JP2010177566A - Annular frame for supporting work and work transfer method - Google Patents

Annular frame for supporting work and work transfer method Download PDF

Info

Publication number
JP2010177566A
JP2010177566A JP2009020509A JP2009020509A JP2010177566A JP 2010177566 A JP2010177566 A JP 2010177566A JP 2009020509 A JP2009020509 A JP 2009020509A JP 2009020509 A JP2009020509 A JP 2009020509A JP 2010177566 A JP2010177566 A JP 2010177566A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive tape
annular frame
frame
annular
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009020509A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ken Togashi
謙 富樫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2009020509A priority Critical patent/JP2010177566A/en
Publication of JP2010177566A publication Critical patent/JP2010177566A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】環状フレーム(第1の環状フレーム)に粘着テープを介して支持したワークを、粘着テープを拡張させることにより多数のチップに分割した後、拡張状態の粘着テープに移し替え用の一回り小さい第2の環状フレームを貼着して該第2の環状フレームの部分で粘着テープを切断工具により切り抜く際、切断工具の摩耗を防ぐ。
【解決手段】第2の環状フレーム(小径フレーム)21の粘着テープ10の貼着面21bに環状の溝部21cを形成し、カッタ40の先端を溝部21cの内面に接触させないようにしてカッタ40を粘着テープ10に貫通させて溝部21cに挿入する。その状態を維持しながらカッタ40を溝部21cに沿って1周させ、粘着テープ10を円形状に切り抜く。カッタ40を小径フレーム21に接触させないためカッタ40は摩耗しない。
【選択図】図7
A work supported on an annular frame (first annular frame) via an adhesive tape is divided into a large number of chips by expanding the adhesive tape, and then transferred to an expanded adhesive tape. When a small second annular frame is attached and the adhesive tape is cut out by a cutting tool at the second annular frame, the cutting tool is prevented from being worn.
An annular groove 21c is formed on a sticking surface 21b of an adhesive tape 10 of a second annular frame (small-diameter frame) 21 so that the tip of the cutter 40 does not come into contact with the inner surface of the groove 21c. The adhesive tape 10 is penetrated and inserted into the groove 21c. While maintaining this state, the cutter 40 is rotated once along the groove 21c, and the adhesive tape 10 is cut out in a circular shape. Since the cutter 40 is not brought into contact with the small-diameter frame 21, the cutter 40 is not worn.
[Selection] Figure 7

Description

本発明は、半導体ウェーハ等のワークが貼着された粘着テープを拡張してワークを複数のチップに分割する際などに好適に採用されるワーク支持用環状フレームおよびワーク移載方法に関する。   The present invention relates to an annular frame for supporting a workpiece and a workpiece transfer method which are preferably employed when an adhesive tape to which a workpiece such as a semiconductor wafer is attached is expanded to divide the workpiece into a plurality of chips.

半導体デバイス製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に格子状の分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にICやLSI等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理をしてから、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、裏面にエポキシ樹脂等からなる厚さが例えば数μm〜100μm程度のDAF(Die Attach Film)と称されるダイボンディング用のフィルム状接着剤が貼着され、このDAFを介して、半導体チップを支持するダイボンディングフレームに対し加熱することによりボンディングされる。   In the semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer by grid-like division lines, electronic circuits such as IC and LSI are formed on the surface of these rectangular areas, and then the back surface After performing necessary processing such as polishing after grinding, all the divided lines are cut, that is, diced to obtain a large number of semiconductor chips. The semiconductor chip thus obtained has a film adhesive for die bonding called DAF (Die Attach Film) having a thickness of, for example, several μm to 100 μm, formed of an epoxy resin on the back surface. The DAF is bonded to the die bonding frame that supports the semiconductor chip by heating through the DAF.

一方、半導体ウェーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、近年にあっては、レーザ光線を、被加工物の内部に集光点を合わせて照射するレーザ加工方法が試みられている。このレーザ加工方法を用いた分割方法は、透過性を有する赤外光領域のパルスレーザ光線を被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて照射して、被加工物の内部に分割予定ラインに沿った変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることで強度が低下した分割予定ラインに外力を加えることによって被加工物を分割するものである(例えば特許文献1)。外力を加える手段としては、被加工物の裏面に貼着した保護テープ等の粘着テープを拡張することにより被加工物も同時に拡張させるといった手段が採られている。   On the other hand, as a method for dividing a plate-shaped workpiece such as a semiconductor wafer, in recent years, a laser processing method has been attempted in which a laser beam is irradiated with a focusing point inside the workpiece. . In the dividing method using this laser processing method, a pulsed laser beam in the infrared region having transparency is irradiated from the one surface side of the work piece with the converging point inside to irradiate the inside of the work piece. In order to divide the workpiece by applying an external force to the division line that has been reduced in strength due to the formation of this alteration layer. Reference 1). As means for applying the external force, means for expanding the workpiece simultaneously by expanding an adhesive tape such as a protective tape attached to the back surface of the workpiece is employed.

このようなレーザ加工による被加工物の分割方法を上記DAFが貼着された半導体ウェーハに適用することは可能であり、その場合には、半導体ウェーハの裏面に貼着されたDAFに上記粘着テープが貼着され、粘着テープの拡張によって、半導体チップとともにDAFが分割される。ところで、粘着テープが拡張されることで多数の半導体チップに分割された半導体ウェーハは次の工程に搬送されるが、搬送の際に、拡張された粘着テープが弛むことによって隣り合う半導体チップどうしが擦れ合って損傷したり、分割されたDAFが再び接合しまったりするといった不具合が起こる場合があった。   Such a method of dividing a workpiece by laser processing can be applied to a semiconductor wafer to which the DAF is attached. In that case, the adhesive tape is attached to the DAF attached to the back surface of the semiconductor wafer. The DAF is divided together with the semiconductor chip by the expansion of the adhesive tape. By the way, the semiconductor wafer divided into a large number of semiconductor chips due to the expansion of the adhesive tape is transported to the next step. During the transportation, the expanded adhesive tape is loosened so that adjacent semiconductor chips are separated. In some cases, there were problems such as rubbing and damage, and split DAF joining again.

そこで、粘着テープを、拡張によってテンションを付与した状態のままとすることにより、半導体チップ間の間隔を維持して半導体チップどうしの接触などを防止することが提案されている(特許文献2)。すなわち該特許文献2では、環状フレームの開口部に、分割前の半導体ウェーハを粘着テープを介して支持した状態で、粘着テープを拡張させ半導体ウェーハを多数の半導体チップに分割している。そして、半導体ウェーハの分割状態を保持したまま、環状フレームの内側の粘着テープに環状の移し替えフレームを貼着し、移し替えフレームの裏面への粘着テープの貼着部分を環状に切断している。これにより、移し替えフレームの開口部に、テンションが付与された状態の粘着テープを介して半導体チップ間の間隔が維持された半導体ウェーハが支持されるものとなっている。   Therefore, it has been proposed that the adhesive tape is left in a state where tension is applied by expansion, thereby maintaining the distance between the semiconductor chips and preventing contact between the semiconductor chips (Patent Document 2). That is, in Patent Document 2, the semiconductor wafer is divided into a large number of semiconductor chips by expanding the adhesive tape in a state where the semiconductor wafer before division is supported by the opening of the annular frame via the adhesive tape. Then, while maintaining the divided state of the semiconductor wafer, the annular transfer frame is attached to the adhesive tape inside the annular frame, and the adhesive tape attachment portion on the back surface of the transfer frame is annularly cut. . Thereby, the semiconductor wafer in which the space | interval between semiconductor chips is maintained is supported by the opening part of the transfer flame | frame via the adhesive tape of the state to which the tension | tensile_strength was provided.

特許第3408805号公報Japanese Patent No. 3408805 特開2008−140874号公報JP 2008-140874 A

上記のように移し替えフレームの裏面に貼着されている粘着テープを切断するには、粘着テープ側から移し替えフレームに突き当てたカッタの刃先(上記文献2で切れ刃)を相対的に周方向に1周以上移動させて行っている。ところがこの方法では、移し替えフレームに摺接するためカッタの刃先が摩耗しやすく、このためカッタを定期的に交換する手間が生じるとともにコストの上昇を招くといった問題がある。また、カッタの刃先が粘着テープを確実に貫通して切断することが達成されずに切り残しが生じる場合もあった。   In order to cut the adhesive tape attached to the rear surface of the transfer frame as described above, the cutting edge of the cutter (the cutting edge in the above-mentioned document 2) abutted against the transfer frame from the adhesive tape side is relatively surrounded. This is done by moving one or more rounds in the direction. However, this method has a problem that the cutting edge of the cutter is likely to be worn because it is in sliding contact with the transfer frame, which causes troublesome replacement of the cutter and an increase in cost. In addition, uncut cutting may occur without achieving the cutting edge of the cutter reliably penetrating through the adhesive tape.

よって本発明は、カッタの刃先の摩耗を生じにくくさせ、これによってメンテナンス性の向上ならびにコスト上昇の抑制を図ることができるとともに、確実に粘着テープを切り抜くことができて生産性の向上が達成されるワーク支持用環状フレームおよびワーク移載方法の提供を目的としている。   Therefore, the present invention makes it difficult for the cutter blade edge to wear, thereby improving the maintainability and suppressing the cost rise, and can reliably cut out the adhesive tape, thereby improving the productivity. An object is to provide an annular frame for supporting a workpiece and a workpiece transfer method.

本発明のワーク支持用環状フレームは、貼着面に貼着される粘着テープを介して開口部に配置される板状のワークを支持する環状のフレームであって、粘着テープが貼着される貼着面に、切断工具が非接触状態で挿入可能とされる環状の溝部が形成されていることを特徴としている。   The work-supporting annular frame of the present invention is an annular frame that supports a plate-like work disposed in an opening via an adhesive tape that is attached to an attachment surface, and the adhesive tape is attached thereto. An annular groove that allows the cutting tool to be inserted in a non-contact state is formed on the sticking surface.

本発明の環状フレームによれば、溝部を覆って貼着面に貼着された粘着テープを円形状に切り抜くにあたって、溝部に切断工具を挿入した状態で該切断工具を溝部に沿って相対的に移動させることにより、粘着テープを円形状に切り抜くことができる。切断工具を溝部の内面に非接触状態とすることにより、切断工具の摩耗を抑えることができる。このため切断工具の寿命が延び、メンテナンス性の向上ならびにコスト上昇の抑制が図られる。また、溝部に挿入された切断工具は粘着テープを完全に貫通するため、粘着テープを確実に切断することができて切り残しが生じず、その結果生産性が向上する。   According to the annular frame of the present invention, when the adhesive tape that covers the groove and is adhered to the attachment surface is cut out in a circular shape, the cutting tool is relatively moved along the groove with the cutting tool inserted in the groove. By moving, the adhesive tape can be cut out in a circular shape. Wearing the cutting tool can be suppressed by making the cutting tool non-contact with the inner surface of the groove. For this reason, the life of the cutting tool is extended, maintenance is improved, and cost increases are suppressed. Moreover, since the cutting tool inserted in the groove part completely penetrates the adhesive tape, the adhesive tape can be cut reliably and no uncut portion is generated, resulting in improved productivity.

次に、本発明のワーク移載方法は、第1の環状フレームの開口部に配置され、粘着テープを介して該第1の環状フレームに支持された複数のチップに分割済みの板状のワークを、該第1の環状フレームの内縁よりも小さい外縁を有する第2の環状フレームに支持し直すワーク移載方法であって、第1の環状フレームの開口部内における粘着テープのワークが貼着されている領域を拡張する粘着テープ拡張工程と、粘着テープの、第1の環状フレームの内縁とワークの外縁との間の環状領域に、環状の溝部が形成された第2の環状フレームの該溝部が形成された面を貼着する第2の環状フレーム貼着工程と、溝部に切断工具を非接触の状態で挿入する切断工具挿入工程と、該切断工具を該溝部に沿って相対的に移動させて粘着テープを円形状に切り抜く粘着テープ切り抜き工程と含み、第2の環状フレームは、上記本発明に記載の環状フレームであることを特徴としている。本発明のワーク移載方法によれば、上記本発明に記載の環状フレームを用いることにより、該環状フレームで奏される上記作用効果を同様に得ることができる。   Next, the workpiece transfer method of the present invention is a plate-like workpiece that is arranged in the opening of the first annular frame and is divided into a plurality of chips supported by the first annular frame via an adhesive tape. Is transferred to a second annular frame having an outer edge smaller than the inner edge of the first annular frame, and the workpiece of the adhesive tape is stuck inside the opening of the first annular frame. An adhesive tape expanding step for expanding the region, and the groove portion of the second annular frame in which an annular groove portion is formed in the annular region between the inner edge of the first annular frame and the outer edge of the workpiece of the adhesive tape. A second annular frame adhering step for adhering the surface formed with the cutting tool, a cutting tool inserting step for inserting the cutting tool into the groove portion in a non-contact state, and the cutting tool relatively moving along the groove portion Let the adhesive tape be circular Wherein the adhesive tape cutout step unplugging Ri, the second annular frame is characterized in that an annular frame according to the present invention. According to the workpiece transfer method of the present invention, by using the annular frame according to the present invention, the above-described effects obtained by the annular frame can be obtained in the same manner.

なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ等の半導体ウェーハであって、多数のチップに区画する分割予定ラインに溝や内部変質層が形成されたもの、またはこのようなウェーハに上記DAFが貼着されたもの、さらにこのようなウェーハであって分割予定ラインがフルカットされていてDAFがハーフカット(厚さの途中までカットされている状態)のものなどが挙げられる。   The work referred to in the present invention is not particularly limited. For example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer, in which grooves or an internal deteriorated layer are formed in a division line to be divided into a large number of chips, or such Examples include those in which the DAF is adhered to a wafer, and such wafers in which the line to be divided is fully cut and the DAF is half-cut (cut to the middle of the thickness). .

本発明によれば、切断工具が摩耗しにくくなり、これによってメンテナンス性の向上ならびにコスト上昇の抑制を図ることができるとともに、確実に粘着テープを切り抜くことができて生産性の向上が達成されるといった効果を奏する。   According to the present invention, it becomes difficult for the cutting tool to be worn, thereby improving the maintainability and suppressing the cost increase, and it is possible to reliably cut out the adhesive tape, thereby improving the productivity. There are effects such as.

本発明の一実施形態に係るワーク移載方法の過程を(a)〜(c)の順に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the process of the workpiece transfer method which concerns on one Embodiment of this invention in order of (a)-(c). (a)小径フレームでウェーハを支持した状態の斜視図、(b)小径フレームの裏面側を示す斜視図である。(A) The perspective view of the state which supported the wafer with the small diameter flame | frame, (b) The perspective view which shows the back surface side of a small diameter flame | frame. テープ拡張装置によるテープ拡張動作の初期状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the initial state of the tape expansion operation by a tape expansion apparatus. テープ拡張装置で粘着テープを拡張した時の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a state when an adhesive tape is expanded with the tape expansion apparatus. テープ拡張装置で拡張された粘着テープに小径フレームを貼着した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which stuck the small diameter flame | frame on the adhesive tape expanded with the tape expansion apparatus. 小径フレームに移し替えたウェーハをテープ拡張装置から取り上げている状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which has picked up the wafer transferred to the small diameter flame | frame from the tape expansion apparatus. 小径フレームに貼着された粘着テープを切り抜く過程を(a)〜(c)の順に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of cutting out the adhesive tape stuck to the small diameter flame | frame in order of (a)-(c).

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
(1)半導体ウェーハ
図1は、一実施形態のワーク移載方法の手順を(a)〜(c)の順に示している。図1の符号1で示す一実施形態のワークは、シリコンウェーハ等の、厚さが例えば100〜700μm程度に薄化加工された円板状の半導体ウェーハである。このウェーハ1には、格子状の分割予定ライン2によって多数の矩形状の半導体チップ3が区画されている。各チップ3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。なお、ウェーハ1の裏面にはダイボンディング用の上記DAFが貼着される場合がある。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(1) Semiconductor wafer FIG. 1 shows a procedure of a workpiece transfer method according to an embodiment in the order of (a) to (c). 1 is a disk-shaped semiconductor wafer thinned to a thickness of, for example, about 100 to 700 μm, such as a silicon wafer. In this wafer 1, a large number of rectangular semiconductor chips 3 are partitioned by grid-like division planned lines 2. An electronic circuit (not shown) such as an IC or an LSI is formed on the surface of each chip 3. The DAF for die bonding may be attached to the back surface of the wafer 1 in some cases.

ウェーハ1は、分割予定ライン2にダイシング加工が施された後、放射方向に拡張されることにより分割予定ライン2に沿って分断され、各チップ3に分割される。この場合のダイシング加工は、ウェーハ1を個々のチップ3に分割するための予備加工であり、切削加工やレーザ加工といった手段が採用される。   The wafer 1 is subjected to dicing processing on the division line 2 and then expanded in the radial direction so as to be divided along the division line 2 and divided into chips 3. The dicing process in this case is a preliminary process for dividing the wafer 1 into individual chips 3, and means such as cutting or laser processing is employed.

ダイシング加工のうちの切削加工としては、表面側の分割予定ライン2に溝を形成するハーフカットの後に裏面を研削する先ダイシング加工や、ウェーハ1の裏面に上記DAFが貼着されている場合等においてウェーハ1のみを表面側から完全に切断する加工等が考えられる。一方、レーザ加工は、透過性を有するパルスレーザ光線をウェーハ1の内部に集光点を合わせて照射することにより分割予定ライン2に沿って変質層を形成して分割予定ライン2の強度を低下させる加工や、分割予定ライン2に沿ってアブレーション加工を施す方法等が考えられる。   As the cutting process in the dicing process, the dicing process in which the back surface is ground after the half cut for forming the groove in the division line 2 on the front surface side, the DAF is attached to the back surface of the wafer 1, etc. For example, a process of completely cutting only the wafer 1 from the surface side is conceivable. On the other hand, in the laser processing, by applying a pulsed laser beam having transparency to the inside of the wafer 1 with a converging point being irradiated, a deteriorated layer is formed along the planned dividing line 2 to reduce the intensity of the planned dividing line 2. And a method of performing ablation processing along the planned dividing line 2 are conceivable.

ウェーハ1にダイシング加工を施す際には、図1(a)に示すように、ウェーハ1は粘着テープ10を介して第1の環状フレーム(以下、大径フレームと称する)11の内側の開口部11aに支持される。大径フレーム11はステンレス等の剛性を有する金属板からなるもので、粘着テープ10は、大径フレーム11の裏面に開口部11aを覆って貼着される。粘着テープ10は、伸縮性を有する基材の片面に粘着層が形成されたもので、粘着層が大径フレーム11の裏面に貼着される。粘着テープ10の基材としては、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリオレフィン等の合成樹脂シートが挙げられ、粘着層はアクリル系樹脂が挙げられる。   When the wafer 1 is diced, as shown in FIG. 1A, the wafer 1 is opened through an adhesive tape 10 inside a first annular frame (hereinafter referred to as a large diameter frame) 11. 11a is supported. The large-diameter frame 11 is made of a metal plate having rigidity such as stainless steel, and the adhesive tape 10 is attached to the back surface of the large-diameter frame 11 so as to cover the opening 11a. The pressure-sensitive adhesive tape 10 has a pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface of a stretchable base material, and the pressure-sensitive adhesive layer is attached to the back surface of the large-diameter frame 11. Examples of the base material of the pressure-sensitive adhesive tape 10 include synthetic resin sheets such as polyvinyl chloride, polypropylene, polyethylene, and polyolefin, and examples of the pressure-sensitive adhesive layer include acrylic resins.

ウェーハ1は、大径フレーム11の開口部11aに同心状に配置され、裏面側が粘着テープ10の粘着層に貼着される。これによりウェーハ1は粘着テープ10を介して大径フレーム11に一体に支持される。そしてウェーハ1は大径フレーム11を取り扱うことにより、上記ダイシング加工の工程に搬送される。   The wafer 1 is disposed concentrically in the opening 11 a of the large-diameter frame 11, and the back side is attached to the adhesive layer of the adhesive tape 10. As a result, the wafer 1 is integrally supported by the large-diameter frame 11 via the adhesive tape 10. The wafer 1 is transported to the dicing process by handling the large-diameter frame 11.

(2)ウェーハの分割および小径フレームへの移載
ダイシング加工後、上記のようにウェーハ1は放射方向に拡張されて多数のチップ3に分割されるが、ウェーハ1の拡張は粘着テープ10を拡張するに伴って同時になされる。ウェーハ1が多数のチップ3に分割された後、該ウェーハ1は、図1(b)〜(c)に示すように、大径フレーム11から、大径フレーム11よりも一回り小さい小径フレーム(第2の環状フレーム)21に移し替えられて該小径フレーム21により支持される。図2(a)は小径フレーム21でウェーハ1を支持した状態を示しており、図2(b)は小径フレーム21の、粘着テープ10への貼着面である裏面21b側を示している。
まず、粘着テープ10を拡張させてウェーハ1を多数のチップ3に分割する方法を説明する。
(2) Dividing the wafer and transferring it to a small-diameter frame After dicing, the wafer 1 is expanded in the radial direction and divided into a large number of chips 3 as described above. It is done at the same time. After the wafer 1 is divided into a large number of chips 3, as shown in FIGS. 1B to 1C, the wafer 1 is changed from the large diameter frame 11 to a small diameter frame (one size smaller than the large diameter frame 11) The second annular frame 21 is transferred to and supported by the small-diameter frame 21. 2A shows a state in which the wafer 1 is supported by the small-diameter frame 21, and FIG. 2B shows the back surface 21 b side, which is the attachment surface of the small-diameter frame 21 to the adhesive tape 10.
First, a method for expanding the adhesive tape 10 and dividing the wafer 1 into a large number of chips 3 will be described.

(2−1)ウェーハの分割
図3は、粘着テープ10を拡張させるのに好適なテープ拡張装置を示している。このテープ拡張装置は上下動可能なフレーム保持台31を有しており、このフレーム保持台31に、粘着テープ10を介してウェーハ1を支持する大径フレーム11が載置される。そして、フレーム保持台31が上昇することにより、図3に示すように大径フレーム11がフレーム保持台31とフレーム押さえプレート32との間に挟まれ、かつ、ウェーハ1が空中に浮いた状態に保持される。
(2-1) Dividing the Wafer FIG. 3 shows a tape expansion device suitable for expanding the adhesive tape 10. This tape expansion apparatus has a frame holding table 31 that can move up and down. As the frame holding table 31 is raised, the large-diameter frame 11 is sandwiched between the frame holding table 31 and the frame pressing plate 32 as shown in FIG. 3, and the wafer 1 is floated in the air. Retained.

次に、ウェーハ1の下方に配設されている円筒状の突き上げ部材33が、図示せぬ駆動装置により上昇してウェーハ1に貼着されている粘着テープ10の下面に当接し、さらに突き上げ部材33が上昇して、図4に示すようにウェーハ1が大径フレーム11よりも高いテープ拡張位置に位置付けられる(粘着テープ拡張工程)。なお、突き上げ部材33の内部には、後述するように粘着テープ10を切り取るためのカッタ(切断工具)40が刃先を上方に向けた状態で配設されている。   Next, a cylindrical push-up member 33 disposed below the wafer 1 is lifted by a driving device (not shown) and comes into contact with the lower surface of the adhesive tape 10 attached to the wafer 1. 33 rises and the wafer 1 is positioned at a higher tape expansion position than the large-diameter frame 11 as shown in FIG. 4 (adhesive tape expansion process). In addition, a cutter (cutting tool) 40 for cutting the adhesive tape 10 is disposed in the push-up member 33 with the blade edge facing upward, as will be described later.

拡張位置に達する過程において、ウェーハ1の裏面に貼着されている粘着テープ10は放射方向に引っ張られる力を受けて拡張する。そして粘着テープ10が放射方向に拡張するに伴い、ウェーハ1は、ダイシング加工が施されている分割予定ライン2に沿って分断され、個々のチップ3に分割される。各チップ3の間には、粘着テープ10の拡張によって僅かな隙間が空いている。なお、ウェーハ1の裏面にDAFが貼着されている場合には、DAFも個々のチップ3に貼着した状態でチップ3ごとに分割される。   In the process of reaching the expansion position, the adhesive tape 10 attached to the back surface of the wafer 1 expands by receiving a force pulled in the radial direction. Then, as the adhesive tape 10 expands in the radial direction, the wafer 1 is divided along the division line 2 on which dicing is performed and divided into individual chips 3. There is a slight gap between the chips 3 due to the expansion of the adhesive tape 10. In addition, when DAF is affixed on the back surface of the wafer 1, DAF is also divided | segmented for every chip | tip 3 in the state adhered to each chip | tip 3. FIG.

(2−2)小径フレームへのウェーハの移載
多数のチップ3に分割されたウェーハ1は、次の工程(例えばチップ3を粘着テープ10から取り出すピックアップ工程)に搬送されるが、粘着テープ10が拡張したままでは前述のようにチップ3が損傷するなどの不具合が起こる場合がある。すなわち、多数のチップ3に分割されたウェーハ1は、図4の状態からフレーム保持台31および突き上げ部材33を下降させることによりテープ拡張装置から取り出すことができるが、その際に粘着テープ10が弛んでしまい、これによって隣り合うチップ3どうしが擦れ合って損傷する可能性がある。
(2-2) Transfer of Wafer to Small Diameter Frame The wafer 1 divided into a large number of chips 3 is transported to the next process (for example, a pickup process for taking out the chips 3 from the adhesive tape 10). However, there is a case where the chip 3 is damaged as described above if it is expanded. That is, the wafer 1 divided into a large number of chips 3 can be taken out from the tape expansion device by lowering the frame holding base 31 and the push-up member 33 from the state shown in FIG. As a result, the adjacent chips 3 may rub against each other and be damaged.

そこで本実施形態では、図5に示すように、突き上げ部材33が上昇して粘着テープ10が拡張されたままの状態で、粘着テープ10における大径フレーム11の内縁とウェーハ1の外縁との間の環状領域10aに、小径フレーム21を貼着する(小径フレーム貼着工程)。小径フレーム21は、内径が分割後のウェーハ1の外径よりも大きく、外径が大径フレーム11の内径よりも小さい環状のフレームであって、大径フレーム11と同様にステンレス等の剛性を有する金属板でできている。   Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 5, between the inner edge of the large-diameter frame 11 and the outer edge of the wafer 1 in the adhesive tape 10 with the push-up member 33 raised and the adhesive tape 10 being expanded. The small-diameter frame 21 is stuck to the annular region 10a (small-diameter frame sticking step). The small-diameter frame 21 is an annular frame whose inner diameter is larger than the outer diameter of the divided wafer 1 and whose outer diameter is smaller than the inner diameter of the large-diameter frame 11. It is made of a metal plate.

この場合、小径フレーム21は突き上げ部材33よりも径が小さいものであって、分割後のウェーハ1と突き上げ部材33との間の水平な環状部分の粘着テープ10の上面に、ウェーハ1と同心状に貼着される。図1(b)および図7(a)は、小径フレーム21が粘着テープ10に貼着された状態を示している。本実施形態の小径フレーム21は、図2(b)および図7に示すように、粘着テープ10への貼着面である裏面21bに、断面V字状の環状の溝部21cが同心状に形成されている。上記カッタ40は溝部21cの下方に、上下動可能に配設されており、上昇すると先端の刃先が溝部21c内に挿入可能に設定されている。   In this case, the small-diameter frame 21 has a smaller diameter than the push-up member 33, and is concentric with the wafer 1 on the upper surface of the horizontal annular portion of the adhesive tape 10 between the wafer 1 and the push-up member 33 after division. Affixed to. FIG. 1B and FIG. 7A show a state where the small-diameter frame 21 is attached to the adhesive tape 10. As shown in FIG. 2B and FIG. 7, the small-diameter frame 21 of the present embodiment has an annular groove portion 21 c having a V-shaped cross section formed concentrically on the back surface 21 b that is an attachment surface to the adhesive tape 10. Has been. The cutter 40 is disposed below the groove portion 21c so as to be movable up and down. When the cutter 40 is raised, the cutting edge at the tip is set to be insertable into the groove portion 21c.

次に、図7(b)に示すように、突き上げ部材33の内部に配設したカッタ40を上昇させて、該カッタ40の先端を小径フレーム21の裏面に貼着している粘着テープ10に突き刺すとともに溝部21cの任意箇所に挿入する(切断工具挿入工程)。この時、カッタ40の先端が溝部21cの内面に接触しない状態を保持する。次いで、カッタ40を、溝部21cの内面に接触しないようにしながら、溝部21cに沿って周方向に1周移動させる(粘着テープ切り抜き工程)。これにより、粘着テープ10は図7(c)に示すように溝部21cに沿って切断され円形状に切り抜かれる。なお、可能であれば、カッタ40を周方向に移動させる代わりに粘着テープ10側を回転させてカッタ40で粘着テープ10を切断するようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 7 (b), the cutter 40 disposed inside the push-up member 33 is raised, and the tip of the cutter 40 is attached to the back surface of the small-diameter frame 21. It stabs and inserts in the arbitrary location of the groove part 21c (cutting tool insertion process). At this time, the state where the tip of the cutter 40 does not contact the inner surface of the groove 21c is maintained. Next, the cutter 40 is moved once in the circumferential direction along the groove portion 21c while not contacting the inner surface of the groove portion 21c (adhesive tape cutting step). Thereby, as shown in FIG.7 (c), the adhesive tape 10 is cut | disconnected along the groove part 21c, and is cut out circularly. If possible, the adhesive tape 10 may be cut by the cutter 40 by rotating the adhesive tape 10 side instead of moving the cutter 40 in the circumferential direction.

このようにして粘着テープ10が切り抜かれると、多数のチップ3に分割された分割後のウェーハ1は、小径フレーム21の開口部21aに、拡張されてテンションが付与されたままの状態の粘着テープ10を介して支持された状態となり、図6に示すように拡張装置から取り上げることができる。粘着テープ10は拡張状態であるため、分割されたチップ3間の間隔は維持され、したがって小径フレーム21ごと搬送される際、チップ3どうしが接触することは起こらずチップの損傷が防止される。   When the adhesive tape 10 is cut out in this manner, the divided wafer 1 that has been divided into a large number of chips 3 is expanded into the opening 21a of the small-diameter frame 21 and is still in a state where tension is applied. 10 and can be picked up from the expansion device as shown in FIG. Since the adhesive tape 10 is in the expanded state, the interval between the divided chips 3 is maintained, and therefore, when the small-diameter frame 21 is conveyed, the chips 3 do not come into contact with each other and the chips are prevented from being damaged.

(3)一実施形態の作用効果
上記一実施形態によれば、小径フレーム21に貼着されている粘着テープ10をカッタ40で切り抜く際に、該カッタ40を溝部21cに挿入して溝部21cの内面には接触させないため、カッタ40の摩耗を抑えることができる。このためカッタ40の寿命が延び、メンテナンス性の向上ならびにコスト上昇の抑制が図られる。また、溝部21cに挿入されたカッタ40は粘着テープ10を完全に貫通するため、粘着テープ10を確実に切断することができて切り残しが生じず、その結果生産性が向上する。
(3) Effects of One Embodiment According to the one embodiment, when the adhesive tape 10 attached to the small-diameter frame 21 is cut out by the cutter 40, the cutter 40 is inserted into the groove portion 21c and the groove portion 21c is inserted. Since the inner surface is not contacted, wear of the cutter 40 can be suppressed. For this reason, the life of the cutter 40 is extended, so that the maintainability is improved and the cost increase is suppressed. Further, since the cutter 40 inserted into the groove portion 21c completely penetrates the adhesive tape 10, the adhesive tape 10 can be reliably cut and no uncut portion is generated, and as a result, productivity is improved.

1…半導体ウェーハ(ワーク)
2…分割予定ライン
3…半導体チップ
10…粘着テープ
11…大径フレーム(第1の環状フレーム)
11a…大径フレームの開口部
21…小径フレーム(第2の環状フレーム)
21a…小径フレームの開口部
21b…小径フレームの裏面(粘着テープの貼着面)
21c…小径フレームの溝部
40…カッタ(切断工具)
1 ... Semiconductor wafer (work)
2 ... Line to be divided 3 ... Semiconductor chip 10 ... Adhesive tape 11 ... Large diameter frame (first annular frame)
11a: opening of large diameter frame 21 ... small diameter frame (second annular frame)
21a: Opening of small diameter frame 21b: Back surface of small diameter frame (adhesive surface of adhesive tape)
21c ... Slot of small-diameter frame 40 ... Cutter (cutting tool)

Claims (2)

貼着面に貼着される粘着テープを介して開口部に配置される板状のワークを支持する環状のフレームであって、
前記粘着テープが貼着される前記貼着面に、切断工具が非接触状態で挿入可能とされる環状の溝部が形成されていることを特徴とするワーク支持用環状フレーム。
An annular frame that supports a plate-like workpiece disposed in the opening via an adhesive tape that is attached to the attachment surface,
An annular frame for supporting a workpiece, characterized in that an annular groove portion on which a cutting tool can be inserted in a non-contact state is formed on the attachment surface to which the adhesive tape is attached.
第1の環状フレームの開口部に配置され、粘着テープを介して該第1の環状フレームに支持された複数のチップに分割済みの板状のワークを、該第1の環状フレームの内縁よりも小さい外縁を有する第2の環状フレームに支持し直すワーク移載方法であって、
前記第1の環状フレームの開口部内における前記粘着テープの前記ワークが貼着されている領域を拡張する粘着テープ拡張工程と、
前記粘着テープの、前記第1の環状フレームの内縁と前記ワークの外縁との間の環状領域に、環状の溝部が形成された第2の環状フレームの該溝部が形成された面を貼着する第2の環状フレーム貼着工程と、
前記溝部に切断工具を非接触の状態で挿入する切断工具挿入工程と、
前記切断工具を該溝部に沿って相対的に移動させて前記粘着テープを円形状に切り抜く粘着テープ切り抜き工程と、含み
前記第2の環状フレームは、請求項1に記載の環状フレームであることを特徴とするワーク移載方法。
A plate-like workpiece that is arranged in the opening of the first annular frame and is divided into a plurality of chips supported by the first annular frame via an adhesive tape is made to be more than the inner edge of the first annular frame. A workpiece transfer method to be supported again on a second annular frame having a small outer edge,
An adhesive tape expansion step for expanding an area where the workpiece of the adhesive tape is adhered in the opening of the first annular frame;
A surface of the pressure-sensitive adhesive tape on which the groove portion of the second annular frame is formed is attached to an annular region between the inner edge of the first annular frame and the outer edge of the workpiece. A second annular frame attaching step;
A cutting tool insertion step of inserting a cutting tool into the groove portion in a non-contact state;
An adhesive tape cutting step of cutting the adhesive tape into a circular shape by relatively moving the cutting tool along the groove, and wherein the second annular frame is the annular frame according to claim 1. Characteristic work transfer method.
JP2009020509A 2009-01-30 2009-01-30 Annular frame for supporting work and work transfer method Pending JP2010177566A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009020509A JP2010177566A (en) 2009-01-30 2009-01-30 Annular frame for supporting work and work transfer method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009020509A JP2010177566A (en) 2009-01-30 2009-01-30 Annular frame for supporting work and work transfer method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010177566A true JP2010177566A (en) 2010-08-12

Family

ID=42708190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009020509A Pending JP2010177566A (en) 2009-01-30 2009-01-30 Annular frame for supporting work and work transfer method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010177566A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013131554A (en) * 2011-12-20 2013-07-04 Tdk Corp Manufacturing method of electronic device, electronic component mounting frame, electronic component stored in mounting frame, and surface mounting device
JP2016062928A (en) * 2014-09-12 2016-04-25 株式会社東芝 Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2017515316A (en) * 2014-03-07 2017-06-08 プラズマ − サーム、エルエルシー Method and apparatus for plasma dicing a semiconductor wafer
JP2021118310A (en) * 2020-01-29 2021-08-10 株式会社ディスコ Ring frame and usage method of ring frame
JP2022128744A (en) * 2021-02-24 2022-09-05 三菱電機株式会社 Division method of semiconductor wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61204710U (en) * 1985-06-11 1986-12-24
JP2001007056A (en) * 1999-06-17 2001-01-12 Shin Etsu Polymer Co Ltd Wafer frame
JP2003152056A (en) * 2001-11-08 2003-05-23 Sony Corp Semiconductor element holder and method of manufacturing the same
JP2008140874A (en) * 2006-11-30 2008-06-19 Disco Abrasive Syst Ltd Tape expansion unit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61204710U (en) * 1985-06-11 1986-12-24
JP2001007056A (en) * 1999-06-17 2001-01-12 Shin Etsu Polymer Co Ltd Wafer frame
JP2003152056A (en) * 2001-11-08 2003-05-23 Sony Corp Semiconductor element holder and method of manufacturing the same
JP2008140874A (en) * 2006-11-30 2008-06-19 Disco Abrasive Syst Ltd Tape expansion unit

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013131554A (en) * 2011-12-20 2013-07-04 Tdk Corp Manufacturing method of electronic device, electronic component mounting frame, electronic component stored in mounting frame, and surface mounting device
JP2017515316A (en) * 2014-03-07 2017-06-08 プラズマ − サーム、エルエルシー Method and apparatus for plasma dicing a semiconductor wafer
JP2016062928A (en) * 2014-09-12 2016-04-25 株式会社東芝 Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2021118310A (en) * 2020-01-29 2021-08-10 株式会社ディスコ Ring frame and usage method of ring frame
JP2022128744A (en) * 2021-02-24 2022-09-05 三菱電機株式会社 Division method of semiconductor wafer
JP7524793B2 (en) 2021-02-24 2024-07-30 三菱電機株式会社 Semiconductor wafer dividing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7579260B2 (en) Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer
US7622366B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
US7507639B2 (en) Wafer dividing method
CN100466184C (en) wafer processing method
CN102403204B (en) The processing method of wafer
US9779993B2 (en) Wafer processing method including attaching a protective tape to a front side of a functional layer to prevent debris adhesion
US20060197260A1 (en) Laser processing method and laser beam processing machine
KR101938426B1 (en) Forming method of chip with die attach film
KR102727198B1 (en) Method for processing wafer
TWI459452B (en) A method of breaking the film attached to the back of the wafer, and a subsequent film
JP2005019525A (en) Manufacturing method of semiconductor chip
CN108022876B (en) wafer processing method
US10079179B2 (en) Wafer processing method
CN108022877A (en) The processing method of chip
CN108015650B (en) wafer processing method
JP4927582B2 (en) Breaking method of adhesive film mounted on backside of wafer
CN107039341A (en) The processing method of chip
JP2008263070A (en) Device manufacturing method
JP2010177566A (en) Annular frame for supporting work and work transfer method
KR101966997B1 (en) Machining method
CN104009001A (en) Laminated wafer processing method and adhesive piece
JP4767122B2 (en) Method for replacing tape and method for dividing substrate using the method for replacing tape
JP2015015359A (en) Method for processing wafer
JP6298699B2 (en) Wafer processing method
JP4768963B2 (en) Wafer transfer method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130125

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130530