KR20200093463A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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겐이치로우 마츠야마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 모듈에서의 필요한 체재 시간이 서로 다른 복수의 로트의 기판을 순차 반송하여 처리를 행하는 데 있어서, 기판 반송 기구의 부하를 억제하여 장치의 스루풋의 향상을 도모한다.
[해결수단] 처리 블록에 반입된 기판을 반출 모듈에 반송하기 위해 요하는 주반송 기구의 반송 공정수에 대응하는 기판의 반송 시간, 또는 멀티 모듈을 포함하며 기판에 복수 단계의 처리를 행하도록 처리 블록에 마련되는 모듈군 중, 같은 단계에서의 사용 가능한 모듈의 수로 필요한 기판의 체재 시간을 나눔으로써, 각 단계에 대해서 얻어지는 시간 중의 최대 시간인 시간의 파라미터와, 멀티 모듈을 구성하는 모듈에서의 필요한 기판의 체재 시간과, 사이클 타임에 기초한, 멀티 모듈 중의 기판의 반송처가 되는 모듈수의 결정 및 체재 사이클수의 결정을 행한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 대하여 포토리소그래피가 행해진다. 이 포토리소그래피를 행하기 위한 기판 처리 장치로서는, 각각 다른 처리를 행하는 복수의 처리 모듈에 대하여, 반송 기구가 순서대로 웨이퍼를 반송하도록 구성되는 경우가 있다. 또한, 같은 로트의 웨이퍼에 동일한 처리를 병행하여 행할 수 있도록, 상기 처리 모듈에 대해서는 동일한 것이 복수 마련되는 경우가 있다.
특허문헌 1에서는, 복수의 단위 블록이 적층되어 구성되는 처리 블록을 구비하고, 상기한 바와 같이 웨이퍼에 다른 처리를 행하는 처리 모듈 및 동일한 처리를 행하는 처리 모듈이, 각 단위 블록에 마련된 도포, 현상 장치에 대해서 나타내고 있다. 이 도포, 현상 장치에서는, 각 처리 모듈에서의 처리 시간을 같은 처리를 행하는 처리 모듈의 수로 나눈 값의 최대값과, 기판 반송 기구가 단위 블록을 1주회하는 최단 시간 중 긴 쪽이, 기판 반송 기구가 단위 블록을 1주회하는 시간(사이클 타임)이 된다. 이 사이클 타임과, 처리 모듈에 포함되는 가열 모듈의 처리 시간에 기초하여 상기 가열 모듈에서의 웨이퍼의 체재 사이클수(기판 반송 기구의 주회 동작의 횟수)가 결정되어, 단위 블록 내에서의 웨이퍼의 반송 스케줄이 설정된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2010-147424호 공보
본 개시는, 모듈에서의 필요한 체재 시간이 서로 다른 복수의 로트의 기판을 순차 반송하여 처리를 행하는 데 있어서, 기판 반송 기구의 부하를 억제하여 장치의 스루풋의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 기판 처리 장치는, 상류 측의 모듈로부터 하류 측의 모듈에 기판을 순차 반송하여 처리하는 처리 블록을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기판이 저장되는 캐리어와 상기 처리 블록 사이에서 상기 기판을 전달하여, 상기 처리 블록에의 상기 기판의 반입출을 행하는 반입출용 반송 기구와,
상기 반입출용 반송 기구에 의해 상기 처리 블록으로부터 반출되는 처리 완료된 상기 기판이 배치되는 반출 모듈과,
상기 처리 블록에서의 상기 기판의 반송의 순서가 서로 같은 상기 반출 모듈의 상류 측의 복수의 모듈에 의해 구성되는 멀티 모듈과,
서로 독립적으로 각 모듈에 대하여 진퇴하는 복수의 기판 유지부를 구비하고, 상기 처리 블록에 마련되는 반송로를 주회하여, 모듈 사이에서 상기 기판을 전달하는 주반송 기구
를 구비하며,
상기 주반송 기구가 상기 반송로를 1주하는 시간을 사이클 타임으로 하면,
제어부가,
상기 주반송 기구의 반송 공정수에 대응하는 기판의 반송 시간, 또는 상기 멀티 모듈을 포함하며 상기 기판에 복수 단계의 처리를 행하도록 상기 처리 블록에 마련되는 모듈군 중, 같은 단계에서의 사용 가능한 모듈의 수로 상기 단계의 모듈에서의 필요한 기판의 체재 시간을 나눔으로써, 각 단계에 대해서 얻어지는 시간 중의 최대 시간인 시간의 파라미터와,
상기 멀티 모듈을 구성하는 모듈에서의 상기 필요한 기판의 체재 시간과,
상기 사이클 타임
에 기초한,
상기 멀티 모듈 중 상기 기판의 반송처가 되는 모듈수의 결정 및 상기 멀티 모듈에 기판이 반입되고 나서 상기 기판이 반출될 때까지 상기 주반송 기구가 주회하는 횟수인 체재 사이클수의 결정을 포함하는, 제1 반송 스케줄의 설정을 행한다.
본 개시에 따르면, 모듈에서의 필요한 체재 시간이 서로 다른 복수의 로트의 기판을 순차 반송하여 처리를 행하는 데 있어서, 기판 반송 기구의 부하를 억제하여 장치의 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일실시형태인 도포, 현상 장치의 횡단 측면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 비교예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 4는 비교예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 5는 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 6은 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 7은 비교예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 8은 비교예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 9는 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 10은 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 11은 실시예의 반송 스케줄의 설정 흐름을 나타내는 차트도이다.
도 12는 도포, 현상 장치의 단위 블록을 나타내는 모식도이다.
도 13은 반송 스케줄을 설정하기 위한 체재 사이클수의 설정 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 14는 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 15는 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 16은 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 17은 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 18은 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
도 19는 실시예의 반송 스케줄을 나타내는 표도이다.
본 개시의 기판 처리 장치의 일실시형태인 도포, 현상 장치(1)에 대해서, 도 1의 평면도, 도 2의 종단 측면도를 각각 참조하면서 설명한다. 도포, 현상 장치(1)는, 서로 구획된 캐리어 블록(D1)과, 처리 블록(D2)과, 인터페이스 블록(D3)을 이 순서로 전방으로부터 후방을 향하여 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(D3)의 후방에는 노광기(D4)가 접속되어 있다. 캐리어 블록(D1)에는, 다수매의 웨이퍼(W)를 저장하는 캐리어(10)의 배치대(11)와, 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(10)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 기구(13)가 마련되어 있다.
처리 블록(D2)은, 웨이퍼(W)에 액 처리 및 가열 처리를 행하는 단위 블록(E1 내지 E6)이 밑에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있고, 단위 블록(E1 내지 E6)은 서로 구획되어 있다. 이 예에서는, 단위 블록(E1 내지 E3)은 서로 동일하게 구성되어 있고, 액 처리로서, 약액의 도포에 의한 반사 방지막의 형성 및 레지스트의 도포에 의한 레지스트막의 형성을 행한다. 또한, 단위 블록(E4 내지 E6)은 서로 동일하게 구성되어 있고, 액 처리로서 현상에 의한 레지스트 패턴의 형성을 행한다. 각 단위 블록[E(E1 내지 E6)]에서, 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 행해진다.
단위 블록(E1 내지 E6) 중 대표하여, 도 1에 나타낸 단위 블록(E6)에 대해서 설명한다. 단위 블록(E6)의 좌우의 중앙에는, 전후 방향으로 신장하는 웨이퍼(W)의 반송로(14)가 형성되어 있다. 반송로(14)의 좌우의 한쪽 측에는, 4개의 현상 모듈이 마련되어 있고, 각 현상 모듈을 DEV1 내지 DEV4로서 나타내고 있다. 반송로(14)의 다른 쪽 측에는, 배치된 웨이퍼(W)가 가열되도록 열판을 구비하는 가열 모듈이 전후에 다수 배열되어 마련되어 있다. 열판의 온도, 즉 웨이퍼(W)의 가열 온도는 변경 가능하다. 이 가열 모듈로서는, 노광 후, 현상 전의 가열 처리인 PEB(Post Exposure Bake)를 행하는 CSWP1 내지 CSWP3과, 현상 후의 가열 처리를 행하는 CGHP1 내지 CGHP3이 마련되어 있다.
상기 반송로(14)에는, 단위 블록(E6)에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(F6)이 마련되어 있다. 반송 아암(F6)은, 반송로(14)를 승강 이동, 전후 이동, 수직축 둘레로 회동(回動) 가능한 베이스(21)를 구비하고 있다. 베이스(21) 상에는 웨이퍼(W)를 각각 지지 가능한 2개의 기판 유지부(22)가 마련되고, 기판 유지부(22)는 서로 독립적으로 모듈에 대하여 진퇴할 수 있다. 후술과 같이 웨이퍼(W)를 반송 흐름의 하류 측의 모듈에 반송하는 데 있어서, 한쪽의 기판 유지부(22)가 진퇴함으로써 모듈로부터 웨이퍼(W)를 수취하고, 계속해서 다른 쪽의 기판 유지부(22)가 상기 모듈에 진입하여, 유지하고 있는 웨이퍼(W)를 상기 모듈에 송출할 수 있다. 즉, 모듈에서 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송하는 것이 가능하고, 이러한 반송을 교체 반송이라고 한다. 또한, 모듈이란 웨이퍼(W)가 배치되는 장소이며, 웨이퍼(W)에 처리를 행하는 모듈에 대해서는 처리 모듈이라고 기재하는 경우가 있다.
단위 블록(E1 내지 E3)에 대해서, 단위 블록(E6)과의 차이점을 중심으로 설명하면, 단위 블록(E1 내지 E3)은, 현상 모듈[DEV(DEV1 내지 DEV4)] 대신에, 반사 방지막 형성 모듈 및 레지스트막 형성 모듈을 구비하고 있다. 레지스트막 형성 모듈은, 웨이퍼(W)에 약액으로서 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성한다. 반사 방지막 형성 모듈은 반사 방지막 형성용의 약액을 웨이퍼(W)에 공급하여 반사 방지막을 형성한다. 또한, 단위 블록(E1 내지 E3)에서는, 가열 모듈[CSWP(CSWP1 내지 CSWP3) 및 CGHP(CGHP1 내지 CGHP3)] 대신에, 반사 방지막 형성 후, 레지스트막 형성 후의 웨이퍼(W)를 각각 가열하기 위한 가열 모듈이 마련된다. 도 2에서는, 반송 아암(F6)에 상당하는 각 단위 블록(E1 내지 E5)의 반송 아암에 대해서, F1 내지 F5로서 나타내고 있고, 주반송 기구인 반송 아암(F1 내지 F6)은 서로 동일하게 구성되어 있다.
처리 블록(D2)에서의 캐리어 블록(D1) 측에는, 각 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸쳐 상하로 신장하여, 서로 적층된 다수의 모듈로 이루어지는 타워(T1)가 마련되어 있다. 이 타워(T1)에는, 전달 모듈(TRS10, TRS20, TRS1 내지 TRS3)과, 온도 조정 모듈(SCPL1, SCPL2)과, 온도 조정 모듈(SCPL'1, SCPL'2)이 마련되어 있다.
전달 모듈(TRS1 내지 TRS3)은, 반송 아암(F1 내지 F3)이 각각 액세스 가능한 높이에 마련되어 있다. 온도 조정 모듈[SCPL(SCPL1, SCPL2) 및 SCPL'(SCPL'1, SCPL'2)]은, 반송 아암(F4, F5, F6)이 각각 액세스 가능한 높이에 마련되어 있다. 이들 온도 조정 모듈(SCPL, SCPL')에 대해서는, 배치된 웨이퍼(W)를 냉각하여 온도 조정하는 스테이지를 구비하고 있다. 가열 모듈(CSWP)의 다음에 웨이퍼(W)가 반송되는 온도 조정 모듈을 SCPL로 하고, 가열 모듈(CGHP)의 다음에 웨이퍼(W)가 반송되는 온도 조정 모듈을 SCPL'으로 하고 있다. 온도 조정 모듈(SCPL')에 대해서는, 단위 블록(E4 내지 E6)에서 처리 완료된 웨이퍼(W)를, 상기 단위 블록(E4 내지 E6)으로부터 반출하기 위해 배치하는 반출 모듈이다. 또한, 타워(T1)의 근방에는, 타워(T1)를 구성하는 각 모듈에 액세스 가능하며 승강 가능한 반송 기구(15)가 마련되어 있다.
계속해서, 인터페이스 블록(D3)에 대해서 설명한다. 이 인터페이스 블록(D3)은, 단위 블록(E1 내지 E6)에 걸치도록 상하로 신장하는 타워(T2 내지 T4)를 구비하고 있다. 이 타워(T2)에는, 다수의 전달 모듈(TRS)이 적층되어 마련되어 있다. 그리고, 이 전달 모듈(TRS)은 단위 블록(E1 내지 E6)에 대응하는 각 높이에 마련되어 있다. 단위 블록(E1 내지 E3)에 대응하는 높이의 전달 모듈을 TRS11 내지 TRS13, 단위 블록(E4 내지 E6)에 대응하는 높이의 전달 모듈을 TRS4 내지 TRS6으로 하여 각각 나타내고 있다. 전달 모듈(TRS4 내지 TRS6)은, 단위 블록(E4 내지 E6)에 웨이퍼(W)를 각각 반입하기 위한 반입 모듈이다.
타워(T3, T4)는, 타워(T2)를 좌우에서 사이에 끼우도록 마련되어 있다. 타워(T3, T4)에는, 각종 모듈이 포함되지만, 도시 및 설명을 생략한다. 또한, 인터페이스 블록(D3)은, 각 타워(T2 내지 T4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(16 내지 18)를 구비하고 있다. 반송 기구(16)는, 타워(T2) 및 타워(T3)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구이며, 반송 기구(17)는, 타워(T2) 및 타워(T4)에 대하여 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 반송 기구이다. 반송 기구(18)는, 타워(T2)와 노광기(D4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송 기구이다. 반송 기구(13, 15, 16 내지 18)는, 캐리어(10)와 처리 블록(D2) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 반입출용 반송 기구를 구성한다.
계속해서, 도포, 현상 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송 흐름에 대해서 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어(10)로부터 반송 기구(13)에 의해, 타워(T1)의 전달 모듈(TRS10)에 반송된다. 웨이퍼(W)는, 이 전달 모듈(TRS10)로부터 반송 기구(15)에 의해 전달 모듈(TRS1 내지 TRS3)에 할당된다. 그리고, 상기 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(TRS1 내지 TRS3)로부터 반송 아암(F1 내지 F3)에 의해, 단위 블록(E1 내지 E3)에 들어가, 반사 방지막 형성 모듈→가열 모듈→레지스트막 형성 모듈→가열 모듈의 순서로 반송된다. 그에 의해 반사 방지막, 레지스트막이 웨이퍼(W)에 순서대로 형성된 후, 상기 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS11 내지 TRS13)에 반송되고, 반송 기구(16, 18)에 의해, 노광기(D4)에 반송되어, 레지스트막이 미리 결정된 패턴을 따라 노광된다.
노광 후의 웨이퍼(W)는, 반송 기구(18)에 의해 노광기(D4)로부터 취출되어, 타워(T4)의 모듈을 통해 반송 기구(17)에 수취된다. 반송 기구(17)는, 웨이퍼(W)를 전달 모듈(TRS4, TRS5, TRS6)의 순서로 반복 반송하여, 웨이퍼(W)를 이들 전달 모듈에 할당한다. 그리고, 전달 모듈(TRS4 내지 TRS6)에 반송된 웨이퍼(W)는, 반송 아암(F4 내지 F6)에 의해 가열 모듈(CSWP)→온도 조정 모듈(SCPL)→현상 모듈(DEV)→가열 모듈(CGHP)→온도 조정 모듈(SCPL')의 순서로 반송된다. 그에 의해, 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막에 대해서, PEB, 온도 조정, 현상, 온도 조정이 순서대로 행해진다. 그러한 후, 웨이퍼(W)는 반송 기구(15)에 의해, 단위 블록(E4 내지 E6)으로부터 반출되어 전달 모듈(TRS20)에 반송되고, 반송 기구(13)에 의해 캐리어(10)에 복귀된다.
그런데, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)가 반송되는 데 있어서, 단위 블록(E)에서 반송의 순서가 같은 동일한 복수의 모듈에 대해서는, 멀티 모듈로 한다. 따라서, 현상 모듈(DEV1 내지 DEV4)이, 같은 멀티 모듈을 구성하고, 온도 조정 모듈(SCPL1, SCPL2)이, 같은 멀티 모듈을 구성하고, 온도 조정 모듈(SCPL'1, SCPL'2)이, 같은 멀티 모듈을 구성하고 있다. 또한, 가열 모듈(CSWP1 내지 CSWP3)이, 같은 멀티 모듈을 구성하고, 가열 모듈(CGHP1 내지 CGHP3)이, 같은 멀티 모듈을 구성하고 있다. 또한, 상기 반송 흐름에서의 각 처리 공정을 단계로서 기재하는 경우가 있다. 즉, 같은 멀티 모듈을 구성하는 각 모듈은, 서로 같은 단계를 실시하기 위한 모듈이다. 또한, 상기한 바와 같이 반송 흐름이 설정되어 있기 때문에, 가열 모듈(CSWP), 온도 조정 모듈(SCPL)에 대해서는 상류 측의 멀티 모듈에 상당하고, 현상 모듈(DEV), 가열 모듈(CGHP)에 대해서는 하류 측의 멀티 모듈에 상당한다.
그리고, 도포, 현상 장치(1)에서 반송되는 웨이퍼(W)에 대해서는, 프로세스 작업(PJ)에 의해 설정되어 있다. PJ는, 웨이퍼(W)에서의 처리 레시피(어떤 종류의 모듈에 반송하여 처리할 것인지의 반송 레시피도 포함함), 반송하는 웨이퍼(W)를 지정하는 정보이다. 같은 PJ로서 설정된 웨이퍼(W)에 대해서는, 동종의 처리를 받는, 같은 로트의 웨이퍼(W)이다. 상기 처리 레시피에 의해, 사용 가능 모듈수나 처리 내용이 지정되고, 이 처리 내용에 기초하여 각 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리 시간이 산출된다. 또한, 처리 레시피에 기초하여 각종 연산이 행해짐으로써, 후술하는 OHT(Over Head Time)가 산출된다. 또한, 상기 처리 내용(처리 파라미터)에는, 가열 모듈(CSWP1 내지 CSWP3, CGHP1 내지 CGHP3)에서의 열판의 온도가 포함된다.
상기 처리 레시피에서 지정되는, 또는 처리 레시피에 기초하여 산출되는 각 파라미터에 대해서 설명한다. 사용 가능 모듈수란, 같은 멀티 모듈을 각각 구성하며, 웨이퍼(W)의 처리 시에 사용 가능한 모듈의 수이다. 이하의 설명에서는, 각 PJ의 웨이퍼(W)의 처리에, 이미 서술한 각 모듈이 전부 이용되는 것으로 한다. 따라서, 예컨대 현상 모듈(DEV)에 대해서는 DEV1 내지 DEV4의 4개가 마련되어 있기 때문에, 사용 가능 모듈수는 4이다. 또한, OHT란, 모듈에의 웨이퍼(W)의 반입부터 처리까지 필요한 시간과, 웨이퍼(W)의 처리 후, 모듈로부터 상기 웨이퍼(W)가 반출 가능하게 될 때까지 필요한 시간의 합계이다. 그런데, 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리 시간과 OHT의 합계가, 웨이퍼(W)가 모듈에 체재하는 데 있어서, 적어도 필요한 체재 시간(MUT: Module Using Time)이다. 상기한 바와 같이 처리 레시피에 기초하여, 웨이퍼(W)의 처리 시간 및 OHT가 산출되게 되고, 또한 이 MUT에 대해서도 산출되게 된다.
예컨대 로트가 다른 웨이퍼(W)는 서로 다른 캐리어(10)에 저장되고, 하나의 캐리어(10)로부터의 웨이퍼(W)의 배출이 끝나면, 다음 캐리어(10)로부터의 웨이퍼(W)의 배출이 행해진다. 도포, 현상 장치(1)에서는, 장치에 반입된 웨이퍼(W)가 순서대로 하류 측을 향하도록 반송된다. 즉 나중에 반입된 웨이퍼(W)가, 먼저 반입된 웨이퍼(W)를 앞질러 하류 측의 모듈로 이동하지 않도록 반송이 행해진다. 따라서, 각 단위 블록(E)에는 같은 로트의 웨이퍼(W)가 종합되어, 즉 같은 PJ의 웨이퍼(W)가 종합되어 반입된다.
반송 아암[F(F1 내지 F6)]에 대해서는, 단위 블록[E(E1 내지 E6)]에서 액세스하는 모듈 사이를 순서대로 사이클릭하게 이동하여, 웨이퍼(W)를 1장씩, 상류 측의 모듈로부터 하류 측의 모듈에 전달하는 사이클 반송을 행한다. 즉 단위 블록(E6)이면, 반송 아암(F6)이 반송로(14)를 반복 주회 이동하여, 단위 블록(E6)에의 반입 모듈인 전달 모듈(TRS6) 측으로부터, 반출 모듈인 온도 조정 모듈(SCPL') 측을 향하는 웨이퍼(W)의 반송이 반복해서 행해진다. 반송 아암(F)이 반송로(14)를 1주하는 시간을 사이클 타임으로 한다. 그리고, 웨이퍼(W)에 순서를 할당하고, 웨이퍼(W)의 순서와 반송처의 모듈을 대응시켜, 상기 반송 아암(F)에 의한 사이클을 지정한 데이터를 시계열로 배열하여 작성한 것을 반송 스케줄로 한다. 도포, 현상 장치(1)에 반입되기 전에 미리 작성된 반송 스케줄에 따라, 웨이퍼(W)는 상기 도포, 현상 장치(1) 내에서 반송된다.
이하, 이 도포, 현상 장치(1)에서의 반송 스케줄 및 그 설정 방법에 대해서 설명하기 위해, 먼저 비교예의 반송 스케줄에 대해서 설명한다. 도 3의 표는, 제1 로트인 PJ-A의 웨이퍼(W), 제2 로트인 PJ-B의 웨이퍼(W)를 이 순서로 연속하여 반송 아암(F6)에 의해 반송하는 경우에 설정되는, 비교예 1의 반송 스케줄에 대해서 나타내고 있다. 이와 같이 표로서 나타내는 반송 스케줄에 대해서 설명한다. 횡방향으로 배열된 셀의 1열은 하나의 사이클을 나타내고, 표의 하방을 향할수록 뒤의 시간의 사이클이다. 종방향으로 배열된 셀의 열은, 웨이퍼(W)의 반송처의 모듈을 나타내고 있다. 그리고, 셀 내에 기재된 ID 번호와 ID 번호로부터 하방으로 신장하는 화살표에 의해, 어느 사이클에서, 어느 모듈에, 어느 웨이퍼(W)가 반송되어 체재할지가 나타나 있다.
구체적으로 시계열에서 보면, ID 번호를 붙인 셀의 사이클에서 웨이퍼(W)는 모듈에 반송되고, 화살표를 붙인 셀에 대응하는 사이클에서는, 상기 웨이퍼(W)는 사이클의 처음부터 끝까지 모듈에 체재한다. 그리고, 화살표를 붙인 셀의 하나 아래의 화살표가 붙어 있지 않은 셀의 사이클에서, 상기 웨이퍼(W)는 모듈로부터 반출된다. 또한, 웨이퍼(W)가 모듈에 체재하는 사이클의 수를, 그 모듈에서의 웨이퍼(W)의 체재 사이클수로 한다. 구체적으로 서술하면, 반송 스케줄의 표에서, ID 번호를 붙인 셀의 수(=1)+그 ID 번호를 붙인 셀의 하방에 위치하여 화살표가 붙은 셀의 수=체재 사이클수이다. 예컨대 도 3으로부터, 가열 모듈(CSWP)에 대해서는 ID 번호를 붙인 셀의 하방에 화살표를 붙인 셀이 2개 배열되기 때문에, 상기 가열 모듈(CSWP)에서의 체재 사이클수는 3이다.
A01 내지 A20, B01 내지 B20으로서 나타내는 상기 ID 번호에 대해서, 영문자는 웨이퍼(W)에 설정되어 있는 PJ를 나타내고, 숫자는 하나의 PJ에서의 단위 블록(E6)에의 반입순을 나타내고 있다. 따라서 이 반송 스케줄은, PJ-A, PJ-B에 대해서 각각 20장의 웨이퍼(W)를 반송하는 예를 나타내고 있다. 이후의 설명에서는, 각 웨이퍼(W)에 대해서 언급할 때에, ID 번호를 이용하는 경우가 있다.
하기의 표 1, 표 2는 각각 PJ-A, PJ-B에 대해서, 단위 블록(E6)의 각 모듈에 관해서 설정되어 있는 파라미터를 나타낸 것이다.
Figure pat00001
Figure pat00002
이하, 비교예 1의 반송 스케줄을 설정하는 데 있어서 적용되고 있는 룰에 대해서 설명한다. 비교예 1에서는, 멀티 모듈을 구성하는 각 모듈에서의 웨이퍼(W)의 체재 사이클수에 대해서, PJ-A, PJ-B 공히, 상기 멀티 모듈을 구성하는 사용 가능 모듈수와 동일한 수로 하고 있다. 따라서, PJ-A 및 PJ-B에 대해서, CSWP, SCPL, DEV, CGHP의 체재 사이클수가 각각 3, 2, 4, 3으로 되어 있다. 또한, 이 도 3 및 후술하는 각 도면에 나타내는 반송 스케줄은, 반송 아암(F6)에 대한 동작을 나타내는 반송 스케줄이다. 단위 블록(E6)으로부터의 반출 모듈인 SCPL'에 대해서 반송 아암(F6)은 반입만 행하고, SCPL'로부터의 웨이퍼(W)의 반출은 다른 반송 기구가 행한다. 그 때문에, SCPL'의 체재 사이클수에 대해서는, 이 SCPL'에의 반입에 요하는 사이클만 카운트하여, 1로 하고 있다.
또한, 비교예 1에서는, 동일한 멀티 모듈을 구성하는 모듈에 대해서, 미리 정해진 순서에 따라, 반복하여 웨이퍼(W)가 반송되도록 한다. 또한, 사이클 타임에 대해서, 하나의 사이클에 포함되는 PJ가 하나만인 경우는 상기 PJ에 대응하는 사이클 타임으로 하고, 하나의 사이클에 PJ가 복수 포함되는 경우는 가장 느린 PJ에 대응하는 사이클 타임으로 하고 있다. 뒤에 산출 방법을 설명하는데, PJ-A의 사이클 타임은 12초, PJ-B의 사이클 타임은 18초이다. 따라서, 이 PJ-A의 웨이퍼(W), PJ-B의 웨이퍼(W)가 함께 단위 블록(E6)에 반입되어 있는 기간(R0)의 각 사이클에서의 사이클 타임은, PJ-B의 사이클 타임인 18초로 하고 있다.
상기와 같은 룰에 따라 반송 스케줄을 설정하는 것은, 반출 모듈인 SCPL'의 상류 측의 각 모듈에 대해서, 교체 반송이 행해지는 횟수를 많게 하기 위해서이다. 이미 서술한 바와 같이 교체 반송에 의하면, 하나의 모듈에 대하여 웨이퍼(W)의 반입, 반출이 행해지기 때문에, 상기 교체 반송이 많이 행해질수록, 반송 아암(F6)의 모듈 사이에서의 이동을 억제하여, 반송 아암(F6)의 동작 공정수를 저감시킬 수 있다. 그리고, 그와 같이 반송 아암(F6)의 동작 공정수가 저감되는 결과로서, 단위 블록(E6)에서의 일련의 처리가 반송 아암(F6)의 동작에 의해 율속(律速)되어 버리는 것을 막을 수 있기 때문에, 단위 블록(E6)의 스루풋의 저하가 억제되게 된다. 또한, 반송 스케줄의 표는 이미 서술한 바와 같은 룰을 가지고 표시되기 때문에, 하나의 모듈에 대해서, 하나의 웨이퍼(W)가 반입되는 사이클의 직전(하나 전)의 사이클에서 다른 웨이퍼(W)가 체재하도록 나타나 있으면, 이들 웨이퍼(W)에 대해서 교체 반송된다.
도 3으로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1의 반송 스케줄에서는, CSWP, SCPL, DEV, CGHP의 각 모듈에 대해서, 2회째 이후에 반송 아암(F6)이 액세스할 때에는 교체 반송이 행해진다. 그리고, 1 사이클에서의 반송 아암(F6)의 CSWP, SCPL, DEV, CGHP, SCPL'에의 각 액세스는 1회 이하로 억제되어 있다. 즉, 반송 아암(F6)에 대해서 동작 공정수가 억제되어 있다.
단, 비교예 1의 반송 스케줄에서는, 상기한 바와 같이 멀티 모듈을 구성하는 모듈에서의 웨이퍼(W)의 체재 사이클수=멀티 모듈에서의 사용 가능 모듈수로 하고 있다. 따라서 사용 가능 모듈수가 많으면, 웨이퍼(W)가 모듈로부터 반출 가능하게 된 후에, 상기 모듈에서 대기하는 시간이 비교적 길어져 버린다. 또한, 상기한 바와 같이 하나의 사이클에 PJ가 복수 포함되는 경우는, 사이클 타임에 대해서는 느린 PJ의 사이클 타임으로 설정되기 때문에, 본래는 짧은 사이클 타임으로 반송 가능한 웨이퍼(W)의 반송이 시간이 늦어진다. 구체적으로 서술하면, 상기 기간(R0)보다 전에서는 단위 블록(E6)의 출구가 되는 SCPL'에의 PJ-A의 웨이퍼(W)의 반송 간격은 12초이지만, 이미 서술한 바와 같이 기간(R0)에서는 상기 반송 간격은 18초이다. 그 때문에, 기간(R0)에서는 PJ-A의 웨이퍼(W)의 스루풋이 저하되어 있게 된다. 또한, 하나의 PJ에 대해서, 선두의 웨이퍼(W)가 CSWP에 반송되는 사이클로부터 최후의 웨이퍼(W)가 SCPL'에 반송되는 사이클까지의 기간을 PJ의 체재 기간으로 하면, 비교예 1에서는 PJ-A의 체재 기간(R1)은 456초, PJ-B의 체재 기간(R2)은 576초이다.
상기 비교예 1의 반송 스케줄보다, 높은 스루풋이 얻어지는 반송 스케줄을 설정하는 것에 대해서 검토한다. 그와 같이 높은 스루풋을 얻기 위해, 각 사이클의 사이클 타임은, 단위 블록(E6)에 반송되는 웨이퍼(W)의 각 PJ의 사이클 타임 중, 예컨대 최소의 사이클 타임으로 설정한다. 그리고, 반송 흐름의 각 단계의 웨이퍼(W)의 체재 사이클수를, MUT/사이클 타임의 값(소수점 이하의 수치는 올림함)으로 설정한다. 이들 룰에 따라 작성되는 PJ-A, PJ-B의 반송 스케줄을, 비교예 2의 반송 스케줄로서 도 4에 나타낸다.
비교예 1의 반송 스케줄과의 차이점을 중심으로, 비교예 2의 반송 스케줄에 대해서 설명한다. 도포, 현상 장치(1)에 반송되는 웨이퍼(W)의 각 PJ의 사이클 타임 중, 최소의 사이클 타임은, PJ-A의 사이클 타임인 것으로 한다. 그 때문에, 비교예 2에서는 상기 룰에 따라, 각 사이클의 사이클 타임은, 상기 PJ-A의 사이클 타임인 12초로 설정되어 있다.
그리고, 비교예 2에서는 이미 서술한 룰에 따라 체재 사이클수가 설정되어 있음으로써, PJ-A의 웨이퍼(W)에 대해서, CSWP, SCPL, DEV, CGHP의 체재 사이클수는, 비교예 1과 마찬가지로 각각 3, 2, 4, 3으로 설정되어 있다. 그러나, PJ-B의 웨이퍼(W)에 대해서는, CSWP, SCPL, DEV, CGHP의 체재 사이클수는, 각각 4, 2, 6, 4로서 설정되어 있다. PJ-B의 웨이퍼(W)에서의 CSWP의 체재 사이클수의 계산에 대해서 구체적으로 나타내 두면, MUT(47.0초)/사이클 타임(12초)=3.9이기 때문에, 소수점 이하를 올림하여, 체재 사이클수는 4이다. 비교예 2에서는 이와 같이 PJ-A, PJ-B에서 각 모듈에서의 체재 사이클수가 다르다. 그 때문에 비교예 1에서는 각 사이클에서 단위 블록(E6)의 출구인 SCPL'에, 웨이퍼(A20)가 반입된 다음의 사이클에서 웨이퍼(B01)가 반입되지만, 비교예 2에서는 웨이퍼(A20)가 반입되고 나서 수 사이클 후에 웨이퍼(B01)가 반입된다. 또한, 이 비교예 2에서는, 멀티 모듈을 구성하는 각 모듈에 대해서, 비교예 1과 동일하게 모듈에 설정된 미리 결정된 순서에 따라 웨이퍼(W)가 반송되도록 설정하고 있다.
비교예 2에서는, 상기한 바와 같이 PJ 사이에서 사이클 타임을 일정하게 하고, 각 PJ의 웨이퍼(W)에 대해서 이 사이클 타임에 따라 산출되는 필요한 체재 사이클수만큼, 모듈에 체재하도록 반송 스케줄을 설정하고 있다. 그에 의해, 모듈로부터 웨이퍼(W)가 반출 가능하게 되고 나서 상기 웨이퍼(W)가 반출되기까지의 시간이 길어지는 것이 억제되고 있다.
그러나, 이 비교예 2에서는 상기한 바와 같이 사이클 타임 및 체재 사이클수를 설정한 것에 기인하여, 체재 사이클수>사용 가능 모듈수가 되는 단계가 발생하고 있다. 그와 같은 단계가 있기 때문에, 단위 블록(E6) 내의 다른 단계에서는 교체 반송이 행해지지 않는 케이스가 발생한다. 구체적으로는 PJ-B의 현상 모듈(DEV)에서, 체재 사이클수=6, 사용 가능 모듈수=4이기 때문에 체재 사이클수>사용 가능 모듈수이다. 그리고, 이 현상 모듈(DEV)에서 교체 반송이 행해지기 때문에, CSWP, SCPL, CGHP에서는, 교체 반송이 행해지지 않는 케이스가 발생하고 있다. 교체 반송이 행해지지 않음으로써, 이미 서술한 바와 같이 반송 아암(F6)의 동작 공정수가 많아져 버린다.
구체적으로, 도 4에 나타낸 사이클(C1)에서의 반송 아암(F6)의 동작에 관해서 설명해 둔다. 반송 아암(F6)은, 가열 모듈(CSWP1)에 대하여 웨이퍼(B05)를 수취하고, 웨이퍼(B08)를 송출한다. 계속해서, 온도 조정 모듈(SCPL1)에 대하여 웨이퍼(B05)를 송출하지만, 웨이퍼의 수취는 행하지 않는다. 계속해서, 온도 조정 모듈(SCPL2)에 대하여 웨이퍼(B04)를 수취하고, 웨이퍼(W)의 송출은 행하지 않는다. 그 후, 현상 모듈(DEV4)에 대하여 웨이퍼(B04)를 송출하고, 웨이퍼(W)의 수취는 행하지 않는다. 그러한 후, 가열 모듈(CGHP1)에 대하여 웨이퍼(A19)를 수취하고, 웨이퍼(W)의 송출은 행하지 않는다. 그 후, 온도 조정 모듈(SCPL'1)에 대하여 웨이퍼(A19)를 송출한다. 이와 같이 1 사이클로, SCPL1, SCPL2의 양쪽에 반송 아암(F6)이 웨이퍼(W)의 전달을 행하고 있다. 즉, 이 사이클(C1)은, 비교예 1의 사이클에 비하면 반송 아암(F6)의 동작 공정이 많은 사이클이 되어 있다. 도시되는 바와 같이, 이 사이클(C1) 외에도 상기 사이클(C1)과 동일하게, 반송 아암(F6)의 동작 공정이 많은 사이클이 존재하고 있다.
도 5에 나타내는 실시예 1의 반송 스케줄은, 이러한 교체 반송이 되지 않는 반송의 횟수를 저감할 수 있도록 설정되어 있다. 이 실시예 1의 반송 스케줄에 대해서는, 비교예 2의 반송 스케줄과 동일하게 사이클 타임 및 체재 사이클수가 결정되지만, 멀티 모듈에서의 웨이퍼(W)의 반송처에 대해서는, 비교예 2와는 다른 룰에 따라 설정되어 있다.
이하, 실시예 1에서, 웨이퍼(W)의 반송처를 결정하는 룰에 대해서 설명한다. 이 실시예 1에서는, 각 웨이퍼(W)에 대해서 단위 블록(E6)에 반입되는 순서로, 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중, 어느 모듈을 반송처로 할지를 결정한다. 그리고, 이 반송처의 결정에 대해서는, 먼저, 반송처를 결정하는 웨이퍼(W)가 상기 멀티 모듈에 반송되는 사이클(설명의 편의상, 기준 사이클로 함)에서, 사용 가능한 멀티 모듈 중, 몇 개의 모듈에 반송 가능한지에 대해서 판단된다. 즉, 기준 사이클에서 웨이퍼(W)를 반송할 때에 웨이퍼(W)에 점유되지 않은 모듈이 몇 개 있는지에 대해서 판단된다. 이 판단의 결과, 멀티 모듈 중에서 반송 가능한 모듈이 하나밖에 없는 경우에는, 그 반송 가능한 모듈이 반송처로서 결정된다.
한편, 멀티 모듈 중에서 반송 가능한 모듈이 복수 있다고 판단된 경우, 반송 가능한 모듈 중, 기준 사이클에 가장 가까운 사이클에서, 반송처를 결정하는 웨이퍼(W)보다 먼저 상기 멀티 모듈에 반송된 웨이퍼(W)가 반출되는 모듈은 어느 것인지가 판단된다. 이 기준 사이클에 가장 가까운 사이클로서는, 기준 사이클과 동일한 사이클도 포함한다. 그리고, 그와 같이 가장 가까운 사이클에서 앞서 반송된 웨이퍼(W)가 반출된다고 판단된 모듈이, 반송처를 결정할 웨이퍼(W)의 반송처로서 결정된다. PJ-A 및 PJ-B의 각 웨이퍼(W)에 대해서, 또한 각 멀티 모듈에 대해서, 이러한 룰로 각 웨이퍼(W)의 반송처가 결정된다.
예컨대, SCPL(SCPL1, SCPL2)에서, 웨이퍼 A01, A02···A20, B01···B20의 순서로 웨이퍼(W)의 반송처를 결정해 가는 데 있어서, 웨이퍼(B04)의 반송처를 결정하는 공정에 대해서, 구체적으로 설명한다. 도 5 내에서, 웨이퍼(B04)가 SCPL에 반송되는 사이클을 C2로서 나타내고 있고, 이 예에서는, 상기 사이클(C2)이 상기 기준 사이클이다. 이 반송 스케줄의 표에 나타내는 바와 같이, 사이클(C2)의 하나 전의 사이클에서 웨이퍼(B02)가 SCPL1로부터 반출되고, 사이클(C2)에서 웨이퍼(B03)가 SCPL2로부터 반출된다. 따라서, 웨이퍼(B04)는, SCPL1, SCPL2 중 어느 것이어도 반송 가능하다. 그리고, 사이클(C2)에서 보아, SCPL1보다 SCPL2 쪽이, 웨이퍼(W)가 반출되는 사이클이 가깝고, 사이클(C2)과 동일하다. 따라서, SCPL2를 웨이퍼(B04)의 반송처로서 결정한다.
이 실시예 1의 반송 스케줄(제2 반송 스케줄)에서는 PJ-A의 체재 기간(R1)은 384초, PJ-B의 체재 기간(R2)은 540초이다. 따라서, 실시예 1의 반송 스케줄과 비교예 1의 반송 스케줄을 비교하면, 체재 기간(R1, R2) 공히, 실시예 1의 반송 스케줄 쪽이 짧다. 또한, 실시예 1의 반송 스케줄과 비교예 2의 반송 스케줄을 비교하면, PJ-A의 체재 기간(R1) 및 PJ-B의 체재 기간(R2)은 서로 같다. 단, 실시예 1에서는 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 반송처가 설정되어 있기 때문에, 도 4, 도 5를 비교하여 분명한 바와 같이, 비교예 2의 반송 스케줄보다 실시예 1의 반송 스케줄 쪽이, 교체 반송이 행해지는 횟수가 많다. 따라서, 이 실시예 1의 반송 스케줄에서는, 반송 아암(F6)의 부하가 억제되어, 단위 블록(E6)에서의 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
그런데 이미 서술한 도 5는 PJ-A, PJ-B에 대해서, 가열 모듈(CGHP)에서의 열판의 온도[웨이퍼(W)의 가열 온도]가 서로 같은 것으로서 결정되는 반송 스케줄의 표이다. 이하, PJ-A, PJ-B에 대해서, 가열 모듈(CGHP)에서의 열판의 온도가 서로 다른 경우에 대해서 설명한다. 이 경우는, PJ-B에서 선두로부터 세어, 가열 모듈(CGHP)의 사용 가능 모듈수와 같은 수의 웨이퍼(W)에 대해서, 도 5에서 설명한 룰(통상 룰이라 함)과는 다른 룰(예외 룰이라 함)이 적용되어, CGHP1 내지 CGHP3 중 어느 것을 반송처로 할지가 결정된다. 가열 모듈(CGHP)의 사용 가능 모듈수는 3이기 때문에, 웨이퍼(B01 내지 B03) 3장에 대해서 예외 룰이 적용된다. 또한, PJ-A의 웨이퍼(W) 및 웨이퍼(B01) 내지 웨이퍼(B03) 이외의 PJ-B의 웨이퍼(W)에 대해서는, 통상 룰이 적용되어 반송처가 결정된다.
상기 예외 룰에 대해서, 통상 룰과의 차이점을 중심으로 설명한다. 반송처를 결정하는 웨이퍼(W)를 멀티 모듈에 반송하는 사이클을 기준 사이클이라고 하면, 기준 사이클에 가장 먼(시간적으로 떨어진) 사이클에서, 상기 멀티 모듈에 앞서 반송된 웨이퍼(W)가 반출되는 모듈은 어느 것인지가 판단된다. 그리고, 그와 같이 가장 먼 사이클에서 앞서 반송된 웨이퍼(W)가 반출된다고 판단된 모듈이, 반송처를 결정할 웨이퍼(W)의 반송처로서 결정된다.
도 6을 참조하여, 예외 룰이 적용되어 웨이퍼(B01 내지 B03)의 반송처가 결정되는 프로세스에 대해서 설명한다. 또한, 설명의 편의상, 도 6에서는 CGHP에서의 PJ-B의 체재 사이클수를 2로서 나타내고 있다. 그리고, 웨이퍼(B01, B02, B03)를 각각 CGHP에 반송하는 사이클을 C3, C4, C5로 한다. 즉, 이들 사이클(C3 내지 C5)은, 웨이퍼(B01 내지 B03)의 반송처를 결정하는 데 있어서의 기준 사이클이다.
먼저, 웨이퍼(B01)의 반송처를 결정한다. 도 6의 표로부터, 웨이퍼(B01)는 CGHP1 내지 CGHP3 중 어느 것에도 반송 가능하지만, CGHP1 내지 CGHP3 중 CGHP3에서, 사이클(C3)로부터 가장 먼 사이클에서 웨이퍼(W)(A18)의 반출이 행해지고 있다. 따라서, 웨이퍼(B01)의 반송처를 CGHP3으로 결정한다. 다음으로 웨이퍼(B02)의 반송처를 결정한다. 웨이퍼(B02)는, CGHP1, CGHP2 중 어느 하나에 반송 가능하지만, 이들 CGHP1, CGHP2 중 CGHP1에서, 사이클(C4)로부터 가장 먼 사이클에서 웨이퍼(W)(A19)의 반출이 행해지고 있다. 따라서, 웨이퍼(B02)의 반송처를 CGHP1로 결정한다. 계속해서, 웨이퍼(B03)의 반송처를 결정한다. 웨이퍼(B03)는, CGHP2, CGHP3 중 어느 하나에 반송 가능하지만, 이들 CGHP2, CGHP3 중 CGHP2에서, 사이클(C5)로부터 가장 먼 사이클에서 웨이퍼(W)(A20)의 반출이 행해지고 있다. 따라서, 웨이퍼(B03)의 반송처를 CGHP2로 결정한다.
또한, 예외 룰에 대해서 보충해 두면, 상기한 바와 같이 기준 사이클에 가장 먼 사이클에서, 상기 멀티 모듈에 앞서 반송된 웨이퍼(W)가 반출되는 모듈을 반송처로서 결정한다. 이 모듈로부터 반출되는 웨이퍼(W)란, 각 기준 사이클에 가장 가까운 사이클에서 각 모듈로부터 반출되는 웨이퍼(W)를 가리키고 있다. 따라서, 도 6의 반송 스케줄에서는, CGHP1 내지 CGHP3에는, 웨이퍼(A18 내지 A20) 전에 웨이퍼(A15 내지 A17)가 반출되지만, 상기한 바와 같이 웨이퍼(A18 내지 A20)의 반출 상황에 기초하여, 웨이퍼(B01 내지 B03)의 반송처를 결정한다.
웨이퍼(B01 내지 B03)를 이러한 예외 룰에 의해 반송하고 있는 것은, 가열 모듈(CGHP)에서 PJ-A의 웨이퍼(W)의 처리가 끝난 후, PJ-B의 웨이퍼(W)가 반송되기까지의 동안에, 열판의 온도 정정을 행하여, 온도를 안정화시키기 위해서이다. 또한, 예컨대 PJ-A와, PJ-B 사이에서, 가열 모듈(CSWP)의 열판의 온도가 다른 경우도, 동일하게 이 예외 룰이 적용되어, 웨이퍼(W)의 반송처가 결정된다.
또한 다른 반송 스케줄의 설정예에 대해서 설명한다. 이하에 설명하는 반송 스케줄을 설정하는 데 있어서, 단위 블록에의 반입 모듈인 전달 모듈(TRS4 내지 TRS6)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구(17)에 대해서, 단위 블록(E4 내지 E6)의 사이클 타임에 동기하여 동작하는 것으로 한다. 구체적으로, 반송 기구(17)는 상기한 바와 같이 전달 모듈(TRS4 내지 TRS6)에 반복하여 순서대로 웨이퍼(W)를 반송하는데, 1 사이클 타임마다 1장의 웨이퍼(W)를 반송한다. 즉, 단위 블록(E4 내지 E6)의 각각에, 3 사이클마다 1장, 웨이퍼(W)가 반송된다. 또한, 설명의 편의상, PJ-A에 대해서, 상기 표 1에서 나타낸 파라미터값과는 다른 파라미터값의 것을 표 3에 나타낸다. 표 3에 나타내는 PJ-A의 사이클 타임에 대해서는, 표 1에 나타낸 PJ-A와 같은 12초이고, 단위 블록(E6)에 반송되는 웨이퍼(W)의 PJ 중에서 최소인 것으로 한다.
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그 사이클 타임을 이용하여, 비교예 2와 동일한 룰로 각 모듈에서의 체재 사이클수를 결정한다. 이미 서술한 연산이 행해져, 표 3의 PJ-A에서의 CSWP, SCPL, DEV, CGHP, SCPL'의 체재 사이클수는 각각 8, 2, 11, 2, 1이 된다. 이들을 보정 전의 체재 사이클수로 한다. 도 7은 보정 전의 체재 사이클수를 이용하며, 비교예 1, 비교예 2와 동일하게 멀티 모듈을 구성하는 각 모듈에 미리 결정된 순서에 따라 웨이퍼(W)를 반송하는 것으로서 설정된, 단위 블록(E6)에서의 PJ-A의 반송 스케줄이다. 이것을 비교예 3의 반송 스케줄로 한다.
비교예 3의 반송 스케줄에 대해서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 교체 반송이 되지 않는 반송이 비교적 많이 행해지도록 설정되어 있다. 그래서, 반출 모듈인 SCPL'의 상류 측의 각 모듈에 대해서, 상기 체재 사이클수의 보정을 행한다. 이 보정으로서는, N회(N은 정수)의 사이클에 1회 웨이퍼(W)가 단위 블록(E6)에 반송되는 것으로 하여, 보정 전의 체재 사이클수의 값 이상이며, N의 정수배이고, 또한 예컨대 보정 후의 값이 되도록 작아지도록 행한다. 상기한 바와 같이 이 예에서는 N=3이다. 따라서, CSWP, SCPL, DEV, CGHP에 대해서, 보정 전은 각각 8, 2, 11, 2였던 체재 사이클수는, 9, 3, 12, 3으로 각각 보정된다.
도 8은 이와 같이 보정한 체재 사이클수를 이용하여 설정된 PJ-A의 반송 스케줄이며, 비교예 4의 반송 스케줄로 한다. 비교예 4의 반송 스케줄로서는, 멀티 모듈을 구성하는 모듈에의 반송처에 대해서, 비교예 1 내지 비교예 3과 동일하게 미리 결정된 순서로 반송되도록 설정되어 있다. 도 7, 도 8로부터 분명한 바와 같이, 비교예 4의 반송 스케줄에서는 비교예 3의 반송 스케줄에 비해서 교체 반송이 행해지는 횟수가 많기 때문에, 비교예 3에 비해서 단위 블록(E6)의 스루풋을 높게 할 수 있다.
이 비교예 4와 동일하게 체재 사이클수를 보정한 뒤에, 실시예 1에서 설명한 통상 룰 및 예외 룰을 이용하여 웨이퍼(W)의 반송처를 결정함으로써, 반송 스케줄을 설정한다. 즉, 체재 사이클수의 연산, 연산한 체재 사이클수의 보정, 웨이퍼(W)의 반송처의 결정이라고 하는 순서를 밟아, 반송 스케줄을 설정한다. 도 9는 그와 같은 순서에 따라 설정된 PJ-A의 반송 스케줄이며, 실시예 2의 반송 스케줄로 한다. 도 8, 도 9로부터 분명한 바와 같이, 이 실시예 2의 반송 스케줄로서는, 비교예 4에 비해서 교체 반송이 행해지는 횟수가 더욱 많기 때문에, 단위 블록(E6)의 스루풋을 보다 높게 할 수 있다. 또한, 이미 서술한 바와 같이 단위 블록(E4 내지 E6)은 서로 동일하게 구성된다. 따라서, 단위 블록(E4, E5)에 대해서도 단위 블록(E6)과 동일한 반송 스케줄이 설정되기 때문에, 단위 블록(E4 내지 E6)에서 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
도 10은 체재 사이클수의 보정을 행하지 않고, 실시예 1에서 설명한 룰에 따라, 웨이퍼(W)의 반송처를 설정한 표 3의 PJ-A의 반송 스케줄이며, 실시예 3의 반송 스케줄로 한다. 즉, 이 실시예 3의 반송 스케줄은, 체재 사이클수의 연산, 웨이퍼(W)의 반송처의 결정이라고 하는 순서를 밟음으로써 설정되고 있다. 실시예 2, 실시예 3의 반송 스케줄을 서로 비교하면, 실시예 2의 반송 스케줄 쪽이, 교체 반송이 행해지는 횟수가 많다. 따라서, 실시예 2와 같이 체재 사이클수의 연산, 체재 사이클수의 보정, 웨이퍼(W)의 반송처의 결정이라고 하는 순서로 반송 스케줄을 설정하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 실시예 2, 실시예 3에 대해서는, PJ-A의 웨이퍼(W)만의 반송 스케줄로서 예시하고 있지만, 실시예 1과 동일하게, 다른 PJ의 웨이퍼(W)에 대해서도 반송 스케줄이 설정되는 것으로 한다.
도 1로 되돌아가서, 도포, 현상 장치(1)에 마련되는 제어부(100)에 대해서 설명한다. 제어부(100)는, 컴퓨터이며, 컴팩트 디스크, 하드 디스크, 메모리 카드 및 DVD 등의 기억 매체에 저장된 프로그램이 인스톨된다. 인스톨된 프로그램에 의해, 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호가 출력된다. 그에 의해, 이미 서술한 웨이퍼(W)의 반송 및 처리를 행할 수 있도록, 프로그램에는 명령(각 단계)이 삽입되어 있다. 그리고, 상기 프로그램은, 도 9의 실시예 2의 반송 스케줄을 설정하는 순서와 동일한 순서로, 반송 스케줄을 설정한다. 따라서, 각 실시예 및 각 비교예에서 설명한 반송 스케줄을 설정하기 위한 각 판단에 대해서는, 상기 프로그램이 행한다.
또한, 제어부(100)는 데이터 수신부와, 메모리를 구비하고 있다. 데이터 수신부는 예컨대, 도포, 현상 장치(1)에의 웨이퍼(W)의 반송을 제어하는 상위 컴퓨터에 접속된다. 그리고 데이터 수신부는, 상위 컴퓨터로부터, 도포, 현상 장치(1)에 순차 반송되는 웨이퍼(W)에 대한 정보를 수신한다. 메모리에는, 그와 같이 취득한 정보에 기초하여 상기 PJ를 생성하여, 이미 서술한 처리 레시피, 반송하는 웨이퍼(W)의 지정을 행할 수 있도록, 각종 데이터에 대해서 기억된다. 또한, 상기 메모리에는, 예컨대 미리 각 PJ의 반송에 공통으로 이용되는 사이클 타임이 기억되어 있다. 즉, 메모리에는 상기 실시예로서 설명한 반송 스케줄을 설정하기 위해 필요한 각종 정보가 저장된다.
도 11은 상기 제어부(100)에 의해 실시되는 단위 블록(E6)의 반송 스케줄의 설정 흐름을 나타내고 있다. 먼저, 단위 블록(E6)에 반송되는 웨이퍼(W)의 각 PJ에 대한 정보가 취득된다. 그리고 비교예 2에서 상세하게 설명한 바와 같이, CSWP, SCPL, DEV, CGHP에 대해서, PJ로 규정되는 MUT(처리 시간+OHT)와, 메모리에 기억된 사이클 타임에 기초하여, PJ마다 체재 사이클수가 산출된다(단계 S1).
계속해서, 비교예 3에서 상세하게 설명한 바와 같이 단위 블록(E6)에의 웨이퍼(W)의 반입 간격에 기초하여, 산출된 각 체재 사이클수의 보정이 행해진다(단계 S2). 그리고, 보정한 체재 사이클수를 이용하여, 실시예 1에서 상세하게 설명한 바와 같이, 단위 블록(E6)에 반입되는 웨이퍼(W)에 대해서 순서대로, 이미 서술한 통상 룰 및 예외 룰을 이용하여 반송처가 결정된다. 즉, 먼저 멀티 모듈에 반입된 웨이퍼(W)가 그 멀티 모듈로부터 반출되는 사이클에 기초하여, 나중에 멀티 모듈에 반송되는 웨이퍼(W)의 반송처가 결정된다. 그와 같이 각 웨이퍼(W)의 멀티 모듈에서의 반송처를 결정하여, 반송 스케줄이 설정된다(단계 S3). 반송 스케줄의 설정 후에는, 이 반송 스케줄에 기초하여, 각 PJ의 웨이퍼(W)가 반송되어 처리가 행해진다.
상기 도포, 현상 장치(1)에 따르면, 상기 흐름으로 설명한 바와 같이 반송 스케줄이 설정된다. 이 반송 스케줄에 따르면, 웨이퍼(W)가 모듈로부터 반출 가능하게 된 후에 길게 그 모듈에 체재하는 것이 억제되며, 교체 반송이 많이 행해짐으로써 반송 아암(F4 내지 F6)의 부하가 억제된다. 그 결과로서, 단위 블록(E4 내지 E6)의 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 도포, 현상 장치(1)에서는, 실시예 2의 반송 스케줄의 설정이 행해지는 것으로 하였지만, 다른 실시예의 반송 스케줄의 설정이 행해지도록 하여도 좋다. 따라서, 도 11의 흐름에서의 단계 S2의 체재 사이클수의 보정은 행하지 않아도 좋지만, 이미 서술한 바와 같이 스루풋을 확실하게 높게 하기 위해 상기 보정을 행하는 것이 바람직하다.
그런데, 상기 단위 블록(E6)에는 멀티 모듈로서, 웨이퍼(W)의 표면의 레지스트막 전체에 광 조사를 행하는 광 조사부를 구비한 노광 모듈을, 예컨대 가열 모듈(CSWP, CGHP)에 적층되도록 마련할 수 있다. 노광 모듈은, PEB 후, 현상 전의 웨이퍼(W)의 표면의 레지스트막을 노광한다. 노광 모듈에 의한 노광에 의해, 레지스트막에서 노광기(D4)로 노광된 부위만이, 공급된 노광 에너지량의 합계가 기준값을 넘음으로써 변질되어, 현상 시에 레지스트 패턴이 형성되게 한다. 노광 모듈에서의 광 조사부에 의한 웨이퍼(W)에의 광의 조사 강도는, 변경 가능하게 된다.
그리고, PJ에서 지정되는 처리 파라미터로서 광 조사부의 조사 강도도 포함되도록 한다. 또한 도 5 등에서 나타낸 바와 같이 PJ-A의 웨이퍼(W), PJ-B의 웨이퍼(W)가 단위 블록(E6)에 연속하여 반송되어, PJ-A와 PJ-B 사이에서 조사 강도가 다른 것으로 한다. 즉, PJ-A의 웨이퍼(W)의 처리 후, PJ-B의 웨이퍼(W)의 처리 전에, 노광 모듈에서 조사 강도의 변경이 행해지는 것으로 한다. 그 경우는, PJ 사이에서 열판의 온도가 변경되는 경우와 동일하게 예외 룰이 적용되어, PJ-B의 각 웨이퍼(W)는, 복수의 노광 모듈 중 어느 것을 반송처로 할지 결정되도록 할 수 있다. 그와 같이 반송처를 결정함으로써, 조사 강도가 변경되어 안정된 상태로 PJ-B의 웨이퍼(W)를 처리할 수 있다.
즉, 열판의 온도나 조사 강도 등, 처리 파라미터 중 미리 결정된 것에 대해서 PJ 사이에서 다른 값이 설정되는 경우에, 이미 서술한 예외 룰이 적용되어 웨이퍼(W)의 반송처가 결정되도록 제어부(100)를 구성할 수 있다. 또한, 노광 모듈에 대해서는, 불필요한 레지스트막을 제거하기 위해, 현상 전에 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부만을 노광하는 것이어도 좋다.
그런데, 비교예 1에서 PJ-A가 12초, PJ-B가 18초로서 서술된 바와 같이, 각 PJ에 대응한 사이클 타임이 정해져 있다. 이 사이클 타임은, 단위 블록(E)에서의 스루풋이 보틀 넥이 되는 멀티 모듈에, 반송 아암(F)이 1 사이클에 1회 액세스할 수 있도록 결정되는 것이다. 보다 자세하게는, 각 모듈에 대해서 MUT를 사용 가능 모듈수로 나눈 제산값을 구하고, 구한 제산값 중 최대값 이상의 값으로서, 사이클 타임이 설정된다.
구체적으로 설명하면, 상기 표 1로부터, PJ-A에 대한 상기 각 제산값은, CSWP에 대해서 36.0초/3=12.0초, SCPL에 대해서 22.5초/2=11.25초, DEV에 대해서 47.0초/4=11.75초, CGHP에 대해서 33.0초/3=11.0초, SCPL'에 대해서 19.0초/2=9.5초이다. 따라서, 얻어진 제산값 중 최대값은 CSWP의 12.0초이고, 이 12.0초를 PJ-A의 사이클 타임으로 하고 있다.
그리고, 상기 표 2로부터, PJ-B에 대한 상기 각 제산값은, CSWP에 대해서 47.0초/3=15.66초, SCPL에 대해서 22.5초/2=11.25초, DEV에 대해서 72.0초/4=18.0초, CGHP에 대해서 47.0초/3=15.6초, SCPL'에 대해서 19.0초/2=9.5초이다. 얻어진 제산값 중 최대값은 DEV의 18.0초이고, 이 18.0초를 PJ-B의 사이클 타임으로 하고 있다.
이와 같이 사이클 타임은 이미 서술한 처리 레시피, 처리 레시피에서 지정되는 파라미터에 기초하여 산출할 수 있다. 따라서, 도포, 현상 장치(1)에 반송될 전망의 각 PJ의 사이클 타임 중 최소값을 미리 제어부(100)의 메모리에 기억시켜 두는 것에는 한정되지 않는다. 즉, 장치의 기동 시에 사이클 타임이 메모리에 기억되어 있는 것에는 한정되지 않는다. 장치의 기동 후, 장치에 반송되는 웨이퍼(W)의 각 PJ의 정보를 수신한 제어부(100)가, 각 PJ로부터 사이클 타임을 산출하고, 산출된 사이클 타임 중 최소의 것을 선택하여, 반송 스케줄이 설정되도록 할 수 있다. 또한, 하나의 PJ에서 얻어지는 사이클 타임, 다른 PJ에서 얻어지는 사이클 타임 중 보다 작은 쪽을 반송 스케줄의 설정에 이용하면 좋다. 즉, 다수의 PJ로부터 얻어지는 사이클 타임 중, 최소의 사이클 타임을 반송 스케줄의 설정에 이용하는 것에는 한정되지 않는다.
또한, 멀티 모듈로서는 예컨대 인터페이스 블록(D3)의 타워(T2)에 마련하여도 좋고, 그와 같이 멀티 모듈이 설치되는 경우에는, 그 멀티 모듈의 설치 장소도 처리 블록에 포함된다. 즉, 멀티 모듈로서는 반송 아암(F)이 액세스 가능한 범위에 마련되고, 그 멀티 모듈이 마련되는 장소는, 처리 블록에 포함된다.
그런데, 본 개시는 단위 블록(E4 내지 E6)의 반송 스케줄의 설정에 적용되는 것에는 한정되지 않고, 예컨대 단위 블록(E1 내지 E3)의 반송 스케줄의 설정에 적용하여도 좋다. 단위 블록도 이미 서술한 수에 한정되지 않고, 또한, 처리 블록은, 단위 블록으로서 복수로 분할되어 있지 않아도 좋다. 그리고, 처리 블록에 탑재되는 모듈로서는 상기 예에 한정되지 않고, 따라서 본 개시의 기판 처리 장치로서는, 도포, 현상 장치(1)로서 구성되는 것에는 한정되지 않는다. 예컨대, 절연막을 형성하는 약액을 도포하는 모듈, 웨이퍼(W)를 세정하는 세정액을 공급하는 모듈, 웨이퍼(W)를 서로 접합하기 위한 접착제를 공급하는 모듈 등이 처리 블록에 마련되는 장치 구성이 되어도 좋다.
또한, 사이클 타임(CT)에 대해서 각종 설정예를 서술하였지만, 이미 서술한 설정예에는 한정되지 않는다. 예컨대 도포, 현상 장치(1)에서, 비교적 많이 지정되는 것이 예상되는 특정 PJ에 대응하는 CT를, 각 PJ의 웨이퍼(W)의 반송 스케줄을 설정하는 데 있어서 공통의 CT로서 이용하여도 좋다. 즉, 복수의 PJ에 대해서 공통의 CT를 설정하는 데 있어서, 도포, 현상 장치(1)에서 지정되는 각 PJ에 대응하는 CT 중, 보다 시간이 짧은 것을 선택하여 반송 스케줄을 설정하는 것에는 한정되지 않는다.
그런데 도포, 현상 장치(1)에서의 단위 블록(E1 내지 E3)도, 탑재되는 모듈의 종류가 다른 것을 제외하고, 단위 블록(E4 내지 E6)과 동일하게 구성되어 있다. 그리고, 단위 블록(E1 내지 E3)은 서로 동일하게 구성되어, 웨이퍼(W)에 서로 같은 처리를 행한다. 도 12에 나타내는 예에서는, 단위 블록(E1 내지 E3)에서, 온도 조정 모듈(SCPL), 레지스트막 형성 모듈(COT), 가열 모듈(CGHP), 둘레 가장자리 노광 모듈(WES), 전달 모듈(TRS)이 마련되고, 이 순서로 웨이퍼(W)가 반송되는 것으로 한다. 그리고 하나의 단위 블록에, 온도 조정 모듈(SCPL) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)은 2개씩 마련되고, 가열 모듈(CGHP)은 3개씩 마련되고, 둘레 가장자리 노광 모듈(WES) 및 전달 모듈(TRS)은 1개씩 마련되는 것으로 한다. 그리고, MUT에 대해서는, 온도 조정 모듈(SCPL)이 28초, 레지스트막 형성 모듈(COT)이 67.1초, 가열 모듈(CGHP)이 77.0초, 둘레 가장자리 노광 모듈(WES)이 18.0초인 것으로 한다.
같은 단계의 모듈의 MUT를, 단위 블록 사이에서 사용 가능한 모듈의 합계수로 나눈 값을 MUT 사이클 타임(MUTCT)으로 한다. 사용 불가 모듈이 없는 경우의 MUTCT에 대해서는, SCPL이 28.0초/6≒4.67초, COT가 67.1초/6≒11.18초, CGHP가 77.0초/9≒8.56초, WES가 18.0초/3=6.0초이고, 이 중에서는 COT의 11.18초가 최대값(최대 시간)이다. 따라서, 단위 블록(E1 내지 E3)의 스루풋에 대해서는, 후술하는 기판의 반송 시간인 아암 사이클 타임을 고려하지 않는다고 하면, COT에서의 처리에 의해 율속된다.
한편, 단위 블록(E1 내지 E3)에서의 반송 아암(F1 내지 F3)의 반송 공정수(아암 공정수)가 많으면, 모듈의 처리가 아니라 반송 아암(F1 내지 F3)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 동작이, 단위 블록(E1 내지 E3)에서의 스루풋의 율속이 된다. 아암 공정수는, 처리 블록(단위 블록)에 반입된 기판을 처리 블록(단위 블록)의 반출 모듈에 반송하기 위해 요하는 반송 아암(F)의 공정수이다. 이 예에서는, SCPL(반입모듈)→COT→CGHP→WES→TRS(반출 모듈)의 5개의 모듈 사이에서 웨이퍼(W)가 반송되기 때문에, 아암 공정수는 이들 모듈 사이의 수인 4가 된다. 하나의 아암 공정에 요하는 시간은 미리 결정되어 있고, 예컨대 3.7초로 한다. 그리고, 아암 사이클 타임(ACT)=아암 공정수×설정 시간÷해당하는 단위 블록의 적층수로 하면, 이 단위 블록(E1 내지 E3)의 각 ACT는, 4×3.7÷3≒4.9초이다. 이와 같이 ACT는 반송 아암(F)의 반송 공정수와, 웨이퍼(W)에 동일한 처리를 행하는 단위 블록의 적층수[N(N은 정수)]에 대응한다.
MUTCT의 최대값과, ACT를 비교하면, 이 예에서는 MUTCT의 최대값인 11.18초 쪽이, ACT의 9.2초보다 크다. 따라서, 이 예에서는 단위 블록(E1 내지 E3)의 생산성의 율속이 되는 것은, 반송 아암(F1 내지 F3)의 동작이 아니라, 레지스트막 형성 모듈(COT)에서의 처리이다. 이와 같이 MUTCT의 최대값과, ACT를 비교하여, 큰 쪽을 블록 사이클 타임[블록 CT]으로 한다. 따라서, 이 예에서는 COT의 MUTCT인 11.18초가 블록 CT이다. 즉 상기 블록 CT는, 웨이퍼(W)가 통과하는 블록[여기서는 단위 블록(E1 내지 E3)]이며, 웨이퍼(W)를 처리하는 사이클에서, 모듈 및 반송 아암 중 가장 시간을 요하는 것에 대한 시간의 파라미터이다.
그런데, 상기한 바와 같이 단위 블록(E1 내지 E3)은 서로 동일하게 구성되어 있기 때문에, 사용 불가 모듈이 없는 경우에는, 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율에 대해서, 단위 블록(E1 내지 E3) 사이에서 같아지도록 웨이퍼(W)를 반입하는 것이, 가장 스루풋이 높아진다. 그러나, 사용 불가 모듈이 발생하였다고 한다. 그 경우는, 사용 가능한 모듈의 수에 대응하도록, 제어부(100)가 단위 블록(E1 내지 E3) 사이에서의 상기 반입 매수의 비율을 변경하는 것이 생각된다. 구체적으로는 예컨대 단위 블록(E3)의 CGHP가 하나 사용 불가가 되어, 단위 블록(E1 내지 E3)에서 CGHP의 합계수가 8이 되었다고 하면, 그 반입 매수의 비율에 대해서, 단위 블록 E1:E2:E3=3:3:2로서 변경하는 것이 생각된다.
그러나 그와 같이 CGHP의 하나가 사용 불가가 되어도, 상기 CGHP의 MUTCT는, 77.0초/8≒9.63초이고, 상기한 COT의 MUTCT인 11.18초보다 작다. 즉, 블록 CT의 변동은 없고, 여전히 단위 블록(E1 내지 E3)의 스루풋에 대해서는, COT에 영향을 받게 된다. 따라서, 상기 CGHP의 수에 따른 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율의 변경은 적절한 변경이 아니며, 그 변경을 행함으로써 단위 블록(E1 내지 E3)의 스루풋이 저하하여 버린다. 뒤에, 단위 블록(E1 내지 E3) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율을 적절하게 설정하는 실시예 5에 대해서 설명한다.
(실시예 4)
계속해서, 각 단계의 멀티 모듈로 교체 반송을 행하기 위해, 상기한 블록 CT를 이용하는 순서에 따라, 각 멀티 모듈에서의 체재 사이클수를 설정하는 실시예 4에 대해서, 이미 서술한 각 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 실시예 4에서는, 이미 서술한 단위 블록(E6)에서의 PJ-A, PJ-B의 반송 스케줄의 설정 방법에 대해서 나타낸다. 이 실시예 4의 개요를 서술하면, 각 단계의 멀티 모듈에서 사용되는 모듈수가, 단위 블록(E6)의 스루풋이 저하하지 않고, 또한 보다 적은 모듈수가 되도록, 필요 모듈수로서 결정된다. 그 뒤에, 결정한 필요 모듈수에 기초하여, 각 단계의 모듈에서의 웨이퍼(W)의 체재 사이클수가 결정된다.
사이클 타임(CT)은 12초이고, PJ-A, PJ-B의 각 블록 CT는 18.5초인 것으로 한다. 하기의 표 4, 표 5는, 각각 PJ-A, PJ-B에 관한 파라미터를 나타낸 것이다. 표 내에 기재된 필요 체재 사이클수, 필요 모듈수, 보정값, 체재 사이클수의 산출 방법에 대해서, 이하에 설명한다. 또한, 서로 동일한 구성의 단위 블록(E4 내지 E6)의 각각에서 웨이퍼(W)를 반송하는 실시예 5와 다르게, 이 실시예 4는 단위 블록(E4 내지 E6) 중, E6에 한정하여 반송을 행하는 경우에서의 반송 스케줄의 설정예이다.
Figure pat00004
Figure pat00005
도 13을 참조하면서 설명한다. 먼저, 순서 R1로서, 각 단계의 모듈에서, 처리에 필요한 체재 사이클수(정수값)를 산출한다. 이 필요한 체재 사이클수는, MUT/CT를 연산하고, 이 연산값의 소수점 이하의 값이 0이 아닌 경우에는 올림하여, 필요 체재 사이클수로 한다. 예로서, CSWP에 대한 체재 사이클수를 얻기 위한 계산을 구체적으로 나타내면, PJ-A에서는 체재 사이클수=36.0초/12초=3, PJ-B에서는 체재 사이클수=47.0초/12초=3.9≒4이다.
그리고 순서 R2로서, 각 단계에서의 블록 CT를 만족시키기 위해 필요한 모듈수(정수값)를 산출한다. 구체적으로는 각 단계의 모듈의 MUT/블록 CT를 연산하고, 이 연산값의 소수점 이하의 값이 0이 아닌 경우에는 올림하여, 필요 모듈수로 한다. 즉, 이 순서 R2는 사용 가능 모듈 중, 몇 개의 모듈을 사용할지를 결정하는 순서이지만, 상기한 바와 같이 MUTCT 및 ACT로부터 결정되는 블록 CT를 변동시키지 않고, 또한 그 수가 최소가 되도록, 모듈의 수를 결정한다.
예로서, CSWP에 대한 필요 모듈수를 얻기 위한 계산을 구체적으로 나타내면, PJ-A에서는 필요 모듈수=36.0초/18.5초=1.94≒2, PJ-B에서는 필요 모듈수=47.0초/18.5초=2.54≒3이다. 이와 같이 필요 모듈수는, MUT/CT에 대응하는 값(계산값 그 자체나, 소수점 이하를 올림한 값)이다. 또한, 이 실시예 4에서는 단위 블록(E4 내지 E6)에서 웨이퍼(W)가 분류되는 후술하는 실시예 5와 다르게, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)는 단위 블록(E4 내지 E6) 중에 E6만을 통과하는 것으로 한다. 따라서, 후술의 체재 사이클수의 계산 시에는, 여기서 산출한 값을 그대로 이용한다. 또한, 멀티 모듈을 구성하는 모듈에 대하여 미리 설정된 빠른 번호의 순으로부터, 필요 모듈수로서 결정된 수가 되도록, 사용하는 모듈이 결정된다. 따라서, 이 필요 모듈수의 결정은, 사용하는 모듈의 결정에 상당한다.
순서 R1, R2를 실시한 후, 각 단계의 모듈에 대해서, 보정값으로서, 순서 R1의 산출 결과/순서 R2의 산출 결과를 연산한다. 이 연산값의 소수점 이하의 값이 0이 아닌 경우에는 올림하고, 보정값에 대해서도 정수값으로서 산출한다. 이와 같이 산출되는 보정값은, 이미 서술한 블록 CT를 만족시키도록[블록 CT를 변동시키지 않도록] 하기 위해, 모듈에서 몇 사이클에 1회 웨이퍼(W)의 교체를 행할 필요가 있는 것인지의 사이클수에 상당한다. 그리고, 각 모듈에 대해서 각각 보정값을 취득한 후, 취득한 보정값 중에서 최대값(최대 보정값)을 선택한다. 즉, 모든 단계의 모듈에서, 적어도 웨이퍼(W)를 1회 교체할 수 있는 사이클수를 최대 보정값으로서 결정한다. 이 최대 보정값을 취득하는 일련의 순서를, R3으로 한다.
PJ-A의 각 단계에서의 보정값을 얻기 위한 계산을 구체적으로 나타내면, CSWP의 보정값=3/2=1.5≒2, SCPL의 보정값=2/2=1, DEV의 보정값=4/3=1.33≒2, CGHP의 보정값=3/2=1.5≒2이다. 이 중에서의 최대값은 CSWP, DEV, CGHP에 대한 2이기 때문에, 그 2가 최대 보정값으로서 결정된다. 동일하게 PJ-B의 각 단계에서의 보정값의 계산을 구체적으로 나타내면, CSWP의 보정값=4/3≒2, SCPL의 보정값=2/2=1, DEV의 보정값=6/4≒2, CGHP의 보정값=4/3≒2이다. 이 중에서의 최대값은 CSWP, DEV, CGHP에 대한 2이기 때문에, 그 2가 최대 보정값으로서 결정된다.
그리고 순서 R4로서, 각 단계의 모듈에 대해서 하기의 연산식 1에 따른 연산이 행해지고, 그 연산식 1에 따른 연산값을 체재 사이클수로서 결정한다. 어떤 모듈에 대해서 교체 반송을 행하기 위해서는, 체재 사이클수를 그 모듈에 대해서 필요한 모듈수의 배수로 할 필요가 있지만, 이 배수로서 상기 최대 보정값을 이용함으로써, 모든 단계의 모듈에서 교체 반송을 행할 수 있는 체재 사이클수로 하고 있다.
순서 R3에서 산출한 최대 보정값×순서 R2에서 산출한 필요 모듈수=체재 사이클수···연산식 1
구체적으로, PJ-A에 대해서는, CSWP의 체재 사이클수=2×2=4, SCPL의 체재 사이클수=2×2=4, DEV의 체재 사이클수=3×2=6, CGHP의 체재 사이클수=2×2=4로서 각각 결정된다. 동일하게 PJ-B에 대해서는, CSWP의 체재 사이클수=3×2=6, SCPL의 체재 사이클수=2×2=4, DEV의 체재 사이클수=4×2=8, CGHP의 체재 사이클수=3×2=6으로서 각각 결정된다.
이와 같이 필요 모듈수 및 체재 사이클수에 대해서 결정되면, 각 PJ에 대해서 번호가 빠른 웨이퍼(W)로부터 순서대로 반송처를 할당한다. 필요 모듈수가 복수인, 즉 복수의 모듈을 사용하도록 결정되어 있는 경우는, 사용하는 것이 결정되어 있는 모듈에 순서대로 반복하여, 웨이퍼(W)가 반송되도록 반송 스케줄이 설정된다. 즉 예컨대 PJ-A에 대해서 CSWP 중 CSWP1, CSWP2가 사용하는 모듈로서 결정되어 있으면, CSWP1, CSWP2, CSWP1, CSWP2···의 순서로 웨이퍼(W)가 반송되도록 반송 스케줄이 설정된다.
도 14는 표 4에 나타내는 바와 같이 각 단계의 필요 모듈수, 각 단계에서의 체재 사이클수가 결정된 뒤에 설정된, 단위 블록(E6)에서의 PJ-A, PJ-B의 반송 스케줄(제1 반송 스케줄)을 나타내고 있다. 이 도 14의 반송 스케줄의 표에 나타내는 바와 같이, 단위 블록(E6)에서, CSWP, SCPL, DEV, CGHP의 각각에서, 교체 반송이 행해진다. 또한, 이들 모듈에서, 매회 웨이퍼(W)를 반출할 때에는 교체 반송이 된다. 따라서, 이와 같이 반송 스케줄을 설정함으로써, 반송 아암(F6)의 부하를 억제하여, 단위 블록(E6)에서의 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
(실시예 5)
계속하여 실시예 5로서, 서로 동일한 구성의 단위 블록(E1 내지 E3)에서의 반송 스케줄의 설정예를, 실시예 4와의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 실시예 5에서는, 단위 블록(E1 내지 E3) 사이에서 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 적절해지도록, 블록 CT와 MUT와 사용 가능한 모듈의 수에 기초하여 그 비율의 설정이 행해진다. 이 실시예 5에서도, 실시예 4와 동일하게 각 단계의 모듈에서 교체 반송이 행해지도록, 순서 R1 내지 순서 R4가 행해지고, 필요 모듈수 및 체재 사이클수가 산출된다.
또한 설명의 편의상, 이 실시예 5의 단위 블록(E1 내지 E3)은, 도 12에서 나타낸 예와는 종류가 다른 모듈군을 포함한다. 구체적으로는, 온도 조정 모듈(SCPL), 레지스트막 형성 모듈(COT), 가열 모듈(CPHP), 온도 조정 모듈(SCPL'), 약액 도포 모듈(ITC), 가열 모듈(CGHP), 둘레 가장자리 노광 모듈(WEE) 및 전달 모듈(TRS)이 각각 마련되고, 이 순서로 웨이퍼(W)가 반송된다. 온도 조정 모듈(SCPL, SCPL')에 대해서는, 예컨대 타워(T1)에 마련된다. 그리고, 온도 조정 모듈(SCPL)은 단위 블록(E1 내지 E3)에의 웨이퍼(W)의 반입용 모듈이며, 반송 기구(15)에 의해 웨이퍼(W)가 반송된다. 즉, 상기 단위 블록(E1 내지 E3) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 결정되면, 이 결정에 따라 반송 기구(15)에 의한 각 단위 블록(E1 내지 E3)의 SCPL에의 반송이 제어되게 된다.
전달 모듈(TRS)에 대해서는, 단위 블록(E1 내지 E3)으로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 반출 모듈(출구)이며, 타워(T2)에 마련된다. 약액 도포 모듈(ITC)은, 레지스트막을 보호하는 보호막을 형성하기 위한 약액을 웨이퍼(W)에 도포하는 액 처리 모듈이다. COT, ITC는, 단위 블록(E4 내지 E6)에서 DEV가 마련되는 위치에 대응하는 위치에 마련되고, CPHP, CGHP, WEE는, 단위 블록(E4 내지 E6)에서 CSWP, CGHP가 마련되는 위치에 대응하는 위치에 마련되어 있다.
하나의 단위 블록에서의 SCPL, COT, CPHP, SCPL', ITC, CGHP, WEE, TRS의 설치수는, 각각 2, 2, 4, 2, 2, 4, 1, 2이다. 그리고 SCPL, COT, CPHP, SCPL', ITC, CGHP, WEE의 처리 시간은, 각각 20.0초, 55.0초, 75.0초, 30.0초, 65.0초, 75.0초, 10.0초이다. 또한 SCPL, COT, CPHP, SCPL', ITC, CGHP, WEE, TRS의 MUT는, 각각 28.0초, 62.0초, 87.0초, 32.5초, 72.0초, 87.0초, 18.0초이다. 또한, 사이클 타임(CT)은 10초로 설정되어 있는 것으로 한다.
하기의 표 6, 표 7은 상기와 같이 CT나 MUT가 설정된 상태로, 단위 블록(E1 내지 E3)의 반송 스케줄을 설정하기 위해 산출하는 파라미터를 정리한 것이다. 이 반송 스케줄을 설정하는 데 있어서, 단위 블록(E1)의 COT가 하나, 단위 블록(E2)의 CGHP가 2개 각각 사용 불가로 되어 있는 것으로 한다. 즉, 단위 블록(E1)에서 사용 가능한 COT는 2개, 단위 블록(E2)에서 사용 가능한 CGHP는 2개이다.
Figure pat00006
Figure pat00007
이하, 표 6, 표 7에 기재한 각 파라미터의 산출 순서에 대해서 설명한다. MUT와 사용 가능한 모듈수로부터, 도 12에서 서술한 MUTCT를 산출한다. 대표하여, COT 및 CPHP의 MUTCT의 산출 방법에 대해서 구체적으로 설명한다. COT에 대해서는, 단위 블록(E1 내지 E3)에서 사용 가능한 모듈의 합계가 1+2+2=5이다. 따라서 COT의 MUTCT=62.0초/5=12.4초이다. CPHP에 대해서는, 단위 블록(E1 내지 E3)에서 사용 가능한 모듈의 합계가 4+4+4=12이다. 따라서 CPHP의 MUTCT=87.0초/12≒7.3초이다. 다른 모듈에 대해서도 동일하게 MUTCT가 산출되지만, 단위 블록으로부터의 출구인 TRS에 대해서는, 단위 블록(E4 내지 E6)의 SCPL'과 동일하게 체재 사이클수는 1로서 고정되기 때문에, 그 MUTCT의 산출 및 순서 R1 내지 순서 R4에 따른 각 파라미터의 산출은 행하지 않는다.
이와 같이 각 모듈에 대한 MUTCT를 산출하고, 산출한 값으로부터 최대값을 선택한다. 이 예에서는, COT의 MUTCT가 최대값이다. 그리고, 이미 서술한 바와 같이 ACT(아암 사이클 타임)=아암 공정수×설정 시간/단위 블록(E1 내지 E3)의 적층수=7×3.7초÷3=8.63초와 크기를 비교한다. 비교하여 COT의 MUTCT 쪽이 크기 때문에, 그 MUTCT를 블록 CT로서 결정한다. 또한, 이미 서술한 바와 같이, 반송 아암의 동작의 필요 시간인 ACT 쪽이 크면, 그 ACT를 블록 CT로 한다.
계속해서 순서 R1로서, 각 단계의 모듈에서의, 처리에 필요한 체재 사이클수의 산출을 행한다. 즉, MUT/CT를 연산한다. 예로서 COT 및 CPHP의 체재 사이클수를 산출하는 순서를 구체적으로 나타낸다. COT의 필요 체재 사이클수=62.0초/10초=6.2≒7이다. 그리고, CPHP의 필요 체재 사이클수=87.0초/10초=8.7≒9이다. 그리고, 순서 R2로서, 각 단계에서 MUTCT를 만족시키기 위해 필요한 모듈수의 산출을 행한다. 즉, MUT/블록 CT를 연산한다. 예로서 COT 및 CPHP의 필요 모듈수를 산출하는 순서를 구체적으로 나타낸다. COT의 필요 모듈수=62.0초/12.4초≒5이다. 그리고, CPHP의 필요 모듈수=87.0초/12.4초=7.01≒8이다. 또한, 이와 같이 산출되는 필요 모듈수는, 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에서의 필요한 모듈수이다. 즉, COT에 대해서는 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에서 5개 필요하다.
이 단위 블록(E1 내지 E3) 전체의 필요 모듈수로부터, 각 단위 블록의 사용 가능한 모듈수에 기초하여, 단위 블록(E1 내지 E3)마다의 필요 모듈수가 결정된다. 사용 불가 모듈이 포함되는 단계에 대해서는, 사용 불가 모듈을 포함하는 단위 블록의 사용 가능한 모듈은, 그 전부가 사용되도록 결정된다. 그리고, 부족분은, 사용 불가 모듈을 포함하지 않는 단위 블록 사이에서 균등할되어 결정된다. 한편, 사용 불가 모듈이 포함되지 않는 단계에 대해서 보면, 단위 블록(E1 내지 E3) 전체의 필요 모듈수가, 각 단위 블록으로 균등할되어 결정된다. 또한, 모듈수는 정수이기 때문에, 균등할한 수의 소수점 이하의 수가 0이 아닌 경우에는 올림한다.
구체적으로, COT 및 CPHP에 대해서, 각 단위 블록(E1 내지 E3)의 필요 모듈수의 결정 순서를 설명한다. COT에 대해서는, 단위 블록(E1)의 COT가 사용 불가이고, 이 단위 블록(E1)의 COT 중, 사용 가능한 또 하나의 모듈은 사용되도록 결정한다. 상기한 바와 같이 COT에 대해서 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에서 필요한 모듈수는 5이기 때문에, 나머지는 4이지만, 이 나머지 4에 대해서는 단위 블록(E2, E3)으로 균등할되어, 단위 블록(E2, E3)의 각각의 필요 모듈수는 2가 된다. CPHP에 대해서는, 단위 블록(E1 내지 E3)에서 사용 불가의 것이 없다. 그리고 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에서 필요한 모듈수는 8이기 때문에, 이 8을 단위 블록(E1 내지 E3)의 수인 3으로 나눈 값인 2.6≒3을, 단위 블록(E1 내지 E3)의 필요 모듈수로 한다. 또한, 이 실시예 5에서 나타내는 단위 블록(E1 내지 E3)의 반송 스케줄의 설정은, 반송 아암(F1 내지 F3)에 의한 동작을 설정하기 위한 것이지만, 상기한 바와 같이 반입 모듈(SCPL)의 웨이퍼(W)의 반입에 대해서는 반송 기구(15)가 행한다. 따라서, 반입 모듈(SCPL)에 대한 필요 모듈수의 산출과, 그것에 기초한 보정값 및 체재 사이클에 대해서는 행해지지 않는다.
그리고 순서 R3으로서, 순서 R1의 산출 결과/순서 R2의 산출 결과가 연산되어, 각 단계에서의 보정값이 산출된다. 순서 R2에서, 단위 블록마다 각 단계의 필요 모듈수를 산출하고 있기 때문에, 이 순서 R3의 보정값도, 단위 블록마다의 각 단계에 대해서 산출된다. 구체적인 예로서, COT 및 CPHP에 대한 보정값의 산출 순서를 나타낸다. COT에 대해서는, 단위 블록(E1)의 보정값=단위 블록(E1)의 필요 체재 사이클수/단위 블록(E1)의 필요 모듈수=7/1=7이다. 동일하게, COT에 대한 단위 블록(E2, E3)의 보정값=7/2=3.5≒4이다. 또한, CPHP에 대해서는, 단위 블록(E1, E2, E3)의 보정값=9/3=3이다.
그리고, 이러한 보정값의 산출 후, 단위 블록마다 보정값의 최대값이 선택되어, 최대 보정값으로서 결정된다. 표 6에 나타내는 예에서는, 단위 블록(E1)에서의 보정값은, COT가 7, CPHP가 3, SCPL'이 4, ITC가 4, CGHP가 5, WEE가 2이고, 이 중에서 COT의 7이 최대이기 때문에, 7이 최대 보정값으로서 결정된다. 동일하게, 단위 블록(E2, E3)의 최대 보정값은, 각각 5, 4로서 결정된다.
계속해서 순서 R4로서, 순서 R3에서 산출한 최대 보정값×순서 R2에서 산출한 필요한 모듈수의 연산이 행해져, 단위 블록마다 각 단계의 모듈에서의 웨이퍼(W)의 체재 사이클수가 산출된다. 구체적으로 COT 및 CPHP에 대한 체재 사이클수의 산출 순서를 나타내면, COT에 대해서는, 단위 블록(E1)에서는 7×1=7, 단위 블록(E2)에서는 5×2=10, 단위 블록(E3)에서는 4×2=8로서, 체재 사이클수가 각각 산출된다. 동일하게 CPHP에 대해서는, 단위 블록(E1)에서는 7×3=21, 단위 블록(E2)에서는 5×3=15, 단위 블록(E3)에서는 4×3=12로서 체재 사이클수가, 각각 산출된다.
또한 단위 블록(E1 내지 E3)마다, 각 단계에서의 모듈의 MUT/사용 가능 모듈이 연산되고, 그 중 최대값이 스택 사이클 타임[스택 CT]으로서 결정된다. 그리고, 각 단위 블록(E1 내지 E3)의 스택 CT/블록 CT를 산출하고, 소수점 이하가 0이 아닌 경우에는 올림을 행하여, 얻어진 값이, 각 단위 블록(E1 내지 E3)에의 웨이퍼(W)의 반입 간격이 된다. 이 각 단위 블록의 반입 간격은, 대상인 단위 블록에 1회 웨이퍼(W)를 반송하기 위해, 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에의 웨이퍼(W)의 반송이 몇 회 행해지는지를 나타낸다.
이 반입 간격의 계산 순서를 구체적으로 나타낸다. 단위 블록(E1)의 각 단계에서의 MUT/사용 가능 모듈을 나타내면, COT에 대해서 62.0초/1, CPHP에 대해서 87.0초/4, SCPL'에 대해서 32.5초/2, ITC에 대해서 72.0초/2, CGHP에 대해서 87.0초/4, WEE에 대해서 18.0초/1이다. 따라서, 이 중에서는 COT의 62.0초/1=62.0초가 최대값이기 때문에, 그 62.0초가 스택 CT가 된다. 따라서, 반입 간격으로서는 62.0초/12.4초=5이기 때문에, 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에서 웨이퍼(W)를 5회 반입하는 중의 1회의 반입처가 단위 블록(E1)이 되는 것으로 된다. 즉, 단위 블록(E1)에서는 62초로 1장의 웨이퍼(W)가 처리 가능한 것 및 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에서 본 경우에는 12.4초에 1장의 웨이퍼(W)가 처리되는 상황에 적합하도록, 단위 블록(E1)에서의 웨이퍼(W)의 반입 간격이 산출되게 된다.
동일하게, 단위 블록(E2)에서는, 스택 CT=CGHP의 87.0초/2=43.5초이고, 스택 CT/블록 CT에 대해서는, 43.5초/12.4초=3.5≒4이다. 따라서, 단위 블록(E1 내지 E3)에 웨이퍼(W)를 4회 반입하는 중의 1회의 반입처가 단위 블록(E2)이 되는 것이 된다. 단위 블록(E3)에서는, 스택 CT=ITC의 72.0초/2=36.0초이고, 스택 CT/블록 CT에 대해서는, 36.0초/12.4초=2.9≒3이다. 따라서, 단위 블록(E1 내지 E3)에 웨이퍼(W)를 3회 반입하는 중의 1회의 반입처가 단위 블록(E3)이 되는 것이 된다. 웨이퍼(W)의 매수로 보면, 단위 블록 E1:E2:E3=(5+4+3)/5:(5+4+3)/4:(5+4+3)/3=12:15:20이다. 즉, 단위 블록(E1 내지 E3) 전체에서 등간격으로 웨이퍼(W)가 순차 반입된다고 하여, 단위 시간당 12장, 15장, 20장의 비율로, 웨이퍼(W)가 단위 블록(E1, E2, E3)에 각각 반송되도록, 반입 매수의 비율이 결정된다.
도 15, 도 16은, 표 6, 표 7에 대응하는 PJ-A의 웨이퍼(W)의 반송 스케줄이다. 즉, 상기 반송 스케줄은, 상기한 바와 같이 단위 블록(E1 내지 E3) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율, 각 단계의 필요 모듈수, 각 단계에서의 체재 사이클수가 결정된 뒤에, 실시예 4에서 서술한 바와 같이 반송처가 할당되어 설정되어 있다. 또한, 도시의 편의상, 스케줄표를 상하로 분할하여 도 15, 도 16으로서 나타내며, 도 15의 스케줄표의 하단부, 도 16의 스케줄표의 상단부는 동일한 사이클을 나타내고 있고, 스케줄표 내에서, WEE는 WE로서 나타내고 있다. 상기 PJ-A의 웨이퍼(W)에 대해서, 단위 블록(E1 내지 E3)에의 반입순으로 A01 내지 A50의 번호로 나타내고 있다. 그리고 이 반송 스케줄에 나타내는 바와 같이, 단위 블록(E1 내지 E3)에서, COT, CPHP, SCPL', ITC, CGHP, WEE의 각각에, 교체 반송이 행해진다. 또한, 이들 모듈에서, 매회 웨이퍼(W)를 반출할 때에는 교체 반송이 된다. 따라서, 반송 아암(F1 내지 F3)의 부하를 억제할 수 있다.
(실시예 6)
실시예 5에서 서술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율을 설정하면, 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 작은 단위 블록에서는, 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 큰 단위 블록보다, 단위 블록의 출구가 되는 TRS에 앞선 웨이퍼(W)가 반송되고 나서 다음 웨이퍼(W)가 도달하기까지의 간격이 길어진다. 또한, 단위 블록(E1 내지 E3)의 후단에서도, 웨이퍼(W)의 반송 순서가 유지되도록, 웨이퍼(W)는 단위 블록(E1 내지 E3)에 반입된 순서로 TRS로부터 반출된다. 즉 A01, A02, A03···의 순서로 TRS로부터 반출된다. 따라서, 반입 매수의 비율이 작은(반입 간격이 긴) 단위 블록에 대해서는, 웨이퍼(W)가 TRS에 길게 체류하게 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 반입 간격이 긴 단위 블록에 대해서는, 출구인 TRS 이외의 각 모듈에서도, 웨이퍼(W)가 반송되고 나서 다음에 그 웨이퍼(W)와 교체하기 위한 웨이퍼(W)가 반송되기까지의 간격이 길다. 그 때문에, 하나의 단계로부터 다음 단계로 웨이퍼(W)를 반송할 때까지 요하는 시간도 길어진다. 실시예 6에서는, 이들 상황이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 체재 사이클수가 설정된다. 이하, 실시예 6에 대해서, 실시예 5와의 차이점을 중심으로 설명한다.
실시예 6의 개요를 서술하면, 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 가장 큰 단위 블록에 대해서는, 실시예 5와 동일하게 순서 R1 내지 순서 R4를 실시하여, 각 모듈에서 교체 반송이 행해지도록 웨이퍼(W)의 체재 사이클수를 산출한다. 다른 단위 블록에 대해서는, 순서 R1 내지 순서 R3을 실시하지만, 순서 R4에 대해서는 실시하지 않고, 대신에 후술하는 순서 R5를 이용하여 체재 사이클수를 산출하여, 각 모듈에서 반드시 교체 반송이 행해지지 않는 체재 사이클수로 한다. 순서 R5는 이하와 같다.
순서 R2에서 취득되는 필요 모듈수=a,
순서 R3에서 취득되는 최대 보정값=b,
순서 R1에서 취득되는 처리에 필요한 체재 사이클수=c로 하면, 제2 연산식인 (a-1)×b+1에 따른 연산이 행해진다. 그리고, 이 연산값과 c의 값을 비교하여, 큰 쪽의 값을 체재 사이클수로서 결정한다.
이와 같이 실시예 6에서는 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율의 순서에 따라 순서 R4의 제1 연산식 또는 순서 R5의 제2 연산식이 이용되고, 그 산출 결과에 기초하여, 각 단위 블록의 모듈의 체재 사이클수가 결정된다. 또한, 상기한 바와 같이 순서 R5의 연산식 2는, 순서 R3의 최대 보정값을 이용하기 때문에, 순서 R1의 연산식 1과 동일하게 필요 모듈수 외에, MUT 및 CT에 대해서도 파라미터로서 적용되는 연산식이다.
상기 순서 R5를 행하는 이유를 설명하기 위해, 어떤 단계의 모듈에 대해서, 필요 모듈수 a=2, 최대 보정값 b=7로 산출된 것으로 한다. 즉, 모듈을 2개 이용함으로써 7 사이클에 1회, 웨이퍼(W)를 반입할 수 있게 되어 있다. 이때 제2 연산식에 따르면, 체재 사이클수는 8로 산출된다. 만약 체재 사이클수가 8보다 하나 적은 7이라고 하면, 상기한 바와 같이 7 사이클에 1회 웨이퍼(W)를 반입할 수 있기 때문에, 필요 모듈수는 2개가 아니라 하나여도 좋게 된다. 즉, 제2 연산식은, 필요 모듈수가 변동하지 않도록, 최소의 체재 사이클수를 산출하기 위한 식이다. 단, 처리를 행하는 데 있어서 c 이상의 체재 사이클수로 할 필요가 있기 때문에, 상기한 바와 같이 상기 제2 연산식에 따른 연산값과 c의 비교가 행해져, 체재 사이클수가 결정된다. 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 최대가 아닌 단위 블록에 대해서, 이러한 순서 R5에 의해 체재 사이클수를 결정함으로써, 각 단위 블록에서 웨이퍼(W)가 반입되고 나서 출구인 TRS에 반송되기까지의 시간의 차를 억제한다.
실시예 6에서는 단위 블록(E1 내지 E3)의 구성, 사용 불가 모듈의 수, 처리 시간, MUT에 대해서, 실시예 5와 동일한 것으로 한다. 또한, CT에 대해서도 실시예 5와 동일하게 10초로 한다. 따라서, 단위 블록(E1 내지 E3)의 웨이퍼(W)의 반입 간격은, 상기 표 7에 나타낸 바와 같다. 그리고, 하기의 표 8은, 이 실시예 6에서 상기한 바와 같이 산출되는 파라미터를 나타내고 있다. 각 단위 블록(E1 내지 E3)에 대해서 순서 R1 내지 순서 R3이 행해진다. 그리고 실시예 5의 설명에서 나타낸 바와 같이, 본 예에서는 가장 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 큰(반입 간격이 짧은) 단위 블록은 E3이기 때문에, 단위 블록(E1 및 E2)에 대해서 순서 R5가, 단위 블록(E3)에 대해서 순서 R4가 각각 행해져, 체재 사이클수가 산출된다. 따라서, 표 8은, 단위 블록(E1, E2)의 체재 사이클수를 제외하고, 표 6과 동일하다.
Figure pat00008
구체적으로, 단위 블록(E1)의 COT에서의 체재 사이클수의 산출 순서에 대해서 설명하면, 필요 모듈수=1, 최대 보정값=7, 처리에 필요한 체재 사이클수=7이고, 상기 순서 R5의 제2 연산식에 따라 (1-1)×7+1=1이다. 상기 연산식의 연산 결과인 1보다 처리에 필요한 체재 사이클수=7 쪽이 크기 때문에, 7을 체재 사이클수로서 결정한다. 동일하게, 단위 블록(E2)의 COT에서의 체재 사이클수의 산출 순서에 대해서 설명하면, 필요 모듈수=2, 최대 보정값=5, 처리에 필요한 체재 사이클수=7이고, 상기 순서 R5의 제2 연산식에 따라 (2-1)×5+1=6이다. 상기 제2 연산식의 연산 결과인 6보다, 처리에 필요한 체재 사이클수인 7 쪽이 크기 때문에, 7을 체재 사이클수로서 결정한다. 단위 블록(E1)의 CPHP에서의 체재 사이클수의 산출 순서에 대해서 설명하면, 필요 모듈수=3, 최대 보정값=7, 처리에 필요한 체재 사이클수=9이고, 상기 순서 R5의 제2 연산식에 따라 (3-1)×7+1=15이다. 상기 연산식의 연산 결과인 15 쪽이, 처리에 필요한 체재 사이클수인 9보다 크기 때문에, 15를 체재 사이클수로서 결정한다. 동일하게 단위 블록(E2)의 CPHP에서의 체재 사이클수의 산출 순서에 대해서 설명하면, 필요 모듈수=3, 최대 보정값=5, 처리에 필요한 체재 사이클수=7이고, 상기 순서 R5의 제2 연산식에 따라 (3-1)×5+1=11이다. 상기 연산식의 연산 결과인 11 쪽이, 처리에 필요한 체재 사이클수인 7보다 크기 때문에, 11을 체재 사이클수로서 결정한다.
도 17, 도 18, 도 19는 각각 단위 블록(E1, E2, E3)에서의, 표 8에 대응하는 PJ-A의 웨이퍼(W)의 반송 스케줄을 나타내고 있다. 또한, 도 16에서는 하나의 도면에 단위 블록(E1 내지 E3)의 반송 스케줄의 표를 나타내었지만, 도 17 내지 도 19에서는 도면을 보기 쉽게 하기 위해, 하나의 단위 블록(E)의 반송 스케줄을 하나의 도면에 나타내고 있다. 즉 도 16과 같이, 도 17 내지 도 19의 표에서, 높이가 동일한 셀은, 동일한 사이클을 나타내고 있다. 단위 블록(E3)에 대해서는, 실시예 5와 동일하게, COT, CPHP, SCPL', ITC, CGHP, WEE에 대해서는 교체 반송이 행해진다. 즉, 웨이퍼(W)가 반송되도록 결정된 모듈에 대해서, 앞서 반입된 웨이퍼(W)가 반출되는 사이클에서 후속 웨이퍼(W)가 반입된다. 단위 블록(E1, E2)에서의 COT, CPHP, SCPL', ITC, CGHP, WEE에 대해서는 교체 반송이 행해지지 않는다. 즉, 웨이퍼(W)가 반송되도록 결정된 모듈에 대해서, 앞서 반입된 웨이퍼(W)가 반출되는 사이클보다 뒤의 사이클에서 후속하는 웨이퍼(W)가 반입된다. 교체 반송이 행해지지 않는 단위 블록(E1, E2)에서는, 웨이퍼(W)가 단위 블록에 반입되고 나서 출구인 TRS에 반송되기까지의 사이클수가 억제된다. 그에 의해, PJ-A의 선두의 웨이퍼(W)가 단위 블록(E1 내지 E3)에 반입되고 나서, PJ-A의 최후의 웨이퍼(W)가 TRS에 반송되기까지의 사이클수가, 실시예 5보다 짧다. 따라서, 이 실시예 6에 따르면, 단위 블록(E1 내지 E3)에서의 스루풋을, 보다 높게 할 수 있다.
또한, 이미 서술한 순서 R1 내지 순서 R5의 각종 연산 및 산출된 필요 모듈수 및 체재 사이클수를 이용한 반송 스케줄의 설정은 제어부(100)가 행한다. 즉, 제어부(100)의 프로그램은, 그와 같은 반송 스케줄의 설정을 행할 수 있도록 구성되어 있다. 그런데 이미 서술한 예에서는, 상기한 바와 같이 MUTCT 중 최대값과, ACT를 비교함으로써 블록 CT를 결정하고 있다. 그러나, 매우 적은 단계수가 되도록 단위 블록을 구성하고, MUTCT의 최대값 쪽이, ACT보다 확실히 커지는 경우, 제어부(100)는 상기 비교를 하지 않고, MUTCT에만 기초하여 블록 CT를 결정할 수 있다. 한편으로, 매우 많은 단계수가 되도록 단위 블록을 구성하는 경우, 제어부(100)는 상기 비교를 행하지 않고, ACT를 블록 CT로서 결정할 수 있다. 이와 같이, 제어부(100)에 의한 MUTCT의 최대값과 ACT의 비교가 행해지지 않아도 좋다.
또한 상기한 실시예 6에서는, 교체 반송이 행해지도록 하기 위한 순서 R4는 가장 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 큰 단위 블록에 대해서만 행해지도록 하고 있지만, 그와 같이 하는 것에는 한정되지 않는다. 동일한 구성의 단위 블록이 3개 이상 있는 경우는, 예컨대 반입 매수의 비율이 가장 큰 단위 블록 및 2번째로 큰 단위 블록에 대해서, 순서 R4를 실시하여 체재 사이클수를 결정하여도 좋다. 단, 실시예 6과 같이 가장 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율이 큰 단위 블록에 대해서만, 순서 R4를 행하는 것이, 스루풋을 높게 하기 위해 유효하다. 또한, 이미 서술한 바와 같이 기판 처리 장치에 대해서는 처리 블록이 단위 블록(층)으로서 복수로 분할되어 있지 않은, 즉 단위 블록이 1개만 마련되는 구성이어도 좋다. 그 경우에는, 이미 서술한 순서 R1 내지 순서 R4를 실시함으로써, 상기 단위 블록의 반송 스케줄을 설정할 수 있다. 또한, 순서 R1 내지 순서 R5에 따르지 않고 웨이퍼(W)의 반송 스케줄을 설정하는 실시예 1 내지 실시예 3을 나타내었지만, 이들 실시예 1 내지 실시예 3을 행하는 경우에도 실시예 5에서 설명한 바와 같이 단위 블록(E) 사이에서의 웨이퍼(W)의 반입 매수의 비율을 설정하여도 좋다.
또한, 이번에 개시된 실시형태는, 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋고, 서로 조합되어도 좋다.
평가 시험 1
시뮬레이션에 의해 행해진 평가 시험 1에 대해서 설명한다. 이 평가 시험 1에서는, 도포, 현상 장치(1)와 동일하게 단위 블록(E6)을 구비한 시험용 장치에서, PJ-A의 웨이퍼(W)군, PJ-B의 웨이퍼(W)군, PJ-C의 웨이퍼(W)군, PJ-D의 웨이퍼(W)군을 순서대로 캐리어(10)로부터 반송하여 처리하여, 캐리어(10)에 복귀시켰다. 이들 4개의 PJ의 웨이퍼(W)를 반송하는 데 있어서, 비교예 1의 방법으로 반송 스케줄을 설정한 경우와, 실시예 2의 방법으로 반송 스케줄을 설정한 경우에서의, 각 PJ에서의 단위 블록에의 도달 시간, 단위 블록 내 처리 시간, PJ 처리 시간을 각각 측정하였다. 단위 블록까지의 도달 시간이란, PJ의 선두의 웨이퍼(W)를 캐리어(10)로부터 반출한 시점부터, 그 선두의 웨이퍼(W)를 단위 블록(E6)의 입구[전달 모듈(TRS6)]에 반입하는 시점까지의 시간이다. 단위 블록 내 처리 시간이란 PJ의 선두의 웨이퍼(W)를 단위 블록(E6)의 입구에 반입한 시점부터, 그 선두의 웨이퍼(W)를 단위 블록의 출구[온도 조정 모듈(SCPL')]에 반입하는 시점까지의 시간이다. PJ 처리 시간이란, PJ의 선두의 웨이퍼(W)를 캐리어(10)로부터 반출한 시점부터, 그 PJ의 최종 웨이퍼를 캐리어(10)에 반입한 시점까지의 시간이다. 그리고, 이들 단위 블록에의 도달 시간, 단위 블록 내 처리 시간, PJ 처리 시간에 대해서, 비교예 1의 방법으로 반송 스케줄을 설정한 경우의 결과로부터 실시예 2의 방법으로 반송 스케줄을 설정한 경우의 결과를 감산한 차분값을 취득하였다.
하기의 표 9는 상기 차분값을 정리한 것이다. 또한, 비교예 1의 방법으로 반송 스케줄을 설정한 경우는, 단위 블록 내 처리 시간에 대해서, PJ-C>PJ-A>PJ-D>PJ-B이고, 실시예 2의 방법으로 반송 스케줄을 설정한 경우는, 단위 블록 내 처리 시간에 대해서, PJ-B>PJ-D>PJ-C>PJ-A였다.
Figure pat00009
표 9에 나타내는 바와 같이, PJ-A, PJ-C의 단위 블록 내 처리 시간에 대해서, 실시예 2의 방법으로 반송 스케줄을 설정함으로써, 크게 단축되었다. 이것은, 실시예 2의 방법으로 반송 스케줄을 설정함으로써, 원래는 스루풋이 높은 PJ-A, PJ-C가, 스루풋이 낮은 PJ-B, PJ-D의 영향을 받지 않게 되었기 때문이다. 단위 블록 내 처리 시간이 단축화됨으로써, PJ-A, PJ-C에 대해서는, PJ 처리 시간도 크게 단축화되어 있다. 또한 표 9에 나타내는 바와 같이, 실시예 2의 방법으로 반송 스케줄을 설정함으로써, PJ-B, PJ-D에 대해서도, 단위 블록 내 처리 시간 및 PJ 처리 시간이 단축화되어 있다. 따라서, 이 평가 시험으로부터 높은 스루풋이 얻어진다고 하는 상기 도포, 현상 장치(1)의 효과가 확인되었다.
평가 시험 2
평가 시험 2로서, 도포, 현상 장치(1)와 대략 동일한 구성의 도포, 현상 장치에서, 실시예의 방법 또는 비교예의 방법으로 반송 스케줄을 설정하고, 하나의 PJ에서의 반송 소요 시간을, 시뮬레이션에 의해 측정하였다. 이 반송 소요 시간은, PJ의 선두의 웨이퍼(W)가 캐리어(C)로부터 반출되고 나서, PJ의 최후의 웨이퍼(W)가 캐리어(C)에 복귀될 때까지 요하는 시간이다. 그리고, 상기 실시예의 방법은, 상기 실시예 6에서 설명한 순서 R1 내지 순서 R5를 이용한 체재 사이클수의 결정 및 각 단위 블록의 반입 비율의 결정을 행하는 방법이다. 비교예의 방법은, 순서 R1 내지 순서 R5를 이용하지 않고, 또한 단위 블록 사이에서의 사용 가능 모듈의 수에 따른 각 단위 블록의 반입 비율의 결정을 행하는 방법이다.
이 평가 시험 2에서 이용하는 도포, 현상 장치로서는, 캐리어(C)→TRS→ADH→SCPL→블록 CT→CPHP→SCPL→CPT→CGCH→WEE→TRS→BST→ICPL→TRS의 순서로 노광 전의 웨이퍼(W)를 반송한다. 노광 후의 웨이퍼(W)는, TRS→CPHP→SCPL→DEV→CLHA→SCPL→TRS의 순서로 반송되어 캐리어(C)에 복귀된다. ADH는 소수화 처리 모듈, BCT는 반사 방지막 형성 모듈, BST는 이면 세정 모듈, ICPL은 온도 조정 모듈, CLHA는 가열 모듈이다. 또한, 상기한 PJ는, 25장의 웨이퍼(W)를 반송하는 PJ이다. 하기의 표 10은, 각 모듈에 대해서 사용 가능한 수와 처리 시간을 나타낸 것이다. 또한, 시뮬레이션으로서는, 일부의 사용 가능한 모듈에 대해서 블로킹(반입 금지의 모듈로서 설정하는 것)을 행하는 경우와, 상기 블로킹을 행하지 않는 경우의 각각에 대해서 행하였다. 블로킹은, 단위 블록(E1)의 하나의 블록 CT 및 단위 블록(E2)의 2개의 PAB에 대해서 행하였다. 즉, 블로킹이 행해진 모듈에 대해서는, 사용 불가 모듈과 같은 상태가 된다.
Figure pat00010
이 평가 시험 2의 결과로서, 블로킹을 행하는 경우 및 블로킹을 행하지 않는 경우의 양쪽에서, 실시예의 방법을 이용한 경우 쪽이 비교예의 방법을 이용한 경우보다 반송 소요 시간이 짧았다. 실시예의 방법을 이용한 경우의 반송 소요 시간과 비교예의 방법을 이용한 경우의 반송 소요 시간의 차로서는, 블로킹을 행하는 경우에 57.12초, 블로킹을 행하지 않는 경우에 235.13초였다. 이와 같이 블로킹을 행한 경우에는, 특히 반송 소요 시간을 단축할 수 있었다. 따라서, 이 평가 시험 2로부터는, 장치의 스루풋을 높게 할 수 있다고 하는 실시예 6의 효과가 나타났다.

Claims (17)

  1. 상류 측의 모듈로부터 하류 측의 모듈에 기판을 순차 반송하여 처리하는 처리 블록을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 기판이 저장되는 캐리어와 상기 처리 블록 사이에서 상기 기판을 전달하여, 상기 처리 블록에의 상기 기판의 반입출을 행하는 반입출용 반송 기구와,
    상기 반입출용 반송 기구에 의해 상기 처리 블록으로부터 반출되는 처리 완료된 상기 기판이 배치되는 반출 모듈과,
    상기 처리 블록에서의 상기 기판의 반송의 순서가 서로 같은 상기 반출 모듈의 상류 측의 복수의 모듈에 의해 구성되는 멀티 모듈과,
    서로 독립적으로 각 모듈에 대하여 진퇴하는 복수의 기판 유지부를 구비하고, 상기 처리 블록에 마련되는 반송로를 주회하여, 모듈 사이에서 상기 기판을 전달하는 주반송 기구
    를 구비하며,
    상기 주반송 기구가 상기 반송로를 1주하는 시간을 사이클 타임으로 하면,
    제어부가,
    상기 처리 블록에 반입된 기판을 상기 반출 모듈에 반송하기 위해 요하는 상기 주반송 기구의 반송 공정수에 대응하는 기판의 반송 시간, 또는 상기 멀티 모듈을 포함하며 상기 기판에 복수 단계의 처리를 행하도록 상기 처리 블록에 마련되는 모듈군 중, 같은 단계에서의 사용 가능한 모듈의 수로 상기 단계의 모듈에서의 필요한 기판의 체재 시간을 나눔으로써, 각 단계에 대해서 얻어지는 시간 중의 최대 시간인 시간의 파라미터와,
    상기 멀티 모듈을 구성하는 모듈에서의 상기 필요한 기판의 체재 시간과,
    상기 사이클 타임
    에 기초한,
    상기 멀티 모듈 중 상기 기판의 반송처가 되는 모듈수의 결정 및 상기 멀티 모듈에 기판이 반입되고 나서 상기 기판이 반출될 때까지 상기 주반송 기구가 주회하는 횟수인 체재 사이클수의 결정을 포함하는, 제1 반송 스케줄의 설정을 행하는 것인, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 멀티 모듈에서의 상기 기판의 반송처가 되는 모듈수는, 상기 모듈에서의 필요한 기판의 체재 시간을, 상기 시간의 파라미터로 나눈 값에 대응하는 값으로서 결정되고, 상기 모듈수에 기초하여 상기 체재 사이클수가 결정되는 것인, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 시간의 파라미터는, 상기 기판의 반송 시간과, 상기 각 단계에 대해서 얻어지는 시간 중의 최대 시간 중 큰 쪽의 시간인 것인, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 블록은, 상기 반출 모듈, 상기 모듈군 및 상기 주반송 기구를 각각 구비하여 상기 기판에 각각 같은 처리를 행하는 N개(N은 정수)의 단위 블록에 의해 구성되고,
    상기 기판의 반송 시간은, 상기 반송 공정수 및 상기 N에 대응하는 시간이고,
    상기 같은 단계에서의 사용 가능한 모듈의 수는, 각 단위 블록 사이의 같은 단계에서의 사용 가능한 모듈의 합계수이고,
    상기 기판의 반송처가 되는 모듈수 및 상기 체재 사이클수는, 상기 단위 블록마다 결정되는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 각 단계에서의 상기 모듈의 필요한 기판의 체재 시간을, 상기 사용 가능한 모듈수로 나눈 값에 대한 상기 단위 블록마다의 최대값과, 상기 시간의 파라미터에 기초하여,
    상기 각 단위 블록 사이에서의 상기 기판의 반입 매수의 비율을 결정하는 것인, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 각 단위 블록에 마련되는 상기 멀티 모듈에서의 상기 기판의 반송처가 되는 모듈의 수는, 상기 모듈에서의 필요한 기판의 체재 시간을, 상기 시간의 파라미터로 나누어 얻어지는 값에 대응하는 값으로서 결정되고,
    상기 제어부는,
    상기 기판의 반송처가 되는 모듈의 수와, 상기 모듈에서 필요한 기판의 체재 시간과, 상기 사이클 타임이 적용되며, 반입 매수의 비율의 순서에 대응하는 연산식에 기초하여, 각 단위 블록의 상기 멀티 모듈에서의 상기 기판의 체재 사이클수를 결정하는 것인, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 N개의 단위 블록은, 제1 단위 블록, 제2 단위 블록을 포함하고,
    상기 기판의 반입 매수의 비율에 대해서, 제1 단위 블록은 제2 단위 블록보다 크다고 하면,
    같은 로트의 기판을 반송하는 데 있어서,
    상기 멀티 모듈 중, 상기 기판이 반송되도록 결정된 모듈에 대해서,
    상기 제1 단위 블록에서는 먼저 상기 모듈에 반입된 기판이 반출되는 사이클에서 후속 기판이 반입되고,
    상기 제2 단위 블록에서는 먼저 상기 모듈에 반입된 기판이 반출되는 사이클보다 뒤의 사이클에서 후속 기판이 반입되는 것인, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 제1 반송 스케줄의 설정을 행하는 대신에,
    상기 사이클 타임과 상기 멀티 모듈을 구성하는 모듈에서 필요한 기판의 체재 시간에 기초하여, 상기 체재 사이클수를 산출하고,
    각 기판에 대해서, 상기 체재 사이클수에 기초하여 먼저 상기 처리 블록에 반입되는 기판부터 순서대로 상기 멀티 모듈을 구성하는 각 모듈에의 반송처를 할당하는 데 있어서,
    A. 기판을 반송 가능한 복수의 모듈 중, 반송처를 결정하는 기판이 멀티 모듈에 반송되는 기준 사이클에 가장 가까운 사이클에서, 상기 반송처를 결정하는 기판보다 먼저 상기 멀티 모듈에 반송된 기판이 반출되는 모듈이 반송처가 되도록 각 기판의 반송처를 결정하는 제2 반송 스케줄의 설정을 행하는 것인, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기준 사이클에 가장 가까운 사이클에는, 상기 기준 사이클과 동일한 사이클이 포함되고,
    상기 동일한 사이클에서 멀티 모듈에 포함되는 하나의 모듈에 대하여, 한쪽의 상기 기판 유지부에 의한 기판의 반출과, 다른 쪽의 상기 기판 유지부에 의한 기판의 반입이 행해지는 것인, 기판 처리 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 처리 블록에 순차 반송되는 상기 기판의 로트를, 제1 로트, 제2 로트라고 하면,
    상기 제1 로트의 기판 및 상기 제2 로트의 기판에서의 상기 체재 사이클수의 산출은, 상기 제1 로트 및 제2 로트에 공통으로 설정된 상기 사이클 타임에 기초하여 행해지는 것인, 기판 처리 장치.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 처리 블록에 순차 반송되는 상기 기판의 로트를, 제1 로트, 제2 로트라고 하면,
    상기 반입출용 반송 기구는, N회(N은 정수)의 사이클마다 기판을 상기 처리 블록에 반송하고,
    상기 체재 사이클수는, 상기 체재 시간을 상기 제1 로트 및 제2 로트의 반송 시의 사이클 타임으로 나누어 얻어진 제산값을, 상기 제산값 이상이며 또한 상기 N의 정수배인 값이 되도록 보정한 값인 것인, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 처리 블록은, 반출 모듈, 멀티 모듈 및 주반송 기구를 각각 구비하여 기판에 각각 같은 처리를 행하는 N개의 단위 블록에 의해 구성되고,
    상기 반입출용 반송 기구는 상기 N회의 사이클로, N개의 단위 블록의 각각에 기판을 반송하는 것인, 기판 처리 장치.
  13. 제8항에 있어서, 상기 처리 블록에 순차 반송되는 상기 기판의 로트를, 제1 로트, 제2 로트라고 하면,
    상기 제1 로트에 대응하는 사이클 타임 및 제2 로트에 대응하는 사이클 타임은, 상기 체재 시간과 상기 멀티 모듈을 구성하는 모듈의 수에 기초하여 각각 결정되는 파라미터인 것인, 기판 처리 장치.
  14. 제8항에 있어서, 상기 멀티 모듈은,
    상기 기판의 반송 흐름에서의 상류 측의 멀티 모듈과 하류 측의 멀티 모듈을 포함하고,
    상기 상류 측의 멀티 모듈, 상기 하류 측의 멀티 모듈의 각각에 대해서, 상기 A에 따라 기판의 반송처가 결정되는 것인, 기판 처리 장치.
  15. 제8항에 있어서, 상기 처리 블록에 연속하여 반송되는 상기 기판의 로트를, 제1 로트, 제2 로트라고 하면,
    상기 멀티 모듈에서, 미리 결정된 처리 파라미터가 서로 다르도록 상기 제1 로트, 제2 로트에 각각 처리가 행해질 때,
    상기 제2 로트의 선두로부터 세어 상기 멀티 모듈의 수와 같은 수의 각 기판에 대해서는, A.에 따라 반송처가 결정되는 대신에,
    B. 기판을 반송 가능한 복수의 모듈 중, 반송처를 결정하는 기판이 멀티 모듈에 반송되는 기준 사이클에 가장 먼 사이클에서, 상기 반송처를 결정하는 기판보다 먼저 상기 멀티 모듈에 반송된 기판이 반출되는 모듈이 반송처가 되도록 각 기판의 반송처가 결정되는 것인, 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 멀티 모듈은, 배치된 상기 기판을 가열하는 열판을 포함하는 가열 모듈, 또는 광 조사부로부터 광 조사하여 상기 기판을 노광하는 노광 모듈이고,
    상기 미리 결정된 처리 파라미터는, 상기 열판의 온도 또는 상기 광 조사부에 의한 광의 강도인 것인, 기판 처리 장치.
  17. 상류 측의 모듈로부터 하류 측의 모듈에 기판을 순차 반송하여 처리하는 처리 블록을 구비하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판이 저장되는 캐리어와 상기 처리 블록 사이에서 상기 기판을 전달하여, 상기 처리 블록에의 상기 기판의 반입출을 행하는 반입출용 반송 기구와,
    상기 반입출용 반송 기구에 의해 상기 처리 블록으로부터 반출되는 처리 완료된 상기 기판이 배치되는 반출 모듈과,
    상기 처리 블록에서의 상기 기판의 반송의 순서가 서로 같은 상기 반출 모듈의 상류 측의 복수의 모듈에 의해 구성되는 멀티 모듈과,
    서로 독립적으로 각 모듈에 대하여 진퇴하는 복수의 기판 유지부를 구비하고, 상기 처리 블록에 마련되는 반송로를 주회하여, 모듈 사이에서 상기 기판을 전달하는 주반송 기구
    를 구비하며,
    상기 주반송 기구가 상기 반송로를 1주하는 시간을 사이클 타임으로 하면,
    상기 처리 블록에 반입된 기판을 상기 반출 모듈에 반송하기 위해 요하는 상기 주반송 기구의 반송 공정수에 대응하는 기판의 반송 시간, 또는 상기 멀티 모듈을 포함하며 상기 기판에 복수 단계의 처리를 행하도록 상기 처리 블록에 마련되는 모듈군 중, 같은 단계에서의 사용 가능한 모듈의 수로 상기 단계의 모듈에서의 필요한 기판의 체재 시간을 나눔으로써, 각 단계에 대해서 얻어지는 시간 중의 최대 시간인 시간의 파라미터와,
    상기 멀티 모듈을 구성하는 모듈에서의 상기 필요한 기판의 체재 시간과,
    상기 사이클 타임
    에 기초하여,
    상기 멀티 모듈 중 상기 기판의 반송처가 되는 모듈수의 결정 및 상기 멀티 모듈에 기판이 반입되고 나서 상기 기판이 반출될 때까지 상기 주반송 기구가 주회하는 횟수인 체재 사이클수의 결정을 행하여, 제1 반송 스케줄의 설정을 행하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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