KR20200045098A - 반도체 패키지 - Google Patents

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KR20200045098A
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Abstract

반도체 패키지는 패키지 기판, 인터포저, 로직 칩, 적어도 하나의 메모리 칩 및 히트 싱크를 포함할 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 인터포저 및 상기 로직 칩에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 히트 싱크는 상기 로직 칩의 상부면과 접촉되어, 상기 로직 칩 내의 열을 방출시킬 수 있다. 따라서, 로직 칩 내의 열이 히트 싱크를 통해서 효율적으로 방출될 수 있다.

Description

반도체 패키지{SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 메모리 칩들과 로직 칩을 포함하는 시스템-인 패키지에 관한 것이다.
시스템-인 패키지는 복수개의 메모리 칩들과 로직 칩을 포함할 수 있다. 메모리 칩들과 로직 칩은 인터포저를 매개로 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 메모리 칩들 각각은 복수개의 메모리 칩들이 적층된 멀티-칩 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 메모리 칩은 로직 칩의 두께보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 로직 칩이 메모리 칩보다 아래에 위치하고 있으므로, 로직 칩으로부터 발생된 열을 효과적으로 방출시킬 수가 없을 것이다. 특히, 로직 칩의 방열을 위한 히트 싱크를 메모리 칩 아래에 위치한 로직 칩에 연결하기가 상당히 어려울 수 있다.
본 발명은 로직 칩 내의 열을 효과적으로 방출시킬 수 있는 반도체 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 반도체 패키지는 패키지 기판, 인터포저, 로직 칩, 적어도 하나의 메모리 칩 및 히트 싱크를 포함할 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 인터포저 및 상기 로직 칩에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 히트 싱크는 상기 로직 칩의 상부면과 접촉되어, 상기 로직 칩 내의 열을 방출시킬 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 반도체 패키지는 패키지 기판, 인터포저, 로직 칩, 적어도 하나의 메모리 칩, 히트 싱크 및 메인 히트 싱크를 포함할 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치되어 상기 인터포저 및 상기 로직 칩에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 로직 칩의 상부면보다 위에 위치하는 상부면을 가질 수 있다. 상기 히트 싱크는 상기 로직 칩의 상부면과 접촉되어 상기 로직 칩 내의 열을 방출시킬 수 있다. 상기 히트 싱크는 상기 메모리 칩의 상부면과 동일 평면 상에 위치하는 상부면을 가질 수 있다. 상기 메인 히트 싱크는 상기 메모리 칩과 상기 히트 싱크의 상부면들과 접촉되어, 상기 메모리 칩과 상기 히트 싱크 내의 열을 방출시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 반도체 패키지는 패키지 기판, 인터포저, 로직 칩, 적어도 하나의 메모리 칩 및 메인 히트 싱크를 포함할 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 인터포저는 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 로직 칩은 상기 인터포저에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 인터포저의 상부면에 배치되어 상기 인터포저 및 상기 로직 칩에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 메모리 칩은 상기 로직 칩의 상부면보다 위에 위치하는 상부면을 가질 수 있다. 상기 메인 히트 싱크는 상기 메모리 칩의 상부면과 접촉된 하부면, 및 상기 하부면으로부터 연장되어 상기 로직 칩의 상부면과 접촉된 열전달부를 가져서, 상기 메모리 칩과 상기 로직 칩 내의 열을 방출시킬 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 로직 칩의 상부면에 히트 싱크가 접촉하게 되므로, 로직 칩 내의 열이 히트 싱크를 통해서 효율적으로 방출될 수 있다. 또한, 히트 싱크의 상부면은 메모리 칩의 상부면과 동일 평면 상에 위치하므로, 메인 히트 싱크와 메모리 칩 및 히트 싱크의 상부면들 사이의 접촉 면적이 확장될 수 있다. 결과적으로, 로직 칩과 메모리 칩 내의 열을 메인 히트 싱크를 통해서 효과적으로 방출시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 반도체 패키지의 인터포저를 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타낸 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 패키지를 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 반도체 패키지의 인터포저를 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 패키지는 패키지 기판(110), 인터포저(120), 로직 칩(130), 복수개의 메모리 칩(140)들, 히트 싱크(150) 및 몰딩 부재(180)를 포함할 수 있다. 본 실시예의 반도체 패키지는 메모리 칩(140)들과 로직 칩(130)을 포함하므로, 본 실시예의 반도체 패키지는 시스템-인 패키지일 수 있다.
패키지 기판(110)은 도전 배선들을 포함할 수 있다. 도전 배선들 각각은 패키지 기판(110) 내에 배치될 수 있다. 도전 배선들의 상단과 하단이 패키지 기판(110)의 상부면과 하부면을 통해 노출될 수 있다. 외부접속단자(164)들이 도전 배선들의 하단들에 실장될 수 있다. 외부접속단자(164)들은 솔더 볼을 포함할 수 있다.
인터포저(120)는 패키지 기판(110)의 상부면에 배치될 수 있다. 인터포저(120)는 절연 기판, 복수개의 접속 포스트(122)들 및 복수개의 도전 패턴(124)들을 포함할 수 있다. 접속 포스트(122)들은 절연 기판 내에 수직 방향을 따라 내장될 수 있다. 접속 포스트(122)들 각각의 상단과 하단은 인터포저(120)의 상부면과 하부면을 통해 노출될 수 있다. 접속 포스트(122)들의 하단들이 도전성 범프(160)들을 매개로 패키지 기판(110)의 도전 배선들의 상단들에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 패키지 기판(110)과 인터포저(120)는 도전성 범프(160)들에 의해서 전기적으로 연결될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 도전 패턴(124)들은 인터포저(120)의 상부면에 배열될 수 있다.
로직 칩(130)은 인터포저(120)의 상부면에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 로직 칩(130)은 인터포저(120)의 상부면 중앙부에 배치될 수 있다. 로직 칩(130)의 하부면에 패드들이 배치될 수 있다. 따라서, 로직 칩(130)의 하부면이 로직 칩(130)의 액티브 면에 해당될 수 있다. 로직 칩(130)은 도전성 범프(162)들을 매개로 인터포저(120)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 로직 칩(130)의 패드들이 도전성 범프(162)들을 통해서 인터포저(120)의 접속 포스트(122)들의 상단들에 전기적으로 접촉될 수 있다.
도1 및 도 3을 참조하면, 복수개의 메모리 칩(140)들이 인터포저(120)의 상부면에 배치될 수 있다. 메모리 칩(140)들 각각은 패드들을 포함할 수 있다. 패드들은 메모리 칩(140)의 하부면에 배치될 수 있다. 따라서, 메모리 칩(140)의 하부면이 메모리 칩(140)의 액티브 면에 해당될 수 있다. 메모리 칩(140)은 도전성 범프(162)들을 매개로 인터포저(120)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 메모리 칩(140)의 패드들이 도전성 범프(162)들을 통해서 인터포저(120)의 접속 포스트(122)들의 상단들에 전기적으로 접촉될 수 있다. 본 실시예에서, 메모리 칩(140)은 고대역 메모리(High Bandwidth Memory : HBM) 칩을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 메모리 칩(140)들은 로직 칩(130)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 메모리 칩(140)들은 인터포저(120)의 상부면에 배열된 도전 패턴(124)들을 통해서 로직 칩(130)에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 메모리 칩(140)들 각각은 복수개의 메모리 칩들이 수직 방향을 따라 적층된 멀티-칩 구조를 가질 수 있다. 메모리 칩(140)들의 적층 수는 4개, 8개, 12개, 16개 또는 그 이상일 수 있다. 메모리 칩(140)들의 적층에 의해서 형성된 멀티-칩 구조는 로직 칩(130)의 두께보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 따라서, 로직 칩(130)은 멀티-칩 구조의 메모리 칩(140)의 상부면보다 아래에 위치한 상부면을 가질 수 있다.
히트 싱크(150)는 로직 칩(130)의 상부면에 배치될 수 있다. 히트 싱크(150)는 로직 칩(130)의 상부면과 접촉하여, 로직 칩(130)에서 발생된 열을 방출시킬 수 있다. 히트 싱크(150)는 로직 칩(130)의 폭 및 길이와 실질적으로 동일한 폭 및 길이를 가질 수 있다. 따라서, 히트 싱크(150)의 측면들은 로직 칩(130)의 측면들과 실질적으로 동일한 수직면 상에 위치할 수 있다.
본 실시예에서, 히트 싱크(150)는 메모리 칩(140)들의 상부면들과 실질적으로 동일한 수평면 상에 위치하는 상부면을 가질 수 있다. 히트 싱크(150)의 상부면과 메모리 칩(140)들의 상부면들이 동일 수평면 상에 위치하므로, 메모리 칩(140)들의 상부에 위치할 구조물의 형성이 용이해질 수 있다. 특히, 메모리 칩(140)의 방열을 위한 메인 히트 싱크를 메모리 칩(140)들의 상부면에 배치하기가 용이해질 수 있다. 즉, 적층형 메모리 칩(140)의 두께에 따라 히트 싱크(150)의 두께가 결정될 수 있다. 다른 실시예로서, 히트 싱크(150)의 상부면은 메모리 칩(140)의 상부면보다 높거나 낮게 위치할 수도 있다.
또한, 히트 싱크(150)는 더미 칩을 포함할 수 있다. 즉, 반도체 제조 공정에서 불량으로 판정된 더미 칩을 히트 싱크(150)로 이용할 수 있다. 따라서, 히트 싱크(150)는 더미 칩의 재질인 실리콘을 포함할 수 있다.
히트 싱크(150)는 전열성 접착제(170)를 매개로 로직 칩(130)의 상부면에 부착될 수 있다. 전열성 접착제(170)는 로직 칩(130)에서 발생된 열을 히트 싱크(150)로 전달할 수 있는 특성을 가질 수 있다. 예를 들어서, 전열성 접착제(170)는 열 인터페이스 물질(Thermal Interface Material : TIM)을 포함할 수 있다.
몰딩 부재(180)는 인터포저(120)의 상부면과 메모리 칩(140)들의 하부면 사이, 메모리 칩(140)들의 내측면들 로직 칩(130) 및 히트 싱크(150)의 외측면들 사이, 및 메모리 칩(140)들의 외측면에 배치될 수 있다. 또한, 몰딩 부재(180)는 메모리 칩(140)들과 히트 싱크(150)의 상부면들과 동일 평면 상에 위치하는 상부면을 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타낸 평면도이다.
본 실시예의 반도체 패키지는 메인 히트 싱크를 더 포함한다는 점을 제외하고는 도 1에 도시된 반도체 패키지의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들을 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 4를 참조하면, 메인 히트 싱크(155)가 메모리 칩(140)들과 히트 싱크(150)의 상부면에 배치될 수 있다. 메인 히트 싱크(155)는 메모리 칩(140)들 내에서 발생된 열 및 히트 싱크(150) 내의 열을 방출시킬 수 있다. 즉, 메인 히트 싱크(155)는 메모리 칩(140)들의 열을 직접적으로 방출시킬 수 있다. 또한, 메인 히트 싱크(155)는 로직 칩(130)의 열을 히트 싱크(150)을 통해서 간접적으로 방출시킬 수 있다.
본 실시예에서, 메인 히트 싱크(155)는 편평한 하부면을 가질 수 있다. 전술한 바와 같이, 히트 싱크(150)와 메모리 칩(140)들의 상부면들이 동일 수평면 상에 위치하고 있으므로, 메인 히트 싱크(155)의 편평한 하부면과 히트 싱크(150)와 메모리 칩(140)의 상부면들 사이의 접촉 면적이 확장될 수 있다. 따라서, 히트 싱크(150)와 메모리 칩(140)으로부터 메인 히트 싱크(155)로의 열전달율이 향상될 수 있다.
메인 히트 싱크(155)는 전열성 접착제(172)를 매개로 메모리 칩(140)들과 히트 싱크(150)의 상부면들에 부착될 수 있다. 전열성 접착제(172)는 메모리 칩(140)들과 히트 싱크(150)의 열을 메인 히트 싱크(155)로 전달할 수 있다.
본 실시예에서, 메인 히트 싱크(155)는 몰딩 부재(180)의 외측면과 실질적으로 동일한 수직면 상에 위치하는 외측면을 가질 수 있다. 다른 실시예로서, 메인 히트 싱크(155)의 외측면은 몰딩 부재(180)의 외측면보다 수평 방향을 따라 돌출될 수도 있다. 또한, 메인 히트 싱크(155)는 금속을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 메인 히트 싱크(155)는 실리콘을 포함할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 패키지는 패키지 기판(110), 인터포저(120), 로직 칩(130), 복수개의 메모리 칩(140)들, 메인 히트 싱크(190) 및 몰딩 부재(180)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 패키지 기판(110), 인터포저(120), 로직 칩(130), 복수개의 메모리 칩(140)들 및 몰딩 부재(180)는 도 1에 도시된 패키지 기판(110), 인터포저(120), 로직 칩(130), 복수개의 메모리 칩(140)들 및 몰딩 부재(180) 각각과 동일한 구조를 가지므로, 패키지 기판(110), 인터포저(120), 로직 칩(130), 복수개의 메모리 칩(140)들 및 몰딩 부재(180)에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
메인 히트 싱크(190)는 메모리 칩(140)들의 상부면에 배치될 수 있다. 즉, 메인 히트 싱크(190)는 메모리 칩(140)들의 상부면과 접촉하는 편평한 하부면을 가질 수 있다.
또한, 메인 히트 싱크(190)는 열전달부(192)를 포함할 수 있다. 열전달부(192)는 메인 히트 싱크(190)의 하부면 중앙부로부터 로직 칩(130)을 향해 연장될 수 있다. 열전달부(192)는 로직 칩(130)의 상부면과 접촉할 수 있다. 즉, 본 실시예의 열전달부(192)을 일체로 갖는 메인 히트 싱크(190)는 도 4에 도시된 메인 히트 싱크(155)와 히트 싱크(150)가 일체로 된 구조일 수 있다. 열전달부(192)는 도 4의 히트 싱크(150)에 해당될 수 있다. 본 실시예의 메인 히트 싱크(190)는 금속 또는 실리콘을 포함할 수 있다.
열전달부(192)의 하부면은 전열성 접착제(170)를 매개로 로직 칩(130)의 상부면에 부착될 수 있다. 메인 히트 싱크(190)의 하부면도 전열성 접착제(172)를 매개로 메모리 칩(140)들의 상부면들에 부착될 수 있다. 따라서, 로직 칩(130)의 열은 열전달부(192) 및 메인 히트 싱크(190)를 통해서 방출될 수 있다. 메모리 칩(140)들의 열은 메인 히트 싱크(190)를 통해서 방출될 수 있다.
상기된 본 실시예들에 따르면, 로직 칩의 상부면에 히트 싱크가 접촉하게 되므로, 로직 칩 내의 열이 히트 싱크를 통해서 효율적으로 방출될 수 있다. 또한, 히트 싱크의 상부면은 메모리 칩의 상부면과 동일 평면 상에 위치하므로, 메인 히트 싱크와 메모리 칩 및 히트 싱크의 상부면들 사이의 접촉 면적이 확장될 수 있다. 결과적으로, 로직 칩과 메모리 칩 내의 열을 메인 히트 싱크를 통해서 효과적으로 방출시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 ; 패키지 기판 120 ; 인터포저
122 ; 접속 포스트 124 ; 도전 패턴
130 ; 로직 칩 140 ; 메모리 칩
150 ; 히트 싱크 160, 162 ; 도전성 범프
164 ; 외부접속단자 170, 172 ; 전열성 접착제
180 ; 몰딩 부재 155, 190 ; 메인 히트 싱크
192 열전달부

Claims (20)

  1. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판의 상부면에 배치되고, 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결된 인터포저;
    상기 인터포저의 상부면에 배치되고, 상기 인터포저에 전기적으로 연결된 로직 칩;
    상기 인터포저의 상부면에 배치되고, 상기 인터포저 및 상기 로직 칩에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 메모리 칩; 및
    상기 로직 칩의 상부면과 접촉되어, 상기 로직 칩 내의 열을 방출시키는 히트 싱크를 포함하는 반도체 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 히트 싱크는 더미 칩을 포함하는 반도체 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 더미 칩은 실리콘을 포함하는 반도체 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 히트 싱크는 상기 메모리 칩의 상부면과 동일 평면 상에 위치하는 상부면을 갖는 반도체 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 로직 칩과 상기 히트 싱크 사이에 개재되어, 상기 로직 칩의 상기 열을 상기 히트 싱크로 전달하는 전열성 접착제를 더 포함하는 반도체 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 칩과 상기 히트 싱크의 상부면들과 접촉되어, 상기 메모리 칩과 상기 히트 싱크 내의 열을 방출시키는 메인 히트 싱크를 더 포함하는 반도체 패키지.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 메인 히트 싱크와 상기 메모리 칩 및 상기 히트 싱크 사이에 개재되어, 상기 메모리 칩과 상기 히트 싱크 내의 상기 열을 상기 메인 히트 싱크로 전달하는 전열성 접착제를 더 포함하는 반도체 패키지.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 칩은 상기 로직 칩의 두께보다 두꺼운 두께를 가져서, 상기 로직 칩의 상부면보다 위에 위치하는 상부면을 갖는 반도체 패키지.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 칩은 상기 로직 칩의 주위를 둘러싸는 복수개의 메모리 칩들을 포함하는 반도체 패키지.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 메모리 칩들 각각은 상기 메모리 칩들이 적층된 멀티-칩 구조를 갖는 반도체 패키지.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 인터포저는
    절연 기판;
    상기 절연 기판에 수직 방향을 따라 내장되어, 상기 패키지 기판과 전기적으로 연결된 복수개의 접속 포스트들; 및
    상기 절연 기판의 상부면에 배치되어, 상기 메모리 칩과 상기 로직 칩을 전기적으로 연결하는 도전 패턴들을 포함하는 반도체 패키지.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 접속 포스트들의 상단들과 상기 메모리 칩 및 상기 로직 칩 사이에 개재된 도전성 범프들을 더 포함하는 반도체 패키지.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 접속 포스트들의 하단들과 상기 패키지 기판 사이에 개재된 도전성 범프들을 더 포함하는 반도체 패키지.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 인터포저와 상기 메모리 칩 사이, 상기 메모리 칩과 상기 로직 칩 및 상기 히트 싱크 사이, 및 상기 메모리 칩의 외측면에 배치된 몰딩 부재를 더 포함하는 반도체 패키지.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 패키지 기판의 하부면에 실장된 복수개의 외부접속단자들을 더 포함하는 반도체 패키지.
  16. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판의 상부면에 배치되고, 상기 패키지 기판에 전기적으로 연결된 인터포저;
    상기 인터포저의 상부면에 배치되고, 상기 인터포저에 전기적으로 연결된 로직 칩;
    상기 인터포저의 상부면에 배치되어 상기 인터포저 및 상기 로직 칩에 전기적으로 연결되고, 상기 로직 칩의 상부면보다 위에 위치하는 상부면을 갖는 적어도 하나의 메모리 칩; 및
    상기 메모리 칩의 상부면과 접촉된 하부면, 및 상기 하부면으로부터 연장되어 상기 로직 칩의 상부면과 접촉된 열전달부를 가져서, 상기 메모리 칩과 상기 로직 칩 내의 열을 방출시키는 메인 히트 싱크를 포함하는 반도체 패키지.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 메모리 칩과 상기 메인 히트 싱크의 하부면 사이, 및 상기 로직 칩과 상기 메인 히트 싱크의 열전달부 사이에 개재되어, 상기 메모리 칩과 상기 로직 칩의 상기 열을 상기 메인 히트 싱크로 전달하는 전열성 접착제를 더 포함하는 반도체 패키지.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 메모리 칩은 상기 로직 칩의 주위를 둘러싸는 복수개의 메모리 칩들을 포함하는 반도체 패키지.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 인터포저는
    절연 기판;
    상기 절연 기판에 수직 방향을 따라 내장되어, 상기 패키지 기판과 전기적으로 연결된 복수개의 접속 포스트들; 및
    상기 절연 기판의 상부면에 배치되어, 상기 메모리 칩과 상기 로직 칩을 전기적으로 연결하는 도전 패턴들을 포함하는 반도체 패키지.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 인터포저와 상기 메모리 칩 사이, 상기 메모리 칩과 상기 로직 칩 및 상기 메인 히트 싱크의 열전달부 사이, 및 상기 메모리 칩의 외측면에 배치된 몰딩 부재; 및
    상기 패키지 기판의 하부면에 실장된 복수개의 외부접속단자들을 더 포함하는 반도체 패키지.
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