KR20200117886A - 기판 지지 장치 및 기판 세정 장치 - Google Patents

기판 지지 장치 및 기판 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200117886A
KR20200117886A KR1020200039700A KR20200039700A KR20200117886A KR 20200117886 A KR20200117886 A KR 20200117886A KR 1020200039700 A KR1020200039700 A KR 1020200039700A KR 20200039700 A KR20200039700 A KR 20200039700A KR 20200117886 A KR20200117886 A KR 20200117886A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
unit
substrate
moving
time
Prior art date
Application number
KR1020200039700A
Other languages
English (en)
Inventor
미츠루 미야자키
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20200117886A publication Critical patent/KR20200117886A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q15/00—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work
    • B23Q15/007—Automatic control or regulation of feed movement, cutting velocity or position of tool or work while the tool acts upon the workpiece
    • B23Q15/12—Adaptive control, i.e. adjusting itself to have a performance which is optimum according to a preassigned criterion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 지지 장치(100)는, 기판 W를 지지하기 위한 지지부(10)와, 상기 지지부(10)에 맞닿고, 상기 지지부(10)를 축선 방향을 따라서 이동시키기 위한 이동부(50)와, 적어도 일부가 상기 이동부(50) 내에 마련되고, 유체가 흐르는 유체관(60)이며, 상기 이동부(50)가 상기 지지부(10)에 맞닿을 때, 상기 지지부(10)에 의해 유출구(61)가 덮이는 유체관(60)과, 상기 유체의 상태를 검지하는 검지부(90)를 갖는다.

Description

기판 지지 장치 및 기판 세정 장치{SUBSTRATE SUPPORT DEVICE AND SUBSTRATE CLEANING DEVICE}
본 발명은, 기판을 회전 가능하게 지지하기 위한 기판 지지 장치와, 당해 기판 지지 장치를 포함하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.
본원은, 2019년 4월 4일에 출원된 일본 특허 출원 제2019-071877호에 대해서 우선권을 주장함과 함께, 그 내용의 전부를 참조로서 포함한다.
종래부터, 웨이퍼 등의 기판을 지지하는 스핀 척 등이 알려져 있다. 일본 특허 공개 제2005-19456호 공보에서는, 회전축과, 웨이퍼를 끼움 지지함과 함께, 그 끼움 지지를 해제할 수 있는 복수의 끼움 지지 부재를 갖는 스핀 척이 개시되어 있다. 회전축을 둘러싸도록, 스핀 척과 함께 회전하며, 또한, 끼움 지지 부재의 동작에 연동하여 상하 이동하는 연동 링이 마련되어 있으며, 이 연동 링의 높이가 위치 센서에 의해 검출되게 된다. 이 위치 센서는, 연동 링의 높이에 따라서 연속적으로 변동하는 검출 신호를 출력하고, 이 위치 센서의 출력을 수치화하고, 이 수치화된 위치 정보에 기초하여 끼움 지지 부재의 상태가 판정되도록 되어 있다.
본 발명은, 종전과는 상이한 방법에 의해, 지지부의 상태를 파악하는 기술을 제공한다.
[개념 1]
본 발명에 따른 기판 지지 장치는,
기판을 지지하기 위한 지지부와,
상기 지지부에 맞닿고, 상기 지지부를 축선 방향을 따라서 이동시키기 위한 이동부와,
적어도 일부가 상기 이동부 내에 마련되고, 유체가 흐르는 유체관이며, 상기 이동부가 상기 지지부에 맞닿을 때, 상기 지지부에 의해 유출구가 덮이는 유체관과,
상기 유체의 상태를 검지하는 검지부
를 구비해도 된다.
[개념 2]
본 발명의 개념 1에 따른 기판 지지 장치에 있어서,
상기 검지부는, 상기 유체관을 흐르는 유체의 압력 또는 유량을 검지해도 된다.
[개념 3]
본 발명의 개념 1 또는 2 중 어느 것에 따른 기판 지지 장치에 있어서,
상기 지지부는 복수 마련되고,
각 지지부에 대응하여 이동부가 마련되고,
이동부의 각각에 상기 유체관이 마련되어도 된다.
[개념 4]
본 발명의 개념 1 내지 3 중 어느 하나에 따른 기판 지지 장치에 있어서,
상기 유체는 기체여도 된다.
[개념 5]
본 발명에 의한 기판 세정 장치는,
본 발명의 개념 1 내지 4 중 어느 하나에 따른 기판 지지 장치와,
상기 검지부로부터의 정보에 기초하여, 상기 이동부가 상기 지지부에 맞닿은 것인지 여부를 판단하는 제어부
를 구비해도 된다.
[개념 6]
본 발명의 개념 5에 따른 기판 세정 장치에 있어서,
각 유체관에, 당해 유체관을 흐르는 유체의 압력 또는 유량을 검지하는 검지부가 마련되고,
상기 제어부는, 각 검지부로부터의 검지 결과에 기초하여 이상을 검지해도 된다.
[개념 7]
본 발명의 개념 6에 따른 기판 세정 장치에 있어서,
상기 제어부에 의해, 어떤 이동부가 어떤 지지부에 맞닿았다고 판단된 시간과, 다른 이동부가 다른 지지부에 맞닿았다고 판단된 시간 사이의 간격이 제1 시간 이상 경과한 경우에는, 상기 제어부는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다.
[개념 8]
본 발명의 개념 6 또는 7 중 어느 것에 따른 기판 세정 장치에 있어서,
상기 제어부에 의해, 어떤 이동부가 어떤 지지부로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 다른 이동부가 다른 지지부로부터 이격되었다고 판단된 시간 사이의 간격이 제2 시간 이상 경과한 경우에는, 상기 제어부는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다.
[개념 9]
본 발명의 개념 6 내지 8 중 어느 하나에 따른 기판 세정 장치에 있어서,
상기 제어부는, 상기 이동부의 상기 지지부를 향하는 방향으로의 이동 개시부터 제3 시간 이내에 상기 이동부가 상기 지지부에 맞닿은 것이 상기 검지부에 의해 검지되지 않은 경우에는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다.
[개념 10]
본 발명의 개념 6 내지 9 중 어느 하나에 따른 기판 세정 장치에 있어서,
상기 제어부는, 상기 이동부의 상기 지지부로부터 이격되는 방향으로의 이동 개시부터 제4 시간 이내에 상기 이동부가 상기 지지부로부터 이격된 것이 상기 검지부에 의해 검지되지 않은 경우에는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다.
[개념 11]
본 발명의 개념 6 내지 10 중 어느 하나에 따른 기판 세정 장치에 있어서,
상기 제어부가 이상이 발생하였다고 판단한 경우에, 상기 지지부의 청소 또는 교환을 재촉하는 정보를 알리는 알림부를 구비해도 된다.
본 발명에 있어서, 이동부가 지지부에 맞닿을 때 지지부에 의해 유출구가 덮이는 유체관과, 유체관을 흐르는 유체의 상태를 검지하는 검지부가 마련되는 양태를 채용한 경우에는, 유체의 상태에 따라서 이동부가 지지부에 맞닿아 있는 것인지를 파악할 수 있고, 나아가서는 지지부의 상태를 파악할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 기판 세정 장치의 구성을 나타낸 개략 측방 단면도이며, 지지부가 하방 위치에 있는 양태를 나타낸 개략 측방 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 기판 세정 장치의 구성을 나타낸 개략 측방 단면도이며, 지지부가 상방 위치에 있는 양태를 나타낸 개략 측방 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 지지부 및 기판을 상방에서 본 평면도이다.
도 4는, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 지지부의 측방 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 이동부 및 지지부의 관계를 나타낸 도면이며, 도 5의 (a)는 이동부 및 지지부가 제1 위치(하방 위치)에 위치 부여되어 있는 양태를 나타낸 측방 단면도이며, 도 5의 (b)는 지지부의 저면에 이동부의 정상면이 맞닿은 양태를 나타낸 측방 단면도이며, 도 5의 (c)는 이동부 및 지지부가 제2 위치(상방 위치)에 위치 부여되어 있는 양태를 나타낸 측방 단면도이며, 도 5의 (d)는 이동부가 제1 위치(하방 위치)에 위치 부여되어 있는 데도 불구하고 지지부가 제2 위치(상방 위치)에 위치 부여되어 있다는 이상이 발생한 양태를 나타낸 측방 단면도이다.
도 6은, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 검지부, 조정부, 개폐부 등을 나타낸 도면이며, 이동부가 지지부로부터 이격되어 있는 양태를 나타낸 도면이다.
도 7은, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 검지부, 조정부, 개폐부 등을 나타낸 도면이며, 이동부가 지지부와 맞닿아 있는 양태를 나타낸 도면이다.
도 8은, 본 발명의 실시 형태에 의한 기판 세정 장치를 포함하는 기판 처리 장치의 전체 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 9의 (a)는, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 지지부, 기대, 이동부 및 연결부를 나타낸 사시도이며, 도 9의 (b)는, 본 발명의 실시 형태에서 사용될 수 있는 이동부 및 연결부를 나타낸 사시도이다.
실시 형태
《구성》
기판 세정 장치 등을 포함하는 기판 처리 장치의 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 장치는, 대략 직사각 형상의 하우징(310)과, 다수의 기판 W를 스톡하는 기판 카세트가 적재되는 로드 포트(312)를 갖고 있다. 로드 포트(312)는, 하우징(310)에 인접하여 배치되어 있다. 로드 포트(312)에는, 오픈 카세트, SMIF(Standard Mechanical Interface) 포드, 또는 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 탑재할 수 있다. SMIF 포드, FOUP는, 내부에 기판 카세트를 수납하고, 격벽으로 덮음으로써, 외부 공간과는 독립된 환경을 유지할 수 있는 밀폐 용기이다. 기판 W로서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다.
하우징(310)의 내부에는, 복수(도 8에 도시한 양태에서는 4개)의 연마 유닛(314a 내지 314d)과, 연마 후의 기판 W를 세정하는 제1 세정 유닛(316) 및 제2 세정 유닛(318)과, 세정 후의 기판 W를 건조시키는 건조 유닛(320)이 수용되어 있다. 연마 유닛(314a 내지 314d)은, 기판 처리 장치의 길이 방향을 따라서 배열되고, 세정 유닛(316, 318) 및 건조 유닛(320)도 기판 처리 장치의 길이 방향을 따라서 배열되어 있다. 본 실시 형태의 기판 처리 장치에 의하면, 직경 300㎜ 또는 450㎜의 반도체 웨이퍼, 플랫 패널, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)나 CCD(Charge Coupled Device) 등의 이미지 센서, MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)에 있어서의 자성막의 제조 공정에 있어서, 다양한 기판 W를, 연마 처리할 수 있다. 또한, 다른 실시 형태의 기판 처리 장치로서는, 하우징(310) 내에 기판 W를 연마하는 연마 유닛을 마련하지 않고, 기판 W의 세정 처리 및 건조 처리를 행하는 장치로 해도 된다.
로드 포트(312), 로드 포트(312)측에 위치하는 연마 유닛(314a) 및 건조 유닛(320)으로 둘러싸인 영역에는, 제1 반송 로봇(322)이 배치되어 있다. 또한, 연마 유닛(314a 내지 314d) 그리고 세정 유닛(316, 318) 및 건조 유닛(320)과 평행하게, 반송 유닛(324)이 배치되어 있다. 제1 반송 로봇(322)은, 연마 전의 기판 W를 로드 포트(312)로부터 수취하여 반송 유닛(324)에 전달하거나, 건조 유닛(320)으로부터 건조 후의 기판 W를 수취하거나 한다.
제1 세정 유닛(316)과 제2 세정 유닛(318)의 사이에, 이들 제1 세정 유닛(316)과 제2 세정 유닛(318)의 사이에서 기판 W의 전달을 행하는 제2 반송 로봇(326)이 배치되고, 제2 세정 유닛(318)과 건조 유닛(320)의 사이에, 이들 제2 세정 유닛(318)과 건조 유닛(320)의 사이에서 기판 W의 전달을 행하는 제3 반송 로봇(328)이 배치되어 있다. 또한, 하우징(310)의 내부에는, 기판 처리 장치의 각 기기의 움직임을 제어하는 제어부(150)가 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 하우징(310)의 내부에 제어부(150)가 배치되어 있는 양태를 사용하여 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 하우징(310)의 외부에 제어부(150)가 배치되어도 되고, 제어부(150)는 원격지에 마련되어도 된다. 제어부(150)가 원격지에 마련되는 경우에는, 기판 처리 장치의 각 기기가 원격 제어되게 된다.
제1 세정 유닛(316)으로서, 세정액의 존재하에서, 기판 W의 직경의 거의 전체 길이에 걸쳐 직선형으로 연장되는 롤 세정 부재를 접촉시켜, 기판 W에 평행한 중심축 둘레로 자전시키면서 기판 W의 표면을 스크럽 세정하는 롤 세정 장치가 사용되어도 된다. 예를 들어, 수평 또는 수직으로 기판 W를 보유 지지해서 이것을 회전시키면서 롤 세정 부재를 기판 W에 접촉시켜 세정 처리해도 된다. 또한, 제2 세정 유닛(318)으로서, 세정액의 존재하에서, 연직 방향으로 연장되는 원기둥형의 펜슬 세정 부재의 접촉면을 접촉시켜, 펜슬 세정 부재를 자전시키면서 일방향을 향해 이동시키고, 기판 W의 표면을 스크럽 세정하는 펜슬 세정 장치가 사용되어도 된다. 또한, 건조 유닛(320)으로서, 수평하게 보유 지지하면서 회전하는 기판 W를 향하여, 이동하는 분사 노즐로부터 IPA 증기를 분출해서 기판 W를 건조시키고, 또한 기판 W를 고속으로 회전시켜 원심력에 의해 기판 W를 건조시키는 스핀 건조 유닛이 사용되어도 된다.
또한, 제1 세정 유닛(316)으로서 롤 세정 장치가 아니라, 제2 세정 유닛(318)과 마찬가지의 펜슬 세정 장치를 사용하거나, 2유체 제트에 의해 기판 W의 표면을 세정하는 2유체 제트 세정 장치를 사용하거나 해도 된다. 또한, 제2 세정 유닛(318)으로서 펜슬 세정 장치가 아니라, 제1 세정 유닛(316)과 마찬가지의 롤 세정 장치를 사용하거나, 2유체 제트에 의해 기판 W의 표면을 세정하는 2유체 제트 세정 장치를 사용하거나 해도 된다.
본 실시 형태의 세정액에는, 순수(DIW) 등의 린스액과, 암모니아과산화수소(SC1), 염산과산화수소(SC2), 황산과산화수소(SPM), 황산가수, 불산 등의 약액이 포함되어 있다. 본 실시 형태에서 특별히 언급하지 않는 한, 세정액은, 린스액, 약액, 또는 린스액 및 약액의 양쪽을 의미하고 있다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 기판 세정 장치는, 기판 W를 회전 가능하게 지지하는 스핀들 장치 등으로 이루어지는 기판 지지 장치(100)와, 기판 W를 세정하기 위한 하나 또는 복수의 세정 부재(200)와, 기판 W에 세정액을 공급하는 하나 또는 복수의 세정액 공급부(250)를 가져도 된다. 본 실시 형태에서는, 기판 W의 면 내 방향이 수평 방향이 되도록 하여 지지되는 양태를 사용하여 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 기판 W의 면 내 방향이 수직 방향이 되어도 되고, 수평 방향으로부터 경사지는 방향으로 되어도 된다. 또한, 도 1 및 도 2에서는 세정 부재(200)의 일례로서 롤 세정 부재를 도시하였다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 기판 지지 장치(100)는, 기판 W를 회전시키면서 지지하기 위한 스핀들 등의 지지부(10)와, 지지부(10)에 맞닿고, 지지부(10)를 축선 방향을 따라서 이동시키기 위한 이동부(50)와, 적어도 일부가 이동부(50) 내에 마련되고, 유체가 흐르는 유체관(60)이며, 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿을 때 지지부(10)에 의해 유출구(61)가 덮이는 유체관(60)과, 유체의 상태를 검지하는 검지부(90)를 가져도 된다. 이동부(50)는 예를 들어 언클램프 링이며, 볼트 등으로 구성되어도 된다. 또한 「축선 방향」이란 기판 W의 법선 방향이며, 도 6 및 도 7의 상하 방향이다. 또한 도 9에 도시한 바와 같이, 각 이동부(50)는 이동 연결부(190)를 개재하여 서로 연결되어도 된다.
도 4에 도시한 바와 같이, 지지부(10)는 기대(120)를 통과해서 마련되어도 된다. 기대(120)에는 제1 자석(131)이 설치되고, 이 제1 자석(131)은 지지부(10)의 측면에 대향해서 배치되어도 된다. 한편, 지지부(10)에는 상하 방향으로 이격되어 제2 자석(132)과 제3 자석(133)이 마련되어도 된다. 또한, 제2 자석(132)과 제3 자석(133)은 지지부(10)의 둘레 방향에 있어서 어긋난 위치에 배치되어 있다.
이와 같은 양태에서는, 지지부(10)가 제1 위치(하방 위치)에 있을 때에는, 제1 자석(131)과 제2 자석(132)이 서로 대향하여, 제1 자석(131)과 제2 자석(132)의 사이에서 흡인력이 작용하고, 지지부(10)는 기판 W를 파지하는 클램프 위치로 된다(도 1 참조). 제2 자석(132)과 제3 자석(133)이 지지부(10)의 둘레 방향에 있어서 어긋난 위치에 배치되어 있는 점에서, 지지부(10)가 제2 위치(상방 위치)에 위치 부여될 때에는, 지지부의 이동에 수반되어 지지부에는 회전력이 작용한다. 그 결과, 기판 W의 파지를 해방하는 언클램프 위치가 된다(도 2 참조). 이와 같이 지지부(10)가 기판 W의 법선 방향(상하 방향)을 따라 이동함으로써, 지지부(10)는 기판 W를 파지하거나 해방하거나 할 수 있다. 또한, 이 기구에 관해서는 일본 특허 공개 제2009-295751호 공보에서 상세히 설명되어 있으며, 본원에 일본 특허 공개 제2009-295751호 공보에 기재된 내용 전체가 참조로서 포함된다.
검지부(90)는 유체관(60)을 흐르는 유체의 압력 및/또는 유량을 검지해도 된다. 검지부(90)가 유체관(60)을 흐르는 유체의 압력을 검지하는 경우에는, 검지부(90)는 압력 센서, 압력계 등의 압력 검지부(91)를 갖게 된다(도 6 및 도 7 참조). 검지부(90)가 유체관(60)을 흐르는 유체의 유량을 검지하는 경우에는, 검지부(90)는 유량계 등의 유량 검지부(92)를 갖게 된다.
유체는 압력이 가해진 압축 유체여도 된다. 또한 유체는 기체여도 되고 액체여도 된다. 단, 액체를 이용한 경우에는 기판 W가 액체에 의해 오염되어버릴 리스크가 있는 점에서, 이 관점에서 보면 기체를 사용하는 양태가 유익하다. 기체로서는, 예를 들어 공기, 질소 등을 사용할 수 있다. 액체로서는, 예를 들어 순수, IPA 등을 사용할 수 있다. 또한, 유체로서 기체를 사용한 경우에는, 압력차나 유량차를 검출하기 쉬워, 검출 감도를 높일 수 있는 것을 기대할 수 있는 점에서도 유익하다.
유체는 유체 공급부(130)로부터 공급된다(도 6 및 도 7 참조). 유체 공급부(130)로부터의 유체 공급은 상시 행해져도 되고, 이동부(50)에 의한 이동이 개시되는 소정의 시간 전에 유체 공급이 개시되도록 제어부(150)가 제어해도 된다. 유체 공급부(130)로부터의 유체 공급이 상시 행해지는 양태를 채용한 경우에는, 유체관(60) 내에 세정액 등의 액체가 들어가버리는 것을 미연에 방지할 수 있다. 한편, 이동부(50)에 의한 이동이 개시되는 소정의 시간 전에 유체 공급이 개시되는 양태를 채용한 경우에는, 공급되는 유체의 양을 저감시킬 수 있고, 또한 절전 효과도 기대할 수 있다. 이동부(50)에 의한 이동이 개시되는 소정의 시간 전에 유체 공급이 개시되는 양태를 채용한 경우에는, 세정액 등의 액체가 유체관(60) 내에 들어가는 것을 상정하고, 유체 공급부(130)로부터 유체가 공급되는 시점에서의 유체의 제1 압력을, 유체가 공급된 후에 연속적으로 유체가 흘려지는 시점에서의 제2 압력보다도 커지도록 해도 된다. 일례로서는, 제1 압력은 제2 압력의 1.5배 내지 4배로 되어도 된다. 이와 같은 양태를 채용함으로써, 유체관(60) 내에 들어간 세정액 등의 액체를 외부로 배출하고, 그 후에 유체로부터의 연속적인 공급(제2 압력에서의 공급)을 행할 수 있다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 유체관(60)에는, 유체의 유량을 조정하는 유량 조정 밸브 또는 압력 조정 밸브와 같은 조정부(81)가 마련되어도 되고, 유체의 공급 ON/OFF를 행하는 개폐 밸브와 같은 개폐부(82)가 마련되어도 된다. 또한 개폐부(82)에 있어서 유체의 유량을 조정할 수 있도록 해도 된다.
지지부(10)는 복수 마련되고, 각 지지부(10)에 대응하여 이동부(50)가 마련되고, 이동부(50)의 각각에 유체관(60)이 마련되어도 된다. 도 3에 도시한 양태에서는, 4개의 지지부(10)가 마련되어 있지만, 이들 4개의 지지부(10)의 각각에 대응하여 이동부(50)가 마련되고, 각 이동부(50)의 내부에 유체관(60)이 마련되어도 된다.
기판 세정 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 제어하는 제어부(150)(도 8 참조)는, 검지부(90)로부터의 정보에 기초하여, 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿은 것인지 여부를 판단해도 된다.
각 유체관(60)에 검지부(90)가 마련되고, 제어부(150)는 각 검지부(90)로부터의 검지 결과를 비교함으로써 이상을 검지하도록 해도 된다. 예를 들어, 어떤 유체관(60)에 있어서의 유체의 압력 또는 유량이 그 밖의 유체관(60)에 있어서의 유체의 압력 평균값 또는 유량의 평균값과 비교해서 제1 압력 임계값 혹은 제1 유량 임계값을 초과해서 크게 되어 있거나, 또는 제2 압력 임계값 혹은 제2 유량 임계값을 초과해 작아져 있는 경우에는, 이상이 있다고 제어부(150)가 판단해도 된다.
제어부(150)에 의해, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간 사이의 간격이 제1 상대 기준 시간 이상 경과한 경우에, 제어부(150)는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다. 또한, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간과, 그 밖의 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 평균의 시간 사이의 간격이 제1 평균 기준 시간 이상 경과한 경우에는, 제어부(150)는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다. 본원에서는, 제1 상대 기준 시간 및 제 1 평균 기준 시간 중 어느 것을 나타낼 때 제1 시간이라고 칭하는 경우도 있다.
제어부(150)에 의해, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간 사이의 간격이 제2 상대 기준 시간 이상 경과한 경우에, 제어부(150)는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다. 또한, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 그 밖의 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 평균의 시간 사이의 간격이 제2 평균 기준 시간 이상 경과한 경우에, 제어부(150)는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다. 본원에서는, 제2 상대 기준 시간 및 제2 평균 기준 시간 중 어느 것을 나타낼 때 제2 시간이라고 칭하는 경우도 있다.
제어부(150)는, 이동부(50)의 지지부(10)를 향하는 방향으로의 이동 개시부터 제3 시간 이내에 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿은 것이 검지부(90)에 의해 검지되지 않은 경우에는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다.
제어부(150)는, 이동부(50)의 지지부(10)로부터 이격되는 방향으로의 이동 개시부터 제4 시간 이내에 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격된 것이 검지부(90)에 의해 검지되지 않은 경우에는 이상이 발생하였다고 판단해도 된다.
이동부(50)와 지지부(10)가 맞닿은 시간은 이동부(50)가 지지부(10)를 향해서 이동(예를 들어 상방 이동)을 개시한 시점을 시점(始點)으로 하여 검지부(90)에서 계측되어도 된다. 이동부(50)와 지지부(10)가 이격되는 시간은 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격되는 방향으로 이동(예를 들어 하방 이동)을 개시한 시점을 시점으로 하여 검지부(90)에서 계측되어도 된다.
제어부(150)가 이상이 발생하였다고 판단한 경우에, 지지부(10)의 청소 또는 교환을 재촉하는 정보를 알리는 알림부(170)가 마련되어도 된다(도 8 참조). 예를 들어 기대(120)와 지지부(10)에 있어서 미끄럼 이동면이 되는 개소에 대해서 청소를 행하도록 알림부(170)에서 재촉하도록 해도 된다.
다음으로, 본 실시 형태에 의한 처리 방법의 일례를 주로 도 5를 이용하여 설명한다. 하기에서 설명하는 처리 방법에서는, 유체로서 공기를 사용하고, 유량 검지부(92)로서 유량계를 사용하고, 압력 검지부(91)로서 압력계를 사용하고, 지지부(10) 및 이동부(50)의 각각이 4개 마련되어 있는 양태를 사용하여 설명한다.
이동부(50) 및 지지부(10)는 제1 위치(하방 위치)에 위치 부여되어 있다. 이때, 도 5의 (a)에서 나타낸 바와 같이 이동부(50)의 정상면(상면)과 지지부(10)의 저면(하면)은 이격된 상태로 되어 있다. 유출구(61)가 지지부(10)에 의해 덮여 있지 않은 점에서, 유체관(60)을 흐르는 유체는 유출구(61)로부터 흘러 나오게 된다. 이 때문에 유량계 및 압력계에 있어서의 값은 일정값으로 되어 있다. 제1 위치는 기판 W의 파지 위치이며 회전 위치이기도 하다. 한편, 후술하는 제2 위치(상방 위치)에서는 기판 W의 파지는 해방되고, 제2 위치는 언클램프 위치로 된다.
이동부(50)가 상승을 개시하고, 지지부(10)의 저면에 이동부(50)의 정상면이 맞닿는다(도 5의 (b) 참조). 이 결과, 유출구(61)로부터 흘러 나오는 유체가 저하되고, 유량계로 측정되는 공기의 유량이 저하 또는 제로가 되고, 압력계로 측정되는 압력이 상승한다.
제어부(150)는, 유량계에서의 유량값 및 압력계로 압력값을 감시하고, 이동부(50)의 지지부(10)에 대한 맞닿은 타이밍이 4개 동시인지의 판단을 행한다. 이동부(50)의 지지부(10)에 대한 맞닿은 타이밍이 늦은 것이 있는 경우에는, 예를 들어 당해 지지부(10)가 제2 위치측(예를 들어 상방 위치측)에 위치 부여되어 있거나, 또는 이동부(50)의 연결부(190)(도 9 참조)에 대한 위치가 제1 위치측(예를 들어 하방 위치측)에 어긋나 있음을 의미한다. 한편, 이동부(50)의 지지부(10)에 대한 맞닿은 타이밍이 이른 것이 있는 경우에는, 예를 들어 당해 지지부(10)의 위치가 나사의 느슨함 등에 의해 제1 위치측(예를 들어 하방 위치측)에 어긋나 있거나, 또는 이동부(50)의 연결부(190)(도 9 참조)에 대한 위치가 제2 위치측(예를 들어 상방 위치측)에 어긋나 있음을 의미하고 있다. 이와 같이 타이밍이 어긋나면, 기판 W의 전달을 실패하거나, 기판 W가 깨지거나 하는 리스크가 발생한다. 이때에는 버퍼가 마련되어 있고, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간 사이의 간격이 제1 시간(제1 상대 기준 시간 또는 제1 평균 기준 시간) 미만인 경우에는 정상적인 것이라고 판단되어도 된다. 한편, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간 사이의 간격이 제1 시간 이상으로 되는 것이 하나라도 있으면 이상이 발생한 것으로서 제어부(150)가 판단해도 된다.
이동부(50)와, 이동부(50)에 의해 이동되는 지지부(10)가 기판 W의 전달 위치인 제2 위치(상방 위치)까지 이동하면, 지지부(10)는 언클램프 위치로 되고, 지지부(10)가 기판 W를 수취한다(도 4도 참조). 또한, 이동부(50)가 상승을 개시하고 나서 지지부(10)가 제2 위치(상방 위치)까지 이동할 때까지의 시간은 예를 들어 1초 정도이다. 또한, 지지부(10)가 이미 기판 W를 파지하고 있는 경우(도 5의 (a) (b)에 있어서 기판 W를 이미 파지하고 있는 경우)에는, 처리 완료된 기판 W는 반출되고, 이제부터 처리되는 기판 W가 반입되어, 기판 W의 교환이 행해지게 된다.
지지부(10)가 기판 W를 수취하면, 이동부(50)가 제1 위치(하방 위치)를 향해서 이동하고, 그 결과, 지지부(10)도 제1 위치(하방 위치)를 향해서 이동한다.
어느 정도 이동하면, 이동부(50)의 정상면과 지지부(10)의 하면이 이격된다 (도 5의 (a) 참조). 이때, 유출구(61)가 개방되게 되어, 유량계로 측정되는 공기의 유량이 증가되고, 압력계로 측정되는 압력이 강하한다.
제어부(150)는, 유량계에서의 유량값 및 압력계로 압력값을 감시하고, 이동부(50)의 지지부(10)에 대한 맞닿은 타이밍이 4개 동시인지의 판단을 행한다. 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격되는 타이밍이 느린 것이 있는 경우에는, 예를 들어 지지부(10)의 하강하는 타이밍이 늦은 것을 의미하고, 기판 W를 파지하는 타이밍이 늦어져 있음을 의미하고 있다. 반대로, 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격되는 타이밍이 이른 것이 있는 경우에는, 예를 들어 지지부(10)의 하강하는 타이밍이 이른 것을 의미하고, 기판 W를 파지하는 타이밍이 빨라져 있음을 의미하고 있다. 이러한 점들에 의해, 기판 파지의 실패 및 반송 실패의 전조를 확인할 수 있다. 이때에는 버퍼가 마련되어 있고, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간 사이의 간격이 제2 시간(제2 상대 기준 시간 또는 제2 평균 기준 시간) 미만인 경우에는 정상적인 것이라고 판단되어도 된다. 한편, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간 사이의 간격이 제2 시간 이상으로 되는 것이 하나라도 있으면 이상이 발생한 것으로서 제어부(150)가 판단해도 된다.
제어부(150)에서 이상이 발생하였다고 판단된 경우에는, 알림부(170)에서 기대(120)와 지지부(10) 사이의 미끄럼 이동면으로 되는 개소의 청소를 재촉하도록 해도 된다. 또한 이상이 확인되지 않아도 결함이 발생하는 전조(후술함)가 확인된 경우에는, 알림부(170)에서 기대(120)와 지지부(10) 사이의 미끄럼 이동면으로 되는 개소의 청소를 재촉하도록 해도 된다.
정상적인 상태라면, 도 5의 (a)→도 5의 (b)→도 5의 (c)→도 5의 (a)의 상태가 반복되게 된다. 즉, 지지부(10)에 마련된 스프링 등의 탄성 부재(110)에 의한 탄성력에 의해, 도 5의 (c)에서 나타낸 상태로부터 도 5의 (a)에서 나타낸 상태로 되지만, 제2 위치로부터 제1 위치로의 이동에 있어서 이상이 발생한 경우에는, 도 5의 (d)와 같은 상태로 되고, 이동부(50)는 제2 위치에 위치 부여되지만, 지지부(10)는 제1 위치에 위치 부여된 채로 된다. 이 경우에는, 이상이 있는 개소에서 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격되는 타이밍이 빨라진다. 기대(120)에 대해서 지지부(10)는 미끄럼 이동하고 있지만, 기대(120)에 대한 지지부(10)의 미끄럼 이동력이 커지면, 도 5의 (d)와 같은 상태가 발생한다.
지지부(10) 중 하나에 있어서 도 5의 (d)와 같은 상태로 되면, 당해 지지부(10)가 기판 W를 파지하지 않은 상태(언클램프 상태)로 되어 있으므로, 그와 같은 상태에서 기판 W를 회전시킨 경우에는, 기판 W가 파괴되게 된다. 또한, 도 5의 (d)와 같은 상태는, 이동부(50)가 지지부(10)를 향해서 이동을 개시하고(도 5의 (a), (b) 참조), 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿은 타이밍이 늦어진다는 사실을 검지함으로써 검출되어도 된다.
《효과》
다음으로, 상술한 구성으로 이루어지는 본 실시 형태에 의한 효과이며, 아직 설명하지 않은 것을 중심으로 설명한다. 「구성」에서 기재되지 않은 경우라도, 「효과」에서 설명하는 모든 구성을 본건 발명에 있어서 채용할 수 있다.
이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿을 때 지지부(10)에 의해 유출구(61)가 덮이는 유체관(60)과, 유체관(60)을 흐르는 유체의 상태를 검지하는 검지부(90)가 마련되는 양태를 채용한 경우에는(도 6 및 도 7 참조), 유체의 상태에 따라서 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿아 있는지를 파악할 수 있고, 나아가서는 지지부(10)의 상태를 파악할 수 있다. 또한 이 양태에 의하면, 전원 등의 열을 발하는 부재를 기판 세정 장치의 하우징(도시생략) 내에 마련할 필요가 없다. 이 때문에 열에 기인하는 발화의 위험도 없는 점에서 우수하다. 특히 세정액으로서 IPA를 이용하는 경우에는, 발화의 위험으로부터 열원을 하우징 내에 설치할 수 없지만, 본 형태에 의하면 세정액으로서 IPA를 이용하는 경우에도 대응할 수 있는 점에서 우수하다.
본 형태에서는, 기판 W를 세정액과 같은 액체로 세정하고 있는 경우와 같이 액체의 비말이 날리고 있는 상태에서도, 당해 비말에 의해 방해 받지도 않고, 이동부(50)와 지지부(10)가 맞닿아 있는 것인지 여부를 정밀도 좋게 검출할 수 있다.
또한 물리적인 위치를 확인하는 양태에서는 약간의 어긋남을 확인하는 것은 곤란하지만, 전술한 양태에서는, 유체의 유량이나 압력을 통해 지지부(10)와 이동부(50)의 관계를 파악할 수 있는 점에서, 매우 정밀도 좋게 지지부(10)와 이동부(50)의 관계를 확인할 수 있다.
검지부(90)가 유체관(60)을 흐르는 유체의 압력을 검지하는 경우에는, 유체의 압력에 의해 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿아 있는지를 파악할 수 있다. 검지부(90)가 유체관(60)을 흐르는 유체의 유량을 검지하는 경우에는, 유체의 유량에 의해 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿아 있는지를 파악할 수 있다.
각 지지부(10)에 대응하여 이동부(50)가 마련되고, 이동부(50)의 각각에 유체관(60)이 마련되는 양태를 채용한 경우에는, 각 이동부(50)에 관하여, 지지부(10)에 맞닿아 있는지를 파악할 수 있다.
각 유체관(60)에 검지부(90)가 마련되고, 제어부(150)가 각 검지부(90)로부터의 검지 결과를 비교함으로써 이상을 검지하는 양태를 채용한 경우에는, 어떤 이동부(50)를 그 밖의 이동부(50)와 비교함으로써 상대적으로 이상의 유무를 검지할 수 있다. 검지부(90)에 있어서의 검지 결과의 어긋남은 기판 W의 지지부(10)에 의한 파지 타이밍의 어긋남을 의미한다.
어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간의 간격이 하나라도 제1 상대 기준 시간 이상 경과했을 때, 이상이 발생하였다고 판단하는 양태를 채용한 경우에는, 이동부(50)가 예를 들어 상승하여 지지부(10)에 맞닿은 타이밍에 있어서, 그 밖의 이동부(50)와 비교함으로써 상대적으로 이상의 유무를 검지할 수 있다. 파지 타이밍이 어긋나 있는 경우에는 기판 W가 편심해서 파지되어 있을 가능성도 있는 점에서, 제1 상대 기준 시간 이상의 어긋남이 있는 경우에는, 기판 W의 파지 상태를 확인하도록 알림부(170)(도 8 참조)가 알리도록 해도 된다.
또한, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 시간과, 그 밖의 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿았다고 판단된 평균의 시간의 간격이 제1 평균 기준 시간 이상 경과한 경우에 이상이 발생하였다고 판단하는 양태를 채용한 경우에는, 이동부(50)가 예를 들어 상승해서 지지부(10)에 맞닿을 때의 평균 시간과 비교해서 상대적으로 이상의 유무를 검지할 수 있다.
어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 다른 이동부(50)가 다른 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간의 간격이 하나라도 제2 상대 기준 시간 이상 경과했을 때, 이상이 발생하였다고 판단하는 양태를 채용한 경우에는, 이동부(50)가 예를 들어 하강해서 지지부(10)로부터 이격되는 타이밍에 있어서, 그 밖의 이동부(50)와 비교함으로써 상대적으로 이상의 유무를 검지할 수 있다.
또한, 어떤 이동부(50)가 어떤 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 그 밖의 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격되었다고 판단된 평균의 시간의 간격이 제2 평균 기준 시간 이상 경과한 경우에, 이상이 발생하였다고 판단하는 양태를 채용한 경우에는, 이동부(50)가 예를 들어 하강해서 지지부(10)에 맞닿을 때의 평균 시간과 비교해서 상대적으로 이상의 유무를 검지할 수 있다.
이동부(50)의 지지부(10)를 향하는 방향으로의 이동 개시부터 제3 시간 이내에 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿은 것이 검지부(90)에 의해 검지되지 않은 경우에 이상이 발생하였다고 판단하는 양태를 채용한 경우에는, 이동부(50)가 예를 들어 상승해서 지지부(10)에 맞닿은 타이밍에 있어서, 미리 정해져 있는 절대적인 시간을 기준으로 하여, 이상의 유무를 검지할 수 있다.
이동부(50)의 지지부(10)로부터 이격되는 방향으로의 이동 개시부터 제4 시간 이내에 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격된 것이 검지부(90)에 의해 검지되지 않은 경우에 이상이 발생하였다고 판단하는 양태를 채용한 경우에는, 이동부(50)가 예를 들어 하강해서 지지부(10)로부터 이격되는 타이밍에 있어서, 미리 정해져 있는 절대적인 시간을 기준으로 하여, 이상의 유무를 검지할 수 있다.
이상이 발생하였다고 판단한 경우에 알림부(170)가 지지부(10)의 청소 또는 교환을 재촉하는 정보를 알리는 양태를 채용한 경우에는, 지지부(10)의 청소나 교환을 유저에게 재촉할 수 있어, 지지부(10)의 이동을 정상적인 것으로 하고, 나아가서는 기판 W의 세정 효율을 높일 수 있다.
이상이 발생하였다고 판단한 경우에는 제어부(150)는 기판 세정 장치에서의 처리를 정지하도록 제어해도 된다. 이상이 발생한 경우에는, 기판 W가 정상적인 상태에서 지지부(10)에 의해 파지되지 않을 가능성이 있다. 지지부(10)에 의해 기판 W가 정상적인 상태에서 파지되지 않은 경우에, 기판 W를 지지부(10)에 의해 회전시킨 경우에는 지지부(10)로부터 기판 W가 튀어나와 파손될 가능성이 있다. 본 형태를 채용한 경우에는, 그와 같은 사태가 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
또한, 이상이 발생하기 전의 전조를 제어부(150)가 검지한 경우에 알림부(170)가 지지부(10)의 청소 또는 교환을 재촉하는 정보를 알리도록 해도 된다. 이 경우에는, 이상이 발생하기 전에 지지부(10)의 청소 또는 교환을 재촉할 수 있어, 기판 W의 세정 효율이 내려가는 것을 방지할 수 있다. 전조로서는, 예를 들어 임계값을 초과하지 않지만 임계값에 가까운 상태가 되어 있는 경우를 들 수 있다.
전술한 제1 시간에 관하여 말하자면, 예를 들어 제1 시간(제1 상대 기준 시간 또는 제1 평균 기준 시간)보다도 짧은 제1 예비 시간(예를 들어 제1 시간의 80％ 또는 90％)이 정해져 있으며, 어떤 이동부(50)를 다른 이동부(50)와 비교한 경우에 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿은 타이밍이 제1 예비 시간을 초과한 경우에는 이상이 발생하는 전조가 확인되게 된다. 또한, 전술한 제2 시간에 관하여 말하자면, 예를 들어 제2 시간(제2 상대 기준 시간 또는 제2 평균 기준 시간)보다도 짧은 제2 예비 시간(예를 들어 제2 시간 80％ 또는 90％)이 정해져 있으며, 어떤 이동부(50)를 다른 이동부(50)와 비교한 경우에 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격되는 타이밍이 제2 예비 시간을 초과한 경우에는 이상이 발생하는 전조가 확인되게 된다. 전술한 제3 시간에 관하여 말하자면, 예를 들어 제3 시간보다도 짧은 제3 예비 시간이 정해져 있으며, 이동부(50)의 지지부(10)를 향하는 방향으로의 이동 개시부터 제3 예비 시간(예를 들어 제3 시간 95％)을 초과한 타이밍에 이동부(50)가 지지부(10)에 맞닿은 경우에는 이상이 발생하는 전조가 확인되게 된다. 예를 들어, 제4 시간보다도 짧은 제4 예비 시간(예를 들어 제4 시간 95％)이 정해져 있으며, 이동부(50)의 지지부(10)로부터 이격되는 방향으로의 이동 개시부터 제4 예비 시간을 초과한 타이밍에 이동부(50)가 지지부(10)로부터 이격된 경우에는 이상이 발생하는 전조가 확인되게 된다.
상술한 실시 형태의 기재 및 도면의 개시는, 청구범위에 기재된 발명을 설명하기 위한 일례에 지나지 않고, 상술한 실시 형태의 기재 또는 도면의 개시에 의해 청구범위에 기재된 발명이 한정되지는 않는다. 또한, 출원 당초의 청구항 기재는 어디까지나 일례이며, 명세서, 도면 등의 기재에 기초하여, 청구항의 기재를 적절히 변경할 수도 있다. 본 실시 형태의 기판 지지 장치(100)는, IPA 모듈, PEN 모듈, 2유체 제트 모듈 등의 다양한 모듈로 채용할 수 있다.
10: 지지부
50: 이동부
60: 유체관
61: 유출구
90: 검지부
100: 기판 지지 장치
150: 제어부
170: 알림부
W: 기판

Claims (11)

  1. 기판을 지지하기 위한 지지부와,
    상기 지지부에 맞닿고, 상기 지지부를 축선 방향을 따라서 이동시키기 위한 이동부와,
    적어도 일부가 상기 이동부 내에 마련되고, 유체가 흐르는 유체관이며, 상기 이동부가 상기 지지부에 맞닿을 때, 상기 지지부에 의해 유출구가 덮이는 유체관과,
    상기 유체의 상태를 검지하는 검지부
    를 구비하는 기판 지지 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검지부는, 상기 유체관을 흐르는 유체의 압력 또는 유량을 검지하는 기판 지지 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는 복수 마련되고,
    각 지지부에 대응하여 이동부가 마련되고,
    이동부의 각각에 상기 유체관이 마련되는 기판 지지 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유체는 기체인 기판 지지 장치.
  5. 제1항에 기재된 기판 지지 장치와,
    상기 검지부로부터의 정보에 기초하여, 상기 이동부가 상기 지지부에 맞닿았는지 여부를 판단하는 제어부
    를 구비하는 기판 세정 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    각 유체관에, 당해 유체관을 흐르는 유체의 압력 또는 유량을 검지하는 검지부가 마련되고,
    상기 제어부는, 각 검지부로부터의 검지 결과에 기초하여 이상을 검지하는 기판 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어부에 의해, 어떤 이동부가 어떤 지지부에 맞닿았다고 판단된 시간과, 다른 이동부가 다른 지지부에 맞닿았다고 판단된 시간 사이의 간격이 제1 시간 이상 경과한 경우에는, 상기 제어부는 이상이 발생하였다고 판단하는 기판 세정 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제어부에 의해, 어떤 이동부가 어떤 지지부로부터 이격되었다고 판단된 시간과, 다른 이동부가 다른 지지부로부터 이격되었다고 판단된 시간 사이의 간격이 제2 시간 이상 경과한 경우에는, 상기 제어부는 이상이 발생하였다고 판단하는 기판 세정 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 이동부의 상기 지지부를 향하는 방향으로의 이동 개시부터 제3 시간 이내에 상기 이동부가 상기 지지부에 맞닿은 것이 상기 검지부에 의해 검지되지 않은 경우에는 이상이 발생하였다고 판단하는 기판 세정 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 이동부의 상기 지지부로부터 이격되는 방향으로의 이동 개시부터 제4 시간 이내에 상기 이동부가 상기 지지부로부터 이격된 것이 상기 검지부에 의해 검지되지 않은 경우에는 이상이 발생하였다고 판단하는 기판 세정 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 제어부가 이상이 발생하였다고 판단한 경우에, 상기 지지부의 청소 또는 교환을 재촉하는 정보를 알리는 알림부를 구비하는 기판 세정 장치.
KR1020200039700A 2019-04-04 2020-04-01 기판 지지 장치 및 기판 세정 장치 KR20200117886A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019071877A JP7278838B2 (ja) 2019-04-04 2019-04-04 基板支持装置及び基板洗浄装置
JPJP-P-2019-071877 2019-04-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200117886A true KR20200117886A (ko) 2020-10-14

Family

ID=72662817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200039700A KR20200117886A (ko) 2019-04-04 2020-04-01 기판 지지 장치 및 기판 세정 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11766756B2 (ko)
JP (1) JP7278838B2 (ko)
KR (1) KR20200117886A (ko)
CN (1) CN111799211A (ko)
TW (1) TW202038369A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220195609A1 (en) * 2020-12-20 2022-06-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US11766756B2 (en) * 2019-04-04 2023-09-26 Ebara Corporation Substrate support apparatus and substrate cleaning apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI812123B (zh) * 2022-03-28 2023-08-11 辛耘企業股份有限公司 晶圓載台

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6294809A (ja) * 1985-10-21 1987-05-01 Hitachi Ltd 距離検出機構
KR0130138Y1 (ko) * 1994-12-15 1999-02-01 김영환 고온 유체 순환장비용 저량의 유체 공급 검출 장치
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JP4482245B2 (ja) * 2001-03-30 2010-06-16 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
JP2003092344A (ja) * 2001-09-19 2003-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構およびこれを用いた基板処理装置、ならびに基板保持方法
JP2005019456A (ja) 2003-06-23 2005-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置、ならびにそれを用いた基板処理装置、基板保持方法および基板処理方法
JP4530352B2 (ja) * 2004-12-21 2010-08-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板載置装置
JP2006305666A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Myotoku Ltd ワーク保持位置検出システム
JP5086151B2 (ja) * 2008-03-27 2012-11-28 シチズンマシナリーミヤノ株式会社 ワーク検知装置及びワーク検知方法並びにワーク検知装置を備えた工作機械
JP5422143B2 (ja) * 2008-06-04 2014-02-19 株式会社荏原製作所 基板把持機構
JP5825898B2 (ja) * 2011-07-20 2015-12-02 株式会社Kelk センサ及びセンサ支持体
KR102385573B1 (ko) * 2017-12-13 2022-04-12 삼성전자주식회사 로드 컵 및 이를 포함하는 화학기계적 연마 장치
KR20200061237A (ko) * 2018-11-23 2020-06-02 삼성전자주식회사 반도체 설비의 세정 방법, 및 반도체 설비의 관리 시스템
JP7278838B2 (ja) * 2019-04-04 2023-05-22 株式会社荏原製作所 基板支持装置及び基板洗浄装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11766756B2 (en) * 2019-04-04 2023-09-26 Ebara Corporation Substrate support apparatus and substrate cleaning apparatus
US20220195609A1 (en) * 2020-12-20 2022-06-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US11905603B2 (en) * 2020-12-22 2024-02-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020170800A (ja) 2020-10-15
TW202038369A (zh) 2020-10-16
US11766756B2 (en) 2023-09-26
JP7278838B2 (ja) 2023-05-22
CN111799211A (zh) 2020-10-20
US20200316742A1 (en) 2020-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200117886A (ko) 기판 지지 장치 및 기판 세정 장치
CN107086190B (zh) 基板清洗装置和基板处理装置
CN108780746B (zh) 基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置以及基板干燥装置
TWI761389B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TWI525686B (zh) 基板洗淨方法
JP2014082470A (ja) 基板処理装置
JP6001896B2 (ja) 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
TW201342460A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20150075357A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
TW202132049A (zh) 清洗裝置及研磨裝置
US11948827B2 (en) Substrate support mechanism, substrate cleaning device and substrate processing method
KR20190032232A (ko) 브레이크 인 장치, 브레이크 인 시스템 및 기억 매체
JP2010087338A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP7356811B2 (ja) 基板支持装置及び基板支持装置の制御方法
JP6706162B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US20210111018A1 (en) Substrate cleaning apparatus and cleaning method of substrate
JP7149869B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2018182116A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US11848216B2 (en) Cleaning apparatus for cleaning member, substrate cleaning apparatus and cleaning member assembly
KR20240031921A (ko) 기판 처리 장치 및 브러시의 탈락 검지 방법
KR200292406Y1 (ko) 웨이퍼의 자세 전환장치
KR20060054570A (ko) 기판 처리 장치
KR20040070806A (ko) 반도체 세정장비용 카세트 이송장치
KR20050066115A (ko) 웨이퍼 잔존 초순수의 감지 및 배출이 가능한웨이퍼핸들러