KR20210033387A - Cof 미세회로 형성 방법 및 시스템, cof 및 가공방법, 회로 식각 시스템 및 방법, 회로기판 가공방법 및 회로기판 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 COF 미세회로 형성 방법 및 시스템, COF 및 이의 가공방법, 회로 식각 시스템 및 방법, 회로기판 가공방법 및 회로기판에 관한 것이다. 여기서, COF 미세회로 형성 시스템 또는 회로 식각 시스템은 UV 레이저 가공기기를 포함하고, 기기에 수송되는 FCCL 기재 또는 회로기판 기재를 레이저 식각하여, 기재의 동박을 직접적으로 회로로 식각하고; UV 레이저 가공기기의 레이저 식각 파라미터는 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s이다. 본 발명의 공정 및 기기는 간단하고, 수율이 높다.

Description

COF 미세회로 형성 방법 및 시스템, COF 및 가공방법, 회로 식각 시스템 및 방법, 회로기판 가공방법 및 회로기판 {Method　and　system　of　forming　fine　circuit　of　COF,　COF　and　processing　method　of　same,　system　and　method　of　engraving　circuit,circuit　board　and　processing　method　of　same}
본 발명은 회로판 기술분야에 관한 것으로, 특히는 COF 미세회로 형성 방법 및 시스템, COF 및 이의 가공방법, 회로 식각 시스템 및 방법, 회로기판 가공방법 및 회로기판에 관한 것이다
선행기술의 COF(Chip On Flex, or, Chip On Film, 일반적으로 칩 온 필름이라 칭함)은 연성 회로기판으로 칭하다가 나중에는 COF으로 칭하였고, 이의 회로도의 형성방법은 기판에 감광층을 피복하고, 노광이미징, 현상화, 식각, 감광층 제거한 후 최종적으로 회로도가 형성되고, 마지막으로 칩 및 전자소자를 부착 및 장착한 후 COF를 얻는 단계를 포함한다. 선행기술의 방법은, 공법이 복잡하고, 기기, 작업장에 대한 투자가 크며; 또한 복잡한 공법단계는 제품 수율이 떨어지게 하고, 회로기판 폐기율이 높으며; 화학적 식각은 오염문제도 야기시킨다. 상기 노광 이미징 단계에서는, 레이저 기기를 사용하여 처리되기도 하지만, 노광 이미징에만 한한 것일 뿐, 회로를 한꺼번에 형성할 수 없다. 선행기술의 회로기판에 회로를 형성하는 기타 방법 역시 같은 문제가 존재한다.
본 발명의 목적은 회로 형성 시스템 및 방법, 회로기판 가공방법 및 회로기판을 제공하는 것으로, 선행기술에서 회로를 형성하는 방법 및 시스템이 복잡하고, 투자가 크며, 제품 수율이 낮고, 환경오염을 일으키는 등 문제를 해결하였다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예는 COF 미세회로 형성 시스템을 제공하는 것으로, 이는 UV 레이저 가공기기를 포함하고, 상기 UV 레이저 가공기기의 레이저 헤드로부터 출력되는 레이저 파라미터는 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s이며; 상기 UV 레이저 가공기기는 기기에 수송되는 FCCL 기재를 레이저 식각하여, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 미세회로로 식각한다.
일부 실시예로서, 레이저 기기의 출력파워는 1~20W이고; 상기 UV 레이저 가공기기는 제어반을 포함하고; 상기 제어반은 COF 회로도 자료를 저장하는 저장공간을 포함하며; 상기 레이저 헤드와 제어반은 연결되어, 제어반에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 3D COF 미세회로로 식각형성하도록 한다.
일부 실시예로서, 상기 제어반은 입력되거나 저장되는 COF 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되어 회로를 식각하도록 제어되고; 상기 제어반은 메인 제어반 또는 컴퓨터이고; 상기 시스템은 상기 UV 레이저 가공기기에 FCCL 기재를 수송하는 수송장치를 더 포함하고; 상기 UV 레이저 가공기기는 가공대를 포함하고, 레이저 헤드는 가공대 최상부에 위치하고, FCCL 기재를 가공대에 수송하여 레이저 헤드 하측에 위치시킨다.
본 발명의 실시예는 COF 미세회로 형성 방법에 관한 것으로,
단계(1), COF 미세회로 형성 시스템에 회로를 식각할 FCCL 기재를 제공하는 단계; 및
단계(2), 상기 COF 미세회로 형성 시스템을 작동하여 FCCL 기재를 레이저 식각하여, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 미세회로로 식각형성하는 단계를 포함한다.
일부 실시예로서, FCCL 기재는 절연 기저막 및 기저막 정반 양면 또는 일면에 피복되는 상기 동박을 포함하고; FCCL 기재의 동박 두께는 2~8μm이고; 미세회로의 도전성 연결선의 선너비 및/또는 선간극은 몇몇의 미크론급 또는 그 이상이다.
본 발명의 실시예는 COF 가공방법을 제공하는 것으로,
단계(1), COF 미세회로 형성 시스템에 회로를 식각할 FCCL 기재를 제공하는 단계;
단계(2), 상기 COF 미세회로 형성 시스템을 작동하여 FCCL 기재를 레이저 식각하여, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 미세회로로 식각형성하는 단계; 및
단계(3): 부착하여 전자소자가 구비되는 COF를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 COF을 제공하는 것으로, 상기 COF의 회로는 상기 COF 미세회로 형성 방법에 의해 형성된다.
본 발명은 회로 식각 시스템을 제공하는 것으로, 이는 UV 레이저 가공기기를 포함하여, 기기에 수송되는 회로기판 기재를 레이저 식각하여, 기재의 동박을 직접적으로 회로로 식각하고; UV 레이저 가공기기의 레이저 식각 파라미터는 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s이다.
본 발명의 실시예는 회로 식각 방법을 제공하는 것으로,
단계(1), 회로 식각 시스템에 회로를 식각할 회로기판 기재를 제공하는 단계; 및
단계(2), 상기 회로 식각 시스템을 작동하여 회로기판 기재를 레이저 식각하여, 기재의 동박을 직접적으로 회로로 식각형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예는 회로기판 가공방법을 제공하는 것으로,
단계(1), 회로 식각 시스템에 회로를 식각할 회로기판 기재를 제공하는 단계;
단계(2), 상기 회로 식각 시스템을 작동하여 회로기판 기재를 레이저 식각하여, 기재의 동박을 직접적으로 회로로 식각형성하는 단계; 및
단계(3): 부착하여 전자소자가 구비되는 회로기판을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예는 회로기판을 제공하는 것으로, 상기 회로기판의 회로는 상기 회로 식각 방법에 의하여 회로기판 기재의 동박을 직접적으로 식각하여 제조된다.
본 발명은 UV 레이저 가공기기를 사용하여, 특정된 출력 레이저 파라미터를 설정하여, 레이저 가공기기의 제어시스템에 회로판 도면 자료를 입력하거나 저장하여, 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, 회로기판의 기재에 회로를 직접적으로 식각형성하는데, 본 발명의 방법 및 이에 사용되는 시스템은 기가가 간단하고, 원가가 낮으며, 제품 수율이 높고, 환경적 오염이 없으며, 일종의 건식과정으로서 미세회로를 직접적으로 식각할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예의 COF을 가공하는 공법 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예의 COF 미세회로를 건식 식각하는 시스템의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 실시예의 COF의 FCCL 기재 단면 모식도로서, 여기서 도3(a)와 도3(b)는 두가지 상이한 구조의 예시이다.
도 4는 본 발명의 실시예의 FCCL권취재에 회로도가 식각되는 모식도이다.
도 5는 도 4 중의 COF의 부분적 확대도이다.
도 6은 도 4 중의 COF의 또 다른 영역의 확대도이다.
이하 도면을 결합하여 본 발명에 대하여 추가적으로 상세하게 기술한다.
설명할 필요가 있는 것은, 충돌되지 않은 상황에서, 본 출원 중의 각 실시예 및 실시예 중의 특징은 서로 결합가능하여 이하 도면과 구체적인 실시예를 결합하여 본 발명을 추가적으로 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시예는 회로 식각 시스템 및 방법, 회로기판 가공방법 및 회로기판에 관한 것이다. 본 발명의 회로 식각 시스템 및 방법은 바람직하게는 COF 미세회로를 식각하고, IC 캐리어 보드 회로 또는 기타 소프트 보드, 하드 보드 또는 소프트 하드 결합보드의 회로를 식각하기 위한 것일 수도 있다.
도 1-6에 도시된 바를 참조하면, COF 미세회로 형성 시스템 및 방법을 예로 들어 본 발명의 기술적 해결수단을 구체적으로 설명한다. 본 실시예의 COF 미세회로 형성 시스템(100)(도 2)은, UV 레이저 가공기기(4) 및 UV 레이저 가공기기의 레이저 헤드(41) 하측에 FCCL 기재(1)를 수송하는 수송장치를 포함하고, UV 레이저 가공기기가 레이저 식각하여 회로를 형성할 때, 출력되는 레이저 파라미터는 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s이다. 레이저 기기의 출력파워는 1~20W이고; 상기 UV 레이저 가공기기는 제어반을 포함하고; 상기 제어반은 회로도 자료를 저장하는 저장공간을 포함하고; 상기 레이저 헤드와 제어반은 연결되어, 제어반에 의해 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어되어, FCCL의 동박을 식각하여, COF 미세회로가 건식 식각되도록 한다.
UV 레이저 가공기기의 제어반은 입력되거나 저장되는 COF 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어함으로써 FCCL 기재에 직접적으로 COF 미세회로를 건식 식각하고; UV 레이저 가공기기의 레이저 헤드는 수평방향 및 FCCL의 동박의 두께방향으로 이동하여 회로를 식각하도록 하여, 직접적으로 FCCL 기재의 동박을 식각하여 3D 회로구조를 형성한다. 구체적인 실시예에서, UV 레이저 가공기기의 제어반은 UV 레이저 가공기기 내에 설치되거나 UV 레이저 가공기기와 연결되는 메인 제어반 또는 컴퓨터일 수 있다. 저장공간은 RAM, ROM, 플래시 메모리, EEPROM, 하드 드라이버, 솔리드스테이트 드라이버, 또는 임의의 기타 적합한 메모리 또는 기억매체일 수 있다.
본 발명의 실시예는 COF 미세회로를 건식 식각하는 방법을 더 제공하는 것으로,
단계(1), COF 미세회로 형성 시스템(100)에 FCCL 기재를 제공하는 단계; 및
단계(2), COF 미세회로 형성 시스템(100)을 작동하여 건식 과정을 실시하여, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 COF 미세회로로 식각하는 단계를 포함하고;
여기서, 단계(2)는
UV 레이저 가공기기(4)의 제어반에 이와 대응되는 COF의 회로도 자료를 입력하거나 또는 제어반에 저장하는 단계;
UV 레이저 가공기기의 레이저 출력 파라미터를 조절하되, 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s인 단계; 및
UV 레이저 가공기기를 작동하여, 입력되거나 저장되는 COF의 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여 회로를 식각하는 단계를 더 포함한다.
단계(1)에서, FCCL 기재의 동박두께는 2~8μm이다.
본 발명의 실시예는 또한 COF 가공방법에 관한 것으로, 상기 COF 미세회로를 건식 식각하는 방법을 포함하고; 부착하여 전자소자가 구비되는 COF를 형성하는 단계(3)를 더 포함한다.
본 발명의 실시예는 또한 COF에 관한 것으로서, 이의 회로는 상기 COF 미세회로 형성 방법에 의해 식각되어 형성된다.
구체적인 예에서, 도1~3을 참조해보면, 본 실시예의 COF 가공방법은 주로
단계(1), COF 미세회로 형성 시스템(100)에 FCCL 기재(1)를 제공하는 단계; 및
단계(2), COF 미세회로 형성 시스템(100)을 작동하여 건식 과정을 실시하여, FCCL 기재(1)에 직접적으로 COF 미세회로(2)를 건식 식각하는 단계;
단계(3), 부착하여 COF(3)을 형성하는 단계를 포함한다.
도 2-3을 결합해보면, 단계(1)에서, FCCL 기재(1)는 절연 기저막(10) 및 기저막(10) 정반 양면(도3(a)에 도시된 바와 같이) 또는 일면(3(b))에 피복되는 동박(11)을 포함하고, 동박(11)의 두께는 2~8μm일 수 있으나 이에 의해 한정되지 않는다. 동박(11)은 후속과정에서 가공되어 COF 미세회로를 건식 식각한다. 본 실시예에서, FCCL 기재(1)는 권취재를 원시 재료로 하여, 롤러에 이해 FCCL 기재(1)가 부단히 레이저 가공기기(4)에 수송된다. 물론, FCCL 기재(1)는 시트재로서 레이저 가공기기(4)에 수송되거나, 또는 롤러 이외의 기타 수송기기에 의해 수송될 수도 있다.
도 2를 참조해보면, 단계(2)에서, 건식 과정 즉 레이저 식각공법에 의하여 레이저 가공기기를 사용하여 레이저빔에 의하여 직접적으로 FCCL 기재의 동박(11)에 COF 미세회로를 건식 식각한다. 식각은 실질상에서 레이저에 의하여 회로의 도전 연결선 이외의 영역의 동박을 버닝 제거하여 도전 연결선 사이의 절연 간격 또는 절연영역을 형성하고, 회로도 중 도전 연결선과 대응되는 영역의 동박만 유지하기에, 단계(2)의 레이저 식각 공법을 거친 후, FCCL 기재의 동박(11)에 COF 미세회로(2)를 직접적으로 형성한다. 본 단계에서, 레이저 가공기기는 UV 레이저 가공기기(4)를 사용하되, 레이저 가공기기(4)의 레이저 출력유닛은 레이저 헤드(41)로서, 양호한 빔품질(Good Beam Quality)의 레이저빔을 출력하여 극히 작은 스폿으로 포커싱되어, 초점에 아주 높은 출력밀도를 형성하고, 접촉되는 재료는 순간적으로 기화됨으로써, 회로의 도전 연결선 이외의 기타 영역의 동박을 제거하고, 나머지 동박의 영역에는 고정밀도의 초미세 회로의 도전 연결선이 형성된다.
UV 레이저 가공기기에 의하여 회로를 식각할 때, 이의 파라미터는 하기와 같이 조절되는 바,
스폿 사이즈는 15~40μm이고, 스폿 이동속도는 1~3m/s이며, 레이저 기기의 파워는 1~20W이다. 스폿 이동속도는 레이저 식각 속도이기도 하여, 레이저 기기의 기능은 20W을 선택하여 사용할 수 있다.
단계(2)에서, 단계(1)의 구체적인 FCCL 기재(1) 및 형성할 회로에 의하여, 대응되는 COF 회로도 자료를 UV 레이저 가공기기의 제어반의 저장공간에 입력하여, 레이저 가공기기의 상기 파라미터를 조절하거나 선택하여, 단계(1)의 FCCL 기재(1)를 수송하고, 레이저 가공기기를 작동하여, 레이저 가공기기의 제어반은 입력되는 COF 회로도 자료에 의하여, 상응한 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여 가공하고, FCCL 기재(1)의 동박에서 회로도의 평면도에 따라 평면이동하는 동시에 동박 두께방향으로 상하이동함으로써, 3D 식각을 진행하여, FCCL의 동박(11)을 제거하되 도전 연걸선 이외의 나머지 동박을 제거하도록 하여, COF의 3D 미세회로를 형성하되, 레이저 가공기기의 제어반에 입력되는 회로도 자료와 일치하다. 단계(1)의 FCCL 기재(1)를 레이저 가공기기에 수송하여 식각한 후, 원스톱 방식으로 직접적으로 COF 회로를 형성하는데, 방법이 간편하고, 기기가 간단하며, 레이저 기기의 제어반에 의하여 회로도 자료에 따라 레이저 헤드의 이동 식각을 정확하게 제어하여, 고 정밀도의 COF 회로를 형성한다.
본 실시예에서 FCCL 기재 권취재를 사용하여 레이저 식각하여 COF 회로를 형성하는데, 도 4-5를 참조해보면, 본 발명의 UV 레이저 가공기기(4)와 단계(2)에 의하여 FCCL 권취재를 식각하되, 레이저 가공기기의 제어반에 입력되는 COF 회로도 자료에 따라, 이의 FCCL 기재의 동박(11)은 레이저 식각되어 대응되는 회로를 형성하는데, 권취재에 COF 회로의 반복단위를 형성하거나, 또는 다양한 COF 회로를 형성하거나, 또는 일체형의 대형 COF 회로를 형성한다. 도4에 도시된 것은 레이저 식각 후의 FCCL 권취재의 하나의 COF 회로유닛을 나타내는 바, 이에 복잡하고 미세한 회로도가 형성된다. 도5의 부분적인 확대도로부터 알 수 있는 바와 같이, 형성되는 COF 회로는 평행되는 도전 연결선이 포함되는데, 도전 연걸선은 레이저 식각 후 유지되는 동박으로서, 도전 연결선 사이의 절연간격은 레이저 식각에 의해 제거된 동박에 의해 형성된 것이다. 여기서, 도전 연결선은 후단의 너비가 71μm이고, 두갈래의 이웃하는 도전 연결선 사이의 절연간격은 63μm이고; 도전 연결선이 절곡된 후 앞으로 연신되면서 밀집되고, 도전 연결선 선단의 너비는 20μm이고, 두갈래의 이웃하는 도전 연결선 사이의 간격은 18μm이다. 도 6에 도시된 부분적 확대도에서, COF 회로선은 평행되는 도전 연결선을 포함하는데, 도전 연결선의 너비는 15.8μm이고, 두갈래의 이웃하는 도전 연결선 사이의 절연간격은 10.6μm이다. 상기 구현예에서 레이저 식각되는 COF 회로 관련 크기의 자릿수로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 방법과 시스템에 의해 얻어진 회로는 COF 회로 미세회로로서, 도전 연결선과 도통되고, 제품 수율이 높다.
기타 실시예에서, 상기 시스템(100)에 의해 식각된 미세회로에 있어서, 두갈래의 이웃하는 도전 연결선 사이의 절연간격은 최소로 10μm이하의 몇몇의 미크론급에 달할 수 있고, 도전 연결선의 너비 역시 10μm이하의 몇몇의 미크론급보다 낮을 수도 있다. 상기 시스템(100)은 몇몇의 미크론 또는 그 이상의 선너비 또는 선간격의 미세회로를 식각하는 것에 적합하다.
단계(3)에서는, 단계(2)에서 레이저 식각된 FCCL을 직접적으로 부착하여, 전자소자를 구비하는 완전한 COF 보드를 얻을 수 있다.
단계(2)에서 얻어진 COF 미세회로는, 수율이 높고, 직접적으로 부착가능하여, 품질검사를 진행할 필요가 없어, 인력물력을 보다 더 절약한다.
본 발명의 COF 미세회로를 건식 식각하는 방법은, 전술한 단계(1)와 단계(2)를 사용하여 얻을 수 있다.
도 2를 재차 참조하면, 본 발명의 실시예의 COF 미세회로 형성 시스템(100)은, 기기(4)에 수송되는 FCCL 기재(1)를 식각하여 회로를 형성하기 위한 UV자외선 가공기기(4)를 포함하고; FCCL 기재(1)를 기기(4)에 수송하는 수송장치(5)를 더 포함하는데, 예를 들어, 수송장치(5)는 수송 롤러를 권취재의 수송장치로 사용한다.
기타 실시예에서, 시트재 수송장치를 사용하여 회로 식각 시스템(100)에 구체적으로 레이저 가공기기(40)의 가공대(40)에 FCCL 시트재(1)를 수송한다.
기타 실시예에서, 본 발명의 상기 실시예의 시스템은 기타 회로기판의 회로를 식각하기 위한 것일 수 있고, 다양한 회로판의 회로를 식각하는 것에 적용되는데, IC 캐리어 보드, COF 보드 등을 포함하고; 소프트 보드, 하드 보드, 소프트 하드 보드 등 회로판을 식각하는 것에 적용된다. 상기와 같은 시스템 및 방법을 사용하여, 회로기판 기재 상의 동박을 직접적으로 회로로 식각하는데, 특히 미세회로를 건식 식각하는 것에 적용되고, 미세회로의 선너비 및 선간극은 몇몇의 미크론의 등급으로 낮아진다.
도2-3을 참조해보면, 일 실시예로서, 회로 식각 시스템(100)은 , UV 레이저 가공기기(4), 기기에 수송되는 회로기판 기재(1)를 레이저 식각하여, 기재(1)의 동박(11)을 직접적으로 회로(2)로 제조하는 UV 레이저 가공기기(4)를 포함하고; UV 레이저 가공기기(4)의 레이저 식각 파라미터는 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도는 1~3m/s이며, 출력파워는 1~20W이다. 회로 식각 시스템(100)은 제어반을 포함하되, UV 레이저 가공기기(4)내에 설치되거나, UV 레이저 가공기기(4) 외부에도 설치가능하여, UV 레이저 가공기기(4)의 레이저 헤드 작업을 제어하기 위한 것으로, 제어반은 메인 제어반 또는 컴퓨터일 수 있어, 제어반은 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, 이와 대응되게 회로기판 기재의 동박을 직접적으로 3D 회로로 식각한다. 제어반은 회로도 자료를 저장하는 저장공간을 포함하여, 입력되거나 저장되는 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여 회로를 식각한다. 회로 식각 시스템(100)은 상기 UV 레이저 가공기기에 회로기판 기재를 수송하는 수송장치(5)를 더 포함한다. 수송장치(5)는 권취재 수송장치 또는 시트재 수송장치이다. 권취재 수송장치는 롤러를 사용할 수 있고, 시트재 수송장치는 클램프 또는 매니퓰레이터를 사용할 수 있고, 생산라인 수송일 수도 있는데, 모두 선행기술의 수송장치를 사용할 수 있어, 회로기판 기재(1)를 UV 레이저 가공기기(4)의 가공대(40)에 수송하고, 레이저 헤드(41)는 상방에 위치하여 식각할 때, 레이저 헤드(41)가 레이저를 출력하는 파라미터를 제어하되, 스폿 사이즈는 15~40μm이고, 출력파워는 1~20W이며; 레이저 헤드(41)의 이동속도 즉 스폿 이동속도는 1~3m/s이고, 제어반에 의해 레이저 헤드(41)를 제어하되 제어반 내에 입력되거나 저장되는 회로도 자료에 의하여 3D 이동되도록 제어함으로써, 회로기판 기재(1) 표면의 동박(11)을 융제하여 회로도 자료와 일치한 도전 연결선도를 형성하고, 동박에 융제된(즉 고온기화된) 영역에 회로의 도전 연결선 사이의 절연간격 또는 절연영역을 형성하고, 레이저 융제되지 않은 영역에는 이와 대응되게 회로의 도전 연결선을 형성하는데, 이렇게 직접적으로 회로로 레이저 식각하는 공법은 건식공법이다.
일 실시예로서, 회로 식각 방법은,
단계(1), 회로 식각 시스템(100)에 회로를 식각할 회로기판 기재(1)를 제공하는 단계; 및
단계(2), 상기 회로 식각 시스템(100)을 작동하여 회로기판 기재(1)를 레이저 시각하여, 기재의 동박(11)을 직접적으로 회로로 식각형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 단계(2)는 UV 레이저 가공기기(4)의 제어반에 이와 대응되는 회로도 자료를 입력하거나, 또는 제어반에 이와 대응되는 회로도 자료를 저장하는 단계; UV 레이저 가공기기(4)의 파라미터를 조절하되, 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s인 단계; UV 레이저 가공기기(4)를 작동하여, 입력되거나 저장되는 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드(41)가 3D 이동되도록 제어하여, 기재의 동박을 직접적으로 3D 회로로 식각하는 단계를 포함한다. 상기 제어반은 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, 이와 대응되게 기재의 동박을 회로도 자료와 일치한 도전 연결선 및 도전 연결선 사이의 절연 간격으로 형성하고; 상기 미세회로의 도전 연결선의 선너비 및/또는 선간극은 몇몇의 미크론급 또는 그 이상인 바, 즉 회로의 도전 연결선의 선너비 및/또는 선간극은 10μm이상 또는 이하이다.
바람직하게는, 회로기판 기재(1)의 동박(11)의 두께는 2~8μm이다. 회로기판 기재는 상이한 유형의 회로기판에 따라 기재가 다르고, 기재 표면의 정반 양면 또는 일면에 상기 동박(11)이 피복되는데, 동박은 이와 대응되게 회로를 식각형성한다. 회로기판의 기재는 선행기술 중의 각종 포면에 동박을 구비하는 기재이다.
일 실시예로서, 본 발명의 회로기판 가공방법은, 상기 회로 식각 방법의 단계(1)와 단계(2)를 포함하고, 부착하여 전자소자가 구비되는 회로기판을 형성하는 단계(3)를 더 포함한다.
일 실시예로서, 본 발명의 회로기판에 있어서, 여기서, 회로기판의 회로는 상기 회로 식각 방법에 의하여 회로기판 기재의 동박을 직접적으로 식각하여 제조된다.
본 발명은 UV 레이저 가공기기(4)를 사용하여, 특정된 출력 레이저 파라미터를 설정하여, 레이저 가공기기(4)의 제어시스템에 회로판 도면 자료를 입력하거나 저장하여, 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, FCCL에 회로를 직접적으로 식각형성하는데, 본 발명의 방법 및 이에 사용되는 시스템은 기가가 간단하고, 원가가 낮으며, 제품 수율이 높고, 환경적 오염이 없으며, 일종의 건식과정으로서 미세회로를 직접적으로 식각할 수 있다.
본 발명의 기술된 내용에서 이해할 필요가 있는 것은, 용어 "길이", "너비", "상", "하", "전", "후", "수직", "수평", "최상부", "밑", "내", "외" 등 표시되는 방위 또는 위치 관계는 도면에 도시한 방위 또는 위치 관계를 바탕으로 본 발명을 편리하게 설명하고 설명을 간소화시키기 위할 뿐이고, 제시한 장치나 부재가 특정한 방위를 가져야 하고 특정한 방위로 구성함과 조작한 것을 지시하거나 암시하는 것이 아니므로, 본 발명에 대한 한정으로 이해하면 아니된다.
본 발명의 실시예를 예시하고 기술하였으나, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들에 있어서, 본 발명의 원리와 정신을 벗어나지 않은 상황에서 이러한 실시예에 대하여 다양한 변화, 수정, 대체와 변형을 구현할 수 있고, 이는 모두 본 출원의 범위에 속해야 함을 이해할 수 있고; 본 발명의 보호범위는 첨부되는 청구범위 및 이의 등가적 범위에 의해 한정된다.

Claims (17)

  1. UV 레이저 가공기기를 포함하되, 상기 UV 레이저 가공기기의 레이저 헤드로부터 출력되는 레이저 파라미터는 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s이며; 상기 UV 레이저 가공기기는 기기에 수송되는 FCCL 기재를 레이저 식각하여, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 미세회로로 식각하는 것을 특징으로 하는 COF 미세회로 형성 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    레이저 기기의 출력파워는 1~20W이고; 상기 UV 레이저 가공기기는 제어반(control center)을 포함하고; 상기 제어반은 COF 회로도 자료를 저장하는 저장공간을 포함하고; 상기 레이저 헤드는 제어반과 연결되어, 제어반에 의해 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어되어, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 3D COF 미세회로로 식각형성하도록 하는 것을 특징으로 하는 COF 미세회로 형성 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어반은 입력되거나 저장되는 COF 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되어 회로를 식각하도록 제어하고; 상기 제어반은 메인 제어반 또는 컴퓨터이고; 상기 시스템은 상기 UV 레이저 가공기기에 FCCL 기재를 수송하는 수송장치를 더 포함하고;
    상기 UV 레이저 가공기기는 가공대를 포함하고, 레이저 헤드는 가공대 최상부에 위치하며, FCCL 기재를 가공대에 수송하여 레이저 헤드 하측에 위치시키는 것을 특징으로 하는 COF 미세회로 형성 시스템.
  4. 단계(1), COF 미세회로 형성 시스템에 회로를 식각할 FCCL 기재를 제공하는 단계; 및
    단계(2), 상기 COF 미세회로 형성 시스템을 작동하여 FCCL 기재를 레이저 식각하여, FCCL 기재의 동박을 직접적으로 미세회로로 식각형성하는 단계를 포함하고;
    여기서, 상기 COF 미세회로 형성 시스템은 제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 따른 시스템인 것을 특징으로 하는 COF 미세회로 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 단계(2)는 구체적으로,
    UV 레이저 가공기기의 제어반에 이와 대응되는 COF의 회로도 자료를 입력하거나 제어반에 저장하는 단계;
    UV 레이저 가공기기의 파라미터를 조절하되, 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가1~3m/s인 단계;
    UV 레이저 가공기기를 작동하여, 입력되거나 저장되는 COF의 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, FCCL 기재에 직접적으로 3D COF 미세회로를 식각형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 COF 미세회로 형성 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    FCCL 기재는 절연 기저막 및 기저막 정반 양면 또는 일면에 피복되는 상기 동박을 포함하고; FCCL 기재의 동박 두께는 2~8μm이고; 미세회로의 도전성 연결선의 선너비 및/또는 선간극은 10 미크론 이상 또는 이하인 것을 특징으로 하는 COF 미세회로 형성 방법.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중의 어느 한 항에 따른 COF 미세회로 형성 방법을 포함하고, 부착하여 전자소자가 구비되는 COF를 형성하는 단계(3)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 COF 가공방법.
  8. 회로는 제 4 항 내지 제 6 항 중의 어느 한 항에 따른 COF 미세회로 형성 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 COF.
  9. UV 레이저 가공기기를 포함하여, 기기에 수송되는 회로기판 기재를 레이저 식각하여, 기재의 동박을 직접적으로 회로로 식각하고; UV 레이저 가공기기의 레이저 식각 파라미터는 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가 1~3m/s인 것을 특징으로 하는 회로 식각 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    레이저 기기의 출력파워는 1~20W이고; 상기 시스템은 제어반을 더 포함하고; UV 레이저 가공기기의 레이저 헤드와 제어반은 연결되어, 제어반에 의해 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어되어, 이와 대응되게 기재의 동박을 직접적으로 3D 회로로 식각하는 것을 특징으로 하는 회로 식각 시스템.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어반은 회로도 자료를 저장하는 저장공간을 포함하고; 상기 제어반은 입력되거나 저장되는 회로도 자료에 의해 레이저 헤드가 3D 이동되어 회로를 식각하도록 제어하고; 상기 제어반은 UV 레이저 가공기기 내에 설치되거나 UV 레이저 가공기기와 연결되는 메인 제어반 또는 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 회로 식각 시스템.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 UV 레이저 가공기기에 회로기판 기재를 수송하는 수송장치를 더 포함하고; 상기 수송장치는 권취재 수송장치 또는 시트재 수송장치이며;
    상기 제어반은 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, 이와 대응되게 기재의 동박을 회로도 자료와 일치하는 도전 연결선 및 도전 연결선 사이의 절연간격으로 형성하고; 상기 UV 레이저 가공기기가 식각하는 회로는 미세회로이고, 미세회로 도전 연결선의 선너비 및/또는 선간극은 10 미크론 이상 또는 이하이며;
    상기 UV 레이저 가공기기는 가공대를 포함하고, 레이저 헤드는 가공대 상측에 위치하며, 회로기판 기재를 가공대에 수송하여 레이저 헤드 하측에 위치시키는 것을 특징으로 하는 회로 식각 시스템.
  13. 단계(1), 회로 식각 시스템에 회로를 식각할 회로기판 기재를 제공하는 단계; 및
    단계(2), 상기 회로 식각 시스템을 작동하여 회로기판 기재를 레이저 식각하여, 기재의 동박을 직접적으로 회로로 식각형성하는 단계를 포함하고;
    여기서, 상기 회로 식각 시스템은 제 9 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 따른 시스템인 것을 특징으로 하는 회로 식각 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 단계(2)는 구체적으로,
    UV 레이저 가공기기의 제어반에 이와 대응되는 회로도 자료를 입력하거나, 또는 제어반에 이와 대응되는 회로도 자료를 저장하는 단계;
    UV 레이저 가공기기의 파라미터를 조절하되, 스폿 사이즈가 15~40μm이고, 스폿 이동속도가1~3m/s인 단계;
    UV 레이저 가공기기를 작동하여, 입력되거나 저장되는 회로도 자료에 의하여 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, 기재의 동박을 직접적으로 3D 회로로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 식각 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 단계(1)에서, FCCL 기재의 동박 두께는 2~8μm이고, FCCL 기재는 절연 기저막 및 기저막 정반 양면 또는 일면에 피복되는 상기 동박을 포함하고;
    상기 단계(2) 중의 기재의 동박을 직접적으로 식각형성하는 회로는 미세회로이고, 구체적으로, 상기 제어반은 레이저 헤드가 3D 이동되도록 제어하여, 이와 대응되게 기재의 동박을 회로도 자료와 일치한 도전 연결선 및 도전 연결선 사이의 절연 간격으로 형성하고; 상기 미세회로의 도전 연결선의 선너비 및/또는 선간극은 10 미크론 이상 또는 이하인 것을 특징으로 하는 회로 식각 방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중의 어느 한 항에 따른 회로 식각 방법을 포함하고, 부착하여 전자소자가 구비되는 회로기판을 형성하는 단계(3)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판 가공방법.
  17. 회로는 제 13 항 내지 제 15 항 중의 어느 한 항에 따른 회로 식각 방법에 의하여 회로기판 기재의 동박을 직접적으로 식각하여 제조되는 것을 특징으로 하는 회로기판.
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