 (d, J = 30.0 Hz, 4H), 8.13 - 7.95 (m, 3H), 7.73 (d, J = 25.0 Hz, 3H), 7.58 - 7.22 (m, 10H), 6.99 (s, 1H), 3.28(s, 3H).
실시예 8 화합물 A 100의 합성
Figure pct00029
화합물 A100-2의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 858.1 (M+H).
화합물 A100-3의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 844.1(M+H)
화합물 A 100의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 100(4.12g, 수율 58.8%)을 수득한다. 4.12g의 조 생성물 A 100을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 100(2.59g, 수율 62.86%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1037.2 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.66 (s, 1H), 8.44 (s, 1H), 8.22(d, J = 30.0 Hz, 4H), 8.11 (s, 1H), 7.90 (s, 1H), 7.83 - 7.66 (m, 4H), 7.54 - 7.38 (m, 4H), 7.37 - 7.14 (m, 10H), 7.10 (s, 4H), 6.99 (s, 1H), 3.28 (s, 3H), 1.60 (s, 18H).
실시예 9 화합물 A 111의 합성
Figure pct00030
화합물 A111-1의 합성:
화합물 A1-6의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 555.5 (M+H)
화합물 A111-2의 합성
하나의 500ml 3구 플라스크에 화합물 A111-1(11.5g, 20.7mol, 1.0eq), 2,5-디브로모푸란(7.03g, 31.1mmol, 1.5eq), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II)(0.3g, 0.41mmol, 0.02eq), 탄산칼륨(5.73g, 41.8mmol, 2.0eq), 톨루엔(115ml), 에탄올(25ml), 탈이온수(25ml)를 순차적으로 첨가하고, 질소로 3회 치환한 후 65℃까지 가열시키고, 보온하며 6시간 동안 교반하고, TLC 모니터링(현상제: 디클로로메탄/n-헥산=1/15)에서, 원료 A111-1의 반응이 기본적으로 완료되었다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 계에 디클로로메탄(150mL)과 탈이온수(100mL)를 첨가하여, 추출하고, 유기상을 수집하여 스핀 건조한다. 조 생성물은 실리카겔 칼럼 크로마토그래피로 분리하여(용출제: 디클로로메탄/n-헥산=1/40), 회백색 고체 A111-2(7.46g, 수율 62.7%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 574.5 (M+H).
화합물 A111-4의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 745.9(M+H).
화합물 A111-5의 합성
화합물 A1-9의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 731.7 (M+H).
화합물 A 111의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 111(3.75g, 수율 61.1%)를 수득한다. 3.75g의 조 생성물 A 111를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 111(2.17g, 수율 57.8%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 916.9(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.65 (s, 1H), 8.32 - 8.17 (m, 5H), 8.05 (d, J = 30.0 Hz, 2H), 7.81 - 7.66 (m, 5H), 7.62 - 7.37 (m, 11H), 7.29 (d, J = 5.0 Hz, 2H), 7.05 (s, 2H), 6.99 (s, 1H), 3.28 (s, 3H)
실시예 10: 화합물 A 125의 합성
Figure pct00031
화합물 A125-2의 합성
화합물 A111-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 624.5 (M+H).
화합물 A125-3의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 711.8(M+H).
화합물 A125-4의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 697.8(M+H).
화합물 A 125의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 125(3.93g, 수율 59.3%)를 수득한다. 3.93g의 조 생성물 A 125를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 125(2.28g, 수율 58.0%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 890.9 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.64 (s, 1H), 8.32 - 8.17 (m, 5H), 7.98 (s, 2H), 7.81 - 7.67 (m, 6H), 7.61 - 7.45 (m, 5H), 7.46 - 7.24 (m, 8H), 6.98 (s,1H),3.27 (s, 3H).
실시예 11 화합물 A 168의 합성
Figure pct00032
화합물 A168-1의 합성
화합물 A111-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 590.5 (M+H)
화합물 A168-2의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 826.0 (M+H).
화합물 A168-3의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 811.0 (M+H).
화합물 A 168의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 168(4.22g, 수율 63.1%)을 수득한다. 4.22g의 조 생성물 A 168을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 168(2.69g, 수율 63.7%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1005.1 (M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.66(s, 1H), 8.31 - 8.18 (m, 5H), 8.09 (s, 1H), 7.90 (d, J = 5.0 Hz, 6H), 7.82 - 7.65 (m, 5H), 7.54 - 7.18 (m, 14H), 6.99 (s, 1H), 3.28(s, 3H).
실시예 12 화합물 A 197의 합성
Figure pct00033
화합물 A197-2의 합성
화합물 A111-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 637.6 (M+H).
화합물 A197-3의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 724.9 (M+H).
화합물 A197-4의 합성
화합물 A1-8의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 710.8 (M+H).
화합물 A 197의 합성
화합물 A 1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 등황색 화합물 A 197(3.67g, 수율 55.8%)을 수득한다. 3.67g의 조 생성물 A 197를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A 197(2.08g, 수율 56.6%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 903.9 (M+H). H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.67 (s, 1H), 8.33 - 8.17 (m, 5H), 7.98 (s, 1H), 7.75 (dd, J = 30.0, 15.0 Hz, 6H), 7.61 - 7.23 (m, 12H), 7.01 (d, J = 45.0 Hz, 2H), 3.82 (s, 3H), 3.27 (s, 3H).
응용예: 유기 전계 발광 소자의 제작
50mm*50mm*1.0mm이고 ITO(100nm) 투명 전극을 가진 유리 기판을 에탄올에서 10분 동안 초음파 세척한 다음 150도에서 건조한 후 30분 동안 N2 플라즈마 처리를 수행한다. 세척한 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더 상에 장착한다. 먼저 다시 투명 전극선 일측이 있는 면 상에 투명 전극 코팅 방식에 따라 화합물 HATCN을 증착하여, 막 두께가 5nm인 박막을 형성하고, 이어서 한 층의 HTM1를 증착하여 60nm 두께의 박막을 형성한 후, HTM1 박막 상에 한 층의 HTM2를 증착하여 두께가 10nm인 박막을 형성한다. 그 다음 HTM2 막층 상에 다시 공증착의 모드를 채택하여 호스트 재료 1, 호스트 재료 2와 도핑 화합물(비교 화합물 X, CPD X)을 증착하며, 막 두께는 30nm이고, 호스트 재료와 도핑 재료 비율은 45%:45%:10%이다. 발광층 상에 다시 순차적으로 ETL 막층(25nm) LiQ 막층(1nm)을 증착한 후, 마지막으로 한 층의 금속 Al(100nm)을 전극으로 증착한다.
Figure pct00034
평가:
상기 소자에 대해 소자 성능 테스트를 수행하였으며, 각 실시예와 비교예에서 정전류 전원(Keithley 2400)을 사용하고 고정된 전류 밀도가 발광 소자를 흐르도록 하며 분광 복사계(CS 2000)를 사용하여 발광 파장 스펙트럼을 테스트하였다. 동시에 전압값과 테스트 밝기가 초기 밝기의 90%인 시간(LT90)을 측정하였다. 결과는 하기와 같다.
Figure pct00035
상기 표의 데이터 비교에서 알 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 녹색광 도펀트로 사용한 유기 전계 발광 소자는 비교 화합물에 비해 구동 전압, 발광 효율 및 소자 수명 측면에서 모두 더욱 우수한 성능을 나타낸다.
상기 결과는 본 발명의 화합물이 광전 화학 안정성이 높으며 색포화도와 발광 효율이 높고 소자 수명이 긴 장점이 있어 유기 전계 발광 소자에 응용할 수 있음을 나타낸다. 특히 녹색 인광 재료로서 OLED 산업에 응용될 가능성이 있다.

Claims (12)

  1. 금속 착물에 있어서,
    식 (1)로 표시되는 구조를 갖고;
    Figure pct00036

    여기에서 R1-R18 중 적어도 하나는 식 (2)로 표시되는 구조이고;
    Figure pct00037

    여기에서,
    *는 식 (1)과 연결되는 위치를 나타내고;
    M은 독립적으로 Pt, Pd이고;
    X는 독립적으로 O, S, Se, CRaRb를 나타내고;
    L1-L3은 각각 독립적으로 직접 결합 단일 결합, O, S, Se, NRc, CRdRe, SO, SO2, PO(Rf)(Rg)로부터 선택되고;
    L4는 단일 결합, O, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬렌, 치환된 또는 비치환된 C2-C20 알케닐렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 이민이고;
    나머지 R1-R18, R101-R102 및 Ra-Rg는 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환된 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택된다. 또는 임의 2개의 인접한 기 사이가 상호 연결되어 고리형 구조 또는 축합 고리 구조를 형성한다. 상기 치환은 듀테륨, 할로겐, C1-C4 알킬, 시아노에 의한 치환이고;
    R101, R102의 치환 수는 독립적으로 무치환 내지 최대 치환 수를 나타내는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
  2. 제1항에 있어서,
    식 (3)으로 표시되는 구조를 갖고;
    Figure pct00038

    여기에서 R1-R18 중 적어도 하나는 식 (2)로 표시되는 구조이고;
    Figure pct00039

    여기에서 *, X, L4, R1-R18, R101-R102 및 Ra-Rb는 전술한 정의와 동일한 것을 특징으로 하는 금속 착물.
  3. 제2항에 있어서,
    이는 식 (4)로 표시되는 구조를 갖고;
    Figure pct00040

    여기에서,
    X는 독립적으로 O, S, Se, CRaRb를 나타내고;
    L4는 단일 결합, O, 치환된 또는 비치환된 C1-C10 알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C2-C10 헤테로알킬렌, 치환된 또는 비치환된 C7-C20 아랄킬렌, 치환된 또는 비치환된 C2-C20 알케닐렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴렌, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴렌실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 이민이고;
    R1, R2, R7, R8, R10, R11, R18, R101, R102, Ra 및 Rb는 전술한 정의와 동일한 것을 특징으로 하는 금속 착물
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    여기에서 L4는 단일 결합, 0 및 하기 구조 중 하나이고;
    Figure pct00041

    여기에서,
    *는 식(1) 및 식 (2)와 연결된 위치를 나타내고;
    Rx의 수는 무치환 내지 최대 치환 수를 나타내며, Rx가 다중 치환인 경우, 인접한 2개의 치환기가 서로 연결되어 고리형 또는 축합 고리 구조를 형성할 수 있고;
    Rx 및 Ry는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C20 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환된 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노인 것을 특징으로 하는 금속 착물.
  5. 제4항에 있어서,
    여기에서 R1, R2, R7, R8, R10, R11, R18, R101, R102, Ra, Rb, Rx 및 Ry는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C10 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C2-C20 알케닐, 치환된 또는 비치환된 C3-C8 알킬실릴, 치환된 또는 비치환된 C6-C10 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 헤테로아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 아릴실릴, 치환된 또는 비치환된 C0-C6의 아민, 시아노로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
  6. 제5항에 있어서,
    여기에서 R1, R2, R7, R8, R10, R11, R18, R101, R102, Ra, Rb, Rx 및 Ry는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C8 헤테로알킬, 치환된 또는 비치환된 페닐알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C10 아릴, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 헤테로아릴로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
  7. 제6항에 있어서,
    여기에서 R18은 듀테륨, 치환된 또는 비치환된 직쇄 탄소 원자 C1-C4 알킬, 치환된 또는 비치환된 C1-C6 시클로알킬이고, 상기 치환은 듀테륨 또는 할로겐으로 치환되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
  8. 제6항에 있어서,
    여기에서 R1 및 R2 중 적어도 하나는 수소가 아닌 것을 특징으로 하는 금속 착물.
  9. 제1항에 있어서,
    하기 구조식 중 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 금속 착물.
    Figure pct00042

    Figure pct00043

    Figure pct00044

    Figure pct00045

    Figure pct00046

    Figure pct00047

    Figure pct00048

    Figure pct00049

    Figure pct00050

    Figure pct00051
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 금속 착물의 전구체에 있어서,
    구체적으로 하기 식 (5)의 구조를 갖고;
    Figure pct00052

    여기에서 R1-R18 중 적어도 하나는 식 (2)로 표시되는 구조이고;
    Figure pct00053

    여기에서 R1-R18, R101, R102의 정의는 전술한 바와 같은 것을 특징으로 하는 금속 착물의 전구체.
  11. 전계 발광 소자에 있어서,
    여기에는 음극, 양극 및 음극 양극 사이에 설치된 유기층이 포함되고, 상기 유기층 중 적어도 한 층은 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 금속 착물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    여기에서 상기 유기층은 발광층을 포함하며, 상기 금속 착물은 발광층 중 녹색 발광 재료로 사용되고; 또는
    여기에서 상기 유기층은 정공 주입층을 포함하며, 상기 금속 착물은 정공 주입층 중 정공 주입 재료로 사용되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
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