KR20210068314A - 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서 - Google Patents

도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서 Download PDF

Info

Publication number
KR20210068314A
KR20210068314A KR1020207005891A KR20207005891A KR20210068314A KR 20210068314 A KR20210068314 A KR 20210068314A KR 1020207005891 A KR1020207005891 A KR 1020207005891A KR 20207005891 A KR20207005891 A KR 20207005891A KR 20210068314 A KR20210068314 A KR 20210068314A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive paste
mass
acid
less
parts
Prior art date
Application number
KR1020207005891A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102569072B1 (ko
Inventor
가오리 나카이에
Original Assignee
스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 filed Critical 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Publication of KR20210068314A publication Critical patent/KR20210068314A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102569072B1 publication Critical patent/KR102569072B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)

Abstract

페이스트의 점도 안정성이 매우 우수하며, 또한, 페이스트의 분산성이 우수한 도전성 페이스트 등을 제공한다.
도전성 분말, 세라믹 분말, 분산제, 바인더 수지 및 유기 용제를 포함하는 도전성 페이스트로서, 분산제는, 분자량이 5000 이하인 제 1 산계 분산제 및 제 2 산계 분산제를 포함하고, 제 1 산계 분산제는, 분기 사슬을 1 개 이상 갖는 분기 탄화수소기를 갖는, 도전성 페이스트 등에 의해 제공.

Description

도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서
본 발명은, 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것이다.
휴대 전화나 디지털 기기 등의 전자 기기의 소형화 및 고성능화에 수반하여, 적층 세라믹 콘덴서 등을 포함하는 전자 부품에 대해서도 소형화 및 고용량화가 요망되고 있다. 적층 세라믹 콘덴서는, 복수의 유전체층과 복수의 내부 전극층이 교대로 적층된 구조를 갖고, 이들 유전체층 및 내부 전극층을 박막화함으로써, 소형화 및 고용량화를 도모할 수 있다.
적층 세라믹 콘덴서는, 예를 들어, 다음과 같이 제조된다. 먼저, 티탄산바륨 (BaTiO3) 등의 유전체 분말 및 바인더 수지를 함유하는 유전체 그린 시트의 표면 상에, 도전성 분말, 및 바인더 수지와 유기 용제 등을 포함하는 내부 전극용 페이스트를, 소정의 전극 패턴으로 인쇄한 것을, 다층으로 겹쳐 쌓음으로써, 내부 전극과 유전체 그린 시트를 다층으로 겹쳐 쌓은 적층체를 얻는다. 다음으로, 이 적층체를 가열 압착하여 일체화하고, 압착체를 형성한다. 이 압착체를 절단하고, 산화성 분위기 또는 불활성 분위기 중에서 탈유기 바인더 처리를 실시한 후, 소성을 실시하여, 소성 칩을 얻는다. 이어서, 소성 칩의 양단부에 외부 전극용 페이스트를 도포하고, 소성 후, 외부 전극 표면에 니켈 도금 등을 실시하여, 적층 세라믹 콘덴서가 얻어진다.
내부 전극층의 형성에 사용되는 도전성 페이스트는, 시간 경과적으로 점도가 증가하기 쉽다는 문제가 있다. 이 때문에, 인쇄 당초에는, 소망 점도로 유전체 그린 시트 상에 소정 두께의 전극 패턴을 형성할 수 있지만, 시간 경과와 함께 증점되어 가서, 인쇄 당초의 인쇄 조건으로는 기정 범위 내로 두께를 유지할 수 없는 경우가 있다.
그래서, 도전성 페이스트의 시간 경과적인 점도 증가를 개선하는 시도가 이루어지고 있다. 예를 들어, 도전성 페이스트 중의 바인더 수지나 유기 용제의 종류, 배합 비율 등을 선택함으로써, 점도 특성을 향상시키는 것이 몇 가지 보고되어 있다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 바인더 수지로서 소수성 에틸하이드록시에틸셀룰로오스 유도체를 포함하는 유기 비이클과 특정한 유기 용제를 조합함으로써, 시트 어택을 발생시키지 않고, 시간 경과적 변화가 작은 도전성 페이스트가 기재되어 있다.
또, 특허문헌 2 에는, 부티랄 수지를 포함하는 두께 5 ㎛ 이하의 세라믹 그린 시트와 조합하여 사용되는 조건하에서, 도전성 분말과 유기 비이클을 포함하고, 상기 유기 비이클 중의 용제가, 테르피닐아세테이트를 주성분으로 하는, 시간 경과적인 점도 변화가 적은 도전성 페이스트가 기재되어 있다.
한편, 내부 전극용으로 사용되는 도전성 페이스트는, 도전성 분말 등의 분산성을 향상시키기 위해 분산제를 포함하는 경우가 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 등). 최근의 내부 전극층의 박막화에 수반하여, 도전성 분말도 소입경화하는 경향이 있다. 도전성 분말의 입경이 작은 경우, 그 입자 표면의 비표면적이 커지기 때문에, 도전성 분말 (금속 분말) 의 표면 활성이 높아지고, 분산성의 저하나, 점도 특성의 저하가 생기는 경우가 있다.
예를 들어, 특허문헌 4 에는, 적어도 금속 성분과, 산화물과, 분산제와, 바인더 수지를 함유하는 도전성 페이스트로서, 금속 성분은, 그 표면 조성이, 특정한 조성비를 갖는 Ni 분말이고, 분산제의 산점량은, 500 ∼ 2000 μmol/g 이고, 바인더 수지의 산점량은, 15 ∼ 100 μmol/g 인 도전성 페이스트가, 양호한 분산성과 점도 안정성을 갖는 것이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 2011-159393호 일본 공개특허공보 2006-12690호 일본 공개특허공보 2012-77372호 일본 공개특허공보 2015-216244호
상기 특허문헌 1 ∼ 4 에는, 시간 경과적 점도 변화가 적은 도전성 페이스트가 기재되어 있다. 그러나, 도전성 페이스트의 시간 경과적인 증점은, 내부 전극층의 박막화에 수반하여, 보다 문제가 현재화되기 때문에, 최근의 전극 패턴의 박막화에 수반하여, 보다 점도 특성이 개선된 도전성 페이스트가 요구되고 있다.
본 발명은, 이와 같은 상황을 감안하여, 시간 경과적인 점도 변화가 매우 적고, 점도 안정성이 보다 우수하며, 또한, 페이스트 분산성이 우수한 도전성 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 양태에서는, 도전성 분말, 분산제, 바인더 수지 및 유기 용제를 포함하는 도전성 페이스트로서, 분산제는, 제 1 산계 분산제 및 제 2 산계 분산제를 포함하고, 제 1 산계 분산제는, 분자량이 5000 이하이며, 또한, 분기 사슬을 1 개 이상 갖는 분기 탄화수소기를 갖는 산계 분산제이고, 제 2 산계 분산제는, 상기 제 1 산계 분산제 이외의 산계 분산제인, 도전성 페이스트가 제공된다.
제 1 산계 분산제는, 카르복실기를 갖는 산계 분산제인 것이 바람직하다. 제 1 산계 분산제는, 하기의 일반식 (1) 로 나타내는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pct00001
단, 상기 일반식 (1) 중, R1 은, 탄소수 10 이상 20 이하의 분기 알킬기 또는 탄소수 10 이상 20 이하의 분기 알케닐기이다.
또, 제 2 산계 분산제는, 분자량이 5000 이하이며, 또한, 탄소수 10 이상 20 이하의 직사슬 알킬기 또는 탄소수 10 이상 20 이하의 직사슬 알케닐기를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 분산제는, 추가로, 염기계 분산제를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 제 1 산계 분산제는, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상 2 질량부 이하 함유되고, 상기 제 2 산계 분산제는, 상기 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상 2 질량부 이하 함유되는 것이 바람직하다. 또, 염기계 분산제는, 상기 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상 2 질량부 이하 함유되는 것이 바람직하다.
또, 도전성 분말은, Ni, Pd, Pt, Au, Ag, Cu 및 이들의 합금으로부터 선택되는 적어도 1 종의 금속 분말을 포함하는 것이 바람직하다. 도전성 분말은, 평균 입경이 0.05 ㎛ 이상 1.0 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또, 도전성 페이스트는, 세라믹 분말을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 세라믹 분말은, 페로브스카이트형 산화물을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 세라믹 분말은, 평균 입경이 0.01 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또, 바인더 수지는, 셀룰로오스계 수지, 아크릴계 수지 및 부티랄계 수지 중 적어도 1 개를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 도전성 페이스트의 제조 직후의 점도를 기준으로 한 경우, 제조 직후로부터 60 일간 정치 후의 점도 변화량이 50 ％ 이하인 것이 바람직하다. 또, 상기 도전성 페이스트는, 적층 세라믹 부품의 내부 전극용인 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 양태에서는, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전자 부품이 제공된다.
본 발명의 제 3 양태에서는, 유전체층과 내부 전극을 적층한 적층체를 적어도 갖고, 상기 내부 전극은, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된, 적층 세라믹 콘덴서가 제공된다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 시간 경과적인 점도 변화가 매우 적고, 점도 안정성이 보다 우수하며, 또한, 페이스트의 분산성이 우수하다. 또, 본 발명의 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 적층 세라믹 콘덴서 등의 전자 부품의 전극 패턴은, 박막화한 전극을 형성할 때도 도전성 페이스트의 인쇄성이 우수하고, 양호한 정밀도로 균일한 폭 및 두께를 갖는다.
도 1 은, 실시형태에 관련된 적층 세라믹 콘덴서를 나타내는 사시도 및 단면도이다.
본 실시형태의 도전성 페이스트는, 도전성 분말, 분산제, 바인더 수지 및 유기 용제를 포함한다. 이하, 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.
(도전성 분말)
도전성 분말은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, Ni, Pd, Pt, Au, Ag, Cu, 및 이들의 합금으로부터 선택되는 1 종 이상의 분말을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 도전성, 내식성 및 비용의 관점에서, Ni, 또는 그 합금의 분말이 바람직하다. Ni 합금으로는, 예를 들어, Mn, Cr, Co, Al, Fe, Cu, Zn, Ag, Au, Pt 및 Pd 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 원소와 Ni 의 합금을 사용할 수 있다. Ni 합금에 있어서의 Ni 의 함유량은, 예를 들어, 50 질량％ 이상, 바람직하게는 80 질량％ 이상이다. 또, Ni 분말은, 탈바인더 처리시, 바인더 수지의 부분적인 열분해에 의한 급격한 가스 발생을 억제하기 위해, 수백 ppm 정도의 S 를 포함해도 된다.
도전성 분말의 평균 입경은, 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상 1.0 ㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 이하이다. 도전성 분말의 평균 입경이 상기 범위인 경우, 박막화한 적층 세라믹 콘덴서의 내부 전극용 페이스트로서 바람직하게 사용할 수 있고, 예를 들어, 건조막의 평활성 및 건조막 밀도가 향상된다. 평균 입경은, 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의한 관찰로부터 구해지는 값이고, 입도 분포에 있어서의 적산치 50 ％ 의 입경을 말한다.
도전성 분말의 함유량은, 도전성 페이스트 전체량에 대하여, 바람직하게는 30 질량％ 이상 70 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 40 질량％ 이상 65 질량％ 이하이다. 도전성 분말의 함유량이 상기 범위인 경우, 도전성 및 분산성이 우수하다.
(세라믹 분말)
도전성 페이스트는, 세라믹 분말을 포함해도 된다. 세라믹 분말로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 적층 세라믹 콘덴서의 내부 전극용 페이스트인 경우, 적용하는 적층 세라믹 콘덴서의 종류에 따라 적절히, 공지된 세라믹 분말이 선택된다. 세라믹 분말로는, 예를 들어, Ba 및 Ti 를 포함하는 페로브스카이트형 산화물을 들 수 있고, 바람직하게는 티탄산바륨 (BaTiO3) 이다. 또한, 세라믹 분말은, 1 종류를 사용해도 되고, 2 종류 이상을 사용해도 된다.
세라믹 분말로는, 티탄산바륨을 주성분으로 하고, 산화물을 부성분으로서 포함하는 세라믹 분말을 사용해도 된다. 산화물로는, Mn, Cr, Si, Ca, Ba, Mg, V, W, Ta, Nb 및 희토류 원소로부터 선택되는 1 종류 이상으로 이루어지는 산화물을 들 수 있다.
또, 세라믹 분말로는, 예를 들어, 티탄산바륨 (BaTiO3) 의 Ba 원자나 Ti 원자를 다른 원자, 예를 들어, Sn, Pb, Zr 등으로 치환한 페로브스카이트형 산화물 강유전체의 세라믹 분말을 들 수도 있다.
내부 전극용 페이스트 중의 세라믹 분말로는, 적층 세라믹 콘덴서의 그린 시트를 구성하는 유전체 세라믹 분말과 동일 조성의 분말을 사용해도 된다. 이로써, 소결 공정에 있어서의 유전체층과 내부 전극층의 계면에서의 수축의 미스매치에 의한 크랙 발생이 억제된다. 이와 같은 세라믹 분말로는, 상기의 Ba 및 Ti 를 포함하는 페로브스카이트형 산화물 이외에, 예를 들어, ZnO, 페라이트, PZT, BaO, Al2O3, Bi2O3, R(희토류 원소)2O3, TiO2, Nd2O3 등의 산화물을 들 수 있다.
세라믹 분말의 평균 입경은, 예를 들어, 0.01 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 이하이고, 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상 0.3 ㎛ 이하이다. 세라믹 분말의 평균 입경이 상기 범위임으로써, 내부 전극용 페이스트로서 사용한 경우, 충분히 가늘고 얇은 균일한 내부 전극을 형성할 수 있다. 평균 입경은, 주사형 전자 현미경 (SEM) 에 의한 관찰로부터 구해지는 값이고, 입도 분포에 있어서의 적산치 50 ％ 의 입경을 말한다.
세라믹 분말의 함유량은, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 질량부 이상 30 질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 3 질량부 이상 30 질량부 이하이다.
세라믹 분말의 함유량은, 도전성 페이스트 전체량에 대하여, 바람직하게는 1 질량％ 이상 20 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 3 질량％ 이상 20 질량％ 이하이다.
(바인더 수지)
바인더 수지로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 수지를 사용할 수 있다. 바인더 수지로는, 예를 들어, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 에틸하이드록시에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지, 아크릴계 수지, 폴리비닐부티랄 등의 부티랄계 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 용제에 대한 용해성, 연소 분해성의 관점 등에서 에틸셀룰로오스를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 내부 전극용 페이스트로서 사용하는 경우, 그린 시트와의 접착 강도를 향상시키는 관점에서, 바인더 수지로서, 부티랄계 수지를 포함하거나, 또는, 부티랄계 수지를 단독으로 사용해도 된다. 바인더 수지는, 1 종류를 사용해도 되고, 또는, 2 종류 이상을 사용해도 된다. 또, 바인더 수지의 분자량은, 예를 들어, 20000 ∼ 200000 정도이다.
바인더 수지의 함유량은, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 질량부 이상 10 질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 1 질량부 이상 8 질량부 이하이다.
바인더 수지의 함유량은, 도전성 페이스트 전체량에 대하여, 바람직하게는 0.5 질량％ 이상 10 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 1 질량％ 이상 6 질량％ 이하이다. 바인더 수지의 함유량이 상기 범위인 경우, 도전성 및 분산성이 우수하다.
(유기 용제)
유기 용제로는, 특별히 한정되지 않고, 상기 바인더 수지를 용해시킬 수 있는 공지된 유기 용제를 사용할 수 있다.
유기 용제로는, 예를 들어, 디하이드로테르피닐아세테이트, 이소보르닐아세테이트, 이소보르닐프로피오네이트, 이소보르닐부티레이트, 이소보르닐이소부티레이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 3-메톡시-3-메틸부틸아세테이트, 1-메톡시프로필-2-아세테이트 등의 아세테이트계 용제, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산이소부틸, 아세트산부틸 등의 아세트산에스테르계 용제, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥산, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄, 이소포론 등의 케톤계 용제, 테르피네올, 디하이드로테르피네올 등의 테르펜계 용제, 트리데칸, 노난, 시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제, 에틸렌글리콜에테르류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 글리콜에테르계 용제 등을 들 수 있다. 또한, 유기 용제는, 1 종류를 사용해도 되고, 2 종류 이상을 사용해도 된다.
유기 용제는, 예를 들어, 디하이드로테르피닐아세테이트, 이소보르닐아세테이트, 이소보르닐프로피오네이트, 이소보르닐부티레이트 및 이소보르닐이소부티레이트로부터 선택되는 적어도 1 종의 아세테이트계 용제 (A) 를 포함해도 된다. 이들 중에서도 이소보르닐아세테이트가 보다 바람직하다. 아세테이트계 용제는, 유기 용제 전체에 대하여, 바람직하게는 90 질량％ 이상 100 질량％ 이하 함유되고, 보다 바람직하게는 100 질량％ 함유된다.
또, 유기 용제는, 예를 들어, 상기의 아세테이트계 용제 (A) 와, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로부터 선택되는 적어도 1 종의 아세테이트계 용제 (B) 를 포함해도 된다. 이와 같은 혼합 용제를 사용하는 경우, 용이하게 도전성 페이스트의 점도 조정을 실시할 수 있고, 도전성 페이스트의 건조 스피드를 빠르게 할 수 있다.
아세테이트계 용제 (A) 와 아세테이트계 용제 (B) 를 포함하는 혼합액의 경우, 유기 용제는, 유기 용제 전체에 대하여, 아세테이트계 용제 (A) 를 바람직하게는 50 질량％ 이상 90 질량％ 이하 함유하고, 보다 바람직하게는 60 질량％ 이상 80 질량％ 이하 함유한다. 상기 혼합액의 경우, 유기 용제는, 유기 용제 전체 100 질량％ 에 대하여, 아세테이트계 용제 (B) 를 10 질량％ 이상 50 질량％ 이하 함유하고, 보다 바람직하게는 20 질량％ 이상 40 질량％ 이하 함유한다.
유기 용제의 함유량은, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 질량부 이상 90 질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 45 질량부 이상 85 질량부 이하이다. 유기 용제의 함유량이 상기 범위인 경우, 도전성 및 분산성이 우수하다.
유기 용제의 함유량은, 도전성 페이스트 전체량에 대하여, 20 질량％ 이상 50 질량％ 이하가 바람직하고, 25 질량％ 이상 45 질량％ 이하가 보다 바람직하다. 유기 용제의 함유량이 상기 범위인 경우, 도전성 및 분산성이 우수하다.
(분산제)
본 실시형태의 도전성 페이스트는, 분기 탄화수소기를 갖는 제 1 산계 분산제를 포함한다. 제 1 산계 분산제의 분기 탄화수소기는, 분기 사슬을 1 개 이상 갖는다. 본 발명자는, 도전성 페이스트에 사용하는 분산제에 대하여, 여러 가지 분산제를 검토한 결과, 분기 탄화수소기를 갖는 제 1 산계 분산제를 포함함으로써, 그 이유는 불분명하지만, 도전성 페이스트의 시간 경과적 점도 변화가 매우 억제되는 것을 알아냈다.
또, 제 1 산계 분산제는, 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 분산제를 사용함으로써, 상세한 것은 불분명하지만, 카르복실기가 도전성 분말 등의 표면에 흡착하여, 표면 전위를 중화, 혹은 수소 결합 부위를 불활성화하며, 또한, 카르복실기 이외의 부위의 상기와 같은 특정한 입체 구조가, 효과적으로 도전성 분말 등의 응집을 억제하고, 페이스트 점도의 안정성을 보다 향상시킬 수 있는 것으로 추찰된다. 또, 제 1 산계 분산제는, 아미드 결합을 갖는 화합물이어도 된다.
또, 제 1 산계 분산제는, 분자량이 5000 이하이고, 바람직하게는 분자량이 1000 이하이고, 분자량이 500 이하인 산성을 나타내는 저분자량의 분산제인 것이 보다 바람직하다. 한편, 제 1 산계 분산제의 분자량의 하한은, 바람직하게는 100 이상이고, 보다 바람직하게는 200 이상이다. 또한, 상기 제 1 분산제는, 1 종류를 사용해도 되고, 2 종류 이상을 사용해도 된다.
예를 들어, 제 1 산계 분산제 중의 탄화수소기는, 주사슬에 대하여 1 개의 분기 사슬을 포함해도 되고, 2 개 이상의 분기 사슬을 포함해도 된다. 분기 사슬의 수는, 바람직하게는 1 개 이상 3 개 이하이다. 또, 분기 사슬의 수는, 4 개 이상이어도 된다.
제 1 산계 분산제는, 분기의 위치가 상이한 분기 탄화수소기를 갖는 복수의 산계 분산제를 포함하는 혼합물이어도 된다. 제 1 산계 분산제가 복수의 산계 분산제를 포함하는 혼합물인 경우, 시간 경과적인 페이스트 점도 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.
또, 제 1 산계 분산제는, 복잡한 분기 구조 (예를 들어, 분기 사슬이 2 개 이상) 를 갖는 산계 분산제여도 된다. 이와 같은 복잡한 분기 구조를 갖는 산계 분산제인 경우, 시간 경과적인 페이스트 점도 안정성을 보다 향상시킬 수 있다.
제 1 산계 분산제로서 예를 들어, 하기의 일반식 (1) 로 나타내는 산계 분산제를 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
상기, 일반식 (1) 중, R1 은, 탄소수 10 이상 20 이하의 분기 알킬기 또는 탄소수 10 이상 20 이하의 분기 알케닐기를 나타낸다. R1 은, 바람직하게는 탄소수 15 이상 20 이하이고, 보다 바람직하게는 탄소수가 17 이다. 또, R1 은, 분기 알킬기여도 되고, 탄소의 이중 결합을 갖는 분기 알케닐기여도 되고, 바람직하게는 분기 알킬기이다.
또한, 분기 사슬의 유무는, 예를 들어, 13C-NMR 또는 1H-NMR 의 스펙트럼에 기초하여 계산되는 탄화수소기의 말단의 메틸기 (-CH3) 의 함유 비율에 의해 확인할 수 있다. 또한, 예를 들어, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 산계 분산제가 혼합물인 경우나, 일반식 (1) 중의 R1 의 구조가 복수의 분기를 갖는 복잡한 구조인 경우 등에서는, R1 부분을 나타내는 명확한 피크가 검출되지 않는 경우가 있어도 된다. 이 경우에 있어서도, 말단의 메틸기 (-CH3) 를 나타내는 피크는 명확하게 관찰된다.
제 1 산계 분산제는, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 질량부 이상 2 질량부 이하 함유되고, 보다 바람직하게는 0.05 질량부 이상 1.5 질량부 이하 함유되고, 더욱 바람직하게는 0.05 질량부 이상 1.0 질량부 이하 함유된다. 제 1 산계 분산제의 함유량이 상기 범위인 경우, 도전성 페이스트 중의 도전성 분말의 분산성, 및 도전성 페이스트의 시간 경과적 점도의 안정성이 우수하다.
특히, 시간 경과적 점도의 안정성을 보다 향상시킨다는 관점에서는, 제 1 산계 분산제의 함유량은, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.5 질량부 이상 2 질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 1 질량부 이상 2 질량부 이하이다. 또, 도전성의 향상이나, 시트 어택을 억제한다는 관점에서는, 제 1 산계 분산제의 함유량은 적은 편이 바람직하고, 상기 산계 분산제의 함유량의 상한은, 예를 들어, 1 질량부 이하, 바람직하게는 0.5 질량부 이하로 할 수 있다. 본 실시형태의 도전성 페이스트에서는, 예를 들어, 제 1 산계 분산제를 0.1 질량부 이상 0.5 질량부 이하 포함하는 경우에 있어서도, 시간 경과적 점도의 안정성이 충분히 우수하다.
제 1 산계 분산제는, 도전성 페이스트 전체에 대하여, 예를 들어, 3 질량％ 이하 함유된다. 상기의 산계 분산제의 함유량의 상한은, 바람직하게는 2 질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 1.5 질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 1 질량％ 이하이다. 제 1 산계 분산제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 0.01 질량％ 이상이고, 바람직하게는 0.05 질량％ 이상이다. 제 1 산계 분산제의 함유량이 상기 범위인 경우, 시간 경과적 점도 변화가 보다 안정적으로 억제된다. 또, 유기 용제 중에는, 바인더 수지와 조합하여 사용했을 때, 시트 어택이나 그린 시트 박리 불량을 발생시키는 것도 있지만, 제 1 산계 분산제를 특정량 함유함으로써, 이들 문제를 억제할 수 있다.
제 1 산계 분산제는, 예를 들어, 시판되는 제품으로부터, 상기 특성을 만족하는 것을 선택하여 사용할 수 있다. 또, 제 1 산계 분산제는, 종래 공지된 제조 방법을 사용하여, 상기 특성을 만족하도록 제조해도 된다.
도전성 페이스트는, 제 1 산계 분산제 이외의 제 2 산계 분산제를 포함한다. 제 2 산계 분산제는, 분기 탄화수소기를 갖지 않는 분산제이다. 본 실시형태의 도전성 페이스트는, 제 1 산계 분산제와 아울러, 제 2 산계 분산제를 포함함으로써, 페이스트의 분산성이 보다 향상된다. 이 이유는 특별히 한정되지 않지만, 제 1 산계 분산제는, 점도 안정화 효과는 높지만, 분산성이 종래 사용해 온 분산제보다 낮은 경우가 있기 때문에, 제 2 산계 분산제로서 분산 효과가 높은 산계 분산제를 병용함으로써, 점도·분산 안정화 효과가 높은 혼합 산계 분산제를 얻을 수 있다고 생각된다.
제 2 산계 분산제는, 바람직하게는 분자량이 5000 이하이고, 보다 바람직하게는 분자량이 1000 이하이고, 더욱 바람직하게는 분자량이 500 이하이다. 제 2 산계 분산제는, 예를 들어, 직사슬의 탄화수소기를 갖는 산계 분산제이다. 직사슬의 탄화수소기로는, 탄소수 10 이상 20 이하의 직사슬 알킬기 또는 탄소수 10 이상 20 이하의 직사슬 알케닐기를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 제 2 산계 분산제는, 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 제 2 산계 분산제가, 제 1 산계 분산제와 마찬가지로, 상기와 같은 구조를 갖는 경우, 제 1 산계 분산제의 페이스트 점도의 안정성의 향상이라는 효과를 유지하면서, 페이스트 분산성을 보다 향상시킬 수 있다.
제 2 산계 분산제로는, 예를 들어, 고급 지방산이나 고분자 계면 활성제 등의 산계 분산제 등을 들 수 있다. 제 2 분산제는, 1 종 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다.
고급 지방산으로는, 불포화 카르복실산이어도 되고 포화 카르복실산이어도 되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 스테아르산, 올레산, 베헨산, 미리스트산, 팔미트산, 리놀산, 라우르산, 리놀렌산 등 탄소수 11 이상의 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 올레산, 또는 스테아르산이 바람직하다.
또, 페이스트 점도의 안정성의 향상이라는 관점에서, 고급 지방산의 탄소수의 하한은 15 이상인 것이 바람직하고, 18 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 고급 지방산의 탄소수의 상한은, 예를 들어, 30 이하이고, 바람직하게는 25 이하이다. 또, 제 2 산계 분산제로서 고급 지방산을 선택하는 경우, 추가로 염기계 분산제를 포함함으로써, 페이스트 분산성을 향상시키면서, 페이스트 점도 안정성을 매우 향상시킬 수 있다.
그 이외의 산계 분산제로는, 특별히 한정되지 않고, 모노알킬아민염으로 대표되는 알킬모노아민염형, N-알킬 (C14 ∼ C18) 프로필렌디아민디올레산염으로 대표되는 알킬디아민염형, 알킬트리메틸암모늄클로라이드로 대표되는 알킬트리메틸암모늄염형, 야자알킬디메틸벤질암모늄클로라이드로 대표되는 알킬디메틸벤질암모늄염형, 알킬·디폴리옥시에틸렌메틸암모늄클로라이드로 대표되는 4 급 암모늄염형, 알킬피리디늄염형, 디메틸스테아릴아민으로 대표되는 3 급 아민형, 폴리옥시프로필렌·폴리옥시에틸렌알킬아민으로 대표되는 폴리옥시에틸렌알킬아민형, N,N',N'-트리스(2-하이드록시에틸)-N-알킬 (C14 ∼ 18) 1,3-디아미노프로판으로 대표되는 디아민의 옥시에틸렌 부가형으로부터 선택되는 계면 활성제를 들 수 있고, 이들 중에서도 알킬모노아민염형이 바람직하다.
알킬모노아민염형으로는, 올레오일사르코신, 라우릴로일사르코신, 스테아르산아미드 등이 바람직하다.
또, 제 2 분산제로서 알킬모노아민염형을 선택하는 경우, 제 2 분산제보다 염기계 분산제의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 예를 들어, 도전성 페이스트에 포함되는 분산제로서, 제 1 분산제와, 제 2 분산제로서 알킬모노아민염형의 계면 활성제를 선택하는 경우, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 예를 들어, 염기계 분산제의 함유량이 1 질량부 이하여도 되고, 0.5 질량부 이하여도 되고, 0.3 질량부 이하여도 되고, 염기계 분산제를 포함하지 않아도 된다. 제 2 분산제로서 알킬모노아민염형의 계면 활성제를 사용한 경우, 상세한 것은 불분명하지만, 염기계 분산제의 함유량이 적은 편이, 페이스트 분산성과 페이스트 점도의 안정성의 밸런스가 우수하다.
제 2 산계 분산제는, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 질량부 이상 2 질량부 이하 함유되고, 보다 바람직하게는 0.05 질량부 이상 1.5 질량부 이하 함유되고, 더욱 바람직하게는 0.05 질량부 이상 1.0 질량부 이하 함유된다. 제 1 산계 분산제와 아울러, 제 2 산계 분산제를 상기 범위에서 포함하는 경우, 도전성 페이스트 중, 특히 도전성 분말의 분산성이 보다 우수하다.
또, 제 2 산계 분산제는, 예를 들어, 제 1 산계 분산제 100 질량부에 대하여, 50 질량부 이상 200 질량부 이하 정도, 바람직하게는 50 질량부 이상 150 질량부 이하 함유될 수 있다.
또, 분산제는, 제 1 및 제 2 산계 분산제 이외의 분산제를 포함해도 된다. 제 1 및 제 2 산계 분산제 이외의 분산제로는, 염기계 분산제, 비이온계 분산제, 양성 분산제 등을 들 수 있다. 이들 분산제는, 1 종 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다.
염기계 분산제로는, 예를 들어, 라우릴아민, 로진아민, 세틸아민, 미리스틸아민, 스테아릴아민 등의 지방족 아민 등을 들 수 있다. 도전성 페이스트는, 상기 제 1 산계 분산제 및 제 2 산계 분산제와 아울러, 추가로 염기계 분산제를 함유하는 경우, 시간 경과적인 점도 안정성과 페이스트의 분산성을 매우 높은 레벨로 양립시킬 수 있다.
염기계 분산제는, 예를 들어, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.2 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유되어도 되고, 바람직하게는 0.2 질량부 이상 1 질량부 이하 함유되어도 된다. 또, 염기계 분산제는, 예를 들어, 상기의 제 1 산계 분산제 100 질량부에 대하여, 10 질량부 이상 300 질량부 이하 정도, 바람직하게는 50 질량부 이상 150 질량부 이하 함유될 수 있다. 염기계 분산제를 상기 범위에서 함유하는 경우, 페이스트의 시간 경과적인 점도 안정성이 보다 우수하다.
또한, 분산제는, 페이스트 분산성의 향상의 관점에서, 염기계 분산제의 함유량을, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 이하로 해도 되고, 0.3 질량부 이하로 해도 되고, 0.2 질량부 이하로 해도 된다. 또, 분산제는, 염기계 분산제를 포함하지 않아도 된다.
염기계 분산제는, 예를 들어, 도전성 페이스트 전체에 대하여, 0 질량％ 이상 2.5 질량％ 이하 함유되고, 바람직하게는 0 질량％ 이상 1.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 0.1 질량％ 이상 1.0 질량％ 이하 함유되고, 보다 바람직하게는 0.1 질량％ 이상 0.8 질량％ 이하 함유된다. 염기계 분산제를 상기 범위에서 함유하는 경우, 페이스트의 시간 경과적인 점도 안정성이 보다 우수하다.
도전성 페이스트에 있어서, 제 1 산계 분산제 및 제 2 산계 분산제를 포함하는 분산제 (전체) 의 함유량은, 예를 들어, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.2 질량부 이상 3 질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5 질량부 이상 2 질량부 이하이다. 분산제 (전체) 의 함유량이 상기 범위를 초과하는 경우, 도전성 페이스트의 건조성이 악화되거나, 시트 어택이 생기거나 하는 경우가 있다.
(그 밖의 성분)
본 실시형태의 도전성 페이스트는, 필요에 따라, 상기 성분 이외의 그 밖의 성분을 포함해도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, 소포제, 가소제, 계면 활성제, 증점제 등의 종래 공지된 첨가물을 사용할 수 있다.
(도전성 페이스트)
본 실시형태의 도전성 페이스트의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다. 도전성 페이스트는, 예를 들어, 상기의 각 성분을, 3 본 롤 밀, 볼 밀, 믹서 등으로 교반·혼련함으로써 제조할 수 있다. 그 때, 도전성 분말 표면에 미리 분산제를 도포하면, 도전성 분말이 응집하지 않고 충분히 풀리고, 그 표면에 분산제가 고루 퍼지게 되어, 균일한 도전성 페이스트를 얻기 쉽다. 또, 미리, 바인더 수지를 유기 용제의 일부에 용해시켜, 유기 비이클을 제조한 후, 페이스트 조정용의 유기 용제에, 도전성 분말, 세라믹 분말, 분산제, 및 유기 비이클을 첨가한 후, 교반·혼련하여, 도전성 페이스트를 제조해도 된다.
또, 유기 용제 중, 비이클용의 유기 용제로는, 유기 비이클의 융합을 좋게 하기 위해, 도전성 페이스트의 점도를 조정하는 페이스트용의 유기 용제와 동일한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 비이클용의 유기 용제의 함유량은, 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 예를 들어, 5 질량부 이상 30 질량부 이하이다. 또, 도전성 페이스트용의 유기 용제의 함유량은, 도전성 페이스트 전체량에 대하여, 바람직하게는 10 질량％ 이상 40 질량％ 이하이다.
도전성 페이스트는, 하기 식으로 구해지는 60 일간 정치 후의 점도의 변화량이, 예를 들어, -20 ％ 이상 50 ％ 이하이고, 바람직하게는 -15 ％ 이상 40 ％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 -10 ％ 이상 20 ％ 이하이다.
식 : [(60 일간 정치 후의 점도 － 제조 직후의 점도)/제조 직후의 점도] × 100
즉, 도전성 페이스트는, 도전성 페이스트의 제조 직후의 점도를 100 ％ 로 한 경우, 60 일간 정치 후의 점도가, 예를 들어, 80 ％ 이상 150 ％ 이하이고, 바람직하게는 85 ％ 이상 140 ％ 이하이고, 보다 바람직하게는 90 ％ 이상 120 ％ 이하이다.
또한, 도전성 페이스트의 점도는, 도전성 페이스트의 용도에 따라, 바인더 수지, 유기 용제의 종류, 함유량 등을 조정함으로써, 원하는 범위 내로 조정할 수 있다. 스크린 인쇄에 사용하는 경우, 도전성 페이스트의 점도를, 예를 들어, 전단 속도 4 sec-1 로 20 Pa·s 이상으로 조정할 수 있다. 또, 그라비아 인쇄에 사용하는 경우, 도전성 페이스트의 점도를, 예를 들어, 전단 속도 4 sec-1 로 5 Pa·s 이하로 할 수 있다.
도전성 페이스트는, 적층 세라믹 콘덴서 등의 전자 부품에 바람직하게 사용할 수 있다. 적층 세라믹 콘덴서는, 유전체 그린 시트를 사용하여 형성되는 유전체층 및 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 내부 전극층을 갖는다.
적층 세라믹 콘덴서는, 유전체 그린 시트에 포함되는 유전체 세라믹 분말과 도전성 페이스트에 포함되는 세라믹 분말이 동일 조성의 분말인 것이 바람직하다. 본 실시형태의 도전성 페이스트를 사용하여 제조되는 적층 세라믹 디바이스는, 유전체 그린 시트의 두께가, 예를 들어 3 ㎛ 이하인 경우에도, 시트 어택이나 그린 시트의 박리 불량이 억제된다.
[전자 부품]
이하, 본 발명의 전자 부품 등의 실시형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 도면에 있어서는, 적절히, 모식적으로 표현하는 경우나, 축척을 변경하여 표현하는 경우가 있다. 또, 부재의 위치나 방향 등을, 적절히, 도 1 등에 나타내는 XYZ 직교 좌표계를 참조하여 설명한다. 이 XYZ 직교 좌표계에 있어서, X 방향 및 Y 방향은 수평 방향이고, Z 방향은 연직 방향 (상하 방향) 이다.
도 1A 및 B 는, 실시형태에 관련된 전자 부품의 일례인, 적층 세라믹 콘덴서 (1) 를 나타내는 도면이다. 적층 세라믹 콘덴서 (1) 는, 유전체층 (12) 및 내부 전극층 (11) 을 교대로 적층한 적층체 (10) 와 외부 전극 (20) 을 구비한다.
이하, 상기 도전성 페이스트를 사용한 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 유전체 그린 시트 상에, 도전성 페이스트를 인쇄하고, 건조시켜 건조막을 형성하고, 이 건조막을 상면에 갖는 복수의 유전체 그린 시트를, 압착에 의해 적층시킨 후, 소성하여 일체화함으로써, 세라믹 콘덴서 본체가 되는 적층 세라믹 소성체 (적층체 (10)) 를 제조한다. 그 후, 적층체 (10) 의 양단부에 1 쌍의 외부 전극 (20) 을 형성함으로써 적층 세라믹 콘덴서 (1) 가 제조된다. 이하에, 보다 상세히 설명한다.
먼저, 미소성의 세라믹 시트인 유전체 그린 시트 (세라믹 그린 시트) 를 준비한다. 이 유전체 그린 시트로는, 예를 들어, 티탄산바륨 등의 소정의 세라믹의 원료 분말에, 폴리비닐부티랄 등의 유기 바인더와 테르피네올 등의 용제를 첨가하여 얻은 유전체층용 페이스트를, PET 필름 등의 지지 필름 상에 시트상으로 도포하고, 건조시켜 용제를 제거한 것 등을 들 수 있다. 또한, 유전체 그린 시트로 이루어지는 유전체층의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 적층 세라믹 콘덴서 (1) 의 소형화의 요청의 관점에서, 0.05 ㎛ 이상 3 ㎛ 이하가 바람직하다.
이어서, 이 유전체 그린 시트의 편면에, 스크린 인쇄 등의 공지된 방법에 의해, 상기 서술한 도전성 페이스트를 인쇄하여 도포하고, 건조시켜, 건조막을 형성한 것을 복수 장 준비한다. 또한, 도전성 페이스트의 인쇄법으로는, 스크린 인쇄 이외를 사용해도 되고, 형성하고 싶은 전극 패턴의 선폭, 두께, 생산 속도 등에 맞추어 적절히 선택할 수 있다. 인쇄법으로는, 예를 들어, 플렉소 인쇄, 그라비아 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비아 오프셋 인쇄, 잉크젯 인쇄 등을 들 수 있다. 또한, 인쇄 후의 도전성 페이스트 (건조막) 의 두께는, 내부 전극층 (11) 의 박층화의 요청의 관점에서, 건조 후 1 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
이어서, 지지 필름으로부터, 유전체 그린 시트를 박리함과 함께, 유전체 그린 시트와 그 편면에 형성된 도전성 페이스트 (건조막) 가 교대로 배치되도록 적층한 후, 가열·가압 처리에 의해 적층체 (압착체) 를 얻는다. 또한, 적층체의 양면에, 도전성 페이스트를 도포하지 않은 보호용의 유전체 그린 시트를 추가로 배치하는 구성으로 해도 된다.
이어서, 적층체를 소정 사이즈로 절단하여 그린 칩을 형성한 후, 당해 그린 칩에 대하여 탈바인더 처리를 실시하고, 환원 분위기하에서 소성함으로써, 적층 세라믹 소성체 (적층체 (10)) 를 제조한다. 또한, 탈바인더 처리에 있어서의 분위기는, 대기 또는 N2 가스 분위기로 하는 것이 바람직하다. 탈바인더 처리를 실시할 때의 온도는, 예를 들어 200 ℃ 이상 400 ℃ 이하이다. 또, 탈바인더 처리를 실시할 때의, 상기 온도의 유지 시간을 0.5 시간 이상 24 시간 이하로 하는 것이 바람직하다. 또, 소성은, 내부 전극층 (11) 에 사용하는 금속의 산화를 억제하기 위해 환원 분위기에서 실시되고, 또, 적층체 (10) 의 소성을 실시할 때의 온도는, 예를 들어, 1000 ℃ 이상 1350 ℃ 이하이고, 소성을 실시할 때의 온도의 유지 시간은, 예를 들어, 0.5 시간 이상 8 시간 이하이다.
그린 칩의 소성을 실시함으로써, 유전체 그린 시트 중의 유기 바인더가 완전하게 제거됨과 함께, 세라믹의 원료 분말이 소성되어, 세라믹제의 유전체층 (12) 이 형성된다. 또한 건조막 중의 유기 비이클이 제거됨과 함께, 니켈 분말 또는 니켈을 주성분으로 하는 합금 분말이 소결 혹은 용융, 일체화되어, 내부 전극층 (11) 이 형성되고, 유전체층 (12) 과 내부 전극층 (11) 이 복수 장, 교대로 적층된 적층 세라믹 소성체 (적층체 (10)) 가 형성된다. 또한, 산소를 유전체층 (12) 의 내부에 도입하여 신뢰성을 높임과 함께, 내부 전극층 (11) 의 재산화를 억제한다는 관점에서, 소성 후의 적층 세라믹 소성체 (적층체 (10)) 에 대하여, 어닐 처리를 실시해도 된다.
그리고, 제조한 적층 세라믹 소성체 (적층체 (10)) 에 대하여, 1 쌍의 외부 전극 (20) 을 형성함으로써, 적층 세라믹 콘덴서 (1) 가 제조된다. 예를 들어, 외부 전극 (20) 은, 외부 전극층 (21) 및 도금층 (22) 을 구비한다. 외부 전극층 (21) 은, 내부 전극층 (11) 과 전기적으로 접속한다. 또한, 외부 전극 (20) 의 재료로는, 예를 들어, 구리나 니켈, 또는 이들의 합금을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 전자 부품은, 적층 세라믹 콘덴서 이외의 전자 부품을 사용할 수도 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예와 비교예에 기초하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 실시예에 의해 전혀 한정되지 않는다.
[평가 방법]
(도전성 페이스트의 점도의 변화량)
도전성 페이스트의 제조 직후와, 실온 (25 ℃) 에서 60 일간 정치 후에 있어서의, 각각의 샘플의 점도를 하기 방법으로 측정하고, 제조 직후의 점도를 기준 (0 ％) 으로 한 경우의, 각 정치 후의 샘플의 점도의 변화량을 백분율 (％) 로 나타낸 값을 구하였다 ([(60 일간 정치 후의 점도 － 제조 직후의 점도)/제조 직후의 점도] × 100). 또한, 도전성 페이스트의 점도의 변화량은 적을수록 바람직한 값이고, -20 ％ 이상 50 ％ 이하가 바람직하고, -15 ％ 이상 40 ％ 이하가 보다 바람직하고, -10 ％ 이상 20 ％ 이하가 더욱 바람직하다.
도전성 페이스트의 점도 : 브룩필드사 제조의 B 형 점도계를 사용하여 10 rpm (전단 속도 ＝ 4 sec-1) 의 조건에서 측정하였다.
(도전성 페이스트의 분산성)
제조한 도전성 페이스트를 유리 기판에 도포하고, 건조시켜, 건조막을 제조한다. 얻어진 건조막의 표면 조도 (산술 평균 높이 : Sa) 및 건조막 밀도의 측정을 실시하고, 분산성의 평가를 실시하였다. 표면 조도 (Sa) 및 건조막 밀도의 측정은 이하의 방법으로 실시하였다.
(표면 조도)
어플리케이터 (갭 두께 5 ㎛) 를 사용하여 유리 기판 상에 니켈 페이스트를 도포 후, 120 ℃ 에서 5 분간, 공기 중에서 건조시켜, 막두께 약 3 ㎛ 의 건조막을 얻는다. 이어서, 건조막에 대하여, 표면 조도계 (주식회사 키엔스 형상 해석 레이저 현미경 VK-X120) 를 사용하여, 건조막의 평균 표면 조도 (Sa) 를 측정하였다.
(건조막 밀도)
니켈 페이스트를 PET 필름 상에 5 × 10 ㎝ 의 면적으로 막두께 30 ㎛ 가 되도록 인쇄 후, 120 ℃ 에서 40 분간, 공기 중에서 건조시킨다. 건조 후에 얻어진 니켈 페이스트 건조막을 1 × 1 ㎝ 로 절단하고, 두께와 질량을 측정하고, 하기 식으로 건조막 밀도를 산출한다. 측정수는 30 지점으로 하고, 얻어진 건조막 밀도의 평균치를 그 도전성 페이스트의 건조막 밀도로 하였다.
식 : 건조막 밀도 ＝ 시료의 질량/시료의 면적 × 두께
또한, 건조막 밀도의 측정은 PET 필름 상에 도전성 페이스트를 인쇄하여 실시하지만, 본 실시형태의 도전성 페이스트를 유전체 그린 시트에 인쇄해도 동일한 특성이 당연히 발휘된다. 또한, 건조막 밀도란, 도전성 페이스트를 건조시킨 후의 밀도를 말한다.
분산성의 평가는, 분산성이 우수한 종래품 상당의 비교예 8 의 평가 결과를 기준 (100 ％) 으로 하고, 상기 방법으로 산출된 표면 조도 (Sa), 및 건조막 밀도를 사용하여, 표면 조도 (Sa) 에 대해서는, 표면 조도 (Sa) 가 낮아지는 변화량을 ＋ 로 하고, 건조막 밀도에 대해서는, 건조막의 밀도가 높아지는 변화량을 ＋ 로 하여, 기준에 대한 상대치를 각각 구하고 평가를 실시하였다. 또한, 표면 조도 (Sa) 는, 낮아질수록 분산성이 향상되고, 건조막 밀도는, 높아질수록 분산성이 향상된다. 또, 각각의 값은, 종래품 상당 이상이 되는 100 ％ 이상의 값이 되는 것이 바람직하다.
[사용 재료]
(도전성 분말)
도전성 분말로는, Ni 분말 (평균 입경 0.3 ㎛) 또는, Ni 분말 (평균 입경 0.2 ㎛) 을 사용하였다.
(세라믹 분말)
세라믹 분말로는, 티탄산바륨 (BaTiO3 ; 평균 입경 0.06 ㎛) 을 사용하였다.
(바인더 수지)
바인더 수지로는, 에틸셀룰로오스를 사용하였다.
(분산제)
표 1 에 사용한 분산제를 나타낸다.
(1) 분자량 5000 이하의 분기 탄화수소기를 갖는 산계 분산제 A 로서, 하기 일반식 (1) (R1 ＝ C17H35) 로 나타내는 산계 분산제를 사용하였다 (표 1 : No.1). 분기 사슬의 유무는, 1H-NMR 의 스펙트럼 및 푸리에 변환형 적외 분광 (FT-IR) 을 사용하여 확인하였다. 이들의 결과로부터, 직사슬 (직사슬 탄화수소기) 에서 검출되는 피크가 관찰되지 않고, 말단의 메틸기 (-CH3) 를 나타내는 피크가 복수 관찰되고, R1 이 1 이상의 분기를 갖는 것을 확인하였다.
[화학식 3]
Figure pct00003
(2) 분자량 5000 이하의 직사슬 탄화수소 사슬을 갖는 산계 분산제로서, 올레산 (C18H34O2), 스테아르산 (C18H36O2), 베헨산 (C22H44O2), 올레오일사르코신 (C21H39NO3), 라우르산 (C12H24O2), 리놀산 (C18H32O2) 을 사용하였다 (표 1 : No.2 ∼ 7).
(3) 염기계 분산제로서, 라우릴아민, 올레일아민, 미리스틸아민을 사용하였다 (표 1 : No.8 ∼ 10).
Figure pct00004
(유기 용제)
유기 용제로는, 테르피네올을 사용하였다.
[실시예 1]
도전성 분말인 Ni 분말 100 질량부에 대하여, 세라믹 분말 5.3 질량부와, 제 1 산계 분산제로서 산계 분산제 A 0.5 질량부와, 제 2 산계 분산제로서 올레산과, 바인더 수지 5 질량부와, 유기 용제 49 질량부를 혼합하여 도전성 페이스트를 제조하였다. 제조한 도전성 페이스트의 점도 (60 일 후) 및 페이스트의 분산성을 상기 방법으로 평가하였다. 페이스트 점도의 변화량, 및 페이스트의 분산성의 평가 결과를, Ni 분말 100 질량부에 대한 각각의 분산제의 함유량과 함께 표 2 에 나타낸다.
[실시예 2 ∼ 6]
제 2 산계 분산제를, 각각 스테아르산 (실시예 2), 베헨산 (실시예 3), 올레오일사르코신 (실시예 4), 라우르산 (실시예 5), 리놀산 (실시예 6) 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다. 페이스트 점도의 변화량, 및 페이스트의 분산성의 평가 결과를, Ni 분말 100 질량부에 대한 각각의 분산제의 함유량과 함께 표 2 에 나타낸다.
[실시예 7]
추가로, 염기계 분산제로서 라우릴아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 혼합하여 도전성 페이스트를 제조한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[실시예 8]
추가로, 염기계 분산제로서 올레일아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 혼합하여 도전성 페이스트를 제조한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[실시예 9]
추가로, 염기계 분산제로서 스테아릴아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 혼합하여 도전성 페이스트를 제조한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[실시예 10]
추가로, 염기계 분산제로서 라우릴아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 혼합하여 도전성 페이스트를 제조한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[실시예 11]
추가로, 염기계 분산제로서 올레일아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 혼합하여 도전성 페이스트를 제조한 것 이외에는, 실시예 5 와 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[실시예 12]
추가로, 염기계 분산제로서 스테아릴아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 혼합하여 도전성 페이스트를 제조한 것 이외에는, 실시예 6 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[비교예 1]
도전성 분말인 Ni 분말 100 질량부에 대하여, 세라믹 분말 5.3 질량부와, 제 1 산계 분산제로서 산계 분산제 A 1 질량부와, 바인더 수지 5 질량부와, 유기 용제 49 질량부를 혼합하여 도전성 페이스트를 제조하였다. 제조한 도전성 페이스트의 점도 (60 일 후) 및 페이스트의 분산성을 상기 방법으로 평가하였다. 페이스트 점도의 변화량, 및 페이스트의 분산성의 평가 결과를, Ni 분말 100 질량부에 대한 각각의 분산제의 함유량과 함께 표 2 에 나타낸다.
[비교예 2 ∼ 4]
산계 분산제 A 를, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부로 하고, 추가로, 염기계 분산제로서, 각각, 라우릴아민 (비교예 2), 올레일아민 (비교예 3), 스테아릴아민 (비교예 3) 을, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 0.5 질량부 혼합하여 도전성 페이스트를 제조한 것 이외에는, 비교예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다. 페이스트 점도의 변화량, 및 페이스트의 분산성의 평가 결과를, Ni 분말 100 질량부에 대한 각각의 분산제의 함유량과 함께 표 2 에 나타낸다.
[비교예 5]
제 1 산계 분산제를 사용하지 않고, 제 2 산계 분산제로서, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 올레산 0.5 질량부, 및 스테아르산 0.5 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[비교예 6]
제 1 산계 분산제를 사용하지 않고, 제 2 산계 분산제로서, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 올레산 0.5 질량부, 및 베헨산 0.5 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[비교예 7]
제 1 산계 분산제를 사용하지 않고, 제 2 산계 분산제로서 올레산을, Ni 분말 100 질량부에 대하여 0.5 질량부, 염기계 분산제로서 올레일아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여 0.5 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[비교예 8]
제 1 산계 분산제를 사용하지 않고, 제 2 산계 분산제로서 스테아르산을, Ni 분말 100 질량부에 대하여 0.5 질량부, 염기계 분산제로서 스테아릴아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여 0.5 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[비교예 9]
제 1 산계 분산제를 사용하지 않고, 제 2 산계 분산제로서, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 올레산을 0.5 질량부, 및 스테아르산을 0.5 질량부, 염기계 분산제로서 올레일아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여 0.5 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
[비교예 10]
제 1 산계 분산제를 사용하지 않고, 제 2 산계 분산제로서, Ni 분말 100 질량부에 대하여, 올레산을 0.5 질량부, 및 베헨산을 0.5 질량부, 염기계 분산제로서 스테아릴아민을, Ni 분말 100 질량부에 대하여 0.5 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 도전성 페이스트를 제조하고, 평가하였다.
또한, 제 1 산계 분산제를 사용하지 않는 비교예 5 ∼ 10 에서 얻어진 도전성 페이스트는, 도전성 페이스트의 점도의 변화량이 크고, 본 발명의 목적을 달성할 수 없는 것이 분명하기 때문에, 분산성 평가의 기준으로서 사용한 비교예 8 을 제외하고, 분산성의 평가는 실시하지 않았다.
Figure pct00005
(평가 결과)
실시예의 도전성 페이스트는, 60 일 경과 후의 페이스트 점도의 변화량이, 제 1 산계 분산제를 포함하지 않는 비교예 5 ∼ 10 의 도전성 페이스트와 비교하여, 매우 작았다. 또, 본 실시예의 도전성 페이스트는, 제 2 산계 분산제를 포함하지 않는 비교예 1 ∼ 4 의 도전성 페이스트가 종래품과 비교하여 분산성이 열등한 데 대하여, 페이스트의 점도의 변화량을 동일한 정도로 유지하면서, 또한, 페이스트의 분산성이 종래품보다 양호하였다. 그 중에서도, 제 1 및 제 2 산계 분산제만을 포함하는 실시예 1 ∼ 6 의 도전성 페이스트는, 충분한 점도 변화량을 유지하면서, 페이스트의 분산성을 보다 향상시킬 수 있었다. 또, 제 1 및 제 2 산계 분산제와, 염기계 분산제를 포함하는 실시예 7 ∼ 12 의 도전성 페이스트는, 페이스트 점도의 변화량을 매우 작게 유지하면서, 또한, 양호한 페이스트 분산성을 나타낼 수 있었다. 따라서, 분자량 5000 이하의 분기 탄화수소기를 갖는 제 1 산계 분산제 및 그 이외의 제 2 산계 분산제를 포함하는 도전성 페이스트는, 양호한 점도 안정성 및 페이스트 분산성을 양립시킬 수 있는 것이 밝혀졌다.
산업상 이용가능성
본 발명의 도전성 페이스트는, 시간 경과적인 점도 안정성이 매우 우수하며, 또한, 페이스트의 분산성이 양호하다. 따라서, 특히 휴대 전화나 디지털 기기 등의 전자 기기의 칩 부품인 적층 세라믹 콘덴서의 내부 전극용의 원료로서 바람직하게 사용할 수 있다.
1 : 적층 세라믹 콘덴서
10 : 적층체
11 : 내부 전극층
12 : 유전체층
20 : 외부 전극
21 : 외부 전극층
22 : 도금층

Claims (16)

  1. 도전성 분말, 분산제, 바인더 수지 및 유기 용제를 포함하는 도전성 페이스트로서,
    상기 분산제는, 제 1 산계 분산제 및 제 2 산계 분산제를 포함하고,
    상기 제 1 산계 분산제는, 분자량이 5000 이하이며, 또한, 분기 사슬을 1 개 이상 갖는 분기 탄화수소기를 갖는 산계 분산제이고,
    상기 제 2 산계 분산제는, 상기 제 1 산계 분산제 이외의 산계 분산제인, 도전성 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 산계 분산제는, 카르복실기를 갖는, 도전성 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 산계 분산제는, 하기의 일반식 (1) 로 나타내는, 도전성 페이스트.
    Figure pct00006

    단, 일반식 (1) 중, R1 은, 탄소수 10 이상 20 이하의 분기 알킬기 또는 탄소수 10 이상 20 이하의 분기 알케닐기이다.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 산계 분산제는, 분자량이 5000 이하이며, 또한, 탄소수 10 이상 20 이하의 직사슬 알킬기 또는 탄소수 10 이상 20 이하의 직사슬 알케닐기를 포함하는, 도전성 페이스트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분산제는, 추가로, 염기계 분산제를 포함하는, 도전성 페이스트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 산계 분산제는, 상기 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상 2 질량부 이하 함유되고, 상기 제 2 산계 분산제는, 상기 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.01 질량부 이상 2 질량부 이하 함유되는, 도전성 페이스트.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 분산제는, 염기계 분산제를 상기 도전성 분말 100 질량부에 대하여, 0.2 질량부 이상 2.5 질량부 이하 함유하는, 도전성 페이스트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 분말은, Ni, Pd, Pt, Au, Ag, Cu 및 이들의 합금으로부터 선택되는 적어도 1 종의 금속 분말을 포함하는, 도전성 페이스트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 분말은, 평균 입경이 0.05 ㎛ 이상 1.0 ㎛ 이하인, 도전성 페이스트.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    세라믹 분말을 포함하는, 도전성 페이스트.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 세라믹 분말은, 페로브스카이트형 산화물을 포함하는, 도전성 페이스트.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 세라믹 분말은, 평균 입경이 0.01 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 이하인, 도전성 페이스트.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트의 제조 직후의 점도를 기준으로 한 경우, 제조 직후로부터 60 일간 정치 후의 점도 변화량이 50 ％ 이하인, 도전성 페이스트.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적층 세라믹 부품의 내부 전극용인, 도전성 페이스트.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 전자 부품.
  16. 유전체층과 내부 전극을 적층한 적층체를 적어도 갖고,
    상기 내부 전극은, 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 적층 세라믹 콘덴서.
KR1020207005891A 2017-08-30 2018-10-30 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서 KR102569072B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017165893A JP7013731B2 (ja) 2017-08-30 2017-08-30 導電性ペースト、並びに、電子部品及び積層セラミックコンデンサの製造方法
PCT/IB2018/058469 WO2019043671A2 (ja) 2017-08-30 2018-10-30 導電性ペースト、電子部品及び積層セラミックコンデンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210068314A true KR20210068314A (ko) 2021-06-09
KR102569072B1 KR102569072B1 (ko) 2023-08-21

Family

ID=65525049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207005891A KR102569072B1 (ko) 2017-08-30 2018-10-30 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7013731B2 (ko)
KR (1) KR102569072B1 (ko)
CN (1) CN111386579B (ko)
MY (1) MY201078A (ko)
WO (1) WO2019043671A2 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7517156B2 (ja) 2019-02-12 2024-07-17 住友金属鉱山株式会社 導電性ペースト、電子部品及び積層セラミックコンデンサ
CN114467149A (zh) * 2019-09-26 2022-05-10 住友金属矿山株式会社 导电性组合物、导电性浆料、电子部件以及叠层陶瓷电容器
CN113436886A (zh) * 2021-04-28 2021-09-24 佛山市顺德区百锐新电子材料有限公司 一种水性mlcc专用辊印镍浆及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006012690A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Tdk Corp 導電性ペースト、積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP2011159393A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 導電性ペースト
JP2012077372A (ja) 2010-10-06 2012-04-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銀粉及びその製造方法
JP2012174797A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 積層セラミックコンデンサ内部電極に用いられるグラビア印刷用導電性ペースト
JP2015216244A (ja) 2014-05-12 2015-12-03 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよびセラミック電子部品
JP2016035914A (ja) * 2014-07-31 2016-03-17 住友金属鉱山株式会社 導電性ペースト
JP2017141332A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 ナミックス株式会社 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置
KR20180117121A (ko) * 2016-02-29 2018-10-26 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4433162B2 (ja) * 2004-02-05 2010-03-17 株式会社村田製作所 セラミックスラリー、セラミックスラリーの製造方法、及び積層セラミック電子部品の製造方法
JP4507750B2 (ja) * 2004-08-05 2010-07-21 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
JP4482930B2 (ja) * 2004-08-05 2010-06-16 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
KR101198004B1 (ko) * 2010-12-10 2012-11-05 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터용 세라믹 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 이들의 제조방법
JP6314728B2 (ja) * 2014-07-30 2018-04-25 住友金属鉱山株式会社 導電性ペーストの製造方法及びこれにより得られる導電性ペースト

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006012690A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Tdk Corp 導電性ペースト、積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP2011159393A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 導電性ペースト
JP2012077372A (ja) 2010-10-06 2012-04-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銀粉及びその製造方法
JP2012174797A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 積層セラミックコンデンサ内部電極に用いられるグラビア印刷用導電性ペースト
JP2015216244A (ja) 2014-05-12 2015-12-03 株式会社村田製作所 導電性ペーストおよびセラミック電子部品
JP2016035914A (ja) * 2014-07-31 2016-03-17 住友金属鉱山株式会社 導電性ペースト
JP2017141332A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 ナミックス株式会社 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置
KR20180117121A (ko) * 2016-02-29 2018-10-26 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019043671A2 (ja) 2019-03-07
JP7013731B2 (ja) 2022-02-01
CN111386579A (zh) 2020-07-07
JP2019046581A (ja) 2019-03-22
CN111386579B (zh) 2023-12-12
KR102569072B1 (ko) 2023-08-21
WO2019043671A3 (ja) 2019-05-02
MY201078A (en) 2024-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102647944B1 (ko) 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서
WO2019107501A1 (ja) 導電性ペースト、電子部品、及び積層セラミックコンデンサ
WO2019220667A1 (ja) 導電性ペースト、電子部品及び積層セラミックコンデンサ
TWI801445B (zh) 導電性漿料、電子零件以及層積陶瓷電容器
KR20210110286A (ko) 도전성 페이스트, 전자 부품, 및 적층 세라믹 콘덴서
KR102569072B1 (ko) 도전성 페이스트, 전자 부품 및 적층 세라믹 콘덴서
CN112368786B (zh) 导电性浆料、电子部件以及叠层陶瓷电容器
JP7405098B2 (ja) 導電性ペースト、電子部品、及び積層セラミックコンデンサ
CN111066098B (zh) 导电性浆料、电子部件以及叠层陶瓷电容器
KR20200116446A (ko) 도전성 페이스트, 전자 부품, 및 적층 세라믹 콘덴서
CN111902882B (zh) 导电性浆料、电子部件以及叠层陶瓷电容器
CN112470236B (zh) 导电性浆料、电子部件以及叠层陶瓷电容器
WO2019043674A2 (ja) 導電性ペースト、電子部品、及び積層セラミックコンデンサ
WO2019107500A1 (ja) 導電性ペースト、電子部品、及び積層セラミックコンデンサ
WO2019043673A2 (ja) 導電性ペースト、電子部品、及び積層セラミックコンデンサ
TW202016953A (zh) 導電性漿料、電子零件以及層積陶瓷電容器
WO2019043672A2 (ja) 導電性ペースト、電子部品及び積層セラミックコンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant