CN112538320A - 工件加工用片及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，所述活性能量射线固化性的粘着剂由至少含有丙烯酸类聚合物及增粘剂的粘着性组合物形成，所述增粘剂为亚烷基二醇改性松香酯。根据该工件加工用片，即使对于工件的活性面，也可抑制密合性过度上升，能够实现良好的工件加工。

Description

工件加工用片及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种能够适宜用于半导体晶圆等工件的加工的工件加工用片，特别是涉及一种能够适宜用于具有处于活性状态的表面(以下，有时将其称作“活性面”)的工件的加工的工件加工用片。
背景技术
硅、砷化镓等半导体晶圆及各种封装类在被制造成大直径的状态，并被切断(切割)成元件小片(半导体芯片)并进行剥离(拾取)后，移送至作为后续工序的安装(mount)工序。此时，半导体晶圆等工件以贴附于具备基材及粘着剂层的工件加工用片的状态，进行背面研磨、切割、清洗、干燥、扩展(expanding)、拾取、安装等加工。
在背面研磨工序中，通常在将工件固定在工件加工用片上后，使用研磨装置对该工件的露出面进行研磨。在切割工序中，在工件加工用片上切割研磨后的工件，将其单颗化(singulation)成多个芯片。接着，在拾取工序中，从工件加工用片上分别拾取所得到的多个芯片。
在研磨工序之前，有时会将在背面研磨工序中单面经研磨的工件贴附在新的工件加工用片上。此时，将新的工件加工用片的粘着剂层侧的面(以下，有时将其称作“粘着面”)贴附在经研磨的面上，且同时剥离之前的工件加工用片。
近年来，有时会在线连续地进行上述研磨、更换贴附及切割的工序。此时，在刚研磨后将工件加工用片贴附于工件的研磨面。
此处，通常刚研磨后的工件的研磨面通过研磨而成为活化的状态。因此，当在刚研磨工件后贴附工件加工用片时，工件加工用片贴附于工件的活性面。此时，由于该活性面具有活性，因此工件与工件加工用片之间的密合性容易过度上升。特别是，具有工件与工件加工用片的层叠状态的时间越长该密合性越会上升的倾向。并且，在像这样工件与工件加工用片过度密合的情况下，在后续的拾取工序中，由于所得到的芯片成为牢固地密合于工件加工用片的状态，因此无法进行良好的拾取。
通常，从可进行良好的拾取的角度出发，还会使用具备由具有活性能量射线固化性的粘着剂构成的粘着剂层的工件加工用片。此时，通过在即将进行拾取前对粘着剂层照射活性能量射线，使粘着剂层固化，能够降低对芯片的粘着力，可易于分离芯片。然而，即使在使用了这样的工件加工用片的情况下，也很难避免上述无法进行良好的拾取的问题。
以解决如上所述的对工件的活性面的密合性上升的问题为目的，专利文献1中公开了一种具备放射线固化性粘着剂层的切割用粘着胶带或片，所述放射线固化性粘着剂层含有聚亚烷基二醇类或其衍生物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-060434号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而，即使在使用了如专利文献1中公开的那样的工件加工用片的情况下，也无法抑制工件加工用片对工件的活性面的过度的密合性的上升，很难实现良好的工件加工。
本发明是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种工件加工用片、及使用了该工件加工用片的半导体装置的制造方法，所述工件加工用片即使对于工件的活性面，也可抑制密合性过度上升，能够实现良好的工件加工。
解决技术问题的技术手段
为了达成上述目的，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，该活性能量射线固化性的粘着剂由至少含有丙烯酸类聚合物及增粘剂的粘着性组合物形成，所述增粘剂为亚烷基二醇改性松香酯(发明1)。
在上述发明(发明1)的工件加工用片中，通过使粘着剂层由下述活性能量射线固化性的粘着剂构成，即使在使用具有活性面的工件作为工件的情况下，也可抑制对该活性面的密合性过度上升，该活性能量射线固化性的粘着剂由含有亚烷基二醇改性松香酯作为增粘剂的粘着性组合物形成。由此，可将加工后的工件(芯片等)从工件加工用片上良好地分离，其结果，能够实现良好的工件加工。
在上述发明(发明1)中，相对于100质量份的所述丙烯酸类聚合物，所述粘着性组合物中的所述增粘剂的含量为0.005质量份以上，优选为15质量份以下(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中，优选所述增粘剂的软化点为-100℃以上50℃以下(发明3)。
在上述发明(发明1～3)中，优选所述增粘剂的重均分子量为1000以上(发明4)。
在上述发明(发明1～4)中，优选对所述工件加工用片照射活性能量射线前的、所述工件加工用片对硅晶圆的镜面的粘着力为200mN/25mm以上20000mN/25mm以下(发明5)。
在上述发明(发明1～5)中，优选所述丙烯酸类聚合物具有活性能量射线固化性(发明6)。
在上述发明(发明1～6)中，优选所述丙烯酸类聚合物含有10质量％以上的均聚物的玻璃化转变温度Tg为-30℃以下的单体，且同时含有3质量％以上的均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的单体作为构成该丙烯酸类聚合物的单体单元(发明7)。
在上述发明(发明7)中，均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的所述单体为选自丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酰吗啉、乙酸乙烯酯及甲基丙烯酸2-羟基乙酯中的至少一种的单体(发明8)。
在上述发明(发明1～8)中，优选将工件加工用片贴附于对表面进行研磨后120分钟以内的半导体晶圆的所述经研磨的面上(发明9)。
在上述发明(发明1～9)中，优选在对表面进行研磨后120分钟以内的半导体晶圆的所述经研磨的面及除所述经研磨的面以外的面上均能够贴附所述工件加工用片(发明10)。
第二，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其具备：对半导体晶圆的表面进行研磨的研磨工序；将所述工件加工用片(发明1～10)贴附于所述半导体晶圆的进行了所述研磨的面上的贴附工序；在所述工件加工用片上切割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片的切割工序；对所述工件加工用片中的所述粘着剂层照射活性能量射线的活性能量射线照射工序；及从所述工件加工用片上拾取各个所述半导体芯片的拾取工序(发明11)。
在上述发明(发明11)中，优选在所述研磨工序中的所述半导体晶圆的表面研磨后120分钟以内，进行所述贴附工序中的所述工件加工用片在所述半导体晶圆上的贴附(发明12)。
发明效果
本发明的工件加工用片即使对于工件的活性面，也可抑制密合性过度上升，能够实现良好的工件加工。此外，根据本发明的制造方法，能够良好地制造半导体装置。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
本发明的一个实施方式的工件加工用片具备基材与层叠于该基材的单面侧的粘着剂层。该粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，该活性能量射线固化性的粘着剂由至少含有丙烯酸类聚合物及增粘剂的粘着性组合物形成。并且，该增粘剂为亚烷基二醇改性松香酯。
对于本实施方式的工件加工用片，如上所述，通过使粘着剂层由下述活性能量射线固化性的粘着剂构成，即使在其粘着面被贴附于工件的活性面的情况下，也可抑制对该活性面的密合性过度上升，该活性能量射线固化性的粘着剂由含有为亚烷基二醇改性松香酯的增粘剂的粘着性组合物形成。由此，可从工件加工用片上良好地分离加工后的工件，其结果，通过使用本实施方式的工件加工用片，能够进行良好的工件加工。
作为如上所述的密合性过度上升的理由，虽然并不限定于此，但推测如下。认为首先，作为工件表面活化的机制，通过研磨工件的表面，去除存在于该表面的非活性部分，使内部具有活性的部分露出。例如，当工件为硅晶圆时，认为硅晶圆在通常状态下，其表面被氧化，形成非活性的SiO2膜。若对这样的硅晶圆的表面进行研磨，则SiO2膜被去除，未氧化的状态的硅原子露出。另外，露出的硅原子与背面研磨工序等中使用的清洗用水或大气中的水分进行反应，部分形成Si-H或Si-OH的结构。如此，去除了SiO2膜而露出的表面容易与普通的工件加工用片的粘着面相互作用，并成为容易与构成粘着剂层的粘着剂产生化学键的状态。
另外，在本说明书中，工件的表面已活化的状态是指从其表面上已去除了SiO2膜的状态，特别是指将工件的表面研磨后120分钟以内的状态，优选指将工件的表面研磨后30分钟以内的状态，更优选指将工件的表面研磨后5分钟以内的状态。
接着，作为即使对于以上述方式产生的工件的活性面，本实施方式的工件加工用片也可抑制密合性过度上升的机制，考虑如下。本实施方式的粘着剂层通常通过使用上述粘着性组合物形成涂膜，并使该涂膜固化而形成。此处，该粘着性组合物所含有的亚烷基二醇改性松香酯的分子量较大，与粘着性组合物中所含有的其他成分之间的相容性较低。并且，亚烷基二醇改性松香酯在常温下流动性较高，容易在粘着性组合物中移动。如此，亚烷基二醇改性松香酯与其他成分之间的相容性低的这一点与容易在粘着性组合物中移动的这一点相辅相成，在使用粘着性组合物形成的涂膜中，亚烷基二醇改性松香酯容易移动至其表面。通过使这样的涂膜固化，形成亚烷基二醇改性松香酯偏向存在于表面附近的粘着剂层，其结果，本实施方式的工件加工用片成为亚烷基二醇改性松香酯偏向存在于其粘着面附近的工件加工用片。并且，认为存在于粘着面附近的亚烷基二醇改性松香酯以抑制与如上所述的工件的活性面的相互作用或化学键合的方式发挥作用，由此抑制工件的活性面与本实施方式的工件加工用片的密合性过度上升。
1.工件加工用片的构成构件
(1)基材
作为本实施方式的基材，只要可发挥使用工件加工用片时所需的功能，则没有特别限定。特别是，基材优选为以树脂类的材料作为主要材料的树脂膜。作为其具体实例，可列举出聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯树脂膜等聚烯烃类膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯类膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物膜、其他的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯类共聚膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯类膜；(甲基)丙烯酸酯共聚物膜；聚氨酯膜；聚酰亚胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟树脂膜等。此外，也可使用上述膜的交联膜、离聚物膜之类的改性膜。此外，基材也可以为层叠多个上述膜而成的层叠膜。在该层叠膜中，构成各层的材料可以为相同种类，也可以为不同种类。上述之中，优选使用乙烯类共聚膜，特别优选使用乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸。其他类似用语也相同。此外，本说明书中的“聚合物”也包含“共聚物”的概念。
基材也可含有阻燃剂、增塑剂、抗静电剂、润滑剂、抗氧化剂、着色剂、红外线吸收剂、紫外线吸收剂、离子捕捉剂等各种添加剂。这些添加剂的含量没有特别限定，但优选设定为基材发挥所需功能的范围。
为了提高与粘着剂层的密合性，可对基材的层叠粘着剂层的面实施底涂处理、电晕处理、等离子体处理等表面处理。
基材的厚度可根据使用工件加工用片的方法而适当设定，但例如优选为200μm以下，特别优选为150μm以下。此外，基材11的厚度优选为10μm以上，特别优选为25μm以上。
(2)粘着剂层
作为构成本实施方式的粘着剂层的粘着剂，只要为由至少含有丙烯酸类聚合物与作为增粘剂的亚烷基二醇改性松香酯的粘着性组合物形成的活性能量射线固化性的粘着剂，且同时能够达成在工件加工用片上加工工件的粘着力，则没有特别限定。
作为上述亚烷基二醇改性松香酯，没有特别限定，但优选例如通过使松香类、聚亚烷基二醇单烷基醚、多元醇及α,β-不饱和羧酸进行酯化反应而得到。
此外，作为上述亚烷基二醇改性松香酯，优选使用软化点为50℃以下的亚烷基二醇改性松香酯、特别优选使用软化点为20℃以下的亚烷基二醇改性松香酯、进一步优选使用软化点为0℃以下的亚烷基二醇改性松香酯。通过使软化点为50℃以下，亚烷基二醇改性松香酯的流动性变得更高，其结果，本实施方式的工件加工用片易于抑制对工件的活性面的密合性的过度上升。另外，作为上述软化点的下限值，没有特别限定，优选为-100℃以上，特别优选为-70℃以上，进一步优选为-40℃以上。
此外，作为上述亚烷基二醇改性松香酯，优选使用重均分子量为1000以上的亚烷基二醇改性松香酯、特别优选使用重均分子量为2000以上的亚烷基二醇改性松香酯、进一步优选使用重均分子量为3000以上的亚烷基二醇改性松香酯。通过使重均分子量为1000以上，易于适当降低亚烷基二醇改性松香酯与粘着性组合物中的其他成分的相容性，其结果，本实施方式的工件加工用片易于抑制对工件的活性面的密合性的过度上升。另外，从与粘着性组合物的相容性的角度出发，上述重均分子量的上限值优选为100万以下，更优选为10万以下，特别优选为5万以下，进一步优选为8000以下。
相对于100质量份的丙烯酸类聚合物，作为粘着性组合物中的增粘剂的亚烷基二醇改性松香酯的含量优选为0.005质量份以上，特别优选为0.01质量份以上，进一步优选为0.05质量份以上。通过使上述含量为0.005质量份以上，易于有效抑制如上所述的密合性的过度上升。此外，相对于100质量份的丙烯酸类聚合物，上述含量优选为15质量份以下，特别优选为10质量份以下，进一步优选为5质量份以下。通过使上述含量为15质量份以下，本实施方式的工件加工用片易于具有加工工件时所需要的对工件的粘着力。
构成本实施方式的粘着剂层的粘着剂为具有活性能量射线固化性的粘着剂(以下，有时将其称作“活性能量射线固化性粘着剂”)。通过使粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，利用活性能量射线的照射使粘着剂层固化，能够降低工件加工用片对被粘物的粘着力。由此，可易于将加工后的工件从工件加工用片上分离。
上述活性能量射线固化性粘着剂只要由至少含有丙烯酸类聚合物与增粘剂的粘着性组合物形成，则没有特别限定。例如，作为丙烯酸类聚合物，上述粘着性组合物可以含有具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物。或者，上述粘着性组合物也可以含有不具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物与具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物。
首先，对活性能量射线固化性粘着剂由含有具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物形成的情况进行说明。
优选具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物为在侧链引入有具有活性能量射线固化性的官能团(活性能量射线固化性基团)的丙烯酸类聚合物(以下有时将其称作“活性能量射线固化性聚合物(A)”)。该活性能量射线固化性聚合物(A)优选通过使具有含官能团单体单元的(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)与具有与该官能团进行键合的官能团的含不饱和基团化合物(a2)进行反应而得到。
作为上述含官能团单体，优选分子内具有聚合性的双键与羟基、羧基、氨基、酰胺基、苄基、缩水甘油基等官能团的单体，上述之中，优选使用含有羟基的作为官能团的单体(含羟基单体)。
作为上述含羟基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等，上述之中，优选使用丙烯酸2-羟基乙酯。另外，这些含羟基单体可单独使用或组合使用两种以上。
作为上述含羧基单体，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、柠康酸等烯属不饱和羧酸。这些含羧基单体可单独使用，也可组合使用两种以上。
作为上述含氨基单体或含酰胺基单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸正丁基氨基乙酯等。这些含氨基单体或含酰胺基单体可单独使用，也可组合使用两种以上。
(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)优选含有3质量％以上、特别优选含有5质量％以上、进一步优选含有10质量％以上的由上述含官能团单体衍生的结构单元。此外，(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)优选含有40质量％以下质量％以下，特别优选含有35质量％以下，进一步优选含有30质量％以下的由上述含官能团单体衍生的结构单元。通过使(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)以上述范围含有含官能团单体，易于形成所需的活性能量射线固化性聚合物(A)。
从易于形成具有所需的性能的粘着剂的角度出发，(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)优选含有(甲基)丙烯酸烷基酯作为构成(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的单体单元。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯，优选烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，特别优选碳原子数为1～8的(甲基)丙烯酸烷基酯。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯的具体实例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕榈酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯等。这些(甲基)丙烯酸烷基酯可单独使用，也可组合使用两种以上。
除上述含官能团单体及(甲基)丙烯酸烷基酯以外，(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)也可以含有其他单体作为构成(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的单体单元。
作为上述其他单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环己酯等具有脂肪族环的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苯酯等具有芳香族环的(甲基)丙烯酸酯；N-(甲基)丙烯酰吗啉、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-(甲基)丙烯酰基吡咯烷酮等含氮杂环的单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺等非交联性的丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基丙酯等非交联性的具有叔氨基的(甲基)丙烯酸酯；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
在本实施方式的工件加工用片中，从可发挥可加工工件的所需粘着力，且易于进一步抑制对工件的活性面的密合性的过度上升的角度出发，(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)优选含有均聚物的玻璃化转变温度Tg为-30℃以下的单体，并且优选进一步含有均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的单体作为构成该(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的单体单元。特别是，(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)最优选含有10质量％以上的均聚物的玻璃化转变温度Tg为-30℃以下的单体，且同时含有3质量％以上的均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的单体作为构成该(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的单体单元。
作为上述的均聚物的玻璃化转变温度Tg为-30℃以下的单体的例子，可优选列举出丙烯酸正丁酯(Tg-55℃)、丙烯酸2-乙基己酯(Tg-70℃)、丙烯酸2-甲氧基乙酯(Tg-50℃)、丙烯酸正辛酯(Tg-65℃)、丙烯酸异辛酯(Tg-58℃)、丙烯酸异壬酯(Tg-58℃)、丙烯酸异癸酯(Tg-60℃)、甲基丙烯酸异癸酯(Tg-41℃)、甲基丙烯酸正十二烷基酯(Tg-65℃)、丙烯酸十三烷基酯(Tg-55℃)、甲基丙烯酸十三烷基酯(Tg-40℃)、乙氧基二乙二醇丙烯酸酯(Tg-70℃)、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯(Tg-50℃)等。这些单体可单独使用，也可组合使用两种以上。上述之中，从易于达成上述效果的角度出发，优选使用丙烯酸正丁酯(Tg-55℃)、丙烯酸2-乙基己酯(Tg-70℃)及丙烯酸2-甲氧基乙酯(Tg-50℃)中的至少一种。
当(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)含有均聚物的玻璃化转变温度Tg为-30℃以下的单体作为构成该(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的单体单元时，对于该单体的含量，从易于达成上述效果的角度出发，优选含有10质量％以上，特别优选含有20质量％以上，进一步优选含有30质量％以上。此外，对于上述单体的含量，优选以90质量％以下含有，特别优选以85质量％以下含有，进一步优选以80质量％以下含有。
作为上述的均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的单体的例子，可列举出丙烯酸甲酯(Tg10℃)、甲基丙烯酸甲酯(Tg105℃)、丙烯酰吗啉(Tg145℃)、乙酸乙烯酯(Tg28℃)及甲基丙烯酸2-羟基乙酯(Tg26℃)、甲基丙烯酸乙酯(Tg65℃)、甲基丙烯酸正丁酯(Tg20℃)、甲基丙烯酸异丁酯(Tg48℃)、甲基丙烯酸叔丁酯(Tg107℃)、丙烯酸正十八烷基酯(Tg30℃)、甲基丙烯酸正十八烷基酯(Tg38℃)、丙烯酸环己酯(Tg15℃)、甲基丙烯酸环己酯(Tg66℃)、甲基丙烯酸苄酯(Tg54℃)、丙烯酸异冰片酯(Tg94℃)、甲基丙烯酸异冰片酯(Tg180℃)、丙烯酸金刚烷酯(Tg115℃)、甲基丙烯酸四氢糠基酯(Tg60℃)、甲基丙烯酸金刚烷酯(Tg141℃)等。这些单体可单独使用，也可组合使用两种以上。上述之中，从易于达成上述效果的角度出发，优选使用丙烯酸甲酯(Tg10℃)、甲基丙烯酸甲酯(Tg105℃)、丙烯酰吗啉(Tg145℃)、乙酸乙烯酯(Tg28℃)及甲基丙烯酸2-羟基乙酯(Tg26℃)中的至少一种。
当(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)含有均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的单体作为构成该(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的单体单元时，对于该单体的含量，从易于达成上述效果的角度出发，优选含有3质量％以上，特别优选含有5质量％以上，进一步优选含有10质量％以上。此外，对于上述单体的含量，优选以60质量％以下含有，特别优选以50质量％以下含有，进一步优选以45质量％以下含有。
(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的聚合方式可以为无规共聚物，也可以为嵌段共聚物。此外，关于聚合法没有特别限定，能够通过通常的聚合法、例如溶液聚合法进行聚合。
通过使上述具有含官能团单体单元的(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)、与具有同该官能团进行键合的官能团的含不饱和基团化合物(a2)进行反应，可得到活性能量射线固化性聚合物(A)。
含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团可根据(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)所具有的含官能团单体单元的官能团的种类而适当选择。例如，当(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)所具有的官能团为羟基、氨基或羧基时，作为含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团，优选异氰酸酯基、环氧基或氮丙啶基，当(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)所具有的官能团为缩水甘油基时，作为含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团，优选氨基、羧基或氮丙啶基。
此外，上述含不饱和基团化合物(a2)在一分子中至少包含1个、优选包含1～6个、进一步优选包含1～4个活性能量射线聚合性的碳碳双键。作为这种含不饱和基团化合物(a2)的具体实例，例如可列举出2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-(2-甲基丙烯酰氧基乙氧基)乙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯、m-异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与多元醇化合物及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-异丙烯基-2-噁唑啉等。
相对于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的含官能团单体的摩尔数，优选以50摩尔％以上、特别优选以60摩尔％以上、进一步优选以70摩尔％以上的比例使用上述含不饱和基团化合物(a2)。此外，相对于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)的含官能团单体的摩尔数，优选以95摩尔％以下，特别优选以93摩尔％以下，进一步优选以90摩尔％以下的比例使用上述含不饱和基团化合物(a2)。
在(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)与含不饱和基团化合物(a2)的反应中，可根据(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)所具有的官能团与含不饱和基团化合物(a2)所具有的官能团的组合，适当选择反应的温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、催化剂的种类。由此，使存在于(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)中的官能团与含不饱和基团化合物(a2)中的官能团进行反应，将不饱和基团引入(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)中的侧链，得到活性能量射线固化性聚合物(A)。
以此方式得到的活性能量射线固化性聚合物(A)的重均分子量(Mw)优选为10万以上，特别优选为15万以上，进一步优选为20万以上。此外，该重均分子量(Mw)优选为200万以下，特别优选为150万以下，进一步优选为100万以下。另外，本说明书中的重均分子量(Mw)为利用凝胶渗透色谱法(GPC法)测定的标准聚苯乙烯换算的值。
即使在活性能量射线固化性粘着剂由含有活性能量射线固化性聚合物(A)这类的具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物形成的情况下，该粘着性组合物也可以进一步含有活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)。
作为活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)，例如可使用多元醇与(甲基)丙烯酸的酯等。
为该活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)，例如可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能度丙烯酸酯类；三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能度丙烯酸酯类；聚酯低聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯低聚(甲基)丙烯酸酯等。
当本实施方式的粘着性组合物含有活性能量射线固化性聚合物(A)与活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)时，相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(A)，粘着性组合物中的活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)的含量优选为5质量份以上，特别优选为10质量份以上。此外，相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(A)，该含量优选为150质量份以下，特别优选为100质量份以下。
此处，当将紫外线用作用于使活性能量射线固化性粘着剂固化的活性能量射线时，粘着性组合物优选含有光聚合引发剂(C)。通过使用光聚合引发剂(C)，可减少聚合固化时间及光线照射量。
作为光聚合引发剂(C)的具体实例，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、丁二酮、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、N,N-二乙基二硫代氨基甲酸-2-苯并噻唑酯、低聚{2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-羟基-1-{4-[4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基]-2-甲基-丙烷-1-酮等。上述之中，优选使用2-羟基-1-{4-[4-[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基]-2-甲基-丙烷-1-酮。这些光聚合引发剂可单独使用，也可同时使用两种以上。
相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(A)(掺合活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)时，相对于活性能量射线固化性聚合物(A)及活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)的合计量100质量份)，优选以0.1质量份以上的量、特别优选以0.5质量份以上的量使用光聚合引发剂(C)。此外，相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(A)(掺合活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)时，相对于活性能量射线固化性聚合物(A)及活性能量射线固化性的单体和/或低聚物(B)的合计量100质量份)，优选以10质量份以下的量、特别优选以6质量份以下的量使用光聚合引发剂(C)。
除了上述成分以外，含有具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物也可适当掺合其他成分。作为其他成分，例如可列举出非活性能量射线固化性聚合物成分或低聚物成分(D)、交联剂(E)等。
作为非活性能量射线固化性聚合物成分或低聚物成分(D)，例如可列举出聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烃等，优选重均分子量(Mw)为3000～250万的聚合物或低聚物。通过使粘着性组合物含有成分(D)，易于提高固化前的粘着性及剥离性、固化后的强度、与其他层的粘合性、保存稳定性等。该成分(D)的掺合量并没有特别限定，相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(A)，可在大于0质量份且为50质量份以下的范围内适当决定。
从易于将粘着剂层13的储能模量调节至所需的范围的角度出发，优选使用交联剂(E)。作为交联剂(E)，可使用与活性能量射线固化性聚合物(A)等所具有的官能团具有反应性的多官能度化合物。作为这种多官能度化合物的例子，可列举出异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合化合物、金属盐、铵盐、反应性酚醛树脂等。
相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(A)，交联剂(E)的掺合量优选为0.01质量份以上，特别优选为0.1质量份以上。此外，相对于100质量份的活性能量射线固化性聚合物(A)，交联剂(E)的掺合量优选为10质量份以下，特别优选为5质量份以下。
接着，以下对活性能量射线固化性粘着剂由含有不具有活性能量射线固化性的丙烯酸类聚合物(以下，有时将其称作“非活性能量射线固化性丙烯酸类聚合物”)与具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的粘着性组合物形成的情况进行说明。
作为非活性能量射线固化性丙烯酸类聚合物，例如可使用与上述(甲基)丙烯酸酯聚合物(a1)相同的成分。
作为具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物，可选择与上述成分(B)相同的成分。关于非活性能量射线固化性丙烯酸类聚合物与具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物的掺合比，相对于100质量份的非活性能量射线固化性丙烯酸类聚合物，具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物优选为1质量份以上，特别优选为50质量份以上。此外，关于该掺合比，相对于100质量份的非活性能量射线固化性丙烯酸类聚合物，具有至少一个以上的活性能量射线固化性基团的单体和/或低聚物优选为200质量份以下，特别优选为160质量份以下。
即使在这种情况下，也可与上述相同地，可适当掺合光聚合引发剂(C)及交联剂(E)。
粘着剂层的厚度优选为1μm以上，特别优选为2μm以上，进一步优选为3μm以上。此外，粘着剂层的厚度优选为100μm以下，特别优选为50μm以下，进一步优选为25μm以下。通过使粘着剂层的厚度在上述范围内，本实施方式的工件加工用片可实现可加工工件的充分的粘着力，且易于抑制对处于活性状态的工件的密合性的过度上升。
(3)剥离片
对于本实施方式的工件加工用片，在直至将其粘着面贴附于工件的期间内，出于保护该面的目的，也可以在该面上层叠剥离片。剥离片的构成为任意，可例示出利用剥离剂等对塑料膜进行了剥离处理的剥离片。作为塑料膜的具体实例，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜；及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，可使用硅酮类、氟类、长链烷基类等，其中，优选便宜且可获得稳定性能的硅酮类。剥离片的厚度没有特别限制，但通常为20μm以上250μm以下。
2.工件加工用片的物性
对于本实施方式的工件加工用片，对工件加工用片照射活性能量射线前的、工件加工用片对硅晶圆的镜面的粘着力优选为200mN/25mm以上，特别优选为300mN/25mm以上，进一步优选为400mN/25mm以上。通过使上述粘着力为200mN/25mm以上，易于将工件良好地固定于工件加工用片的粘着面上。其结果，可更良好地进行工件加工，例如，切割时，能够有效抑制崩边(chipping)或芯片飞散。此外，上述粘着力优选为20000mN/25mm以下，特别优选为10000mN/25mm以下，进一步优选为5000mN/25mm以下。通过使上述粘着力为20000mN/25mm以下，易于抑制对工件的活性面的密合性过度的上升。另外，上述硅晶圆的镜面并非为活性面。此外，上述粘着力的测定方法的详细内容如后述试验例中的记载所示。
此外，对于本实施方式的工件加工用片，将工件加工用片的粘着面贴附于硅晶圆的镜面后，进一步对该工件加工用片照射活性能量射线后的、工件加工用片对上述硅晶圆的镜面的粘着力优选为200mN/25mm以下，特别优选为100mN/25mm以下，进一步优选为70mN/25mm以下。通过使上述粘着力为200mN/25mm以下，易于将加工后的工件从工件加工用片上良好地分离。此外，上述粘着力优选为10mN/25mm以上，特别优选为15mN/25mm以上，进一步优选为20mN/25mm以上。通过使上述粘着力为10mN/25mm以上，在照射活性能量射线后，易于有效抑制加工后的工件从工件加工用片上意外脱落。另外，上述硅晶圆的镜面并非为活性面。此外，上述粘着力的测定方法的详细内容如后述试验例中的记载所示。
进一步，对于本实施方式的工件加工用片，对硅晶圆的表面进行研磨并在5分钟后的研磨面上贴附工件加工用片的粘着面，经过7天后，进一步对该工件加工用片照射活性能量射线后的、工件加工用片对上述研磨面的粘着力优选为500mN/25mm以下，特别优选为400mN/25mm以下，进一步优选为300mN/25mm以下。通过使上述粘着力为500mN/25mm以下，即使在使用具有活性面的工件作为工件的情况下，也易于将加工后的工件从工件加工用片上良好地分离。对于本实施方式的工件加工用片，如上所述，通过使粘着剂层由使用含有亚烷基二醇改性松香酯的粘着性组合物而形成的粘着剂构成，即使对于工件的活性面，也能够达成上述粘着力。此外，上述粘着力优选为10mN/25mm以上，特别优选为15mN/25mm以上，进一步优选为20mN/25mm以上。通过使上述粘着力为10mN/25mm以下，在照射活性能量射线后，易于有效抑制加工后的工件从工件加工用片上意外脱落。另外，上述粘着力的测定方法的详细内容如后述试验例中的记载所示。
3.工件加工用片的制造方法
本实施方式的工件加工用片的制造方法没有特别限定。作为优选的制造方法，可列举出在准备粘着剂层与剥离片的层叠体后，将基材贴合于该层叠体的粘着剂层侧的面上的方法。
上述层叠体的形成可利用公知的方法而进行。例如，制备含有用于形成粘着剂层的粘着性组合物、及根据所需而进一步含有的溶剂或分散介质的涂布液，将该涂布液涂布在剥离片的剥离面上，从而形成涂膜，使该涂膜干燥，由此形成粘着剂层。由此，可得到粘着剂层与剥离片的层叠体。
涂布液的涂布可利用公知的方法进行，例如，可利用棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、刮板涂布法、模具涂布法、凹版涂布法等进行。另外，涂布液只要能够进行涂布，则其性状没有特别限定，有时用于形成粘着剂层的成分会作为溶质而含有，有时用于形成粘着剂层的成分会作为分散介质而含有。此外，剥离片可作为工序材料而被剥离，也可以保护粘着剂层直至将其贴附于工件上。
当用于形成粘着剂层的粘着性组合物含有交联剂(E)时，优选通过改变上述干燥条件(温度、时间等)或通过另外设置加热处理，使涂膜内的活性能量射线固化性聚合物(A)与交联剂(E)进行交联反应，以所需的存在密度在粘着剂层内形成交联结构。进一步，为了使交联反应充分进行，可将上述层叠体与基材贴合后，进行例如在23℃、相对湿度为50％的环境下静置数天的熟化。
4.工件加工用片的使用方法
本实施方式的工件加工用片能够用于加工工件。即，能够在将本实施方式的工件加工用片的粘着面贴附于工件的单面后，在工件加工用片上进行工件加工。作为该加工的例子，可列举出背面研磨、切割、扩展、拾取等。上述切割例如可以为使用了旋转的圆形刀片的刀片切割；也可以为通过照射激光将半导体晶圆完全切割的激光切割；还可以为通过照射激光在半导体晶圆中形成改质层后，通过拉伸半导体晶圆，从而沿该改质层分割半导体晶圆的隐形切割。本实施方式的工件加工用片可根据其加工种类被用作背面研磨片、切割片、扩展片、拾取片等。
作为使用本实施方式的工件加工用片进行加工的工件的例子，可列举出半导体晶圆、半导体封装等半导体构件；玻璃板等玻璃构件。此处，对于本实施方式的工件加工用片，如上所述，即使在将粘着面贴附于具有活性面的工件的该活性面的情况下，也能够良好地抑制工件加工用片对该活面的密合性的上升。因此，本实施方式的工件加工用片适宜使用于具有活性面的工件(特别是对表面进行研磨后120分钟以内的半导体晶圆的该经研磨的面)的加工。然而，本实施方式的工件加工用片能够贴附于具有活性面的工件(特别是对表面进行研磨后120分钟以内的半导体晶圆的该经研磨的面)及不具有活性面的通常的工件(特别是除对表面进行研磨后120分钟以内的半导体晶圆的该经研磨的面以外的面)中的任意一种工件上。
当在本实施方式的工件加工用片上完成工件加工，将加工后的工件从工件加工用片上分离时，优选在该分离前对工件加工用片的粘着剂层照射活性能量射线。由此，粘着剂层固化，良好地降低工件加工用片对加工后的工件的粘着力，加工后的工件的分离变得容易。
作为上述活性能量射线，例如能够使用电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线，具体而言，能够使用紫外线或电子束等。特别优选易于操作的紫外线。紫外线的照射可使用高压汞灯、氙灯、LED等进行，紫外线的照射量以照度计优选为50mW/cm2以上、1000mW/cm2以下。此外，光量优选为50mJ/cm2以上，特别优选为80mJ/cm2以上，进一步优选为200mJ/cm2以上。此外，光量优选为10000mJ/cm2以下，特别优选为5000mJ/cm2以下，进一步优选为2000mJ/cm2以下。另一方面，电子束的照射可使用电子束加速器等进行，电子束的照射量优选为10krad以上1000krad以下。
本实施方式的工件加工用片特别优选用于具备以下工序的半导体装置的制造方法。即，该半导体装置的制造方法具备：对半导体晶圆的表面进行研磨的研磨工序；将本实施方式的工件加工用片贴附于上述半导体晶圆的进行了上述研磨的面上的贴附工序；在上述工件加工用片上切割上述半导体晶圆，得到多个半导体芯片的切割工序；对上述工件加工用片的上述粘着剂层照射活性能量射线的活性能量射线照射工序；及从上述工件加工用片上拾取各个上述半导体芯片的拾取工序。
上述研磨工序可使用以往公知的手法而进行。例如，将所需的粘着片(也可以为本实施方式的工件加工用片)的粘着面贴附于半导体晶圆的一个面上，使用研磨装置，在上述粘着片上对半导体晶圆的另一个面进行研磨。此时的研磨程度可根据目的而选择，例如研磨至半导体晶圆的厚度或表面的状态达到规定的程度。进行该研磨后，也可以对经研磨的面进行以往公知的表面处理。
后续的贴附工序中，只要在半导体晶圆的研磨面上贴附本实施方式的工件加工用片的粘着面，则具体的手法没有限定。此处，从上述研磨工序中的半导体晶圆的表面的研磨开始直至进行上述贴附为止的时间可以为120分钟以内，特别可以为30分钟以内，进一步可以为5分钟以内。当上述时间为120分钟以内时，虽然半导体晶圆的研磨面为维持了活化状态的活性面，但根据本实施方式的工件加工用片，即使对于这样的活性面，也可抑制密合性的过度上升，在后述拾取工序中，能够良好地进行拾取。
后续的切割工序可使用以往公知的手法而进行。即，使用切割装置，在工件加工用片上切割半导体晶圆，得到多个半导体芯片。此处切割的种类没有特别限定，例如可以为刀片切割、激光切割、隐形切割等。
活性能量射线照射工序中的活性能量射线的照射可使用以往公知的手法而进行。活性能量射线的种类及照射条件如上所述。
后续的拾取工序中的拾取也可使用以往公知的手法而进行。例如使用拾取装置扩展工件加工用片，且同时用顶针从工件加工用片的背面将半导体芯片顶起，进一步使用吸引吸嘴拾起半导体芯片，由此能够进行拾取。根据本实施方式的工件加工用片，可抑制对半导体晶圆及对其进行加工而得到的半导体芯片的密合性的过度上升，因此可避免无法拾取半导体芯片的这类问题，能够进行良好的拾取。
以上所说明的实施方式是为了易于理解本发明而记载的，并非是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方式所公开的各要件也涵盖属于本发明技术范围内的所有设计变更和均等物。
例如，在基材的与粘着剂层为相反侧的面或、基材与粘着剂层之间也可以存在其他层。
实施例
以下，利用实施例等对本发明进行进一步具体的说明，但本发明的范围并不受这些实施例等的限定。
[实施例1]
(1)丙烯酸类聚合物的制备
向45质量份的丙烯酸2-甲氧基乙酯、25质量份的丙烯酸甲酯、及30质量份的丙烯酸2-羟基乙酯中添加0.25质量份的偶氮二异丁腈(引发剂)后，在氮气氛围下利用溶液聚合法进行聚合，得到(甲基)丙烯酸酯聚合物。使该(甲基)丙烯酸酯聚合物与、相对于构成该(甲基)丙烯酸酯聚合物的丙烯酸2-羟基乙酯相当于80摩尔％的量的甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(MOI)进行反应，得到在侧链引入有活性能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物。该丙烯酸类聚合物的重均分子量(Mw)为50万。
(2)增粘剂的制备
向烧瓶中投入711g的松香、107g的甘油、189g的富马酸、2100g的重均分子量为1000的聚丙二醇及150g的二甲苯，进行氮气置换后，边搅拌边于280℃加热13小时。然后，于200℃经20分钟减压去除二甲苯。接着，从烧瓶中取出内容物，冷却至室温使其固体化，由此得到作为增粘剂的亚烷基二醇改性松香酯。
(3)粘着性组合物的制备
将100质量份的上述(1)中的得到的在侧链引入有活性能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物(固体成分换算值；以下相同)、2质量份的上述(2)中得到的作为增粘剂的亚烷基二醇改性松香酯、0.5质量份的作为交联剂的三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“CORONATE L”)、0.3质量份的作为光聚合引发剂的2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮(巴斯夫公司制造，产品名称“Omnirad 651”)在溶剂中混合，得到固体成分浓度为30质量％的粘着性组合物的涂布液。
(4)粘着剂层的形成
使用逗号涂布机将上述(3)中制备的粘着性组合物的涂布液涂布于在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面上形成硅酮类的剥离剂层而成的剥离片(LINTECCORPORATION制造，产品名称“SP-PET3801”)的剥离面上，于90℃加热1分钟进行干燥，从而在剥离片上形成厚度为5μm的粘着剂层。
(5)工件加工用片的制作
将上述(4)中形成的粘着剂层的露出面与作为基材的厚度为80μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜的单面贴合后，在23℃、相对湿度为50％的环境下静置1周，由此得到工件加工用片。
此处，上述重均分子量(Mw)为使用凝胶渗透色谱(GPC)并以以下条件测定(GPC测定)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量。
＜测定条件＞
·GPC测定装置：TOSOH CORPORATION制造，HLC-8320
·GPC色谱柱(按照以下顺序通过)：TOSOH CORPORATION制造
TSK gel superH-H
TSK gel superHM-H
TSK gel superH2000
·测定溶剂：四氢呋喃
·测定温度：40℃
[实施例2～11，比较例1～11]
除了将丙烯酸类聚合物的组成、以及增粘剂的种类及含量变更为表1中的记载的以外，以与实施例1相同的方式，制造工件加工用片。
[试验例1](对普通面的粘着力的测定)
将实施例及比较例中制造的工件加工用片裁切成25mm宽的短条状。将剥离片从所得到的短条状的工件加工用片上剥离，在温度23℃、相对湿度为50％的环境下，使用2kg橡胶辊将露出的粘着剂层的粘着面贴附于经镜面加工而成的硅晶圆的该镜面上，静置20分钟，作为测定用样品。另外，上述硅晶圆中的上述镜面为研磨后经过1个月以上的活性消失的面(普通面)。
对于所得到的测定用样品，使用万能拉伸试验机(ORIENTEC CORPORATION制造，产品名称“TENSILONUTM-4-100”、以300mm/分钟的剥离速度、180°的剥离角度，从硅晶圆上剥离工件加工用片，并通过以JIS Z0237:2009为基准的180°剥离法，测定对硅晶圆的粘着力(mN/25mm)。将由此得到的粘着力记作UV照射前的对普通面的粘着力并示于表2。
此外，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造，产品名称“RAD-2000”)隔着基材对以与上述相同的方式得到的测定用样品的粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm2，光量：190mJ/cm2)，使粘着剂层固化。然后，以与上述相同的方式测定对硅晶圆的粘着力(mN/25mm)。将由此得到的粘着力记作UV照射后的对普通面的粘着力并示于表2。
[试验例2](对活性面的粘着力的测定)
使用研磨装置(DISCO Corporation制造，产品名称“DFG8540”)，对硅晶圆的单面进行研磨直至该硅晶圆的厚度成为500μm。以与实施例1相同的方式将以与实施例1相同的方式得到的短条状的工件加工用片的粘着面贴附于通过该研磨而活化的研磨面(活性面)上，作为测定用样品。另外，在上述活性面上贴附工件加工用片是在上述研磨后5分钟以内进行的。
将上述测定样品在温度23℃、相对湿度为50％的环境下静置7天后，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造，产品名称“RAD-2000”)隔着基材对粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm2，光量：190mJ/cm2)，使粘着剂层固化。然后，以与实施例1相同的方式测定对硅晶圆的粘着力(mN/25mm)。将由此得到的粘着力记作对活性面的粘着力(静置7天，UV照射后)并示于表2。
[试验例3](切割性的评价)
使用研磨装置(DISCO Corporation制造，产品名称“DFG8540”)，对硅晶圆的单面进行研磨直至该硅晶圆的厚度成为150μm且得到#2000的研磨面。从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离剥离片，并使用层压机将露出的粘着剂层的粘着面贴附于通过该研磨而活化的的研磨面(活性面)上。另外，该贴附是在上述研磨后5分钟以内进行的。
上述贴附后20分钟后，用下述条件进行切割。
＜切割条件＞
·切割装置：DISCO Corporation制造的DFD-6362
·刀片：DISCO Corporation制造的NBC-2H 2050 27HECC
·刀片宽度：0.025～0.030mm
·刀刃伸出量：0.640～0.760mm
·刀片转速：35000rpm
·切削速度：60mm/秒
·基材切口深度：70μm
·切削水量：1.0L/分钟
·切削水温度：20℃
·切割尺寸：0.5mm见方
切割后，计算所得到的芯中芯片飞散的比例(从工件加工用片上脱落的芯片的数目相对于所得到的芯片的总数的比例)，基于以下基准，评价切割性。将结果记作活性晶圆的切割性并示于表2。
○：芯片飞散的比例为1成以下。
△：芯片飞散的比例超过1成且为5成以下。
×：芯片飞散的比例超过5成。
此外，对于进行了与上述相同的研磨的硅晶圆，在研磨后，不贴附工件加工用片，而是静置充分的时间。以与上述相同的方式将工件加工用片的粘着面贴附于由此而导致活性消失的研磨面(普通面)上，进一步以与上述相同的方式进行切割，评价切割性。将该结果记作普通晶圆的切割性并示于表2。
[试验例4](拾取性的评价)
使用研磨装置(DISCO Corporation制造，产品名称“DFG8540”)，对硅晶圆的单面进行研磨直至该硅晶圆的厚度成为150μm。从实施例及比较例中制造的工件加工用片上剥离剥离片，并使用层压机将露出的粘着剂层的粘着面贴附于通过该研磨而活化的研磨面(活性面)上。另外，该贴附是在上述研磨后5分钟以内进行的。
上述贴附后，在温度23℃、相对湿度为50％的环境下静置7天后，以下述条件进行切割。
＜切割条件＞
·切割装置：DISCO Corporation制造的DFD-6362
·刀片：DISCO Corporation制造的NBC-2H 2050 27HECC
·刀片宽度：0.025～0.030mm
·刀刃伸出量：0.640～0.760mm
·刀片转速：35000rpm
·切削速度：60mm/秒
·基材切口深度：70μm
·切削水量：1.0L/分钟
·切削水温度：20℃
·切割尺寸：10mm见方
进一步，使用紫外线照射装置(Lintec Corporation制造，产品名称“RAD-2000”)隔着基材对工件加工用片中的粘着剂层照射紫外线(UV)(照度：230mW/cm2，光量：190mJ/cm2)，使粘着剂层固化。
接着，使用拾取装置，对通过上述切割而得到的多个芯片中的、俯视工件加工用片时位于中心附近的一个芯片，尝试进行拾取。具体而言，从工件加工用片的基材侧的面，用顶针将芯片以500μm的顶起高度顶起，并通过真空吸嘴吸附芯片的与工件加工用片为相反侧的面，由此尝试将芯片从工件加工用片上分离。对于此时是否能够分离芯片，根据以下基准评价拾取性。将结果记作活性晶圆的拾取性并示于表2。
○：能够分离芯片。
×：未能分离芯片。
此外，对于进行了与上述相同的研磨的硅晶圆，在研磨后，不贴附工件加工用片，而是静置充分的时间。以与上述相同的方式将工件加工用片的粘着面贴附于由此而导致活性消失的研磨面(普通面)上，进一步以与上述相同的方式进行切割、紫外线照射及拾取，并评价拾取性。其结果记作普通晶圆的拾取性并示于表2。
另外，表1中记载的缩写符号等的详细内容如下所示。
[活性能量射线固化性聚合物的组成]
MEA：丙烯酸2-甲氧基乙酯(玻璃化转变温度Tg：-50℃)
MA：丙烯酸甲酯(玻璃化转变温度Tg：10℃)
HEA：丙烯酸2-羟基乙酯(玻璃化转变温度Tg：-15℃)
2EHA：丙烯酸2-乙基己酯(玻璃化转变温度Tg：-70℃)
VAc：乙酸乙烯酯(玻璃化转变温度Tg：28℃)
iso-STA：丙烯酸异十八烷基酯(玻璃化转变温度Tg：-18℃)
BA：丙烯酸正丁酯(玻璃化转变温度Tg：-55℃)
ACMO：丙烯酰吗啉(玻璃化转变温度Tg：145℃)
MMA：甲基丙烯酸甲酯(玻璃化转变温度Tg：105℃)
MOI：甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯
[增粘剂]
亚烷基二醇改性松香酯：按照实施例1的工序(2)所制备的松香酯
萜烯酚T-100：萜烯酚(YASUHARACHEMICAL CO.,LTD.制造，“T-100”)
萜烯酚T-130：萜烯酚(YASUHARACHEMICAL CO.,LTD.制造，“T-130”)
萜烯酚T-160：萜烯酚(YASUHARACHEMICAL CO.,LTD.制造，“T-160”)
石油树脂FTR6100：苯乙烯类单体/脂肪族类单体共聚物(Mitsui Chemicals,Inc.制造，产品名称“FTR6100”)
石油树脂FTR7100：苯乙烯类单体/α-甲基苯乙烯脂肪族类单体共聚物(MitsuiChemicals,Inc.制造，产品名称“FTR7100”)
酸改性松香酯：酸改性松香酯(Arakawa Chemical Industries,Ltd.制造，产品名称“PINECRYSTAL KE-604”)
氢化松香酯KE-311：氢化松香酯(Arakawa Chemical Industries,Ltd.制造，产品名称“PINECRYSTAL KE-311”)
氢化松香酯KE-359：氢化松香酯(Arakawa Chemical Industries,Ltd.制造，产品名称“PINECRYSTAL KE-359”)
聚甘油：聚甘油(Sakamoto Yakuhin kogyo Co.,Ltd.制造，产品名称“PG310-6EO”)
[表1]
Figure BDA0002548030930000281
[表2]
Figure BDA0002548030930000291
根据表2明显可知，实施例的工件加工用片对晶圆的活性面显示优异的拾取性。此外，实施例的工件加工用片对不具有活性面的普通的晶圆也显示优异的拾取性。
工业实用性
本发明的工件加工用片适合用作用于具有活性面的工件的切割片等。

Claims (12)

1.一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，
所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，所述活性能量射线固化性的粘着剂由至少含有丙烯酸类聚合物及增粘剂的粘着性组合物形成，
所述增粘剂为亚烷基二醇改性松香酯。
2.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，相对于100质量份的所述丙烯酸类聚合物，所述粘着性组合物中的所述增粘剂的含量为0.005质量份以上15质量份以下。
3.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述增粘剂的软化点为-100℃以上50℃以下。
4.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述增粘剂的重均分子量为1000以上。
5.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，对所述工件加工用片照射活性能量射线前的、所述工件加工用片对硅晶圆的镜面的粘着力为200mN/25mm以上20000mN/25mm以下。
6.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物具有活性能量射线固化性。
7.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物含有10质量％以上的均聚物的玻璃化转变温度Tg为-30℃以下的单体，且同时含有3质量％以上的均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的单体，作为构成该丙烯酸类聚合物的单体单元。
8.根据权利要求7所述的工件加工用片，其特征在于，均聚物的玻璃化转变温度Tg为10℃以上的所述单体为选自丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酰吗啉、乙酸乙烯酯及甲基丙烯酸2-羟基乙酯中的至少一种单体。
9.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，将所述工件加工用片贴附于对表面进行研磨后120分钟以内的半导体晶圆的所述经研磨的面上。
10.根据权利要求1所述的工件加工用片，其特征在于，在对表面进行研磨后120分钟以内的半导体晶圆的所述经研磨的面及除所述经研磨的面以外的面上均能够贴附所述工件加工用片。
11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其具备：
对半导体晶圆的表面进行研磨的研磨工序；
将权利要求1～10中任一项所述的工件加工用片贴附于所述半导体晶圆的进行了所述研磨的面上的贴附工序；
在所述工件加工用片上切割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片的切割工序；
对所述工件加工用片中的所述粘着剂层照射活性能量射线的活性能量射线照射工序；及
从所述工件加工用片上拾取各个所述半导体芯片的拾取工序。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述研磨工序中的所述半导体晶圆的表面研磨后120分钟以内，进行所述贴附工序中的所述工件加工用片在所述半导体晶圆上的贴附。
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