KR20180088552A - 양자점의 제조 방법 및 이로부터 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
일 실시예에 따른 양자점의 제조 방법은 인듐 전구체를 준비하여 InP를 제조하는 단계, 갈륨 전구체를 준비하여 상기 InP를 감싸는 GaP를 포함하는 코어-쉘 화합물을 제조하는 단계, 셀레늄 전구체를 준비하고 루이스 염기를 투입하여 셀레늄 전구체 용액을 형성하는 단계, 그리고 상기 코어-쉘 화합물에 상기 셀레늄 전구체 용액을 혼합하여 상기 GaP를 감싸는 ZnSe를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 셀레늄 전구체 용액이 포함하는 셀레늄의 농도는 0.05 내지 0.5 M이다.
Description
본 개시는 양자점의 제조 방법 및 이로부터 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
양자점(Quantum Dot, QD)은 양자 고립 효과(quantum confinement effect)를 가지는 나노 크기의 반도체성 물질이며, 에너지로 양자점을 자극하면 빛을 방출할 수 있고 입자의 크기에 따라 방출하는 빛의 색상이 달라진다.
양자점은 일반적인 반도체성 물질이 갖지 않은 우수한 광학적, 전기적 특성을 가지는데, 이러한 양자점을 활용하면 색순도가 좋고 색재현성이 우수하며 동영상 특성이 좋은 대면적 고해상도 디스플레이의 구현이 가능하다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반치폭을 감소시키고 양자수율이 향상된 양자점을 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치를 제공하는데 있다.
일 실시예에 따른 양자점의 제조 방법은 인듐 전구체를 준비하여 InP를 제조하는 단계, 갈륨 전구체를 준비하여 상기 InP를 감싸는 GaP를 포함하는 코어-쉘 화합물을 제조하는 단계, 셀레늄 전구체를 준비하고 루이스 염기를 투입하여 셀레늄 전구체 용액을 형성하는 단계, 그리고 상기 코어-쉘 화합물에 상기 셀레늄 전구체 용액을 혼합하여 상기 GaP를 감싸는 ZnSe를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 셀레늄 전구체 용액이 포함하는 셀레늄의 농도는 0.05M 내지 0.5M이다.
상기 셀레늄의 농도는 약 0.15M 내지 약 0.35M일 수 있다.
상기 루이스 염기는 올레일아민, 도데칸싸이올, 옥탄싸이올, 트리-n-옥틸포스핀, 및 트리-n-부틸포스핀을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
상기 셀레늄 전구체 용액은 약 180도(℃) 내지 230도(℃)로 가열되어 상기 코어-쉘 화합물과 혼합될 수 있다.
상기 셀레늄 전구체 용액과 상과 상기 코어-쉘 화합물이 혼합된 용액을 약 300도(℃) 내지 약 350도(℃)로 가열하는 단계를 포함하고, 상기 가열하는 단계에서 상기 GaP를 감싸는 상기 ZnSe가 형성될 수 있다.
상기 인듐 전구체는 인듐 아세테이트(Indium acetate), 인듐 클로라이드(Indium(III) chloride), 인듐 브로마이드(Indium(III) bromide), 인듐 아이오다이드(Indium(III) Iodide), 인듐 클로라이드(Indium(I) chloride), 인듐 브로마이드(Indium(I) bromide), 인듐 아이오다이드(Indium(I) Iodide) 및 인듐 할라이드(Indium halide)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
상기 인듐 전구체 및 상기 갈륨 전구체 중 적어도 하나는 용매와 혼합되어 준비되고, 상기 용매는 1-옥타데센(1-Octadecene), 부틸아민(Butylamine), 옥틸아민(Octylamine), 도데실아민(Dodecylamine), 올레일아민(Oleylamine), 및 헥사데실아민(Hexadecylamine)을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
상기 InP를 제조하는 단계는 인듐 전구체와 제1 아연 전구체를 혼합하는 단계를 더 포함하고 상기 ZnSe를 제조하는 단계는 상기 셀레늄 전구체와 제2 아연 전구체를 혼합하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 아연 전구체 및 제2 아연 전구체 각각은 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 이수화물(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아세틸아세토네이트 수화물 (Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 플루오라이드 사수화물(Zinc fluoride tetrahydrate), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 나이트레이트 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 퍼클로레이트 육수화물(Zinc perchlorate hexahydrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디페닐 아연(Diphenyl zinc), 아연 나프탈레이트 (Zinc naphthalate), 아연 올리에이트 (Zinc oleate) 및 아연 스테레이트(Zinc stearate)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 전술한 방법을 통해 제조된 양자점을 포함할 수 있다.
상기 양자점을 포함하는 색변환층을 포함할 수 있다.
상기 양자점을 포함하는 라이트 유닛을 포함할 수 있다.
상기 양자점을 포함하는 발광 소자를 포함할 수 있다.
실시예들에 따르면 단순한 공정을 통해 양자점의 반치폭을 줄이고 양자수율을 향상시킬 수 있다. 이러한 공정을 통해 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치는 향상된 품질의 색 재현성을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 양자점의 PL 강도(Photoluminescence Intensity)를 나타낸 그래프이고, 도 4는 비교예에 따른 양자점의 PL 강도를 나타낸 그래프이다.
도 5는 실시예에 따라 트리옥틸포스핀(TOP)을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭(FWHM) 및 양자수율(QY)에 대한 그래프이다.
도 6a, 6b 및 6c는 도 5의 실시예에서 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다.
도 7은 실시예에 따라 올레일아민을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭 및 양자수율에 대한 그래프이다.
도 8a, 8b, 및 8c는 도 7의 실시예에서 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다.
도 9는 실시예에 따라 도데칸싸이올을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭 및 양자수율에 대한 그래프이다.
도 10a, 10b 및 10c 각각은 도 9의 실시예에 따라 제조한 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다.
도 11은 비교예에 대한 PL 강도 그래프이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 양자점의 PL 강도(Photoluminescence Intensity)를 나타낸 그래프이고, 도 4는 비교예에 따른 양자점의 PL 강도를 나타낸 그래프이다.
도 5는 실시예에 따라 트리옥틸포스핀(TOP)을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭(FWHM) 및 양자수율(QY)에 대한 그래프이다.
도 6a, 6b 및 6c는 도 5의 실시예에서 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다.
도 7은 실시예에 따라 올레일아민을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭 및 양자수율에 대한 그래프이다.
도 8a, 8b, 및 8c는 도 7의 실시예에서 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다.
도 9는 실시예에 따라 도데칸싸이올을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭 및 양자수율에 대한 그래프이다.
도 10a, 10b 및 10c 각각은 도 9의 실시예에 따라 제조한 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다.
도 11은 비교예에 대한 PL 강도 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 양자점의 제조 방법에 대해 설명한다.
우선 인듐 전구체 및 제1 아연 전구체를 반응기에 넣고 혼합하여 InP를 제조한다.
인듐 전구체는 인듐 아세테이트(Indium acetate), 인듐 클로라이드(Indium(III) chloride), 인듐 브로마이드(Indium(III) bromide), 인듐 아이오다이드(Indium(III) Iodide), 인듐 클로라이드(Indium(I) chloride), 인듐 브로마이드(Indium(I) bromide), 인듐 아이오다이드(Indium(I) Iodide) 및 인듐 할라이드(Indium halide)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 아연 전구체는 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 이수화물(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아세틸아세토네이트 수화물 (Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 플루오라이드 사수화물(Zinc fluoride tetrahydrate), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 나이트레이트 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 퍼클로레이트 육수화물(Zinc perchlorate hexahydrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디페닐 아연(Diphenyl zinc), 아연 나프탈레이트(Zinc naphthalate), 아연 올리에이트 (Zinc oleate) 및 아연 스테레이트(Zinc stearate)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
제1 아연 전구체는 InP 코어 형성에 도움을 줄 수 있다. 제1 아연 전구체를 투입함으로써 InP가 ZnP보다 쉽게 형성되면서 결정성 및 내부 결함을 줄일 수 있다. Zn는 형성 과정에서 계속해서 밖으로 밀리고 InP 코어 표면에 형성 가능한 댕글링 본드(dangling bond)를 감소시킬 수 있다.
인듐 전구체 및 아연 전구체 각각은 용매에 투입되어 용액 형태로 준비될 수 있다. 용매는 1-옥타데센(1-Octadecene), 부틸아민(Butylamine), 옥틸아민(Octylamine), 도데실아민(Dodecylamine), 올레일아민(Oleylamine), 및 헥사데실아민(Hexadecylamine)을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
이후 반응기 내부를 진공화한다. 진공화(degassing)는 반응기 내부의 공기를 빼주는 것으로 진공화 실시 온도는 상온 내지 120℃ 또는 140℃일 수 있으며 이에 제한되지 않는다. 상온은 외부 에너지가 없는 일반 대기 상태를 의미하며, 지역/시간에 따라 상이할 수 있다.
진공화를 실시한 이후 반응기 내부를 불활성기체로 퍼징(purging)시킬 수 있으며, 불활성기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 및 질소를 포함하는 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 진공화 단계 및 퍼징 단계를 통해 반응기 내부에 포함된 산소, 수분 및 초산 등이 제거될 수 있다.
이후 반응기 내부를 상온으로 냉각하고 인 전구체를 주입한다. 인 전구체는 트리스(트리메틸실릴)포스핀 (Tris(trimethylsilyl)phosphine, (TMS)3P), 트리에틸 포스핀(triethyl phosphine), 트리부틸 포스핀(tributyl phosphine), 트리옥틸 포스핀(trioctyl phosphine), 트리페닐 포스핀(triphenyl phosphine) 및 트리시클로헥실 포스핀(tricyclohexyl phosphine)을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
이후 반응기를 불활성 기체 분위기에서 제1 온도까지 가열하고 제2 온도까지 냉각시킴으로써 InP를 수득할 수 있다. 상기 제1 온도는 약 250도(℃) 내지 350도(℃)일 수 있으며, 상기 제2 온도는 약 200도(℃) 내지 250도(℃)일 수 있다. 제1 온도 및 제2 온도가 상기 온도 범위보다 낮으면 이후의 고온 주입 반응이 잘 이루어지지 않고, 상기 온도 범위 보다 높으면 반응 속도는 향상되나 반응 물질의 변질이 발생할 수 있다.
다음, 전술한 방법에 따라 제조된 InP 코어를 포함하는 용액에 갈륨 전구체 용액을 첨가하여 InP-GaP 코어-쉘 화합물을 형성할 수 있다. 갈륨 전구체 용액은 약 200도(℃) 내지 250도(℃)에서 전술한 방법을 통해 제조된 InP가 녹아있는 용액에 투입될 수 있다.
갈륨 전구체는 염화갈륨(GaCl3), 및 갈륨 아세테이트(Ga acetate)를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
갈륨 전구체 용액은 전술한 갈륨 전구체와 용매를 혼합하여 준비될 수 있다. 용매는 1-옥타데센(1-Octadecene), 부틸아민(Butylamine), 옥틸아민(Octylamine), 도데실아민(Dodecylamine), 올레일아민(Oleylamine), 및 헥사데실아민(Hexadecylamine)을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
다음 제2 아연 전구체 용액 및 셀레늄 전구체 용액을 앞서 제조된 용액에 투입하여 InP-GaP 코어-쉘 화합물에 ZnSe 쉘층을 형성할 수 있다. 실시예에 따른 셀레늄 전구체 용액은 루이스 염기를 포함할 수 있다.
구체적으로 InP-GaP가 녹아있는 혼합 용액에 제2 아연 전구체 용액을 주입하고 일정 시간 유지한다. 이후 셀레늄 전구체 및 루이스 염기를 포함하는 셀레늄 전구체 용액을 주입하여 InP-GaP-ZnSe를 형성할 수 있다.
제2 아연 전구체는 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 이수화물(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아세틸아세토네이트 수화물 (Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 플루오라이드 사수화물(Zinc fluoride tetrahydrate), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 나이트레이트 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 퍼클로레이트 육수화물(Zinc perchlorate hexahydrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디페닐 아연(Diphenyl zinc), 아연 나프탈레이트 (Zinc naphthalate), 아연 올리에이트 (Zinc oleate) 및 아연 스테레이트(Zinc stearate)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나일 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
셀레늄 전구체 용액은 셀레늄을 트리옥틸포스핀에 용해시킨 TOP-Se 용액, 셀레늄을 올레일 산(oleic acid)에 용해시킨 Se oleate 용액, 셀레늄을 고온의 옥타데센(1-Octadecene)에 용해시킨 용액일 수 있다.
일 실시예에 따라 셀레늄 전구체 용액에 포함되는 루이스 염기는 올레일아민, 도데칸싸이올, 옥산싸이올, 트리-n-옥틸포스핀, 트리-n-부틸포스핀을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
루이스 염기의 함량에 따라 이를 포함하는 셀레늄 전구체 용액의 농도는 변할 수 있다. 실시예에 따른 셀레늄 전구체 용액이 포함하는 셀레늄의 농도는 약 0.05M 내지 0.5M 일 수 있으며, 일 예로 0.15M 내지 0.35M일 수 있다. 이와 같은 농도를 가지기 위해 셀레늄 전구체 용액에 투입되는 루이스 염기의 함량을 조절할 수 있다. 루이스 염기가 소량 투입되어 셀레늄의 농도가 높은 경우 양자점의 반치폭은 증가할 수 있으나 양자수율이 증가하고, 루이스 염기가 다량 투입되어 셀레늄의 농도가 낮은 경우 양자수율은 감소할 수 있으나 반치폭 역시 감소할 수 있다.
ZnSe의 형성을 위해 1M 내지 5M을 가지는 고농도의 TOP-Se 용액을 사용하는 경우, 트리옥틸포스핀(TOP)에 의한 추가 효과를 최소화할 수 있으며 공정에 따른 혼합 시간 및 온도 강하를 최소화할 수 있다. 그러나 이 경우에는 ZnSe의 형성에 따라 반치폭이 상당히 증가할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 셀레늄에 전자를 제공할 수 있는 루이스 염기를 포함함으로써 셀레늄 전구체의 반응성을 낮출 수 있다. 셀레늄 전구체의 반응성이 낮은 경우, InP-GaP 코어-쉘 화합물 용액에 셀레늄 전구체 용액을 투입하는 반응 초기에 무분별하게 형성되는 ZnSe를 억제하고 균일한 ZnSe 쉘의 형성이 가능하다. 즉, 루이스 염기를 포함함으로써 전술한 농도를 만족시키는 셀레늄 전구체 용액은 낮은 농도의 셀레늄을 포함함으로써 셀레늄의 반응성을 억제하고 균일한 ZnSe 쉘의 형성이 가능하다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 셀레늄 전구체 용액은 약 180도(℃) 내지 230도(℃)로 가열되어 InP-GaP 코어-쉘 화합물과 혼합될 수 있다. 이러한 온도 범위에서 혼합되면, 셀레늄 전구체 용액과 InP-GaP 코어-쉘 화합물이 혼합되는 초기 과정에서 무분별한 ZnSe가 형성되지 않으므로 불균일한 ZnSe의 형성을 방지할 수 있다.
InP-GaP 코어-쉘 화합물과 혼합된 셀레늄 전구체 용액은 약 300도(℃) 내지 약 350도(℃)로 가열될 수 있다. 상기 가열하는 단계에서 InP-GaP 코어-쉘 화합물을 감싸는 ZnSe가 형성될 수 있다.
균일한 ZnSe 쉘을 형성하기 위해서는 전술한 셀레늄의 농도뿐만 아니라 아연 전구체 및 셀레늄 전구체의 반응 온도를 제어할 수 있다.
구체적으로 아연 전구체와 셀레늄 전구체가 300도(℃) 이상의 고온에서 혼합 및 반응하여 ZnSe를 형성하는 경우 InP-GaP 표면에 ZnSe가 형성되지 않고 단독으로 ZnSe가 형성되거나 InP-GaP 표면에 균일하지 않은 ZnSe 쉘이 형성되는 문제가 발생한다. 또한 이를 통해 수득된 양자점은 20 nm 이상의 레드-쉬프트(Red-shift)를 보일 수 있다. InP 또는 InP-GaP와 ZnSe의 전도 밴드 오프셋(conduction band offset)의 차이가 0.2 내지 0.3 eV로 상당히 작아 엑시톤(exciton)이 쉘에 비편재될 확률이 높기 때문이다. 한편 아연 전구체와 셀레늄 전구체가 저온에서 혼합 및 반응하는 경우에는 아연 전구체의 반응성이 낮아 ZnSe이 형성되지 않는다.
이에 본 발명의 실시예는 전술한 바와 같이 셀레늄 전구체 용액이 투입되는 온도와 반응하는 온도를 구분하여 제조하는 경우 균일한 ZnSe의 형성이 가능할 수 있다.
이후 실시예에 따라 InP-GaP-ZnSe에 쉘 구조를 추가 형성할 수 있다. 추가되는 쉘은 II족 전구체의 II족 원소 및/ 또는 III족 전구체의 III족 원소와 VI족 전구체의 VI족 원소가 결합되어 형성될 수 있다. 이러한 쉘은 CdSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, TiO, SrSe, CdO, CdS, ZnO, InP, InS, GaP, GaN, GaO, InZnP, InGaP, InGaN, InZnSCdSe 및 HgSe 중 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
마지막으로, 반응이 끝난 용액을 상온까지 냉각시킨 후, 정제와 재분산을 거쳐 양자점을 수득할 수 있다. 정제 및 재분산 단계는 혼합 용액에 비용매(nonsolvent)를 부가하여 양자점을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 비용매는 반응에 사용된 유기 용매와 섞이지만 양자점을 분산시킬 수 없는 극성 용매일 수 있다.
이러한 비용매는 반응에 사용한 유기 용매에 따라 결정할 수 있으며, 아세톤, 에탄올, 부탄올, 이소프로판올, 에탄다이올, 물, 테트라히드로퓨란(THF), 디메틸술폭시드(DMSO), 디에틸에테르, 포름 알데하이드, 아세트 알데하이드, 에틸렌 글라이콜, 및 이러한 용매들과 유사한 용해도 파라미터(solubility parameter)를 갖는 용매를 포함하는 군에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다.
양자점의 분리는 원심 분리, 침전, 크로마토 그래피, 및 증류 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 분리된 양자점은 필요에 따라 세정 용매에 부가되어 세정될 수 있다. 세정 용매는 특별히 제한되지 않으며, 헥산, 헵탄, 옥탄, 클로로포름, 톨루엔, 벤젠 등을 사용할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명 하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시 예에 의해 제한되지 않는다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
실시예
1) InP 코어 합성
250 ml 쓰리넥 플라스크(three-neck round flask)에 인듐 아세테이트(In acetate) 0.6 mmol과 아연 아세테이트(Zn acetate) 1.8 mmol을 올레산(Oleic acid) 4.8mmol이 들어있는 1-옥타데센(1-Octadecene) 50ml에 혼합하였다. 혼합 용액을 160℃에서 60분간 질소 분위기를 유지한 후 30도(℃)로 냉각시켰다.
이후 트리스(트리메틸실릴)포스핀((trimethylsilyl)phosphine, (TMS)3P, 99 %) 0.68mmol을 혼합 용액에 주입하였다. 다음, 혼합 용액을 질소 분위기에서 300도(℃)까지 승온시켜 20분 동안 유지하고, 230도(℃)에서 20분 동안 유지하여 InP 코어를 합성하였다.
2) GaP 쉘 합성
질소 분위기의 반응기 내에서 염화갈륨(GaCl3) 0.6 mmol을 1-옥타데센(1-Octadecene) 4ml에 혼합하고 가열하여 갈륨 전구체 용액을 준비하였다. 이후 갈륨 전구체 용액을 1)을 통해 제조한 InP가 녹아있는 용액에 230도(℃)에서 주입하고 15분 동안 유지하여 InP-GaP를 형성하였다.
3) ZnSe 쉘 합성
아연 아세테이트(Zn acetate) 4mmol을 올레산(Oleic acid) 8mmol과 1-옥타데센(1-Octadecene) 2ml에 넣어 아연 전구체 용액을 제조하였다. 그리고 나서 1M의 TOP-Se 용액에 올레일아민(Oleylamine), 도데칸싸이올(Dodecanethiol), 옥탄싸이올(Octanthiol), 트리-n-옥틸포스핀(Tri-n-octylphosphine), 및 트리-n-부틸포스핀(Tri-n-butylphosphine) 중 어느 하나를 투입하여 셀레늄 전구체 용액을 제조하였다. 셀레늄 전구체 용액은 0.05 내지 0.5M 농도의 셀레늄을 포함한다.
준비된 아연 전구체 용액을 270도(℃)로 승온시켜 아연 올리에이트(Zn oleate) 화합물을 형성하고 이후 100도(℃)로 냉각시켰다. 이후 아연 전구체 용액을 InP-GaP가 녹아 있는 혼합 용액에 200도(℃)에서 빠르게 주입하고 30분간 유지시켰다. 다음 준비된 셀레늄 전구체 용액 2mmol을 상기 용액에 빠르게 주입하고 15분간 유지하고, 320도(℃)까지 승온시킨 후 다시 30분간 유지하여 InP-GaP-ZnSe를 형성하였다.
4) ZnS 쉘 합성
아연 아세테이트(Zn acetate) 8mmol을 올레산(Oleic acid) 16mmol과 1-옥타데신(1-Octadecene) 4ml에 혼합하여 아연 전구체 용액을 준비하였다. 황(S) 8mmol을 TOP 8ml에 녹여 황 전구체 용액(TOP-S 용액)을 준비하였다.
이후 InP-GaP-ZnSe가 녹아 있는 300도(℃)의 용액에 아연 전구체를 투입하고 30분동안 반응시켰다. 270도(℃)로 냉각시킨 이후 황 전구체를 투입하여 20분 유지한 후 반응을 종료하여 InP-GaP-ZnSe-ZnS를 제조하였다.
이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면 표시 장치는 라이트 유닛(500), 표시 패널(100), 색변환 패널(30) 및 액정층(3)을 포함한다.
라이트 유닛(500)는 광을 발생시키는 광원 및 광원에서 발생한 광을 전달받아 표시 패널(100) 및 색변환 패널(30)이 위치하는 방향으로 광을 가이드하는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다.
라이트 유닛(500)는 청색을 방출하는 광원을 포함할 수 있으며 청색을 방출하는 어떠한 광원도 가능하고 일예로 청색 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)과 색변환 패널(30)은 서로 중첩하고, 이들 사이에는 복수의 액정 분자(31)를 포함하는 액정층(3)이 위치한다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(100) 아래 위치하는 제1 편광판(12)을 포함할 수 있다. 제1 편광판(12)은 코팅형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 등이 사용될 수 있다. 제1 편광판(12)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태 등 다양한 방법으로 표시 패널(100)의 일면에 위치할 수 있다. 그러나 이러한 설명은 일례에 해당하는바 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제1 편광판(12)은 라이트 유닛(500)에서 발생한 광을 선편광시킬 수 있다.
표시 패널(100)은 제1 기판(110) 위에 행 방향으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121) 위에 위치하는 게이트 절연막(140), 게이트 절연막(140) 위에 위치하는 반도체층(154), 게이트 절연막(140) 위에 위치하며 열 방향으로 뻗어 있는 데이터선(171), 데이터선(171)에 연결된 소스 전극(173), 소스 전극(173)과 대응하는 드레인 전극(175), 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에 위치하는 보호막(180) 및 보호막(180)이 갖는 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되고 보호막(180) 위에 위치하는 화소 전극(191)을 포함한다. 화소 전극(191)은 매트릭스 형태로 위치하고, 화소 전극(191)의 모양 및 배치는 변형될 수 있다. 화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 위치할 수 있다.
게이트 전극(124) 위에 위치하는 반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 형성된 채널층을 포함하며, 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 이룰 수 있다.
색변환 패널(30)은 제1 기판(110)과 중첩하며 이격된 색변환 기판(310)을 포함한다. 색변환 기판(310)과 표시 패널(100) 사이에 차광 부재(320)가 위치할 수 있다.
차광 부재(320)는 서로 인접한 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 배치되는 영역을 구획할 수 있다.
차광 부재(320)와 표시 패널(100) 사이에 청색광 컷팅 필터(325)가 위치할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역에만 위치하고 청색을 방출하는 영역에는 위치하지 않는다. 청색광 컷팅 필터(325)는 청색을 방출하는 영역과 중첩하는 개구부를 가질 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 청색의 파장 대역을 제외한 파장을 갖는 광은 투과시키고 청색 파장 대역을 갖는 광은 차단한다. 청색광 컷팅 필터(325)는 전술한 효과를 수행하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 황색 색필터(Yellow color filter)일 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325) 및 표시 패널(100) 사이에는 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)이 위치할 수 있으며 기판(310)과 하부 표시판(100) 사이에는 투과층(330B)이 위치할 수 있다. 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B) 각각은 서로 이웃하는 차광 부재(320) 사이에 위치할 수 있다.
제1 색변환층(330R)은 제1 양자점(331R)을 포함하고, 제2 색변환층(330G)은 제2 양자점(331G)을 포함할 수 있다. 제1 색변환층(330R)으로 입사되는 소정의 광은 제1 양자점(331R)에 의해 적색으로 변환되어 제1 색변환층(330R)으로부터 방출될 수 있고, 제2 색변환층(330G)으로 입사되는 소정의 광은 제2 양자점(331G)에 의해 녹색으로 변환되어 제2 색변환층(330G)으로부터 방출될 수 있다. 여기서 설명하는 양자점(331R, 331G)는 전술한 방법을 통해 제조된 양자점일 수 있다.
투과층(330B)은 입사되는 소정의 광을 통과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 청색 광을 투과할 수 있다. 투과층(330B)은 라이트 유닛(500)에서 공급된 청색 광을 투과시키는 폴리머 물질일 수 있다. 청색을 방출하는 영역에 해당하는 투과층(330B)은 별도의 양자점을 포함하지 않으며 입사된 청색 광을 그대로 통과시킨다.
투과층(330B)은 산란체(332)를 포함할 수 있다. 산란체(332)는 투과층(330B)에 입사되는 광을 산란시켜 투과층(330B)에서 방출되는 광량을 증가시키거나 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 만들 수 있다. 도시하지 않았으나, 입사되는 광을 산란시키기 위해 제1 색변환층(330R)과 제2 색변환층(330G) 중 적어도 하나는 산란체를 더 포함할 수 있다. 산란체(332)는 일례로써 TiO2, Al2O3 및 SiO2 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
투과층(330B)은 청색 안료 및 염료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 청색 안료 및 염료는 외광에 포함된 적색 광과 녹색 광 중 적어도 하나를 흡수할 수 있으므로 외광 반사에 따른 색 재현율 저하를 방지할 수 있다.
제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)과 액정층(3) 사이에 캡핑층(340)이 위치할 수 있다.
캡핑층(340)은 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)을 형성한 이후의 공정들에 의해 제1 색변환층(330R), 제2 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)이 포함하는 양자점은 수분 및 고온 공정들에 의해 손상 또는 소광될 수 있는데, 캡핑층(340)은 이러한 문제를 방지할 수 있다.
캡핑층(340)과 액정층(3) 사이에 광필터층(350)이 위치할 수 있다. 광필터층(350)은 제1 색변환층(330R) 및 제2 색변환층(330G)에서 발생된 광을 반사시켜 광효율을 높일 수 있다.
광필터층(350)은 복수의 층을 포함하고, 복수의 층은 굴절률이 서로 다른 층들이 색변환 기판(310)에 실질적으로 수직한 방향을 따라 교대 배열된 구조를 가질 수 있다. 굴절률이 서로 다른 층들이 교대 배열되어 형성된 광필터층(350)은 약 10 층 내지 20층의 다층 구조를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
광필터층(350)은 일예로 산화 규소막(SiOx)과 질화 규소막(SiNy)이 교대로 배열된 구조일 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 이외에, 상대적으로 높은 굴절률의 예시 재료로서, 산화 티타늄, 산화 탄탈륨, 산화 하프늄 또는 산화 지르코늄 등을 사용할 수 있고, 상대적으로 낮은 굴절률의 예시 재료로서, SiCOz 등을 사용할 수 있다. SiOx, SiNy, SiCOz 에서 x, y, z는 화학조성비를 결정하는 요소로서, 막을 형성하는 공정 조건에 따라 조절될 수 있다.
캡핑층(340) 및 광필터층(350)은 실시예에 따라 생략될 수 있다. 특히 광필터층(350)을 이루는 복수의 층 가운데 캡핑층(340)과 가장 인접한 층이 질화 규소막으로 형성된 경우에는 캡핑층(340)이 생략될 수 있다.
광필터층(350)과 액정층(3) 사이에 평탄막(360)이 위치한다. 평탄막(360)은 평탄막(360)과 색변환 기판(310) 사이에 위치하는 구성요소의 일면을 평탄화시킬 수 있다.
평탄막(360)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22)이 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)은 라이트 유닛(500), 표시 패널(100) 및 액정층(3)을 통과한 광을 편광시킨다.
제2 편광층(22)은 코팅형 편광판, 와이어 그리드 편광판(wire grid polarizer) 등일 수 있다. 또한 제2 편광층(22)이 금속 물질을 포함하는 편광 패턴을 포함하는 경우, 제2 편광층(22)과 액정층(3) 사이에 위치하는 절연막(370)을 더 포함할 수 있다.
절연막(370)과 액정층(3) 사이에는 공통 전극(270) 및 제2 배향막(21)이 차례로 위치할 수 있다. 공통 전압을 인가받는 공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 전계를 형성한다.
앞에서 일 실시예에 따른 표시 장치는 전술한 제조 방법에 따라 수득된 양자점을 포함하는 색변환 패널을 포함하는 실시예에 대해 설명하였으나 이에 제한되지 않고 라이트 유닛에 포함되는 실시예도 가능하다. 전술한 제조 방법에 따라 수득된 양자점은 라이트 유닛의 광원이나 광학 시트에 제공될 수 있다.
또한 전술한 실시예는 액정 표시 장치가 양자점을 포함하는 경우에 대해 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 발광 소자를 포함하는 표시 장치에도 적용할 수 있다.
발광 소자를 포함하는 표시 장치에 적용되는 경우, 발광 소자는 청색 또는 백색을 발광할 수 있고 전술한 방법을 통해 제조된 양자점을 포함하는 색변환 패널을 통해 적색, 녹색, 및 청색을 각각 방출할 수 있다. 또는 발광 소자 각각은 적색, 녹색 및 청색을 발광하며 전술한 방법에 의해 제조된 양자점을 포함할 수도 있다.
이하에서는 도 3 내지 도 11을 참조하여 실시예 및 비교에에 따른 제조 방법으로 수득된 양자점을 살펴본다. 도 3은 일 실시예에 따른 양자점의 PL 강도를 나타낸 그래프이고, 도 4는 비교예에 따른 양자점의 PL 강도를 나타낸 그래프이다. 도 5는 실시예에 따라 트리옥틸포스핀을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭(FWHM) 및 양자수율(QY)에 대한 그래프이고, 도 6a, 6b, 및 6c는 도 5에 따른 실시예에서 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다. 도 7은 실시예에 따라 올레일아민을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭 및 양자수율에 대한 그래프이고, 도 8a, 8b, 및 8c는 도 7의 실시예에서 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다. 도 9는 실시예에 따라 도데칸싸이올을 사용하여 제조한 양자점의 반치폭 및 양자수율에 대한 그래프이고, 도 10a, 10b 및 10c 각각은 도 9의 실시예에 따라 제조하면서 셀레늄 전구체 용액의 농도에 따른 PL 강도 그래프이다. 도 11은 비교예에 따른 PL 강도 그래프이다.
우선, 도 3을 살펴보면 실시예에 따라 루이스 염기를 사용하여 ZnSe 쉘을 형성한 경우 중심 파장은 약 505 nm일 수 있으며 반치폭은 약 40 nm이다. 반면 도 4에 나타난 바와 같이 비교예에 따라 루이스 염기의 사용 없이 ZnSe 쉘을 형성하는 경우 중심 파장은 약 523nm로 레드-쉬프트되어 있으며 반치폭은 약 61 nm이다. 이들을 비교하면 실시예에 따라 제조 공정에서 루이스 염기를 사용하는 경우 반치폭이 감소하여 양자점이 방출하는 광의 색순도가 향상될 수 있음을 확인하였다.
다음, 도 5를 참고하면 트리옥틸포스핀을 루이스 염기로 사용하는 실시예에서, 루이스 염기의 첨가량에 따라 셀레늄 전구체 용액이 포함하는 몰농도(M)가 달라지고, 이에 따라 반치폭(FWHM) 및 양자수율(QY)이 변함을 확인하였다.
구체적으로 셀레늄 전구체 용액의 농도가 증가할수록 반치폭이 증가하고 양자수율이 증가함을 확인하였다. 반치폭과 양자수율은 트레이드오프 관계에 있는데 셀레늄 전구체 용액의 농도가 약 0.3 M인 경우 반치폭과 양자효율 사이의 트레이드 오프가 최소화될 수 있음을 확인하였다.
도 6a은 셀레늄 전구체 용액에서 셀렌늄의 농도가 0.05 M인 실시예이며 반치폭이 약 38 nm임을 확인하였다. 도 6b는 셀레늄 농도가 0.2 M인 실시예이며 반치폭이 약 41 nm이고, 도 6c는 셀레늄 농도가 0.5 M인 실시예이며 반치폭이 약 44 nm임을 확인하였다. 이들 실시예는 모두 도 4에 나타난 비교예의 반치폭(약 61nm) 대비 감소함을 알 수 있다.
다음 도 7을 참조하면 올레일아민을 루이스 염기로 사용하는 실시예에서, 루이스 염기의 첨가에 따라 셀레늄 전구체 용액이 포함하는 셀레늄의 몰농도가 달라지고 이에 따라 반치폭(FWHM) 및 양자수율(QY)이 변함을 확인하였다. 보다 구체적으로 도 5(실시예)와 유사하게 셀레늄 전구체 용액의 농도가 증가할수록 반치폭이 증가하고 양자수율이 증가함을 확인하였다. 다만 도 5에 비해 반치폭의 감소 정도가 적고 양자수율이 낮을 수 있음을 확인하였다.
도 8a은 셀레늄 전구체 용액에서 셀레늄의 농도가 0.1M인 실시예이며, 이 경우 반치폭이 약 42 nm임을 확인하였다. 도 8b는 셀레늄 농도가 0.3 M인 실시예이며 반치폭이 약 46 nm로 나타났고, 도 8c는 셀레늄 농도가 0.5 M인 실시예이며 반치폭이 약 49 nm임을 확인하였다. 이들 실시예는 역시 도 4에 나타난 비교예의 반치폭(약 61nm) 대비 감소함을 알 수 있다.
다음 도 9를 참조하면, 도데칸싸이올을 루이스 염기로 사용하는 실시예에서, 루이스 염기의 첨가에 따라 셀레늄 전구체 용액이 포함하는 셀레늄의 몰농도가 달라지고 이에 따라 반치폭(FWHM) 및 양자수율(QY)이 변함을 확인하였다. 반치폭 감소 정도는 도 5의 실시예와 유사한 경향을 나타냈으나 양자수율은 도 5의 실시예에 비해 다소 낮은 것으로 확인되었다.
도 10a은 셀레늄 전구체 용액에서 셀레늄의 농도가 0.1 M인 실시예이며 반치폭이 약 42 nm임을 확인하였다. 도 10b는 셀레늄의 농도가 0.4 M인 실시예이며 반치폭이 약 43 nm로 나타났고, 도 10c는 셀레늄의 농도가 0.5 M인 실시예이며 반치폭이 약 45 nm임을 확인하였다. 이들 실시예는 역시 도 4에 나타난 비교예의 반치폭(약 61nm) 대비 감소함을 알 수 있다.
도 11은 트리옥틸포스핀을 포함하는 셀레늄 전구체 용액에서 셀레늄의 농도가 1M인 비교예에 대한 PL 강도 그래프이다. 이를 확인한 결과 비교예에 따른 셀레늄 전구체 용액의 사용시 반치폭은 48 nm임을 확인하였다.
정리하면 루이스 염기를 포함하면서 본 발명의 실시예에 따른 전구체 용액의 농도 범위를 만족시키는 경우 반치폭 및 양자수율이 향상됨을 알 수 있었다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 표시 패널
300: 색변환 패널
330R: 제1 색변환층
330G: 제2 색변환층
330B: 투과층
300: 색변환 패널
330R: 제1 색변환층
330G: 제2 색변환층
330B: 투과층
Claims (13)
- 인듐 전구체를 준비하여 InP를 제조하는 단계,
갈륨 전구체를 준비하여 상기 InP를 감싸는 GaP를 포함하는 코어-쉘 화합물을 제조하는 단계,
셀레늄 전구체를 준비하고 루이스 염기를 투입하여 셀레늄 전구체 용액을 형성하는 단계, 그리고
상기 코어-쉘 화합물에 상기 셀레늄 전구체 용액을 혼합하여 상기 GaP를 감싸는 ZnSe를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 셀레늄 전구체 용액이 포함하는 셀레늄의 농도는 0.05 내지 0.5 M인 양자점의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 셀레늄의 농도는 약 0.15 M 내지 약 0.35 M인 양자점의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 루이스 염기는 올레일아민, 도데칸싸이올, 옥탄싸이올, 트리-n-옥틸포스핀, 및 트리-n-부틸포스핀을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나인 양자점의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 셀레늄 전구체 용액은 약 180도(℃) 내지 230도(℃)로 가열되어 상기 코어-쉘 화합물과 혼합되는 양자점의 제조 방법. - 제4항에서,
상기 코어-쉘 화합물과 상기 셀레늄 전구체 용액이 혼합된 용액을 약 300도(℃) 내지 약 350도(℃)로 가열하는 단계를 포함하고, 상기 가열하는 단계에서 상기 GaP를 감싸는 상기 ZnSe가 형성되는 양자점의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 인듐 전구체는 인듐 아세테이트(Indium acetate), 인듐 클로라이드(Indium(III) chloride), 인듐 브로마이드(Indium(III) bromide), 인듐 아이오다이드(Indium(III) Iodide), 인듐 클로라이드(Indium(I) chloride), 인듐 브로마이드(Indium(I) bromide), 인듐 아이오다이드(Indium(I) Iodide) 및 인듐 할라이드(Indium halide)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나인 양자점의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 인듐 전구체 및 상기 갈륨 전구체 중 적어도 하나는 용매와 혼합되어 준비되고,
상기 용매는 1-옥타데센(1-Octadecene), 부틸아민(Butylamine), 옥틸아민(Octylamine), 도데실아민(Dodecylamine), 올레일아민(Oleylamine), 및 헥사데실아민(Hexadecylamine)을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나인 양자점의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 InP를 제조하는 단계는 상기 인듐 전구체와 제1 아연 전구체를 혼합하는 단계를 더 포함하고,
상기 ZnSe를 제조하는 단계는 상기 셀레늄 전구체와 제2 아연 전구체를 혼합하는 단계를 더 포함하는 양자점의 제조 방법. - 제8항에서,
상기 제1 아연 전구체 및 상기 제2 아연 전구체 각각은 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 이수화물(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아세틸아세토네이트 수화물 (Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 플루오라이드 사수화물(Zinc fluoride tetrahydrate), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 나이트레이트 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 퍼클로레이트 육수화물(Zinc perchlorate hexahydrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디페닐 아연(Diphenyl zinc), 아연 나프탈레이트 (Zinc naphthalate), 아연 올리에이트 (Zinc oleate) 및 아연 스테레이트(Zinc stearate)를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나인 양자점의 제조 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의해 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치.
- 제10항에서,
상기 양자점을 포함하는 색변환층을 포함하는 표시 장치. - 제10항에서,
상기 양자점을 포함하는 라이트 유닛을 포함하는 표시 장치. - 제10항에서,
상기 양자점을 포함하는 발광 소자를 포함하는 표시 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170012533A KR20180088552A (ko) | 2017-01-26 | 2017-01-26 | 양자점의 제조 방법 및 이로부터 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170012533A KR20180088552A (ko) | 2017-01-26 | 2017-01-26 | 양자점의 제조 방법 및 이로부터 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180088552A true KR20180088552A (ko) | 2018-08-06 |
Family
ID=63252086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170012533A KR20180088552A (ko) | 2017-01-26 | 2017-01-26 | 양자점의 제조 방법 및 이로부터 제조된 양자점을 포함하는 표시 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20180088552A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200033563A (ko) * | 2018-09-20 | 2020-03-30 | 주식회사 엘지화학 | 양자점 전구체 |
| US11180695B2 (en) | 2019-06-28 | 2021-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cadmium free quantum dots, and composite and display device including the same |
| US11530353B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cadmium-free quantum dots, and composite and display device including the same |
-
2017
- 2017-01-26 KR KR1020170012533A patent/KR20180088552A/ko not_active Application Discontinuation
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