TWM601505U - 形成cof細密電路的系統以及刻製電路的系統 - Google Patents

Abstract

本申請有關於形成COF細密電路的系統以及刻製電路的系統，系統包括UV雷射加工設備，對輸送至設備中的FCCL基材或電路板基材進行雷射刻製，將基材的銅箔直接刻製成電路；UV雷射加工設備的雷射刻製參數為：光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s。本申請的製程及設備簡單，良率高。

Description

形成COF細密電路的系統以及刻製電路的系統

本申請有關於電路板技術領域，特別是一種形成COF細密電路的系統以及刻製電路的系統。

習知技術的COF(Chip On Flex,or,Chip On Film，常稱覆晶薄膜)柔性電路板，後稱COF，其電路圖的形成方法包括：在基板上蓋感光層、曝光成像、顯影、蝕刻、去感光層最後形成電路圖，最後經貼片加裝晶片及電子元器件後獲得COF。習知技術的方法，製程複雜、設備、廠房投資大；而且複雜的製程步驟導致產品良率低，電路板報廢率高；化學蝕刻更導致污染問題。上述曝光成像步驟中，也有採用雷射設備處理，但僅用作曝光成像，無法一次形成電路。習知技術的其他電路板上的電路形成方法，也存在同樣的問題。

本申請的目的是：提供一種形成COF細密電路的系統以及刻製電路的系統，解決習知技術形成電路的方法及系統複雜、投資大、產品良率低、環境污染等問題。

為實現上述目的，本申請的實施例提供一種形成COF細密電路的系統，包括UV雷射加工設備，所述UV雷射加工設備的雷射頭輸出的雷射參數為：光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s；所述UV雷射加工設備對輸送至設備中的FCCL基材進行雷射刻製，將FCCL基材的銅箔直接刻製成細密電路。

作為一些實施例，雷射設備的輸出功率為1~20W；所述UV雷射加工設備包括控制中心；所述控制中心包括儲存COF電路圖資料的儲存空間；所述雷射頭與控制中心連接，控制中心控制雷射頭進行3D移動，以將FCCL基材的銅箔直接刻製形成3D的COF細密電路。

作為一些實施例，所述控制中心根據輸入或儲存的COF電路圖資料控制雷射頭進行3D移動地刻製電路；所述控制中心為主控制板或電腦；所述系統更包括向所述UV雷射加工設備輸送FCCL基材的輸料裝置；所述UV雷射加工設備包括加工臺，雷射頭位於加工臺頂部，FCCL基材輸送至加工臺位於雷射頭下方。

作為一些實施例，FCCL基材包括絕緣基膜以及在基膜正反兩面或一面上覆蓋的所述銅箔；FCCL基材的銅箔厚度為2~8μm；細密電路的導電連線的線寬或線間距為數個微米級或以上。

本申請提供一種刻製電路的系統，包括UV雷射加工設備，對輸送至設備中的電路板基材進行雷射刻製，將基材的銅箔直接刻製成電路；UV雷射加工設備的雷射刻製參數為：光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s。

本申請的有益效果是：

本申請採用UV雷射加工設備，設定特定的輸出雷射參數，在雷射加工設備的控制系統中輸入電路板圖紙資料，控制雷射頭進行3D移動在電路板的基材上直接刻製成形電路，本申請的方法步驟以及所採用的設備簡單、成本低、產品良率高，無環境污染，為一種乾法製程，可直接刻製細密電路。

下面結合圖式對本申請作進一步的詳細描述。

1:基材

100:系統

11:銅箔

2:電路

3:COF

4:設備

40:加工臺

41:雷射頭

5:輸料裝置

第1圖是本申請實施例的加工COF的製程流程圖。

第2圖是本申請實施例的乾法刻製COF細密電路的系統的示意圖。

第3圖是本申請實施例的COF的FCCL基材截面示意圖，其中第3圖(a)和第3 圖(b)為兩種不同結構的示例。

第4圖為本申請實施例的FCCL卷料上刻製出電路圖的示意圖。

第5圖是第4圖中COF的局部放大圖。

第6圖是第4圖中COF的另一段區域的放大圖。

需要說明的是，在不衝突的情况下，本申請中的各實施例及實施例中的特徵可以相互結合，下面結合圖式和具體實施例對本申請作進一步詳細說明。

本申請的實施例有關於一種刻製電路的系統及方法、加工電路板的方法及電路板。本申請的刻製電路的系統及方法較佳地用於刻製COF細密電路，也可用於刻製IC載板電路或其他軟板、硬板或軟硬結合板的電路。

參照第1至6圖所示，以形成COF細密電路的系統及方法為例具體說明本申請的技術方案。本實施例的形成COF細密電路的系統100(第2圖)，包括UV雷射加工設備4以及向UV雷射加工設備的雷射頭41下方輸送FCCL基材1的輸料裝置，UV雷射加工設備進行雷射刻製形成電路時，輸出的雷射參數為：光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s。雷射設備的輸出功率為1~20W；所述UV雷射加工設備包括控制中心；所述控制中心包括儲存電路圖資料的儲存空間；所述雷射頭與控制中心連接，由控制中心控制雷射頭進行3D移動以對FCCL的銅箔進行刻製乾法刻製COF細密電路。

UV雷射加工設備的控制中心根據輸入或儲存的COF電路圖資料控制雷射頭進行3D移動從而在FCCL基材上直接刻製乾法刻製COF細密電路；UV雷射加工設備的雷射頭在水平方向以及FCCL的銅箔的厚度方向進行移動以刻製電路，直接將FCCL基材的銅箔刻製形成3D電路結構。在具體實施例中，UV雷射加工設備的控制中心可以是設置於UV雷射加工設備內或者與UV雷射加工設備相連接的主控制板或電腦。儲存空間可以是RAM、ROM、閃存、EEPROM、硬盤驅動器、固態驅動器，或任何其它合適的儲存器或儲存介質。

採用本申請的形成COF細密電路的系統100進行刻製電路，包括以下步驟：步驟一，向形成COF細密電路的系統100中提供FCCL基材；以及步驟二，啟動形成COF細密電路的系統100實施乾製程，將FCCL基材的銅箔直接刻製COF細密電路；其中，步驟二更包括：向UV雷射加工設備4的控制中心輸入或者在控制中心儲存有對應COF的電路圖資料；調節UV雷射加工設備的雷射輸出參數為光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s；以及啟動UV雷射加工設備，控制雷射頭依據輸入或儲存的COF的電路圖資料進行3D移動刻製電路。

步驟一中，FCCL基材的銅箔厚度為2~8μm。

在具體例子中，參照第1至3圖，採用本申請的形成COF細密電路的系統100加工COF的方法，主要包括： 步驟一，向形成COF細密電路的系統100提供FCCL基材1；以及步驟二，啟動形成COF細密電路的系統100實施乾製程，在FCCL基材1上直接刻製乾法刻製COF細密電路2；步驟三，貼片，形成COF 3。

結合第2及3圖，步驟一中，FCCL基材1包括絕緣基膜10以及在基膜10正反兩面(如第3圖(a))或一面(如第3圖(b))上覆蓋的銅箔11，銅箔11的厚度可以是但不限於2~8μm。銅箔11在後續步驟中加工乾法刻製COF細密電路。本實施例中，以FCCL基材1卷料作為原始材料，通過滾動輥將FCCL基材1不斷地輸送至雷射加工設備4。當然，FCCL基材1也可以是片材輸送至雷射加工設備4，或者通過滾動輥之外的其他輸料設備。

參照第2圖，步驟二中，通過乾製程即雷射刻製製程，使用雷射加工設備通過雷射光束直接對FCCL基材的銅箔11乾法刻製COF細密電路。刻製實質上是用雷射燒除電路的導電連線之外的區域的銅箔形成導電連線之間的絕緣間隔或者絕緣區，僅保留電路圖中導電連線對應區域的銅箔，因此，通過步驟二的雷射刻製製程後，FCCL基材的銅箔11直接形成COF細密電路2。本步驟中，雷射加工設備是採用UV雷射加工設備4，雷射加工設備4的雷射輸出單元為雷射頭41，輸出高光束質量的雷射束聚焦成極小光斑，在焦點處形成很高的功率密度，接觸的材料瞬間汽化，從而去掉電路的導電連線外的其他區域的銅箔，剩餘銅箔的區域形成高精度超細電路的導電連線。

UV雷射加工設備刻製電路時，其參數調節為：

光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s，雷射設備的功率為1~20W。

光斑移動速度也為雷射刻製速度，雷射設備的功能可選擇使用20W。

步驟二中，根據步驟一的具體FCCL基材1以及待形成的電路，將對應的COF電路圖資料輸入UV雷射加工設備的控制中心的儲存空間中，調節或選擇雷射加工設備的上述參數，啟動輸送步驟一的FCCL基材1，開啟雷射加工設備，雷射加工設備的控制中心根據輸入的COF電路圖資料，相應控制雷射頭進行3D移動加工，在FCCL基材1的銅箔上按電路圖的平面圖進行平面移動，同時在銅箔厚度方向進行上下移動，從而進行3D刻製，以將FCCL的銅箔11去掉導電連線之外多餘的銅箔，形成COF的3D細密電路，與輸入雷射加工設備控制中心的電路圖資料相一致。步驟一的FCCL基材1輸送至雷射加工設備進行刻製後，一站式便直接形成COF電路，方法簡便，設備簡單，通過雷射設備的控制中心按電路圖資料對雷射頭的移動刻製進行精確控制，形成高精度的COF電路。

本實施例中採用FCCL基材卷料進行雷射刻製形成COF電路，請參照第4及5圖，通過本申請UV雷射加工設備4和步驟二刻製FCCL卷料，按輸入雷射加工設備控制中心的COF電路圖資料，其FCCL基材的銅箔11被雷射刻製對應形成電路，卷料上形成COF電路的重複單元，或者形成多種COF電路、或者形成一整塊大型的COF電路。如第4圖所示為雷射刻製後的FCCL卷料的一個COF電路單元，其上形成有複雜而細密的電路圖。第5圖的局部放大圖可見，形成的COF電路包括一族平行的導電連線，導電連線為雷射刻製後保留的銅箔，導電連接之間的絕緣間隔是由雷射刻製去除的銅箔形成。其中，導電連線在後端的寬度為71μm，兩條相鄰導電連線之間的絕緣間隔為63μm；導電連線彎折後向前延伸且密集，導電連線前端的寬度為20μm，兩條相鄰導電連線之間的間隔為18μm。第6圖所示的局部放大圖中，COF電路線包括一族平行的導電連線，導電連線的寬度15.8μm，兩條相鄰導電連線之間的絕緣間隔為10.6μm。從上述實例 中雷射刻製的COF電路相關尺寸的數量級可見，本申請的方法和系統所獲得電路為COF電路細密電路，且導電連線導通，產品良率高。

在其他實施例中，上述系統100刻製的細密電路中，兩條相鄰導電連線之間的絕緣間隔最小可達10μm以下的數個微米級，導電連線的寬度也可低至10μm以下的數個微米級。上述系統100適用於刻製數個微米或以上線寬或線間隔的細密電路。

步驟三中，對步驟二雷射刻製的FCCL直接進行貼片，便可獲得具有電子元器件的完整COF板。

步驟二獲得的COF細密電路，良率高，可直接進行貼片，無需進行質檢，進一步節省人力物力。

乾法刻製COF細密電路的方法，採用前述步驟一和步驟二便可獲得。

再次參照第2圖，本申請實施例的形成COF細密電路的系統100，包括UV紫外加工設備4，用於對輸送至設備4的FCCL基材1進行刻製形成電路；更包括將FCCL基材1輸送至設備4的輸料裝置5，例如，輸料裝置5採用輸料滾動輥作為卷料的輸料裝置。

在其他實施例中，採用片材輸料裝置向刻製電路的系統100具體是向雷射加工設備4的加工平臺40中輸送FCCL片材。

在其他實施例中，本申請上述實施例的系統可用於刻製其他電路板的電路，適用於多種電路板電路的刻製，包括IC載板、COF板等；適用於刻製軟板、硬板、軟硬結合等電路板。採用上述相同的系統及方法，將電路板基 材上的銅箔直接刻製成電路，特別適用於乾法刻製細密電路，細密電路的線寬及間距低至數個微米的級別。

參照第2及3圖，作為一種實施例，採用刻製電路的系統100，包括UV雷射加工設備4，對輸送至設備中的電路板基材1進行雷射刻製，將基材1的銅箔11直接刻製成電路2；UV雷射加工設備4的雷射刻製參數為：光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s，輸出功率為1~20W。刻製電路的系統100包括控制中心，可以是設置於UV雷射加工設備4內，也可以是設置於UV雷射加工設備4外部，用於控制UV雷射加工設備4的雷射頭工作，控制中心可以是控制主板或都電腦，控制中心控制雷射頭進行3D移動，對應將電路板基材的銅箔直接刻製成3D電路。控制中心包括儲存電路圖資料的儲存空間，根據輸入或儲存的電路圖資料控制雷射頭進行3D移動刻製電路。刻製電路的系統100更包括向所述UV雷射加工設備輸送電路板基材的輸料裝置5。輸料裝置5為卷料輸送裝置或片材輸送裝置。卷料輸送裝置可以採用滾動輥，片材輸送裝置可以採用夾具或機械手，也可以是流水線輸送，均可採用習知技術的輸料裝置，將電路板基材1輸送至UV雷射加工設備4的加工臺40，雷射頭41位於上方，進行刻製時，控制雷射頭41輸出雷射的參數為：光斑大小為15~40μm，輸出功率為1~20W；雷射頭41的移動速度即光斑移動速度為1~3m/s，由控制中心控制雷射頭41根據控制中心內輸入的或者儲存的電路圖資料進行3D移動，從而將電路板基材1表面的銅箔11燒蝕形成與電路圖資料一致的導電連線圖，銅箔上被燒蝕(即高溫汽化掉)的區域形成電路的導電連線之間的絕緣間隔或絕緣區域，未被雷射燒蝕的區域對應形成電路的導電連線，這種直接由雷射刻製成電路的製程為一種乾法製程。

用本申請的刻製電路的系統100刻製電路的方法，包括以下步驟： 步驟一，向刻製電路的系統100提供待刻製電路的電路板基材1；以及步驟二，啟動所述刻製電路的系統100對電路板基材1進行雷射刻製，將基材的銅箔11直接刻製形成電路。

其中，步驟二包括：向UV雷射加工設備4的控制中心輸入對應的電路圖資料，或者在控制中心儲存有對應的電路圖資料；調節UV雷射加工設備4的參數為光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s；啟動UV雷射加工設備4，依據輸入或儲存的電路圖資料控制雷射頭41進行3D移動，將基材的銅箔直接刻製成3D電路。所述控制中心控制控制雷射頭進行3D移動對應將基材的銅箔形成與電路圖資料一致的導電連線以及導電連線之間的絕緣間隔；所述細密電路導電連線的線寬或線間距為數個微米級或以上，即，電路導電連線的線寬或線間距為10μm以上或以下。

較佳地，電路板基材1的銅箔11的厚度為2~8μm。電路板基材可根據不同類型的電路板選擇基材不同，基材表面的正反兩面或一面上覆蓋有所述銅箔11，銅箔對應刻製形成電路。電路板的基材為習知技術中的各種表面帶有銅箔的基材。

用本申請的刻製電路的系統100加工電路板的方法，包括上述刻製電路的方法的步驟一和步驟二，更包括步驟三：貼片，形成帶有電子元器件的電路板。

本申請採用UV雷射加工設備4，設定特定的輸出雷射參數，在雷射加工設備4的控制系統中輸入或儲存電路板圖紙資料，控制雷射頭進行3D移動在FCCL上直接刻製成形電路，本申請的方法以及所採用的系統設備簡單、成本低、產品良率高，無環境污染，為一種乾法製程，可直接刻製細密電路。

在本申請的描述中，需要理解的是，術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“竪直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於圖式所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。

儘管已經示出和描述了本申請的實施例，對於本領域的具通常知識者而言，可以理解在不脫離本申請的原理和精神的情况下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，均應屬於本申請的範圍；本申請的保護範圍由所附申請專利範圍及其等同範圍限定。

1:基材

100:系統

2:電路

4:設備

40:加工臺

41:雷射頭

5:輸料裝置

Claims (10)

1. 一種形成COF細密電路的系統，該系統包括UV雷射加工設備及向該UV雷射加工設備的雷射頭下方輸送FCCL基材的輸料裝置，該UV雷射加工設備包括控制中心，該控制中心包括儲存電路圖資料的儲存空間，並該控制中心與該雷射頭連接，該UV雷射加工設備的雷射頭輸出的雷射參數為：光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s；該UV雷射加工設備對輸送至設備中的FCCL基材進行雷射刻製，將FCCL基材的銅箔直接刻製成細密電路。
2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中雷射設備的輸出功率為1~20W；該控制中心控制該雷射頭進行3D移動，以將FCCL基材的銅箔直接刻製形成3D的COF細密電路。
3. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中該控制中心根據輸入或儲存的COF電路圖資料控制雷射頭進行3D移動地刻製電路；該控制中心為主控制板或電腦。
4. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中該UV雷射加工設備包括加工臺，雷射頭位於加工臺頂部，FCCL基材輸送至加工臺位於雷射頭下方。
5. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中輸送至設備中的FCCL基材包括絕緣基膜以及在基膜正反兩面或一面上覆蓋的該銅箔；FCCL基材的銅箔厚度為2~8μm；細密電路的導電連線的線寬或線間距為10微米以上或以下。
6. 一種刻製電路的系統，該系統包括UV雷射加工設備，對輸送至設備中的電路板基材進行雷射刻製，將基材的銅箔直接刻 製成電路；UV雷射加工設備的雷射刻製參數為：光斑大小為15~40μm，光斑移動速度為1~3m/s。
7. 如申請專利範圍第6項所述之系統，其中雷射設備的輸出功率為1~20W；該系統更包括控制中心；UV雷射加工設備的雷射頭與控制中心連接，控制中心控制雷射頭進行3D移動，對應將基材的銅箔直接刻製成3D電路。
8. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中該控制中心包括儲存電路圖資料的儲存空間；該控制中心根據輸入或儲存的電路圖資料控制雷射頭進行3D移動刻製電路；該控制中心為設置於UV雷射加工設備內或者與UV雷射加工設備相連接的主控制板或電腦。
9. 如申請專利範圍第8項所述之系統，其中該控制中心控制控制雷射頭進行3D移動對應將基材的銅箔形成與電路圖資料一致的導電連線以及導電連線之間的絕緣間隔或絕緣區域；該UV雷射加工設備刻製的電路為細密電路，細密電路導電連線的線寬或線間距為10微米以上或以下。
10. 如申請專利範圍第6項所述之系統，其中該系統更包括向該UV雷射加工設備輸送電路板基材的輸料裝置；該輸料裝置為卷料輸送裝置或片材輸送裝置；該UV雷射加工設備包括加工臺，雷射頭位於加工臺上方，電路板基材輸送至加工臺位於雷射頭下方。

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