KR20190041079A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐; 및 상기 기판으로 공급되는 상기 처리액이 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 토출 되도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다. 그리고, 위 같은 공정 중에는 기판을 가열 처리하는 공정이 수반될 수 있다.
일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다. 이 같이 유체를 통한 기판의 처리에 기판의 가열이 수반될 수 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐; 및 상기 기판으로 공급되는 상기 처리액이 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 토출 되도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제어기는 상기 저유량 공급 구간에서 상기 처리액의 토출이 정지되도록 상기 처리액 노즐을 제어할 수 있다.
또한, 상기 지지 부재에 위치된 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제어기는 상기 가열 부재의 가열 온도가 상기 저유량 공급 구간보다 상기 고유량 공급구간에서 낮도록 상기 가열 부재를 제어할 수 있다.
또한, 상기 가열 부재는 상기 지지 부재에 위치되는 램프로 제공될 수 있다.
또한, 상기 가열 부재는 상기 지지 부재에 위치되는 저항 가열 방식 열선일 수 있다.
또한, 상기 가열 부재는 상기 지지 부재로 레이저를 조사하는 레이저 원일 수 있다.
또한, 상기 가열 부재는 상기 기판의 회전 중심과 상기 기판의 단부 사이게 걸쳐 라인빔 형태로 상기 레이저를 조사할 수 있다.
또한, 상기 처리액은 인산일 수 있다.
또한, 상기 지지 부재는 회전 가능하게 제공되고, 상기 제어기는 상기 저유량 공급 구간보다 상기 고유량 공급 구간에서 회전 속력이 빠르도록 상기 지지 부재를 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되, 상기 처리액은 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 공급되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 저유량 공급 구간의 시간당 평균 토출량은 상기 고유량 공급 구간의 1/2 이하일 수 있다.
또한, 상기 저유량 공급 구간에서 상기 기판으로의 상기 처리액 토출은 정지될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 고유량 공급 구간에 비해 상기 저유량 공급 구간에서 고온으로 가열될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 저유량 공급 구간에 비해 상기 고유량 공급 구간에서 더 빠르게 회전될 수 있다.
또한, 상기 처리액은 인산일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 지지 부재의 부분 단면도 이다.
도 4는 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6은 처리액 노즐이 기판에 약액을 토출하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 8 또 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 10은 일 예에 따라 기판에 조사된 레이저를 나타내는 도면이다.
도 11은 또 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 위치된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버들(260)이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 위치된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암들(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암들(144c) 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 공정 처리를 수행한다. 공정 챔버(260)에서 처리되는 공정은 모두 동일하나, 2개 이상의 상이한 공정일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 지지 부재(1000), 처리액 노즐(1300), 가열 부재(1400) 및 제어기(1500)를 포함한다.
지지 부재(1000)는 공정 진행 중 기판(S)을 지지한다. 지지 부재(1000)는 상면이 설정 면적을 가지도록 제공된다. 일 예로, 지지 부재(1000)는 기판(S)보다 큰 면적을 가지고, 상면에 제공되는 핀(1100)으로 기판(S)을 지지하여, 기판(S)의 저면이 지지 부재(1000)의 상면에서 이격 된 상태로 기판(S)이 지지되게 할 수 있다. 또한, 지지 부재(1000)는 상면이 기판(S)보다 크거나 작은 면적을 가지고 기판(S)을 진공 흡착하는 방식으로 기판(S)을 고정시키도록 제공될 수 있다. 지지 부재(1000)는 구동기(1110)가 제공하는 동력에 의해 회전 가능하게 제공되어, 공정 진행 중 기판(S)을 회전 시킬 수 있다.
처리액 노즐(1300)은 지지 부재(1000)에 위치된 기판(S)으로 기판(S) 처리를 위한 처리액을 토출한다. 처리액은 인산일 수 있다. 또한, 처리액은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 그리고 암모니아(NH3) 등과 같은 케미칼일 수 있다.
가열 부재(1400)는 공정 처리 중 기판(S)을 가열한다. 일 예로, 가열 부재(1400)은 지지 부재(1000)에 위치되는 형태로 제공될 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른 지지 부재의 부분 단면도 이다.
도 3을 참조하면, 지지 부재(1000)는 척 스테이지(1010) 및 가열 부재(1400)를 포함한다.
척 스테이지(1010)는 지지 부재(1000)의 상부 구조를 제공한다. 척 스테이지(1010)의 내측에는 수용 공간(1011)이 형성된다. 수용 공간(1011)의 상부는 투과판(1020)에 의해 차폐된다. 투과판(1020)은 가열 부재(1400)가 제공하는 에너지의 투과성이 높은 것으로 선택될 수 있다. 일 예로, 투과판(1020)은 석영 재질로 제공될 수 있다.
가열 부재(1400)는 척 스테이지(1010)의 내측에 위치되는 형태로 제공된다. 가열 부재(1400)는 램프, 저항 가열 방식의 열선 등일 수 있다. 가열 부재(1400)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 가열 부재(1400)는 척 스테이지(1010)의 회전 중심에 대해 상이한 반지름을 갖는 것이 복수 제공될 수 있다. 복수의 가열 부재(1400)는 조사되는 광의 강도 또는 발생되는 열이 각각 개별적으로 제어 가능하게 제공될 수 있다.
가열 부재(1400)는 지지판(1030)에 위치되는 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 척 스테이지(1010)의 수용 공간(1011)에는 지지판(1030)이 위치되고, 가열 부재(1400)는 지지판(1030)에 지지되는 형태로 제공될 수 있다. 지지판(1030)은 가열 부재(1400)에서 발생되는 광 또는 열이 척 스테이지(1010)의 상부를 향하도록 보조할 수 있다. 예를 들어, 지지판(1030)의 상면은 금속재질로 제공될 수 있다. 지지판(1030)은 위쪽 또는 아래쪽에 척 스테이지(1010)의 내면과 이격 되는 형태로 제공되어, 수용 공간(1011)에는 가열 부재(1400)의 냉각을 위한 유로가 형성될 수 있다.
가열 부재(1400)에는 격벽(1031)이 형성될 수 있다. 가열 부재(1400)가 복수로 제공되는 경우, 격벽(1031)은 인접한 가열 부재(1400) 사이에 위치될 수 있다. 또한, 격벽(1031)은 최 외각에 위치된 가열 부재(1400)이 외측에 형성될 수 있다. 격벽(1031)에 의해 하나의 가열 부재(1400)에 의해 가열 되는 영역이 인접한 영역에 미치는 영향을 줄일 수 있다. 따라서, 각각의 가열 부재(1400)에 의해 가열되는 구역의 제어 효율이 향상될 수 있다.
도 4는 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 제어기(1500)는 공정 챔버(260)의 구성 요소를 제어한다. 제어기(1500)는 가열 부재(1400)가 고온 가열과 저온 가온 가열을 수행하도록 가열 부재(1400)를 제어한다. 고온 가열 온도(TH)는 저온 가열 온도(TL)보다 설정 온도 높게 형성된다.
고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)은 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5) 이후, 또는 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5) 사이에 위치되어 1회 이상 나타나도록, 제어기(1500)는 가열 부재(1400)를 제어한다. 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)이 2회 이상 나타날 때, 각각의 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)의 지속 시간은 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 각각의 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)의 지속 시간은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)의 지속 시간과 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)의 지속 시간은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예로, 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 개시되어 10초간 지속된 후, 설정 시간 동안 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)과 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 10초씩 교대로 수행될 수 있다. 일 예로, 가열 부재(1400)에 의해 기판(S)이 가열 처리되는 지속 시간은 1분 일 수 있다.
도 5 및 도 6은 처리액 노즐이 기판에 약액을 토출하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제어기(1500)는 시간에 따라 기판(S)에 공급되는 처리액의 양이 달라지도록 처리액 노즐(1300)을 제어한다.
제어기(1500)는 저유량 구간과 고유량 구간에 따라 처리액 노즐(1300)이 기판(S)에 처리액을 토출하도록 제어한다. 저유량 구간의 시간당 평균 처리액의 토출량은 고유량의 시간당 평균 처리액의 토출량 보다 적게 형성된다. 저유량 구간의 평균 토출량은 고유량 구간의 1/2이하로 형성된다. 일 예로, 제어기(1500)는 저유량 구간에서 약액의 토출이 정지되도록 처리액 노즐(1300)을 제어할 수 있다.
저유량 구간은 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)보다 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)에 많은 시간이 중첩되고, 고유량 구간은 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)보다 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)에 많이 시간이 중첩되도록 형성된다. 일 예로, 저유량 구간은 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)과 일치하고, 고유량 구간은 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)과 일치할 수 있다.
처리액에 의한 기판(S)의 처리 정도는 기판(S) 및 처리액의 온도에 의존적이다. 일 예로, 인산을 통해 기판(S)의 처리 속도 및 효율은 기판(S) 및 처리액의 온도가 올라갈수록 증가한다. 반면, 처리액이 공급되는 동안 기판(S)은 회전되고, 이에 따라 기판(S)에 공급된 후 가열된 처리액은 기판(S)의 외측으로 비산되고, 가열 되지 않은 새로운 처리액이 기판(S)에 토출됨에 따라, 지지 부재(1000)에 의한 가열 효율이 저하된다.
본 발명에 따른 기판(S) 처리 장치는, 처리액에 의한 기판(S) 처리 공정이 이루어 지는 과정에서, 처리액이 상대적으로 적게 공급되는 저유량 공급 구간이 형성된다. 따라서, 가열 부재(1400)가 제공하는 열량에 의해 가열되는 처리액의 양이 감소되어, 기판(S) 및 처리액은 상대적으로 단시간에 고온으로 가열되어, 처리액과 기판(S)의 반응성이 증가된다. 또한, 저유량 공급 구간은 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)과 중첩되는 시간이 크게 형성되어, 기판(S) 및 처리액의 가열 효율이 향상될 수 있다.
제어기(1500)는 저유량 공급 구간과 고유량 공급 구간에서 지지 부재(1000)의 회전 속력이 상이하도록 제어할 수 있다. 제어기(1500)는 저유량 공급 구간에서의 회전 속력이 고유량 공급 구간에서의 회전 속력보다 느리도록, 지지 부재(1000)를 제어할 수 있다. 따라서, 저유량 공급 구간에서 기판(S)에 공급된 처리액은 기판(S)에서의 잔류 시간이 증가되고, 상대적으로 적은 량이 공급되어도 기판(S)에 잔류하는 처리액의 양은 설정 량이 유지될 수 있다. 또한, 제어기(1500)는 처리액에 의한 기판(S) 처리가 개시되면, 고유량 공급 구간과 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)으로, 처리액 노즐(1300)과 가열 부재(1400)를 제어하여, 기판(S) 처리 개시 즉시 기판(S)에 처리액이 공급되게 할 수 있다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)에서의 가열 온도는 2가지 이상이 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 저온 가열 온도(TL1)는 제2 저온 가열 온도(TL2)보다 높게 형성될 수 있다. 이 때, 제1 저온 가열 온도(TL1)와 제2 저온 가열 온도(TL2)의 온도차는, 제1 저온 가열 온도(TL1)와 고온 가열 온도(TH)의 온도차 보다 작게 형성된다.
고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4) 및 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 토출되는 처리액의 양과 갖는 관계는 도 6 및 도 7과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
도 8 또 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)에서의 가열 온도는 2가지 이상이 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 고온 가열 온도(TH1)는 제2 고온 가열 온도(TH2)보다 높게 형성될 수 있다. 이 때, 제1 고온 가열 온도(TH1)와 제2 고온 가열 온도(TH2)의 온도차는, 제2 고온 가열 온도(TH2)와 저온 가열 온도(TL)의 온도 차 보다 작게 형성된다.
고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4) 및 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 토출되는 처리액의 양과 갖는 관계는 도 6 및 도 7과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 9를 참조하면, 공정 챔버(260a)는 지지 부재(1000a), 처리액 노즐(1300a) 및 가열 부재(1400a)를 포함한다.
가열 부재(1400a)는 지지 부재(1000a)와 설정 거리 이격 되어, 지지 부재(1000a)에 위치된 기판(S)으로 레이저를 조사하는 레이저 원으로 제공될 수 있다.
도 10은 일 예에 따라 기판에 조사된 레이저를 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 가열 부재(1400a)는 설정 길이를 갖는 라인빔 형태로 레이저(La)를 조사할 수 있다. 레이저(La)는 기판(S)의 회전 중심과 기판(S)의 외측 단부 사이에 걸쳐 조사될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 회전되면, 레이저(La)는 기판(S)의 상면 전체에 걸쳐 조사될 수 있다.
또한, 가열 부재(1400a)는 설정 면적을 갖는 레이저가 기판(S)의 회전 중심과 외측 단부 사이를 이동하는 형태로, 레이저를 조사하도록 제공될 수 도 있다.
시간에 따라, 가열 부재(1400a)가 기판(S)을 가열하는 방식 및 처리액 노즐(1300a)에 의한 처리액의 공급량과의 관계는 도 4 내지 8의 경우와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
도 11은 또 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 공정 챔버(260b)는 지지 부재(1000b), 처리액 노즐(1300b) 및 가열 부재(1400b)를 포함한다.
가열 부재(1400b)는 지지 부재(1000b)와 위쪽으로 설정 거리 이격 되어, 지지 부재(1000b)에 위치된 기판(S)을 복사 가열 하는 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(1400b)는 램프, 저항열 등에 의해 발생된 열을 통해 기판(S)을 가열하는 형태로 제공될 수 있다.
시간에 따라, 가열 부재(1400b)가 기판(S)을 가열하는 방식 및 처리액 노즐(1300b)에 의한 처리액의 공급량과의 관계는 도 4 내지 8의 경우와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 인덱스모듈 20: 공정처리모듈
120: 로드포트 140: 이송프레임
220: 버퍼유닛 240: 이송챔버

Claims (16)

  1. 기판을 지지하는 지지 부재;
    상기 지지 부재에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐; 및
    상기 기판으로 공급되는 상기 처리액이 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 토출 되도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 저유량 공급 구간에서 상기 처리액의 토출이 정지되도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지 부재에 위치된 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 가열 부재의 가열 온도가 상기 저유량 공급 구간보다 상기 고유량 공급구간에서 낮도록 상기 가열 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 지지 부재에 위치되는 램프로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 지지 부재에 위치되는 저항 가열 방식 열선인 기판 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 지지 부재로 레이저를 조사하는 레이저 원인 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 기판의 회전 중심과 상기 기판의 단부 사이게 걸쳐 라인빔 형태로 상기 레이저를 조사하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 처리액은 인산인 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 지지 부재는 회전 가능하게 제공되고,
    상기 제어기는 상기 저유량 공급 구간보다 상기 고유량 공급 구간에서 회전 속력이 빠르도록 상기 지지 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되,
    상기 처리액은 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 공급되는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 저유량 공급 구간의 시간당 평균 토출량은 상기 고유량 공급 구간의 1/2 이하인 기판 처리 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 저유량 공급 구간에서 상기 기판으로의 상기 처리액 토출은 정지되는 기판 처리 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 기판은 상기 고유량 공급 구간에 비해 상기 저유량 공급 구간에서 고온으로 가열되는 기판 처리 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 기판은 상기 저유량 공급 구간에 비해 상기 고유량 공급 구간에서 더 빠르게 회전되는 기판 처리 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 처리액은 인산인 기판 처리 방법.
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