KR20200034534A - Adsorption apparatus, apparatus for forming film, adsorption method, method for forming film, and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 흡착장치, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an adsorption apparatus, a film forming apparatus, an adsorption method, a film forming method, and a method for manufacturing an electronic device.
유기EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막장치의 증착원으로부터 증발한 증착재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다. In the manufacture of an organic EL display device (organic EL display), when forming an organic light emitting element (organic EL element; OLED) constituting the organic EL display device, a pixel pattern is formed of vaporized materials evaporated from a deposition source of a film forming apparatus. By depositing it on the substrate through the formed mask, an organic material layer or a metal layer is formed.
상향증착방식(Depo-up)의 성막장치에 있어서, 증착원은 성막장치의 진공용기의 하부에 설치되고, 기판은 진공용기의 상부에 배치되며, 기판의 하면에 증착이 이루어진다. 이러한 상향 증착 방식의 성막장치의 진공용기내에서, 기판은 그 하면의 주연부만이 기판홀더에 의해 보유 및 지지되기 때문에, 기판이 그 자중에 의해 처지며, 이것이 증착정밀도를 떨어뜨리는 하나의 요인이 되고 있다. 상향증착방식 이외의 방식의 성막장치에 있어서도, 기판의 자중에 의한 처짐은 발생할 가능성이 있다. In the deposition apparatus of the up-deposition method (depo-up), the deposition source is installed under the vacuum container of the deposition apparatus, the substrate is disposed on the top of the vacuum container, and deposition is performed on the lower surface of the substrate. In the vacuum container of the film deposition apparatus of the upward deposition method, the substrate is held and supported by the substrate holder only at the periphery of the lower surface, so that the substrate sags by its own weight, which is one factor that degrades the deposition accuracy. Is becoming. Even in a film forming apparatus other than the upward vapor deposition method, there is a possibility that sagging due to the self-weight of the substrate occurs.
기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로서 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상면을 그 전체에 걸쳐 정전척으로 흡착함으로써 기판의 처짐을 저감할 수 있다. As a method for reducing sagging due to the self-weight of the substrate, a technique using an electrostatic chuck has been studied. That is, the sagging of the substrate can be reduced by adsorbing the upper surface of the substrate with an electrostatic chuck over the entire surface.
특허문헌 1(한국특허공개공보 제2007-0010723호)에는, 정전척으로 기판 및 마스크를 흡착하는 기술이 제안되어 있다. In Patent Document 1 (Korean Patent Publication No. 2007-0010723), a technique for adsorbing a substrate and a mask with an electrostatic chuck has been proposed.
그러나, 종래 기술에 있어서, 정전척에 기판을 사이에 두고 마스크를 흡착시킬 경우, 흡착후의 마스크에 주름이 남아 버리는 문제가 있었다.However, in the prior art, when the mask is adsorbed with the substrate between the electrostatic chucks, there is a problem that wrinkles remain in the mask after adsorption.
본 발명은, 제1 피흡착체와 제2 피흡착체 모두를 양호하게 정전척에 흡착하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to satisfactorily adsorb both the first to-be-adsorbed body and the second to-be-adsorbed body to the electrostatic chuck.
본 발명의 제1 양태에 따른 흡착장치는, 피흡착체를 지지하기 위한 피흡착체 지지 유닛과, 상기 피흡착체 지지 유닛의 일측에 설치되어 상기 피흡착체를 흡착하기 위한 정전척과, 상기 피흡착체 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리를 조정하기 위한 거리조정수단과, 상기 정전척에의 전압 인가 및 상기 거리조정수단에 의한 상기 피흡착체 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리의 조정을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 정전척과 상기 피흡착체 지지 유닛 사이의 거리가 소정의 간격으로 이격되도록 상기 거리조정수단을 제어하고, 상기 피흡착체 지지 유닛과 상기 정전척이 상기 소정의 간격을 두고 이격된 상태에서, 상기 피흡착체 지지 유닛에 의해 지지된 피흡착체를 상기 정전척을 향하는 방향으로 흡인하기 위한 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.The adsorption device according to the first aspect of the present invention includes an adsorbent support unit for supporting an adsorbent, an electrostatic chuck installed on one side of the adsorbent support unit to adsorb the adsorbent, and the adsorbent support unit It includes a distance adjusting means for adjusting the distance between the electrostatic chuck, and a control unit for controlling the application of the voltage to the electrostatic chuck and the adjustment of the distance between the adsorbent support unit and the electrostatic chuck by the distance adjusting means, The control unit controls the distance adjusting means so that the distance between the electrostatic chuck and the object to be adsorbed is spaced at a predetermined interval, and the object to be supported and the electrostatic chuck are spaced apart from the predetermined distance. , The voltage for sucking the object to be absorbed supported by the object to be absorbed in the direction toward the electrostatic chuck is the positive It characterized in that the control to be applied to the chuck.
본 발명의 제2 양태에 따른 성막장치는, 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛과, 상기 기판 지지 유닛의 일측에 설치되어 마스크를 지지하기 위한 마스크 지지 유닛과, 상기 기판 지지 유닛을 기준으로 상기 마스크 지지 유닛과 반대측에 설치되며, 상기 기판 및 상기 기판을 사이에 두고 상기 마스크를 흡착하기 위한 정전척과, 상기 마스크 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리를 조정하기 위한 거리조정수단과, 상기 정전척에의 전압 인가 및 상기 거리조정수단에 의한 상기 마스크 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리의 조정을 제어하기 위한 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크 지지 유닛 사이의 거리가 소정의 간격이 되도록 상기 거리조정수단을 제어하고, 상기 정전척과 상기 마스크 지지 유닛이 상기 소정의 간격으로 이격된 상태에서 상기 마스크를 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 하기 위한 소정의 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 한다. A film forming apparatus according to a second aspect of the present invention includes a substrate support unit for supporting a substrate, a mask support unit provided on one side of the substrate support unit to support a mask, and the mask based on the substrate support unit It is installed on the opposite side to the support unit, the electrostatic chuck for adsorbing the mask with the substrate and the substrate therebetween, distance adjusting means for adjusting the distance between the mask support unit and the electrostatic chuck, and the electrostatic chuck. And a control unit for controlling adjustment of a distance between the mask support unit and the electrostatic chuck by voltage application and the distance adjustment means, wherein the control unit includes a distance between the electrostatic chuck and the mask support unit with the substrate interposed therebetween. The distance adjusting means is controlled to be a predetermined interval, and the electrostatic chuck and the mask support unit In spaced-apart states to a group at predetermined intervals with a predetermined voltage to the electrostatic chuck to be convex in a direction toward the mask it is characterized in that the control to be applied to the electrostatic chuck.
본 발명의 제3 양태에 따른 흡착방법은, 피흡착체와 소정의 간격을 두고 이격된 정전척에 소정의 전압을 인가하여, 상기 피흡착체를 상기 정전척을 향하는 방향으로 흡인하는 흡인단계와, 상기 피흡착체와 상기 정전척을 상대적으로 접근시켜, 상기 정전척에 상기 피흡착체를 흡착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The adsorption method according to the third aspect of the present invention comprises: a suction step of applying a predetermined voltage to the electrostatic chuck spaced apart from the adsorbent at a predetermined distance to suck the adsorbate in the direction toward the electrostatic chuck; And relatively adsorbing the object to be adsorbed and the electrostatic chuck, and adsorbing the object to the electrostatic chuck.
본 발명의 제4 양태에 따른 흡착방법은, 피흡착체를 흡착하기 위한 방법으로서, 정전척에 제1 전압을 인가하여 제1 피흡착체를 흡착하는 제1 흡착단계와, 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고, 상기 정전척과 제2 피흡착체가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 정전척에 소정의 전압을 인가하여 상기 제2 피흡착제를 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 하는 흡인단계와, 상기 제2 피흡착체와 상기 정전척을 상기 소정의 간격으로부터 상대적으로 접근시켜, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 제2 피흡착체를 흡착하는 제2 흡착단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The adsorption method according to the fourth aspect of the present invention is a method for adsorbing an adsorbent, and a first adsorption step of adsorbing the first adsorbent by applying a first voltage to the electrostatic chuck, and between the first adsorbent And a suction step of applying a predetermined voltage to the electrostatic chuck to convex the second adsorbent in the direction toward the electrostatic chuck while the electrostatic chuck and the second adsorbent are spaced apart at a predetermined interval. And a second adsorption step of relatively approaching the second to-be-absorbed body and the electrostatic chuck from the predetermined interval, and adsorbing the second to-be-adsorbed body with the first to-be-adsorbed body interposed therebetween. It is characterized by.
본 발명의 제5 양태에 따른 흡착방법은, 피흡착체를 흡착하기 위한 방법으로서, 제1 피흡착체를 정전척에 흡착하기 위한 제1 전압을 상기 정전척에 인가하는 제1 인가단계와, 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 정전척과 제2 피흡착체가 소정의 간격으로 이격되도록 상기 제2 피흡착체와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제1 이동단계와, 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 정전척과 상기 제2 피흡착체가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 제2 피흡착제가 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 되도록 소정의 전압을 인가하는 제2 인가단계와, 상기 소정의 전압이 인가된 상태에서, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체 너머로 상기 제2 피흡착체가 흡착되도록 상기 제2 피흡착체와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제2 이동단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The adsorption method according to the fifth aspect of the present invention is a method for adsorbing an object to be adsorbed, comprising: a first application step of applying a first voltage for adsorbing a first object to an electrostatic chuck to the electrostatic chuck; 1 A first moving step of relatively moving the second to-be-adsorbed body and the electrostatic chuck so that the electrostatic chuck and the second to-be-adsorbed body are spaced apart at predetermined intervals, and the first to-be-adsorbed body therebetween A second application step of applying a predetermined voltage such that the second adsorbent is convex in a direction toward the electrostatic chuck while the electrostatic chuck and the second adsorbent are spaced apart at predetermined intervals; and the predetermined A second mobile terminal that relatively moves the second to-be-adsorbed body and the electrostatic chuck so that the second to-be-adsorbed body is adsorbed over the first to-be-adsorbed body in a state in which a voltage is applied. It is characterized by including a system.
본 발명의 제6 양태에 따른 성막방법은, 기판에 마스크를 통하여 증착재료를 성막하는 성막방법으로서, 진공용기내로 마스크를 반입하는 단계와, 상기 진공용기내로 기판을 반입하는 단계와, 정전척에 제1 전압을 인가하여 상기 기판을 흡착하는 단계와, 상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 정전척에 소정의 전압을 인가하여 상기 마스크를 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 하는 단계와, 상기 마스크와 상기 정전척을 상기 소정의 간격으로부터 상대적으로 접근시켜, 상기 정전척에 상기 기판 너머로 상기 마스크를 흡착하는 단계와, 상기 정전척에 상기 기판 및 상기 마스크가 흡착된 상태에서, 증착재료를 증발시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 증착재료를 성막하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The film forming method according to the sixth aspect of the present invention is a film forming method of depositing a deposition material on a substrate through a mask, the step of bringing a mask into a vacuum container, the step of bringing a substrate into the vacuum container, and the electrostatic chuck. Adsorbing the substrate by applying a first voltage, and applying the predetermined voltage to the electrostatic chuck while the electrostatic chuck and the mask are spaced apart at a predetermined interval with the substrate interposed therebetween to apply the mask. Convex in the direction toward the electrostatic chuck, and relatively approaching the mask and the electrostatic chuck from the predetermined distance to adsorb the mask over the substrate to the electrostatic chuck, and the substrate to the electrostatic chuck. And depositing a deposition material on the substrate through the mask by evaporating the deposition material while the mask is adsorbed. Characterized in that it comprises.
본 발명의 제7 양태에 따른 성막방법은, 기판에 마스크를 통하여 증착재료를 성막하는 성막방법으로서, 진공용기내로 마스크를 반입하는 단계와, 상기 진공용기내로 기판을 반입하는 단계와, 제1 기판이 정전척에 흡착되도록 하기 위한 제1 전압을 상기 정전척에 인가하는 제1 인가단계와, 상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크가 소정의 간격으로 이격되도록 상기 마스크와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제1 이동단계와, 상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 마스크가 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 되도록 소정의 전압을 인가하는 제2 인가단계와, 상기 소정의 전압이 인가된 상태에서, 상기 정전척에 상기 기판 너머로 상기 마스크가 흡착되도록 상기 마스크와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제2 이동단계와, 상기 정전척에 상기 기판 및 상기 마스크가 흡착된 상태에서, 증착재료를 증발시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 증착재료를 성막하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A film forming method according to a seventh aspect of the present invention is a film forming method of depositing a deposition material through a mask on a substrate, the method comprising: bringing a mask into a vacuum container; bringing a substrate into the vacuum container; and a first substrate. The first application step of applying a first voltage to be adsorbed on the electrostatic chuck to the electrostatic chuck, and the mask and the electrostatic chuck are relatively positioned so that the electrostatic chuck and the mask are spaced apart at predetermined intervals through the substrate. A first moving step of moving to and, in a state in which the electrostatic chuck and the mask are spaced apart at predetermined intervals with the substrate interposed therebetween, apply a predetermined voltage so that the mask is convex in the direction toward the electrostatic chuck. A second application step, and in a state in which the predetermined voltage is applied, the mask is adsorbed onto the electrostatic chuck over the substrate. A second moving step of moving the electrostatic chuck and the electrostatic chuck relatively, and depositing a deposition material on the substrate through the mask by evaporating a deposition material while the substrate and the mask are adsorbed to the electrostatic chuck. It is characterized by including.
본 발명의 제8 양태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은, 본 발명의 제6 양태 또는 제7 양태에 따른 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다. A method for manufacturing an electronic device according to an eighth aspect of the present invention is characterized in that the electronic device is manufactured using the film forming method according to the sixth or seventh aspect of the present invention.
본 발명에 의하면, 정전척에 의해 제1 피흡착체와 제2 피흡착체 모두를 주름이 남지 않도록 양호하게 흡착할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, both the 1st to-be-adsorbed body and the 2nd to-be-adsorbed body can be favorably adsorbed by an electrostatic chuck so that a wrinkle does not remain.
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치의 모식도이다.
도 3a 내지 도3c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척 시스템의 개념도 및 모식도이다.
도 4a 내지 4f는 기판 및 마스크의 정전척에의 흡착방법을 나타내는 모식도이다.
도 5는 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다. 1 is a schematic view of a part of an apparatus for manufacturing an electronic device.
2 is a schematic view of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A to 3C are conceptual and schematic views of an electrostatic chuck system according to an embodiment of the present invention.
4A to 4F are schematic views showing a method of adsorbing a substrate and a mask to an electrostatic chuck.
5 is a schematic diagram showing an electronic device.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are merely illustrative of preferred structures of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these structures. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the apparatus, processing flow, manufacturing conditions, size, material, shape, etc. are intended to limit the scope of the present invention to this, unless otherwise specified. no.
본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 유리기판상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 이하의 설명에서 설명하는 진공증착장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막장치에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 발광 소자, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 증착재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 발광 소자를 형성하는 유기 발광소자의 제조장치는, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.The present invention can be applied to an apparatus for depositing various materials on the surface of a substrate to form a film, and can be preferably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition. As the material of the substrate, any material such as a film of glass, a polymer material, or metal can be selected. For example, the substrate may be a substrate on which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate. Moreover, arbitrary materials, such as an organic material and a metallic material (metal, metal oxide, etc.) can also be selected as a vapor deposition material. In addition to the vacuum deposition apparatus described in the following description, the present invention can be applied to a film forming apparatus including a sputtering apparatus or a chemical vapor deposition (CVD) apparatus. The technique of this invention is specifically applicable to manufacturing apparatuses, such as an organic electronic device (for example, an organic light emitting element, a thin film solar cell), and an optical member. Among them, an apparatus for manufacturing an organic light-emitting device that forms an organic light-emitting device by evaporating a deposition material and depositing it on a substrate through a mask is one of preferred applications of the present invention.
<전자 디바이스 제조 장치><Electronic device manufacturing apparatus>
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a part of an apparatus for manufacturing an electronic device.
도 1의 제조 장치는, 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면, 4.5세대의 기판(약 700 ㎜ × 약 900 ㎜)이나 6세대의 풀사이즈(약 1500 ㎜ × 약 1850 ㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500 ㎜ × 약 925 ㎜)의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다.The manufacturing apparatus of FIG. 1 is used for the manufacture of a display panel of, for example, an organic EL display device for a smartphone. In the case of a display panel for a smartphone, for example, a 4.5-generation substrate (about 700 mm × about 900 mm) or a 6-generation full size (about 1500 mm × about 1850 mm) or half-cut size (about 1500 mm × After forming a film for forming an organic EL element on a substrate of about 925 mm), the substrate is cut out to produce a plurality of small-sized panels.
전자 디바이스 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.The electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of
클러스터 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막장치(11)와, 사용전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.The
반송실(13) 내에는, 기판 및 마스크를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류측에 배치된 중계장치의 패스실(15)로부터 성막장치(11)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(S) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다. In the
성막장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증착원에 수납된 증착재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크를 통해 기판상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(S)의 주고받음, 기판(S)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(S)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치(11)에 의해 행해진다. In the film forming apparatus 11 (also called a deposition apparatus), the deposition material stored in the deposition source is heated by a heater to evaporate, and is deposited on a substrate through a mask. Transferring and receiving of the substrate S with the
마스크 스톡 장치(12)에는 성막장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막장치(11)로 반송한다.In the
클러스터 장치(1)에는 기판(S)의 흐름방향으로 상류측으로부터의 기판(S)을 해당 클러스터 장치(1)로 전달하는 패스실(15)과, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막처리가 완료된 기판(S)을 하류측의 다른 클러스터 장치로 전달하기 위한 버퍼실(16)이 연결된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류측의 패스실(15)로부터 기판(S)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1)내의 성막장치(11)중 하나(예컨대, 성막장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막처리가 완료된 기판(S)을 복수의 성막장치(11) 중 하나(예컨대, 성막장치(11b))로부터 받아서, 하류측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.In the
버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(S)을 받아 기판(S)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(S)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다. Between the
패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.The
성막장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공상태로 유지될 수도 있다.The
본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버간의 배치가 달라질 수도 있다.In this embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited thereto, and may have other types of devices or chambers, and arrangements between these devices or chambers may be different. have.
이하, 성막장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, a specific configuration of the
<성막 장치><Film forming device>
도 2는 성막장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판(S)이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정될 경우, 기판(S)의 단변방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향, 장변방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또 Z 축 주위의 회전각을 "θ"로 표시한다.2 is a schematic view showing the configuration of the
성막장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 용기(21)와, 진공 용기(21)내에 설치되는 기판 지지 유닛(22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(24)과, 증착원(25)을 포함한다.The
기판 지지 유닛(22)은 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)이 반송하여 온 기판(S)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다.The
기판 지지 유닛(22)의 아래에는 마스크 지지 유닛(23)이 설치된다. 마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)이 반송하여 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다.The
마스크(M)는, 기판(S) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 지지 유닛(23)상에 재치된다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)이라고도 부른다.The mask M has an opening pattern corresponding to a thin film pattern to be formed on the substrate S, and is placed on the
기판 지지 유닛(22)의 상방에는 기판을 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 정전척(24)이 설치된다. 정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다. 정전척(24)은, 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. 정전척(24)은, 그래디언트력 타입의 정전척인 것이 바람직하다. 정전척(24)을 그래디언트력 타입의 정전척으로 함으로써, 기판(S)이 절연성 기판인 경우라도, 정전척(24)에 의해 양호하게 흡착될 수 있다. 예컨대, 정전척(24)이 쿨롱력 타입의 정전척인 경우에는, 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전위가 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판(S)과 같은 피흡착체에 금속 전극과 반대극성의 분극전하가 유도되며, 이들간의 정전 인력에 의해 기판(S)이 정전척(24)에 흡착 고정된다. Above the
정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 복수의 서브플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전기회로를 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력이 다르도록 제어할 수도 있다. The
본 실시형태에서는 후술하는 바와 같이, 성막전에 정전척(24)으로 기판(S, 제1 피흡착체)뿐만 아니라, 마스크(M, 제2 피흡착체)도 흡착하여 보유지지한다. In the present embodiment, as described later, the film (M, the second adsorbed object) is adsorbed and held by the
즉, 본 실시예에서는, 정전척(24)의 연직방향의 하측에 놓인 기판(S, 제1 피흡착체)을 정전척(24)으로 흡착 및 보유지지하고, 그 후에, 기판(S, 제1 피흡착체)을 사이에 두고 정전척(24)의 반대측에 놓인 마스크(M, 제2 피흡착체)를, 기판(S, 제1 피흡착체) 너머로 정전척(24)으로 흡착하여 보유지지한다. 특히, 정전척(24)으로 기판(S)을 흡착할 때, 및/또는 마스크(M)를 기판(S)너머로 흡착할 때, 정전척(24)과 기판(S) 또는 마스크(M)가 소정의 간격으로 이격된 상태에서 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하여 기판(S) 또는 마스크(M)를 끌어 당기며, 정전척(24)의 정전인력에 의해 상방으로 볼록하게 된 기판(S) 또는 마스크(M)의 부분이, 정전척에 의한 기판(S) 또는 마스크(M)의 흡착의 기점이 되도록 한다. 이에 대해서는, 도 3 및 4를 참조하여 후술한다.That is, in the present embodiment, the substrate S (first adsorbed body) placed under the vertical direction of the
도 2에 도시하지 않았으나, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(S)의 온도 상승을 억제하는 냉각기구(예컨대, 냉각판)를 설치함으로써, 기판(S)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하는 구성으로 하여도 된다.Although not shown in FIG. 2, organic matter deposited on the substrate S is provided by installing a cooling mechanism (eg, a cooling plate) that suppresses the temperature rise of the substrate S on the opposite side to the adsorption surface of the
증착원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증착원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증착원(25)은 점(point) 증착원이나 선형(linear) 증착원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The
도 2에 도시하지 않았으나, 성막장치(11)는 기판에 증착된 막두께를 측정하기 위한 막두께 모니터(미도시) 및 막두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in FIG. 2, the
진공 용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 Z 액츄에이터(26), 마스크 Z 액츄에이터(27), 정전척 Z 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터(26, 27, 28, 거리조정수단)와 위치조정기구(29)는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어가이드 등으로 구성되는데, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 당업계에서 공지된 다른 구성이 채용되어도 된다. 기판 Z 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 마스크 Z 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 Z 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. A
위치조정기구(29)는, 정전척(24)의 얼라인먼트를 위한 구동수단이다. 위치조정기구(29)는, 정전척(24) 전체를 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, X방향 이동, Y방향 이동, θ회전시킨다. 본 실시형태에서는, 기판(S)을 흡착한 상태에서, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치조정함으로써, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.The
진공용기(21)의 외측상면에는, 전술한 구동기구 이외에, 진공 용기(21)의 상면에 설치된 투명창을 통해 기판(S) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(20)를 설치하여도 된다. 본 실시예에 있어서는, 얼라인먼트용 카메라(20)는, 직사각형의 기판(S), 마스크(M) 및 정전척(24)의 대각선에 대응하는 위치 또는 직사각형의 4개의 코너부에 대응하는 위치에 설치하여도 된다.On the outer upper surface of the
본 실시형태의 성막장치(11)에 설치되는 얼라인먼트용 카메라(20)는, 기판(S)과 마스크(M)의 상대적 위치를 고정밀도로 조정하는데 사용되는 파인 얼라인먼트용 카메라이며, 그 시야각은 좁지만 고해상도를 가지는 카메라이다. 성막장치(11)는 파인 얼라인먼트용 카메라(20) 이외에 상대적으로 시야각이 넓고 저해상도인 러프 얼라인먼트용 카메라를 포함하여도 된다.The
위치조정기구(29)는 얼라인먼트용 카메라(20)에 의해 취득한 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)의 위치정보에 기초하여, 기판(S, 제1 피흡착체)과 마스크(M, 제2 피흡착체)를 상대적으로 이동시켜 위치를 조정하는 얼라인먼트를 행한다.The
성막장치(11)는 제어부(40)를 구비한다. 제어부(40)는 기판(S)이나 마스크(M)의 반송 및 얼라인먼트의 제어, 증착원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. The
특히, 제어부(40)는 기판 Z 액츄에이터(26)에 의한 기판 지지 유닛(22)의 승강, 마스크 Z 액츄에이터(27)에 의한 마스크 지지 유닛(23)의 승강 및 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의한 정전척(24)의 승강을 제어한다. 이에 의하여, 제어부(40)는 정전척(24)에의 기판(S) 및 마스크(M)의 흡착 공정과 흡착된 기판(S)과 마스크(M)의 분리 공정에서 정전척(24)에 대한 기판(S) 및/또는 마스크(M)의 상대적 거리를 조정할 수 있다. In particular, the
특히, 정전척(24)에 기판(S) 또는 기판(S)을 사이에 두고 마스크(M)를 흡착시키기 위하여, 제어부(40)는 정전척(24)과 기판(S) 또는 마스크(M)가 소정의 간격으로 이격되도록 정전척(24) 및/또는 기판(S)의 승강, 또는 정전척(24) 및/또는 마스크(M)의 승강을 1차 제어한 다음, 정전척(24)에 소정의 전압을 인가하여 발생하는 정전 인력에 의하여 기판(S) 또는 마스크(M)가 정전척(24)을 향하는 방향으로 볼록하게 되도록 한다. 그 후, 기판(S) 또는 마스크(M)가 정전척(24) 또는 기판(S)에 접촉하도록 정전척(24) 및/또는 기판(S)의 승강 또는 정전척(24) 및/또는 마스크(M)의 승강을 2차적으로 제어한다. 제어부(40)의 이러한 기능은 별도의 Z 액츄에이터 제어부(도시하지 않음)에 의해 구현될 수도 있다.In particular, in order to adsorb the mask M on the
제어부(40)는 또한 정전척(24)에의 전압의 인가를 제어하는 기능을 가질 수 있는데, 이에 대해서는 도3을 참조하여, 후술한다.The
제어부(40)는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부(40)의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부가 설치되어도 되고, 하나의 제어부가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.The
<정전척 시스템><Electrostatic Chuck System>
도 3a 내지 도 3c를 참조하여 본 실시형태에 따른 정전척 시스템(30)에 대하여 설명한다. The electrostatic chuck system 30 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 3A to 3C.
도 3a는 본 실시형태의 정전척 시스템(30)의 개념적인 블록도이고, 도 3b는 정전척(24)의 모식적 단면도이며, 도 3c는 정전척(24)의 모식적 평면도이다.3A is a conceptual block diagram of the electrostatic chuck system 30 of this embodiment, FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the
본 실시형태의 정전척 시스템(30)은 도 3a에 도시된 바와 같이, 정전척(24), 전압 인가부(31) 및 전압 제어부(32)를 포함한다.The electrostatic chuck system 30 of this embodiment includes an
전압 인가부(31)는, 정전척(24)의 전극부에 정전인력을 발생시키기 위한 전압을 인가한다.The
전압 제어부(32)는, 정전척 시스템(30)의 흡착공정 또는 성막장치(11)의 성막 공정의 진행에 따라 전압 인가부(31)로부터 전극부에 가해지는 전압의 크기, 전압의 인가 개시 시점, 전압의 유지 시간, 전압의 인가 순서 등을 제어한다. 전압 제어부(32)는 예컨대, 정전척(24)의 전극부에 포함되는 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압 인가를 서브 전극부별로 독립적으로 제어할 수 있다. 본 실시형태에서는, 전압 제어부(32)가 성막장치(11)의 제어부(40)와 별도로 구현되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 성막장치(11)의 제어부(40)에 통합되어도 된다.The
정전척(24)은 흡착면에 피흡착체(예컨대, 기판(S), 마스크(M))를 흡착하기 위한 정전흡착력을 발생시키는 전극부를 포함하며, 전극부는 복수의 서브전극부(241 ~ 249)를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 실시형태의 정전척(24)은, 도 3c에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 장변과 평행한 방향(Y방향) 및/또는 정전척(24)의 단변과 평행한 방향(X방향)을 따라 분할된 복수의 서브 전극부(241 내지 249)를 포함한다. The
각 서브 전극부는 정전흡착력을 발생시키기 위해 플러스(제1 극성) 및 마이너스(제2 극성)의 전위가 인가되는 전극쌍(33)을 포함한다. 예컨대, 각각의 전극쌍(33)은 플러스 전위가 인가되는 제1 전극(331)과 마이너스 전위가 인가되는 제2 전극(332)를 포함한다. Each sub-electrode portion includes an electrode pair 33 to which potentials of positive (first polarity) and negative (second polarity) are applied to generate electrostatic adsorption force. For example, each electrode pair 33 includes a first electrode 331 to which a positive potential is applied and a
제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은, 도 3c에 도시한 바와 같이, 각각 빗형상을 가진다. 예컨대, 제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은 각각 복수의 빗살부 및 복수의 빗살부가 연결되는 기부(基部)를 가진다. 각 전극(331, 332)의 기부는 복수의 빗살부에 전위를 공급하며, 복수의 빗살부는 피흡착체와의 사이에서 정전흡착력을 발생시킨다. 하나의 서브 전극부내에서 제1 전극(331)의 빗살부 각각은 제2 전극(332)의 빗살부 각각과 대향하도록 교대로 배치된다. 이처럼, 각 전극(331, 332)의 각 빗살부가 대향하고 또한 서로 얽힌 구성으로 함으로써, 다른 전위가 인가된 전극간의 간격을 좁힐 수 있고, 커다란 불평등 전계를 형성하여, 그래디언트력에 의해 기판(S)을 흡착할 수 있다. The first electrode 331 and the
본 실시예에서는, 정전척(24)의 서브 전극부(241 ~ 249)의 각 전극(331, 332)이 빗형상을 가지는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 피흡착체와의 사이에서 정전인력을 발생시킬 수 있는 한, 다양한 형상을 가질 수 있다. In the present embodiment, the
본 실시형태의 정전척(24)은 복수의 서브 전극부에 대응하는 복수의 흡착부를 가진다. 예컨대, 본 실시예의 정전척(24)은, 도 3c에 도시된 바와 같이, 9개의 서브 전극부(241 ~ 249)에 대응하는 9개의 흡착부를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(S)의 흡착을 보다 정밀하게 제어하기 위해, 이와 다른 개수의 흡착부를 가질 수도 있다. The
흡착부는 정전척(24)의 장변 방향(Y축 방향) 및 단변 방향(X축 방향)으로 분할되도록 설치될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 장변 방향 또는 단변 방향으로만 분할될 수도 있다. 복수의 흡착부는, 물리적으로 하나인 플레이트가 복수의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있고, 물리적으로 분할된 복수의 플레이트 각각이 하나 또는 그 이상의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있다.The adsorption unit may be installed to be divided into a long side direction (Y-axis direction) and a short side direction (X-axis direction) of the
도 3c에 도시한 실시예에 있어서, 복수의 흡착부 각각이 복수의 서브 전극부 각각에 대응하도록 구현할 수 있으나, 하나의 흡착부가 복수의 서브 전극부를 포함하도록 구현할 수도 있다. In the embodiment illustrated in FIG. 3C, each of the plurality of adsorption parts may be implemented to correspond to each of the plurality of sub-electrode parts, but one adsorption part may also be implemented to include a plurality of sub-electrode parts.
예컨대, 전압 제어부(32)에 의한 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압의 인가를 제어함으로써, 후술하는 바와 같이, 기판(S)의 흡착진행 방향(X 방향)과 교차하는 방향(Y방향)으로 배치된 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부를 이루도록 할 수 있다. 즉, 3개의 서브 전극부(241, 244, 247) 각각은 독립적으로 전압 제어가 가능하지만, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)에 동시에 전압이 인가되도록 제어함으로써, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부로서 기능하게 할 수 있다. 복수의 흡착부 각각에 독립적으로 기판 흡착이 이루어질 수 있는 한, 그 구체적인 물리적 구조 및 전기회로적 구조는 다를 수 있다.For example, by controlling the application of voltage to the
<정전척 시스템에 의한 흡착방법><Adsorption method by electrostatic chuck system>
이하 도 4a 내지 도 4e를 참조하여, 정전척(24)에 기판(S) 및 마스크(M)를 흡착하는 방법에 대하여 설명한다. 이하에서는 전압 제어부(32)의 기능이 성막장치(11)의 제어부(40)의 기능과는 별개인 것을 전제로 설명하지만, 이것은 예시적인 것으로서, 후술하는 전압 제어부(32)의 기능은 성막장치(11)의 제어부(40)에 통합되어도 된다.Hereinafter, a method of adsorbing the substrate S and the mask M to the
도 4a는 정전척(24)에 기판(S)을 흡착시키는 공정(제1 흡착 단계)을 도시한다.4A shows a process for adsorbing the substrate S to the electrostatic chuck 24 (first adsorption step).
본 실시형태에서는, 도 4a에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 하면에 기판(S)의 전면이 동시에 흡착되는 것이 아니라 정전척(24)의 제1 변(단변)을 따라 일단으로부터 타단을 향해 순차적으로 흡착이 진행된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 예컨대, 정전척(24)의 대각선상의 어느 하나의 모서리로부터 이와 대향하는 다른 모서리를 향하여 기판의 흡착이 진행될 수도 있다.In this embodiment, as shown in Fig. 4A, the front surface of the substrate S is not simultaneously adsorbed to the lower surface of the
정전척(24)의 제1 변을 따라 기판(S)이 순차적으로 흡착되도록 하기 위해, 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에 기판 흡착을 위한 제1 전압을 인가하는 순서를 제어할 수도 있고, 복수의 서브 전극부에 동시에 제1 전압을 인가하되, 기판(S)을 지지하는 기판 지지 유닛(22)의 지지부의 구조나 지지력을 달리할 수도 있다. In order to sequentially adsorb the substrate S along the first side of the
도 4a는 정전척(24)의 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에 인가되는 전압의 제어를 통해, 기판(S)을 정전척(24)에 순차적으로 흡착시키는 실시형태를 도시한다. 여기에서는, 정전척(24)의 장변 방향(Y방향)을 따라 배치되는 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 제1 흡착부(41)를 이루고, 정전척(24)의 중앙부의 3개의 서브 전극부(242, 245, 248)가 제2 흡착부(42)를 이루며, 나머지 3개의 서브 전극부(243, 246, 249)가 제3 흡착부(43)를 이룬다.4A shows an embodiment in which the substrate S is sequentially adsorbed to the
우선, 도 4a에 도시한 바와 같이, 성막장치(11)의 진공용기(21)내에 기판(S)이 반입되어, 기판지지 유닛(22)의 지지부에 지지된다.First, as shown in FIG. 4A, the substrate S is carried into the
이어서, 제어부(40)에 의한 정전척 Z 액츄에이터(28)의 제어를 통해 정전척(24)이 하강하여, 기판지지유닛(22)의 지지부에 의해 지지된 기판(S)을 향해 이동한다. 이와 달리, 제어부(40)에 의한 기판 Z 액츄에이터(26) 제어를 통해 기판 지지 유닛(22)을 상승시켜도 되며, 또는 정전척 Z 액츄에이터(28)와 기판 Z 액츄에이터(26)의 함께 제어하여 정전척(24)과 기판(S)이 상대적으로 접근하게 할 수도 있다.Subsequently, the
정전척(24)이 기판(S)에 충분히 근접하거나 접촉하면, 전압 제어부(32)는, 정전척(24)의 제1 변(단변)을 따라 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 제1 전압(ΔV1)이 인가되도록 제어한다. When the
즉, 도 4a에 도시한 바와 같이, 제1 흡착부(41)에 먼저 제1 전압이 인가되고, 이어서, 제2 흡착부(42)에 제1 전압이 인가되며, 마지막으로 제3 흡착부(43)에 제1 전압이 인가되도록 제어한다. That is, as illustrated in FIG. 4A, the first voltage is first applied to the first adsorption unit 41, then the first voltage is applied to the
제1 전압(ΔV1)은 기판(S)을 정전척(24)에 확실히 흡착시키기 위해 충분한 크기의 전압으로 설정된다.The first voltage ΔV1 is set to a voltage large enough to reliably adsorb the substrate S to the
이에 의해, 기판(S)의 정전척(24)에의 흡착은, 기판(S)의 제1 흡착부(41)에 대응하는 측으로부터 기판(S)의 중앙부를 지나 제3 흡착부(43)측를 향해 진행하여 가며(즉, X 방향으로 기판(S)의 흡착이 진행하여 가며), 기판(S)은 기판 중앙부에 주름이 남기지 않고 평탄하게 정전척(24)에 흡착될 수 있다. Thereby, the adsorption of the substrate S to the
본 실시형태에서는 정전척(24)이 기판(S)에 충분히 근접 내지 접촉한 상태에서 제1 전압(ΔV1)을 인가하는 것으로 설명하였으나, 정전척(24)이 기판(S)을 향해 하강을 개시하기 전에, 또는 하강하는 도중에 제1 전압(ΔV1)을 인가하여도 된다.In the present embodiment, the
도 4b는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 기판의 흡착공정을 도시한다. 도 4b에 도시한 본 발명의 다른 실시형태에서는, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시키기 위한 제1 전압(ΔV1)을 인가하기 전에, 기판(S)이 정전척(24)으로부터 소정의 간격(d)만큼 이격되도록, 기판 Z 액츄에이터(26) 및/또는 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의해(거리조정수단에 의해), 정전척(24)과 기판(S)을 상대적으로 이동시킨다. 4B shows a substrate adsorption process according to another embodiment of the present invention. In another embodiment of the present invention shown in FIG. 4B, before applying the first voltage ΔV1 for adsorbing the substrate S to the
여기서, '정전척(24)과 기판(S) 사이의 거리'는, 도 4b에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 하면인 흡착면과 기판 지지 유닛(22)의 상면 사이의 거리로 정의된다. 이에 의하면, 기판 지지 유닛(22)에 의하여 지지되고 있는 기판(S)의 형상에 상관없이 정전척(24)과 기판(S) 사이의 거리를 정의할 수 있다. Here, the 'distance between the
본 실시 형태에 의하면, '소정의 간격(d)'은, 정전척(24)에 인가되는 전압에 따라 발생하는 정전인력에 의하여, 정전척(24)과 소정의 간격(d)으로 이격되어 있는 기판(S)이 정전척(24)을 향하는 방향으로 볼록 형상으로 변형될 수 있는 정도의 거리이다. According to the present embodiment, the 'predetermined interval d' is spaced apart from the
또한, 소정의 간격(d)은, 정전척(24)의 전극부에 제1 전압(ΔV1)이 인가되어, 기판(S)이 정전척(24)을 향한 방향으로 볼록한 형상으로 되었을 때, 기판(S)이 정전척(24)에는 접촉하지 않는 거리이다. 소정의 간격(d)이 너무 작으면, 제1 전압(ΔV1)이 인가되어 기판(S)이 정전척(24)을 향해 볼록한 형상이 되도록 변형이 일어날 때, 기판(S)의 중앙부가 아닌 중앙부와 주연부 사이의 부분이 중앙부보다 먼저 정전척(24)에 접촉되어 버린다.In addition, the predetermined interval d is when the first voltage ΔV1 is applied to the electrode portion of the
예를 들어, '소정의 간격(d)'은 기판 지지 유닛(22)에 의하여 지지되고 있는 기판(S)이 자중에 의하여 휘어 있는 크기를 나타내는 기판(S)의 휨양(x) 이상인 것이 바람직하다. 여기서 기판(S)의 휨양(x)은, 기판(S)이 자중에 의하여 처져서 오목상이 될 경우에, 기판(S)의 수평면으로부터의 최대 거리(x)를 가리킨다. For example, it is preferable that the 'predetermined distance d' is equal to or greater than the amount of bending (x) of the substrate S indicating the size of the substrate S supported by the
다만, 정전척(24)과 기판(S) 사이의 거리가 너무 크면, 기판(S)이 정전척(24)을 향하여 볼록형상이 되도록 하기 위해 상대적으로 큰 전압을 인가해야 하는 문제가 있다. 이를 고려하면, '소정의 간격(d)'은 기판의 휨양(x)과 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. However, if the distance between the
기판(S)과 정전척(24)간의 거리 또는 기판 지지 유닛(22)과 정전척(24)간의 거리가 소정의 간격(d)으로 유지된 상태에서, 정전척(24)의 전극부에 제1 전압(ΔV1)을 인가한다. 그러면, 기판(S)은 정전척(24)으로부터의 정전인력에 의해 정전척(24)을 향한 방향으로 볼록한 형상이 된다. When the distance between the substrate S and the
이어서, 정전척(24)과 기판(S)을 상대적으로 접근시키면, 기판(S)의 중앙부가 먼저 정전척(24)에 접촉하여 흡착된다. 정전척(24)과 기판(S)을 더 접근시키면, 기판(S)의 중앙부로부터 주연부를 향해 기판(S)이 순차적으로 흡착된다. 이에 의해, 기판(S)을 정전척(24)에 편평하게 흡착시킬 수 있다.Subsequently, when the
도 4b에 도시한 실시예에서는, 정전척(24)과 기판(S)이 소정의 간격(d)으로 이격된 상태에서, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시키기 위한 전압인 제1 전압을 인가하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 기판(S)이 볼록한 형상으로 될 수 있는 한, 제1 전압보다 낮은 소정의 전압을 인가하여도 된다. 이 경우, 소정의 전압에 의해 기판(S)이 볼록한 형상으로 된 후에, 정전척(24)과 기판(S)을 상대적으로 접근시키는 과정 동안 또는 기판(S)의 중앙부가 정전척(24)에 접촉된 상태에서 정전척(24)에 인가되는 전압을 소정의 전압로부터 제1 전압(ΔV1)으로 변경하여도 된다.In the embodiment shown in FIG. 4B, in the state in which the
또한, 도 4b에 도시된 실시예에서는, 기판(S)을 볼록 형상으로 하기 위해 인가하는 제1 전압(ΔV1) 또는 소정의 전압이 정전척(24)의 전극부 전체에 동시에 인가되는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)에 인가되는 제1 전압(ΔV1) 또는 소정의 전압에 의해 기판(S)이 볼록한 형상으로 될 수 있는 한, 정전척(24)의 서브전극부별로, 또는 흡착부별로 순차적으로 전압을 인가하여도 된다. 예컨대, 정전척(24)의 제2 흡착부에 먼저 전압이 인가되고나서, 제1 및 제3 흡착부에 전압이 인가되도록 제어하여도 된다.In addition, in the embodiment shown in FIG. 4B, the first voltage (ΔV1) or a predetermined voltage applied to make the substrate S convex is shown to be simultaneously applied to the entire electrode portion of the
도 4a에 도시한 실시예 또는 도 4b에 도시한 실시예에 따라, 기판(S)의 정전척(24)에의 흡착공정(제1 흡착 단계)이 완료된 후에 소정의 시점에서, 전압 제어부(32)는, 도 4c에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제1 전압(ΔV1)으로부터 제1 전압(ΔV1)보다 크기가 작은 제2 전압(ΔV2)으로 낮춘다. According to the embodiment shown in FIG. 4A or the embodiment shown in FIG. 4B, at a predetermined time after the adsorption process (first adsorption step) of the substrate S to the
제2 전압(ΔV2)은 기판(S)을 정전척(24)에 흡착된 상태로 유지하기 위한 흡착유지 전압으로서, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시킬 때에 인가한 제1 전압(ΔV1)보다 작은 크기의 전압이다. 정전척(24)에 인가되는 전압이 제2 전압(ΔV2)으로 낮아지면, 이에 대응하여 기판(S)에 유도되는 분극전하량도, 도 4c에 도시한 바와 같이, 제1 전압(ΔV1)이 가해진 경우에 비해 감소하나, 기판(S)이 일단 제1 전압(ΔV1)에 의해 정전척(24)에 흡착된 이후에는 제1 전압(ΔV1)보다 낮은 제2 전압(ΔV2)을 인가하더라도 기판의 흡착상태를 유지할 수 있다. The second voltage (ΔV2) is an adsorption holding voltage for maintaining the substrate S adsorbed on the
이처럼, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮춤으로써 기판을 정전척(24)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 단축할 수 있다.As described above, by lowering the voltage applied to the electrode portion of the
즉, 정전척(24)으로부터 기판(S)을 분리하고자 할 때, 정전척(24)의 전극부에 가해지는 전압을 제로(0)로 하여도, 바로 정전척(24)과 기판(S) 사이의 정전인력이 없어지는 것이 아니라 정전척(24)과 기판(S)의 계면에 유도된 전하가 없어지는데 상당한 시간(때에 따라서는 수 분 정도)이 걸린다. 특히, 정전척(24)에 기판(S)을 흡착시킬 때는 통상 그 흡착을 확실히 하기 위해 정전척(24)에 기판을 흡착시키는데 필요한 최소 정전인력보다 충분히 큰 정전인력이 작용하도록 제1 전압을 설정하는데, 이러한 제1 전압으로부터 기판의 분리가 가능한 상태가 되는데 까지는 상당한 시간이 걸린다. That is, when the substrate S is to be separated from the
본 실시예에서는 이러한 정전척(24)으로부터의 기판(S)의 분리에 걸리는 시간으로 인해 전체적인 공정시간(Tact)가 늘어나는 것을 방지하기 위해, 기판(S)이 정전척(24)에 흡착된 이후에, 소정의 시점에서 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압을 제2 전압으로 낮춘다. In this embodiment, after the substrate S is adsorbed to the
도 4c에 도시한 실시예에서는, 정전척(24)의 제1 흡착부(41) 내지 제3 흡착부(43)에 인가되는 전압을 동시에 제2 전압으로 낮추는 것으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 흡착부별로 제2 전압으로 낮추는 시점이나 인가되는 제2 전압의 크기를 달리하여도 된다. 예컨대, 제1 흡착부(41)로부터 제3 흡착부(43)를 향해 순차적으로 제2 전압으로 낮추어도 된다.In the embodiment shown in Fig. 4c, the voltage applied to the first adsorption section 41 to the
이렇게, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압이 제2 전압으로 낮아진 후에, 제어부(40)에 의한 위치조정기구(29)의 제어를 통해, 정전척(24)에 흡착된 기판(S)과 마스크 지지 유닛(23)에 의해 지지된 마스크(M)의 상대적 위치를 조정(얼라인먼트)한다. 본 실시예에서는, 정전척(24)의 전극부에 인가되는 전압이 제2 전압으로 낮아진 후에 기판(S)과 마스크(M) 간의 상대적 위치 조정(얼라인먼트)를 행하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 전극부에 제1 전압이 인가되고 있는 상태에서 얼라인먼트 공정을 행하여도 된다.Thus, after the voltage applied to the electrode portion of the
이어서, 정전척(24)의 전극부에 제2 전압이 계속 인가되고 있는 상태에서, 제어부(40)에 의한 정전척 Z 액츄에이터(28) 및/또는 마스크 Z 액츄에이터(27)의 제어를 통해 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 이동시켜서 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리가 소정의 간격(d)을 갖도록 한다. 즉, 본 발명에 의하면, 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착하는 공정에서, 마스크(M)가 기판(S)의 하면에 바로 접촉되도록 하는 것이 아니라 우선 정전척(24)과 마스크(M)가 소정의 간격(d)을 갖고 이격된 상태가 되도록 한다.Subsequently, while the second voltage is continuously applied to the electrode portion of the
여기서, '정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리'는, 도 4d에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 하면인 흡착면과 마스크 지지 유닛(M)의 상면 사이의 거리로 정의된다. 이에 의하면, 마스크 지지 유닛(23)에 의하여 지지되고 있는 마스크(M)의 형상에 상관없이 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리를 정의할 수 있다. 또한, 마스크(M)는 두께가 상대적으로 얇아서, 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리에서 마스크(M) 자체의 두께는 무시될 수 있다.Here, the 'distance between the
본 발명의 실시 형태에 의하면, 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리에 해당하는 '소정의 간격(d)'은, 소정의 전압의 인가에 따라서 정전척(24)에 발생하는 정전인력에 의하여, 정전척(24)과 소정의 간격(d)으로 이격되어 있는 마스크(M)가 정전척(24)을 향하는 방향으로 볼록 형상으로 변형될 수 있는 정도의 거리이다. 소정의 전압은 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착하기 위하여 인가하는 전압인 제3 전압이어도 되지만, 후술하는 바와 같이 여기에만 한정되는 것은 아니다.According to the embodiment of the present invention, the 'predetermined distance d' corresponding to the distance between the
또한, 소정의 간격(d)은, 상기 소정의 전압이 인가되어 마스크(M)가 정전척(24)을 향해 볼록한 형상으로 되었을 때, 마스크(M)의 볼록한 부분이 정전척(24)에 흡착된 기판(S)에는 접촉하지 않는 거리이다. 소정의 간격(d)이 너무 작으면, 상기 소정의 전압이 인가되어 마스크(M)가 정전척(24)을 향해 볼록한 형상이 되도록 변형이 일어날 때, 마스크(M)의 다른 부분(예컨대, 중앙부가 아닌 중앙부와 주연부 사이의 부분)이 중앙부보다 기판(S)에 먼저 접촉되어 버린다.Further, at a predetermined interval d, when the predetermined voltage is applied and the mask M becomes convex toward the
예를 들어, '소정의 간격(d)'은 마스크 지지 유닛(23)에 의하여 지지되고 있는 마스크(M)가 자중에 의하여 휘어 있는 크기를 나타내는 마스크의 휨양(x)과 기판(S)의 두께를 합한 거리 이상인 것이 바람직하다. 기판(S)의 두께는 약 0.5mm 이상이나 보다 더 얇아질 수 있다. 그리고 마스크의 휨양(x)은, 마스크가 자중에 의하여 처져서 오목상이 될 경우에, 마스크(M)의 수평면으로부터의 최대 거리(x)를 가리킨다. For example, the 'predetermined distance (d)' is the amount of warpage (x) of the mask and the thickness of the substrate (S) indicating the size of the mask M supported by the
다만, 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리가 너무 크면, 마스크(M)가 정전척(24)을 향하여 볼록형상이 되게 하기 위해서는 상대적으로 큰 전압을 인가해야 하는 문제가 있다. 이를 고려하면, '소정의 간격(d)'은 마스크의 휨양(x)과 기판(S)의 두께를 합한 거리와 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. However, if the distance between the
정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 1차 접근시키기 위하여, 예를 들어 도 4d에 도시한 바에 따라, 제어부(40)에 의한 정전척 Z 엑츄에이터(28)의 제어를 통해 정전척(24)을 마스크(M)쪽으로 하강시켜도 되고, 제어부(40)에 의한 마스크 지지 유닛(M)의 제어를 통해 마스크(M)가 정전척(24)에 흡착되어 있는 기판(S)쪽으로 상승하여도 되며, 제어부(40)가 정전척 Z 액츄에이터(28)와 마스크 Z 액츄에이터(27)를 함께 제어함으로써, 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 접근시켜도 좋다.In order to relatively first approach the
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리를 소정의 간격(d)으로 유지한 상태에서, 전압 제어부(32)는 정전척(24)의 전극부에 소정의 전압이 인가되도록 제어한다. 소정의 전압이 정전척(24)에 인가됨으로써 정전척(24)과 소정의 간격(d)으로 이격되어 있는 마스크(M)에 가해지는 정전인력에 의하여, 마스크(M)가 상방으로 끌어당겨진다(흡인단계). Subsequently, as shown in FIG. 4E, in a state in which the distance between the
그 결과, 마스크(M)의 중앙부가 상방으로 돌출되어 볼록한 형상이 되는데, 이에 의해, 이후 행해지는 마스크(M)의 정전척(24)에의 흡착의 기점이 형성된다.As a result, the central portion of the mask M protrudes upward to form a convex shape, whereby the starting point of adsorption of the mask M to the
소정의 전압은 제2 전압(ΔV2)보다 큰 크기로서, 기판(S)을 사이에 두고 마스크(M)가 정전유도에 의해 대전될 수 있는 정도의 크기인 것이 바람직하다. 이에 의해, 정전척(24)과 소정의 간격(d)으로 이격되어 있는 마스크(M)는 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)을 향하는 방향으로 볼록하게 된다. 이 경우에, '소정의 간격(d)'은 정전척(24)에 인가된 흡착유지 전압(제2 전압, ΔV2)에 의한 정전인력이 마스크(M)에 작용하지 않는 한계 거리보다는 크도록 할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The predetermined voltage is larger than the second voltage ΔV2, and it is preferable that the mask M is charged with the electrostatic induction through the substrate S therebetween. Thereby, the mask M spaced apart from the
일례로, 소정의 전압은 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착하기 위한 크기의 전압, 즉 제3 전압(ΔV3)일 수 있다. 이 경우, 후속 공정에서 소정의 전압으로부터 제3 전압(ΔV3)으로 변경하는 과정이 필요가 없으므로, 전압의 제어가 간단하게 된다.In one example, the predetermined voltage may be a voltage of a size for adsorbing the
다만 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 소정의 전압은 제2 전압(ΔV2)과 동일한 크기를 가질 수도 있다. 소정의 전압이 제2 전압(ΔV2)과 동일한 크기를 가지더라도, 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리가 정전척(24)에 인가된 제2 전압(ΔV2)에 의한 정전인력이 마스크(M)에 작용하지 않는 한계 거리보다 작으면, 정전척(24)으로부터의 정전인력에 의하여 마스크(M)가 흡인되어 정전척(24)을 향하는 방향으로 볼록한 형상이 될 수 있다. However, the present invention is not limited to this, and the predetermined voltage may have the same magnitude as the second voltage (ΔV2). Even if the predetermined voltage has the same magnitude as the second voltage ΔV2, the distance between the
소정의 전압은 제1 전압(ΔV1)보다 작게 하여도 되고, 공정시간(Tact)의 단축을 고려하여 제1 전압(ΔV1)과 동등한 정도의 크기로 하여도 된다.The predetermined voltage may be smaller than the first voltage ΔV1, or may be set to a size equal to the first voltage ΔV1 in consideration of shortening of the process time Tact.
흡인단계에서, 전압 제어부(32)는 소정의 전압이 정전척(24) 전체에 걸쳐서 동시에 인가되도록 제어할 수 있다. 마스크(M)는 적어도 양측(예컨대, 장변측) 단부를 외측으로 팽팽하게 인장한 상태로 클램핑되어 마스크 지지 유닛(23)에 의하여 지지되고 있기 때문에, 정전척(24) 전체에 동시에 인가되는 소정의 전압에 의해 발생하는 정전인력이 마스크(M) 전체에 가해져도, 장력이 크게 작용하고 있는 주연부보다는 상대적으로 장력이 작게 작용하고 있는 중앙부가 정전척(24) 방향으로 돌출된다. 다만, 전압 제어부(32)는 소정의 전압이 정전척(24)의 일부, 예컨대 주연부가 아닌 중앙부에만 인가되도록 하고 나머지 부분은 제2 전압을 그대로 유지하도록 하거나 또는 중앙부에 먼저 인가되도록 한 다음 나머지 부분에는 순차적으로 인가되도록 제어할 수도 있다.In the suction step, the
이어서, 도 4f에 도시된 바에 따라, 마스크(M)가 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 중앙부부터 주연부를 향해 순차적으로 흡착되도록 한다(제2 흡착 단계). 이를 위하여, 상기 소정의 전압, 예컨대 제3 전압을 인가한 상태에서, 제어부(40)에 의한 정전척 Z 액츄에이터(28) 및/또는 마스크 Z 액츄에이터(27)의 구동 제어를 통해 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 2차 접근시켜서 마스크(M)가 기판(S)의 하면에 접촉되도록 한다. Subsequently, as shown in FIG. 4F, the mask M is sequentially adsorbed on the
제2 흡착 단계에서 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 소정의 간격(d)으로부터 상대적으로 접근시키면, 전술한 흡인 단계에서 돌출된 마스크(M)의 중앙부가 먼저 기판(S)의 하면에 접촉되어 정전척(24)에 흡착되기 시작한다. 그리고 마스크(M)의 중앙부로부터 적어도 양쪽 방향으로 주연부를 향해 순차적으로 흡착이 진행된다. 그 결과, 적어도 마스크(M)의 중앙부에는 주름을 남기지 않고 마스크(M)가 기판(S)을 사이에 두고 흡착되도록 할 수 있다.When the
소정의 전압이, 정전척(M)에 기판(S)을 사이에 두고 마스크(M)를 흡착하기 위한 제3 전압과 상이한 경우에는, 전압 제어부(32)는 제2 흡착 단계에서 정전척(24)에 제3 전압이 인가되도록 제어한다. 예를 들어, 전압 제어부(32)는, 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 접근시키면서 정전척(24)에 인가되는 전압을 상기 소정의 전압으로부터 제3 전압으로 변경하여도 되며, 또는 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 접근시킨 후에 정전척(24)에 인가되는 전압을 상기 소정의 전압으로부터 제3 전압으로 변경하여도 된다.When the predetermined voltage is different from the third voltage for adsorbing the mask M with the substrate S interposed between the electrostatic chucks M, the
정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)을 상대적으로 2차 접근시키기 위하여, 제어부(40)에 의한 정전척 Z 엑츄에이터(28)의 제어를 통해 정전척(24)이 마스크(M)쪽으로 하강하도록 할 수 있다. 또는, 제어부(40)에 의한 마스크 지지 유닛(M)의 제어를 통해 마스크(M)가 정전척(24)에 흡착되어 있는 기판(S)쪽으로 상승하여도 좋고 또는 제어부(40)가 정전척 Z 액츄에이터(28)와 마스크 Z 액츄에이터(27)를 함께 제어하여, 정전척(24)과 마스크 지지 유닛(23)이 상대적으로 접근하도록 하여도 좋다.The
상술한 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 마스크(M)를 기판(S) 을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착시키는 마스크 흡착공정에서, 정전척(24)과 마스크(M)가 소정의 간격(d)을 갖고 이격된 상태에서 정전척(24)에 마스크의 흡착을 위한 소정의 전압을 인가함으로써 발생하는 정전인력에 의해 마스크(M)가 정전척(24)을 향하는 방향으로 돌출되도록 하여, 마스크 흡착의 기점을 형성한다. 그리고, 마스크(M)가 정전척(24)에 접촉되도록 마스크(M)와 정전척(24)을 상대적으로 접근시킴으로써, 형성된 흡착 기점으로부터 마스크가 순차적으로 흡착된다. 이에 의해, 주름이 남지 않게 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착할 수 있다. According to one embodiment of the present invention described above, in the mask adsorption process of adsorbing the mask M on the
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)에 기판(S)을 사이에 두고, 마스크(M)를 흡착시킴에 있어서, 도 4a에 도시한 방법과 마찬가지로, 마스크(M)의 일변측으로부터 타변측을 향해 흡착을 진행하여도 된다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시킬 때는 도 4b에 도시한 방법에 의해서 흡착시키고, 마스크(M)를 기판(S)을 사이에 두고 정전척(24)에 흡착시킬 때는 도 4a에 도시한 방법과 마찬가지로, 마스크 흡착을 행할 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and in adsorbing the mask M with the substrate S interposed between the
<성막프로세스><Deposition process>
이하 본 실시형태에 따른 흡착방법을 채용한 성막방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a film forming method employing the adsorption method according to the present embodiment will be described.
진공 용기(21)내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 재치된 상태에서, 반송실(13)의 반송로봇(14)에 의해 성막장치(11)의 진공 용기(21)내로 기판이 반입된다. In the state where the mask M is placed on the
진공 용기(21)내로 진입한 반송로봇(14)의 핸드가 기판(S)을 기판 지지 유닛(22)의 지지부상에 재치한다. The hand of the
이어서, 정전척(24)이 기판(S)을 향해 하강하여 기판(S)에 충분히 근접하거나 접촉한 후에, 정전척(24)에 제1 전압(ΔV1)을 인가하여 기판(S)을 흡착시킨다. Subsequently, after the
본 발명의 일 실시형태에 있어서는, 기판을 정전척(24)으로부터 분리하는데 필요한 시간을 최대한으로 확보하기 위해 기판의 정전척(24)에의 흡착이 완료된 후에 정전척(24)에 가해지는 전압을 제1 전압(ΔV1)으로부터 제2 전압(ΔV2)으로 낮춘다. 정전척(24)에 가해지는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮추어도 제1 전압(ΔV1)에 의해 기판에 유도된 분극전하가 방전될 때까지 시간이 걸리기 때문에, 이후의 공정에서 정전척(24)에 의한 기판에 대한 흡착상태를 유지할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the voltage applied to the
정전척(24)에 기판(S)이 흡착된 상태에서, 기판(S)의 마스크(M)에 대한 상대적인 위치어긋남을 계측하기 위해, 기판(S)을 마스크(M)를 향해 하강시킨다. 본 발명의 다른 실시형태에 있어서는, 정전척(24)에 흡착된 기판의 하강 과정에서 기판이 정전척(24)으로부터 탈락하는 것을 확실히 방지하기 위해, 기판의 하강 과정이 완료된 후 (즉, 후술하는 얼라인먼트 공정이 개시되기 직전)에, 정전척(24)에 가하는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮추어도 된다. In the state where the substrate S is adsorbed to the
기판(S)이 계측위치까지 하강하면, 얼라인먼트용 카메라(20)로 기판(S)과 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하여 기판과 마스크의 상대적인 위치 어긋남을 계측한다. 본 발명의 다른 실시형태에서는, 기판과 마스크의 상대적 위치의 계측 공정의 정밀도를 보다 높이기 위해, 얼라인먼트를 위한 계측 공정이 완료된 이후(얼라인먼트 공정 도중)에 정전척(24)에 가해지는 전압을 제2 전압으로 낮춘다. 정전척(24)에 기판을 제1 전압(ΔV1)에 의해 강하게 흡착시킨 상태(기판을 보다 편평하게 유지한 상태)에서 기판과 마스크의 얼라인먼트 마크를 촬영함으로써, 계측 공정의 정밀도를 높일 수 있다.When the substrate S is lowered to the measurement position, the alignment marks formed on the substrate S and the mask M are photographed with the
계측결과, 기판의 마스크에 대한 상대적 위치 어긋남이 임계치를 넘는 것으로 판명되면, 정전척(24)에 흡착된 상태의 기판(S)을 수평방향(XYθ 방향)으로 이동시켜, 기판을 마스크에 대해 위치조정(얼라인먼트)한다. 본 발명의 다른 실시형태에 있어서는, 이러한 위치조정 공정이 완료된 후에 정전척(24)에 가해지는 전압을 제2 전압(ΔV2)으로 낮추어도 된다. 이를 통해, 얼라인먼트 공정 전체(상대적인 위치 계측 및 위치조정)에 걸쳐 정밀도를 보다 높일 수 있다. As a result of the measurement, when it is determined that the positional displacement of the substrate relative to the mask exceeds a threshold, the substrate S adsorbed to the
얼라인먼트 공정 후에, 정전척(24)을 마스크(M)를 향해 하강시켜 정전척(24)과 마스크(M) 사이의 거리가 소정의 거리(d)가 되도록 한다. 정전척(24)과 마스크(M)가 소정의 거리(d)만큼 이격된 상태에서는 정전척(24)에 가해진 제2 전압이 마스크(M)를 대전시키지 않아 실질적으로 정전인력이 마스크(M)에 작용하지 않는다.After the alignment process, the
이러한 상태에서, 정전척(24)에 제2 전압보다 큰 소정의 전압, 예컨대 제3 전압을 인가한다. 제3 전압이 정전척(24)에 가해지면 이로부터 발생하는 정전인력에 의해 마스크(M)가 상방으로 끌어당겨진다. 그 결과, 장력이 크게 작용하는 마스크(M)의 주연부가 아니라 상대적으로 장력이 작게 작용하는 중앙부가 상방으로 돌출되어 볼록한 형상이 된다. 이에 의해 마스크 흡착의 기점이 형성된다.In this state, a predetermined voltage greater than the second voltage, for example, the third voltage, is applied to the
제3 전압이 정전척(24)에 인가된 상태에서, 정전척(24)을 마스크(M)를 향해 하강시키거나 및/또는 마스크(M)를 정전척(24)을 향해 상승시켜서 마스크(M)가 정전척(24)에 흡착되어 있는 기판(S)의 하면에 접촉되도록 한다. 이 과정에서 마스크(M)의 중앙부가 먼저 기판(S)에 접촉하여 흡착이 개시되며, 이로부터 마스크(M)의 주연부를 향해 순차적으로 흡착이 이루어진다. 그 결과, 마스크(M)는 주름을 남기지 않고 정전척(24)에 흡착된다.In the state in which the third voltage is applied to the
이러한 마스크(M)의 흡착 공정이 완료된 후에, 정전척(24)의 전극부 또는 서브 전극부에 인가되는 전압을, 정전척(24)에 기판과 마스크가 흡착된 상태를 유지할 수 있는 전압인, 제4 전압(ΔV4)으로 낮춘다. 이를 통해, 성막 공정 완료 후 기판(S) 및 마스크(M)를 정전척(24)으로부터 분리하는데 걸리는 시간을 단축시킬 수 있다.After the adsorption process of the mask M is completed, the voltage applied to the electrode portion or sub-electrode portion of the
이어서, 증착원(25)의 셔터를 열고 증착재료를 마스크를 통해 기판(S)에 증착시킨다.Next, the shutter of the
원하는 두께까지 증착한 후, 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 인가되는 전압을 제5 전압(ΔV5)으로 낮추어 마스크(M)를 분리하고, 정전척(24)에 기판만이 흡착된 상태에서, 정전척 Z 액츄에이터(28)에 의해, 기판을 상승시킨다. 여기서, 제5 전압(ΔV5)은 마스크(M)는 분리되고 기판(S)만이 정전척(24)에 흡착된 상태를 유지하기 위한 크기로서, 제2 전압과 실질적으로 동일한 크기의 전압이다.After depositing to a desired thickness, the voltage applied to the electrode portion or sub-electrode portion of the
이어서, 반송로봇(14)의 핸드가 성막장치(11)의 진공용기(21) 내로 들어오고 정전척(24)의 전극부 또는 서브전극부에 제로(0) 또는 역극성의 전압이 인가되어 정전척(24)이 기판으로부터 분리되어 상승한다. 이후, 증착이 완료된 기판을 반송로봇(14)에 의해 진공용기(21)로부터 반출한다.Subsequently, the hand of the
이상의 설명에서는, 성막장치(11)는, 기판(S)의 성막면이 연직방향 하방을 향한 상태에서 성막이 이루어지는, 소위 상향증착방식(Depo-up)의 구성으로 하였으나, 이에 한정되지 않으며, 기판(S)이 진공용기(21)의 측면측에 수직으로 세워진 상태로 배치되고, 기판(S)의 성막면이 중력방향과 평행한 상태에서 성막이 이루어지는 구성이어도 된다.In the above description, the
<전자디바이스의 제조방법><Method of manufacturing an electronic device>
다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.Next, an example of a method of manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of this embodiment will be described. Hereinafter, a configuration and a manufacturing method of an organic EL display device are exemplified as an example of an electronic device.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 5(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 5(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 5 (a) shows the overall view of the organic
도 5(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As shown in Fig. 5A, a plurality of
도 5(b)는 도 5(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.Fig. 5 (b) is a partial cross-sectional schematic view taken along line A-B in Fig. 5 (a). The
도 5(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.In FIG. 5 (b), the
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a
양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is spin-coated on the
절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.The
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 정전척으로 마스크를 기판을 사이에 두고 보유지지하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.Similar to the film formation of the
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다. The substrate formed up to the
본 발명에 따르면, 기판 및/또는 마스크를 정전척(24)에 의해 흡착하여 보유지지 하되, 마스크의 흡착시 정전척(24)과 마스크(M)가 소정의 간격으로 이격된 상태에서 소정의 전압을 정전척(24)에 인가하여 발생하는 정전기력에 의해 정전척(24)을 향하여 볼록하게 되는 마스크(M)의 중앙부를 흡착의 기점으로 함으로써, 마스크가 주름없이 정전척(24)에 흡착된다. According to the present invention, the substrate and / or the mask are adsorbed and held by the
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.Then, the
절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.When the
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다. The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.
11: 성막장치
21: 진공용기
22: 기판 지지 유닛
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
26: 기판 Z 액츄에이터
27: 마스크 Z 액츄에이터
28: 정전척 Z 액츄에이터
40: 제어부11: film forming apparatus
21: vacuum container
22: substrate support unit
23: mask support unit
24: electrostatic chuck
26: Substrate Z actuator
27: Mask Z actuator
28: electrostatic chuck Z actuator
40: control unit
Claims (29)
상기 피흡착체 지지 유닛의 일측에 설치되어 상기 피흡착체를 흡착하기 위한 정전척과,
상기 피흡착체 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리를 조정하기 위한 거리조정수단과,
상기 정전척에의 전압 인가 및 상기 거리조정수단에 의한 상기 피흡착체 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리의 조정을 제어하기 위한 제어부를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 정전척과 상기 피흡착체 지지 유닛 사이의 거리가 소정의 간격으로 이격되도록 상기 거리조정수단을 제어하고, 상기 피흡착체 지지 유닛과 상기 정전척이 상기 소정의 간격을 두고 이격된 상태에서, 상기 피흡착체 지지 유닛에 의해 지지된 피흡착체를 상기 정전척을 향하는 방향으로 흡인하기 위한 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 흡착장치.An absorbent support unit for supporting the adsorbent,
An electrostatic chuck installed on one side of the adsorbent support unit to adsorb the adsorbent,
Distance adjusting means for adjusting the distance between the absorbent body support unit and the electrostatic chuck,
It includes a control unit for controlling the application of the voltage to the electrostatic chuck and the adjustment of the distance between the adsorbent support unit and the electrostatic chuck by the distance adjusting means,
The control unit controls the distance adjusting means such that the distance between the electrostatic chuck and the adsorbent support unit is spaced at a predetermined interval, and the absorbent body support unit and the electrostatic chuck are spaced apart at the predetermined interval. , A suction device characterized in that a voltage for sucking the object to be absorbed supported by the object to be absorbed in the direction toward the electrostatic chuck is applied to the electrostatic chuck.
상기 기판 지지 유닛의 일측에 설치되어 마스크를 지지하기 위한 마스크 지지 유닛과,
상기 기판 지지 유닛을 기준으로 상기 마스크 지지 유닛과 반대측에 설치되며, 상기 기판 및 상기 기판을 사이에 두고 상기 마스크를 흡착하기 위한 정전척과,
상기 마스크 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리를 조정하기 위한 거리조정수단과,
상기 정전척에의 전압 인가 및 상기 거리조정수단에 의한 상기 마스크 지지 유닛과 상기 정전척과의 거리의 조정을 제어하기 위한 제어부를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크 지지 유닛 사이의 거리가 소정의 간격이 되도록 상기 거리조정수단을 제어하고, 상기 정전척과 상기 마스크 지지 유닛이 상기 소정의 간격으로 이격된 상태에서 상기 마스크를 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 하기 위한 소정의 전압이 상기 정전척에 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 성막장치.A substrate support unit for supporting the substrate,
A mask support unit installed on one side of the substrate support unit to support a mask;
It is installed on the opposite side to the mask support unit based on the substrate support unit, the electrostatic chuck for adsorbing the mask with the substrate and the substrate therebetween,
Distance adjustment means for adjusting the distance between the mask support unit and the electrostatic chuck,
And a control unit for controlling voltage application to the electrostatic chuck and adjustment of the distance between the mask support unit and the electrostatic chuck by the distance adjusting means,
The control unit controls the distance adjusting means such that the distance between the electrostatic chuck and the mask support unit is a predetermined interval with the substrate interposed therebetween, and the electrostatic chuck and the mask support unit are spaced apart at the predetermined interval. In the film forming apparatus characterized in that to control the predetermined voltage for convexing the mask in the direction toward the electrostatic chuck is applied to the electrostatic chuck.
상기 피흡착체와 상기 정전척을 상대적으로 접근시켜, 상기 정전척에 상기 피흡착체를 흡착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 흡착방법.A suction step of applying a predetermined voltage to the electrostatic chuck spaced apart from the object to be adsorbed at a predetermined distance to suck the object to be absorbed in the direction toward the electrostatic chuck;
And relatively adsorbing the adsorbent and the electrostatic chuck to adsorb the adsorbate to the electrostatic chuck.
정전척에 제1 전압을 인가하여 제1 피흡착체를 흡착하는 제1 흡착단계와,
상기 제1 피흡착체를 사이에 두고, 상기 정전척과 제2 피흡착체가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 정전척에 소정의 전압을 인가하여 상기 제2 피흡착제를 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 하는 흡인단계와,
상기 제2 피흡착체와 상기 정전척을 상기 소정의 간격으로부터 상대적으로 접근시켜, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 제2 피흡착체를 흡착하는 제2 흡착단계를
포함하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. As a method for adsorbing an adsorbent,
A first adsorption step of adsorbing the first adsorbent by applying a first voltage to the electrostatic chuck;
A direction in which the second adsorbent is directed toward the electrostatic chuck by applying a predetermined voltage to the electrostatic chuck while the first sorbent is interposed and the electrostatic chuck and the second sorbent are spaced apart at predetermined intervals. A convex suction step,
A second adsorption step of relatively approaching the second adsorbent and the electrostatic chuck from the predetermined interval, and adsorbing the second adsorbent with the first adsorbent interposed therebetween.
Adsorption method comprising a.
상기 소정의 전압은 상기 제2 전압 이상인 것을 특징으로 하는 흡착방법.17. The method of claim 16, further comprising applying a second voltage to the electrostatic chuck to maintain adsorption of the substrate to the electrostatic chuck after the first adsorption step,
The predetermined voltage is more than the second voltage, characterized in that the adsorption method.
제1 피흡착체를 정전척에 흡착하기 위한 제1 전압을 상기 정전척에 인가하는 제1 인가단계와,
상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 정전척과 제2 피흡착체가 소정의 간격으로 이격되도록 상기 제2 피흡착체와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제1 이동단계와,
상기 제1 피흡착체를 사이에 두고 상기 정전척과 상기 제2 피흡착체가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 제2 피흡착제가 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 되도록 소정의 전압을 인가하는 제2 인가단계와,
상기 소정의 전압이 인가된 상태에서, 상기 정전척에 상기 제1 피흡착체 너머로 상기 제2 피흡착체가 흡착되도록 상기 제2 피흡착체와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제2 이동단계를
포함하는 것을 특징으로 하는 흡착방법. As a method for adsorbing an adsorbent,
A first application step of applying a first voltage to adsorb the first adsorbed object to the electrostatic chuck to the electrostatic chuck;
A first moving step of relatively moving the second adsorbent and the electrostatic chuck such that the electrostatic chuck and the second adsorbent are spaced apart at predetermined intervals with the first adsorbent interposed therebetween;
Applying a predetermined voltage so that the second adsorbent is convex in the direction toward the electrostatic chuck while the electrostatic chuck and the second adsorbent are spaced apart at predetermined intervals with the first adsorbent interposed therebetween. A second authorization step,
A second moving step of relatively moving the second adsorbent and the electrostatic chuck such that the second adsorbent is adsorbed onto the electrostatic chuck over the first adsorbent in a state in which the predetermined voltage is applied.
Adsorption method comprising a.
진공용기내로 마스크를 반입하는 단계와,
상기 진공용기내로 기판을 반입하는 단계와,
정전척에 제1 전압을 인가하여 상기 기판을 흡착하는 단계와,
상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 정전척에 소정의 전압을 인가하여 상기 마스크를 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 하는 단계와,
상기 마스크와 상기 정전척을 상기 소정의 간격으로부터 상대적으로 접근시켜, 상기 정전척에 상기 기판 너머로 상기 마스크를 흡착하는 단계와,
상기 정전척에 상기 기판 및 상기 마스크가 흡착된 상태에서, 증착재료를 증발시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 증착재료를 성막하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법. As a film forming method for forming a deposition material on the substrate through a mask,
Bringing the mask into the vacuum container,
Bringing the substrate into the vacuum container,
Adsorbing the substrate by applying a first voltage to the electrostatic chuck;
A step of applying a predetermined voltage to the electrostatic chuck to convex the mask in a direction toward the electrostatic chuck while the electrostatic chuck and the mask are spaced apart at predetermined intervals with the substrate interposed therebetween;
Adsorbing the mask over the substrate to the electrostatic chuck by relatively approaching the mask and the electrostatic chuck from the predetermined interval;
And depositing a deposition material on the substrate through the mask by evaporating the deposition material while the substrate and the mask are adsorbed on the electrostatic chuck.
진공용기내로 마스크를 반입하는 단계와,
상기 진공용기내로 기판을 반입하는 단계와,
제1 기판이 정전척에 흡착되도록 하기 위한 제1 전압을 상기 정전척에 인가하는 제1 인가단계와,
상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크가 소정의 간격으로 이격되도록 상기 마스크와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제1 이동단계와,
상기 기판을 사이에 두고 상기 정전척과 상기 마스크가 소정의 간격으로 이격되어 있는 상태에서, 상기 마스크가 상기 정전척을 향하는 방향으로 볼록하게 되도록 소정의 전압을 인가하는 제2 인가단계와,
상기 소정의 전압이 인가된 상태에서, 상기 정전척에 상기 기판 너머로 상기 마스크가 흡착되도록 상기 마스크와 상기 정전척을 상대적으로 이동시키는 제2 이동단계와,
상기 정전척에 상기 기판 및 상기 마스크가 흡착된 상태에서, 증착재료를 증발시켜 상기 마스크를 통해 상기 기판에 증착재료를 성막하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막방법. As a film forming method for forming a deposition material on the substrate through a mask,
Bringing the mask into the vacuum container,
Bringing the substrate into the vacuum container,
A first application step of applying a first voltage to the first substrate to be adsorbed by the electrostatic chuck to the electrostatic chuck;
A first moving step of relatively moving the mask and the electrostatic chuck such that the electrostatic chuck and the mask are spaced apart at predetermined intervals with the substrate interposed therebetween;
A second application step of applying a predetermined voltage such that the mask is convex in a direction toward the electrostatic chuck while the electrostatic chuck and the mask are spaced apart at predetermined intervals with the substrate interposed therebetween;
A second moving step of relatively moving the mask and the electrostatic chuck so that the mask is adsorbed onto the electrostatic chuck over the substrate while the predetermined voltage is applied;
And depositing a deposition material on the substrate through the mask by evaporating the deposition material while the substrate and the mask are adsorbed on the electrostatic chuck.
A method for manufacturing an electronic device, wherein the electronic device is manufactured using the film-forming method of any one of claims 26 to 28.
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