KR20210034467A - 워크피스 가공용 시트 및 반도체 장치의 제법 방법 - Google Patents

워크피스 가공용 시트 및 반도체 장치의 제법 방법 Download PDF

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다카후미 오가사와라
나오토 오다
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Abstract

기재와, 상기 기재의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 워크피스 가공용 시트로서, 상기 점착제층이, 아크릴계 중합체 및 점착부여제를 적어도 함유하는 점착성 조성물로 형성된 활성 에너지선 경화성의 점착제로 이루어지고, 상기 점착부여제가, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르인 워크피스 가공용 시트. 이러한 워크피스 가공용 시트에 의하면, 워크피스의 활성면에 대해서도 과도하게 밀착성이 상승하는 것을 억제할 수 있어, 양호한 워크피스의 가공을 실현할 수 있다.

Description

워크피스 가공용 시트 및 반도체 장치의 제법 방법{SHEET FOR PROCESSING WORKPIECE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 워크피스의 가공에 호적하게 사용할 수 있는 워크피스 가공용 시트에 관한 것이고, 특히, 활성 상태에 있는 표면(이하, 「활성면」이라 하는 경우가 있다)을 갖는 워크피스의 가공에 호적하게 사용할 수 있는 워크피스 가공용 시트에 관한 것이다.
실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼나 각종 패키지류는, 대경(大徑)의 상태로 제조되고, 소자 소편(小片)(반도체칩)으로 절단(다이싱)되고, 박리(픽업)된 후에, 다음의 공정인 마운트 공정에 옮겨진다. 이때, 반도체 웨이퍼 등의 워크피스는, 기재 및 점착제층을 구비하는 워크피스 가공용 시트에 첩착된 상태에서, 백그라인드, 다이싱, 세정, 건조, 익스팬딩, 픽업, 마운팅 등의 가공이 행해진다.
백그라인드 공정에 있어서는, 통상적으로, 워크피스를 워크피스 가공용 시트 상에 고정한 후에, 당해 워크피스의 노출면이 그라인드 장치를 사용해서 연삭된다. 연삭 후의 워크피스는, 다이싱 공정에 있어서, 워크피스 가공용 시트 상에서 다이싱되어, 복수의 칩으로 개편화(個片化)된다. 그리고, 얻어진 복수의 칩은, 픽업 공정에 있어서, 워크피스 가공용 시트로부터 개별로 픽업된다.
백그라인드 공정에 있어서 편면이 연삭된 워크피스는, 그라인드 공정에 앞서, 새로운 워크피스 가공용 시트에 재부착되는 경우가 있다. 이 경우, 연삭된 면에 대해서, 새로운 워크피스 가공용 시트의 점착제층측의 면(이하, 「점착면」이라 하는 경우가 있다)이 첩부됨과 함께, 그때까지의 워크피스 가공용 시트가 박리된다.
최근에는, 상술한 연삭, 재부착 및 다이싱의 공정을 인라인에서 연속적으로 행하는 경우가 있다. 이 경우, 워크피스의 연삭면에 대한 워크피스 가공용 시트의 첩부는, 연삭의 직후에 행해지는 것으로 된다.
여기에서, 일반적으로, 연삭 직후의 워크피스의 연삭면은, 연삭에 의해서 활성화된 상태로 되어 있다. 그 때문에, 워크피스의 연삭 직후에 워크피스 가공용 시트를 첩부할 경우, 워크피스 가공용 시트는 워크피스의 활성면에 첩부하는 것으로 된다. 이 경우, 당해 활성면이 활성을 갖고 있는 것에 기인해서, 워크피스와 워크피스 가공용 시트와의 사이의 밀착성이 과도하게 상승하기 쉬운 것으로 된다. 특히, 당해 밀착성은, 워크피스와 워크피스 가공용 시트를 적층한 상태의 시간이 길어질수록 상승하는 경향이 있다. 그리고, 이와 같이, 워크피스와 워크피스 가공용 시트가 과도하게 밀착했을 경우, 그 후의 픽업 공정에 있어서, 얻어진 칩이 워크피스 가공용 시트에 강하게 밀착한 상태로 되기 때문에, 양호한 픽업을 할 수 없어진다.
일반적으로, 양호한 픽업을 가능하게 하는 관점에서, 활성 에너지선 경화성을 갖는 점착제에 의해서 구성된 점착제층을 구비하는 워크피스 가공용 시트를 사용하는 것도 행해진다. 이 경우, 픽업의 직전에 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사해서, 점착제층을 경화시킴으로써, 칩에 대한 점착력을 저하시키고, 칩의 분리를 용이하게 할 수 있다. 그러나, 이와 같은 워크피스 가공용 시트를 사용한 경우여도, 상술한 바와 같은 양호한 픽업을 할 수 없다는 문제를 회피하는 것은 곤란하다.
이상과 같은, 워크피스의 활성면에 대한 밀착성의 상승에 따른 문제를 해결하는 것을 목적으로 해서, 특허문헌 1에는, 폴리알킬렌글리콜류 또는 그 유도체를 함유하는 방사선 경화성 점착제층을 구비하는 다이싱용 점착 테이프 또는 시트가 개시되어 있다.
일본 특개2008-060434호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시되는 바와 같은 워크피스 가공용 시트를 사용한 경우여도, 워크피스의 활성면에 대한 워크피스 가공용 시트의 과도한 밀착성의 상승을 억제할 수는 없고, 양호한 워크피스의 가공을 실현하는 것은 곤란하였다.
본 발명은, 상기와 같은 실상에 감안해서 이루어진 것이며, 워크피스의 활성면에 대해서도 과도하게 밀착성이 상승하는 것을 억제할 수 있어, 양호한 워크피스의 가공을 실현할 수 있는 워크피스 가공용 시트, 및 당해 워크피스 가공용 시트를 사용한 반도체 장치의 제법 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 첫째로 본 발명은, 기재와, 상기 기재의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 워크피스 가공용 시트로서, 상기 점착제층이, 아크릴계 중합체 및 점착부여제를 적어도 함유하는 점착성 조성물로 형성된 활성 에너지선 경화성의 점착제로 이루어지고, 상기 점착부여제가, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르인 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트를 제공한다(발명 1).
상기 발명(발명 1)에 따른 워크피스 가공용 시트는, 점착제층이, 점착부여제로서 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르를 함유하는 점착성 조성물로 형성된 활성 에너지선 경화성의 점착제로 구성되어 있음에 의해, 워크피스로서 활성면을 갖는 워크피스를 사용하는 경우여도, 당해 활성면에 대한 밀착성이 과도하게 상승하는 것을 억제할 수 있다. 그로부터, 가공 후의 워크피스(칩 등)를 워크피스 가공용 시트로부터 양호하게 분리하는 것이 가능하게 되고, 결과로서, 양호한 워크피스 가공을 실현할 수 있다.
상기 발명(발명 1)에 있어서, 상기 점착성 조성물 중에 있어서의 상기 점착부여제의 함유량은, 상기 아크릴 공중합체 100질량부에 대해서, 0.005질량부 이상, 15질량부 이하인 것이 바람직하다(발명 2).
상기 발명(발명 1, 2)에 있어서, 상기 점착부여제의 연화점은, -100℃ 이상, 50℃ 이하인 것이 바람직하다(발명 3).
상기 발명(발명 1∼3)에 있어서, 상기 점착부여제의 중량 평균 분자량은, 1000 이상인 것이 바람직하다(발명 4).
상기 발명(발명 1∼4)에 있어서, 상기 워크피스 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사하기 전에 있어서의, 상기 워크피스 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한 점착력은, 200mN/25㎜ 이상, 20000mN/25㎜ 이하인 것이 바람직하다(발명 5).
상기 발명(발명 1∼5)에 있어서, 상기 아크릴계 중합체는, 활성 에너지선 경화성을 갖는 것임이 바람직하다(발명 6).
상기 발명(발명 1∼6)에 있어서, 상기 아크릴계 중합체는, 당해 아크릴계 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 -30℃ 이하인 모노머를 10질량% 이상 함유함과 함께, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 모노머를 3질량% 이상 함유하는 것이 바람직하다(발명 7).
상기 발명(발명 7)에 있어서, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 상기 모노머는, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴로일모르폴린, 아세트산비닐 및 메타크릴산2-히드록시에틸에서 선택되는 적어도 1종의 모노머인 것이 바람직하다(발명 8).
상기 발명(발명 1∼8)에 있어서는, 표면을 연삭하고 120분 이내의 반도체 웨이퍼에 있어서의 상기 연삭한 면에 첩부되는 것이 바람직하다(발명 9).
상기 발명(발명 1∼9)에 있어서는, 표면을 연삭하고 120분 이내의 반도체 웨이퍼에 있어서의 상기 연삭한 면, 및 상기 연삭한 면 이외의 면의 어느 것에도 첩부 가능한 것임이 바람직하다(발명 10).
둘째로 본 발명은, 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭하는 연삭 공정과, 상기 반도체 웨이퍼에 있어서의 상기 연삭을 행한 면에 대하여, 상기 워크피스 가공용 시트(발명 1∼10)를 첩부하는 첩부 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 워크피스 가공용 시트 상에서 다이싱하여, 복수의 반도체칩을 얻는 다이싱 공정과, 상기 워크피스 가공용 시트에 있어서의 상기 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사하는 활성 에너지선 조사 공정과, 상기 반도체칩을 상기 워크피스 가공용 시트로부터 개별로 픽업하는 픽업 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제법 방법을 제공한다(발명 11).
상기 발명(발명 11)에 있어서, 상기 첩부 공정에 있어서의 상기 반도체 웨이퍼에의 상기 워크피스 가공용 시트의 첩부는, 상기 연삭 공정에 있어서의 상기 반도체 웨이퍼의 표면의 연삭으로부터 120분 이내에 행해지는 것이 바람직하다(발명 12).
본 발명에 따른 워크피스 가공용 시트는, 워크피스의 활성면에 대해서도 과도하게 밀착성이 상승하는 것을 억제할 수 있어, 양호한 워크피스의 가공을 실현할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 제법 방법에 따르면, 반도체 장치를 양호하게 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 기재와, 당해 기재의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한다. 당해 점착제층은, 아크릴계 중합체 및 점착부여제를 적어도 함유하는 점착성 조성물로 형성된 활성 에너지선 경화성의 점착제로 이루어진다. 그리고, 당해 점착부여제는, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르이다.
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 상기한 바와 같이, 점착제층이, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르인 점착부여제를 함유하는 점착성 조성물로 형성된 활성 에너지선 경화성의 점착제로 이루어짐에 의해, 그 점착면이 워크피스의 활성면에 첩부되는 경우여도, 당해 활성면에 대한 밀착성이 과도하게 상승하는 것이 억제된다. 그것에 의해, 워크피스 가공용 시트로부터의 가공 후의 워크피스의 분리를 양호하게 행하는 것이 가능하게 되고, 결과로서, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트를 사용함으로써, 양호한 워크피스의 가공을 행할 수 있다.
상술과 같은, 밀착성의 과도한 상승이 억제되는 이유로서는, 그것으로 한정되는 것은 아니지만, 이하의 것이 예상된다. 우선, 워크피스의 표면이 활성화되는 메커니즘으로서는, 워크피스의 표면을 연삭함으로써, 당해 표면에 존재하고 있던 불활성의 부분이 제거되고, 내부의 활성을 가진 부분이 노출하는 것을 생각할 수 있다. 예를 들면, 워크피스가 실리콘 웨이퍼일 경우, 실리콘 웨이퍼는 통상의 상태에 있어서, 그 표면이 산화되고, 불활성의 SiO2막이 형성되어 있다고 생각할 수 있다. 이와 같은 실리콘 웨이퍼의 표면을 연삭하면, SiO2막이 제거되고, 미산화의 상태의 규소 원자가 노출하게 된다. 또, 노출한 규소 원자는, 백그라인드 공정 등에서 사용되는 세정수나 대기 중의 수분과 반응해서, Si-H나 Si-OH의 구조를 부분적으로 형성하는 경우도 있다. 이와 같이 SiO2막이 제거되어 노출한 표면은, 일반적인 워크피스 가공용 시트의 점착면과 상호 작용하기 쉽거나, 또한, 점착제층을 구성하는 점착제와 화학적인 결합을 발생하기 쉬운 상태로 되어 있다.
또, 본원 명세서에 있어서, 워크피스의 표면이 활성화된 상태에 있다는 것은, 그 표면으로부터 SiO2막이 제거된 상태에 있는 것을 가리키고, 특히, 워크피스의 표면을 연삭하고 나서 120분 이내인 상태를 가리키고, 바람직하게는 워크피스의 표면을 연삭하고 나서 30분 이내인 상태를 가리키고, 보다 바람직하게는 워크피스의 표면을 연삭하고 나서 5분 이내인 상태를 가리키는 것으로 한다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트가, 상술과 같이 해서 발생한 워크피스의 활성면에 대해서도, 밀착성의 과도한 상승을 억제할 수 있는 메커니즘으로서는, 다음의 것을 생각할 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 점착제층은, 통상적으로, 상술한 점착성 조성물을 사용해서 도막을 형성하고, 당해 도막을 경화시킴으로써 형성된다. 여기에서, 당해 점착성 조성물에 함유되는 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르는, 분자량이 비교적 크고, 점착성 조성물 중에 함유되는 그 밖의 성분과의 사이에서 상용성이 비교적 낮다. 또한, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르는 상온에서 유동성이 비교적 높고, 점착성 조성물 중에 있어서 이동하기 쉽다. 이와 같이, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르가, 그 밖의 성분과의 사이에서 상용성이 낮은 것과, 점착성 조성물 중에 있어서 이동하기 쉬운 것이 어울려서, 점착성 조성물을 사용해서 형성된 도막에 있어서는, 그 표면에 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르가 이동하기 쉬운 것으로 된다. 이와 같은 도막을 경화시킴으로써, 표면 부근에 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르가 편재(偏在)한 점착제층이 형성되고, 결과로서, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 그 점착면의 부근에 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르가 편재한 것으로 된다. 그리고, 점착면의 부근에 존재하는 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르는, 상술한 바와 같은 워크피스의 활성면과의 상호 작용이나 화학적 결합을 억제하도록 작용으로 하는 것으로 생각할 수 있고, 이것에 의해, 워크피스의 활성면과 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트와의 밀착성의 과도한 상승이 억제되는 것으로 생각할 수 있다.
1. 워크피스 가공용 시트의 구성 부재
(1) 기재
본 실시형태에 있어서의 기재로서는, 워크피스 가공용 시트의 사용 시에 원하는 기능을 발휘하는 것인 한, 특히 한정되지 않는다. 특히, 기재는, 수지계의 재료를 주재로 하는 수지 필름인 것이 바람직하다. 그 구체예로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 필름; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름; 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산메틸 공중합체 필름, 그 밖의 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름; 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; (메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리이미드 필름; 폴리스티렌 필름; 폴리카보네이트 필름; 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 또한, 기재는, 상술한 필름이 복수 적층되어 이루어지는 적층 필름이어도 된다. 이 적층 필름에 있어서, 각층을 구성하는 재료는 동종이어도 되고, 이종이어도 된다. 상기한 것 중에서도, 에틸렌계 공중합 필름을 사용하는 것이 바람직하고, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「중합체」는 「공중합체」의 개념도 포함하는 것으로 한다.
기재는, 난연제, 가소제, 대전방지제, 활제, 산화방지제, 착색제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 이온포착제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 이들 첨가제의 함유량으로서는, 특히 한정되지 않지만, 기재가 원하는 기능을 발휘하는 범위로 하는 것이 바람직하다.
기재의 점착제층이 적층되는 면에는, 점착제층과의 밀착성을 높이기 위해서, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리 등의 표면 처리가 실시되어도 된다.
기재의 두께는, 워크피스 가공용 시트가 사용되는 방법에 따라서 적의(適宜) 설정할 수 있지만, 예를 들면, 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 150㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 기재(11)의 두께는, 10㎛ 이상인 것이 바람직하고, 25㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다.
(2) 점착제층
본 실시형태에 있어서의 점착제층을 구성하는 점착제로서는, 아크릴계 중합체와, 점착부여제로서의 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르를 적어도 함유하는 점착성 조성물로 형성된 활성 에너지선 경화성의 점착제임과 함께, 워크피스 가공용 시트 상에 있어서의 워크피스의 가공을 가능하게 하는 점착력을 달성할 수 있는 것인 한, 특히 한정되지 않는다.
상기 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르로서는 특히 한정은 없지만, 예를 들면, 로진류, 폴리알킬렌글리콜모노알킬에테르, 다가 알코올 및 α,β-불포화 카르복시산을 에스테르화 반응시킴에 의해 얻어지는 것임이 바람직하다.
또한, 상기 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르로서는, 그 연화점이, 50℃ 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 20℃ 이하인 것을 사용하는 것이 특히 바람직하고, 0℃ 이하인 것을 사용하는 것이 더 바람직하다. 연화점이 50℃ 이하임에 의해, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르의 유동성이 보다 높은 것으로 되고, 결과로서, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트가 워크피스의 활성면에 대한 밀착성의 과도한 상승을 억제하기 쉬운 것으로 된다. 또, 상기 연화점의 하한값으로서는 특히 한정되지 않으며, -100℃ 이상인 것이 바람직하고, -70℃ 이상인 것이 특히 바람직하고, -40℃ 이상인 것이 더 바람직하다.
또한, 상기 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르로서는, 그 중량 평균 분자량이, 1000 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 2000 이상인 것을 사용하는 것이 특히 바람직하고, 3000 이상인 것을 사용하는 것이 더 바람직하다. 중량 평균 분자량이 1000 이상임에 의해, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르가, 점착성 조성물 중의 그 밖의 성분과 상용성이 적당히 저하하기 쉬워지고, 결과로서, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트가 워크피스의 활성면에 대한 밀착성의 과도한 상승을 억제하기 쉬운 것으로 된다. 또, 상기 중량 평균 분자량의 상한값은, 점착성 조성물과의 상용성의 관점에서, 100만 이하인 것이 바람직하고, 10만 이하인 것이 보다 바람직하고, 5만 이하인 것이 특히 바람직하고, 8000 이하인 것이 더 바람직하다.
점착성 조성물 중에 있어서의 점착부여제로서의 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르의 함유량은, 아크릴계 중합체 100질량부에 대해서, 0.005질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.01질량부 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.05질량부 이상인 것이 더 바람직하다. 상기 함유량이 0.005질량부 이상임에 의해, 상술하는 바와 같은 밀착성의 과도한 상승을 효과적으로 억제하기 쉬운 것으로 된다. 또한, 상기 함유량은, 아크릴계 중합체 100질량부에 대해서, 15질량부 이하인 것이 바람직하고, 10질량부 이하인 것이 특히 바람직하고, 5질량부 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 함유량이 15질량부 이하임에 의해, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트가, 워크피스의 가공 시에 필요하게 되는 워크피스에 대한 점착력을 갖기 쉬운 것으로 된다.
본 실시형태에 있어서의 점착제층을 구성하는 점착제는, 활성 에너지선 경화성을 갖는 점착제(이하, 「활성 에너지선 경화성 점착제」라 하는 경우가 있다)이다. 점착제층이 활성 에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있음으로써, 활성 에너지선의 조사에 의해 점착제층을 경화시키고, 워크피스 가공용 시트의 피착체에 대한 점착력을 저하시킬 수 있다. 이것에 의해, 가공 후의 워크피스를 워크피스 가공용 시트로부터 용이하게 분리하는 것이 가능하게 된다.
상기 활성 에너지선 경화성 점착제는, 아크릴계 중합체와 점착부여제를 적어도 함유하는 점착성 조성물로 형성된 것인 한 특히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 점착성 조성물이, 아크릴계 중합체로서, 활성 에너지선 경화성을 갖는 아크릴계 중합체를 함유하는 것이어도 된다. 혹은, 상기 점착성 조성물이, 활성 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체와 함께, 적어도 하나 이상의 활성 에너지선 경화성을 갖는 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 것이어도 된다.
최초로, 활성 에너지선 경화성 점착제가, 활성 에너지선 경화성을 갖는 아크릴계 중합체를 함유하는 점착성 조성물로 형성된 것인 경우에 대하여 설명한다.
활성 에너지선 경화성을 갖는 아크릴계 중합체는, 측쇄에 활성 에너지선 경화성을 갖는 관능기(활성 에너지선 경화성기)가 도입된 아크릴계 중합체(이하 「활성 에너지선 경화성 중합체(A)」라 하는 경우가 있다)인 것이 바람직하다. 이 활성 에너지선 경화성 중합체(A)는, 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)와, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물(a2)을 반응시켜서 얻어지는 것임이 바람직하다.
상술한 관능기 함유 모노머로서는, 중합성의 이중결합과, 히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 아미드기, 벤질기, 글리시딜기 등의 관능기를 분자 내에 갖는 모노머가 바람직하고, 이들 중에서도, 관능기로서 히드록시기를 함유하는 모노머(히드록시기 함유 모노머)를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 아크릴산2-히드록시에틸을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용된다.
상기 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복시산을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
상기 아미노기 함유 모노머 또는 아미드기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산아미노에틸, (메타)아크릴산n-부틸아미노에틸 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)는, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 3질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 5질량% 이상 함유하는 것이 특히 바람직하고, 10질량% 이상 함유하는 것이 더 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)는, 상기 관능기 함유 모노머로부터 유도되는 구성 단위를, 40질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 35질량% 이하로 함유하는 것이 특히 바람직하고, 30질량% 이하로 함유하는 것이 더 바람직하다. (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가 관능기 함유 모노머를 상기 범위에서 함유함에 의해, 원하는 활성 에너지선 경화성 중합체(A)를 형성하기 쉬운 것으로 된다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)는, 원하는 성능을 갖는 점착제를 형성하기 쉽다는 관점에서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)를 구성하는 모노머 단위로서, (메타)아크릴산알킬에스테르를 함유하는 것도 바람직하다. 당해 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 것이 바람직하고, 탄소수가 1∼8인 것이 특히 바람직하다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르의 구체예로서는, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산n-펜틸, (메타)아크릴산n-헥실, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-데실, (메타)아크릴산라우릴, (메타)아크릴산미리스틸, (메타)아크릴산팔미틸, (메타)아크릴산스테아릴 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)를 구성하는 모노머 단위로서, 상술한 관능기 함유 모노머 및 (메타)아크릴산알킬에스테르 이외에, 그 밖의 모노머를 함유해도 된다.
상기 그 밖의 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메톡시메틸, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시메틸, (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 알콕시알킬기 함유 (메타)아크릴산에스테르; (메타)아크릴산시클로헥실 등의 지방족환을 갖는 (메타)아크릴산에스테르; (메타)아크릴산페닐 등의 방향족환을 갖는 (메타)아크릴산에스테르; N-(메타)아크릴로일모르폴린, N-비닐-2-피롤리돈, N-(메타)아크릴로일피롤리돈 등의 질소 함유 복소환을 갖는 모노머; (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드 등의 비가교성의 아크릴아미드; (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노프로필 등의 비가교성의 3급 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르; 아세트산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 워크피스 가공용 시트에 있어서는, 워크피스의 가공을 가능하게 하는 원하는 점착력을 발휘하면서도, 워크피스의 활성면에 대한 밀착성의 과도한 상승을 더 억제하기 쉬워진다는 관점에서, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가, 당해 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)를 구성하는 모노머 단위로서, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 -30℃ 이하인 모노머를 함유하는 것이 바람직하고, 또한, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 모노머를 더 함유하는 것이 바람직하다. 특히, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)는, 당해 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)를 구성하는 모노머 단위로서, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 -30℃ 이하인 모노머를 10질량% 이상 함유함과 함께, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 모노머를 3질량% 이상 함유하는 것이 가장 바람직하다.
상술한, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 -30℃ 이하인 모노머의 예로서는, 아크릴산n-부틸(Tg -55℃), 아크릴산2-에틸헥실(Tg -70℃), 아크릴산2-메톡시에틸(Tg -50℃), 아크릴산n-옥틸(Tg -65℃), 아크릴산이소옥틸(Tg -58℃), 아크릴산이소노닐(Tg -58℃), 아크릴산이소데실(Tg -60℃), 메타크릴산이소데실(Tg -41℃), 메타크릴산n-라우릴(Tg -65℃), 아크릴산트리데실(Tg -55℃), 메타크릴산트리데실(Tg -40℃), 에톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트(Tg -70℃), 메톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트(Tg -50℃) 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기한 것 중에서도, 상술한 효과를 달성하기 쉽다는 관점에서, 아크릴산n-부틸(Tg -55℃), 아크릴산2-에틸헥실(Tg -70℃) 및 아크릴산2-메톡시에틸(Tg -50℃)의 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가, 당해 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)를 구성하는 모노머 단위로서, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 -30℃ 이하인 모노머를 함유할 경우, 당해 모노머의 함유량은, 상술한 효과를 달성하기 쉽다는 관점에서, 10질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 20질량% 이상 함유하는 것이 특히 바람직하고, 30질량% 이상 함유하는 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 모노머의 함유량은, 90질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 85질량% 이하로 함유하는 것이 특히 바람직하고, 80질량% 이하로 함유하는 것이 더 바람직하다.
상술한, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 모노머의 예로서는, 아크릴산메틸(Tg 10℃), 메타크릴산메틸(Tg 105℃), 아크릴로일모르폴린(Tg 145℃), 아세트산비닐(Tg 28℃) 및 메타크릴산2-히드록시에틸(Tg 26℃), 메타크릴산에틸(Tg 65℃), 메타크릴산n-부틸(Tg 20℃), 메타크릴산이소부틸(Tg 48℃), 메타크릴산t-부틸(Tg 107℃), 아크릴산n-스테아릴(Tg 30℃), 메타크릴산n-스테아릴(Tg 38℃), 아크릴산시클로헥실(Tg 15℃), 메타크릴산시클로헥실(Tg 66℃), 메타크릴산벤질(Tg 54℃), 아크릴산이소보르닐(Tg 94℃), 메타크릴산이소보르닐(Tg 180℃), 아크릴산아다만틸(Tg 115℃), 메타크릴산테트라히드로푸르푸릴(Tg 60℃), 메타크릴산아다만틸(Tg 141℃) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기한 것 중에서도, 상술한 효과를 달성하기 쉽다는 관점에서, 아크릴산메틸(Tg 10℃), 메타크릴산메틸(Tg 105℃), 아크릴로일모르폴린(Tg 145℃), 아세트산비닐(Tg 28℃) 및 메타크릴산2-히드록시에틸(Tg 26℃)의 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가, 당해 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)를 구성하는 모노머 단위로서, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 모노머를 함유할 경우, 당해 모노머의 함유량은, 상술한 효과를 달성하기 쉽다는 관점에서, 3질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 5질량% 이상 함유하는 것이 특히 바람직하고, 10질량% 이상 함유하는 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 모노머의 함유량은, 60질량% 이하로 함유하는 것이 바람직하고, 50질량% 이하로 함유하는 것이 특히 바람직하고, 45질량% 이하로 함유하는 것이 더 바람직하다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)의 중합 태양은, 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 된다. 또한, 중합법에 관해서는 특히 한정되지 않으며, 일반적인 중합법, 예를 들면 용액 중합법에 의해 중합할 수 있다.
상기 관능기 함유 모노머 단위를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)를, 그 관능기에 결합하는 관능기를 갖는 불포화기 함유 화합물(a2)과 반응시킴에 의해, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)가 얻어진다.
불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가 갖는 관능기 함유 모노머 단위의 관능기의 종류에 따라서, 적의 선택할 수 있다. 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가 갖는 관능기가 히드록시기, 아미노기 또는 카르복시기일 경우, 불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기로서는 이소시아네이트기, 에폭시기 또는 아지리디닐기가 바람직하고, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가 갖는 관능기가 글리시딜기일 경우, 불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기로서는 아미노기, 카르복시기 또는 아지리디닐기가 바람직하다.
또한 상기 불포화기 함유 화합물(a2)에는, 활성 에너지선 중합성의 탄소-탄소 이중결합이, 1분자 중에 적어도 1개, 바람직하게는 1∼6개, 더 바람직하게는 1∼4개 포함되어 있다. 이와 같은 불포화기 함유 화합물(a2)의 구체예로서는, 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-(2-메타크릴로일옥시에틸옥시)에틸이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, (메타)아크릴산히드록시에틸과의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, (메타)아크릴산히드록시에틸과의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; (메타)아크릴산글리시딜; (메타)아크릴산, (메타)아크릴산2-(1-아지리디닐)에틸, 2-비닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
상기 불포화기 함유 화합물(a2)은, 상기 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)의 관능기 함유 모노머의 몰수에 대해서, 바람직하게는 50몰% 이상, 특히 바람직하게는 60몰% 이상, 더 바람직하게는 70몰% 이상의 비율에서 사용된다. 또한, 상기 불포화기 함유 화합물(a2)은, 상기 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)의 관능기 함유 모노머의 몰수에 대해서, 바람직하게는 95몰% 이하, 특히 바람직하게는 93몰% 이하, 더 바람직하게는 90몰% 이하의 비율에서 사용된다.
(메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)와 불포화기 함유 화합물(a2)과의 반응에 있어서는, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)가 갖는 관능기와 불포화기 함유 화합물(a2)이 갖는 관능기와의 조합에 따라서, 반응의 온도, 압력, 용매, 시간, 촉매의 유무, 촉매의 종류를 적의 선택할 수 있다. 이것에 의해, (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1) 중에 존재하는 관능기와, 불포화기 함유 화합물(a2) 중의 관능기가 반응하고, 불포화기가 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1) 중의 측쇄에 도입되어, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)가 얻어진다.
이와 같이 해서 얻어지는 활성 에너지선 경화성 중합체(A)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 10만 이상인 것이 바람직하고, 15만 이상인 것이 특히 바람직하고, 20만 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 중량 평균 분자량(Mw)은, 200만 이하인 것이 바람직하고, 150만 이하인 것이 특히 바람직하고, 100만 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC법)에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 값이다.
활성 에너지선 경화성 점착제가, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)와 같은 활성 에너지선 경화성을 갖는 아크릴계 중합체를 함유하는 점착성 조성물로 형성된 것인 경우여도, 당해 점착성 조성물은, 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 더 함유해도 된다.
활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)로서는, 예를 들면, 다가 알코올과 (메타)아크릴산과의 에스테르 등을 사용할 수 있다.
이러한 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)로서는, 예를 들면, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트 등의 단관능성 아크릴산에스테르류, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메타)아크릴레이트 등의 다관능성 아크릴산에스테르류, 폴리에스테르올리고(메타)아크릴레이트, 폴리우레탄올리고(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 있어서의 점착성 조성물이, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)와 함께, 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)도 함유할 경우, 점착성 조성물 중에 있어서의 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 5질량부 이상인 것이 바람직하고, 10질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 150질량부 이하인 것이 바람직하고, 100질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.
여기에서, 활성 에너지선 경화성 점착제를 경화시키기 위한 활성 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 점착성 조성물이, 광중합개시제(C)를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합개시제(C)를 사용함에 의해, 중합 경화 시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.
광중합개시제(C)의 구체예로서는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오잔톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, (2,4,6-트리메틸벤질디페닐)포스핀옥사이드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고{2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로판온}, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온을 사용하는 것이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
광중합개시제(C)는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)(활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 및 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100질량부) 100질량부에 대해서 0.1질량부 이상, 특히 0.5질량부 이상의 양으로 사용되는 것이 바람직하다. 또한, 광중합개시제(C)는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A)(활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)를 배합하는 경우에는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 및 활성 에너지선 경화성의 모노머 및/또는 올리고머(B)의 합계량 100질량부) 100질량부에 대해서 10질량부 이하, 특히 6질량부 이하의 양으로 사용되는 것이 바람직하다.
활성 에너지선 경화성을 갖는 아크릴계 중합체를 함유하는 점착성 조성물은, 상기 성분 이외에도, 적의 다른 성분을 배합해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들면, 활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(D), 가교제(E) 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 비경화성 폴리머 성분 또는 올리고머 성분(D)으로서는, 예를 들면, 폴리아크릴산에스테르, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있고, 중량 평균 분자량(Mw)이 3000∼250만인 폴리머 또는 올리고머가 바람직하다. 점착성 조성물이 성분(D)을 함유함에 의해, 경화 전에 있어서의 점착성 및 박리성, 경화 후의 강도, 다른 층과의 접착성, 보존안정성 등을 향상시키기 쉬워진다. 당해 성분(D)의 배합량은 특히 한정되지 않으며, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서 0질량부 초과, 50질량부 이하의 범위에서 적의 결정된다.
가교제(E)의 사용은, 점착제층(13)의 저장 탄성률을 원하는 범위로 조정하기 쉽다는 관점에서 바람직하다. 가교제(E)로서는, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 등이 갖는 관능기와의 반응성을 갖는 다관능성 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 다관능성 화합물의 예로서는, 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아민 화합물, 멜라민 화합물, 아지리딘 화합물, 히드라진 화합물, 알데히드 화합물, 옥사졸린 화합물, 금속 알콕시드 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속염, 암모늄염, 반응성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
가교제(E)의 배합량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 0.01질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.1질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 가교제(E)의 배합량은, 활성 에너지선 경화성 중합체(A) 100질량부에 대해서, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 5질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.
다음으로, 활성 에너지선 경화성 점착제가, 활성 에너지선 경화성을 갖지 않는 아크릴계 중합체(이하, 「활성 에너지선 비경화성 아크릴계 중합체」라 하는 경우가 있다)와 함께, 적어도 하나 이상의 활성 에너지선 경화성을 갖는 모노머 및/또는 올리고머를 함유하는 점착성 조성물로 형성된 것인 경우에 대하여, 이하 설명한다.
활성 에너지선 비경화성 아크릴계 중합체로서는, 예를 들면, 상술한 (메타)아크릴산에스테르 중합체(a1)와 마찬가지의 성분을 사용할 수 있다.
적어도 하나 이상의 활성 에너지선 경화성을 갖는 모노머 및/또는 올리고머로서는, 상술의 성분(B)과 같은 것을 선택할 수 있다. 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 중합체와 적어도 하나 이상의 활성 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머와의 배합비는, 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 중합체 100질량부에 대해서, 적어도 하나 이상의 활성 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머 1질량부 이상인 것이 바람직하고, 50질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 배합비는, 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 중합체 100질량부에 대해서, 적어도 하나 이상의 활성 에너지선 경화성기를 갖는 모노머 및/또는 올리고머 200질량부 이하인 것이 바람직하고, 160질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.
이 경우에 있어서도, 상기와 마찬가지로, 광중합개시제(C)나 가교제(E)를 적의 배합할 수 있다.
점착제층의 두께는, 1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 3㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 점착제층의 두께는, 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 50㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 25㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 점착제층의 두께가 상기 범위임으로써, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트가, 워크피스의 가공을 가능하게 하는 충분한 점착력을 실현하면서도, 활성 상태에 있는 워크피스에 대한 밀착성의 과도한 상승을 억제하기 쉬운 것으로 된다.
(3) 박리 시트
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트에서는, 그 점착면을 워크피스에 첩부하기 전까지, 당해 면을 보호할 목적으로, 당해 면에 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이며, 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로서는, 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 사용할 수 있고, 이들 중에서, 안가(安價)이며 안정한 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트의 두께에 대해서는 특히 제한은 없지만, 통상 20㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.
2. 워크피스 가공용 시트의 물성
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트에서는, 워크피스 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사하기 전에 있어서의, 워크피스 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한 점착력이, 200mN/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 300mN/25㎜ 이상인 것이 특히 바람직하고, 400mN/25㎜ 이상인 것이 더 바람직하다. 상기 점착력이 200mN/25㎜ 이상임에 의해, 워크피스 가공용 시트의 점착면 상에 워크피스를 양호하게 고정하기 쉬워진다. 그 결과, 워크피스의 가공을 보다 양호하게 행하는 것이 가능하게 되며, 예를 들면, 다이싱 시에, 칩핑이나 칩 비산을 효과적으로 억제할 수 있는 것으로 된다. 또한, 상기 점착력은, 20000mN/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 10000mN/25㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 5000mN/25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 점착력이 20000mN/25㎜ 이하임에 의해, 워크피스의 활성면에 대한 밀착성의 과도한 상승을 보다 억제하기 쉬운 것으로 된다. 또, 상기 실리콘 웨이퍼의 미러면이란, 활성면이 아닌 것으로 한다. 또한, 상기 점착력의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재된 바와 같다.
또한, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트에서는, 워크피스 가공용 시트에 있어서의 점착면을 실리콘 웨이퍼의 미러면에 첩부한 후, 또한, 당해 워크피스 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사한 후에 있어서의, 워크피스 가공용 시트의 상기 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한 점착력이, 200mN/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 100mN/25㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 70mN/25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 점착력이 200mN/25㎜ 이하임으로써, 워크피스 가공용 시트로부터 가공 후의 워크피스를 양호하게 분리하기 쉬워진다. 또한, 상기 점착력은, 10mN/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 15mN/25㎜ 이상인 것이 특히 바람직하고, 20mN/25㎜ 이상인 것이 더 바람직하다. 상기 점착력이 10mN/25㎜ 이상임에 의해, 활성 에너지선을 조사한 후에 있어서, 가공 후의 워크피스가 워크피스 가공용 시트로부터 의도하지 않게 탈리하는 것을 효과적으로 억제하기 쉬워진다. 또, 상기 실리콘 웨이퍼의 미러면이란, 활성면이 아닌 것으로 한다. 또한, 상기 점착력의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재된 바와 같다.
또한, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트에서는, 실리콘 웨이퍼의 표면을 연삭하고 5분 후의 연삭면에, 워크피스 가공용 시트에 있어서의 점착면을 첩부하고, 7일간 경과시킨 후, 당해 워크피스 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 더 조사한 후에 있어서의, 워크피스 가공용 시트의 상기 연삭면에 대한 점착력이, 500mN/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 400mN/25㎜ 이하인 것이 특히 바람직하고, 300mN/25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 점착력이 500mN/25㎜ 이하임으로써, 워크피스로서 활성면을 갖는 것을 사용하는 경우여도, 워크피스 가공용 시트로부터 가공 후의 워크피스를 양호하게 분리하기 쉬워진다. 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 상술한 바와 같이, 점착제층이, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르를 함유하는 점착성 조성물을 사용해서 형성되는 점착제로 이루어지는 것임으로써, 워크피스의 활성면에 대해서도 상술한 점착력을 달성할 수 있다. 또한, 상기 점착력은, 10mN/25㎜ 이상인 것이 바람직하고, 15mN/25㎜ 이상인 것이 특히 바람직하고, 20mN/25㎜ 이상인 것이 더 바람직하다. 상기 점착력이 10mN/25㎜ 이하임에 의해, 활성 에너지선을 조사한 후에 있어서, 가공 후의 워크피스가 워크피스 가공용 시트로부터 의도하지 않게 탈리하는 것을 효과적으로 억제하기 숴워진다. 또, 상기 점착력의 측정 방법의 상세는, 후술하는 시험예에 기재된 바와 같다.
3. 워크피스 가공용 시트의 제조 방법
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트의 제조 방법은 특히 한정되지 않는다. 바람직한 제조 방법으로서는, 점착제층과 박리 시트와의 적층체를 준비한 후, 당해 적층체에 있어서의 점착제층측의 면에 기재를 첩합하는 방법을 들 수 있다.
상술한 적층체의 형성은, 공지의 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들면, 점착제층을 형성하기 위한 점착성 조성물, 및 소망에 따라 용매 또는 분산매를 더 함유하는 도포액을 조제하고, 당해 도포액을 박리 시트의 박리면 상에 도포해서 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴에 의해 점착제층을 형성한다. 이것에 의해, 점착제층과 박리 시트와의 적층체가 얻어진다.
도포액의 도포는 공지의 방법에 의해 행할 수 있으며, 예를 들면, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등에 의해 행할 수 있다. 또, 도포액은, 도포를 행하는 것이 가능하면 그 성상은 특히 한정되지 않으며, 점착제층을 형성하기 위한 성분을 용질로서 함유하는 경우도 있고, 분산질로서 함유하는 경우도 있다. 또한, 박리 시트는 공정 재료로서 박리해도 되고, 워크피스에 첩부하기 전까지, 점착제층을 보호하고 있어도 된다.
점착제층을 형성하기 위한 점착성 조성물이 가교제(E)를 함유하는 경우에는, 상기한 건조의 조건(온도, 시간 등)을 바꿈에 의해, 또는 가열 처리를 별도 마련함에 의해, 도막 내의 활성 에너지선 경화성 중합체(A)와 가교제(E)와의 가교 반응을 진행시켜서, 점착제층 내에 원하는 존재 밀도로 가교 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상술한 가교 반응을 충분히 진행시키기 위해서, 상술한 적층체와 기재를 첩합한 후, 예를 들면 23℃, 상대 습도 50%의 환경에 수일간 정치하는 것과 같은 양생을 행해도 된다.
4. 워크피스 가공용 시트의 사용 방법
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 워크피스의 가공을 위하여 사용할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트의 점착면을 워크피스의 편면에 첩부한 후, 워크피스 가공용 시트 상에서 워크피스의 가공을 행할 수 있다. 당해 가공의 예로서는, 백그라인드, 다이싱, 익스팬딩, 픽업 등을 들 수 있다. 상기 다이싱은, 예를 들면, 회전하는 원형 칼날을 사용한 블레이드 다이싱이어도 되고, 레이저광의 조사에 의해서 반도체 웨이퍼를 풀컷하는 레이저 다이싱이어도 되고, 레이저광의 조사에 의해서 반도체 웨이퍼에 개질층을 형성한 후, 반도체 웨이퍼를 인연(引延)함으로써 당해 개질층에서 반도체 웨이퍼를 분할하는 스텔스 다이싱이어도 된다. 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 그 가공의 종류에 따라서, 백그라인드 시트, 다이싱 시트, 익스팬딩 시트, 픽업 시트 등으로서 사용할 수 있다.
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트를 사용해서 가공되는 워크피스의 예로서는, 반도체 웨이퍼, 반도체 패키지 등의 반도체 부재, 유리판 등의 유리 부재를 들 수 있다. 여기에서, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 상술한 바와 같이, 활성면을 갖는 워크피스에 있어서의 당해 활성면에 점착면을 첩부한 경우여도, 당해 활성면에 대한 워크피스 가공용 시트의 밀착성의 상승을 양호하게 억제할 수 있다. 그 때문에, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 활성면을 갖는 워크피스(특히, 표면을 연삭하고 120분 이내의 반도체 웨이퍼에 있어서의 당해 연삭한 면)의 가공에 사용하는 것이 호적하다. 그러나, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 활성면을 갖는 워크피스(특히, 표면을 연삭하고 120분 이내의 반도체 웨이퍼에 있어서의 당해 연삭한 면), 및 활성면을 갖지 않는 통상의 워크피스(특히, 표면을 연삭하고 120분 이내의 반도체 웨이퍼에 있어서의 당해 연삭한 면 이외의 면)의 어느 것에도 첩부 가능한 것이다.
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트 상에서 워크피스의 가공이 완료하고, 가공 후의 워크피스를 워크피스 가공용 시트로부터 분리하는 경우에는, 당해 분리 전에 워크피스 가공용 시트에 있어서의 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 점착제층이 경화하고, 가공 후의 워크피스에 대한 워크피스 가공용 시트의 점착력이 양호하게 저하하고, 가공 후의 워크피스의 분리가 용이하게 된다.
상술한 활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 자외선이나 전자선 등을 사용할 수 있다. 특히, 취급이 용이한 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사는, 고압 수은 램프, 제논 램프, LED 등에 의해서 행할 수 있고, 자외선의 조사량은, 조도가 50mW/㎠ 이상, 1000mW/㎠ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 광량은, 50mJ/㎠ 이상인 것이 바람직하고, 80mJ/㎠ 이상인 것이 특히 바람직하고, 200mJ/㎠ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 광량은, 10000mJ/㎠ 이하인 것이 바람직하고, 5000mJ/㎠ 이하인 것이 특히 바람직하고, 2000mJ/㎠ 이하인 것이 더 바람직하다. 한편, 전자선의 조사는, 전자선 가속기 등에 의해서 행할 수 있고, 전자선의 조사량은, 10krad 이상, 1000krad 이하가 바람직하다.
본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트는, 특히, 이하의 공정을 구비하는 반도체 장치의 제법 방법에 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 당해 반도체 장치의 제법 방법은, 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭하는 연삭 공정과, 상기 반도체 웨이퍼에 있어서의 상기 연삭을 행한 면에 대하여, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트를 첩부하는 첩부 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 워크피스 가공용 시트 상에서 다이싱하여, 복수의 반도체칩을 얻는 다이싱 공정과, 상기 워크피스 가공용 시트에 있어서의 상기 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사하는 활성 에너지선 조사 공정과, 상기 반도체칩을 상기 워크피스 가공용 시트로부터 개별로 픽업하는 픽업 공정을 구비한다.
상기 연삭 공정은, 종래 공지의 방법을 사용해서 행할 수 있다. 예를 들면, 원하는 점착 시트(본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트여도 된다)의 점착면을 반도체 웨이퍼의 한쪽의 면에 첩부하고, 그라인드 장치를 사용해서, 상기 점착 시트 상에서 반도체 웨이퍼의 다른 쪽의 면을 연삭한다. 이때의 연삭의 정도는 목적에 따라서 선택되며, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 두께나 표면의 상태가 소정의 정도로 될 때까지 연삭된다. 당해 연삭 후, 연삭한 면에 대해서, 종래 공지의 표면 처리를 행해도 된다.
이어지는 첩부 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트의 점착면을 첩부하는 한, 구체적인 방법은 한정되지 않는다. 여기에서, 상기 연삭 공정에 있어서의 반도체 웨이퍼의 표면의 연삭으로부터 상기 첩부를 행할 때까지의 시간은, 120분 이내여도 되고, 특히 30분 이내여도 되고, 또한 5분 이내여도 된다. 상기 시간이 120분 이내일 경우, 반도체 웨이퍼의 연삭면은, 활성화된 상태를 유지한 활성면으로 되어 있지만, 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트에 의하면, 이와 같은 활성면에 대해서도, 밀착성의 과도한 상승을 억제하고, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 양호하게 픽업을 행할 수 있다.
이어지는 다이싱 공정은, 종래 공지의 방법을 사용해서 행할 수 있다. 즉, 다이싱 장치를 사용해서, 워크피스 가공용 시트 상에서 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 복수의 반도체칩을 얻는다. 이것에 있어서의 다이싱의 종류는 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱, 스텔스 다이싱 등이어도 된다.
활성 에너지선 조사 공정에 있어서의 활성 에너지선의 조사는, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다. 활성 에너지선의 종류나 조사 조건은, 상술한 바와 같다.
이어지는 픽업 공정에 있어서의 픽업도, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다. 예를 들면, 픽업 장치를 사용해서, 워크피스 가공용 시트를 익스팬딩함과 함께, 워크피스 가공용 시트의 이면으로부터 니들로 반도체칩을 밀어올리고, 또한 흡인 콜릿을 사용해서 반도체칩을 들어올림으로써, 픽업할 수 있다. 본 실시형태에 따른 워크피스 가공용 시트에 의하면, 반도체 웨이퍼 및 그것이 가공되어 얻어지는 반도체칩에 대한 밀착성의 과도한 상승이 억제되어 있기 때문에, 반도체칩을 픽업할 수 없는 것과 같은 문제를 회피하고, 양호한 픽업을 행할 수 있다.
이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
예를 들면, 기재에 있어서의 점착제층과는 반대측의 면이나, 기재와 점착제층과의 사이에는, 다른 층이 개재하고 있어도 된다.
(실시예)
이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등으로 한정되는 것은 아니다.
〔실시예 1〕
(1) 아크릴계 중합체의 제작
아크릴산2-메톡시에틸 45질량부, 아크릴산메틸 25질량부, 및 아크릴산2-히드록시에틸 30질량부에 대하여, 아조비스이소부티로니트릴(개시제) 0.25질량부를 첨가한 후, 질소 분위기 하에서 용액 중합법에 의해 중합시켜서, (메타)아크릴산에스테르 중합체를 얻었다. 이 (메타)아크릴산에스테르 중합체와, 당해 (메타)아크릴산에스테르 중합체를 구성하는 아크릴산2-히드록시에틸에 대해서 80몰%에 상당하는 양의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)를 반응시켜서, 측쇄에 활성 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체를 얻었다. 이 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 50만이었다.
(2) 점착부여제의 제작
검로진 711g, 글리세린 107g, 푸마르산 189g, 중량 평균 분자량이 1000인 폴리프로필렌글리콜 2100g 및 자일렌 150g을 플라스크에 투입하고, 질소 치환한 후, 교반하면서 280℃에서 13시간 가열했다. 그 후, 200℃에서 20분간 걸쳐서 자일렌을 감압 제거했다. 계속해서, 플라스크로부터 내용물을 취출하고, 실온까지 냉각해서 고화(固化)시킴으로써, 점착부여제로서의 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르를 얻었다.
(3) 점착성 조성물의 조제
상기 (1)에서 얻어진, 측쇄에 활성 에너지선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체 100질량부(고형분 환산값; 이하 같다)와, 상기 (2)에서 얻어진 점착부여제로서의 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르 2질량부와, 가교제로서의 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트(도소샤제, 제품명 「코로네이트L」) 0.5질량부와, 광중합개시제로서의 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(BASF사제, 제품명 「옴니랏드651」) 0.3질량부를 용매 중에서 혼합하여, 고형분 농도가 30질량%인 점착성 조성물의 도포액을 얻었다.
(4) 점착제층의 형성
두께 38㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 편면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 박리 시트(린텍샤제, 제품명 「SP-PET3801」)의 박리면에 대해서, 상기 (3)에서 조제한 점착성 조성물의 도포액을, 콤마 코터를 사용해서 도포하고, 90℃에서 1분간 가열해서 건조시킴으로써, 박리 시트 상에, 두께 5㎛의 점착제층을 형성했다.
(5) 워크피스 가공용 시트의 제작
상기 (4)에서 형성한 점착제층의 노출면과, 기재로서의 두께 80㎛의 에틸렌-메타크릴산 공중합체 필름의 편면을 첩합한 후, 23℃, 상대 습도 50%의 환경 하에서 1주간 정치함으로써, 워크피스 가공용 시트를 얻었다.
여기에서, 상술한 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)를 사용해서 이하의 조건에서 측정(GPC 측정)한 표준 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
<측정 조건>
·GPC 측정 장치 : 도소샤제, HLC-8320
·GPC 칼럼(이하의 순으로 통과) : 도소샤제
TSK gel superH-H
TSK gel superHM-H
TSK gel superH2000
·측정 용매 : 테트라히드로퓨란
·측정 온도 : 40℃
〔실시예 2∼11, 비교예 1∼11〕
아크릴계 중합체의 조성, 그리고 점착부여제의 종류 및 함유량을 표 1에 기재된 바와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 워크피스 가공용 시트를 제조했다.
〔시험예 1〕(대(對) 통상면 점착력의 측정)
실시예 및 비교예에서 제조한 워크피스 가공용 시트를, 25㎜폭의 스트립(strip)상으로 재단했다. 얻어진 스트립상의 워크피스 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층의 점착면을, 경면(鏡面) 가공해서 이루어지는 실리콘 웨이퍼의 당해 경면에 대해서, 온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경 하에서, 2kg 고무 롤러를 사용해서 첩부하고, 20분 정치하여, 측정용 샘플로 했다. 또, 상기 실리콘 웨이퍼에 있어서의 상기 경면은, 연삭하고 나서 1개월 이상 경과하여, 활성이 소실된 면(통상면)이었다.
얻어진 측정용 샘플에 대하여, 만능 인장 시험기(오리엔텍샤제, 제품명 「텐시론UTM-4-100」)를 사용하여, 실리콘 웨이퍼로부터, 박리 속도 300㎜/min, 박리 각도 180°로 워크피스 가공용 시트를 박리하고, JIS Z0237:2009에 준거한 180° 벗겨내기법에 의해, 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력(mN/25㎜)을 측정했다. 이것에 의해 얻어진 점착력을, UV 조사 전에 있어서의 대 통상면 점착력으로서 표 2에 나타낸다.
또한, 상기와 마찬가지로 얻어진 측정용 샘플에 있어서의 점착제층에 대하여, 기재를 개재하고, 자외선 조사 장치(린텍샤제, 제품명 「RAD-2000」)를 사용해서 자외선(UV)을 조사하여(조도 : 230mW/㎠, 광량 : 190mJ/㎠), 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 상기와 마찬가지로 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력(mN/25㎜)을 측정했다. 이것에 의해 얻어진 점착력을, UV 조사 후에 있어서의 대 통상면 점착력으로서 표 2에 나타낸다.
〔시험예 2〕(대 활성면 점착력의 측정)
그라인드 장치(디스코샤제, 제품명 「DFG8540」)를 사용해서, 실리콘 웨이퍼의 편면을, 당해 실리콘 웨이퍼의 두께가 500㎛로 될 때까지 연삭했다. 당해 연삭에 의해 활성화된 연삭면(활성면)에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로 얻은 스트립상의 워크피스 가공용 시트의 점착면을, 실시예 1과 마찬가지로 첩부하여, 측정용 샘플로 했다. 또, 상기 활성면에 대한 워크피스 가공용 시트의 첩부는, 상기 연삭으로부터 5분 이내에 행했다.
상기 측정 샘플을, 온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경 하에서 7일간 정치한 후, 점착제층에 대하여, 기재를 개재하고, 자외선 조사 장치(린텍샤제, 제품명 「RAD-2000」)를 사용해서 자외선(UV)을 조사하여(조도 : 230mW/㎠, 광량 : 190mJ/㎠), 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 실시예 1과 마찬가지로 실리콘 웨이퍼에 대한 점착력(mN/25㎜)을 측정했다. 이것에 의해 얻어진 점착력을, 대 활성면 점착력(7일간 정치, UV 조사 후)으로서 표 2에 나타낸다.
〔시험예 3〕(다이싱성의 평가)
그라인드 장치(디스코샤제, 제품명 「DFG8540」)를 사용해서, 실리콘 웨이퍼의 편면을, 당해 실리콘 웨이퍼의 두께가 150㎛로 됨과 함께, #2000 연마면이 얻어질 때까지 연삭했다. 당해 연삭에 의해 활성화된 연삭면(활성면)에 대하여, 실시예 및 비교예에서 제조한 워크피스 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층의 점착면을, 라미네이터를 사용해서 첩부했다. 또, 이 첩부는, 상기 연삭으로부터 5분 이내에 행했다.
상기 첩부로부터 20분 후, 하기 조건에서 다이싱을 행했다.
<다이싱 조건>
·다이싱 장치 : 디스코샤제 DFD-6362
·블레이드 : 디스코샤제 NBC-2H 2050 27HECC
·블레이드폭 : 0.025∼0.030㎜
·칼날끝 돌출양 : 0.640∼0.760㎜
·블레이드 회전수 : 35000rpm
·절삭 속도 : 60㎜/sec
·기재 슬릿 깊이 : 70㎛
·절삭수량 : 1.0L/min
·절삭수 온도 : 20℃
·다이싱 사이즈 : 0.5㎜각
다이싱 후, 얻어진 칩에 있어서의 칩 비산의 비율(얻어진 칩의 총수에 대한, 워크피스 가공용 시트로부터 탈리한 칩의 수의 비율)을 산출하고, 이하의 기준에 의거해서, 다이싱성을 평가했다. 결과를, 활성 웨이퍼의 다이싱성으로서 표 2에 나타낸다.
○ : 칩 비산의 비율이, 1할 이하였음
△ : 칩 비산의 비율이, 1할 초과, 5할 이하였음
× : 칩 비산의 비율이, 5할 초과였음
또한, 상기와 마찬가지의 연삭을 행한 실리콘 웨이퍼에 대하여, 연삭 후, 워크피스 가공용 시트를 첩부하지 않고, 충분한 시간 정치했다. 이것에 의해서 활성이 소실된 연삭면(통상면)에 대하여, 상기와 마찬가지로 워크피스 가공용 시트의 점착면을 첩부하고, 상기와 마찬가지로 더 다이싱을 행하고, 다이싱성을 평가했다. 그 결과도 통상 웨이퍼의 다이싱성으로서 표 2에 나타낸다.
〔시험예 4〕(픽업성의 평가)
그라인드 장치(디스코샤제, 제품명 「DFG8540」)를 사용해서, 실리콘 웨이퍼의 편면을, 당해 실리콘 웨이퍼의 두께가 150㎛로 될 때까지 연삭했다. 당해 연삭에 의해 활성화된 연삭면(활성면)에 대하여, 실시예 및 비교예에서 제조한 워크피스 가공용 시트로부터 박리 시트를 박리하고, 노출한 점착제층의 점착면을, 라미네이터를 사용해서 첩부했다. 또, 이 첩부는, 상기 연삭으로부터 5분 이내에 행했다.
상기 첩부 후, 온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경 하에서 7일간 정치한 후, 하기 조건에서 다이싱을 행했다.
<다이싱 조건>
·다이싱 장치 : 디스코샤제 DFD-6362
·블레이드 : 디스코샤제 NBC-2H 2050 27HECC
·블레이드폭 : 0.025∼0.030㎜
·칼날끝 돌출량 : 0.640∼0.760㎜
·블레이드 회전수 : 35000rpm
·절삭 속도 : 60㎜/sec
·기재 슬릿 깊이 : 70㎛
·절삭수량 : 1.0L/min
·절삭수 온도 : 20℃
·다이싱 사이즈 : 10㎜각
또한, 워크피스 가공용 시트에 있어서의 점착제층에 대하여, 기재를 개재하고, 자외선 조사 장치(린텍샤제, 제품명 「RAD-2000」)를 사용해서 자외선(UV)을 조사하여(조도 : 230mW/㎠, 광량 : 190mJ/㎠), 점착제층을 경화시켰다.
계속해서, 상기 다이싱에 의해서 얻어진 복수의 칩 중, 워크피스 가공용 시트를 평면시(平面視)했을 때의 중심 부근에 위치하는 하나의 칩에 대하여, 픽업 장치를 사용해서 픽업을 시도했다. 구체적으로는, 워크피스 가공용 시트의 기재측의 면으로부터 니들로 칩을 밀어올려서 높이 500㎛로 밀어올리면서, 칩에 있어서의 워크피스 가공용 시트와는 반대측의 면을 진공 콜릿에 의해서 흡착함으로써, 칩의 워크피스 가공용 시트로부터의 분리를 시도했다. 이때의 칩의 분리의 가부(可否)에 대하여, 이하의 기준에 의해 픽업성을 평가했다. 결과를, 활성 웨이퍼의 픽업성으로서 표 2에 나타낸다.
○ : 칩의 분리를 할 수 있었음
× : 칩의 분리를 할 수 없었음
또한, 상기와 마찬가지의 연삭을 행한 실리콘 웨이퍼에 대하여, 연삭 후, 워크피스 가공용 시트를 첩부하지 않고, 충분한 시간 정치했다. 이것에 의해서 활성이 소실된 연삭면(통상면)에 대하여, 상기와 마찬가지로 워크피스 가공용 시트의 점착면을 첩부하고, 상기와 마찬가지로 다이싱, 자외선 조사 및 픽업을 더 행하고, 픽업성을 평가했다. 그 결과도 통상 웨이퍼의 픽업성으로서 표 2에 나타낸다.
또, 표 1에 기재된 약호 등의 상세는 이하와 같다.
〔활성 에너지선 경화성 중합체의 조성〕
MEA : 아크릴산2-메톡시에틸(유리 전이 온도 Tg : -50℃)
MA : 아크릴산메틸(유리 전이 온도 Tg : 10℃)
HEA : 아크릴산2-히드록시에틸(유리 전이 온도 Tg : -15℃)
2EHA : 아크릴산2-에틸헥실(유리 전이 온도 Tg : -70℃)
VAc : 아세트산비닐(유리 전이 온도 Tg : 28℃)
iso-STA : 아크릴산이소스테아릴(유리 전이 온도 Tg : -18℃)
BA : 아크릴산n-부틸(유리 전이 온도 Tg : -55℃)
ACMO : 아크릴로일모르폴린(유리 전이 온도 Tg : 145℃)
MMA : 메타크릴산메틸(유리 전이 온도 Tg : 105℃)
MOI : 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트
〔점착부여제〕
알킬렌글리콜 변성 로진에스테르 : 실시예 1의 공정(2)과 같이 제작한 로진에스테르
테르펜페놀 T-100 : 테르펜페놀(야스하라케미컬샤제, 「T-100」)
테르펜페놀 T-130 : 테르펜페놀(야스하라케미컬샤제, 「T-130」)
테르펜페놀 T-160 : 테르펜페놀(야스하라케미컬샤제, 「T-160」)
석유 수지 FTR6100 : 스티렌계 모노머/지방족계 모노머 공중합체(미쓰이가가쿠샤제, 제품명 「FTR6100」)
석유 수지 FTR7100 : 스티렌계 모노머/α-메틸스티렌 지방족계 모노머 공중합체(미쓰이가가쿠샤제, 제품명 「FTR7100」)
산 변성 로진에스테르 : 산 변성 로진에스테르(아라카와가가쿠고교샤제, 제품명 「파인크리스탈 KE-604」)
수소 첨가 로진에스테르 KE-311 : 수소 첨가 로진에스테르(아라카와가가쿠고교샤제, 제품명 「파인크리스탈 KE-311」)
수소 첨가 로진에스테르 KE-359 : 수소 첨가 로진에스테르(아라카와가가쿠고교샤제, 제품명 「파인크리스탈 KE-359」)
폴리글리세린 : 폴리글리세린(사카모토야쿠힌샤제, 제품명 「PG310-6EO」)
[표 1]
Figure pat00001
[표 2]
Figure pat00002
표 2로부터 명백한 바와 같이, 실시예에 따른 워크피스 가공용 시트는, 웨이퍼의 활성면에 대해서 우수한 픽업성을 나타냈다. 또한, 실시예에 따른 워크피스 가공용 시트는, 활성면을 갖지 않는 통상의 웨이퍼에 대해서도 우수한 픽업성을 나타냈다.
본 발명에 따른 워크피스 가공용 시트는, 활성면을 갖는 워크피스를 위한 다이싱 시트 등으로서 호적하게 사용된다.

Claims (12)

  1. 기재와, 상기 기재의 편면측에 적층된 점착제층을 구비한 워크피스 가공용 시트로서,
    상기 점착제층이, 아크릴계 중합체 및 점착부여제를 적어도 함유하는 점착성 조성물로 형성된 활성 에너지선 경화성의 점착제로 이루어지고,
    상기 점착부여제가, 알킬렌글리콜 변성 로진에스테르인
    것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 점착성 조성물 중에 있어서의 상기 점착부여제의 함유량은, 상기 아크릴 공중합체 100질량부에 대해서, 0.005질량부 이상, 15질량부 이하인 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 점착부여제의 연화점은, -100℃ 이상, 50℃ 이하인 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 점착부여제의 중량 평균 분자량은, 1000 이상인 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 워크피스 가공용 시트에 대해서 활성 에너지선을 조사하기 전에 있어서의, 상기 워크피스 가공용 시트의 실리콘 웨이퍼의 미러면에 대한 점착력은, 200mN/25㎜ 이상, 20000mN/25㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴계 중합체는, 활성 에너지선 경화성을 갖는 것임을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴계 중합체는, 당해 아크릴계 중합체를 구성하는 모노머 단위로서, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 -30℃ 이하인 모노머를 10질량% 이상 함유함과 함께, 호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 모노머를 3질량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  8. 제7항에 있어서,
    호모폴리머의 유리 전이 온도 Tg가 10℃ 이상인 상기 모노머는, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴로일모르폴린, 아세트산비닐 및 메타크릴산2-히드록시에틸에서 선택되는 적어도 1종의 모노머인 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  9. 제1항에 있어서,
    표면을 연삭하고 120분 이내의 반도체 웨이퍼에 있어서의 상기 연삭한 면에 첩부되는 것을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  10. 제1항에 있어서,
    표면을 연삭하고 120분 이내의 반도체 웨이퍼에 있어서의 상기 연삭한 면, 및 상기 연삭한 면 이외의 면의 어느 것에도 첩부 가능한 것임을 특징으로 하는 워크피스 가공용 시트.
  11. 반도체 웨이퍼의 표면을 연삭하는 연삭 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼에 있어서의 상기 연삭을 행한 면에 대하여, 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 워크피스 가공용 시트를 첩부하는 첩부 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼를 상기 워크피스 가공용 시트 상에서 다이싱하여, 복수의 반도체칩을 얻는 다이싱 공정과,
    상기 워크피스 가공용 시트에 있어서의 상기 점착제층에 대해서 활성 에너지선을 조사하는 활성 에너지선 조사 공정과,
    상기 반도체칩을 상기 워크피스 가공용 시트로부터 개별로 픽업하는 픽업 공정
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제법 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 첩부 공정에 있어서의 상기 반도체 웨이퍼에의 상기 워크피스 가공용 시트의 첩부는, 상기 연삭 공정에 있어서의 상기 반도체 웨이퍼의 표면의 연삭으로부터 120분 이내에 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제법 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021192815A1 (ko) * 2020-03-24 2021-09-30
CN117480220A (zh) * 2021-05-19 2024-01-30 日本油漆船舶涂料公司 防污涂料组合物以及涂膜

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060434A (ja) 2006-09-01 2008-03-13 Nitto Denko Corp 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991004853A1 (en) * 1989-10-02 1991-04-18 Arizona Chemical Company Polymeric composition having enhanced surface energy and method for obtaining same
US5318841A (en) * 1989-10-02 1994-06-07 Arizona Chemical Company Polyolefin adhesive
US5464691A (en) * 1994-07-22 1995-11-07 Arizona Chemical Company Laminated barrier film
JP2007056210A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Emulsion Technology Co Ltd バックグラインド用粘着性樹脂組成物、並びにバックグラインド用粘着シートおよびその製造方法
JP2008001760A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Daicel Chem Ind Ltd 接着性樹脂組成物
ITTO20060491A1 (it) 2006-07-04 2006-10-03 Massimo Ippolito Sistema eolico per la conversione di energia mediante una turbina ad asse verticale azionata per mezzo di profili alari di potenza e procedimento di produzione di energia elettrica mediante tale sistema
JP2010106191A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Arakawa Chem Ind Co Ltd 活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、その硬化物、プラスチック基材用コーティング剤、およびオーバープリントワニス
WO2013175987A1 (ja) * 2012-05-25 2013-11-28 リンテック株式会社 ダイシングシート
WO2016052424A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 日東電工株式会社 粘着シート
CN109997218B (zh) * 2016-11-02 2023-08-08 琳得科株式会社 隐形切割用粘着片
TWI627250B (zh) 2017-01-04 2018-06-21 台虹科技股份有限公司 黏著劑組成物及其應用

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060434A (ja) 2006-09-01 2008-03-13 Nitto Denko Corp 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法

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