KR20190067816A - Work splitting device and work splitting method - Google Patents
Work splitting device and work splitting method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190067816A KR20190067816A KR1020197011634A KR20197011634A KR20190067816A KR 20190067816 A KR20190067816 A KR 20190067816A KR 1020197011634 A KR1020197011634 A KR 1020197011634A KR 20197011634 A KR20197011634 A KR 20197011634A KR 20190067816 A KR20190067816 A KR 20190067816A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ring
- dicing tape
- extension
- expansion
- regulating
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
칩 사이즈가 소(小)칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있는 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법을 제공한다. 웨이퍼 유닛(2)의 프레임(4)을, 확장 규제 링(16)의 프레임 고정부(12)에 의해 고정한다. 다음으로, 익스팬드 링(14)을 상승 이동시키고, 환(環) 형상부 영역(3B)의 전체 영역의 확장을 개시한다. 다음으로, 익스팬드 링(14)의 상승 이동량이, 프레임(4)의 두께를 초과하면, 환 형상부 영역(3B)이 확장 규제부(17)에 맞닿고, 환 형상부 영역(3B) 중, 외주측에 위치하는 외주측 영역(3E)의 확장이 규제된다. 다음으로, 익스팬드 링(14)의 상승 이동을 속행(續行)하고, 환 형상부 영역(3B) 중, 외주측 영역(3E)을 제외한 내주측 영역(3F)의 확장을 계속해서 행함으로써, 웨이퍼(1)를 개개의 칩(6)으로 분할한다.A work dividing device and a work dividing method capable of solving the problem of non-division of a line to be divided which occurs when the chip size is a small chip. The frame 4 of the wafer unit 2 is fixed by the frame fixing portion 12 of the extension regulating ring 16. Next, the expand ring 14 is moved upward to start expansion of the entire region of the ring-shaped region 3B. Next, when the amount of the upward movement of the expand ring 14 exceeds the thickness of the frame 4, the annular portion area 3B comes into contact with the extended restriction portion 17, , The extension of the outer peripheral side region 3E located on the outer peripheral side is restricted. Next, the upward movement of the expand ring 14 is continued, and the inner peripheral side region 3F excluding the outer peripheral side region 3E of the annular portion region 3B is continuously expanded , The wafer 1 is divided into individual chips 6.
Description
본 발명은 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법에 관한 것이고, 특히, 반도체 웨이퍼 등의 워크를 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a work dividing device and a work dividing method, and more particularly to a work dividing device and a work dividing method for dividing a work such as a semiconductor wafer into individual chips along a line to be divided.
종래, 반도체칩(이하, 칩이라고 함)의 제조에 있어서, 다이싱 블레이드에 의한 하프컷 혹은 레이저 조사에 의한 개질 영역 형성에 의해 미리 그 내부에 분할 예정 라인이 형성된 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)를 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 워크 분할 장치가 알려져 있다(특허문헌 1 등 참조).Conventionally, in the manufacture of a semiconductor chip (hereinafter referred to as a chip), a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) in which a line to be divided is formed in advance by forming a modified region by half cut using a dicing blade or by laser irradiation ) Is divided into individual chips along a line to be divided (see
도 22는, 워크 분할 장치에 의해 분할되는 원반 형상의 웨이퍼(1)가 첩부(貼付)된 웨이퍼 유닛(2)의 설명도이며, 도 22의 (A)는 웨이퍼 유닛(2)의 사시도, 도 22의 (B)는 웨이퍼 유닛(2)의 단면도이다.22A and 22B are explanatory views of the
웨이퍼(1)는, 편면에 점착층이 형성된 두께 약 100㎛의 다이싱 테이프(확장 테이프 또는 점착 시트라고도 함)(3)의 중앙부에 첩부되고, 다이싱 테이프(3)는, 그 외주부(外周部)가 강성(剛性)이 있는 링 형상 프레임(이하, 프레임이라고 함)(4)에 고정되어 있다.The
워크 분할 장치에서는, 웨이퍼 유닛(2)의 프레임(4)이, 이점 쇄선으로 나타내는 프레임 고정 부재(프레임 고정 기구라고도 함)(7)에 의해 고정된다. 이후, 웨이퍼 유닛(2)의 아래쪽으로부터 이점 쇄선으로 나타내는 익스팬드 링(밀어올림 링이라고도 함)(8)이 상승 이동되고, 이 익스팬드 링(8)에 의해 다이싱 테이프(3)가 가압되어 방사 형상으로 확장된다. 이때에 생기는 다이싱 테이프(3)의 장력(張力)이, 웨이퍼(1)의 분할 예정 라인(5)에 부여됨으로써, 웨이퍼(1)가 개개의 칩(6)으로 분할된다. 분할 예정 라인(5)은, 서로 교차하는 X 방향 및 Y 방향으로 형성되어 있다. 분할 예정 라인(5)에 관하여, X 방향과 평행한 개수와 Y 방향과 평행한 개수가 동수(同數)일 경우로서, 각각의 방향의 간격이 동등할 경우에는, 분할된 칩(6)의 형상은 정방형이 된다. 또한, X 방향과 평행한 개수와 Y 방향과 평행한 개수가 다를 경우로서, 각각의 방향의 간격이 동등할 경우에는, 분할된 칩(6)의 형상은 장방형이 된다.In the work dividing device, the
그런데, 다이싱 테이프(3)는 영률(Young's modulus)이 낮고 유연한 부재이다. 이 때문에, 웨이퍼(1)를 개개의 칩(6)으로 원활하게 분할하기 위해서는, 다이싱 테이프(3)를 냉각하고, 다이싱 테이프(3)의 스프링 정수(定數)를 크게 한 상태에서 다이싱 테이프(3)를 확장하는 것을 생각할 수 있다.By the way, the
특허문헌 2의 테이프 확장 장치(워크 분할 장치)는, 냉기 공급 수단을 구비하고 있다. 특허문헌 2에 따르면, 냉기 공급 수단을 작동하여, 처리 공간 내에 냉기를 공급하고, 처리 공간 내를 예를 들면 0℃ 이하로 냉각함으로써, 다이싱 테이프를 냉각하고 있다.The tape expanding device (work dividing device) of
한편, 특허문헌 3의 칩 분할 이간 장치(워크 분할 장치)에서는, 다이싱 테이프에 이방성이 있는 것에 착목하고, 그 이방성을 가미해서 다이싱 테이프를 균일하게 익스팬드시키기 위해, 필름면 지지 기구를 구비하고 있다. 이 필름면 지지 기구는, 원둘레 방향에 있어서 독립된 복수의 지지 기구를 구비하고, 복수의 지지 기구의 상대적인 높이를 개별적으로 제어하여 다이싱 테이프의 장력을 조정함으로써, 다이싱 테이프의 X 방향의 신장과 Y 방향의 신장을 독립하여 제어하고 있다.On the other hand, in the chip dividing and separating apparatus (work dividing apparatus) of
여기에서, 본원 명세서에 있어서, 다이싱 테이프(3) 중, 웨이퍼(1)가 첩부되는 평면에서 볼 때 원 형상의 영역을 중앙부 영역(3A)이라고 하고, 중앙부 영역(3A)의 외연부(外緣部)와 프레임(4)의 내연부(內緣部) 사이에 구비되는 평면에서 볼 때 도넛 형상의 영역을 환(環) 형상부 영역(3B)이라고 하고, 프레임(4)에 고정되는 최외 둘레 부분의 평면에서 볼 때 도넛 형상의 영역을 고정부 영역(3C)이라고 한다. 환 형상부 영역(3B)이, 익스팬드 링(8)으로 가압되어 확장되는 영역이다.Herein, in the specification of the present application, the circular region in the
또한, 웨이퍼(1)의 분할에 요하는 힘은, 즉, 웨이퍼(1)를 분할하기 위해 환 형상부 영역(3B)에 발생시켜야 하는 장력은, 분할 예정 라인(5)의 개수가 많아짐에 따라서 크게 해야만 하는 것이 알려져 있다. 분할 예정 라인(5)의 개수에 대해서, 예를 들면, 직경 300㎜의 웨이퍼(1)에서 칩 사이즈가 5㎜일 경우에는 약 120개(XY 방향으로 각 60개)의 분할 예정 라인(5)이 형성되고, 칩 사이즈가 1㎜일 경우에는 약 600개의 분할 예정 라인(5)이 형성된다. 그러므로, 환 형상부 영역(3B)에 발생시켜야만 하는 장력은, 칩 사이즈가 작아짐에 따라서 크게 해야만 한다.The force required to divide the
그런데, 직경 300㎜의 웨이퍼(1)가 마운트되는 프레임(4)의 내경(프레임의 내연부의 직경)은, SEMI 규격(Semiconductor Equipment and Materials International standards)(G74-0699 300㎜ 웨이퍼에 관한 테이프 프레임을 위한 사양)에 의해 350㎜로 정해져 있다. 이 규격에 의해, 도 23의 웨이퍼 유닛(2)의 종단면도와 같이, 웨이퍼(1)의 외연부와 프레임(4)의 내연부 사이에는, 25㎜의 폭 치수를 갖는 환 형상부 영역(3B)이 존재하게 된다. 또한, 도 24의 (A), (B)에서 나타내는 워크 분할 장치의 요부(要部) 종단면도와 같이, 프레임(4)을 고정하는 프레임 고정 부재(7)는, 익스팬드 링(8)에 의해 확장되는 환 형상부 영역(3B)에 접촉하지 않도록, 화살표 A로 나타내는 다이싱 테이프(3)의 면 내 방향에 있어서 환 형상부 영역(3B)으로부터 바깥쪽으로 이간한 위치에 설치되어 있다.The inner diameter of the
이 때문에, 익스팬드 링(8)의 상승 동작에 의해 생기는 웨이퍼(1)를 분할하는 힘은, (ⅰ) 환 형상부 영역(3B)의 전체 영역을 확장하는 힘, (ⅱ) 웨이퍼(1)를 칩(6)으로 분할하는 힘, (ⅲ) 인접하는 칩(6)과 칩(6) 사이의 다이싱 테이프(3)를 확장하는 힘의 3개의 힘으로 분해된다.For this reason, the force for dividing the
도 25의 (A)∼(E)에 나타내는 워크 분할 장치의 동작도와 같이, 다이싱 테이프(3)의 환 형상부 영역(3B)에 익스팬드 링(8)이 맞닿고, 익스팬드 링(8)의 상승 동작에 의해 다이싱 테이프(3)의 확장이 개시되면(도 25의 (A)), 우선 가장 스프링 정수가 낮은 환 형상부 영역(3B)의 확장이 개시된다(도 25의 (B)). 이에 따라, 환 형상부 영역(3B)에 장력이 발생하고, 이 장력이 어느 정도 커지면, 커진 장력이 웨이퍼(1)에 전달되어 웨이퍼(1)의 칩(6)으로의 분할이 개시된다(도 25의 (C)). 웨이퍼(1)가 개개의 칩(6)으로 분할되면, 환 형상부 영역(3B)의 확장과 칩간의 다이싱 테이프(3)의 확장이 동시에 진행된다(도 25의 (D)∼(E)).The expanding
종래의 워크 분할 장치에서는, 직경 300㎜의 웨이퍼(1)에 있어서, 칩 사이즈가 5㎜ 이상일 경우에는, 환 형상부 영역(3B)에서 발생한 장력에 의해, 개개의 칩(6)으로 문제 없이 분할할 수 있었다. 그러나, 웨이퍼(1)에 형성되는 회로 패턴의 미세화에 수반하여 칩 사이즈가 보다 작은 1㎜ 이하의 칩도 나타나게 되었다. 이 경우, 웨이퍼(1)를 분할하는 분할 예정 라인(5)의 개수가 증대하는 것에 기인하여, 웨이퍼(1)의 분할에 요하는 힘이 커져, 환 형상부 영역(3B)의 확장에 의한 장력 이상의 힘이 필요해질 경우가 있었다. 그러자, 도 26의 웨이퍼 유닛(2)의 종단면도와 같이, 익스팬드 링(8)에 의한 확장 동작이 종료되어도, 웨이퍼(1)에 형성된 분할 예정 라인(5)의 일부가 분할되지 않고 미분할인 상태로 잔존한다는 문제가 발생했다.In the conventional workpiece dividing device, when the chip size is 5 mm or more in the
이러한 분할 예정 라인(5)의 미분할의 문제는, 다이싱 테이프(3)의 확장량이나 확장 속도를 증가시켜도 해소할 수는 없다. 예를 들면, 다이싱 테이프(3)의 확장량을 증가시켰을 경우에는, 환 형상부 영역(3B)이 소성(塑性) 변형을 개시해 버리기 때문이다. 소성 변형 중의 환 형상부 영역(3B)의 스프링 정수는, 탄성 변형 중의 스프링 정수보다 작으므로, 환 형상부 영역(3B)의 탄성 변형을 초과한 영역에서는, 웨이퍼(1)를 개개의 칩(6)으로 분할하는 장력은 발생하지 않는다. 한편, 다이싱 테이프(3)의 확장 속도를 증가시켰을 경우에도, 환 형상부 영역(3B)의 일부분이 소성 변형을 개시해 버리므로, 웨이퍼(1)를 개개의 칩(6)으로 분할하는 장력은 발생하지 않는다. 이는 다이싱 테이프(3)의 주파수 응답이 낮기 때문에, 다이싱 테이프(3)의 전체에 시간차 없이 힘이 전달되지 않기 때문이다.The problem of non-division of the line to be divided 5 can not be solved even by increasing the amount of expansion or expansion speed of the
분할 예정 라인(5)의 미분할의 문제를 해소하기 위해 특허문헌 2에서는, 다이싱 테이프를 냉각하고, 다이싱 테이프의 스프링 정수를 크게 함으로써 대응하고 있지만, 최근의 1㎜ 이하의 소(小)칩에 대해서는 충분한 효과를 얻을 수 없다.In order to solve the problem of non-division of the line to be divided 5,
또한, 특허문헌 3의 칩 분할 이간 장치는, 다이싱 테이프의 X 방향의 신장과 Y 방향의 신장을 독립하여 제어할 수는 있지만, 환 형상부 영역의 확장에 의한 장력 이상의 힘을 웨이퍼에 부여할 수 없으므로, 분할 예정 라인의 미분할의 문제를 해소할 수는 없다.In addition, although the chip separating / separating apparatus of
본 발명은 이러한 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있는 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a work dividing device and a work dividing method capable of solving the problem of non-division of a line to be divided which occurs when a chip size is a small chip.
본 발명의 워크 분할 장치는, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 워크의 외경(外徑)보다 큰 내경(內徑)을 갖는 링 형상 프레임에 다이싱 테이프의 외주부가 고정되고, 다이싱 테이프에 첩부된 워크를 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 워크 분할 장치에 있어서, 링 형상 프레임을 고정하는 프레임 고정 부재와, 다이싱 테이프에 있어서의 워크의 첩부면과 반대측인 이면측에 배치되고, 링 형상 프레임의 내경보다 작으며, 또한 워크의 외경보다 큰 링 형상으로 형성되고, 다이싱 테이프의 이면을 가압하여 다이싱 테이프를 확장함으로써 다이싱 테이프에 장력을 발생시키는 익스팬드 링과, 다이싱 테이프에 있어서의 워크의 첩부면과 동일측에 배치되고, 링 형상 프레임의 내경보다 작으며, 또한 익스팬드 링의 외경보다 큰 개구부를 갖는 링 형상으로 형성되고, 익스팬드 링에 의한 다이싱 테이프의 확장시에 다이싱 테이프가 맞닿아지는 확장 규제 링을 구비한다.In order to achieve the object of the present invention, the outer circumferential portion of the dicing tape is fixed to a ring-shaped frame having an inner diameter larger than the outer diameter of the work, A work dividing device for dividing a pasted work into individual chips along a line to be divided, the work dividing device comprising: a frame fixing member for fixing a ring-shaped frame; and a frame fixing member which is disposed on the back side opposite to the application side of the work on the dicing tape An expanding ring which is formed in a ring shape smaller than the inner diameter of the ring-shaped frame and larger than the outer diameter of the work and presses the back surface of the dicing tape to expand the dicing tape to generate tension on the dicing tape, Shaped frame and having an opening larger than the outer diameter of the expanding ring, which is disposed on the same side as the attaching surface of the work in the singing tape and is smaller than the inner diameter of the ring- And an extension regulating ring for abutting the dicing tape upon expansion of the dicing tape by the expanding ring.
본 발명의 워크 분할 장치에 의하면, 익스팬드 링에 의해 다이싱 테이프의 확장을 개시하면, 다이싱 테이프의 확장시에 다이싱 테이프가 확장 규제 링에 맞닿는다. 이때, 다이싱 테이프는, 확장 규제 링에 맞닿은 맞닿음부를 경계로 하여, 외주측에 위치하는 외주측 영역과, 내주측에 위치하는 내주측 영역으로 나뉜다. 그리고, 다이싱 테이프가 확장 규제 링에 맞닿은 이후의 익스팬드 링에 의한 확장 동작에서는, 외주측 영역의 확장이 확장 규제 링에 의해 규제되고, 내주측 영역만이 확장되어 간다. 즉, 다이싱 테이프의 스프링 정수보다 커진 내주측 영역의 스프링 정수의 장력이 워크에 부여된다. 이에 따라, 워크에 부여되는 장력이 증대하므로, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있다.According to the work dividing device of the present invention, when the extension of the dicing tape is started by the expanding ring, the dicing tape comes into contact with the extension regulating ring at the time of extension of the dicing tape. At this time, the dicing tape is divided into an outer circumferential side region located on the outer circumferential side and an inner circumferential side region located on the inner circumferential side, with the abutting portion abutted against the extension regulating ring as a boundary. Further, in the expansion operation by the expanding ring after the dicing tape is abutted against the extension regulating ring, the extension of the outer region is regulated by the extension regulating ring, and only the inner region is expanded. That is, the spring constant tensile force of the inner peripheral side region which is larger than the spring constant of the dicing tape is given to the work. As a result, the tension imparted to the work is increased, so that the problem of non-division of the line to be divided, which occurs when the chip size is small, can be solved.
본 발명의 일 형태는, 확장 규제 링은, 익스팬드 링에 의한 다이싱 테이프의 확장시에, 다이싱 테이프에 맞닿는 테이프 위치 규제부를 갖고, 테이프 위치 규제부는, 링 형상 프레임의 다이싱 테이프가 첩부된 테이프 첩부면과 동일면상, 또는 동일면보다 익스팬드 링이 배치되는 측에 배치되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the extension regulating ring has a tape position regulating portion abutting the dicing tape at the time of extension of the dicing tape by the expanding ring, It is preferable to arrange the same on the side where the expanding ring is disposed than on the same surface or the same surface as the tape adhering surface.
본 발명의 일 형태는, 확장 규제 링은, 링 형상 프레임에 고정되는 프레임 고정부와, 확장 규제 링의 개구부의 외연부를 따라 다이싱 테이프를 향하여 돌출한 돌출부를 구비하고, 테이프 위치 규제부는, 돌출부의 선단부에 의해 구성되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the extension regulating ring includes a frame fixing portion fixed to the ring-shaped frame and a protruding portion protruding toward the dicing tape along the outer edge of the opening portion of the expansion regulating ring, As shown in Fig.
본 발명의 일 태양은, 확장 규제 링에는, 다이싱 테이프에 있어서의 워크의 첩부면과 동일측에 배치된 프레임 고정부로서, 링 형상 프레임에 맞닿아 링 형상 프레임을 고정하는 프레임 고정부가 구비되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the extension restricting ring is provided with a frame fixing portion for fixing the ring-shaped frame in contact with the ring-shaped frame as a frame fixing portion disposed on the same side as the attaching surface of the work in the dicing tape .
본 발명의 일 태양에 따르면, 확장 규제 링이 링 형상 프레임을 고정하는 기능도 구비하고 있으므로, 워크 분할 장치의 부품 수를 삭감할 수 있고, 또한, 확장 규제 링을 워크 분할 장치에 어셈블리하는 작업으로 프레임을 프레임 고정부에 의해 고정할 수 있다.According to one aspect of the present invention, since the extension regulating ring also has a function of fixing the ring-shaped frame, it is possible to reduce the number of parts of the work dividing device and to assemble the expanding regulating ring into the work dividing device The frame can be fixed by the frame fixing portion.
본 발명의 일 태양은, 확장 규제 링은, 다이싱 테이프에 있어서의 워크의 첩부면과 동일측에 배치된 프레임 고정 부재로서, 확장 규제 링을 개재하여 링 형상 프레임을 고정하는 프레임 고정 부재에 착탈 가능하게 고정되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the extension regulating ring is a frame fixing member disposed on the same side as the attaching surface of the work in the dicing tape, wherein the frame fixing member is detachably attached to the frame fixing member for fixing the ring- It is desirable to be fixed as much as possible.
본 발명의 일 태양에 따르면, 칩 사이즈가 소칩일 경우에는, 확장 규제 링을 프레임 고정 부재에 어셈블리할 수 있고, 칩 사이즈가 대(大)칩일 경우에는, 확장 규제 링을 프레임 고정 부재로부터 제거할 수 있다. 즉, 확장 규제 링을 구비하고 있지 않은 기존의 워크 분할 장치여도, 그 워크 분할 장치의 프레임 고정 부재에 확장 규제 링을 장착함으로써, 칩 사이즈가 소칩인 워크를 분할 처리할 수 있다.According to one aspect of the present invention, when the chip size is a small chip, the expansion regulating ring can be assembled to the frame fixing member, and when the chip size is large, the expansion regulating ring is removed from the frame fixing member . In other words, even in the conventional work dividing apparatus not provided with the extension regulating ring, by attaching the extension regulating ring to the frame fixing member of the work dividing apparatus, it is possible to divide the work with a chip size of a small chip.
본 발명의 일 태양은, 확장 규제 링의 개구부는 원형으로 형성되는 것이 바람직하다.In one aspect of the present invention, it is preferable that the opening of the expansion regulating ring is formed in a circular shape.
본 발명의 일 태양에 따르면, 서로 교차하는 X 방향과 Y 방향에 있어서, 예를 들면, X 방향과 Y 방향의 치수가 동일한 정방형의 칩으로 분할되는 워크와 같이, X 방향과 Y 방향에 있어서의 분할 예정 라인의 개수(밀도)가 동등한 워크일 경우에는, 원형의 개구부를 갖는 확장 규제 링을 사용하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수가 동일한 다이싱 테이프에 첩부된 워크일 경우에는, 원형의 개구부를 갖는 확장 규제 링을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 확장되는 내주측 영역으로부터 워크의 주연부(周緣部)에 균등한 장력을 부여할 수 있으므로, 이러한 워크에 대하여 호적(好適)한 분할 능력을 실현할 수 있다.According to one aspect of the present invention, in a case where a work is divided into square chips having the same dimensions in the X direction and the Y direction in the X direction and the Y direction intersecting with each other, In the case of a work having an equal number of lines to be divided (density), it is preferable to use an extension regulating ring having a circular opening. Likewise, in the case of a work in which the spring constant in the X direction and the spring constant in the Y direction are attached to the same dicing tape, it is preferable to use an extension regulating ring having a circular opening. This makes it possible to impart a uniform tension to the peripheral edge portion of the work from the inner peripheral side area to be extended, and thus to achieve a good partitioning ability with respect to such a work.
본 발명의 일 태양은, 확장 규제 링의 개구부는 타원형으로 형성되는 것이 바람직하다.In one aspect of the present invention, the opening of the expansion regulating ring is preferably formed in an elliptical shape.
본 발명의 일 태양에 따르면, 서로 직교하는 X 방향과 Y 방향에 있어서, 예를 들면, X 방향과 Y 방향의 치수가 서로 다른 장방형의 칩으로 분할되는 워크와 같이, X 방향과 Y 방향에 있어서 분할 예정 라인의 개수(밀도)가 서로 다른 워크일 경우에는, 타원형의 개구부를 갖는 확장 규제 링을 사용하는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, in a case where a workpiece is divided into rectangular chips having different dimensions in the X and Y directions, for example, in the X direction and the Y direction orthogonal to each other, When the number of lines to be divided (densities) is different from each other, it is preferable to use an extension regulating ring having an elliptical opening.
이 경우, 타원의 단경(短徑)의 방향을, 분할 예정 라인의 밀도가 높은 방향(칩의 단변(短邊)을 따른 방향, 칩의 밀도가 높은 방향)과 평행하게 맞추고, 타원의 장경(長徑)의 방향을, 분할 예정 라인의 밀도가 낮은 방향(칩의 장변(長邊)을 따른 방향, 칩의 밀도가 낮은 방향)과 평행하게 맞춘다. 이에 따라, 분할 예정 라인의 밀도가 높은 방향에 위치하는 내주측 영역은, 스프링 정수가 커지므로, 개수가 많은 분할 예정 라인을 분할하기 위한 호적한 장력을 워크에 부여할 수 있다. 한편, 분할 예정 라인의 밀도가 낮은 방향에 위치하는 환 형상부 영역은, 스프링 정수가 작지만, 개수가 적은 분할 예정 라인을 분할하기 위한 호적한 장력을 워크에 부여할 수 있다. 그러므로, 이러한 워크에 대하여 호적한 분할 능력을 실현할 수 있다.In this case, the direction of the minor axis of the ellipse is set to be parallel to the direction in which the density of the line to be divided is high (the direction along the short side of the chip, the direction in which the chip density is high) (The direction along the long side of the chip, the direction in which the density of the chip is low) in parallel with the direction of the low density of the line to be divided. As a result, since the spring constant becomes large in the inner circumferential region located in the direction where the density of the line to be divided is high, it is possible to give the work a tangential tension for dividing the line to be divided with the large number. On the other hand, the ring-shaped subregion positioned in the direction of low density of the line to be divided can give a work a tangential tension for dividing the line to be divided with a small spring constant but a small number of lines. Therefore, it is possible to realize a partitioning ability that is favorable to such a work.
또한, X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수가 서로 다른 이방성이 있는 다이싱 테이프에 첩부된 워크일 경우에도, 타원형의 확장 규제 링을 사용하는 것이 바람직하다.Further, even in the case of a work attached to an anisotropic dicing tape having a spring constant in the X direction and a spring constant in the Y direction different from each other, it is preferable to use an elliptical extended regulating ring.
이 경우, 타원의 단경의 방향을 스프링 정수가 작은 방향과 평행하게 맞추고, 타원의 장경의 방향을, 스프링 정수가 큰 방향과 평행하게 맞춘다. 이에 따라, 내주측 영역의 확장시에는, 스프링 정수가 작은 방향과 평행한 방향에 위치하는 내주측 영역의 스프링 정수가 높아져, 타원의 장경의 방향과 평행한 방향에 위치하는 내주측 영역의 스프링 정수에 가까워지므로, 내주측 영역으로부터 워크에 대략 균등한 장력을 부여할 수 있다. 그러므로, X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수가 서로 다른 이방성이 있는 다이싱 테이프에 마운트된 워크에 대하여, 호적한 분할 능력을 실현할 수 있다.In this case, the direction of the minor axis of the ellipse is set parallel to the direction in which the spring constant is small, and the direction of the major axis of the ellipse is set parallel to the direction in which the spring constant is large. Accordingly, when the inner circumferential side region is expanded, the spring constant of the inner circumferential region located in the direction parallel to the direction in which the spring constant is small increases, and the spring constant of the inner circumferential region located in the direction parallel to the longitudinal direction of the ellipse So that a substantially uniform tension can be applied to the work from the inner peripheral side region. Therefore, it is possible to realize a partitioning ability that is well known to a workpiece mounted on an anisotropic dicing tape having different spring constant in the X direction and spring constant in the Y direction.
본 발명의 워크 분할 방법은, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 워크의 외경보다 큰 내경을 갖는 링 형상 프레임에 다이싱 테이프의 외주부가 고정되고, 다이싱 테이프에 첩부된 워크를 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할하는 워크 분할 방법에 있어서, 다이싱 테이프를 가압하여 다이싱 테이프를 확장함으로써 다이싱 테이프에 장력을 발생시키는 확장 공정과, 다이싱 테이프의 확장시에 다이싱 테이프 중 외주측에 위치하는 외주측 영역의 확장을 규제하는 확장 규제 공정과, 외주측 영역을 제외한 다이싱 테이프의 확장을 계속해서 워크를 개개의 칩으로 분할하는 분할 공정을 구비한다.In order to attain the object of the present invention, the work dividing method of the present invention is characterized in that the outer peripheral portion of the dicing tape is fixed to a ring-shaped frame having an inner diameter larger than the outer diameter of the work, And dividing the workpiece into individual chips, the method comprising: an expansion step of generating tension on the dicing tape by pressing the dicing tape to expand the dicing tape; and an expansion step of expanding the dicing tape, And a dividing step of dividing the work into individual chips by continuing the expansion of the dicing tape except for the outer peripheral side area.
본 발명의 워크 분할 방법에 의하면, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있다.According to the work dividing method of the present invention, it is possible to solve the non-division problem of the line to be divided which occurs when the chip size is a small chip.
본 발명에 의하면, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있다.According to the present invention, it is possible to solve the problem of non-division of the line to be divided which occurs when the chip size is a small chip.
도 1은 제1 실시형태의 워크 분할 장치의 요부 구조도.
도 2는 도 1에 나타낸 워크 분할 장치의 요부 확대 사시도.
도 3은 확장 도중의 환 형상부 영역의 형상을 나타낸 웨이퍼 유닛의 단면도.
도 4는 확장 도중의 환 형상부 영역의 확대 단면도.
도 5는 웨이퍼 분할 방법의 플로우 차트.
도 6은 제2 실시형태의 워크 분할 장치의 요부 구조도.
도 7은 도 6에 나타낸 워크 분할 장치의 요부 확대 사시도.
도 8은 확장 도중의 환 형상부 영역의 확대 단면도.
도 9는 원형의 확장 규제용 개구부를 갖는 확장 규제 링과 웨이퍼 유닛을 겹친 평면도.
도 10은 타원형의 확장 규제용 개구부를 갖는 확장 규제 링과 웨이퍼 유닛을 겹친 평면도.
도 11은 확장 규제 링을 사용하지 않을 때와 사용했을 때의 환 형상부 영역 및 내주측 영역의 확장률을 나타낸 그래프.
도 12는 확장 규제 링을 사용하지 않을 때와 사용했을 때의 칩의 분할률을 나타낸 그래프.
도 13은 제3 실시형태에 따른 워크 분할 장치의 요부 단면도.
도 14는 도 13에 나타낸 워크 분할 장치의 요부 확대 단면도.
도 15는 제4 실시형태에 따른 워크 분할 장치의 요부 단면도.
도 16은 도 15에 나타낸 워크 분할 장치의 요부 확대 단면도.
도 17은 도 6에 나타낸 확장 규제 링의 제1 변형예를 나타낸 설명도.
도 18은 도 6에 나타낸 확장 규제 링의 제2 변형예를 나타낸 설명도.
도 19는 밀어올림량에 대한 확장률의 변화를 산출한 그래프.
도 20은 확장 분할 공정시의 동작을 나타낸 개략도.
도 21은 밀어올림 속도에 대한 확장률 속도의 변화를 산출한 그래프.
도 22는 웨이퍼가 첩부된 웨이퍼 유닛의 설명도.
도 23은 웨이퍼 유닛의 종단면도.
도 24는 워크 분할 장치의 요부 측면도.
도 25는 워크 분할 장치의 동작도.
도 26은 웨이퍼가 분할된 웨이퍼 유닛의 종단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a main part structural view of a work dividing device according to a first embodiment; Fig.
Fig. 2 is an enlarged perspective view of the main part of the work dividing device shown in Fig. 1; Fig.
3 is a cross-sectional view of the wafer unit showing the shape of the annular portion area during expansion.
4 is an enlarged cross-sectional view of an annular portion area during expansion;
5 is a flowchart of a wafer dividing method;
6 is a main part structural view of the work dividing device of the second embodiment;
7 is an enlarged perspective view of the main part of the work dividing device shown in Fig.
8 is an enlarged cross-sectional view of an annular portion area during expansion;
Fig. 9 is a plan view showing a wafer unit and an extended regulating ring having a circular expansion regulating opening overlapped. Fig.
10 is a plan view in which the wafer unit is overlapped with the extension regulating ring having an elliptical expansion regulating opening;
11 is a graph showing expansion rates of the annular region and the inner peripheral region when the extension regulating ring is not used and when it is used.
12 is a graph showing the chip division ratios when the extension regulating ring is not used and when it is used.
13 is a partial cross-sectional view of a workpiece dividing device according to a third embodiment;
Fig. 14 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the work dividing device shown in Fig. 13;
15 is a sectional view showing the main part of a work dividing device according to a fourth embodiment;
FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the work dividing device shown in FIG. 15; FIG.
Fig. 17 is an explanatory view showing a first modification of the extended regulating ring shown in Fig. 6; Fig.
18 is an explanatory view showing a second modification of the extended regulating ring shown in Fig.
19 is a graph showing a change in the expansion rate with respect to the amount of push-up.
20 is a schematic view showing the operation in the extended division process;
21 is a graph for calculating a change in the expansion rate rate with respect to the lift-up speed.
22 is an explanatory diagram of a wafer unit to which a wafer is attached;
23 is a longitudinal sectional view of the wafer unit.
24 is a side elevational side view of the work dividing device.
25 is an operation diagram of the work dividing device.
26 is a longitudinal sectional view of the wafer unit in which the wafer is divided.
이하, 첨부 도면에 따라서 본 발명에 따른 워크 분할 장치 및 워크 분할 방법의 바람직한 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 범위이면, 이하의 실시형태에 각종 변형 및 치환을 가할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a work dividing device and a work dividing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the following embodiments, but various modifications and substitutions can be made to the embodiments described below, provided that they are within the scope of the present invention.
〔제1 실시형태의 워크 분할 장치(10A)〕[
도 1은, 제1 실시형태에 따른 워크 분할 장치(10A)의 요부 종단면도이며, 도 2는, 워크 분할 장치(10A)의 요부 확대 사시도이다. 또한, 워크 분할 장치(10A)에 의해 분할 처리되는 웨이퍼 유닛의 사이즈는 한정되는 것이 아니지만, 실시형태에서는, 도 23에 나타낸 직경 300㎜의 웨이퍼(1)가 마운트된 웨이퍼 유닛(2)을 예시한다.Fig. 1 is a longitudinal sectional view showing a substantial part of the
워크 분할 장치(10A)는, 분할 예정 라인(5)이 형성된 웨이퍼(1)를 분할 예정 라인(5)을 따라 개개의 칩(6)으로 분할하는 장치이다. 분할 예정 라인(5)은, 서로 교차하는 X 방향 및 Y 방향으로 복수개 형성된다. 실시형태에서는, X 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수와, Y 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수가 각각 300개이고 각각의 간격이 동등한 웨이퍼(1), 즉, 칩 사이즈가 1㎜인 칩(6)으로 분할되는 웨이퍼(1)를 예시한다.The
웨이퍼(1)는 도 1, 도 2와 같이, 프레임(4)에 외주부가 고정된 다이싱 테이프(3)의 중앙부에 첩부된다. 다이싱 테이프(3)는, 웨이퍼(1)가 첩부되는 평면에서 볼 때 원 형상의 중앙부 영역(3A), 및 중앙부 영역(3A)의 외연부와 프레임(4)의 내연부 사이의 평면에서 볼 때 도넛 형상의 환 형상부 영역(3B)을 갖는다.1 and 2, the
웨이퍼(1)의 두께는, 예를 들면 50㎛ 정도이다. 또한, 다이싱 테이프(3)로서는, 예를 들면 PVC(polyvinyl chloride: 폴리염화비닐)계의 테이프가 사용된다. 또한, 웨이퍼(1)를 DAF(Die Attach Film) 등의 필름 형상 접착재를 개재하여 다이싱 테이프(3)에 첩부해도 된다. 필름 형상 접착재로서는, 예를 들면 PO(polyolefin: 폴리올레핀)계의 것을 사용할 수 있다.The thickness of the
워크 분할 장치(10A)는, 프레임(4)을 고정하는 프레임 고정부(12)를 구비한 확장 규제 링(16)과, 다이싱 테이프(3)의 환 형상부 영역(3B)에 아래쪽측으로부터 맞닿아지는 익스팬드 링(14)을 구비한다.The
익스팬드 링(14)은, 다이싱 테이프(3)에 있어서의 웨이퍼(1)의 첩부면과 반대측인 이면측에 배치되고, 프레임(4)의 내경(350㎜)보다 작으며, 또한 웨이퍼(1)의 외경(300㎜)보다 큰 확장용 개구부(14A)를 갖는 링 형상으로 형성된다. 이 익스팬드 링(14)은, 다이싱 테이프(3)의 환 형상부 영역(3B)의 이면을 가압하여 환 형상부 영역(3B)을 확장한다. 즉, 익스팬드 링(14)은, 환 형상부 영역(3B)에 대하여 다이싱 테이프(3)의 화살표 A로 나타내는 면 내 방향과 교차하는 B 방향으로 상승 이동된다. 이에 따라, 환 형상부 영역(3B)이 익스팬드 링(14)으로 밀어올려져 방사 형상으로 확장된다. 또한, 익스팬드 링(14)을 고정하여, 웨이퍼 유닛(2)을 화살표 C 방향으로 하강 이동시킴으로써, 환 형상부 영역(3B)을 익스팬드 링(14)에 의해 확장해도 된다.The expand
확장 규제 링(16)은, 확장 규제부(17)와 프레임 고정부(12)로 구성된다. 프레임 고정부(12)는, 다이싱 테이프(3)에 있어서의 웨이퍼(1)의 첩부면과 동일측에 배치되고, 그 하면(12A)에 프레임(4)이 고정된다. 확장 규제부(17)는, 프레임 고정부(12)로부터 프레임(4)보다 확장 규제 링(16)의 중심을 향하여 연장 설치된다. 다이싱 테이프(3)의 환 형상부 영역(3B)은, 익스팬드 링(14)에 의한 확장시에, 확장 규제부(17)에 맞닿아진다. 또한, 프레임 고정부(12)와 확장 규제부(17)와의 경계를, 도 1, 도 2에서는 부호 D로 나타내고 있다.The
확장 규제부(17)는, 프레임(4)의 내경(350㎜)보다 작으며, 또한 익스팬드 링(14)의 외경보다 큰 확장 규제용 개구부(개구부)(16A)를 갖는 링 형상으로 형성된다.The
도 3은, 익스팬드 링(14)에 의해 확장 도중의 환 형상부 영역(3B)의 형상을 나타낸 웨이퍼 유닛(2)의 종단면도이다. 도 4는, 확장 도중의 환 형상부 영역(3B)의 확대 단면도이다.3 is a longitudinal sectional view of the
도 3, 도 4에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 링(14)에 의한 환 형상부 영역(3B)의 확장시에, 환 형상부 영역(3B)이 확장 규제부(17)에 맞닿아진다. 구체적으로는, 확장 규제부(17)의 내연부(16B)에 환 형상부 영역(3B)이 맞닿아진다.3 and 4, at the time of expansion of the
실시형태에서는, 도 1과 같이, 확장 규제용 개구부(16A)의 직경이 338㎜로 설정되어 있다. 이에 따라, 확장 규제부(17)에 의해 확장이 규제되는 외주측 영역(3E)의 폭 치수가 6㎜로 설정되고, 환 형상부 영역(3B) 중 외주측 영역(3E)을 제외하고 내주측 영역(3F)의 폭 치수가 19㎜로 설정된다.In the embodiment, as shown in Fig. 1, the diameter of the
여기에서, 환 형상부 영역(3B) 중 확장 규제부(17)에 의해 확장이 규제되지 않는 내주측 영역(3F)이, 웨이퍼(1)의 분할에 실질적으로 기여하는 영역이 된다. 즉, 내주측 영역(3F)의 폭 치수를 작게 함에 따라서, 내주측 영역(3F)의 스프링 정수가 커지므로, 내주측 영역(3F)으로부터 웨이퍼(1)에 부여하는 장력을 증대할 수 있다. 그러므로, 내주측 영역(3F)의 폭 치수는, 분할 예정 라인(5)의 개수 및 칩(6)의 사이즈에 따라 설정하는 것이 바람직하다.Here, the inner
이하, 도 5의 플로우 차트에 따라서, 워크 분할 장치(10A)에 의한 워크 분할 방법을 설명한다.Hereinafter, a work dividing method by the
우선, 도 5의 스텝 S100에 있어서, 도 1과 같이, 웨이퍼 유닛(2)의 프레임(4)을, 확장 규제 링(16)의 프레임 고정부(12)에 의해 고정한다(고정 공정).First, in step S100 in Fig. 5, the
다음으로, 도 5의 스텝 S110에 있어서, 익스팬드 링(14)을 도 1의 위치로부터 화살표 B 방향으로 상승 이동시키고, 환 형상부 영역(3B)의 전체 영역의 확장을 개시한다(확장 공정).Next, in step S110 of Fig. 5, the expanding
다음으로, 도 5의 스텝 S120에 있어서, 익스팬드 링(14)의 상승 이동량이, 프레임(4)의 두께를 초과하면, 환 형상부 영역(3B)이 확장 규제부(17)에 맞닿는다. 이때, 도 4와 같이 환 형상부 영역(3B)은, 확장 규제부(17)의 내연부(16B)에 맞닿은 맞닿음부(3D)를 경계로 하여, 외주측에 위치하는 외주측 영역(3E)과, 내주측에 위치하는 내주측 영역(3F)으로 나뉜다. 그리고, 환 형상부 영역(3B) 중, 외주측 영역(3E)의 확장이 확장 규제부(17)에 의해 규제된다(확장 규제 공정).Next, in step S120 of Fig. 5, when the amount of upward movement of the
다음으로, 도 5의 스텝 S130에 있어서, 익스팬드 링(14)의 상승 이동을 속행(續行)하고, 환 형상부 영역(3B) 중, 외주측 영역(3E)을 제외한 내주측 영역(3F)의 확장을 계속해서 행함으로써, 웨이퍼(1)를 개개의 칩(6)으로 분할한다(분할 공정). 이후, 익스팬드 링(14)의 상승 이동을 정지한다.5, the upward movement of the expanding
분할 공정(S130)에 있어서, 환 형상부 영역(3B)이 확장 규제부(17)의 내연부(16B)에 맞닿은 이후의 익스팬드 링(14)에 의한 확장 동작에서는, 외주측 영역(3E)의 확장이 확장 규제부(17)에 의해 규제되고, 내주측 영역(3F)만이 확장되어 간다. 즉, 환 형상부 영역(3B)의 스프링 정수보다 커진 내주측 영역(3F)의 스프링 정수의 장력이 웨이퍼(1)에 부여된다.In the expanding operation by the expand
구체적으로 설명하면, 웨이퍼(1)의 분할에 기여하는 환 형상부 영역(3B)의 길이가 25㎜(환 형상부 영역(3B)의 폭 치수)로부터 19㎜(내주측 영역(3F)의 폭 치수)로 짧아지므로, 스프링 정수는 그것에 반비례하여 증대한다. 이에 따라, 내주측 영역(3F)만을 확장해도, 내주측 영역(3F)의 스프링 정수는 환 형상부 영역(3B)의 스프링 정수보다 크므로, 칩 사이즈가 소칩(1㎜)이어도 개개의 칩(6)으로 분할하는 만큼의 장력을 웨이퍼(1)에 부여할 수 있다. 그러므로, 워크 분할 장치(10A)에 의하면, 칩 사이즈가 소칩(1㎜)일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있다.More specifically, the length of the
또한, 환 형상부 영역(3B)의 점착층에 선(線) 접촉되는 확장 규제부(17)의 내연부(16B)에는, 일례로서 산술 평균 거칠기(Ra)가 1.6(㎛)가 되는 표면 가공이 실시되고 있다. 이에 따라, 내연부(16B)와 환 형상부 영역(3B) 사이의 마찰력에 의해, 내연부(16B)와 환 형상부 영역(3B)이 상대적으로 미끄러지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 내연부(16B)에는, 일례로서 C0.2(0.2㎜ Chamfer)의 모따기 가공이 행해지고 있다. 이에 따라, 환 형상부 영역(3B)으로부터 확장력을 받았을 때에, 그 반력으로 환 형상부 영역(3B)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.An
또한, 워크 분할 장치(10A)의 확장 규제 링(16)은, 프레임 고정부(12)를 구비함으로써, 프레임(4)을 고정하는 기능도 구비하고 있으므로, 워크 분할 장치(10A)의 부품 수를 삭감할 수 있고, 또한, 확장 규제 링(16)을 워크 분할 장치(10A)에 어셈블리하는 작업으로 프레임(4)을 프레임 고정부(12)에 의해 고정할 수 있다.Since the
또한, 워크 분할 장치(10A)의 익스팬드 링(14)은, 프레임 고정부(12)에 고정된 웨이퍼 유닛(2)의 웨이퍼(1)를 포위하는 확장용 개구부(14A)를 갖는 링 형상으로 구성되어 있다. 또한, 확장 규제부(17)는, 링 형상의 익스팬드 링(14)을 포위하는 확장 규제용 개구부(16A)를 구비하고 있다. 이에 따라, 워크 분할 장치(10A) 에 의하면, 링 형상의 익스팬드 링(14)에 의해 환 형상부 영역(3B)이 전체 영역에 있어서 균등하게 확장되어 가고, 그리고, 확장 규제부(17)의 확장 규제용 개구부(16A)의 내연부(16B)에, 환 형상부 영역(3B)이 균등하게 선 접촉한다. 이에 따라, 외주측 영역(3E)의 확장을 확실하게 규제할 수 있다.The expanding
〔제2 실시형태의 워크 분할 장치(10B)〕[
도 6은, 제2 실시형태에 따른 워크 분할 장치(10B)의 요부 종단면도이며, 도 7은, 워크 분할 장치(10B)의 요부 확대 사시도이다. 또한, 워크 분할 장치(10B)에 의해 처리되는 웨이퍼 유닛에 대해서도, 도 23에 나타낸 직경 300㎜의 웨이퍼(1)가 마운트된 웨이퍼 유닛(2)을 예시한다. 또한, 도 1, 도 2에 나타낸 워크 분할 장치(10A)와 동일 또는 유사한 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 설명한다.Fig. 6 is a longitudinal sectional view of the substantial part of the
제1 실시형태의 워크 분할 장치(10A)에 대한, 제2 실시형태의 워크 분할 장치(10B)의 차이점은, 프레임 고정 부재(7)(도 24 참조: 기존의 프레임 고정 부재)와 확장 규제 링(18)을 개별적으로 구성하고, 프레임 고정 부재(7)에 대하여 확장 규제 링(18)을 착탈 가능하게 마련한 점에 있다. 프레임 고정 부재(7)에 대한 확장 규제 링(18)의 착탈 구조는, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 일례로서 볼트를 사용한 체결 구조여도 되고, 클램프 기구에 의한 클램프 구조여도 된다.The difference between the
프레임 고정 부재(7)는, 다이싱 테이프(3)에 있어서의 웨이퍼(1)의 첩부면과 동일측에 배치된다. 또한, 프레임 고정 부재(7)는, 익스팬드 링(14)에 의해 확장되는 환 형상부 영역(3B)에 접촉하지 않도록, 화살표 A로 나타내는 다이싱 테이프(3)의 면 내 방향에 있어서 환 형상부 영역(3B)으로부터 바깥쪽으로 이간한 위치에 설치되어 있다. 도 7과 같이, 프레임 고정 부재(7)의 형상은 링 형상이지만, 그 형상은 특별히 한정되는 것이 아니라, 확장 규제 링(18)이 착탈 가능하게 장착 가능한 형상이면 된다.The
확장 규제 링(18)은, 프레임(4)의 내경(350㎜)보다 작으며, 또한 익스팬드 링(14)의 외경보다 큰 확장 규제용 개구부(개구부)(18A)를 구비한다. 이 확장 규제용 개구부(18A)의 직경도 338㎜이다.The
도 8은, 익스팬드 링(14)에 의해 확장 도중의 환 형상부 영역(3B)의 형상을 나타낸 웨이퍼 유닛(2)의 종단면도이다.8 is a longitudinal sectional view of the
도 8과 같이, 환 형상부 영역(3B)은, 익스팬드 링(14)에 의한 확장시에, 확장 규제 링(18)의 내연부(18B)에 맞닿아진다. 이에 따라, 환 형상부 영역(3B) 중, 내연부(18B)에 맞닿아지는 맞닿음부(3D)와 프레임(4)의 내연부 사이의 외주측 영역(3E)의 확장이, 확장 규제 링(18)에 의해 규제된다.The
다음으로, 워크 분할 장치(10B)에 의한 워크 분할 방법을 설명하지만, 워크 분할 장치(10A)에 의한 워크 분할 방법과 대략 동일하다.Next, the work dividing method by the
우선, 도 6과 같이, 웨이퍼 유닛(2)의 프레임(4)을 프레임 고정 부재(7)로, 확장 규제 링(18)을 개재하여 고정한다(고정 공정).6, the
다음으로, 익스팬드 링(14)을 도 6의 위치로부터 화살표 B 방향으로 상승 이동시키고, 환 형상부 영역(3B)의 전체 영역의 확장을 개시한다(확장 공정).Next, the expand
다음으로, 익스팬드 링(14)의 상승 이동량이, 프레임(4)의 두께를 초과하면, 환 형상부 영역(3B)이 확장 규제 링(18)의 내연부(18B)에 맞닿고, 환 형상부 영역(3B) 중, 외주측에 위치하는 외주측 영역(3E)의 확장을 규제한다(확장 규제 공정). 이때, 도 8과 같이 환 형상부 영역(3B)은, 내연부(18B)에 맞닿은 맞닿음부(3D)를 경계로 하여, 외주측에 위치하는 외주측 영역(3E)과, 내주측에 위치하는 내주측 영역(3F)으로 나뉜다.Next, when the amount of the upward movement of the expand
다음으로, 익스팬드 링(14)의 상승 이동을 속행하고, 환 형상부 영역(3B) 중, 외주측 영역(3E)을 제외한 내주측 영역(3F)의 확장을 계속해서 행함으로써, 웨이퍼(1)를 개개의 칩(6)으로 분할한다(분할 공정). 이후, 익스팬드 링(14)의 상승 이동을 정지한다.Next, the upward movement of the expand
분할 공정에 있어서, 환 형상부 영역(3B)이 확장 규제 링(18)의 내연부(18B)에 맞닿은 이후의 익스팬드 링(14)에 의한 확장 동작에서는, 외주측 영역(3E)의 확장이 확장 규제 링(18)에 의해 규제되고, 내주측 영역(3F)만이 확장되어 간다. 즉, 환 형상부 영역(3B)의 스프링 정수보다 커진 내주측 영역(3F)의 스프링 정수의 장력이 웨이퍼(1)에 부여된다. 이에 따라, 워크 분할 장치(10B)에 의하면, 워크 분할 장치(10A)와 마찬가지로 칩 사이즈가 소칩(1㎜)일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있다.In the expanding operation by the expand
또한, 익스팬드 링(14)에 의한 환 형상부 영역(3B)의 확장시에 있어서, 확장 규제 링(18)은, 프레임 고정 부재(7)와 프레임(4)으로 협지(挾持)된 상태에서 외주측 영역(3E)의 확장을 규제한다. 즉, 프레임 고정 부재(7)의 내경(예를 들면 361㎜)이, 프레임(4)의 내경인 350㎜보다 클 경우에도, 확장 규제용 개구부(18A)의 직경이 338㎜인 확장 규제 링(18)을 별도 마련함으로써, 프레임 고정 부재(7)의 내경이 350㎜ 미만인 것과 동등한 효과를 얻을 수 있다. 즉, 제1 실시형태의 확장 규제 링(16)(도 1, 도 2 참조)과 동등한 효과를 얻을 수 있다.When the
또한, 워크 분할 장치(10B)에서는, 확장 규제용 개구부(18A)의 직경(내경)이 서로 다른 복수의 확장 규제 링(18)을 미리 갖추어 두는 것이 바람직하다. 이에 따라, 미리 가공 조건으로서 지정된 내경의 확장 규제 링(18)을 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 확장 규제 링(18)을 구비하고 있지 않은 기존(출하를 마친)의 워크 분할 장치에 확장 규제 링(18)을 나중에 장착할 수 있으므로, 기존의 워크 분할 장치를 사용하여, 큰 칩에서 작은 칩까지 처리할 수 있게 된다. 또한, 칩 사이즈가 대칩일 경우에는, 확장 규제 링(18)을 기존의 워크 분할 장치로부터 제거할 수도 있다. 또한, 확장 규제용 개구부(18A)의 직경(내경)으로서는, 338㎜인 것 외, 예를 들면 346㎜, 342㎜, 334㎜를 예시할 수 있다.In the
그런데, 웨이퍼(1)에 형성되는 분할 예정 라인(5)의 개수가 많아짐에 따라서, 웨이퍼(1)의 분할에 요하는 힘을 크게 해야만 하는 것은 설명했지만, 웨이퍼에 따라서는, 서로 교차하는 X 방향 및 Y 방향에 있어서, X 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수와, Y 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수가 동수인 것(도 9 참조), 또는 X 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수와, Y 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수가 서로 다른 것(도 10 참조)이 있다.As described above, the force required to divide the
도 9는, 원형의 확장 규제용 개구부(20A)를 갖는 확장 규제 링(20)과 웨이퍼 유닛(2)을 겹친 평면도이다. 도 9에 나타내는 웨이퍼(22)는, X 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수와, Y 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수가 동수이고, 그들의 간격이 동등한 웨이퍼이며, 분할되는 칩(24)의 형상이, X 방향과 Y 방향의 치수가 동일한 정방형인 것이다. 즉, 도 9에 나타내는 웨이퍼(22)는, X 방향과 Y 방향에 있어서 분할 예정 라인(5)의 밀도가 동등한 웨이퍼이다. 이러한 웨이퍼(22)를 원활하게 분할할 경우에는, 확장 규제용 개구부(20A)가 원형의 확장 규제 링(20)을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 웨이퍼(22)와 확장 규제용 개구부(20A)는 원형이며, 웨이퍼(22)의 외연부와 확장 규제용 개구부(20A)의 내연부로 둘러싸이는 평면에서 볼 때 도넛 형상의 내주측 영역(3F)은, 원주 방향의 어느 위치에 있어서 동일한 폭 치수(e)를 갖는다.9 is a plan view in which the
이에 따라, 확장되는 내주측 영역(3F)으로부터 웨이퍼(22)의 외연부에 균등한 장력을 부여할 수 있다. 즉, 원형의 확장 규제용 개구부(20A)를 갖는 확장 규제 링(20)을 사용함으로써, X 방향과 Y 방향에 있어서 분할 예정 라인(5)의 밀도가 동등한 웨이퍼(22)를 분할하기 위해 호적한 장력을 웨이퍼(22)에 부여할 수 있다. 또한, X 방향과 Y 방향에 있어서 분할 예정 라인(5)의 밀도가 동등한 것과, X 방향과 Y 방향에 있어서 칩(6)의 밀도가 동등한 것은 등가(等價)이다.This makes it possible to apply an equal tension to the outer edge portion of the
도 10은, 타원형의 확장 규제용 개구부(26A)를 갖는 확장 규제 링(26)과 웨이퍼 유닛(2)을 겹친 평면도이다. 도 10에 나타내는 웨이퍼(28)는, X 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수보다, Y 방향과 평행한 분할 예정 라인(5)의 개수가 많은 웨이퍼로서, 분할되는 칩(30)의 형상이, X 방향의 치수가 짧고 Y 방향의 치수가 긴 장방형인 것이다. 즉, 도 10에 나타내는 웨이퍼(28)는, X 방향과 Y 방향에 있어서 분할 예정 라인(5)의 밀도(칩(6)의 밀도)가 서로 다른 웨이퍼이다. 이러한 웨이퍼(28)를 원활하게 분할할 경우에는, 확장 규제용 개구부(26A)가 타원형의 확장 규제 링(26)을 사용하는 것이 바람직하다.10 is a plan view in which the
이 경우, 확장 규제용 개구부(26A)의 타원의 단경(a)의 방향을, 분할 예정 라인(5)의 밀도가 높은 X 방향(칩(30)의 밀도가 높은 방향, 칩(30)의 단변에 평행한 방향)과 평행하게 맞추고, 타원의 장경(b)의 방향을, 분할 예정 라인(5)의 밀도가 낮은 Y 방향(칩(30)의 밀도가 낮은 방향, 칩(30)의 장변에 평행한 방향)과 평행하게 맞춘다.In this case, the direction of the short axis a of the ellipse of the
이에 따라, 분할 예정 라인(5)의 밀도가 높은 X 방향과 평행한 방향에 위치하는 내주측 영역(3FA)은, 폭 치수가 작아져 스프링 정수가 높아지므로, 밀도가 높은 X 방향의 분할 예정 라인(5)을 분할하기 위한 호적한 장력을 웨이퍼(28)에 부여할 수 있다.Thus, the inner peripheral region 3FA located in the direction parallel to the X direction having a high density of the
한편, 분할 예정 라인(5)의 밀도가 낮은 Y 방향과 평행한 방향에 위치하는 내주측 영역(3FB)은, 폭 치수는 작아지지 않고 스프링 정수는 작지만, 밀도가 낮은 Y 방향의 분할 예정 라인(5)을 분할하기 위한 호적한 장력을 웨이퍼(28)에 부여할 수 있다. 그러므로, X 방향과 Y 방향에 있어서 분할 예정 라인(5)의 밀도가 서로 다른 웨이퍼(28)에 대하여 호적한 분할 능력을 실현할 수 있다.On the other hand, the inner peripheral side region 3FB located in the direction parallel to the Y direction where the density of the line to be divided 5 is low does not decrease in width dimension but has a small spring constant. However, 5) can be imparted to the
또한, 다이싱 테이프(3)에는, X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수가 동등한 것, 또는 테이프의 생성 방향에 기인하여 X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수에 차가 생겨, X 방향과 Y 방향의 신장 방식에 차이가 있는 것이 있다. 원칙적으로는, 테이프의 생성 방향에 대하여 평행한 방향이 신장하기 쉽고, 교차하는 방향이 신장하기 어려운 경향이 있다.The spring constant of the X direction is equal to the spring constant of the Y direction or the spring constant of the Y direction is different from the spring constant of the X direction due to the direction of tape generation, And the stretching method in the Y direction. In principle, the direction parallel to the direction in which the tape is produced tends to elongate, and the direction in which the direction of crossing tends to be difficult to elongate.
이러한 다이싱 테이프(3)의 신장 특성에 착목하여, X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수가 동등한 다이싱 테이프(3)일 경우에는, 도 9에 나타내는 확장 규제용 개구부(20A)가 원형인 확장 규제 링(20)을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 확장시에 있어서의 내주측 영역의 X 방향의 신장량과 Y 방향의 신장량이 동등해지므로, 내주측 영역(3F)으로부터 웨이퍼에 균등한 장력을 부여할 수 있다.In the case of the dicing
한편, X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수가 서로 다른 이방성이 있는 다이싱 테이프(3)일 경우에는, 도 10에 나타내는 타원형의 확장 규제용 개구부(26A)를 갖는 확장 규제 링(26)을 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the case of the dicing
이 경우, 타원의 단경(a)의 방향을 스프링 정수가 작은 X 방향과 평행하게 맞추고, 타원의 장경(b)의 방향을, 스프링 정수가 큰 Y 방향과 평행하게 맞춘다. 이에 따라, 내주측 영역의 확장시에는, 스프링 정수가 작은 방향과 평행한 X 방향에 위치하는 내주측 영역(3FA)의 스프링 정수가 높아져, 타원의 장경(b)의 방향과 평행한 방향에 위치하는 내주측 영역(3FB)의 스프링 정수에 가까워지므로, 내주측 영역(3FA, 3FB)으로부터 웨이퍼에 대략 균등한 장력을 부여할 수 있다. 그러므로, X 방향의 스프링 정수와 Y 방향의 스프링 정수가 서로 다른 이방성이 있는 다이싱 테이프(3)에 마운트된 웨이퍼에 대하여 호적한 분할 능력을 실현할 수 있다.In this case, the direction of the short axis (a) of the ellipse is aligned with the X direction with the small spring constant, and the direction of the long diameter (b) of the ellipse is aligned with the Y direction with the large spring constant. Accordingly, when expanding the inner peripheral side region, the spring constant of the inner peripheral side region 3FA located in the X direction parallel to the direction in which the spring constant is small is increased, and the spring constant in the direction parallel to the direction of the long diameter (b) The inner peripheral side area 3FA and the inner peripheral side area 3FB close to the spring constant of the inner peripheral side area 3FB. Therefore, it is possible to realize a partitioning capacity that is favorable for wafers mounted on the dicing
여기에서 본 발명의 효과를 확인하기 위해, 본 발명자가 행한 실험 결과에 대해서 설명한다.Here, in order to confirm the effect of the present invention, the experimental results performed by the present inventors will be described.
도 11의 그래프에는, 도 23의 웨이퍼 유닛(2)에 대하여, 확장 규제 링을 사용하지 않을 때의 환 형상부 영역의 확장률(직경 350㎜)과, 확장 규제 링을 사용했을 때의 내주측 영역의 확장률로서, 그 확장 규제용 개구부의 직경을 346㎜, 342㎜, 338㎜로 설정했을 때의 확장률이 나타나 있다. 또한, 도 11의 「MD(Machine Direction)」란, 다이싱 테이프(3)의 제조시의 이송 방향과 평행한 방향으로서, 스프링 정수가 작은 방향이다. 또한, 「CD(Cross Direction)」란, MD와 직교하는 방향으로서, 스프링 정수가 큰 방향이다.In the graph of Fig. 11, the expansion ratio (diameter 350 mm) of the annular portion area when the extension regulating ring is not used and the inner ratio of the inner circumferential side The expansion rate when the diameter of the expansion regulating opening is set to 346 mm, 342 mm, and 338 mm is shown. The " MD (Machine Direction) " in Fig. 11 is a direction parallel to the feeding direction at the time of manufacturing the
도 11의 실험 결과에 의하면, 확장 규제 링을 사용하지 않을 때의 환 형상부 영역의 확장률이 「MD」에서는 6.1%, 「CD」에서는 6.0%였다. 이에 대하여, 확장 규제용 개구부의 직경을 346㎜, 342㎜, 338㎜로 작게 해 감에 따라서, 내주측 영역의 확장률이 「MD」에서는 6.8%, 7.5%, 8.4%로 상승하고, 「CD」에서는 7.2%, 7.5%, 8.1%로 상승했다. 즉, 확장 규제용 개구부의 직경을 작게 함에 따라서, 칩의 분할 능력이 향상함을 확인할 수 있었다.According to the experimental results shown in Fig. 11, the expansion ratio of the annular portion area when the extension regulating ring was not used was 6.1% for "MD" and 6.0% for "CD". On the other hand, as the diameter of the opening for expanding regulation was reduced to 346 mm, 342 mm, and 338 mm, the expansion rate of the inner circumferential region increased to 6.8%, 7.5%, and 8.4% , And 7.2%, 7.5% and 8.1%, respectively. That is, it was confirmed that as the diameter of the opening for regulating restriction is made smaller, the chip dividing ability is improved.
도 12의 그래프에는, 도 23의 웨이퍼 유닛(2)에 대하여, 확장 규제 링을 사용하지 않을 때의 칩의 분할률(직경 350㎜)과, 확장 규제 링을 사용했을 때의 칩의 분할률로서, 그 확장 규제용 개구부의 직경을 338㎜로 설정했을 경우의 분할률이 나타나 있다. 또한, 도 12의 「DAF 있음」의 분할률이란, DAF를 개재하여 웨이퍼(1)를 다이싱 테이프(3)에 첩부했을 때의 칩(6)의 분할률이며, 또한, 「DAF 없음」의 분할률이란, 웨이퍼(1)를 다이싱 테이프(3)에 직접 첩부했을 때의 칩(6)의 분할률이다.In the graph of Fig. 12, the chip division ratio (diameter 350 mm) when the extension regulating ring is not used and the chip division ratio when the extension regulating ring is used are shown in the
도 12의 실험 결과에 의하면, 확장 규제 링을 사용하지 않을 때의 칩(6)의 분할률이 「DAF 있음」에서는 15.0%, 「DAF 없음」에서는 41.0%였다. 이에 대하여, 확장 규제용 개구부의 직경이 338㎜인 확장 규제 링을 사용했을 때의 칩(6)의 분할률이 「DAF 있음」에서는 61.0%로 상승하고, 「DAF 없음」에서는 100%로 상승했다. 즉, 「DAF 있음」이어도 「DAF 없음」이어도, 확장 규제 링을 사용함으로써, 칩(6)의 분할 능력이 향상하는 것을 확인할 수 있었다.According to the results of the experiment shown in Fig. 12, the
상기의 실험 결과로부터, 실시형태의 워크 분할 장치(10A, 10B)에 의하면, 확장 규제 링(16)에 의해 외주측 영역(3E)의 확장을 규제하고, 내주측 영역(3F)만을 확장시킴으로써, 환 형상부 영역(3B)보다 확장률이 증가하고, 웨이퍼(1)에 부여하는 장력을 증대시킬 수 있으므로, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인(5)의 미분할 문제를 해소할 수 있음을 확인할 수 있었다.From the above experimental results, according to the
〔제3 실시형태의 워크 분할 장치(10C)〕[
도 13은, 제3 실시형태에 따른 워크 분할 장치(10C)의 요부 단면도이다.Fig. 13 is a sectional view showing the main portion of the
도 13의 워크 분할 장치(10C)와 도 1에 나타낸 워크 분할 장치(10A)의 구조의 차이점은, 도 13의 워크 분할 장치(10C)의 확장 규제 링(32)에 돌출부(34)가 마련되어 있는 점에 있다.The difference between the structure of the
도 13의 확장 규제 링(32)을 설명함에 있어서, 도 1의 확장 규제 링(16)과 동일 또는 유사한 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 그 설명은 생략한다.In describing the
도 13의 확장 규제 링(32)에는, 프레임 고정부(12)와, 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)을 향하여 돌출 형성된 돌출부(34)가 구비된다. 돌출부(34)는, 확장 규제 링(32)의 확장 규제용 개구부(32A)의 주연부를 따라 마련되어 있다. 또한, 돌출부(34)의 선단부(34A)에 의해 테이프 위치 규제부가 구성되어 있고, 선단부(34A)는, 다이싱 테이프(3)의 외주부가 고정(첩부)되는 프레임(4)의 이면(테이프 첩부면)(4A)과 동일면상의 위치에 배치되어 있다. 즉, 테이프 위치 규제부를 구성하는 돌출부(34)의 선단부(34A)는, 프레임(4)이 확장 규제 링(32)에 고정되었을 때에, 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)과 동일면상의 위치에 배치되어 있다.13 is provided with a
도 13의 확장 규제 링(32)에 의하면, 익스팬드 링(14)에 의한 다이싱 테이프(3)의 확장 전의 상태에서 확장 규제 링(32)의 돌출부(34)의 선단부(34A)가 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)에 이미 맞닿아져 있다. 즉, 익스팬드 링(14)에 의한 다이싱 테이프(3)의 확장 전의 상태에서 다이싱 테이프(3)의 외주측 영역(3E)의 확장이 확장 규제 링(32)에 의해 규제되어 있다.The
이에 따라, 도 13의 워크 분할 장치(10C)에 의하면, 익스팬드 링(14)이 다이싱 테이프(3)에 맞닿은 직후부터 다이싱 테이프의 내주측 영역(3F)의 확장을 개시할 수 있다. 그러므로, 워크 분할 장치(10C)에 의하면, 돌출부(32)를 구비하고 있지 않은 도 1의 확장 규제 링(14)을 이용했을 경우보다, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 효율적으로 해소할 수 있다.Thus, according to the
또한, 도 1의 워크 분할 장치(10A), 및 도 13의 워크 분할 장치(10C)에 있어서, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료 위치의 높이를 동일하게 했을 경우, 도 13의 워크 분할 장치(10C)에서는, 도 1의 워크 분할 장치(10A)보다, 다이싱 테이프(3)의 내측 영역(3F)의 확장량(장력)이 증가한다. 그러므로, 도 13의 워크 분할 장치(10C)에 의하면, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 해소할 수 있다.When the height of the expanding operation end position of the expanding
한편으로, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료시에 있어서의, 다이싱 테이프(3)의 내측 영역(3F)의 확장량을, 도 1의 다이싱 장치(10A)를 기준으로 했을 경우, 도 13의 워크 분할 장치(10C)에서는, 도 1의 워크 분할 장치(10A)와 비교하여, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료 위치의 높이를 프레임(4)의 두께분만큼 낮게 할 수 있다. 이에 따라, 도 13의 워크 분할 장치(10C)에 의하면, 익스팬드 링(14)의 적은 상승 이동량이어도 충분한 확장량(장력)을 얻을 수 있으므로, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 효율적으로 해소할 수 있다.On the other hand, when the expansion of the
구체적으로 설명하면, 도 14에 나타내는 워크 분할 장치(10C)의 요부 확대 단면도와 같이, 확장 규제 링(32)을 이용했을 경우에는, 돌출부(34)를 구비하고 있지 않은 도 1의 확장 규제 링(14)을 이용했을 경우와 비교하여, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료 위치의 높이를 프레임(4)의 두께분만큼 낮게 할 수 있고, 그분만큼 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 효율적으로 해소할 수 있다. 또한, 도 14에는, 돌출부(32)를 구비하고 있지 않은 확장 규제 링(14)을 이용했을 경우에 있어서의, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료 위치를 이점 쇄선으로 나타내고 있다.More specifically, when the
또한, 워크 분할 장치(10C)에 의하면, 확장 규제 링(32)의 돌출부(34)의 선단부(34A)에 있어서, 도 1의 확장 규제 링(14)의 내연부(16B)와 마찬가지로, 일례로서 산술 평균 거칠기(Ra)가 1.6(㎛)가 되는 표면 가공이 실시되고 있다. 이에 따라, 선단부(34A)와 환 형상부 영역(3B) 사이의 마찰력에 의해, 선단부(34A)와 환 형상부 영역(3B)이 상대적으로 미끄러지는 것을 방지하고 있다.As in the
〔제4 실시형태의 워크 분할 장치(10D)〕[
도 15는, 제4 실시형태에 따른 워크 분할 장치(10D)의 요부 단면도이다.Fig. 15 is a sectional view showing the main portion of the
도 15의 워크 분할 장치(10D)와 도 13에 나타낸 워크 분할 장치(10C)의 구조의 차이점은, 워크 분할 장치(10D)의 확장 규제 링(36)의 돌출부(38)의 선단부(38A)가, 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)과 동일면보다 확장 동작 전의 익스팬드 링(14)이 배치되는 측에 배치되어 있는 점에 있다.The difference between the structure of the
도 15의 확장 규제 링(36)을 설명함에 있어서, 도 13의 확장 규제 링(32)과 동일 또는 유사한 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 그 설명은 생략한다.In describing the
도 15의 확장 규제 링(36)에 의하면, 익스팬드 링(14)에 의한 다이싱 테이프(3)의 확장 전의 상태에서, 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)이 확장 규제 링(36)의 돌출부(38)의 선단부(38A)로 이미 가압되어 있다. 즉, 익스팬드 링(14)에 의한 다이싱 테이프(3)의 확장 전의 상태에서 다이싱 테이프(3)의 외주측 영역(3E)의 확장이 확장 규제 링(32)에 의해 규제되며, 또한 내주측 영역(3F)의 확장이 이미 행해져 있다. 그러므로, 워크 분할 장치(10D)에 의하면, 도 13의 워크 분할 장치(C)와 비교하여, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 효율적으로 해소할 수 있다.15, the adhering
또한, 도 15의 워크 분할 장치(10D), 및 도 13의 워크 분할 장치(10C)에 있어서, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료 위치의 높이를 동일하게 했을 경우, 도 15의 워크 분할 장치(10D)에서는, 도 13의 워크 분할 장치(10C)보다, 다이싱 테이프(3)의 내측 영역(3F)의 확장량(장력)이 증가한다. 그러므로, 도 15의 워크 분할 장치(10D)에 의하면, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 해소할 수 있다.When the height of the expanding operation end position of the expanding
한편으로, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료시에 있어서의, 다이싱 테이프(3)의 내측 영역(3F)의 확장량을, 도 13의 다이싱 장치(10C)를 기준으로 했을 경우, 도 15의 워크 분할 장치(10D)에서는, 도 13의 워크 분할 장치(10C)와 비교하여, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료 위치의 높이를, 돌출부(34)에 대한 돌출부(38)의 돌출 길이의 차분(差分)만큼 낮게 할 수 있다. 이에 따라, 도 15의 워크 분할 장치(10D)에 의하면, 도 13의 워크 분할 장치(10C)보다, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 효율적으로 해소할 수 있다.On the other hand, when the expansion of the
구체적으로 설명하면, 도 16에 나타내는 워크 분할 장치(10D)의 요부 확대 단면도와 같이, 확장 규제 링(36)을 이용했을 경우에는, 돌출부(32)를 구비하고 있는 도 13의 확장 규제 링(32)을 이용했을 경우와 비교하여, 익스팬드 링(14)의 확장 종료 위치의 높이를, 돌출부(34)에 대한 돌출부(38)의 돌출 길이의 차분만큼 짧게 할 수 있고, 그 차분만큼 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 효율적으로 해소할 수 있다. 또한, 도 16에는, 돌출부(32)를 구비하고 있는 확장 규제 링(32)을 이용했을 경우에 있어서의, 익스팬드 링(14)의 확장 동작 종료 위치를 이점 쇄선으로 나타내고 있다.More specifically, when the
또한, 워크 분할 장치(10D)에 의하면, 확장 규제 링(36)의 돌출부(38)의 선단부(38A)에 있어서, 도 1의 확장 규제 링(14)의 내연부(16B)와 마찬가지로, 일례로서 산술 평균 거칠기(Ra)가 1.6(㎛)가 되는 표면 가공이 실시되고 있다. 이에 따라, 선단부(38A)와 환 형상부 영역(3B) 사이의 마찰력에 의해, 선단부(38A)와 환 형상부 영역(3B)이 상대적으로 미끄러지는 것을 방지하고 있다.In the
〔제5 실시형태의 워크 분할 장치(10E)〕[
도 17은, 제5 실시형태에 따른 워크 분할 장치(10E)의 요부 확대 단면도이다.Fig. 17 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the
도 17의 워크 분할 장치(10E)는, 프레임 고정 부재(7)에 확장 규제 링(40)이 착탈 가능하게 마련된 것이다. 또한, 확장 규제 링(40)을 설명함에 있어서, 도 13의 확장 규제 링(32)과 동일 또는 유사한 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.The
도 17의 확장 규제 링(40)에는, 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)을 향한 돌출부(34)가, 확장 규제 링(40)의 확장 규제용 개구부(40A)의 외연부를 따라 마련되어 있다. 또한, 돌출부(34)의 선단부(34A)는, 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)과 동일면상의 위치(도 13 참조)에 배치되어 있다.A protruding
이에 따라, 도 17의 워크 분할 장치(10E)에 의하면, 익스팬드 링(14)이 다이싱 테이프(3)에 맞닿은 직후부터 다이싱 테이프의 내주측 영역(3F)의 확장을 개시할 수 있다. 그러므로, 워크 분할 장치(10E)에 의하면, 돌출부(32)를 구비하고 있지 않은 도 1의 확장 규제 링(14)을 이용했을 경우보다, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 효율적으로 해소할 수 있다.Thus, according to the
〔제6 실시형태의 워크 분할 장치(10F)〕[
도 18은, 제6 실시형태에 따른 워크 분할 장치(10F)의 요부 확대 단면도이다.18 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the
도 18의 워크 분할 장치(10F)는, 프레임 고정 부재(7)에 확장 규제 링(42)이 착탈 가능하게 마련된 것이다. 또한, 확장 규제 링(42)을 설명함에 있어서, 도 15의 확장 규제 링(36)과 동일 또는 유사한 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.The
도 18의 확장 규제 링(42)에는, 다이싱 테이프(3)의 첩부면(3G)을 향한 돌출부(38)가, 확장 규제 링(42)의 확장 규제용 개구부(42A)의 외연부를 따라 마련되어 있다. 또한, 돌출부(38)의 선단부(38A)는, 확장 동작 전의 익스팬드 링(14)이 배치되는 측에 배치되어 있다.A protruding
이에 따라, 도 18의 워크 분할 장치(10F)에 의하면, 익스팬드 링(14)이 다이싱 테이프(3)에 맞닿기 전부터 다이싱 테이프의 내주측 영역(3F)의 확장이 개시되고 있으므로, 돌출부(34)를 구비하고 있는 도 17의 확장 규제 링(40)을 이용했을 경우보다, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 더욱 효율적으로 해소할 수 있다.Thus, according to the
그런데, 도 5에 나타낸 분할 공정 S130의 후공정에 있어서, 서브 링이라고 하는 확장 유지 링을 프레임(4)에 끼워맞춰 다이싱 테이프(3)의 확장 상태를 유지할 경우가 있다. 이 확장 유지 링은, 외주측 영역(3E)을 잡아늘인 상태에서 프레임(4)에 끼워맞춰진다. 확장 유지 링을 사용함으로써, 인접하는 분할된 칩끼리의 접촉을 규제할 수 있으므로, 칩의 손상을 방지할 수 있다는 효과가 있다.In the post-step of the dividing step S130 shown in Fig. 5, the extended state of the dicing
기술(旣述)한 도 13∼도 18의 워크 분할 장치(10C∼10F)에 의하면, 돌출부(34, 38)의 선단부(34A, 38A)에 의해, 외주측 영역(3E)의 확장을 규제할 수 있으므로, 외주측 영역(3E)의 다이싱 테이프(3)가 신장되지 않아, 그 두께가 얇아지는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 확장 유지 링이 외주측 영역(3E)을 잡아늘인 상태에서 프레임(4)에 장착되었을 경우에도, 외주측 영역(3E)이 파손되는 것을 방지할 수 있다.According to the
또한, 도 5에 나타낸 분할 공정 S130의 후공정에 있어서, 확장 후의 늘어진 외주측 영역(3E)의 다이싱 테이프(3)를 광가열에 의해 열수축시켜 다시 긴장시키는 가열 공정이 행해질 경우가 있다. 이 가열 공정이 행해짐으로써, 외주측 영역(3E)의 다이싱 테이프(3)를 다시 긴장시킬 수 있고, 분할 공정 S130의 후공정에서의 처리가 용이해진다는 효과가 있다.Further, in the post-step of the dividing step S130 shown in Fig. 5, there is a case where the dicing
기술한 도 13∼도 18의 워크 분할 장치(10C∼10F)에 의하면, 외주측 영역(3E)의 두께가 얇아지지 않으므로, 광가열에 의한 외주측 영역(3E)의 열수축 공정에 있어서, 외주측 영역(3E)의 광흡수율이 올라, 빛으로부터 열로의 변환 효율이 높아진다. 이에 따라, 외주측 영역(3E)을 단시간에 열수축시킬 수 있다.According to the
도 19의 그래프는, 다이싱 테이프(3)의 확장률(%)이 종축에 나타나고, 익스팬드 링(14)의 상승 이동에 의한 환 형상부 영역(3B)의 밀어올림량(㎜)이 횡축에 나타나 있다.19 shows the expansion rate (%) of the dicing
또한, 도 19에서는, 후술하는 바와 같이 밀어올림량에 따른 확장률이, 확장 규제 링(16, 18, 32, 36, 40, 42)마다 서로 다른 것이 나타나 있다. 또한, 확장 규제 링(18)에 의한 확장률은, 확장 규제 링(16)에 의한 확장률과 동등하므로, 확장 규제 링(18)에 의한 확장률의 설명은 생략한다. 마찬가지로, 확장 규제 링(40)에 의한 확장률은, 확장 규제 링(32)에 의한 확장률과 동등하고, 확장 규제 링(42)에 의한 확장률은, 확장 규제 링(36)에 의한 확장률과 동등하므로, 확장 규제 링(40, 42)에 의한 확장률의 설명도 생략한다.19, the enlargement ratio according to the amount of push-up is different for each of the extension regulating rings 16, 18, 32, 36, 40, 42 as described later. Since the expansion ratio by the
도 19의 선 A는, 확장 규제 링을 사용하지 않을 경우(확장 규제용 개구부(16A)의 직경이 350㎜에 상당)의 확장률의 변화를 나타내고 있다. 선 B는, 확장 규제용 개구부(16A)의 직경이 338㎜인 확장 규제 링(16)을 적용했을 경우의 확장률의 변화를 나타내고 있다. 선 C는, 확장 규제용 개구부(32A)의 직경이 338㎜인 확장 규제 링(32)을 적용했을 경우의 확장률의 변화를 나타내고 있다. 선 D는, 확장 규제용 개구부(36A)의 직경이 338㎜인 확장 규제 링(36)을 적용했을 경우의 확장률의 변화를 나타내고 있다. 또한, 일례로서, 확장 규제 링(32)의 돌출부(34)의 돌출 길이는, 후술하는 바와 같이 프레임(4)의 두께와 동등한 1.5㎜로 설정하고, 확장 규제 링(36)의 돌출부(38)의 돌출 길이는, 4.5㎜로 설정했다.Line A in Fig. 19 shows a change in the expansion ratio when the expansion regulating ring is not used (the diameter of the
도 20은, 확장 분할 공정시의 익스팬드 링(14)의 동작을 나타낸 개략도이다. 도 20에는, 도 19에서 나타낸 선 A, B, C, D의 확장률을 산출하기 위한 각 부재의 치수가 나타나 있다.20 is a schematic view showing the operation of the expand
도 20에 의하면, 프레임(4)의 내경(D1)이 350㎜, 프레임(4)의 두께(t)가 1.5㎜, 확장 규제 링(16)(32, 36)의 확장 규제용 개구부(16A)(32A, 36A)의 직경(D2)이 338㎜인 것이 나타나 있다.20, the inner diameter D1 of the
또한, 도 20의 부호 x는, 익스팬드 링(14)의 상승 이동에 의한 환 형상부 영역(3B)의 밀어올림량을 나타내고 있다. 또한, 익스팬드 링(14)의 상단에는, 다이싱 테이프(3)와의 마찰력을 저감하는 롤러(44)가 배치되고, 롤러(44)의 배치 직경(D3)이 323.2㎜인 것이 나타나 있다. 도 20의 부호 d는, 롤러(44)의 직경을 나타내고 있다. 또한, 선 A의 확장률(%)은, 롤러(44)의 직경(d)을 5㎜로 해서 산출하고, 선 B, C, D의 확장률(%)은, 롤러(44)의 직경(d)을 7㎜로 해서 산출했다.In addition, reference character x in Fig. 20 indicates the amount of push-up of the
이하, 도 19에 의거하여, 확장 규제 링(16, 32, 36)의 각 확장률에 대해서 설명한다.The respective expansion rates of the extension regulating rings 16, 32, and 36 will be described below with reference to Fig.
우선, 확장 규제 링(16)을 적용(선 B 참조)하면, 익스팬드 링(14)의 상승 이동에 의해 환 형상부 영역(3B)이 밀어올려져 확장 규제 링(16)에 접촉한다. 그 접촉 직후부터의 확장률이, 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우(선 A 참조)의 확장률보다 높아진다. 즉, 확장 규제 링(16)을 적용하면, 밀어올림량이 약 5.0㎜를 초과하고 나서의 확장률이, 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우의 확장률보다 높아진다.First, when the expanding regulating
또한, 확장 규제 링(32)을 적용(선 C 참조)하면, 돌출부(34)의 선단부(34A)가 환 형상부 영역(3B)에 미리 맞닿아져 있다. 이 때문에, 확장 규제 링(32)을 적용하면, 환 형상부 영역(3B)에 익스팬드 링(14)이 접촉한 직후부터의 확장률이, 확장 규제 링(16)을 적용했을 경우(선 B 참조)의 확장률보다 높아진다.When the
또한, 확장 규제 링(36)을 적용(선 D 참조)하면, 돌출부(38)의 선단부(38)가 환 형상부 영역(3B)을 미리 압하(押下)하고 있으므로, 환 형상부 영역(3B)에 익스팬드 링(14)이 접촉하기 이전에 확장률은 이미 0%를 초과하고 있다. 이 때문에, 확장 규제 링(36)을 적용하면, 환 형상부 영역(3B)에 익스팬드 링(14)이 접촉한 직후부터의 확장률이, 확장 규제 링(32)을 적용했을 경우(선 C 참조)의 확장률보다 높아진다.When the
여기에서, 도 21은, 도 19에 나타낸 선 A, B, C, D의 각 확장률(%)의 단위 시간당의 상승률(이하, 확장률 속도(%/sec)라고 함)의 변화를 나타낸 그래프가 나타나 있다.21 is a graph showing a change in the rate of expansion per unit time (hereinafter referred to as an expansion rate rate (% / sec)) of each expansion rate (%) of the lines A, B, C and D shown in Fig. Respectively.
도 21의 그래프는, 확장률 속도(%/sec)가 왼쪽 종축에 나타나고, 환 형상부 영역(3B)의 밀어올림 속도(㎜/sec)가 오른쪽 종축에 나타나고, 익스팬드 링(14)의 상승 이동에 의한 환 형상부 영역(3B)의 밀어올림량(㎜)이 횡축에 나타나 있다.21, the expansion rate (% / sec) is shown on the left vertical axis, the lift speed (mm / sec) of the
도 21에서는, 일례로서, 환 형상부 영역(3B)의 밀어올림 속도를 일정하게 했을 경우에 있어서의, 확장률 속도의 변화가 나타나 있다. 확장률 속도가 높을수록, 다이싱 테이프(3)에 발생하는 장력이 커져 웨이퍼를 칩마다 분할하는 힘이 커진다.In Fig. 21, as an example, a change in the expansion rate speed is shown when the push-up speed of the
도 21의 선 E는, 0.00㎜∼20.00㎜까지의 밀어올림량에 있어서의 밀어올림 속도의 변화를 나타내고 있다. 환언하면 선 E는, 익스팬드 링(14)의 상승 이동 속도를 나타내고 있다. 선 E에 의하면, 익스팬드 링(14)은, 0.00㎜∼약 18.50㎜의 범위 내에서는 일정한 속도(200㎜/sec)로 상승 이동하고, 그 이후에는 감속하면서 20.00㎜까지 상승 이동한다.Line E in Fig. 21 shows a change in the push-up speed at the push-up amount from 0.00 mm to 20.00 mm. In other words, the line E indicates the ascending movement speed of the expand
도 21의 선 F는, 확장 규제 링을 적용하지 않는, 도 19의 선 A의 확장률에 대응한 확장률 속도의 변화를 나타내고 있다.Line F in Fig. 21 shows a change in the rate of expansion rate corresponding to the expansion rate at line A in Fig. 19 without applying the extension restriction ring.
도 21의 선 G는, 확장 규제용 개구부(16A)의 직경이 338㎜인 확장 규제 링(16)을 적용했을 경우의, 도 19의 선 B의 확장률에 대응한 확장률 속도의 변화를 나타내고 있다.Line G in Fig. 21 shows a change in the expansion rate corresponding to the extension ratio of line B in Fig. 19 when the
도 21의 선 H는, 확장 규제용 개구부(32A, 36A)의 직경이 338㎜인 확장 규제 링(32, 36)을 적용했을 경우의, 도 19의 선 C, D의 확장률에 대응한 확장률 속도의 변화를 나타내고 있다. 또한, 확장 규제 링(36)을 적용했을 경우, 환 형상부 영역(3B)은 익스팬드 링(14)에 의한 확장 전에 돌출부(38)에 의해 미리 확장되어 있지만, 확장률 속도에 관해서는 확장 규제 링(32)을 적용했을 경우와 변함없다. 이 때문에, 확장 규제 링(32, 36)을 적용했을 경우의 확장률 속도의 변화를, 동일한 선 H로 나타내고 있다.Line H in FIG. 21 shows an enlargement ratio corresponding to the expansion ratio of lines C and D in FIG. 19 when the
도 21의 선 F, G, H로 나타내는 각 확장률 속도에 의하면, 밀어올림량에 따라 각각 상승해 가, 밀어올림량이 약 18.50㎜에 도달한 시점에서 최대(최대 확장률 속도)가 되고, 그 이후에는 각각 하강해 간다.According to the expansion rate speeds indicated by the lines F, G, and H in Fig. 21, the maximum expansion rate is reached when the lift amount reaches about 18.50 mm, After that, they descend.
여기에서, 확장 규제 링(16)을 적용(선 G 참조)하면, 익스팬드 링(14)의 상승 이동에 의해, 환 형상부 영역(3B)이 밀어올려져 확장 규제 링(16)에 접촉한다. 그 접촉 직후부터의 확장률 속도가, 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우(선 F 참조)의 확장률 속도보다 높아져 간다. 구체적으로는, 밀어올림량이 약 4.00㎜를 초과하고 나서의 확장률 속도가, 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우의 확장률 속도보다 높아져 가, 최대 확장률 속도가 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우보다 증가(약 95%/sec로부터 약 115%/sec로 증가)한다.Here, when the
따라서, 확장 규제 링(16)을 적용함으로써, 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우보다, 다이싱 테이프(3)의 확장량이 증가(도 19 참조)함과 함께, 최대 확장률 속도도 증가하여 다이싱 테이프(3)에 발생하는 장력이 증가하므로, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있다.Therefore, by applying the
또한, 확장 규제 링(32, 36)을 적용했을 경우(선 H 참조), 환 형상부 영역(3B)에 익스팬드 링(14)이 접촉하면, 접촉 직후부터의 확장률 속도가 확장 규제 링(16)을 적용했을 경우(선 G 참조)의 확장률 속도보다 높아져 간다. 또한, 확장 규제 링(32, 36)을 적용함으로써, 최대 확장률 속도가 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우보다 증가(약 95%/sec로부터 약 115%/sec로 증가)한다.If the expanding
따라서, 확장 규제 링(32, 36)을 적용함으로써, 확장 규제 링을 적용하지 않을 경우보다, 다이싱 테이프(3)의 확장량이 증가(도 19 참조)함과 함께, 최대 확장률 속도도 증가하여 다이싱 테이프(3)에 발생하는 장력이 증가하므로, 기술한 미분할 문제를 해소할 수 있다.Therefore, by applying the extension regulating rings 32 and 36, the amount of extension of the dicing
이상과 같이, 실시형태의 확장 규제 링(16, 18, 32, 36, 40, 42)을 적용함으로써, 칩 사이즈가 소칩일 경우에 생기는 분할 예정 라인의 미분할 문제를 해소할 수 있다.As described above, by applying the extension regulating rings 16, 18, 32, 36, 40, and 42 of the embodiment, it is possible to solve the problem of non-differentiation of the line to be divided which occurs when the chip size is small chips.
1: 웨이퍼
2: 웨이퍼 유닛
3: 다이싱 테이프
3A: 중앙부 영역
3B: 환 형상부 영역
3C: 고정부 영역
3D: 맞닿음부
3E: 외주측 영역
3F: 내주측 영역
3FA: 내주측 영역
3FB: 내주측 영역
4: 프레임
4A: 이면
5: 분할 예정 라인
6: 칩
7: 프레임 고정 부재
8: 익스팬드 링
10A: 워크 분할 장치
10B: 워크 분할 장치
10C: 워크 분할 장치
10D: 워크 분할 장치
10E: 워크 분할 장치
10F: 워크 분할 장치
12: 프레임 고정부
14: 익스팬드 링
14A: 확장용 개구부
16: 확장 규제 링
16A: 확장 규제용 개구부
16B: 내연부
17: 확장 규제부
18: 확장 규제 링
18A: 확장 규제용 개구부
18B: 내연부
20: 확장 규제 링
20A: 확장 규제용 개구부
22: 웨이퍼
24: 칩
26: 확장 규제 링
26A: 확장 규제용 개구부
28: 웨이퍼
30: 칩
32: 확장 규제 링
32A: 확장 규제용 개구부
34: 돌출부
34A: 선단부
36: 확장 규제 링
36A: 확장 규제용 개구부
38: 돌출부
38A: 선단부
40: 확장 규제 링
40A: 확장 규제용 개구부
42: 확장 규제 링
42A: 확장 규제용 개구부
44: 롤러1: wafer 2: wafer unit
3:
3B:
3D:
3F: inner peripheral side area 3FA: inner peripheral side area
3FB: inner circumference side area 4: frame
4A: Back side 5: Line to be divided
6: chip 7: frame fixing member
8:
10B: Work
10D: Work
10F: Work splitting device 12: Frame fixing part
14: Expand
16:
16B: Inner edge portion 17:
18: an
18B: inner edge 20: extension regulating ring
20A: extension opening 22: wafer
24: chip 26: expansion regulating ring
26A: an opening for extension regulation 28:
30: chip 32: expansion regulating ring
32A: extension-regulating opening 34:
34A: leading end 36: extension regulating ring
36A: expansion regulating opening 38:
38A: tip portion 40: extension regulating ring
40A: an opening for extension regulation 42:
42A: expansion regulating opening 44: roller
Claims (8)
상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 워크의 첩부면과 반대측인 이면측에 배치되고, 상기 링 형상 프레임의 내경보다 작으며, 또한 상기 워크의 외경보다 큰 링 형상으로 형성되고, 상기 다이싱 테이프의 이면을 가압하여 상기 다이싱 테이프를 확장시키는 익스팬드 링과,
상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 워크의 첩부면과 동일측에 배치되고, 상기 링 형상 프레임의 내경보다 작으며, 또한 상기 익스팬드 링의 외경보다 큰 개구부를 갖는 링 형상으로 형성되고, 상기 익스팬드 링에 의한 상기 다이싱 테이프의 확장시에 상기 다이싱 테이프가 맞닿아지는 확장 규제 링을 구비하는 워크 분할 장치.The outer peripheral portion of the dicing tape is fixed to the ring-shaped frame having an inner diameter larger than the outer diameter of the work, and the work pasted to the dicing tape is divided into a line to be divided In a workpiece dividing device for dividing into individual chips,
Shaped frame and is formed in a ring shape which is smaller than the inner diameter of the ring-shaped frame and is larger than the outer diameter of the workpiece, and the back surface of the dicing tape An expanding ring for pressing the dicing tape to expand the dicing tape,
Shaped frame and is formed in a ring shape having an opening larger than the inner diameter of the ring-shaped frame and larger than an outer diameter of the expanding ring, And an extension regulating ring to which the dicing tape is abutted when the dicing tape is extended by the ring.
상기 확장 규제 링은, 상기 익스팬드 링에 의한 상기 다이싱 테이프의 확장시에, 상기 다이싱 테이프에 맞닿는 테이프 위치 규제부를 갖고,
상기 테이프 위치 규제부는, 상기 링 형상 프레임의 상기 다이싱 테이프가 첩부된 테이프 첩부면과 동일면상, 또는 상기 동일면보다 상기 익스팬드 링이 배치되는 측에 배치되는 워크 분할 장치.The method according to claim 1,
Wherein the extension regulating ring has a tape position regulating portion abutting the dicing tape at the time of extending the dicing tape by the expanding ring,
Wherein the tape position restricting portion is disposed on the same plane as the tape attaching face to which the dicing tape of the ring-shaped frame is pasted or on the side where the expanding ring is disposed than the same face.
상기 확장 규제 링은, 상기 링 형상 프레임에 고정되는 프레임 고정부와, 상기 확장 규제 링의 상기 개구부의 주연부(周緣部)를 따라 상기 다이싱 테이프를 향하여 돌출한 돌출부를 구비하고,
상기 테이프 위치 규제부는, 상기 돌출부의 선단부에 의해 구성되는 워크 분할 장치.3. The method of claim 2,
The extension regulating ring includes a frame fixing portion fixed to the ring-shaped frame and a protruding portion protruding toward the dicing tape along a periphery of the opening portion of the expansion regulating ring,
And the tape position restricting portion is constituted by a tip end portion of the projecting portion.
상기 확장 규제 링에는, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 워크의 첩부면과 동일측에 배치된 프레임 고정부로서, 상기 링 형상 프레임에 맞닿아 상기 링 형상 프레임을 고정하는 프레임 고정부가 구비되는 워크 분할 장치.The method according to claim 1,
The extension regulating ring is provided with a frame fixing portion disposed on the same side as the attaching surface of the work on the dicing tape and having a frame fixing portion for fixing the ring- Device.
상기 확장 규제 링은, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 워크의 첩부면과 동일측에 배치된 프레임 고정 부재로서, 상기 확장 규제 링을 개재하여 상기 링 형상 프레임을 고정하는 프레임 고정 부재에 착탈 가능하게 고정되는 워크 분할 장치.The method according to claim 1,
Wherein the extension regulating ring is a frame fixing member disposed on the same side as the attaching surface of the work on the dicing tape and is detachably attached to the frame fixing member for fixing the ring- Fixed workpiece splitting device.
상기 확장 규제 링의 상기 개구부는 원형으로 형성되는 워크 분할 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the opening of the extension restriction ring is formed in a circular shape.
상기 확장 규제 링의 상기 개구부는 타원형으로 형성되는 워크 분할 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the opening of the expansion restriction ring is formed in an elliptical shape.
상기 다이싱 테이프를 가압하여 상기 다이싱 테이프를 확장함으로써 상기 다이싱 테이프에 장력(張力)을 발생시키는 확장 공정과,
상기 다이싱 테이프의 확장시에 상기 다이싱 테이프 중 외주측에 위치하는 외주측 영역의 확장을 규제하는 확장 규제 공정과,
상기 외주측 영역을 제외한 상기 다이싱 테이프의 확장을 계속해서 상기 워크를 개개의 칩으로 분할하는 분할 공정을 구비하는 워크 분할 방법.A work dividing method for dividing a workpiece pasted on a dicing tape into individual chips along a line to be divided, the method comprising:
An expanding step of expanding the dicing tape by pressing the dicing tape to generate tension on the dicing tape;
An extension regulating step of regulating an extension of an outer peripheral side region located on an outer peripheral side of the dicing tape upon expansion of the dicing tape;
And dividing the work into individual chips by continuously expanding the dicing tape except for the outer peripheral side area.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020217012222A KR102383560B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016212089 | 2016-10-28 | ||
JPJP-P-2016-212089 | 2016-10-28 | ||
PCT/JP2017/038321 WO2018079536A1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217012222A Division KR102383560B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190067816A true KR20190067816A (en) | 2019-06-17 |
KR102246098B1 KR102246098B1 (en) | 2021-04-29 |
Family
ID=62024936
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020227010904A KR102434738B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
KR1020197011634A KR102246098B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Work splitting device and work splitting method |
KR1020217012222A KR102383560B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020227010904A KR102434738B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217012222A KR102383560B1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-24 | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6920629B2 (en) |
KR (3) | KR102434738B1 (en) |
CN (1) | CN109891556B (en) |
WO (1) | WO2018079536A1 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020072139A (en) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 株式会社ディスコ | Extension method of wafer and extension device of wafer |
JP7221649B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-02-14 | 株式会社ディスコ | Wafer expansion method and wafer expansion device |
TW202119521A (en) * | 2019-11-12 | 2021-05-16 | 力成科技股份有限公司 | Wafer expanding device |
CN112885749A (en) * | 2021-02-05 | 2021-06-01 | 苏州日月新半导体有限公司 | Integrated circuit film expanding device and integrated circuit film expanding method |
CN115424981B (en) * | 2022-09-29 | 2024-10-01 | 武汉新芯集成电路股份有限公司 | Cutting method and bonding method |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10116801A (en) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Rohm Co Ltd | Method for dividing substrate and manufacture of light emitting element using the method |
JP2005057158A (en) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and device for expansion |
JP2006294938A (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rupturing method for adhesive film |
JP2007173587A (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Expanding method and apparatus, and dicing apparatus |
JP2009272502A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Film-like adhesive fracturing apparatus and fracturing method |
JP2010092992A (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape extending device |
JP2012204747A (en) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Chip division and separation apparatus, and chip division and separation method |
JP2016012585A (en) | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 株式会社ディスコ | Tape expansion device |
JP2016063016A (en) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP2016149581A (en) | 2016-05-16 | 2016-08-18 | 株式会社東京精密 | Work division device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3017827B2 (en) * | 1991-03-26 | 2000-03-13 | 沖電気工業株式会社 | Wafer ring holding mechanism in die bonding equipment |
JP2004146727A (en) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Transferring method of wafer |
JP2004349456A (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Expand tool |
JP2006310691A (en) | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Hugle Electronics Inc | Foldaway film sheet extension method and expander therefor |
JP2009054803A (en) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Seiko Epson Corp | Expanding tool, expanding method, and method of manufacturing unit element |
JP5435925B2 (en) | 2008-10-28 | 2014-03-05 | リンテック株式会社 | Expanding apparatus and expanding method |
JP5654810B2 (en) * | 2010-09-10 | 2015-01-14 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP5013148B1 (en) * | 2011-02-16 | 2012-08-29 | 株式会社東京精密 | Work dividing apparatus and work dividing method |
JP6045313B2 (en) | 2012-11-19 | 2016-12-14 | 株式会社ディスコ | Tip spacing maintenance device |
JP6312498B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-04-18 | 日東電工株式会社 | Dicing film, dicing die-bonding film, and semiconductor device manufacturing method |
JP6425435B2 (en) | 2014-07-01 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | Tip spacing maintenance device |
-
2017
- 2017-10-24 CN CN201780066523.8A patent/CN109891556B/en active Active
- 2017-10-24 KR KR1020227010904A patent/KR102434738B1/en active IP Right Grant
- 2017-10-24 JP JP2018547681A patent/JP6920629B2/en active Active
- 2017-10-24 KR KR1020197011634A patent/KR102246098B1/en active IP Right Grant
- 2017-10-24 WO PCT/JP2017/038321 patent/WO2018079536A1/en active Application Filing
- 2017-10-24 KR KR1020217012222A patent/KR102383560B1/en active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-19 JP JP2021118776A patent/JP7214958B2/en active Active
-
2023
- 2023-01-12 JP JP2023003080A patent/JP2023029601A/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10116801A (en) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Rohm Co Ltd | Method for dividing substrate and manufacture of light emitting element using the method |
JP2005057158A (en) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method and device for expansion |
JP2006294938A (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Rupturing method for adhesive film |
JP2007173587A (en) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Expanding method and apparatus, and dicing apparatus |
JP2009272502A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Film-like adhesive fracturing apparatus and fracturing method |
JP2010092992A (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape extending device |
JP2012204747A (en) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Chip division and separation apparatus, and chip division and separation method |
JP2016012585A (en) | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 株式会社ディスコ | Tape expansion device |
JP2016063016A (en) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP2016149581A (en) | 2016-05-16 | 2016-08-18 | 株式会社東京精密 | Work division device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6920629B2 (en) | 2021-08-25 |
KR102434738B1 (en) | 2022-08-22 |
KR20220046708A (en) | 2022-04-14 |
JP7214958B2 (en) | 2023-01-31 |
WO2018079536A1 (en) | 2018-05-03 |
KR20210048592A (en) | 2021-05-03 |
JP2023029601A (en) | 2023-03-03 |
KR102383560B1 (en) | 2022-04-08 |
CN109891556B (en) | 2022-11-22 |
CN109891556A (en) | 2019-06-14 |
JPWO2018079536A1 (en) | 2019-10-03 |
KR102246098B1 (en) | 2021-04-29 |
JP2021168419A (en) | 2021-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20190067816A (en) | Work splitting device and work splitting method | |
JP7164825B2 (en) | Work division method | |
US7579260B2 (en) | Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer | |
JP2024036560A (en) | Workpiece division device | |
KR20210058606A (en) | Wafer expanding device | |
JP6820494B2 (en) | Work dividing device and work dividing method | |
TWI812652B (en) | Wire saw device and wafer manufacturing method | |
US10103055B2 (en) | Expansion sheet, expansion sheet manufacturing method, and expansion sheet expanding method | |
JP2010177566A (en) | Annular frame for supporting work and work transfer method | |
JP7110540B2 (en) | Work dividing device and work dividing method | |
JP2005045149A (en) | Method for expansion | |
JP6301658B2 (en) | Wafer processing method | |
JP7221649B2 (en) | Wafer expansion method and wafer expansion device | |
JP7284439B2 (en) | Work dividing device and work dividing method | |
US11031276B2 (en) | Wafer expanding method and wafer expanding apparatus | |
JP6945152B2 (en) | Work splitting device | |
JP6759524B2 (en) | Work dividing device and work dividing method | |
KR20190012996A (en) | Wafer chip dicing method | |
US20220208691A1 (en) | Semiconductor structure with one or more support structures | |
KR20170051487A (en) | Die extension tool and method using same to extend wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |