TW202116952A - 工件加工用片材及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種工件加工用片材，其係具備基材、與層積在前述基材的單面側之黏著劑層的工件加工用片材，前述黏著劑層係由活性能量射線硬化性的黏著劑所構成，活性能量射線硬化性的黏著劑係由至少含有丙烯酸系聚合物及黏著賦予劑的黏著性組合物所形成，前述黏著賦予劑係伸烷基二醇改質松酯。根據此工件加工用片材，即使對於工件的活性面亦可抑制附著性過度上升，可實現良好的工件加工。

Description

工件加工用片材及半導體裝置的製造方法
本發明係關於可適合地使用於半導體晶圓等工件的加工之工件加工用片材者，尤其係關於可適合地使用於具有呈活性狀態的表面（以下有時稱為「活性面」）之工件的加工之工件加工用片材者。
矽、砷化鎵等半導體晶圓及各種封裝類係以大直徑狀態被製造，並被剪切成元件小片（半導體晶片），在被剝離（拾取）後，移至後續步驟亦即安裝步驟。此時，半導體晶圓等工件係以被黏貼在具備基材及黏著劑層的工件加工用片材之狀態，進行背研磨、切割、清洗、乾燥、擴展、拾取、貼片等加工。
在背研磨步驟中，通常，先將工件固定在工件加工用片材上，接著使用研磨裝置研削該工件的露出面。研削後的工件，在切割步驟中，在工件加工用片材上被切割，而單體化成多個晶片。而且，在拾取步驟中，從工件加工用片材一個個地拾取所得之多個晶片。
在背研磨步驟中單面被研削的工件，在研磨步驟前，會貼換新的工件加工用片材。此情形，對於經研削的面，貼附新的工件加工用片材的黏著劑層側的面（以下有時稱為「黏著面」），且同時剝離到此為止的工件加工用片材。
近年來，會以串聯方式連續地進行上述的研削、貼換及切割的步驟。此情形，工件加工用片材對於工件研削面的貼附變成在剛研削後進行。
於此，一般而言，剛研削後的工件研削面係成為藉由研削而活化的狀態。因此，在工件剛研削後貼附工件加工用片材之情形，工件加工用片材成為貼附在工件的活性面。此情形，起因於該活性面具有活性，而成為工件與工件加工用片材之間的附著性容易過度地上升者。尤其，該附著性呈現工件與工件加工用片材的層積狀態時間愈長則愈上升的傾向。而且，如此，在工件與工件加工用片材過度地附著之情形，在其後的拾取步驟中，因所得之晶片成為強力附著工件加工用片材的狀態，故變得無法良好拾取。
一般而言，由能良好拾取之觀點而言，亦使用具備黏著劑層的工件加工用片材，該黏著劑層係藉由具有活性能量射線硬化性的黏著劑所構成。此情形，在即將拾取前，對黏著劑層照射活性能量射線，使黏著劑層硬化，藉此使對晶片的黏著力降低，而容易地分離晶片。然而，即使在使用此種工件加工用片材之情形，亦難以防止如上述般所謂無法良好拾取的問題。
將解決如以上般的對於工件活性面的附著性上升之問題作為目的，專利文獻1中開示一種切割用黏著膠膜或片材，其具備含有聚伸烷基二醇類（polyalkylene glycol）或其衍生物之放射線硬化性黏著劑層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008－060434號公報
[發明概要] [發明所欲解決的課題]
然而，即使在使用如專利文獻1所開示般的工件加工用片材之情形，亦無法抑制工件加工用片材對於工件活性面之過度的附著性上升，難以實現良好的工件加工。
本發明係有鑑於如上述般的實際情況而完成者，其目的在於提供一種即使對於工件的活性面亦可抑制過度地附著性上升，可實現良好的工件加工之工件加工用片材、及使用該工件加工用片材的半導體裝置的製造方法。
[用於解決課題的手段]
為了達成上述目的，第一，本發明提供一種工件加工用片材，其係具備基材、與層積在前述基材的單面側之黏著劑層的工件加工用片材，其特徵在於，前述黏著劑層係由活性能量射線硬化性的黏著劑所構成，該活性能量射線硬化性的黏著劑係由至少含有丙烯酸系聚合物及黏著賦予劑的黏著性組合物所形成，前述黏著賦予劑係伸烷基二醇改質松酯（發明1）。
上述發明（發明1）之工件加工用片材藉由黏著劑層係由活性能量射線硬化性的黏著劑所構成，該活性能量射線硬化性的黏著劑係由含有伸烷基二醇改質松酯作為黏著賦予劑的黏著性組合物所形成，而即使在使用具有活性面的工件作為工件之情形，亦可抑制對於該活性面的附著性過度地上升。藉此，變得能從工件加工用片材良好地分離加工後的工件（晶片等），作為結果，可實現良好的工件加工。
上述發明（發明1）中，相對於前述丙烯酸共聚物100質量份，前述黏著性組合物中之前述黏著賦予劑的含量較佳為0.005質量份以上且15質量份以下（發明2）。
上述發明（發明1、2）中，前述黏著賦予劑的軟化點較佳為－100℃以上且50℃以下（發明3）。
上述發明（發明1～3）中，前述黏著賦予劑的重量平均分子量較佳為1000以上（發明4）。
上述發明（發明1～4）中，在對於前述工件加工用片材照射活性能量射線之前，前述工件加工用片材對於矽晶圓的鏡面的黏著力較佳為200mN／25mm以上且20000mN／25mm以下（發明5）。
上述發明（發明1～5）中，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有活性能量射線硬化性者（發明6）。
上述發明（發明1～6）中，前述丙烯酸系聚合物，作為構成該丙烯酸系聚合物的單體單元，較佳為含有10質量％以上之同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為－30℃以下的單體，且同時含有3質量％以上之同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的單體（發明7）。
上述發明（發明7）中，同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的前述單體較佳為選自丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯醯基𠰌啉、乙酸乙烯酯及甲基丙烯酸2－羥乙酯之至少一種單體（發明8）。
上述發明（發明1～8）中，較佳為貼附在研削表面後120分鐘以內的半導體晶圓之經前述研削的面（發明9）。
上述發明（發明1～9）中，較佳為能貼附在研削表面後120分鐘以內的半導體晶圓之經前述研削的面、及經前述研削的面以外的面之任一面者（發明10）。
第二本發明係提供一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，具備：研削步驟，其研削半導體晶圓的表面；貼附步驟，其對於前述半導體晶圓中之已進行前述研削的面，貼附前述工件加工用片材（發明1～10）；切割步驟，其在前述工件加工用片材上切割前述半導體晶圓，獲得多個半導體晶片；活性能量射線照射步驟，其對於前述工件加工用片材中之前述黏著劑層照射活性能量射線；以及拾取步驟，其從前述工件加工用片材一個個地拾取前述半導體晶片（發明11）。
上述發明（發明11）中，在前述貼附步驟中之前述工件加工用片材往前述半導體晶圓的貼附，較佳為在前述研削步驟中之研削前述半導體晶圓的表面起120分鐘以內進行（發明12）。 [發明效果]
本發明之工件加工用片材，即使對於工件的活性面亦可抑制過度地附著性上升，可實現良好的工件加工。又，根據本發明之製造方法，可良好地製造半導體裝置。 [用於實施發明的形態]
以下，針對本發明的實施方式進行說明。 本發明的一實施方式之工件加工用片材，具備基材、與層積在該基材的單面側之黏著劑層。該黏著劑層係由活性能量射線硬化性的黏著劑所構成，該活性能量射線硬化性的黏著劑係由至少含有丙烯酸系聚合物及黏著賦予劑的黏著性組合物所形成。而且，該黏著賦予劑為伸烷基二醇改質松酯。
本實施方式之工件加工用片材，如同上述，黏著劑層係由活性能量射線硬化性的黏著劑所構成，該活性能量射線硬化性的黏著劑係由含有伸烷基二醇改質松酯亦即黏著賦予劑的黏著性組合物所形成，藉此即使在其黏著面貼附在工件的活性面之情形，亦抑制對於該活性面的附著性過度地上升。藉此，變得能良好地從工件加工用片材分離加工後的工件，作為結果，藉由使用本實施方式之工件加工用片材，可進行良好的工件加工。
作為如上述般之抑制附著性的過度上升之理由係預想為以下者，但並非限定於此。首先，作為活化工件表面的機制，被認為係藉由研削工件的表面而去除存在於該表面的不活性部分，而內部的具有活性的部分露出。例如，在工件為矽晶圓之情形，矽晶圓在通常狀態下，被認為其表面被氧化而形成不活性的SiO2 膜。若研削此種矽晶圓的表面，則去除SiO2 膜，未氧化狀態的矽原子會露出。此外，露出的矽原子亦會與背研磨步驟等所使用之清洗水或大氣中的水分進行反應，而部分地形成Si－H或Si－OH的結構。如此去除SiO2 膜而露出的表面，容易與一般的工件加工用片材的黏著面進行相互作用，又，會成為容易與構成黏著劑層的黏著劑產生化學鍵結的狀態。
此外，在本案發明書中，所謂工件的表面在活化狀態，係指在已從其表面去除SiO2 膜的狀態，尤其，係指研削工件的表面後120分鐘以內的狀態，較佳為係指研削工件的表面後30分鐘以內的狀態，更佳為係指研削工件的表面後5分鐘以內的狀態者。
接著，作為本實施方式之工件加工用片材即使對於如上述般進行所產生的工件活性面亦可抑制附著性的過度上升之機制，被認為係如下所述。本實施方式中之黏著劑層，通常係藉由使用上述黏著性組合物而形成塗膜，並使該塗膜硬化而形成。於此，該黏著性組合物所含有之伸烷基二醇改質松酯，其分子量較大，與黏著性組合物中所含有之其他成分之間的相容性較低。再者，伸烷基二醇改質松酯在常溫的流動性較高，在黏著性組合物中容易移動。如此，伸烷基二醇改質松酯因與其他成分之間的相容性低且在黏著性組合物中容易移動，故在使用黏著性組合物所形成之塗膜中，成為伸烷基二醇改質松酯容易在其表面移動者。藉由使此種塗膜硬化，在表面附近形成伸烷基二醇改質松酯不均勻分布的黏著劑層，作為結果，本實施方式之工件加工用片材成為伸烷基二醇改質松酯在其黏著面附近不均勻分布者。而且，存在於黏著面附近的伸烷基二醇改質松酯被認為係以抑制與如前述般的工件活性面之相互作用及化學鍵結之方式進行作用，藉此，被認為係抑制工件活性面與本實施方式之工件加工用片材的附著性過度上升者。
1.工件加工用片材的構成部件 （1）基材 作為本實施方式中之基材，只要為在使用工件加工用片材之際會發揮所期望的功能者，則未被特別限定。尤其，基材較佳為將樹脂系材料作為主要材料的樹脂薄膜。作為其具體例，可列舉聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯－降莰烯共聚物薄膜、降莰烯樹脂薄膜等聚烯烴系薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯（polybutylene terephthalate）薄膜、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate）等聚酯系薄膜；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物薄膜；乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物薄膜、乙烯－（甲基）丙烯酸甲酯共聚物薄膜、其他乙烯－（甲基）丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯系共聚薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯系薄膜；（甲基）丙烯酸酯共聚物薄膜；聚胺甲酸乙酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜等。又，亦能使用此等的交聯薄膜、離子聚合物薄膜等改質薄膜。又，基材亦可為層積多層上述薄膜而成之層積薄膜。在此層積薄膜中，構成各層的材料可為同種類，亦可為不同種類。上述之中，較佳為使用乙烯系共聚合薄膜，特佳為使用乙烯－（甲基）丙烯酸共聚物薄膜。此外，在本說明書中之「（甲基）丙烯酸」，意指丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。關於其他類似用語亦同樣。又，在本說明書中之「聚合物」為亦包含「共聚物」的概念者。
基材亦可包含阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等各種添加劑。作為此等添加劑的含量，雖未被特別限定，但較佳為設為基材發揮所期望的功能的範圍。
對於基材的層積黏著劑層的面，為了提高與黏著劑層的附著性，亦可施以底漆處理、電暈處理、電漿處理等表面處理。
基材的厚度雖可因應使用工件加工用片材的方法而適當設定，但例如較佳為200μm以下，特佳為150μm以下。又，基材11的厚度較佳為10μm以上，特佳為25μm以上。
（2）黏著劑層 作為本實施方式中之構成黏著劑層的黏著劑，係由至少含有丙烯酸系聚合物、與作為黏著賦予劑之伸烷基二醇改質松酯的黏著性組合物所形成之活性能量射線硬化性的黏著劑，且同時只要係可達成能在工件加工用片材上加工工件的黏著力者，則無特別限定。
作為上述伸烷基二醇改質松酯雖並無特別限定，但較佳為藉由使例如松香類、聚伸烷基二醇單烷基醚、多元醇及α,β－不飽和羧酸進行酯化反應而得者。
又，作為上述伸烷基二醇改質松酯，較佳為使用其軟化點為50℃以下者，特佳為使用20℃以下者，再佳為使用0℃以下者。藉由軟化點為50℃以下，成為伸烷基二醇改質松酯的流動性更高者，作為結果，本實施方式之工件加工用片材成為容易抑制對於工件活性面的附著性過度上升者。此外，作為上述軟化點的下限值並未被特別限定，較佳為－100℃以上，特佳為－70℃以上，再佳為－40℃以上。
又，作為上述伸烷基二醇改質松酯，較佳為使用其重量平均分子量為1000以上者，特佳為使用2000以上者，再佳為使用3000以上者。藉由重量平均分子量為1000以上，伸烷基二醇改質松酯變得容易適當地降低與黏著性組合物中其他成分的相容性，作為結果，本實施方式之工件加工用片材成為容易抑制對於工件活性面的附著性過度上升者。此外，上述重量平均分子量的上限值，由與黏著性組合物的相容性之觀點而言，較佳為100萬以下，更佳為10萬以下，特佳為5萬以下，再佳為8000以下。
黏著性組合物中作為黏著賦予劑之伸烷基二醇改質松酯的含量，相對於丙烯酸系聚合物100質量份，較佳為0.005質量份以上，特佳為0.01質量份以上，再佳為0.05質量份以上。藉由上述含量為0.005質量份以上，而成為容易有效地抑制如上述般的附著性過度上升者。又，相對於丙烯酸系聚合物100質量份，上述含量較佳為15質量份以下，特佳為10質量份以下，再佳為5質量份以下。藉由上述含量為15質量份以下，本實施方式之工件加工用片材成為容易對於在工件加工之際所需的工件具有黏著力者。
本實施方式中之構成黏著劑層的黏著劑，係具有活性能量射線硬化性的黏著劑（以下，有時稱為「活性能量射線硬化性黏著劑」）。藉由黏著劑層係由活性能量射線硬化性黏著劑所構成，可藉由活性能量射線的照射而使黏著劑層硬化，且使工件加工用片材對於被黏著物的黏著力降低。藉此，變得能輕易地從工件加工用片材分離加工後的工件。
上述活性能量射線硬化性黏著劑只要為由至少含有丙烯酸系聚合物與黏著賦予劑之黏著性組合物所形成者則未被特別限定。例如，上述黏著性組合物可為含有具有活性能量射線硬化性的丙烯酸系聚合物作為丙烯酸系聚合物者。或者，上述黏著性組合物亦可為同時含有具有活性能量射線硬化性的丙烯酸系聚合物及至少一個以上具有活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物者。
首先，針對活性能量射線硬化性黏著劑係由含有具有活性能量射線硬化性的丙烯酸系聚合物之黏著性組合物所形成者之情形進行說明。
具有活性能量射線硬化性的丙烯酸系聚合物，較佳為已在側鏈導入具有活性能量射線硬化性的官能基（活性能量射線硬化性基）之丙烯酸系聚合物（以下有所謂「活性能量射線硬化性聚合物（A）」之情形）。此活性能量射線硬化性聚合物（A），較佳為使具有含有官能基的單體單元之（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）、與具有與該官能基結合的官能基之含有不飽和基的化合物（a2）進行反應而得者。
作為上述含有官能基的單體，較佳為在分子內具有聚合性的雙鍵與羥基、羧基、胺基、醯胺基、苄基、環氧丙基等官能基之單體，此等之中，較佳為使用含有羥基作為官能基的單體（含有羥基的單體）。
作為上述含有羥基的單體，可列舉例如，（甲基）丙烯酸2－羥乙酯、（甲基）丙烯酸2－羥丙酯、（甲基）丙烯酸3－羥丙酯、（甲基）丙烯酸2－羥丁酯、（甲基）丙烯酸3－羥丁酯、（甲基）丙烯酸4－羥丁酯等，此等之中，較佳為使用丙烯酸2－羥乙酯。此外，此等可單獨或組合二種以上使用。
作為上述含有羧基的單體，可列舉例如，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、伊康酸、檸康酸等乙烯性不飽和羧酸。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。
作為上述含有胺基的單體或含有醯胺基的單體，可列舉例如，（甲基）丙烯酸胺乙酯、（甲基）丙烯酸n－丁基胺乙酯等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。
（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）係將由上述含有官能基的單體所導致之構成單元，較佳為含有3質量％以上，特佳為含有5質量％以上，再佳為含有10質量％以上。又，（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）係將由上述含有官能基的單體所導致之構成單元，較佳為含有40質量％以下，特佳為含有35質量％以下，再佳為含有30質量％以下。藉由（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）含有上述範圍之含有官能基的單體，而成為容易形成所期望的活性能量射線硬化性聚合物（A）者。
（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1），由所謂容易形成具有所期望性能的黏著劑之觀點而言，作為構成（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的單體單元，亦較佳為含有（甲基）丙烯酸烷酯。作為該（甲基）丙烯酸烷酯，較佳為烷基的碳數為1～18者，特佳為碳數為1～8者。
作為上述（甲基）丙烯酸烷酯的具體例，可列舉（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸n－丁酯、（甲基）丙烯酸n－戊酯、（甲基）丙烯酸n－己酯、（甲基）丙烯酸2－乙基己酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸n－癸酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸十四酯、（甲基）丙烯酸十六酯、（甲基）丙烯酸十八酯等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。
（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1），作為構成（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的單體單元，除了上述含有官能基的單體及（甲基）丙烯酸烷酯以外，亦可含有其他單體。
作為上述其他單體，可列舉例如，（甲基）丙烯酸甲氧基甲酯、（甲基）丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基甲酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯等含有烷氧基烷基的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸環己酯等具有脂肪族環的（甲基）丙烯酸酯；（甲基）丙烯酸苯酯等具有芳香族環的（甲基）丙烯酸酯；N－（甲基）丙烯醯基𠰌啉、N－乙烯基－2－吡咯啶酮、N－（甲基）丙烯醯基吡咯啶酮等具有含氮多環的單體；（甲基）丙烯醯胺、N,N－二甲基（甲基）丙烯醯胺等非交聯性丙烯醯胺；（甲基）丙烯酸N,N－二甲基胺乙酯、（甲基）丙烯酸N,N－二甲基胺丙酯等具有非交聯性三級胺基的（甲基）丙烯酸酯；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
在本實施方式中之工件加工用片材中，由所謂發揮能加工工件般的所期望的黏著力且變得容易進一步抑制對於工件活性面的附著性過度上升之觀點而言，（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1），作為構成該（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的單體單元，較佳為含有同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為－30℃以下的單體，又，較佳為進一步含有同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的單體。尤其，（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1），作為構成該（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的單體單元，最佳為含有10質量％以上之同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為－30℃以下的單體且同時含有3質量％以上之同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的單體。
作為上述同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為－30℃以下的單體的例子，可較佳地列舉丙烯酸n－丁酯（Tg－55℃）、丙烯酸2－乙基己酯（Tg－70℃）、丙烯酸2－甲氧基乙酯（Tg－50℃）、丙烯酸n－辛酯（Tg－65℃）、丙烯酸異辛酯（Tg－58℃）、丙烯酸異壬酯（Tg－58℃）、丙烯酸異癸酯（Tg－60℃）、甲基丙烯酸異癸酯（Tg－41℃）、甲基丙烯酸n－月桂酯（Tg－65℃）、丙烯酸三癸酯（Tg－55℃）、甲基丙烯酸三癸酯（Tg－40℃）、乙氧基二乙二醇丙烯酸酯（Tg－70℃）、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯（Tg－50℃）等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。在上述之中，由容易達成前述效果之觀點而言，較佳為使用丙烯酸n－丁酯（Tg－55℃）、丙烯酸2－乙基己酯（Tg－70℃）及丙烯酸2－甲氧基乙酯（Tg－50℃）的至少一種。
在（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）含有同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為－30℃以下的單體作為構成該（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的單體單元之情形，該單體的含量，由容易達成前述效果之觀點而言，較佳為含有10質量％以上，特佳為含有20質量％以上，再佳為含有30質量％以上。又，上述單體的含量，較佳含有90質量％以下，特佳為含有85質量％以下，再佳為含有80質量％以下。
作為上述同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的單體的例子，可列舉丙烯酸甲酯（Tg 10℃）、甲基丙烯酸甲酯（Tg 105℃）、丙烯醯基𠰌啉（Tg 145℃）、乙酸乙烯酯（Tg 28℃）及甲基丙烯酸2－羥乙酯（Tg 26℃）、甲基丙烯酸乙酯（Tg 65℃）、甲基丙烯酸n－丁酯（Tg 20℃）、甲基丙烯酸異丁酯（Tg 48℃）、甲基丙烯酸t－丁酯（Tg 107℃）、丙烯酸n－十八酯（Tg 30℃）、甲基丙烯酸n－十八酯（Tg 38℃）、丙烯酸環己酯（Tg 15℃）、甲基丙烯酸環己酯（Tg 66℃）、甲基丙烯酸苄酯（Tg 54℃）、丙烯酸異莰酯（Tg 94℃）、甲基丙烯酸異莰酯（Tg 180℃）、丙烯酸金剛烷酯（Tg 115℃）、甲基丙烯酸四氫呋喃甲酯（Tg 60℃）、甲基丙烯酸金剛烷酯（Tg 141℃）等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。在上述之中，由容易達成前述效果之觀點而言，較佳為使用丙烯酸甲酯（Tg 10℃）、甲基丙烯酸甲酯（Tg 105℃）、丙烯醯基𠰌啉（Tg 145℃）、乙酸乙烯酯（Tg 28℃）及甲基丙烯酸2－羥乙酯（Tg 26℃）的至少一種。
在（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）含有同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的單體作為構成該（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的單體單元之情形，該單體的含量，由容易達成前述效果之觀點而言，較佳為含有3質量％以上，特佳為含有5質量％以上，再佳為含有10質量％以上。又，上述單體的含量，較佳為含有60質量％以下，特佳為含有50質量％以下，再佳為含有45質量％以下。
（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的聚合態樣，可為隨機共聚物，亦可為嵌段共聚物。又，關於聚合法，並未被特別限定，可藉由一般的聚合法，例如溶液聚合法而進行聚合。
藉由使具有上述含有官能基的單體單元之（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）、與具有與該官能基結合的官能基之含有不飽和基的化合物（a2）進行反應，能獲得活性能量射線硬化性聚合物（A）。
含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基，可因應（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）所具有的含有官能基的單體單元的官能基種類而適當選擇。例如，在（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）所具有的官能基為羥基、胺基或羧基之情形，作為含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基，較佳為異氰酸酯基、環氧基或吖丙啶基（aziridinyl），在（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）所具有的官能基為環氧丙基之情形，作為含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基，較佳為胺基、羧基或吖丙啶基。
又，在上述含有不飽和基的化合物（a2）中，一分子中至少含有1個活性能量射線聚合性的碳－碳雙鍵，較佳為含有1～6個，再佳為含有1～4個。作為此種含有不飽和基的化合物（a2）的具體例，可列舉例如，2－甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、2－丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、2－（2－甲基丙烯醯基氧基乙基氧基）乙基異氰酸酯、1,1－（雙丙烯醯基氧基甲基）乙基異氰酸酯、甲基－異丙烯基－α,α－二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯（allyl isocyanate）、1,1－（雙丙烯醯基氧基甲基）乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與（甲基）丙烯酸羥乙酯之反應而得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、聚醇化合物、及（甲基）丙烯酸羥乙酯之反應而得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；（甲基）丙烯酸環氧丙基酯；（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸2－（1－吖丙啶基）乙酯、2－乙烯基－2－㗁唑啉、2－異丙烯基－2－㗁唑啉等。
上述含有不飽和基的化合物（a2），相對於上述（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的含有官能基的單體的莫耳數，較佳為以50莫耳％以上，特佳為以60莫耳％以上，再佳為以70莫耳％以上的比例使用。又，上述含有不飽和基的化合物（a2），相對於上述（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）的含有官能基的單體的莫耳數，較佳為以95莫耳％以下，特佳為以93莫耳％以下，再佳為以90莫耳％以下的比例使用。
在（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）與含有不飽和基的化合物（a2）之反應中，可因應（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）所具有的官能基與含有不飽和基的化合物（a2）所具有的官能基之組合，而適當選擇反應的溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒的有無、觸媒的種類。藉此，（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）中存在的官能基與含有不飽和基的化合物（a2）中的官能基會進行反應，不飽和基被導入至（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）中的側鏈，而獲得活性能量射線硬化性聚合物（A）。
如此進行所得之活性能量射線硬化性聚合物（A）的重量平均分子量（Mw），較佳為10萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量（Mw），較佳為200萬以下，特佳為150萬以下，再佳為100萬以下。此外，本說明書中之重量平均分子量（Mw）係藉由凝膠滲透層析法（GPC法）所測量之標準聚苯乙烯換算的值。
即使為活性能量射線硬化性黏著劑係由黏著性組合物所形成者，且該黏著性組合物含有活性能量射線硬化性聚合物（A）等具有活性能量射線硬化性的丙烯酸系聚合物之情形，該黏著性組合物亦可進一步含有活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B）。
作為活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B），可使用例如多元醇與（甲基）丙烯酸之酯等。
作為此活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B），可列舉例如，環己基（甲基）丙烯酸酯、異莰酯（甲基）丙烯酸酯等單官能性丙烯酸酯類、三羥甲丙烷三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1,4－丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6－己烷二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二（甲基）丙烯酸酯等多官能性丙烯酸酯類、聚酯寡聚（甲基）丙烯酸酯、聚胺甲酸乙酯寡聚（甲基）丙烯酸酯等。
本實施方式中之黏著性組合物含有活性能量射線硬化性聚合物（A）且同時亦含有活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B）之情形，黏著性組合物中之活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B）的含量，相對於活性能量射線硬化性聚合物（A）100質量份，較佳為5質量份以上，特佳為10質量份以上。又，相對於活性能量射線硬化性聚合物（A）100質量份，該含量較佳為150質量份以下，特佳為100質量份以下。
於此，在將紫外線使用作為用於使活性能量射線硬化性黏著劑硬化的活性能量射線之情形中，黏著性組合物較佳為含有光聚合起始劑（C）。藉由使用光聚合起始劑（C），可減少聚合硬化時間及光線照射量。
作為光聚合起始劑（C）的具體例，可列舉二苯基酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4－二乙基噻松酮（2,4－diethyl thioxanthone）、1－羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚（benzyl diphenyl polysulphide）、一硫化四甲基秋蘭姆（tetramethylthiuram monosulfide）、偶氮雙異丁腈、苄基（benzyl）、二苄基（dibenzyl）、二乙醯基（diacetyl）、β－氯蒽醌、（2,4,6－三甲基苄基二苯基）膦氧化物、2－苯并噻唑－N,N－二乙基二硫代胺甲酸酯（2-benzothiazole-N, N-diethyldithiocarbamate）、寡聚｛2－羥基－2－甲基－1－［4－（1－丙烯基）苯基］丙酮｝、2,2－二甲氧基－1,2－二苯基乙烷－1－酮、2－羥基－1－｛4－［4－（2－羥基－2－甲基－丙醯基）－苄基］苯基｝－2－甲基－丙烷－1－酮等。此等之中，較佳為使用2－羥基－1－｛4－［4－（2－羥基－2－甲基－丙醯基）－苄基］苯基｝－2－甲基－丙烷－1－酮。此等可單獨使用，亦可併用二種以上。
光聚合起始劑（C），相對於活性能量射線硬化性聚合物（A）（在摻合活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B）之情形中，為活性能量射線硬化性聚合物（A）及活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B）的合計量100質量份）100質量份，較佳為使用0.1質量份以上的量，特佳為使用0.5質量份以上的量。又，光聚合起始劑（C），相對於活性能量射線硬化性聚合物（A）（在摻合活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B）之情形中，為活性能量射線硬化性聚合物（A）及活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物（B）的合計量100質量份）100質量份，較佳為使用10質量份以下的量、特佳為使用6質量份以下的量。
含有具有活性能量射線硬化性的丙烯酸系聚合物之黏著性組合物，除了上述成分以外，可更摻合適當的其他成分。作為其他成分，可列舉例如，活性能量射線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分（D）、交聯劑（E）等。
作為活性能量射線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分（D），可列舉例如，聚丙烯酸酯、聚酯、聚胺甲酸乙酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，較佳為重量平均分子量（Mw）為3000～250萬的聚合物或寡聚物。藉由黏著性組合物含有成分（D），變得容易使硬化前之黏著性及剝離性、硬化後之強度、與其他層之接著性、保存穩定性等提升。該成分（D）的摻合量未被特別限定，係在相對於活性能量射線硬化性聚合物（A）100質量份為大於0質量份且50質量份以下的範圍適當決定。
交聯劑（E）的使用，由所謂容易將黏著劑層13的儲存模數調整成所期望的範圍之觀點而言為較佳。作為交聯劑（E），可使用多官能性化合物，該多官能性化合物具有與活性能量射線硬化性聚合物（A）等所具有之官能基的反應性。作為此種多官能性化合物的例子，可列舉異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、吖𠰂化合物、肼化合物、醛化合物、㗁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚樹脂等。
相對於活性能量射線硬化性聚合物（A）100質量份，交聯劑（E）的摻合量較佳為0.01質量份以上，特佳為0.1質量份以上。又，相對於活性能量射線硬化性聚合物（A）100質量份，交聯劑（E）的摻合量較佳為10質量份以下，特佳為5質量份以下。
接著，針對活性能量射線硬化性黏著劑係由黏著性組合物所形成，且該黏著性組合物含有不具有活性能量射線硬化性的丙烯酸系聚合物（以下有所謂「活性能量射線非硬化性丙烯酸系聚合物」之情形）與具有至少一個以上之活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物之情形，進行以下說明。
作為活性能量射線非硬化性丙烯酸系聚合物，可使用例如與前述（甲基）丙烯酸酯聚合物（a1）同樣的成分。
作為具有至少一個以上之活性能量射線硬化性的單體及／或寡聚物，可選擇與前述成分（B）相同者。活性能量射線非硬化性丙烯酸系聚合物與具有至少一個以上之活性能量射線硬化性基的單體及／或寡聚物之摻合比，相對於活性能量射線非硬化性丙烯酸系聚合物100質量份，具有至少一個以上之活性能量射線硬化性基的單體及／或寡聚物較佳為1質量份以上，特佳為50質量份以上。又，該摻合比，相對於活性能量射線非硬化性丙烯酸系聚合物100質量份，具有至少一個以上之活性能量射線硬化性基的單體及／或寡聚物較佳為200質量份以下，特佳為160質量份以下。
即使在此情形中，與上述同樣地，亦可適當配合光聚合起始劑（C）及交聯劑（E）。
黏著劑層的厚度較佳為1μm以上，特佳為2μm以上，再佳為3μm以上。又，黏著劑層的厚度較佳為100μm以下，特佳為50μm以下，再佳為25μm以下。藉由黏著劑層的厚度為上述範圍，本實施方式之工件加工用片材成為實現能加工工件的充分黏著力且亦容易抑制對於處在活性狀態的工件之附著性的過度上升者。
（3）剝離片材 在本實施方式之工件加工用片材中，在將該黏著面貼附至工件為止的期間，以保護該面之目的，可在該面層積剝離片材。剝離片材的構成為任意，例示藉由剝離劑等將塑膠薄膜進行剝離處理者。作為塑膠薄膜的具體例，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯薄膜、及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為剝離劑，可使用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系等，在此等之中，較佳為便宜且能獲得穩定性能的聚矽氧系。針對剝離片材的厚度並無特別限制，但通常為20μm以上且250μm以下。
2.工件加工用片材的物性 在本實施方式之工件加工用片材中，在對於工件加工用片材照射活性能量射線之前，工件加工用片材對於矽晶圓的鏡面之黏著力較佳為200mN／25mm以上，特佳為300mN／25mm以上，再佳為400mN／25mm以上。藉由上述黏著力為200mN／25mm以上，變得容易良好地將工件固定在工件加工用片材的黏著面上。其結果，變得能更良好地進行工件的加工，例如，成為在切割之際可有效地抑制崩裂或晶片飛散者。又，上述黏著力較佳為20000mN／25mm以下，特佳為10000mN／25mm以下，再佳為5000mN／25mm以下。藉由上述黏著力為20000mN／25mm以下，成為更容易抑制對於工件活性面的附著性過度上升者。此外，所謂上述矽晶圓的鏡面，係指非活性面者。又，上述黏著力的測量方法的詳細內容係如同後述的試驗例所記載。
又，在本實施方式之工件加工用片材中，在將工件加工用片材中之黏著面貼附在矽晶圓的鏡面後，更進一步地，在對於該工件加工用片材照射活性能量射線後，工件加工用片材對於上述矽晶圓的鏡面的黏著力較佳為200mN／25mm以下，特佳為100mN／25mm以下，再佳為70mN／25mm以下。藉由上述黏著力為200mN／25mm以下，變得容易良好地從工件加工用片材分離加工後的工件。又，上述黏著力較佳為10mN／25mm以上，特佳為15mN／25mm以上，再佳為20mN／25mm以上。藉由上述黏著力為10mN／25mm以上，在照射活性能量射線後，變得容易有效地抑制加工後的工件非期望地從工件加工用片材脫離。此外，所謂上述矽晶圓的鏡面，係指非活性面者。又，上述黏著力的測量方法的詳細內容係如同後述的試驗例所記載。
再者，在本實施方式之工件加工用片材中，在研削矽晶圓的表面且5分鐘後的研削面貼附工件加工用片材中之黏著面，使其經過7日後，再對於該工件加工用片材照射活性能量射線後，工件加工用片材對於上述研削面的黏著力較佳為500mN／25mm以下，特佳為400mN／25mm以下，再佳為300mN／25mm以下。藉由上述黏著力為500mN／25mm以下，即使在使用具有活性面者作為工件之情形，亦變得容易良好地從工件加工用片材分離加工後的工件。本實施方式之工件加工用片材係如同前述，藉由黏著劑層係由使用含有伸烷基二醇改質松酯的黏著性組合物所形成之黏著劑所構成者，而即使對於工件的活性面亦可達成上述的黏著力。又，上述黏著力較佳為10mN／25mm以上，特佳為15mN／25mm以上，再佳為20mN／25mm以上。藉由上述黏著力為10mN／25mm以下，在照射活性能量射線後，變得容易有效地抑制加工後的工件非期望地從工件加工用片材脫離。此外，上述黏著力的測量方法的詳細內容係如同後述的試驗例所記載。
3.工件加工用片材的製造方法 本實施方式之工件加工用片材的製造方法並未被特別限定。作為較佳的製造方法，可列舉在準備黏著劑層與剝離片材的層積體後，在該層積體中之黏著劑層側的面貼合基材的方法。
上述的層積體的形成可藉由習知的方法進行。例如，製備用於形成黏著劑層的黏著性組合物、及依據期望而進一步含有溶劑或分散媒的塗布液，將該塗布液塗布在剝離片材的剝離面上而形成塗膜，使該塗膜乾燥，藉此形成黏著劑層。藉此，獲得黏著劑層與剝離片材的層積體。
塗布液的塗布可藉由習知的方法進行，可藉由例如棒塗布法、刮刀塗布法、輥塗布法、刮刀塗布法、模具塗布法、凹版塗布法等而進行。此外，塗布液只要能進行塗布則未特別限定其特性，有將用於形成黏著劑層的成分含有作為溶質之情形，也有含有作為分散質之情形。又，剝離片材可作為步驟材料而進行剝離，亦可在貼附至工件之前保護黏著劑層。
在用於形成黏著劑層的黏著性組合物含有交聯劑（E）之情形中，較佳為藉由改變上述的乾燥條件（溫度、時間等），或藉由另外設置加熱處理，使塗膜內的活性能量射線硬化性聚合物（A）與交聯劑（E）的交聯反應進行，而在黏著劑層內以所期望的存在密度形成交聯結構。再者，為了使上述的交聯反應充分地進行，可在貼合上述的層積體與基材後，進行例如在23℃、相對濕度50％的環境中靜置數日等熟化。
4.工件加工用片材的使用方法 本實施方式之工件加工用片材可使用於工件的加工。亦即，在將本實施方式之工件加工用片材的黏著面貼附至工件的單面後，可在工件加工用片材上進行工件的加工。作為該加工的例子，可列舉背研磨、切割、擴片、拾取等。上述切割，例如，可為使用旋轉的圓盤刀之刀片切割，亦可為藉由雷射光的照射而完全切斷半導體晶圓之雷射切割，亦可為在藉由雷射光的照射而在半導體晶圓形成改質層後，藉由擴展半導體晶圓而利用該改質層分割半導體晶圓之隱形切割。本實施方式之工件加工用片材，因應其加工的種類，可使用作為背研磨片材、切割片材、擴片片材、拾取片材等。
作為使用本實施方式之工件加工用片材所加工之工件的例子，可列舉半導體晶圓、半導體封裝等半導體部件、玻璃板等玻璃部件。於此，本實施方式之工件加工用片材，如同前述，即使為在具有活性面的工件中之該活性面貼附有黏著面之情形，亦可良好地抑制工件加工用片材對於該活性面的附著性上升。因此，本實施方式之工件加工用片材適合使用於具有活性面的工件（尤其，在研削表面後120分鐘以內的半導體晶圓中之該已研削的面）的加工。然而，本實施方式之工件加工用片材能貼附具有活性面的工件（尤其，在研削表面後120分鐘以內的半導體晶圓中之該已研削的面）、及不具有活性面的一般工件（尤其，研削表面後120分鐘以內的半導體晶圓中之該已研削的面之面）之任一者。
在本實施方式之工件加工用片材上結束工件的加工並從工件加工用片材分離加工後的工件之情形中，較佳為在該分離之前對於工件加工用片材中之黏著劑層照射活性能量射線。藉此，黏著劑層會硬化，工件加工用片材對於加工後的工件的黏著力會良好地降低，加工後的工件的分離變得容易。
作為上述的活性能量射線，可使用例如在電磁波或荷電粒子射線之中具有能量子者，具體而言，可使用紫外線或電子射線等。特佳為容易處理的紫外線。紫外線的照射可藉由高壓水銀燈、氙燈、LED等而進行，紫外線的照射量較佳為照度為50mW／cm2 以上且1000mW／cm2 以下。又，光量較佳為50mJ／cm2 以上，特佳為80mJ／cm2 以上，再佳為200mJ／cm2 以上。又，光量較佳為10000mJ／cm2 以下，特佳為5000mJ／cm2 以下，再佳為2000mJ／cm2 以下。另一方面，電子射線的照射，可藉由電子射線加速器等進行，電子射線的照射量較佳為10krad以上且1000krad以下。
本實施方式之工件加工用片材特佳為使用於具備以下步驟的半導體裝置的製造方法。亦即，該半導體裝置的製造方法，具備：研削步驟，其研削半導體晶圓的表面；貼附步驟，其對於上述半導體晶圓中之已進行上述研削的面，貼附本實施方式之工件加工用片材；切割步驟，其在上述工件加工用片材上切割上述半導體晶圓，獲得多個半導體晶片；活性能量射線照射步驟，其對於上述工件加工用片材中之上述黏著劑層照射活性能量射線；以及拾取步驟，其從上述工件加工用片材一個個地拾取上述半導體晶片。
上述研削步驟，可使用以往習知的手法進行。例如，將所期望的黏著片（可為本實施方式之工件加工用片材）的黏著面貼附在半導體晶圓的一面，使用研磨裝置，在上述黏著片上研削半導體晶圓的另一面。此時的研削程度係因應目的而選擇，例如，研削至半導體晶圓的厚度或表面的狀態成為指定程度為止。該研削之後，可對於已研削的面進行以往習知的表面處理。
接著，在貼附步驟中，只要在半導體晶圓的研削面貼附本實施方式之工件加工用片材的黏著面，則具體的手法未被限定。於此，上述研削步驟中之從研削半導體晶圓的表面起至進行上述貼附為止的時間可為120分鐘以內，尤其可為30分鐘，再者可為5分鐘以內。上述時間為120分鐘以內之情形，半導體晶圓的研削面雖成為維持活化狀態的活性面，但根據本實施方式之工件加工用片材，即使對於此種活性面，亦抑制附著性的過度上升，而在後述的拾取步驟中，可良好地進行拾取。
接著，切割步驟可使用以往習知的手法進行。亦即，使用切割裝置，在工件加工用片材上切割半導體晶圓，獲得多個半導體晶片。此處的切割的種類未被特別限定，可為例如刀片切割、雷射切割、隱形切割等。
活性能量射線照射步驟中之活性能量射線的照射可利用以往習知的手法進行。活性能量射線的種類及照射條件係如同前述。
接著在拾取步驟中之拾取亦可利用以往習知的手法進行。例如，使用拾取裝置，將工件加工用片材進行擴片，且同時從工件加工用片材的背面以針頂起半導體晶片，再使用吸引筒夾拿起半導體晶片，藉此可進行拾取。根據本實施方式之工件加工用片材，因抑制對於半導體晶圓及加工其而得之半導體晶片的附著性過度上升，故避免無法拾取半導體晶片等問題，可進行良好的拾取。
以上說明的實施方式係用於容易理解本發明而記載者，並非用於限定本發明而記載者。因此，上述實施方式所開示之各要素的要旨亦包含屬於本發明的技術範圍之全部設計變更及等效物。
例如，在基材中之與黏著劑層為相反側的面、或基材與黏著劑層之間，亦可夾有其他層。 [實施例]
以下，藉由實施例等進一步具體地說明本發明，但本發明的範圍並不受限於此等實施例等。
〔實施例1〕 （1）丙烯酸系聚合物的製作 對於丙烯酸2－甲氧基乙酯45質量份、丙烯酸甲酯25質量份、及丙烯酸2－羥乙酯30質量份添加偶氮雙異丁腈（起始劑）0.25質量份後，在氮氣體環境下藉由溶液聚合法使其聚合，獲得（甲基）丙烯酸酯聚合物。使此（甲基）丙烯酸酯聚合物、與相對於構成該（甲基）丙烯酸酯聚合物之丙烯酸2－羥乙酯相當於80莫耳％的量之甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯（MOI）進行反應，獲得已在側鏈導入活性能量射線硬化性基之丙烯酸系聚合物。此丙烯酸系聚合物的重量平均分子量（Mw）為50萬。
（2）黏著賦予劑的製作 在燒瓶中裝填松香711g、甘油107g、反丁烯二酸189g、重量平均分子量為1000之聚丙二醇2100g及二甲苯150g，在進行氮取代後，一邊攪拌一邊以280℃加熱13小時。其後，以200℃耗費20分鐘減壓去除二甲苯。接著，從燒瓶取出內容物，使其冷卻至室溫並固化，藉此獲得作為黏著賦予劑之伸烷基二醇改質松酯。
（3）黏著性組合物的製備 在溶劑中混合：上述（1）所得之已在側鏈導入活性能量射線硬化性基之丙烯酸系聚合物100質量份（固體成分換算值；以下相同）、上述（2）所得之作為黏著賦予劑之伸烷基二醇改質松酯2質量份、作為交聯劑之三羥甲丙烷改質甲苯二異氰酸酯（Tosoh公司製，產品名「CORONATE L」）0.5質量份、及作為光聚合起始劑之2,2－二甲氧基－1,2－二苯基乙烷－1－酮（BASF公司製，產品名「Omnirad 651」）0.3質量份，獲得固體成分濃度為30質量％之黏著性組合物的塗布液。
（4）黏著劑層的形成 對於在厚度38μm之聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面形成聚矽氧系的剝離劑層而成之剝離片材（LINTEC公司製，產品名「SP－PET3801」）的剝離面，使用缺角輪機塗布，塗布上述（3）所製備之黏著性組合物的塗布液，以90℃加熱1分鐘使其乾燥，藉此在剝離片材上形成厚度5μm的黏著劑層。
（5）工件加工用片材的製作 使上述（4）所形成之黏著劑層的露出面、與作為基材之厚度80μm的乙烯－甲基丙烯酸共聚物薄膜的單面進行貼合後，在23℃、相對濕度50％的環境下靜置一週，藉此獲得工件加工用片材。
於此，前述重量平均分子量（Mw）係使用凝膠滲透層析法（GPC）並利用以下的條件所測量（GPC測量）之標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。 ＜測量條件＞ ‧GPC測量裝置：Tosoh公司製，HLC－8320 ‧GPC管柱（依以下順序通過）：Tosoh公司製 TSK  gel  superH－H TSK  gel  superHM－H TSK  gel  superH2000 ‧測量溶劑：四氫呋喃 ‧測量溫度：40℃
〔實施例2～11，比較例1～11〕 除了將丙烯酸系聚合物的組成、以及黏著賦予劑的種類及含量變更成表1所記載般以外，與實施例1同樣地進行而製造工件加工用片材。
〔試驗例1〕（對一般面黏著力的測量） 將實施例及比較例所製造之工件加工用片材裁切成25mm寬的帶狀。從所得之帶狀的工件加工用片材將剝離片材進行剝離，將所露出之黏著劑層的黏著面，對於進行鏡面加工而成之矽晶圓的該鏡面，在溫度23℃、相對濕度50％的環境下，使用2kg橡膠輥進行貼附，靜置20分鐘，作為測量用樣本。此外，上述矽晶圓中之上述鏡面係進行研削後經過1個月以上而活性消失的面（一般面）。
針對所得之測量用樣本，使用萬能拉伸試驗機（ORIENTEC公司製，產品名「TENSILONUTM－4－100」），以剝離速度300mm／min、剝離角度180°，從矽晶圓剝離工件加工用片材，藉由遵循JIS Z0237：2009的180°剝離法，測量對於矽晶圓的黏著力（mN／25mm）。將藉此所得之黏著力作為在UV照射前之對一般面黏著力而揭示於表2。
又，對於與上述同樣地所得之測量用樣本中的黏著劑層，隔著基材，使用紫外線照射裝置（LINTEC公司製，產品名「RAD－2000」）照射紫外線（UV）（照度：230mW／cm2 ，光量：190mJ／cm2 ），使黏著劑層硬化。其後，與上述同樣地測量對於矽晶圓的黏著力（mN／25mm）。將藉此所得之黏著力作為在UV照射後之對一般面黏著力而揭示於表2。
〔試驗例2〕（對活性面黏著力的測量） 使用研磨裝置（Disco公司製，產品名「DFG8540」），將矽晶圓的單面進行研削至該矽晶圓的厚度成為500μm為止。對於藉由該研削而活化之研削面（活性面），與實施例1同樣地將所得之帶狀的工件加工用片材的黏著面與實施例1同樣地進行貼附，作為測量用樣本。此外，工件加工用片材對於上述活性面的貼附係在上述研削起5分鐘以內進行。
將上述測量樣本在溫度23℃、相對濕度50％的環境下靜置7日後，對於黏著劑層，隔著基材，使用紫外線照射裝置（LINTEC公司製，產品名「RAD－2000」）照射紫外線（UV）（照度：230mW／cm2 ，光量：190mJ／cm2 ），使黏著劑層硬化。其後，與實施例1同樣地測量對於矽晶圓的黏著力（mN／25mm）。將藉此所得之黏著力作為對活性面黏著力（靜置7日，UV照射後）而揭示於表2。
〔試驗例3〕（切割性的評價） 使用研磨裝置（Disco公司製，產品名「DFG8540」），將矽晶圓的單面進行研削至該矽晶圓的厚度成為150μm且同時獲得♯2000研磨面。對於藉由該研削而活化的研削面（活性面），從實施例及比較例所製造之工件加工用片材將剝離片材進行剝離，使用積層機貼附所露出之黏著劑層的黏著面。此外，此貼附係在上述研削起5分鐘以內進行。
上述貼附起20分鐘後，利用下述條件進行切割。 ＜切割條件＞ ‧切割裝置　　：Disco公司製　DFD－6362 ‧刀片　　　　：Disco公司製　NBC－2H　2050　27HECC ‧刀片寬　　　：0.025～0.030mm ‧刀鋒伸出量　：0.640～0.760mm ‧刀片旋轉數　：35000rpm ‧切割速度　　：60mm／sec ‧基材切入深度：70μm ‧切割水量　　：1.0L／min ‧切割水溫度　：20℃ ‧切割尺寸　　：0.5mm四邊形
切割後，算出所得之晶片中的晶片飛散的比例（相對於所得之晶片的總數，從工件加工用片材脫離之晶片的數量的比例），並基於以下的基準，評價切割性。將結果作為活性晶圓的切割性而揭示於表2。 ○：晶片飛散的比例為1成以下。 △：晶片飛散的比例為大於1成且5成以下。 ╳：晶片飛散的比例為大於5成。
又，針對以進行與上述同樣的研削的矽晶圓，在研削後，不貼附工件加工用片材，並靜置充分的時間。對於藉此而活性消失的研削面（一般面），與上述同樣地貼附工件加工用片材的黏著面，進一步與上述同樣地進行切割，並評價切割。其結果亦作為一般晶圓的切割性而揭示於表2。
〔試驗例4〕（拾取性的評價） 使用研磨裝置（Disco公司製，產品名「DFG8540」），將矽晶圓的單面研削至該矽晶圓的厚度成為150μm為止。對於藉由該研削而活化的研削面（活性面），從實施例及比較例所製造之工件加工用片材將剝離片材進行剝離，並使用積層機貼附所露出之黏著劑層的黏著面。此外，此貼附係在上述研削起5分鐘以內進行。
上述貼附後，在溫度23℃、相對濕度50％的環境下靜置7日後，利用下述條件進行切割。 ＜切割條件＞ ‧切割裝置　　：Disco公司製　DFD－6362 ‧刀片　　　　：Disco公司製　NBC－2H　2050　27HECC ‧刀片寬　　　：0.025～0.030mm ‧刀鋒伸出量　：0.640～0.760mm ‧刀片旋轉數　：35000rpm ‧切割速度　　：60mm／sec ‧基材切入深度：70μm ‧切割水量　　：1.0L／min ‧切割水溫度　：20℃ ‧切割尺寸　　：10mm四邊形
再者，對於工件加工用片材中之黏著劑層，隔著基材，使用紫外線照射裝置（LINTEC公司製，產品名「RAD－2000」）照射紫外線（UV）（照度：230mW／cm2 ，光量：190mJ／cm2 ），使黏著劑層硬化。
接下來，針對藉由上述切割而得之多個晶片中在俯視工件加工用片材時位於中心附近的一個晶片，使用拾取裝置嘗試拾取。具體而言，從工件加工用片材的基材側的面，利用針將晶片以頂起高度500μm頂起，且藉由真空筒夾吸附晶片中之與工件加工用片材相反側的面，藉此嘗試從工件加工用片材分離晶。針對此時能否分離晶片，藉由以下的基準評價拾取性。將結果作為活性晶圓的拾取性而揭示於表2。 ○：可分離晶片。 ╳：無法分離晶片。
又，針對已進行與上述同樣的研削的矽晶圓，在研削後，不貼附工件加工用片材，並靜置充分的時間。對於藉此而活性消失的研削面（一般面），與上述同樣地貼附工件加工用片材的黏著面，進一步與上述同樣進行切割、紫外線照射及拾取，並評價拾取性。其結果亦作為一般晶圓的拾取性而揭示於表2。
此外，表1所記載之簡稱等的詳細內容係如同以下所述。 〔活性能量射線硬化性聚合物的組成〕 MEA：丙烯酸2－甲氧基乙酯（玻璃轉移溫度Tg：－50℃） MA：丙烯酸甲酯（玻璃轉移溫度Tg：10℃） HEA：丙烯酸2－羥乙酯（玻璃轉移溫度Tg：－15℃） 2EHA：丙烯酸2－乙基己酯（玻璃轉移溫度Tg：－70℃） VAc：乙酸乙烯酯（玻璃轉移溫度Tg：28℃） iso－STA：丙烯酸異十八酯（玻璃轉移溫度Tg：－18℃） BA：丙烯酸n－丁酯（玻璃轉移溫度Tg：－55℃） ACMO：丙烯醯基𠰌啉（玻璃轉移溫度Tg：145℃） MMA：甲基丙烯酸甲酯（玻璃轉移溫度Tg：105℃） MOI：甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯
〔黏著賦予劑〕 伸烷基二醇改質松酯：如同實施例1的步驟（2）所製作之松酯 萜烯酚T－100：萜烯酚（YASUHARA CHEMICAL公司製，「T－100」） 萜烯酚T－130：萜烯酚（YASUHARA CHEMICAL公司製，「T－130」） 萜烯酚T－160：萜烯酚（YASUHARA CHEMICAL公司製，「T－160」） 石油樹脂FTR6100：苯乙烯系單體／脂肪族系單體共聚物（三井化學公司製，產品名「FTR6100」） 石油樹脂FTR7100：苯乙烯系單體／α－甲基苯乙烯脂肪族系單體共聚物（三井化學公司製，產品名「FTR7100」） 酸改質松酯：酸改質松酯（荒川化學工業公司製，產品名「PINECRYSTAL KE－604」） 氫化松酯KE－311：氫化松酯（荒川化學工業公司製，產品名「PINECRYSTAL KE－311」） 氫化松酯KE－359：氫化松酯（荒川化學工業公司製，產品名「PINECRYSTAL KE－359」） 聚甘油：聚甘油（阪本藥品公司製，產品名「PG310－6EO」）
[表1]
　 丙烯酸系聚合物 黏著賦予劑
組成 Mw 種類 軟化點 （℃） Mw 含量 （質量份）
實施例1 MEA／MA／HEA（MOI） ＝45／25／30（80莫耳％） 47萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 0.01
實施例2 MEA／MA／HEA（MOI） ＝45／25／30（80莫耳％） 47萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 0.06
實施例3 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 45萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 2
實施例4 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 45萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 4
實施例5 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 45萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 7
實施例6 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 45萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 10
實施例7 2EHA／iso－STA／VAc／HEA（MOI） ＝17／20／46／17（80莫耳％） 45萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 4
實施例8 2EHA／VAc／ACMO／HEA（MOI） ＝46／27／10／17（90莫耳％） 55萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 4
實施例9 BA／MMA／HEA（MOI） ＝37／26／25（90莫耳％） 55萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 2
實施例10 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝53／30／17（80莫耳％） 51萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 4
實施例11 2EHA／HEA（MOI） ＝83／17（80莫耳％） 57萬 伸烷基二醇改質松酯 50以下 8700 4
比較例1 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 － － － －
比較例2 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 萜烯酚 T－100 100 970 2
比較例3 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 萜烯酚 T－130 130 1100 2
比較例4 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 萜烯酚 T－160 160 1100 2
比較例5 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 石油樹脂 FTR6100 100 1080 2
比較例6 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 石油樹脂 FTR7100 100 1240 2
比較例7 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 酸改質松酯 124－134 770 2
比較例8 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 氫化松酯KE－311 90－100 600 2
比較例9 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 氫化松酯KE－359 94－104 1010 2
比較例10 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 聚甘油 50以下 578 4
比較例11 2EHA／VAc／HEA（MOI） ＝37／46／17（80莫耳％） 51萬 聚甘油 50以下 578 8
[表2]
　 對一般面黏著力（mN／25mm） UV照射後之對活性面黏著力 （mN／25mm） 活性晶圓的切割性 活性晶圓的拾取性 一般晶圓的切割性 一般晶圓的拾取性
UV照射前 UV照射後
實施例1 2380 40 80 ○ ○ ○ ○
實施例2 2300 40 90 ○ ○ ○ ○
實施例3 800 40 210 ○ ○ ○ ○
實施例4 600 30 160 ○ ○ ○ ○
實施例5 580 30 110 ○ ○ ○ ○
實施例6 550 30 100 ○ ○ ○ ○
實施例7 900 40 180 ○ ○ ○ ○
實施例8 800 30 90 ○ ○ ○ ○
實施例9 800 30 130 ○ ○ ○ ○
實施例10 500 30 220 ○ ○ ○ ○
實施例11 200 30 290 △ ○ △ ○
比較例1 4000 90 1500 ○ ╳ ○ ○
比較例2 4200 110 1000 ○ ╳ ○ ○
比較例3 4400 150 830 ○ ╳ ○ ○
比較例4 4400 150 830 ○ ╳ ○ ○
比較例5 4100 140 980 ○ ╳ ○ ○
比較例6 4250 120 980 ○ ╳ ○ ○
比較例7 4250 90 800 ○ ╳ ○ ○
比較例8 3950 100 880 ○ ╳ ○ ○
比較例9 4330 110 1000 ○ ╳ ○ ○
比較例10 1090 30 900 ○ ╳ ○ ○
比較例11 800 30 700 ○ ╳ ○ ○
如由表2可知，實施例之工件加工用片材對於晶圓的活性面顯示優異的拾取性。又，實施例之工件加工用片材即使對於不具有活性面的一般晶圓亦顯示優異的拾取性。 [產業上的可利用性]
本發明之工件加工用片材適合被用作為用於具有活性面的工件的切割片材等。
無。
無。

Claims (12)

  1. 一種工件加工用片材，其係具備基材、與層積在前述基材的單面側之黏著劑層的工件加工用片材，其特徵在於， 前述黏著劑層係由活性能量射線硬化性的黏著劑所構成，該活性能量射線硬化性的黏著劑係由至少包含丙烯酸系聚合物及黏著賦予劑的黏著性組合物所形成， 前述黏著賦予劑係伸烷基二醇改質松酯。
  2. 如請求項1所述之工件加工用片材，其中，相對於前述丙烯酸共聚物100質量份，前述黏著性組合物中之前述黏著賦予劑的含量為0.005質量份以上且15質量份以下。
  3. 如請求項1所述之工件加工用片材，其中，前述黏著賦予劑的軟化點為－100℃以上且50℃以下。
  4. 如請求項1所述之工件加工用片材，其中，前述黏著賦予劑的重量平均分子量為1000以上。
  5. 如請求項1所述之工件加工用片材，其中，在對於前述工件加工用片材照射活性能量射線之前，前述工件加工用片材對於矽晶圓的鏡面的黏著力為200mN／25mm以上且20000mN／25mm以下。
  6. 如請求項1所述之工件加工用片材，其中，前述丙烯酸系聚合物為具有活性能量射線硬化性者。
  7. 如請求項1所述之工件加工用片材，其中，前述丙烯酸系聚合物，作為構成該丙烯酸系聚合物的單體單元，含有10質量％以上之同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為－30℃以下的單體，且同時含有3質量％以上之同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的單體。
  8. 如請求項7所述之工件加工用片材，其中，同元聚合物的玻璃轉移溫度Tg為10℃以上的前述單體為選自丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯醯基𠰌啉、乙酸乙烯酯及甲基丙烯酸2－羥乙酯之至少一種單體。
  9. 如請求項1所述之工件加工用片材，其貼附在研削表面後120分鐘以內的半導體晶圓之經前述研削的面。
  10. 如請求項1所述之工件加工用片材，其係能貼附在研削表面後120分鐘以內的半導體晶圓之經前述研削的面、及經前述研削的面以外的面之任一面者。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，具備： 研削步驟，其研削半導體晶圓的表面； 貼附步驟，其對於前述半導體晶圓中之已進行前述研削的面，貼附如請求項1至10中任一項所述之工件加工用片材； 切割步驟，其在前述工件加工用片材上切割前述半導體晶圓，獲得複數個半導體晶片； 活性能量射線照射步驟，其對於前述工件加工用片材中之前述黏著劑層照射活性能量射線；以及 拾取步驟，其從前述工件加工用片材一個個地拾取前述半導體晶片。
  12. 如請求項11所述之半導體裝置的製造方法，其中，前述貼附步驟中之前述工件加工用片材對前述半導體晶圓的貼附，係在前述研削步驟中之研削前述半導體晶圓的表面起120分鐘以內進行。
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