KR20200135995A - 칩 적층 패키지를 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

칩 적층 패키지를 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200135995A
KR20200135995A KR1020207030321A KR20207030321A KR20200135995A KR 20200135995 A KR20200135995 A KR 20200135995A KR 1020207030321 A KR1020207030321 A KR 1020207030321A KR 20207030321 A KR20207030321 A KR 20207030321A KR 20200135995 A KR20200135995 A KR 20200135995A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
packaging
weight
spacer
epoxy resin
Prior art date
Application number
KR1020207030321A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102432075B1 (ko
Inventor
궈홍 양
Original Assignee
쑤저우 드림 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쑤저우 드림 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 쑤저우 드림 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20200135995A publication Critical patent/KR20200135995A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102432075B1 publication Critical patent/KR102432075B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
    • C08J5/0405—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres
    • C08J5/043—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres with glass fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4014—Nitrogen containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
    • C08J5/10—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material characterised by the additives used in the polymer mixture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
    • C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/249—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs characterised by the additives used in the prepolymer mixture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K13/00—Use of mixtures of ingredients not covered by one single of the preceding main groups, each of these compounds being essential
    • C08K13/04—Ingredients characterised by their shape and organic or inorganic ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02—Fibres or whiskers
    • C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/14—Glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2206—Oxides; Hydroxides of metals of calcium, strontium or barium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/08—Stabilised against heat, light or radiation or oxydation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06575—Auxiliary carrier between devices, the carrier having no electrical connection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서가 기재로서 섬유 유리 직물을 포함하고, 섬유 유리 직물의 중량 %는 10-60wt%이고; 다음 성분이 수지 스페이서의 총 중량에 대한 백분율로 섬유 유리 직물에 추가된다: 에폭시 수지 8-40wt%, 석영 분말 10-30wt%, 산화 알루미늄 2-10wt%, 산화 칼슘 1-8wt% 및 경화제 1-8wt%. 수지 스페이서는 수지 재료를 혼합, 함침, 부분 경화, 적층 및 가압하여 형성된다. 얻어진 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서는 유연성이 우수하고 쉽게 깨지지 않는다. 더 많은 칩 층을 기판에 쌓을 수 있으며, 패키징 구조의 휨 및 내부 칩의 균열 위험이 효과적으로 감소되며 수지 스페이서는 우수한 전기 절연성과 우수한 친수성을 제공한다.

Description

칩 적층 패키지를 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법
본 발명은 2018 년 8 월 14 일에 중국 특허청에 출원된 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법이라는 중국 특허 출원 제201810923760.8호에 기초한 우선권을 주장하며 출원된 2018년 10월 22일자 국제출원 제PCT/CN2018/111153호가 국내단계에 진입한 출원으로서, 상기 중국 특허 출원 및 국제출원의 내용은 전부 본원에 참조로 포함된다.
본 발명은 칩을 패키징하기 위한 스페이서의 기술 분야, 구체적으로는 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 집적 회로의 발전과 함께, 마이크로 전자 산업의 칩 패키징 기술은 보다 가볍고, 얇고, 작고, 고성능이고, 저전력이 요구되는 저비용 칩 패키징 구조체라는 시장 요건을 만족시키기 위해 2 차원 적층 패키징 형태에서 3 차원 적층 패키징 형태로 빠르게 확장되어 왔다. 3 차원 적층 및 패키징 기술은 패키징 밀도를 높이고 비용을 절감 할뿐만 아니라 패키징 크기를 늘리지 않고도 칩을 연결하기 위한 와이어 길이를 줄여 장치의 성능을 향상시킨다. 또한, 장치의 다기능화는 적층 및 패키징을 통해 구현될 수 있다.
현재의 3 차원 적층 및 패키징 형태는 주로 계단 형태와 수직 형태를 포함한다. 계단 형과 수직 형 모두 스페이서가 필요하다. 스페이서는 접착시 칩이 균일하고 매끄러워지도록 하여 인쇄 회로 기판의 요철로 인한 초박형 칩의 균열을 방지하고 본딩 와이어용 공간을 충분히 확보하기 위해 사용된다. 그러나 3 차원 적층 및 패키징을 위한 기존 스페이서는 일반적으로 실리콘 기반 웨이퍼 스페이서이다. 이러한 유형의 스페이서의 단점은 필름화, 박형화, 절단과 같은 제조 공정을 위해 대량 기계 용량이 요구되고, 실리콘 기반 웨이퍼 스페이서의 크기 (최대 크기는 12 인치)가 제한되어, 수율이 낮고 제조공정이 길며 보조 재료 (접착 필름, 연삭 휠, 절삭 공구)가 많이 소모된다는 것이다. 또한 실리콘 기반 웨이퍼 스페이서는 가공 및 사용시 균열이 발생할 가능성이 높아 제품 수율을 낮추고 생산 비용을 증가시킨다. 특히, 스페이서는 두께가 얇아질수록 약해지므로 특정 두께 임계값으로 제한된다. 따라서 단순히 실리콘 기반의 웨이퍼 스페이서를 얇게하여 패키징 크기를 특정 한계를 넘어 줄일 수 없으며, 이는 적층된 칩의 두께를 제한한다.
본 발명이 해결해야 할 기술적 과제는 기존 칩 패키징을 위한 실리콘 기반 웨이퍼 스페이서는 깨지기 쉽고, 생산 비용이 높고 두께가 두껍다는 것이다. 이러한 기술적 과제를 해결하기 위해 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서 및 그 제조 방법이 제공된다.
본 발명이 기술적 과제를 해결하기 위해 채택한 기술적 해결은 다음과 같다.
칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서는 기본 재료로 사용되는 섬유 유리 직물을 포함하며, 섬유 유리 직물의 중량 %는 10-60wt%이며, 다음 구성 요소가 수지 스페이서의 총량에 대한 백분율로 섬유 유리 직물에 추가된다: 에폭시 수지 8-40wt%, 석영 분말 10-30wt%, 산화 알루미늄 2-10wt%, 산화 칼슘 1-8wt% 및 경화제 1-8wt%.
바람직하게는, 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서에서 섬유 유리 직물의 중량 %는 40-60wt%이고, 다음 성분은 수지 스페이서 총 중량에 대한 백분율로 섬유 유리 직물에 추가된다: 30-40wt%의 에폭시 수지, 10-20wt%의 석영 분말, 5-10wt%의 산화 알루미늄, 2-8wt%의 산화 칼슘 및 4-8wt%의 경화제.
바람직하게는, 에폭시 수지는 인산 에폭시 수지, 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 에폭시 수지, 노볼락 에폭시 수지, 글리세린 에폭시 수지, O-메틸 노볼락 에폭시 수지, 나프톨 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔 에폭시 수지.
바람직하게는, 섬유 유리 직물의 메쉬 크기는 100-200 메쉬, 석영 분말의 메쉬 크기는 200-400 메쉬, 산화 알루미늄의 메쉬 크기는 400-600 메쉬, 그리고 산화 칼슘의 메쉬 크기 200-400 메쉬이다.
바람직하게는, 경화제는 지방족 아민, 지환족 아민, 방향족 아민, 폴리 아미드, 다이시안다이아미드 및 이미다졸 화합물로부터 선택된 1 종 이상이다.
바람직하게는, 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서는 1-3wt%의 중량 %를 갖는 안료를 추가로 포함하고, 안료는 바람직하게는 화이트 카본 블랙 및 펄 파우더에서 선택된 1 종 이상이다.
본 발명은 또한 다음 단계를 포함하는 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서의 제조 방법을 제공한다:
S1 : 혼합 : 에폭시 수지 8 ~ 40 중량 부, 석영 분말 10 ~ 30 중량 부, 산화 알루미늄 2 ~ 10 중량 부, 산화 칼슘 1 ~ 8 중량 부를 용매에 넣고 교반하여 이를 용해시키고, 경화제 1-8 중량 부를 첨가하고 균일하게 분산시켜 수지 젤라틴 용액을 얻는 단계;
S2 : 함침 : 제조된 수지 젤라틴 용액에 섬유 유리 직물 10-60 중량 부를 함침하여 함침 직물을 얻고, 함침량을 50-70g / m2로 조절하는 단계;
S3 : 부분 경화 : 함침된 직물을 건조하고 30-50 %로 예비 경화도를 조절하여 프리프레그(prepreg)를 얻는 단계;
S4 : 적층 및 압착 : 복수의 프리프레그를 적층한 후 가열과 동시에 압착하여 보온 후 가열을 중단하고 냉각 후 일정 두께의 수지 스페이서를 얻는 단계.
바람직하게는 수지 스페이서의 두께는 0.07-0.13mm이다.
바람직하게는, 용매는 아세톤, 부타논, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세타마이드 및 N-메틸피롤리돈으로부터 선택된 1종 이상이다.
바람직하게는, 단계 S3의 건조 온도는 70-120 ℃이다.
바람직하게는, 단계 S4의 가열 온도는 150-180 ℃, 보온 시간은 8-12 시간, 가압 압력은 3-10 MPa이다.
본 발명의 장점은 다음과 같다 :
(1) 본 발명의 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서는 유연성이 우수하고, 깨지기 어렵고, 내구성이 높으며, 보관이 용이하고, 필요한 제조 및 가공 방법이 간단하다. 수지 스페이서는 크기와 두께에 대한 제한없이 전처리가 가능하여 기판에 더 많은 칩 층을 쌓을 수 있어 패키징 비용을 절감하는 동시에, 전체 패키징을 완료 한 후 구조 균형을 유지하여, 패키징 구조의 휨 및 내부 칩의 균열 위험을 효과적으로 회피하여 제품의 신뢰성을 향상시킨다. 그러나 기존의 순수 실리콘 재질의 실리콘 기반 스페이서는 백 그라인딩시 깨지기 쉬우며 제조 과정에서 고정밀 장비가 필요하다.
(2) 본 발명의 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서는 전기 절연성이 우수하여 현재 칩 적층 및 패키징에 널리 사용되는 실리콘계 스페이서를 대체 할 수있다. 수지 스페이서의 항복 전압은 39KV / MM보다 크다. 기존 실리콘 기반 스페이서는 단방향 전류를 전도 할 수 있는 반 절연체이므로 역 항복 전압은 일반적으로 1KV / MM 미만이다.
(3) 본 발명의 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서는 친수성이 우수하여 일반 접착제로 칩에 접착 할 수 있다. 경화 시스템의 에테르 그룹, 벤젠 고리 및 지방족 하이드록실 그룹은 산과 알칼리에 쉽게 부식되지 않는다. 기존 실리콘계 스페이서는 친수성이 불량하고 고가의 특수 접착제를 사용하여 칩에 접착되며 실리콘계 소재는 산과 알칼리에 쉽게 부식된다.
이하, 본 발명을 실시예와 함께 보다 상세히 설명한다.
실시예 1
본 실시예는 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서를 제공한다. 수지 스페이서는 두께가 0.07mm이고 메쉬 크기가 100 메쉬인 섬유 유리 직물을 기재로 하고, 섬유 유리 직물의 중량 %는 60wt%이며, 섬유 유리 직물에는 수지 스페이서의 총량에 대한 백분율로서 다음과 같은 성분이 추가된다: 나프톨 에폭시 수지 8wt%, 메쉬 크기가 200 mesh인 석영 분말 10wt%, 메쉬 크기가 400 mesh인 산화 알루미늄 10wt%, 메쉬 크기가 300 메쉬인 산화 칼슘 8wt%, 폴리아미드가 4wt%.
본 발명은 다음 단계를 포함하는 상기 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서의 제조 방법을 추가로 제공한다 :
S1 : 혼합 : 에틸 아세테이트에 나프톨 에폭시 수지 8 중량 부, 석영 분말 10 중량 부, 산화 알루미늄 10 중량 부, 산화 칼슘 10 중량 부를 첨가하고 교반하여 용해시키고, 폴리아미드 4 중량 부를 첨가하고 균일하게 분산시켜 수지 젤라틴 용액을 얻는 단계;
S2 : 함침 : 제조된 수지 젤라틴 용액에 60 중량 부의 섬유 유리 직물을 함침하여 함침된 직물을 얻고, 함침량을 50g / m2로 조절하는 단계;
S3 : 부분 경화 : 함침된 직물을 70 ℃의 온도에서 건조하고 50 %로 예비 경화도를 조절하여 프리프레그를 얻는 단계;
S4 : 적층 및 압착 : 복수의 프리프레그를 적층하고 150 ℃의 온도로 가열하고 동시에 3MPa의 압력으로 압착하고, 8 시간의 보온 후 가열을 중지하고, 냉각 후 0.07mm 두께의 수지 스페이서를 얻는 단계.
실시예 2
본 실시예는 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서를 제공한다. 수지 스페이서는 두께가 0.1mm이고 메쉬 크기가 200 메쉬인 섬유 유리 직물을 기재로하고, 섬유 유리 직물의 중량 %는 10wt%이며, 섬유 유리 직물에 수지 스페이서의 총 중량에 대한 백분율로 다음과 같은 성분이 추가된다: 비스페놀 A 에폭시 수지 17wt%, 바이페닐 에폭시 수지 20wt%, 메쉬 크기가 400 메쉬인 석영 분말 30wt%, 메쉬 크기가 600 메쉬인 산화 알루미늄 10wt%, 메쉬 크기가 400 메쉬인 산화 칼슘 2wt%, 지방족 아민 8wt% 및 화이트 카본 블랙 3wt%.
본 발명은 다음 단계를 포함하는 상기 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서의 제조 방법을 추가로 제공한다 :
S1 : 혼합 : N,N-디메틸포름아미드에 비스페놀 A 에폭시 수지 20 중량 부, 바이페닐 에폭시 수지 20 중량 부, 석영 분말 30 중량 부, 산화 알루미늄 10 중량 부 및 산화 칼슘 2 중량 부를 첨가하고 교반하여 용해시키고, 지방족 아민 8 중량 부를 첨가하고 균일하게 분산시켜 수지 젤라틴 용액을 얻는 단계;
S2 : 함침 : 제조된 수지 젤라틴 용액에 섬유 유리 직물 10 중량 부를 함침하여 함침 직물을 얻고, 함침량을 70g / m2로 조절하는 단계;
S3 : 부분 경화 : 함침된 직물을 120 ℃의 온도에서 건조하고 30 %로 예비 경화도를 조절하여 프리프레그를 얻는 단계;
S4 : 적층 및 압착 : 복수의 프리프레그를 적층한 후 160 ℃의 온도로 가열하고 동시에 5MPa의 압력으로 압착하고 10 시간 보온 후 가열을 중단하여, 냉각 후 0.1mm 두께의 수지 스페이서를 얻는 단계.
실시예 3
본 실시예는 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서를 제공한다. 수지 스페이서는 두께가 0.13mm이고 메쉬 크기가 150 메쉬인 섬유 유리 직물을 기재로하고, 섬유 유리 직물의 중량 %는 40wt%이며, 섬유 유리 직물에 수지 스페이서의 총 중량에 대한 백분율로 다음과 같은 성분이 추가된다: 노볼락 에폭시 수지 19wt%, 디시클로펜타디엔 에폭시 수지 10wt%, 메쉬 크기가 300 메쉬인 석영 분말 20wt%, 메쉬 크기가 500 메쉬인 산화 알루미늄 2wt%, 메쉬 크기가 200 메쉬인 산화 칼슘 7wt%, 이미다졸 1wt% 및 펄 파우더 1wt%.
본 발명은 다음 단계를 포함하는 상기 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서의 제조 방법을 추가로 제공한다 :
S1 : 혼합 : 아세톤에 노볼락 에폭시 수지 20 중량 부, 디시클로펜타디엔 에폭시 수지 10 중량 부, 석영 분말 20 중량 부, 산화 알루미늄 2 중량 부 및 산화 칼슘 7 중량 부를 첨가하고, 교반하여 용해시키고, 이미다졸 1 중량 부를 첨가하고 균일하게 분산시켜 수지 젤라틴 용액을 얻는 단계;
S2 : 함침 : 제조된 수지 젤라틴 용액에 섬유 유리 직물 40 중량 부를 함침하여 함침된 직물을 얻고, 함침량을 60g / m2로 조절하는 단계;
S3 : 부분 경화 : 함침된 직물을 100 ℃의 온도에서 건조하고 40 %로 예비 경화도를 조절하여 프리프레그를 얻는 단계;
S4 : 적층 및 압착 : 복수의 프리프레그를 적층 한 다음 180 ℃의 온도에서 가열하고 동시에 10MPa의 압력으로 압착하고, 12 시간 보온 후 가열을 중지하여, 냉각 후 0.13mm 두께의 수지 스페이서를 수득하는 단계.
실시예 4
본 실시예는 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서를 제공한다. 수지 스페이서는 두께가 0.1mm이고 메쉬 크기가 150 메쉬인 섬유 유리 직물을 기재로하고, 섬유 유리 직물의 중량 %는 50wt%이며, 섬유 유리 직물에 수지 스페이서 총 중량에 대한 백분율로 다음 성분이 추가된다: 글리세린 에폭시 수지 8wt%, 메쉬 크기 300 mesh의 석영 분말 10wt%, 메쉬 크기 500 mesh의 산화 알루미늄 5wt%, 메쉬크기 300 메쉬인 산화 칼슘 1wt%, m-페닐렌디아민 4wt%.
본 발명은 다음 단계를 포함하는 상기 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서의 제조 방법을 추가로 제공한다 :
S1 : 혼합 : 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르에 글리세린 에폭시 수지 30 중량 부, 석영 분말 10 중량 부, 산화 알루미늄 5 중량 부, 산화 칼슘 1 중량 부를 넣고, 교반하여 용해시키고, m-페닐렌디아민 4 중량 부를 첨가하고, 균일하게 분산시켜 수지 젤라틴 용액을 얻는 단계;
S2 : 함침 : 제조된 수지 젤라틴 용액에 섬유 유리 직물 50 중량 부를 함침하여 함침된 직물을 얻고, 함침량을 60g / m2가되도록 조절하는 단계;
S3 : 부분 경화 : 함침된 직물을 100 ℃의 온도에서 건조하고 40 %로 예비 경화도를 조절하여 프리프레그를 얻는 단계;
S4 : 적층 및 압착 : 복수개의 프리프레그를 적층한 다음 180 ℃의 온도에서 가열하고 동시에 10MPa의 압력으로 압착하고, 12 시간 보온 후 가열을 중지하고, 냉각 후 0.1mm 두께의 수지 스페이서를 수득하는 단계.
실시예 5
본 실시예는 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서를 제공한다. 수지 스페이서는 두께가 0.1mm이고 메쉬 크기가 150 메쉬인 섬유 유리 직물을 기재로하고, 섬유 유리 직물의 중량 %는 40wt%이며, 섬유 유리 직물에 수지 스페이서의 총 중량에 대한 백분율로 다음과 같은 성분이 추가된다.: 인산염 에폭시 수지 30wt%, 메쉬 크기 300 mesh의 석영 분말 16wt%, 메쉬 크기 500 mesh의 산화 알루미늄 6wt%, 메쉬 크기 300 메쉬의 산화 칼슘 3wt%, 및 다이시안다이아미드 5wt%.
본 발명은 다음 단계를 포함하는 상기 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서의 제조 방법을 추가로 제공한다 :
S1 : 혼합 : N-메틸피롤리돈에 인산염 에폭시 수지 30 중량 부, 석영 분말 16 중량 부, 산화 알루미늄 6 중량 부 및 산화 칼슘 3 중량 부를 첨가하고, 교반하여 용해시키고, 다이시안다이아미드 5 중량 부를 첨가하고, 균일하게 분산시켜 수지 젤라틴 용액을 얻는 단계;
S2 : 함침 : 제조된 수지 젤라틴 용액에 섬유 유리 직물 40 중량 부를 함침하여 함침된 직물을 얻고, 함침량을 60g / m2로 조절하는 단계;
S3 : 부분 경화 : 함침된 직물을 100 ℃의 온도에서 건조하고 40 %로 예비 경화도를 조절하여 프리프레그를 얻는 단계;
S4 : 적층 및 압착 : 복수개의 프리프레그를 적층 한 후 160 ℃의 온도에서 가열하고 동시에 8MPa의 압력으로 압착하고, 10 시간의 보온 후 가열을 중지하여, 냉각 후 0.1mm 두께의 수지 스페이서를 수득하는 단계.
효과예
ASTM D-149 표준에 따르면, 실시예 1-5의 수지 스페이서의 항복 전압은 Haefely Hitronics에서 제공하는 유전체 파괴 시험기 및 710-56A-B로 측정 할 수 있다. 실시예 1-5에서 수지 스페이서의 항복 전압은 순서대로 21KV / MM, 30KV / MM, 39KV / MM, 29KV / MM, 31KV / MM이며, 기존 실리콘 기반 스페이서의 역 항복 전압은 일반적으로 1KV / MM 미만이다. 결과적으로, 본 발명의 칩 적층 및 패키징용 수지 스페이서는 탁월한 전기 절연성을 갖는다.
상술한 본 발명에 따른 이상적인 실시예 및 설명에 기초하여, 당업자는 본 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경 및 수정을 할 수 있다. 본 발명의 기술적 범위는 설명의 내용에 한정되지 않으며, 특허 청구 범위에 따라 기술적 범위가 결정되어야 한다.

Claims (10)

  1. 섬유 유리 직물을 기재로 포함하는, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서로서,
    섬유 유리 직물의 중량 %가 10-60wt%이고, 수지 스페이서의 총 중량에 대한 백분율로 에폭시 수지 8-40wt%, 석영 분말 10-30wt%, 산화 알루미늄 2-10wt%, 산화 칼슘 1-8wt% 및 경화제 1-8wt%을 포함하는, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 섬유 유리 직물의 중량 %가 40-60wt%이고, 상기 수지 스페이서 총 중량에 대한 백분율로서 에폭시 수지 30-40wt%, 석영 분말 10-20wt%, 산화 알루미늄 5-10wt%, 산화 칼슘 2-8wt%, 경화제 4-8wt%를 포함하는, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 인산염 에폭시 수지, 바이페닐 에폭시 수지, 비스페놀 에폭시 수지, 노볼락 에폭시 수지, 글리세린 에폭시 수지, O-메틸 노볼락 에폭시 수지, 나프톨 에폭시 수지 및 다이시클로펜타디엔 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 섬유 유리 직물은 메쉬 크기가 100-200 메쉬이고, 석영 분말은 메쉬 크기가 200-400 메쉬이고, 산화 알루미늄은 메쉬 크기가 400-600 메쉬이고, 산화 칼슘은 메쉬 크기가 200-400 메쉬인, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    경화제가 지방족 아민, 지환족 아민, 방향족 아민, 폴리아미드, 다이시안다이아미드 및 이미다졸 화합물로부터 선택된 1 종 이상인, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서는 안료를 추가로 포함하고, 상기 안료의 중량 퍼센트는 1-3wt%이고, 안료는 바람직하게는 화이트 카본 블랙 및 펄 파우더에서 선택된 1 종 이상인, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서.
  7. 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서의 제조 방법으로서,
    S1 : 혼합 : 용매에 에폭시 수지 8-40 중량 부, 석영 분말 10-30 중량 부, 산화 알루미늄 2-10 중량 부, 산화 칼슘 1-8 중량 부를 첨가하고, 교반하여 용해시키고, 경화제 1-8 중량 부를 첨가하고, 균일하게 분산시켜 수지 젤라틴 용액을 수득하는 단계;
    S2 : 함침 : 제조된 수지 젤라틴 용액에 섬유 유리 직물 10-60 중량 부를 함침하여 함침 직물을 얻고, 함침량을 50-70g / m2로 조절하는 단계;
    S3 : 부분 경화 : 함침된 직물을 건조하고 30-50 %로 예비 경화도를 조절하여 프리프레그를 얻는 단계;
    S4 : 적층 및 압착 : 복수의 프리프레그를 적층한 후, 가열과 동시에 압착하고, 보온 후 가열을 중단하고, 냉각 후 일정 두께의 수지 스페이서를 수득하는 단계를 포함하는, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 수지 스페이서의 두께는 0.07-0.13mm 인, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서의 제조 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 용매는 아세톤, 부타논, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에탄올, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, N,N-디메틸 포름아미드, N,N-디메틸아세타마이드 및 N-메틸피롤리돈으로부터 선택되는 1종 이상인, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서의 제조 방법.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 S3의 건조 온도는 70-120 ℃이고, 단계 S4의 가열 온도는 150-180 ℃, 보온 시간은 8-12 시간이고 가압 압력은 3-10MPa인, 칩 적층 및 패키징을 위한 수지 스페이서의 제조 방법.
KR1020207030321A 2018-08-14 2018-10-22 칩 적층 패키지를 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법 KR102432075B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810923760.8A CN109135191B (zh) 2018-08-14 2018-08-14 一种用于芯片堆叠封装的树脂垫片及其制备方法
CN201810923760.8 2018-08-14
PCT/CN2018/111153 WO2020034387A1 (zh) 2018-08-14 2018-10-22 一种用于芯片堆叠封装的树脂垫片及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200135995A true KR20200135995A (ko) 2020-12-04
KR102432075B1 KR102432075B1 (ko) 2022-08-12

Family

ID=64793030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207030321A KR102432075B1 (ko) 2018-08-14 2018-10-22 칩 적층 패키지를 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11952487B2 (ko)
KR (1) KR102432075B1 (ko)
CN (1) CN109135191B (ko)
WO (1) WO2020034387A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111673960A (zh) * 2020-06-17 2020-09-18 苏州德林泰精工科技有限公司 一种基于树脂垫片的基板封装包封模具清洗方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160060073A (ko) * 2013-09-24 2016-05-27 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체칩 밀봉용 열경화성 수지 시트 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR101651649B1 (ko) * 2016-01-22 2016-08-29 주식회사 일렉켐스 전기 또는 전자 부품 접속용 도전성 접착 조성물
KR101715207B1 (ko) * 2013-03-06 2017-03-10 디아이씨 가부시끼가이샤 에폭시 수지 조성물, 경화물, 방열 재료 및 전자 부재
KR20170097233A (ko) * 2010-03-05 2017-08-25 헌츠만 어드밴스드 머티리얼스 아메리카스 엘엘씨 전기 부품에 사용하기 위한, 고주파에서 낮은 유전 손실을 갖는 열경화성 수지 시스템
JP2018012787A (ja) * 2016-07-21 2018-01-25 三菱鉛筆株式会社 熱硬化樹脂組成物、それを用いた絶縁材料組成物

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132651A (ja) 1987-11-17 1989-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP4581232B2 (ja) 2000-11-27 2010-11-17 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20040037059A1 (en) * 2002-08-21 2004-02-26 Leon Stiborek Integrated circuit package with spacer
JP5124930B2 (ja) 2005-10-05 2013-01-23 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5515223B2 (ja) * 2008-02-12 2014-06-11 ソニー株式会社 半導体装置
JP2009203289A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
KR20130115410A (ko) * 2012-04-12 2013-10-22 삼성전기주식회사 프리프레그 및 이를 포함하는 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판의 제조방법
CN104212179B (zh) 2014-09-03 2017-11-03 广东生益科技股份有限公司 一种光伏背板及光伏背板的制备方法
CN106009516A (zh) * 2016-06-21 2016-10-12 江苏士林电气设备有限公司 一种低压母线用树脂组合物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170097233A (ko) * 2010-03-05 2017-08-25 헌츠만 어드밴스드 머티리얼스 아메리카스 엘엘씨 전기 부품에 사용하기 위한, 고주파에서 낮은 유전 손실을 갖는 열경화성 수지 시스템
KR101715207B1 (ko) * 2013-03-06 2017-03-10 디아이씨 가부시끼가이샤 에폭시 수지 조성물, 경화물, 방열 재료 및 전자 부재
KR20160060073A (ko) * 2013-09-24 2016-05-27 닛토덴코 가부시키가이샤 반도체칩 밀봉용 열경화성 수지 시트 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR101651649B1 (ko) * 2016-01-22 2016-08-29 주식회사 일렉켐스 전기 또는 전자 부품 접속용 도전성 접착 조성물
JP2018012787A (ja) * 2016-07-21 2018-01-25 三菱鉛筆株式会社 熱硬化樹脂組成物、それを用いた絶縁材料組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US11952487B2 (en) 2024-04-09
CN109135191B (zh) 2020-04-07
KR102432075B1 (ko) 2022-08-12
CN109135191A (zh) 2019-01-04
US20210032456A1 (en) 2021-02-04
WO2020034387A1 (zh) 2020-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101356643B (zh) 半导体器件
JP5958518B2 (ja) 樹脂組成物並びにこれを用いたプリプレグ、樹脂付き金属箔、接着フィルム及び金属箔張り積層板
CN101983425B (zh) 多层电路板、绝缘片和使用多层电路板的半导体封装件
JP2013080931A (ja) 樹脂組成物、プリプレグ、積層板及び配線板
JP2007314782A (ja) 樹脂組成物、プリプレグ、積層板及び配線板
JP4994743B2 (ja) フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法
WO2007122821A1 (ja) 半導体装置
CN113348221B (zh) 胶黏剂组合物、膜状胶黏剂、胶黏剂片及半导体装置的制造方法
JP2015172144A (ja) プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板
KR102432075B1 (ko) 칩 적층 패키지를 위한 수지 스페이서 및 이의 제조 방법
CN103146314A (zh) 半导体用粘合剂组合物和粘合剂膜及半导体器件制造方法
WO2012157665A1 (ja) 半導体モジュール部品及び液状封止用樹脂組成物
CN102321447B (zh) 高耐热增韧环氧树脂组合物及其在粘结片和覆铜板中的应用
CN108026301B (zh) 预浸料、覆金属层压板、布线板以及布线板材料的热应力的测定方法
JP5811974B2 (ja) ワニス、プリプレグ、樹脂付きフィルム、金属箔張積層板、プリント配線板
KR102479636B1 (ko) 수지 가스킷을 사용하는 스텝형 적층칩 패키징 구조체 및 제조 방법
CN104341718A (zh) 树脂组合物、树脂清漆、预浸料、覆金属层压板及印刷线路板
WO2011104905A1 (ja) ワニス、プリプレグ、樹脂付きフィルム、金属箔張積層板、プリント配線板
KR102403586B1 (ko) 유동성이 우수한 에폭시 접착제 조성물 및 이를 포함하는 다이 어태치 필름
CN114672167B (zh) 一种无卤阻燃型树脂组合物及其制成的预浸料和印制电路用层压板
KR20150069156A (ko) 반도체 다이 본딩용 양면접착 테이프
JPH07156359A (ja) 積層板の製造方法
JP2012151214A (ja) 半導体モジュール部品及び液状封止用樹脂組成物
KR20120131159A (ko) 바니시, 프리프레그, 수지 부착 필름, 금속박장 적층판, 인쇄 배선판

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant