KR20200079394A

KR20200079394A - 무세척 플럭스 조성물

Info

Publication number: KR20200079394A
Application number: KR1020180168777A
Authority: KR
Inventors: 최장락; 서용주; 최진호; 유창일; 박수빈
Original assignee: (주)에버텍엔터프라이즈
Priority date: 2018-12-24
Filing date: 2018-12-24
Publication date: 2020-07-03
Also published as: KR102243088B1

Abstract

본 발명은 무세척(No-Clean) 플럭스 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 수지(Resin), 용매 및 산(Acid)을 포함하는 무세척 플럭스 조성물에 관한 것으로, 점도, 점착성, 언더필 다이 전단 접착력, 볼 전단 접착력 및 잔사 최소화 면에서 우수한 효과를 나타내므로, 무세척 플럭스 조성물로서 유용하게 사용될 수 있다.

Description

무세척 플럭스 조성물{Composition for No-Clean Flux}

본 발명은 무세척(No-Clean) 플럭스 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 수지(Resin), 용매 및 산(Acid)을 포함하는 무세척 플럭스 조성물에 관한 것이다.

각종 전자제품 및 모바일 기기에 사용되고 있는 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array; BGA), 플립 칩 볼 그리드 어레이(Flip Chip Ball Grid Array; FCBGA), 실리콘 관통전극(Through Silicon Via; TSV) 패키지 기술은 반도체 처리용량 및 속도가 증가함에 따라 경량화, 박막화, 고집적화를 위해 수요가 증가하고 있다. 이러한 BGA, FCBGA 및 TSV 패키지 기술은 와이어 본딩(Wire bonding)이 아닌 솔더(Solder) 접착을 통하여 신호이동거리 및 전력소모를 최소화하고 패키지 공간을 극대화 시킬 수 있는 장점이 있어, 매년 그 수요가 증가하고 있으며 이에 따라 솔더 볼(Solder ball) 및 솔더 범핑(Solder bumping)을 위한 플럭스 소재 수요도 함께 증가하고 있다.

이때, 플럭스(Flux)는 솔더 볼이나 범프의 산화막을 안정적으로 제거하고 기판에 솔더 볼을 접합하거나, 웨이퍼 상에 솔더 볼을 형성시키는 역할을 하는 핵심 소재이나 대부분 수입에 의존하고 있다.

전형적인 플립 칩 시스템의 어셈블리는 (1) 플립 칩 본딩 및 (2) 캡슐화 또는 언더필 공정을 필요로 한다. 먼저, 플립 칩 본딩 공정에서는 플럭스를 이용하여 범프된 다이(Die)가 기판 상의 본딩 패드에 정렬 및 부착된다. 이후, 솔더가 용해되어 본드 패드와의 금속 결합을 형성하도록 모듈이 가열된다(리플로우 공정). 이러한 플립 칩 본딩 공정 후 캡슐화 또는 언더필 공정에 앞서 상기 공정에서 사용된 플럭스 잔유물이 세정된다.

그러나, 이러한 플럭스 잔여물을 세정하는 데에 필요한 용제 물질은 전형적으로 매우 가연성이고 위험한 물질로 일부는 발암성이기 때문에, 세정에 상당히 전문화된 장비를 필요로 하여 세정 단계에 많은 비용을 필요로 한다.

또한, 최근 반도체 패키지의 볼 피치(Ball Pitch) 간격도 미세해짐에 따라(대표적으로 플립 칩 패키지, 웨이퍼 레벨 패키지 등), 리플로우 공정이 완료된 후 디바이스로부터 플럭스 잔유물을 제거하기 위한 세정 공정을 수행하지 않으면서, 플립 칩 구성으로 반도체 디바이스를 조립하는 방법이 요구되고 있다.

국내공개특허 제10-2018-0038844호

본 발명자들은 반도체 패키지 공정 중 리플로우 공정 후 별도의 세정 공정이 필요 없도록 잔사가 최소화될 수 있는 플럭스 조성물을 개발하고자 예의 연구 노력하였다. 그 결과, 합성향료(Aroma Chemical) 수지, 용매 및 산(Acid)을 포함하는 조성물의 경우, 점도, 점착성, 언더필 다이 전단 접착력, 볼 전단 접착력 및 잔사 최소화 면에서 우수한 효과를 나타내어, 무세척(No-Clean) 플럭스 조성물로 사용될 수 있음을 규명함으로써, 본 발명을 완성하게 되었다.

따라서, 본 발명의 목적은 무세척(No-Clean) 플럭스 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명은 무세척 플럭스 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 수지(Resin), 용매 및 산(Acid)을 포함하는 무세척 플럭스 조성물에 관한 것이다.

본 발명자들은 반도체 패키지 공정 중 리플로우 공정 후 별도의 세정 공정이 필요 없도록 잔사가 최소화될 수 있는 플럭스 조성물을 개발하고자 예의 연구 노력하였다. 그 결과, 합성향료(Aroma Chemical) 수지, 용매 및 산(Acid)을 포함하는 조성물의 경우, 점도, 점착성, 언더필 다이 전단 접착력, 볼 전단 접착력 및 잔사 최소화 면에서 우수한 효과를 나타내어, 무세척(No-Clean) 플럭스 조성물로 사용될 수 있음을 규명하였다.

이하, 본 발명을 더욱 자세히 설명하고자 한다.

본 발명의 일 양태는 수지(Resin), 용매 및 산(Acid)을 포함하는 무세척(No-Clean) 플럭스 조성물에 관한 것이다.

본 명세서에서 "플럭스 조성물"은 반도체 패키지 공정(Ball Grid Array, Flip Chip Ball Grid Array 및 TSV 패키지 공정 등)에 사용되는 솔더 볼(Solder ball)이나 범프(Bump)의 산화막을 안정적으로 제거하고, 기판에 솔더 볼을 접합하거나 웨이퍼(Wafer) 상에 솔더 볼을 형성시키는 역할을 하는 조성물을 의미한다.

본 명세서에서 "무세척(No-Clean) 플럭스 조성물"은 상기 플럭스 조성물 중 리플로우 공정 후 별도로 세정할 필요가 없거나 거의 없는 플럭스 조성물을 의미한다.

상기 무세척 플럭스 조성물은 기판에 솔더 볼을 접합하거나 웨이퍼 상에 솔더 볼을 형성시킬 수 있을 정도의 충분한 점도(Viscosity) 및 점착성(Tackiness)을 가질 수 있다. 또한, 리플로우 공정을 수행하는 동안 최소량의 잔유물만을 남길 수 있고, 이는 이후 언더필(Underfill) 공정을 방해하지 않는다.

본 명세서에서 수지는 합성향료(Aromatic Chemical) 수지일 수 있고, "합성향료"란 단일 화학구조로 표현되는 향내를 내는 물질을 의미하며, "합성향료 수지"란 단일 화학 구조로 표현되는 향내를 내는 수지(Resin)를 의미한다. 합성향료는 천연향료로부터 분리된 단리향료(유리향료) 및 합성 반응에 의해 만들어진 순합성향료를 포함할 수 있다.

상기 수지는 예를 들어, 하기 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[화학식 5]

상기 수지는 증기압이 높아 휘발이 잘되면서도 점도가 높기 때문에, 솔더링(Soldering) 공정 시 무세척 플럭스 조성물에 충분한 점도(Viscosity) 및 점착성(Tackiness)을 부여할 수 있고, 저비점 고휘발 특성으로 인해 리플로우(Reflow) 공정 후 무세척 플럭스 조성물의 잔사가 최소화 될 수 있다. 또한, 휘발하면서도 리플로우 장비 오염을 최소화할 수 있다.

상기 수지는 무세척 플럭스 조성물 전체 중량을 기준으로, 60 내지 95 중량부, 65 내지 95 중량부, 70 내지 95 중량부, 75 내지 95 중량부, 80 내지 95 중량부 또는 85 내지 95 중량부로 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 중량 외에서 발명을 실시하는 경우 예를 들어, 상기 중량을 초과하여 실시하는 경우 솔더링 부족이 발생할 수 있고, 상기 중량을 미달하여 실시하는 경우 잔사가 많아져 언더필의 미경화가 발생할 수 있으므로 외부 충격으로부터 솔더 볼을 보호하지 못하여 신뢰성 불량(솔더 볼 크랙 또는 단락)을 야기할 수 있다.

본 명세서에서 용매는 당업계에서 플럭스를 제조하기 위하여 이용되는 어떠한 용매도 포함할 수 있고, 예를 들어, 아이소프로필알코올, 에탄올, 아세톤, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 글리콜에테르, 헥실다이글리콜, (2-에틸헥실)다이글리콜, 페닐글리콜, 부틸카르비톨, 옥탄다이올, α-테르피네올, β-테르피네올, 테트라에틸렌글라이콜다이메틸에테르, 트리멜리트산트리스(2-에틸헥실), 세바스산비스(2-에틸헥실), 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에테르 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 용매는 무세척 플럭스 조성물 전체 중량을 기준으로, 5 내지 40 중량부, 5 내지 35 중량부, 5 내지 30 중량부, 5 내지 25 중량부, 5 내지 20 중량부, 5 내지 15 중량부 또는 5 내지 10 중량부로 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 중량 외에서 발명을 실시하는 경우 예를 들어, 상기 중량을 초과하여 실시하는 경우 상기 조성물의 점도가 낮아져 솔더링 부족이 발생할 수 있고, 상기 중량을 미달하여 실시하는 경우 상기 조성물의 점도가 높아져 솔더 볼 브릿지(bridge)가 발생할 수 있다.

본 명세서에서 산은 예를 들어, 하기 화학식 6 내지 8로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 6]

[화학식 7]

[화학식 8]

상기 산은 리플로우 공정 후 잔사로 남아도 에폭시 경화제로 사용되어 언더필을 경화시킬 수 있기 때문에 신뢰성에 문제가 발생하지 않는 반면, 종래에 무세척 플럭스 조성물에 주로 사용된 산(Glutaric acid, Succinic acid, Adipic acid, Diglycolic acid, Polyglicolic acid 및 Glycolic acid 등)은 잔사로 남을 경우 에폭시와 반응성이 없거나 적기 때문에 언더필 등의 후속 공정 시 신뢰성 문제를 야기시킬 수 있는 문제가 있다.

보다 구체적으로, 언더필 미경화 시 솔더 볼과 언더필이 결합되지 않아 솔더 볼을 보호해주는 역할을 할 수 없게 되므로 열충격 또는 CTE Mismatch에 의한 솔더 볼 크랙 또는 솔더 볼 단락이 발생하는 신뢰성 불량을 야기할 수 있으나, 상기 산은 리플로우 공정 후 잔사로 남아도 언더필을 경화시킬 수 있기 때문에 신뢰성에 문제가 발생하지 않는다.

상기 산은 무세척 플럭스 조성물 전체 중량을 기준으로, 1 내지 10 중량부, 2 내지 10 중량부, 3 내지 10 중량부, 4 내지 10 중량부, 5 내지 10 중량부, 6 내지 10 중량부, 7 내지 10 중량부, 8 내지 10 중량부, 9 내지 10 중량부, 1 내지 9 중량부, 1 내지 8 중량부, 1 내지 7 중량부, 1 내지 6 중량부, 2 내지 9 중량부, 2 내지 8 중량부, 2 내지 7 중량부, 2 내지 6 중량부, 3 내지 9 중량부, 3 내지 8 중량부, 3 내지 7 중량부, 3 내지 6 중량부, 4 내지 9 중량부, 4 내지 8 중량부, 4 내지 7 중량부, 4 내지 6 중량부, 5 내지 9 중량부, 5 내지 8 중량부, 5 내지 7 중량부 또는 5 내지 6 중량부로 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 중량 외에서 발명을 실시하는 경우 예를 들어, 상기 중량을 초과하여 실시하는 경우 잔사가 많아지는 문제가 발생할 수 있고, 상기 중량을 미달하여 실시하는 경우 솔더링 불량이 발생할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 솔더 볼(Solder ball)의 형성 여부를 확인한 결과이다.

이하, 실시 예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시 예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시 예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명할 것이다.

실시예. 무세척 플럭스 조성물

500 ml 비이커에 다이에틸렌글라이콜 모노뷰틸 에테르(Di-ethylene glycol monobutyle ether), 아이소보닐 사이클로헥산올(Isobornyl cyclohexanol; IBCH) 및 산(2PZ-CNS 또는 C11-CNS)을 넣고, 150 ℃로 녹인 후 150 rpm으로 30 분간 교반하여 혼합하고, 교반 속도를 유지하면서 30 ℃ 이하가 되도록 냉각하여 플럭스 조성물을 제조하였다. 구체적인 조성은 하기 표 1과 같다.

	구성성분(중량부)
	Isobornyl cyclohexanol	Di-ethyleneglycol monobutyle ether	Acid		합계
	Isobornyl cyclohexanol	Di-ethyleneglycol monobutyle ether	2PZ-CNS	C11-CNS	합계
실시예 1	90	6	1	-	97
실시예 2	90	6	3	-	99
실시예 3	90	6	5	-	101
실시예 4	90	6	7	-	103
실시예 5	90	6	9	-	105
실시예 6	90	6	-	1	97
실시예 7	90	6	-	3	99
실시예 8	90	6	-	5	101
실시예 9	90	6	-	7	103
실시예 10	90	6	-	9	105

비교예 1. 기존의 플럭스 조성물

조성물의 일부 구성을 달리하여, 실시예와 동일한 방법으로 플럭스 조성물을 제조하였다. 구체적인 조성은 하기 표 2와 같다.

	구성성분(중량부)
	Isobornyl cyclohexanol	Di-ethyleneglycol monobutyle ether	Acid		합계
			Glutaric acid	Adipic acid
비교예 1	90	6	4	-	100
비교예 2	90	6	-	4	100

실험예 1. 점도(Viscosity) 측정

상기 실시예 및 비교예의 조성물에 대하여, 각 조성물을 0.5 ml씩 점도계(Brookfield DV-Ⅱ)에 정량하고, 스핀들(Spindle No. 51)을 사용하여 5 rpm 속도에서 점도 값을 측정하였으며, 3 회 반복 측정 후 평균값을 나타내었다. 결과는 하기 표 3에 나타내었다.

	점도(mPa)
실시예 1	3225
실시예 2	6852
실시예 3	9449
실시예 4	13628
실시예 5	15161
실시예 6	4085
실시예 7	7424
실시예 8	10304
실시예 9	13024
실시예 10	16632
비교예 1	5021
비교예 2	5201

상기 표 3에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 조성물은 비교예로 나타낸 종래의 물질(비교예 1 및 2)에 비하여 점도 면에서 최소 유사하거나 보다 우수한 것을 알 수 있다.

실험예 2. 점착성(Tackiness) 측정

상기 실시예 및 비교예의 조성물에 대하여, 만능 시험기 UTM(universal testing machine)을 이용하여 JIS-Z-3284 조건(Load: 50 g, Down Speed: 2 mm/s, Up Speed: 10 mm/s)으로 설정하고, 각 조성물을 0.2 mm 두께로 인쇄한 후 지름 5.1 mm의 프로브로 0.2 초 동안 가압시켜 측정하였다. 결과는 하기 표 4에 나타내었다.

	점착성(gf)
실시예 1	142
실시예 2	156
실시예 3	162
실시예 4	170
실시예 5	172
실시예 6	144
실시예 7	151
실시예 8	163
실시예 9	168
실시예 10	176
비교예 1	147
비교예 2	148

상기 표 4에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 조성물은 비교예로 나타낸 종래의 물질(비교예 1 및 2)에 비하여 점착성 면에서 최소 유사하거나 보다 우수한 것을 알 수 있다.

실험예 3. 언더필 다이 전단 접착력(Underfill Die shear strength; DST) 측정

상기 실시예 및 비교예의 조성물에 대하여, 잔사가 언더필 경화에 영향을 미치는지 여부를 확인하기 위하여, 350 x 350 x 0.3 mm 동박 입힘 적층판(Copper Clad Laminated Board) 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에 50 um 두께로 각 조성물을 도포한 후, 200 ppm 이하의 O₂ 조건으로 리플로우 오븐(Reflow Oven)에서 3 회 리플로우(Reflow)를 진행하였다. 리플로우 후 PCB 동박에 남은 잔사를 세척하지 않고 당사에서 제조한 언더필(Underfill) 접착제(UF3300, 에폭시, silica filler 60 중량%)를 이용하여 동박 위에 실리콘 칩(2x2 mm²)을 부착하고 150 ℃에서 1 시간 동안 경화를 진행한 후 Dage 4000을 이용하여 전단 접착력(shear strength)을 측정하였다. 결과는 하기 표 5에 나타내었다.

	언더필DST(kgf)
실시예 1	5.32
실시예 2	6.97
실시예 3	8.47
실시예 4	7.32
실시예 5	4.25
실시예 6	4.98
실시예 7	6.44
실시예 8	9.61
실시예 9	8.22
실시예 10	5.41
비교예 1	1.24
비교예 2	1.12

상기 표 5에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 조성물은 비교예로 나타낸 종래의 물질(비교예 1 및 2)에 비하여 언더필 다이 전단 접착력 면에서 최소 유사하거나 보다 우수한 것을 알 수 있다.

실험예 4. 솔더 볼(Solder ball) 형성 확인 및 볼 전단 접착력(Ball shear strength; BST) 측정

상기 실시예 및 비교예의 조성물에 대하여, OSP(Organic Solderability Preservative) 코팅된 PCB 상에 각 조성물을 이용하여 솔더 볼(SAC305, 덕산하이메탈, 한국)을 부착한 후 리플로우(최고 온도: 240 ℃)를 실시하여 솔더 볼이 잘 형성되는지 확인하였다(도 1 참조). 그 다음, Dage 4000을 이용하여 형성된 솔더 볼의 볼 전단 접착력(BST)을 측정하였다(솔더 볼 크기: 300 ㎛, 측정 속도: 500 ㎛/s, 전단 높이: 20 ㎛). 결과는 하기 표 6에 나타내었다.

	BST(gf)
실시예 1	341
실시예 2	368
실시예 3	394
실시예 4	371
실시예 5	362
실시예 6	338
실시예 7	354
실시예 8	385
실시예 9	364
실시예 10	355
비교예 1	382
비교예 2	372

도 1 및 상기 표 6에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 조성물은 비교예로 나타낸 종래의 물질(비교예 1 및 2)에 비하여 볼 전단 접착력 면에서 최소 유사하거나 보다 우수한 것을 알 수 있다.

실험예 5. 산가(Acid value) 측정

상기 실시예 및 비교예의 조성물에 대하여, 솔더링(Soldering) 효과에 영향을 미치는 산성도를 확인하기 위하여, 에탄올:메탄올(2:1) 혼합액 100 ml에 각 조성물을 10 g씩 녹인 후 페놀프탈레인을 4~5 방울을 첨가하여 교반시킨 다음, 뷰렛을 이용하여 0.1 N KOH 용액을 적정한 후 아래 계산식을 이용하여 산가를 측정하였다. 결과는 하기 표 7에 나타내었다.

(S: 시료에 대한 채취량, a: 초기 0.1 N KOH 량(ml), b: 남은 0.1 N KOH 량(ml), f: 0.1 N KOH의 역가(일반적으로 1 사용))

	산가(Acid value)
실시예 1	8.92
실시예 2	20.7
실시예 3	35.8
실시예 4	52.82
실시예 5	65.34
실시예 6	9.82
실시예 7	21.66
실시예 8	38.32
실시예 9	54.63
실시예 10	66.41
비교예 1	25.6
비교예 2	23.3

상기 표 7에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 조성물(실시예 3-5 및 8-10)은 비교예로 나타낸 종래의 물질(비교예 1 및 2)에 비하여 산가 면에서 우수한 것을 알 수 있다.

실험예 6. 리플로우 후 잔사 측정

상기 실시예 및 비교예의 조성물에 대하여, 슬라이드 글라스에 각 조성물을 50 ㎛ 두께로 인쇄 후 시료의 무게를 측정하고, 리플로우 오븐(1707MK III, Heller)에서 리플로우(최고 온도: 240 ℃)를 3 회 반복 후 최종 남아있는 각 조성물의 무게를 재 측정하였다. 결과는 하기 표 8에 나타내었다.

	리플로우 후 잔사(wt%)
실시예 1	9.6
실시예 2	9.2
실시예 3	8.5
실시예 4	7.6
실시예 5	6.4
실시예 6	10.4
실시예 7	9.4
실시예 8	8.8
실시예 9	7.4
실시예 10	6.3
비교예 1	10.2
비교예 2	10.4

상기 표 8에서 확인할 수 있듯이, 본 발명의 조성물은 비교예로 나타낸 종래의 물질(비교예 1 및 2)에 비하여 리플로우 후 잔사 면에서 우수한 것을 알 수 있다.

본 발명의 무세척 플럭스 조성물(실시예 1 내지 10)은 비교예로 나타낸 종래의 산을 사용한 조성물(비교예 1 및 2)에 비하여 점도, 점착성, 언더필 DST 및 리플로우 후 잔사 면에서 대체적으로 우수한 것으로 나타났다.

특히, 산을 5 내지 10 중량부 포함하는 조성물(실시예 3-5 및 8-10)의 경우, 상기 실험예의 모든 면에서 비교예로 나타낸 종래의 산을 사용한 조성물(비교예 1 및 2)에 비하여 우수한 것으로 나타나 무세척 플럭스 조성물로의 적용에 매우 적합한 특성을 지닌다는 것을 알 수 있다.

Claims

수지(Resin), 용매 및 산(Acid)을 포함하는 무세척(No-Clean) 플럭스 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 수지는 합성향료(aromatic chemical) 수지인 것인, 무세척 플럭스 조성물.
제 2 항에 있어서, 상기 합성향료 수지는 하기 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것인, 무세척 플럭스 조성물.
[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[화학식 5]
제 1 항에 있어서, 상기 용매는 아이소프로필알코올, 에탄올, 아세톤, 톨루엔, 크실렌, 아세트산에틸, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 글리콜에테르, 헥실다이글리콜, (2-에틸헥실)다이글리콜, 페닐글리콜, 부틸카르비톨, 옥탄다이올, α-테르피네올, β-테르피네올, 테트라에틸렌글라이콜다이메틸에테르, 트리멜리트산트리스(2-에틸헥실), 세바스산비스(2-에틸헥실), 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것인, 무세척 플럭스 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 산은 하기 화학식 6 내지 8로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것인, 무세척 플럭스 조성물.
[화학식 6]

[화학식 7]

[화학식 8]
제 5 항에 있어서, 상기 산은 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 10 중량부로 포함되는 것인, 무세척 플럭스 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 조성물은 리플로우(Reflow) 공정 동안, 언더필(Underfill) 공정을 방해하지 않는 최소량의 잔유물이 남는 것인, 무세척 플럭스 조성물.
제 7 항에 있어서, 상기 최소량은 리플로우 공정 전의 무세척 플럭스 조성물 총 중량의 10 중량부 미만인 것인, 무세척 플럭스 조성물.