KR20210001789A - 비카드뮴 양자점 및 이를 포함한 복합체와 표시소자 - Google Patents

비카드뮴 양자점 및 이를 포함한 복합체와 표시소자 Download PDF

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KR20210001789A
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Abstract

인듐(In), 아연(Zn), 및 인(P)을 포함하는 제1 반도체 나노결정, 상기 제1 반도체 나노결정 상에 배치되고 갈륨(Ga) 및 인(P)을 포함하는 제2 반도체 나노결정을 포함하는 다성분 코어를 포함하고 카드뮴을 포함하지 않는 양자점으로서, 상기 양자점은, 녹색광을 방출하며, 상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비(P/In) 가 0.6 이상 및 0.9 미만이고, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비(P/(In+Ga))가 0.5 이상 및 0.8 이하인 양자점, 이를 포함하는 양자점 폴리머 복합체 패턴 및 표시 소자에 대한 것이다.

Description

비카드뮴 양자점 및 이를 포함한 복합체와 표시소자 {CADMIUM FREE QUANTUM DOTS, AND COMPOSITE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
비카드뮴 양자점 및 이를 포함한 복합체와 표시소자에 관한 것이다.
양자점(quantum dot) (즉, 나노크기의 반도체 나노 결정)은, 벌크 재료와 달리 나노 결정의 크기 및 조성을 조절함에 의해 상이한 에너지 밴드갭을 가질 수 있다. 양자점은, 전계 발광 및 광발광 물성을 나타낼 수 있다. 화학적 습식법에서는, 결정 성장 시 분산제 등의 유기 물질이 반도체 나노결정 표면에 배위하여 제어된 크기를 가지고 발광특성을 나타낼 수 있는 양자점을 제공할 수 있다. 양자점의 발광 물성은 다양한 분야에서 응용될 수 있다. 환경적 관점에서 향상된 발광물성을 구현할 수 있고 카드뮴 또는 납 등의 유해 중금속이 없는 양자점의 개발이 바람직하다.
일 구현예는 향상된 발광물성 (예컨대, 여기광 흡수율)을 나타낼 수 있는 양자점에 대한 것이다.
다른 구현예는 상기 양자점(들)을 포함하는 조성물에 대한 것이다.
다른 구현예는, 상기 양자점(들)을 포함하는 양자점-폴리머 복합체에 대한 것이다.
또 다른 구현예는, 상기 양자점-폴리머 복합체를 포함하는 적층 구조물과 표시소자에 대한 것이다.
일 구현예에서, 양자점은 인듐(In), 아연(Zn), 및 인(P)을 포함하는 제1 반도체 나노결정(first semiconductor nanocrystal), 상기 제1 반도체 나노결정 상에 배치되고 갈륨(Ga) 및 인(P)을 포함하는 제2 반도체 나노결정(second semiconductor nanocrystal)을 포함하는 다성분 코어(multi-component core)를 포함하고 카드뮴을 포함하지 않고, 상기 양자점은, 녹색광을 방출하며,
상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비(P/In) 가 0.6 이상 및 0.9 미만이고, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비(P/(In+Ga))가 0.5 이상 및 0.8 이하이다.
상기 양자점은 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하일 때에 그램(g) 당 450 nm 에서의 광학밀도(optical density)가 1100 이상, 예컨대, 1200 이상, 1300 이상, 1400 이상, 1450 이상, 1500 이상, 1550 이상, 1600 이상, 1650 이상, 1700 이상, 1750 이상, 1800 이상, 또는 1850 이상일 수 있다.
상기 녹색광의 최대 발광 피크는, 500 nm 이상, 예컨대, 510 nm 이상, 520 nm 이상, 또는 525 nm 이상의 파장 범위에 있을 수 있다.
상기 녹색광의 최대 발광 피크는 560 nm 이하, 예컨대, 550 nm 이하, 545 nm 이하, 540 nm 이하, 또는 535 nm 이하의 파장 범위에 존재할 수 있다.
상기 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 350 nm 에서의 강도에 대한 450 nm 의 강도의 비 (450/350)가 0.5 이상일 수 있다. 일구현예에서, 상기 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 350 nm 에서의 강도에 대한 450 nm 의 강도의 비가 0.08 이상일 수 있다. 상기 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 350 nm 에서의 강도에 대한 450 nm 의 강도의 비가 0.09 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비가 0.72 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비가 0.89 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비가 0.86 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비가 0.6 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비가 0.79 이하일 수 있다.
상기 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 상기 양자점은, 인듐, 아연, 및 갈륨에 대한 인 (P/(Zn+In+Ga))의 몰 비가 0.2 이상 및 0.77 미만일 수 있다.
상기 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 상기 양자점은, 인듐에 대한 아연 및 갈륨 ((Zn+Ga)/In)의 몰 비가 0.75 미만일 수 있다.
상기 다성분 코어의 직경은, 2.3 nm 이상일 수 있다.
상기 다성분 코어의 직경은, 3.0 nm 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 상기 다성분 코어 상에 배치되고, 아연, 그리고, 황과 셀레늄 중 적어도 하나 (또는 아연, 황, 및 셀레늄)를 포함하는 반도체 나노결정 쉘을 가질 수 있다.
상기 양자점은, 상기 다성분 코어 상에 배치되고, 아연 및 셀레늄을 포함하는 제1 반도체 나노결정 쉘(first semiconductor nanocrystal shell), 및 상기 제1 쉘 상에 배치되고 아연 및 황을 포함하는 제2 반도체 나노결정 쉘(second semiconductor nanocrystal shell)을 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체 나노결정 쉘은 상기 반도체 나노결정 코어 바로 위에 배치될 수 있다.
상기 제1 반도체 나노결정 쉘은 황(S)을 포함하지 않을 수 있다.
상기 제2 반도체 나노결정 쉘은 상기 제1 반도체 나노결정 쉘 바로 위에 배치될 수 있다.
상기 제2 반도체 나노결정 쉘은 상기 양자점의 최외곽층일 수 있다.
상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 3 모노레이어 이상일 수 있다.
상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 0.9 nm 이상일 수 있다.
상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 2.5 nm 이하일 수 있다.
상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 1.5 nm 이하일 수 있다.
상기 제2 반도체 나노결정 쉘의 두께는 0.7 nm 미만일 수 있다.
상기 제2 반도체 나노결정 쉘의 두께는 0.6 nm 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐 및 갈륨의 합에 대한 아연의 몰 비율이 8 이상, 9 이상, 10 이상, 12 이상, 15 이상, 또는 20 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐 및 갈륨의 합에 대한 아연의 몰 비율이 45 이하, 42 이하, 40 이하, 또는 35 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐 및 갈륨의 합에 대한 아연의 몰 비율이 10 이상 및 45 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 상기 셀레늄에 대한 상기 황의 몰비율이 2.5 이하, 예를 들어, 2 이하, 1.4 이하, 1.2 이하, 1 이하, 0.9 이하, 0.8 이하, 0.7 이하, 0.6 이하, 또는 0.5 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 셀레늄에 대한 황의 몰비율이 0.1 이상, 0.3 이상, 0.5 이상, 0.7 이상, 0.9 이상, 1 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 셀레늄과 황의 합에 대한 인듐 및 갈륨의 합의 몰 비율이 0.01 이상, 0.02 이상, 0.03 이상, 0.04 이상, 0.05 이상, 0.07 이상, 0.09 이상, 0.1 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 셀레늄과 황의 합에 대한 인듐 및 갈륨의 합의 몰 비율이 0.2 이하, 0.15 이하, 0.1 이하, 또는 0.06 이하일 수 있다.
상기 양자점은, 양자 효율이 65% 이상, 또는 70% 이상일 수 있다.
상기 양자점은 반치폭이 100 nm 이하일 수 있다.
상기 양자점은 반치폭이 50 nm 이하일 수 있다.
상기 양자점은 반치폭이 45 nm 이하일 수 있다.
상기 양자점의 크기 (평균 크기)는, 5 nm 이상, 5.5 nm 이상, 6 nm 이상, 또는 6.5 nm 이상일 수 있다.
상기 양자점의 크기 (평균 크기)는, 10 nm 이하, 9 nm 이하, 8 nm 이하, 또는 7 nm 이하일 수 있다.
다른 구현예에서, 상기 양자점을 제조하는 방법은, 상기 다성분 코어를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다성분 코어를 형성하는 것은,
유기 용매 중에서 유기 리간드의 존재 하에 인듐 전구체와 인 전구체를 제1 반응 온도에서 반응시켜 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자를 형성하는 단계;
상기 제1 반응 온도 또는 그 이하의 온도에서, 아연 전구체를 주입하여 상기 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자 표면에 아연 함유 코팅을 형성하는 단계;
상기 아연 함유 코팅이 형성된 입자를 포함하는 반응계의 온도를 제2 반응 온도까지 가열하면서 갈륨 전구체 및 인 전구체를 주입하여 제2 반도체 나노결정을 상기 제1 반도체 나노결정 상에 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제2 반응온도는, 상기 제1 반응온도 보다 높다.
상기 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자는 0.9 nm 이상 및 2.1 nm 이하일 수 있다.
상기 다성분 코어의 형성은 생성된 입자의 분리 없이 one - pot 합성으로 진행할 수 있다.
상기 제1 반응 온도는 150도씨 이하일 수 있다.
상기 제2 반응 온도는 280도씨 이하일 수 있다.
다른 구현예에 따른 조성물은, (예컨대, 복수개의) 전술한 양자점(들); 분산제; 및 (유기)용매를 포함할 수 있다. 상기 분산제는 카르복시산기 함유 바인더 고분자를 포함할 수 있다. 상기 조성물은 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 광모노머, 그리고 선택에 따라 (열 또는 광) 개시제를 더 포함할 수 있다.
다른 구현예에서, 폴리머 매트릭스 및 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산되어 있는 (예컨대, 복수개의) 전술한 양자점(들)을 포함한다.
상기 폴리머 매트릭스는, 선형 폴리머, 가교된 폴리머, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 폴리머 매트릭스는, 카르복시산기 함유 바인더 고분자를 포함하고,
상기 카르복시산기 함유 바인더 고분자는,
카르복시산기 및 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 제1 모노머, 탄소-탄소 이중결합 및 소수성 잔기를 가지며 카르복시산기를 포함하지 않는 제2 모노머, 및 선택에 따라 탄소-탄소 이중결합을 가지고 친수성 잔기를 가지며 카르복시산기를 포함하지 않는 제3 모노머를 포함하는 모노머 조합의 공중합체;
주쇄 내에 2개의 방향족 고리가 다른 고리형 잔기의 구성 원자인 4급 탄소원자와 결합한 골격 구조를 가지고, 카르복시산기(-COOH)를 포함하는 다중 방향족 고리 함유 폴리머; 또는
이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 폴리머 매트릭스는, 말단에 적어도 1개의 티올기를 가지는 티올 화합물과 탄소-탄소 불포화 결합을 가지는 ene 화합물을 포함하는 모노머 조합의 중합 생성물, 금속 산화물 미립자, 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.
상기 양자점 폴리머 복합체는 패턴화된 필름의 형태를 가질 수 있다.
상기 양자점 폴리머 복합체는, 두께 6 um 의 필름의 형태를 가지고, 상기 양자점의 함량이 복합체의 총 중량을 기준으로 45% 이하일 때에, 파장 450 nm 의 청색광에 대한 흡수율이 89% 이상일 수 있다.
다른 구현예에서, 표시 소자는, 광원 및 광발광 요소를 포함하고, 상기 광발광 요소는, 전술한 양자점-폴리머 복합체를 포함하고, 상기 광원은, 상기 광발광 요소에 입사광을 제공하도록 구성된다.
상기 입사광은 440 nm 내지 460 nm 의 범위에 있는 광발광 피크 파장을 가질 수 있다.
상기 광발광 요소는 상기 양자점 폴리머 복합체의 시트 (sheet)를 포함할 수 있다.
상기 광발광 요소는, 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 광발광층을 포함하는 적층 구조물이고,
상기 광발광층은 상기 양자점 폴리머 복합체의 패턴을 포함할 수 있다.
상기 패턴은, 미리 정해진 파장의 광을 방출하는 하나 이상의 반복 구획(section)을 포함할 수 있다.
상기 패턴은 제1광을 방출하는 제1 반복 구획을 포함할 수 있다.
상기 패턴은 상기 제1광과 다른 중심 파장을 가지는 제2광을 방출하는 제2 반복 구획을 더 포함할 수 있다.
일구현예에 따른 양자점은 향상된 발광 물성 (예컨대, 향상된 청색광 흡수율 및 발광 효율)을 나타낼 수 있다. 상기 양자점은, 다양한 표시소자 및 (예컨대, 바이오 센서 또는 바이오 이미징등과 같은) 생물학적 레이블링, 포토디텍터, 태양 전지, 하이브리드 콤포짓 등에 활용될 수 있다. 일구현예의 양자점이 나타낼 수 있는 향상된 청색광 흡수율은 양자점 기반의 자발광 컬러필터에서 잠재적 유용성을 가질 수 있다. 이러한 자발광 컬러필터는, 다양한 청색광원, 예컨대, 청색광 OLED 청색광 방출 micro LED, blue 광원을 포함한 액정 표시 소자 등에서 활용될 수 있으며, TV, 모니터, 모바일 기기, VR/AR, 차량용 전장 디스플레이 등에 적용이 가능하다.
도 1은 일구현예에 따른 양자점의 단면의 모식도이다.
도 2는 일구현예의 소자의 분해도를 나타낸 것이다
도 3a는 일구현예의 소자의 단면을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 3b는 일구현예의 소자의 단면을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 4은 일구현예의 표시소자 단면을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 5는, 일구현예의 조성물을 이용한 패턴 형성 공정을 모식적으로 나타낸 것이다.
이후 설명하는 기술의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 구현예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 구현되는 형태는 이하에서 개시되는 구현예들에 한정되는 것이 아니라 할 수 있다. 다른 정의가 없다면 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
또한, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
이하에서 별도의 정의가 없는 한, "치환" 이란, 화합물 중의 수소가 C1 내지 C30의 알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기, C2 내지 C30의 알키닐기, C6 내지 C30의 아릴기, C7 내지 C30의 알킬아릴기, C1 내지 C30의 알콕시기, C1 내지 C30의 헤테로알킬기, C3 내지 C30의 헤테로알킬아릴기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C30의 사이클로알키닐기, C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 할로겐(-F, -Cl, -Br 또는 -I), 히드록시기(-OH), 니트로기(-NO2), 시아노기(-CN), 아미노기(-NRR' 여기서 R과 R'은 서로 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C6 알킬기임), 아지도기(-N3), 아미디노기(-C(=NH)NH2), 히드라지노기(-NHNH2), 히드라조노기(=N(NH2)), 알데히드기(-C(=O)H), 카르바모일기(carbamoyl group, -C(O)NH2), 티올기(-SH), 에스테르기(-C(=O)OR, 여기서 R은 C1 내지 C6 알킬기 또는 C6 내지 C12 아릴기임), 카르복실기(-COOH) 또는 그것의 염(-C(=O)OM, 여기서 M은 유기 또는 무기 양이온임), 술폰산기(-SO3H) 또는 그것의 염(-SO3M, 여기서 M은 유기 또는 무기 양이온임), 인산기(-PO3H2) 또는 그것의 염(-PO3MH 또는 -PO3M2, 여기서 M은 유기 또는 무기 양이온임) 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
여기서, "1가의 유기 작용기" 라 함은, C1 내지 C30의 알킬기, C2 내지 C30의 알케닐기, C2 내지 C30의 알키닐기, C6 내지 C30의 아릴기, C7 내지 C30의 알킬아릴기, C1 내지 C30의 알콕시기, C1 내지 C30의 헤테로알킬기, C3 내지 C30의 헤테로알킬아릴기, C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C30의 사이클로알키닐기, 또는 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기를 의미한다.
또한 이하에서 별도의 정의가 없는 한, "헤테로" 란, N, O, S, Si 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함한 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬렌기"는 하나 이상의 치환체를 선택적으로 포함하는 2 이상의 가수(valence)를 가지는 직쇄 또는 분지쇄의 포화 지방족 탄화수소기이다. 본 명세서에서 "아릴렌기"는 하나 이상의 치환체를 선택적으로 포함하고, 하나 이상의 방향족 링에서 적어도 2개의 수소의 제거에 의해서 형성된 2 이상의 가수를 가지는 작용기를 의미한다.
또한 "지방족 유기기"는 C1 내지 C30의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기를 의미하며, "방향족 유기기"는 C6 내지 C30의 아릴기 또는 C2 내지 C30의 헤테로아릴기를 의미하며, "지환족 유기기"는 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, C3 내지 C30의 사이클로알케닐기 및 C3 내지 C30의 사이클로알키닐기를 의미한다.
본 명세서에서, "(메타)아크릴레이트"라 함은, 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 포함하여 지칭하는 것이다.
여기서, 광흡수율이라 함은, 입사광(여기광, 예컨대 청색광)의 광량에 대한 양자점 복합체에 흡수된 광량의 비율이다. 여기광의 PL 스펙트럼의 적분에 의해 여기광의 총 광량 (B)을 구하고 양자점 복합체 필름을 통과한 여기광의 광량(B')를 구한 다음, 하기 식에 의해 광흡수율을 구한다:
(B-B')/B x 100 = 광흡수율 (%)
여기서, 광학 밀도라 함은, 흡수율(absorbance) 와 관련된 값을 말하며, UV-Vis 분광분석으로부터 측정될 수 있다
본 명세서에서, "족(Group) "은 원소 주기율표의 족을 말한다.
여기서, "II족" 은 IIA족 및 IIB 족을 포함할 수 있으며, II족 금속의 예는 Cd, Zn, Hg 및 Mg을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
"III 족"은 IIIA족 및 IIIB 족을 포함할 수 있으며, III족 금속의 예들은 Al, In, Ga, 및 Tl을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
"IV 족"은 IVA족 및 IVB 족을 포함할 수 있으며, IV 족 금속의 예들은 Si, Ge, Sn을 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 본 명세서에서, "금속"이라는 용어는 Si 와 같은 준금속도 포함한다.
"I족"은 IA족 및 IB 족을 포함할 수 있으며, Li, Na, K, Rb, Cs을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
"V족"은 VA 족을 포함하며 질소, 인, 비소, 안티몬, 및 비스무스를 포함하나 이에 제한되지 않는다.
"VI족"은 VIA 족을 포함하며 황, 셀레늄, 텔루리움을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
여기서 "제1 흡수 피크 파장"은 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 가장 낮은 에너지 영역에서 나타나는 첫번째 주 피크를 말한다.
본 명세서에서, 어떤 치수 (예컨대, 직경, 반경, 두께, 크기, 등)에 대한 기재된 값은 단일 존재에 대한 값이거나 혹은 복수개들의 평균값일 수 있고, 이는 적절한 분석 수단 (예컨대, TEM 분석 또는 분광분석 등) 으로부터 얻어질 수 있다.
양자점는 나노규모의 크기를 가지는 결정성 반도체 재료(나노입자)이다. 양자점은, 단위 부피당 표면적이 넓고, 양자 구속효과를 나타내며, 동일 조성의 벌크 물질의 특성과 다른 물성을 나타낼 수 있다. 양자점은 여기원(excitation source)으로부터 광을 흡수하여 에너지 여기 상태로 될 수 있고, 그의 에너지 밴드갭에 상응하는 에너지를 방출할 수 있다. 양자점은, 각종 소자 (예컨대, 전자 소자)에서 발광재료로서 응용될 수 있는 잠재성을 가진다.
현재 소자에서 응용 가능한 정도의 광학적 물성을 가지는 양자점의 대부분은 카드뮴 기반의 양자점이다. 그러나, 카드뮴은 심각한 환경/건강상 문제를 제기하며 규제 대상 원소 중 하나이다. 카드뮴이 없는 (cadmium-free) 양자점으로서 III-V족 기반의 나노결정이 있다. 그러나, 양자점은, 카드뮴 기반의 양자점에 비하여 안정성 (예컨대, 화학 안정성 및 열 안정성)이 좋지 않아서, 전자 소자로의 응용을 위한 각종 공정을 거칠 경우, 양자점은 현저히 열화된 발광 물성을 나타낼 수 있다. 한편, 양자점은 여기광으로서 (예컨대, 파장 450 nm의) 청색광을 종종 사용하는데, 카드뮴계 또는 납 기잔의 양자점의 경우, 이러한 청색광에서의 흡수 강도가 높다.
비카드뮴계 양자점에서 코어쉘 구조를 도입하여 발광 물성과 안정성을 확보하려는 시도가 있다. 예를 들어, 무카드뮴 (e.g. InP) core 를 증가된 두께의 ZnSe/ZnS shell 로 passivation 시켜 양자점 패턴 제작에 활용하려는 시도가 있다. 그러나, 요구되는 수준의 안정성과 발광 물성을 위해서는 증가된 두께의 shell 이 필요한 반면, 쉘 두께 증가는 양자점 개당 무게가 크게 증가시킬 수 있는데, 이는 주어진 무게 당 양자점 개수 감소를 초래하고, 이에 따라 복합체의 여기광 흡수율도 감소하는 문제를 가져온다. 소자에서의 응용을 위해, 양자점은 (예컨대, 폴리머 및/또는 무기물을 포함하는) 호스트 매트릭스에 분산되어 복합체를 형성할 수 있다. 양자점 폴리머 복합체 또는 이를 포함하는 컬러필터는, 높은 휘도, 넓은 시야각 및 높은 색재현성을 가지는 디스플레이를 구현할 수 있을 것으로 기대된다. 그러나, 응용을 위해 복합체 내에 포함될 수 있는 양자점의 중량은 여러가지 공정상의 이유 등으로 인해 제한될 수 있다. 따라서, 주어진 무게 당 양자점 개수 밀도의 감소는, 예컨대, 여기광 흡수율 측면에서, 바람직하지 않다.
컬러필터 등 패턴화된 단막으로의 응용 시 여기광 흡수율 감소는 표시 소자에서의 blue leakage 의 직접적 원인이 될 수 있고, 색재현율 (예컨대, DCI 일치율)에도 부정적 영향을 주며, 발광 효율의 감소 원인이 될 수 있다. 감소된 여기광 흡수율에 대한 대책으로서, 양자점 기반의 컬러필터와 기판 사이에 염료 (예컨대 황색 염료)기반의 청색광 흡수층을 배치할 수 있다. 그러나, 이러한 청색광 흡수층의 배치는 청색광 이용효율의 감소를 초래할 수 있다. 또한, 청색광 흡수층의 배치에도 불구하고, 녹색광 화소에서 500 nm 미만의 광이 방출될 수 있어 소망하는 색순도의 달성이 쉽지 않다. 따라서, 소망하는 수준의 발광 효율과 함께 향상된 여기광 흡수율을 나타내는 양자점의 개발이 필요하다.
본 발명자들의 연구에 따르면, InP 코어와 ZnSe 쉘을 가지는 녹색발광 양자점에서 450 nm 부근의 청색광 흡수는 공간적으로 core와 제1쉘 모두에 의해 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 본 발명자들의 연구에 따르면, 450 nm 부근의 청색광 흡수정도는 코어의 부피와 소정의 두께를 가지는 제1쉘에 영향을 받을 수 있다. 그러나, 코어의 크기는 발광 파장에 직접적인 영향을 주기 때문에 green 광의 방출을 위해서는 코어의 크기는 소정의 값으로 고정되어야 할 수 있다. 특히, 본 발명자들의 연구에 따르면, ZnSe 기반의 제1쉘은 450 nm 부근의 파장의 광의 흡수에 기여를 할 수는 있으나, 두께가 두꺼워 질수록 지수 함수적으로 흡수에 대한 기여가 감소하여 소정의 (예컨대, 대략 3 ML) 이상의 두께에서는 흡수에 대한 기여가 사실상 없고, 오히려 흡수율의 감소를 초래할 수 있다. 반면, ZnSe 쉘의 두께가 낮을 경우, InP 코어 기반의 양자점은 낮아진 발광 효율을 나타낼 수 있어, 증가된 흡수율에도 불구하고 양자점 폴리머 복합체의 최종 광전환 효율은 오히려 낮아질 수 있다.
정리하면, InP 기반의 코어와 ZnSe 기반의 제1쉘을 포함하는 양자점은 소망하는 발광 효율과 소망하는 흡수율을 동시에 달성하는 것이 쉽지 않다. 인듐포스파이드 기반의 양자점은, 다른 조성 (예컨대, 카드뮴 화합물 또는 납 화합물 기반의) 양자점들에 비해 450 nm 부근의 파장의 광에 대하여 낮은 흡수율을 나타내므로 이에 대한 개선이 필요하다.
일구현예에 따른 양자점은, 후술하는 구조/조성을 가짐에 의해, 카드뮴에 기초하지 않으면서도 향상된 광학 물성(예컨대, 그램 당 파장 450 nm 에서의 광학밀도 증가)을 나타낼 수 있으며, 이를 포함하는 복합체는 소망하는 파장 (예컨대 녹색)광을 방출하면서 향상된 청색광 흡수율을 나타낼 수 있을 것으로 생각된다.
일구현예에 따른 양자점은, 카드뮴을 포함하지 않는다. 상기 양자점은, 인듐(In), 아연(Zn), 및 인(P)을 포함하는 제1 반도체 나노결정(first semiconductor nanocrystal), 상기 제1 반도체 나노결정 상에 배치되고 갈륨(Ga) 및 인(P)을 포함하는 제2 반도체 나노결정(second semiconductor nanocrystal)을 포함하는 다성분 코어(multi-component core)를 포함한다.
일구현예의 양자점은, 녹색광을 방출할 수 있다. 상기 녹색광의 최대 발광 피크는 500 nm이상, 예컨대, 510 nm 이상, 515 nm 이상, 520 nm 이상, 525 nm 이상, 530 nm 이상, 535 nm 이상, 540 nm 이상 및 560 nm 이하, 예컨대, 550 nm 이하, 545 nm 이하, 또는 540 nm 이하일 수 있다.
상기 양자점 (또는 다성분 코어)에서, 인듐에 대한 인의 몰 비(P/In) 는, 0.6 이상, 및 0.9 미만이고, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비(P/(In+Ga))가 0.5 이상 및 0.8 이하이다. 상기 양자점에서, 인듐과 갈륨의 합에 대한 갈륨의 몰비 (Ga/(In+Ga))는 0 초과, 예컨대, 0.01 이상, 0.02 이상, 0.03 이상, 0.05 이상, 0.1 이상, 0.15 이상, 0.2 이상, 0.25 이상, 0.3 이상, 0.35 이상, 0.4 이상, 0.45 이상, 또는 0.5 이상일 수 있다. 인듐과 갈륨의 합에 대한 갈륨의 몰비 (Ga/(In+Ga))는 1 미만, 0.9 이하, 0.8 이하, 0.7 이하, 0.6 이하, 0.5 이하, 0.4 이하, 0.3 이하, 0.2 이하, 또는 0.1 이하일 수 있다.
일구현예에서, 상기 다성분 코어의 크기는 2.3 nm 이상, 2.4 nm 이상, 2.5 nm 이상, 또는 2.52 nm 이상일 수 있다. 상기 코어의 크기는 5 nm 이하, 4.9 nm 이하, 4.8 nm 이하, 4.7 nm 이하, 4.6 nm 이하, 4.5 nm 이하, 4.4 nm 이하, 4.3 nm 이하, 또는 4.2 nm 이하일 수 있다. 본 명세서에서 크기라 함은 단일 양자점의 크기 또는 복수개의 양자점들에 대한 평균 크기를 지칭할 수 있다.
상기 양자점에서, 인듐에 대한 인의 몰 비(P/In) 는 약 0.6 이상, 예컨대, 0.66 이상, 0.67 이상, 0.68 이상, 0.69 이상, 0.70 이상, 0.71 이상, 0.72 이상, 0.73 이상, 0.74 이상, 0.75 이상일 수 있다. 인듐에 대한 인의 몰 비(P/In) 는 약 1 이하, 1 미만, 약 0.9 미만, 0.89 이하, 0.88 이하, 0.87 이하, 0.86 이하, 0.85 이하, 0.84 이하, 0.83 이하, 0.82 이하, 또는 0.81 이하일 수 있다.
상기 양자점에서, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비(P/(In+Ga))는 약 0.5 이상, 예컨대, 0.51 이상, 0.52 이상, 0.53 이상, 0.54 이상, 0.55 이상, 0.56 이상, 0.57 이상, 0.58 이상, 0.59 이상, 0.60 이상, 0.61 이상, 0.62 이상, 0.63 이상, 0.64 이상, 0.65 이상, 0.66 이상, 0.67 이상, 또는 0.68 이상일 수 있다. 상기 양자점에서, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비(P/(In+Ga))는 약 0.8 이하, 예컨대, 0.79 이하, 0.78 이하, 0.77 이하, 0.76 이하, 0.75 이하, 0.74 이하, 0.73 이하, 또는 0.72 이하일 수 있다.
상기 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 인듐, 아연, 및 갈륨에 대한 인 (P/(Zn+In+Ga))의 몰 비가 0.2 이상, 예를 들어, 0.25 이상, 0.3 이상, 0.35 이상, 0.4 이상, 0.45 이상, 또는 0.5 이상일 수 있다. 상기 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 인듐, 아연, 및 갈륨에 대한 인 (P/(Zn+In+Ga))의 몰 비가 0.77 미만, 0.76 이하, 0.75 이하, 0.74 이하, 0.73 이하, 0.71 이하, 0.70 이하, 0.69 이하, 0.68 이하, 0.67 이하, 0.66 이하, 0.65 이하, 0.64 이하, 0.63 이하, 0.62 이하, 0.61 이하, 0.6 이하, 또는 0.59 이하일 수 있다.
상기 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 상기 양자점은, 인듐에 대한 아연 및 갈륨 ((Zn+Ga)/In)의 몰 비가 0.75 미만, 예를 들어, 0.74 이하, 0.73 이하, 0.72 이하, 0.71 이하, 0.70 이하, 0.69 이하, 0.68 이하, 0.67 이하, 0.66 이하, 0.65 이하, 0.64 이하, 0.63 이하, 0.62 이하, 0.61 이하, 0.60 이하, 0.59 이하, 0.58 이하, 0.57 이하, 0.56 이하, 0.55 이하, 0.54 이하, 0.53 이하, 0.52 이하, 0.51 이하, 또느 0.5 이하일 수 있다. 상기 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 상기 양자점은, 인듐에 대한 아연 및 갈륨 ((Zn+Ga)/In)의 몰 비가 0.30 이상, 0.34 이상, 0.37 이상, 또는 0.4 이상일 수 있다.
특정 이론에 의해 구속되려 함은 아니지만, 일구현예에 따른 양자점은, 후술하는 방법에 따라 제조되며, 종래 기술에는 알려져 있지 않은 구조를 가질 것으로 생각되고, 이러한 구조는 전술한 조성비들의 조합에 의해 대표될 수 있다. 이에 따라, 일구현예의 양자점은, 최소화된 무게 증가와 함께 향상된 흡수율 (예컨대, 후술하는 바의 청색광에서의 광학밀도)을 나타낼 수 있으며, 이를 포함한 양자점 폴리머 복합체(또는 그 패턴)는 소망하는 청색광 흡수율을 나타낼 수 있다.
인듐 (및 선택에 따라 아연)과 인을 포함하는 코어 상에 갈륨과 인을 가지는 쉘을 형성하는 시도가 있어 왔다. 이러한 시도에서는, 인듐 전구체와 인 전구체를 선택에 따라 아연 전구체의 존재하에 반응시켜 인듐 (아연) 포스파이드 반도체 나노결정 입자를 먼저 형성하고, 여기에 갈륨 전구체와 인 전구체를 주입하여 GaP 층을 형성한다. 본 발명자들이 연구한 바에 따르면, 이러한 방법에 의해서는 인듐에 대한 인의 비율 및 인듐과 갈륨의 합에 대한 인의 비율을 위에서 규정된 바와 같이 조절할 수 없으며, 이 경우, 제조된 입자가 소망하는 파장 (예컨대, 녹색파장)의 광을 방출하면서 필요로 하는 수준의 청색광 흡수율을 나타내지 못한다. 일구현예에 따른 다성분 코어는, 후술하는 방법에 의해 제조됨에 따라, 전술한 시도에 의해 제조된 양자점과는 다른 구조를 가지며, 이에 따라 위에서 규정된 바의 조성을 가질 수 있고 향상된 광학 물성을 나타낼 수 있다. 특정 이론에 의해 구속되려 함은 아니지만, 일구현예의 양자점이 가지는 구조 및 이를 반영하는 조성은, 제한된 쉘 두께를 가지는 양자점에서 발광에 관여하는 코어의 실질적이 부피를 증가시켜 (개별) 양자점의 몰 흡수 계수를 증가시킬 수 있다. 한편, 정해진 중량에 포함되는 양자점의 개수 밀도의 저하를 초래할 수 있으나, 본 발명자들이 확인한 바에 따르면, 이러한 부피 증가에도 불구하고, 일구현예의 양자점들을 포함하는 집단은, 450 nm 의 파장의 광에 대하여 현저히 향상된 광학밀도를 나타낼 수 있으며, 양자점 폴리머 복합체로 제조될 경우 향상된 청색광 흡수율을 나타낼 수 있다.
따라서, 일구현예의 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하일 수 있다.
일구현예에서 상기 양자점은, 그램(g) 당 450 nm 에서의 광학밀도(optical density)가 1100 이상, 예컨대, 1200 이상, 1300 이상, 1400 이상, 1450 이상, 1500 이상, 1550 이상, 1600 이상, 1650 이상, 1700 이상, 1750 이상, 1800 이상, 또는 1850 이상일 수 있다.
일구현예에서, 상기 양자점은, (코어 상태 또는 코어쉘 에서) UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 350 nm 에서의 강도에 대한 450 nm 의 강도의 비가 0.4 이상, 0.43이상, 0.44 이상, 0.45 이상, 0.46 이상, 0.47 이상, 0.48 이상, 0.49 이상, 0.5 이상, 0.51 이상, 0.55 이상, 0.6 이상, 0.65 이상, 0.66 이상, 0.67 이상, 0.7 이상, 0.75 이상, 0.8 이상, 0.82 이상, 0.84 이상, 0.86 이상, 0.87 이상, 또는 0.88 이상일 수 있다. 상기 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 350 nm 에서의 강도에 대한 450 nm 의 강도의 비가 1.0 이상일 수 있다.
일구현예의 양자점은, 전술한 조성의 코어 위에 (예컨대, 바로 위에) 배치되고 ZnSe 를 포함하는 제1 쉘, 및 상기 제1 쉘 위에 (예컨대, 바로 위에) 배치되고 ZnS 를 포함하는 제2 쉘을 가지는 코어-다층쉘 구조이다.
상기 제1 반도체 나노결정 쉘은, ZnSe 를 포함할 수 있다. 상기 제1 반도체 나노결정 쉘은, 황(S)을 포함하지 않을 수 있다. 예컨대, 상기 제1 반도체 나노결정 쉘은 ZnSeS 를 포함하지 않을 수 있다. 상기 제1 반도체 나노결정 쉘은, ZnSe 로 이루어질 수 있다. 상기 제1 반도체 나노결정 쉘은, 상기 반도체 나노결정 코어 바로 위에 배치될 수 있다.
일구현예에서, 상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 3 모노레이어 이상이고, 예컨대, 3.5 ML 이상, 3.6 ML 이상, 3.7 ML 이상, 3.8 ML 이상, 3.9 ML 이상, 또는 4 ML 이상일 수 있다. 상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 7 ML 이하, 예컨대, 6 ML 이하, 또는 5 ML 이하일 수 있다. 일구현예에서, 상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 0.9 nm 이상, 1 nm 이상, 1.1 이상, 또는 1.2 nm 이상 및 1.4 nm 이하, 1.3 nm 이하, 또는 1.25 nm 이하일 수 있다.
제2 반도체 나노결정 쉘은, ZnS 를 포함할 수 있다. 상기 제2 반도체 나노결정 쉘은, 셀레늄을 포함하지 않을 수 있다. 상기 제2 반도체 나노결정 쉘은, 상기 제1 반도체 나노결정 쉘 바로 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 반도체 나노결정 쉘은, 상기 양자점의 최외곽층일 수 있다. 상기 제2 반도체 나노결정 쉘의 두께는 0.15 nm 이상, 0.16 nm 이상, 0.17 nm 이상, 0.18 nm 이상, 0.19 nm 이상, 또는 0.2 nm 이상 및 0.7 nm 이하, 0.65 nm 이하, 0.5 nm 이하, 0.45 nm 이하, 또는 0.4 nm 이하일 수 있다.
전술한 구조를 가지는 일구현예의 양자점은, 셀레늄에 대한 황의 몰비율(S/Se)이 2.5 이하이며, 이에 따라 증가된 광흡수율과 함께 향상된 발광물성을 나타낼 수 있다. 일구현예의 양자점에서, 셀레늄에 대한 황의 몰 비율이, 2.4 이하, 2.3 이하, 2.2 이하, 2.1 이하, 2.0 이하, 1.9 이하, 1.8 이하, 1.7 이하, 1.6 이하, 1.5 이하, 1.4 이하, 1.3 이하, 1.2 이하, 1.1 이하, 또는 1 이하, 0.9 이하, 0.8 이하, 또는 0.6 이하일 수 있다. 일구현예의 양자점에서, 셀레늄에 대한 황의 비율은 0.1 이상, 0.2 이상, 0.3 이상, 0.4 이상, 또는 0.5 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 인듐 및 갈륨의 합에 대한 아연의 몰 비율 (Zn/(In+Ga))이 45 이하, 예컨대, 30 이하, 29 이하, 28 이하, 27 이하, 26 이하, 25 이하, 또는 24 이하일 수 있다. 상기 양자점은, 인듐 및 갈륨의 합에 대한 아연의 몰 비율이 10 이상, 11 이상, 12 이상, 13 이상, 14 이상, 또는 15 이상일 수 있다.
상기 양자점은, 셀레늄과 황의 합에 대한 인듐 및 갈륨의 합의 몰 비율 ((Ga+In)/(S+Se))이 0.01 이상, 0.02 이상, 0.03 이상, 0.04 이상, 0.05 이상, 0.07 이상, 0.09 이상, 0.1 이상일 수 있다. 상기 양자점은, 셀레늄과 황의 합에 대한 인듐 및 갈륨의 합의 몰 비율이 0.2 이하, 0.15 이하, 0.1 이하, 0.09 이하, 0.08 이하, 또는 0.07 이하일 수 있다.
본 발명자들이 확인한 바에 따르면, 전술한 코어 및 쉘 조성을 가짐에 의해, 일구현예에 따른 양자점은 향상된 여기광 흡수율과 향상된 발광 효율의 양자점-고분자 복합체를 제공할 수 있다. 예를 들어, 일구현예의 양자점에서, (예컨대, ZnSe 기반의) 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 전술한 범위 내에서 양자점 발광 효율의 증가에 긍정적인 영향을 줄 수 있다. 이와 대조적으로, (예컨대, ZnS 기반의) 제2 반도체 나노결정 쉘의 두께는, 전술한 범위에서 발광 효율에 부정적 영향을 주지 않으면서 특히 단막으로 제조된 경우, 단막의 여기광 (예컨대, 청색광) 흡수율을 향상된 수준으로 유지할 수 있다. 또한, 전술한 조성의 쉘을 가짐에 의해 일구현예의 양자점은, 높은 화학적 안정성을 나타낼 수 있으므로, 다양한 화학물질 (예컨대, 유기 폴리머, 유기 용매, 모노머, 각종 첨가제)들과의 접촉이 수반되는 조성물 (예컨대, 감광성 조성물 또는 포토레지스트) 제조 과정 또는 이를 이용한 복합체 (또는 그 패턴) 형성 과정을 거친 후에도, 이를 포함하는 조성물 또는 복합체 (또는 그 패턴)가 발광 물성을 향상된 수준으로 유지할 수 있다.
따라서, 일구현예의 양자점은, 양자 효율이 65% 이상, 예컨대, 66% 이상, 67% 이상, 68 % 이상, 69% 이상, 또는 70% 이상일 수 있다.
파장 350nm 에서의 광 흡수율은 제1 반도체 나노결정 쉘 (e.g., ZnSe)과, 제2 반도체 나노결정 쉘 (e.g., ZnS) 의 (예컨대, 크기에 의존하는) 흡수를 반영할 수 있고, 파장 450nm 에서의 흡수 강도는, 예컨대, QD 기반의 color filter 를 포함하는 소자에 제공될 수 있는 청색 광원 파장을 대표할 수 있다. 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 450 nm에서의 양자점 흡수 강도/ 350nm 에서의 흡수강도 비는 일구현예의 양자점이 가지는 shell 의 부피에 따른 양자점의 청색 광원 흡수능을 나타낼 수 있다. 전술한 쉘 조성을 만족하는 경우, 450 nm에서의 양자점 흡수 강도/ 350nm 에서의 흡수강도 비가 증가할수록 이를 포함하는 단막이 높은 수준 청색광 흡수율을 나타낼 수 있다. 일구현예의 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 파장 350 nm 의 강도에 대한 450 nm 에서의 강도의 비가 0.08 이상일 수 있다. 따라서, 일구현예의 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 350 nm 에서의 강도에 대한 450 nm 의 강도의 비가 0.08 이상, 예를 들어, 0.09 이상, 0.10 이상, 또는 0.11 이상일 수 있다.
일구현예에서, 상기 양자점 폴리머 복합체는, 두께 6 um 의 필름의 형태를 가지고, 상기 양자점의 함량이 복합체의 총 중량을 기준으로 45% 이하일 때에, 파장 450 nm 의 청색광에 대한 흡수율이 89% 이상, 예컨대, 90% 이상, 91% 이상, 92% 이상, 또는 93% 이상일 수 있다.
상기 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 상기 제1 흡수 피크 파장은, 450 nm 초과, 및 광발광 피크 파장 미만의 범위 내에 존재할 수 있다. 예컨대, 녹색 발광 양자점의 경우, 상기 제1 흡수 피크 파장은, 예컨대, 480 nm 이상, 485 nm 이상, 490 nm 이상 및 530 nm 이하, 525 이하, 520 이하, 515 nm 이하, 또는 510 nm 이하일 수 있다.
상기 양자점의 크기 (평균 크기)는, 5 nm 이상, 5.5 nm 이상, 6 nm 이상, 6.5 nm 이상, 또는 7 nm 이상일 수 있다. 상기 양자점의 크기 (평균 크기)는, 10 nm 이하, 9 nm 이하, 8 nm 이하, 또는 7 nm 이하일 수 있다. 상기 양자점의 크기는, 입경일 수 있다. (구형이 아닌 경우) 양자점의 크기는, 투과 전자 현미경 분석에 의해 확인되는 2차원의 면적을 원으로 전환하여 계산되는 직경일 수 있다.
상기 양자점의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 구형, 다면체, 피라미드형, 멀티포드, 또는 입방체(cubic)형, 나노튜브, 나노와이어, 나노섬유, 나노시트, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 양자점은, 표면에 후술하는 유기 리간드 및/또는 후술하는 유기 용매를 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드 및/또는 상기 유기 용매는 양자점 표면에 결합(bound)될 수 있다.
다른 구현예에서, 일구현예에 따른 양자점을 제조하는 방법은, 상기 다성분 코어를 형성하는 단계 및 선택에 따라 상기 다성분 코어 상에 쉘을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 다성분 코어의 조성 등에 대한 상세 내용은 전술한 바와 같다.
상기 다성분 코어의 형성은, 유기 용매 중에서 유기 리간드의 존재 하에 인듐 전구체와 인 전구체를 제1 반응 온도에서 반응시켜 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자를 형성하는 단계; 상기 제1 반응 온도 또는 그 이하의 온도에서, 아연 전구체를 주입하여 상기 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자 표면에 아연 함유 코팅을 형성하는 단계; 상기 아연 함유 코팅이 형성된 입자를 포함하는 반응계의 온도를 제2 반응 온도까지 가열하면서 갈륨 전구체 및 인 전구체를 주입하여 제2 반도체 나노결정을 상기 제1 반도체 나노결정 상에 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 반응온도는, 상기 제1 반응온도 보다 높다.
상기 다성분 코어의 형성은 생성된 입자의 분리 없이 one - pot 합성으로 진행할 수 있다. 일구현예에서, 상기 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자는 0.9 nm 이상, 예컨대, 1 nm 이상, 1.1 nm 이상, 1.2 nm 이상, 1.3 nm 이상, 1.4 nm 이상, 1.5 nm 이상, 1.6 nm 이상, 1.7 nm 이상, 1.8 nm 이상, 1.9 nm 이상일 수 있다. 일구현예에서, 상기 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자는 2.1 nm 이하, 2 nm 이하, 1.9 nm 이하, 1.8 nm 이하, 1.7 nm 이하, 1.6 nm 이하, 1.5 nm 이하, 1.4 nm 이하, 1.3 nm 이하, 또는 1.2 nm 이하일 수 있다.
상기 제1 반응 온도는 150도씨 이하, 예컨대, 140 도씨 이하, 130 도씨 이하, 120 도씨 이하, 110 도씨 이하, 100 도씨 이하, 또는 90 도씨 이하일 수 있다. 상기 제1 반응 온도는 30도씨 이상, 40 도씨 이상, 60 도씨 이상, 80 도씨 이상, 또는 90 도씨 이상일 수 있다. 상기 제2 반응 온도는 130도씨 이상, 140 도씨 이상, 150도씨 이상, 160도씨 이상, 또는 170 도씨 이상일 수 있다.
상기 제2 반응 온도는 280도씨 이하, 270 도씨 이하, 260도씨 이하, 255 도씨 이하, 250 도씨 이하, 245 도씨 이하, 240 도씨 이하, 235 도씨 이하, 230 도씨 이하, 225 도씨 이하, 220 도씨 이하, 215도씨 이하, 210도씨 이하, 205도씨 이하, 또는 200 도씨 이하일 수 있다. 상기 제1 반응온도 및 상기 제2 반응온도는, 반응계 중에 존재하는 전구체들의 종류 (예컨대, 반응성)와 농도에 따라 조절할 수 있다.
상기 제2 반응온도는, 상기 제1 반응온도보다, 적어도 10도씨 이상, 예컨대, 20도씨 이상, 30도씨 이상, 40 도씨 이상, 50도씨 이상, 60도씨 이상, 70도씨 이상, 80도씨 이상, 90 도씨 이상, 100도씨 이상, 110 도씨 이상, 120도씨 이상, 130도씨 이상, 140 도씨 이상, 또는 150도씨 이상 높다.
쉘 형성은, 아연 전구체, 유기 리간드, 및 유기 용매를 포함하는 제1 혼합물을 얻는 단계; 상기 제1 혼합물에 전술한 다성분 코어 및 셀레늄 함유 전구체를 주입하는 제2 혼합물을 얻는 단계;
상기 제2 혼합물을 쉘형성 온도로 40분 이상, 예컨대, 50분 이상 가열하여 상기 반도체 나노결정 코어 상에 아연과 셀레늄을 포함하는 제1 반도체 나노결정 쉘이 형성된 입자를 포함한 제3 혼합물을 얻는 단계;
쉘형성 온도에서, 상기 제3 혼합물에 황 함유 전구체를 (예컨대, 황 함유 전구체를 포함하는 스톡 용액)을 부가하고 반응을 진행하여 아연과 황을 포함하는 제2 반도체 나노결정 쉘을 상기 제1 반도체 나노결정 쉘 상에 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있으며.
상기 제2 혼합물 및 상기 제3 혼합물에서 상기 코어에 대한 상기 셀레늄 함유 전구체 및 상기 황 함유 전구체들 간의 함량 (그리고, 선택에 따라, 각 단계에서의 반응 시간)을 조절하여 전술한 쉘 조성을 만족할 수 있도록 한다.
상기 제1 혼합물은 선택에 따라, 소정의 온도, 예컨대, 100도씨 이상, 120도씨 이상으로, 150도씨 이상, 200도씨 이상, 250도씨 이상, 또는 270도씨 이상으로 예컨대, 진공 및/또는 불활성 분위기 하에서 가열 (전처리)될 수 있다.
상기 유기 리간드는 RCOOH, RNH2, R2NH, R3N, RSH, RH2PO, R2HPO, R3PO, RH2P, R2HP, R3P, ROH, RCOOR', RPO(OH)2, RHPOOH, R2POOH (여기서, R, R'는 각각 독립적으로 C1 내지 C24의 지방족탄화수소 (e.g., C1 내지 C40 또는 C3 내지 C24의 알킬기, C2 내지 C40 또는 C3 내지 C24의 알케닐기, C2 내지 C40 또는 C3 내지 C24의 알키닐기), 또는 C6 내지 C20의 방향족 탄화수소 (e.g., C6 내지 C20의 아릴기)), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 유기 유기 리간드는 제조된 나노 결정의 표면을 배위하며, 나노 결정이 용액 상에 잘 분산되어 있도록 하고/거나 양자점의 발광 및 전기적 특성에 영향을 줄 수 있다. 상기 유기 유기 리간드의 구체적인 예로서는, 메탄 티올, 에탄 티올, 프로판 티올, 부탄 티올, 펜탄 티올, 헥산 티올, 옥탄 티올, 도데칸 티올, 헥사데칸 티올, 옥타데칸 티올, 벤질 티올; 메탄 아민, 에탄 아민, 프로판 아민, 부틸 아민, 펜틸 아민, 헥실 아민, 옥틸 아민, 도데실 아민, 헥사데실 아민, 옥타데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민; 메탄산, 에탄산, 프로판산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 도데칸산, 헥사데칸산, 옥타데칸산, 올레인산, 벤조산; 치환 또는 미치환 메틸 포스핀 (e.g., 트리메틸 포스핀, 메틸디페닐 포스핀 등), 치환 또는 미치환 에틸 포스핀(e.g., 트리에틸 포스핀, 에틸디페닐 포스핀 등), 치환 또는 미치환 프로필 포스핀, 치환 또는 미치환 부틸 포스핀, 치환 또는 미치환 펜틸 포스핀, 치환 또는 미치환 옥틸포스핀 (e.g., 트리옥틸포스핀(TOP)) 등의 포스핀; 치환 또는 미치환 메틸 포스핀 옥사이드(e.g., 트리메틸 포스핀 옥사이드, 메틸디페닐 포스핀옥사이드 등), 치환 또는 미치환 에틸 포스핀 옥사이드(e.g., 트리에틸 포스핀 옥사이드, 에틸디페닐 포스핀옥사이드 등), 치환 또는 미치환 프로필 포스핀 옥사이드, 치환 또는 미치환 부틸 포스핀 옥사이드, 치환 또는 미치환 옥틸포스핀옥사이드 (e.g., 트리옥틸포스핀옥사이드(TOPO) 등의 포스핀 옥사이드; 다이 페닐 포스핀, 트리 페닐 포스핀 화합물, 또는 그의 옥사이드 화합물; 포스폰산(phosphonic acid), 헥실포스핀산, 옥틸포스핀산, 도데칸포스핀산, 테트라데칸포스핀산, 헥사데칸포스핀산, 옥타데칸포스핀산 등 C5 내지 C20의 알킬포스핀산, 또는 C5 내지 C20의 알킬 포스폰산(phosphonic acid); 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 유기 리간드는, 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로 사용할 수 있다.
상기 유기용매는, 헥사데실아민 등의 C6 내지 C22의 1차 아민; 다이옥틸아민 등의 C6 내지 C22의 2차 아민; 트리옥틸아민 등의 C6 내지 C40의 3차 아민; 피리딘 등의 질소함유 헤테로고리 화합물; 헥사데칸, 옥타데칸, 옥타데센, 스쿠알렌(squalane) 등의 C6 내지 C40의 지방족 탄화수소 (예컨대, 알칸, 알켄, 알킨 등); 페닐도데칸, 페닐테트라데칸, 페닐 헥사데칸 등 C6 내지 C30의 방향족 탄화수소; 트리옥틸포스핀 등의 C6 내지 C22의 알킬기로 치환된 포스핀; 트리옥틸포스핀옥사이드 등의 C6 내지 C22의 알킬기로 치환된 포스핀옥사이드; 페닐 에테르, 벤질 에테르 등 C12 내지 C22의 방향족 에테르, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 용매의 종류 및 사용량은 사용하는 전구체들과 유기 리간드의 종류를 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
인듐 전구체의 종류는, 인듐 할라이드, 인듐 나이트레이트, 인듐 하이드록사이드, 인듐 플루오라이드, 인듐 클로라이드, 인듐 브로마이드, 인듐 아이오다이드, 인듐 옥사이드, 인듐 설페이트, 인듐 카르복실레이트, 인듐 아세테이트, 인듐 아세틸아세토네이트 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
갈륨 전구체의 종류는, 갈륨 클로라이드, 갈륨 아세틸아세토네이트, 갈륨 플루오라이드, 갈륨 옥사이드, 갈륨 나이트레이트, 갈륨 설페이트, 갈륨 브로마이드, 갈륨 아이오다이드, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
아연 전구체는, Zn 금속 분말, 알킬화 Zn 화합물, Zn 알콕시드, Zn 카르복실레이트, Zn 니트레이트, Zn 퍼콜레이트, Zn 설페이트, Zn 아세틸아세토네이트, Zn 할로겐화물, Zn 시안화물, Zn 히드록시드, Zn 옥사이드, Zn 퍼옥사이드, 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 제1 쉘 전구체의 예는, 디메틸아연, 디에틸아연, 아연아세테이트, 아연아세틸아세토네이트, 아연아이오다이드, 아연브로마이드, 아연클로라이드, 아연플루오라이드, 아연카보네이트, 아연시아나이드, 아연나이트레이트, 아연옥사이드, 아연퍼옥사이드, 아연퍼클로레이트, 아연설페이트, 등일 수 있다. 상기 제1 쉘 전구체는, 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
셀레늄 전구체의 종류는, 특별히 제한되지 않으며 적절히 선택할 수 있다. 예컨대, 상기 셀레늄 함유 전구체는 셀렌-트리옥틸포스핀(Se-TOP), 셀렌-트리부틸포스핀(Se-TBP), 셀렌-트리페닐포스핀(Se-TPP), 텔루르트리부틸포스핀(Te-TBP), 또는 이들의 조합을 포함하나 이에 제한되지 않는다.
황 전구체의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 적절히 선택할 수 있다. 상기 황 함유 전구체는 헥산 싸이올, 옥탄 싸이올, 데칸 싸이올, 도데칸 싸이올, 헥사데칸 싸이올, 머캡토 프로필 실란, 설퍼-트리옥틸포스핀(S-TOP), 설퍼-트리부틸포스핀(S-TBP), 설퍼-트리페닐포스핀(S-TPP), 설퍼-트리옥틸아민(S-TOA), 트리메틸실릴 설퍼, 황화 암모늄, 황화 나트륨, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 황 함유 전구체는 1회 이상 (예컨대 2회 이상) 주입할 수 있다.
쉘형성 온도는 적절히 선택할 수 있다. 예컨대, 쉘형성 온도는 280도씨 이상, 290 도씨 이상, 300 도씨 이상, 310도씨 이상, 또는 315도씨 이상일 수 있다. 제2 혼합물을 상기 쉘형성 온도로 가열한 후 또는 가열하는 과정에서 셀레늄 함유 전구체를 1회 이상 (예컨대, 2회 이상, 3회 이상) 투입할 수 있다. 상기 제2 혼합물을 쉘형성 온도에서 소정의 시간 (40분 이상, 예컨대, 50분 이상, 60분 이상, 70분 이상, 80 분 이상, 또는 90분 이상 및 4시간 이하, 예컨대, 3시간 이하, 또는 2시간 이하)동안 유지하여 상기 반도체 나노결정 코어 상에 아연과 셀레늄을 포함하는 제1 반도체 나노결정 쉘이 형성된 입자를 포함한 제3 혼합물을 얻는다.
상기 제2 혼합물은 쉘형성 온도에서 전술한 범위의 시간 동안 유지하여 상기 제1 반도체 나노결정 쉘을 소망하는 두께로 (예컨대, 3 모노레이어 이상으로) 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 혼합물에서, 인듐에 대한 셀레늄 전구체의 함량은, 미리 정해진 반응시간 동안 소정의 두께를 가지는 제1 반도체 나노결정 쉘을 형성할 수 있도록 조절할 수 있다. 예컨대, 제2 혼합물에서, 인듐 1몰당 셀레늄의 함량은, 3몰 이상, 4몰 이상, 5몰 이상, 6몰 이상. 7몰 이상, 8몰 이상, 9몰 이상, 또는 10몰 이상으로 할 수 있다. 제2 혼합물에서, 인듐 1몰 당 셀레늄의 함량은, 20몰 이하, 18몰 이하, 또는 15몰 이하로 할 수 있다.
상기 제3 혼합물은, 셀레늄 함유 전구체를 포함하지 않을 수 있다.
쉘형성 온도에서, 상기 제3 혼합물에 황 함유 전구체를 포함하는 스톡 용액을 부가하여 아연과 황을 포함하는 제2 반도체 나노결정 쉘을 상기 제1 반도체 나노결정 쉘 상에 형성한다. 상기 방법은, 상기 제3 혼합물의 온도를 50도씨 이하 (예컨대, 30도씨 이하 또는 실온으)로 떨어뜨리는 단계를 포함하지 않는다.
일구현예에서, 제3 혼합물 내에 인듐 및 갈륨의 합 1 몰에 대한 황의 함량은, 소망하는 쉘 조성을 얻을 수 있도록 (예컨대, 두께 0.7 nm를 넙지 않도록) (전구체의 반응성과 반응온도 등을 감안하여) 조절한다. 예컨대, 제3 혼합물 내에 인듐 및 갈륨의 합 1 몰에 대한 황의 함량은, 2몰 이상, 3몰 이상, 4몰 이상, 5몰 이상, 6몰 이상, 7 몰 이상, 8 몰 이상, 9몰 이상, 또는 10 몰이상, 일 수 있다. 제3 혼합물 내에 인듐 1 몰에 대한 황의 함량은, 45몰 이하, 40몰 이하, 35몰 이하, 30몰 이하, 25몰 이하, 20몰 이하, 19몰 이하, 18몰 이하, 16몰 이하, 15몰 이하, 14몰 이하, 13몰 이하, 12몰 이하, 11몰 이하, 10몰 이하, 9몰 이하, 8몰 이하, 7몰 이하, 6몰 이하, 또는 5몰 이하일 수 있다.
쉘 형성 온도는 각 단계에서 동일하거나 상이할 수 있다. 일구현예에서, ZnSe 기반의 쉘 형성 온도는 280 도씨 이상, 예컨대, 285도씨 이상, 290도씨 이상, 295도씨 이상, 300도씨 이상, 또는 305도씨 이상 및 320 도씨 이하, 예컨대, 315도씨 이하, 또는 310도씨 이하일 수 있고, 최외각 쉘(ZnS 쉘)의 형성온도는 280 도씨 이상, 예컨대, 285도씨 이상, 290도씨 이상, 295도씨 이상 및 300도씨 이하, 예컨대, 295도씨 이하, 또는 290도씨 이하일 수 있다.
제조된 최종 반응액에 비용매(nonsolvent)를 부가하면 상기 유기 리간드가 배위된 나노 결정이 분리 (e.g. 침전)될 수 있다. 상기 비용매는, 상기 반응에 사용된 상기 용매와 섞이지만 나노 결정을 분산시킬 수 없는 극성 용매일 수 있다. 상기 비용매는, 상기 반응에 사용한 용매에 따라 결정할 수 있으며, 예컨대, 아세톤, 에탄올, 부탄올, 이소프로판올, 에탄다이올, 물, 테트라히드로퓨란(THF), 디메틸술폭시드(DMSO), 디에틸에테르(diethylether), 포름 알데하이드, 아세트 알데하이드, 상기 나열된 용매들과 유사한 용해도 파라미터(solubility parameter)를 갖는 용매, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 분리는, 원심 분리, 침전, 크로마토 그래피, 또는 증류를 이용할 수 있다. 분리된 나노 결정은 필요에 따라 세정 용매에 부가되어 세정될 수 있다. 세정 용매는 특별히 제한되지 않으며, 상기 리간드와 유사한 용해도 파라미터를 갖는 용매를 사용할 수 있으며, 그 예로는 헥산, 헵탄, 옥탄, 클로로포름, 톨루엔, 벤젠 등을 들 수 있다.
일구현예는 전술한 양자점들을 포함하는 조성물을 제공한다. 상기 조성물은, (예컨대, 복수개의) 전술한 양자점(들); 분산제 (예컨대, 카르복시산기 함유 바인더 고분자); 및 (유기)용매를 포함할 수 있다. 상기 조성물은 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 광중합성 단량체, 그리고 선택에 따라 (열 또는 광) 개시제를 더 포함할 수 있다.
상기 조성물 내에서 전술한 양자점의 함량은, (예컨대, 컬러필터 등) 소망하는 최종 용도 등을 감안하여 적절히 조절할 수 있다. 일구현예에서, 양자점의 함량은, 조성물의 고형분을 기준으로 1 중량% 이상, 예컨대, 2 중량% 이상, 3 중량% 이상, 4 중량% 이상, 5 중량% 이상, 6 중량% 이상, 7 중량% 이상, 8 중량% 이상, 9 중량% 이상, 10 중량% 이상, 15 중량% 이상, 20 중량% 이상, 25 중량% 이상, 30 중량% 이상, 35 중량% 이상, 또는 40 중량% 이상일 수 있다. 상기 양자점의 함량은, 고형분을 기준으로 70 중량% 이하, 예컨대, 65 중량% 이하, 60 중량% 이하, 55 중량% 이하, 또는 50 중량% 이하일 수 있다. 본 명세서에서 조성물의 고형분 기준 함량은, 후술하는 복합체에서 해당 성분의 함량을 대표할 수 있다.
일구현예에 따른 조성물은, 양자점-폴리머 복합체 또는 그 패턴을 제공하기 위해 사용 가능하다. 일구현예에 따른 조성물은, 포토리소그라피법에서 적용 가능한 양자점 함유 포토레지스트 조성물일 수 있다. 일구현예에 따른 조성물은, 인쇄법 (예컨대, 잉크젯 인쇄 등 액적 토출법)에 의해 패턴을 제공할 수 있는 잉크 조성물일 수 있다. 일구현예에 따른 조성물은, (후술하는 카도 바인더를 제외한) 공액성 폴리머를 포함하지 않을 수 있다. 일구현예에 따른 조성물은 공액성 폴리머를 포함할 수 있다. 여기서, 공액성 폴리머라 함은 주쇄 내에 공액성 이중 결합을 가지는 폴리머 (예컨대, 폴리페닐렌비닐렌 등)을 말한다. 일구현예에 따른 조성물은 분산제 또는 바인더 고분자를 포함할 수 있다. 상기 바인더 고분자는, 카르복시산기를 포함할 수 있다.
상기 바인더 고분자는, 카르복시산기 및 탄소-탄소 이중결합을 포함하는 제1 모노머, 탄소-탄소 이중결합 및 소수성 잔기를 가지며 카르복시산기를 포함하지 않는 제2 모노머, 및 선택에 따라 탄소-탄소 이중결합을 가지고 친수성 잔기를 가지며 카르복시산기를 포함하지 않는 제3 모노머를 포함하는 모노머 혼합물의 공중합체; 주쇄 내에, 2개의 방향족 고리가 다른 고리형 잔기의 구성 원자인 4급 탄소원자와 결합한 골격 구조를 가지고, 카르복시산기(-COOH)를 포함하는 다중 방향족 고리(multiple aromatic ring) 함유 폴리머 (이하, 카도 바인더); 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 공중합체는, 상기 제1 모노머로부터 유래된 제1 반복단위 및 상기 제2 모노머로부터 유래된 제2 반복단위를 포함하고, 선택에 따라, 상기 제3 모노머로부터 유래된 제3 반복단위를 더 포함할 수 있다.
상기 카르복시산기 함유 고분자는, 다중 방향족 고리 함유 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 다중 방향족 고리 함유 폴리머는, 카도 바인더 수지로 알려져 있으며, 상업적으로 입수할 수 있다.
상기 카르복시산 함유 고분자는, 산가가 50 mg KOH/g 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 카르복시산 고분자는, 60 mg KOH/g 이상, 70 mg KOH/g, 80 mg KOH/g, 90 mg KOH/g, 100 mg KOH/g, 110 mg KOH/g 이상, 120 mg KOH/g 이상, 125 mg KOH/g 이상, 또는 130 mg KOH/g 이상일 수 있다. 상기 고분자의 산가는, 예를 들어, 250 mg KOH/g 이하, 예를 들어, 240 mg KOH/g 이하, 230 mg KOH/g 이하, 220 mg KOH/g 이하, 210 mg KOH/g 이하, 200 mg KOH/g 이하, 190 mg KOH/g 이하, 180 mg KOH/g 이하, 160 mg KOH/g 이하일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 상기 바인더 고분자는, 중량평균 분자량이 1000 g/mol 이상, 예컨대, 2000 g/mol 이상, 3000 g/mol 이상, 또는 5000 g/mol 이상일 수 있다. 상기 바인더 고분자는, 중량평균 분자량이 10만 g/mol 이하, 예컨대, 5만 g/mol 이하일 수 있다.
상기 조성물에서, 상기 분산제 또는 상기 바인더 고분자의 함량은, 조성물의 총 고형분 중량을 기준으로, 0.5 중량% 이상, 예컨대, 1 중량% 이상, 5 중량% 이상, 10 중량% 이상, 15 중량% 이상, 또는 20 중량% 이상일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 분산제 또는 상기 바인더 고분자의 함량은, 조성물의 총 고형분 중량을 기준으로, 예컨대, 55중량% 이하, 40 중량% 이하, 30 중량% 이하, 33 중량% 이하, 또는 30 중량% 이하일 수 있다.
상기 조성물에서, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 중합성(예컨대, 광중합성) 단량체는, (예컨대, 광중합성) 아크릴계 모노머를 포함할 수 있다. 상기 모노머의 함량은, 조성물의 총 고형분 중량을 기준으로 0.5 중량% 이상, 예를 들어, 1 중량% 이상 또는 2 중량% 이상일 수 있다. 상기 광중합성 단량체의 함량은, 조성물의 총 고형분 중량을 기준으로 50 중량% 이하, 예를 들어, 40 중량% 이하, 30 중량% 이하, 28 중량% 이하, 25 중량% 이하, 23 중량% 이하, 20 중량% 이하, 18 중량% 이하, 17 중량% 이하, 16 중량% 이하, 또는 15 중량% 이하일 수 있다.
상기 조성물에 포함되는 개시제는, 전술한 모노머의 중합을 위한 것이다. 상기 개시제는, 온화한 조건 하에 (예컨대, 열 또는 광에 의해) 라디칼 화학종을 생성하여 라디칼 반응 (예컨대, 모노머의 라디칼 중합)을 촉진할 수 있는 화합물이다. 상기 개시제는, 열 개시제 또는 광개시제일 수 있다. 광에 의해 전술한 중합성 아크릴 모노머 및/또는 (후술하는 바의) 티올 화합물의 라디칼 중합을 개시할 수 있는 화합물이다. 개시제의 종류는 특별히 제한되지 않으며 적절히 선택할 수 있다. 　
상기 조성물에서, 개시제의 함량은 사용된 중합성 모노머의 종류 및 함량을 고려하여 적절히 조절할 수 있다. 일구현예에서, 상기 개시제의 함량은, 조성물의 총 중량을 기준으로 0.01 중량% 내지 10 중량% 의 범위일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
상기 조성물은, 말단에 적어도 1개의 티올기를 가지는 (다중 또는 단관능성) 티올 화합물, 금속 산화물 미립자, 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 산화물 미립자는, TiO2, SiO2, BaTiO3, Ba2TiO4, ZnO, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 금속 산화물 미립자의 직경은 특별히 제한되지 않으며 적절히 선택할 수 있다. 금속 산화물 미립자의 직경은 100 nm 이상, 예컨대 150 nm 이상 또는 200 nm 이상 및 1000 nm 이하, 또는 800 nm 이하일 수 있다. 상기 조성물 내에서 상기 금속 산화물의 함량은 조성물의 고형분을 기준으로, 1 중량% 이상, 5 중량% 이상, 10 중량% 이상, 또는 15 중량% 이상 및 35 중량% 이하, 30 중량% 이하, 20 중량% 이하, 10 중량% 이하, 또는 5 중량% 이하일 수 있다.
상기 다중 티올 화합물의 함량은, 고형분의 총 중량을 기준으로, 1 중량% 이상, 5 중량% 이상, 10 중량% 이상, 15 중량% 이상, 또는 20 중량% 이상일 수 있다. 상기 다중 티올 화합물의 함량은, 고형분의 총 중량을 기준으로, 50 중량% 이하, 40 중량% 이하, 30 중량% 이하, 25 중량% 이하, 20 중량% 이하, 또는 15 중량% 이하일 수 있다.
상기 조성물은 유기 용매 (또는 액체 비히클)를 더 포함할 수 있다. 사용 가능한 유기 용매의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 상기 유기 용매의 종류와 양은, 전술한 주요 성분 (즉, 양자점, 분산제, 중합성 단량체, 개시제, 존재하는 경우 티올 화합물,) 및 그 외 후술하는 첨가제의 종류 및 양을 고려하여 적절히 정한다. 상기 조성물은 소망하는 고형분 (비휘발성분) 함량을 제외한 나머지의 양으로 용매를 포함한다. 상기 조성물은, 전술한 성분들 이외에, 필요에 따라, 광확산제, 레벨링제, 커플링제 등의 각종 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제 함량은 특별히 제한되지 않으며, 조성물 제조 및 양자점-폴리머 복합체의 제조와 선택에 따라 복합체의 패턴화에 부정적인 영향을 주지 않는 범위 내에서 적절히 조절할 수 있다.
존재하는 경우, 상기 첨가제의 함량은, 조성물의 총 중량을 기준으로, 0.1 중량% 이상, 예컨대, 0.5 중량% 이상, 1 중량% 이상, 2 중량% 이상, 또는 5 중량% 이상일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 존재하는 경우, 상기 첨가제의 함량은, 조성물의 총 중량을 기준으로, 20 중량% 이하, 예컨대, 19 중량% 이하, 18 중량% 이하, 17 중량% 이하, 16 중량% 이하, 또는 15 중량% 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
조성물 내 각 성분들에 대한 구체적 내용 및 조성물의 제조 등에 대한 사항은 US-2017-0059988-A1를 참조할 수 있으며 상기문헌은 전체로서 본 명세서에 포함된다. 상기 조성물은 (예컨대, 라디칼) 중합에 의해 양자점-폴리머 복합체 (또는 그 패턴)를 제공할 수 있다.
다른 구현예에서, 양자점-폴리머 복합체는, 폴리머 매트릭스; 및 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산되어 있는 전술한 양자점을 포함한다.
상기 폴리머 매트릭스는, 분산제 (예컨대, 카르복시산기 함유 바인더 고분자), 탄소-탄소 이중 결합을 (1개 이상, 예컨대, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상, 또는 5개 이상) 포함하는 중합성 단량체의 중합 생성물 (예컨대, 절연성 폴리머), 및 선택에 따라 상기 중합성 단량체와 말단에 적어도 2개의 티올기를 가지는 다중 티올 화합물 간의 중합 생성물 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 양자점 폴리머 복합체는, 전술한 금속 산화물 미립자를 더 포함할 수 있다.
다른 구현예에서, 상기 폴리머 매트릭스는, 가교된 폴리머 및 분산제 (예컨대, (카르복시기 함유) 바인더 고분자)를 포함할 수 있다. 상기 폴리머 매트릭스는, (카도 수지를 제외한) 공액 고분자를 포함하지 않을 수 있다. 상기 가교된 폴리머는, 티올렌 수지, 가교된 폴리(메타)아크릴레이트, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 일구현예에서, 상기 가교된 폴리머는, 전술한 중합성 모노머 및 선택에 따라 다중 티올 화합물의 중합 생성물일 수 있다.
양자점, 분산제 또는 바인더 고분자, 중합성 단량체, 다중 티올 화합물에 대한 기재는 전술한 바와 같다. 복합체 내에서 양자점의 함량, 금속 산화물 미립자의 함량은 조성물과 관련하여 전술한 (고형분 기준의) 함량일 수 있다. 복합체에서, 폴리머 매트릭스의 함량은, 복합체의 총 중량을 기준으로, 3 중량% 이상, 5 중량% 이상, 10 중량% 이상, 15 중량% 이상, 또는 20 중량% 이상 및 97중량% 이하, 95 중량% 이하, 90 중량% 이하, 80 중량% 이하, 또는 70 중량% 이하일 수 있다.
양자점 폴리머 복합체의 필름 (또는 후술하는 바의 패턴)은 예컨대, 30 ㎛ 이하의 두께, 예컨대, 25 um 이하, 20 um 이하, 15 um 이하, 10 um 이하, 8 um 이하, 또는 7 um 이하 및 2 um 초과, 예컨대, 3 um 이상, 3.5 um 이상, 4 um 이상, 5 um 이상, 또는 6 um 이상의 두께를 가질 수 있다.
다른 구현예에서, 표시 소자는, 광원 및 광발광 요소를 포함하고, 상기 광발광 요소는, 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 양자점 폴리머 복합체의 필름 또는 패턴화된 막을 포함한다. 상기 발광층은 (예컨대, 투명한) 기판 상에 배치될 수 있다. 상기 광원은, 상기 광발광 요소에 입사광을 제공하도록 구성된다. 상기 입사광은 440 nm 이상, 예컨대, 450 nm 이상 및 500 nm 이하, 예컨대, 480 nm 이하, 470 nm 이하, 또는 460 nm 이하의 범위에 있는 광발광 피크 파장을 가질 수 있다.
일구현예에서, 상기 발광요소는 상기 양자점 폴리머 복합체의 시트 (sheet)를 포함할 수 있다. 상기 표시소자는, 액정 패널을 더 포함하고, 상기 광원과 상기 액정패널 사이에 상기 양자점 폴리머 복합체의 시트가 개재될 수 있다. 도 2에 비제한적인 표시 소자의 분해도를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 상기 표시 소자는, 반사판(reflector), 도광판(LGP)과 청색 LED 광원 (Blue-LED), 전술한 양자점-폴리머 복합체 시트 (QD 시트), 예컨대, 프리즘, 이중 휘도 향상 필름 (Double brightness enhance film DBEF:) 등의 각종 광학 필름이 적층되어 있고 그 위에 액정 패널이 위치하는 구조를 가질 수 있다.
일구현예의 소자에서 발광층은 상기 양자점 폴리머 복합체의 패턴을 포함할 수 있다. 상기 패턴은, 미리 정해진 파장의 광을 방출하는 하나 이상의 반복 구획(section)을 포함할 수 있다. 상기 양자점 폴리머 복합체의 패턴은, 제1광을 방출하는 제1 구획 및/또는 제2광을 방출하는 제2 구획을 포함할 수 있다. 양자점 폴리머 복합체 패턴의 제조는 포토리소그라피 방식 또는 잉크젯 방식에 의해 수행할 수 있다.
상기 제1광 및 상기 제2광은, 광발광 스펙트럼에서 최대 발광 피크 파장이 상이하다. 일구현예에서, 제1광은 최대 발광 피크 파장이 600 nm 내지 650 nm (예컨대, 620 nm 내지 650 nm) 에 존재하는 적색광일 수 있고, 제2광은, 최대 발광 피크 파장이 500 nm 내지 550 nm (예컨대, 510 nm 내지 550 nm)에 존재하는 녹색광일 수 있거나 혹은 그 반대 (즉, 제1광이 녹색광이고 제2광이 적색광)일 수 있다. 상기 패턴은, 상기 제1 광 및 상기 제2 광과 다른 제3 광 (예컨대, 청색광)을 방출하거나 통과시키는 제3 구획을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 광의 최대 피크 파장은, 380 nm 이상 및 480 nm 이하의 범위에 있을 수 있다.
상기 제1 구획과 상기 제2 구획의 전면 (광방출면)에는 청색광을 차단 (예컨대, 반사 또는 흡수)하는 광학 요소 (청색광 차단층 또는 후술하는 바의 제1 광학필터)가 배치될 수 있다.
전술한 표시 소자에서, 광원은, 반복 구획 (예컨대, 제1 구획 및 제2 구획)에 각각 대응하는 복수개의 발광 단위를 포함하고, 상기 발광 단위는 서로 마주보는 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 전계 발광층을 포함할 수 있다. 상기 전계 발광층은 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 광원의 각각의 발광 단위는 소정의 파장의 광(예컨대, 청색광, 녹색광, 또는 이들의 조합)을 방출하도록 구성된 전계 발광 소자 (예컨대, 유기 발광 다이오드)를 포함할 수 있다. 전계 발광 소자 및 유기 발광 다이오드의 구조 및 재료는 알려져 있으며 특별히 제한되지 않는다. 광원은 청색광 (및 선택에 따라 녹색광)을 방출하는 유기 발광 다이오드를 포함한다.
도 2 및 도 3 에 일구현예에 따른 표시 소자의 모식적 단면도를 나타낸다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 광원은 청색광을 방출하는 유기 발광 다이오드를 포함한다. 유기 발광 다이오드는, 기판 위에 형성된 2 이상의 화소 전극, 이웃하는 화소 전극들 사이에 형성된 화소 정의막, 및 각각의 화소 전극 위에 형성된 유기발광층, 유기발광층 위에 형성된 공통 전극층을 포함할 수 있다. 유기 발광 다이오드 아래에는 박막 트랜지스터 및 기판이 배치될 수 있다.
상기 광원 상에는 양자점 폴리머 복합체의 (예컨대, 적색 양자점을 포함하는 제1 구획 및 녹색 양자점을 포함하는 제2 구획) 패턴 및 기판을 포함하는 적층구조물이 배치될 수 있다. 광원으로부터 방출된 청색광은 제1 구획 및 제2 구획에 입사되어 각각 적색 및 녹색광을 방출한다. 광원으로부터 방출된 청색광은 제3 구획을 통과할 수 있다.
이러한 소자는, 전술한 적층 구조물과 (예컨대, 청색광 방출) LED 또는 OLED를 별도로 제조한 후 결합하여 제조될 수 있다. 대안적으로, 상기 소자는, 상기 LED 또는 OLED 상에 양자점 폴리머 복합체의 패턴을 직접 형성함에 의해 제조할 수도 있다.
상기 기판 위에는 박막 트랜지스터 등을 포함하는 배선층이 형성되어 있다. 배선층에는 게이트선, 유지 전압선, 게이트 절연막, 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극, 반도체, 보호막 등을 더 포함될 수 있다. 배선층의 상세 구조는 구현예에 따라서 다양할 수 있다. 게이트선과 유지 전압선은 서로 전기적으로 분리되어 있으며, 데이터선은 게이트선 및 유지 전압선과 절연 교차하고 있다. 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 박막 트랜지스터의 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 구성한다. 드레인 전극은 후술하는 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있다.
화소 전극은 표시 장치의 애노드로 기능할 수 있다. 화소 전극은 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극은 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti) 등의 차광성을 갖는 물질로 형성될 수도 있다. 화소 전극은 전술한 투명한 도전 물질과 전술한 차광성을 갖는 물질이 순차 적층된 2층 구조를 가질 수도 있다.
이웃하는 두 화소 전극들 사이에는, 화소 전극 말단과 오버랩(overlap)되어 상기 화소 전극을 화소(pixel) 단위로 구분하는 화소정의층 (pixel define layer:PDL)이 형성될 수 있다. 상기 화소정의층은 절연층으로서 상기 2 이상의 화소 전극을 전기적으로 차단시킬 수 있다.
상기 화소 정의층은 화소 전극 상부면 일부분만을 덮으며, 상기 화소 정의층에 의해 덮이지 않은 화소 전극의 나머지 부분은 개구부를 형성할 수 있다. 상기 개구부로 한정된 영역 위에 후술할 유기 발광층이 형성될 수 있다.
유기 발광층은 전술한 화소 전극과 화소 정의층에 의해 각각의 화소 영역으로 정의된다. 즉, 화소 정의층에 의해 구분된 하나의 화소 전극과 접촉하는 하나의 유기발광 단위층이 형성된 영역을 하나의 화소영역으로 정의할 수 있다.
예를 들어, 일 구현예에 따른 표시 장치에서, 유기 발광층은 제1 화소영역, 제2 화소영역, 및 제3 화소영역으로 정의될 수 있으며, 각각의 화소영역은 화소정의층에 의해 소정 간격으로 이격되어 있다.
유기발광층은 가시광 영역에 속하거나, UV 영역에 속하는 제3광을 발광할 수 있다. 유기발광층의 제1 내지 제3 화소영역 각각이 모두 제3광을 발광하는 것일 수 있다. 일 구현예에서, 제3광은 가시광 영역의 광 중 높은 에너지를 갖는 광, 예를 들어 청색광일 수 있다. 유기발광층의 각 화소영역 모두가 동일한 광을 발광하도록 설계할 경우, 유기발광층의 각 화소영역이 모두 동일 내지 유사한 물질로 형성되거나, 동일 내지 유사한 물성을 나타낼 수 있다. 따라서 유기발광층 형성 공정 난이도를 대폭 낮출 수 있는 바, 이와 같은 표시 장치를 대형화/대면적화 공정에도 용이하게 적용할 수 있다. 다만, 일 구현예에 따른 유기발광층이 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 유기발광층이 서로 다른 2 이상의 광을 발광할 수 있도록 설정될 수도 있다.
유기발광층은 각 화소 영역별로 유기발광 단위층을 포함하며, 각 유기발광 단위층은 발광층 외에도 부대층(예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 등)을 더 포함할 수 있다.
공통 전극은 표시 장치의 캐소드로 기능할 수 있다. 공통 전극은 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 투명한 도전 물질로 형성될 수 있다. 공통 전극은 유기발광층 위에 일체로 형성될 수 있다.
평탄화층 또는 패시베이션층 (미도시) 이 상기 공통전극 위에 형성될 수 있다. 평탄화층은 공통 전극과의 전기 절연성을 확보하기 위해 (예컨대, 투명한) 절연성 소재를 포함할 수 있다.
일구현예에서, 상기 표시 장치는 하부 기판, 상기 하부 기판 아래에 배치되는 편광판, 그리고, 상기 적층 구조물과 상기 하부 기판의 사이에 개재된 액정층을 더 포함하고, 상기 적층 구조물은 상기 광발광층이 상기 액정층을 대면하도록 배치될 수 있다. 상기 표시 장치는, 상기 액정층과 상기 발광층 사이에 편광판을 더 포함할 수 있다. 상기 광원은 LED 및 선택에 따라 도광판을 더 포함할 수 있다.
비제한적인 일구현예에 따른 표시 장치 (예컨대, 액정 디스플레이 장치)를 도면을 참조하여 설명한다. 도 4는 비제한적 일구현예에 따른 액정 표시 소자의 모식적 단면도를 나타낸 것이다. 도 4를 참조하면, 일 구현예의 표시 소자는, 액정 패널 (200), 상기 액정 패널(200) 아래에 배치되는 편광판 (300) 및 상기 편광판 (300) 아래에 배치된 백라이트 유닛(BLU)을 포함한다.
상기 액정 패널 (200)은, 하부 기판 (210), 적층 구조물, 상기 적층 구조물 및 상기 하부 기판의 사이에 개재된 액정층(220)을 포함한다. 상기 적층 구조물은, 투명 기판(240) 및 양자점 폴리머 복합체의 패턴을 포함하는 자발광층 (230)을 포함한다.
어레이 기판이라고도 불리우는 하부 기판(210)은 투명한 절연 재료 기판일 수 있다. 기판에 대한 내용은 전술한 바와 같다. 하부 기판 (210) 상면에는 배선판 (211)이 제공된다. 상기 배선판(211)은, 화소 영역을 정의하는 다수개의 게이트 배선 (미도시)과 데이터 배선 (미도시), 게이터 배선과 데이터 배선의 교차부에 인접하여 제공되는 박막 트랜지스터, 각 화소 영역을 위한 화소 전극을 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 이러한 배선판의 구체적 내용은 알려져 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
상기 배선판 (211) 위에는 액정층(220)이 제공된다. 상기 액정층(220)은 그 내부에 포함된 액정 물질의 초기 배향을 위해, 상기 층의 위와 아래에, 배향막 (221)을 포함할 수 있다. 액정 물질 및 배향막에 대한 구체적 내용 (예컨대, 액정 물질, 배향막 재료, 액정층 형성방법, 액정층의 두께 등)은 알려져 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
상기 하부 기판 아래에는 하부 편광판(300)이 제공된다. 편광판(300)의 재질 및 구조는 알려져 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 상기 편광판 (300) 아래에는 (예컨대, 청색광을 발하는) 백라이트 유닛이 제공된다.
액정층 (220) 과 투명 기판(240) 사이에 상부 광학소자 또는 편광판 (300) 이 제공될 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예컨대, 상부 편광판은 액정층 (220)과 광발광층 (230)사이에 배치될 수 있다. 편광판은 액정 디스플레이 소자에서 사용될 수 있는 임의의 편광자일 수 있다. 편광판은, 200 um 이하의 얇은 두께를 가진 TAC (triacetyl cellulose)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다른 구현예에서, 상부 광학소자는, 편광 기능 없는 굴절률 조절 코팅일 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 광원 (110)을 포함한다. 상기 광원은 청색광 또는 백색광을 방출할 수 있다. 상기 광원은 청색 LED, 백색 LED, 백색 OLED, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
상기 백라이트 유닛은 도광판(120)을 더 포함할 수 있다. 일구현예에서, 상기 백라이트 유닛은 에지형일 수 있다. 예를 들어, 상기 백라이트 유닛은, 반사판(미도시), 상기 반사판 상에 제공되며 액정패널(200)에 면광원을 공급하기 위한 도광판(미도시), 및/또는 상기 도광판 상부에 위치하는 하나 이상의 광학 시트(미도시), 예컨대, 확산판, 프리즘 시트 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 백라이트 유닛은 도광판을 포함하지 않을 수 있다. 일구현예에서, 백라이트 유닛은 직하형(direct lighting)일 수 있다. 예를 들어, 상기 백라이트 유닛은, 반사판 (미도시)을 가지며 상기 반사판의 상부에 일정한 간격으로 배치된 다수의 형광 램프를 가지거나, 혹은 다수의 발광 다이오드가 배치된 LED 용 구동 기판을 구비하고, 그 위에 확산판 및 선택에 따라 하나 이상의 광학 시트를 가질 수 있다. 이러한 백라이트 유닛에 대한 상세 내용 (예컨대, 발광 다이오드, 형광 램프, 도광판과 각종 광학 시트, 반사판 등 각 부품들에 대한 상세 내용 등)은 알려져 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
상기 투명 기판(240)의 저면에는, 개구부를 포함하고 상기 하부 기판 상에 제공된 배선판의 게이트선, 데이터선, 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스(241)가 제공된다. 예를 들어, 블랙 매트릭스(241)는 격자 형상을 가질 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 (241) 의 개구부에, 제1광 (예컨대 적색광)을 방출하는 제1 구획(R), 제2광 (예컨대 녹색광)을 방출하는 제2 구획(G), 및 예컨대 청색광을 방출/투과시키는 제3 구획(B)을 포함하는 양자점-폴리머 복합체 패턴을가지는 자발광층 (230)이 제공된다. 원하는 경우, 상기 자발광층은, 하나 이상의 제4 구획을 더 포함할 수 있다. 제4 구획은, 제1-3 구획으로부터 방출되는 광과 다른 색 (예컨대, 청록색 (cyan), 자주색(magenta), 및 황색 (yellow))의 광을 방출하는 양자점을 포함할 수 있다.
상기 광발광층 (230)에서 패턴을 형성하는 구획들은 하부 기판에 형성된 화소 영역에 대응되어 반복할 수 있다. 상기 자발광 컬러필터층 위에는 투명 공통 전극(231)이 제공될 수 있다.
청색광을 투과/방출하는 제3 구획(B)은 광원의 발광스펙트럼을 변경하지 않는 투명 컬러 필터일 수 있다. 이 경우, 백라이트유닛으로부터 방출된 청색 광이 편광판 및 액정층을 거쳐 편광된 상태로 입사되어 그대로 방출될 수 있다. 필요한 경우, 상기 제3 구획은, 청색광을 방출하는 양자점을 포함할 수 있다.
원하는 경우, 상기 표시 소자는, 청색광 차단층(blue cut filter) 또는 제1 광학 필터층을 더 가질 수 있다. 상기 청색광 차단층은, 상기 제1 구획 (R) 및 상기 제2 구획 (G)의 저면과 상기 상부 기판(240) 사이에 또는 상부 기판(240)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 청색광 차단층은, 청색을 표시하는 화소 영역(제3 구획)에 대응하는 부분에는 개구부를 가지는 시트일 수 있어서, 제1 및 제2 구획에 대응하는 부분에 형성되어 있을 수 있다. 즉, 제1 광학 필터층은 도 4에 도시된 바와 같이 제3 구획과 중첩되는 위치를 제외한 나머지 위치들에 일체로 형성되어 있을 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 제1 및 제2 구획과 각각 중첩되는 위치에 2 이상의 제1 광학 필터층이 각각 이격 배치되어 있을 수도 있다.
제1 광학 필터층은 예컨대 가시광 영역 중 일부 파장 영역의 광을 차단시키고 나머지 파장 영역의 광을 투과시킬 수 있으며, 예컨대 청색광을 차단시키고 청색광을 제외한 광은 투과시킬 수 있다. 예컨대 녹색광, 적색광 및/또는 이들의 혼색광인 황색광은 투과시킬 수 있다.
제1 광학 필터층은 예컨대 약 500 nm 이하의 청색광을 실질적으로 차단하고 예를 들어 약 500 nm 초과 700 nm 이하의 나머지 가시광 파장 영역 사이의 파장 영역에 대한 투과능을 가질 수 있다.
예를 들어 제1 광학 필터층은 약 500 nm 초과 내지 700 nm 이하의 나머지 가시광에 대하여 약 70 % 이상, 80 % 이상, 90 % 이상, 심지어 100 %의 광 투과도를 가질 수 있다.
제1 광학 필터층은 차단하고자 하는 파장을 흡수하는 염료 및/또는 안료를 포함한 고분자 박막을 포함할 수 있으며, 예를 들어 480 nm 이하의 청색광을 80% 이상, 90% 이상, 심지어 95% 이상을 흡수하는 반면, 약 500 nm 초과 내지 700 nm 이하의 나머지 가시광에 대해서는 약 70 % 이상, 80 % 이상, 90 % 이상, 심지어 100 %의 광 투과도를 가질 수 있다.
제1 광학 필터층은 약 500 nm 이하의 청색광을 실질적으로 차단(예컨대, 흡수)하되, 예를 들어 녹색광, 또는 적색광을 선택적으로 투과하는 것일 수도 있다. 이 경우, 제1 광학 필터층은 2 이상이 제1 내지 제2 구획과 중첩되는 위치마다 각각 서로 이격 배치되어 있을 수 있다. 예를 들어, 적색광을 선택적으로 투과하는 제1 광학 필터층은 적색광 방출 구획과 중첩되는 위치에, 녹색광을 선택적으로 투과하는 제1 광학 필터층은 녹색광 방출 구획과 중첩되는 위치에 각각 배치되어 있을 수 있다. 예컨대, 제1 광학 필터층은 청색광 및 적색광을 차단 (예컨대, 흡수)하고, 소정의 범위 (예컨대, 약 500 nm 이상, 약 510 nm 이상, 또는 약 515 nm 이상 및 약 550 nm 이하, 약 545 nm 이하, 약 540 nm 이하, 약 535 nm 이하, 약 530 nm 이하, 약 525 nm 이하, 또는 약 520 nm 이하)의 광을 선택적으로 투과시키는 제1 영역 및 청색광 및 녹색광을 차단 (예컨대, 흡수)하고, 소정의 범위 (예컨대, 약 600 nm 이상, 약 610 nm 이상, 또는 약 615 nm 이상 및 약 650 nm 이하, 약 645 nm 이하, 약 640 nm 이하, 약 635 nm 이하, 약 630 nm 이하, 약 625 nm 이하, 또는 약 620 nm 이하)의 광을 선택적으로 투과시키는 제2 영역 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 영역은 녹색광 방출 구획과 중첩되는 위치에 배치되고, 제2 영역은 적색광 방출 구획과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 제1 영역과 제2 영역은 광학적으로 고립화되어 있을 수 있다. 이러한 제1 광학필터층은 표시 소자의 색 순도의 향상에 기여할 수 있다.
제1 광학 필터층은 굴절률이 상이한 복수개의 층들 (예컨대, 무기재료층)을 포함하는 반사형 필터일 수 있으며, 예컨대 굴절률이 상이한 2층이 교번적으로 적층하여 형성될 수 있고, 예컨대 고굴절률을 갖는 층과 저굴절률을 갖는 층을 교번적으로 적층하여 형성될 수 있다. 고굴절률을 갖는 층과 저굴절률을 갖는 층의 굴절률 차이가 클수록 파장 선택성이 높은 제1 광학 필터층을 형성할 수 있다. 고굴절률을 갖는 층과 저굴절률을 갖는 층의 두께 및 층의 수는 각 층의 굴절률 및 반사 파장에 따라 결정될 수 있으며, 예를 들어 각 고굴절률을 갖는 층은 3 nm 내지 300 nm의 두께를 가질 수 있고, 각 저굴절률을 갖는 층은 3 nm 내지 300 nm 의 두께를 가질 수 있다.
제1 광학 필터층의 총 두께는 예를 들어 3 nm 내지 10000 nm, 예를 들어 300 nm 내지 10000 nm, 예를 들어 1000 nm 내지 10000 nm 일 수 있다. 각각의 고굴절률을 갖는 층끼리의 두께 및 소재와, 각각의 저굴절률을 갖는 층끼리의 두께 및 소재는 서로 같을 수도 있고 상이할 수도 있다.
상기 표시소자는, 광발광층과 액정층 사이에 (예컨대, 광발광층과 상기 상부 편광자 사이에) 배치되고, 제3 광의 적어도 일부를 투과하고, 상기 제1 광 및/또는 제2 광의 적어도 일부를 반사시키는 제2 광학 필터층 (예컨대, 적색/녹색광 또는 황색광 리사이클층)을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 광학 필터층은 500 nm 초과의 파장 영역을 갖는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1광은 적색광이고 상기 제2광은 녹색광이며, 상기 제3광은 청색광일 수 있다.
일 구현예에 따른 표시 장치에서 제2 광학 필터층은 비교적 평탄한 면을 갖는 일체의 층으로 형성될 수 있다.
일 구현예에서, 제2 광학 필터층은 낮은 굴절률을 갖는 단일층을 포함할 수 있으며, 예컨대 굴절률이 1.4 이하, 1.3 이하, 1.2 이하인 투명 박막일 수 있다.
저굴절률을 갖는 제2 광학 필터층은 예를 들어 다공성 실리콘 산화물, 다공성 유기물, 다공성 유기/무기 복합체, 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 구현예에서, 제2 광학 필터층은 굴절률이 상이한 복수 층을 포함할 수 있으며, 예컨대 굴절률이 상이한 2층이 교번적으로 적층하여 형성될 수 있고, 예컨대 고굴절률을 갖는 소재와 저굴절률을 갖는 소재를 교번적으로 적층하여 형성할 수 있다.
제2 광학 필터층 중, 고굴절률을 갖는 층은 예를 들어 하프늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 마그네슘 산화물, 세슘 산화물, 란탄 산화물, 인듐 산화물, 니오븀 산화물, 알루미늄 산화물, 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시예에 따라 저굴절률을 갖는 층보다 높은 굴절률을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있다.
제2 광학 필터층 중, 저굴절률을 갖는 층은 예를 들어 실리콘 산화물을 포함할 수 있으나, 실시예에 따라 상기 고굴절을 갖는 층보다 낮은 굴절률을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있다.
제2 광학 필터층 중, 고굴절률을 갖는 층과 저굴절률을 갖는 층간 굴절률 차이가 클수록, 파장 선택성이 높은 제2 광학 필터층을 형성할 수 있다.
제2 광학 필터층 중, 고굴절률을 갖는 층과 저굴절률을 갖는 층 각각의 두께 및 층의 수는 각 층의 굴절률 및 반사 파장에 따라 결정될 수 있으며, 예를 들어 제2 광학 필터층 중, 고굴절률을 갖는 층 각각은 3 nm 내지 300 nm의 두께를 가질 수 있고, 제2 광학 필터층 중, 저굴절률을 갖는 층 각각은 3 nm 내지 300 nm 의 두께를 가질 수 있다. 제2 광학 필터층의 총 두께는 예를 들어 3 nm 내지 10000 nm, 예를 들어 300 nm 내지 10000 nm, 예를 들어 1000 nm 내지 10000 nm 일 수 있다. 제2 광학 필터층 중, 고굴절률을 갖는 층 각각과 저굴절률을 갖는 층 각각의 두께 및 소재는 서로 같을 수도 있고 상이할 수도 있다.
제2 광학 필터층은 제1광(R)과 제2광(G)의 적어도 일부를 반사시킬 수 있고, 제3광(B)의 적어도 일부 (예컨대, 전부)는 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 광학필터층은 500 nm 이하의 파장 영역을 갖는 청색광 파장 영역의 제3광(B)만 투과시키고, 500 nm을 초과하는 파장 영역, 즉, 녹색광(G), 황색광, 적색광(R) 등은 제2 광학 필터층(140)을 통과하지 못하고 반사되도록 할 수 있다. 반사된 녹색광, 적색광은 제1 및 제2 구획을 통과하여 표시 장치(10) 외부로 방출될 수 있다.
제2 광학 필터층은, 예를 들어 500 nm을 초과하는 파장 영역의 70% 이상, 예를 들어 80% 이상, 예를 들어 90 % 이상, 심지어 100 %를 반사시킬 수 있다.
한편, 제2 광학 필터층은 500 nm 이하의 파장 영역에 대한 투과율이 예를 들어 90 % 이상, 92 % 이상, 94 % 이상, 96 % 이상, 98 % 이상, 99 % 이상, 심지어 100 %일 수 있다.
다른 구현예에서, 전술한 양자점 폴리머 복합체 패턴은, 포토레지스트 조성물을 사용하여 제조될 수 있다. 이러한 방법은, 기판 상에 전술한 조성물의 막(film)을 형성하는 단계; 상기 막의 선택된 영역을 (예컨대, 파장 400 nm 이하의) 광에 노출시키는 단계; 상기 노출된 필름을 알칼리 현상액으로 현상하여 양자점 폴리머 복합체의 패턴을 얻는 단계를 포함한다.
상기 기판 및 상기 조성물에 대한 내용은 전술한 바와 같다. 전술한 패턴 형성을 위한 비제한적인 방법을, 도 5를 참조하여 설명한다.
전술한 조성물을 기판 위에 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 적당한 방법을 사용하여, 소정의 두께로 도포하여 막을 형성한다. 형성된 막은 선택에 따라 프리베이크(PRB)를 거칠 수 있다. 프리베이크의 온도와 시간, 분위기 등 조건은 알려져 있으며 적절히 선택할 수 있다.
형성된 (또는 선택에 따라 프리베이크된) 막을 소정의 패턴을 가진 마스크 하에서 소정의 파장을 가진 광에 노출시킨다. 광의 파장 및 세기는 광 개시제의 종류와 함량, 양자점의 종류와 함량 등을 고려하여 선택할 수 있다.
노광된 필름을 알칼리 현상액으로 처리 (예컨대, 침지 또는 스프레이)하면 필름 중 미조사 부분이 용해되고 원하는 패턴을 얻는다. 얻어진 패턴은 필요에 따라 패턴의 내크랙성 및 내용제성 향상을 위해, 예컨대, 150도씨 이상, 예컨대, 180도씨 이상, 및 230도씨 이하, 예컨대, 200 도씨 이하의 온도에서 소정의 시간 (예컨대 10분 이상, 또는 20분 이상) 포스트베이크(POB)할 수 있다. 일구현예의 양자점을 포함하는 양자점 폴리머 복합체는, 180도씨에서 30분 열처리를 거친 후에도, 청색광 변환율이 29% 초과, 예컨대, 30% 이상, 또는 31% 이상일 수 있다.
양자점-폴리머 복합체 패턴이 복수개의 반복 구획들을 가지는 경우, 각 반복 구획의 형성을 위해 소망하는 발광 물성 (광발광 피크 파장 등)을 가지는 양자점 (예컨대, 적색 발광 양자점, 녹색 양자점 또는 선택에 따라 청색 양자점)을 포함하는 복수개의 조성물을 제조하고, 각각의 조성물에 대하여 전술한 패턴 형성과정을 필요한 횟수 (예컨대, 2회 이상, 또는 3회 이상)로 반복하여 원하는 패턴의 양자점-폴리머 복합체를 얻을 수 있다. 예를 들어, 상기 양자점-폴리머 복합체는, 2개 이상의 상이한 색 구획들 (예컨대, RGB 색 구획들)이 반복하는 패턴일 수 있다. 이러한 양자점-폴리머 복합체 패턴은 표시 소자에서 광발광형 컬러필터로 유리하게 사용될 수 있다.
다른 구현예에서 전술한 적층 구조물은, 잉크 조성물을 사용하여 제조될 수 있다. 이러한 방법은, 적절한 시스템 (예컨대, 잉크젯 또는 노즐 인쇄 장치 등 액적 토출 장치)을 사용하여 소망하는 기판 상에 (예컨대, 소망하는 패턴을 가지도록) 퇴적시키고 가열에 의해 용매의 제거 및 중합을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 방법은 간단한 방식으로 짧은 시간에 고도로 정밀한 양자점-폴리머 복합체 필름 또는 패턴을 형성할 수 있다.
다른 구현예는, 전술한 양자점을 포함하는 전자 소자를 제공한다. 상기 소자는, 발광 다이오드(LED), 유기발광 다이오드(OLED), 센서(sensor), 태양전지, 이미징 센서, 또는 액정표시장치를 포함하나 이에 제한되지 않는다.
이하에서는 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로써 발명의 범위가 제한되어서는 아니된다.
[실시예]
분석 방법
[1] UV-Vis 분광분석
Agilent Cary5000 스펙트로미터를 사용하여 UV 분광 분석을 수행하고 UV-Visible 흡수 스펙트럼을 얻는다.
[2] Photoluminescence 분석
Hitachi F-7000 스펙트로미터를 이용하여 여기 파장 450 nm에서 제조된 양자점의 광발광(photoluminescence: PL) 스펙트럼을 얻는다.
[3] ICP 분석
Shimadzu ICPS-8100를 사용하여 유도결합 플라즈마 원자 발광 분광분석(ICP-AES)을 수행한다.
[4] 파장 450 nm 에서의 단위 무게 당 Optical Density
합성한 QD입자를 세정을 하여 QD powder의 무게를 잰다. QD powder a gram 에 톨루엔 b gram 을 넣어 QD 용액 (a+b gram)을 제조한다.
상기 QD 용액을 톨루엔으로 n배 희석한 용액을 1cm 석영 큐벳에 넣고 Agilent Cary5000 스펙트로미터를 사용하여 UV분광 분석을 수행한다. 측정된 UV 스펙트럼에서 450nm의 absorbance 값을 읽어 하기 식에 따라 총 OD를 구한다:
Absorbance x n x (a + b) gram.
구해진 총 OD 값을 QD powder 건조 무게(b) 로 나누어 (즉, Absrobance x 희석비율 (n배) x (QD + 용매 그램수)/ QD 그램수) QD단위 무게 당 optical density 를 구할 수 있다.
실시예 1:
200 mL 반응 플라스크에서 인듐 아세테이트(indium acetate)와 팔미트산(palmitic acid)을 1-옥타데센(octadecene) 에 용해시키고 진공 하에 120도씨로 가열한다. 인듐과 팔미트산의 몰 비는 1:3 으로 한다. 소정의 시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환한다. 플라스크 내 온도를 100 도씨 이하로 조절하고 트리스(트리메틸실릴)포스핀(tris(trimethylsilyl)phosphine: TMS3P) 및 트리옥틸포스핀의 혼합용액을 신속히 주입하고 대략 5 분간 반응시킨다. 이어서, 아연 전구체로서 Zn(OA)2 를 상기 반응기에 주입한다. 이어서, 반응기의 온도를 180도씨 이상으로 올린 이후, GaCl3-TOP 용액을 여러 회 주입한 후 GaCl3-TOP용액과 인 전구체로서, TMS3P를 여러 회 주입하여 2시간 이상 반응을 수행한다.
상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 아세톤을 넣고 원심 분리하여, (InP(Zn)/GaP 조성을 가지는 다성분 코어)를 포함한 침전을 톨루엔에 다시 분산시킨다.
TMS3P, Zn 전구체, 및 Ga 전구체의 총 사용된 함량은 인듐 1몰 당 각각 0.8 몰과 1.0몰, 및 0.1 몰로 한다. 얻어진 다성분 코어에 대하여 TEM 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석, OD 측정을 수행한다. 그 결과를 표 1과 표 2에 정리한다.
실시예 2
TMS3P, Zn 전구체, 및 Ga 전구체의 총 사용된 함량은 인듐 1몰 당 각각 0.85 몰과 1.0몰, 및 0.2 몰로 하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 다성분 코어를 제조한다. 얻어진 다성분 코어에 대하여 TEM 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석, OD 측정을 수행한다. 그 결과를 표 1과 표 2에 정리한다.
실시예 3
TMS3P, Zn 전구체, 및 Ga 전구체의 총 사용된 함량은 인듐 1몰 당 각각 0.9 몰과 1.0몰, 및 0.4 몰로 하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 다성분 코어를 제조한다. 얻어진 다성분 코어에 대하여 TEM 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석, OD 측정을 수행한다. 그 결과를 표 1과 표 2에 정리한다.
실시예 4
TMS3P, Zn 전구체, 및 Ga 전구체의 총 사용된 함량은 인듐 1몰 당 각각 1.05 몰과 1.0몰, 및 0.6 몰로 하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 다성분 코어를 제조한다. 얻어진 다성분 코어에 대하여 TEM 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석, OD 측정을 수행한다. 그 결과를 표 1과 표 2에 정리한다.
실시예 5
TMS3P, Zn 전구체, 및 Ga 전구체의 총 사용된 함량은 인듐 1몰 당 각각 1.15 몰과 1.0몰, 및 0.8 몰로 하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 다성분 코어를 제조한다. 얻어진 다성분 코어에 대하여 TEM 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석, OD 측정을 수행한다. 그 결과를 표 1과 표 2에 정리한다.
비교예 1
TMS3P와 Zn 전구체의 총 사용된 함량은 인듐 1몰 당 각각 0.75 몰과 1.0몰 로하며 Ga전구체를 넣지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 다성분 코어를 제조한다. 얻어진 다성분 코어에 대하여 TEM 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석, OD 측정을 수행한다. 그 결과를 표 1과 표 2에 정리한다.
비교예 2
갈륨 전구체 투입 단계에서 인 전구체를 추가로 투입하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 다성분 코어를 제조한다. 얻어진 다성분 코어에 대하여 TEM 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석, OD 측정을 수행한다. 그 결과를 표 1과 표 2에 정리한다.
X (전구체)
Ga/In 		UV core size
(nm) 		OD at 450nm /g
비교예1 0 432 1.96±0.6 1039
실시예1 0.1 428 2.52±1.0 1458
실시예2 0.2 437 2.52±1.1 2773
실시예3 0.4 435 2.71±1.0 1552
실시예4 0.6 435 2.73±1.2 1370
실시예5 0.8 437 2.74±1.3 1455
비교예2 0.2 429 2.12±1.7 715
P/In Zn/In Ga/In In+Ga Zn/(In+Ga)
비교예1 0.66 0.44 0 1 0.44
실시예1 0.74 0.34 0.03 1.03 0.33
실시예2 0.75 0.34 0.1 1.1 0.31
실시예3 0.85 0.25 0.2 1.2 0.21
실시예4 0.76 0.16 0.4 1.4 0.11
실시예5 0.86 0.16 0.5 1.5 0.11
비교예2 0.70 0.28 0.12 1.12 0.25
상기 결과로부터, 실시예의 양자점들은 위에서 규정된 조성비를 만족하며, 양자점 1 g 당 증가된 OD at 450nm 를 나타낼 수 있음을 확인한다.
실시예 6
[1] 셀레늄을 트리옥틸포스핀에 분산시켜 Se/TOP stock solution 을 준비하고, 황을 트리옥틸포스핀에 분산시켜 S/TOP stock solution 을 준비한다.
200 mL 반응 플라스크에서 아연 아세테이트 (zinc acetate) 및 올레산(oleic acid)을 트리옥틸아민(trioctylamine)에 용해시키고 120도에서 10분간 진공처리한다. N2로 반응 플라스크 안을 치환한 후 얻어진 용액의 온도를 320도씨까지 올리면서, 실시예 3에서 다성분 코어의 톨루엔 분산액을 넣고 소정량의 Se/TOP 를 수회에 걸쳐 상기 반응 플라스크에 주입한다. 반응을 수행하여 코어 상에 ZnSe 쉘이 배치된 입자를 포함한 반응액을 얻는다. 총 반응 시간은 대략 100 분 정도이고, 인듐 1몰에 대하여 사용된 Se의 총 함량은 8몰이다.
이어서, 상기 반응 온도에서, 상기 반응액에 S/TOP stock 용액을 주입한다. 반응을 수행하여 상기 ZnSe 쉘에 ZnS 쉘이 배치된 입자를 포함한 반응액을 얻는다. 총 반응 시간은 40 분이고, 인듐 1몰에 대하여 사용된 S 의 총 함량은 대략 18 몰이다.
얻어진 다성분코어/쉘 양자점을 포함한 반응물에 과량의 에탄올을 넣고 원심 분리한다. 원심 분리 후 상층액은 버리고, 침전물을 건조하고 나서 클로로포름 또는 톨루엔에 분산시켜 양자점 용액 (이하, QD 용액)을 얻는다.
(2) 얻어진 코어쉘 양자점에 대하여 TEM 분석, ICP 분석, UV-Vis 분광분석, PL 분석을 수행한다. 그 결과를 아래에 정리한다.
P/In S/In Zn/In Se/In Ga/In P/(In+Ga) Zn/(Ga+In)
실시예6 대략 1 미만 12.3 45.58 23.2 0.3 대략 0.769 35
이상에서 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (34)

  1. 인듐(In), 아연(Zn), 및 인(P)을 포함하는 제1 반도체 나노결정(first semiconductor nanocrystal), 상기 제1 반도체 나노결정 상에 배치되고 갈륨(Ga) 및 인(P)을 포함하는 제2 반도체 나노결정(second semiconductor nanocrystal)을 포함하는 다성분 코어(multi-component core)를 포함하고 카드뮴을 포함하지 않는 양자점으로서,
    상기 양자점은, 녹색광을 방출하며,
    상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비(P/In) 가 0.6 이상 및 1 이하이고,
    인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비(P/(In+Ga))가 0.5 이상 및 0.8 이하인 양자점.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하이고 그램 당 450 nm 에서의 광학밀도(optical density)가 1100 이상인 양자점.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 녹색광의 최대 발광 피크는 500 nm 내지 550 nm 의 범위에 존재하는 양자점.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, UV-Vis 흡수 스펙트럼에서, 350 nm 에서의 강도에 대한 450 nm 의 강도의 비가 0.5 이상인 양자점.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비가 0.7 이상인 양자점.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비가 0.72 이상인 양자점.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비가 0.9 이하인 양자점.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐에 대한 인의 몰 비가 0.86 이하인 양자점.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐 및 갈륨에 대한 인 의 몰 비(P/(In+Ga))가 0.6 이상인 양자점.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐 및 갈륨에 대한 인의 몰 비(P/(In+Ga))가 0.79 이하인 양자점.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 상기 양자점은, 인듐, 아연, 및 갈륨에 대한 인 (P/(In+Zn+Ga))의 몰 비가 0.2 이상 및 0.77 미만인 양자점.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 양자점의 UV-Vis 흡수 스펙트럼에서 제1 흡수 피크가, 440 nm 이하에 있을 때에, 상기 양자점은, 인듐에 대한 아연 및 갈륨의 몰 비가 0.75 미만인 양자점.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 다성분 코어의 직경은, 2.3 nm 이상 및 3.0 nm 이하인 양자점.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 상기 다성분 코어 상에 배치되고, 아연, 셀레늄, 및 황을 포함하는 반도체 나노결정 쉘을 가지는 양자점.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 반도체 나노결정 쉘은, 아연 및 셀레늄을 포함하는 제1 반도체 나노결정 쉘(first semiconductor nanocrystal shell), 및 상기 제1 쉘 상에 배치되고 아연 및 황을 포함하는 제2 반도체 나노결정 쉘(second semiconductor nanocrystal shell)을 포함하는 양자점.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 반도체 나노결정 쉘은 상기 반도체 나노결정 코어 바로 위에 배치되고, 황(S)을 포함하지 않으며, 상기 제2 반도체 나노결정 쉘은 상기 제1 반도체 나노결정 쉘 바로 위에 배치되고, 상기 양자점의 최외곽층인 양자점.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 3 모노레이어 이상인 양자점.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제1 반도체 나노결정 쉘의 두께는 0.9 nm 이상 및 1.4 nm 인 양자점.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제2 반도체 나노결정 쉘의 두께는 0.7 nm 미만인 양자점.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 양자점은 상기 제2 반도체 나노결정 쉘의 두께가 0.6 nm 이하인 양자점.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐 및 갈륨의 합에 대한 아연의 몰 비율(Zn/(In+Ga))이 8 이상 및 45 이하인 양자점.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 양자점은, 인듐 및 갈륨의 합에 대한 아연의 몰 비율(Zn/(In+Ga))이 10 이상 및 36 이하인 양자점.
  23. 제14항에 있어서,
    상기 양자점은, 상기 셀레늄에 대한 상기 황의 몰비율이 2.5 이하인 양자점.
  24. 제14항에 있어서,
    상기 양자점은, 셀레늄에 대한 황의 몰비율이 0.1 이상 및 1.4 이하인 양자점.
  25. 제14항에 있어서,
    상기 양자점은, 셀레늄과 황의 합에 대한 인듐 및 갈륨의 합의 몰 비율이 0.03 이상 및 0.15 이하인 양자점.
  26. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은, 양자 효율이 60% 이상이고 반치폭이 50nm 이하인 양자점.
  27. 제1항의 양자점을 제조하는 방법으로서,
    상기 방법은, 상기 다성분 코어를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 다성분 코어를 형성하는 것은,
    유기 용매 중에서 유기 리간드의 존재 하에 인듐 전구체와 인 전구체를 제1 반응 온도에서 반응시켜 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자를 형성하는 단계;
    상기 제1 반응 온도 또는 그 이하의 온도에서, 아연 전구체를 주입하여 상기 제1 반도체 나노결정을 포함하는 입자 표면에 아연 함유 코팅을 형성하는 단계;
    상기 아연 함유 코팅이 형성된 입자를 포함하는 반응계의 온도를 제2 반응 온도까지 가열하면서 갈륨 전구체 및 인 전구체를 주입하여 제2 반도체 나노결정을 상기 제1 반도체 나노결정 상에 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 반응온도는, 상기 제1 반응온도 보다 높은 방법.
  28. 제1항에 있어서,
    상기 다성분 코어의 형성은 생성된 입자의 분리 없이 one - pot 합성으로 진행하는 방법.
  29. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반응 온도는 150도씨 이하이고, 상기 제2 반응 온도는 160도씨 이상 및 280도씨 이하인 방법.
  30. 발광층 패턴으로서,
    상기 발광층 패턴은, 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방출하도록 구성된 제1 반복 구획을 포함하고,
    상기 제1 반복구획은, 폴리머 매트릭스 및 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산되어 있는 복수개의 양자점들을 포함하는 양자점 폴리머 복합체를 포함하고,
    상기 복수개의 양자점들은 제1항의 양자점들을 포함하는 발광층 패턴.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 양자점 폴리머 복합체의 두께는 6 um 이상인 발광층 패턴.
  32. 제30항에 있어서,
    상기 양자점의 함량이 복합체는 청색광에 대한 흡수율이 90% 이상인 발광층 패턴.
  33. 광원 및 광발광 요소를 포함하고,
    상기 광발광 요소는, 제30항의 발광층 패턴을 포함하고,
    상기 광원은, 상기 광발광 요소에 입사광을 제공하도록 구성되는 표시 소자.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 입사광은 440 nm 내지 460 nm 의 범위에 있는 광발광 피크 파장을 가지는 표시 소자.
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