KR102362735B1 - socket for electrical components - Google Patents
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Abstract
[과제] 2개의 전기 부품이 상하로 배치된 상태에서 시험 등을 행하는 전기 부품용 소켓에 있어서, 이들 2개의 전기 부품의 온도차를 저감한다.
[해결 수단] 본 발명의 전기 부품용 소켓은, 제1 전기 부품을 수용하는 상측 수용부와, 제2 전기 부품을 수용하는 하측 수용부를 갖는다. 상측 수용부는, 개구부를 가지는 수용 본체와, 상기 개구부에 설치되어 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 갖는다. 이 열전도성 부재는, 상측 수용부에 수용된 제1 전기 부품과 하측 수용부에 수용된 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록 배치된다.[Problem] In a socket for electrical components in which a test or the like is performed in a state in which two electrical components are arranged vertically, the temperature difference between these two electrical components is reduced.
[Solution Means] The socket for electric component of the present invention has an upper accommodating portion for accommodating the first electric component and a lower accommodating portion for accommodating the second electric component. The upper accommodating part has a accommodating body having an opening, and a thermally conductive member provided in the opening and having a higher thermal conductivity than the accommodating body. This thermally conductive member is arrange|positioned so that it may contact both the 1st electric component accommodated in the upper accommodating part, and the 2nd electric component accommodated in the lower accommodating part.
Description
본 발명은, 배선 기판 상에 설치되어, 반도체 장치(이하 「IC 패키지」라고 함) 등의 전기 부품의 시험 등을 행하기 위해 이 전기 부품을 수용하는, 전기 부품용 소켓에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a socket for electrical components that is installed on a wiring board and accommodates electrical components such as semiconductor devices (hereinafter referred to as "IC packages") for testing and the like.
종래, IC 패키지를 착탈(着脫) 가능하게 수용하여, 그 IC 패키지의 동작 시험을 행하기 위한 IC 소켓이 있다.Conventionally, there is an IC socket for removably housing an IC package and performing an operation test of the IC package.
또한, 그와 같은 동작 시험용 IC 소켓으로서, 복수 개의 IC 패키지를 동시에 수용하여 동작 시험을 행하는 것이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).Also, as such an IC socket for operation test, it is known that a plurality of IC packages are accommodated at the same time to perform an operation test (refer to Patent Document 1).
또한, 이들 복수 개의 IC 패키지를 히터로 각각 가열하여, 고온 하에서의 동작 시험을 행하는 IC 소켓이 알려져 있다.Also known is an IC socket in which a plurality of IC packages are respectively heated with a heater to perform an operation test under a high temperature.
그러나, 종래의 IC 소켓에서는, 복수 개의 IC 패키지에 대하여 동시에 고온 하에서 동작 시험을 행할 때, 이들 복수 개의 IC 패키지에 온도차가 생길 우려가 있고, 그 때문에, 이들 복수의 IC 패키지에 대하여, 의도한 온도에서 신뢰성이 높은 동작 시험을 행하는 것이 어려웠다.However, in the conventional IC socket, when a plurality of IC packages are simultaneously subjected to an operation test under high temperature, there is a risk that a temperature difference may occur in the plurality of IC packages. It was difficult to conduct a highly reliable operation test in
이에, 본 발명은, 복수의 전기 부품을 동시에 수용하여 동작 시험을 행할 때, 이들 전기 부품간의 온도차를 충분히 작은 상태로 할 수 있는 전기 부품용 소켓을 제공하는 것을 과제로 하고 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a socket for electrical components that can make the temperature difference between these electrical components sufficiently small when accommodating a plurality of electrical components at the same time and performing an operation test.
이러한 과제를 달성하기 위해, 본 발명에 관한 전기 부품용 소켓은, 제1 전기 부품과 제2 전기 부품이 수용되어 배선 기판 상에 설치되는 전기 부품용 소켓으로서, 상기 배선 기판 상에 설치되고, 상기 제1 전기 부품과 상기 제2 전기 부품을 수용하는 소켓 본체를 포함하고, 이 소켓 본체는, 상기 제1 전기 부품을 수용하는 상측 수용부와, 상기 제2 전기 부품을 수용하는 하측 수용부를 가지고 있고, 상기 상측 수용부는, 개구부를 가지는 수용 본체와, 이 개구부에 설치되어 상기 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 가지고 있고, 이 열전도성 부재가, 상기 상측 수용부에 수용된 상기 제1 전기 부품과 상기 하측 수용부에 수용된 상기 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the socket for electrical components according to the present invention is a socket for electrical components in which a first electrical component and a second electrical component are accommodated and installed on a wiring board, and is installed on the wiring board, a socket body for accommodating the first electrical component and the second electrical component, the socket body having an upper accommodating portion for accommodating the first electrical component and a lower accommodating portion for accommodating the second electrical component, , the upper accommodating portion has an accommodating body having an opening, and a thermally conductive member provided in the opening and having a higher thermal conductivity than the accommodating body, wherein the thermally conductive member includes the first electrical component accommodated in the upper accommodating portion; It is characterized in that it is configured to contact both sides of the second electric part accommodated in the lower accommodating part.
본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 개구부는 상기 상측 수용부의 대략 중앙부에 형성되는 것이 바람직하다.In the socket for electric component of the present invention, it is preferable that the opening is formed in a substantially central portion of the upper accommodating portion.
본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 열전도성 부재는 절연성을 가지고 있는 것이 바람직하다.In the socket for electrical components of the present invention, it is preferable that the thermally conductive member has insulation.
본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 열전도성 부재는, 상기 제1 전기 부품의 본체 하면과 접하고, 또한 상기 제2 전기 부품의 본체 상면과 접하도록 배치되는 것이 바람직하다.In the socket for electrical component of the present invention, it is preferable that the thermally conductive member is disposed so as to be in contact with the lower surface of the main body of the first electric component and to be in contact with the upper surface of the main body of the second electric component.
본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서는, 상기 제1 전기 부품의 본체 상면을 가열하는 가열 기구(機構)를 더 포함하는 것이 바람직하다. In the socket for electrical components of the present invention, it is preferable to further include a heating mechanism for heating the upper surface of the main body of the first electrical component.
본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 가열 기구는, 상기 제1 전기 부품의 상기 본체 상면을 압압(押壓)하는 히트 싱크와, 이 히트 싱크를 가열하는 히터를 가지는 것이 바람직하다.The socket for electric component of this invention WHEREIN: It is preferable that the said heating mechanism has a heat sink which presses the said main body upper surface of the said 1st electric component, and a heater which heats this heat sink.
본 발명의 전기 부품용 소켓에 있어서, 상기 제1 전기 부품 및 상기 제2 전기 부품은, 상하로 중첩된 상태로 회로 기판에 실장되는 2개의 IC 패키지인 것이 바람직하다.In the electrical component socket of the present invention, it is preferable that the first electrical component and the second electrical component are two IC packages mounted on a circuit board in a vertically overlapped state.
본 발명에 의하면, 상측 수용부에 수용된 제1 전기 부품과 하측 수용부에 수용된 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록, 상측 수용부에 그 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 배치하였기 때문에, 간단한 구조로, 상하의 전기 부품끼리 열을 전달하기 쉽게 할 수 있고, 이에 의해, 상하의 전기 부품의 온도차를 작게 할 수 있다. 그 결과, 상하의 전기 부품을 미리 설정한 온도에 가까운 상태로 하여 시험을 행할 수 있다.According to the present invention, a thermally conductive member having a higher thermal conductivity than the housing body is disposed in the upper accommodating portion so as to contact both the first electric component accommodated in the upper accommodating portion and the second electric component accommodated in the lower accommodating portion. With the structure, it is possible to easily transmit heat between the upper and lower electric components, thereby reducing the temperature difference between the upper and lower electric components. As a result, the test can be performed with the upper and lower electrical components in a state close to the preset temperature.
본 발명에 있어서, 상측 수용부의 대략 중앙부에 개구부를 형성하여 그 개구부에 열전도성 부재를 배치하는 것에 의해, 이 열전도성 부재를, 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품의 양쪽에 충분히 넓은 면적으로 접촉시킬 수 있다. 그러므로, 상하의 전기 부품의 온도차를 충분히 작게 할 수 있다.In the present invention, by forming an opening in the substantially central portion of the upper housing portion and arranging the thermal conductive member in the opening, the thermal conductive member is brought into contact with both the first electrical component and the second electrical component in a sufficiently large area can do it Therefore, the temperature difference between the upper and lower electric components can be sufficiently reduced.
본 발명에 있어서, 절연성의 열전도성 부재를 사용하는 것에 의해, 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품의, 단자간에서의 단락(短絡)을 방지할 수 있다.In this invention, the short circuit between the terminals of a 1st electrical component and a 2nd electrical component can be prevented by using an insulating thermally conductive member.
본 발명에 있어서, 열전도성 부재를 제1 전기 부품의 본체 하면과 접하고, 또한 제2 전기 부품의 본체 상면과 접하도록 배치하는 것에 의해, 이 열전도성 부재를 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품의 양쪽에 충분히 넓은 면적으로 접촉시킬 수 있다. 그러므로, 상하의 전기 부품의 온도차를 충분히 작게 할 수 있다.In the present invention, by disposing the thermally conductive member in contact with the lower surface of the main body of the first electric component and in contact with the upper surface of the main body of the second electric component, this thermally conductive member is formed of the first electric component and the second electric component. It can be brought into contact with a sufficiently large area on both sides. Therefore, the temperature difference between the upper and lower electric components can be sufficiently reduced.
본 발명에 의하면, 열전도 부재를 설치하였으므로, 제1 전기 부품의 본체 상면을 가열하는 가열 기구를 설치한 경우에, 이 가열 기구에서 발생한 열을 제1 전기 부품 및 제2 전기 부품으로 대략 균등하게 전도시킬 수 있다.According to the present invention, since the heat conduction member is provided, when a heating mechanism for heating the upper surface of the main body of the first electrical component is provided, the heat generated by the heating mechanism is conducted to the first electrical component and the second electrical component approximately equally can do it
본 발명에 있어서, 히터를 가지는 히트 싱크에서 제1 전기 부품의 본체 상면을 압압하면서 가열하는 것에 의해, 제1 전기 부품의 고정과 가열을 유효하게 행할 수 있다.In this invention, fixing and heating of a 1st electric component can be performed effectively by heating while pressing the main body upper surface of a 1st electric component with the heat sink which has a heater.
본 발명에 의하면, 상하로 중첩된 상태로 회로 기판에 실장되는 2개의 IC 패키지의 시험을 실장 상태에 가까운 조건 하에서 행할 수 있다.According to the present invention, two IC packages mounted on a circuit board in a vertically overlapped state can be tested under conditions close to the mounted state.
[도 1] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 사시도이다.
[도 2] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 분해 사시도이다.
[도 3] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓을 나타내는 평면도이다.
[도 4] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 3의 A-A선을 따른 단면도로서, 우측은 잠금 전의 상태도, 좌측은 잠금 시의 상태도이다.
[도 5] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 3의 B-B선을 따른 단면도이다.
[도 6] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버를 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 7] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 어퍼(upper) 모듈에 있어서의 컨택트 핀 설치 부분의 단면도로서, (a)는 잠금 전의 상태도, (b)는 잠금 시의 상태도이다.
[도 8] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 6의 C-C선을 따른 단면도이다.
[도 9] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓에 있어서의 도 6의 D-D선을 따른 단면도이다.
[도 10] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 커버와 어퍼 모듈을 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
[도 11] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 바텀(bottom) 모듈에 있어서의 컨택트 핀 설치 부분의 단면도로서, (a)는 잠금 전의 상태도, (b)는 잠금 시의 상태도이다.
[도 12] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 어퍼 모듈과 바텀 모듈의 컨택트 핀 설치 부분을 나타내는 단면도이다.
[도 13a] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지의 외관을 나타내는 정면도이다.
[도 13b] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지의 외관을 나타내는 평면도이다.
[도 14a] 본 발명의 실시형태에 관한 프로세서 패키지의 외관을 나타내는 정면도이다.
[도 14b] 본 발명의 실시형태에 관한 메모리 패키지의 외관을 나타내는 평면도이다.
[도 15a] 본 발명의 실시형태에 관한 IC 소켓의 가열 시의 온도 분포를 나타내는 등온선도이다.
[도 15b] 비교예에 관한 IC 소켓의 가열 시의 온도 분포를 나타내는 등온선도이다.1 is a perspective view showing an IC socket according to an embodiment of the present invention.
[ Fig. 2] Fig. 2 is an exploded perspective view showing an IC socket according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a plan view showing an IC socket according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a cross-sectional view taken along line AA of Fig. 3 in the IC socket according to the embodiment of the present invention, wherein the right side is a state diagram before locking, and the left side is a state diagram at the time of locking.
Fig. 5 is a cross-sectional view taken along line BB of Fig. 3 in the IC socket according to the embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a plan view showing a state in which the cover of the IC socket according to the embodiment of the present invention is removed.
Fig. 7 is a cross-sectional view of a contact pin mounting portion in an upper module of an IC socket according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a state diagram before locking, (b) is a state diagram at the time of locking.
Fig. 8 is a cross-sectional view taken along line CC of Fig. 6 in the IC socket according to the embodiment of the present invention.
Fig. 9 is a cross-sectional view taken along line DD in Fig. 6 in the IC socket according to the embodiment of the present invention.
[Fig. 10] Fig. 10 is a plan view showing a state in which the cover of the IC socket and the upper module according to the embodiment of the present invention are removed.
[Fig. 11] Fig. 11 is a cross-sectional view of a contact pin mounting portion in a bottom module of an IC socket according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a state diagram before locking, and (b) is a state diagram at the time of locking.
[ Fig. 12] Fig. 12 is a cross-sectional view showing a contact pin attachment portion of an upper module and a bottom module of an IC socket according to an embodiment of the present invention.
Fig. 13A is a front view showing an external appearance of a memory package according to an embodiment of the present invention.
Fig. 13B is a plan view showing an external appearance of a memory package according to an embodiment of the present invention.
Fig. 14A is a front view showing the appearance of a processor package according to an embodiment of the present invention.
[FIG. 14B] It is a top view which shows the external appearance of the memory package which concerns on embodiment of this invention.
Fig. 15A is an isothermal diagram showing the temperature distribution during heating of the IC socket according to the embodiment of the present invention.
Fig. 15B is an isothermal diagram showing the temperature distribution during heating of the IC socket according to the comparative example.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described.
도 1∼도 15a에는, 본 발명의 실시형태를 나타낸다.1 to 15A show an embodiment of the present invention.
먼저 구성을 설명한다.First, the configuration will be described.
본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)은, 본 발명의 「전기 부품용 소켓」에 상당하고, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 「상측 수용부」로서의 어퍼 모듈(20)과 「하측 수용부」로서의 바텀 모듈(30)을 가지는 소켓 본체(10a)를 포함하고 있다.The
어퍼 모듈(20)에는 본 발명의 「제1 전기 부품」으로서의 메모리 패키지(11)가 수용된다. 또한, 바텀 모듈(30)에는, 본 발명의 「제2 전기 부품」으로서의 프로세서 패키지(12)가 수용된다.The
평면에서 볼 때 대략 사각형의 커버(40)는, 본 발명의 「압압 부재」에 상당한다. 상기 커버(40)의 하측에는, 어퍼 모듈(20)을 협지하여 바텀 모듈(30)이 조립된다.The
그리고, 도 4에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(19) 상에 바텀 모듈(30)을 설치하는 것에 의해, 2종류의 전기 부품[즉, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)]을, 동시에 시험할 수 있다.And, as shown in FIG. 4, by installing the
이와 같이, 본 실시형태의 IC 소켓(10)에서는, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)가, 프로세서 패키지(12)의 상측에 메모리 패키지(11)가 적층된 상태로 수용된다. 즉, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 동작 시험을, 소위 패키지 온 패키지(PoP) 구조를 이루도록 실장된 상태에 가까운 환경 하에서 실행할 수 있다.As described above, in the
본 실시형태의 메모리 패키지(11)는, 도 13a 및 도 13b에 나타낸 바와 같이, 소위 BGA(Ball Grid Array)다. 즉, 상기 메모리 패키지(11)는, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 본체부(11a)를 가지고, 또한, 이 본체부(11a)의 하면에는, 사각프레임형상의 주위 에지부로부터 하향으로 돌출하는, 복수의 반구형의 단자(11b)가 설치되어 있다.The
또한, 본 실시형태의 프로세서 패키지(12)도, 도 14a 및 도 14b에 나타낸 바와 같이, 소위 BGA다. 상기 프로세서 패키지(12)는, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의, 메모리 패키지(11)의 본체부(11a)와 동일한 크기의 본체부(12a)를 갖는다. 그리고, 상기 본체부(12a)의 하면에는, 배선 기판(19)에 접촉시키기 위한 복수의 반구형의 하측 단자(12b)가 하향으로 돌출되어 형성되어 있다. 또한, 본체부(12a)의 상면에는, 사각프레임 형상의 주위 에지부에 메모리 패키지(11)의 단자(11b)를 접촉시켜 도통시키기 위한, 반구형의 상측 단자(12c)가 형성되어 있다(도 12 참조). 그리고, 상기한 각 단자의 형상은 반구형에 한정되지 않고, 대략 평판형 등의 다른 형상이어도 된다.Further, the
한편, IC 소켓(10)의 바텀 모듈(30)은 도 2나 도 10에 나타낸 바와 같이, 모듈 본체(30a)를 가지고 있다. 이 모듈 본체(30a)는 프레임형부(31)를 가지고 있고, 그 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형으로 판형의 컨택트 유닛(32)이 끼워맞추어져 있다. 이 컨택트 유닛(32)은 도 11, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하판 부재(33)와 상판 부재(34)와 플로팅 부재(35)를 가지고 있다. 플로팅 부재(35)는 스프링(도시하지 않음)에 의해, 하판 부재(33) 및 상판 부재(34)로부터 멀어지는 방향으로 가압되고 있다. 하판 부재(33)는 상측의 제1 하판 부재(33a)와 하측의 제2 하판 부재(33b)로 구성되어 있다. 이들 제1 하판 부재, 제2 하판 부재(33a, 33b)가 도시하지 않은 유지 부재에 의해 유지되고 있다. 플로팅 부재(35)는, 그 상면에 형성된 하측 배치부(38)에 프로세서 패키지(12)를 배치한 상태에서, 전술한 스프링의 가압력에 거슬러 눌러 내림으로써, 상판 부재(34)와 하판 부재(33)에 가깝게 할 수 있도록, 상하 이동 가능하게 지지되어 있다.On the other hand, the
또한, 이 컨택트 유닛(32)에는 도 10∼도 12에 나타낸 바와 같이, 다수의 컨택트 핀(70)이 상하 방향을 향한 상태로 설치되어 있다.In addition, as shown in Figs. 10 to 12, the
이들 컨택트 핀(70)은, 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)와 맞닿게 하는 제1 플런저(71)와, 배선 기판(19)과 맞닿게 하는 제2 플런저(72)와, 제1 플런저(71)와 제2 플런저(72) 사이에 설치되어 양쪽을 이격되는 방향으로 가압하는, 코일 스프링 등의 가압 부재(73)를 가지고 있다.These contact pins 70 include a
이들 컨택트 핀(70)은, 바텀 모듈(30) 및 어퍼 모듈(20)이 커버(40)에 조립되어 배선 기판(19) 상에 설치된 상태(도 4 참조)에서는, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이, 제1 플런저(71)의 상단부가 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38)에 탑재된 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)에 접촉하고, 또한 제2 플런저(72)의 하단부가 배선 기판(19)의 전극(도시하지 않음)에 접촉한다.These contact pins 70 are shown in FIG. 11B when the
또한, 모듈 본체(30a)의 외측에는 도 4에 나타낸 바와 같이, 후술하는 커버(40)의 한 쌍의 래치(51)와 걸어맞추기 위한, 한 쌍의 피걸어맞춤편(30b)이 설치되어 있다. 각 피걸어맞춤편(30b)은 각각, 상측 피걸어맞춤부(30c) 및 하측 피걸어맞춤부(30d)를 가지고 있다. 이들 상측 피걸어맞춤부(30c), 하측 피걸어맞춤부(30d)는 모두, 커버(40)의 각 래치(51)에 설치된 클로우부(claw portion)(51a)에 대향하도록 외향으로 형성되어 있다.Further, as shown in Fig. 4, on the outside of the
여기에서, 상측 피걸어맞춤부(30c)와 하측 피걸어맞춤부(30d)의, 상하 방향의 위치 차[상측 피걸어맞춤부(30c)의 높이로부터 하측 피걸어맞춤부(30d)의 높이를 뺀 것]는, 도 4에 나타낸 바와 같이 어퍼 모듈(20)의 조립 높이[즉, 커버(40)와 바텀 모듈(30) 사이에 어퍼 모듈(20)을 개재시켰을 때의 바텀 모듈(30)의 위치와, 커버(40)와 바텀 모듈(30) 사이에 어퍼 모듈(20)을 개재시키지 않았을 때의 바텀 모듈(30)의 위치와의 차]에 대략 동등하게 되어 있다.Here, the vertical position difference between the upper engaged
그러므로, IC 소켓(10)에서는 도 4에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 래치(51)에 설치한 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 형성한 상측 피걸어맞춤부(30c)에 걸어맞추는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)을 개재시킨 상태로 바텀 모듈(30)을 커버(40)에 조립할 수 있다. 한편, 커버(40)의 래치(51)에 형성한 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 형성한 하측 피걸어맞춤부(30d)에 걸어맞추는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)을 개재시키고 있지 않은 상태에서 바텀 모듈(30)을 커버(40)에 조립할 수도 있다.Therefore, in the
어퍼 모듈(20)은 도 2 및 도 4∼도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 「수용 본체」로서의 모듈 본체(20a)를 가지고 있다. 이 모듈 본체(20a)는 프레임형부(21)를 가지고 있고, 그 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형이고 판형인 컨택트 유닛(22)이 끼워맞추어져 있다. 이 컨택트 유닛(22)은 도 8, 도 9, 도 12에 나타낸 바와 같이, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)와 플로팅 부재(25)를 가지고 있다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 플로팅 부재(25)는 스프링(26)에 의해, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)로부터 멀어지는 방향으로 가압되고 있다.The
또한, 어퍼 모듈(20)은, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)와 플로팅 부재(25)를 관통하는 스토퍼 부재(27)를 가지고 있다. 이 스토퍼 부재(27)는 하방의 나사부(27a)와, 그 상측에 형성된, 그 나사부(27a)보다 폭이 넓은 소(小)플랜지부(27b)에 의해, 하판 부재(23)와 상판 부재(24)를 고정한다. 또한, 소플랜지부(27b)의 상측에 형성된, 그 소플랜지부(27b)보다 폭이 넓은 대(大)플랜지부(27c)에 의해, 플로팅 부재(25)의 최상승 위치를 규제하고 있다.In addition, the
그리고, 상기 플로팅 부재(25)의 상면에는, 메모리 패키지(11)를 배치하기 위한, 상측 배치부(28)가 형성되어 있다. 상기 플로팅 부재(25)는 상판 부재(24)와 스토퍼 부재(27)의 대플랜지부(27c) 사이에서 상승/하강할 수 있으므로, 상기 상측 배치부(28)도 최상승 위치와 최하강 위치 사이에 상하 이동 가능이다. 또한, 상기 상측 배치부(28)의 네 코너에는, 메모리 패키지(11)의 배치 위치를 규정하는 가이드(28a)가 설치되어 있다.In addition, an upper arranging
또한, 상기 상측 배치부(28)의 주위 에지부의 하방에는, 도 6, 도 7, 도 12에 나타낸 바와 같이, 다수의 컨택트 핀(60)이 상하 방향을 향한 상태로 설치되어 있다. 이들 컨택트 핀(60)은, 메모리 패키지(11)의 단자(11b)와 맞닿는 플런저(61)와, 이 플런저(61)의 하부에 삽입되어 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)와 맞닿는 코일 스프링 등의 가압 부재(62)를 가지고 있다.Further, as shown in Figs. 6, 7, and 12, a plurality of contact pins 60 are provided below the peripheral edge portion of the upper mounting
그리고, 바텀 모듈(30) 및 어퍼 모듈(20)이 커버(40)에 조립된 상태(도 1 참조)에서는, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 플런저(61)의 상단부가 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28) 상에 배치된 메모리 패키지(11)의 단자(11b)에 접촉하고, 또한 가압 부재(62)의 하단부가 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38) 상에 배치된 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)에 소정의 접촉압으로 접촉한다.And, in the state in which the
전술한 바와 같이, 어퍼 모듈(20)의 컨택트 유닛(22)은 하판 부재(23), 상판 부재(24) 및 플로팅 부재(25)를 구비하고 있다(도 8, 도 9, 도 12 등 참조). 부재(23, 24, 25)의 대략 중앙부에는 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 개구부(23b, 24b, 25b)가 형성되어 있다. 그리고, 이들 개구부(23b, 24b, 25b)에 의해, 컨택트 유닛(22)의 개구부(20b)가 구성되어 있다.As described above, the
상기 개구부(20b)에는 도 6에 나타낸 바와 같이, 평면에서 볼 때 대략 정사각형의 열전도성 부재(29)가 설치되어 있다. 이 열전도성 부재(29)는 열을 전도하기 쉽고, 또한 절연성을 가지도록 형성된다. 본 실시형태에서는, 알루미늄 부재의 표면에 알루마이트 가공 처리로 절연막을 형성한 것을, 상기 열전도성 부재(29)로서 사용한다.As shown in Fig. 6, the
또한, 상기 열전도성 부재(29)는, 그 상면과 메모리 패키지(11)의 접촉 면적이나, 그 하면과 프로세서 패키지(12)의 접촉 면적이 충분히 커지도록, 그 상면 및 하면이 대략 평면형으로 형성되어 있다.In addition, the upper surface and the lower surface of the thermally
도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 열전도성 부재(29)는 그 측면에, 그 전체 둘레에 걸쳐 외측으로 돌출하도록 형성된, 플랜지형의 돌출부(29a)를 가지고 있다. 한편, 상판 부재(24)에는, 상판 개구부(24b)의 내주면(內周面)의 하부부터 하면에 걸쳐서, 절결부(24a)가 형성되어 있다. 이 절결부(24a)에 열전도성 부재(29)의 돌출부(29a)를 삽입한 상태에서, 상판 부재(24)의 하면에 하판 부재(23)의 상면을 맞닿게 하는 것에 의해, 상기 돌출부(29a)가 하판 부재(23)와 상판 부재(24)에 의해 끼워 넣어진 상태가 된다. 그리고, 이들 하판 부재(23)와 상판 부재(24)를 스토퍼 부재(27)로 고정하는 것에 의해, 어퍼 모듈(20)의 개구부(20b)에 열전도성 부재(29)를 수용하여 유지할 수 있다.As shown in Fig. 5, the thermally
또한, IC 소켓(10)의 커버(40)는 도 2∼도 5에 나타낸 바와 같이, 대략 직육면체 프레임 형상의 커버 본체(41)를 가지고 있다. 이 커버 본체(41)의 내측에는, 히트 싱크(42)가 스프링(도시하지 않음)에 의해 상방으로 가압된 상태에서, 위치결정핀(43)에 따라 상하 이동 가능하게 장착되어 있다.Further, the
또한, 도 1, 도 2 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 커버 본체(41)에는 대략 ㄷ자형의 베일(조작 레버)(45)이 샤프트(46)를 중심으로 하여 화살표 M, N 방향으로 약 180° 회동(回動) 가능하게 장착되어 있다. 이에 의해, 상기 베일(45)이, 대기 위치 P1(도 4의 우측)과 시험 위치 P2(도 4의 좌측) 사이에서 회전 이동한다.In addition, as shown in Figs. 1, 2 and 4, the
상기 베일(45)의 양 단부에는, 캠(47)이 1개씩 장착되어 있다. 이들 캠(47)은 베일(45)을 회전시키는 것에 의해, 샤프트(46)를 중심으로 하여 회전한다.On both ends of the
베일(45)이 대기 위치 P1에 위치할 때(도 4의 좌측), 도 5에 나타낸 바와 같이, 캠(47)의 압하(押下)부(47a)는 최상승 위치에 있고, 히트 싱크(42)의 돌출부(42a)를 압압하지 않는다. 그러므로, 도시하지 않은 스프링의 가압력에 의해, 히트 싱크(42)가 밀어 올려진 상태에 있다. 한편, 베일(45)을 시험 위치 P2까지 회전 이동시켰을 때(도 4의 우측), 캠(47)의 압하부(47a)가 가공하여 히트 싱크(42)의 돌출부(42a)의 상면에 접촉하고, 스프링의 가압력에 저항하여 히트 싱크(42)를 눌러 내린다.When the
또한, 커버 본체(41)의 외주면에는, 도 4에 나타낸 바와 같이 대향하는 2변에 각각 래치(51)가 장착되어 있다. 이들 래치(51)는 각각 샤프트(52)를 중심으로 하여, 화살표 K, L 방향으로 회전함으로써 개폐하도록 구성되어 있다. 각 래치(51)에는 각각, 상단부에 조작부(51b)가 형성되어 있고, 또한 하단부에 테이퍼형의 클로우부(51a)가 내향으로 형성되어 있다.Further, on the outer peripheral surface of the
도 3에 나타낸 바와 같이, 각 래치(51)의 상단부 조작부(51b)와 커버 본체(41) 사이에는 각각, 2개씩의 코일 스프링(53)이 설치되어 있다. 래치(51)의 조작부(51b)는 이들 코일 스프링(53)에 의해, 항상 커버 본체(41)의 외측으로 가압되고 있다. 이에 의해, 래치(51)에는 항상, 화살표 L 방향(도 4 참조)으로 회전하는 가압력, 즉 닫히는 방향의 가압력이 부여된다.As shown in FIG. 3 , two
또한, 커버 본체(41)에는 도 4에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 대략 원기둥형의 잠금 핀(49)이 수평 방향 외향[즉, 대응하는 래치(51)에 대향하는 방향]으로 돌출된 상태로 매설되어 있다. 이들 잠금 핀(49)에 의해, 히트 싱크(42)가 눌러 내려진 상태에서, 각 래치(51)를 닫은 상태로 잠금할 수 있다.Further, as shown in Fig. 4, the
전술한 히트 싱크(42)의 내부에는 도 3에 나타낸 바와 같이, 히터(44)가 설치되어 있다. 시험 시에는, 히트 싱크(42)를 메모리 패키지(11)에 댄 상태에서, 상기 히터(44)로 상기 히트 싱크(42)를 가열한다. 그 결과, 상기 히트 싱크(42)의 열로, 어퍼 모듈(20)에 수용된 메모리 패키지(11)가 가열된다. 또한, 히트 싱크(42)에서 발생한 열은, 상기 메모리 패키지(11)로부터 열전도성 부재(29)를 통하여, 바텀 모듈(30)에 수용된 프로세서 패키지(12)로 전도된다.As shown in FIG. 3 , a
히트 싱크(42)에는 히터(44)의 온도를 관리하기 위한 열전대(44a)가 설치되어 있다.The
그리고, 통상의 번인(번인) 장치에서는, 장치 내부의 온도를 소정의 시험 온도(예를 들면, 120℃)까지 상승시키는 것은 용이하지 않다. 그러므로, 본 실시형태에서는, 번인 장치 내의 온도를 소정의 고온(예를 들면, 80℃)까지 상승시키고, 또한 히터(44)로 시트 싱크의 온도를 시험 온도(예를 들면, 120℃)까지 상승시킨다.And in a normal burn-in (burn-in) apparatus, it is not easy to raise the temperature inside an apparatus to a predetermined test temperature (for example, 120 degreeC). Therefore, in the present embodiment, the temperature in the burn-in apparatus is raised to a predetermined high temperature (eg, 80°C), and the temperature of the sheet sink is raised by the
다음에, 이러한 IC 소켓(10)을 이용하여, 2종류의 전기 부품[본 실시형태에서는 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)]의 시험(본 실시형태에서는 번인 시험)을 행하는 순서를 설명한다.Next, a procedure for performing a test (a burn-in test in this embodiment) of two types of electrical components (
먼저, 도 2에 나타낸 바와 같이, 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38) 상에 프로세서 패키지(12)를 수용하고, 또한 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28) 상에 메모리 패키지(11)를 수용한다. 이에 의해, 프로세서 패키지(12)가 본체부(12a)의 상면에서 열전도성 부재(29)의 하면과 대향하고, 또한 메모리 패키지(11)가 본체부(11a)의 하면에서 상기 열전도성 부재(29)의 상면과 대향하는 상태가 된다.First, as shown in FIG. 2 , the
다음에, 도 4의 우측에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 베일(45)이 대기 위치 P1에 위치하고 있는 상태에서, 래치(51)의 클로우부(51a)를 바텀 모듈(30)의 피걸어맞춤편(30b)에 걸어맞추는 것에 의해, 커버(40)의 하측에 어퍼 모듈(20) 및 바텀 모듈(30)을 설치한다. 이에 의해, 바텀 모듈(30)은 어퍼 모듈(20)을 통하여 커버(40)에 조립된 상태로 된다.Next, as shown on the right side of FIG. 4 , with the
다음에, 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 IC 소켓(10)을 배선 기판(19) 상에 설치하고, 그 후, 도 4의 좌측에 나타낸 바와 같이, 커버(40)의 베일(45)을 화살표 N 방향으로 회동하여 시험 위치 P2까지 회전시킨다. 이 회전에 따라, 캠(47)의 압하부(47b)(도 5 참조)가 히트 싱크(42)의 돌출부(42a)의 상면을 압압하여, 상기 히트 싱크(42)를 하강시킨다.Next, as shown in Fig. 4, the
그 결과, 히트 싱크(42)가, 어퍼 모듈(20)의 상측 배치부(28)에 탑재된 메모리 패키지(11)를 모듈 본체(20a) 내에서 하강시킨다. 이에 의해, 컨택트 핀(60)이 프로세서 패키지(12)의 상측 단자(12c)와 메모리 패키지(11)의 단자(11b)에 각각 소정의 접촉압으로 접촉하여, 이들 상측 단자(12c)와 단자(11b)가 전기적으로 접속된다(도 7 참조).As a result, the
그와 함께, 바텀 모듈(30)의 하측 배치부(38)에 탑재된 프로세서 패키지(12)가 모듈 본체(30a) 내에서, 어퍼 모듈(20)에 눌러 내려진다. 이에 의해, 컨택트 핀(70)이 배선 기판(19)의 전극(도시하지 않음)과 프로세서 패키지(12)의 하측 단자(12b)에 소정의 접촉압으로 각각 접촉한다. 이에 의해, 하측 단자(12b)와 배선 기판(19)의 전극이 전기적으로 접속된다.At the same time, the
또한, 히트 싱크(42)의 하강에 수반하여, 도 4의 좌측에 나타낸 바와 같이, 한 쌍의 잠금 핀(49)이 하강하여 한 쌍의 래치(51)의 단차부(51c)에 끼워맞추어진다. 그 결과, 이들 래치(51)가 닫힌 상태로 잠금된다.Further, as the
덧붙여, 히트 싱크(42)의 하강에 수반하여, 프로세서 패키지(12)가 본체부(12a)의 상면에서 열전도성 부재(29)의 하면에 접촉하고, 또한 메모리 패키지(11)가 본체부(11a)의 하면에서 이 열전도성 부재(29)의 상면에 접촉한 상태가 된다.In addition, with the lowering of the
그 후, 번인 장치(도시하지 않음) 내의 온도를, 설정 온도(예를 들면, 80℃)까지 상승시킨다. 또한, IC 소켓(10)의 커버(40)에 설치된 히터(44)를 온으로 하여 히트 싱크(42)를 가열한다. 그 결과, 상기 히트 싱크(42)의 열이 메모리 패키지(11)에 전도되어, 이 메모리 패키지(11)의 온도가 상승한다. 그리고, 메모리 패키지(11)의 본체부(11a)의 하면으로부터 열전도성 부재(29)의 상면에 열이 전도되어, 이 열전도성 부재(29)의 온도가 상승한다. 게다가, 상기 열전도성 부재(29)의 하면으로부터 프로세서 패키지(12)의 본체부(12a)의 상면에 열이 전도되어, 이 프로세서 패키지(12)의 온도가 상승한다. 이와 같이 하여, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 표면 온도를, 소정 온도(예를 들면, 120℃)로 설정한다.Thereafter, the temperature in the burn-in device (not shown) is raised to a set temperature (eg, 80°C). Further, the
전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11)와 어퍼 모듈(20) 사이에 열전도성 부재(29)를 배치하여, 메모리 패키지(11)의 하면과 열전도성 부재(29)의 상면이 접하고, 또한 이 열전도성 부재(29)의 하면과 프로세서 패키지(12)의 상면이 접하게 하였다.As described above, in the present embodiment, the thermal
그 결과, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12) 사이에서, 열을 전달되기 쉽게 할 수 있고, 따라서, 이들 패키지(11, 12)의 온도차를 작게 할 수 있다.As a result, heat can be easily transferred between the
이 상태에서, 2종류의 전기 부품[메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)]에 전류를 흐르게 하여 시험을 행한다.In this state, a test is performed by passing a current through two types of electrical components (
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 프로세서 패키지(12) 및 메모리 패키지(11)의 번인 시험을, 대략 동등한 온도 조건으로 동시에 행할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the burn-in tests of the
다음에, 열전도성 부재(29)를 구비한 IC 소켓[본 실시형태의 IC 소켓(10)]과, 열전도성 부재(29)를 가지고 있지 않은 IC 소켓의 비교 실험에 대하여, 도 15a 및 도 15b를 참조하여 설명한다. 도 15에 있어서, 범위 내의 곡선은 등온선이다.Next, a comparative experiment of an IC socket having the thermal conductive member 29 (
본 실험에서는, 먼저 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)을 제작하여, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)를 수용하였다. 또한, 동시에, 비교용 IC 소켓에 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)를 수용하였다. 비교용 IC 소켓은, 열전도성 부재(29)를 구비하지 않은 점만이, 본 실시형태의 IC 소켓과 상이하다.In this experiment, the
계속해서, 이들 2종류의 IC 소켓을, 히터 150degC(고정), 바람 없음, 환경 온도 25degC(실온)에서 가열하였다. 그리고, 온도가 상승하여 안정된 상태에서, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 온도를 측정하였다. 또한, 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)에 대해서는, 열전도성 부재(29)의 온도도 측정하였다.Subsequently, these two types of IC sockets were heated with a heater 150degC (fixed), no wind, and an environmental temperature of 25degC (room temperature). Then, the temperature of the
그 결과, 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)은, 도 15a에 나타낸 바와 같이 패키지(11, 12)의 온도차가 작은 상태로 되었다. 구체적으로는, 메모리 패키지(11)가 145.75degC, 열전도성 부재(29)가 142.04degC, 프로세서 패키지(12)가 141.23degC로 되고, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차는 4.52degC로 되었다.As a result, in the
이에 대하여, 열전도성 부재(29)가 설치되어 있지 않은 IC 소켓에서는, 도 15b에 나타낸 바와 같이, 패키지(11, 12)의 온도차가, 본 실시형태의 IC 소켓(10)의 경우보다 큰 상태로 되었다. 구체적으로는, 메모리 패키지(11)가 149.14degC, 프로세서 패키지(12)가 128.23degC로 되고, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차는 20.91degC로 되었다.In contrast, in the IC socket in which the thermal
이와 같이, 열전도성 부재(29)를 가지고 있는 본 실시형태에 관한 IC 소켓(10)은, 열전도성 부재(29)를 가지고 있지 않은 상태와 비교하여, 패키지(11, 12)의 온도차를 작게 할 수 있었다.In this way, the
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)가 상하로 배치된 상태에서 시험 등을 행하는 IC 소켓(10)에, 열전도성 부재(29)를 설치하여 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)의 양쪽에 접촉하게 하였다.As described above, in the present embodiment, the thermal
여기에서, 열전도성 부재(29)의 열전도율은, 어퍼 모듈(20)에 설치된 모듈 본체(20a)의 열전도율보다 높게 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 의하면, 간단한 구조로, 상측의 메모리 패키지(11)로부터 하측의 프로세서 패키지(12)로 열을 전달되기 쉽게 할 수 있고, 이에 의해, 상측의 메모리 패키지(11)와 하측의 프로세서 패키지(12)의 온도차를 작게 할 수 있다. 그 결과, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)를, 설정한 온도 상태에 가까운 상태로 하여 시험을 행할 수 있다.Here, it is preferable to make the thermal conductivity of the thermally
또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)에서는, 열전도성 부재(29)가 어퍼 모듈(20)의 대략 중앙부에 형성된 개구부(20b)에 설치되어 있으므로, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 양쪽에 보다 넓은 면적으로 맞닿게 할 수 있다. 이 점에서도, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차를 작게 할 수 있다.Further, in the
또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)에 의하면, 열전도성 부재(29)의 표면이 절연성을 가지고 있으므로, 이들 패키지(11)의 복수의 단자(11b)나 패키지(12)의 복수의 상측 단자(12c)가 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the
또한, 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 어퍼 모듈(20)의 상방에 히트 싱크(42)를 설치하고, 또한 이 히트 싱크(42)에 히터(44)를 설치하는 것에 의해, IC 소켓(10)을 배치하는 번인 장치에서 설정 가능한 온도보다도, 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)를 더 고온으로 할 수 있다. 덧붙여, 전술한 바와 같이, 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12) 사이에 열전도성 부재(29)를 배치했으므로, 메모리 패키지(11)의 상면을 히트 싱크(42)로 가열함에도 불구하고, 이 메모리 패키지(11)와 프로세서 패키지(12)의 온도차를 매우 작게 할 수 있다.In the
본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 소위 패키지 온 패키지 구조의 실장 회로에 탑재하는 IC 패키지의 시험에 사용하기 호적하다. 주지와 같이, 패키지 온 패키지 구조란, 회로 기판 상에 2개의 IC 패키지를 직접 접하도록 중첩하는 실장 방법이다. 본 실시형태의 IC 소켓(10)은, 2개의 IC 패키지[즉 메모리 패키지(11) 및 프로세서 패키지(12)] 사이에 열전도성 부재(29)를 배치했으므로, 패키지 온 패키지 구조의 실장 회로에 매우 가까운 온도 조건으로, 이들 2개의 IC 패키지의 시험을 행할 수 있다.The
전술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 히트 싱크(42)를 이용하여 메모리 패키지(11)를 상면으로부터 가열하는 것으로 하였다. 그러나, 본 발명은, 히트 싱크(42) 등에 의한 가열을 행하지 않는 IC 소켓에도 적용할 수 있고, 그 경우에도, 상하로 중첩한 2개의 IC 패키지의 온도차를 줄일 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the present embodiment, the
그리고, 본 실시형태에서는, 「전기 부품용 소켓」으로서 IC 소켓(10)을 채용한 경우를 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 다른 종류의 전기 부품을 수용하는 소켓에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.In addition, although the case where the
전술한 바와 같이, 본 실시형태의 IC 소켓은, 패키지 온 패키지 구조의 실장 회로에 적용하는 IC 패키지의 시험에 적합하지만, 패키지 온 패키지 구조 이외의 실장 회로의 시험에도 사용할 수 있는 것은 물론이다.As described above, the IC socket of the present embodiment is suitable for testing an IC package applied to a package-on-package structure mounted circuit, but it goes without saying that it can also be used for testing a package other than the package-on-package structure.
10 : IC 소켓(전기 부품용 소켓)
10a : 소켓 본체
11 : 메모리 패키지(제1 전기 부품)
12 : 프로세서 패키지(제2 전기 부품)
19 : 배선 기판
20 : 어퍼 모듈(상측 수용부)
20a : 모듈 본체(수용 본체)
20b : 개구부
29 : 열전도성 부재
30 : 바텀 모듈(하측 수용부)
40 : 커버(압압 부재)
44 : 히터10: IC socket (socket for electrical parts)
10a: socket body
11: memory package (first electrical component)
12: processor package (second electrical component)
19: wiring board
20: upper module (upper receiving part)
20a: module body (receiving body)
20b: opening
29: thermally conductive member
30: bottom module (lower receiving part)
40: cover (pressing member)
44: heater
Claims (7)
상기 배선 기판 상에 설치되고, 상기 제1 전기 부품과 상기 제2 전기 부품을 수용하는 소켓 본체를 포함하고,
상기 소켓 본체는, 상기 제1 전기 부품을 수용하는 상측 수용부와, 상기 제2 전기 부품을 수용하는 하측 수용부를 가지고 있고,
상기 상측 수용부는, 개구부를 가지는 수용 본체와, 상기 개구부에 설치되어 상기 수용 본체보다 열전도율이 높은 열전도성 부재를 가지고 있고,
상기 열전도성 부재가, 상기 상측 수용부에 수용된 상기 제1 전기 부품과 상기 하측 수용부에 수용된 상기 제2 전기 부품의 양쪽에 접촉하도록 구성되어 있는,
전기 부품용 소켓.A socket for electrical components in which a first electrical component and a second electrical component are accommodated and installed on a wiring board,
a socket body installed on the wiring board and accommodating the first electrical component and the second electrical component;
The socket body has an upper accommodating portion for accommodating the first electric component and a lower accommodating portion for accommodating the second electric component,
The upper accommodating part has an accommodating body having an opening, and a thermally conductive member provided in the opening and having a higher thermal conductivity than the accommodating body,
the thermally conductive member is configured to contact both the first electric component accommodated in the upper accommodating portion and the second electric component accommodated in the lower accommodating portion;
Sockets for electrical components.
상기 개구부는 상기 상측 수용부의 중앙부에 형성되어 있는, 전기 부품용 소켓.According to claim 1,
The opening is formed in a central portion of the upper receiving portion, the socket for electrical components.
상기 열전도성 부재는 절연성을 가지고 있는, 전기 부품용 소켓.According to claim 1,
The thermally conductive member has insulation, an electrical component socket.
상기 열전도성 부재는, 상기 제1 전기 부품의 본체 하면과 접하고, 또한 상기 제2 전기 부품의 본체 상면과 접하도록 배치된, 전기 부품용 소켓.According to claim 1,
The said thermally conductive member is arrange|positioned so that it may contact with the main body lower surface of the said 1st electric component, and it may contact with the main body upper surface of the said 2nd electric component, The socket for electrical components.
상기 제1 전기 부품의 본체 상면을 가열하는 가열 기구(機構)를 더 포함하는 전기 부품용 소켓.5. The method of claim 4,
The socket for electrical components further comprising a heating mechanism for heating the upper surface of the main body of the first electrical component.
상기 가열 기구는, 상기 제1 전기 부품의 상기 본체 상면을 압압(押壓)하는 히트 싱크와, 상기 히트 싱크를 가열하는 히터를 가지는, 전기 부품용 소켓.6. The method of claim 5,
The said heating mechanism has the heat sink which presses the said main body upper surface of the said 1st electrical component, and the heater which heats the said heat sink, The socket for electrical components.
상기 제1 전기 부품 및 상기 제2 전기 부품은, 상하로 중첩된 상태로 회로 기판에 실장되는 2개의 IC 패키지인, 전기 부품용 소켓.According to claim 1,
The first electrical component and the second electrical component are two IC packages mounted on a circuit board in a vertically overlapped state, the electrical component socket.
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