KR20200019608A - 금속 알콕사이드 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법 - Google Patents
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- -1 alkoxide compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 164
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims description 95
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical group [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical group [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical group [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical group [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical group [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical group [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical group [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical group [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical group [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical group [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical group [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical group [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical group [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 101
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 19
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical group [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 35
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 10
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012434 nucleophilic reagent Substances 0.000 description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 8
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 5
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 5
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 4
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SHGQDMVQBSZXOD-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-2-ethyliminopentan-3-ol Chemical compound C(C)N=C(C)C(CC)(O)CC SHGQDMVQBSZXOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N acetic acid anhydride Natural products CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 239000012048 reactive intermediate Substances 0.000 description 3
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylcyclohexane Chemical compound CC1(C)CCCCC1 QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FTFYDDRPCCMKBT-UHFFFAOYSA-N 1-butylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCCCC1=CC=CC1 FTFYDDRPCCMKBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILPNRWUGFSPGAA-UHFFFAOYSA-N heptane-2,4-dione Chemical compound CCCC(=O)CC(C)=O ILPNRWUGFSPGAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXGJTWACJNYNOJ-UHFFFAOYSA-N hexane-2,4-diol Chemical compound CCC(O)CC(C)O TXGJTWACJNYNOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDOGLIPWGGRQCO-UHFFFAOYSA-N hexane-2,4-dione Chemical compound CCC(=O)CC(C)=O NDOGLIPWGGRQCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- BVPKYBMUQDZTJH-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-5,5-dimethylhexane-2,4-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F BVPKYBMUQDZTJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNPQQEYMXYCAEZ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetramethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C1 VNPQQEYMXYCAEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940035437 1,3-propanediol Drugs 0.000 description 1
- BGYBONWLWSMGNV-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10,13,16,19,22-octaoxacyclotetracosane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO1 BGYBONWLWSMGNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHJATKVLNMETBA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylpropyl)cyclopenta-1,3-diene Chemical class CC(C)CC1=CC=CC1 GHJATKVLNMETBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXCKDSXGLKRTSY-UHFFFAOYSA-N 1-(diethylamino)-2-methylpentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)(O)CN(CC)CC SXCKDSXGLKRTSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDGHGLMSHZDIEW-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)-2-methylpentan-2-ol Chemical compound CN(C)CC(CCC)(O)C PDGHGLMSHZDIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLDACGYLPYWMZ-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)pentan-2-ol Chemical compound CCCC(O)CN(C)C MZLDACGYLPYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCALRHVFTLBTOZ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxy-2-methylpropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)(C)O JCALRHVFTLBTOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCYNAHGOLUTMDM-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methylpropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)(C)O BCYNAHGOLUTMDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 1-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCC1=CC=CC1 IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNLXXWOBNIYLGO-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound COCC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C QNLXXWOBNIYLGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXUXZWFVAPTPAG-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-methylpropan-2-ol Chemical compound COCC(C)(C)O MXUXZWFVAPTPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrolidine Chemical compound CN1CCCC1 AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWQKURVBJZAOSC-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC1 MWQKURVBJZAOSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZPAXISDLOEXPI-UHFFFAOYSA-N 1-propylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCCC1=CC=CC1 RZPAXISDLOEXPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWFVDKHZNWEXAD-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC1 NWFVDKHZNWEXAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLKRGCUPZROPPO-UHFFFAOYSA-N 2,2,6-trimethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C KLKRGCUPZROPPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGGCYHBYGFNQIP-UHFFFAOYSA-N 2,2,6-trimethyloctane-3,5-dione Chemical compound CCC(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C XGGCYHBYGFNQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKPLTHZVVWBOPT-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethylbutane-1,3-diol Chemical compound CCC(CC)(CO)C(C)O AKPLTHZVVWBOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHQYNVWJWUCTSS-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylheptane-3,5-dione Chemical compound CCC(=O)CC(=O)C(C)(C)C LHQYNVWJWUCTSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBTGFWMBFZBBEF-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(C)(O)CC(C)(C)O DBTGFWMBFZBBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEGGECULKVTYMM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)C(=O)CC(=O)C(C)C CEGGECULKVTYMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTLYCAUWPLYLRQ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyloctane-3,5-dione Chemical compound CCC(C)C(=O)CC(=O)C(C)C BTLYCAUWPLYLRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUWMVVUACCUFGK-UHFFFAOYSA-N 2-(methylamino)butan-2-ol Chemical compound CCC(C)(O)NC NUWMVVUACCUFGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCCCC(CC)(CO)CO DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- XFJXTZOILWNVKL-UHFFFAOYSA-N 2-ethylimino-3-methylpentan-3-ol Chemical compound C(C)N=C(C)C(CC)(O)C XFJXTZOILWNVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXJCDOSDACXFTB-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-2,6,6-trimethylheptane-3,5-dione Chemical compound COC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C PXJCDOSDACXFTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHGXRBJFCJZJSC-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-propan-2-yloxypropan-2-ol Chemical compound CC(C)OCC(C)(C)O IHGXRBJFCJZJSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPYKRAVOZNWRKH-UHFFFAOYSA-N 2-methyldecane-4,6-dione Chemical compound CCCCC(=O)CC(=O)CC(C)C JPYKRAVOZNWRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVALZQWOQKHDIM-UHFFFAOYSA-N 2-methylheptane-3,5-dione Chemical compound CCC(=O)CC(=O)C(C)C VVALZQWOQKHDIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYEAPGRMZGQWND-UHFFFAOYSA-N 3-(butan-2-yloxymethyl)pentan-3-ol Chemical compound CCC(C)OCC(O)(CC)CC BYEAPGRMZGQWND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMGLTXUVOIJOGG-UHFFFAOYSA-N 3-(methylamino)heptan-4-ol Chemical compound CCCC(O)C(CC)NC YMGLTXUVOIJOGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNFKMJVRDHWAOR-UHFFFAOYSA-N 3-(propoxymethyl)pentan-3-ol Chemical compound CCCOCC(O)(CC)CC FNFKMJVRDHWAOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHUPIZXVJQEKCY-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2-methylbutan-2-ol Chemical compound COCCC(C)(C)O LHUPIZXVJQEKCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWJWPDHACGGABF-UHFFFAOYSA-N 5,5-dimethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CC1(C)C=CC=C1 QWJWPDHACGGABF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMPZHUZUESBODJ-UHFFFAOYSA-N 5-methylheptane-2,4-dione Chemical compound CCC(C)C(=O)CC(C)=O VMPZHUZUESBODJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHZGUWAFFHXZLC-UHFFFAOYSA-N 5-methylhexane-2,4-dione Chemical compound CC(C)C(=O)CC(C)=O KHZGUWAFFHXZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGMOYJSFRIASIE-UHFFFAOYSA-N 6-Methylheptan-2,4-dione Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)=O IGMOYJSFRIASIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GALSRMFPHSGNRR-UHFFFAOYSA-N 6-ethyl-2-methyldecane-3,5-dione Chemical compound CCCCC(CC)C(=O)CC(=O)C(C)C GALSRMFPHSGNRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHMXUIJQDDITIB-UHFFFAOYSA-N 7-ethyl-2-methylundecane-4,6-dione Chemical compound CC(CC(CC(C(CCCC)CC)=O)=O)C ZHMXUIJQDDITIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N Acetoacetic acid Natural products CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLYXEAIQTGRHCH-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)N([Si](C)(C)C)[Lu]N([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C Chemical compound C[Si](C)(C)N([Si](C)(C)C)[Lu]N([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C LLYXEAIQTGRHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000703 Cerium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001169 Lutetium Chemical class 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N N-methyl-pyrrolidine Natural products CN1CC=CC1 AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N adiponitrile Chemical compound N#CCCCCC#N BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005263 alkylenediamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-dicarbonitrile Chemical compound N#CC1=CC=C(C#N)C=C1 BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- MGWYSXZGBRHJNE-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-dicarbonitrile Chemical compound N#CC1CCC(C#N)CC1 MGWYSXZGBRHJNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBWIZSYFQSOUFQ-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarbonitrile Chemical compound N#CC1CCCCC1 VBWIZSYFQSOUFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N diafenthiuron Chemical compound CC(C)C1=C(NC(=S)NC(C)(C)C)C(C(C)C)=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N dibenzo-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBGKDYHZQOSNMU-UHFFFAOYSA-N dicyclohexano-18-crown-6 Chemical compound O1CCOCCOC2CCCCC2OCCOCCOC2CCCCC21 BBGKDYHZQOSNMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N dimethylpyridine Natural products CC1=CC=CN=C1C HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N glutaronitrile Chemical compound N#CCCCC#N ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGCTVLNZTFDPDJ-UHFFFAOYSA-N heptane-3,5-dione Chemical compound CCC(=O)CC(=O)CC DGCTVLNZTFDPDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N heptanenitrile Chemical compound CCCCCCC#N SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002604 lanthanum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000002663 lutetium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical compound [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N methylcyclopentadiene Chemical compound CC1=CC=CC1 NFWSQSCIDYBUOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-(dimethylamino)ethyl-methylamino]ethyl]-n,n,n'-trimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)CCN(C)C DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCN LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-1-amine Chemical compound CCCNC GVWISOJSERXQBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N n-methylpropan-2-amine Chemical compound CNC(C)C XHFGWHUWQXTGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJYXGIIWJFZCLN-UHFFFAOYSA-N octane-2,4-dione Chemical compound CCCCC(=O)CC(C)=O GJYXGIIWJFZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOFGXDQWDNJDIS-UHFFFAOYSA-N oxathiolane Chemical compound C1COSC1 OOFGXDQWDNJDIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)O GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- XRVCFZPJAHWYTB-UHFFFAOYSA-N prenderol Chemical compound CCC(CC)(CO)CO XRVCFZPJAHWYTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950006800 prenderol Drugs 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N sodium amide Chemical compound [NH2-].[Na+] ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
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Abstract
본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물:
(식 중, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 2 또는 3 의 알킬기를 나타내고, M 은, 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 또는 루테튬 원자를 나타내고, n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다.)
을 제공하는 것에 있다.
(식 중, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 2 또는 3 의 알킬기를 나타내고, M 은, 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 또는 루테튬 원자를 나타내고, n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다.)
을 제공하는 것에 있다.
Description
본 발명은, 특정 이미노알코올을 배위자로서 갖는 금속 알콕사이드 화합물, 그 화합물을 함유하여 이루어지는 박막 형성용 원료 및 그 박막 형성용 원료를 사용한 금속 함유 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
원소의 주기표에 있어서 제 3 족의, 스칸듐 (Sc), 이트륨 (Y), 및 란탄 (La) 부터 루테튬 (Lu) 까지의 란타노이드를, 희토류 원소라고 총칭하고 있고, 이들 희토류 원소는, 일렉트로닉스나 옵트로닉스 분야에서 중요한 원소이다. 이트륨은, Y-B-C 계 초전도체의 주요 구성 원소이다. 란탄은, 강유전체 PLZT 의 주요 구성 원소이다. 또, 대부분의 란타노이드 원소는, 발광 재료 등으로서 기능성 부여를 위한 첨가제로서 사용된다.
이와 같은 원소를 포함하는 박막의 제조법으로서, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도포 열분해법이나 졸겔법 등의 MOD 법, 화학 기상 성장법 등을 들 수 있지만, 조성 제어성, 단차 피복성이 우수한 점, 양산화에 적절한 점, 하이브리드 집적이 가능하다는 등 많은 장점을 가지고 있으므로, ALD (Atomic Layer Deposition) 법을 포함하는 화학 기상 성장 (이하, 간단히 「CVD」라고 기재하는 경우도 있다) 법이 최적의 제조 프로세스이다.
화학 기상 성장법에 사용되는 금속 공급원으로서, 여러 가지 원료가 다수 보고되어 있지만, 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 박막 형성용 원료로서 사용할 수 있는 금속 알콕사이드 화합물이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, ALD 법에 있어서의 박막 형성용 원료로서 유용한 알콕사이드 화합물이 개시되어 있고, 본 발명의 화합물을 포괄하는 일반식이 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 2 는, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물이 구체적으로 예시된 것이 아니고, 하물며, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물이 발휘하는 특이적으로 양호한 효과에 대해서 개시도 시사도 되어 있지 않다.
화학 기상 성장용 원료 등을 기화시켜 기재 표면에 금속을 함유하는 박막을 형성하는 경우, 증기압이 높고, 융점이 낮고, 고품질인 금속 함유 박막을 제조할 수 있는 박막 형성용 재료가 요구되고 있다. 종래 알려진 박막 형성용 재료에는, 이와 같은 물성을 나타내는 것은 없었다. 그 중에서도, 생산성을 향상시키기 위해서는, 수송성을 높일 필요가 있는 점에서, 융점이 낮은 재료가 강하게 요구되고 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 증기압이 높고, 종래 알려진 화합물보다 융점이 낮은 금속 알콕사이드 화합물, 이것을 함유하여 이루어지는 박막 형성용 원료, 및 그 원료를 사용하여 금속을 함유하는 박막을 형성하기 위한 박막의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자는, 검토를 거듭한 결과, 특정 금속 알콕사이드 화합물이 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 지견하여, 본 발명에 도달하였다.
즉, 본 발명은, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물, 이것을 함유하여 이루어지는 박막 형성용 원료, 및 그 원료를 사용하여 금속을 함유하는 박막을 형성하는 박막의 제조 방법을 제공하는 것이다 :
[화학식 1]
(식 중, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 2 또는 3 의 알킬기를 나타내고, M 은, 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 또는 루테튬 원자를 나타내고, n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다.)
본 발명에 의하면, 증기압이 높고, 종래 알려진 화합물보다 융점이 낮은 금속 알콕사이드 화합물을 얻을 수 있다. 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물은, CVD 법에 의한 금속 박막 형성용의 박막 형성용 원료로서 특히 적합하고, 그 중에서도 ALD 법에 의한 금속 박막 형성용의 박막 형성용 원료로서 바람직하게 사용할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 관련된 금속을 함유하는 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 일례를 나타내는 개요도이다.
도 2 는 본 발명에 관련된 금속을 함유하는 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 다른 일례를 나타내는 개요도이다.
도 3 은 본 발명에 관련된 금속을 함유하는 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 다른 일례를 나타내는 개요도이다.
도 4 는 본 발명에 관련된 금속을 함유하는 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 다른 일례를 나타내는 개요도이다.
도 2 는 본 발명에 관련된 금속을 함유하는 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 다른 일례를 나타내는 개요도이다.
도 3 은 본 발명에 관련된 금속을 함유하는 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 다른 일례를 나타내는 개요도이다.
도 4 는 본 발명에 관련된 금속을 함유하는 박막의 제조 방법에 사용되는 화학 기상 성장용 장치의 다른 일례를 나타내는 개요도이다.
본 발명의 금속 알콕사이드 화합물은, 상기 일반식 (1) 로 나타내는 것이며, CVD 법 등의 기화 공정을 갖는 박막 제조 방법의 프리커서로서 바람직한 것이며, ALD 법에 적용할 수 있는 프리커서인 점에서, 특히, ALD 법에 사용되는 프리커서로서 바람직한 것이다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 2 또는 3 의 알킬기를 나타내고, M 은, 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 또는 루테튬 원자를 나타내고, n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 및 R2 로 나타내는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기로는, 예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 제 2 부틸, 제 3 부틸 등을 들 수 있다. R3 으로 나타내는 탄소 원자수 2 또는 3 의 알킬기로는, 에틸, 프로필 및 이소프로필을 들 수 있다. n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다. 상기 일반식 (1) 에 있어서 M 으로 나타내는 금속 원자는 다양한 가수인 것이 알려져 있지만, 그 중에서도 안정적인 가수로는, 예를 들어, M 이 유로퓸 원자 또는 이테르븀 원자인 경우의 n 은 2 이며, M 이 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 또는 루테튬 원자인 경우의 n 은 3 이며, M 이 세륨인 경우의 n 은 4 인 경우를 들 수 있다.
상기 일반식 (1) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물은 광학 활성을 갖는 경우가 있지만, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물은 특별히 R 체, S 체에 의해 구별되는 것이 아니고, 그 어느 것이어도 되고, R 체와 S 체의 임의의 비율의 혼합물이어도 된다. 또한, 라세미체는, 제조 비용이 저렴하다.
상기 일반식 (1) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물을 기화시키는 공정을 갖는 박막의 제조 방법에 사용하는 경우, 증기압이 크고, 융점이 낮은 것이 바람직하다. 그 때문에, 일반식 (1) 의 R1 ∼ R3 은, 구체적으로는, R1 이, 메틸 또는 에틸인 것이 바람직하고, R2 가, 에틸인 것이 바람직하고, R3 이, 에틸 또는 프로필인 것이 바람직하다. 그 중에서도, R1 이 메틸 또는 에틸이고, R2 가 에틸인 금속 알콕사이드 화합물은 증기압이 높고, 융점이 낮은 효과가 높은 점에서 특히 바람직하고, R1 이 메틸 또는 에틸이고, R2 가 에틸이며, R3 이 에틸 또는 프로필인 금속 알콕사이드 화합물은 특히 바람직하다. 또, 금속 알콕사이드 화합물을 기화 공정을 수반하지 않는 MOD 법에 의한 박막의 제조 방법에 사용하는 경우에는, R1 ∼ R3 은, 사용되는 용매에 대한 용해성, 박막 형성 반응 등에 따라 임의로 선택할 수 있다.
본 발명의 금속 알콕사이드 화합물은, 상기 일반식 (1) 로 대표하여 나타내고 있지만, 배위자 중의 말단 도너기가 금속 원자에 배위하여 고리 구조를 형성한 경우, 즉, 하기 일반식 (1-A) 로 나타내는 경우와 구별되는 것이 아니고, 양방을 포함하는 개념이다.
[화학식 2]
(식 중, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 2 또는 3 의 알킬기를 나타내고, M 은, 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 또는 루테튬 원자를 나타내고, n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다.)
상기 일반식 (I) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물의 구체예로는, 화합물 No.1 ∼ 화합물 No.357 을 들 수 있다. 또한, 하기 화학식 중의 「Me」는 메틸기를 나타내고, 「Et」는 에틸기를 나타내고, 「nPr」은 프로필기를 나타내고, 「iPr」은 이소프로필기를 나타낸다.
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
[화학식 16]
[화학식 17]
[화학식 18]
[화학식 19]
[화학식 20]
[화학식 21]
[화학식 22]
[화학식 23]
[화학식 24]
[화학식 25]
[화학식 26]
[화학식 27]
[화학식 28]
[화학식 29]
[화학식 30]
[화학식 31]
[화학식 32]
[화학식 33]
[화학식 34]
[화학식 35]
[화학식 36]
본 발명의 금속 알콕사이드 화합물은, 그 제조 방법에 의해 특별히 제한되는 일은 없고, 주지의 반응을 응용하여 제조할 수 있다. 알콕사이드 화합물의 제조 방법으로는, 해당하는 알코올을 사용한 주지 일반의 알콕사이드 화합물의 합성 방법을 응용할 수 있고, 예를 들어, 루테튬알콕사이드 화합물을 제조하는 경우에는, 예를 들어, 루테튬의 할로겐화물, 질산염 등의 무기염 또는 그 수화물과, 해당하는 알코올 화합물을, 나트륨, 수소화나트륨, 나트륨아미드, 수산화나트륨, 나트륨메틸레이트, 암모니아, 아민 등의 염기의 존재하에서 반응시키는 방법 ; 루테튬의 할로겐화물, 질산염 등의 무기염 또는 그 수화물과, 해당하는 알코올 화합물의 나트륨알콕사이드, 리튬알콕사이드, 칼륨알콕사이드 등의 알칼리 금속 알콕사이드를 반응시키는 방법 ; 루테튬의 메톡사이드, 에톡사이드, 이소프로폭사이드, 부톡사이드 등의 저분자 알코올의 알콕사이드 화합물과, 해당하는 알코올 화합물을 교환 반응시키는 방법 ; 루테튬의 할로겐화물, 질산염 등의 무기염과 반응성 중간체를 부여하는 유도체를 반응시켜, 반응성 중간체를 얻고 나서, 이것과 해당하는 알코올 화합물을 반응시키는 방법을 들 수 있다. 반응성 중간체로는, 비스(디알킬아미노)루테튬, 비스(비스(트리메틸실릴)아미노)루테튬, 루테튬의 아미드 화합물 등을 들 수 있다.
다음으로, 본 발명의 박막 형성용 원료란, 상기에서 설명한 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물을 박막의 프리커서로 한 것이며, 그 형태는, 그 박막 형성용 원료가 적용되는 제조 프로세스에 따라 상이하다. 예를 들어, 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 및 루테튬 원자에서 선택되는 적어도 1 종의 원자만을 포함하는 박막을 제조하는 경우, 본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 금속 알콕사이드 화합물 이외의 금속 화합물 및 반금속 화합물을 함유하지 않는다. 한편, 2 종 이상의 금속 및/또는 반금속을 포함하는 박막을 제조하는 경우, 본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 금속 알콕사이드 화합물에 추가하여, 원하는 금속을 포함하는 화합물 및/또는 반금속을 포함하는 화합물 (이하, 다른 프리커서라고도 한다) 을 함유할 수도 있다. 본 발명의 박막 형성용 원료는, 후술하는 바와 같이, 추가로, 유기 용제 및/또는 구핵성 시약을 함유해도 된다. 본 발명의 박막 형성용 원료는, 상기 설명한 바와 같이, 프리커서인 금속 알콕사이드 화합물의 물성이 CVD 법, ALD 법에 바람직하므로, 특히 화학 기상 성장용 원료 (이하, 「CVD 용 원료」라고 하는 경우도 있다) 로서 유용하다.
본 발명의 박막 형성용 원료가 CVD 용 원료인 경우, 그 형태는 사용되는 CVD 법의 수송 공급 방법 등의 수법에 따라 적절히 선택할 수 있다.
상기 수송 공급 방법으로는, CVD 용 원료를 그 원료가 저장되는 용기 (이하, 간단히 「원료 용기」라고 기재하는 경우도 있다) 중에서 가열 및/또는 감압함으로써 기화시켜 증기로 하고, 필요에 따라 사용되는 아르곤, 질소, 헬륨 등의 캐리어 가스와 함께, 그 증기를 기체 (基體) 가 설치된 성막 챔버 내 (이하, 「퇴적 반응부」라고 기재하는 경우도 있다) 로 도입하는 기체 (氣體) 수송법, CVD 용 원료를 액체 또는 용액 상태에서 기화실까지 수송하고, 기화실에서 가열 및/또는 감압함으로써 기화시켜 증기로 하고, 그 증기를 성막 챔버 내로 도입하는 액체 수송법이 있다. 기체 수송법의 경우에는, 상기 일반식 (I) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물 그 자체를 CVD 용 원료로 할 수 있다. 액체 수송법의 경우에는, 상기 일반식 (I) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물 그 자체 또는 그 화합물을 유기 용제에 녹인 용액을 CVD 용 원료로 할 수 있다. 이들 CVD 원료는 추가로 다른 프리커서나 구핵성 시약 등을 포함하고 있어도 된다.
또, 다성분계의 CVD 법에 있어서는, CVD 용 원료를 각 성분 독립적으로 기화, 공급하는 방법 (이하, 「싱글 소스법」이라고 기재하는 경우도 있다) 과, 다성분 원료를 미리 원하는 조성으로 혼합한 혼합 원료를 기화, 공급하는 방법 (이하, 「칵테일 소스법」이라고 기재하는 경우도 있다) 이 있다. 칵테일 소스법의 경우, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물과 다른 프리커서의 혼합물 혹은 그 혼합물을 유기 용제에 녹인 혼합 용액을 CVD 용 원료로 할 수 있다. 이 혼합물이나 혼합 용액은 추가로 구핵성 시약 등을 포함하고 있어도 된다. 또한, 프리커서로서 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물만을 사용하고, R 체와 S 체를 병용하는 경우에는, R 체를 포함하는 CVD 용 원료와 S 체를 포함하는 CVD 용 원료를 별개로 기화시켜도 되고, 혹은 R 체 및 S 체의 혼합물을 포함하는 CVD 용 원료를 기화시켜도 된다.
상기 유기 용제로는, 특별히 제한을 받지 않고 주지 일반의 유기 용제를 사용할 수 있다. 그 유기 용제로는, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 아세트산에스테르류 ; 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로피란, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 디부틸에테르, 디옥산 등의 에테르류 ; 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸부틸케톤, 디프로필케톤, 디이소부틸케톤, 메틸아밀케톤, 시클로헥산온, 메틸시클로헥산온 등의 케톤류 ; 헥산, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 헵탄, 옥탄, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소류 ; 1-시아노프로판, 1-시아노부탄, 1-시아노헥산, 시아노시클로헥산, 시아노벤젠, 1,3-디시아노프로판, 1,4-디시아노부탄, 1,6-디시아노헥산, 1,4-디시아노시클로헥산, 1,4-디시아노벤젠 등의 시아노기를 갖는 탄화수소류 ; 피리딘, 루티딘 등을 들 수 있고, 이들은, 용질의 용해성, 사용 온도와 비점, 인화점의 관계 등에 따라, 단독 또는 2 종 이상의 혼합 용매로서 사용된다. 이들 유기 용제를 사용하는 경우, 프리커서를 유기 용제에 녹인 용액인 CVD 용 원료 중에 있어서의 프리커서 전체의 양이 0.01 ∼ 2.0 몰/리터, 특히, 0.05 ∼ 1.0 몰/리터가 되도록 하는 것이 바람직하다. 프리커서 전체의 양이란, 본 발명의 박막 형성용 원료가, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물 이외의 금속 화합물 및 반금속 화합물을 함유하지 않는 경우, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물의 양이며, 본 발명의 박막 형성용 원료가, 그 금속 알콕사이드 화합물에 추가하여 다른 금속을 포함하는 화합물 및/또는 반금속을 포함하는 화합물을 함유하는 경우, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물 및 다른 프리커서의 합계량이다.
또, 다성분계의 CVD 법의 경우에 있어서, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물과 함께 사용되는 다른 프리커서로는, 특별히 제한을 받지 않고, CVD 용 원료에 사용되고 있는 주지 일반의 프리커서를 사용할 수 있다.
상기 다른 프리커서로는, 알코올 화합물, 글리콜 화합물, β-디케톤 화합물, 시클로펜타디엔 화합물, 유기 아민 화합물 등의 유기 배위자로서 사용되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상과 규소나 금속의 화합물을 들 수 있다. 또, 프리커서의 금속종으로는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 바나듐, 니오브, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 망간, 철, 루테늄, 코발트, 로듐, 이리듐, 니켈, 팔라듐, 백금, 동, 은, 금, 아연, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 게르마늄, 주석, 납, 안티몬, 비스무트를 들 수 있다.
상기 다른 프리커서의 유기 배위자로서 사용되는 알코올 화합물로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로필알코올, 부탄올, 제 2 부틸알코올, 이소부틸알코올, 제 3 부틸알코올, 펜틸알코올, 이소펜틸알코올, 제 3 펜틸알코올 등의 알킬알코올류 ; 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-부톡시에탄올, 2-(2-메톡시에톡시)에탄올, 2-메톡시-1-메틸에탄올, 2-메톡시-1,1-디메틸에탄올, 2-에톡시-1,1-디메틸에탄올, 2-이소프로폭시-1,1-디메틸에탄올, 2-부톡시-1,1-디메틸에탄올, 2-(2-메톡시에톡시)-1,1-디메틸에탄올, 2-프로폭시-1,1-디에틸에탄올, 2-s-부톡시-1,1-디에틸에탄올, 3-메톡시-1,1-디메틸프로판올 등의 에테르알코올류 ; 디메틸아미노에탄올, 에틸메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 디메틸아미노-2-펜탄올, 에틸메틸아미노-2-펜탄올, 디메틸아미노-2-메틸-2-펜탄올, 에틸메틸아미노-2-메틸-2-펜탄올, 디에틸아미노-2-메틸-2-펜탄올 등의 디알킬아미노알콜류 등을 들 수 있다.
상기 다른 프리커서의 유기 배위자로서 사용되는 글리콜 화합물로는, 1,2-에탄디올, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 2,4-헥산디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 2,4-부탄디올, 2,2-디에틸-1,3-부탄디올, 2-에틸-2-부틸-1,3-프로판디올, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-1,3-프로판디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,4-헥산디올, 2,4-디메틸-2,4-펜탄디올 등을 들 수 있다.
또, β-디케톤 화합물로는, 아세틸아세톤, 헥산-2,4-디온, 5-메틸헥산-2,4-디온, 헵탄-2,4-디온, 2-메틸헵탄-3,5-디온, 5-메틸헵탄-2,4-디온, 6-메틸헵탄-2,4-디온, 2,2-디메틸헵탄-3,5-디온, 2,6-디메틸헵탄-3,5-디온, 2,2,6-트리메틸헵탄-3,5-디온, 2,2,6,6-테트라메틸헵탄-3,5-디온, 옥탄-2,4-디온, 2,2,6-트리메틸옥탄-3,5-디온, 2,6-디메틸옥탄-3,5-디온, 2,9-디메틸노난-4,6-디온, 2-메틸-6-에틸데칸-3,5-디온, 2,2-디메틸-6-에틸데칸-3,5-디온 등의 알킬 치환 β-디케톤류 ; 1,1,1-트리플루오로펜탄-2,4-디온, 1,1,1-트리플루오로-5,5-디메틸헥산-2,4-디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로펜탄-2,4-디온, 1,3-디퍼플루오로헥실프로판-1,3-디온 등의 불소 치환 알킬 β-디케톤류 ; 1,1,5,5-테트라메틸-1-메톡시헥산-2,4-디온, 2,2,6,6-테트라메틸-1-메톡시헵탄-3,5-디온, 2,2,6,6-테트라메틸-1-(2-메톡시에톡시)헵탄-3,5-디온 등의 에테르 치환 β-디케톤류 등을 들 수 있다.
또, 시클로펜타디엔 화합물로는, 시클로펜타디엔, 메틸시클로펜타디엔, 에틸시클로펜타디엔, 프로필시클로펜타디엔, 이소프로필시클로펜타디엔, 부틸시클로펜타디엔, 제 2 부틸시클로펜타디엔, 이소부틸시클로펜타디엔, 제 3 부틸시클로펜타디엔, 디메틸시클로펜타디엔, 테트라메틸시클로펜타디엔 등을 들 수 있고, 상기 유기 배위자로서 사용되는 유기 아민 화합물로는, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 제 2 부틸아민, 제 3 부틸아민, 이소부틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 에틸메틸아민, 프로필메틸아민, 이소프로필메틸아민 등을 들 수 있다.
상기 다른 프리커서는, 당해 기술 분야에 있어서 공지된 것이며, 그 제조 방법도 공지이다. 제조 방법의 일례를 들면, 예를 들어, 유기 배위자로서 알코올 화합물을 사용한 경우에는, 앞서 서술한 금속의 무기염 또는 그 수화물과, 그 알코올 화합물의 알칼리 금속 알콕사이드를 반응시킴으로써, 프리커서를 제조할 수 있다. 여기서, 금속의 무기염 또는 그 수화물로는, 금속의 할로겐화물, 질산염 등을 들 수 있고, 알칼리 금속 알콕사이드로는, 나트륨알콕사이드, 리튬알콕사이드, 칼륨알콕사이드 등을 들 수 있다.
상기 다른 프리커서는, 싱글 소스법의 경우에는, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물과, 열 및/또는 산화 분해의 거동이 유사한 화합물이 바람직하고, 칵테일 소스법의 경우에는, 열 및/또는 산화 분해의 거동이 유사한 것에 추가하여, 혼합 시에 화학 반응 등에 의한 변질을 일으키지 않는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 박막 형성용 원료에는, 필요에 따라, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물 및 다른 프리커서의 안정성을 부여하기 위해, 구핵성 시약을 함유해도 된다. 그 구핵성 시약으로는, 글라임, 디글라임, 트리글라임, 테트라글라임 등의 에틸렌글리콜에테르류, 18-크라운-6, 디시클로헥실-18-크라운-6, 24-크라운-8, 디시클로헥실-24-크라운-8, 디벤조-24-크라운-8 등의 크라운에테르류, 에틸렌디아민, N,N'-테트라메틸에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민, 1,1,4,7,7-펜타메틸디에틸렌트리아민, 1,1,4,7,10,10-헥사메틸트리에틸렌테트라민, 트리에톡시트리에틸렌아민 등의 폴리아민류, 사이클람, 사이클렌 등의 고리형 폴리아민류, 피리딘, 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린, N-메틸피롤리딘, N-메틸피페리딘, N-메틸모르폴린, 테트라하이드로푸란, 테트라하이드로피란, 1,4-디옥산, 옥사졸, 티아졸, 옥사티올란 등의 복소 고리 화합물류, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세토아세트산-2-메톡시에틸 등의 β-케토에스테르류 또는 아세틸아세톤, 2,4-헥산디온, 2,4-헵탄디온, 3,5-헵탄디온, 디피발로일메탄 등의 β-디케톤류를 들 수 있고, 이들 구핵성 시약의 사용량은, 프리커서 전체의 양 1 몰에 대해 0.1 몰 ∼ 10 몰의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 4 몰이다.
본 발명의 박막 형성용 원료에는, 이것을 구성하는 성분 이외의 불순물 금속 원소분 (元素分), 불순물 염소 등의 불순물 할로겐분, 및 불순물 유기분 (有機分) 이 최대한 포함되지 않도록 한다. 불순물 금속 원소분은, 원소마다로는 100 ppb 이하가 바람직하고, 10 ppb 이하가 보다 바람직하고, 총량으로는, 1 ppm 이하가 바람직하고, 100 ppb 이하가 보다 바람직하다. 특히, LSI 의 게이트 절연막, 게이트막, 배리어층으로서 사용하는 경우에는, 얻어지는 박막의 전기적 특성에 영향이 있는 알칼리 금속 원소, 알칼리 토금속 원소, 및, 동속 원소의 함유량을 적게 할 필요가 있다. 불순물 할로겐분은, 100 ppm 이하가 바람직하고, 10 ppm 이하가 보다 바람직하고, 1 ppm 이하가 더욱 바람직하다. 불순물 유기분은, 총량으로 500 ppm 이하가 바람직하고, 50 ppm 이하가 보다 바람직하고, 10 ppm 이하가 더욱 바람직하다. 또, 수분은, 화학 기상 성장용 원료 중에서의 파티클 발생이나, 박막 형성 중에 있어서의 파티클 발생의 원인이 되므로, 금속 화합물, 유기 용제, 및, 구핵성 시약에 대해서는, 각각의 수분의 저감을 위해서, 사용 시에 미리 가능한 한 수분을 제거한 편이 좋다. 금속 화합물, 유기 용제 및 구핵성 시약 각각의 수분량은, 10 ppm 이하가 바람직하고, 1 ppm 이하가 더욱 바람직하다.
또, 본 발명의 박막 형성용 원료는, 형성되는 박막의 파티클 오염을 저감 또는 방지하기 위해서, 파티클이 최대한 포함되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 액상에서의 광 산란식 액 중 입자 검출기에 의한 파티클 측정에 있어서, 0.3 ㎛ 보다 큰 입자의 수가 액상 1 ml 중에 100 개 이하인 것이 바람직하고, 0.2 ㎛ 보다 큰 입자의 수가 액상 1 ml 중에 1000 개 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.2 ㎛ 보다 큰 입자의 수가 액상 1 ml 중에 100 개 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 박막 형성용 원료를 사용하여 박막을 제조하는 본 발명의 박막의 제조 방법으로는, 본 발명의 박막 형성용 원료를 기화시킨 증기, 및 필요에 따라 사용되는 반응성 가스를, 기체가 설치된 성막 챔버 내 (처리 분위기) 에 도입하고, 이어서, 프리커서를 기체 상에서 분해 및/또는 화학 반응시켜 금속을 함유하는 박막을 기체 표면에 성장, 퇴적시키는 CVD 법에 의한 것이다. 원료의 수송 공급 방법, 퇴적 방법, 제조 조건, 제조 장치 등에 대해서는, 특별히 제한을 받지 않고, 주지 일반의 조건 및 방법을 이용할 수 있다.
상기 필요에 따라 사용되는 반응성 가스로는, 예를 들어, 산화성의 것으로는 산소, 오존, 이산화질소, 일산화질소, 수증기, 과산화수소, 포름산, 아세트산, 무수 아세트산 등을 들 수 있고, 환원성의 것으로는 수소를 들 수 있고, 또, 질화물을 제조하는 것으로는, 모노알킬아민, 디알킬아민, 트리알킬아민, 알킬렌디아민 등의 유기 아민 화합물, 하이드라진, 암모니아 등을 들 수 있고, 이들은 1 종 또는 2 종 이상 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명의 박막 형성용 원료는 오존과의 반응성이 양호한 점에서, 반응성 가스로서 1 종을 사용하는 경우에는 오존을 사용하는 것이 바람직하고, 반응성 가스로서 2 종 이상의 혼합 가스를 사용하는 경우에는 적어도 오존을 포함하는 것이 바람직하다.
또, 상기 수송 공급 방법으로는, 전술한 기체 수송법, 액체 수송법, 싱글 소스법, 칵테일 소스법 등을 들 수 있다.
또, 상기 퇴적 방법으로는, 원료 가스 또는 원료 가스와 반응성 가스를 열에 의해서만 반응시켜 박막을 퇴적시키는 열 CVD, 열과 플라즈마를 사용하는 플라즈마 CVD, 열과 광을 사용하는 광 CVD, 열, 광 및 플라즈마를 사용하는 광 플라즈마 CVD, CVD 의 퇴적 반응을 소과정 (素過程) 으로 나누고, 분자 레벨로 단계적으로 퇴적을 실시하는 ALD 를 들 수 있다.
상기 기체의 재질로는, 예를 들어, 실리콘 ; 질화규소, 질화티탄, 질화탄탈, 산화티탄, 질화티탄, 산화루테늄, 산화지르코늄, 산화하프늄, 산화란탄 등의 세라믹스 ; 유리 ; 금속 루테늄 등의 금속을 들 수 있다. 기체의 형상으로는, 판상, 구상, 섬유상, 인편상을 들 수 있다. 기체 표면은, 평면이어도 되고, 트렌치 구조 등의 삼차원 구조로 되어 있어도 된다.
또, 상기 제조 조건으로는, 반응 온도 (기체 온도), 반응 압력, 퇴적 속도 등을 들 수 있다. 반응 온도에 대해서는, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물이 충분히 반응하는 온도인 100 ℃ 이상이 바람직하고, 150 ℃ ∼ 400 ℃ 가 보다 바람직하고, 200 ℃ ∼ 350 ℃ 가 특히 바람직하다. 또, 반응 압력은, 열 CVD 또는 광 CVD 의 경우, 10 Pa ∼ 대기압이 바람직하고, 플라즈마를 사용하는 경우, 10 Pa ∼ 2000 Pa 가 바람직하다.
또, 퇴적 속도는, 원료의 공급 조건 (기화 온도, 기화 압력), 반응 온도, 반응 압력에 의해 컨트롤할 수 있다. 퇴적 속도는, 크면 얻어지는 박막의 특성이 악화되는 경우가 있고, 작으면 생산성에 문제를 일으키는 경우가 있으므로, 0.01 nm/분 ∼ 100 nm/분이 바람직하고, 1 nm/분 ∼ 50 nm/분이 보다 바람직하다. 또, ALD 법의 경우에는, 원하는 막두께가 얻어지도록 사이클의 횟수로 컨트롤된다.
상기의 제조 조건으로서 또한, 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 할 때의 온도나 압력을 들 수 있다. 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 하는 공정은, 원료 용기 내에서 실시해도 되고, 기화실 내에서 실시해도 된다. 어느 경우에 있어서도, 본 발명의 박막 형성용 원료는 0 ℃ ∼ 150 ℃ 에서 증발시키는 것이 바람직하다. 또, 원료 용기 내 또는 기화실 내에서 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 하는 경우에 원료 용기 내의 압력 및 기화실 내의 압력은 모두 1 Pa ∼ 10000 Pa 인 것이 바람직하다.
본 발명의 박막의 제조 방법은, ALD 법을 채용하고, 상기 수송 공급 방법에 의해, 박막 형성용 원료를 기화시켜 증기로 하고, 그 증기를 성막 챔버 내에 도입하는 원료 도입 공정 외에, 그 증기 중의 상기 화합물에 의해 상기 기체의 표면에 전구체 박막을 형성하는 전구체 박막 성막 공정, 미반응의 화합물 가스를 배기하는 배기 공정 및 그 전구체 박막을 반응성 가스와 화학 반응시켜, 그 기체의 표면에 금속을 함유하는 박막을 형성하는 금속 함유 박막 형성 공정을 가지고 있어도 된다.
이하, 상기 ALD 법의 각 공정에 대해, 금속 산화물 박막을 형성하는 경우를 예로 상세하게 설명한다. 먼저, 상기 서술한 원료 도입 공정을 실시한다. 박막 형성용 원료를 증기로 할 때의 바람직한 온도나 압력은, CVD 법에 의한 박막의 제조 방법에서 설명한 것과 동일하다. 다음으로, 성막 챔버에 도입한 증기와 기체의 표면이 접촉함으로써, 기체 표면에 전구체 박막을 형성한다 (전구체 박막 형성 공정). 이때에, 기체를 가열하거나, 성막 챔버를 가열하여, 열을 가해도 된다. 이 공정에서 성막되는 전구체 박막은, 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물로부터 생성된 박막이거나, 또는 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물의 일부가 분해 및/또는 반응하여 생성된 박막이며, 목적의 금속 산화물 박막과는 상이한 조성을 갖는다. 본 공정이 실시될 때의 기체 온도는, 실온 ∼ 500 ℃ 가 바람직하고, 150 ℃ ∼ 350 ℃ 가 보다 바람직하다. 본 공정이 실시될 때의 계 (성막 챔버 내) 의 압력은 1 Pa ∼ 10000 Pa 가 바람직하고, 10 Pa ∼ 1000 Pa 가 보다 바람직하다.
다음으로, 미반응의 화합물 가스나 부생한 가스를 성막 챔버로부터 배기한다 (배기 공정). 미반응의 화합물 가스나 부생한 가스는, 성막 챔버로부터 완전하게 배기되는 것이 이상적이지만, 반드시 완전히 배기될 필요는 없다. 배기 방법으로는, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스에 의해 계 내를 퍼지하는 방법, 계 내를 감압함으로써 배기하는 방법, 이들을 조합한 방법 등을 들 수 있다. 감압하는 경우의 감압도는, 0.01 Pa ∼ 300 Pa 가 바람직하고, 0.01 Pa ∼ 100 Pa 가 보다 바람직하다.
다음으로, 성막 챔버에 반응성 가스로서 산화성 가스를 도입하고, 그 산화성 가스의 작용 또는 산화성 가스 및 열의 작용에 의해, 앞서의 전구체 박막 형성 공정에서 얻은 전구체 박막으로 금속 산화물 박막을 형성한다 (금속 산화물 함유 박막 형성 공정). 본 공정에 있어서 열을 작용시키는 경우의 온도는, 실온 ∼ 500 ℃ 가 바람직하고, 150 ∼ 350 ℃ 가 보다 바람직하다. 본 공정이 실시될 때의 계 (성막 챔버 내) 의 압력은 1 Pa ∼ 10000 Pa 가 바람직하고, 10 Pa ∼ 1000 Pa 가 보다 바람직하다. 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물은, 산화성 가스와의 반응성이 양호하기 때문에, 잔류 탄소 함유량이 적은 고품질의 금속 산화물 박막을 얻을 수 있다.
본 발명의 박막의 제조 방법에 있어서, 상기와 같이 ALD 법을 채용한 경우, 상기 원료 도입 공정, 전구체 박막 형성 공정, 배기 공정 및 금속 산화물 함유 박막 형성 공정으로 이루어지는 일련의 조작에 의한 박막 퇴적을 1 사이클로 하고, 이 사이클을 필요한 막두께의 박막이 얻어질 때까지 복수회 반복해도 된다. 이 경우, 1 사이클 실시한 후, 상기 배기 공정과 동일하게 하여, 퇴적 반응부로부터 미반응의 화합물 가스 및 반응성 가스 (금속 산화물 박막을 형성하는 경우에는 산화성 가스), 또한 부성한 가스를 배기한 후, 다음의 1 사이클을 실시하는 것이 바람직하다.
또, 금속 산화물 박막의 ALD 법에 의한 형성에 있어서는, 플라즈마, 광, 전압 등의 에너지를 인가해도 되고, 촉매를 사용해도 된다. 그 에너지를 인가하는 시기 및 촉매를 사용하는 시기는, 특별히는 한정되지 않고, 예를 들어, 원료 도입 공정에 있어서의 화합물 가스 도입 시, 전구체 박막 성막 공정 또는 금속 산화물 함유 박막 형성 공정에 있어서의 가온 시, 배기 공정에 있어서의 계 내의 배기 시, 금속 산화물 함유 박막 형성 공정에 있어서의 산화성 가스 도입 시여도 되고, 상기 각 공정의 사이여도 된다.
또, 본 발명의 박막의 제조 방법에 있어서는, 박막 퇴적 후에, 보다 양호한 전기 특성을 얻기 위해서 불활성 분위기하, 산화성 분위기하 또는 환원성 분위기하에서 어닐 처리를 실시해도 되고, 단차 매립이 필요한 경우에는, 리플로 공정을 설치해도 된다. 이 경우의 온도는, 200 ℃ ∼ 1000 ℃ 이며, 250 ℃ ∼ 500 ℃ 가 바람직하다.
본 발명의 박막 형성용 원료를 사용하여 박막을 제조하는 장치는, 주지의 화학 기상 성장법용 장치를 사용할 수 있다. 구체적인 장치의 예로는 도 1 과 같은 프리커서를 버블링 공급할 수 있는 장치나, 도 2 와 같이 기화실을 갖는 장치를 들 수 있다. 또, 도 3 및 도 4 와 같이 반응성 가스에 대해 플라즈마 처리를 실시할 수 있는 장치를 들 수 있다. 도 1 ∼ 도 4 와 같은 매엽식 장치로 한정하지 않고, 배치로를 사용한 다수매 동시 처리 가능한 장치를 사용할 수도 있다.
본 발명의 박막 형성용 원료를 사용하여 제조되는 박막은, 다른 프리커서, 반응성 가스 및 제조 조건을 적절히 선택함으로써, 메탈, 산화물 세라믹스, 질화물 세라믹스, 유리 등의 원하는 종류의 박막으로 할 수 있다. 그 박막은 전기 특성 및 광학 특성 등을 나타내는 것이 알려져 있고, 여러 가지 용도에 응용되고 있다. 예를 들어, 이트륨 함유 박막은, YBCO 계 초전도체로서 이용되고 있다. 또, 란탄 함유 박막은, 강유전체계 PLZT 로서 이용되고 있다. 또, 많은 란타노이드 원자는, 특정 박막의 전기 특성을 향상시키는 기능이나 발광성을 향상시키는 기능을 부여하기 위한 도펀트로서 사용된다.
실시예
이하, 실시예, 제조예, 비교예 및 평가예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하의 실시예 등에 의해 하등 제한을 받지 않는다.
[실시예 1]화합물 No.26
반응 플라스크에, 22 g 의 이트륨-트리스-트리메틸실릴아미드와, 86 g 의 탈수 톨루엔을 첨가하고, 충분히 혼합하였다. 이 현탁액에 실온 (20 ℃) 에서, 23 g 의 2-에틸이미노-3-에틸펜탄-3-올을 적하하였다. 적하 종료 후에는 백색의 현탁액이 되었지만, 60 ℃ 에서 가열 후 바로 담황색 투명 액체로 변화하였다. 그 후, 감압하 오일 배스 100 ℃ 에서 탈용매를 실시하고, 그 후, 고체의 건조는 감압하 오일 배스 113 ℃ 에서 실시하였다. 생성된 이트륨 착물 (적갈색 점성 액체) 을 플라스크에 넣어 증류 정제를 실시하였다. 가열 온도 189 ℃, 압력 20 Pa 로 증류 정제를 실시하여, 담황색 고체 9.1 g 을 얻었다. 얻어진 고체의 융점은 51 ℃ 였다.
(분석값)
(1) 상압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 278 ℃ (Ar 유량 : 100 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(2) 감압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 194 ℃ (Ar 유량 : 50 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(3) 1H-NMR (중벤젠)
1.00 ppm (6H, 삼중항), 1.30 (3H, 삼중항), 1.44 ppm (3H, 단일항), 1.55-1.70 ppm (4H, 다중항), 3.43 ppm (2H, 사중항)
(4) 원소 분석 (이론값)
C : 58.3 % (58.2 %), H : 9.9 % (9.8 %), Y : 15.7 % (15.9 %), N : 7.3 % (7.5 %), O : 8.8 % (8.6 %)
[실시예 2]화합물 No.44
반응 플라스크에, 3.4 g 의 란탄-트리스-트리메틸실릴아미드와, 21 g 의 탈수 톨루엔을 첨가하고, 충분히 혼합시켰다. 이 현탁액에 실온 (20 ℃) 에서, 2.4 g 의 2-에틸이미노-3-메틸펜탄-3-올을 적하하였다. 실온에서 24 시간 교반 후, 담황색 투명 용액을 얻었다. 그 후, 감압하 오일 배스 110 ℃ 에서 탈용매를 실시하고, 고체의 건조는 감압하 오일 배스 120 ℃ 에서 실시하였다. 생성된 란탄 착물 (담황색 액체) 을 플라스크에 넣고, 소형 정제 장치에 접속하였다. 가열 온도 200 ℃, 30 Pa 로 증류 정제를 실시하여, 담황색 액체 1.0 g 을 얻었다. 얻어진 고체의 융점은 63 ℃ 였다.
(분석값)
(1) 상압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 276 ℃ (Ar 유량 : 100 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(2) 감압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 250 ℃ (Ar 유량: 50 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(3) 1H-NMR (중벤젠)
1.06 ppm (3H, 삼중항), 1.19 ppm (3H, 삼중항), 1.56 ppm (3H, broad), 1.64 ppm (3H, 단일항), 1.71 ppm (1H, 다중항), 1.87 ppm (1H, 다중항)
(4) 원소 분석 (이론값)
C : 50.8 % (51.0 %), H : 8.7 % (8.6 %), La : 24.6 % (24.6 %), N : 7.1 % (7.4 %), O : 8.8 % (8.5 %)
[실시예 3]화합물 No.47
반응 플라스크에, 14 g 의 란탄-트리스-트리메틸실릴아미드와, 86 g 의 탈수 톨루엔을 첨가하고, 충분히 혼합시켰다. 이 현탁액에 실온 (20 ℃) 에서, 12 g 의 2-에틸이미노-3-에틸펜탄-3-올을 적하하였다. 가열 후 실온에서 20 시간 교반 반응시켰다. 그 후, 감압하 오일 배스 105 ℃ 에서 탈용매를 실시하고, 그 후 건조는 감압하 오일 배스 125 ℃ 에서 실시하였다. 생성된 란탄 착물 (적갈색 점성 액체) 을 플라스크에 넣어 증류 정제를 실시하였다. 가열 온도 175 ℃, 압력 30 Pa 로 증류 정제를 실시하여, 담황색 고체 5.2 g 을 얻었다. 얻어진 고체의 융점은 69 ℃ 였다.
(분석값)
(1) 상압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 258 ℃ (Ar 유량 : 100 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(2) 감압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 200 ℃ (Ar 유량: 50 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(3) 1H-NMR (중벤젠)
1.02 ppm (6H, 삼중항), 1.39 (3H, 삼중항), 1.45 ppm (3H, 단일항), 1.57-1.64 ppm (4H, 다중항), 3.3 ppm (2H, 사중항)
(4) 원소 분석 (이론값)
C : 53.6 % (53.4 %), H : 9.1 % (9.0 %), La : 22.8 % (22.9 %), N : 6.9 % (6.9 %), O : 7.7 % (7.9 %)
[실시예 4]화합물 No.341
반응 플라스크에, 1.0 g 의 루테튬-트리스-트리메틸실릴아미드와, 20 g 의 탈수 톨루엔을 첨가하고, 충분히 혼합시켰다. 이 현탁액에 실온 (20 ℃) 에서, 0.72 g 의 2-에틸이미노-3-에틸펜탄-3-올을 적하하였다. 백색의 현탁액은 담황색 투명 액체로 변화하였다. 적하 종료 후, 실온에서 종야 교반시켰다. 그 후, 감압하 오일 배스 105 ℃ 에서 탈용매를 실시하고, 생성된 루테튬 착물 (담황색 점성 액체) 을 충분히 건조시켰다. 이 루테튬 착물을 플라스크에 넣어 승화 정제 장치에 접속하였다. 장치 가열 온도 180 ℃, 30 Pa 로 승화 정제를 실시하여, 백색 고체 0.5 g 을 얻었다. 얻어진 고체의 융점은 185 ℃ 였다.
(분석값)
(1) 상압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 277 ℃ (Ar 유량 : 100 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(2) 감압 TG-DTA
질량 50 % 감소 온도 : 192 ℃ (Ar 유량 : 50 ml/분, 승온 10 ℃/분)
(3) 1H-NMR (중벤젠)
1.00 ppm (6H, 삼중항), 1.28 ppm (3H, 삼중항), 1.45 ppm (3H, 단일항), 1.55 ∼ 1.75 ppm (4H, 다중항), 3.48 ppm (2H, 사중항)
(4) 원소 분석 (이론값)
C : 50.6 % (50.4 %), H : 8.3 % (8.46 %), Lu : 27.0 % (27.2 %), N : 6.3 % (6.53 %), O : 7.5 % (7.46 %)
[평가예 1]알콕사이드 화합물의 물성 평가
실시예 1 ∼ 4 에서 얻어진 본 발명의 금속 알콕사이드 화합물 No.26, 44, 47, 314 그리고 하기 비교 화합물 1, 2 및 3 에 대해, 미소 융점 측정 장치를 사용하여 융점을 측정하였다. 또, TG-DTA 측정 장치를 사용하여, 감압 분위기하 (10 torr) 에서의 가열에 의해 샘플 질량이 50 질량% 감소한 시점의 온도 (이하, 「TG 50 % 감소 시 온도」 로 약기하는 경우가 있다) 를 확인하였다. 융점이 낮은 것은 수송성이 양호하므로 바람직하고, TG 50 % 감소 시 온도가 낮은 것은 증기압이 높으므로 바람직하다고 판단할 수 있다. 결과를 표 1, 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
[화학식 37]
표 1 의 결과에 의해, 화합물 No.26 과 유사한 구조를 갖는 3 급 아미노알콕사이드이트륨 화합물인 비교 화합물 1 을 비교하면, 화합물 No.26 은 융점이 낮고, TG 50 % 감소 시 온도도 낮은 것을 알 수 있었다. 화합물 No.26 은, 비교 화합물 1 보다 융점이 낮고, 또한 증기압이 높은 점에서, 박막 형성용 원료로서 바람직한 화합물인 것을 알 수 있었다.
표 2 의 결과에 의해, 화합물 No.44, 화합물 No.47, 및 이들과 유사한 구조를 갖는 3 급 아미노알콕사이드란탄 화합물인 비교 화합물 2 를 비교하면, 화합물 No.44 및 화합물 No.47 은 융점이 낮고, TG 50 % 감소 시 온도도 낮은 것을 알 수 있었다. 그 중에서도, 화합물 no.47 은 TG 50 % 감소 시 온도가 특히 낮고, 높은 증기압을 갖는 것을 알 수 있었다. 화합물 No.44 및 화합물 No.47 은, 비교 화합물 2 보다 융점이 낮고, 또한 증기압이 높은 점에서, 박막 형성용 원료로서 바람직한 화합물인 것을 알 수 있었다.
표 3 의 결과에 의해, 화합물 No.341 과 유사한 구조를 갖는 3 급 아미노알콕사이드루테튬 화합물인 비교 화합물 3 을 비교하면, 화합물 No.341 은 융점이 낮고, TG 50 % 감소 시 온도도 낮은 것을 알 수 있었다.
또, 비교예 3 에서 측정한 TG 50 % 감소 시 온도의 결과, 비교 화합물 3 을 600 ℃ 까지 가열해도 40 ∼ 45 질량% 밖에 질량이 감소하지 않았던 점에서, 비교 화합물 3 은 증기압이 낮아 박막 형성용 원료로는 적합하지 않은 것을 알 수 있었다. 화합물 No.26 은, 비교 화합물 1 보다 융점이 낮고, 또한 증기압이 높은 점에서, 박막 형성용 원료로서 바람직한 화합물인 것을 알 수 있었다.
[실시예 5]산화이트륨 박막의 제조
화합물 No.26 을 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 도 1 에 나타내는 장치를 사용하여 이하의 조건의 ALD 법에 의해, 실리콘 웨이퍼 상에 산화이트륨 박막을 제조하였다.
얻어진 박막을 X 선 광전자 분광법에 의한 박막 조성을 확인한 바, 얻어진 박막은 산화이트륨 (Y : O = 2 : 3) 이고, 탄소 함유량은 검출 하한인 0.1 atom% 보다 적었다. 또, X 선 반사율법에 의한 막두께 측정을 실시하고, 그 평균값을 산출한 바, 막두께는 평균 70 nm 이며, 1 사이클당에 얻어지는 막두께는 평균 0.07 nm 였다. 또, FE-SEM 을 사용한 단면 관찰의 결과, 박막의 표면은 평활하였다.
(조건)
기판 : 실리콘 웨이퍼
반응 온도 (실리콘 웨이퍼 온도) ; 325 ℃
반응성 가스 : H2O
하기 (1) ∼ (4) 로 이루어지는 일련의 공정을 1 사이클로 하고, 1000 사이클 반복하였다 ;
(1) 원료 용기 온도 : 160 ℃, 원료 용기 내 압력 : 100 Pa 의 조건으로 기화시킨 원자층 퇴적법용 원료를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 Pa 로 30 초간 퇴적시킨다 ;
(2) 15 초간의 아르곤 퍼지에 의해, 퇴적하지 않은 원료를 제거한다 ;
(3) 반응성 가스를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 Pa 로 0.2 초간 반응시킨다 ;
(4) 15 초 간의 아르곤 퍼지에 의해, 미반응의 제 1 반응성 가스 및 부생 가스를 제거한다.
[비교예 4]산화이트륨 박막의 제조
비교 화합물 1 을 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 실시예 5 와 동일한 조건하에서 실리콘 기판 상에 산화이트륨 박막을 제조하였다. 얻어진 박막에 대해, X 선 반사율법에 의한 막두께 측정, X 선 회절법 및 X 선 광전자 분광법에 의한 박막 구조 및 박막 조성의 확인을 실시한 바, 막두께는 4 nm 이며, 막조성은 산화이트륨이며, 박막 중의 잔류 탄소 함유량은 10 atom% 이상이었다. 1 사이클당에 얻어지는 막두께는, 0.004 nm 였다.
실시예 5 의 결과로부터, 화합물 No.26 을 ALD 법용의 박막 형성용 원료로서 사용한 경우, 우수한 품질의 산화이트륨 박막을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다. 한편, 비교 화합물 1 을 ALD 법용의 박막 형성용 원료로서 사용한 경우에 얻어지는 박막은 잔류 탄소가 많아, 품질이 나쁜 박막인 것을 알 수 있었다.
[실시예 6]산화란탄 박막의 제조
화합물 No.44 를 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 도 1 에 나타내는 장치를 사용하여 이하의 조건의 ALD 법에 의해, 실리콘 웨이퍼 상에 산화란탄 박막을 제조하였다.
얻어진 박막을 X 선 광전자 분광법에 의한 박막 조성을 확인한 바, 얻어진 박막은 산화란탄 (La : O = 2 : 3) 이고, 탄소 함유량은 검출 하한인 0.1 atom% 보다 적었다. 또, X 선 반사율법에 의한 막두께 측정을 실시하고, 그 평균값을 산출한 바, 막두께는 60 nm 이며, 1 사이클당에 얻어지는 막두께는 평균 0.06 nm 였다. 또, FE-SEM 을 사용한 단면 관찰의 결과, 박막의 표면은 평활하였다.
(조건)
기판 : 실리콘 웨이퍼
반응 온도 (실리콘 웨이퍼 온도) ; 325 ℃
반응성 가스 : H2O
하기 (1) ∼ (4) 로 이루어지는 일련의 공정을 1 사이클로 하고, 1000 사이클 반복하였다 :
(1) 원료 용기 온도 : 160 ℃, 원료 용기 내 압력 : 100 Pa 의 조건으로 기화시킨 원자층 퇴적법용 원료를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 Pa 로 30 초간 퇴적시킨다 ;
(2) 15 초간의 아르곤 퍼지에 의해, 퇴적하지 않은 원료를 제거한다 ;
(3) 반응성 가스를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 Pa 로 0.2 초간 반응시킨다 ;
(4) 15 초간의 아르곤 퍼지에 의해, 미반응의 제 1 반응성 가스 및 부생 가스를 제거한다.
[실시예 7]산화란탄 박막의 제조
화합물 No.47 을 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 실시예 6 과 동일한 조건하에서 실리콘 기판 상에 산화란탄 박막을 제조하였다. 얻어진 박막을 X 선 광전자 분광법에 의한 박막 조성을 확인한 바, 얻어진 박막은 산화란탄 (La : O = 2 : 3) 이고, 탄소 함유량은 검출 하한인 0.1 atom% 보다 적었다. 또, X 선 반사율법에 의한 막두께 측정을 실시하고, 그 평균값을 산출한 바, 막두께는 70 nm 이며, 1 사이클당에 얻어지는 막두께는 평균 0.07 nm 였다. 또, FE-SEM 을 사용한 단면 관찰의 결과, 박막의 표면은 평활하였다.
[비교예 5]산화란탄 박막의 제조
비교 화합물 2 를 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 실시예 6 과 동일한 조건 하에서 실리콘 기판 상에 산화란탄 박막을 제조하였다. 얻어진 박막에 대해, X 선 반사율법에 의한 막두께 측정, X 선 회절법 및 X 선 광전자 분광법에 의한 박막 구조 및 박막 조성의 확인을 실시한 바, 막두께는 3 nm 이며, 막조성은 산화란탄이며, 박막 중의 잔류 탄소 함유량은 10 atom% 이상이었다. 1 사이클당에 얻어지는 막두께는, 0.003 nm 였다.
실시예 6 및 실시예 7 의 결과로부터, 화합물 No.44 및 화합물 No.47 을 ALD 법용의 박막 형성용 원료로서 사용한 경우, 우수한 품질의 산화란탄 박막을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다. 한편, 비교 화합물 2 를 ALD 법용의 박막 형성용 원료로서 사용한 경우에 얻어지는 박막은 잔류 탄소가 많아, 품질이 나쁜 박막인 것을 알 수 있었다.
[실시예 8]산화루테튬 박막의 제조
화합물 No.341 을 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 도 1 에 나타내는 장치를 사용하여 이하의 조건의 ALD 법에 의해, 실리콘 웨이퍼 상에 산화루테튬 박막을 제조하였다.
얻어진 박막을 X 선 광전자 분광법에 의한 박막 조성을 확인한 바, 얻어진 박막은 산화루테튬 (Lu : O = 2 : 3) 이며, 탄소 함유량은 검출 하한인 0.1 atom% 보다 적었다. 또, X 선 반사율법에 의한 막두께 측정을 실시하고, 그 평균값을 산출한 바, 막두께는 65 nm 이며, 1 사이클당에 얻어지는 막두께는 평균 0.065 nm 였다. 또, FE-SEM 을 사용한 단면 관찰의 결과, 박막의 표면은 평활하였다.
(조건)
기판 : 실리콘 웨이퍼
반응 온도 (실리콘 웨이퍼 온도) ; 325 ℃
반응성 가스 : H2O
하기 (1) ∼ (4) 로 이루어지는 일련의 공정을 1 사이클로 하고, 1000 사이클 반복하였다 :
(1) 원료 용기 온도 : 160 ℃, 원료 용기 내 압력 : 100 Pa 의 조건으로 기화시킨 원자층 퇴적법용 원료를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 Pa 로 30 초간 퇴적시킨다 ;
(2) 15 초간의 아르곤 퍼지에 의해, 퇴적하지 않은 원료를 제거한다 ;
(3) 반응성 가스를 성막 챔버에 도입하고, 계 압력 : 100 Pa 로 0.2 초간 반응시킨다 ;
(4) 15 초간의 아르곤 퍼지에 의해, 미반응의 제 1 반응성 가스 및 부생 가스를 제거한다.
[비교예 6]산화루테튬 박막의 제조
비교 화합물 3 을 원자층 퇴적법용 원료로 하고, 실시예 6 과 동일한 조건하에서 실리콘 기판 상에 산화루테튬 박막을 제조하였다. 얻어진 박막에 대해, X 선 반사율법에 의한 막두께 측정, X 선 회절법 및 X 선 광전자 분광법에 의한 박막 구조 및 박막 조성의 확인을 실시한 바, 막두께는 4 nm 이며, 막조성은 산화루테튬이며, 박막 중의 잔류 탄소 함유량은 3 atom% 이상이었다. 1 사이클당에 얻어지는 막두께는, 0.004 nm 였다.
실시예 8 의 결과로부터, 화합물 No.341 을 ALD 법용의 박막 형성용 원료로서 사용한 경우, 우수한 품질의 산화루테튬 박막을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다. 한편, 비교 화합물 3 을 ALD 법용의 박막 형성용 원료로서 사용한 경우에 얻어지는 박막은 잔류 탄소가 많아, 품질이 나쁜 박막인 것을 알 수 있었다.
Claims (3)
- 하기 일반식 (1) 로 나타내는 금속 알콕사이드 화합물 :
(식 중, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R3 은, 탄소 원자수 2 또는 3 의 알킬기를 나타내고, M 은, 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 또는 루테튬 원자를 나타내고, n 은, M 으로 나타내는 원자의 가수를 나타낸다.) - 제 1 항에 기재된 금속 알콕사이드 화합물을 함유하여 이루어지는 박막 형성용 원료.
- 기체의 표면에 스칸듐 원자, 이트륨 원자, 란탄 원자, 세륨 원자, 프라세오디뮴 원자, 네오디뮴 원자, 프로메튬 원자, 사마륨 원자, 유로퓸 원자, 가돌리늄 원자, 테르븀 원자, 디스프로슘 원자, 홀뮴 원자, 에르븀 원자, 툴륨 원자, 이테르븀 원자 및 루테튬 원자에서 선택되는 적어도 1 종의 원자를 함유하는 박막의 제조 방법으로서, 제 2 항에 기재된 금속 알콕사이드 화합물을 함유하여 이루어지는 박막 형성용 원료를 기화시킴으로써 얻어지는 금속 알콕사이드 화합물을 함유하는 증기를 처리 분위기에 도입하고, 금속 알콕사이드 화합물을 분해 및/또는 화학 반응시켜 상기 기체의 표면에 퇴적시키는 공정을 포함하는 박막의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017121413 | 2017-06-21 | ||
JPJP-P-2017-121413 | 2017-06-21 | ||
PCT/JP2018/020352 WO2018235530A1 (ja) | 2017-06-21 | 2018-05-28 | 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200019608A true KR20200019608A (ko) | 2020-02-24 |
Family
ID=64735740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197034538A KR20200019608A (ko) | 2017-06-21 | 2018-05-28 | 금속 알콕사이드 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200148706A1 (ko) |
EP (1) | EP3643700A4 (ko) |
JP (1) | JPWO2018235530A1 (ko) |
KR (1) | KR20200019608A (ko) |
CN (1) | CN110709381A (ko) |
IL (1) | IL271462A (ko) |
TW (1) | TW201908286A (ko) |
WO (1) | WO2018235530A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114874499B (zh) * | 2021-02-05 | 2023-05-26 | 北京化工大学 | 一种氧化石墨烯负载稀土硫化促进剂及其制备方法 |
TWI828051B (zh) * | 2021-02-05 | 2024-01-01 | 德商贏創運營有限公司 | 鹼金屬烷氧化物之高能效製備方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014077089A1 (ja) | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 株式会社Adeka | 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びアルコール化合物 |
JP2015205837A (ja) | 2014-04-21 | 2015-11-19 | 株式会社Adeka | アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法及びアルコール化合物 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2603749A1 (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-12 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Volatile nickel aminoalkoxide complex and deposition of nickel thin film using same |
WO2013188377A1 (en) * | 2012-06-11 | 2013-12-19 | Wayne State University | Precursors for atomic layer deposition |
US9758866B2 (en) * | 2013-02-13 | 2017-09-12 | Wayne State University | Synthesis and characterization of first row transition metal complexes containing α-imino alkoxides as precursors for deposition of metal films |
-
2018
- 2018-05-28 KR KR1020197034538A patent/KR20200019608A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-05-28 WO PCT/JP2018/020352 patent/WO2018235530A1/ja unknown
- 2018-05-28 JP JP2019525273A patent/JPWO2018235530A1/ja active Pending
- 2018-05-28 US US16/609,622 patent/US20200148706A1/en not_active Abandoned
- 2018-05-28 EP EP18820895.3A patent/EP3643700A4/en not_active Withdrawn
- 2018-05-28 CN CN201880037348.4A patent/CN110709381A/zh active Pending
- 2018-06-06 TW TW107119457A patent/TW201908286A/zh unknown
-
2019
- 2019-12-16 IL IL271462A patent/IL271462A/en unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014077089A1 (ja) | 2012-11-13 | 2014-05-22 | 株式会社Adeka | 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びアルコール化合物 |
JP2015205837A (ja) | 2014-04-21 | 2015-11-19 | 株式会社Adeka | アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法及びアルコール化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110709381A (zh) | 2020-01-17 |
TW201908286A (zh) | 2019-03-01 |
JPWO2018235530A1 (ja) | 2020-04-23 |
EP3643700A1 (en) | 2020-04-29 |
EP3643700A4 (en) | 2021-03-10 |
US20200148706A1 (en) | 2020-05-14 |
WO2018235530A1 (ja) | 2018-12-27 |
IL271462A (en) | 2020-01-30 |
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