KR20190035742A - Socket for electrical parts - Google Patents

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Abstract

[과제] 2개의 전기 부품이 상하로 배치된 상태에서 시험 등을 행하는 전기 부품용 소켓에 있어서, 이들 2개의 전기 부품의 온도차를 저감한다.
[해결 수단] 본 발명의 전기 부품용 소켓은, 제1 전기 부품을 수용하는 상측 수용부와, 제2 전기 부품을 수용하는 하측 수용부를 갖는다. 상측 수용부는, 개구부를 가지는 수용 본체와, 상기 개구부에 설치되어 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 갖는다. 이 열전도성 부재는, 상측 수용부에 수용된 제1 전기 부품과 하측 수용부에 수용된 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록 배치된다.[PROBLEMS] To reduce the temperature difference between these two electric parts in a socket for electric parts in which two electric parts are arranged in the vertical direction.
[MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The socket for an electric part of the present invention has an upper accommodating part for accommodating a first electric part and a lower accommodating part for accommodating a second electric part. The upper receiving portion has a receiving body having an opening and a thermally conductive member provided in the opening and having a higher thermal conductivity than the receiving body. The thermally conductive member is arranged to be in contact with both the first electrical component accommodated in the upper accommodating portion and the second electrical component accommodated in the lower accommodating portion.

Description

전기 부품용 소켓Socket for electrical parts

본 발명은, 배선 기판 상에 설치되어, 반도체 장치(이하 「IC 패키지」라고 함) 등의 전기 부품의 시험 등을 행하기 위해 이 전기 부품을 수용하는, 전기 부품용 소켓에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a socket for electrical parts, which is provided on a wiring board and accommodates the electrical component for testing electrical components such as a semiconductor device (hereinafter referred to as " IC package ").

종래, IC 패키지를 착탈(着脫) 가능하게 수용하여, 그 IC 패키지의 동작 시험을 행하기 위한 IC 소켓이 있다.2. Description of the Related Art Conventionally, there is an IC socket for accommodating an IC package in a detachable manner and performing an operation test of the IC package.

또한, 그와 같은 동작 시험용 IC 소켓으로서, 복수 개의 IC 패키지를 동시에 수용하여 동작 시험을 행하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).It is also known that such an IC socket for such an operation test accommodates a plurality of IC packages at the same time and performs an operation test (see Patent Document 1).

또한, 이들 복수 개의 IC 패키지를 히터로 각각 가열하여, 고온 하에서의 동작 시험을 행하는 IC 소켓이 알려져 있다.Further, there is known an IC socket in which a plurality of IC packages are heated by a heater to perform an operation test at a high temperature.

일본공개특허 제2013-8499호 공보Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-8499

그러나, 종래의 IC 소켓에서는, 복수 개의 IC 패키지에 대하여 동시에 고온 하에서 동작 시험을 행할 때, 이들 복수 개의 IC 패키지에 온도차가 생길 우려가 있고, 그 때문에, 이들 복수의 IC 패키지에 대하여, 의도한 온도에서 신뢰성이 높은 동작 시험을 행하는 것이 어려웠다.However, in the conventional IC socket, when a plurality of IC packages are subjected to an operation test under high temperature at the same time, a temperature difference may occur in the plurality of IC packages. Therefore, for the plurality of IC packages, It is difficult to perform a highly reliable operation test.

이에, 본 발명은, 복수의 전기 부품을 동시에 수용하여 동작 시험을 행할 때, 이들 전기 부품간의 온도차를 충분히 작은 상태로 할 수 있는 전기 부품용 소켓을 제공하는 것을 과제로 하고 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a socket for electric parts which can make a temperature difference between these electric parts sufficiently small when a plurality of electric parts are simultaneously accommodated and an operation test is performed.

이러한 과제를 달성하기 위해, 본 발명에 관한 전기 부품용 소켓은, 제1 전기 부품과 제2 전기 부품이 수용되어 배선 기판 상에 설치되는 전기 부품용 소켓으로서, 상기 배선 기판 상에 설치되고, 상기 제1 전기 부품과 상기 제2 전기 부품을 수용하는 소켓 본체를 포함하고, 이 소켓 본체는, 상기 제1 전기 부품을 수용하는 상측 수용부와, 상기 제2 전기 부품을 수용하는 하측 수용부를 가지고 있고, 상기 상측 수용부는, 개구부를 가지는 수용 본체와, 이 개구부에 설치되어 상기 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 가지고 있고, 이 열전도성 부재가, 상기 상측 수용부에 수용된 상기 제1 전기 부품과 상기 하측 수용부에 수용된 상기 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a socket for electric parts according to the present invention is a socket for electric parts, in which a first electric part and a second electric part are accommodated and mounted on a wiring board, And a socket body for accommodating the first electric component and the second electric component, wherein the socket body has an upper accommodating portion for accommodating the first electric component and a lower accommodating portion for accommodating the second electric component The upper housing portion has a housing body having an opening portion and a thermally conductive member provided on the opening portion and having a thermal conductivity higher than that of the housing body, and the thermally conductive member is disposed between the first electric component housed in the upper housing portion And is configured to contact both sides of the second electric component accommodated in the lower accommodating portion.

본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 개구부는 상기 상측 수용부의 대략 중앙부에 형성되는 것이 바람직하다.In the socket for electric parts according to the present invention, it is preferable that the opening is formed in a substantially central portion of the upper receiving portion.

본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 열전도성 부재는 절연성을 가지고 있는 것이 바람직하다.In the socket for electric parts according to the present invention, it is preferable that the thermally conductive member has insulating property.

본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 열전도성 부재는, 상기 제1 전기 부품의 본체 하면과 접하고, 또한 상기 제2 전기 부품의 본체 상면과 접하도록 배치되는 것이 바람직하다.In the socket for electric parts according to the present invention, it is preferable that the thermally conductive member is disposed so as to be in contact with the lower surface of the main body of the first electric component and in contact with the upper surface of the main body of the second electric component.

본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서는, 상기 제1 전기 부품의 본체 상면을 가열하는 가열 기구(機構)를 더 포함하는 것이 바람직하다. In the socket for electric parts according to the present invention, it is preferable that the socket further comprises a heating mechanism (mechanism) for heating the upper surface of the main body of the first electric part.

본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 가열 기구는, 상기 제1 전기 부품의 상기 본체 상면을 압압(押壓)하는 히트 싱크와, 이 히트 싱크를 가열하는 히터를 가지는 것이 바람직하다.In the socket for electric parts according to the present invention, it is preferable that the heating mechanism has a heat sink for pressing the upper surface of the main body of the first electric component, and a heater for heating the heat sink.

본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 제1 전기 부품 및 상기 제2 전기 부품은, 상하로 중첩된 상태로 회로 기판에 실장되는 2개의 IC 패키지인 것이 바람직하다.In the socket for electric parts according to the present invention, it is preferable that the first electric component and the second electric component are two IC packages which are mounted on a circuit board in a state of being stacked up and down.

본 발명에 의하면, 상측 수용부에 수용된 제1 전기 부품과 하측 수용부에 수용된 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록, 상측 수용부에 그 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 배치하였기 때문에, 간단한 구조로, 상하의 전기 부품끼리 열을 전달하기 쉽게 할 수 있고, 이에 의해, 상하의 전기 부품의 온도차를 작게 할 수 있다. 그 결과, 상하의 전기 부품을 미리 설정한 온도에 가까운 상태로 하여 시험을 행할 수 있다.According to the present invention, since the thermally conductive member having a higher thermal conductivity than the receiving body is disposed in the upper receiving portion so as to be in contact with both the first electrical component accommodated in the upper accommodating portion and the second electrical component accommodated in the lower accommodating portion, It is possible to easily transmit heat between the upper and lower electric parts, thereby making it possible to reduce the temperature difference between the upper and lower electric parts. As a result, the upper and lower electric parts can be tested in a state close to a preset temperature.

본 발명에 있어서, 상측 수용부의 대략 중앙부에 개구부를 형성하여 그 개구부에 열전도성 부재를 배치하는 것에 의해, 이 열전도성 부재를, 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품의 양쪽에 충분히 넓은 면적으로 접촉시킬 수 있다. 그러므로, 상하의 전기 부품의 온도차를 충분히 작게 할 수 있다.In the present invention, an opening is formed in a substantially central portion of the upper accommodating portion, and a thermally conductive member is disposed in the opening portion, so that the thermally conductive member is contacted with both of the first electric component and the second electric component . Therefore, the temperature difference between the upper and lower electric parts can be made sufficiently small.

본 발명에 있어서, 절연성의 열전도성 부재를 사용하는 것에 의해, 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품의, 단자간에서의 단락(短絡)을 방지할 수 있다.In the present invention, by using an insulating thermally conductive member, it is possible to prevent short-circuiting between terminals of the first electric component and the second electric component.

본 발명에 있어서, 열전도성 부재를 제1 전기 부품의 본체 하면과 접하고, 또한 제2 전기 부품의 본체 상면과 접하도록 배치하는 것에 의해, 이 열전도성 부재를 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품의 양쪽에 충분히 넓은 면적으로 접촉시킬 수 있다. 그러므로, 상하의 전기 부품의 온도차를 충분히 작게 할 수 있다.In the present invention, the thermally conductive member is disposed in contact with the lower surface of the main body of the first electrical component and in contact with the upper surface of the main body of the second electrical component, They can be brought into contact with each other with a sufficiently large area. Therefore, the temperature difference between the upper and lower electric parts can be made sufficiently small.

본 발명에 의하면, 열전도 부재를 설치하였으므로, 제1 전기 부품의 본체 상면을 가열하는 가열 기구를 설치한 경우에, 이 가열 기구에서 발생한 열을 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품으로 대략 균등하게 전도시킬 수 있다.According to the present invention, since the heat conduction member is provided, when the heating mechanism for heating the upper surface of the main body of the first electrical component is provided, the heat generated in the heating mechanism is conducted to the first and second electrical components approximately evenly .

본 발명에 있어서, 히터를 가지는 히트 싱크에서 제1 전기 부품의 본체 상면을 압압하면서 가열하는 것에 의해, 제1 전기 부품의 고정과 가열을 유효하게 행할 수 있다.In the present invention, heating and pressing of the upper surface of the main body of the first electric component in the heat sink having the heater can be effectively performed by heating and heating the first electric component.

본 발명에 의하면, 상하로 중첩된 상태로 회로 기판에 실장되는 2개의 IC 패키지의 시험을 실장 상태에 가까운 조건 하에서 행할 수 있다.According to the present invention, testing of two IC packages mounted on a circuit board in a state of being stacked up and down can be performed under conditions close to the mounted state.

[도 1] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 사시도이다.
[도 2] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 분해 사시도이다.
[도 3] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 평면도이다.
[도 4] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 3의 A-A선을 따른 단면도로서, 우측은 잠금 전의 상태도, 좌측은 잠금 시의 상태도이다.
[도 5] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 3의 B-B선을 따른 단면도이다.
[도 6] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버를 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 7] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 어퍼(upper) 모듈에 있어서의 컨택트 핀 설치 부분의 단면도로서, (a)는 잠금 전의 상태도, (b)는 잠금 시의 상태도이다.
[도 8] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 6의 C-C선을 따른 단면도이다.
[도 9] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 6의 D-D선을 따른 단면도이다.
[도 10] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버와 어퍼 모듈을 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 11] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 바텀(bottom) 모듈에 있어서의 컨택트 핀 설치 부분의 단면도로서, (a)는 잠금 전의 상태도, (b)는 잠금 시의 상태도이다.
[도 12] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 어퍼 모듈과 바텀 모듈의 컨택트 핀 설치 부분을 나타내는 단면도이다.
[도 13a] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지의 외관을 나타내는 정면도이다.
[도 13b] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지의 외관을 나타내는 평면도이다.
[도 14a] 본 발명의 실시형태에 관한 프로세서 패키지의 외관을 나타내는 정면도이다.
[도 14b] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지의 외관을 나타내는 평면도이다.
[도 15a] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 가열 시의 온도 분포를 나타내는 등온선도이다.
[도 15b] 비교예에 관한 IC 소켓의 가열 시의 온도 분포를 나타내는 등온선도이다.1 is a perspective view showing an IC socket according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view showing an IC socket according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing an IC socket according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the IC socket according to the embodiment of the present invention taken along line AA of FIG. 3, and the right side is a state before locking, and the left side is a state when locking.
5 is a cross-sectional view of the IC socket according to the embodiment of the present invention, taken along line BB of Fig. 3;
6 is a plan view showing a state in which a cover of an IC socket according to an embodiment of the present invention is removed.
7 is a cross-sectional view of a contact pin mounting portion in an upper module of an IC socket according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a state before locking and (b) is a state when locking.
8 is a cross-sectional view taken along line CC of Fig. 6 in an IC socket according to an embodiment of the present invention. Fig.
9 is a cross-sectional view along the DD line of Fig. 6 in the IC socket according to the embodiment of the present invention. Fig.
10 is a plan view showing a state in which a cover and an upper module of an IC socket according to an embodiment of the present invention are removed.
11 is a cross-sectional view of a contact pin mounting portion in a bottom module of an IC socket according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a state before locking and (b) is a state when locking.
12 is a cross-sectional view showing a contact pin mounting portion of an upper module and a bottom module of an IC socket according to an embodiment of the present invention.
13A is a front view showing an appearance of a memory package according to an embodiment of the present invention.
13B is a plan view showing the appearance of a memory package according to an embodiment of the present invention.
14A is a front view showing an appearance of a processor package according to an embodiment of the present invention.
14B is a plan view showing the appearance of a memory package according to an embodiment of the present invention.
15A is an isotherm diagram showing the temperature distribution at the time of heating the IC socket according to the embodiment of the present invention.
15B is an isotherm chart showing the temperature distribution at the time of heating the IC socket according to the comparative example.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

도 1∼도 15a에는, 본 발명의 실시형태를 나타낸다.Figs. 1 to 15A show an embodiment of the present invention.

먼저 구성을 설명한다.First, the configuration will be described.

본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)은, 본 발명의 「전기 부품용 소켓」에 상당하고, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 「상측 수용부」로서의 어퍼 모듈(20)과 「하측 수용부」로서의 바텀 모듈(30)을 가지는 소켓 본체(10a)를 포함하고 있다.1 and 2, the IC socket 10 according to the present embodiment corresponds to the "socket for electric parts" of the present invention and includes the upper module 20 as an "upper receiving portion" of the present invention And a socket body 10a having a bottom module 30 as a " lower receiving portion ".

어퍼 모듈(20)에는 본 발명의 「제1 전기 부품」으로서의 메모리 패키지(11)가 수용된다. 또한, 바텀 모듈(30)에는, 본 발명의 「제2 전기 부품」으로서의 프로세서 패키지(12)가 수용된다.The upper module 20 accommodates the memory package 11 as the " first electric part " of the present invention. In addition, the bottom module 30 accommodates the processor package 12 as the " second electrical component " of the present invention.

평면에서 볼 때 대략 사각형의 커버(40)는, 본 발명의 「압압 부재」에 상당한다. 상기 커버(40)의 하측에는, 어퍼 모듈(20)을 협지하여 바텀 모듈(30)이 조립된다.The substantially rectangular cover 40 in plan view corresponds to the " pressing member " of the present invention. On the lower side of the cover 40, the bottom module 30 is assembled by holding the upper module 20 therebetween.

그리고, 도 4에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(19) 상에 바텀 모듈(30)을 설치하는 것에 의해, 2종류의 전기 부품[즉, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)]을, 동시에 시험할 수 있다.4, by installing the bottom module 30 on the wiring board 19, the two kinds of electric parts (that is, the memory package 11 and the processor package 12) Can be tested.

이와 같이, 본 실시형태의 IC 소켓(10)에서는, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)가, 프로세서 패키지(12)의 상측에 메모리 패키지(11)가 적층된 상태로 수용된다. 즉, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 동작 시험을, 소위 패키지 온 패키지(PoP) 구조를 이루도록 실장된 상태에 가까운 환경 하에서 실행할 수 있다.As described above, in the IC socket 10 of the present embodiment, the memory package 11 and the processor package 12 are accommodated in a state in which the memory package 11 is stacked on the upper side of the processor package 12. That is, the IC socket 10 of the present embodiment can perform the operation test of the memory package 11 and the processor package 12 in an environment close to the state of being mounted so as to form a so-called package-on-package (PoP) structure.

본 실시형태의 메모리 패키지(11)는, 도 13a 및 도 13b에 나타낸 바와 같이, 소위 BGA(Ball Grid Array)다. 즉, 상기 메모리 패키지(11)는, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 본체부(11a)를 가지고, 또한, 이 본체부(11a)의 하면에는, 사각프레임형상의 주위 에지부로부터 하향으로 돌출하는, 복수의 반구형의 단자(11b)가 설치되어 있다.The memory package 11 of the present embodiment is a so-called BGA (Ball Grid Array) as shown in Figs. 13A and 13B. In other words, the memory package 11 has a substantially square main body portion 11a in a plan view. Further, on the lower surface of the main body portion 11a, a downwardly protruding rectangular frame- A plurality of hemispherical terminals 11b are provided.

또한, 본 실시형태의 프로세서 패키지(12)도, 도 14a 및 도 14b에 나타낸 바와 같이, 소위 BGA다. 상기 프로세서 패키지(12)는, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의, 메모리 패키지(11)의 본체부(11a)와 동일한 크기의 본체부(12a)를 갖는다. 그리고, 상기 본체부(12a)의 하면에는, 배선 기판(19)에 접촉시키기 위한 복수의 반구형의 하측 단자(12b)가 하향으로 돌출되어 형성되어 있다. 또한, 본체부(12a)의 상면에는, 사각프레임 형상의 주위 에지부에 메모리 패키지(11)의 단자(11b)를 접촉시켜 도통시키기 위한, 반구형의 상측 단자(12c)가 형성되어 있다(도 12 참조). 그리고, 상기한 각 단자의 형상은 반구형에 한정되지 않고, 대략 평판형 등의 다른 형상이어도 된다.The processor package 12 of the present embodiment is also a so-called BGA, as shown in Figs. 14A and 14B. The processor package 12 has a body portion 12a of substantially the same size as the body portion 11a of the memory package 11 in plan view. A plurality of semispherical lower terminals 12b for contacting the wiring board 19 protrude downward from the lower surface of the main body portion 12a. A hemispherical upper terminal 12c is formed on the upper surface of the main body portion 12a so as to make the terminal 11b of the memory package 11 come into contact with the peripheral edge portion of the rectangular frame shape Reference). The shape of each terminal is not limited to a hemispherical shape but may be another shape such as a substantially flat plate shape.

한편, IC 소켓(10)의 바텀 모듈(30)은 도 2나 도 10에 나타낸 바와 같이, 모듈 본체(30a)를 가지고 있다. 이 모듈 본체(30a)는 프레임형부(31)를 가지고 있고, 그 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형으로 판형의 컨택트 유닛(32)이 끼워맞추어져 있다. 이 컨택트 유닛(32)은 도 11, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하판 부재(33)와 상판 부재(34)와 플로팅 부재(35)를 가지고 있다. 플로팅 부재(35)는 스프링(도시하지 않음)에 의해, 하판 부재(33) 및 상판 부재(34)로부터 멀어지는 방향으로 가압되고 있다. 하판 부재(33)는 상측의 제1 하판 부재(33a)와 하측의 제2 하판 부재(33b)로 구성되어 있다. 이들 제1 하판 부재, 제2 하판 부재(33a, 33b)가 도시하지 않은 유지 부재에 의해 유지되고 있다. 플로팅 부재(35)는, 그 상면에 형성된 하측 배치부(38)에 프로세서 패키지(12)를 배치한 상태에서, 전술한 스프링의 가압력에 거슬러 눌러 내림으로써, 상판 부재(34)와 하판 부재(33)에 가깝게 할 수 있도록, 상하 이동 가능하게 지지되어 있다.On the other hand, the bottom module 30 of the IC socket 10 has a module main body 30a as shown in Fig. 2 or Fig. The module main body 30a has a frame-shaped portion 31, and a plate-shaped contact unit 32 is fitted to the center portion of the module-like main body 30a. The contact unit 32 has a lower plate member 33, an upper plate member 34 and a floating member 35 as shown in Figs. The floating member 35 is urged in a direction away from the lower plate member 33 and the upper plate member 34 by a spring (not shown). The lower plate member 33 is composed of an upper first lower plate member 33a and a lower second lower plate member 33b. These first and second lower plate members 33a and 33b are held by a holding member (not shown). The floating member 35 is lifted and lowered against the pressing force of the spring in a state in which the processor package 12 is disposed on the lower arrangement portion 38 formed on the upper surface thereof so that the upper plate member 34 and the lower plate member 33 So as to be close to each other.

또한, 이 컨택트 유닛(32)에는 도 10∼도 12에 나타낸 바와 같이, 다수의 컨택트 핀(70)이 상하 방향을 향한 상태로 설치되어 있다.In addition, as shown in Figs. 10 to 12, a plurality of contact pins 70 are provided in the contact unit 32 so as to face up and down.

이들 컨택트 핀(70)은, 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)와 맞닿게 하는 제1 플런저(71)와, 배선 기판(19)과 맞닿게 하는 제2 플런저(72)와, 제1 플런저(71)와 제2 플런저(72) 사이에 설치되어 양쪽을 이격되는 방향으로 가압하는, 코일 스프링 등의 가압 부재(73)를 가지고 있다.The contact pins 70 include a first plunger 71 for bringing the lower terminal 12b of the processor package 12 into contact with the second terminal, a second plunger 72 for coming into contact with the wiring board 19, And a pressing member 73 such as a coil spring which is provided between the plunger 71 and the second plunger 72 and presses the both in a direction to separate them.

이들 컨택트 핀(70)은, 바텀 모듈(30) 및 어퍼 모듈(20)이 커버(40)에 조립되어 배선 기판(19) 상에 설치된 상태(도 4 참조)에서는, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제1 플런저(71)의 상단부가 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38)에 탑재된 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)에 접촉하고, 또한 제2 플런저(72)의 하단부가 배선 기판(19)의 전극(도시하지 않음)에 접촉한다.11 (b), in the state in which the bottom module 30 and the upper module 20 are assembled to the cover 40 and provided on the wiring board 19 The upper end of the first plunger 71 contacts the lower terminal 12b of the processor package 12 mounted on the lower arrangement portion 38 of the bottom module 30 and the second plunger 72 contacts the lower terminal 12b, (Not shown) of the wiring board 19 is brought into contact with the lower end of the wiring board 19.

또한, 모듈 본체(30a)의 외측에는 도 4에 나타낸 바와 같이, 후술하는 커버(40)의 한 쌍의 래치(51)와 걸어맞추기 위한, 한 쌍의 피걸어맞춤편(30b)이 설치되어 있다. 각 피걸어맞춤편(30b)은 각각, 상측 피걸어맞춤부(30c) 및 하측 피걸어맞춤부(30d)를 가지고 있다. 이들 상측 피걸어맞춤부(30c), 하측 피걸어맞춤부(30d)는 모두, 커버(40)의 각 래치(51)에 설치된 클로우부(claw portion)(51a)에 대향하도록 외향으로 형성되어 있다.4, a pair of unengaged engagement pieces 30b for engaging with a pair of latches 51 of a cover 40 to be described later is provided on the outside of the module main body 30a . Each of the to-be-engaged pieces 30b has an upper engaged portion 30c and a lower uncovered portion 30d. These upper engaged portions 30c and the lower unlocked portions 30d are formed outwardly so as to face the claw portions 51a provided in the respective latches 51 of the cover 40 .

여기에서, 상측 피걸어맞춤부(30c)와 하측 피걸어맞춤부(30d)의, 상하 방향의 위치 차[상측 피걸어맞춤부(30c)의 높이로부터 하측 피걸어맞춤부(30d)의 높이를 뺀 것]는, 도 4에 나타낸 바와 같이 어퍼 모듈(20)의 조립 높이[즉, 커버(40)와 바텀 모듈(30) 사이에 어퍼 모듈(20)을 개재시켰을 때의 바텀 모듈(30)의 위치와, 커버(40)와 바텀 모듈(30) 사이에 어퍼 모듈(20)을 개재시키지 않았을 때의 바텀 모듈(30)의 위치와의 차]에 대략 동등하게 되어 있다.Here, the positional difference in the vertical direction between the upper-side engaged portion 30c and the lower-side engaged portion 30d (the height of the lower unlocked portion 30d from the height of the upper-side engaged portion 30c (That is, the bottom module 30 when the upper module 20 is interposed between the cover 40 and the bottom module 30) of the upper module 20 as shown in Fig. 4 And the position of the bottom module 30 when the upper module 20 is not interposed between the cover 40 and the bottom module 30).

그러므로, IC 소켓(10)에서는 도 4에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 래치(51)에 설치한 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 형성한 상측 피걸어맞춤부(30c)에 걸어맞추는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)을 개재시킨 상태로 바텀 모듈(30)을 커버(40)에 조립할 수 있다. 한편, 커버(40)의 래치(51)에 형성한 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 형성한 하측 피걸어맞춤부(30d)에 걸어맞추는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)을 개재시키고 있지 않은 상태에서 바텀 모듈(30)을 커버(40)에 조립할 수도 있다.4, the claw portion 51a provided on the latch 51 of the cover 40 is inserted into the engaging piece 30b of the bottom module 30, The bottom module 30 can be assembled to the cover 40 with the upper module 20 interposed therebetween by engaging with the engaged portion 30c. On the other hand, the claw portion 51a formed in the latch 51 of the cover 40 is engaged with the lower engaged portion 30d formed in the engaged portion 30b of the bottom module 30, The bottom module 30 may be assembled to the cover 40 without the upper module 20 interposed therebetween.

어퍼 모듈(20)은 도 2 및 도 4∼도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 「수용 본체」로서의 모듈 본체(20a)를 가지고 있다. 이 모듈 본체(20a)는 프레임형부(21)를 가지고 있고, 그 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형이고 판형인 컨택트 유닛(22)이 끼워맞추어져 있다. 이 컨택트 유닛(22)은 도 8, 도 9, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)와 플로팅 부재(25)를 가지고 있다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 플로팅 부재(25)는 스프링(26)에 의해, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)로부터 멀어지는 방향으로 가압되고 있다.As shown in Figs. 2 and 4 to 6, the upper module 20 has a module main body 20a as a "receiving main body" of the present invention. The module main body 20a has a frame-shaped portion 21, and a contact unit 22, which is substantially square in plan view and in the form of a plate, is fitted in the central portion thereof. 8, 9, and 12, the contact unit 22 has a lower plate member 23, an upper plate member 24, and a floating member 25. The floating member 25 is urged by the spring 26 in a direction away from the lower plate member 23 and the upper plate member 24 as shown in Fig.

또한, 어퍼 모듈(20)은, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)와 플로팅 부재(25)를 관통하는 스토퍼 부재(27)를 가지고 있다. 이 스토퍼 부재(27)는 하방의 나사부(27a)와, 그 상측에 형성된, 그 나사부(27a)보다 폭이 넓은 소(小)플랜지부(27b)에 의해, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)를 고정한다. 또한, 소플랜지부(27b)의 상측에 형성된, 그 소플랜지부(27b)보다 폭이 넓은 대(大)플랜지부(27c)에 의해, 플로팅 부재(25)의 최상승 위치를 규제하고 있다.The upper module 20 also has a stopper member 27 penetrating the lower plate member 23 and the upper plate member 24 and the floating member 25. The stopper member 27 is fixed to the lower plate member 23 and the upper plate member 27 by a downward threaded portion 27a and a small flange portion 27b formed on the upper side thereof and wider than the threaded portion 27a. 24 are fixed. The topmost position of the floating member 25 is regulated by the large flange portion 27c formed on the small flange portion 27b and wider than the small flange portion 27b.

그리고, 상기 플로팅 부재(25)의 상면에는, 메모리 패키지(11)를 배치하기 위한, 상측 배치부(28)가 형성되어 있다. 상기 플로팅 부재(25)는 상판 부재(24)와 스토퍼 부재(27)의 대플랜지부(27c) 사이에서 상승/하강할 수 있으므로, 상기 상측 배치부(28)도 최상승 위치와 최하강 위치 사이에 상하 이동 가능이다. 또한, 상기 상측 배치부(28)의 네 코너에는, 메모리 패키지(11)의 배치 위치를 규정하는 가이드(28a)가 설치되어 있다.An upper arrangement portion 28 for arranging the memory package 11 is formed on the upper surface of the floating member 25. The floating member 25 can be moved up and down between the upper plate member 24 and the flange portion 27c of the stopper member 27 so that the upper arrangement portion 28 is also located between the superposed position and the lowest position It is possible to move up and down. In addition, a guide 28a for defining the arrangement position of the memory package 11 is provided at the four corners of the upper arrangement portion 28. [

또한, 상기 상측 배치부(28)의 주위 에지부의 하방에는, 도 6, 도 7, 도 12에 나타낸 바와 같이, 다수의 컨택트 핀(60)이 상하 방향을 향한 상태로 설치되어 있다. 이들 컨택트 핀(60)은, 메모리 패키지(11)의 단자(11b)와 맞닿는 플런저(61)와, 이 플런저(61)의 하부에 삽입되어 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)와 맞닿는 코일 스프링 등의 가압 부재(62)를 가지고 있다.Further, as shown in Figs. 6, 7, and 12, a plurality of contact pins 60 are provided below the peripheral edge portion of the upper arrangement portion 28 so as to face up and down. These contact pins 60 include a plunger 61 which abuts against the terminal 11b of the memory package 11 and a coil 61 which is inserted into the lower portion of the plunger 61 and contacts the upper terminal 12c of the processor package 12 And a pressing member 62 such as a spring.

그리고, 바텀 모듈(30) 및 어퍼 모듈(20)이 커버(40)에 조립된 상태(도 1 참조)에서는, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 플런저(61)의 상단부가 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28) 상에 배치된 메모리 패키지(11)의 단자(11b)에 접촉하고, 또한 가압 부재(62)의 하단부가 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38) 상에 배치된 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)에 소정의 접촉압으로 접촉한다.7 (b), the upper end portion of the plunger 61 is engaged with the upper module 20 (see FIG. 1) in a state in which the bottom module 30 and the upper module 20 are assembled to the cover 40 The lower end of the pressing member 62 contacts the terminal 11b of the memory package 11 disposed on the upper placement portion 28 of the bottom module 30 and the lower end of the pressing member 62 is placed on the lower placement portion 38 of the bottom module 30 And contacts the upper terminal 12c of the disposed processor package 12 at a predetermined contact pressure.

전술한 바와 같이, 어퍼 모듈(20)의 컨택트 유닛(22)은 하판 부재(23), 상판 부재(24) 및 플로팅 부재(25)를 구비하고 있다(도 8, 도 9, 도 12 등 참조). 부재(23, 24, 25)의 대략 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 개구부(23b, 24b, 25b)가 형성되어 있다. 그리고, 이들 개구부(23b, 24b, 25b)에 의해, 컨택트 유닛(22)의 개구부(20b)가 구성되어 있다.As described above, the contact unit 22 of the upper module 20 includes the lower plate member 23, the upper plate member 24, and the floating member 25 (see Figs. 8, 9, 12, etc.) . Openings 23b, 24b and 25b are formed in substantially the center of the members 23, 24 and 25 in a plan view. The openings 20b of the contact unit 22 are constituted by the openings 23b, 24b, and 25b.

상기 개구부(20b)에는 도 6에 나타낸 바와 같이, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 열전도성 부재(29)가 설치되어 있다. 이 열전도성 부재(29)는 열을 전도하기 쉽고, 또한 절연성을 가지도록 형성된다. 본 실시형태에서는, 알루미늄 부재의 표면에 알루마이트 가공 처리로 절연막을 형성한 것을, 상기 열전도성 부재(29)로서 사용한다.As shown in Fig. 6, the opening portion 20b is provided with a thermally conductive member 29 having a substantially square shape when seen in a plan view. The thermally conductive member 29 is formed so as to be easy to conduct heat and to have insulation property. In the present embodiment, an aluminum film on which an insulating film is formed by alumite processing is used as the thermally conductive member 29.

또한, 상기 열전도성 부재(29)는, 그 상면과 메모리 패키지(11)의 접촉 면적이나, 그 하면과 프로세서 패키지(12)의 접촉 면적이 충분히 커지도록, 그 상면 및 하면이 대략 평면형으로 형성되어 있다.The upper surface and the lower surface of the thermally conductive member 29 are formed to be substantially planar so that the contact area between the upper surface of the thermally conductive member 29 and the memory package 11 and the contact area between the lower surface and the processor package 12 become sufficiently large have.

도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 열전도성 부재(29)는 그 측면에, 그 전체 둘레에 걸쳐 외측으로 돌출하도록 형성된, 플랜지형의 돌출부(29a)를 가지고 있다. 한편, 상판 부재(24)에는, 상판 개구부(24b)의 내주면(內周面)의 하부부터 하면에 걸쳐서, 절결부(24a)가 형성되어 있다. 이 절결부(24a)에 열전도성 부재(29)의 돌출부(29a)를 삽입한 상태에서, 상판 부재(24)의 하면에 하판 부재(23)의 상면을 맞닿게 하는 것에 의해, 상기 돌출부(29a)가 하판 부재(23)와 상판 부재(24)에 의해 끼워 넣어진 상태가 된다. 그리고, 이들 하판 부재(23)와 상판 부재(24)를 스토퍼 부재(27)로 고정하는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)의 개구부(20b)에 열전도성 부재(29)를 수용하여 유지할 수 있다.As shown in Fig. 5, the thermally conductive member 29 has a flange-like projection 29a formed on its side surface so as to protrude outward over its entire periphery. On the other hand, the upper plate member 24 is provided with a notch 24a extending from the lower surface to the lower surface of the inner circumferential surface of the upper plate opening 24b. The upper surface of the lower plate member 23 is brought into contact with the lower surface of the upper plate member 24 in a state where the protruding portion 29a of the thermally conductive member 29 is inserted into the cutout portion 24a, Is sandwiched by the lower plate member 23 and the upper plate member 24. The thermal conductive member 29 can be received and held in the opening 20b of the upper module 20 by fixing the lower plate member 23 and the upper plate member 24 with the stopper member 27. [

또한, IC 소켓(10)의 커버(40)는 도 2∼도 5에 나타낸 바와 같이, 대략 직육면체 프레임 형상의 커버 본체(41)를 가지고 있다. 이 커버 본체(41)의 내측에는, 히트 싱크(42)가 스프링(도시하지 않음)에 의해 상방으로 가압된 상태에서, 위치결정핀(43)에 따라 상하 이동 가능하게 장착되어 있다.2 to 5, the cover 40 of the IC socket 10 has a substantially rectangular parallelepiped frame-shaped cover main body 41. The cover main body 41 has a substantially rectangular parallelepiped frame shape. The heat sink 42 is mounted on the inside of the cover main body 41 so as to be vertically movable along the positioning pin 43 in a state in which the heat sink 42 is pressed upward by a spring (not shown).

또한, 도 1, 도 2 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 커버 본체(41)에는 대략 ㄷ자형의 베일(조작 레버)(45)이 샤프트(46)를 중심으로 하여 화살표 M, N 방향으로 약 180° 회동(回動) 가능하게 장착되어 있다. 이에 의해, 상기 베일(45)이, 대기 위치 P1(도 4의 우측)과 시험 위치 P2(도 4의 좌측) 사이에서 회전 이동한다.As shown in Figs. 1, 2, and 4, a substantially U-shaped bail (operation lever) 45 is provided on the cover main body 41 in the direction of arrow M about the shaft 46, (Rotation). Thereby, the bail 45 rotates between the waiting position P1 (right side in Fig. 4) and the test position P2 (left side in Fig. 4).

상기 베일(45)의 양 단부에는, 캠(47)이 1개씩 장착되어 있다. 이들 캠(47)은 베일(45)을 회전시키는 것에 의해, 샤프트(46)를 중심으로 하여 회전한다.At both ends of the bail 45, cams 47 are mounted one by one. These cams 47 rotate about the shaft 46 by rotating the bail 45.

베일(45)이 대기 위치 P1에 위치할 때(도 4의 좌측), 도 5에 나타낸 바와 같이, 캠(47)의 압하(押下)부(47a)는 최상승 위치에 있고, 히트 싱크(42)의 돌출부(42a)를 압압하지 않는다. 그러므로, 도시하지 않은 스프링의 가압력에 의해, 히트 싱크(42)가 밀어 올려진 상태에 있다. 한편, 베일(45)을 시험 위치 P2까지 회전 이동시켰을 때(도 4의 우측), 캠(47)의 압하부(47a)가 가공하여 히트 싱크(42)의 돌출부(42a)의 상면에 접촉하고, 스프링의 가압력에 저항하여 히트 싱크(42)를 눌러 내린다.5, when the bail 45 is positioned at the standby position P1 (left side in Fig. 4), the depressed portion 47a of the cam 47 is in the topmost position, The protruding portion 42a does not press. Therefore, the heat sink 42 is pushed up by a pressing force of a spring (not shown). On the other hand, when the bail 45 is rotated to the test position P2 (right side in Fig. 4), the pressure lower portion 47a of the cam 47 is machined and contacts the upper surface of the projecting portion 42a of the heat sink 42 , And presses down the heat sink 42 against the pressing force of the spring.

또한, 커버 본체(41)의 외주면에는, 도 4에 나타낸 바와 같이 대향하는 2변에 각각 래치(51)가 장착되어 있다. 이들 래치(51)는 각각 샤프트(52)를 중심으로 하여, 화살표 K, L 방향으로 회전함으로써 개폐하도록 구성되어 있다. 각 래치(51)에는 각각, 상단부에 조작부(51b)가 형성되어 있고, 또한 하단부에 테이퍼형의 클로우부(51a)가 내향으로 형성되어 있다.On the outer circumferential surface of the cover main body 41, latches 51 are respectively attached to two opposing sides as shown in Fig. Each of the latches 51 is configured to open and close by rotating in the directions of arrows K and L with the shaft 52 as the center. Each of the latches 51 is provided with an operating portion 51b at its upper end and a tapered claw portion 51a formed at its lower end inwardly.

도 3에 나타낸 바와 같이, 각 래치(51)의 상단부 조작부(51b)와 커버 본체(41) 사이에는 각각, 2개씩의 코일 스프링(53)이 설치되어 있다. 래치(51)의 조작부(51b)는 이들 코일 스프링(53)에 의해, 항상 커버 본체(41)의 외측으로 가압되고 있다. 이에 의해, 래치(51)에는 항상, 화살표 L 방향(도 4 참조)으로 회전하는 가압력, 즉 닫히는 방향의 가압력이 부여된다.Two coil springs 53 are provided between the upper end operating portion 51b of each latch 51 and the cover main body 41 as shown in Fig. The operating portion 51b of the latch 51 is always urged to the outside of the cover main body 41 by these coil springs 53. [ As a result, the latch 51 is always given a pressing force that rotates in the direction of the arrow L (see Fig. 4), that is, a pressing force in the closing direction.

또한, 커버 본체(41)에는 도 4에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 대략 원기둥형의 잠금 핀(49)이 수평 방향 외향[즉, 대응하는 래치(51)에 대향하는 방향]으로 돌출된 상태로 매설되어 있다. 이들 잠금 핀(49)에 의해, 히트 싱크(42)가 눌러 내려진 상태에서, 각 래치(51)를 닫은 상태로 잠금할 수 있다.4, a pair of substantially cylindrical lock pins 49 protrude outward in the horizontal direction (that is, in the direction opposite to the corresponding latch 51) It is buried. With these lock pins 49, the heat sink 42 can be locked in a state in which the latches 51 are closed while the heat sink 42 is pushed down.

전술한 히트 싱크(42)의 내부에는 도 3에 나타낸 바와 같이, 히터(44)가 설치되어 있다. 시험 시에는, 히트 싱크(42)를 메모리 패키지(11)에 댄 상태에서, 상기 히터(44)로 상기 히트 싱크(42)를 가열한다. 그 결과, 상기 히트 싱크(42)의 열로, 어퍼 모듈(20)에 수용된 메모리 패키지(11)가 가열된다. 또한, 히트 싱크(42)에서 발생한 열은, 상기 메모리 패키지(11)로부터 열전도성 부재(29)를 통하여, 바텀 모듈(30)에 수용된 프로세서 패키지(12)로 전도된다.As shown in Fig. 3, a heater 44 is provided in the heat sink 42 described above. In the test, the heat sink 42 is heated by the heater 44 while the heat sink 42 is placed on the memory package 11. As a result, with the heat of the heat sink 42, the memory package 11 accommodated in the upper module 20 is heated. Heat generated in the heat sink 42 is conducted from the memory package 11 to the processor package 12 accommodated in the bottom module 30 through the thermally conductive member 29.

히트 싱크(42)에는 히터(44)의 온도를 관리하기 위한 열전대(44a)가 설치되어 있다.The heat sink 42 is provided with a thermocouple 44a for managing the temperature of the heater 44. [

그리고, 통상의 번인(번인) 장치에서는, 장치 내부의 온도를 소정의 시험 온도(예를 들면, 120℃)까지 상승시키는 것은 용이하지 않다. 그러므로, 본 실시형태에서는, 번인 장치 내의 온도를 소정의 고온(예를 들면, 80℃)까지 상승시키고, 또한 히터(44)로 시트 싱크의 온도를 시험 온도(예를 들면, 120℃)까지 상승시킨다.In a conventional burn-in apparatus, it is not easy to raise the temperature inside the apparatus to a predetermined test temperature (for example, 120 DEG C). Therefore, in the present embodiment, the temperature in the burn-in apparatus is raised to a predetermined high temperature (for example, 80 DEG C) and the temperature of the sheet sink is raised to the test temperature (for example, 120 DEG C) .

다음에, 이러한 IC 소켓(10)을 이용하여, 2종류의 전기 부품[본 실시형태에서는 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)]의 시험(본 실시형태에서는 번인 시험)을 행하는 순서를 설명한다.Next, a description will be given of a procedure of performing testing (burn-in test in this embodiment) of two kinds of electric parts (memory package 11 and processor package 12 in this embodiment) using such IC socket 10 do.

먼저, 도 2에 나타낸 바와 같이, 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38) 상에 프로세서 패키지(12)를 수용하고, 또한 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28) 상에 메모리 패키지(11)를 수용한다. 이에 의해, 프로세서 패키지(12)가 본체부(12a)의 상면에서 열전도성 부재(29)의 하면과 대향하고, 또한 메모리 패키지(11)가 본체부(11a)의 하면에서 상기 열전도성 부재(29)의 상면과 대향하는 상태가 된다.2, the processor package 12 is received on the lower side arrangement portion 38 of the bottom module 30 and the memory package 30 is mounted on the upper side arrangement portion 28 of the upper module 20 11). Thereby, the processor package 12 faces the lower surface of the thermally conductive member 29 on the upper surface of the main body portion 12a, and the memory package 11 is held on the lower surface of the main body portion 11a by the thermally conductive member 29 As shown in Fig.

다음에, 도 4의 우측에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 베일(45)이 대기 위치 P1에 위치하고 있는 상태에서, 래치(51)의 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 걸어맞추는 것에 의해, 커버(40)의 하측에 어퍼 모듈(20) 및 바텀 모듈(30)을 설치한다. 이에 의해, 바텀 모듈(30)은 어퍼 모듈(20)을 통하여 커버(40)에 조립된 상태로 된다.4, the claw portion 51a of the latch 51 is engaged with the pawl 45 of the bottom module 30 while the bail 45 of the cover 40 is positioned at the standby position P1. The upper module 20 and the bottom module 30 are installed on the lower side of the cover 40 by engaging with the fitting piece 30b. As a result, the bottom module 30 is assembled to the cover 40 through the upper module 20.

다음에, 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 IC 소켓(10)을 배선 기판(19) 상에 설치하고, 그 후, 도 4의 좌측에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 베일(45)을 화살표 N 방향으로 회동하여 시험 위치 P2까지 회전시킨다. 이 회전에 따라, 캠(47)의 압하부(47b)(도 5 참조)가 히트 싱크(42)의 돌출부(42a)의 상면을 압압하여, 상기 히트 싱크(42)를 하강시킨다.Next, as shown in Fig. 4, the IC socket 10 is placed on the wiring board 19, and then the bail 45 of the cover 40 is moved in the direction of arrow N direction and rotates to the test position P2. 5) of the cam 47 presses the upper surface of the protruding portion 42a of the heat sink 42 to lower the heat sink 42 in accordance with this rotation.

그 결과, 히트 싱크(42)가, 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28)에 탑재된 메모리 패키지(11)를 모듈 본체(20a) 내에서 하강시킨다. 이에 의해, 컨택트 핀(60)이 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)와 메모리 패키지(11)의 단자(11b)에 각각 소정의 접촉압으로 접촉하여, 이들 상측 단자(12c)와 단자(11b)가 전기적으로 접속된다(도 7 참조).As a result, the heat sink 42 lowers the memory package 11 mounted on the upper arrangement portion 28 of the upper module 20 in the module main body 20a. The contact pins 60 are brought into contact with the upper terminals 12c of the processor package 12 and the terminals 11b of the memory package 11 with a predetermined contact pressure so that the upper terminals 12c and the terminals 11b are electrically connected (see Fig. 7).

그와 함께, 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38)에 탑재된 프로세서 패키지(12)가 모듈 본체(30a) 내에서, 어퍼 모듈(20)에 눌러 내려진다. 이에 의해, 컨택트 핀(70)이 배선 기판(19)의 전극(도시하지 않음)과 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)에 소정의 접촉압으로 각각 접촉한다. 이에 의해, 하측 단자(12b)와 배선 기판(19)의 전극이 전기적으로 접속된다.The processor package 12 mounted on the lower arrangement portion 38 of the bottom module 30 is pushed down to the upper module 20 in the module main body 30a. The contact pins 70 are brought into contact with the electrodes (not shown) of the wiring board 19 and the lower terminals 12b of the processor package 12 at a predetermined contact pressure, respectively. Thereby, the lower terminal 12b and the electrode of the wiring board 19 are electrically connected.

또한, 히트 싱크(42)의 하강에 수반하여, 도 4의 좌측에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 잠금 핀(49)이 하강하여 한 쌍의 래치(51)의 단차부(51c)에 끼워맞추어진다. 그 결과, 이들 래치(51)가 닫힌 상태로 잠금된다.4, the pair of lock pins 49 is lowered to be fitted to the stepped portion 51c of the pair of latches 51 as the heat sink 42 is lowered . As a result, these latches 51 are locked in a closed state.

덧붙여, 히트 싱크(42)의 하강에 수반하여, 프로세서 패키지(12)가 본체부(12a)의 상면에서 열전도성 부재(29)의 하면에 접촉하고, 또한 메모리 패키지(11)가 본체부(11a)의 하면에서 이 열전도성 부재(29)의 상면에 접촉한 상태가 된다.The processor package 12 is brought into contact with the lower surface of the thermally conductive member 29 on the upper surface of the main body portion 12a and the memory package 11 is brought into contact with the lower surface of the main body portion 11a The upper surface of the thermally conductive member 29 is in contact with the lower surface of the thermally conductive member 29.

그 후, 번인 장치(도시하지 않음) 내의 온도를, 설정 온도(예를 들면, 80℃)까지 상승시킨다. 또한, IC 소켓(10)의 커버(40)에 설치된 히터(44)를 온으로 하여 히트 싱크(42)를 가열한다. 그 결과, 상기 히트 싱크(42)의 열이 메모리 패키지(11)에 전도되어, 이 메모리 패키지(11)의 온도가 상승한다. 그리고, 메모리 패키지(11)의 본체부(11a)의 하면으로부터 열전도성 부재(29)의 상면에 열이 전도되어, 이 열전도성 부재(29)의 온도가 상승한다. 게다가, 상기 열전도성 부재(29)의 하면으로부터 프로세서 패키지(12)의 본체부(12a)의 상면에 열이 전도되어, 이 프로세서 패키지(12)의 온도가 상승한다. 이와 같이 하여, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 표면 온도를, 소정 온도(예를 들면, 120℃)로 설정한다.Thereafter, the temperature in the burn-in apparatus (not shown) is raised to a set temperature (for example, 80 DEG C). Further, the heater 44 provided in the cover 40 of the IC socket 10 is turned on to heat the heat sink 42. As a result, the heat of the heat sink 42 is conducted to the memory package 11, and the temperature of the memory package 11 rises. Heat is conducted from the lower surface of the main body portion 11a of the memory package 11 to the upper surface of the thermally conductive member 29 and the temperature of the thermally conductive member 29 rises. In addition, heat is conducted from the lower surface of the thermally conductive member 29 to the upper surface of the main body portion 12a of the processor package 12, and the temperature of the processor package 12 rises. Thus, in this embodiment, the surface temperature of the memory package 11 and the processor package 12 is set to a predetermined temperature (for example, 120 占 폚).

전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11)와 어퍼 모듈(20) 사이에 열전도성 부재(29)를 배치하여, 메모리 패키지(11)의 하면과 열전도성 부재(29)의 상면이 접하고, 또한 이 열전도성 부재(29)의 하면과 프로세서 패키지(12)의 상면이 접하게 하였다.The thermally conductive member 29 is disposed between the memory package 11 and the upper module 20 so that the lower surface of the memory package 11 and the upper surface of the thermally conductive member 29 And the lower surface of the thermally conductive member 29 and the upper surface of the processor package 12 are brought into contact with each other.

그 결과, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12) 사이에서, 열을 전달되기 쉽게 할 수 있고, 따라서, 이들 패키지(11, 12)의 온도차를 작게 할 수 있다.As a result, heat can be easily transmitted between the memory package 11 and the processor package 12, and therefore the temperature difference between these packages 11 and 12 can be reduced.

이 상태에서, 2종류의 전기 부품[메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)]에 전류를 흐르게 하여 시험을 행한다.In this state, the electric current is passed through the two kinds of electric parts (the memory package 11 and the processor package 12) and the test is performed.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 프로세서 패키지(12) 및 메모리 패키지(11)의 번인 시험을, 대략 동등한 온도 조건으로 동시에 행할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the burn-in test of the processor package 12 and the memory package 11 can be performed at substantially the same temperature condition.

다음에, 열전도성 부재(29)를 구비한 IC 소켓[본 실시형태의 IC 소켓(10)]과, 열전도성 부재(29)를 가지고 있지 않은 IC 소켓의 비교 실험에 대하여, 도 15a 및 도 15b를 참조하여 설명한다. 도 15에 있어서, 범위 내의 곡선은 등온선이다.Next, a comparative experiment between an IC socket (IC socket 10 of the present embodiment) provided with the thermally conductive member 29 and an IC socket which does not include the thermally conductive member 29 will be described with reference to FIGS. 15A and 15B . In Fig. 15, the curve in the range is the isotherm.

본 실험에서는, 먼저 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)을 제작하여, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)를 수용하였다. 또한, 동시에, 비교용 IC 소켓에 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)를 수용하였다. 비교용 IC 소켓은, 열전도성 부재(29)를 구비하지 않은 점만이, 본 실시형태의 IC 소켓과 상이하다.In this experiment, first, the IC socket 10 according to the present embodiment was manufactured, and the memory package 11 and the processor package 12 were accommodated. At the same time, the memory package 11 and the processor package 12 were accommodated in the comparative IC socket. The comparative IC socket is different from the IC socket of the present embodiment only in that it is not provided with the thermally conductive member 29.

계속해서, 이들 2종류의 IC 소켓을, 히터 150degC(고정), 바람 없음, 환경 온도 25degC(실온)에서 가열하였다. 그리고, 온도가 상승하여 안정된 상태에서, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 온도를 측정하였다. 또한, 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)에 대해서는, 열전도성 부재(29)의 온도도 측정하였다.Subsequently, these two types of IC sockets were heated with a heater 150 deg C (fixed), no wind, and an ambient temperature of 25 deg C (room temperature). Then, the temperatures of the memory package 11 and the processor package 12 were measured in a stable state with the temperature rising. With respect to the IC socket 10 according to the present embodiment, the temperature of the thermally conductive member 29 was also measured.

그 결과, 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)은, 도 15a에 나타낸 바와 같이 패키지(11, 12)의 온도차가 작은 상태로 되었다. 구체적으로는, 메모리 패키지(11)가 145.75degC, 열전도성 부재(29)가 142.04degC, 프로세서 패키지(12)가 141.23degC로 되고, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차는 4.52degC로 되었다.As a result, in the IC socket 10 according to the present embodiment, the temperature difference between the packages 11 and 12 becomes small as shown in Fig. 15A. Specifically, the temperature difference between the memory package 11 and the processor package 12 is 145.75 degC, the thermal conductive member 29 is 142.04 degC, the processor package 12 is 141.23 degC, and the temperature difference between the memory package 11 and the processor package 12 is 4.52 degC Respectively.

이에 대하여, 열전도성 부재(29)가 설치되어 있지 않은 IC 소켓에서는, 도 15b에 나타낸 바와 같이, 패키지(11, 12)의 온도차가, 본 실시형태의 IC 소켓(10)의 경우보다 큰 상태로 되었다. 구체적으로는, 메모리 패키지(11)가 149.14degC, 프로세서 패키지(12)가 128.23degC로 되고, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차는 20.91degC로 되었다.On the other hand, in the IC socket in which the thermally conductive member 29 is not provided, as shown in Fig. 15B, the temperature difference between the packages 11 and 12 is larger than that in the case of the IC socket 10 of the present embodiment . Specifically, the memory package 11 was 149.14 degC, the processor package 12 was 128.23 degC, and the temperature difference between the memory package 11 and the processor package 12 was 20.91 degC.

이와 같이, 열전도성 부재(29)를 가지고 있는 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)은, 열전도성 부재(29)를 가지고 있지 않은 상태와 비교하여, 패키지(11, 12)의 온도차를 작게 할 수 있었다.As described above, the IC socket 10 according to the present embodiment having the thermally conductive member 29 is configured such that the temperature difference between the packages 11 and 12 is smaller than that in the state in which the thermally conductive member 29 is not provided I could.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)가 상하로 배치된 상태에서 시험 등을 행하는 IC 소켓(10)에, 열전도성 부재(29)를 설치하여 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 양쪽에 접촉하게 하였다.As described above, according to the present embodiment, the thermally conductive member 29 is provided in the IC socket 10 for performing the test or the like while the memory package 11 and the processor package 12 are arranged vertically, (11) and the processor package (12).

여기에서, 열전도성 부재(29)의 열전도율은, 어퍼 모듈(20)에 설치된 모듈 본체(20a)의 열전도율보다 높게 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 의하면, 간단한 구조로, 상측의 메모리 패키지(11)로부터 하측의 프로세서 패키지(12)로 열을 전달되기 쉽게 할 수 있고, 이에 의해, 상측의 메모리 패키지(11)와 하측의 프로세서 패키지(12)의 온도차를 작게 할 수 있다. 그 결과, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)를, 설정한 온도 상태에 가까운 상태로 하여 시험을 행할 수 있다.Here, the thermal conductivity of the thermally conductive member 29 is preferably higher than the thermal conductivity of the module main body 20a provided in the upper module 20. According to the present embodiment, heat can be easily transmitted from the upper memory package 11 to the lower processor package 12 with a simple structure, whereby the upper memory package 11 and the lower processor package 12 It is possible to reduce the temperature difference of the heat exchanger 12. As a result, the memory package 11 and the processor package 12 can be tested in a state close to the set temperature state.

또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)에서는, 열전도성 부재(29)가 어퍼 모듈(20)의 대략 중앙부에 형성된 개구부(20b)에 설치되어 있으므로, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 양쪽에 보다 넓은 면적으로 맞닿게 할 수 있다. 이 점에서도, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차를 작게 할 수 있다.In the IC socket 10 of the present embodiment, since the thermally conductive member 29 is provided in the opening portion 20b formed in the substantially central portion of the upper module 20, the memory package 11 and the processor package 12, It is possible to abut on both sides of the wider area with a larger area. Also in this respect, the temperature difference between the memory package 11 and the processor package 12 can be reduced.

또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)에 의하면, 열전도성 부재(29)의 표면이 절연성을 가지고 있으므로, 이들 패키지(11)의 복수의 단자(11b)나 패키지(12)의 복수의 상측 단자(12c)가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.Since the IC socket 10 of the present embodiment has insulating property on the surface of the thermally conductive member 29, the plurality of terminals 11b of the packages 11 and the plurality of upper terminals It is possible to prevent the short circuit 12c from being electrically short-circuited.

또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 어퍼 모듈(20)의 상방에 히트 싱크(42)를 설치하고, 또한 이 히트 싱크(42)에 히터(44)를 설치하는 것에 의해, IC 소켓(10)을 배치하는 번인 장치에서 설정 가능한 온도보다도, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)를 더 고온으로 할 수 있다. 덧붙여, 전술한 바와 같이, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12) 사이에 열전도성 부재(29)를 배치했으므로, 메모리 패키지(11)의 상면을 히트 싱크(42)로 가열함에도 불구하고, 이 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차를 매우 작게 할 수 있다.The IC socket 10 according to the present embodiment has the heat sink 42 provided above the upper module 20 and the heater 44 provided to the heat sink 42, The temperature of the memory package 11 and the temperature of the processor package 12 can be made higher than the temperature that can be set in the burn-in apparatus in which the burn-in apparatus 10 is disposed. In addition, since the thermally conductive member 29 is disposed between the memory package 11 and the processor package 12 as described above, even though the top surface of the memory package 11 is heated by the heat sink 42, The temperature difference between the memory package 11 and the processor package 12 can be made very small.

본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 소위 패키지 온 패키지 구조의 실장 회로에 탑재하는 IC 패키지의 시험에 사용하기 호적하다. 주지와 같이, 패키지 온 패키지 구조란, 회로 기판 상에 2개의 IC 패키지를 직접 접하도록 중첩하는 실장 방법이다. 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 2개의 IC 패키지[즉 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)] 사이에 열전도성 부재(29)를 배치했으므로, 패키지 온 패키지 구조의 실장 회로에 매우 가까운 온도 조건으로, 이들 2개의 IC 패키지의 시험을 행할 수 있다.The IC socket 10 of the present embodiment is suitable for use in testing an IC package mounted on a mounting circuit of a so-called package-on-package structure. As is well known, the package-on-package structure is a mounting method in which two IC packages are directly contacted on a circuit board. Since the IC socket 10 of the present embodiment has the thermally conductive member 29 disposed between the two IC packages (that is, the memory package 11 and the processor package 12) These two IC packages can be tested at close temperature conditions.

전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 히트 싱크(42)를 이용하여 메모리 패키지(11)를 상면으로부터 가열하는 것으로 하였다. 그러나, 본 발명은, 히트 싱크(42) 등에 의한 가열을 행하지 않는 IC 소켓에도 적용할 수 있고, 그 경우에도, 상하로 중첩한 2개의 IC 패키지의 온도차를 줄일 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the present embodiment, the heat sink 42 is used to heat the memory package 11 from the upper surface. However, the present invention is also applicable to IC sockets which are not heated by the heat sink 42 or the like. Even in this case, the effect of reducing the temperature difference between two vertically stacked IC packages can be obtained.

그리고, 본 실시형태에서는, 「전기 부품용 소켓」으로서 IC 소켓(10)을 채용한 경우를 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 다른 종류의 전기 부품을 수용하는 소켓에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.In the present embodiment, the case where the IC socket 10 is employed as the "socket for electrical parts" has been described. However, it is needless to say that the present invention is also applicable to a socket that accommodates other types of electrical parts.

전술한 바와 같이, 본 실시형태의 IC 소켓은, 패키지 온 패키지 구조의 실장 회로에 적용하는 IC 패키지의 시험에 적합하지만, 패키지 온 패키지 구조 이외의 실장 회로의 시험에도 사용할 수 있는 것은 물론이다.As described above, the IC socket of the present embodiment is suitable for testing of an IC package to be applied to an IC package of a package-on-package structure, but it goes without saying that the IC socket can also be used for testing an IC package other than a package-on-package structure.

10 : IC 소켓(전기 부품용 소켓)
10a : 소켓 본체
11 : 메모리 패키지(제1 전기 부품)
12 : 프로세서 패키지(제2 전기 부품)
19 : 배선 기판
20 : 어퍼 모듈(상측 수용부)
20a : 모듈 본체(수용 본체)
20b : 개구부
29 : 열전도성 부재
30 : 바텀 모듈(하측 수용부)
40 : 커버(압압 부재)
44 : 히터10: IC socket (electrical component socket)
10a: socket body
11: Memory package (first electric part)
12: Processor package (second electrical part)
19: wiring board
20: Upper module (upper receiving part)
20a: Module body (receiving body)
20b: opening
29: thermally conductive member
30: Bottom module (lower receiving part)
40: Cover (pressing member)
44: heater

Claims (7)

제1 전기 부품과 제2 전기 부품이 수용되어 배선 기판 상에 설치되는 전기 부품용 소켓으로서,
상기 배선 기판 상에 설치되고, 상기 제1 전기 부품과 상기 제2 전기 부품을 수용하는 소켓 본체를 포함하고,
상기 소켓 본체는, 상기 제1 전기 부품을 수용하는 상측 수용부와, 상기 제2 전기 부품을 수용하는 하측 수용부를 가지고 있고,
상기 상측 수용부는, 개구부를 가지는 수용 본체와, 상기 개구부에 설치되어 상기 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 가지고 있고,
상기 열전도성 부재가, 상기 상측 수용부에 수용된 상기 제1 전기 부품과 상기 하측 수용부에 수용된 상기 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록 구성되어 있는,
전기 부품용 소켓.A socket for electrical parts, wherein a first electrical component and a second electrical component are received and installed on a wiring board,
And a socket body mounted on the wiring board and accommodating the first electric component and the second electric component,
Wherein the socket body has an upper accommodating portion for accommodating the first electric component and a lower accommodating portion for accommodating the second electric component,
Wherein the upper accommodating portion has a receiving body having an opening and a thermally conductive member provided on the opening and having a higher thermal conductivity than the receiving body,
Wherein the thermally conductive member is configured to contact both the first electrical component accommodated in the upper accommodating portion and the second electrical component accommodated in the lower accommodating portion,
Socket for electrical parts. 제1항에 있어서,
상기 개구부는 상기 상측 수용부의 대략 중앙부에 형성되어 있는, 전기 부품용 소켓.The method according to claim 1,
And the opening is formed in a substantially central portion of the upper accommodating portion. 제1항에 있어서,
상기 열전도성 부재는 절연성을 가지고 있는, 전기 부품용 소켓.The method according to claim 1,
Wherein the thermally conductive member has an insulating property. 제1항에 있어서,
상기 열전도성 부재는, 상기 제1 전기 부품의 본체 하면과 접하고, 또한 상기 제2 전기 부품의 본체 상면과 접하도록 배치된, 전기 부품용 소켓.The method according to claim 1,
Wherein the thermally conductive member is disposed so as to be in contact with the lower surface of the main body of the first electrical component and to be in contact with the upper surface of the main body of the second electrical component. 제4항에 있어서,
상기 제1 전기 부품의 본체 상면을 가열하는 가열 기구(機構)를 더 포함하는 전기 부품용 소켓.5. The method of claim 4,
Further comprising a heating mechanism (mechanism) for heating the upper surface of the main body of the first electric component. 제5항에 있어서,
상기 가열 기구는, 상기 제1 전기 부품의 상기 본체 상면을 압압(押壓)하는 히트 싱크와, 상기 히트 싱크를 가열하는 히터를 가지는, 전기 부품용 소켓.6. The method of claim 5,
Wherein the heating mechanism includes a heat sink for pressing an upper surface of the main body of the first electric component and a heater for heating the heat sink. 제1항에 있어서,
상기 제1 전기 부품 및 상기 제2 전기 부품은, 상하로 중첩된 상태로 회로 기판에 실장되는 2개의 IC 패키지인, 전기 부품용 소켓.The method according to claim 1,
Wherein the first electrical component and the second electrical component are two IC packages mounted on a circuit board in a state of being stacked up and down.
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